TWI339448B - Package for carrying optical semiconductor element and optical semiconductor device using thereof - Google Patents

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TWI339448B
TWI339448B TW096119083A TW96119083A TWI339448B TW I339448 B TWI339448 B TW I339448B TW 096119083 A TW096119083 A TW 096119083A TW 96119083 A TW96119083 A TW 96119083A TW I339448 B TWI339448 B TW I339448B
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resin
semiconductor element
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light
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Naoyuki Urasaki
Kanako Yuasa
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Description

24494pif 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於―接 裝的光半導㈣光半導體元件搭制封裝及使用此封 合有光半^w 1光半導體元件搭載⑽裝於製造組 置方面較為有用體等波長轉換機構的光半導體裝 【先前技術】 為了使光半導體裝置實現小型及薄型化，取 的矣ΐ光半導體裝置’而較多使用具有如圖3所示構造 、面安裝（SMD(Surfacemounteddevice))型光半導體 ^置（發光裝置）。該表面安裝型光半導體農置通常是藉由 士下方法而製造的：藉由使樹脂成形體403與正負導線電 極404 -體化而構成的光半導體元件搭載用封裝的凹部底 面，經由黏晶（die bond)材400而搭載著光半導體元件（發 光一極體（LED，light-emitting diode)等）400，由接線 401電性連接該光半導體元件400與導線電極4〇4後，向 凹T填充包含螢光體405的透明密封樹脂4〇2，並密封光 半導體元件400，其中該樹脂成形體403具有作為光半導 體元件搭載用區域的凹部。此外，上述光半導體元件搭載 用封裝通常是藉由如下方法而製造的：利用成形模具夾持 導線電極，向關閉的模具内注入熔融的熱可塑性樹脂組合 物後，回到室溫下使該樹脂組合物硬化，從而藉由使上述 導線電極與樹脂組合物一體化而構成。於日本專利早期公 開第2002 — 280616號公報、曰本專利早期公開第2〇〇4 — 24494pif 200^342782 c/揭不有一種使用光半導體元件搭載用44壯二i ^型led裝置，該光半導體元件搭載 4凹部的樹脂成形體與正負導線電極—體化==由使 近年來，光半導體裝置之應用 數情況下其使用條件也變得嚴：，：需二有多 可靠性。然而，製作上述樹脂成形體;==高的 性樹脂組合物的線膨脹率（20〜 /π、 ”、、可塑 ，電極而使用的銅的線膨脹率。 虽藉由使樹脂組合物與導線電 而 大應力，結果，導致樹脂成構成時會產生較 低，從而導致樹脂組合物電極間的接著性降 右的間隙。此外，若二線電極之間產生幾十微米左 ϋ θ] σ」罪性。 … 此::出板入樹脂組合物而製作樹脂球形體 今辦开彡^偏蔣日、會由於樹脂的射出壓力而使模具 移^時1模具的合模邊產生間隙， 導致方、.二广格載用封裝側面產生樹脂毛邊 pamnghne ’刀I線）。該樹 低，則由於導線電極外“導::;【線電極間的接著性較 半導體裝置的可靠性。間產生間隙’從而降低了光 時應用n 產生稍許變形或偏移，此日； 導致於光半導體元件搭#田+ V . Γ p，八幻戰用封裝側面產生樹脂毛邊 (partinghne’刀軎'J線）。該植+肸 驟中成為障礙，由於使光半f =邊於成形（f_mg)步 L ^ L T卜〇p導線進行高精度加工。此 外，此時於^^方向上對導竦咖； 电極與樹脂成形體的界面施 1339448 24494pif 加應力，自於橫方向延伸的毛邊前端部分於上述界面產生 間隙。進而，亦有樹脂毛邊剝離的危險，該樹脂毛邊的剝 離成為封裝龜裂的重要原因，水分或雜質會自該龜裂侵 入，導致光半導體裝置的可靠性顯著降低。此外，剝離毛 邊很嚴重時，產生空壁導致外觀不良。 此外，近年來，開發出於紫外區域等中具有發光峰值 波長的光半導體元件，對該元件而言亦期待能夠應用於 SMD型LED，由於紫外區域附近的光的能量較高，故而 存在如下問題：容易導致樹脂成形體的凹部内周面（反射 板’ reflector)劣化’進而，隨著該内周面劣化亦會導致可 見光的反射率降低。 【發明内容】 本發明是雲於上述問題開發而研製成的，其目的在於 提供一種樹脂成形體與導線電極的接著性良好且可靠性優 良的光半導體元件搭載用封裝及使用此封裴的光半導體裝 置。 此外，本發明的其他目的在於提供一種硬化後可見光 至近紫外光的反射率較鬲、具有耐光及耐熱劣化性優良的 凹部（反射板）的光半導體元件搭載用封裝及使用此封裝 的光半導體裝置。 即，本發明的特徵在於下述（1)〜（12)事項。 (1)-種光半導體元件搭仙封裝，具有作為光半導 體元件搭載區域的凹部，其特徵在於：藉由使樹脂成形體 與至少-對正及負的導線電極—體化而構成，其中該樹脂 8 2449^P^ 成—熱 四部側面’上犯至y 述樹脂成形
形成上述凹部底面的，广 Q 線€極=合面無述之光半導體元件搭載用封裝， (2 ^ $由使上述樹脂成形體與上述至少一 其中藉由傳送成形而雜=而耩成。 對立及⑺#之光半導體元件搭載用 # 二光反射用樹腊組合物"含有填充料。 対我⑷如上述⑴A(2)所述之光半導體元件搭載用 Μ，对上述熱固性光反射用樹脂組合物之成分中包括 3)環氧樹脂、（Β)硬化劑、（Ci硬化促進劑、⑼無 “充劍、（E)白色顏料、（F) 且該樹脂組合物 ^軌硬化後於350 _』〇〇_的波長中光反射率大於等 於80%且在常溫（0〜35°C )下能夠加壓成形。 m (5)如上述（4)所述之光半導體元件搭載用封裝， 其中上述（D)無機填充劑是選自二氧化矽、氧化鋁、氣 !組成的族群中的直少一種。 (6)如上逑（4)所述之光半導體 丹 T 卜 π 广 η、 . u , ^錢、氧化錄、氫氧化|g、氫氧化鎂、硫酸鋇、碳酸鎂 呶酸鋇，· 、 如上逑（4)所述之光半導體元件搭載用封裝， 上述（Ε)白色顏料為無機中空粒子。 其 ，色顏料的不均极徑在0,1 (8)如上述（4)所述之光半導體 50 μπι範圍内 元件搭載用封裝 (4) — U半導體元件搭載用封裝， 二)白色顏料的不均极徑在0.1〜50 _ 9 1339448 24494pif 其中上述（D)然機填充劑與上述（e )白色顏料的合計量 相對於上述熱固性光反射用樹脂組合物全體為體積％ 〜85體積％。 且、 (9) 如上述（1 )或（2)所述之光半導體元件搭載用 封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物的螺旋流動 (spiia] flow )大於寺於5〇 cm且小於等於。 (10) 如上述（1)或（2)所述之光半導體元件搭載
用封裝，其巾上述熱g]性光反㈣触組合物的圓板流動 大於等於5 0 mm。 (1.1)如上述（1)或（2)所述之光半導體元件搭載 用封衣纟中上述熱固性光反射用樹脂組合物的線膨服係 數為10〜30卩卩111/。〇。 (12) —種光半導體裝置，其特徵在於含有：上述（ι) 或（2)所述之光半導體元件搭載用封裝、搭載於上述封裝 中上述凹部底面的光半導體元件以及覆蓋上述凹部内的上 述光半導體元件的透明密封樹脂層。
»根據本Θ ’可提供—種樹脂成形體與導線電極間的 接著f生良好可#性優良的光半導體元件搭載㈣裝及使用 此封裝的光半導體裝置，進而亦可提供—種硬化後自可見 光至近紫外光的反射率較高、具有耐光及耐熱劣化性優良 的光半導體元件搭裁用封裝及使用此封裳的光半導 1339448 24494pif 倍的放大率觀察樹脂成形體與導線電 該界面上未觀察關_狀態。如目接的界叫，於 此外’本^案根據㈣請人切申請的日本專利申 請第.2006 - 154652喊（申請日2〇〇6年6月2且 其優先權，^中轉照㈣式制其中 、 【實施方式】 元件=::==封Ϊ具有作為光半導體 至"正及_電極 ==== 凹部底面的一部分，且上=電極呈對向配置以形成上述 接合面無間隙。再者，形體與上述導線電極的 負導線電極的—端互相;里=是，正導線電極的-端與 露出而形成凹部;^ 以使各個正面（主面） 離。此外，Ιϋ _ ]错由成形樹脂而使導線電極之間分 —端與樹脂成形體極的另—端與負導線電極的另 體側面突出 /體化而構成後，立即設為自樹脂成形 3所示，向封裝部導線部較理想的是’例如圖 (彎管）切 成七體接合面的内側彎*，成為J —Bend 的構造並不僅子部。當然’本發明中連接端子部 型i其他^亦可_翼 製造方m發明的光半導體元件搭載用封褒各結構、 吏用該封裝的光半導體裝置進行詳述。 24494pif (導線電極） 如，麵鋼等高熱傳導體而構成，例 屬板不Α為 _的銅合金屬所構成的長金 防止導：1 壓而是進行穿孔加工而形成。此外，為 防止導e電極⑽等，可於導線電紅面•銀、紹、金、 纪或該等合金等金屬。此外，為提昇發光元件的光率， 是使導線電極正面平滑。此外，較好的是盡可能擴 大¥線電極的面積，@此，可提高放熱性，有 ;的：光元件的溫度上升’進而，可對發光元; 多的電力，可提昇光輸出。 k 1
此外，於本發明中，至少有一對導線電 以形成封裝凹部底面的一部分，較好的 J J 極端部背面與側面相交的角帶有曲線（參照圖 者，導線電極的背面是指於封I凹部底面再 的反面）。如此，若沿成形樹脂注入的方向而於暮（主面山) 部設置圓形’則成形樹脂的流動會平滑，〜t泉電極端 電極間無間隙地填充成形樹脂二可 間分離’此外，可強化導線電極與成形樹月旨體二t極 進而，由於樹脂成形體與導線電 虹的饴者性。 π避免應力集中於接合線上，=極可的^合線帶有曲線，故 另-方面，對向的導線電杨制封裝龜裂的產生。 較好的是突起為銳角（參照圖4的R主面與侧面交又的角 止成形樹脂自導線電極間向導線電極2)。因此，可有效阻 防土發光元件的黏晶（die b〇ndJ^主面上流出，從而可 g不良或打線接合(wife 1339448 24494pif* bonding)不良。此外，可提昇導哼 著性，抑制導線電極與成形樹脂在界面j形樹月旨間的密 (樹脂成形體） 上剝離。 月身組合 月旨組 本發明的封裝中的樹脂成形體較好 反射用樹脂组合物成形。此外，熱固/是，由熱固性光 物中較好的是含有填充料。進而’、，、、 ，反射用樹脂 合物的成分中，較好的是包含光反射用樹 劑、（C)硬化促進劑、（D) 二虱樹脂、（B) ⑺，偶合劑。 味充劑、（E)白色 關於上述⑷環氧樹脂， 氧樹脂成形材料中-般使用的材料，=零件密封用環 (ph⑽1 _〇㈣型環氧樹脂、鄰甲^ 有以紛酸 的將苯酚類與醛類的酚醛樹沪户& 丄衣虱树脂為代表 西分A、雙齡F、雙紛S、化後所得的樹脂；由雙 _環氧樹脂；二胺二笨笨齡等的二縮水甘油 矣tr萨“.M u」. 、異三聚氰酸等的聚胺與 氧桝r . Γ:⑽y Πη)反應後而獲得的縮水甘油胺型環 乳乙酸等過酸將馳鍵氧化而獲得的線狀脂 =衣减月曰’以及脂環族環氧樹脂等，可適當以任何方 :併^上述夕個祕月曰。此外，上述多個樹脂中較好的是比 較不容易著色的樹脂’例如可列舉雙紛Α型環氧樹脂、雙 盼F型環氧樹脂、雙紛s型環氧樹脂、三縮水甘油基異三 聚氰酸酯。 卜作為上述（B)硬化劑，若可與環氧樹脂發生反應則 热特別限制，但較好的是比較不容易著色的硬化劑。例如， 24494pif 可列舉酸酐系硬化劑、苯盼系硬化劑等。作為酸酐系硬化 劑，例如可列舉苯二甲酸酐、順丁烯二酸酐、偏笨三酸酐 (trimellitic anhydride)、均笨四甲酸酐、六氫苯二甲酸軒 四氫笨二曱酸酐、曱基耐地酸酐、耐地酸酐、戊二酸針、 曱基六氫苯二曱酸酐、甲基四氫苯二曱酸酐等。上述多個 酸酐系硬化劑中，較好的是笨二甲酸酐、六氫苯二甲酸酐、 四氫笨一甲酸酐、甲基六氫苯二曱酸酐。酸酐系硬化劑的 分子量較好的是140〜200左右，此外，較好的是無色或淡 黃色酸Sf。上述多個硬化劑可單賊用，亦可㈣兩種或 兩種以上。環氧樹脂與硬化劑的添加比例較好的是，相對 於環氧樹脂中1當量的環氧基而言，可與硬化劑中環氧基 反應的活性基（酸酐基或羥基）為〇.5〜15當量，進而^ 0/^1.2當量。當活性基的當量不足〇5時，有時會延遲 環氧樹肋合物的魏速度，並且會降低顺得的硬化灿 的玻璃轉移溫度，另-方面，t超過15當量時 月: 降低耐濕性。 1τ" 作為上述（C)硬化促進劑（硬化觸媒），並無特 定，例如可列舉1，8_二氮雜_雙環（5,4,0)十一烯々、三^ 二胺、三-2,4,6-二曱胺基曱基笨酚等三級胺類，2_乙^ 曱基咪。坐、2H心坐等味。錢’三笨基膦、 笨基硼酸鹽、四正丁其賊 ^ 0ί|ί 土&四 丨了杨·。,Q·-乙基叫基二 化^物，四級銨鹽、有機金屬鹽類及上述多個物質的衍生 物等。上述多個硬化促進劑可單獨使用或者也可併用。丁 述多個硬化促進劑（硬化觸媒）t，較好的是三級胺類、 1339448 24494pif 咪唑類、磷化合物。上述硬化促進劑的含量較奸的 ，氧樹脂1GG重量份而言，為G.01〜8.G重量份，更好的 是0」〜3.0重量份。若硬化促進劑（硬化觸媒）的含量不 足〇.〇1重1份，則有時無法獲得充分的促進硬化的致 此=，右超過8.0重量份，則有時會在所獲得的硬化 觀察到變色。 〃作為上述（D)無機填充材，y使用選自二 氧化紹、氧化_、氧轉、氫氧化㉟、氫氧 破酸鎮、瑞酸領組成的鱗中的 =、 :反：、成形性、難燃性方面考慮，較好的以化 充材的平均粒此外’無機填 〕十勺拉&亚無特別限定 具 範= 的: 平均粒徑在0.】〜50 Mm 色顏料的粒徑較好的是 時粒子易於凝集而使得分;差右粒=不足〇 ·】μ m則有 分獲得反射特性。 又差，右超過50 μπι則可充 上述（£ )白色顏料與 (填充料的填充量）’相野於真充材的合計填充量 體而言，較好的是7〇體積0;'，，'〇性光反射用樹脂組合物全 個填充料的填充量不足體積°/。範圍内。若上述; 分，若超過85體積％，則成=則有光反射特性不充 艾差而存在難以製作基板 1339448 24494pif 的傾向。
作，上述⑺偶合劑，可列舉魏系偶合劑或欽酸 夕曰。禹〜j等’作為石夕坑偶合劑，一般以任意附著量而較 二使用環氧矽烷系、胺基矽烷系、陽離子型（cationic)矽 =乙稀基魏系、丙稀财H縣奶完系及上述 夕固^兀系的複合系等。偶合劑的種類或處理條件並無特 別限疋’但偶合劑的添加量較好的是，於油性光反射用 Μ脂組合物中小於等於5重量％。 /、他-上述熱固性光反射用樹脂組合物中，根據需要 可添加抗氧化劑、脫模劑、離子補充劑等。 含有以上成分的熱固性光反射用樹脂組合物較好的 是，於熱硬化前室溫（0〜饥）下可進行加壓成形，且較 好的疋熱硬化後於350 nm〜800 nm的波長中光反射率大 於等於80%。上述加壓成形例如可於室溫下、〇 5〜2
1〜5秒左右的條件下進行。此外’若上述光反射率不足 80/。，則存在热法充分有助於提昇光半導體裝置亮度的傾 向。更好的是，光反射率大於等於9〇〇/0。 此外，^述熱固性光反射用樹脂組合物的螺旋流動較 好的是大於等於50 cm且小於等於300 cm，更好的是大於 等於50 cm且小於等於200 cm，尤其好的是大於等於l〇cm 且小於等於15 0 c m。若螺旋流動不足5 〇 c m則材料填充性 會惡化，導致製品易於出現未填充的部分。另—方面，若 螺旋流動超過300 cm，則有易於出現空隙、降低彎曲強1 的傾向。此外，圓板流動較好的是大於等於5〇m=，更二 16 24494pif 的是大於等於8〇 _。若圓板流 間易於出現未填充或空隙。再去5〇咖，則導線架 狀槽的模具（模具溫度冒 ?、旋流動是對具有㈣ 力6.9 MPa)，直至該樹脂組合物^^旨組合物（注入歷 長度的測定值，圓板流動是於 :^填充的旋渦的 180〇C，模具重量8 kg)之間配置、’板核具（模具溫度 u* a ^ ^ 置5 g樹脂組合物，測宏由 杈/、自重而使樹脂組合物潤濕並 ' 進而，上述熱固性光反射徑的值。 較好的…一此時，:;; = = = 此外，樹脂成形體的形狀如上所述，若且 導體元件搭載區域的凹部，則無特別限定，凹部側辟= 射板）較理想的是具有㈣將料導體元件發出的^ = 方反射的形狀。®丨衫本發_光半導體元件 裝110的-實施形態’該光半導體元件搭載用封裝， 備：樹脂成形體103、導線電極105、作為光半導 ^ 載區域的凹部200以及Ni/Ag電鍵1〇4。 干拾 (封裝的製造方法） 本發明的光半導體元件搭載用封裝的製造方法並 別限定，但較好的是藉由傳送成形而藉由使埶固性光 用樹脂組合物與導線電極一體化而構成。藉由傳送成米射 成形，從而難以於導線電極與樹脂成形體之間產生間卩< 而 更具體而言’可藉由如下方法而製造：例如，將導極 配置於預定形狀的模具中’自模具的樹脂注入口注入妖: 1339448 24494pif 性光反射用樹脂組合物，較好的θ 具溫度170〜]9〇。〇、成形厣力將該樹脂組合物在模 件下進行硬化，取出模具後，在Mh、60〜120秒的條 (aftercure)溫度下、1〜3小時l2〇°C〜180它的後處理 (光半導體裝置） 、条件進行熱硬化。 本毛月的光半導體裝置的特徵 的光半導體元件搭載用封裝、极都^至少具備：本發明 封裝凹部底面的光半導體元件以及光半導體元件搭載用 半導體元件的透明密封樹脂層。％成於凹部内而覆蓋光 上述光半導體元件（發光元 部内底面露出的負導線電極或正句如配置於在封裝凹 的n極與負導線電極是藉由打線接，半導體元件 成於發古；从，A 咬得。此外，於η極形 能中、ρ電極形成於發光元件下部的元件形 :中^極利祕漿料等黏晶材而黏接於正導線電極 %極與負導線電極則藉由打線接合而連接。如此， 光7^件配置於導線電極上，則可提昇發光元件的放 ，因此較好。此處，發光元件是例如可發出誃色光的 化合物半導體元件，該Μ例如於藍寶^板上 ⑽有匕括11型層、活性層及Ρ型層的氮化物半導體声， ^除^性層及Ρ型層的-部—心型層上形縣 %極’於ρ型層上形成有ρ電極。 ^述透明密封樹脂層可保護發光元件遠離 、。者，在由導線將發光元件電極與導線電極之間連^ 18 1339448 24494pif 的構造中，亦具有保護導線的功能。此外’透明密封樹脂 層中’為使A光元件發出的光能夠南效地射向外部，因此 對於光透過性的要求較高。作為透明密封樹脂層中的透明 密封樹脂的具體材料，可應用環氧樹脂、矽酮樹脂、丙烯 酸樹脂等，進而，為能夠對發光元件發出的光具有特定淚 光片效果等，亦可添加著色染料或著色顏料。 、 圖2表示本發明的光半導體裝置的一實施形態，其 中，於本發明的光半導體元件搭載用封裝1]()之作^光^ 導體元件搭栽區域的凹部200之底部的預定位置上搭載著 光半‘體元件100，§玄光半導體元件1 〇〇與導線電極、〇5 之間是利用接線102或焊錫凸塊107等眾所周知的方法而 電性連接，且該光半導體元件】00由含有眾所周知螢光體 106的透明密封樹脂ιοί而覆蓋。 實施例 以下’利用實施例說明本發明。本發明並不受下述多 個實施例的限制。 實施例1 (導線架） 採用一般的光I虫刻製程（photo-etching process )，於厚 度為0.15 mm的銅框架上形成包含有導線電極的電路後， 對該電路進行電解Ag電鑛，作為導線架。 19 1339448 24494pif [表l] (熱固性光反射用樹脂組合物的組成） 環氧樹脂：三縮水甘油基異三聚氰酸酯 100重量份（環氧的當量為丨00) 硬化劑：六氩苯二甲酸酐 140重量份 硬化促進劑：四正丁基膦二乙基膦酸基二硫代酯 2.4重量份 無機填充劑：炫融二氣化*^夕（平均粒徑20 μιτι) 600重量份 氧化鋁（平均粒徑1 μπι) 890重量份
白色顏料：硼矽酸鈉玻璃氣球形物（balloon)(平均粒徑27 μιη) 185重量份 偶合劑：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷 ^ 19重量份 k氧化"41丨.9,10-一氫-9-氣雜-10-填雜菲（p]10Sphaphenanthrene) -]〇·氣化物 1重量份 、將上述組成材料以混煉溫度30〜40°C、混煉時間1 〇 分知的條件進行滾筒混煉，製作熱固性光反射用樹脂組合 物所獲得的樹脂組合物的螺旋流動為140 cm (硬化時間 ) ’圓板流動為85 mm (硬化時間9〇秒）。此外，所 獲仔的樹脂組合物硬化物的光反射率大於等於9〇%。再 者，。邊光反射率是指，將上述樹脂組合物以成形模具溫度 18〇c、成形壓力6 9 MPa、硬化時間9〇秒的條件傳送成 形後’於15(TC下進行2小時的熱處理，藉此製成厚度為 功的。式片，對此使用75〇型積分球型分光光度計 (曰本分光股份有限公司製造），在波長35〇〜85〇 nm的 條件下所測定的值。 (光半導體元件搭載用封裝的成形） 20 丄幷仔ο 24494pif 且將得的導線架安裝於模具中的相應的位置上， 中，在模:=Γί。光反射用樹脂組合物注入模具 傳送成形；=二，的條件下進行 露出正負導蜱雷炻或具有凹部且於該凹部底面 路Ά線電_光半㈣搭_ (光半導體裝置的製造） 利用黏晶材將LED S件固定於 =裝凹部底面的導線電極上，二下SC 日τγ，藉此，將LED元件點菩於# l 哪元件與端子電性連^而子上。此後’利用金線將 繼而4皆由4注（p0tting)而將具有以下組成的透明 密封樹脂液入上述凹部以覆蓋LED元件，於15(TC下加熱 2小時使樹脂硬化’從而製成光半導體裝置（SMD型Lm )。 [表2] (透明密封樹脂的組成） '氮化雙盼A型％氡樹脂（商品名DENac〇LEX252，NAGASECHEMTEX公 ㈣⑻… 90重量份 脂環式環氧樹脂（商品名CEL—2021P，DAICEL化學公司製造） 10重量份 •4-甲基六氫鄰笨二曱酸酐（商品名ΗΝ·55〇〇Ε，曰立化成工業股份有限公司 90重量份 0.4重量份 製造） 0.9重量份 •2,6二第三丁基-4-甲基笨酚ΒΗΤ ‘2-乙基-4-曱基咪唑 21 1339448 24494pif 實施例2 [表3] (熱固性光反射用樹脂組合物的組成） 環氧接m ·‘三縮水甘祕異三聚丨⑻重量 硬化劑：六氫笨二甲μ 125重量份 £為100) 硬化促進劑：四正丁基膦·。，。_二乙_酸基二硫代酿 2.4重量份 無機填充劑：熔融二氡化矽（平均粒徑2〇μηι) ^ 720重量份
氧化紹（平均粒徑】μπ〇 640重量份 白色顏料：二氧化矽氣球形物（平均粒徑3 μη〇 435重量份 偶合劑：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氣基矽烷 ^ 9重量份 k孔化劑：9，1〇-二氫斗氡雜·1〇磷雜菲_l〇-氧化物 1重量份 立將上述組成的材料以混煉溫度30〜40。〇混煉時間10 么在里的條件進行滾筒混煉，製作熱固性光反射用樹脂組合 >物所獲知的樹脂組合㈣螺旋流動為⑽⑽（硬化時間 9〇^ ) ’圓板流動為55 mm (硬化時間90秒）。此外，所 •獲㈣職組合物硬化物的光反射率大於等於 90% (350 〜850 nm)。 、使用上述獲得的熱固性光反射用樹脂組合物， 例I同樣的方式製作光半導體用及 導體裝置。 由以上方式製成的各實施例的光半導體裝置中，導線 與封政的界面點接力良好，確認該界面上沒有間隙。此外， 22 1339448 24494pif 於85°C、85%RH中放置24小時後，確認樹脂成形體與透 明密封樹脂或導線電極的界面有無剝離，確認沒有剝離， 且幾乎亦無水分混入。因此，可以說，各實施例的光半導 體裝置是耐流動性或耐遷移性等可靠性優良的光半導體裝 置。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的光半導體元件搭載用封裝的一實 施形態的立體圖與剖面圖。 圖2是表示本發明的光半導體裝置的一實施形態的剖 面圖。 圖3是表示一般的SMD型LED (光半導體裝置）的 剖面圖。 圖4是表示本發明的光半導體元件搭載用封裝的導線 電極端部的較佳構造的剖面圖。 【主要元件符號說明】 100 、 400 : 光半導體元件 101 、 402 : 透明密封樹脂 102 、 401 : 接線 103 、 403 : 樹脂成形體 104 : Ni/Ag 電鍍 105 、 104 : 導線電極 106 ' 405 ： 螢光體 107 :焊錫凸塊 110 :光半導體元件搭載用封裝 23 1339448 24494pif 200 :凹部 406 :黏晶材

Claims (1)

1339448 24494ρίΠ 爲第％119083號中文專利範圍無劃線修正本 修正日期:99年12月15曰 十、申請專利範圍： 1.一種光半導體元件搭载用封努’ 元件搭載(1域的凹部，其龍在於^、有料光半導體 藉由使樹脂成形體與至少一谢 化而構成， 負的導線電極一體 其中上述樹脂成形體由熱固性 成且至少形成上述凹部側面， 射騎脂組合物構 > 上述至少-對正及負的導線電極 述凹部底面的一部分， 了门配置以形成上 上述樹脂成频與上料_ 上述熱固性光反射用樹脂組合:二:，隙， 氧樹脂、⑻硬化劑、(c)硬化促=包含⑷環 劑、⑻無機中空粒子、⑺偶 1、⑻無機填充 熱硬化後於350 nm〜_ nm的ϋ 且合物於 S〇%且可在常溫（〇〜35。〇下加麼成形先反射率大於等於 封裝2 f所述之光半導體元件搭載用 至少一對正 ^料猎由使上述_旨成形體與上述 訂及負的導線電極-體化而構成。 件二第2項所述之光半導懸元 填充料。 ^上述熱固性光反射用樹腊組合物含有 件搭載用封裝專1:或第2項所述之光半導體元 石夕、氧化銘、氧化ϋ述⑼無機填充劍是選自二氧化 、氧化錄、氫氧化鋁、氫氧化鎮、硫 25 24494ρίΩ 修正日期:99年12月丨5日 禺第96119083號中文專利範圍無劃線修疋本 酸鋇5、=礙酸鋇組成的族群中至少-種。 申專利乾圍第]β + # 件搭制封裝，盆中上述2項所述之光半導體元 在0.1〜5〇帅範圍内。（E)無機中空粒子的平均粒徑 件搭載用第1項或第2項所述之光半導體元 機中空粒子的合料無機填細與上述⑻無 組合物為％ _%〜85體積;^上述_性歧射用樹脂 件搭載專，圍第1項或第2項所述之光半導體元 旋^動大^，、中上述熱固性光反射㈣脂組合物的螺 旋抓動大於等於5G咖則、於等於3〇〇cm。 件搭範圍第1項或第2項所述之光半導體元 板上賴·光反㈣聽組合物的圓 板/瓜動大於荨於50 mm。 ▲ 9.如申請專利制第1項或第2項所述之光半導體元 η载Γ封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物的線 恥脹係數為1〇〜3〇 ppm/t。 、 10.一種光半導體裝置，其特徵在於包括如申請 圍第、1項麵2項所述之光半導體元件搭制封裝、搭載 於上述封裴中的上述凹部底面的光半導體元件以及覆蓋上 述凹σ卩内的上述光半導體元件的透明密封樹脂層。 26
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