TWI374791B - - Google Patents

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九、發明說明： L發明所屬之技術領域3 發明領域 本發明係有關於(積層）研磨塾及其製造方法，又，該（積 層）研磨塾可安定且藉由高研磨效率，進行透鏡、反射鏡等 光學材料或石夕晶圓、硬碟用之玻璃基板、銘基板及一般金 屬研磨加工等要求高度表面平坦性之材料的平坦化加工 中。本發明之(積層）研磨整特別適合使用在將石夕晶圓及於該 矽晶圓上形成有氧化物層、金屬層等之裝置於進一步地積 層、形成該等氧化物層或金屬層前進行平坦化之程序（粗研 磨程序）中，又，本發明之(積層）研磨墊亦適合使用在精加 工研磨前述材料之表面時，特別是可用在矽晶圓或玻璃之 精加工研磨中。 L先前技術3 發明背景 於製造半導體裝置時，係進行於晶圓表面形成導電性 膜且藉由微影成像、蝕刻等形成配線層之程序，或於配線 層上形成層間絕緣膜之程序等，藉由該等程序，於晶圓表 面會產生由金屬等之導電體或絕緣體所構成之凹凸。近年 來，以半導體積體電路之高密度化為目的而進行配線之微 細化或多層配線化’使晶圓表面之凹凸平坦化之技術隨之 變得重要。 使晶圓表面之凹凸平坦化之方法一般係採用化學機械 磨光（以後稱作CMP)，CMP係一種在將晶圓之被研磨面抵 壓於研磨墊之研磨面之狀態下使用分散有磨料之漿液狀讲 磨劑（以後稱作槳液)進行研磨之技術。舉例言之，如第 所示’ 一般在CMP中所使用之研磨裝置包含有：研磨定燊 2 ’係用以支持研磨墊1者；支持台（磨光頭）5，係用以支椅 被研磨材（半導鐘晶圓）4者；親墊材料，係罔以進行晶圓i 均一加壓者；及研磨劑之供給機構。研磨墊丨係例如藉由0 雙面膠帶來黏貼而安裝於研磨定盤2，又，研磨定盤2與支 持台5係配置成所分別支持之研磨墊1與被研磨材4呈相對 狀態’且分別具有旋轉轴6、7 ’又，於支持台5側設置有用 以將被研磨材4抵壓於研磨墊1之加壓機構。 以往此種研磨墊係藉由如下述方法等之批次方式來製 造，即：1)使樹脂材料流入模具而製作樹脂塊，並藉由切 片機將該樹脂塊切片來製造；2)藉由使樹脂材料流入模具 並加壓而作成薄片狀來製造；3)使構成原料之樹脂溶解， 並自T型模押出成形而直接作成片狀來製造。舉例言之，專 利文獻1係藉由反應射出成形法來製造研磨用墊。 又，於積層研磨墊時，由於係藉由以接著劑或雙面膠 帶黏合利用前述方法所得到之研磨層或緩衝層等複數樹脂 片來製造，因此具有製造程序多且生產性差之問題。為了 解決該問題’於專利文獻2中使用押出機來製造積層研磨用 墊。 又’為了防止起因於批次方式之製造方法所造成之硬 度或氣泡大小等之誤差，揭示有一種連續地製造聚胺基甲 酸酯·聚脲研磨片材之方法（專利文獻3)，詳而言之，其係 取74791 一種混合聚胺基曱酸酯原料與具有300μ m以下之粒子徑之 微粉末或有機發泡劑，且於一對履帶工作面皮帶間吐出該 混合物並使其流延，然後藉由加熱機構進行該混合物之聚 合反應，並自工作面皮帶分離所生成之片狀成形物而得到 5 研磨片材之方法。 另一方面，於研磨塾與被研磨材接觸之研磨表面通常 設置有用以保持、更新漿液之溝。於藉由發泡體所構成之 研磨墊時，雖然在研磨表面具有許多開口且具有可保持、 更新漿液之作用，然而，藉由於研磨表面設置溝，可進一 10 步有效地進行漿液之保持與漿液之更新，且可防止因與被 研磨材間之吸附所造成之被研磨材之破壞。以往前述溝係 於製作過研磨片後藉由將其研磨表面進行機械磨削或雷射 加工來形成’然而，習知溝加工程序卻有耗費時間且生產 性差之問題。 15 又’於高精度研磨中所使用之研磨墊一般係使用聚胺 基甲酸酯發泡體片’然而，雖然聚胺基甲酸酯發泡體片局 部之平坦化能力優異，但是緩衝性卻不足’因此不易賦予 晶圓全面均一之壓力’故，通常會在聚胺基甲酸酯發泡體 片之背面另外設置柔軟之緩衝層，且作成積層研磨墊來使 20用在研磨加工中，舉例言之，積層研磨墊已開發有如後所 述者。 目前揭示有一種研磨墊，該研磨塾係積層較硬之第一 層與較軟之第二層’且於該第一層之研磨面設置有預定間 距之溝或預定形狀之突起（專利文獻4)。 7 另有一種研磨布，該研磨布包含有：第1片狀構件，係 "有彈性且於表面形成凹凸者；及第2片狀構件’係設置於 該第1片狀構件形成有凹凸之面上，且具有與被處理基板之 被研磨面相對之面者（專利文獻5)。 更有一種研磨墊^該研磨墊包含有：研磨層；及支捋 層係積層於該研磨層之一面，且為壓縮率大於該研磨層 之發泡體者（專利文獻6)。 然而’由於前述習知積層研磨墊係藉由雙面膠帶(黏著 劑層）黏合研磨層與緩衝層來製造，因此研磨中漿液會滲入 研磨層與緩衝層間而減弱雙面膠帶之黏著力，結果，會有 研磨層與緩衝層剝離之問題。 又’揭示有一種連續地製造使形狀規則之研磨劑複合 體接著於基材上之研磨物品之方法(專利文獻7)，更揭示有 一種以減少研磨塾間之差異為目的而連續地製造具有底層 及研磨層之研磨墊之方法（專利文獻8)。 又’在進行CMP時會有晶圓表面平坦度之判定問題， 即’必須彳貞測到達所希望之表面特性或平面狀態之時間 點。以往有關氧化膜之膜厚或研磨速度等係定期地處理測 試晶圓’且在確認結果後對構成製品之晶圓進行研磨處理。 然而’該方法會浪費用以處理測試晶圓之時間與成 本’又’在完全未預先施行加工之測試晶圓與製品晶圓中， 研磨結果會因CMP特有之負荷效應而有所不同，若未實際 地加工製品晶圓，則將難以正確地預測加工結果。 故，近來為了解決前述問題，要求一種於CMP處理時 可於當下偵測出能得到所希望之表面特性或厚度之時間點 的方法。此種偵測可使用各種方法，然而’若由測定精度 或於非接觸測定中之空間分辨能力之觀點來看，則以於旋 轉定盤内裝入利用雷射光之膜厚監測機構之光學偵測方法 (專利文獻9、專利文獻10)為主流。 具體而言，前述光學偵測方法係一種使光束通過窗孔 (透光領域）而越過研磨墊並照射到晶圓上，且藉由監測因該 反射所產生之干擾信號而偵測研磨終點之方法。 目前而言，一般係利用白色光來作為光束，且該白色 光係使用具有接近600nm之波長光之He-Ne雷射光或於380 〜800ηπι具有波長光之鹵素燈。 此種方法係藉由監測晶圓表面層之厚度變化而得知表 面凹凸之近似深度來決定終點，並於此種厚度之變化與凹 凸之深度相等時結束CMP處理，又，亦揭示有各種利用此 種光學方法來進行之研磨終點偵測法及於該方法中所使用 之研磨塾。 舉例言之’目前揭示有一種研磨墊，該研磨墊係至少 一部分具有為固體且均質並可透過19〇ηπ1至35〇〇nm之波長 光的透明聚合物片（專利文獻U)，另有一種插入階狀透明塞 之研磨塾(專利文獻12)，且有一種具有與磨光面為同一面之 透明塞的研磨墊(專利文獻13)。 另一方面’目前也有用以使漿液不會自研磨領域與透 光7員域之邊界(接縫)漏出之提案（專利文獻14、15)，然而， 於°又置該等透明防漏片時漿液亦會自研磨領域與透光領域 之邊界(接缝）朝研磨層下部漏出，且漿液會堆積在該防漏片 上而使光學終點偵測產生問題。 今後在半導體製造之高積體化、超小型化時，可預料 到的是積體電路之配線寬度會愈來愈小，此時必須有高精 • ψ Λ _ 内» # ft·* 9 «Ι1*! 9 $ ^ » # W t «Αν ,— •一 ，_ 3 没< 芊羚點1貝冽，恐叩，笞％終黏1貝冽用面*部热沄兄 分地解決前述漿液漏出之問題。 專利文獻1:日本專利特開2004-42189號公報 專利文獻2 :日本專利特開2003-220550號公報 專利文獻3 :曰本專利特開2004-169038號公報 10 專利文獻4 :日本專利特開2003-53657號公報 專利文獻5:日本專利特開平10-329005號公報 專利文獻6:曰本專利特開2004-25407號公報 專利文獻7:曰本專利特表平11-512874號公考民 專利文獻8:日本專利特表2003-516872號公報 15 專利文獻9 :美國專利第5069002號說明書 專利文獻10:美國專利第5081421號說明書 專利文獻11:曰本專利特表平11-512977號公報 專利文獻12:日本專利特開平9-7985號公報 專利文獻13:日本專利特開平10-83977號公報 20 專利文獻14 :日本專利特開2001-291686號公報 專利文獻15 :日本專利特表2003-510826號公報 【發明内容】 發明所欲解決之課題 第1本發明之目的係提供一種製造程序少且生產性優 10 1374791 異之研磨塾之製造方法，又，本發明之目的係提供一種製 造程序少且生產性優異’同時研磨層與緩衝層間不會剝離 之積層研磨墊之製造方法。 第2本發明之目的係提供一種生產性優異且厚度精度 5高之研磨塾之製造方法，又，本發明之目的係提供一種生 產性優異且厚度精度高，同時研磨層與緩衝層間不會剝離 之積層研磨墊之製造方法。 第3本發明之目的係提供一種可生產性良好地製造能 防止漿液自研磨領域與透光領域間漏出之研磨墊之方法’ 10又，本發明之目的係提供一種可生產性良好地製造研磨層 與緩衝層間不會剝離且能防止漿液自研磨領域與透光領域 間漏出之積層研磨墊之方法》 第4本發明之目的係提供一種製造程序少且生產性優 異之具有溝之研磨墊（以後亦僅稱作「研磨墊」）之製造方 15 法’及藉由該製造方法所得到之具有溝之研磨墊，又，+ 發明之目的係提供一種製造程序少且生產性優異，同時研 磨層與緩衝層間不會剝離之具有溝之積層研磨墊（以後亦 僅稱作「積層研磨墊」）之製造方法，及藉由該製造方法所 得到之具有溝之積層研磨墊。 20 解決課題之手段 本發明人為了解決前述問題反覆銳意檢討之結果，發 現藉由以後所示之（積層）研磨墊之製造方法可達成前述目 的以致完成本發明。 第1本發明之研磨塾之製造方法包含有以下程序，即 11 U/4791 藉由機械發泡法調製氣泡分散祕甲酸醋組成物；送出面 材並於該面材上連續地吐出氣泡分散胺基曱酸酯組成物； 於該氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層其他面材；均勻地 調整厚度，並藉由使氣泡分散胺基曱酸酯組成物硬化，形 3成由聚联基曱酸能發泡體所構成之研磨層；將該研磨層以 面呈平行之方式切割為二，藉此，同時地製作二片由研磨 層與面材所構成之長形研磨層；及裁切長形研磨層。 若藉由前述製造方法，則可同時地製造二片由研磨層 與面材所構成之長形研磨層，因此可生產性極良好地製造 ίο研磨墊。所得到之研磨層可本身單獨地作成研磨墊，亦可 於其單面上積層緩衝層而作成積層研磨墊。 又，第1本發明之積層研磨墊之製造方法包含有以下程 序，即：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物； 送出緩衝層並於該緩衝層上連續地吐出氣泡分散胺基甲酸 15 酯組成物；於該氣泡分散胺基曱酸酯組成物上積層其他缓 衝層；均勻地調整厚度，並藉由使氣泡分散胺基甲酸酯組 成物硬化，形成由聚胺基甲酸酯發泡體所構成之研磨層； 將該研磨層以面呈平行之方式切割為二，藉此，同時地製 作二片由研磨層與緩衝層所構成之長形積層片；及裁切長 20 形積層片。 若藉由前述製造方法，則可同時地製造二片由研磨層 與緩衝層所構成之長形積層片，再者’由於可省略黏合研 磨層與緩衝層之程序，因此可減少製造程序，且可生產性 極良好地製造積層研磨墊。由於藉由該製造方法所得到之 12 積層研磨墊係直接積層研磨層與緩衝層而未使用雙面膠帶 (黏著劑層）’因此具有研磨中研磨層與緩衝詹不會剝離之優 點。 第2本發明之研磨墊之製造方法包含有以下程序，即： 5藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物；送出面 材並於該面材之兩端部及/或内部配置分隔件；於未配置 有分隔件之前述面材上連續地吐出前述氣泡分散胺基甲酸 酯組成物；於所吐出之前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物上 積層其他面材；均勻地調整厚度，並藉由使氣泡分散胺基 10甲酸醋組成物硬化，製作由聚胺基曱酸酯發泡體所構成之 長形研磨層；及裁切長形研磨層。 若藉由前述製造方法，則可連續地製造長形研磨層， 且可生產性良好地製造研磨墊，又，藉由於面材上吐出氣 泡分散胺基曱酸酯組成物前在面材之兩端部配置分隔件， 15可防止氣泡分散胺基甲酸酯組成物之液體垂流，且可提升 長形研磨層之厚度精度。再者，藉由於面材之内部配置分 隔件，可解決長形研磨層之中央部厚度變薄之問題，且可 進一步地提升長形研磨層之厚度精度。另，由於配置於内 部之分隔件係構成研磨層之一部分，因此必須是不會對研 2〇磨特性造成不良影響者。又，所得到之研磨層可本身單獨 地作成研磨墊’亦可於其單面上積層緩衝層而作成積層研 磨塾。 前述分隔件宜由熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂所構 成。藉由以熱可塑性樹脂來形成分隔件，而可於捲繞狀態 13 5 下保存及供給至面材上，且亦可降低對研磨特性所造成之 ’〜響，故較為理想。又，藉由熱硬化性樹脂來形成分隔件 時，由於分隔件不易變形，因此可進一步地提升長形研磨 層之厚度精度。 又’配置於内部之分隔件於波長4〇〇〜7〇〇腿之全範圍 ^透光率宜為2G%以上。藉由使用透光率高之分隔件，而 可利用來作為林終點侧或絲膜厚躺用之透光領域 (窗孔）。又’若藉由本發明之製造方法，則由於分隔件(透 光領域)係無間隙地-體形成於研磨層内部，因此漿液亦不 會自透光領域與研磨領域之間隙漏出。 15 又，前述分隔件亦可藉由與前述氣泡分散胺基甲酸醋 組成物同-組成之聚胺基甲_發泡體所構成，此時，由 於可使分·與研錢狀物_同，目此可使研磨塾全 面中之研磨特性更均-。又，由於分隔件與研磨領域完全 一體化，因此可完全地防止漿液之漏出。 20 ，；。卩之》隔件亦可積層二片以上之樹月旨片 且可剝離，此時，藉由在製作過長形研磨層後剝離一部分 之樹脂片，可相較於研磨層之厚度肖情分隔件，藉此 降低對研磨特性之影響，或形成心保持、更《液之凹 陷結構。X ’使用該分隔件作為透光領域時，為了 光率，宜剝離-部分之樹脂片’此時宜刻離研磨裏面側之 樹脂片’此糾於在剝離研磨表面側之樹脂片時會有聚液 蓄積在所形成之凹陷結構並降低透光率之虞。 又，第2本發明之積層研純之製造方法包含有以下程 14 序，即：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物； 送出缓衝層並於該緩衝層之兩端部及/或内部配置分隔 件；於未配置有分隔件之前述緩衝層上連續地吐出前述氣 泡分散胺基曱酸酯組成物；於所吐出之前述氣泡分散胺基 5甲酸酯組成物上積層面材；均勻地調整厚度，並藉由使氣 泡分散胺基曱酸酯組成物硬化，形成由聚胺基甲酸酯發泡 體所構成之研磨層並製作長形積層片；及裁切長形積層片。 若藉由前述製造方法，則可連續地製造由研磨層與緩 衝層所構成之積層研磨塾，又，由於可省略黏合研磨層與 10 緩衝層之程序’因此可減少製造程序，且可生產性良好地 製造積層研磨墊。由於藉由該製造方法所得到之積層研磨 塾係直接積層研磨層與緩衝層而未使用雙面膠帶（黏著劑 層），因此具有研磨中研磨層與緩衝層不會剝離之優點。再 者’藉由於緩衝層上吐出氣泡分散胺基甲酸酯組成物前於 15 緩衝層之兩端部及/或内部配置分隔件，可得到與第1發明 相同之效果。 依據與前述相同的理由，前述分隔件宜由熱可塑性樹 脂或熱硬化性樹脂所構成。 又’配置於内部之分隔件宜插入緩衝層之貫通孔内且 20自緩衝層突出。藉由於緩衝層設置貫通孔且配置成使分隔 件插入該貫通孔，而可利用該分隔件來作為光學終點偵測 或光學膜厚彳貞測用之透光領滅（窗孔）’此時，配置於内部之 分隔件於波長400〜700nm之全範圍中透光率宜為20%以 上。若藉由本發明之製造方法，則由於分隔件（透光領域） 15 1374791 係無間隙地一體形成於研磨層内部，因此漿液亦不會自透 光領域與研磨領域之間隙朝缓衝層側漏出。 又’依據與前述相同的理由，前述分隔件亦可藉由與 前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物同一组成之聚胺基曱酸酯 5 發泡體所構成。 又’依據與前述相同的理由，配置於内部之分隔件亦 可積層二片以上之樹脂片且可剝離。 第3本發明之研磨塾之製造方法包含有以下程序，即： 藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物；送出面 10 材並於該面材上之預定位置連續或間歇地吐出透光領域形 成材料；於未配置有透光領域形成材料之前述面材上連續 地吐出前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於所吐出之前述 透光領域形成材料及氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層其 他面材；均勻地調整厚度，並藉由使透光領域形成材料及 15 氣泡分散胺基曱酸酯組成物硬化，製作透光領域與研磨領 域一體成形之長形研磨層；及裁切長形研磨層。 若藉由前述製造方法，則可連續地製造具有透光領域 之長形研磨層，且可生產性良好地製造研磨塾°又，由於 透光領域與研磨領域一體成形’因此研磨時漿液亦不會自 20透光領域與研磨領域之間隙漏出。所得到之研磨層可本身 單獨地作成研磨墊，亦可於其單面上積層緩衝層而作成積 層研磨塾。 前述透光領域形成材料吐出時之黏度宜為1〜3〇Pa . s。若吐出時之黏度小於IPa · s，則由於流動性高’因此會 16 1374791 則會有 容易在面材上擴散，結果，會有難以僅於面材之預定位置 配置透光領域形成材料或無法確保所期望透光領域〇成材 料之配置高度之傾向，另一方面，若大於3〇p{ 難以控制間歇之吐出之傾向。

Ύ: fr U» X*· 9-r% . , 月'J地軋迅/刀、苽胺丞T殹陥殂成物吐出時之勒度宜為 〜2〇Pa.^若吐出時之黏度小於1Pa.s，則由於流動性高， 因此會容易在面材上擴散，結果，會有無法確保所期望氣 泡分散胺基甲酸酯組成物之配置高度之傾向，另—方面， 若大於2〇Pa.s，則會有難以於面材上均勾地配置氣泡分散 10胺基甲酸醋組成物之傾向。 前述透光領域宜由熱硬化性樹脂所構成，特別是以熱 硬化性聚胺基曱酸醋樹脂為佳。藉由以相同材料形成透光 領域與研磨領域，可提升兩領域之密接性，又，由於可使 透光領域形成㈣魏泡分散絲甲酸s旨组成物同時地熱 .硬化，因此製造程序簡便。

又，第3本發明之積層研磨墊之製造方法包含有以下程 序，即：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物； 送出具有設置成連續或間歇之貫通孔的緩衝層，並吐出透 光領域形成材料以堆積於該貫通孔内及貫通孔上；於未配 20置有透光領域形成材料之前述緩衝層上連續地吐出前述氣 泡刀政胺基甲酸酯組成物；於所吐出之前述透光領域形成 材料及氣泡分散胺基曱酸酯組成物上積層面材；均勻地調 整厚度，並藉由使透光領域形成材料及氣泡分散胺基甲酸 酯組成物硬化，製作透光領域與研磨領域一體成形之長形 17 1374791 積層片；及裁切長形積層片。 若藉由前述製造方法，則圩連續地製造由研磨層與緩 衝層所構成之積層研磨塾，又，由於可省略黏合研磨層與 緩衝層之程序，因此可減少製造糕序，且可生產性良好地 5製造積層研磨墊。由於藉由該製造方法所得到之積層研磨 墊係直接積層研磨層與緩衝層而未使用雙面膠帶（黏著劑 層），因此具有研磨中研磨層與缓衝層不會剝離之優點。再 者，由於透光領域與研磨領域一體成形’因此研磨時漿液 亦不會自透光領域與研磨領域之間隙漏出。 10 前述透光領域形成材料吐出時之黏度宜為1〜30Pa . s。若吐出時之黏度小於1 pa · s，則由於流動性高’因此會 容易在緩衝層上擴散，結果，會有難以將透光領域形成材 料配置成於貫通孔上堆高之傾向，另一方面，若大於30Pa . s ’則會有難以將透光領域形成材料完全地充填於貫通孔内 15 之傾向。 前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物吐出時之黏度宜為1 〜20Pa . s。若吐出時之黏度小於1Pa . s，則由於流動性高， 因此會容易在緩衝層上擴散，結果，會有無法確保所期望 氣泡分散胺基甲酸酯組成物之配置高度之傾向’另一方 20面，若大於2〇Pa. s，則會有難以於缓衝層上均勻地配置氣 泡刀散胺基甲酸醋組成物之傾向。 依據與前述相同的理由，前述透光領威宜由熱硬化性 樹脂所構成，特別是以熱硬化性聚胺基甲酸酯樹脂為佳。 第4本發明之具有溝之研磨墊之製造方法包含有以下 18 1374791 程序，即·藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基曱酸酯組成 物；於具有凹陷結構之輸送帶上連續地吐出氣泡分散胺基 甲酸醋組成物；於所吐出之氣泡分散胺基甲酸酷組成物上 • 積層面材；均勻地調整厚度，並藉由使氣泡分散胺基甲酸 5酯組成物硬化；製作由聚胺基甲酸酯發泡體所構成之具有 ^ 溝之長形研磨層，自輸送帶剝離具有溝之長形研磨層；及 裁切具有溝之長形研磨層。 又，第4本發明之具有溝之研磨墊之製造方法包含有以 • 下程序，即：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組 10成物；送出具有凹陷結構之脫模片，並於該脫模片上連續 地吐出氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於所吐出之氣泡分散 胺基甲酸醋組成物上積層面材；均勻地調整厚度，並藉由 使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，製作由聚胺基甲酸顆 發泡體所構成之具有溝之長形研磨層；自具有溝之長形研 15 磨層剝離脫模片；及裁切具有溝之長形研磨層。 若藉由前述製造方法，則可連續地製造具有溝之長形 • 研磨層，且可生產性良好地製造具有溝之硏磨墊。又，於 - 形成研磨層時’由於可將形成於輸送帶或脫模片表面之凹 . 陷結構轉印至研磨層表面，因此可省略如以往利用機械磨 20削等之溝加工程序。所得到之具有溝之長形研磨層可本身 單獨地作成具有溝之研磨墊，亦可於其單面上積層緩衝層 而作成具有溝之積層研磨墊。 又，第4本發明之具有溝之積層研磨墊之製造方法包含 有以下程序，即：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸 19 曰’且成物，於具有㈣結構讀送帶上連續驗減泡分 ^基甲酸㈣餘；於所吐出之氣泡分散胺基甲酸醋組 物上積層緩衝層；均勻地調整厚度，並藉由使氣泡分散 rf酸g日組成物硬化’形成由聚胺基甲酸醋發泡體所構 5成^具有溝之長形研磨層並製作具有溝之長形積層片；自 輪运帶剝離具有溝之長形積層片；及裁切具有溝之長形積 層片。 又’第4本發明之具有溝之積層研磨墊之製造方法包含 有以下程序，即：藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸 10 醋組成物；送出具有凹陷結構之脫模片，並於該脫模片上 連續地吐出氣泡分散胺基甲酸酯組成物；於所吐出之氣泡 分散胺基曱酸酯組成物上積層缓衝層；均勻地調整厚度， 並藉由使氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化’形成由聚胺基 甲酸酯發泡體所構成之具有溝之長形研磨層並製作具有溝 15之長形積層片；自具有溝之長形積層片剝離脫模片；及裁 切具有溝之長形積層片。 若藉由前述製造方法，則巧"連續地製造由具有溝之研 磨層與緩衝層所構成之具有溝之積層研磨墊，又，由於可 省略黏合具有溝之研磨層與緩衡層之程序，因此可減少製 2〇造程序，且 < 生產性良好地製造其有溝之積層研磨墊。由 於藉由該製造方法所得到之具有溝之積層研磨塾係直接積 層研磨層與缓衝層而未使用雙面移帶(黏著劑層），因此具有 研磨中研磨唐與緩衝層不會剝離之優點。又，於形成研磨 層時，由料將形成於輸送帶成脱模片表面之凹陷結構轉 20 1374791 印至研磨層表面，因此可省略如以往利用機械磨削等之溝 加工程序。 又，本發明係有關於藉由前述方法所製造之(積層）研磨 墊，及包含有使用該（積層）研磨墊研磨半導體晶圓之表面之 5 程序的半導韹裝置之製造方法。 ' 圖式簡單說明 第1圖係顯示於CMP研磨中所使用之研磨裝置例之示 意構造圖。 • 第2圖係顯示第1本發明之長形研磨層或長形積層片之 10 製造程序示意圖。 第3圖係顯示第2本發明之長形研磨層或長形積層片之 製造程序示意圖。 第4圖係顯示第2本發明之長形研磨層或長形積層片之 製造程序其他例子之示意圖。 15 第5圖係顯示第2本發明之長形研磨層或長形積層片之 製造程序其他例子之示意圖。 • 第6圖係顯示第2本發明之長形研磨層或長形積層片之 - 製造程序其他例子之示意圖。 - 第7圖係顯示第3本發明之研磨墊之製造程序例之示意 20 圖。 •第8圖係顯示第3本發明之研磨墊之製造程序其他例子 之示意圖。 第9圖係顯示第3本發明之積層研磨墊之製造程序例之 示意圖。 21 第10圖係顯示第3本發明之積層研磨墊之製造程序其 他例子之示意圖。 第11圖係顯示第4本發明具有溝之(積層）研磨墊之製造 程序例之示意圖。 5 第12圖係顯示第4本發明具有溝之(積層）研磨墊之製造 程序其他例子之示意圖。 【實施冷式1 較佳實施例之詳細說明 於本發明中之（積層）研磨墊之研磨層（或研磨領域）係 10 由具有獨立氣泡之聚胺基甲酸酯發泡體（粗研磨用）或具有 連續氣泡之聚胺基甲酸酯發泡體（粗研磨用或精加工研磨 用）所構成。由於聚胺基甲酸酯具有優異之耐磨損性，且可 藉由改變各種原料組成而輕易地得到具有所期望物性之聚 合物’因此作為研磨層之形成材料為理想的材料。 15 則述I胺基甲酸酶係由異氰酸g旨成分、多元醇成分（高 分子量多元醇、低分子量多元醇等)及鏈延伸劑所構成。 異氰酸醋成分並無特殊之限制，可使用聚胺基甲酸酯 領域中公知之化合物，異氰酸酯成分可列舉如：2,4-甲苯二 異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、2,2，_二苯甲烷二異氰酸 20酯、2,4’-二苯曱烷二異氰酸酯、4,4，-二笨甲烷二異氰酸酯、 聚合MDI、碳二醯亞胺改質MDI(例如，商品名米歐耐德 (MILIONATE)MTL ’日本聚胺基甲酸醋工業製造）、15·萘 一異氰酸醋、p-伸本基一異亂酸、m-伸苯基二異氰酸醋、 P-苯二甲基二異氰酸酯、m-笨二曱基二異氰酸酯等芳族二 22 1374791 異氰酸酯；伸乙基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基六亞曱二異氰 酸酯、·1，6-六亞曱二異氰酸酯等脂肪族二異氰酸酯；1,4-環 己烷二異氰酸酯、4,4’-二環己基曱烷二異氰酸酯、異佛爾 酮二異氰酸酯、降冰片烷二異氰酸酯等脂環族二異氰酸 :· 5 酯=又；該等二異氰酸酯可使周1種，亦可混合2種以上。 ' 除了前述二異氰酸酯化合物外，異氰酸酯成分亦可使 用3官能以上之多官能聚異氰酸酯化合物。多官能異氰酸酯 化合物有市售之德斯模都(DESMODUR)-N(拜耳公司製造) • 或商品名多奈德（DURANATE)(旭化成工業公司製造）之一 10 系列二異氰酸酯加成體化合物。 前述異氰酸酯成分中，於製作具有微細獨立氣泡之聚 胺基曱酸酯發泡體時，宜併用芳族二異氰酸酯與脂環族二 異氰酸酯，特別是宜併用甲苯二異氰酸酯與二環己基甲烷 二異氰酸酯，另一方面，於製作具有微細連續氣泡之聚胺 15 基甲酸酯發泡體時，則宜使用4,4’-二苯甲烷二異氰酸酯或 碳二醯亞胺改質MDI。 • 高分子量多元醇可列舉如聚胺基甲酸酯之技術領域中 — 一般所使用者，舉例言之，可列舉如：聚四亞甲基醚二醇 - 所代表之聚醚多元醇；聚丁烯己二酸酯所代表之聚酯多元 20 醇；聚己内酯多元醇；以如聚己内酯之聚酯二醇與碳酸亞 _ 烴酯之反應物等為例之聚酯聚碳酸酯多元醇；使碳酸次乙 酯與多元醇反應，接著使所得到之反應混合物與有機二羧 酸反應之聚酯聚碳酸酯多元醇；及藉由聚羥基化合物與芳 基碳酸酯之酯置換反應所得到之聚碳酸酯多元醇；為分散 23 1374791 有聚合物粒子之聚酵多元醇之聚合物多元醇等，又，該等 多兀醇可單獨使用，亦可併用2種以上。 將聚胺基曱酸酯發泡體作成連續氣泡結構時，宜使用 聚合物多元醇，特别是以使用分散有由丙烯腈及/或苯乙 • · 5歸-两焊猜兵聚龄所構成之聚合物粒子的聚合饬多元醇為 .· 佳。該聚合物多元醇於所使用之全高分子量多元醇中宜含 有20〜100重量％ ’且更為理想的是30〜60重量％。前述高 分子量多元醇（包含聚合物多元醇)於含活性氫化合物中宜 • 含有60〜85重量％，且更為理想的是70〜80重量％。藉由使 10用特定量之前述高分子量多元醇，可使氣泡膜容易破裂且 容易形成連續氣泡結構。 於連續氣泡結構之聚胺基甲酸酯發泡體時，前述高分 子量多元酵中宜使用羥值為20〜100mgKOH/g之高分子 量多元醇，且羥值為25〜60mgKOH/g時更為理想。若羥 15 值小於20mgKOH/g，則聚胺基甲酸酯之硬段量會減少而 有耐久性降低之傾向，若大於100mgKOH/g，則聚胺基曱 ® 酸酯發泡體之交聯度過高而有變脆弱之傾向。 •於獨立氣泡結構之聚胺基甲酸酯發泡體時，高分子量 - 多元醇之數量平均分子量並無特殊之限制，然而，若由所 20 得到聚胺基甲酸酯樹脂之彈性特性等觀點來看，則宜為5〇〇 • 〜2000。若數量平均分子量小於500，則使用該多元醇之聚 胺基甲酸酯樹脂未具有充分之彈性特性而變成脆弱之聚合 物，因此，藉由該聚胺基甲酸酯樹脂所製造之研磨墊會變 得過硬，並成為晶圓表面刮傷之原因’又，由於變得容易 24 磨損，因此由研磨墊使用壽命之觀點來看亦不理想。另一 方面，若數量平均分子量大於2000，則使用該多元醇之聚 胺基曱酸酯樹脂會變得過軟，因此，藉由該聚胺基曱酸酯 樹脂所製造之研磨層會有平坦化特性差之傾向。 5 於連續氣泡結構之聚胺基曱酸酯發泡體時，高分子量 多元醇之數量平均分子量並無特殊之限制，然而，若由所 得到聚胺基曱酸酯之彈性特性等觀點來看，則宜為1500〜 6000。若數量平均分子量小於1500，則使用該多元醇之聚 胺基甲酸酯未具有充分之彈性特性而容易變成脆弱之聚合 10 物，因此，藉由該聚胺基曱酸酯所構成之發泡體會變得過 硬，且晶圓表面容易產生刮傷。另一方面，若數量平均分 子量大於6000，則使用該多元醇之聚胺基甲酸酯樹脂會變 得過軟，因此，藉由該聚胺基曱酸酯所構成之發泡體會有 耐久性變差之傾向。 15 又，可與高分子量多元醇同時地併用如下述之低分子 量多元醇，即：乙二醇、1,2-丙二醇、1，3-丙二醇、1,2-丁 二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、2,3-丁二醇、1，6-己二醇、 新戊二醇、1，4-環己烷二甲醇、3-曱基-1，5-戊二醇、一縮二 乙二醇、二縮三乙二醇、1,4-雙(2-羥乙氧基）苯、三羥曱基 20 丙烷、丙三醇、1，2,6-己三醇、季戊四醇、四羥甲基環己烷、 曱基葡萄糖苷、山梨醇、甘露醇、甜醇、蔗糖、2,2,6,6-肆(羥 曱基)環己醇、二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺及三乙醇胺等。 又，亦可併用乙二胺、甲苯二胺、二苯曱烷二胺及二伸乙 三胺等低分子量聚胺，且亦可併用單乙醇胺、胺基乙基乙 25 1374791 醇胺及單丙醇胺等醇胺’又，該等低分子量多元醇、低分 子量聚胺等可單獨使用1種，亦可併用2種以上》 多元醇成分中之高分子量多元醇與低分子量多元醇等 之比可依據自該等多元酵製造之研磨層所要求之特性來決 5 定。 於連續氣泡結構之聚胺基甲酸酯發泡體時，宜使用經 值為400〜1830mgKOH/g之低分子量多元醇及/或胺值 為400〜1870mgKOH/g之低分子量聚胺，又，羥值為7〇〇 〜1250mgKOH/g時更為理想，且胺值為4〇〇〜95〇mgK〇H /g時更為理想。若羥值小於40〇mgK〇H/g或胺值小於 400mgKOH/g，則會有無法充分得到連續氣泡化之提升效 果之傾向，另一方面，若羥值大於183〇mgK〇H/g或胺值 大於1870mgKOH/g ’則會有晶圓表面容易產生刮傷之傾 15 向。又，特別是宜使用一縮二乙二醇、二縮三乙二醇或丨，4· 丁二醇。 又’將聚胺基曱酸酯發泡體作成連續氣泡結構時，低 分子量多元醇、低分子量聚胺及醇胺於含活性氫化合物中 宜合計含有2〜15重量％，且更為理想的是5〜1〇重量％β藉 由使用特定量之前述低分子量多元醇等，不僅可使氣泡膜 20容易破裂且容易形成連續氣泡，且聚胺基甲酸酯發泡體之 機械特性亦良好。 藉由預聚合物法製造聚胺基曱酸酯發泡體時，預聚合 物之硬化係使用鏈延伸劑，鏈延伸劑係至少具有2個以上活 性氫基之有機化合物，且活性氫基可列舉如：羥基、一級 26 1374791 或二級胺基、硫醇基(SH)等。具體而言，可列舉如：以4,4’-亞甲雙(〇-氣苯胺)(MOCA)、2,6-二氯-P-苯二胺、4,4’-亞曱 雙(2,3-二氯苯胺）、3,5-雙（甲硫基)-2,4-甲苯二胺、3,5-雙（甲 硫基)-2,6-甲本二胺、3,5-二乙基曱本-2,4-二胺、3,5-二乙基 : 5 曱苯-2,6-二胺-丙二醇-二-P-胺基苯甲酸酯、1,2,雙(2-胺苯 • · 基硫）乙烷、4,4’-二胺基-3,3’-二乙基-5,5’-二甲基二苯曱 烷、Ν,Ν’-二-sec-丁基-4,4’-二胺基二苯甲烷、3,3’-二乙基 -4,4’-二胺基二苯曱烷、間苯二甲胺、Ν,Ν’-二-sec-丁基-P- • 苯二胺、間苯二胺及對苯二曱胺等為例之聚胺類；或前述 10 低分子量多元醇或低分子量聚胺等，又，該等鏈延伸劑可 使用1種，亦可混合2種以上。 異氰酸酯成分、多元醇成分及鏈延伸劑之比可依照各 自之分子量或研磨層之所期望物性等進行各種變更。為了 得到具有所期望研磨特性之研磨層，異氰酸酯成分之異氰 15 酸酯基數相對於多元醇成分與鏈延伸劑之合計活性氫基 (羥基+胺基）數宜為0.80〜1.20，且更為理想的是0·99〜 • 1.15。異氰酸酯基數為前述範圍外時，會產生硬化不良而 無法得到所要求之比重及硬度，且有研磨特性降低之傾向。 - 聚胺基甲酸酯發泡體之製造可採用預聚合物法、一次 20 形成法中之任一者，然而，預先自異氰酸酯成分與多元醇 ’成分合成異氰酸酯末端預聚合物且使鏈延伸劑與其反應之 預聚合物法，所得到之聚胺基甲酸酯之物理特性優異而較 為合適。 另，異氰酸酯末端預聚合物之分子量為800〜5000者係 27 1374791 具有優異之加工性、物理特料而較為合適。 於本發明中所使用之面材並無特殊之限制，舉例言 之’可列舉如：紙、布、不織布及樹脂膜等、然而，特別 疋以具有料㈣時具有可撓性之職膜為佳。

f in。办成面材之樹脂可列舉如：聚對苯二甲酸 =二酯：聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚醯亞胺、 聚乙稀醇、聚氯乙稀、聚氟乙稀等含敗樹脂、尼龍、纖維 素等。

面材之厚度並無特殊之限制，然而，若由強度或捲繞 10等觀點來看，則宜為2G〜細_，又，面材之寬度亦無特 殊之限制’然而，若考慮所要求之研磨層之大小則宜為 60〜250cm。 理 |5

氣作精加工用研磨塾時，面材係使用基 制，舉例言之’可列舉如:尼龍、聚丙稀、聚: Us旨及聚氣乙料雜膜；㈣不 ::織布等纖維不織布;如浸潰過聚胺基= 西曰不織布之樹脂浸潰不織布；聚胺基泡體、聚 泡體等高分子樹脂發泡體；丁二稀橡膠、異戊二稀 =樹:;感光性樹脂等’其中，宜使用尼龍、聚丙歸 2稀、㈣及聚氣乙稀等塑性膜；及⑽基甲義泡體、 ，乙晞泡體等南分子樹脂發泡體。又，面材亦可使用單面 28 1374791 接著膠帶，且單面接著膠帶之基材可列舉如聚對苯二甲酸 乙二酯及聚丙烯等塑性膜，特別是以使用聚對苯二曱酸乙 二酯為佳。又，單面接著膠帶之基材厚度宜為20〜200/im， 又，舉例言之，接著層之組成可列舉如橡膠系接著劑、丙 5 緯酸系接著劑等。 • 為了賦予精加工用研磨墊韌性，基材宜具有與聚胺基 曱酸酯發泡體同等之硬度或更硬，又，基材之厚度並無特 殊之限制，然而，若由強度、可撓性等觀點來看，則宜為 _ 20〜1000//m，且更為理想的是50〜800 " m。 10 另一方面，於本發明中之緩衝層係彌補研磨層之特性 者，且緩衝層為CMP中用以兼顧呈互償關係之可平面性與 一致性兩者所必需，所謂可平面性係指研磨過具有於圖案 形成時所產生之微小凹凸的被研磨材時於圖案部之平坦 性，所謂一致性則指被研磨材全體之均一性。藉由研磨層 15 之特性改善可平面性，且藉由緩衝層之特性改善一致性， 又，於本發明之積層研磨墊中，緩衝層係使用比研磨層柔 ® 軟者。 緩衝層之形成材料只要是比研磨層柔軟者則無特殊之 - 限制，舉例言之，可列舉如：聚酯不織布、尼龍不織布、 20 丙烯酸不織布等纖維不織布；如浸潰過聚胺基甲酸酯之聚 •酯不織布之樹脂浸潰不織布；聚胺基曱酸酯泡體、聚乙烯 泡體等高分子樹脂發泡體；丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠等 橡膠性樹脂；及感光性樹脂等。 緩衝層之厚度並無特殊之限制，然而通常為0.5〜 29 1.5mm，且以0.5〜1.0mm為佳，又，缓衝層之寬度亦無特 殊之限制，然而，若考慮所要求之積層研磨墊之大小，則 宜為60〜250cm。 緩衝層之硬度在亞斯卡(ASKER)A硬度中宜為10〜75 5 度，且更為理想的是20〜65度，若位於前述範圍外，則會 有被研磨材之一致性（面内均一性）降低之傾向。 於第2本發明中所使用之分隔件原料並無特殊之限 制，舉例言之，可列舉如：聚胺基甲酸酯樹脂、聚酯樹脂、 聚醯胺樹脂、纖維素系樹脂、丙烯酸樹脂'聚碳酸酯樹脂、 10 鹵素系樹脂（聚氣乙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯等）、聚苯 乙烯及烯烴系樹脂（聚乙烯、聚丙烯等）等熱可塑性樹脂；丙 烯酸樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、 苯酚樹脂及環氧樹脂等熱硬化性樹脂；天然橡膠、異戊二 烯橡膠、丁二烯橡膠、氣丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、 15 再生橡膠、聚異丁烯橡膠、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯橡膠及 苯乙烯·丁二烯-苯乙烯橡膠等橡膠；二曱基聚矽氧烷及二苯 基聚矽氧烷等矽樹脂等，其中，宜使用熱可塑性樹脂或熱 硬化性樹脂’特別是以使用熱可塑性聚胺基甲酸酯樹脂 (TPU)或熱硬化性聚胺基甲酸酯樹脂為佳。另，分隔件可為 20 發泡體或無發泡體中之任一者。 利用配置於内部之分隔件作為透光領域時，該分隔件 之透光率於波長400〜700ηπι之全範圍中宜為20%以上，且 更為理想的是50%以上。舉例言之，顯現該透光率之材料 可列舉如：胺基甲酸酯系、烯烴系、苯乙烯系及酯系之熱 30 1374791 可塑性樹脂；丙稀酸系 '胺基曱_系、丙稀酸胺基甲酸 醋系、苯紛系及環氧系等之熱硬化性樹脂。利用分隔件作 為透光領域時’若由提高透光率之觀點來看，則宜構成無 發泡體。 ·· . 5 分隔件之形狀並無特殊之限制，然而宜為截面呈矩形 _ 者，此時，右考慮維持形狀安定性及盡可能大幅地確保實 質上與研磨有關之研磨領域，則寬度宜為〇5〜2〇cm ’又， 若考慮研磨層之厚度，則高度宜為〇1〜〇 4cm。舉例言之， ® 單層式分隔件可藉由下述方法等來製造，即：藉由押出成 10形而形成為帶狀；將f已押出成形為圓筒狀之樹脂塊切成 螺旋狀而形成為帶狀。又，分隔件亦可作成積層二片以上 可剝離之樹脂片而構成之積層型分隔件，舉例言之，積層 式分隔件可藉由於業經押出成形之樹脂片上依序地押出、 積層樹脂來製造。 15 分隔件之硬度並無特殊之限制，然而，於亞斯卡D硬度 中宜為30〜70度，且更為理想的是4〇〜6〇度，若小於邛度， 縑貞彳平坦化雜會變差，若大於观，則會有被研磨材表面 容易產生刮傷之傾向。 於第3本發明十所使用之透光領域形成材料並無特殊 20之限制，然而，宜使用於進行研磨之狀態下可進行高精戶 之光學終點偵測且於波長4〇〇〜7〇〇nm之全範圍中透光率為 20%以上之材料，更為理想的是透光率為5〇%以上之材料1 舉例言之，此種材料可列舉如：聚胺基甲酸酯樹脂、聚酯 樹脂、苯酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂及丙 31 1374791 稀酸樹月旨等熱硬化性樹脂；―基甲__ 、聚酯樹脂、 聚酿胺_、齡料'樹脂、丙麟黯、料賴樹腊、 鹵素系樹脂（聚氯乙稀、聚四氟乙稀、聚偏氟乙稀等）、聚笨 乙稀及稀烴系樹脂（聚乙缔、聚丙稀等）等熱可塑性樹脂；藉 由紫外線或電子射線等光線進行硬化之光硬化性樹脂；及 感光性樹月曰等’又，該等樹脂可單獨使用，亦可併用2種以 上。另，熱硬化性樹脂宜為利用較低溫來硬化者，又使 用光硬化11¼¾時’且併用光聚合引發劑。於該等樹脂中， 且使用熱硬化性樹月3，特別是以使用熱硬化性聚胺基甲酸 10 酯樹脂為佳。 於第4本發明中所使用之輸送帶及脫模片係用以連續 地形成具有溝之長形研磨層，又，輸送帶及脫模片係於复 表面具有凹陷結構，且具有將該凹陷結構轉印至研磨層表 面而於研磨層表面形成溝之機能。 15 輸送帶之形成材料並無特殊之限制，舉例言之，可列 舉如：胺基甲㈣旨、聚氣乙稀、含氟樹脂、橡膠及金屬等。 若由对磨損性、柔軟性之觀點來看，則宜使用胺基甲酸酸， 又，若由柔軟性、脫模性之觀點來看，則亦宜使用含氣樹 脂。 2〇 脫模片之形成材料並無特殊之限制，舉例言之，可列 舉如：聚對苯二甲酸乙二醋、聚酿、聚乙稀、聚丙稀、聚 笨乙稀、聚氯乙稀、含氟樹脂、尼龍及纖維素等。若由強 度、柔軟性、脫模性之觀點來看，則宜使用聚對苯二甲酸 乙二酯、聚丙烯。 32 1374791 於輸送帶及脫模片之表面宜施行脫模處理，特別是在 使用聚對苯二甲酸乙二酯時必須進行脫模處理，藉此，可 輕易地進行所製作具有溝之長形研磨層之制離操作。 輸送帶及脫模片表面之凹陷結構係只要是可在研磨層 5表面形成能保持、更新漿液之形狀者則無特殊之限制舉 例言之，可列舉如：矩形、多角形、三角形、圓形、同心 圓狀、螺旋狀、偏心圓狀、放射狀及組合該等形狀者。又， 該等凹陷結構一般為具有規則性者，然而，為了構成理想 之漿液保持性、更新性，亦可每在-定範圍即改變間距;*' 10 寬度、深度等。 以下說明製造第1本發明之（積層）研磨塾之方法，第2 圖係顯示本發明之長形研磨層或長形積層片之製造程序示 意圖。 氣泡分散胺基甲酸醋組成物8係只要藉由機械發泡法 15 (包含機械泡沫法）來調製即可，其他則無特殊之限制，舉例 言之，氣泡分散胺基甲酸酯組成物可藉由以下方法來調製。 (1)於非反應性氣體存在下機械攪拌第丨成分，並使非反 應性氣體以微細氣泡分散而作成氣泡分散液，且前述第i成 分係於使異氰酸酯成分及高分子量多元醇等反應所構成之 2〇 異亂酸醋末知預'合物中添加發系界面活性劑者。又，於 該氣泡分散液中添加、混合第2成分後調製氣泡分散胺基甲 酸酯組成物，且前述第2成分係含有高分子量多元醇或低分 子量多元醇等含活性氫化合物者。又，於第2成分中亦可適 當地添加觸媒、碳黑等填料。 33 (2) 於含有異氰酸酯成分（或異氰酸酯末端預聚合物）之 第1成分及含有含活性氫化合物之第2成分中之至少一者添 加矽系界面活性劑，並於非反應性氣體存在下機械攪拌添 加有矽系界面活性劑之成分，且使非反應性氣體以微細氣 3泡力、散而作成氣泡分散液。又，於該氣泡分散液中添加、 混合剩餘之成分後調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物。 (3) 於含有異氰酸酯成分（或異氰酸酯末端預聚合物）之 第1成分及含有含活性氫化合物之第2成分中之至少一者添 加矽系界面活性劑’並於非反應性氣體存在下機械攪拌前 10述第1成分及第2成分，且使非反應性氣體以微細氣泡分散 而調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物。 氣泡分散胺基甲酸酯組成物8亦可藉由機械泡沫法來 調製’所謂機械泡沫法係將原料成分放入混合頭9之混合室 内同時混入非反應性氣體，且藉由以奥克斯(OAKS)混合器 15等混合器來混合攪拌，使非反應性氣體構成微細氣泡狀態 而於原料混合物中分散之方法》由於可藉由調節非反應性 氣體之混入量而輕易地調整聚胺基甲酸酯發泡體之密度， 因此機械泡沫法為理想的方法。另，亦可依需要於胺基甲 酸酯組成物中添加空心珠，不過，所添加之空心珠量宜為 20 胺基甲酸酯組成物體積之5重量％以下’且更為理想的是3 重量％以下。所添加之空心珠量大於5重量％時，含有空心 珠之胺基甲酸酯組成物之黏度會提高’且有聚胺基甲酸酯 發泡體之成形性變差之傾向。 用以形成微細氣泡之非反應性氣體宜為非可燃性者， 34 具體而言，可列舉如：氮、氧、二氧化碳、氦或氬等稀有 氣體或該等氣體之混合氣體，成本上最為理想的是使用乾 燥後除去水分之空氣。 調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物時，宜於原料成分中 D 添加為聚统基矽氧院與聚謎之共聚物且未具有活性氫基之 矽系界面活性劑。前述矽系界面活性劑可列舉如SH-190、 SH-192、L-5340(東麗道康寧(TORAY DOW CORNING)矽公 司製造）等適當之化合物。矽系界面活性劑之添加量於聚胺 基甲酸酯發泡體中宜為0.05〜5重量0/〇,若矽系界面活性劑 10量小於〇.〇5重量％，則會有無法得到微細氣泡發泡體之傾 向’另一方面’若大於5重量％，則會因界面活性劑之可塑 化效果而有不易得到高硬度聚胺基甲酸酯發泡體之傾向。 另，亦可依需要添加抗氡化劑等安定劑、潤滑劑、顏料、 填充劑、去靜電劑、其他添加劑。 15 又’亦可使用三級胺系等公知可促進聚胺基甲酸酯反 應之觸媒，觸媒之種類或添加量可考慮於面材（基材）或緩衝 層上吐出氣泡分散胺基曱酸酯組成物後之流動時間而適當 地選擇。 將非反應性氣體作成微細氣泡狀並使其分散之攪拌裝 20置並無特殊之限制，可使用公知檀掉裝置，具體而言，可 列舉如.π速授拌^、溶解^ '雙轴行星型混合器（周轉混 合器）、機械泡朱發泡機等。擾拌裝置之授掉翼形狀亦無特 殊之限制，然而’使用搜打器型揽拌翼時可得到微細氣泡 且較為理想。為了得到目標之聚胺基甲酸醋發泡體，搜掉 35 翼之旋轉數宜為500〜2000rpm，且更為理想的是8〇〇〜 150〇rpm ’又，攪拌時間可依照目標密度適當地調整。 另，於發泡程序中調製氣泡分散液之攪拌及混合第i 成分與第2成分之攪拌使用不同之攪拌裝置亦為理想之實 5施態樣。若混合程序中之攪拌並非形成氣泡之攪拌亦無 妨，且宜使用不會捲入大氣泡之攪拌裝置，又，此種搜拌 裝置宜為行星型混合器。調製氣泡分散液之發泡程序與混 合各成分之混合程序中之授拌裝置使用同一授拌裝置亦無 妨，且亦可依需要進行調整攪拌翼之旋轉速度等攪拌條件 10 之調整而加以使用。 自輥子所送出之面材（基材）或緩衝層10a係於輸送機11 上移動’且氣泡分散胺基甲酸酯組成物8會自混合頭9之吐 出嗔嘴朝該面材或緩衝層l〇a上連續地吐出。面材或緩衝層 10a之移動速度或氣泡分散胺基甲酸酯組成物8之吐出量可 15 考慮研磨層13之厚度而適當地調整。 然後，於該氣泡分散胺基甲酸酯組成物8上積層其他面 材或緩衝層l〇b，又，均勻地調整厚度，並藉由使氣泡分散 胺基甲酸酯組成物8硬化，形成由聚胺基曱酸酯發泡體所構 成之研磨層13。舉例言之，均勻地調整厚度之機構可列舉 20 如軋輥、塗料輥等輥子12等，又，氣泡分散胺基甲酸酯組 成物8之硬化係例如於均勻地調整厚度後藉由使其通過設 置在輸送機上之加熱烘爐内來進行（未圖示）。加熱溫度係40 〜100 C ’加熱時間則為5〜60分鐘。將反應至不會流動為 止之氣泡分散胺基甲酸酯組成物進行加熱、後固化係具有 36 1374791 提升聚胺基甲酸酯發泡體之物理特性之效果。 然後’將所形成之研磨層13以面呈平行之方式切割為 二’藉此’同時地製作二片由研磨層13’與面材（基材）l〇a 或l〇b所構成之長形研磨層15，又，藉由相同之方法，同時 5 地裝作二片由研磨層與緩衝層iOa或10b所構成之長形 積層片15。舉例言之，將研磨層13切割為二之方法可列舉 如：使藉由面材l〇a、研磨層13及面材l〇b所構成之積層體 於輪送機11上移動，並利用切刀14切割研磨層13之方法。 切割亦可於預熱研磨層13而降低硬度後進行。 1〇 製作粗研磨用研磨墊時，聚胺基甲酸酯發泡體之平均 氣泡把宜為30〜80以〇1，且更為理想的是30〜60//m。若脫 離該範圍’則會有研磨速度降低或研磨後之被研磨材（晶圓） 之可平面性（平坦性）降低之傾向。 製作精加工用研磨墊時，聚胺基曱酸酯發泡體之平均 氣'包也且為35〜300# m，且更為理想的是35〜100μ m ’特 別疋以40〜80Am為佳。若脫離該範圍，則會有研磨速度降 低或耐久性降低之傾向，又，聚胺基曱酸酯發泡體可藉由 連續氣泡結構具有適度之保水性。 所得到之長形研磨層或長形積層片15係例如藉由裁切 2〇機以梢微大於所期望形狀(例如：圓形、正方形、矩形等) 之形狀進行—次裁切。製作粗研磨用研磨墊時，之後會經 過後固化及剝離面材之程序等而製作研磨層或積層研磨 片’另’亦可於剝離面材前進行後固化，且亦可於剝離面 材後進行後固化，然而，通常由於面材與研磨層之熱收縮 37 1374791 率不同’因此’若由防止研磨層變形之觀點來看，則宜於 剝離面材後進行後固化。另一方面，於精加工用研磨墊時， 則不剝離基材而製作研磨層與基材一體化之研磨片。於後 固化後，研磨層、研磨層與基材一體化之研磨片或積層研 5磨片係配合所期望之形狀進行二次裁切，於裁切成圓形 時，直徑為50〜20〇cm，且更為理想的*5〇〜1〇〇cm，於裁 切成正方形時，邊長為50〜200cm，且更為理想的是5〇〜 150cm，於裁切成矩形時，寬度為5〇〜2〇〇cm，且更為理想 的是50〜1〇〇cm，長度則為寬度之u倍〜2倍。然後，研磨 H)層、研磨層與基材-體化之研磨片或積層研磨片會經過於 研磨表面形成凹凸結構之程序等而構成研磨塾或積層研磨 墊。 製作粗研磨用研磨塾時，研磨層13，之厚度並無特殊之 限制，然而通常為0.8〜4mm，且以卜以㈣為佳。 15 另一方面，於精加工用研磨墊時，研磨層13,之厚度並 無特殊之限制，然而通常為0.2〜2mm，且以〇.5〜l.5mm為 佳。 又，製作粗研磨用研磨墊時，研磨層13，之比重宜為〇 5 1·〇右比重小於〇·5 ’則研磨層表面之強度會降低，且有 20被研磨材之可平面性（平坦性）惡化之傾向另一方面，若大 於·〇則於研磨層表面之微細氣泡數會減少且雖然平垣 化特性良好，然而卻有研磨速度惡化之傾向。 另一方面，於精加工用研磨墊時，研磨層13,之比重宜 為0.2 0.5。右比重小於〇2，則會有研磨層之对久性降低 38 之傾向，又，若大於0.5，則為了構成某一定之彈性率而必 須將材料構成低交聯密度，此時，永久變形會增大且有耐 久性變差之傾向。 又’製作粗研磨用研磨墊時，研磨層13’之硬度藉由亞 斯下D硬度計宜為45〜65度。若D硬度小於45度，則會有被 研磨材之可平面性（平坦性）惡化之傾向，另一方面，若大於 65度’則雖然可平面性良好，然而卻有被研磨材之一致性 (均一性）惡化之傾向。 另一方面，於精加工用研磨墊時，研磨層13,之硬度藉 由亞斯卡C硬度計宜為1〇〜80度，且更為理想的是20〜60 度。若亞斯卡C硬度小於10度’則會有研磨層之财久性降低 或研磨後之被研磨材表面之平滑性變差之傾向，另一方 面，若大於80度，則於被研磨材之表面容易產生刮傷。 又，研磨層13’之厚度誤差宜為⑺^以爪以下，厚度誤差 大於100/zm者會構成研磨層具有大幅起伏者，且會產生與 被研磨材之接觸狀態不同之部分，並對研磨特性造成不良 影響。又，為了消除研磨層之厚度誤差，一般係於研磨初 期使用業已電沈積、熔合有鑽石磨料之修整器來修整研磨 層表面，然而，若大於前述範圍，則修整時間會增長且會 降低生產效率。 抑制研磨層厚度誤差之方法可列舉如：藉由拋光機將 長化研磨層或長形積層片之表面進行拋光之方法。又亦 可於裁切過長形研磨層或長形積層片後進行拋光以抑制研 磨層之厚度誤差，$ ’拋光時靖由粒度等不同之研磨材 階段地進行。 又，亦可在將所形成之研磨層13以面呈平行之方式切 」為一後藉由將長形研磨層或長形積層片之表面再度地進 行切片而抑制厚度誤差。 以下說明製造苐2本發明之（積層）研磨墊之方法，第3 〜6圖係顯示第2本發明之(積層）研磨墊之製造程序例之八 意圖。 不 氣泡分散胺基甲酸酯組成物8係藉由與前述相同之方 法來調製。 自輥子所送出之面材或緩衝層16係於輸送機u上移 動，首先，藉由自輥子等送出，於該面材或緩衝層16之兩 端部及/或内部預定位置配置分隔件17。設置於内部之八 隔件17可如第4圖所示般於面材或緩衝層16之大致中央气 置一個，亦可以預定間隔設置二個以上，不過，若分隔件 15 17之數量過多，則由於與研磨有關之研磨領域面積會相對 地減少，因此由研磨特性之觀點來看較不理想，故，舉例 言之，使用寬度為60〜100cm之面材或緩衝層16時設置於 内部之分隔件17之數量宜為1〜3個。又，於内部配置複數 分隔件17時，其間隔宜為固定，又，設置於内部之分隔件 20 17可如第4圓所示般連續地配置，亦可如第6圖所示般間歇 地配置，藉由間歇地設置分隔件17，可進—步地增加與研 磨有關之研磨領域之面積。 然後’自混合頭9之吐出喷嘴朝未配置有分隔件17之面 材或緩衝層16上連續地吐出前述氣泡分散胺基甲酸醋組成 40 物8。面材或緩衝層16之移動速度或氣泡分散胺基甲酸酯組 成物8之吐出量可考慮研磨層之厚度而適當地調整。 然後’於所吐出之前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物8 上積層面材18，且均勻地調整厚度，並藉由使氣泡分散胺 悉甲酸錯組成物8硬化’形成由聚胺基曱酸酯發泡體所構成 之研磨層，並得到長形研磨層或長形積層片。舉例言之， 均句地調整厚度之機構可列舉如：軋輥、塗料輥等輥子12、 到刀片等’又，氣泡分散胺基甲酸酯組成物之硬化係例如 於均勻地調整厚度後藉由使其通過設置在輸送機上之加熱 烘壚（未圖示）内來進行。加熱溫度係40〜lOOt：，加熱時間 則為5〜1〇分鐘。將反應至不會流動為止之氣泡分散胺基甲 曰組成物進行加熱、後固化係具有提升聚胺基甲酸酯發 '包體之物理特性之效果。 所得到之長形研磨層或長形積層片係與前述相同地經 過裁切、後固化、於研磨表面形成凹凸結構之程序等而構 成研磨塾或積層研磨塾。 I胺基甲酸酯發泡體之平均氣泡徑、研磨層之厚度、 比重、硬度及厚度誤差等係與前述相同。 以下說明製造第3本發明之(積層）研磨塾之方法，第7、 圖係顯示第3本發明之研磨墊之製造程序例之示意圖，第 10圖則顯示第3本發明之積層研磨墊之製造程序例之示 意_ 〇 氣泡分散胺基甲酸酯組成物8係藉由與前述相同之方 法來調製。 1374791 自輥子所送出之面材18或緩衝層19係於輪送機n上移 動，又，於緩衝層19上連續或間歇地設置用以形成透光領 域之貫通孔20，貫通孔2〇之寬度並無特殊之限制，然而通 常為0.5〜2cm，且較為理想的是〇.6〜1 5cm。又，間歇地設 • 5直貝化孔，各員通孔之長度係i〜idem，且較為理想的 _ · 是3〜8cm，又，其形狀亦無特殊之限制’舉例言之，可列 舉如：矩形、多角形、圓形及橢圓形等，又，貫通孔2〇亦 可於緩衝層19上設置二列以上。 9 如第7及8圖所示，透光領域形成材料21會自吐出頭22 10之喷嘴朝面材18上連續或間歇地吐出，氣泡分散胺基甲酸 酯組成物8則與此同時或稍遲地自混合頭9之吐出喷嘴朝該 面材18上連續地吐出。面材18之移動速度或透光領域形成 材料21及氣泡分散胺基甲酸酯組成物8之吐出量可考慮透 光領域之厚度及面積、研磨領域之厚度而適當地調整。前 15 述透光領域形成材料21吐出時之黏度宜為1〜3〇pa . 8，且 更為理想的是2〜20Pa . s，又，前述氣泡分散胺基甲酸酯 • 組成物8吐出時之黏度宜為1〜20Pa · s，且更為理想的是2 〜10Pa · s。 另一方面，如第9及10圖所示，透光領域形成材料21 20 會自吐出頭22之喷嘴連續或間歇地吐出以堆積於設置在緩 衝層19上之貫通孔20内及該貫通孔20上，氣泡分散胺基曱 酸酯組成物8則與此同時或稍遲地自混合頭9之吐出喷嘴朝 該緩衝層19上連續地吐出。緩衝層19之移動速度或透光領 域形成材料21及氣泡分散胺基甲酸酯組成物8之吐出量可 42 1374791 考慮透光領域之厚度及面積、研磨領域之厚度而適當地調 整。前述透光領域形成材料21吐出時之黏度宜為1〜3〇pa . s，且更為理想的是2〜2〇pa · s，又，前述氣泡分散胺基甲 酸酯組成物8吐出時之黏度宜為1〜2〇pa. s，且更為理想的 5 是 2〜l〇i>a‘Si 然後’於透光領域形成材料21及氣泡分散胺基甲酸酯 組成物8上積層面材18，又，均勻地調整厚度，並藉由使透 光領域形成材料21及氣泡分散胺基甲酸酯組成物8硬化，製 作透光領域與研磨領域一體成形之長形研磨層或長形積層 1〇片。舉例言之，均勻地調整厚度之機構可列舉如軋輥、塗 料輥等輥子12等，又’透光領域形成材料21及氣泡分散胺 基甲酸酯組成物8之硬化係例如於均勻地調整厚度後藉由 使其通過設置在輸送機上之加熱烘爐（未圖示）内來進行。加 熱溫度係40〜loot：，加熱時間則為5〜1〇分鐘。將反應至 15不會流動為止之氣泡分散胺基甲酸酯組成物進行加熱 '後 固化係具有提升聚胺基甲酸酯發泡體之物理特性之效果。 另，透光領域形成材料為熱可塑性樹脂時，可使氣泡分散 胺基甲酸酷組成物熱硬化後藉由冷卻使透光領域形成材料 硬化又，透光領域形成材料為光硬化性樹脂時，則可照 20射篡外線或電子射線等光線而使其硬化。若由提高透光率 之觀點來看，則前述透光領域宜盡可能地未含有氣泡。 所得到之長形研磨層或長形積層片係與前述相同地經 過裁切、後固化、於研磨表面形成凹凸結構之程序等而構 成研磨墊或積層研磨墊。 43 1374791 聚胺基甲酸酯發泡體之平均氣泡徑、研磨層之厚卢、 比重、硬度及厚度誤差等係與前述相同。 以下說明製造第4本發明具有溝之（積層）研磨墊之方 法’第11圖係顯示使用輸送帶之具有溝之(積層）研磨墊之製 5造程序示意圖，第12圖則顯示使用脫模片之具有溝之(積層） 研磨墊之製造程序示意圖》 氣泡分散胺基甲酸酯組成物8係藉由與前述相同之方 法來調製。 於第11圖中，輸送帶23係於輸送機u上旋轉移動，首 1〇 先，氣泡分散胺基甲酸酯組成物8會自混合頭9之吐出喷嘴 朝輸送帶23上連續地吐出。輸送帶23之移動速度或氣泡分 散胺基甲酸酯組成物8之吐出量可考慮研磨層之厚度而適 當地調整。 於輸送帶23上吐出氣泡分散胺基甲酸g旨組成物8前，宜 15 於輸送帶23之兩端部配置分隔件17 ’藉此，可防止氣泡分 散胺基甲醆酯組成物8之液體垂流，且可提升研磨層之厚度 精度。舉例言之，分隔件之原料可列舉如：聚胺基甲酸酯 樹脂 '聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、纖維素系樹脂、丙烯酸樹 脂、聚碳酸酯樹脂、彘素系樹脂、聚苯乙烯及烯烴系樹脂（聚 2〇 乙烯、聚丙烯等）等熱可塑性樹脂；天然橡膠、異戊二烯橡 膠、丁二烯橡膠、氣丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、再 生橡膠及聚異丁烯橡膠等橡膠；二甲基聚矽氧烷及二苯基 聚矽氧烷等矽樹脂等。 然後，於所吐出之前述氣泡分散胺基曱酸酯組成物8 / 44 1374791

上積層面材或緩衝層16 ’且均勻地調整厚度，並夢由使氣 泡分散胺基甲酸酯組成物8硬化，製作由聚胺基甲酸酿發泡 體所構成之具有溝之長形研磨層或具有該具有溝之長形研 磨層之具有溝之長形積層片。舉例言之，均勻地調整厚度 5 之機構可列舉如：軋輥、塗料輥等輥子12、刮刀片等，又， 氣泡分散胺基曱酸酯組成物之硬化係例如於均勻地調整厚 度後藉由使其通過設置在輸送機上之加熱烘爐（未圖示）内 來進行。加熱溫度係40〜100°C，加熱時間則為5〜1〇分鐘

將反應至不會流動為止之氣泡分散胺基甲酸賴組成物進行 10 加熱、後固化係具有提升聚胺基甲酸酯發泡體之物理特性 之效果。 另一方面，於第12圖中，脫模片24係於輸送機u上移 動’脫模另24可使用已預先形成有凹陷結構者，且亦可使 用型輥25而一面供給至輸送機上一面形成凹陷結構，其他 15則可藉由與前述相同之方法製作具有溝之長形研磨層或具 有溝之長形積層片。

然後，所得到具有溝之長形研磨層或具有溝之長形積 層片係自輸送帶剝離，且與則述相同地經過裁切、後固化 等而構成具有溝之研磨塾或具有溝之積層研磨塾。 20 另一方面，使用脫模片時則自所得到具有溝之長形研 磨層或具有溝之長形積層片剝離脫模片，然後可藉由與前 述相同之方法，利用裁切及後固化等製作具有溝之（積層） 研磨墊。 聚胺基甲酸酯發泡體之平均氣泡徑、研磨層之厚度、 45 1374791 比重、硬度及厚度誤差等係與前述相同。 藉由前述方法所製作之第4本發明具有溝之(積層）研磨 墊係於與被研磨材接觸之研磨表面具有用以保持、更新漿 液之溝。雖然藉由發泡體所構成之研磨層於研磨表面具有 3即夕開口且具有可保持、更新漿液之作用，然而，藉由於 研磨表面形成溝，可進一步有效地進行漿液之保持與更 新，且可防止因與被研磨材間之吸附所造成之被研磨材之 破壞。具體而言’所形成之溝係XY格子溝、同心圓狀溝、 夕角柱、圓柱、螺旋狀溝、偏心圓狀溝、放射狀溝及組合 10該等溝之形狀等。 於第1〜第3本發明之(積層）研磨墊中，與被研磨材（晶 圓）接觸之研磨表面亦可具有用以保持、更新漿液之凹凸結 構。雖然藉由發泡體所構成之研磨層於研磨表面具有許多 開口且具有可保持、更新漿液之作用，然而，藉由於研磨 15表面形成凹凸結構，可進一步有效地進行漿液之保持與更 新’且可防止因與被研磨材間之吸附所造成之被研磨材之 破壞。凹凸結構係只要是可保持、更新漿液之形狀者則無 特殊之限制，舉例言之，可列舉如：χγ格子溝、同心圓狀 溝、貫通孔、未貫通之孔、多角柱、圓柱、螺旋狀溝、偏 2〇 、 心圓狀溝、放射狀溝及組合該等溝者。又，該等凹凸結構 般為具有規則性者，然而，為了構成理想之漿液保持性、 更新性’亦可每在一定範圍即改變溝間距、溝寬度、溝深 度等。 前述凹凸結構之製作方法並無特殊之限制，舉例言 46 1374791 之，可列舉如：使用預定尺寸之如切削刀之工模進行機械 切削之方法；藉由具有預定表面形狀之加壓板加壓樹脂之 方法；利用微影成像來製作之方法；利用印刷法來製作之 方法；藉由使用二氧化碳雷射等雷射光來進行之製作方法 • · 3 守0 • · 第1至第4本發明之(積層）研磨墊可於研磨層、基材或緩 衝層與層板接著之接著面側設置雙面膠帶’另’面材使用 單面接著膠帶時，由於基材上設置有用以與層板接著之接 • 著劑層，因此無須另外設置雙面膠帶。該雙面膠帶可使用 10 具有於基材層之雙面上設置接著層之一般構造者，又，舉 例言之，基材層可列舉如不織布或膜等。若考慮（積層）研磨 墊使用後自層板之剝離，則基材層宜使用膜，又，舉例言 之’接著層之組成可列舉如橡膠系接著劑或丙烯酸系接著 劑等。若考慮金屬離子之含量’則由於丙烯酸系接著劑之 15 金屬離子含量少，因此較為理想。 半導體裝置係經過使用前述(積層）研磨墊研磨半導體 • 晶圓之表面之程序來製造’又，所謂半導體晶圓一般係於 石夕晶圓上積層配線金屬及氧化膜者β半導體晶圓之研磨方 法、研磨裝置並無特殊之限制，舉例言之，如第丨圖所示， 20可使用下述研磨裝置等來進行，該研磨裝置包含有：研磨 疋盤2，係用以支持（積層）研磨墊丨者；支持台（磨光頭）5， 係用以支持半導體晶圓4者；襯墊材料，係用以進行晶圓之 均一加壓者；及研磨劑3之供給機構八積層）研磨墊丨係例如 藉由以雙面膠帶來黏貼而安裝於研磨定盤2，又，研磨定盤 47 2與支持台5伤西 曰 〇 配置成所分別支持之(積層）研磨墊1與半導體 日日圓4呈相對狀 ，且分別具有旋轉轴6、7，又，於支持台 5傾丨s又置有用以妝 将半導體晶圓4抵壓於(積層）研磨墊1之加壓 機構。研磨時， .’使研磨定盤2與支持台5旋轉並將半導體晶 3 低壓於(積層、〜 u,.. )呀思塾1，且一面供給漿液一面進行研磨。 漿液之流量、研 ^ 磨負載、研磨定盤旋轉數及晶圓旋轉數並 ….#之限制’可適當地調整後進行。 可除去半導體晶圓4表面突出之部分並研磨成平 坦狀，然後，蕤 _ 3由切粒、接合、封裝等來製造半導體裝置， 敦置係運用在演算處理裝置或記憶體等。 實施例 以下列舉實施例說明本發明，然而本發明並不限於該 等實施例。 〔第1發明〕 15 製造例1 混合甲苯二異氰酸酯（2,4-形態/ 2,6-形態 = 80/20 之 混。物)32重量份、4,4、二環己基曱烷二異氰酸酯8重量 伤聚伸丁 —醇(數量平均分子量：1〇〇6)54重量份及一縮二 乙-醇6重讀’並以80¾加熱祕12()分鐘而製作異氰酸 20醋末端預聚合物（異氰酸购當量：2」m叫/g)。混合該異氛 酸醋末端郷合物1㈣量份 '㈣界面活，關（東麗道康 f石夕公司製造’ SH-192)3重量份，並調製溫度業已調節至 8(TC之混合物A。於混合室内混合該混合物場重量份及以 120 C炫融之4,4’-亞甲雙(〇.氣苯胺)(井原（IHARA)化學公司 48 製造，井原居安明（CUAMINE)MT)20重量份，同時藉由機 械式授拌使空氣於混合物中分散而調製氣泡分散胺基甲酸 醋組成物A。 實施例1 D 送匕01 r 媒所構成且施行過剝離處理之面材（厚声 188 // m、寬度i〇〇cm)，並於該面材上連續地吐出前述氣泡 分散胺基曱酸酯組成物A。又，利用其他由PET膜所構成且 施行過剝離處理之面材(厚度188"m、寬度100cm)覆蓋氣泡 分散胺基曱酸酯組成物A，並使用軋輥均勻地調整厚度，然 10 後’藉由加熱至80t使該組成物硬化，形成由獨立氣泡結 構之聚胺基甲酸酯發泡體所構成之研磨層並製作積層體。 使用帶鋸式裁切機（費建(FECKEN)公司製造，G1)，將所製 作之積層體之研磨層以面呈平行之方式切割為二，藉此， 同時地製作二片由研磨層（厚度：1.5mm)與面材所構成之長 15 形研磨層。又，以80cm方形將長形研磨層進行一次裁切後， 剝離面材並以80°C進行6小時後固化，再二次裁切成直徑 70cm之大小而製作研磨層，其次’使用拋光機（阿米特克 (AMITEC)公司製造）進行該研磨層之表面拋光處理，並將 厚度精度調整為厚度1.27mm，又，使用溝加工機（東邦鋼機 20 公司製造)於該研磨層之研磨表面施行溝加工，並於裏面積 層緩衝層而製作積層研磨墊。 實施例2 送出由業已進行表面拋光且調整成厚度〇.8mm之聚乙 烯泡體（東麗公司製造，東麗佩夫(PEF))所構成之緩衝層（寬 49 度90cm)，並於該緩衝層上連續地吐出前述氣泡分散胺基甲 酸酯組成物A。又’利用其他緩衝層（寬度9〇cm)覆蓋氣泡分 散胺基曱酸酯組成物A，並使用軋輥均勻地調整厚度，然 後’藉由加熱至8(TC使該組成物硬化，形成由獨立氣泡結 5 構之聚胺基曱酸酯發泡體所構成之研磨層並製作積層體。 使用帶鋸式裁切機（費建公司製造，G1)，將所製作之積層 體之研磨層以面呈平行之方式切割為二，藉此，同時地製 作二片由研磨層（厚度：1.5mm)與緩衝層所構成之長形積層 片。又’以80cm方形將長形積層片進行一次裁切後，以80 10 °C進行6小時後固化，再二次裁切成直徑70cm之大小而製作 積層研磨片，其次，使用拋光機（阿米特克公司製造)進行該 研磨片之表面拋光處理，並將厚度精度調整為厚度 1.27mm，又，使用溝加工機（東邦鋼機公司製造）於該積層 研磨片之研磨表面施行溝加工而製作積層研磨墊。 15 製造例2 於容器中放入POP36/28(三井化學股份有限公司製 造，聚合物多元醇，羥值：28mgKOH / g)45重量份、 ED-37A(三井化學股份有限公司製造，聚醚多元醇，羥值： 38mgKOH/g)40重量份、PCL305(大賽璐(DAICEL)化學（股) 20 製造，聚酯多元醇，羥值：305mgKOH/g)10重量份、一縮 二乙二醇5重量份、矽系界面活性劑（東麗道康寧矽公司製 造，SH-192)5.5重量份及觸媒(No . 25，花王製造)0.25重量 份後混合。又，使用攪拌翼以旋轉數900rpm激烈地攪拌約4 分鐘，以於反應系統内取入氣泡，然後，添加米歐耐德 50 MTL(曰本聚胺基甲酸酯工業製造)31.57重量份，並攪拌約1 分鐘而調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物B。 實施例3 送出基材（東洋紡織公司製造，東洋紡酯E5001，聚對 ) 笨一 τ知乙二酯*厚度〇.188111111，寬度IGGcm)，益於該基 材上連續地吐出前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物B。又，利 用其他前述基材覆蓋氣泡分散胺基曱酸酯組成物B，並使用 乳輥均句地調整厚度，然後，藉由加熱至7〇〇c使該組成物 硬化’形成由連續氣泡結構之聚胺基甲酸酯發泡體所構成 10之研磨層並製作積層體。使用帶鋸式裁切機（費建公司製 造’ G1) ’將所製作之積層體之研磨層以面呈平行之方式切 割為二，藉此，同時地製作二片由研磨層（厚度：i 2mm) 與基材所構成之長形研磨層。又，以8〇cm方形將長形研磨 層進行一-欠裁切後，以70 C進行6小時後固化，再二次裁切 15成直徑70cm之大小而製作研磨片，其次，使用拋光機（阿米 特克公司製造）進行該研磨片之表面拋光處理，並將厚度精 度調整為厚度l_〇mm，又，使用溝加工機（東邦鋼機公司製 造)於該研磨片之研磨表面施行溝加工而製作研磨墊。 實施例4 20 於實施例3中，除了使用於聚對苯二甲酸乙二酯（厚度 0.188mm、寬度100cm)之單面上具有丙烯酸系接著劑層之 單面接著膠帶以取代基材（東洋紡酯Ε5〇〇ι)外，藉由與實施 例3相同之方法製作研磨墊。 〔第2發明〕 51 製造例 混合甲苯二異氰酸酯（2,4-形態/2,6-形態=80/20之 混合物）32重量份、4,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯8重量 份、聚伸丁二醇(數量平均分子量：1006)54重量份及一縮二 5乙二醇6重量份；並以8G°C加熱搜掉丨20分鐘而製作異氰酸 酯末端預聚合物（異氰酸酯當量：2.1meq/g)。混合該異氰 酸酯末端預聚合物100重量份、矽系界面活性劑（東麗道康 寧矽公司製造’ SH-192)3重量份，並調製溫度業已調節至 8 0 °C之混合物A。於混合室内混合該混合物a 8 0重量份及以 10 120°C熔融之4,4’-亞甲雙(〇-氣苯胺)(井原化學公司製造，井 原居安明MT)20重量份’同時藉由機械式攪拌使空氣於混 合物中分散而調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物。 實施例1 藉由以寬度6mm、厚度2mm將TPU(曰本米拉特蘭 15 (MIRACTRAN)公司製造，米拉特蘭E498)押出成形，製作 帶狀分隔件A，又，使用分光光度計（日立製作所製造， U-3210分光光度計）於測定波長領域4〇〇〜7〇〇nm測定所製 作之分隔件A之透光率時，於全範圍中為50%以上。 送出由聚對苯二曱酸乙二酯（PET)所構成之面材（厚度 20 β ni、寬度1 〇〇cm) ’並於該面材之兩端部及中央部配置 分隔件A ’然後，於未配置有分隔件a之面材上連續地吐出 前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物。又，利用其他由PET所構 成之面材（厚度5〇"m、寬度100cm)覆蓋氣泡分散胺基甲酸 醋組成物’並使用軋輥均勻地調整厚度’然後，藉由加熱 52 至80°C使該組成物硬化，製作由聚胺基曱酸酯發泡體所構 成之長形研磨層。又’以80cm方形將長形研磨層進行一次 裁切後，剥離兩面材並以80°C進行6小時後固化，再二次裁 切成直徑7〇cm之大小而得到研磨層，其次，使用拋光機（阿 5 米特克公司製造）進行該研磨層之表面挺光處理益調整厚 度精度，又，使用溝加工機（東邦鋼機公司製造)於該研磨層 之研磨表面施行溝加工，並於裏面積層緩衝層而製作研磨 塾。 實施例2 10 藉由以寬度6mm、厚度2_8mm將TPU(日本米拉特蘭公 司製造，米拉特蘭E498)押出成形，製作帶狀分隔件b，又， 使用分光光度計（日立製作所製造，U-3210分光光度計)於測 定波長領域400〜700nm測定所製作之分隔件B之透光率 時，於全範圍中為50%以上。 15 送出由業已進行表面拋光且調整成厚度0.8mm之聚乙 烯泡體(東麗公司製造，東麗佩夫)所構成同時於中央部具有 寬度6mm之貫通孔的緩衝層（寬度90cm) ’並於該緩衝層之 兩端部配置分隔件A ’且於貫通孔配置分隔件B，然後，於 未配置有分隔件之緩衝層上連續地吐出前述氣泡分散胺基 2〇甲酸酯組成物。又’利用由PET所構成之面材（厚度5〇"m、 寬度90cm)覆蓋氣泡分散胺基甲酸酯組成物，並使用軋親均 勻地調整厚度，然後’藉由加熱至8(TC使該組成物硬化， 形成由聚胺基甲酸酯發泡體所構成之研磨層並製作長形積 層片。又，以80cm方形將該長形積層片進行一次裁切後， 53 1374791 剝離面材並以8〇t進行6小時後固化，再二次裁切成直徑 70cm之大小而得到積層研磨片，其次，使用拋光機（阿米特 克公司製造）進行該研磨片之表面拋光處理並調整厚度精 度，又，使用溝加工機（東邦鋼機公司製造)於該積層研磨片 5之研磨層表面施行溝加工而製作積層研磨塾。 實施例3 藉由與前述製造例相同之方法調製氣泡分散胺基甲酸 酯組成物。送出由PET膜所構成且施行過剝離處理之面材， 並於s玄面材上連續地吐出前述氣泡分散胺基甲酸酯組成 10物。又，利用其他由PET膜所構成且施行過剝離處理之面材 覆蓋氣泡分散胺基甲酸酯組成物，並使用軋輥均勻地調整 厚度，然後，藉由加熱至8(TC使該組成物硬化，製作聚胺 基甲酸酯發泡體片。自該聚胺基甲酸酯發泡體片剝離面 材，並以80°C進行6小時後固化，然後，以寬度6mm、厚度 15 2mm裁切該聚胺基甲酸酯發泡體片而製作帶狀分隔件匸。 送出由業已進行表面拋光且調整成厚度〇.8mm之聚乙 稀泡體（東麗公司製造，東麗佩夫）所構成之緩衝層（寬度 90cm) ’並於該緩衝層之兩端部及中央部配置分隔件c，然 後’於未配置有分隔件之緩衝層上連續地吐出前述氣泡分 20 散胺基甲酸酯組成物。又，利用由PET所構成之面材（厚度 50m、寬度90cm)覆蓋氣泡分散胺基曱酸酯組成物，並使 用軋輥均勻地調整厚度，然後，藉由加熱至80°C使該組成 物硬化，形成由聚胺基曱酸酯發泡體所構成之研磨層並製 作長形積層片。又，以80cm方形將該長形積層片進行一次 54 1374791 裁切後，剥離面材並以8〇t進行6小時後固化，再二次裁切 成直徑7〇咖之大小而得到積層研磨片，其次，使用抛光機 (阿米特克公司製造）進行該研磨片之表面㈣處理並調整 厚度精度，又，使用溝加工機（東邦鋼機公司製造)於該積層 5研磨片之研磨層表面施行溝加工而製作積層研磨墊u 實施例4 藉由以寬度6mm、厚度〇.5mm將τρυ(日本米拉特蘭公 司製造，米拉特蘭Ε498)押出成形’製作帶狀第卜分隔件， 然後，藉由於第1分隔件上依序地以寬度6mm、厚度〇 5mm ίο將TPU押出成形並積層，製作由四層可剝離之Tpu片所構成 之帶狀積層分隔件D(寬度6mm、厚度2mm、長度10cm)。 送出由PET所構成之面材（厚度sOem、寬度l〇〇cm)， 並於該面材之兩端部及以該面材之寬度方向2〇cmi間隔且 運送方向20cm之間隔配置積層分隔件D(不過，將該分隔件 15之長邊配置成與運送方向平行），然後，於未配置有積層分 隔件D之面材上連續地吐出前述氣泡分散胺基甲酸酯組成 物。又，利用其他由PET所構成之面材（厚度50" m、寬度 l〇〇cm)覆蓋氣泡分散胺基曱酸酯組成物，並使用軋輥均勻 地調整厚度，然後，藉由加熱至80°C使該組成物硬化，製 20 作由聚胺基曱酸酯發泡體所構成之長形研磨層。又，以80cm 方形將該長形研磨層進行一次裁切後，剝離兩面材並以80 C進行6小時後固化，再二次裁切成直徑70cm之大小而得到 研磨層，其次，使用拋光機（阿米特克公司製造）進行該研磨 層之表面拋光處理並調整厚度精度，又，將研磨表面側之 55 積層分隔仙之了飢_ 一層並形成深度0 5mm之溝再 於褢面側積層緩衝層而製作研磨墊。 實施例5 藉由以寬度6mm、厚度2.8mm將τρυ(日本米拉特蘭公 5司製造*采拉特蘭Ε498)押出成形；製作帶狀分隔件；且藉 由切割成10cm之長度，製作分隔件Ε(寬度6mm、厚度 2.8mm、長度i〇Cm)。 送出由業已進行表面拋光且調整成厚度〇 8mm之聚乙 烯/包體（東麗公司製造，東麗佩夫)所構成，同時於中央部以 1〇運送方向2〇Cm之間隔具有寬度61«爪、長度(運送方向）i〇cm 之貫通孔的緩衝層（寬度90cm)，並於該緩衝層之兩端部配 置分隔件A，且於貫通孔配置分隔件£，然後，於未配置有 /刀隔件之緩衝層上連續地吐出前述氣泡分散胺基甲酸酯組 成物。又，利用由PET所構成之面材（厚度5〇"m、寬度9〇cm) 15覆蓋氣泡分散胺基曱酸酯組成物，並使用軋輥均勻地調整 厚度，然後，藉由加熱至8〇°C使該組成物硬化，形成由聚 胺基曱酸酯發泡體所構成之研磨層並製作長形積層片。 又，以80cm方形將該長形積層片進行一次裁切後，剝離面 材並以80 C進行6小時後固化，再二次裁切成直徑7〇cm之大 20小而得到積層研磨片，其次，使用拋光機（阿米特克公司製 造）進行該研磨片之表面拋光處理並調整厚度精度，又，使 用溝加工機（東邦鋼機公司製造)於該積層研磨片之研磨層 表面施行溝加工而製作積層研磨替。 實施例6 56 1374791 藉由以寬度6mm、厚度0.7mm將TPU(曰本米拉特蘭公 司製造，米拉特蘭E498)押出成形，製作帶狀第1分隔件， 然後’藉由於第1分隔件上依序地以寬度6mm'厚度〇.7mm 將TPU押出成形並積層，製作由四層可剝離之τρυ片所構成 5 之帶狀積層分隔件F(寬度 6γπϊϊι * 厚度2.8mm，長度l〇cm)。 送出由業已進行表面拋光且調整成厚度0 8inm之聚乙 烯泡體（東麗公司製造，東麗佩夫)所構成，同時於中央部以 運送方向20cm之間隔具有寬度6mm、長度（運送方向）i〇cm 之貫通孔的緩衝層（寬度9〇cm)，並於該緩衝層之兩端部配 10置分隔件A，且於貫通孔配置積層分隔件F，然後，於未配 置有分隔件之緩衝層上連續地吐出前述氣泡分散胺基曱酸 酯組成物。又，利用由PET所構成之面材（厚度5〇ym、寬 度90cm)覆蓋氣泡分散胺基甲酸酯組成物，並使用軋輥均勻 地調整厚度，然後，藉由加熱至80°C使該組成物硬化，形 15成由聚胺基曱酸酯發泡體所構成之研磨層並製作長形積層 片。又，以8〇Cm方形將該長形積層片進行一次裁切後，剝 離面材並以80。(：進行6小時後固化，再二次裁切成直徑7〇cm 之大小而得到積層研磨片，其次，使用拋光機（阿米特克公 司製造）進行該研磨片之表面拋光處理並調整厚度精度， 20又’使用溝加工機（東邦鋼機公司製造)於該研磨片之研磨層 表面施行溝加工，再將研磨裏面側之積層分隔件F之TPU片 剝離一層，並形成深度〇7mm之溝而製作積層研磨墊。 〔第3發明〕 (氣泡分散胺基甲酸酯組成物及透光領域形成材料之 57 1374791 黏度測定） 所製作之氣泡分散胺基曱酸酯組成物及透光領域形成 材料之黏度係依據JIS K 7117 -1來測定，測定裝置使用B型旋 轉黏度計（東機產業公司製造，TV-10H)，且測定條件為滚 严 竹· ΤΤΛ ·:办 /r/r C ^ 1 ΛΑ ：一 -1 · Π ΔΜ. .'Ρϊ rit ·

) |sj . no，汉、问牧付双•厶〜iv/VMmu ，/χ^ ^β. ρχ, /m ·妒J 整為吐出溫度。 實施例ι 混合甲苯二異氰酸酯（2,4-形態/2,6-形態=80/20之 混合物，TDI-80)32重量份、4,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯 10 (HMDI)8重量份、聚伸丁二醇（數量平均分子量：1006， PTMG-I000)54重量份及一縮二乙二醇(DEG)6重量份，並以 80°C加熱攪拌120分鐘而製作異氰酸酯末端預聚合物（異氰 酸酯當量：2.1meq/g)。混合該異氰酸酯末端預聚合物100 重量份、矽系界面活性劑（東麗道康寧矽公司製造， 15 SH-l92)3重量份，並調製溫度業已調節至60°C之混合物A。 於混合室内混合該混合物A80重量份及以120°C熔融之4,4’-亞甲雙(〇-氣苯胺)(井原化學公司製造，井原居安明MT)20 重量份，同時藉由機械式攪拌使空氣於混合物中分散而調 製氣泡分散胺基曱酸酯組成物A。 20 透光領域形成材料之調製 混合TDI-80(28重量份）、HMDI(3重量份）' PTMG-I000(67重量份）及DEG(2重量份），並以80°C加熱攪 拌120分鐘而製作異氰酸酯末端預聚合物。混合溫度業已調 節至60°C之該異氰酸酯末端預聚合物（100重量份）及以120 58 1374791 °c熔融之井原居安明MT(19重量份），並調製透光領域形成 材料B。 送出由PET膜所構成且施行過剝離處理之面材（厚度 188/z m、寬度l〇〇cm) ’並自吐出頭朝該面材之中央部連續 5 地=土出翁述透光領域形成封辑B(65°C '黎度：2.5Pa .. 其他部分則自混合頭連續地吐出前述氣泡分散胺基甲酸醋 組成物A(80°C、黏度：IPa · s)。又，利用其他由ρΕΤ膜所 構成且施行過剝離處理之面材（厚度188以111、寬度1 〇〇cm) 覆蓋透光領域形成材料B及氣泡分散胺基甲酸g旨組成物 10 A’並使用軋輥均勻地調整厚度，然後，藉由加熱至8〇<)(：使 兩組成物硬化’製作透光領域（寬度：約lcm)與藉由聚胺美 甲酸酯發泡體所構成之研磨領域一體成形之長形研磨層 (厚度：2mm)。又，以80cm方形將長形研磨層進行一欠裁 切後，剝離兩面材並以80°C進行6小時後固化，再二次裁切 15成直徑70cm之大小而得到研磨層’其次，使用拋光機（阿米 特克公司製造）進行該研磨層之表面拋光處理並調整厚度 精度，又，使用溝加工機（東邦鋼機公司製造)於該研磨層之 研磨表面施行溝加工’並於裏面積層緩衝層而製作研磨塾。 實施例2 20 送出由PET膜所構成且施行過剝離處理之面材（厚度 、寬度100cm)，並自吐出頭朝該面材之中央部間歇 地吐出前述透光領域形成材料B(65°C、黏度：2 5Pa . s)， 其他部分則自混合頭連續地吐出前述氣泡分散胺基甲酸醋 組成物A(8(TC、黏度：IPa. s)。又，利用其他由pET膜所 59 1374791 構成且施行過制離處理之面材（厚度188/zm、寬度i〇〇cm) 覆蓋透光領域形成材料B及氣泡分散胺基甲酸酿组成物 A，並使用軋輥均勻地調整厚度，然後，藉由加熱至肋^使 兩組成物硬化，製作多數透光領域（寬度：約lcm，長度： • 5約4cm)與藉由聚按基曱酸§旨發泡體所構成之研磨領域__體 • 成形之長形研磨層（厚度：2mm)。又，以80cm方形將長形 研磨層進行一次裁切後，剝離兩面材並以80°C進行6小時後 固化’再二次裁切成直徑70cm之大小而得到研磨層，其次， 9 使用拋光機（阿米特克公司製造）進行該研磨層之表面拋光 10處理並調整厚度精度’又’使用溝加工機（東邦鋼機公司製 造)於該研磨層之研磨表面施行溝加工，並於裏面積層緩衝 層而製作研磨墊。 實施例3 送出由業已進行表面拋光且調整成厚度〇_8mm之聚乙 15稀泡體（東麗公司製造，東麗佩夫)所構成，同時於中央部具 有寬度lcm之連續貫通孔的緩衝層（寬度100cm)，並自吐出 ® 頭連續地吐出前述透光領域形成材料B(65°C、黏度： 2_5Pa . s)以堆積於該貫通孔内及貫通孔上，其他部分則自 混合頭連續地吐出前述氣泡分散胺基曱酸酯組成物a(8〇 20 C、黏度：IPa . s)。又，利用由PET膜所構成且施行過韌 離處理之面材(厚度188"m、寬度100cm)覆蓋透光領域形成 材料B及氣泡分散胺基甲酸酯組成物A，並使用軋輥均勻地 調整厚度，然後，藉由加熱至80°C使兩組成物硬化，製作 透光領域(研磨表面側之寬度：約l_5cm)與藉由聚胺基曱酸 60 酯發泡體所構成之研磨領域一體成形之長形積層片（研磨 層之厚度：2mm”又，以80cm方形將長形積層片進行一次 裁切後，剝離面材並以80 C進行6小時後固化，再二次裁切 成直徑70cm之大小而得到積層研磨片，其次，使用抛光機 (阿米特克公司製造）進行該研磨片之表面掘光處理並調整 厚度精度，又，使用溝加工機（東邦鋼機公司製造)於該積層 研磨片之研磨層表面施行溝加工而製作積層研磨塾。 實施例4 送出由業已進行表面拋光且調整成厚度〇.8mm之聚乙 烯泡體（東麗公司製造’東麗佩夫)所構成，同時於中央部以 一定間隔具有多數寬度1cm及長度4cm之貫通孔的緩衝層 (寬度100cm)，並自吐出頭間歇地吐出前述透光領域形成材 料B(65°C、黏度：2.5Pa · s)以堆積於該貫通孔内及貫通孔 上，其他部分則自混合頭連續地吐出前述氣泡分散胺基甲 酸酯組成物A(80°C、黏度：IPa · s)。又，利用由pet膜所 構成且施行過剝離處理之面材（厚度188//m、寬度1 〇〇cm) 覆蓋透光領域形成材料B及氣泡分散胺基甲酸酯組成物 A ’並使用軋輥均勻地調整厚度，然後，藉由加熱至80。匚使 兩組成物硬化’製作透光領域（研磨表面側之寬度：約 1.5cm’長度：約4cm)與藉由聚胺基甲酸酯發泡體所構成之 研磨領域一體成形之長形積層片（研磨層之厚度：2mm)。 又，以80cm方形將長形積層片進行一次裁切後’剝離面材 並以80°C進行6小時後固化，再二次裁切成直徑7〇cm之大小 而得到積層研磨片’其次，使用拋光機（阿米特克公司製造） 1374791 進行該研磨片之表面拋光處理並調整厚度精度，又，使用 溝加工機（東邦鋼機公司製造)於該積層研磨片之研磨層表 面施行溝加工而製作積層研磨塾。 〔第4發明〕 产 UA 1 〇 貝々em 1 混合曱苯二異氰酸酯（2,4-形態/2,6-形態=80/20之 混合物）32重量份、4,4’·二環己基甲烷二異氰酸酯8重量 份、聚伸丁二醇(數量平均分子量：1〇〇6)54重量份及一縮二 乙一醇6重置份，並以8〇它加熱攪拌丨2〇分鐘而製作異氰酸 10酯末端預聚合物（異氰酸酯當量：2.1meq/g)。混合該異氰 酸酯末端預聚合物1〇〇重量份、矽系界面活性劑（東麗道康 寧矽公司製造，SH-192)3重量份，並調製溫度業已調節至 80 C之混合物A。於混合室内混合該混合物A8〇重量份及以 120 C熔融之4,4’-亞甲雙(〇-氣笨胺井原化學公司製造，井 15原居安明MT)20重量份，同時藉由機械式攪拌使空氣於混 合物中分散而調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物。 使表面具有規則之矩形凹陷結構（寬度：13mm，長度： 13mm，深度：〇.8mm)且施行過脫模處理之輸送帶（材料： 胺基甲酸酉旨，寬度：ll〇cm)旋轉移動，並於該輸送帶上連 20續地吐出前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物。又，利用由PET 膜所構成且施行過剝離處理之面材（厚度188ym、寬度 l〇〇cm)覆蓋氣泡分散胺基甲醆酯組成物並使用軋輥均勻 地調整厚度’然後’藉由加熱至机使該組成物硬化製 作由聚胺基曱酸醋發泡體所構成之具有溝之長形研磨層 62 (厚度：2mm)，然後’自輸送帶剝離該具有溝之長形研磨層。 又’以80cm方形將該具有溝之長形研磨層進行一次裁切 後’剝離面材並以進行6小時後固化，再二次裁切成直 徑70cm之大小而得釗具有溝之研磨層’其次，使用拋光機 5 (阿米特克公司製造）進行該研磨層之表面挺光處理益調整 厚度精度，又，於該具有溝之研磨層裏面積層緩衝層而製 作具有溝之積層研磨墊。 實施例2 送出表面具有規則之矩形凹陷結構（寬度：43mm，長 10 度：43mm，深度：〇.3mm)且施行過脫模處理之脫模片（材 料：PET，寬度：100cm)，並於該脫模片之兩端配置分隔 件，然後，於脫模片上連續地吐出前述氣泡分散胺基甲酸 酯組成物。又，利用由聚乙烯泡體（東麗公司製造’東麗佩 夫)所構成之緩衝層（厚度：〇.8mm、寬度100cm)覆蓋氣泡分 15 散胺基甲酸酯組成物，並使用軋輥均勻地調整厚度’然後， 藉由加熱至80°C使該組成物硬化，形成由聚胺基甲酸酯發 泡體所構成之具有溝之長形研磨層並製作具有溝之長形積 層片（研磨層之厚度：1.5mm)。又，以80cm方形將該具有溝 之長形積層片進行一次裁切後，剝離脫模片並以8〇t進行6 20 小時後固化，再二次裁切成直徑70cm之大小，其次’使用 拋光機（阿米特克公司製造）進行該積層片之表面拋光處 理，並調整厚度精度而製作具有溝之積層研磨墊。 C圖式簡單說明3 第1圖係顯示於CMP研磨中所使用之研磨裝置例之示 63 1374791 意構造圖。 第2圖係顯示第1本發明之長形研磨層或長形積層片之 製造程序示意圖。 第3圖係顯示第2本發明之長形研磨層或長形積層片之 产 Jk»\ -fo fir 二立向 ^ 衣运杜不芯、_ w 第4圖係顯示第2本發明之長形研磨層或長形積層片之 製造程序其他例子之示意圖。 第5圖係顯示第2本發明之長形研磨層或長形積層片之 製造程序其他例子之示意圖。 10 第6圖係顯示第2本發明之長形研磨層或長形積層片之 製造程序其他例子之示意圖。 第7圖係顯示第3本發明之研磨墊之製造程序例之示意 圖。 第8圖係顯示第3本發明之研磨墊之製造程序其他例子 15 之示意圖。 第9圖係顯示第3本發明之積層研磨墊之製造程序例之 示意圖。 第10圖係顯示第3本發明之積層研磨墊之製造程序其 他例子之示意圖。 20 第11圖係顯示第4本發明具有溝之(積層）研磨墊之製造 程序例之示意圖。 第12圖係顯示第4本發明具有溝之(積層）研磨墊之製造 程序其他例子之示意圖。 64 1374791 【主要元件符號說明】

1.. .(積層)研磨墊 2.. .研磨定盤 3·.·研磨劑(漿液） A -：上 τττ οί* 上丄 /« r^l \

十· 、卞守瓶曲回J 5.. .支持台(磨光頭） 6，7...旋轉軸 8.. .氣泡分散胺基甲酸酯組成物 9.. .混合頭 10a ’ 10b...面材(基材、單面接 著膠帶)或緩衝層 11.. .輸送機 12.. .輥子 13，13’...研磨層 14.. .切刀 15.. .長形研磨層或長形積層片 16.. .面材或緩衝層

1 #\ rrss /tL 1 / ..·)τπ^ττ 18.. .面材 19.. .緩衝層 20.. .貫通孔 21.. .透光領域形成材料 22.. .吐出頭 23.. .輸送帶 24.. .脫模片 25.. .型輥 65

Claims (1)

1374791 第96113791號專利申請案申請專利範圍修正本十、申請專利範圍： 修正a韌：1〇〇 年 •12.2修正補充 1. 一種研磨墊之製造方法，包含有以下程序，即： 藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物； 送出面材並於該面材上連續地吐出前述氣泡分散 胺基曱酸酯組成物；

於該氣泡分散胺基曱酸酯組成物上積層其他面材； 均勻地調整厚度，並藉由使前述氣泡分散胺基曱酸 酯組成物硬化，形成由具有微細連續氣泡之聚胺基曱酸 酯發泡體所構成之研磨層； 將該研磨層以面呈平行之方式切割為二，藉此，同 時地製作二片由研磨層與面材所構成之長形研磨層；及 裁切該長形研磨層； 其中前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物包含異氰酸 醋成分及含活性氫化合物， 前述異氰酸酯成分係4,4’-二苯曱烷二異氰酸酯或 碳二醯亞胺改質MDI，

前述含活性氫化合物包含6 0〜8 5重量％之分散有 由丙烯腈及/或苯乙烯-丙烯腈共聚物所構成之聚合物粒 子的聚合物多元醇。 2. —種研磨墊之製造方法，包含有以下程序，即： 藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物； 送出面材並於該面材上連續地吐出前述氣泡分散 胺基曱酸酯組成物； 於該氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層其他面材； 66 1374791 第96113791號專利申請案申請專利範圍修正本修正日期：1〇〇12乃 均勻地調整厚度，並藉由使前述氣泡分散胺基曱酸 酯組成物硬化，形成由具有微細連續氣泡之聚胺基甲睃 酯發泡體所構成之研磨層； 將該研磨層以面呈平行之方式切割為二，藉此，同 時地製作二片由研磨層與面材所構成之長形研磨層；及 裁切該長形研磨層； 其中前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物包含異氰醆 醋成分及含活性氫化合物， 前述異氰酸酯成分係4,4，-二苯甲烷二異氰酸酯或 碳二醯亞胺改質MDI， 前述含活性氫化合物包含6〇〜85重量％之經值為 20〜100mgKOH/g之高分子量多元醇，以及合計2〜15 重量％之羥值為400〜1830mgKOH/g之低分子量多元 醇及/或胺值為400〜1870mgKOH/g之低分子量聚 胺。 3. —種研磨墊’係藉由申請專利範圍第1或2項之方法所製 造者。 4. 一種積層研磨墊之製造方法，包含有以下程序，即： 藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯絚成物； 送出緩衝層並於該緩衝層上連續地吐出前述氣泡 分散胺基甲酸酯組成物； 於該氣泡分散胺基曱酸酯組成物上積層其他緩衝 層； 均勻地調整厚度’並藉由使前述氣泡分散胺基曱酸 67 1374791 第96113791號專利申請案申請專利範圍修正本修正曰期：100.12.22 酯組成物硬化，形成由具有微細連續氣泡之聚胺基甲酸 酯發泡體所構成之研磨層； 將該研磨層以面呈平行之方式切割為二，藉此，同 時地製作二片由研磨層與緩衝層所構成之長形積層 片；及 裁切該長形積層片； 其中前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物包含異氰酸 酯成分及含活性氫化合物， 前述異氰酸酯成分係4,4’-二苯甲烷二異氰酸酯或 碳二醯亞胺改質MDI， 前述含活性氫化合物包含60〜85重量％之分散有 由丙烯腈及/或苯乙烯-丙烯腈共聚物所構成之聚合物粒 子的聚合物多元醇。 5. —種積層研磨墊之製造方法，包含有以下程序，即： 藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基曱酸酯組成物； 送出緩衝層並於該緩衝層上連續地吐出前述氣泡 分散胺基曱酸酯組成物； 於該氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積層其他缓衝 層； 均勻地調整厚度，並藉由使前述氣泡分散胺基甲酸 酯組成物硬化，形成由具有微細連續氣泡之聚胺基曱酸 酯發泡體所構成之研磨層； 將該研磨層以面呈平行之方式切割為二，藉此，同 時地製作二片由研磨層與緩衝層所構成之長形積層 68 1374791 第96113791號專利申請案申請專利範圍修正本修正曰期：100.12.22 片；及 裁切該長形積層片； 其中前述氣泡分散胺基甲酸酯组成物包含異氰酸 酯成分及含活性氫化合物， 前述異氰酸酯成分係4,4’-二苯f烷二異氰酸酯或 碳二醯亞胺改質MDI， 前述含活性氫化合物包含60〜85重量％之羥值為 20〜100mgKOH/g之高分子量多元醇，以及合計2〜15 重量％之羥值為400〜1830mgKOH/g之低分子量多元 醇及/或胺值為400〜1870mgKOH/g之低分子量聚 胺。 6. —種積層研磨墊，係藉由申請專利範圍第4或5項之方法 所製造者。 7. —種研磨墊之製造方法，包含有以下程序，即： 藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物； 送出面材並於該面材之兩端部上及内部配置分隔 件； 於未配置有該分隔件之前述面材上連續地吐出前 述氣泡分散胺基甲酸酯組成物； 於所吐出之前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積 層其他面材； 均勻地調整厚度，並藉由使前述氤泡分散胺基曱酸 酯組成物硬化，製作由聚胺基甲酸酯發泡體所構成之長 形研磨層；及 69 1374791 第961U791號專利申請案申請專利範園修正本修正日期謝2 22 裁切該長形研磨層； 其中前述配置於内部之分隔件於波長400〜700細 之全範圍中透光率為2〇〇/0以上。 8. 如申請專利範圍第7項之研縣之製造方法，其中前述 分隔件係由解塑性樹脂或熱硬化性樹脂所構成。 9·如申請專利個第7項之研鞞之製造方法，其中前述 分隔件係藉由與前述氣泡分散胺基甲酸醋組成物同一 組成之聚胺基甲酸酯發泡體所構成。 瓜如申請專利範圍第7項之研磨塾之製造方法，其中前述 配置於内部之分隔件係積層二片以上之樹脂片且可剝 離。 11· 一種研磨塾’係藉㈣請專利範圍第7項之方法所製造 者。 α -種積層研磨墊之製造方法，包含心下程序，即： 藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸醋組成物； 送出緩衝層並於該緩衝層之兩端部上及内部配置 分隔件； 於未配置有該分隔件之前述緩衝層上連續地吐出 前述氣泡分散胺基曱酸酯組成物； 於所吐出之前述氣泡分散胺基甲酸醋組成物上積 層面材； t均勻地娜厚度’並藉由使前錢泡分散胺基甲酸 =成物硬化’形成由聚胺基甲酸酸發泡體所構成之研 磨層並製作長形積層片；及 70 1374791 第96113791號專利申請案申請專利範圍修正本修正曰期：1〇〇1222 裁切該長形積層片； 其中前述配置於内部之分隔件於波長4〇〇〜700nm 之全範圍中透光率為20%以上。 13. 如申清專利範圍第12項之積層研磨塾之製造方法，其中 前述分隔件係由熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂所構成。 14. 如申請專利範圍第12項之積層研磨墊之製造方法，其中 前述配置於内部之分隔件插入前述緩衝層之貫通孔内 且自該緩衝層突出。 15. 如申s青專利範圍第12項之積層研磨墊之製造方法，其中 前述分隔件係藉由與前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物 同一組成之聚胺基甲酸酯發泡體所構成。 16. 如申請專利範圍第12項之積層研磨墊之製造方法，其中 前述配置於内部之分隔件係積層二片以上之樹脂片且 可剝離。 Π. —種積層研磨墊，係藉由申請專利範圍第12項之方法所 製造者。 18_ —種研磨墊之製造方法’包含有以下程序，即： 藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲峻g旨組成物； 送出面材並於該面材上之預定位置連續或間歇地 吐出透光領域形成材料； 於未配置有該透光領域形成材料之前述面材上連 續地吐出前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物： 於所吐出之前述透光領域形成材料及氣泡分散胺 基甲酸酯組成物上積層其他面材； 71 1374791 第96113791號專利申請案申請專利範圍修正本修正日期：i〇〇 a 22 均勻地調整厚度，並藉由使前述透光領域形成材料 及氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，製作透光領域與研 磨領域一體成形之長形研磨層：及 裁切該長形研磨層。 19. 如申請專利範圍第18項之研磨墊之製造方法，其中前述 透光領域形成材料吐出時之黏度為丨〜3〇?3 . s。 20. 如申請專利範圍第18項之研磨墊之製造方法，其中前述 氣泡分散胺基甲酸酯組成物吐出時之黏度為丨〜如以. S ° 21. 如申請專利範圍第18項之研磨墊之製造方法其中前述 透光領域係由熱硬化性樹脂所構成。 22_如申請專利範圍第21項之研磨墊之製造方法，其中前述 熱硬化性樹脂係聚胺基曱酸醋樹脂。 23. —種積層研磨墊之製造方法，包含有以下程序，即： 藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物； 送出具有設置成連續或間歇之貫通孔的緩衝層並 吐出透光領域形成材料以堆積於該貫通孔内及貫通孔 上； 於未配置有該透光領域形成材料之前述緩衝層上 連續地吐出前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物； 於所吐出之前述透光領域形成材料及氣泡分散胺 基甲酸醋組成物上積層面材； 均勻地調整厚度，並藉由使前述透光領域形成材料 及氣泡分散胺基甲酸酯組成物硬化，製作透光領域與研 72 1374791 第96113791號專利申請案申請專利範圍修正本修正曰期：100.12.22 磨領域一體成形之長形積層片；及 裁切該長形積層片。 24. 如申請專利範圍第23項之積層研磨墊之製造方法，其中 前述透光領域形成材料吐出時之黏度為1〜30Pa · s。 25. 如申請專利範圍第23項之積層研磨墊之製造方法，其中 前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物吐出時之黏度為1〜 20Pa · s。 26. 如申請專利範圍第23項之積層研磨墊之製造方法，其中 前述透光領域係由熱硬化性樹脂所構成。 27. 如申請專利範圍第26項之積層研磨墊之製造方法，其中 前述熱硬化性樹脂係聚胺基曱酸酯樹脂。 28. —種具有溝之研磨墊之製造方法，包含有以下程序， 即： 藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物； 於在兩端部上配置分隔件且具有凹陷結構之輸送 帶上連續地吐出前述氣泡分散胺基曱酸酯組成物； 於所吐出之前述氣泡分散胺基f酸酯組成物上積 層面材； 均勻地調整厚度，並藉由使前述氣泡分散胺基甲酸 酯組成物硬化，製作由聚胺基甲酸酯發泡體所構成之具 有溝之長形研磨層； 自前述輸送帶剝離該具有溝之長形研磨層；及 裁切前述具有溝之長形研磨層。 29. —種具有溝之研磨垫之製造方法，包含有以下程序， 73 1374791 第96113791號專利申請案申請專利範圍修正本修正日期：i〇〇 l2 22 即： 藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物； 送出在兩端部上配置分隔件且具有凹陷結構之脫 模片’並於該脫模片上連續地吐出前述氣泡分散胺基甲 • 酸酯組成物； . 於所吐出之前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積 層面材； 均勻地調整厚度，並藉由使前述氣泡分散胺基曱酸 書 酯組成物硬化，製作由聚胺基甲酸酯發泡體所構成之具 有溝之長形研磨層； 自該具有溝之長形研磨層剝離前述脫模片；及 裁切前述具有溝之長形研磨層。 30. 一種具有溝之積層研磨墊之製造方法，包含有以下程 序，即： 藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基曱酸酯組成物； 於在兩端部上配置分隔件且具有凹陷結構之輸送 # 帶上連續地吐出前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物； 於所吐出之前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積 層緩衝層； 均勻地調整厚度，並藉由使前述氣泡分散胺基甲酸 酯組成物硬化，形成由聚胺基曱酸酯發泡體所構成之具 有溝之長形研磨層並製作具有溝之長形積層片； 自前述輸送帶剝離該具有溝之長形積層片；及 裁切前述具有溝之長形積層片。 74 1374791 第96113791號專利申請案申請專利範圍修正本修正曰期：丨〇〇 12.22 31. —種具有溝之積層研磨墊之製造方法，包含有以下程 序，即： 藉由機械發泡法調製氣泡分散胺基甲酸酯組成物； 送出在兩端部上配置分隔件且具有凹陷結構之脫 模片，並於該脫模片上連續地吐出前述氣泡分散胺基甲 酸酯組成物； 於所吐出之前述氣泡分散胺基甲酸酯組成物上積 層緩衝層； 均勻地調整厚度’並藉由使前述氣泡分散胺基甲酸 醋組成物硬化’形成由聚胺基甲義發泡體所構成之具 有溝之長形研磨層並製作具有溝之長形積層片； 自3玄具有溝之長形積層片聽前述脫模片；及 裁切前述具有溝之長形積層片。 32. 種半導體裝置之製造方法，包含有使用申請專利範圍 第3或U項之研磨塾、或申請專利範圍第6或17項之積層 研磨塾來研磨半導體晶圓表面之程序。 75