CN102983248A - 光半导体元件搭载用封装及使用其的光半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及光半导体元件搭载用封装及使用其的光半导体装置。本发明提供一种光半导体元件搭载用封装，其为具有作为光半导体元件搭载区域的凹部的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，由至少形成所述凹部侧面的、包含热固性光反射用树脂组合物的树脂成型体与对向配置以形成所述凹部底面的一部分的至少一对正负引线电极一体化而成，所述对向的引线电极端部的背面和侧面相交的角带有曲线，所述对向的引线电极端部的主面和侧面相交的角突出成锐角，在所述树脂成型体和所述引线电极的接合面没有间隙。

Description

光半导体元件搭载用封装及使用其的光半导体装置
本发明是申请号为2007800205423（国际申请号为PCT/JP2007/060385）、申请日为2007年5月21日、发明名称为“光半导体元件搭载用封装及使用其的光半导体装置”的发明申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及在组合了光半导体元件和荧光体等波长变换手段的光半导体装置的制造方面有用的光半导体元件搭载用封装及使用该封装的光半导体装置。
背景技术
近年来，为了光半导体装置的小型、薄型化，具有图3所示结构的表面组装（SMD（Surfacemounted device））型的光半导体装置（发光装置）代替引线型的光半导体装置被大量使用。该表面组装型的光半导体装置通常如下制造：在具有作为光半导体元件搭载用区域的凹部的树脂成型体403和正负引线电极404一体化后的光半导体元件搭载用封装的凹部底面，通过芯片焊接材料406搭载光半导体元件（LED等）400，用接合线401将该光半导体元件400和引线电极404进行电连接后，在凹部填充包含荧光体405的透明密封树脂402，密封光半导体元件400。另外，上述光半导体元件搭载用封装通常如下制造：由成型金属模具夹入引线电极，向密闭的金属模具内注入熔融的热塑性树脂组合物后，恢复到室温使该树脂组合物固化，从而使其一体化。日本特开2002-280616号公报、日本特开2004-055632号公报和日本特开2004-342782号公报中公开了使用具有凹部的树脂成型体和正负引线电极一体化的光半导体元件搭载用封装而形成的SMD型LED装置。
发明内容
近年来，光半导体装置在其利用领域扩展的同时在苛刻的使用条件下使用的情况增多，从而要求具有比以往更高的可靠性。但是，通常用于制造上述树脂成型体的热塑性树脂组合物的线膨胀率（20～120ppm/℃）大于通常用作引线电极的铜的线膨胀率（约17ppm/℃），因此，将其一体化时会产生较大的应力，其结果是树脂成型体和引线电极的粘接性低，其间会产生数十微米等级的间隙。并且，如果树脂成型体和引线电极的粘接性低，则在弯曲引线电极的外部引线的工序中施加的应力在其间也会产生间隙，使得光半导体装置的可靠性降低。
另外，向金属模具注入树脂组合物而制作树脂成型体时如果应用注射成型，由于树脂的注射压力使金属模具有时会稍微变形或错位，此时沿着金属模具的接缝会产生间隙，从而在光半导体元件搭载用封装侧面产生树脂飞边（分型线）。该树脂飞边在成型工序中成为障碍，为了使光半导体装置小型化而精度高地沿着树脂成型体的外侧面加工外部引线变得非常困难。并且，此时在引线电极和树脂成型体的界面施加纵向应力，在上述界面从横向延伸的飞边的顶端部分会产生间隙。进而，树脂飞边也可能会剥落，该树脂飞边的剥落成为封装裂缝的主要原因，水分、杂质从该裂缝侵入，使得光半导体装置的可靠性显著降低。另外，飞边深度剥落的情况会产生孔壁，外观较差。
另外，近年来开发了在紫外区域等具有发光峰波长的光半导体元件，对于该元件也期待着适用于SMD型LED，但是紫外区域附近的光能量高，因此树脂成型体的凹部内周面（反射面）容易劣化，该内周面进一步劣化时，存在可见光的反射率也会降低的问题。
鉴于上述情况，本发明的目的在于提供树脂成型体和引线电极的粘接性良好、可靠性优异的光半导体元件搭载用封装及使用该封装的光半导体装置。
另外，本发明的其他目的在于提供固化后的、具有可见光至近紫外光的反射率高、耐光和耐热劣化性优异的凹部（反射面）的光半导体元件搭载用封装及使用该封装的光半导体装置。
即，本发明的特征在于下述（1）～（12）的事项。
（1）光半导体元件搭载用封装，其为具有作为光半导体元件搭载区域的凹部的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，由至少形成所述凹部侧面的、包含热固性光反射用树脂组合物的树脂成型体与对向配置以形成所述凹部底面的一部分的至少一对正负引线电极一体化而成，在所述树脂成型体和所述引线电极的接合面没有间隙。
（2）上述（1）所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述树脂成型体和所述正负的两个引线电极的一体化通过传递成型来进行。
（3）上述（1）或（2）所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物包含填料。
（4）上述（1）或（2）所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物为包含成分（A）环氧树脂、（B）固化剂、（C）固化促进剂、（D）无机填充剂、（E）白色颜料、（F）偶联剂，热固化后在波长350nm～800nm处的光反射率为80%以上，并且可在常温（0～35℃）下加压成型的树脂组合物。
（5）上述（4）所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述（D）无机填充剂为选自由二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氢氧化铝、氢氧化镁、硫酸钡、碳酸镁、碳酸钡构成的组中的至少一种以上。
（6）上述（4）或（5）所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述（E）白色颜料为无机中空粒子。
（7）上述（4）～（6）中任意一项所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述（E）白色颜料的平均粒径在0.1～50μm的范围。
（8）上述（4）～（7）中任意一项所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述（D）无机填充剂和所述（E）白色颜料的合计量相对所述热固性光反射用树脂组合物总量为70体积%～85体积%。
（9）上述（1）～（8）中任意一项所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物的螺旋流动为50cm～300cm。
（10）上述（1）～（9）中任意一项所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物的圆盘流动为50mm以上。
（11）上述（1）～（10）中任意一项所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物的线膨胀系数为10～30ppm/℃。
（12）光半导体装置，其特征在于，具有上述（1）～（11）中任意一项所述的光半导体元件搭载用封装、搭载在所述封装的凹部底面的光半导体元件以及覆盖所述凹部内的光半导体元件的透明密封树脂层。
根据本发明，可以提供树脂成型体和引线电极的粘接性良好、可靠性优异的光半导体元件搭载用封装及使用该封装的光半导体装置，还可以提供固化后的、具有可见光至近紫外光的反射率高、耐光和耐热劣化性优异的凹部的光半导体元件搭载用封装及使用该封装的光半导体装置。
另外，在上述本发明中，在树脂成型体和引线电极的接合面“没有间隙”是指使用SEM或金属显微镜等以200倍的倍率观察树脂成型体和引线电极相接触的界面时，在该界面没有观察到间隙的状态。
另外，本申请基于同一申请人在先提出的日本专利申请第2006-154652号（申请日2006年6月2日）主张优先权，为了参照在此引入其说明书。
附图说明
图1为表示本发明的光半导体元件搭载用封装的一个实施方式的斜视图和截面图。
图2为表示本发明的光半导体装置的一个实施方式的截面图。
图3为表示一般的SMD型LED（光半导体装置）的截面图。
图4为表示本发明的光半导体元件搭载用封装的引线电极端部的优选结构的截面图。
具体实施方式
本发明的光半导体元件搭载用封装为具有作为光半导体元件搭载区域的凹部的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，将至少形成上述凹部侧面的、包含热固性光反射用树脂组合物的树脂成型体与对向配置以形成上述凹部底面的一部分的至少一对正负引线电极进行一体化，在上述树脂成型体和上述引线电极的接合面没有间隙。另外，正引线电极的一端和负引线电极的一端优选相互对向配置以使各自的表面（主面）露出而形成凹部的底面，其间通过成型树脂分离。并且，正引线电极的另一端和负引线电极的另一端优选在刚与树脂成型体一体化后设置成从树脂成型体侧面突出，该突出的外部引线部例如像图3所示弯向封装成型体的接合面的内侧，成为J-弯曲（Bend）型正负连接端子部。不必说，本发明中的连接端子部的结构并不限于J-弯曲（Bend）型，也可以是鸥翼型等其他结构。
下面针对本发明的光半导体元件搭载用封装的各构成、制造方法以及使用该封装的光半导体装置进行详细说明。
（引线电极）
引线电极可以使用例如掺铁铜等高热传导体来构成，例如可以通过压力机冲裁加工0.15mm厚的铜合金构成的长条金属板而形成。另外，为了防止引线电极的氧化等，可以在引线电极的表面实施银、铝、金、钯或它们的合金等金属的镀覆。另外，为了提高来自发光元件的光反射率，优选使引线电极的表面变得平滑。并且，优选尽可能地增大引线电极的面积，由此可以提高散热性，可以有效地抑制配置的发光元件的温度升高，进而可以对发光元件投入比较多的电力，能够提高光输出。
另外，本发明中至少一对引线电极对向配置以形成封装的凹部底面的一部分，在该对向的引线电极端部背面和侧面相交的角优选带有曲线（参照图4的R1。这里，引线电极的背面为在封装的凹部底面露出的面（主面）的背面）。这样，对应于成型树脂注入的方向在引线电极端部设置圆角时，成型树脂的流动变得顺畅，容易在引线电极间没有间隙地填充成型树脂，从而可以确实地将引线电极间分离，并且可以强化引线电极和成型树脂体的密合性。进而，由于树脂成型体和引线电极的接合线带有曲线，可以避免在接合线的应力集中，抑制发生封装裂缝。
另一方面，对向的引线电极端部的主面和侧面相交的角优选突出成锐角（参照图4的R2）。由此可以有效地阻止成型树脂从引线电极间向引线电极主面上流出，可以防止发光元件的芯片焊接不良或导线接合不良。另外，引线电极和成型树脂的密合性提高，可以抑制在其界面的剥离。
（树脂成型体）
本发明的封装中的树脂成型体优选为将热固性光反射用树脂组合物成型得到的成型体。并且，热固性光反射用树脂组合物中优选包含填料。进而，热固性光反射用树脂组合物优选包含成分（A）环氧树脂、（B）固化剂、（C）固化促进剂、（D）无机填充剂、（E）白色颜料、（F）偶联剂。
上述（A）环氧树脂可以使用通常用作电子部件密封用环氧树脂成型材料的环氧树脂，例如存在有：以苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂为代表的将酚类与醛类的酚醛清漆树脂环氧化后的树脂；双酚A、双酚F、双酚S、烷基取代联苯酚等的二缩水甘油醚；二氨基二苯基甲烷、三聚异氰酸等多胺与表氯醇反应得到的缩水甘油胺型环氧树脂；由过乙酸等过酸氧化烯键而得到的线型脂肪族环氧树脂，以及脂环族环氧树脂等。也可以将这些树脂适当地并用几种。另外，这些树脂中优选着色相对少的树脂，可举出例如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、三缩水甘油基三聚异氰酸酯。
作为上述（B）固化剂，只要是与环氧树脂反应的固化剂就可以没有特别限制地使用，但优选着色相对少的固化剂。可举出例如酸酐系固化剂、苯酚系固化剂等。作为酸酐系固化剂可举出例如酞酸酐、马来酸酐、偏苯三酸酐、苯均四酸酐、六氢酞酸酐、四氢酞酸酐、甲基纳迪克酸酐（methylnadic anhydride）、纳迪克酸酐、戊二酸酐、甲基六氢酞酸酐、甲基四氢酞酸酐等。这些酸酐系固化剂中优选使用酞酸酐、六氢酞酸酐、四氢酞酸酐、甲基六氢酞酸酐。酸酐系固化剂优选其分子量为140～200左右的固化剂，并且优选无色或淡黄色的酸酐。这些固化剂可以单独使用，也可以并用2种以上。环氧树脂和固化剂的配合比例优选为相对于环氧树脂中的环氧基1当量，固化剂中可与环氧基反应的活性基团（酸酐或羟基）优选是0.5～1.5当量、更进一步优选是0.7～1.2当量这样的比例。活性基团少于0.5当量时，环氧树脂组合物的固化速度会变慢，同时得到的固化物的玻璃化转变温度会降低；另一方面，超过1.5当量时，耐湿性会降低。
作为上述（C）固化促进剂（固化催化剂）没有特别限制，可举出例如1,8-二氮杂-二环（5,4,0）十一碳烯-7、三乙烯二胺、三-2,4,6-二甲氨基甲基苯酚等叔胺类；2-乙基-4-甲基咪唑、2-甲基咪唑等咪唑类；三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸盐、四正丁基鏻-o,o-二乙基二硫代磷酸酯等磷化合物；季铵盐；有机金属盐类；以及它们的衍生物等。这些物质可以单独使用或者并用。这些固化促进剂（固化催化剂）中优选使用叔胺类、咪唑类、磷化合物。上述固化促进剂的含有率相对于100重量份环氧树脂优选为0.01～8.0重量份，更优选为0.1～3.0重量份。固化促进剂（固化催化剂）的含有率如果小于0.01重量份，则得不到充分的固化促进效果；另外，如果超过8.0重量份，则得到的固化物会被看到变色。
作为上述（D）无机填充材料可以使用选自由二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氢氧化铝、氢氧化镁、硫酸钡、碳酸镁、碳酸钡构成的组中的至少一种，从热传导性、光反射特性、成型性、阻燃性方面考虑优选二氧化硅、氧化铝、氧化锑、氢氧化铝的混合物。并且，无机填充材料的平均粒径没有特别限制，但为了与白色颜料的填密效率良好，优选为0.1～100μm范围。
作为上述（E）白色颜料没有特别限制，但优选为无机中空粒子，可举出例如硅酸钠玻璃、铝硅酸玻璃、硼硅酸钠玻璃、氧化铝、白色砂质沉积层（シラス）等。白色颜料的粒径优选平均粒径为0.1～50μm的范围，平均粒径小于0.1μm时，粒子容易凝集，分散性较差；超过50μm时，得不到充分的反射特性。
上述（E）白色颜料和（D）无机填充材料的总填充量（填料的填充量）优选相对于热固性光反射用树脂组合物全体为70体积%～85体积%的范围。这些填料的填充量小于70体积%时，光反射特性不足；超过85体积%时，成型性较差，基板的制作往往会变得困难。
作为上述（F）偶联剂可举出硅烷系偶联剂、钛酸酯系偶联剂等，作为硅烷偶联剂通常可以任意的附着量广泛地使用环氧硅烷系、氨基硅烷系、阳离子型硅烷系、乙烯基硅烷系、丙烯基硅烷系、巯基硅烷系及它们的复合体系等。偶联剂的种类和处理条件没有特别限制，偶联剂的配合量在热固性光反射用树脂组合物中优选为5重量%以下。
除此以外，上述热固性光反射用树脂组合物中还可以根据需要添加抗氧化剂、脱模剂、离子补充剂等。
含有如上所述成分的热固性光反射用树脂组合物在热固化前、室温（0～35℃）下优选可以加压成型，热固化后在波长350nm～800nm的光反射率优选为80%以上。上述加压成型例如可以在室温、0.5～2MPa、1～5秒钟左右的条件下进行。另外，上述光反射率小于80%时，往往不能充分利于提高光半导体装置的辉度。光反射率更优选为90%以上。
另外，上述热固性光反射用树脂组合物的螺旋流动优选为50cm～300cm，更优选为50cm～200cm，特别优选为50cm～150cm。螺旋流动小于50cm时，材料的填充性差，制品中容易产生未填充部。另一方面，螺旋流动超过300cm时，容易产生空隙，弯曲强度往往会降低。并且，圆盘流动优选为50mm以上，更优选为80mm以上。圆盘流动小于50mm时，在引线框间容易产生未填充和空隙。另外，螺旋流动为向具有螺旋状沟槽的金属模具（金属模具温度180℃）注入树脂组合物（注入压力6.9MPa），直至该树脂组合物固化所填充的螺旋长度的测定值。圆盘流动为在2片平板的金属模具（金属模具温度180℃、金属模具重量8kg）间配置5g树脂组合物，树脂组合物由于金属模具的自身重量润湿扩展的圆直径的测定值。
进而，上述热固性光反射用树脂组合物的线膨胀系数优选为10～30ppm/℃。此时，线膨胀系数可以通过热固性光反射用树脂组合物的形成固化物或成型体而求出。
另外，树脂成型体的形状如上所述只要具有作为光半导体元件搭载区域的凹部即可，没有特别限制，但凹部侧壁（反射面）优选为将来自光半导体元件的光向上方反射的形状。图1中表示本发明的光半导体元件搭载用封装110的一个实施方式，该封装110具有树脂成型体103、引线电极105、作为光半导体元件搭载区域的凹部200、Ni/Ag镀层104。
（封装的制造方法）
本发明的光半导体元件搭载用封装的制造方法没有特别限制，但优选通过传递成型对热固性光反射用树脂组合物和引线电极一体成型来进行制造。通过利用传递成型进行成型，在引线电极和树脂成型体间难以产生间隙。更具体而言，例如可以如下制造：将引线电极配置在规定形状的金属模具中，从金属模具的树脂注入口注入热固性光反射用树脂组合物，优选在金属模具温度170～190℃、成型压力2～8MPa、60～120秒钟的条件下使其固化，从金属模具取出后，在后固化温度120℃～180℃、1～3小时的条件下进行热固化。
（光半导体装置）
本发明的光半导体装置的特征在于至少具有本发明的光半导体元件搭载用封装、搭载在光半导体元件搭载用封装的凹部底面的光半导体元件以及覆盖光半导体元件而形成在凹部内的透明密封树脂层。
上述光半导体元件（发光元件）例如配置在封装的凹部内底面露出的负引线电极或正引线电极上，其n电极与负引线电极通过引线接合来连接，同样p电极与正引线电极通过引线接合来连接。另外，n电极形成在发光元件的上部、p电极形成在发光元件的下部的元件方式中，p电极通过银糊剂等芯片焊接材料粘接在正引线电极上，n电极和负引线电极通过引线接合来连接。这样，在引线电极上配置发光元件时，发光元件的散热性被提高，从而优选。在此，发光元件例如为可发蓝色光的氮化镓系化合物半导体元件，该元件例如可以如下形成：在蓝宝石衬底上形成包含n型层、活性层和p型层的氮化物半导体层，在除去活性层和p型层的一部分而露出的n型层上形成n电极，在p型层上形成p电极。
上述透明密封树脂层可以保护发光元件免受外力、水分等的影响。另外，在发光元件的电极和引线电极间用引线连接的结构中还具有保护引线的功能。另外，为了使来自发光元件的光有效地透过至外部，透明密封树脂层要求高的光透过性。作为用于透明密封树脂层的透明密封树脂的具体材料，环氧树脂、硅树脂、丙烯酸树脂等是适宜的，进而为了对来自发光元件的光具有特定的过滤效果等，也可以添加着色染料或着色颜料。
图2中表示本发明的光半导体装置的一个实施方式，即在本发明的光半导体元件搭载用封装110的光半导体元件搭载区域（凹部）200的底部规定位置搭载光半导体元件100，该光半导体元件100和引线电极105通过接合线102或焊料凸点107等公知方法进行电连接，该光半导体元件100由包含公知的荧光体106的透明密封树脂101覆盖。
实施例
下面通过实施例来说明本发明。本发明并不限于这些实施例。
实施例1
（引线框）
对厚度0.15mm的铜框应用通常的光蚀刻处理，形成包括引线电极的电路后，对该电路进行电解镀Ag，形成引线框。
[表1]
（热固性光反射用树脂组合物的组成）
环氧树脂：三缩水甘油基三聚异氰酸酯        100重量份（环氧当量100）
固化剂：六氢酞酸酐                        140重量份
固化促进剂：四正丁基鏻-o,o-二乙基二硫代磷酸酯    2.4重量份
无机填充剂：熔融二氧化硅（平均粒径20μm）  600重量份
氧化铝（平均粒径1μm）                     890重量份
白色颜料：硼硅酸钠玻璃球（平均粒径27μm）  185重量份
偶联剂：γ-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷        19重量份
抗氧化剂：9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物   1重量份
在混炼温度30～40℃、混炼时间10分钟的条件下对上述组成的材料进行辊混炼，制作热固性光反射用树脂组合物。得到的树脂组合物的螺旋流动为140cm（固化时间90秒钟），圆盘流动为85mm（固化时间90秒钟）。另外，得到的树脂组合物的固化物的光反射率为90%以上。这里，该光反射率为在成型模具温度180℃、成型压力6.9MPa、固化时间90秒钟的条件下对上述树脂组合物进行传递成型后，通过在150℃进行2小时后固化，形成厚度2.0mm的试验片，针对该试验片使用积分球型分光光度计V-750型（日本分光株式会社制造）、在波长350～850nm的条件下进行测定的值。
（光半导体元件搭载用封装的成型）
将上述得到的引线框对应位置安装在金属模具中，再将上述得到的热固性光反射用树脂组合物注入金属模具，在金属模具温度180℃、90秒钟、6.9MPa的条件下进行传递成型，制作在元件搭载区域具有凹部、且在该凹部底面露出正负引线电极的光半导体搭载用封装。
（光半导体装置的制造）
用芯片焊接材料对上述得到的光半导体搭载用封装的凹部底面的引线电极固定LED元件，通过在150℃加热1小时将LED元件固定在端子上。随后，用金属丝将LED元件和端子进行电连接。
接着，通过浇注向上述凹部流入下述组成的透明密封树脂以覆盖LED元件，在150℃加热2小时使其固化，从而制作光半导体装置（SMD型LED）。
[表2]
（透明密封树脂的组成）
加氢双酚A型环氧树脂（商品名Denacol EX252、Nagase ChemteX公司制造）                                    90重量份
脂环式环氧树脂（商品名CEL-2021P、大赛璐化学公司制造）10重量份
4-甲基六氢酞酸酐（商品名HN-5500E、日立化成工业(株)制造）90重量份
2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚BHT            0.4重量份
2-乙基-4-甲基咪唑                     0.9重量份
实施例2
[表3]
（热固性光反射用树脂组合物的组成）
环氧树脂：三缩水甘油基三聚异氰酸酯        100重量份（环氧当量100）
固化剂：六氢酞酸酐                        125重量份
固化促进剂：四正丁基鏻-o,o-二乙基二硫代磷酸酯    2.4重量份
无机填充剂：熔融二氧化硅（平均粒径20μm）  720重量份
氧化铝（平均粒径1μm）                     640重量份
白色颜料：二氧化硅球（平均粒径3μm）       435重量份
偶联剂：γ-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷  9重量份
抗氧化剂：9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物    1重量份
在混炼温度30～40℃、混炼时间10分钟的条件下对上述组成的材料进行辊混炼，制作热固性光反射用树脂组合物。得到的树脂组合物的螺旋流动为100cm（固化时间90秒钟），圆盘流动为55mm（固化时间90秒钟）。另外，得到的树脂组合物的固化物的光反射率为90%以上（350～850nm）。
进而，使用上述得到的热固性光反射用树脂组合物与实施例1同样地制作光半导体搭载用封装及光半导体装置。
对于如上所述制造的各实施例的光半导体装置，确认出引线和封装的界面的粘接力良好，在该界面没有发现间隙。另外，在85℃、85%RH中放置24小时后对树脂成型体和透明密封树脂或引线电极的界面有无剥离进行了确认，但没有发现剥离，也几乎没有发现水分的混入。从而，各实施例的光半导体装置可以说是耐回流性和耐迁移性等可靠性优异的光半导体装置。

Claims (12)

1.光半导体元件搭载用封装，其为具有作为光半导体元件搭载区域的凹部的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，由至少形成所述凹部侧面的、包含热固性光反射用树脂组合物的树脂成型体与对向配置以形成所述凹部底面的一部分的至少一对正负引线电极一体化而成，所述对向的引线电极端部的背面和侧面相交的角带有曲线，所述对向的引线电极端部的主面和侧面相交的角突出成锐角，在所述树脂成型体和所述引线电极的接合面没有间隙。
2.根据权利要求1所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述树脂成型体和所述至少一对正负引线电极的一体化通过传递成型来进行。
3.根据权利要求1或2所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物包含填料。
4.根据权利要求1或2所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物为包含成分（A）环氧树脂、（B）固化剂、（C）固化促进剂、（D）无机填充剂、（E）白色颜料、（F）偶联剂，热固化后在波长350nm～800nm处的光反射率为80%以上，并且可在常温（0～35℃）下加压成型的树脂组合物。
5.根据权利要求4所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述（D）无机填充剂为选自由二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氢氧化铝、氢氧化镁、硫酸钡、碳酸镁、碳酸钡构成的组中的至少一种以上。
6.根据权利要求4所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述（E）白色颜料为无机中空粒子。
7.根据权利要求4所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述（E）白色颜料的平均粒径在0.1～50μm的范围。
8.根据权利要求4所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述（D）无机填充剂和所述（E）白色颜料的合计量相对所述热固性光反射用树脂组合物总量为70体积%～85体积%。
9.根据权利要求1或2所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物的螺旋流动为50cm～300cm。
10.根据权利要求1或2所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物的圆盘流动为50mm以上。
11.根据权利要求1或2所述的光半导体元件搭载用封装，其特征在于，所述热固性光反射用树脂组合物的线膨胀系数为10～30ppm/℃。
12.光半导体装置，其特征在于，具有权利要求1或2所述的光半导体元件搭载用封装、搭载在所述封装的所述凹部底面的光半导体元件以及覆盖所述凹部内的所述光半导体元件的透明密封树脂层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111223977A (zh) * 2015-08-07 2020-06-02 日亚化学工业株式会社 引线架、封装以及发光装置

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101496066B1 (ko) 2006-06-02 2015-03-02 히타치가세이가부시끼가이샤 광반도체소자 탑재용 패키지 및 이것을 이용한 광반도체장치
JP2008258530A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
KR101365621B1 (ko) 2007-09-04 2014-02-24 서울반도체 주식회사 열 방출 슬러그들을 갖는 발광 다이오드 패키지
US8785525B2 (en) 2007-09-25 2014-07-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting light-reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting board produced therewith, method for manufacture thereof, and optical semiconductor device
JP5540487B2 (ja) * 2007-09-25 2014-07-02 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP5572936B2 (ja) * 2007-11-26 2014-08-20 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP4586925B2 (ja) * 2008-01-09 2010-11-24 日立化成工業株式会社 熱硬化性樹脂組成物、エポキシ樹脂成形材料、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
US8637593B2 (en) 2008-01-09 2014-01-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material, and polyvalent carboxylic acid condensate
KR101895831B1 (ko) 2008-01-09 2018-09-07 히타치가세이가부시끼가이샤 열경화성 수지 조성물, 에폭시 수지 성형 재료 및 다가 카르복시산 축합체
JP5401905B2 (ja) * 2008-04-25 2014-01-29 日立化成株式会社 熱硬化性樹脂組成物
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
US8378369B2 (en) 2008-09-09 2013-02-19 Showa Denko K.K. Light emitting unit, light emitting module, and display device
JP5220522B2 (ja) * 2008-09-09 2013-06-26 昭和電工株式会社 発光装置、発光モジュール
JP5440010B2 (ja) * 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP5220526B2 (ja) * 2008-09-11 2013-06-26 昭和電工株式会社 発光装置、発光モジュール、表示装置
JP5220527B2 (ja) * 2008-09-11 2013-06-26 昭和電工株式会社 発光装置、発光モジュール
JP6007891B2 (ja) * 2008-09-09 2016-10-19 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
MY155462A (en) * 2008-09-30 2015-10-15 Hitachi Chemical Co Ltd Coating agent, substrate for mounting optical semiconductor element using same, and optical semiconductor device
JP2010199166A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Panasonic Corp 光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置用リードフレームの製造方法
US8884422B2 (en) * 2009-12-31 2014-11-11 Stmicroelectronics Pte Ltd. Flip-chip fan-out wafer level package for package-on-package applications, and method of manufacture
US20110156240A1 (en) * 2009-12-31 2011-06-30 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. Reliable large die fan-out wafer level package and method of manufacture
KR20130036737A (ko) * 2010-01-25 2013-04-12 비쉐이 스프라그, 인코포레이티드 금속계 전자 구성요소 및 그 제조 방법
US9178120B2 (en) 2010-04-02 2015-11-03 Kaneka Corporation Curable resin composition, curable resin composition tablet, molded body, semiconductor package, semiconductor component and light emitting diode
KR20110114494A (ko) * 2010-04-13 2011-10-19 박재순 발광 모듈 및 발광 모듈의 제조 방법
KR20110115846A (ko) * 2010-04-16 2011-10-24 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법
JP2012028744A (ja) * 2010-06-22 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置
JP2012079723A (ja) 2010-09-30 2012-04-19 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2012077235A (ja) * 2010-10-05 2012-04-19 Nitto Denko Corp 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
JP5602578B2 (ja) * 2010-10-19 2014-10-08 株式会社神戸製鋼所 Ｌｅｄ用リードフレーム
CN103249559B (zh) * 2010-11-18 2015-08-05 日立化成株式会社 半导体密封填充用膜状树脂组合物、半导体装置的制造方法和半导体装置
JP5885922B2 (ja) * 2010-12-28 2016-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN103562290A (zh) * 2011-05-18 2014-02-05 纳沛斯新素材 热固型光反射用树脂组合物及其制备方法、利用其制备的光半导体元件搭载用反射板以及包括其的光半导体装置
CN102971874A (zh) * 2011-06-07 2013-03-13 松下电器产业株式会社 光半导体封装体及其制造方法
US9013037B2 (en) * 2011-09-14 2015-04-21 Stmicroelectronics Pte Ltd. Semiconductor package with improved pillar bump process and structure
US8916481B2 (en) 2011-11-02 2014-12-23 Stmicroelectronics Pte Ltd. Embedded wafer level package for 3D and package-on-package applications, and method of manufacture
JP6034175B2 (ja) * 2012-01-10 2016-11-30 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
WO2013108814A1 (ja) * 2012-01-17 2013-07-25 大日本印刷株式会社 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法
JP2013239540A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法
JP6303344B2 (ja) 2013-09-05 2018-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN103641998B (zh) * 2013-12-24 2016-05-04 江苏华海诚科新材料股份有限公司 Led反射杯用的白色环氧树脂组合物
EP3092668B1 (en) * 2014-01-08 2021-03-31 Lumileds LLC Light emitting diode package and method for manufacturing the same
TWI618615B (zh) * 2015-08-12 2018-03-21 Zhao Chang Wen Method for forming thermosetting resin package sheet
JP6237826B2 (ja) * 2015-09-30 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 パッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法
JP2017046014A (ja) * 2016-12-01 2017-03-02 日亜化学工業株式会社 光半導体装置
CN107623063B (zh) * 2017-09-29 2020-05-05 开发晶照明（厦门）有限公司 封装支架和封装支架制备方法
CN109712967B (zh) 2017-10-25 2020-09-29 隆达电子股份有限公司 一种发光二极管装置及其制造方法
US11396986B2 (en) 2019-05-23 2022-07-26 Valeo North America, Inc. Apparatus and method for masking residual visible light from an infrared emission source
CN114843253A (zh) * 2021-02-02 2022-08-02 光宝科技股份有限公司 发光装置

Family Cites Families (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS468294Y1 (zh) 1967-09-28 1971-03-24
US4132563A (en) * 1976-08-06 1979-01-02 Marion Darrah Intraleucospheruloid/organic color pigment compositions and processes for producing same
JPS60123047A (ja) 1983-12-07 1985-07-01 Toshiba Corp 半導体装置
JP2708191B2 (ja) * 1988-09-20 1998-02-04 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH02129953A (ja) 1988-11-09 1990-05-18 Seiko Epson Corp 半導体材料
JPH0425059A (ja) 1990-05-16 1992-01-28 Nec Kyushu Ltd 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
EP0468379B1 (en) * 1990-07-21 1999-11-17 Mitsui Chemicals, Inc. Semiconductor device having a package
JPH0889789A (ja) * 1994-09-21 1996-04-09 Dainippon Ink & Chem Inc 中空粒子の製造方法
JPH0963329A (ja) 1995-08-30 1997-03-07 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 液晶バックライト用反射シート
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
US6794334B2 (en) 2000-06-13 2004-09-21 Ricoh Company, Ltd. Thermo reversible recording medium, member having information memorizing part, thermo reversible recording label, method of and apparatus for image processing
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2002223001A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Nichia Chem Ind Ltd 光電装置
JP3636079B2 (ja) 2001-01-26 2005-04-06 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体と発光装置
JP4066608B2 (ja) 2001-03-16 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体及びその製造方法
JP4616491B2 (ja) 2001-03-21 2011-01-19 星和電機株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US6670648B2 (en) * 2001-07-19 2003-12-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device having a reflective case
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
JPWO2003034508A1 (ja) * 2001-10-12 2005-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US6670646B2 (en) 2002-02-11 2003-12-30 Infineon Technologies Ag Mask and method for patterning a semiconductor wafer
KR100637305B1 (ko) * 2002-02-27 2006-10-23 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 전자 부품 장치
WO2003072628A1 (en) 2002-02-27 2003-09-04 Hitachi Chemical Co., Ltd. Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same
JP2003327667A (ja) 2002-03-07 2003-11-19 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置
CN101429323B (zh) * 2002-02-27 2011-07-20 日立化成工业株式会社 封装用环氧树脂组合物及使用该组合物的电子组件
CN100338786C (zh) * 2002-06-19 2007-09-19 三垦电气株式会社 半导体发光装置及其制法和半导体发光装置用反射器
JP3655267B2 (ja) 2002-07-17 2005-06-02 株式会社東芝 半導体発光装置
JP3991961B2 (ja) 2002-09-05 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 側面発光型発光装置
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
US20040061810A1 (en) * 2002-09-27 2004-04-01 Lumileds Lighting, U.S., Llc Backlight for a color LCD using wavelength-converted light emitting devices
JP3910171B2 (ja) 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP2004266189A (ja) 2003-03-04 2004-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品用パッケージ
JP2004266186A (ja) 2003-03-04 2004-09-24 Hitachi Chem Co Ltd 研磨用パッド及び研磨物の製造法
US7923918B2 (en) 2003-03-13 2011-04-12 Nichia Corporation Light emitting film, luminescent device, method for manufacturing light emitting film and method for manufacturing luminescent device
ITFI20030064A1 (it) 2003-03-13 2004-09-14 Perini Fabio Spa Dispositivo svolgitore automatico e continuo per erogare
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
US20040265596A1 (en) * 2003-04-28 2004-12-30 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device
JP4874510B2 (ja) 2003-05-14 2012-02-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN1791811B (zh) * 2003-05-21 2011-11-30 优泊公司 光反射体及面光源装置
JP4113045B2 (ja) * 2003-05-26 2008-07-02 日鉄鉱業株式会社 白色粉体およびその製造方法
JP2005112965A (ja) 2003-10-07 2005-04-28 Kyocera Chemical Corp 封止用樹脂組成物および電子部品装置
JP4493013B2 (ja) * 2003-10-08 2010-06-30 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP4792726B2 (ja) * 2003-10-30 2011-10-12 日亜化学工業株式会社 半導体素子用支持体の製造方法
JP5021151B2 (ja) * 2003-11-19 2012-09-05 株式会社カネカ 半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物および半導体
DE10357881A1 (de) 2003-12-11 2005-07-14 Harting Electric Gmbh & Co. Kg Dichtung zwischen einander gegenüberliegenden Dichtflächen
JP4654670B2 (ja) * 2003-12-16 2011-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2005191420A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Stanley Electric Co Ltd 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法
JP2005259972A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ
CN1922267B (zh) 2004-03-22 2012-03-28 捷时雅股份有限公司 液状固化性树脂组合物及使用了它的叠层体的制造方法
JP4198091B2 (ja) * 2004-06-02 2008-12-17 旭化成株式会社 発光素子封止用樹脂組成物
WO2006033693A2 (en) 2004-06-30 2006-03-30 Deangelis Paul L Methods of selectively treating diseases with specific glycosaminoglycan polymers
SG119379A1 (en) 2004-08-06 2006-02-28 Nippon Catalytic Chem Ind Resin composition method of its composition and cured formulation
JP5081370B2 (ja) * 2004-08-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100587020B1 (ko) * 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
JP4747726B2 (ja) * 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
US7842526B2 (en) 2004-09-09 2010-11-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of producing same
JP2006086178A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Toshiba Corp 樹脂封止型光半導体装置
KR100867970B1 (ko) 2004-10-04 2008-11-11 가부시끼가이샤 도시바 발광 장치 및 그것을 이용한 조명 기구 또는 액정표시장치
JP5060707B2 (ja) * 2004-11-10 2012-10-31 日立化成工業株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物
TW200617093A (en) 2004-11-15 2006-06-01 Jsr Corp Curable liquid resin composition and method for producing multilayer body using same
JP4608294B2 (ja) 2004-11-30 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP4359229B2 (ja) 2004-12-01 2009-11-04 三和電気工業株式会社 光ファイバケーブルのカシメパイプ挿入装置
KR101250033B1 (ko) * 2005-01-20 2013-04-02 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 에폭시 수지 조성물, 그 잠복화 방법 및 반도체 장치
US7710016B2 (en) * 2005-02-18 2010-05-04 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
TW200632445A (en) 2005-03-09 2006-09-16 Exploit Technology Co Ltd Light reflection-diffusion sheet and method for manufacturing the same and display apparatus employing the same
KR100593945B1 (ko) * 2005-05-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
TW200721526A (en) * 2005-11-16 2007-06-01 Iled Photoelectronics Inc LED structure with three wavelength
US9502624B2 (en) * 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
KR101496066B1 (ko) * 2006-06-02 2015-03-02 히타치가세이가부시끼가이샤 광반도체소자 탑재용 패키지 및 이것을 이용한 광반도체장치
WO2008059856A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 Hitachi Chemical Co., Ltd. Heat curable resin composition for light reflection, process for producing the resin composition, and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition
US8785525B2 (en) * 2007-09-25 2014-07-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting light-reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting board produced therewith, method for manufacture thereof, and optical semiconductor device
TWI458139B (zh) * 2012-11-23 2014-10-21 Unity Opto Technology Co Ltd White light emitting diode module

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111223977A (zh) * 2015-08-07 2020-06-02 日亚化学工业株式会社 引线架、封装以及发光装置
CN111223977B (zh) * 2015-08-07 2023-04-07 日亚化学工业株式会社 引线架、封装以及发光装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201123528A (en) 2011-07-01
US9660156B2 (en) 2017-05-23
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CN101461070B (zh) 2013-07-24
CN101461070A (zh) 2009-06-17
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TWI595684B (zh) 2017-08-11
EP2034526A4 (en) 2014-05-14
TWI339448B (en) 2011-03-21
US20160035951A1 (en) 2016-02-04
US20180130931A1 (en) 2018-05-10
US10326063B2 (en) 2019-06-18
JPWO2007142018A1 (ja) 2009-10-22
KR20130063027A (ko) 2013-06-13
US20210296545A1 (en) 2021-09-23
JP2011155277A (ja) 2011-08-11
US11810778B2 (en) 2023-11-07
KR101496066B1 (ko) 2015-03-02
US10950767B2 (en) 2021-03-16
US20110241055A1 (en) 2011-10-06
US20220123186A1 (en) 2022-04-21
KR101155231B1 (ko) 2012-06-13
US9608184B2 (en) 2017-03-28
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JP4968258B2 (ja) 2012-07-04
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US10205072B2 (en) 2019-02-12
US20140319569A1 (en) 2014-10-30
US20090315049A1 (en) 2009-12-24
KR20140146210A (ko) 2014-12-24
TWI464918B (zh) 2014-12-11
KR20110113786A (ko) 2011-10-18
US11984545B2 (en) 2024-05-14
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Applicant after: Hitachi Chemical Co., Ltd.

Address before: Tokyo, Japan, Japan

Applicant before: Hitachi Chemical Co., Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
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Address after: Japan Tokyo Chiyoda Marunouchi yidingmu 9 No. 2

Patentee after: Showa electrical materials Co., Ltd

Address before: Japan Tokyo Chiyoda Marunouchi yidingmu 9 No. 2

Patentee before: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
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Effective date of registration: 20210203

Address after: No.4, eling Industrial Zone, egongling community, Pinghu street, Longgang District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee after: Shenzhen Jufei Optoelectronics Co.,Ltd.

Address before: Japan Tokyo Chiyoda Marunouchi yidingmu 9 No. 2

Patentee before: Showa electrical materials Co., Ltd

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