TWI339448B - Package for carrying optical semiconductor element and optical semiconductor device using thereof - Google Patents

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TWI339448B
TWI339448B TW096119083A TW96119083A TWI339448B TW I339448 B TWI339448 B TW I339448B TW 096119083 A TW096119083 A TW 096119083A TW 96119083 A TW96119083 A TW 96119083A TW I339448 B TWI339448 B TW I339448B
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resin
semiconductor element
package
light
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Naoyuki Urasaki
Kanako Yuasa
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Description

24494pif 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於―接 裝的光半導㈣光半導體元件搭制封裝及使用此封 合有光半^w 1光半導體元件搭載⑽裝於製造組 置方面較為有用體等波長轉換機構的光半導體裝 【先前技術】 為了使光半導體裝置實現小型及薄型化，取 的矣ΐ光半導體裝置’而較多使用具有如圖3所示構造 、面安裝（SMD(Surfacemounteddevice))型光半導體 ^置（發光裝置）。該表面安裝型光半導體農置通常是藉由 士下方法而製造的：藉由使樹脂成形體403與正負導線電 極404 -體化而構成的光半導體元件搭載用封裝的凹部底 面，經由黏晶（die bond)材400而搭載著光半導體元件（發 光一極體（LED，light-emitting diode)等）400，由接線 401電性連接該光半導體元件400與導線電極4〇4後，向 凹T填充包含螢光體405的透明密封樹脂4〇2，並密封光 半導體元件400，其中該樹脂成形體403具有作為光半導 體元件搭載用區域的凹部。此外，上述光半導體元件搭載 用封裝通常是藉由如下方法而製造的：利用成形模具夾持 導線電極，向關閉的模具内注入熔融的熱可塑性樹脂組合 物後，回到室溫下使該樹脂組合物硬化，從而藉由使上述 導線電極與樹脂組合物一體化而構成。於日本專利早期公 開第2002 — 280616號公報、曰本專利早期公開第2〇〇4 — 24494pif 200^342782 c/揭不有一種使用光半導體元件搭載用44壯二i ^型led裝置，該光半導體元件搭載 4凹部的樹脂成形體與正負導線電極—體化==由使 近年來，光半導體裝置之應用 數情況下其使用條件也變得嚴：，：需二有多 可靠性。然而，製作上述樹脂成形體;==高的 性樹脂組合物的線膨脹率（20〜 /π、 ”、、可塑 ，電極而使用的銅的線膨脹率。 虽藉由使樹脂組合物與導線電 而 大應力，結果，導致樹脂成構成時會產生較 低，從而導致樹脂組合物電極間的接著性降 右的間隙。此外，若二線電極之間產生幾十微米左 ϋ θ] σ」罪性。 … 此::出板入樹脂組合物而製作樹脂球形體 今辦开彡^偏蔣日、會由於樹脂的射出壓力而使模具 移^時1模具的合模邊產生間隙， 導致方、.二广格載用封裝側面產生樹脂毛邊 pamnghne ’刀I線）。該樹 低，則由於導線電極外“導::;【線電極間的接著性較 半導體裝置的可靠性。間產生間隙’從而降低了光 時應用n 產生稍許變形或偏移，此日； 導致於光半導體元件搭#田+ V . Γ p，八幻戰用封裝側面產生樹脂毛邊 (partinghne’刀軎'J線）。該植+肸 驟中成為障礙，由於使光半f =邊於成形（f_mg)步 L ^ L T卜〇p導線進行高精度加工。此 外，此時於^^方向上對導竦咖； 电極與樹脂成形體的界面施 1339448 24494pif 加應力，自於橫方向延伸的毛邊前端部分於上述界面產生 間隙。進而，亦有樹脂毛邊剝離的危險，該樹脂毛邊的剝 離成為封裝龜裂的重要原因，水分或雜質會自該龜裂侵 入，導致光半導體裝置的可靠性顯著降低。此外，剝離毛 邊很嚴重時，產生空壁導致外觀不良。 此外，近年來，開發出於紫外區域等中具有發光峰值 波長的光半導體元件，對該元件而言亦期待能夠應用於 SMD型LED，由於紫外區域附近的光的能量較高，故而 存在如下問題：容易導致樹脂成形體的凹部内周面（反射 板’ reflector)劣化’進而，隨著該内周面劣化亦會導致可 見光的反射率降低。 【發明内容】 本發明是雲於上述問題開發而研製成的，其目的在於 提供一種樹脂成形體與導線電極的接著性良好且可靠性優 良的光半導體元件搭載用封裝及使用此封裴的光半導體裝 置。 此外，本發明的其他目的在於提供一種硬化後可見光 至近紫外光的反射率較鬲、具有耐光及耐熱劣化性優良的 凹部（反射板）的光半導體元件搭載用封裝及使用此封裝 的光半導體裝置。 即，本發明的特徵在於下述（1)〜（12)事項。 (1)-種光半導體元件搭仙封裝，具有作為光半導 體元件搭載區域的凹部，其特徵在於：藉由使樹脂成形體 與至少-對正及負的導線電極—體化而構成，其中該樹脂 8 2449^P^ 成—熱 四部側面’上犯至y 述樹脂成形
形成上述凹部底面的，广 Q 線€極=合面無述之光半導體元件搭載用封裝， (2 ^ $由使上述樹脂成形體與上述至少一 其中藉由傳送成形而雜=而耩成。 對立及⑺#之光半導體元件搭載用 # 二光反射用樹腊組合物"含有填充料。 対我⑷如上述⑴A(2)所述之光半導體元件搭載用 Μ，对上述熱固性光反射用樹脂組合物之成分中包括 3)環氧樹脂、（Β)硬化劑、（Ci硬化促進劑、⑼無 “充劍、（E)白色顏料、（F) 且該樹脂組合物 ^軌硬化後於350 _』〇〇_的波長中光反射率大於等 於80%且在常溫（0〜35°C )下能夠加壓成形。 m (5)如上述（4)所述之光半導體元件搭載用封裝， 其中上述（D)無機填充劑是選自二氧化矽、氧化鋁、氣 !組成的族群中的直少一種。 (6)如上逑（4)所述之光半導體 丹 T 卜 π 广 η、 . u , ^錢、氧化錄、氫氧化|g、氫氧化鎂、硫酸鋇、碳酸鎂 呶酸鋇，· 、 如上逑（4)所述之光半導體元件搭載用封裝， 上述（Ε)白色顏料為無機中空粒子。 其 ，色顏料的不均极徑在0,1 (8)如上述（4)所述之光半導體 50 μπι範圍内 元件搭載用封裝 (4) — U半導體元件搭載用封裝， 二)白色顏料的不均极徑在0.1〜50 _ 9 1339448 24494pif 其中上述（D)然機填充劑與上述（e )白色顏料的合計量 相對於上述熱固性光反射用樹脂組合物全體為體積％ 〜85體積％。 且、 (9) 如上述（1 )或（2)所述之光半導體元件搭載用 封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物的螺旋流動 (spiia] flow )大於寺於5〇 cm且小於等於。 (10) 如上述（1)或（2)所述之光半導體元件搭載
用封裝，其巾上述熱g]性光反㈣触組合物的圓板流動 大於等於5 0 mm。 (1.1)如上述（1)或（2)所述之光半導體元件搭載 用封衣纟中上述熱固性光反射用樹脂組合物的線膨服係 數為10〜30卩卩111/。〇。 (12) —種光半導體裝置，其特徵在於含有：上述（ι) 或（2)所述之光半導體元件搭載用封裝、搭載於上述封裝 中上述凹部底面的光半導體元件以及覆蓋上述凹部内的上 述光半導體元件的透明密封樹脂層。
»根據本Θ ’可提供—種樹脂成形體與導線電極間的 接著f生良好可#性優良的光半導體元件搭載㈣裝及使用 此封裝的光半導體裝置，進而亦可提供—種硬化後自可見 光至近紫外光的反射率較高、具有耐光及耐熱劣化性優良 的光半導體元件搭裁用封裝及使用此封裳的光半導 1339448 24494pif 倍的放大率觀察樹脂成形體與導線電 該界面上未觀察關_狀態。如目接的界叫，於 此外’本^案根據㈣請人切申請的日本專利申 請第.2006 - 154652喊（申請日2〇〇6年6月2且 其優先權，^中轉照㈣式制其中 、 【實施方式】 元件=::==封Ϊ具有作為光半導體 至"正及_電極 ==== 凹部底面的一部分，且上=電極呈對向配置以形成上述 接合面無間隙。再者，形體與上述導線電極的 負導線電極的—端互相;里=是，正導線電極的-端與 露出而形成凹部;^ 以使各個正面（主面） 離。此外，Ιϋ _ ]错由成形樹脂而使導線電極之間分 —端與樹脂成形體極的另—端與負導線電極的另 體側面突出 /體化而構成後，立即設為自樹脂成形 3所示，向封裝部導線部較理想的是’例如圖 (彎管）切 成七體接合面的内側彎*，成為J —Bend 的構造並不僅子部。當然’本發明中連接端子部 型i其他^亦可_翼 製造方m發明的光半導體元件搭載用封褒各結構、 吏用該封裝的光半導體裝置進行詳述。 24494pif (導線電極） 如，麵鋼等高熱傳導體而構成，例 屬板不Α為 _的銅合金屬所構成的長金 防止導：1 壓而是進行穿孔加工而形成。此外，為 防止導e電極⑽等，可於導線電紅面•銀、紹、金、 纪或該等合金等金屬。此外，為提昇發光元件的光率， 是使導線電極正面平滑。此外，較好的是盡可能擴 大¥線電極的面積，@此，可提高放熱性，有 ;的：光元件的溫度上升’進而，可對發光元; 多的電力，可提昇光輸出。 k 1
此外，於本發明中，至少有一對導線電 以形成封裝凹部底面的一部分，較好的 J J 極端部背面與側面相交的角帶有曲線（參照圖 者，導線電極的背面是指於封I凹部底面再 的反面）。如此，若沿成形樹脂注入的方向而於暮（主面山) 部設置圓形’則成形樹脂的流動會平滑，〜t泉電極端 電極間無間隙地填充成形樹脂二可 間分離’此外，可強化導線電極與成形樹月旨體二t極 進而，由於樹脂成形體與導線電 虹的饴者性。 π避免應力集中於接合線上，=極可的^合線帶有曲線，故 另-方面，對向的導線電杨制封裝龜裂的產生。 較好的是突起為銳角（參照圖4的R主面與侧面交又的角 止成形樹脂自導線電極間向導線電極2)。因此，可有效阻 防土發光元件的黏晶（die b〇ndJ^主面上流出，從而可 g不良或打線接合(wife 1339448 24494pif* bonding)不良。此外，可提昇導哼 著性，抑制導線電極與成形樹脂在界面j形樹月旨間的密 (樹脂成形體） 上剝離。 月身組合 月旨組 本發明的封裝中的樹脂成形體較好 反射用樹脂组合物成形。此外，熱固/是，由熱固性光 物中較好的是含有填充料。進而’、，、、 ，反射用樹脂 合物的成分中，較好的是包含光反射用樹 劑、（C)硬化促進劑、（D) 二虱樹脂、（B) ⑺，偶合劑。 味充劑、（E)白色 關於上述⑷環氧樹脂， 氧樹脂成形材料中-般使用的材料，=零件密封用環 (ph⑽1 _〇㈣型環氧樹脂、鄰甲^ 有以紛酸 的將苯酚類與醛類的酚醛樹沪户& 丄衣虱树脂為代表 西分A、雙齡F、雙紛S、化後所得的樹脂；由雙 _環氧樹脂；二胺二笨笨齡等的二縮水甘油 矣tr萨“.M u」. 、異三聚氰酸等的聚胺與 氧桝r . Γ:⑽y Πη)反應後而獲得的縮水甘油胺型環 乳乙酸等過酸將馳鍵氧化而獲得的線狀脂 =衣减月曰’以及脂環族環氧樹脂等，可適當以任何方 :併^上述夕個祕月曰。此外，上述多個樹脂中較好的是比 較不容易著色的樹脂’例如可列舉雙紛Α型環氧樹脂、雙 盼F型環氧樹脂、雙紛s型環氧樹脂、三縮水甘油基異三 聚氰酸酯。 卜作為上述（B)硬化劑，若可與環氧樹脂發生反應則 热特別限制，但較好的是比較不容易著色的硬化劑。例如， 24494pif 可列舉酸酐系硬化劑、苯盼系硬化劑等。作為酸酐系硬化 劑，例如可列舉苯二甲酸酐、順丁烯二酸酐、偏笨三酸酐 (trimellitic anhydride)、均笨四甲酸酐、六氫苯二甲酸軒 四氫笨二曱酸酐、曱基耐地酸酐、耐地酸酐、戊二酸針、 曱基六氫苯二曱酸酐、甲基四氫苯二曱酸酐等。上述多個 酸酐系硬化劑中，較好的是笨二甲酸酐、六氫苯二甲酸酐、 四氫笨一甲酸酐、甲基六氫苯二曱酸酐。酸酐系硬化劑的 分子量較好的是140〜200左右，此外，較好的是無色或淡 黃色酸Sf。上述多個硬化劑可單賊用，亦可㈣兩種或 兩種以上。環氧樹脂與硬化劑的添加比例較好的是，相對 於環氧樹脂中1當量的環氧基而言，可與硬化劑中環氧基 反應的活性基（酸酐基或羥基）為〇.5〜15當量，進而^ 0/^1.2當量。當活性基的當量不足〇5時，有時會延遲 環氧樹肋合物的魏速度，並且會降低顺得的硬化灿 的玻璃轉移溫度，另-方面，t超過15當量時 月: 降低耐濕性。 1τ" 作為上述（C)硬化促進劑（硬化觸媒），並無特 定，例如可列舉1，8_二氮雜_雙環（5,4,0)十一烯々、三^ 二胺、三-2,4,6-二曱胺基曱基笨酚等三級胺類，2_乙^ 曱基咪。坐、2H心坐等味。錢’三笨基膦、 笨基硼酸鹽、四正丁其賊 ^ 0ί|ί 土&四 丨了杨·。,Q·-乙基叫基二 化^物，四級銨鹽、有機金屬鹽類及上述多個物質的衍生 物等。上述多個硬化促進劑可單獨使用或者也可併用。丁 述多個硬化促進劑（硬化觸媒）t，較好的是三級胺類、 1339448 24494pif 咪唑類、磷化合物。上述硬化促進劑的含量較奸的 ，氧樹脂1GG重量份而言，為G.01〜8.G重量份，更好的 是0」〜3.0重量份。若硬化促進劑（硬化觸媒）的含量不 足〇.〇1重1份，則有時無法獲得充分的促進硬化的致 此=，右超過8.0重量份，則有時會在所獲得的硬化 觀察到變色。 〃作為上述（D)無機填充材，y使用選自二 氧化紹、氧化_、氧轉、氫氧化㉟、氫氧 破酸鎮、瑞酸領組成的鱗中的 =、 :反：、成形性、難燃性方面考慮，較好的以化 充材的平均粒此外’無機填 〕十勺拉&亚無特別限定 具 範= 的: 平均粒徑在0.】〜50 Mm 色顏料的粒徑較好的是 時粒子易於凝集而使得分;差右粒=不足〇 ·】μ m則有 分獲得反射特性。 又差，右超過50 μπι則可充 上述（£ )白色顏料與 (填充料的填充量）’相野於真充材的合計填充量 體而言，較好的是7〇體積0;'，，'〇性光反射用樹脂組合物全 個填充料的填充量不足體積°/。範圍内。若上述; 分，若超過85體積％，則成=則有光反射特性不充 艾差而存在難以製作基板 1339448 24494pif 的傾向。
作，上述⑺偶合劑，可列舉魏系偶合劑或欽酸 夕曰。禹〜j等’作為石夕坑偶合劑，一般以任意附著量而較 二使用環氧矽烷系、胺基矽烷系、陽離子型（cationic)矽 =乙稀基魏系、丙稀财H縣奶完系及上述 夕固^兀系的複合系等。偶合劑的種類或處理條件並無特 別限疋’但偶合劑的添加量較好的是，於油性光反射用 Μ脂組合物中小於等於5重量％。 /、他-上述熱固性光反射用樹脂組合物中，根據需要 可添加抗氧化劑、脫模劑、離子補充劑等。 含有以上成分的熱固性光反射用樹脂組合物較好的 是，於熱硬化前室溫（0〜饥）下可進行加壓成形，且較 好的疋熱硬化後於350 nm〜800 nm的波長中光反射率大 於等於80%。上述加壓成形例如可於室溫下、〇 5〜2
1〜5秒左右的條件下進行。此外’若上述光反射率不足 80/。，則存在热法充分有助於提昇光半導體裝置亮度的傾 向。更好的是，光反射率大於等於9〇〇/0。 此外，^述熱固性光反射用樹脂組合物的螺旋流動較 好的是大於等於50 cm且小於等於300 cm，更好的是大於 等於50 cm且小於等於200 cm，尤其好的是大於等於l〇cm 且小於等於15 0 c m。若螺旋流動不足5 〇 c m則材料填充性 會惡化，導致製品易於出現未填充的部分。另—方面，若 螺旋流動超過300 cm，則有易於出現空隙、降低彎曲強1 的傾向。此外，圓板流動較好的是大於等於5〇m=，更二 16 24494pif 的是大於等於8〇 _。若圓板流 間易於出現未填充或空隙。再去5〇咖，則導線架 狀槽的模具（模具溫度冒 ?、旋流動是對具有㈣ 力6.9 MPa)，直至該樹脂組合物^^旨組合物（注入歷 長度的測定值，圓板流動是於 :^填充的旋渦的 180〇C，模具重量8 kg)之間配置、’板核具（模具溫度 u* a ^ ^ 置5 g樹脂組合物，測宏由 杈/、自重而使樹脂組合物潤濕並 ' 進而，上述熱固性光反射徑的值。 較好的…一此時，:;; = = = 此外，樹脂成形體的形狀如上所述，若且 導體元件搭載區域的凹部，則無特別限定，凹部側辟= 射板）較理想的是具有㈣將料導體元件發出的^ = 方反射的形狀。®丨衫本發_光半導體元件 裝110的-實施形態’該光半導體元件搭載用封裝， 備：樹脂成形體103、導線電極105、作為光半導 ^ 載區域的凹部200以及Ni/Ag電鍵1〇4。 干拾 (封裝的製造方法） 本發明的光半導體元件搭載用封裝的製造方法並 別限定，但較好的是藉由傳送成形而藉由使埶固性光 用樹脂組合物與導線電極一體化而構成。藉由傳送成米射 成形，從而難以於導線電極與樹脂成形體之間產生間卩< 而 更具體而言’可藉由如下方法而製造：例如，將導極 配置於預定形狀的模具中’自模具的樹脂注入口注入妖: 1339448 24494pif 性光反射用樹脂組合物，較好的θ 具溫度170〜]9〇。〇、成形厣力將該樹脂組合物在模 件下進行硬化，取出模具後，在Mh、60〜120秒的條 (aftercure)溫度下、1〜3小時l2〇°C〜180它的後處理 (光半導體裝置） 、条件進行熱硬化。 本毛月的光半導體裝置的特徵 的光半導體元件搭載用封裝、极都^至少具備：本發明 封裝凹部底面的光半導體元件以及光半導體元件搭載用 半導體元件的透明密封樹脂層。％成於凹部内而覆蓋光 上述光半導體元件（發光元 部内底面露出的負導線電極或正句如配置於在封裝凹 的n極與負導線電極是藉由打線接，半導體元件 成於發古；从，A 咬得。此外，於η極形 能中、ρ電極形成於發光元件下部的元件形 :中^極利祕漿料等黏晶材而黏接於正導線電極 %極與負導線電極則藉由打線接合而連接。如此， 光7^件配置於導線電極上，則可提昇發光元件的放 ，因此較好。此處，發光元件是例如可發出誃色光的 化合物半導體元件，該Μ例如於藍寶^板上 ⑽有匕括11型層、活性層及Ρ型層的氮化物半導體声， ^除^性層及Ρ型層的-部—心型層上形縣 %極’於ρ型層上形成有ρ電極。 ^述透明密封樹脂層可保護發光元件遠離 、。者，在由導線將發光元件電極與導線電極之間連^ 18 1339448 24494pif 的構造中，亦具有保護導線的功能。此外’透明密封樹脂 層中’為使A光元件發出的光能夠南效地射向外部，因此 對於光透過性的要求較高。作為透明密封樹脂層中的透明 密封樹脂的具體材料，可應用環氧樹脂、矽酮樹脂、丙烯 酸樹脂等，進而，為能夠對發光元件發出的光具有特定淚 光片效果等，亦可添加著色染料或著色顏料。 、 圖2表示本發明的光半導體裝置的一實施形態，其 中，於本發明的光半導體元件搭載用封裝1]()之作^光^ 導體元件搭栽區域的凹部200之底部的預定位置上搭載著 光半‘體元件100，§玄光半導體元件1 〇〇與導線電極、〇5 之間是利用接線102或焊錫凸塊107等眾所周知的方法而 電性連接，且該光半導體元件】00由含有眾所周知螢光體 106的透明密封樹脂ιοί而覆蓋。 實施例 以下’利用實施例說明本發明。本發明並不受下述多 個實施例的限制。 實施例1 (導線架） 採用一般的光I虫刻製程（photo-etching process )，於厚 度為0.15 mm的銅框架上形成包含有導線電極的電路後， 對該電路進行電解Ag電鑛，作為導線架。 19 1339448 24494pif [表l] (熱固性光反射用樹脂組合物的組成） 環氧樹脂：三縮水甘油基異三聚氰酸酯 100重量份（環氧的當量為丨00) 硬化劑：六氩苯二甲酸酐 140重量份 硬化促進劑：四正丁基膦二乙基膦酸基二硫代酯 2.4重量份 無機填充劑：炫融二氣化*^夕（平均粒徑20 μιτι) 600重量份 氧化鋁（平均粒徑1 μπι) 890重量份
白色顏料：硼矽酸鈉玻璃氣球形物（balloon)(平均粒徑27 μιη) 185重量份 偶合劑：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷 ^ 19重量份 k氧化"41丨.9,10-一氫-9-氣雜-10-填雜菲（p]10Sphaphenanthrene) -]〇·氣化物 1重量份 、將上述組成材料以混煉溫度30〜40°C、混煉時間1 〇 分知的條件進行滾筒混煉，製作熱固性光反射用樹脂組合 物所獲得的樹脂組合物的螺旋流動為140 cm (硬化時間 ) ’圓板流動為85 mm (硬化時間9〇秒）。此外，所 獲仔的樹脂組合物硬化物的光反射率大於等於9〇%。再 者，。邊光反射率是指，將上述樹脂組合物以成形模具溫度 18〇c、成形壓力6 9 MPa、硬化時間9〇秒的條件傳送成 形後’於15(TC下進行2小時的熱處理，藉此製成厚度為 功的。式片，對此使用75〇型積分球型分光光度計 (曰本分光股份有限公司製造），在波長35〇〜85〇 nm的 條件下所測定的值。 (光半導體元件搭載用封裝的成形） 20 丄幷仔ο 24494pif 且將得的導線架安裝於模具中的相應的位置上， 中，在模:=Γί。光反射用樹脂組合物注入模具 傳送成形；=二，的條件下進行 露出正負導蜱雷炻或具有凹部且於該凹部底面 路Ά線電_光半㈣搭_ (光半導體裝置的製造） 利用黏晶材將LED S件固定於 =裝凹部底面的導線電極上，二下SC 日τγ，藉此，將LED元件點菩於# l 哪元件與端子電性連^而子上。此後’利用金線將 繼而4皆由4注（p0tting)而將具有以下組成的透明 密封樹脂液入上述凹部以覆蓋LED元件，於15(TC下加熱 2小時使樹脂硬化’從而製成光半導體裝置（SMD型Lm )。 [表2] (透明密封樹脂的組成） '氮化雙盼A型％氡樹脂（商品名DENac〇LEX252，NAGASECHEMTEX公 ㈣⑻… 90重量份 脂環式環氧樹脂（商品名CEL—2021P，DAICEL化學公司製造） 10重量份 •4-甲基六氫鄰笨二曱酸酐（商品名ΗΝ·55〇〇Ε，曰立化成工業股份有限公司 90重量份 0.4重量份 製造） 0.9重量份 •2,6二第三丁基-4-甲基笨酚ΒΗΤ ‘2-乙基-4-曱基咪唑 21 1339448 24494pif 實施例2 [表3] (熱固性光反射用樹脂組合物的組成） 環氧接m ·‘三縮水甘祕異三聚丨⑻重量 硬化劑：六氫笨二甲μ 125重量份 £為100) 硬化促進劑：四正丁基膦·。，。_二乙_酸基二硫代酿 2.4重量份 無機填充劑：熔融二氡化矽（平均粒徑2〇μηι) ^ 720重量份
氧化紹（平均粒徑】μπ〇 640重量份 白色顏料：二氧化矽氣球形物（平均粒徑3 μη〇 435重量份 偶合劑：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氣基矽烷 ^ 9重量份 k孔化劑：9，1〇-二氫斗氡雜·1〇磷雜菲_l〇-氧化物 1重量份 立將上述組成的材料以混煉溫度30〜40。〇混煉時間10 么在里的條件進行滾筒混煉，製作熱固性光反射用樹脂組合 >物所獲知的樹脂組合㈣螺旋流動為⑽⑽（硬化時間 9〇^ ) ’圓板流動為55 mm (硬化時間90秒）。此外，所 •獲㈣職組合物硬化物的光反射率大於等於 90% (350 〜850 nm)。 、使用上述獲得的熱固性光反射用樹脂組合物， 例I同樣的方式製作光半導體用及 導體裝置。 由以上方式製成的各實施例的光半導體裝置中，導線 與封政的界面點接力良好，確認該界面上沒有間隙。此外， 22 1339448 24494pif 於85°C、85%RH中放置24小時後，確認樹脂成形體與透 明密封樹脂或導線電極的界面有無剝離，確認沒有剝離， 且幾乎亦無水分混入。因此，可以說，各實施例的光半導 體裝置是耐流動性或耐遷移性等可靠性優良的光半導體裝 置。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的光半導體元件搭載用封裝的一實 施形態的立體圖與剖面圖。 圖2是表示本發明的光半導體裝置的一實施形態的剖 面圖。 圖3是表示一般的SMD型LED (光半導體裝置）的 剖面圖。 圖4是表示本發明的光半導體元件搭載用封裝的導線 電極端部的較佳構造的剖面圖。 【主要元件符號說明】 100 、 400 : 光半導體元件 101 、 402 : 透明密封樹脂 102 、 401 : 接線 103 、 403 : 樹脂成形體 104 : Ni/Ag 電鍍 105 、 104 : 導線電極 106 ' 405 ： 螢光體 107 :焊錫凸塊 110 :光半導體元件搭載用封裝 23 1339448 24494pif 200 :凹部 406 :黏晶材

Claims (1)

1339448 24494ρίΠ 爲第％119083號中文專利範圍無劃線修正本 修正日期:99年12月15曰 十、申請專利範圍： 1.一種光半導體元件搭载用封努’ 元件搭載(1域的凹部，其龍在於^、有料光半導體 藉由使樹脂成形體與至少一谢 化而構成， 負的導線電極一體 其中上述樹脂成形體由熱固性 成且至少形成上述凹部側面， 射騎脂組合物構 > 上述至少-對正及負的導線電極 述凹部底面的一部分， 了门配置以形成上 上述樹脂成频與上料_ 上述熱固性光反射用樹脂組合:二:，隙， 氧樹脂、⑻硬化劑、(c)硬化促=包含⑷環 劑、⑻無機中空粒子、⑺偶 1、⑻無機填充 熱硬化後於350 nm〜_ nm的ϋ 且合物於 S〇%且可在常溫（〇〜35。〇下加麼成形先反射率大於等於 封裝2 f所述之光半導體元件搭載用 至少一對正 ^料猎由使上述_旨成形體與上述 訂及負的導線電極-體化而構成。 件二第2項所述之光半導懸元 填充料。 ^上述熱固性光反射用樹腊組合物含有 件搭載用封裝專1:或第2項所述之光半導體元 石夕、氧化銘、氧化ϋ述⑼無機填充劍是選自二氧化 、氧化錄、氫氧化鋁、氫氧化鎮、硫 25 24494ρίΩ 修正日期:99年12月丨5日 禺第96119083號中文專利範圍無劃線修疋本 酸鋇5、=礙酸鋇組成的族群中至少-種。 申專利乾圍第]β + # 件搭制封裝，盆中上述2項所述之光半導體元 在0.1〜5〇帅範圍内。（E)無機中空粒子的平均粒徑 件搭載用第1項或第2項所述之光半導體元 機中空粒子的合料無機填細與上述⑻無 組合物為％ _%〜85體積;^上述_性歧射用樹脂 件搭載專，圍第1項或第2項所述之光半導體元 旋^動大^，、中上述熱固性光反射㈣脂組合物的螺 旋抓動大於等於5G咖則、於等於3〇〇cm。 件搭範圍第1項或第2項所述之光半導體元 板上賴·光反㈣聽組合物的圓 板/瓜動大於荨於50 mm。 ▲ 9.如申請專利制第1項或第2項所述之光半導體元 η载Γ封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物的線 恥脹係數為1〇〜3〇 ppm/t。 、 10.一種光半導體裝置，其特徵在於包括如申請 圍第、1項麵2項所述之光半導體元件搭制封裝、搭載 於上述封裴中的上述凹部底面的光半導體元件以及覆蓋上 述凹σ卩内的上述光半導體元件的透明密封樹脂層。 26
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JP (2) JP4968258B2 (zh)
KR (5) KR20090013230A (zh)
CN (3) CN102290517A (zh)
MY (1) MY152165A (zh)
TW (4) TWI648877B (zh)
WO (1) WO2007142018A1 (zh)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090013230A (ko) * 2006-06-02 2009-02-04 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 광반도체소자 탑재용 패키지 및 이것을 이용한 광반도체장치
JP2008258530A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
KR101365621B1 (ko) 2007-09-04 2014-02-24 서울반도체 주식회사 열 방출 슬러그들을 갖는 발광 다이오드 패키지
JP5540487B2 (ja) * 2007-09-25 2014-07-02 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
TWI523883B (zh) 2007-09-25 2016-03-01 日立化成股份有限公司 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用該組成物的光半導體元件搭載用基板及其製造方法以及光半導體裝置
JP5572936B2 (ja) * 2007-11-26 2014-08-20 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
KR20150140868A (ko) * 2008-01-09 2015-12-16 히타치가세이가부시끼가이샤 열경화성 수지 조성물, 에폭시 수지 성형 재료 및 다가 카르복시산 축합체
US8637593B2 (en) 2008-01-09 2014-01-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material, and polyvalent carboxylic acid condensate
JP4586925B2 (ja) * 2008-01-09 2010-11-24 日立化成工業株式会社 熱硬化性樹脂組成物、エポキシ樹脂成形材料、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP5401905B2 (ja) * 2008-04-25 2014-01-29 日立化成株式会社 熱硬化性樹脂組成物
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP6007891B2 (ja) * 2008-09-09 2016-10-19 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP5220526B2 (ja) * 2008-09-11 2013-06-26 昭和電工株式会社 発光装置、発光モジュール、表示装置
US8378369B2 (en) 2008-09-09 2013-02-19 Showa Denko K.K. Light emitting unit, light emitting module, and display device
JP5440010B2 (ja) * 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP5220522B2 (ja) * 2008-09-09 2013-06-26 昭和電工株式会社 発光装置、発光モジュール
JP5220527B2 (ja) * 2008-09-11 2013-06-26 昭和電工株式会社 発光装置、発光モジュール
JP5429177B2 (ja) * 2008-09-30 2014-02-26 日立化成株式会社 コート剤、これを用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
JP2010199166A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Panasonic Corp 光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置用リードフレームの製造方法
US8884422B2 (en) * 2009-12-31 2014-11-11 Stmicroelectronics Pte Ltd. Flip-chip fan-out wafer level package for package-on-package applications, and method of manufacture
US20110156240A1 (en) * 2009-12-31 2011-06-30 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. Reliable large die fan-out wafer level package and method of manufacture
WO2011091394A1 (en) * 2010-01-25 2011-07-28 Vishay Sprague, Inc. Metal based electronic component package and the method of manufacturing the same
WO2011125753A1 (ja) * 2010-04-02 2011-10-13 株式会社カネカ 硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物タブレット、成形体、半導体のパッケージ、半導体部品及び発光ダイオード
WO2011129615A2 (ko) * 2010-04-13 2011-10-20 Park Jae-Soon 발광 모듈 및 발광 모듈의 제조 방법
KR20110115846A (ko) * 2010-04-16 2011-10-24 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법
JP2012028744A (ja) * 2010-06-22 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置
JP2012079723A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2012077235A (ja) * 2010-10-05 2012-04-19 Nitto Denko Corp 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
JP5602578B2 (ja) * 2010-10-19 2014-10-08 株式会社神戸製鋼所 Ｌｅｄ用リードフレーム
WO2012067158A1 (ja) * 2010-11-18 2012-05-24 日立化成工業株式会社 半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP5885922B2 (ja) * 2010-12-28 2016-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN103562290A (zh) * 2011-05-18 2014-02-05 纳沛斯新素材 热固型光反射用树脂组合物及其制备方法、利用其制备的光半导体元件搭载用反射板以及包括其的光半导体装置
WO2012169147A1 (ja) * 2011-06-07 2012-12-13 パナソニック株式会社 光半導体パッケージおよびその製造方法
US9013037B2 (en) * 2011-09-14 2015-04-21 Stmicroelectronics Pte Ltd. Semiconductor package with improved pillar bump process and structure
US8916481B2 (en) 2011-11-02 2014-12-23 Stmicroelectronics Pte Ltd. Embedded wafer level package for 3D and package-on-package applications, and method of manufacture
JP6034175B2 (ja) * 2012-01-10 2016-11-30 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP5751260B2 (ja) * 2012-01-17 2015-07-22 大日本印刷株式会社 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法
JP2013239540A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法
JP6303344B2 (ja) 2013-09-05 2018-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN103641998B (zh) * 2013-12-24 2016-05-04 江苏华海诚科新材料股份有限公司 Led反射杯用的白色环氧树脂组合物
CN105874620B (zh) * 2014-01-08 2019-03-29 亮锐控股有限公司 用作完整led封装的深模制反射器杯体
JP6260593B2 (ja) * 2015-08-07 2018-01-17 日亜化学工業株式会社 リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法
TWI618615B (zh) * 2015-08-12 2018-03-21 Zhao Chang Wen Method for forming thermosetting resin package sheet
JP6237826B2 (ja) * 2015-09-30 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 パッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法
JP2017046014A (ja) * 2016-12-01 2017-03-02 日亜化学工業株式会社 光半導体装置
CN107623063B (zh) * 2017-09-29 2020-05-05 开发晶照明（厦门）有限公司 封装支架和封装支架制备方法
CN109712967B (zh) 2017-10-25 2020-09-29 隆达电子股份有限公司 一种发光二极管装置及其制造方法
US11396986B2 (en) 2019-05-23 2022-07-26 Valeo North America, Inc. Apparatus and method for masking residual visible light from an infrared emission source
CN114843253A (zh) * 2021-02-02 2022-08-02 光宝科技股份有限公司 发光装置

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS468294Y1 (zh) 1967-09-28 1971-03-24
US4132563A (en) * 1976-08-06 1979-01-02 Marion Darrah Intraleucospheruloid/organic color pigment compositions and processes for producing same
JPS60123047A (ja) 1983-12-07 1985-07-01 Toshiba Corp 半導体装置
JP2708191B2 (ja) * 1988-09-20 1998-02-04 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH02129953A (ja) 1988-11-09 1990-05-18 Seiko Epson Corp 半導体材料
JPH0425059A (ja) 1990-05-16 1992-01-28 Nec Kyushu Ltd 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
ATE186795T1 (de) * 1990-07-21 1999-12-15 Mitsui Chemicals Inc Halbleiteranordnung mit einer packung
JPH0889789A (ja) 1994-09-21 1996-04-09 Dainippon Ink & Chem Inc 中空粒子の製造方法
JPH0963329A (ja) 1995-08-30 1997-03-07 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 液晶バックライト用反射シート
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2002223001A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Nichia Chem Ind Ltd 光電装置
JP3636079B2 (ja) 2001-01-26 2005-04-06 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体と発光装置
JP4066608B2 (ja) 2001-03-16 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体及びその製造方法
JP4616491B2 (ja) 2001-03-21 2011-01-19 星和電機株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US6670648B2 (en) * 2001-07-19 2003-12-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device having a reflective case
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
ATE525755T1 (de) * 2001-10-12 2011-10-15 Nichia Corp Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
US6670646B2 (en) 2002-02-11 2003-12-30 Infineon Technologies Ag Mask and method for patterning a semiconductor wafer
JP2003327667A (ja) * 2002-03-07 2003-11-19 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置
CN101429322B (zh) * 2002-02-27 2012-04-18 日立化成工业株式会社 封装用环氧树脂组合物及使用该组合物的电子组件
KR100637305B1 (ko) * 2002-02-27 2006-10-23 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 전자 부품 장치
US20060014873A1 (en) * 2002-02-27 2006-01-19 Ryoichi Ikezawa Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same
JP3912607B2 (ja) * 2002-06-19 2007-05-09 サンケン電気株式会社 半導体発光装置の製法
JP3655267B2 (ja) 2002-07-17 2005-06-02 株式会社東芝 半導体発光装置
JP3991961B2 (ja) 2002-09-05 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 側面発光型発光装置
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
US20040061810A1 (en) * 2002-09-27 2004-04-01 Lumileds Lighting, U.S., Llc Backlight for a color LCD using wavelength-converted light emitting devices
JP3910171B2 (ja) 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP2004266186A (ja) 2003-03-04 2004-09-24 Hitachi Chem Co Ltd 研磨用パッド及び研磨物の製造法
JP2004266189A (ja) 2003-03-04 2004-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品用パッケージ
US7923918B2 (en) 2003-03-13 2011-04-12 Nichia Corporation Light emitting film, luminescent device, method for manufacturing light emitting film and method for manufacturing luminescent device
ITFI20030064A1 (it) 2003-03-13 2004-09-14 Perini Fabio Spa Dispositivo svolgitore automatico e continuo per erogare
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
US20040265596A1 (en) 2003-04-28 2004-12-30 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device
JP4874510B2 (ja) 2003-05-14 2012-02-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
EP1637905A4 (en) * 2003-05-21 2009-08-12 Yupo Corp OPTICAL REFLECTOR AND LIGHT SOURCE DEVICE
JP4113045B2 (ja) * 2003-05-26 2008-07-02 日鉄鉱業株式会社 白色粉体およびその製造方法
JP2005112965A (ja) 2003-10-07 2005-04-28 Kyocera Chemical Corp 封止用樹脂組成物および電子部品装置
JP4493013B2 (ja) * 2003-10-08 2010-06-30 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP4792726B2 (ja) * 2003-10-30 2011-10-12 日亜化学工業株式会社 半導体素子用支持体の製造方法
JP5021151B2 (ja) * 2003-11-19 2012-09-05 株式会社カネカ 半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物および半導体
DE10357881A1 (de) 2003-12-11 2005-07-14 Harting Electric Gmbh & Co. Kg Dichtung zwischen einander gegenüberliegenden Dichtflächen
JP4654670B2 (ja) * 2003-12-16 2011-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2005191420A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Stanley Electric Co Ltd 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法
JP2005259972A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ
WO2005090472A1 (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Jsr Corporation 液状硬化性樹脂組成物及びそれを用いた積層体の製造方法
JP4198091B2 (ja) * 2004-06-02 2008-12-17 旭化成株式会社 発光素子封止用樹脂組成物
EP1768678A4 (en) 2004-06-30 2009-09-23 Paul L Deangelis METHODS FOR SELECTIVE TREATMENT OF DISEASES BY SPECIFIC GLYCOSAMINOGLYCAN POLYMERS
SG119379A1 (en) 2004-08-06 2006-02-28 Nippon Catalytic Chem Ind Resin composition method of its composition and cured formulation
JP5081370B2 (ja) * 2004-08-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100587020B1 (ko) * 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
JP4747726B2 (ja) * 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
US7842526B2 (en) * 2004-09-09 2010-11-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of producing same
JP2006086178A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Toshiba Corp 樹脂封止型光半導体装置
KR100867970B1 (ko) 2004-10-04 2008-11-11 가부시끼가이샤 도시바 발광 장치 및 그것을 이용한 조명 기구 또는 액정표시장치
JP5060707B2 (ja) 2004-11-10 2012-10-31 日立化成工業株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物
TW200617093A (en) 2004-11-15 2006-06-01 Jsr Corp Curable liquid resin composition and method for producing multilayer body using same
JP4608294B2 (ja) 2004-11-30 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP4359229B2 (ja) 2004-12-01 2009-11-04 三和電気工業株式会社 光ファイバケーブルのカシメパイプ挿入装置
SG158878A1 (en) * 2005-01-20 2010-02-26 Sumitomo Bakelite Co Epoxy resin composition, method of rendering the same latent, and semiconductor device
KR101204115B1 (ko) * 2005-02-18 2012-11-22 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 배광 특성을 제어하기 위한 렌즈를 구비한 발광 장치
KR100593945B1 (ko) * 2005-05-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
TW200721526A (en) * 2005-11-16 2007-06-01 Iled Photoelectronics Inc LED structure with three wavelength
US9502624B2 (en) * 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
KR20090013230A (ko) * 2006-06-02 2009-02-04 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 광반도체소자 탑재용 패키지 및 이것을 이용한 광반도체장치
CN102408542B (zh) * 2006-11-15 2014-10-29 日立化成工业株式会社 光反射用热固化性树脂组合物、及使用了所述树脂组合物的光半导体元件搭载用基板及光半导体装置
TWI523883B (zh) * 2007-09-25 2016-03-01 日立化成股份有限公司 熱硬化性光反射用樹脂組成物、使用該組成物的光半導體元件搭載用基板及其製造方法以及光半導體裝置
TWI458139B (zh) * 2012-11-23 2014-10-21 Unity Opto Technology Co Ltd White light emitting diode module

Also Published As

Publication number Publication date
US20170263832A1 (en) 2017-09-14
US20090315049A1 (en) 2009-12-24
US10950767B2 (en) 2021-03-16
CN102290517A (zh) 2011-12-21
US9660156B2 (en) 2017-05-23
JP4968258B2 (ja) 2012-07-04
US9673362B2 (en) 2017-06-06
KR101496066B1 (ko) 2015-03-02
US20220123186A1 (en) 2022-04-21
US20180130931A1 (en) 2018-05-10
MY152165A (en) 2014-08-15
US20160035951A1 (en) 2016-02-04
TWI648877B (zh) 2019-01-21
US11810778B2 (en) 2023-11-07
TW201735402A (zh) 2017-10-01
US10326063B2 (en) 2019-06-18
EP2034526B1 (en) 2019-12-25
CN101461070B (zh) 2013-07-24
CN102983248A (zh) 2013-03-20
KR20090013230A (ko) 2009-02-04
CN101461070A (zh) 2009-06-17
US20210296545A1 (en) 2021-09-23
KR20110003601A (ko) 2011-01-12
TW200807763A (en) 2008-02-01
US20210296546A1 (en) 2021-09-23
US20190252582A1 (en) 2019-08-15
JP2011155277A (ja) 2011-08-11
WO2007142018A1 (ja) 2007-12-13
EP2034526A1 (en) 2009-03-11
KR20110113786A (ko) 2011-10-18
US20210159374A1 (en) 2021-05-27
KR101155231B1 (ko) 2012-06-13
US20110241055A1 (en) 2011-10-06
KR20130063027A (ko) 2013-06-13
TWI464918B (zh) 2014-12-11
US9608184B2 (en) 2017-03-28
KR20140146210A (ko) 2014-12-24
US10205072B2 (en) 2019-02-12
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US9076932B2 (en) 2015-07-07
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TW201123528A (en) 2011-07-01
US20140319569A1 (en) 2014-10-30
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