TWI595684B - 熱固性樹脂組合物、成形材料、光半導體元件搭載用封裝及其製造方法、以及光半導體裝置 - Google Patents

熱固性樹脂組合物、成形材料、光半導體元件搭載用封裝及其製造方法、以及光半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI595684B
TWI595684B TW103137201A TW103137201A TWI595684B TW I595684 B TWI595684 B TW I595684B TW 103137201 A TW103137201 A TW 103137201A TW 103137201 A TW103137201 A TW 103137201A TW I595684 B TWI595684 B TW I595684B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
optical semiconductor
resin composition
semiconductor element
thermosetting resin
element mounting
Prior art date
Application number
TW103137201A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201511355A (zh
Inventor
浦崎直之
湯淺加奈子
Original Assignee
日立化成股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立化成股份有限公司 filed Critical 日立化成股份有限公司
Publication of TW201511355A publication Critical patent/TW201511355A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI595684B publication Critical patent/TWI595684B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Description

熱固性樹脂組合物、成形材料、光半導體元件搭載用封裝及其製造方法、以及光半導體裝置
本發明關於一種光半導體元件搭載用封裝及使用此封裝的光半導體裝置，該光半導體元件搭載用封裝於製造組合有光半導體元件與螢光體等波長轉換機構的光半導體裝置方面較為有用。
近年來，為了使光半導體裝置實現小型及薄型化，取代導線型光半導體裝置，而較多使用具有如圖3所示構造的表面安裝(SMD(Surfacemounted device))型光半導體裝置(發光裝置)。該表面安裝型光半導體裝置通常是藉由如下方法而製造的：藉由使樹脂成形體403與正負導線電極404一體化而構成的光半導體元件搭載用封裝的凹部底面，經由黏晶(die bond)材406而搭載著光半導體元件(發光二極體(LED，light-emitting diode)等) 400，由接線401電性連接該光半導體元件400與導線電極404後，向凹部填充包含螢光體405的透明密封樹脂402，並密封光半導體元件400，其中該樹脂成形體403具有作為光半導體元件搭載用區域的凹部。此外，上述光半導體元件搭載用封裝通常是藉由如下方法而製造的：利用成形模具夾持導線電極，向關閉的模具內注入熔融的熱可塑性樹脂組合物後，回到室溫下使該樹脂組合物硬化，從而藉由使上述導線電極與樹脂組合物一體化而構成。於日本專利早期公開第2002-280616號公報、日本專利早期公開第2004-055632號公報及日本專利早期公開第2004-342782號公報中，揭示有一種使用光半導體元件搭載用封裝而成的SMD型LED裝置，該光半導體元件搭載用封裝中藉由使具有凹部的樹脂成形體與正負導線電極一體化而構成。
近年來，光半導體裝置之應用領域得到擴展，同時多數情況下其使用條件也變得嚴格，且需要具有程度更高的可靠性。然而，製作上述樹脂成形體時一般使用的熱可塑性樹脂組合物的線膨脹率(20~120ppm/℃)大於一般作為導線電極而使用的銅的線膨脹率(約17ppm/℃)，故而當藉由使樹脂組合物與導線電極一體化而構成時會產生較大應力，結果，導致樹脂成形體與導線電極間的接著性降低，從而導致樹脂組合物與導線電極之間產生幾十微米左右的間隙。此外，若樹脂成形體與導線電極間的接著性較低，則由於導線電極外部導線的彎曲步驟中會施加應力，而導致樹脂成形體與導線電極間產生間隙，從而降低了光半導體裝 置的可靠性。
此外，若向模具內注入樹脂組合物而製作樹脂球形體時應用射出成形，則有時會由於樹脂的射出壓力而使模具產生稍許變形或偏移，此時，沿模具的合模邊產生間隙，導致於光半導體元件搭載用封裝側面產生樹脂毛邊(partingline，分割線)。該樹脂毛邊於成形(forming)步驟中成為障礙，由於使光半導體裝置小型化，故而難以沿著樹脂成形體的外側面對外部導線進行高精度加工。此外，此時，於縱方向上對導線電極與樹脂成形體的界面施加應力，自於橫方向延伸的毛邊前端部分於上述界面產生間隙。進而，亦有樹脂毛邊剝離的危險，該樹脂毛邊的剝離成為封裝龜裂的重要原因，水分或雜質會自該龜裂侵入，導致光半導體裝置的可靠性顯著降低。此外，剝離毛邊很嚴重時，產生空壁導致外觀不良。
此外，近年來，開發出於紫外區域等中具有發光峰值波長的光半導體元件，對該元件而言亦期待能夠應用於SMD型LED，由於紫外區域附近的光的能量較高，故而存在如下問題：容易導致樹脂成形體的凹部內周面(反射板，reflector)劣化，進而，隨著該內周面劣化亦會導致可見光的反射率降低。
本發明是鑒於上述問題開發而研製成的，其目的在於提供一種樹脂成形體與導線電極的接著性良好且可靠性優良的光半導體元件搭載用封裝及使用此封裝的光半導體裝置。
此外，本發明的其他目的在於提供一種硬化後可見光至近紫外光的反射率較高、具有耐光及耐熱劣化性優良的凹部(反射板)的光半導體元件搭載用封裝及使用此封裝的光半導體裝置。
即，本發明的特徵在於下述(1)~(12)事項。
(1)一種光半導體元件搭載用封裝，具有作為光半導體元件搭載區域的凹部，其特徵在於：藉由使樹脂成形體與至少一對正及負的導線電極一體化而構成，其中該樹脂成形體由熱固性光反射用樹脂組合物構成且至少形成上述凹部側面，上述至少一對正及負的導線電極呈對向配置以形成上述凹部底面的一部分，且上述樹脂成形體與上述導線電極的接合面無間隙。
(2)如上述(1)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中藉由傳送成形而藉由使上述樹脂成形體與上述至少一對正及負的導線電極一體化而構成。
(3)如上述(1)或(2)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物中含有填充料。
(4)如上述(1)或(2)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物之成分中包括(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)硬化促進劑、(D)無機填充劑、(E)白色顏料、(F)偶合劑，且該樹脂組合物於熱硬化後於350nm~800nm的波長中光反射率大於等於80%且在常溫(0~35℃)下能夠加壓成形。
(5)如上述(4)所述之光半導體元件搭載用封裝，其 中上述(D)無機填充劑是選自二氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氫氧化鋁、氫氧化鎂、硫酸鋇、碳酸鎂、碳酸鋇組成的族群中的至少一種。
(6)如上述(4)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述(E)白色顏料為無機中空粒子。
(7)如上述(4)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述(E)白色顏料的平均粒徑在0.1~50μm範圍內。
(8)如上述(4)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述(D)無機填充劑與上述(E)白色顏料的合計量相對於上述熱固性光反射用樹脂組合物全體為70體積%~85體積%。
(9)如上述(1)或(2)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物的螺旋流動(spiral flow)大於等於50cm且小於等於300cm。
(10)如上述(1)或(2)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物的圓板流動大於等於50mm。
(11)如上述(1)或(2)所述之光半導體元件搭載用封裝，其中上述熱固性光反射用樹脂組合物的線膨脹係數為10~30ppm/℃。
(12)一種光半導體裝置，其特徵在於含有：上述(1)或(2)所述之光半導體元件搭載用封裝、搭載於上述封裝中上述凹部底面的光半導體元件以及覆蓋上述凹部內的上述光半導體元 件的透明密封樹脂層。
根據本發明，可提供一種樹脂成形體與導線電極間的接著性良好可靠性優良的光半導體元件搭載用封裝及使用此封裝的光半導體裝置，進而亦可提供一種硬化後自可見光至近紫外光的反射率較高、具有耐光及耐熱劣化性優良的凹部的光半導體元件搭載用封裝及使用此封裝的光半導體裝置。
再者，於上述本發明中，樹脂成形體與導線電極的接合面「無間隙」是指，使用SEM或金屬顯微鏡等以200倍的放大率觀察樹脂成形體與導線電極相接的界面時，於該界面上未觀察到間隙的狀態。
此外，本申請案根據該申請人先前申請的日本專利申請第2006-154652號(申請日2006年6月2日)且主張其優先權，本文中以參照的形式引用其中的說明書。
100、400‧‧‧光半導體元件
101、402‧‧‧透明密封樹脂
102、401‧‧‧接線
103、403‧‧‧樹脂成形體
104‧‧‧Ni/Ag電鍍
105、104‧‧‧導線電極
106、405‧‧‧螢光體
107‧‧‧焊錫凸塊
110‧‧‧光半導體元件搭載用封裝
200‧‧‧凹部
406‧‧‧黏晶材
圖1是表示本發明的光半導體元件搭載用封裝的一實施形態的立體圖與剖面圖。
圖2是表示本發明的光半導體裝置的一實施形態的剖面圖。
圖3是表示一般的SMD型LED(光半導體裝置)的剖面圖。
圖4是表示本發明的光半導體元件搭載用封裝的導線電極端部的較佳構造的剖面圖。
本發明的光半導體元件搭載用封裝具有作為光半導體元件搭載區域的凹部，其特徵在於：藉由使樹脂成形體與至少一對正及負的導線電極一體化而構成，其中該樹脂成形體由熱固性光反射用樹脂組合物構成且至少形成上述凹部側面，該一對正及負的導線電極呈對向配置以形成上述凹部底面的一部分，且上述樹脂成形體與上述導線電極的接合面無間隙。再者，較理想的是，正導線電極的一端與負導線電極的一端互相對向配置，以使各個正面(主面)露出而形成凹部底面，藉由成形樹脂而使導線電極之間分離。此外，藉由使正導線電極的另一端與負導線電極的另一端與樹脂成形體一體化而構成後，立即設為自樹脂成形體側面突出，且該突出的外部導線部較理想的是，例如圖3所示，向封裝成形體接合面的內側彎曲，成為J-Bend(彎管)型正負連接端子部。當然，本發明中連接端子部的構造並不僅限於J-Bend(彎管)型，亦可為鷗翼(gull-wing)型等其他構造。
以下，對本發明的光半導體元件搭載用封裝各結構、製造方法以及使用該封裝的光半導體裝置進行詳述。
(導線電極)
導線電極例如可使用含鐵銅等高熱傳導體而構成，例如，可藉由對由厚度為0.15mm的銅合金屬所構成的長金屬板不單純進行加壓而是進行穿孔加工而形成。此外，為防止導線電極氧化等，可於導線電極正面鍍上銀、鋁、金、鈀或該等合金等金屬。此外，為提昇發光元件的光反射率，較好的是使導線電極正面平滑。此 外，較好的是盡可能擴大導線電極的面積，因此，可提高放熱性，有效抑制所配置的發光元件的溫度上升，進而，可對發光元件通入比較多的電力，可提昇光輸出。
此外，於本發明中，至少有一對導線電極呈對向配置以形成封裝凹部底面的一部分，較好的是該對向的導線電極端部背面與側面相交的角帶有曲線(參照圖4的R1，再者，導線電極的背面是指於封裝凹部底面露出的面(主面)的反面)。如此，若沿成形樹脂注入的方向而於導線電極端部設置圓形，則成形樹脂的流動會平滑，從而易於向導線電極間無間隙地填充成形樹脂，因此可確實地將導線電極間分離，此外，可強化導線電極與成形樹脂體的密著性。進而，由於樹脂成形體與導線電極的接合線帶有曲線，故可避免應力集中於接合線上，從而可抑制封裝龜裂的產生。
另一方面，對向的導線電極端部主面與側面交叉的角較好的是突起為銳角(參照圖4的R2)。因此，可有效阻止成形樹脂自導線電極間向導線電極主面上流出，從而可防止發光元件的黏晶(die bonding)不良或打線接合(wire bonding)不良。此外，可提昇導線電極與成形樹脂間的密著性，抑制導線電極與成形樹脂在界面上剝離。
(樹脂成形體)
本發明的封裝中的樹脂成形體較好的是，由熱固性光反射用樹脂組合物成形。此外，熱固性光反射用樹脂組合物中較好的是 含有填充料。進而，熱固性光反射用樹脂組合物的成分中，較好的是包含(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)硬化促進劑、(D)無機填充劑、(E)白色顏料、(F)偶合劑。
關於上述(A)環氧樹脂，可使用電子零件密封用環氧樹脂成形材料中一般使用的材料，該材料例如有以酚醛(phenol novolac)型環氧樹脂、鄰甲酚醛型環氧樹脂為代表的將苯酚類與醛類的酚醛樹脂環氧化後所得的樹脂；由雙酚A、雙酚F、雙酚S、烷基取代聯苯酚等的二縮水甘油醚型環氧樹脂；二胺二苯基甲烷、異三聚氰酸等的聚胺與表氯醇(epichlorohydrin)反應後而獲得的縮水甘油胺型環氧樹脂；由過氧乙酸等過酸將烯烴鍵氧化而獲得的線狀脂肪族環氧樹脂；以及脂環族環氧樹脂等，可適當以任何方式併用上述多個樹脂。此外，上述多個樹脂中較好的是比較不容易著色的樹脂，例如可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、三縮水甘油基異三聚氰酸酯。
作為上述(B)硬化劑，若可與環氧樹脂發生反應則無特別限制，但較好的是比較不容易著色的硬化劑。例如，可列舉酸酐系硬化劑、苯酚系硬化劑等。作為酸酐系硬化劑，例如可列舉苯二甲酸酐、順丁烯二酸酐、偏苯三酸酐(trimellitic anhydride)、均苯四甲酸酐、六氫苯二甲酸酐、四氫苯二甲酸酐、甲基耐地酸酐、耐地酸酐、戊二酸酐、甲基六氫苯二甲酸酐、甲基四氫苯二甲酸酐等。上述多個酸酐系硬化劑中，較好的是苯二甲酸酐、六氫苯二甲酸酐、四氫苯二甲酸酐、甲基六氫苯二甲酸 酐。酸酐系硬化劑的分子量較好的是140~200左右，此外，較好的是無色或淡黃色酸酐。上述多個硬化劑可單獨使用，亦可併用兩種或兩種以上。環氧樹脂與硬化劑的添加比例較好的是，相對於環氧樹脂中1當量的環氧基而言，可與硬化劑中環氧基反應的活性基(酸酐基或羥基)為0.5~1.5當量，進而為0.7~1.2當量。當活性基的當量不足0.5時，有時會延遲環氧樹脂組合物的硬化速度，並且會降低所獲得的硬化體的玻璃轉移溫度，另一方面，當超過1.5當量時，有時會降低耐濕性。
作為上述(C)硬化促進劑(硬化觸媒)，並無特別限定，例如可列舉1,8-二氮雜-雙環(5,4,0)十一烯-7、三乙二胺、三-2,4,6-二甲胺基甲基苯酚等三級胺類，2-乙基-4-甲基咪唑、2-甲基咪唑等咪唑類，三苯基膦、四苯基膦四苯基硼酸鹽、四正丁基膦-o,o-二乙基膦酸基二硫代酯等磷化合物，四級銨鹽、有機金屬鹽類及上述多個物質的衍生物等。上述多個硬化促進劑可單獨使用或者也可併用。上述多個硬化促進劑(硬化觸媒)中，較好的是三級胺類、咪唑類、磷化合物。上述硬化促進劑的含量較好的是對於環氧樹脂100重量份而言，為0.01~8.0重量份，更好的是0.1~3.0重量份。若硬化促進劑(硬化觸媒)的含量不足0.01重量份，則有時無法獲得充分的促進硬化的效果，此外，若超過8.0重量份，則有時會在所獲得的硬化體上觀察到變色。
作為上述(D)無機填充材，可使用選自二氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氫氧化鋁、氫氧化鎂、硫酸鋇、碳酸鎂、 碳酸鋇組成的族群中的至少一種，但從熱傳導性、光反射特性、成形性、難燃性方面考慮，較好的是二氧化矽、氧化鋁、氧化銻、氫氧化鋁的混合物。此外，無機填充材的平均粒徑並無特別限定，但較好的是在0.1~100μm範圍內，這樣可使與白色顏料的填充(packing)效率良好。
作為上述(E)白色顏料並無特別限定，但較好的是無機中空粒子，例如可列舉矽酸鈉玻璃、鋁矽酸玻璃、硼矽酸鈉玻璃、氧化鋁、白砂等。白色顏料的粒徑較好的是，平均粒徑在0.1~50μm範圍內，若粒徑不足0.1μm則有時粒子易於凝集而使得分散性變差，若超過50μm則可充分獲得反射特性。
上述(E)白色顏料與(D)無機填充材的合計填充量(填充料的填充量)，相對於熱固性光反射用樹脂組合物全體而言，較好的是70體積%~85體積%範圍內。若上述多個填充料的填充量不足70體積%，則有光反射特性不充分，若超過85體積%，則成形性變差而存在難以製作基板的傾向。
作為上述(F)偶合劑，可列舉矽烷系偶合劑或鈦酸酯系偶合劑等，作為矽烷偶合劑，一般以任意附著量而較多使用環氧矽烷系、胺基矽烷系、陽離子型(cationic)矽烷系、乙烯基矽烷系、丙烯酸矽烷系、巰基矽烷系及上述多個矽烷系的複合系等。偶合劑的種類或處理條件並無特別限定，但偶合劑的添加量較好的是，於熱固性光反射用樹脂組合物中小於等於5重量%。
其他，上述熱固性光反射用樹脂組合物中，根據需要可 添加抗氧化劑、脫模劑、離子補充劑等。
含有以上成分的熱固性光反射用樹脂組合物較好的是，於熱硬化前室溫(0~35℃)下可進行加壓成形，且較好的是熱硬化後於350nm~800nm的波長中光反射率大於等於80%。上述加壓成形例如可於室溫下、0.5~2MPa、1~5秒左右的條件下進行。此外，若上述光反射率不足80%，則存在無法充分有助於提昇光半導體裝置亮度的傾向。更好的是，光反射率大於等於90%。
此外，上述熱固性光反射用樹脂組合物的螺旋流動較好的是大於等於50cm且小於等於300cm，更好的是大於等於50cm且小於等於200cm，尤其好的是大於等於50cm且小於等於150cm。若螺旋流動不足50cm則材料填充性會惡化，導致製品易於出現未填充的部分。另一方面，若螺旋流動超過300cm，則有易於出現空隙、降低彎曲強度的傾向。此外，圓板流動較好的是大於等於50mm，更好的是大於等於80mm。若圓板流動不足50mm，則導線架間易於出現未填充或空隙。再者，螺旋流動是對具有漩渦狀槽的模具(模具溫度180℃)注入樹脂組合物(注入壓力6.9MPa)，直至該樹脂組合物硬化為止所填充的漩渦的長度的測定值，圓板流動是於2片平板模具(模具溫度180℃，模具重量8kg)之間配置5g樹脂組合物，測定由模具自重而使樹脂組合物潤濕並擴展所得的圓直徑的值。
進而，上述熱固性光反射用樹脂組合物的線膨脹係數較 好的是10~30ppm/℃。此時，作為熱固性光反射用樹脂組合物的硬化物或成形體，可求出線膨脹係數。
此外，樹脂成形體的形狀如上所述，若具有作為光半導體元件搭載區域的凹部，則無特別限定，凹部側壁(反射板)較理想的是具有能夠將光半導體元件發出的光向上方反射的形狀。圖1表示本發明的光半導體元件搭載用封裝110的一實施形態，該光半導體元件搭載用封裝110具備：樹脂成形體103、導線電極105、作為光半導體元件搭載區域的凹部200以及Ni/Ag電鍍104。
(封裝的製造方法)
本發明的光半導體元件搭載用封裝的製造方法並無特別限定，但較好的是藉由傳送成形而藉由使熱固性光反射用樹脂組合物與導線電極一體化而構成。藉由傳送成形而成形，從而難以於導線電極與樹脂成形體之間產生間隙。更具體而言，可藉由如下方法而製造：例如，將導線電極配置於預定形狀的模具中，自模具的樹脂注入口注入熱固性光反射用樹脂組合物，較好的是，將該樹脂組合物在模具溫度170~190℃、成形壓力2~8MPa、60~120秒的條件下進行硬化，取出模具後，在120℃~180℃的後處理(aftercure)溫度下、1~3小時的條件進行熱硬化。
(光半導體裝置)
本發明的光半導體裝置的特徵在於至少具備：本發明的光半導體元件搭載用封裝、搭載於光半導體元件搭載用封裝凹部底面的光半導體元件以及形成於凹部內而覆蓋光半導體元件的透明密 封樹脂層。
上述光半導體元件(發光元件)例如配置於在封裝凹部內底面露出的負導線電極或正導線電極上，半導體元件的n極與負導線電極是藉由打線接合而連接，同樣，p電極與正導線電極是藉由打線接合而連接。此外，於n極形成於發光元件上部、p電極形成於發光元件下部的元件形態中，p電極利用銀漿料等黏晶材而黏接於正導線電極上，n電極與負導線電極則藉由打線接合而連接。如此，若將發光元件配置於導線電極上，則可提昇發光元件的放熱性，因此較好。此處，發光元件是例如可發出藍色光的氮化鎵系化合物半導體元件，該元件例如於藍寶石基板上形成有包括n型層、活性層及p型層的氮化物半導體層，於除去活性層及p型層的一部分而露出的n型層上形成有n電極，於p型層上形成有p電極。
上述透明密封樹脂層可保護發光元件遠離外力、水分等。再者，在由導線將發光元件電極與導線電極之間連接的構造中，亦具有保護導線的功能。此外，透明密封樹脂層中，為使發光元件發出的光能夠高效地射向外部，因此對於光透過性的要求較高。作為透明密封樹脂層中的透明密封樹脂的具體材料，可應用環氧樹脂、矽酮樹脂、丙烯酸樹脂等，進而，為能夠對發光元件發出的光具有特定濾光片效果等，亦可添加著色染料或著色顏料。
圖2表示本發明的光半導體裝置的一實施形態，其中， 於本發明的光半導體元件搭載用封裝110之作為光半導體元件搭載區域的凹部200之底部的預定位置上搭載著光半導體元件100，該光半導體元件100與導線電極105之間是利用接線102或焊錫凸塊107等眾所周知的方法而電性連接，且該光半導體元件100由含有眾所周知螢光體106的透明密封樹脂101而覆蓋。
[實施例]
以下，利用實施例說明本發明。本發明並不受下述多個實施例的限制。
實施例1
(導線架)
採用一般的光蝕刻製程(photo-etching process)，於厚度為0.15mm的銅框架上形成包含有導線電極的電路後，對該電路進行電解Ag電鍍，作為導線架。
將上述組成材料以混煉溫度30~40℃、混煉時間10分鐘的條件進行滾筒混煉，製作熱固性光反射用樹脂組合物。所獲得的樹脂組合物的螺旋流動為140cm(硬化時間90秒)，圓板流動為85mm(硬化時間90秒)。此外，所獲得的樹脂組合物硬化物的光反射率大於等於90%。再者，該光反射率是指，將上述樹脂組合物以成形模具溫度180℃、成形壓力6.9MPa、硬化時間90秒的條件傳送成形後，於150℃下進行2小時的熱處理，藉此製成厚度為2.0mm的試片，對此使用V-750型積分球型分光光度計(日本分光股份有限公司製造)，在波長350~850nm的條件下所測定的值。
(光半導體元件搭載用封裝的成形)
將上述獲得的導線架安裝於模具中的相應的位置上，且將上 述所獲得的熱固性光反射用樹脂組合物注入模具中，在模具溫度180℃、90秒鐘、6.9Mpa的條件下進行傳送成形，製作於元件搭載區域具有凹部且於該凹部底面露出正負導線電極的光半導體搭載用封裝。
(光半導體裝置的製造)
利用黏晶材將LED元件固定於上述獲得的光半導體搭載用封裝凹部底面的導線電極上，於150℃下加熱1小時，藉此，將LED元件黏著於端子上。此後，利用金線將LED元件與端子電性連接。
繼而，藉由灌注(potting)而將具有以下組成的透明密封樹脂澆入上述凹部以覆蓋LED元件，於150℃下加熱2小時使樹脂硬化，從而製成光半導體裝置(SMD型LED)。
．2-乙基-4-甲基咪唑 0.9重量份
實施例2
將上述組成的材料以混煉溫度30~40℃、混煉時間10分鐘的條件進行滾筒混煉，製作熱固性光反射用樹脂組合物。所獲得的樹脂組合物的螺旋流動為100cm(硬化時間90秒)，圓板流動為55mm(硬化時間90秒)。此外，所獲得的樹脂組合物硬化物的光反射率大於等於90%(350~850nm)。
進而，使用上述獲得的熱固性光反射用樹脂組合物，以與實施例1同樣的方式製作光半導體搭載用封裝及光半導體裝置。
由以上方式製成的各實施例的光半導體裝置中，導線與封裝的界面黏接力良好，確認該界面上沒有間隙。此外，於85℃、85%RH中放置24小時後，確認樹脂成形體與透明密封樹脂或導線電極的界面有無剝離，確認沒有剝離，且幾乎亦無水分混入。因此，可以說，各實施例的光半導體裝置是耐流動性或耐遷移性等可靠性優良的光半導體裝置。
103‧‧‧樹脂成形體
104‧‧‧Ni/Ag電鍍
105‧‧‧導線電極
110‧‧‧光半導體元件搭載用封裝
200‧‧‧凹部

Claims (10)

  1. 一種熱固性樹脂組合物，其進行光反射且為發光二極體用，上述熱固性樹脂組合物含有無機中空粒子、(A)環氧樹脂、及(B)硬化劑，且相對於上述(A)環氧樹脂中1當量的環氧基而言，可與上述(B)硬化劑中環氧基反應的活性基為0.5~1.5當量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之熱固性樹脂組合物，其更包括無機填充劑，上述無機填充劑含有選自二氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氫氧化鋁、氫氧化鎂、硫酸鋇、碳酸鎂、及碳酸鋇組成的族群中至少一種以上。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之熱固性樹脂組合物，其更包括(C)硬化促進劑。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之熱固性樹脂組合物，其中上述熱固性樹脂組合物於熱硬化後於350nm~800nm的波長中光反射率大於等於80%且可在常溫下加壓成形。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之熱固性樹脂組合物，其中上述熱固性樹脂組合物的螺旋流動大於等於50cm且小於等於300cm，或者是上述熱固性樹脂組合物的圓板流動大於等於50mm。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之熱固性樹脂組合物，其中上述熱固性樹脂組合物的線膨脹係數為10~30ppm/℃。
  7. 一種成形材料，包括如申請專利範圍第1項或第2項所述 之熱固性樹脂組合物。
  8. 一種光半導體元件搭載用封裝，其是形成有一個以上作為光半導體元件搭載區域的凹部的光半導體元件搭載用封裝，且至少上述凹部的內周側面是使用如申請專利範圍第7項所述之成形材料而成形。
  9. 一種光半導體裝置，其至少包括：如申請專利範圍第8項所述之光半導體元件搭載用封裝；搭載於上述光半導體元件搭載用封裝的凹部底面的光半導體元件；以及以覆蓋上述光半導體元件的方式形成於上述凹部內的透明密封樹脂層。
  10. 一種光半導體元件搭載用封裝的製造方法，其是形成有一個以上作為光半導體元件搭載區域的凹部的光半導體元件搭載用封裝的製造方法，上述光半導體元件搭載用封裝的製造方法是藉由使用如申請專利範圍第7項所述之成形材料的傳送成形而至少形成上述凹部。
TW103137201A 2006-06-02 2007-05-29 熱固性樹脂組合物、成形材料、光半導體元件搭載用封裝及其製造方法、以及光半導體裝置 TWI595684B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006154652 2006-06-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201511355A TW201511355A (zh) 2015-03-16
TWI595684B true TWI595684B (zh) 2017-08-11

Family

ID=38801281

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106120008A TWI648877B (zh) 2006-06-02 2007-05-29 成形材料、光半導體元件搭載用封裝及其製造方法、以及光半導體裝置
TW103137201A TWI595684B (zh) 2006-06-02 2007-05-29 熱固性樹脂組合物、成形材料、光半導體元件搭載用封裝及其製造方法、以及光半導體裝置
TW099144053A TWI464918B (zh) 2006-06-02 2007-05-29 光半導體元件搭載用封裝以及使用此封裝的光半導體裝置
TW096119083A TWI339448B (en) 2006-06-02 2007-05-29 Package for carrying optical semiconductor element and optical semiconductor device using thereof

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106120008A TWI648877B (zh) 2006-06-02 2007-05-29 成形材料、光半導體元件搭載用封裝及其製造方法、以及光半導體裝置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099144053A TWI464918B (zh) 2006-06-02 2007-05-29 光半導體元件搭載用封裝以及使用此封裝的光半導體裝置
TW096119083A TWI339448B (en) 2006-06-02 2007-05-29 Package for carrying optical semiconductor element and optical semiconductor device using thereof

Country Status (8)

Country Link
US (11) US9673362B2 (zh)
EP (1) EP2034526B1 (zh)
JP (2) JP4968258B2 (zh)
KR (5) KR20090013230A (zh)
CN (3) CN102983248B (zh)
MY (1) MY152165A (zh)
TW (4) TWI648877B (zh)
WO (1) WO2007142018A1 (zh)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102983248B (zh) * 2006-06-02 2017-11-14 日立化成株式会社 光半导体元件搭载用封装及使用其的光半导体装置
JP2008258530A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
KR101365621B1 (ko) 2007-09-04 2014-02-24 서울반도체 주식회사 열 방출 슬러그들을 갖는 발광 다이오드 패키지
JP5540487B2 (ja) * 2007-09-25 2014-07-02 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
EP2540776B1 (en) 2007-09-25 2017-08-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. Thermosetting light-reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting board produced therewith, method for manufacture thereof, and optical semiconductor device
JP5572936B2 (ja) * 2007-11-26 2014-08-20 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
US8637593B2 (en) 2008-01-09 2014-01-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material, and polyvalent carboxylic acid condensate
EP2631256B1 (en) 2008-01-09 2020-03-11 Hitachi Chemical Co., Ltd. Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material, and polyvalent carboxylic acid condensate
JP4586925B2 (ja) * 2008-01-09 2010-11-24 日立化成工業株式会社 熱硬化性樹脂組成物、エポキシ樹脂成形材料、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP5401905B2 (ja) * 2008-04-25 2014-01-29 日立化成株式会社 熱硬化性樹脂組成物
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP5440010B2 (ja) 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP6007891B2 (ja) * 2008-09-09 2016-10-19 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP5220526B2 (ja) * 2008-09-11 2013-06-26 昭和電工株式会社 発光装置、発光モジュール、表示装置
JP5220527B2 (ja) * 2008-09-11 2013-06-26 昭和電工株式会社 発光装置、発光モジュール
JP5220522B2 (ja) * 2008-09-09 2013-06-26 昭和電工株式会社 発光装置、発光モジュール
US8378369B2 (en) 2008-09-09 2013-02-19 Showa Denko K.K. Light emitting unit, light emitting module, and display device
JP5429177B2 (ja) * 2008-09-30 2014-02-26 日立化成株式会社 コート剤、これを用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
JP2010199166A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Panasonic Corp 光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置用リードフレームの製造方法
US8884422B2 (en) * 2009-12-31 2014-11-11 Stmicroelectronics Pte Ltd. Flip-chip fan-out wafer level package for package-on-package applications, and method of manufacture
US20110156240A1 (en) * 2009-12-31 2011-06-30 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. Reliable large die fan-out wafer level package and method of manufacture
EP2529420A1 (en) * 2010-01-25 2012-12-05 Vishay Sprague, Inc. Metal based electronic component package and the method of manufacturing the same
JP5844252B2 (ja) 2010-04-02 2016-01-13 株式会社カネカ 硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物タブレット、成形体、半導体のパッケージ、半導体部品及び発光ダイオード
KR20110114494A (ko) * 2010-04-13 2011-10-19 박재순 발광 모듈 및 발광 모듈의 제조 방법
KR20110115846A (ko) * 2010-04-16 2011-10-24 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법
JP2012028744A (ja) * 2010-06-22 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置
JP2012079723A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2012077235A (ja) * 2010-10-05 2012-04-19 Nitto Denko Corp 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
JP5602578B2 (ja) * 2010-10-19 2014-10-08 株式会社神戸製鋼所 Ｌｅｄ用リードフレーム
JP5344097B2 (ja) * 2010-11-18 2013-11-20 日立化成株式会社 半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP5885922B2 (ja) * 2010-12-28 2016-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2014517110A (ja) * 2011-05-18 2014-07-17 株式會社ネペスエーエムシー 熱硬化型光反射用樹脂組成物及びその製造方法、熱硬化型光反射用樹脂組成物によって製造された光半導体素子搭載用反射板及びそれを含む光半導体装置
JPWO2012169147A1 (ja) * 2011-06-07 2015-02-23 パナソニック株式会社 光半導体パッケージおよびその製造方法
US9013037B2 (en) * 2011-09-14 2015-04-21 Stmicroelectronics Pte Ltd. Semiconductor package with improved pillar bump process and structure
US8916481B2 (en) 2011-11-02 2014-12-23 Stmicroelectronics Pte Ltd. Embedded wafer level package for 3D and package-on-package applications, and method of manufacture
JP6034175B2 (ja) * 2012-01-10 2016-11-30 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
WO2013108814A1 (ja) * 2012-01-17 2013-07-25 大日本印刷株式会社 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法
JP2013239540A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法
JP6303344B2 (ja) * 2013-09-05 2018-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN103641998B (zh) * 2013-12-24 2016-05-04 江苏华海诚科新材料股份有限公司 Led反射杯用的白色环氧树脂组合物
US11227982B2 (en) * 2014-01-08 2022-01-18 Lumileds Llc Deep molded reflector cup used as complete LED package
JP6260593B2 (ja) * 2015-08-07 2018-01-17 日亜化学工業株式会社 リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法
TWI618615B (zh) * 2015-08-12 2018-03-21 Zhao Chang Wen Method for forming thermosetting resin package sheet
JP6237826B2 (ja) * 2015-09-30 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 パッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法
JP2017046014A (ja) * 2016-12-01 2017-03-02 日亜化学工業株式会社 光半導体装置
CN107623063B (zh) * 2017-09-29 2020-05-05 开发晶照明（厦门）有限公司 封装支架和封装支架制备方法
CN109712967B (zh) 2017-10-25 2020-09-29 隆达电子股份有限公司 一种发光二极管装置及其制造方法
US11396986B2 (en) 2019-05-23 2022-07-26 Valeo North America, Inc. Apparatus and method for masking residual visible light from an infrared emission source
CN114843253A (zh) * 2021-02-02 2022-08-02 光宝科技股份有限公司 发光装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200418210A (en) * 2003-02-18 2004-09-16 Sharp Kk Semiconductor light-emitting device, manufacturing method thereof, and electronic image pickup device
TW200617093A (en) * 2004-11-15 2006-06-01 Jsr Corp Curable liquid resin composition and method for producing multilayer body using same

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS468294Y1 (zh) 1967-09-28 1971-03-24
US4132563A (en) * 1976-08-06 1979-01-02 Marion Darrah Intraleucospheruloid/organic color pigment compositions and processes for producing same
JPS60123047A (ja) 1983-12-07 1985-07-01 Toshiba Corp 半導体装置
JP2708191B2 (ja) * 1988-09-20 1998-02-04 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH02129953A (ja) 1988-11-09 1990-05-18 Seiko Epson Corp 半導体材料
JPH0425059A (ja) 1990-05-16 1992-01-28 Nec Kyushu Ltd 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
EP0468379B1 (en) * 1990-07-21 1999-11-17 Mitsui Chemicals, Inc. Semiconductor device having a package
JPH0889789A (ja) * 1994-09-21 1996-04-09 Dainippon Ink & Chem Inc 中空粒子の製造方法
JPH0963329A (ja) * 1995-08-30 1997-03-07 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 液晶バックライト用反射シート
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2002223001A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Nichia Chem Ind Ltd 光電装置
JP3636079B2 (ja) 2001-01-26 2005-04-06 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体と発光装置
JP4066608B2 (ja) 2001-03-16 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体及びその製造方法
JP4616491B2 (ja) 2001-03-21 2011-01-19 星和電機株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US6670648B2 (en) * 2001-07-19 2003-12-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device having a reflective case
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
ATE525755T1 (de) * 2001-10-12 2011-10-15 Nichia Corp Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
US6670646B2 (en) 2002-02-11 2003-12-30 Infineon Technologies Ag Mask and method for patterning a semiconductor wafer
WO2003072655A1 (en) 2002-02-27 2003-09-04 Hitachi Chemical Co., Ltd. Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same
CN100509908C (zh) * 2002-02-27 2009-07-08 日立化成工业株式会社 封装用环氧树脂组合物及使用该组合物的电子组件
CN101429324B (zh) * 2002-02-27 2011-05-04 日立化成工业株式会社 封装用环氧树脂组合物及使用该组合物的电子组件
JP2003327667A (ja) * 2002-03-07 2003-11-19 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置
WO2004001862A1 (ja) * 2002-06-19 2003-12-31 Sanken Electric Co., Ltd. 半導体発光装置及びその製法並びに半導体発光装置用リフレクタ
JP3655267B2 (ja) 2002-07-17 2005-06-02 株式会社東芝 半導体発光装置
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
JP3991961B2 (ja) 2002-09-05 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 側面発光型発光装置
US20040061810A1 (en) 2002-09-27 2004-04-01 Lumileds Lighting, U.S., Llc Backlight for a color LCD using wavelength-converted light emitting devices
JP2004266186A (ja) 2003-03-04 2004-09-24 Hitachi Chem Co Ltd 研磨用パッド及び研磨物の製造法
JP2004266189A (ja) 2003-03-04 2004-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品用パッケージ
ITFI20030064A1 (it) 2003-03-13 2004-09-14 Perini Fabio Spa Dispositivo svolgitore automatico e continuo per erogare
WO2004081140A1 (ja) 2003-03-13 2004-09-23 Nichia Corporation 発光膜、発光装置、発光膜の製造方法および発光装置の製造方法
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
US20040265596A1 (en) 2003-04-28 2004-12-30 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device
JP4874510B2 (ja) 2003-05-14 2012-02-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
EP1637905A4 (en) * 2003-05-21 2009-08-12 Yupo Corp OPTICAL REFLECTOR AND LIGHT SOURCE DEVICE
JP4113045B2 (ja) 2003-05-26 2008-07-02 日鉄鉱業株式会社 白色粉体およびその製造方法
JP2005112965A (ja) 2003-10-07 2005-04-28 Kyocera Chemical Corp 封止用樹脂組成物および電子部品装置
JP4493013B2 (ja) * 2003-10-08 2010-06-30 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP4792726B2 (ja) * 2003-10-30 2011-10-12 日亜化学工業株式会社 半導体素子用支持体の製造方法
JP5021151B2 (ja) 2003-11-19 2012-09-05 株式会社カネカ 半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物および半導体
DE10357881A1 (de) 2003-12-11 2005-07-14 Harting Electric Gmbh & Co. Kg Dichtung zwischen einander gegenüberliegenden Dichtflächen
JP4654670B2 (ja) * 2003-12-16 2011-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2005191420A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Stanley Electric Co Ltd 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法
JP2005259972A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ
WO2005090472A1 (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Jsr Corporation 液状硬化性樹脂組成物及びそれを用いた積層体の製造方法
JP4198091B2 (ja) * 2004-06-02 2008-12-17 旭化成株式会社 発光素子封止用樹脂組成物
EP1768678A4 (en) 2004-06-30 2009-09-23 Paul L Deangelis METHODS FOR SELECTIVE TREATMENT OF DISEASES BY SPECIFIC GLYCOSAMINOGLYCAN POLYMERS
SG119379A1 (en) 2004-08-06 2006-02-28 Nippon Catalytic Chem Ind Resin composition method of its composition and cured formulation
JP5081370B2 (ja) * 2004-08-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100587020B1 (ko) * 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
JP4747726B2 (ja) * 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
US7842526B2 (en) * 2004-09-09 2010-11-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of producing same
JP2006086178A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Toshiba Corp 樹脂封止型光半導体装置
EP1806789B1 (en) 2004-10-04 2012-05-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Lighting apparatus comprising light emitting diodes and liquid crystal display comprising the lighting apparatus
JP5060707B2 (ja) 2004-11-10 2012-10-31 日立化成工業株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物
JP4608294B2 (ja) 2004-11-30 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP4359229B2 (ja) 2004-12-01 2009-11-04 三和電気工業株式会社 光ファイバケーブルのカシメパイプ挿入装置
CN101107285B (zh) * 2005-01-20 2011-01-12 住友电木株式会社 环氧树脂组合物及该组合物潜伏化的方法和半导体装置
US7710016B2 (en) * 2005-02-18 2010-05-04 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
KR100593945B1 (ko) * 2005-05-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
TW200721526A (en) * 2005-11-16 2007-06-01 Iled Photoelectronics Inc LED structure with three wavelength
US9502624B2 (en) * 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
CN102983248B (zh) * 2006-06-02 2017-11-14 日立化成株式会社 光半导体元件搭载用封装及使用其的光半导体装置
KR101308173B1 (ko) * 2006-11-15 2013-09-12 히타치가세이가부시끼가이샤 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
EP2540776B1 (en) * 2007-09-25 2017-08-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. Thermosetting light-reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting board produced therewith, method for manufacture thereof, and optical semiconductor device
TWI458139B (zh) * 2012-11-23 2014-10-21 Unity Opto Technology Co Ltd White light emitting diode module

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200418210A (en) * 2003-02-18 2004-09-16 Sharp Kk Semiconductor light-emitting device, manufacturing method thereof, and electronic image pickup device
TW200617093A (en) * 2004-11-15 2006-06-01 Jsr Corp Curable liquid resin composition and method for producing multilayer body using same

Also Published As

Publication number Publication date
CN102290517A (zh) 2011-12-21
US20180130931A1 (en) 2018-05-10
US11810778B2 (en) 2023-11-07
CN101461070B (zh) 2013-07-24
JPWO2007142018A1 (ja) 2009-10-22
US20220123186A1 (en) 2022-04-21
EP2034526A4 (en) 2014-05-14
TW201511355A (zh) 2015-03-16
TWI339448B (en) 2011-03-21
US20170263832A1 (en) 2017-09-14
KR20110113786A (ko) 2011-10-18
TWI648877B (zh) 2019-01-21
US20210296545A1 (en) 2021-09-23
KR101155231B1 (ko) 2012-06-13
US20210159374A1 (en) 2021-05-27
KR20110003601A (ko) 2011-01-12
US10326063B2 (en) 2019-06-18
MY152165A (en) 2014-08-15
KR20130063027A (ko) 2013-06-13
US20190252582A1 (en) 2019-08-15
TW201123528A (en) 2011-07-01
WO2007142018A1 (ja) 2007-12-13
US20110241055A1 (en) 2011-10-06
TW200807763A (en) 2008-02-01
KR101496066B1 (ko) 2015-03-02
TWI464918B (zh) 2014-12-11
CN102983248B (zh) 2017-11-14
US20210296546A1 (en) 2021-09-23
US20090315049A1 (en) 2009-12-24
JP4968258B2 (ja) 2012-07-04
KR20090013230A (ko) 2009-02-04
US10950767B2 (en) 2021-03-16
US20140319569A1 (en) 2014-10-30
US9673362B2 (en) 2017-06-06
US20160035951A1 (en) 2016-02-04
US10205072B2 (en) 2019-02-12
US20220123187A1 (en) 2022-04-21
CN102983248A (zh) 2013-03-20
US9076932B2 (en) 2015-07-07
TW201735402A (zh) 2017-10-01
US9608184B2 (en) 2017-03-28
EP2034526A1 (en) 2009-03-11
JP2011155277A (ja) 2011-08-11
CN101461070A (zh) 2009-06-17
EP2034526B1 (en) 2019-12-25
US9660156B2 (en) 2017-05-23
KR20140146210A (ko) 2014-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI595684B (zh) 熱固性樹脂組合物、成形材料、光半導體元件搭載用封裝及其製造方法、以及光半導體裝置
JP5060707B2 (ja) 光反射用熱硬化性樹脂組成物
JP5232369B2 (ja) 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
JP5233186B2 (ja) 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
KR20130122921A (ko) 광반도체 장치용 리드 프레임 및 그것을 이용한 광반도체 장치
US11984545B2 (en) Method of manufacturing a light emitting device
JP2015181201A (ja) 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
JP2010212717A (ja) 光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP6210575B2 (ja) 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置