JPH0425059A - 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム及びその製造方法Info
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- JPH0425059A JPH0425059A JP12620390A JP12620390A JPH0425059A JP H0425059 A JPH0425059 A JP H0425059A JP 12620390 A JP12620390 A JP 12620390A JP 12620390 A JP12620390 A JP 12620390A JP H0425059 A JPH0425059 A JP H0425059A
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- Japan
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- press
- lead
- lead frame
- semiconductor device
- outer lead
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 7
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
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- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
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- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
に関し、特に樹脂封止型の半導体装置用リードフレーム
及びその製造方法に関する。
に関し、特に樹脂封止型の半導体装置用リードフレーム
及びその製造方法に関する。
従来、この種の半導体装置用リードフレーム（以下リー
ドフレームと記す）は、プレス打抜きにより製造される
。
ドフレームと記す）は、プレス打抜きにより製造される
。
第３図（ａ＞、（ｂ）は従来のリードフレームの一例の
平面図及びＣ−Ｃ’線断面拡大図である。
平面図及びＣ−Ｃ’線断面拡大図である。
第３図（ａ）、（ｂ）に示すように、従来のり−トフレ
ーム］は、背面がら表面にがけて打抜がれな外部り−Ｆ
２のプレスがえり面側のエツジの打抜き方向にプレス
ハリ３が生している。
ーム］は、背面がら表面にがけて打抜がれな外部り−Ｆ
２のプレスがえり面側のエツジの打抜き方向にプレス
ハリ３が生している。
」二連した従来のリードフレームは、プレス加工により
外部リードのかえり面側にプレスバリか生しるため、外
部リードの平坦性が悪く下記のような欠点かある。
外部リードのかえり面側にプレスバリか生しるため、外
部リードの平坦性が悪く下記のような欠点かある。
−Ｅ述した従来のリードフレームはプレスバリにより外
部リートの平坦性か悪い為、半導体装置組立工程内の樹
脂封止金型中て金型の形締めが均一でない。このため、
封止樹脂が外部リードのプレスハリ発生のあるエツジ部
に流れでて外部リートに樹脂付着が生じる。これは、ひ
いては外部リードの半田付性を悪くするという品質上の
欠点がある。
部リートの平坦性か悪い為、半導体装置組立工程内の樹
脂封止金型中て金型の形締めが均一でない。このため、
封止樹脂が外部リードのプレスハリ発生のあるエツジ部
に流れでて外部リートに樹脂付着が生じる。これは、ひ
いては外部リードの半田付性を悪くするという品質上の
欠点がある。
また、外部リードのプレス加工時に内抜きポンチとクリ
アランスの差により左右のプレスバリの高さの差か大き
く生し外部り−１・の平坦性か悪くなった場合、外部リ
ードの曲げ工程において外部リート曲がりか生しるとい
う欠点がある。
アランスの差により左右のプレスバリの高さの差か大き
く生し外部り−１・の平坦性か悪くなった場合、外部リ
ードの曲げ工程において外部リート曲がりか生しるとい
う欠点がある。
本発明の目的は、外部リードの半田付性が良く、曲かり
のないり一トフレーム及びその製造方法を提供すること
にある。
のないり一トフレーム及びその製造方法を提供すること
にある。
本発明は、プレス加工で製造した樹脂封止型の半導体装
置用リードフレームにおいて、外部リードのプレスかえ
り面側のエツジの高さを少くとも前記プレスかえり面と
同一面の高さに形成されている。
置用リードフレームにおいて、外部リードのプレスかえ
り面側のエツジの高さを少くとも前記プレスかえり面と
同一面の高さに形成されている。
本発明は、樹脂封止型の半導体装置用リードフレームの
製造方法において、プレスによる打抜加工工程と、外打
抜き加工により生したプレスがえり面側のエツジのプレ
スバリをたたいて平担化する工程とを含んで構成されて
いる。
製造方法において、プレスによる打抜加工工程と、外打
抜き加工により生したプレスがえり面側のエツジのプレ
スバリをたたいて平担化する工程とを含んで構成されて
いる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ、）、（ｂ）は、本発明の第１の実施例の平
面図及びＡ−Ａ’線断面拡大図である。
面図及びＡ−Ａ’線断面拡大図である。
第１の実施例は、第１図（ａ）、（ｂ）に示すように、
第３図（ａ）、、（１））に示す背面から表面にかけて
プレス打抜きされた外部リード２のプレスかえり面４側
のエツジの打抜き方向に生じたプレスバリ３を、更に、
次の工程で、ポンチによってたたくことにより、プレス
バリ３ａが外部リーＩ〜２のプレスかえり面４ａよりも
低くなるように成形する。
第３図（ａ）、、（１））に示す背面から表面にかけて
プレス打抜きされた外部リード２のプレスかえり面４側
のエツジの打抜き方向に生じたプレスバリ３を、更に、
次の工程で、ポンチによってたたくことにより、プレス
バリ３ａが外部リーＩ〜２のプレスかえり面４ａよりも
低くなるように成形する。
第２図（ａ、）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の平面
図及びＢ−Ｂ”線断面拡大図である。
図及びＢ−Ｂ”線断面拡大図である。
第２の実施例は第２図（ａ、）、（ｂ）に示すように、
プレスかえり而４ ｂ側のエツジのプレスバリ３１）を
外部リート２の全面にわたるようにポンチにてたたき、
全面が平担にな、るように成形する。
プレスかえり而４ ｂ側のエツジのプレスバリ３１）を
外部リート２の全面にわたるようにポンチにてたたき、
全面が平担にな、るように成形する。
この実施例の場合には、外部リード２の全面をたたいて
いるため、たたく位置の精度はあまり必要としないので
、たたきポンチの加工が容易であるという利点かある。
いるため、たたく位置の精度はあまり必要としないので
、たたきポンチの加工が容易であるという利点かある。
以−に説明したように本発明は、外部リードのプレスか
えり面側のプレスバリの高さを外部リードの同一面ある
いはそれ以下に加工することにより、外部り−１〜の平
坦性が良くなり下記に列挙する効果かある。
えり面側のプレスバリの高さを外部リードの同一面ある
いはそれ以下に加工することにより、外部り−１〜の平
坦性が良くなり下記に列挙する効果かある。
（１）半導体装置組立工程内の樹脂封止金型中で金型の
型締めが均一となる。よって、従来のリードフレームの
ように樹脂かり−１〜のプレスバリ発生のあるエツジ部
に流れて外部リードに付着する事がなくなり品質か向上
する。
型締めが均一となる。よって、従来のリードフレームの
ように樹脂かり−１〜のプレスバリ発生のあるエツジ部
に流れて外部リードに付着する事がなくなり品質か向上
する。
（２）外部り−１・の曲げ工程において発生していたリ
ード曲かりも外部リード平坦性が改善できた為にリード
曲がり不良が低減でき、品質が向上する。
ード曲かりも外部リード平坦性が改善できた為にリード
曲がり不良が低減でき、品質が向上する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１−の実施例の平面
図及びＡ−Ａ’線断面拡大図、第２図（ａ＞、（ｂ）は
本発明の第２の実施例の平面図及びＢ−Ｂ′線断面拡大
図、第３図（ａ）。 （ｂ）は従来のリードフレームの一例の平面図及びＣ−
Ｃ”線断面拡大図である。 ］・・リードフレーム、２・・・外部リード、３，３ａ
３ｂ・・・プレスバリ、４ ４ａ、４ｂ・・・プレ
スかえり面。
図及びＡ−Ａ’線断面拡大図、第２図（ａ＞、（ｂ）は
本発明の第２の実施例の平面図及びＢ−Ｂ′線断面拡大
図、第３図（ａ）。 （ｂ）は従来のリードフレームの一例の平面図及びＣ−
Ｃ”線断面拡大図である。 ］・・リードフレーム、２・・・外部リード、３，３ａ
３ｂ・・・プレスバリ、４ ４ａ、４ｂ・・・プレ
スかえり面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プレス加工で製造した樹脂封止型の半導体装置用リ
ードフレームにおいて、外部リードのプレスかえり面側
のエッジの高さを少くとも前記プレスかえり面と同一面
の高さに形成したことを特徴とする半導体装置用リード
フレーム。 ２、樹脂封止型の半導体装置用リードフレームの製造方
法において、プレスによる打抜加工工程と、外打抜き加
工により生じたプレスかえり面側のエッジのプレスバリ
をたたいて平担化する工程とを含むことを特徴とする半
導体装置用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12620390A JPH0425059A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12620390A JPH0425059A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425059A true JPH0425059A (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=14929267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12620390A Pending JPH0425059A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0425059A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1505296A2 (en) | 2003-08-04 | 2005-02-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Starting apparatus for internal combustion engine |
| US9076932B2 (en) | 2006-06-02 | 2015-07-07 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60123047A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH01128456A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-22 | Hitachi Ltd | 面実装型半導体デバイスおよびリードフレーム |
| JPH01216563A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP12620390A patent/JPH0425059A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60123047A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH01128456A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-22 | Hitachi Ltd | 面実装型半導体デバイスおよびリードフレーム |
| JPH01216563A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
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| EP1505296A2 (en) | 2003-08-04 | 2005-02-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Starting apparatus for internal combustion engine |
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| US9608184B2 (en) | 2006-06-02 | 2017-03-28 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
| US9660156B2 (en) | 2006-06-02 | 2017-05-23 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
| US9673362B2 (en) | 2006-06-02 | 2017-06-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
| US10205072B2 (en) | 2006-06-02 | 2019-02-12 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Light-emitting device and method of preparing same, optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
| US10326063B2 (en) | 2006-06-02 | 2019-06-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Light-emitting device and method of preparing same, optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
| US10950767B2 (en) | 2006-06-02 | 2021-03-16 | Shenzhen Jufei Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting device and method of preparing same, optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
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