JPH10329005A - 研磨布及び研磨装置 - Google Patents
研磨布及び研磨装置Info
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- JPH10329005A JPH10329005A JP14525697A JP14525697A JPH10329005A JP H10329005 A JPH10329005 A JP H10329005A JP 14525697 A JP14525697 A JP 14525697A JP 14525697 A JP14525697 A JP 14525697A JP H10329005 A JPH10329005 A JP H10329005A
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- Japan
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- polishing
- sheet
- cmp
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- polishing cloth
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＭＰの面内均一性を向上させることが可能
な研磨布及び研磨装置を提供する。 【解決手段】 弾性を有し表面に凹凸が形成された下層
側シート１１と、この下層側シート１１の凹凸が形成さ
れた面上に設けられ被処理基板の被研磨面と対向する面
を有する上層側シート１２とにより研磨布１０を構成し
た。
な研磨布及び研磨装置を提供する。 【解決手段】 弾性を有し表面に凹凸が形成された下層
側シート１１と、この下層側シート１１の凹凸が形成さ
れた面上に設けられ被処理基板の被研磨面と対向する面
を有する上層側シート１２とにより研磨布１０を構成し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は研磨布及び研磨装
置、特に半導体装置の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）に用
いる研磨布及び研磨装置に関する。
置、特に半導体装置の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）に用
いる研磨布及び研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のＣＭＰに用いるポリッシン
グパッド（研磨布）としては、現在２層構造のポリッシ
ングパッドが広く用いられている（例えば、Ｒｏｄｅｌ
社のＩＣ−１０００（上層）／ＳＵＢＡ−IV（下層）と
いう２層パッド）。この２層構造のポリッシングパッド
は、上層側に比較的硬い材料を用いることでＣＭＰの平
坦化をはかるとともに、下層側を比較的軟らかくするこ
とによってＣＭＰの均一性をはかるというものである。
すなわち、２層構造にすることによって、平坦化及び均
一化という二つの重要な要素を両立させようとしたもの
である。
グパッド（研磨布）としては、現在２層構造のポリッシ
ングパッドが広く用いられている（例えば、Ｒｏｄｅｌ
社のＩＣ−１０００（上層）／ＳＵＢＡ−IV（下層）と
いう２層パッド）。この２層構造のポリッシングパッド
は、上層側に比較的硬い材料を用いることでＣＭＰの平
坦化をはかるとともに、下層側を比較的軟らかくするこ
とによってＣＭＰの均一性をはかるというものである。
すなわち、２層構造にすることによって、平坦化及び均
一化という二つの重要な要素を両立させようとしたもの
である。
【０００３】しかしながら、従来の２層構造のポリッシ
ングパッドでは、下層側の構成（不織布を用いて構成さ
れている）に起因して、以下に示すようないくつかの問
題点があった。
ングパッドでは、下層側の構成（不織布を用いて構成さ
れている）に起因して、以下に示すようないくつかの問
題点があった。
【０００４】まず、弾性が十分ではないために、ポリッ
シングテーブルの加工ばらつきやウエハキャリアの加工
ばらつきを十分に打ち消すことができないという問題が
あげられる。そのため、ＣＭＰの面内均一性をはかるこ
とが困難となる。
シングテーブルの加工ばらつきやウエハキャリアの加工
ばらつきを十分に打ち消すことができないという問題が
あげられる。そのため、ＣＭＰの面内均一性をはかるこ
とが困難となる。
【０００５】図６は、２層構造のポリッシングパッドの
下層側となるＳＵＢＡ−IVの弾性に関する測定結果を示
した図である。この図からわかるように、ウエハに与え
た加重を５０ｇ／ｃｍ2 から５５０ｇ／ｃｍ2 に変化さ
せても、圧縮量は２０μｍ程度である。例えば、ポリッ
シングテーブルの加工ばらつき及びウエハキャリアの加
工ばらつきの合計が１０μｍで、プロセス時の加重が３
００ｇ／ｃｍ2 であると仮定すると、ウエハ面内での加
重は２５０ｇ／ｃｍ2 ばらつく（３００±１２５ｇ／ｃ
ｍ2 ）ことになる。
下層側となるＳＵＢＡ−IVの弾性に関する測定結果を示
した図である。この図からわかるように、ウエハに与え
た加重を５０ｇ／ｃｍ2 から５５０ｇ／ｃｍ2 に変化さ
せても、圧縮量は２０μｍ程度である。例えば、ポリッ
シングテーブルの加工ばらつき及びウエハキャリアの加
工ばらつきの合計が１０μｍで、プロセス時の加重が３
００ｇ／ｃｍ2 であると仮定すると、ウエハ面内での加
重は２５０ｇ／ｃｍ2 ばらつく（３００±１２５ｇ／ｃ
ｍ2 ）ことになる。
【０００６】図７は、２層構造のポリッシングパッド
（ＩＣ−１０００（上層）／ＳＵＢＡ−IV（下層））を
用いてＣＭＰを行ったときの、ウエハ面内での研磨速度
のばらつきについて示した測定結果である。この図から
わかるように、ウエハの中心部においてＣＭＰの速度が
遅くなっていることがわかる。これは、ポリッシングパ
ッドの下層側の構成が十分な弾性を有するものでないた
め、ポリッシングテーブルの加工ばらつきやウエハキャ
リアの加工ばらつきを十分に吸収できなかったためであ
る。
（ＩＣ−１０００（上層）／ＳＵＢＡ−IV（下層））を
用いてＣＭＰを行ったときの、ウエハ面内での研磨速度
のばらつきについて示した測定結果である。この図から
わかるように、ウエハの中心部においてＣＭＰの速度が
遅くなっていることがわかる。これは、ポリッシングパ
ッドの下層側の構成が十分な弾性を有するものでないた
め、ポリッシングテーブルの加工ばらつきやウエハキャ
リアの加工ばらつきを十分に吸収できなかったためであ
る。
【０００７】また、ポリッシングパッドの下層側が不織
布を用いて構成されているため、ＣＭＰの圧縮・回復の
サイクルにおいて空気や水の出入りを伴い、応答が遅く
なるという問題もある。このように応答が遅いと、テー
ブル表面の形状変化等に十分に追随することできず、Ｃ
ＭＰの面内均一性をはかることが困難になる。さらに、
不織布を用いているため、水を吸収して弾性率が変化す
る、個体毎のばらつきが大きいといった問題点もある。
布を用いて構成されているため、ＣＭＰの圧縮・回復の
サイクルにおいて空気や水の出入りを伴い、応答が遅く
なるという問題もある。このように応答が遅いと、テー
ブル表面の形状変化等に十分に追随することできず、Ｃ
ＭＰの面内均一性をはかることが困難になる。さらに、
不織布を用いているため、水を吸収して弾性率が変化す
る、個体毎のばらつきが大きいといった問題点もある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の２
層構造のポリッシングパッドでは、下層側の構成に起因
した種々の問題点があり、そのためにＣＭＰの面内均一
性をはかることが困難であった。本発明は上記従来の課
題に対してなされたものであり、ＣＭＰの面内均一性を
向上させることが可能な研磨布及び研磨装置を提供する
ことにある。
層構造のポリッシングパッドでは、下層側の構成に起因
した種々の問題点があり、そのためにＣＭＰの面内均一
性をはかることが困難であった。本発明は上記従来の課
題に対してなされたものであり、ＣＭＰの面内均一性を
向上させることが可能な研磨布及び研磨装置を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明における研磨布
は、弾性を有し表面に凹凸が形成された第１のシート状
部材と、この第１のシート状部材の凹凸が形成された面
上に設けられ被処理基板（半導体基板等）の被研磨面と
対向する面を有する第２のシート状部材とを有すること
を特徴とする。
は、弾性を有し表面に凹凸が形成された第１のシート状
部材と、この第１のシート状部材の凹凸が形成された面
上に設けられ被処理基板（半導体基板等）の被研磨面と
対向する面を有する第２のシート状部材とを有すること
を特徴とする。
【００１０】前記第１のシート状部材は樹脂（例えばシ
リコンゴム）を用いて構成されていることが好ましい。
また、前記第１のシート状部材に形成された凹凸を構成
する複数の凸部は、互いに他の凸部から離間して島状に
形成されていることが好ましい。
リコンゴム）を用いて構成されていることが好ましい。
また、前記第１のシート状部材に形成された凹凸を構成
する複数の凸部は、互いに他の凸部から離間して島状に
形成されていることが好ましい。
【００１１】本発明における研磨装置は、前記の構成を
有する研磨布と、この研磨布を載置する基台と、被処理
基板をその被研磨面が前記研磨布を載置した基台（通常
はポリッシングテーブル）と対向するようにして保持す
る保持手段（通常はウエハキャリア）と、この保持手段
に保持された被処理基板の被研磨面を研磨するための研
磨剤を供給する研磨剤供給手段とを有することを特徴と
する。
有する研磨布と、この研磨布を載置する基台と、被処理
基板をその被研磨面が前記研磨布を載置した基台（通常
はポリッシングテーブル）と対向するようにして保持す
る保持手段（通常はウエハキャリア）と、この保持手段
に保持された被処理基板の被研磨面を研磨するための研
磨剤を供給する研磨剤供給手段とを有することを特徴と
する。
【００１２】本発明によれば、第１のシート状部材が弾
性を有するとともにその表面に凹凸が形成されているの
で、ＣＭＰにおける面内均一性を大幅に改善することが
できる。すなわち、ＣＭＰの際に第１のシート状部材及
び第２のシート状部材からなる研磨布（ポリッシングパ
ッド）が押圧されるが、このときポリッシングテーブル
の加工ばらつきやウエハキャリアの加工ばらつきに応じ
て第１のシート状部材の凸部が変形（つぶれ、曲がり
等）するため、ポリッシングテーブルやウエハキャリア
の加工ばらつきを打ち消して均一な研磨が可能となる。
性を有するとともにその表面に凹凸が形成されているの
で、ＣＭＰにおける面内均一性を大幅に改善することが
できる。すなわち、ＣＭＰの際に第１のシート状部材及
び第２のシート状部材からなる研磨布（ポリッシングパ
ッド）が押圧されるが、このときポリッシングテーブル
の加工ばらつきやウエハキャリアの加工ばらつきに応じ
て第１のシート状部材の凸部が変形（つぶれ、曲がり
等）するため、ポリッシングテーブルやウエハキャリア
の加工ばらつきを打ち消して均一な研磨が可能となる。
【００１３】また、第１のシート状部材に形成された複
数の凸部を互いに他の凸部から離間して島状に形成すれ
ば、各凸部が独立して変形（つぶれ、曲がり等）可能で
あるため、上記効果をより確実に得ることができる。
数の凸部を互いに他の凸部から離間して島状に形成すれ
ば、各凸部が独立して変形（つぶれ、曲がり等）可能で
あるため、上記効果をより確実に得ることができる。
【００１４】また、第１のシート状部材をシリコンゴム
等の樹脂を用いて構成することにより、ＣＭＰの圧縮・
回復のサイクルにおける空気や水の出入りを抑えること
ができるため、押圧等による変形からの回復が早くなり
（応答性の向上）、ポリッシングテーブルやウエハキャ
リア表面形状の変化等に十分に追随することができ、Ｃ
ＭＰの面内均一性をはかることができる。
等の樹脂を用いて構成することにより、ＣＭＰの圧縮・
回復のサイクルにおける空気や水の出入りを抑えること
ができるため、押圧等による変形からの回復が早くなり
（応答性の向上）、ポリッシングテーブルやウエハキャ
リア表面形状の変化等に十分に追随することができ、Ｃ
ＭＰの面内均一性をはかることができる。
【００１５】また、ＣＭＰにおける平坦性については、
第１のシート状部材上に設けた第２のシート状部材によ
って確保されることはいうまでもない。なお、第１のシ
ート状部材に設けた凹凸の凸部の密度は５０％以下とす
ることが好ましい。また、凹凸のピッチは２ｍｍ或いは
それ以下にすることが好ましい（シリコンウエハの厚さ
が７５０μｍ程度であり、その２倍前後のピッチにする
ことが好ましい）。
第１のシート状部材上に設けた第２のシート状部材によ
って確保されることはいうまでもない。なお、第１のシ
ート状部材に設けた凹凸の凸部の密度は５０％以下とす
ることが好ましい。また、凹凸のピッチは２ｍｍ或いは
それ以下にすることが好ましい（シリコンウエハの厚さ
が７５０μｍ程度であり、その２倍前後のピッチにする
ことが好ましい）。
【００１６】また、第１のシート状部材と第２のシート
状部材とは分離可能である。そして、本願では第１のシ
ート状部材の構成に大きな特徴がある。したがって、第
２のシート状部材を構成要件に含まないものも、研磨装
置として本願の権利範囲に含まれる。
状部材とは分離可能である。そして、本願では第１のシ
ート状部材の構成に大きな特徴がある。したがって、第
２のシート状部材を構成要件に含まないものも、研磨装
置として本願の権利範囲に含まれる。
【００１７】上記観点に立てば、本発明における研磨装
置は、表面に凹凸が形成されたシート状部材と、このシ
ート状部材を載置する基台と、被処理基板をその被研磨
面が前記シート状部材を載置した基台と対向するように
して保持する保持手段と、この保持手段に保持された被
処理基板の被研磨面を研磨するための研磨剤を供給する
研磨剤供給手段とを有することを特徴とする。
置は、表面に凹凸が形成されたシート状部材と、このシ
ート状部材を載置する基台と、被処理基板をその被研磨
面が前記シート状部材を載置した基台と対向するように
して保持する保持手段と、この保持手段に保持された被
処理基板の被研磨面を研磨するための研磨剤を供給する
研磨剤供給手段とを有することを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施形態について説明する。図１は本実施形態に係る研
磨布の構成例を示した図であり、図１（ａ）はその断面
構成、図１（ｂ）は研磨布を構成する下層側シートの平
面構成を示したものである。
実施形態について説明する。図１は本実施形態に係る研
磨布の構成例を示した図であり、図１（ａ）はその断面
構成、図１（ｂ）は研磨布を構成する下層側シートの平
面構成を示したものである。
【００１９】ポリッシングパッド１０（研磨布）は、下
層側シート１１（ＣＭＰ装置のポリッシングテーブルに
設置される側）及び上層側シート１２（半導体ウエハと
接触する側）の２層構造で構成されている。下層側シー
ト１１は、弾性を有する樹脂（本例ではシリコンゴム）
を用いて構成され、凸部１１ａ及び凹部１１ｂを有して
いる。凸部１１ａは、図１（ｂ）に示すように互いに分
離して独立して形成されており、その高さは１ｍｍ、そ
のピッチは２ｍｍである。上層側シート１２は、発泡ポ
リウレタン等を用いた不織布タイプのものであり、本例
ではＩＣ−１０００を用いている。
層側シート１１（ＣＭＰ装置のポリッシングテーブルに
設置される側）及び上層側シート１２（半導体ウエハと
接触する側）の２層構造で構成されている。下層側シー
ト１１は、弾性を有する樹脂（本例ではシリコンゴム）
を用いて構成され、凸部１１ａ及び凹部１１ｂを有して
いる。凸部１１ａは、図１（ｂ）に示すように互いに分
離して独立して形成されており、その高さは１ｍｍ、そ
のピッチは２ｍｍである。上層側シート１２は、発泡ポ
リウレタン等を用いた不織布タイプのものであり、本例
ではＩＣ−１０００を用いている。
【００２０】図２は、図１に示したポリッシングパッド
を用いたＣＭＰ装置の構成例を示した図である。１３は
図１に示したポリッシングパッド１０を載置するポリッ
シングテーブル、１４は半導体ウエハ２０を保持するウ
エハキャリア、１５はＣＭＰの時にスラリーを供給する
スラリー供給管である。
を用いたＣＭＰ装置の構成例を示した図である。１３は
図１に示したポリッシングパッド１０を載置するポリッ
シングテーブル、１４は半導体ウエハ２０を保持するウ
エハキャリア、１５はＣＭＰの時にスラリーを供給する
スラリー供給管である。
【００２１】このように、ポリッシングパッド１０の下
層側シート１１に凹凸を設けるとともに、その構成材料
に弾性を有する樹脂（シリコンゴム）を用いているの
で、ＣＭＰに際してポリッシングテーブル１３の加工ば
らつきやウエハキャリア１４の加工ばらつきを十分に打
ち消すことができる。すなわち、ＣＭＰに際してはポリ
ッシングパッド１０が押圧されるため、図３に示すよう
に、ポリッシングテーブル１３等の表面形状等に応じて
凸部１１ａがつぶれたり（図３（ｂ））曲がったり（図
３（ｃ））するため、均一な研磨が可能となる。
層側シート１１に凹凸を設けるとともに、その構成材料
に弾性を有する樹脂（シリコンゴム）を用いているの
で、ＣＭＰに際してポリッシングテーブル１３の加工ば
らつきやウエハキャリア１４の加工ばらつきを十分に打
ち消すことができる。すなわち、ＣＭＰに際してはポリ
ッシングパッド１０が押圧されるため、図３に示すよう
に、ポリッシングテーブル１３等の表面形状等に応じて
凸部１１ａがつぶれたり（図３（ｂ））曲がったり（図
３（ｃ））するため、均一な研磨が可能となる。
【００２２】また、ポリッシングパッド１０の下層側シ
ート１１にシリコンゴム等の樹脂を用いているので、Ｃ
ＭＰの圧縮・回復のサイクルにおいて従来のように空気
や水の出入りがない。そのため、下層側シート１１が変
形（つぶれや曲がり等）しても回復が早く、従来に比べ
て応答が早くなる。したがって、テーブル表面の形状変
化等に十分に追随することができ、ＣＭＰの面内均一性
をはかることができる。
ート１１にシリコンゴム等の樹脂を用いているので、Ｃ
ＭＰの圧縮・回復のサイクルにおいて従来のように空気
や水の出入りがない。そのため、下層側シート１１が変
形（つぶれや曲がり等）しても回復が早く、従来に比べ
て応答が早くなる。したがって、テーブル表面の形状変
化等に十分に追随することができ、ＣＭＰの面内均一性
をはかることができる。
【００２３】また、ポリッシングパッド１０の下層側シ
ート１１にシリコンゴム等の樹脂を用いているので、従
来のように水を吸収して弾性率が変化することがなく、
また、成型によって作製することができるので、個体毎
のばらつきを従来に比べて大幅に改善することができ、
寸法の検査も容易になる。さらに、シリコンゴムを用い
ているので、従来の不織布タイプに比べて劣化が少な
く、半永久的に使用することが可能である。したがっ
て、上層側シート１２のみを下層側シート１１から取り
外して交換すればよい。
ート１１にシリコンゴム等の樹脂を用いているので、従
来のように水を吸収して弾性率が変化することがなく、
また、成型によって作製することができるので、個体毎
のばらつきを従来に比べて大幅に改善することができ、
寸法の検査も容易になる。さらに、シリコンゴムを用い
ているので、従来の不織布タイプに比べて劣化が少な
く、半永久的に使用することが可能である。したがっ
て、上層側シート１２のみを下層側シート１１から取り
外して交換すればよい。
【００２４】図４は、本実施形態に係る下層側シート１
１の弾性に関する測定結果を示した図である。この図か
らわかるように、ウエハに与えた加重を５０ｇ／ｃｍ2
から５５０ｇ／ｃｍ2 に変化させた場合、圧縮量は１２
５μｍ程度となる。例えば、ポリッシングテーブルの加
工ばらつき及びウエハキャリアの加工ばらつきの合計が
１０μｍで、プロセス時の加重が３００ｇ／ｃｍ2 であ
ると仮定すると、ウエハ面内での加重は４０ｇ／ｃｍ2
程度のばらつき（３００±２０ｇ／ｃｍ2 ）である。こ
れは図６に示した従来技術の１／６以下の値であり、加
重のばらつきを大幅に低減できることがわかる。
１の弾性に関する測定結果を示した図である。この図か
らわかるように、ウエハに与えた加重を５０ｇ／ｃｍ2
から５５０ｇ／ｃｍ2 に変化させた場合、圧縮量は１２
５μｍ程度となる。例えば、ポリッシングテーブルの加
工ばらつき及びウエハキャリアの加工ばらつきの合計が
１０μｍで、プロセス時の加重が３００ｇ／ｃｍ2 であ
ると仮定すると、ウエハ面内での加重は４０ｇ／ｃｍ2
程度のばらつき（３００±２０ｇ／ｃｍ2 ）である。こ
れは図６に示した従来技術の１／６以下の値であり、加
重のばらつきを大幅に低減できることがわかる。
【００２５】図５は、本実施形態に係る２層構造のポリ
ッシングパッド１０（下層側シート１１、上層側シート
１２）を用いてＣＭＰを行ったときの、ウエハ面内での
研磨速度のばらつきについて示した測定結果である。図
７に示した従来技術ではウエハの中心部においてＣＭＰ
の速度が遅くなっていたが、本例では面内の均一性が改
善されていることがわかる。具体的には、従来技術に係
る図７に示した例ではポリッシング量のばらつきが３３
％程度であるが、本実施形態に係る図５に示した例では
ポリッシング量のばらつきが１２％程度に低減されてい
る。
ッシングパッド１０（下層側シート１１、上層側シート
１２）を用いてＣＭＰを行ったときの、ウエハ面内での
研磨速度のばらつきについて示した測定結果である。図
７に示した従来技術ではウエハの中心部においてＣＭＰ
の速度が遅くなっていたが、本例では面内の均一性が改
善されていることがわかる。具体的には、従来技術に係
る図７に示した例ではポリッシング量のばらつきが３３
％程度であるが、本実施形態に係る図５に示した例では
ポリッシング量のばらつきが１２％程度に低減されてい
る。
【００２６】上記の例では、図１に示すように下層側シ
ート１１の凹凸のピッチを２ｍｍとし、かつ上層側シー
ト１２となるＩＣ−１０００の厚さを１．２５ｍｍとし
ているが、凹凸のピッチを１０ｍｍにした場合には凹凸
に対応する模様がウエハに転写されることが確認され
た。ただし、この場合にも、上層側シート１２となるＩ
Ｃ−１０００の厚さを２．５ｍｍと厚くすることによ
り、このような模様は観察されなくなった。
ート１１の凹凸のピッチを２ｍｍとし、かつ上層側シー
ト１２となるＩＣ−１０００の厚さを１．２５ｍｍとし
ているが、凹凸のピッチを１０ｍｍにした場合には凹凸
に対応する模様がウエハに転写されることが確認され
た。ただし、この場合にも、上層側シート１２となるＩ
Ｃ−１０００の厚さを２．５ｍｍと厚くすることによ
り、このような模様は観察されなくなった。
【００２７】なお、下層側シート１１の材料、凹凸のピ
ッチや高さ等は上記実施形態で示したもの以外にも、適
宜変更可能である。その他、本発明はその趣旨を逸脱し
ない範囲内において種々変形して実施可能である。
ッチや高さ等は上記実施形態で示したもの以外にも、適
宜変更可能である。その他、本発明はその趣旨を逸脱し
ない範囲内において種々変形して実施可能である。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、第１のシート状部材が
弾性を有するとともにその表面に凹凸が形成されている
ので、ＣＭＰの際にポリッシングテーブルやウエハキャ
リアの加工ばらつきを打ち消すことができ、ＣＭＰにお
ける面内均一性を大幅に改善することができる。
弾性を有するとともにその表面に凹凸が形成されている
ので、ＣＭＰの際にポリッシングテーブルやウエハキャ
リアの加工ばらつきを打ち消すことができ、ＣＭＰにお
ける面内均一性を大幅に改善することができる。
【図１】本発明の実施形態に係る研磨布の構成例を示し
た図。
た図。
【図２】図１に示した研磨布を用いたＣＭＰ装置の構成
例を示した図。
例を示した図。
【図３】本発明の実施形態に係る研磨布の下層側シート
の凸部が押圧によって変形したときの状態について示し
た図。
の凸部が押圧によって変形したときの状態について示し
た図。
【図４】本発明の実施形態に係る研磨布の下層側シート
の弾性に関する測定結果を示した図。
の弾性に関する測定結果を示した図。
【図５】本発明の実施形態に係る研磨布を用いてＣＭＰ
を行ったときの、ウエハ面内での研磨速度のばらつきに
ついての測定結果を示した図。
を行ったときの、ウエハ面内での研磨速度のばらつきに
ついての測定結果を示した図。
【図６】従来技術に係る研磨布の下層側シートの弾性に
関する測定結果を示した図。
関する測定結果を示した図。
【図７】従来技術に係る研磨布を用いてＣＭＰを行った
ときの、ウエハ面内での研磨速度のばらつきについての
測定結果を示した図。
ときの、ウエハ面内での研磨速度のばらつきについての
測定結果を示した図。
１０…ポリッシングパッド（研磨布） １１…下層側シート（第１のシート状部材） １２…上層側シート（第２のシート状部材） １３…ポリッシングテーブル（基台） １４…ウエハキャリア（保持手段） １５…スラリー供給管（研磨剤供給手段） ２０…半導体ウエハ（被処理基板）
Claims (6)
- 【請求項１】 弾性を有し表面に凹凸が形成された第１
のシート状部材と、この第１のシート状部材の凹凸が形
成された面上に設けられ被処理基板の被研磨面と対向す
る面を有する第２のシート状部材とを有することを特徴
とする研磨布。 - 【請求項２】 前記第１のシート状部材は樹脂を用いて
構成されていることを特徴とする請求項１に記載の研磨
布。 - 【請求項３】 前記樹脂はシリコンゴムであることを特
徴とする請求項２に記載の研磨布。 - 【請求項４】 前記第１のシート状部材に形成された凹
凸を構成する複数の凸部は、互いに他の凸部から離間し
て島状に形成されていることを特徴とする請求項１に記
載の研磨布。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の研磨
布と、この研磨布を載置する基台と、被処理基板をその
被研磨面が前記研磨布を載置した基台と対向するように
して保持する保持手段と、この保持手段に保持された被
処理基板の被研磨面を研磨するための研磨剤を供給する
研磨剤供給手段とを有することを特徴とする研磨装置。 - 【請求項６】 表面に凹凸が形成されたシート状部材
と、このシート状部材を載置する基台と、被処理基板を
その被研磨面が前記シート状部材を載置した基台と対向
するようにして保持する保持手段と、この保持手段に保
持された被処理基板の被研磨面を研磨するための研磨剤
を供給する研磨剤供給手段とを有することを特徴とする
研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14525697A JPH10329005A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 研磨布及び研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14525697A JPH10329005A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 研磨布及び研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10329005A true JPH10329005A (ja) | 1998-12-15 |
Family
ID=15380935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14525697A Pending JPH10329005A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 研磨布及び研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10329005A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6099390A (en) * | 1997-10-06 | 2000-08-08 | Matsushita Electronics Corporation | Polishing pad for semiconductor wafer and method for polishing semiconductor wafer |
| JP2001018165A (ja) * | 1999-04-06 | 2001-01-23 | Applied Materials Inc | 改良型ｃｍｐ研磨パッド |
| JP2004524683A (ja) * | 2001-02-07 | 2004-08-12 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体ウエハを改質するために好適な研磨物品 |
| KR100564910B1 (ko) | 2004-09-22 | 2006-03-30 | 지앤피테크놀로지 주식회사 | 마이크로 몰드를 이용한 씨엠피(화학기계적) 연마패드 및이의 제조방법 |
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| JP2015208818A (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-24 | 株式会社リコー | 研磨具、及び、研磨装置 |
-
1997
- 1997-06-03 JP JP14525697A patent/JPH10329005A/ja active Pending
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040511 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041019 |