JPS60123047A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60123047A JPS60123047A JP23076383A JP23076383A JPS60123047A JP S60123047 A JPS60123047 A JP S60123047A JP 23076383 A JP23076383 A JP 23076383A JP 23076383 A JP23076383 A JP 23076383A JP S60123047 A JPS60123047 A JP S60123047A
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- Japan
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- frame
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- lead frame
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- resin
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はリードフレームを用いかつ半導体素子を樹脂内
に封止した樹脂封止型の半導体装置に関する。
に封止した樹脂封止型の半導体装置に関する。
第１図はこの種の半導体装置のリードフレームを示す平
面図である。図中１は半導体ベレットをマウントするフ
レームのペット部、２はリード部、３はモールド樹脂領
域である。ところで従来技術では、エツチングで製作し
たリードフレームの断面形状は、第２図に示す如く四隅
に角がついている。またプレスで製作したリードフレー
ムの断面形状は、第３図に示す如（二階にはだれのため
円状になっているが、残りの二階には金属パリ４が発生
している。これらの欠点をもっているそれぞれのリード
フレームに半導体ベレットをマウントし、グラスチック
樹脂３に密封したものを高温、低温のサイクルでの熱的
な影響の信頼性テストを！すると、リードフレームの角
及びパリの部分から樹脂３に亀裂が発生し、それが外部
に到達すると信頼性を損ない、特にプレッシャフッカテ
ストで湿気の侵入を促進していた。
面図である。図中１は半導体ベレットをマウントするフ
レームのペット部、２はリード部、３はモールド樹脂領
域である。ところで従来技術では、エツチングで製作し
たリードフレームの断面形状は、第２図に示す如く四隅
に角がついている。またプレスで製作したリードフレー
ムの断面形状は、第３図に示す如（二階にはだれのため
円状になっているが、残りの二階には金属パリ４が発生
している。これらの欠点をもっているそれぞれのリード
フレームに半導体ベレットをマウントし、グラスチック
樹脂３に密封したものを高温、低温のサイクルでの熱的
な影響の信頼性テストを！すると、リードフレームの角
及びパリの部分から樹脂３に亀裂が発生し、それが外部
に到達すると信頼性を損ない、特にプレッシャフッカテ
ストで湿気の侵入を促進していた。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、封止樹脂の
亀裂の発生を防止し得る半導体装置を提供しようとする
ものである。
亀裂の発生を防止し得る半導体装置を提供しようとする
ものである。
本発明は封止樹脂とリードが密着する部分の断面で、従
来のエツチングフレームでは四隅、従来のプレスフレー
ムでは二階の角または角にあるパリを除去することによ
り、樹脂とリードフレームが密着する部分に発生する応
力を緩和し、以って樹脂の亀裂の発生を防止できるよう
にしたものである。
来のエツチングフレームでは四隅、従来のプレスフレー
ムでは二階の角または角にあるパリを除去することによ
り、樹脂とリードフレームが密着する部分に発生する応
力を緩和し、以って樹脂の亀裂の発生を防止できるよう
にしたものである。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
〔１〕エツチングフレームの場合
（１）板厚０．２５ｍｍの４２アロイ（Ａ１１ａｙ ）
材（Ｎｔが４２で残りがＦｅである合金）を前処理する
。
材（Ｎｔが４２で残りがＦｅである合金）を前処理する
。
（２） レジストを５０００Ｘ程度表と裏に塗布する。
（３） リードフレームとして必要な領域にはレジスト
を残し、リードとして不要な部分はレジストを剥離する
ために、レジストを塗布した４２７０イ材の表と裏に乾
板をコンタクトして露光し現像する。
を残し、リードとして不要な部分はレジストを剥離する
ために、レジストを塗布した４２７０イ材の表と裏に乾
板をコンタクトして露光し現像する。
（４）現像した４２７０イ材の表と裏の両側からエツチ
ング液を噴射してエツチングする。
ング液を噴射してエツチングする。
（５） エツチングが終了したフレームのレジストを剥
離することにより、生フレームを得る。
離することにより、生フレームを得る。
（６） エツチングで完成した４２アロイのフレームを
陽極におき、ステンレス板を陰極に置き、溶液をシアン
化ナトリウム溶液として該液内で電流を流し、フレーム
の隅（リードフレームの角部と辺部）をエツチングする
ことにより、第４図の如く丸みによる面取りＲを施こす
（Ｒ＝００、０２５〜０．１ ｔｍ ）。
陽極におき、ステンレス板を陰極に置き、溶液をシアン
化ナトリウム溶液として該液内で電流を流し、フレーム
の隅（リードフレームの角部と辺部）をエツチングする
ことにより、第４図の如く丸みによる面取りＲを施こす
（Ｒ＝００、０２５〜０．１ ｔｍ ）。
（７）生フレームの表側必要領域に銀または金めつきを
する。
する。
〔２〕エツチングフレームの場合
上記（１）〜（５）項までと（７）項は同じ工程を用い
るが、面取り加工をする場合（６）項のようにエツチン
グでなく、研磨によって加工することにより、第５図の
如く斜面（この場合４５°であるが、これに近い±１５
°場合でもよい）による面取りＣを施こす（Ｃ＝０．０
２５〜０．１膿、４５’）。
るが、面取り加工をする場合（６）項のようにエツチン
グでなく、研磨によって加工することにより、第５図の
如く斜面（この場合４５°であるが、これに近い±１５
°場合でもよい）による面取りＣを施こす（Ｃ＝０．０
２５〜０．１膿、４５’）。
〔３〕プレスフレームの場合
（１）機械的加工（打ち抜き順送りプレス型）で化リー
ドフレームを４２７０イ素材から加工する。
ドフレームを４２７０イ素材から加工する。
（２）生フレームとなった４２７四イ材を陽極に、ステ
ンレスを陰極に設置して電流を流す。
ンレスを陰極に設置して電流を流す。
このとき溶液はシアン化ナトリウムである。この場合陰
極にパリのある側を向けることにより、第６図の如く丸
みによる面取りＲを施こす（Ｒ−０，０２５〜０．１
ｍ ）。
極にパリのある側を向けることにより、第６図の如く丸
みによる面取りＲを施こす（Ｒ−０，０２５〜０．１
ｍ ）。
（３）生フレームの表側に銀または金めつきを施こす。
〔４〕プレスフレームの場合
（１）素材から生フレームを機械的加工で製作する。
（２）生フレームを研磨で加工することにより、第７図
の如く斜面による面取りＣを施こす（Ｃ子０．０２５〜
０．１ ｔｒａｎ 、 ４５°）。
の如く斜面による面取りＣを施こす（Ｃ子０．０２５〜
０．１ ｔｒａｎ 、 ４５°）。
（３）生フレームの表側に銀または金めつきを施こす。
前述した如〈従来技術の欠点は、エツチング方式のリー
ドフレームが角をもっているため、樹脂が密封されると
リードフレームの先端を源として樹脂に亀裂が生じ、高
温、低温サイクル試験でリードフレームと樹脂の熱膨張
差で、樹脂の結合力以上の応力が樹脂にかかって亀裂が
促進されていた。またプレスフレームの場合モ、パリが
亀裂の源となっていた。本発明では亀裂を促進させない
ため、フレームの角部、辺部にＲ（アール）または４５
°±１５°の面我りを施こすことにより、高温、低温サ
イクルでの熱膨張差による応力の緩和を行なうことが可
能となった。次に試験結果を示す。
ドフレームが角をもっているため、樹脂が密封されると
リードフレームの先端を源として樹脂に亀裂が生じ、高
温、低温サイクル試験でリードフレームと樹脂の熱膨張
差で、樹脂の結合力以上の応力が樹脂にかかって亀裂が
促進されていた。またプレスフレームの場合モ、パリが
亀裂の源となっていた。本発明では亀裂を促進させない
ため、フレームの角部、辺部にＲ（アール）または４５
°±１５°の面我りを施こすことにより、高温、低温サ
イクルでの熱膨張差による応力の緩和を行なうことが可
能となった。次に試験結果を示す。
以上説明した如（本発明によれば、リードフレームに面
取りを施こしたため、樹脂に亀裂の生じない半導体装置
が提供できるものである。
取りを施こしたため、樹脂に亀裂の生じない半導体装置
が提供できるものである。
第１図はリードフレームの平面図、第２図、第３図は同
リードフレームの従来の欠点を説明するための断面図、
第４図ないし第７図は本発明の実施例を示す要部断面図
である。 １・・・ペット部、２・・・リード部、３・・・モール
ド樹脂領域、Ｒ２Ｃ・・・面取り部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２ 図 第３図 ４ 第４図 ＠５図 ＄６図
リードフレームの従来の欠点を説明するための断面図、
第４図ないし第７図は本発明の実施例を示す要部断面図
である。 １・・・ペット部、２・・・リード部、３・・・モール
ド樹脂領域、Ｒ２Ｃ・・・面取り部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２ 図 第３図 ４ 第４図 ＠５図 ＄６図
Claims (5)
- （１）リードフレームを用いかつ半導体素子を樹脂内に
封止した樹脂封止型半導体装置において、前記リードフ
レームの辺部又は角部に面取りを施したことを特徴とす
る半導体装置。 - （２） 前記面取りは丸形面取りであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置。 - （３） 前記面取りは丸形に近い面取りであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置。 - （４） 前記面取りは４５°の面取りであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置。 - （５） 前記面取りは４５°に近い面取りであること（
４５°±１５°）を特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23076383A JPS60123047A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23076383A JPS60123047A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60123047A true JPS60123047A (ja) | 1985-07-01 |
Family
ID=16912877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23076383A Pending JPS60123047A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60123047A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS59117141A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1983
- 1983-12-07 JP JP23076383A patent/JPS60123047A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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