JP5220522B2 - 発光装置、発光モジュール - Google Patents
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Description
さらに、導体部における銀メッキ層の光沢度が、0.5以上且つ0.7以下であることを特徴とすることができる。
さらにまた、封止樹脂が、シリコン樹脂にて構成されることを特徴とすることができる。
さらに、導体部における銀メッキ層の光沢度が、0.5以上且つ0.7以下であることを特徴とすることができる。
さらにまた、可視領域における樹脂容器および導体部の銀メッキ層の光反射率が85%以上98%以下であることを特徴とすることができる。
そして、凹部の底面に露出する導体部の面積が、底面の全面積の半分以上に設定されることを特徴とすることができる。
さらに、発光装置の導体部における銀メッキ層の光沢度が、0.5以上且つ0.7以下であることを特徴とすることができる。
<実施の形態1>
図1は、本実施の形態が適用される液晶表示装置の全体構成を示す図である。この液晶表示装置は、液晶表示モジュール50と、この液晶表示モジュール50の背面側(図1では下部側)に設けられるバックライト装置10とを備えている。
この半導体発光素子64は、n型電極およびp型電極を有しており、ボンディングワイヤを介して、p型電極がアノード用リード部62に、n型電極がカソード用リード部63に、それぞれ接続されている。なお、本実施の形態で用いた発光装置60では、図3(a)に示すように、半導体発光素子64が、円形状を有する底面70のほぼ中央部に取り付けられている。
この発光装置60においては、図3(b)に示すように、出射面65cの中央部が樹脂容器61の上面よりも凹んでおり、その凹み量dが上面から−20μm〜−100μmの範囲に設定されている。凹み量dは、樹脂容器61の開口端の高さと、出射面65cの最低高さとの差になる。なお、ここでは、樹脂容器61の開口端の高さを基準(0)としたとき、半導体発光素子64に近づく側をマイナス(−)としている。したがって、凹み量dが上面から−20μm〜−100μmの範囲とは、樹脂容器61の開口端の高さを0μmとしたときに、出射面65cの最低高さが上面よりも20μm〜100μmの範囲で半導体発光素子64側に位置していることを意味する。
アノード用リード部62を正極とし、カソード用リード部63を負極として半導体発光素子64に電流を流すと、半導体発光素子64は青色光を出力する。半導体発光素子64から出力された青色光は、封止樹脂65内を進行し、直接あるいは底面70や壁面80で反射した後に出射面65cから外部に出射される。但し、出射面65cに向かう光の一部は、出射面65cで反射し、再び封止樹脂65内を進行する。この間、封止樹脂65内において、青色光の一部は蛍光体粉体65aによって緑色光および赤色光に変換され、変換された緑色光および赤色光は、直接あるいは底面70や壁面80で反射した後、青色光と共に出射面65cから外部に出射される。したがって、出射面65cからは、青色光、緑色光および赤色光を含む白色光が出射されることになる。
まず、アノード用リード部62およびカソード用リード部63を一体化したリードフレームに、白色樹脂を射出成形して、凹部61aを有する樹脂容器61を形成する。次いで、樹脂容器61の凹部61aの底面70に露出するカソード用リード部63上に半導体発光素子64を接着固定し、ボンディングワイヤによって半導体発光素子64のp型電極、n型電極と、アノード用リード部62、カソード用リード部63とを、それぞれ接続する。
図5は、本実施の形態が適用される発光装置60の構成を説明するための図である。ここで、図5(a)は発光装置60の上面図を、図5(b)は図5(a)のVB−VB断面図を、それぞれ示している。
図6は、実施例および比較例に用いた各試料とその構成との関係を示す図である。
この実験では、寸法の異なる3種類の樹脂容器61を用意した。ここで第1の樹脂容器61(Type1と呼ぶ)は、上面における縦横の大きさが3.5mm×2.8mmであり、第2の樹脂容器61(Type2)は、上面における縦横の大きさが3.8mm×0.8mmであり、第3の筐体(Type3)は上面における縦横の大きさが5.0mm×5.5mmである。また、Type1〜Type3の樹脂容器61を構成する白色樹脂の可視領域における光吸収率は7%である。なお、Type1およびType2の樹脂容器61を有する発光装置60は、図3に示した構造を有しており、それぞれには1個の半導体発光素子64が搭載されている。一方、Type3の樹脂容器61を有する発光装置60は、図5に示した構造を有しており、3個の半導体発光素子64(第1半導体発光素子64a、第2半導体発光素子64b、第3半導体発光素子64c)が搭載されている。
Type1およびType2の樹脂容器61を有する試料S1、S2、S4、S5、S7、S8、S10、S11、S13、S14、S16、S17、S19、S20は、1枚のリードフレームに対し、白色樹脂にて144個の樹脂容器61を形成して作成した。一方、Type3の筐体を有する試料S3、S6、S9、S12、S15、S18、S21は、1枚のリードフレームに対し、白色樹脂にて40個の樹脂容器61を形成して作成した。なお、試料S1〜S21のそれぞれにおいて、樹脂容器61の凹部61aの深さはすべて0.6mmである。
Claims (12)
- 凹部を有する樹脂容器と、
金属導体と、当該金属導体の表面に形成された0.3以上且つ1.0以下の光沢度(JISZ8741:入射角=60°)を有する銀メッキ層とを有し、前記樹脂容器の前記凹部の内側に露出した状態で配置される導体部と、
前記凹部の内側に設けられ、前記導体部と電気的に接続される発光素子と、
前記発光素子から出力される光に対する透光性を有し、前記凹部において当該発光素子を封止する封止樹脂と
を含む発光装置。 - 前記樹脂容器は、白色顔料を用いて白色化されており、前記凹部において露出する当該樹脂容器および前記銀メッキ層の、可視領域における光吸収率が12%未満であることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記導体部における前記銀メッキ層の光沢度が、0.5以上且つ0.7以下であることを特徴とする請求項1または2記載の発光装置。
- 前記封止樹脂が、シリコン樹脂にて構成されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項記載の発光装置。
- 底面と、当該底面の周縁から立ち上がる壁面とを含む凹部を備えた樹脂容器と、
金属導体と、当該金属導体の表面に形成された0.3以上且つ1.0以下の光沢度(JISZ8741:入射角=60°)を有する銀メッキ層とを有し、前記樹脂容器の前記凹部の前記底面に露出した状態で配置される導体部と、
前記凹部の前記底面に取り付けられ、前記導体部と電気的に接続される発光素子と、
前記発光素子から出力される光に対する透光性を有し、前記凹部において当該発光素子を封止する封止樹脂と
を含む発光装置。 - 前記樹脂容器が、チタニア微粒子を含む樹脂にて構成され、前記凹部において露出する当該樹脂容器および前記銀メッキ層の、可視領域における光吸収率が12%未満であることを特徴とする請求項5記載の発光装置。
- 前記導体部における前記銀メッキ層の光沢度が、0.5以上且つ0.7以下であることを特徴とする請求項5または6記載の発光装置。
- 可視領域における前記樹脂容器および前記導体部の前記銀メッキ層の光反射率が85%以上98%以下であることを特徴とする請求項5ないし7のいずれか1項記載の発光装置。
- 前記凹部の前記底面に露出する前記導体部の面積が、当該底面の全面積の半分以上に設定されることを特徴とする請求項5ないし8のいずれか1項記載の発光装置。
- 基板と、
前記基板に取り付けられる複数の発光装置とを備え、
前記発光装置は、
凹部を有する樹脂容器と、
金属導体と、当該金属導体の表面に形成された0.3以上且つ1.0以下の光沢度(JISZ8741:入射角=60°)を有する銀メッキ層とを有し、前記樹脂容器の前記凹部の内側に露出した状態で配置される導体部と、
前記凹部の内側に設けられ、前記導体部と電気的に接続される発光素子と、
前記発光素子から出力される光に対する透光性を有し、前記凹部において当該発光素子を封止する封止樹脂と
を有することを特徴とする発光モジュール。 - 前記発光装置の前記樹脂容器は、白色顔料を用いて白色化されており、前記凹部において露出する当該樹脂容器および前記銀メッキ層の、可視領域における光吸収率が12%未満であることを特徴とする請求項10記載の発光モジュール。
- 前記発光装置の前記導体部における前記銀メッキ層の光沢度が、0.5以上且つ0.7以下であることを特徴とする請求項10または11記載の発光モジュール。
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