TWI425655B - A light emitting device, a light emitting module, and a display device - Google Patents

A light emitting device, a light emitting module, and a display device Download PDF

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TWI425655B TW098130222A TW98130222A TWI425655B TW I425655 B TWI425655 B TW I425655B TW 098130222 A TW098130222 A TW 098130222A TW 98130222 A TW98130222 A TW 98130222A TW I425655 B TWI425655 B TW I425655B
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Takaharu Hoshina
Tomoyuki Takei
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Showa Denko Kk
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Description

發光裝置、發光模組、顯示裝置
本發明乃關於使用發光元件之發光裝置、發光模組、顯示裝置。
近年來，經由對於行動電話之液晶顯示器之背照光採用所謂白色LED(LED：Light Emitting Diode)之時，飛躍性地擴大白色LED之生產性。在此，白色LED的封裝乃具備半導體發光元件(LED)之發光裝置者，例如於具有凹部之白色樹脂罩體的凹部內側，呈使引線架露出地加以配置，並於露出於凹部的內側之引線架，安裝安裝半導體發光元件之同時，電性連接此等，被覆半導體發光元件地形成含有螢光體於凹部之密封樹脂所成者。今後，在行動電話機以外的用途，亦期待對於液晶顯示器之背照光廣泛使用白色LED。另外，伴隨著對於液晶顯示器之背照光的使用量增加，在其他的照明領域亦檢討採用。
對於液晶顯示器之背照光使用白色LED之情況，為了將大畫面盡可能以少電力而得到規定之亮度，而更要求搭載白色LED之封裝的高效率化。
但在上述之白色LED之封裝，在半導體發光元件所產生的光並非完全被有效的利用，而存在有光封入於封裝內部而無發放出之部分。密封樹脂係一般為1.4~1.5之折射率，空氣的折射率乃1之故，經由折射率的不同而以一定之入射角以下所入射的光乃反射返回原來。當假設於球面的中心有發光體(例如半導體發光元件)時，從發光體所輸出之所有的光係因對於境界面而言直角地入射之故，而不會被反射，而認為光的取出效率乃最高。因此，提案多數有製作半球狀之透鏡而於其中心配發光體之發光裝置(封裝)。但，當實際製作發光裝置時，在如此的構成中，無法得到充分之發光效率者。
另外，作為公報記載之以往的技術，存在有於樹脂容器，設置具有使為了對於發光元件進行供電之金屬導線部露出的底部，和從底部周緣立起之壁部的凹部，於凹部的底部設置發光元件，電性連接金屬導線部與發光元件之同時，將安裝有發光元件的凹部，以透過來自發光元件的光之密封樹脂加以密封的發光裝置(參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻1]
[專利文獻1]日本特開2008-91818號公報
利用LED等之發光元件的照明乃將作為液晶顯示器之背照光所採用之情況，作為需要之中心而發展。但在現狀中，朝行動電話機之小型的顯示器為主體，對於電腦用顯示器或大型TV等之大面積之液晶顯示器用係幾乎未被採用。此係如上述，認為未能確保充分的光輸出之故。
對此，例如使LED等之發光元件本身的亮度提昇之手法有做各種檢討，但僅此並不充分，要求經由其他的方法手段的檢討。然而，如此之課題係並非局限於上述之白色LED之封裝，而在將發光元件收容於樹脂容器加以構成之發光裝置乃為共通之構成。
本發明之目的乃使從發光裝置所輸出的光之取出效率提昇者。
有關目的之根本，適用本發明之發光裝置乃包含具有凹部之樹脂容器，和具有金屬導體，和具有形成於金屬導體的表面之0.3以上且1.0以下之光澤度的鍍銀層，在露出於樹脂容器之凹部的內側狀態加以配置之導體部，和設置於凹部的內側，與導體部電性連接之發光元件，和具有對於從發光元件所輸出的光而言之透光性，在凹部密封發光元件之密封樹脂。
在如此之發光裝置，其特徵乃導體部係經由由具有0.3以上且1.0以下之光澤度的鍍銀層所得到之藍氏反射體型之反射特性，使來自發光元件的光反射者。
另外，其特徵乃密封樹脂係包含對於發光元件之發光波長而言，透明之透明樹脂，和將分散於透明樹脂之發光元件的發光波長變換成更長波長的光之螢光體者。
更且，其特徵乃密封樹脂係具有將從發光元件所輸出的光射出於外部之射出面，射出面係具有從與樹脂容器之境界部側朝中央部側凹陷之凹部形狀，射出面之凹陷量乃設定為20μm以上且100μm以下之範圍者。
又另外，其特徵乃對於凹部的內側，係安裝複數發光元件者。
另外，其特徵乃樹脂容器係使用白色顏料而加以白色化者。
更且，其特徵乃在導體部之鍍銀層的光澤度為0.5以上且0.7以下者。
又另外，其特徵乃密封樹脂乃由矽樹脂加以構成者。
另外，從其他的觀點來看，適用本發明之發光裝置乃包含具備含有底面，和從底面周緣立起之壁面的凹部之樹脂容器，和具有金屬導體，和具有形成於金屬導體的表面之0.3以上且1.0以下之光澤度的鍍銀層，在露出於樹脂容器之凹部的底面狀態加以配置之導體部，和設置於凹部的底面，與導體部電性連接之發光元件，和具有對於從發光元件所輸出的光而言之透光性，在凹部密封發光元件之密封樹脂。
在如此之發光裝置，其特徵乃導體部係經由由具有0.3以上且1.0以下之光澤度的鍍銀層所得到之藍氏反射體型之反射特性，使來自發光元件的光反射者。
另外，其特徵乃密封樹脂係包含對於發光元件之發光波長而言，透明之透明樹脂，和將分散於透明樹脂之發光元件的發光波長變換成更長波長的光之螢光體，發光元件係安裝於與底面之中心位置不同之位置者。
更且，其特徵乃樹脂容器乃由包含二氧化鈦微粒子之樹脂加以構成者。
更且，其特徵乃在導體部之鍍銀層的光澤度為0.5以上且0.7以下者。
更且，其特徵乃在可視範圍之樹脂容器及導體部之鍍銀層的光反射率為85%以上且98%以下者。
更且，其特徵乃露出於凹部的底面之導體部的面積乃設定為底面之全面積的一半以上者。
另外，從其他的觀點來看，適用本發明之發光模組，其特徵乃具備基板，和安裝於基板之複數的發光裝置，而發光裝置係具有：具有凹部之樹脂容器，和金屬導體，和具有形成於金屬導體的表面之0.3以上且1.0以下之光澤度的鍍銀層，在露出於樹脂容器之凹部的內側狀態加以配置之導體部，和設置於凹部的內側，與導體部電性連接之發光元件，和具有對於從發光元件所輸出的光而言之透光性，在凹部密封發光元件之密封樹脂者。
在如此之發光模組，其特徵乃發光裝置之導體部係經由由具有0.3以上且1.0以下之光澤度的鍍銀層所得到之藍氏反射體型之反射特性，使來自發光元件的光反射者。
另外，其特徵乃發光裝置之密封樹脂係包含對於發光元件之發光波長而言，透明之透明樹脂，和將分散於透明樹脂之發光元件的發光波長變換成較長波長的光之螢光體者。
更且，其特徵乃發光裝置之發光元件係安裝於與底面之中心位置不同之位置者。
另外，其特徵乃發光裝置之樹脂容器係使用白色顏料而加以白色化者。
更且，其特徵乃在發光裝置之導體部之鍍銀層的光澤度為0.5以上且0.7以下者。
另外，從其他的觀點來看，本發明係屬於包含進行畫像顯示之顯示面板，和設置於顯示面板之背面，從顯示面反之背面側照射光的背照光之顯示裝置，其特徵乃背照光係具備基板，和安裝於基板之複數的發光裝置，而發光裝置係具有：具有凹部之樹脂容器，和具有金屬導體，和具有形成於金屬導體的表面之0.3以上且1.0以下之光澤度的鍍銀層，在露出於樹脂容器之凹部的內側狀態加以配置之導體部，和設置於凹部的內側，與導體部電性連接之發光元件，和對於發光元件之發光波長而言，透明之透明樹脂，和將分散於透明樹脂之發光元件的發光波長變換成更長波長的光之螢光體，在凹部密封發光元件之密封樹脂者。
在如此之顯示裝置，其特徵乃發光裝置之導體部係經由由具有0.3以上且1.0以下之光澤度的鍍銀層所得到之藍氏反射體型之反射特性，使來自發光元件的光反射者。
另外，其特徵乃發光裝置之樹脂容器係使用白色顏料而加以白色化者。
更且，其特徵乃在發光裝置之導體部之鍍銀層的光澤度為0.5以上且0.7以下者。
如根據本發明，可使從發光裝置所輸出的光之取出效率提昇者。
以下，參照附加圖面，對於本發明之實施型態加以詳細說明。
＜實施形態1＞
圖1乃顯示適用本實施形態之液晶顯示裝置之全體構成的圖。其液晶顯示裝置乃具備液晶顯示模組50，和設置於其液晶顯示模組50的背面側(在圖1中係下部側)之背照光裝置10。
背照光裝置10係具備背照光框體11，各配列半導體發光元件，收容於背照光框體11之複數的發光模組12。另外，背照光裝置10乃具備作為光學薄膜之層積體，為了將面全體作為均一的亮度而使光線作為散亂‧擴散的板(或薄膜)之擴散板13，和具有對於前方的集光效果之稜鏡片14，15。又，因應需要，具備為了使亮度提昇之擴散‧反射型之亮度提昇薄膜16。
另一方面，液晶顯示模組50乃具備：經由2片的玻璃基板而夾持液晶所構成之液晶面板51，和層積於其各液晶面板51之玻璃基板，為了將光波的振動限制於特定之方向之偏光板52，53。更且，對於本液晶顯示裝置，亦裝置有未圖示之驅動用LS1等之周邊構件。
作為顯示面板之一例的液晶面板51係含有未圖示之各種構成要素所構成。例如，於2片的玻璃基板，設置有未圖示之顯示電極，薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)等之主動元件，液晶，墊片，密封劑，配向膜，共通電極，保護膜，彩色濾光片等。
圖2(a)、(b)乃為了說明背照光裝置10之構成的圖。在此，圖2(a)乃將安裝有發光模組12之背照光框體11，從圖1所示之液晶顯示模組50側而視之上面圖，圖2(b)乃圖2(a)之IIB-IIB剖面圖。在本實施型態中，採用於液晶顯示模組50之背面正下方放置光源之正下方型之背照光構造。並且，在此背照光構造中，對於液晶顯示模組50之背面全體而言，略均等地配列有具有發光元件之發光裝置60。然而，在本實施型態所使用之發光裝置60係一般稱作LED封裝之構成。
背照光框體11乃形成例如由鋁或鎂，鐵，或含有此等之金屬合金等所生成之框體構造。並且，對於其框體構造之內側，係例如貼合具有白色高反射之性能的聚酯膜等，並亦作為反射器而發揮機能。作為其框體構造，係具備對應於液晶顯示模組50的尺寸所設置之背面部11a，和圍著其背面部11a的四角之側面部11b。並且，對於其背面部11a上係可設置散熱片18。
在圖2(a)所示的例中，設置複數(在此例中為8片)發光模組12。並且，各發光模組12係經由各複數(在此例中，對於1片之發光模組12而言為2支)之螺絲17，介入散熱片18而固定於背照光框體11。
發光模組12係具備作為基板之一例的配線基板20，和安裝於其配線基板20之複數(在此例中為28個)之發光裝置60。然而，各發光裝置60係經由具備後述之構成之時，各自乃呈輸出白色光。
圖3(a)、(b)乃為了說明在本實施型態所使用之發光裝置60之構成的圖。在此，圖3(a)乃顯示發光裝置60之上面圖，圖3(b)乃顯示圖3(a)之IIIB-IIIB剖面圖。
其發光裝置60係具備：於上部側形成有凹部61a之樹脂容器61，和由與樹脂容器61一體化之引線架所成之陽極用導線部62及陰極用導線部63，和安裝於凹部61a之底面70的半導體發光元件64，和呈被覆凹部61a所設置之密封樹脂65。然而，在圖3(a)，係省略密封樹脂65之記載。
樹脂容器61係經由於含有陽極用導線部62及陰極用導線部63之金屬導線部，射出成型含有白色顏料之熱可塑性樹脂(在以下之說明中稱作白色樹脂)之時而加以形成。
構成其樹脂容器61之白色樹脂係可視光的光反射率乃85%以上，呈成為98%以下地調整白色顏料的含有率，粒徑等。換言之，樹脂容器61之可視光的光吸收率乃作為未達15%。作為白色顏料，係使用將二氧化鈦(氧化鈦)作為微粒子化之構成者為佳。二氧化鈦係比較於其他的白色顏料，折射率為高，另外光吸收率為低之故，對於本實施型態之樹脂容器61可適當地使用。其他的白色顏料，例如氧化鋁係比較於二氧化鈦，白色度乃大幅下降之故，與二氧化鈦做比較並不理想。但，二氧化鈦係有光觸媒作用之故，有著使樹脂產生變質之虞。因此，對於二氧化鈦而言，以氧化鋁等進行表面處理者為佳。當其表面處理並不充分時，構成樹脂容器61之樹脂乃產生變質而吸收特定之波長之故，有著引起經時性之色度座標的變化。隨之，作為白色顏料之二氧化鈦的選定及其添加量係為重要。對於為了使樹脂容器61之光反射率提昇，增加二氧化鈦的添加量者為佳，但對於為了以射出成型等製作樹脂容器61之形式，係亦有流動性低下的面，對於其添加量係有上限。
另外，因在製造工程加上回焊等之溫度的工程乃複數之故，白色樹脂係選定亦充分考慮耐熱性之材質。作為成為基材之樹脂，PPA(polyphthalamide)乃最為一般，但亦可為液晶聚合物，環氧樹脂，聚苯乙烯等。
設置於樹脂容器61之凹部61a係具備具有圓形狀之底面70，和從底面70之周緣朝向樹脂容器61之上部側呈擴展地立起之壁面80。在此，底面70係經由露出於凹部61a之陽極用導線部62及陰極用導線部63，和露出於陽極用導線部62及陰極用導線部63之間的間隙之樹脂容器61的白色樹脂加以構成。但，底面70之一半以上的範圍乃根據陽極用導線部62及陰極用導線部63所佔據。另一方面，壁部80係經由構成樹脂容器61之白色樹脂加以構成。然而，對於底面70的形狀係亦可為圓形、矩形、橢圓形、多角形之任一。然而，對於壁面80的形狀係亦可為圓形、矩形、橢圓形、多角形之任一，另外亦可與底面形狀同一，而亦可如本實施型態為不同。
作為導電部之一例的陽極用導線部62及陰極用導線部63係各一部分夾持於樹脂容器61內而加以保持之同時，其他的一部分乃露出於樹脂容器61之外部，成為為了施加電流於半導體發光元件64之端子。將表面安裝作為前提時，如圖3(b)所示，將陽極用導線部62及陰極用導線部63各彎曲於樹脂容器61之背側，於樹脂容器61之底部設置其前端者為佳。
另外，陽極用導線部62及陰極用導線部63即引線架係具有0.1~0.5mm程度厚度之金屬板，將銅合金之金屬導體作為基底，於其表面，經由施以鍍銀而形成鍍銀層。隨之，對於凹部61a之底面70係露出有陽極用導線部62及陰極用導線部63之鍍銀層。此等陽極用導線部62及陰極用導線部63之光反射率，即鍍銀層之光反射率乃85%以上98%以下者為佳。另外，陽極用導線部62及陰極用導線部63之光澤度乃0.3以上且1.0以下之範圍內，更理想為作為0.5以上且0.7以下之範圍內者為佳。在此，光澤度係由JISZ8741所規定之構成，在此係將入射光的入射角作為60°之情況的值。
一般，經由檢討鍍銀之條件之時，可控制其表面之凹凸的狀態者。對於引線架之鍍銀係經由青酸溶液之電解電鍍乃為一般性。在電解電鍍中，一旦銀析出時乃成為突起，於其凸起處因容易集中電流之故，突起周邊乃更成長。作為其結果，容易引起所謂樹枝狀析出。特別是在銀的電解電鍍中，此傾向為顯著。當加速成膜速度而進行青酸溶液之銀電解時，成為所謂無光澤白色電鍍。此係顯示極接近藍氏反射之光反射特性，但光吸收率變的比較高，超過10%。對此，在進行鍍銀時，當放入Se等之光澤劑時，可控制樹枝狀成長而平順化，得到接近於完全鏡面反射特性的面。此情況，當至得到完全鏡面而添加光澤劑時，於析出面殘留添加劑，光吸收率將變高。鍍銀表面之形狀(光澤度)係經由分派鍍銀之Ag+ 的濃度，溫度，pH，青酸離子濃度，其他的陽離子、陰離子添加，電流密度，有機物添加劑等之條件之時，可做適宜調整。
半導體發光元件64係於露出於凹部61a之底面70的陰極用導線部63上，以矽樹脂或環氧樹脂所成之晶片黏合劑所黏接加以固定。
其半導體發光元件64係具有n型電極及p型電極，藉由銲接線而將p型電極連接於陽極用導線部62，將n型電極連接於陰極用導線部63。然而，在本實施型態所使用之發光裝置60中，如圖3(a)所示，半導體發光元件64乃安裝於具有圓形狀之底面70之略中央部。
半導體發光元件64係發射具有主發光峰值之藍色光於430nm以上500nm以下之波長範圍者，至少具備形成於藍寶石基板上之AlN所成之種子層，和形成於種子層上之基底層，和將GaN作為主體之層積半導體層。積半導體層係從基板側，依基底層，n型半導體層，發光層，p型半導體層的順序加以層積所構成。
密封樹脂65係由吸收半導體發光元件64所發射的光而發射更長波長的光之兩種類以上的螢光體(以下，稱之螢光體粉體)65a，和在均一地使螢光體粉體65a分散之狀態而含有之透明樹脂65b加以構成。在此例中，螢光體粉體65a係包含吸收半導體發光元件64所發射的藍色光而發射綠色光之綠色螢光體，和吸收半導體發光元件64所發射的藍色光而發射紅色光之紅色螢光體。然而，紅色螢光體係因綠色螢光體所發射的光亦被激發之故，經由綠及紅的螢光體之比例，從發光裝置60所輸出的光之色度的變動係產生複雜變化。對於如此之色鍍的調節，係對於半導體發光元件64之發光波長與綠及紅的螢光體的比率，和根據密封樹脂65之螢光體的濃度，和密封樹脂65之上面即射出光的射出面65c之形狀有關。
在其發光裝置60，經由半導體發光元件64所發射的藍色光，和含於螢光體粉體65a之綠色螢光體所發射的綠色光，和含於同樣之螢光體粉體65a的紅色螢光體所發射的紅色光，藍，綠，紅之3原色則到齊。因此，從密封樹脂65之射出面65c係成為射出白色光。作為液晶顯示裝置之背照光而使用其白色光情況之色再現範圍係由半導體發光元件64之主發光峰值的波長及半值寬度，和螢光體粉體65a之發光峰值的波長及半值寬度所決定。
最佳使用於上述之螢光體粉體65a的綠色螢光體係矽酸鹽系螢光體(BaSiO4 ：Eu2+ )為佳，另外，紅色螢光體係氮化物螢光體(CaAlSiN3 ：Eu2+ )為佳。此等綠色螢光體及紅色螢光體乃比較於真密度為3.5g/cm3 ～4.7g/cm3 為低，平均粒徑亦可在質量平均10μm程度之粉体之作成之故。
在此，綠色螢光體(BaSiO4 ：Eu2+ )係激發波長乃380～440nm、發光波長乃508nm之故，對於為了將在本實施型態所使用之藍色光變換成綠色光之要求特性而言，係激發波長及發光波長均過短。但，由將Ba之一部分，以Sr、Ca、Mg等之其他鹼土類元素加以置換者，可使激發波長及發光波長移動於長波長側。在本實施型態中，將激發波長調節成455nm，將發光波長調節成528nm者為佳。
另外，紅色螢光體(CaAISiN3 ：Eu2+ )係激發波長乃400~500nm，發光波長乃640nm。對於峰值波長的半值寬度係經由使用目的而有所差異。在照明中，盡可能峰值波長的波形乃寬者為佳，但在如本實施型態之液晶顯示裝置的背照光用途中，盡可能波形乃急遽者為佳。對於在照明用為了提昇演色性(與在太陽光下所視顏色相同程度)，係盡可能有必要作為與太陽光相同波長分布，要求含有相同程度所有的波長者。對此，使用在液晶顯示裝置之背照光的情況之色再現範圍係紅，綠，藍的色度座標上之3點乃有必要盡可能為廣。即盡可能色純度為高者為重要。為此，盡可能將3原色的波長分布作為急遽者為佳。
另一方面，作為構成密封樹脂65之透明樹脂65b，在可視範圍適用透明之各種樹脂無妨，但從耐熱性的觀點，使用矽樹脂者為佳。
另外，對於密封樹脂65係設置有射出白色光之射出面65c。在此例中，如圖3(b)所示，於樹脂容器61之上部側即凹部61a之開口部側，形成射出面65c。
在此發光裝置60，如圖3(b)所示，射出面65c之中央部乃較樹脂容器61之上面為凹陷，其凹陷量d乃從上面設定為-20μm～-100μm之範圍。凹陷量d乃成為樹脂容器61之開口端的高度，和射出面65c之最低高度的差。然而，在此，將樹脂容器61之開口端的高度作為基準(0)時，將接近於半導體發光元件64側作為負(-)。隨之，凹陷量d乃從上面-20μm～-100μm之範圍係指將樹脂容器61之開口端的高度作為0μm時，射出面65c之最低高度乃在較上面20μm～100μm之範圍，位置於半導體發光元件64側者。
凹陷量d乃假想性地設定樹脂容器61之開口端的延長面L，將在凹部61a內硬化之密封樹脂65的中心點作為A，從點A與延長面L之距離求取。實際的測定係可由雷射變位計(例如，OMRON製ZSHLD2)進行。
接著，對於圖3所示之發光裝置60之發光動作加以說明。
當將陽極用導線部62作為正極，將陰極用導線部63作為負極而流動電流於半導體發光元件64時，半導體發光元件64側係輸出藍色光。從半導體發光元件64所輸出的藍色光係行進在密封樹脂65內，直接或在底面70或壁面80進行反射之後，從射出面65c射出於外部。但，朝向射出面65c的光之一部分係在射出面65c進行反射，再次行進在密封樹脂65內。其間，在密封樹脂65內，藍色光的一部分乃經由螢光體粉體65a而變換成綠色光及紅色光，而所變換之綠色光及紅色光係直接或在底面70或壁面80進行反射之後，與藍色光同時從射出面65c射出於外部。隨之，從射出面65c係成為射出包含藍色光，綠色光及紅色光之白色光。
如本實施型態之發光裝置60，在密封樹脂65，螢光體粉體65a乃均一地分散於透明樹脂65b，收納於密封樹脂65之光反射率乃85%以上98%以下之白色樹脂所成之樹脂容器61之凹部61a的情況之光的特性係如以下。例如，從半導體發光元件64所輸出的光之中，射入於構成底面70或壁面80之白色樹脂的光係加以反射而返回至密封樹脂65，此乃呈再射入至白色樹脂地進行反覆來去之複雜動作之後，最終通過密封樹脂65而放出於射出面65c。此情況，設置於底面70之鍍銀層的反射之方法及光吸收率乃有大的影響。在本實施型態中，於構成底面70或壁面80之鍍銀層或白色樹脂，由具有所謂藍氏反射之反射特性者，與將此等作為所謂鏡面反射型之反射特性的情況作比較，可降低在底面70或壁面80之鍍銀層或白色樹脂所吸收的光量。隨之，在藍氏反射型之反射特性與鏡面反射型之反射特性，對於從發光裝置60所輸出的光量，即亮度出現不同者乃經由在底面70或壁面80之光吸收率的不同者，假設光吸收率為零，對於輸出未產生差。對於感覺上，於構成凹部61a之底面70或壁面80具有鏡面反射型之反射特性者，認為可將從半導體發光元件64所輸出的光，以少的反射次數導入於射出面65c。但，實際上，因有如上述之複雜之光的特性，故於底面70或壁面80具有藍氏反射之反射特性者，可減少在底面70或壁面80所吸收的光量。
此等之中，朝向底面70或壁面80的光係反覆進行經由構成底面70或壁面80之鍍銀層或白色樹脂加以反射情況，最終放出於射出面65c。對此，朝向射出面65c的光係關係於在底面70或壁面80之反射。即，光的一部分係由分散於密封樹脂65內之螢光體粉體65a加以散亂，在構成壁面80之白色樹脂加以反射，反覆進行在底面70之鍍銀層及白色樹脂再次加以反射情況之後，放出於射出面65c。在進行如此之散亂或反射的過程，雖少許但產生有光的吸收。當作為有效取出從半導體發光元件64所輸出的光時，使光散亂，反射的次數少為佳。但如作為從抑制經由射出面65c上之位置的色度之不均觀點，反覆進行散亂，反射者為佳。如此，現實上要求有效取出從半導體發光元件64所輸出的光的同時，消除對於各方位之色度的不均之矛盾者。
對於如此之要求，在本實施型態中，將樹脂容器61，以光吸收少之白色樹脂加以構成，且於構成引線架之陽極用導線部62及陰極用導線部63的表面，由形成鍍銀層者，減少在凹部61a內之可視光的光吸收率。具體而言，將在構成底面70或壁面80之鍍銀層及白色樹脂的可視範圍之光吸收率作為超過2%未達15%之範圍。特別是在本實施型態中，將形成於構成底面70之陽極用導線部62及陰極用導線部63的表面之鍍銀的光澤度作為0.3~1.0之旅圍，且經由以白色樹脂構成底面70之一部分及壁面80之時，與未具有如此構成者做比較，可提昇光的取出效率，即發光效率。
接著，參照圖4同時，對於圖3(a)，(b)所示之發光裝置60之製造方法加以說明。
首先，於將陽極用導線部62及陰極用導線部63作為一體化之引線架，射出形成白色樹脂，形成具有凹部61a之樹脂容器61。接著，於露出於樹脂容器61之凹部61a的底面70之陰極用導線部63上，黏接固定半導體發光元件64，經由銲接線各連接半導體發光元件64之p型電極，n型電極，和陽極用導線部62，陰極用導線部63。
接著，於凹部61a，填充含有螢光體粉體65a與未硬化之透明樹脂65b之混合樹脂漿料R。此時，經由混合樹脂漿料R被覆半導體發光元件64及銲接線同時，使混合樹脂漿料R的液面R1 ，較樹脂容器61之上面61b凹陷，將其凹陷量d從上面61b設定為-20μm～-100μm之範圍。例如在圖4所示的例中，將液面R1 之中心部A1 的高度與液面R1 之端部B1 的高度差作為20μm～100μm之範圍。
對於樹脂容器61之凹部61a而言之混合樹脂漿料R的填充係以使用漿料吐出裝置之填充法進行即可。其吐出裝置係具備吐出混合樹脂漿料R之吐出噴嘴N，和未圖示之控制部加以構成。
混合樹脂漿料R係真密度為3g/cm3 以上4.7g/cm3 以下之範圍同時，質量平均粒徑為7μm以上15μm以下之範圍的螢光體粉體65a乃混合於未硬化狀態之透明樹脂65b所成之構成，黏度為調整為4000cP～15000cP之範圍所成者。
在此，將在安裝有半導體發光元件64之狀態的凹部61a之空容積作為6.5μL，將混合樹脂漿料R之注入量的反覆精確度，例如作為±0.2μL之情況，當注入量為0.2μL變動時，注入後之混合樹脂漿料R之液面R1 之中心部A1 的高度乃約25μm變動。並且，在液面R1 的高度例如在100μm變動之情況，從射出面65c所射出的光之發光色的色度y乃只變動0.01之故，經由注入量的不均而變動，色度y之變動係成為±0.0025。
然而，混合樹脂漿料R之注入量係經由注入壓力所控制，但當只有注入壓力之最小調整量變動時，注入量乃產生約0.3μL程度變動。此係相當於將液面R1 之高度變動38μm之情況。將發光裝置60之發光色的色度y之管理幅度作為±0.008之情況，在由混合樹脂漿料R之黏度的變化等，注入後之液面R1 產生變動之狀態中，以控制注入壓力而使注入量變化，由此有必要將液面R1 之位準控制在±40μm。然而，液面R1 之高度係可由上述之雷射變位計(例如，OMRON製ZSHLD2)測定。此時，測定從連結凹部61a之端部B1 彼此之中點至注入後之液面R1 的距離。於進行注入後之硬化熱處理之前測定液面R1 之高度，其位置乃呈從連結凹部61a之端部B1 彼此之中點進入至-20μm～-100μm地，控制注入壓力即可。
接著，使混合樹脂漿料R硬化而形成密封樹脂65。硬化處理係例如進行加熱等即可。之後，進行將引線架分離成陽極用導線部62及陰極用導線部63之切斷，及引線架之彎曲，得到發光裝置60。
在此，將形成於發光裝置60之樹脂容器61的凹部61a之密封樹脂65的凹陷量d，或構成密封樹脂65之螢光體粉體65a的真密度及質量平均粒徑，對於限定於上述範圍之理由加以說明。
對於使用複數上述之發光裝置60，作為液晶顯示裝置之背照光而使用之情況，係在抑制背照光的發光色之色度的分佈目的，要求將在從各發光裝置60所輸出之發光色的色度座標(x，y)上的不均，各收在±0.008之範圍內者。另外在長期將發光裝置60持續進行點燈之情況，當發光色經時性地產生變化時，因在使用中產生發光色的色度之不均，故此亦同時有必要控制。
本發明者係在發光裝置60之密封樹脂65，經由使螢光體粉體65a均一地分散於透明樹脂65b中之時，發現可抑制從作為目標色度之不均。作為決定來自發光裝置60之射出光的白色色度之要因，係考量有密封樹脂65中之螢光體粉體65a的濃度，綠色螢光體與紅色螢光體之比率，並且所形成之密封樹脂65之射出面65c之形狀的3種類。隨之，產生發光裝置60之發光色的不均之原因，係螢光體粉體65a的濃度，經由密封樹脂65中的場所而有所差異，經由場所，綠色螢光體與紅色螢光體之比率產生偏差，形成於樹脂容器61的凹部61a之密封樹脂65的射出面65c的形狀產生變動時，從發光裝置60所射出的光之色度產生變化，產生色不勻。另外，在發光裝置60之製造，在注入混合樹脂漿料R於樹脂容器61的凹部61a之後，只要引起含於混合樹脂漿料R之螢光體粉體65a沈入於底面70側情況，將引起在密封樹脂65中之螢光體粉體65a的濃度不均，和綠色螢光體與紅色螢光體之比率不均。
隨之，使在密封樹脂65之螢光體粉體65a的均一分散性提昇者，為了使從發光裝置60所射出的光之色度安定而為重要。另外，對於達成在密封樹脂65之螢光體粉體65a的均一分散之情況，經密封樹脂65之射出面65c的形狀而色度產生大變動之故，當射出面65c之形狀的管理未與均一分散的管理同時進行時，經由均一分散螢光體粉體65a之時，反而可能會有色度之不均變大者。更且，在密封樹脂65即使作為均一分散螢光體粉體65a，從發光裝置60所射出的光之輸出及色度係亦受到樹脂容器61之凹部61a的大小，形狀，底面70或壁面80之表面狀態的影響。對此，本發明者係發現，於多擔負凹部61a之底面70之陽極用導線部62及陰極用導線部63的鍍銀層，具有接近於藍氏反射之反射特性者，在減少光吸收的同時，消除經由射出面65c內之位置的發光色之不均上而為重要。
另外，在上述之發光裝置60之製造方法，在注入混合樹脂漿料R於樹脂容器61的凹部61a之後，當透明樹脂65b至硬化之間，螢光體粉體65a沈入時，在複數之發光裝置60，將螢光體粉體65a的下沉方式完全作為相同者，實質上不可能。隨之，對於為了使複數之發光裝置60以略相同色度之發光色進行發光，含於螢光體粉體65a之綠色螢光體與紅色螢光體乃盡可能均一地分散於透明樹脂65b中者為佳。
在製造發光裝置60時，將含有混合樹脂漿料R，即螢光體粉體65a之未硬化狀態的透明樹脂65b，至填充於樹脂容器61之凹部61a為止係亦可攪拌，但在填充之後經由加熱，使未硬化狀態之透明樹脂65b硬化為止之時間，一般而言需要1小時程度。其間，在凹部61a，螢光體粉體65a將會下沉。
但，在未硬化狀態之透明樹脂65b之螢光體粉體65a的下沉速度Vs係按照在下記式(1)所示之斯托克數式。在數式(1)，Dp 係螢光體粉體65a之質量平均粒徑，ρp 係螢光體粉體65a之真密度，ρf 係透明樹脂65b之密度。g係重力加速度，η係未硬化狀態之透明樹脂65b的黏度。
vs=Dp 2 (ρp -ρf )g/18η　…　(1)
在此，在填充於凹部61a之混合樹脂漿料R，對於螢光體粉體65a呈不易下降地使下沉速度Vs下降，係如提昇硬化前之透明樹脂65b的黏度η即可，但黏度η過高時，定量性地進行填充情況乃變為困難。
另外，如減少螢光體粉體65a之質量平均粒徑Dp ，下沉速度Vs係下降，但當過於減少螢光體粉體65a質量平均粒徑Dp 時，接下來維持螢光體粉體65a之發光特性則變為困難。
更且，螢光體粉體65a之真密度ρp 乃如與透明樹脂65b的密度相同，螢光體粉體65a不會下沉，但對於未硬化狀態之透明樹脂65b之真密度為1.4g/cm3 ～1.8g/cm3 程度者而言，幾乎所有的螢光體粉體65a係含有重金屬之故，其真密度乃較2.0g/cm3 為大。
如以上，結論為螢光體粉體65a之質量平均粒徑Dp ，螢光體粉體65a之真密度ρp ，未硬化狀態之透明樹脂65b的黏度η之3個特性質之中，由只通過一個情況，防止螢光體粉體65a之下沉情況係為困難。即，在填充可定量地注入之範圍，使用黏度η大的透明樹脂65b，在可維持發光特性的範圍，盡可能為小粒徑，在可維持發光特性的範圍，盡可能選擇真密度小之螢光體粉體65a者成為必要。
圖3所示之發光裝置之60之密封樹脂65的厚度乃0.5mm程度之情況，於未硬化之透明樹脂65b產生硬化之1小時之間，螢光體粉體65a乃下沉0.5mm時，所有的螢光體粉體65a則下沉於凹部61a之底部。隨之，在抑制色度之不均的目的，當做為控制在可無視螢光體粉體65a之下沉距離之範圍時，必須將在1小時之下沉距離作為0.05mm以下。對於為了作為達到至其下沉距離，必須將螢光體粉體65a之質量平均粒徑Dp ，螢光體粉體65a之真密度ρp ，未硬化狀態之透明樹脂65b的黏度η設定為上述範圍。
另外，作為使從發光裝置60所射出之發光色的色度之不均產生的原因之一，有著為了形成密封樹脂65而加以注入之混合樹脂漿料R的量。圖3所示之所謂稱為前視野封裝之發光裝置60的情況，經由注入之混合樹脂漿料R的量，所得到之密封樹脂65之射出面65c的形狀產生變動。當具體說明時，密封樹脂65乃有較樹脂容器61之上面61b膨脹為凸狀之情況和拉入成凹狀之情況。注入於凹部61a之混合樹脂漿料R乃膨脹成凸狀之情況，在波長變換有效作用之螢光體粉體65a的量增加之故，與提昇螢光體粉體65a之濃度的情況同樣之作用產生動作，發光色之色度係x值、y值同時位移至變大側。但，密封樹脂65乃膨脹為凸狀時，在製造工程，以零件供料器等進行搬送時，因相互貼近之故，處理則變為困難。隨之，迴避密封樹脂65乃膨脹為凸狀情況為佳。經由如此之理由，密封樹脂65乃對於樹脂容器61而言，可說對於拉入成凹狀之形狀為佳。另外，作為密封樹脂65乃對於樹脂容器61而言，拉入成凹狀，亦經由拉入程度，從射出面65c所射出的輸出光的色度產生作用。本發明者們在進行相關測定時，了解到凹陷量d產生100μm變動時，色度的y值則產生0.01變動。液晶顯示裝置用之背照光的情況，從要求將x值、y值各收在±0.008以内之情況，必須將密封樹脂65的凹陷量d收在-20μm～-100μm之範圍。
從以上的情況，在本實施型態中，將含於密封樹脂65之螢光體粉體65a的真密度ρp 乃作為3g/cm3 以上4.7g/cm3 以下之範圍同時，將螢光體粉體65a之質量平均粒徑Dp ，作為7μm以上15μm以下之範圍。另外，將形成於樹脂容器61的凹部61a之密封樹脂65的凹陷量d作為-20μm～-100μm之範圍。
如以上說明，如根據如此之發光裝置60，被覆半導體發光元件64之密封樹脂65乃使具有特定範圍之真密度與質量平均值粒徑之螢光體粉體65a混合於透明樹脂65b加以構成之故，可使螢光體粉體65a均一地分散於透明樹脂65b中。其結果，在各發光裝置60，可射出色度y的幅度乃控制在±0.008之範圍內的白色光者。
另外，在本實施型態之發光裝置60中，密封樹脂65的射出面65c乃較上面61b為凹陷，其凹陷量d乃從上面61b設定為-20μm～-100μm之範圍之故，可將從複數之發光裝置60所射出的白色光之色度y的寬度收在±0.008之範圍內。
另外，如根據上述之發光裝置60的製造方法，於未硬化之透明樹脂65b，混合具有上述範圍之真密度與質量平均值粒徑之螢光體粉體65a而作為特定黏度之混合樹脂漿料R，並由將此呈被覆半導體發光元件64地加以填充而使其硬化而形成密封樹脂65之故，可使螢光體粉體65a均一地分散於透明樹脂65b中。另外，使射出面65c作為較上面61b為凹陷，由將其凹陷量d作為從上面61b設定為-20μm～-100μm之範圍者，可構成從密封樹脂65之射出面65c，以均質射出色不勻少之白色光的發光裝置60。
＜實施形態2＞
圖5(a)、(b)乃為了說明在本實施型態所使用之發光裝置60之構成的圖。在此，圖5(a)乃顯示發光裝置60之上面圖，圖5(b)乃顯示圖5(a)之VB-VB剖面圖。
其發光裝置60係具備：於上部側形成有凹部61a之樹脂容器61，和由與樹脂容器61一體化之引線架所成之第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63，和安裝於凹部61a之底面70的第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c，和呈被覆凹部61a地加以設置之密封樹脂65。然而，在圖5(a)，係省略密封樹脂65之記載。
樹脂容器61係經由於含有第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63之金屬導線部，射出成型含有白色顏料之熱可塑性樹脂(在以下之說明中稱作白色樹脂)之時而加以形成。
對於構成其樹脂容器61之白色樹脂，係可使用在實施型態1所說明之構成。
設置於樹脂容器61之凹部61a係具備具有圓形狀之底面70，和從底面70之周緣朝向樹脂容器61之上部側呈擴展地立起之壁面80。在此，底面70係經由露出於凹部61a之第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63，和露出於第1陽極用導線部62a與第2陽極用導線部62b與第3陽極用導線部62c與陰極用導線部63之間的間隙之樹脂容器61的白色樹脂加以構成。但，底面70之一半以上的範圍乃根據第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63所佔據。另一方面，壁部80係經由構成樹脂容器61之白色樹脂加以構成。然而，對於底面70的形狀係亦可為圓形、矩形、橢圓形、多角形之任一。另外，壁面80的形狀係亦可為圓形、矩形、橢圓形、多角形之任一，另外亦可與底面形狀同一，而亦可如本實施型態為不同。
作為導電部之一例的第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63係各一部分夾持於樹脂容器61內而加以保持之同時，其他的一部分乃露出於樹脂容器61之外部，成為為了施加電流於第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c之端子。將表面安裝作為前提時，如圖5所示，將第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63各彎曲於樹脂容器61之背側，於樹脂容器61之底部配設其前端者為佳。
另外，第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63即引線架係具有0.1~0.5mm程度厚度之金屬板，將銅合金之金屬導體作為基底，於其表面，經由施以鍍銀而形成鍍銀層。隨之，凹部61a之底面70係成為露出有第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63之鍍銀層。此等第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63之光反射率，即鍍銀層之光反射率乃85%以上98%以下者為佳。另外，第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63之光澤度乃0.3以上且1.0以下之範圍內，更理想為作為0.5以上且0.7以下之範圍內者為佳。在此，光澤度係由JISZ8741所規定之構成，在此係將入射光的入射角作為60°之情況的值。
另外，第1半導體發光元件64a係於露出於凹部61a之底面70的第1陽極用導線部62a上、第2半導體發光元件64b係於露出於凹部61a之底面70的第2陽極用導線部62b上、第3半導體發光元件64c係於露出於凹部61a之底面70的第3陽極用導線部62c上，各以矽樹脂或環氧樹脂所成之晶片黏合劑所黏接加以固定。
在此第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c係各具有n型電極及p型電極。並且，第1半導體發光元件64a之p型電極乃於第1陽極用導線部62a、第2半導體發光元件64b之p型電極乃於第2陽極用導線部62b、第3半導體發光元件64c之p型電極乃於第3陽極用導線部62c，各藉由銲接線加以連接。另一方面，設置於各第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c之n型電極係連接於共通之陰極用導線部63。隨之，在此發光裝置60，第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c係成為並聯地加以連接。
隨之，在此發光裝置60，第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c乃於從具有圓形狀之底面70之中心C偏移的位置，各加以配置。
第1半導體發光元件64a係發射具有主發光峰值之藍色光於430nm以上500nm以下之波長範圍者，至少具備形成於藍寶石基板上之AlN所成之種子層，和形成於種子層上之基底層，和將GaN作為主體之層積半導體層。積半導體層係從基板側，依基底層，n型半導體層，發光層，p型半導體層的順序加以層積所構成。然而，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c亦具有與第1半導體發光元件64a同一之構成，成為呈輸出藍色光。
密封樹脂65係由吸收第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c所發射的光而發射更長波長的光之兩種類以上的螢光體(以下，稱之螢光體粉體)65a，和在均一地使螢光體粉體65a分散之狀態而含有之透明樹脂65b加以構成。在此例中，螢光體粉體65a係包含吸收第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c所發射的藍色光而發射綠色光之綠色螢光體，和吸收半第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c所發射的藍色光而發射紅色光之紅色螢光體。然而，紅色螢光體係因綠色螢光體所發射的光亦被激發之故，經由綠及紅的螢光體之比例，從發光裝置60所輸出的光之色度的變動係產生複雜變化。對於如此之色鍍的調節，係對於半第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c之發光波長與綠及紅的螢光體的比率，和根據密封樹脂65之螢光體的濃度，和密封樹脂65之上面即射出光的射出面65c之形狀有關。在其發光裝置60，經由第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c所發射的藍色光，和含於螢光體粉體65a之綠色螢光體所發射的綠色光，和含於同樣之螢光體粉體65a的紅色螢光體所發射的紅色光，藍，綠，紅之3原色則到齊。因此，從密封樹脂65之射出面65c係成為射出白色光。作為液晶顯示裝置之背照光而使用其白色光情況之色再現範圍係由第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c之主發光峰值的波長及半值寬度，和螢光體粉體65a之發光峰值的波長及半值寬度所決定。
然而，作為構成上述螢光體粉體65a之綠色螢光體及紅色螢光體，係可使用在實施型態1所說明之構成。
另一方面，作為構成密封樹脂65之透明樹脂65b，在可視範圍適用透明之各種樹脂無妨，但從耐熱性的觀點，使用矽樹脂者為佳。
另外，對於密封樹脂65係設置有射出白色光之射出面65c。在此例中，如圖5(b)所示，於樹脂容器61之上部側即凹部61a之開口部側，形成射出面65c。
在此發光裝置60，與實施型態1同樣地，如圖5(b)所示，射出面65c之中央部乃較樹脂容器61之上面為凹陷，其凹陷量d乃從上面設定為-20μm～-100μm之範圍。
接著，對於圖5(a)、(b)所示之發光裝置60之發光動作加以說明。
當將第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c作為正極，將陰極用導線部63作為負極而流動電流於各第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c時，第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c係輸出藍色光。從第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c所輸出之藍色光乃行進在密封樹脂65內，直接或在底面70或壁面80進行反射之後，從射出面65c射出於外部。但，朝向射出面65c的光之一部分係在射出面65c進行反射，再次行進在密封樹脂65內。其間，在密封樹脂65內，藍色光的一部分乃經由螢光體粉體65a而變換成綠色光及紅色光，而所變換之綠色光及紅色光係直接或在底面70或壁面80進行反射之後，與藍色光同時從射出面65c射出於外部。隨之，從射出面65c係成為射出包含藍色光，綠色光及紅色光之白色光。
如本實施型態之發光裝置60，在密封樹脂65，螢光體粉體65a乃均一地分散於透明樹脂65b，收納於密封樹脂65之光反射率乃85%以上98%以下之白色樹脂所成之樹脂容器61之凹部61a的情況之光的特性係如以下。例如，從第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c所輸出的光之中，射入於構成底面70或壁面80之白色樹脂的光係加以反射而返回至密封樹脂65，此乃呈再射入至白色樹脂地進行反覆來去之複雜動作之後，最終通過密封樹脂65而放出於射出面65c。此情況，設置於底面70之鍍銀層的反射之方法及光吸收率乃有大的影響。在本實施型態中，於構成底面70或壁面80之鍍銀層或白色樹脂，由具有所謂藍氏反射之反射特性者，與將此等作為所謂鏡面反射型之反射特性的情況作比較，可降低在底面70或壁面80之鍍銀層或白色樹脂所吸收的光量。隨之，在藍氏反射型之反射特性與鏡面反射型之反射特性，對於從發光裝置60所輸出的光量，即亮度出現不同者乃經由在底面70或壁面80之光吸收率的不同者，假設光吸收率為零，對於輸出未產生差。對於感覺上，於構成凹部61a之底面70或壁面80具有鏡面反射型之反射特性者，認為可將從第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c所輸出的光，以少的反射次數導入於射出面65c。但，實際上，因有如上述之複雜之光的特性，故於底面70或壁面80具有藍氏反射之反射特性者，可減少在底面70或壁面80所吸收的光量。
此等之中，朝向底面70或壁面80的光係反覆進行經由構成底面70或壁面80之鍍銀層或白色樹脂加以反射情況，最終放出於射出面65c。對此，朝向射出面65c的光係關係於在底面70或壁面80之反射。即，光的一部分係由分散於密封樹脂65內之螢光體粉體65a加以散亂，在構成壁面80之白色樹脂加以反射，反覆進行在底面70之鍍銀層及白色樹脂再次加以反射情況之後，放出於射出面65c。在進行如此之散亂或反射的過程，雖少許但產生有光的吸收。當作為有效取出從第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c所輸出的光時，使光散亂，反射的次數少為佳。但如作為從抑制經由射出面65c上之位置的色度之不均觀點，反覆進行散亂，反射者為佳。如此，現實上要求有效取出從第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c所輸出的光的同時，消除對於各方位之色度的不均之矛盾者。
對於如此之要求，在本實施型態中，將樹脂容器61，以光吸收少之白色樹脂加以構成，且於構成引線架第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63的表面，由形成鍍銀層者，減少在凹部61a內之可視光的光吸收率。具體而言，將在構成底面70或壁面80之鍍銀層及白色樹脂的可視範圍之光吸收率作為超過2%未達15%之範圍。特別是在本實施型態中，將形成於構成底面70之第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63的表面之鍍銀的光澤度作為0.3~1.0之範圍，且經由以白色樹脂構成壁面80之時，與未具有如此構成者做比較，可提昇光的取出效率，即發光效率。
接著，參照圖6同時，對於圖5所示之發光裝置60之製造方法加以說明。
首先，於將第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63作為一體化之引線架，射出形成白色樹脂，形成具有凹部61a之樹脂容器61。接著，於露出於樹脂容器61之凹部61a之底面70的第1陽極用導線部62a上，將第1半導體發光元件64a、於第2陽極用導線部62b上，將第2半導體發光元件64b、於第3陽極用導線部62c上，將第3半導體發光元件64c，各加以黏接固定。並且，使用銲接線，將第1半導體發光元件64a之p型電極，於第1陽極用導線部62a、將第2半導體發光元件64b之p型電極，於第2陽極用導線部62b、將第3半導體發光元件64c之p型電極，於第3陽極用導線部62c、將第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c之n型電極，於各陰極用導線部63，各加以連接。
接著，於凹部61a，填充含有螢光體粉體65a與未硬化狀帶之透明樹脂65b之混合樹脂漿料R。此時，經由混合樹脂漿料R被覆半導體第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c及銲接線同時，使混合樹脂漿料R的液面R1 ，較樹脂容器61之上面61b凹陷，將其凹陷量d從上面61b設定為-20μm～-100μm之範圍。例如在圖5(b)所示的例中，將液面R1 之中心部A1 的高度與液面R1 之端部B1 的高度差作為20μm～100μm之範圍。
對於樹脂容器61之凹部61a而言之混合樹脂漿料R的填充係以使用漿料吐出裝置之填充法進行即可。其吐出裝置係具備吐出混合樹脂漿料R之吐出噴嘴N，和未圖示之控制部加以構成。
混合樹脂漿料R係真密度為3g/cm3 以上4.7g/cm3 以下之範圍同時，質量平均粒徑為7μm以上15μm以下之範圍的螢光體粉體65a乃混合於未硬化狀態之透明樹脂65b所成之構成，黏度為調整為4000cP～15000cP之範圍所成者。
在此，將在安裝有第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c之狀態的凹部61a之空容積作為6.5μL，將混合樹脂漿料R之注入量的反覆精確度，例如作為±0.2μL之情況，當注入量為0.2μL變動時，注入後之混合樹脂漿料R之液面R1 之中心部A1 的高度乃約25μm變動。並且，在液面R1 的高度例如在100μm變動之情況，從射出面65c所射出的光之發光色的色度y乃只變動0.01之故，經由注入量的不均而變動，色度y之變動係成為±0.0025。
然而，混合樹脂漿料R之注入量係經由注入壓力所控制，但當只有注入壓力之最小調整量變動時，注入量乃產生約0.3μL程度變動。此係相當於將液面R1 之高度變動38μm之情況。將發光裝置60之發光色的色度y之管理幅度作為±0.008之情況，在由混合樹脂漿料R之黏度的變化等，注入後之液面R1 產生變動之狀態中，以控制注入壓力而使注入量變化，由此有必要將液面R1 之位準控制在±40μm。然而，液面R1 之高度係可由上述之雷射變位計(例如，OMRON製ZSHLD2)測定。此時，測定從連結凹部61a之端部B1 彼此之中點至注入後之液面R1 的距離。於進行注入後之硬化熱處理之前測定液面R1 之高度，其位置乃呈從連結凹部61a之端部B1 彼此之中點進入至-20μm～-100μm地，控制注入壓力即可。
接著，使混合樹脂漿料R硬化而形成密封樹脂65。硬化處理係例如進行加熱等即可。之後，進行將引線架分離成第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63之切斷，及引線架之彎曲，得到發光裝置60。
如以上說明，如根據如此之發光裝置60，使被覆第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c之密封樹脂65乃使具有特定範圍之真密度與質量平均粒徑之螢光體粉體65a混合於透明樹脂65b加以構成之故，可使螢光體粉體65a均一地分散於透明樹脂65b中。其結果，在各發光裝置60，可射出色度y的幅度乃控制在±0.008之範圍內的白色光者。
然而，如將此情況從其他的觀點而視，與在凹部61a之底面70之第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c之安裝位置無關，而意味可抑制發光色之不均者。即，關於在發光裝置60，第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c之配置位置的設定之自由度提昇。
另外，在本實施型態之發光裝置60中，密封樹脂65的射出面65c乃較上面61b為凹陷，其凹陷量d乃從上面61b設定為-20μm～-100μm之範圍之故，可將從複數之發光裝置60所射出的白色光之色度y的寬度收在±0.008之範圍內。
另外，如根據上述之發光裝置60的製造方法，於未硬化之透明樹脂65b，混合具有上述範圍之真密度與質量平均值粒徑之螢光體粉體65a而作為特定黏度之混合樹脂漿料R，並由將此呈被覆第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c地加以填充而使其硬化而形成密封樹脂65之故，可使螢光體粉體65a均一地分散於透明樹脂65b中。另外，使射出面65c作為較上面61b為凹陷，由將其凹陷量d作為從上面61b設定為-20μm～-100μm之範圍者，可構成從密封樹脂65之射出面65c，以均質射出色不勻少之白色光的發光裝置60。
並且，在本實施型態之發光裝置60中，經由具備上述之構成之時，即使在凹部61a之底面70，第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c乃加以配置於與底面70之中心C不同之位置，亦可從密封樹脂65之射出面65c，以均質射出色不勻少之白色光。
＜實施形態3＞
圖7(a)、(b)乃為了說明適用本實施型態之發光裝置60之構成的圖。在此，圖7(a)乃顯示發光裝置60之上面圖，圖7(b)乃顯示圖7(a)之VIIB-VIIB剖面圖。
其發光裝置60之基本構成係與在實施形態2所使用之構成幾乎相同。但，在此發光裝置60，只搭載有第1半導體發光元件64a，而第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c係未搭載。在此，第1半導體發光元件64a係與實施型態2同樣地，安裝於露出於底面70之第1陽極用導線部62a，電性連接於第1陽極用導線部62a及陰極用導線部63。
另外，在此發光裝置60，第1半導體發光元件64a乃與實施型態2同樣地，配置於從具有圓形狀之底面70之中心C偏移的位置。如此之構成係例如進行引線架之形狀或導線接合等之故，採用於不易將第1半導體發光元件64a配置於底面70之中心C的情況。
然而，與實施型態2同樣地，對於第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63之各表面，施以光澤度乃0.3～1.0，更理想為收在0.5～0.7之範圍的鍍銀。
在本實施型態之發光裝置60中，亦將樹脂容器61，作為光吸收少之白色樹脂，且於構成引線架第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63的表面，形成鍍銀層，將在可視光的此等光吸收率作為超過2%未達15%之範圍。並且，將形成於構成底面70之第1陽極用導線部62a，第2陽極用導線部62b，第3陽極用導線部62c及陰極用導線部63的表面之鍍銀的光澤度作為0.3~1.0之範圍，且經由以白色樹脂構成壁面80之時，與未具有如此構成者做比較，可提昇光的取出效率，即發光效率。
另外，經由具備上述之構成之時，即使在凹部61a之底面70之第1半導體發光元件64a配置於與底面70之中心C不同之位置，亦可從密封樹脂65之射出面65c，以均質射出色不勻少之白色光。
然而，在實施型態1乃至實施型態3中，對於將使用發光裝置60而構成之發光模組12，適用於液晶顯示裝置之背照光裝置10的例，進行過說明，但並不限於此者。例如經由將發光模組12與燈罩等組合之時，亦可作為照明空間或物體等之照明裝置而利用。
另外，亦可將上述之發光裝置60，適用於例如信號機，掃瞄器的光源裝置，列表機之曝光裝置，車載用之照明機器，使用LED之點矩陣的LED顯示器裝置等。
更且，在實施型態1乃至實施型態3中，對於使用輸出藍色光之半導體發光元件64(第1半導體發光元件64a，第2半導體發光元件64b及第3半導體發光元件64c)，和將藍色光變換成綠色光之螢光體及將藍色光變換成紅色光之螢光體，輸出白色光的例進行過說明，但並不限於此者。即，對於半導體發光元件64之發光色(發光波長)係做適宜選定無妨，另外，對於螢光體亦做適宜選定無妨。並且，在本發明，發光裝置60乃未必必須含有螢光體，而亦可為直接輸出來自半導體發光元件64的發光光。
[實施例]
接著，對於本發明之實施例進行說明。
圖8乃顯示使用在實施例及比較例之各試料與其構成之關係圖。
在此實驗中，準備尺寸不同之3種類的樹脂容器61。在此，第1樹脂容器61(稱之Type1)係在上面的縱橫尺寸為3.5mm×2.8mm、第2樹脂容器61(稱之Type2)係在上面的縱橫尺寸為3.8mm×0.8mm、第3樹脂容器61(稱之Type3)係在上面的縱橫尺寸為5.0mm×5.5mm。另外，在構成Type1～Type3之樹脂容器61之白色樹脂的光吸收率係7%。然而，具有Type1及Type2之樹脂容器61的發光裝置60係具有圖3所示之構造，對於各自係搭載有1個半導體發光元件64。另一方面，具有Type3之樹脂容器61的發光裝置60係具有圖5所示之構造，搭載有3個半導體發光元件64(第1半導體發光元件64a、第2半導體發光元件64b、第3半導體發光元件64c)。
另外，在此實驗中，對於Type1～Type3之樹脂容器61而言，組合實施光澤度不同之鍍銀的7種類之引線架。然而，鍍銀之光澤鍍係對應於引線架表面之凹凸的形成。在此，將具有光澤鍍為0.1之第1引線架的試料(試料S1~S3)之組群稱之為Gr. A。另外，將具有光澤鍍為0.3之第2引線架的試料(試料S4~S6)之組群稱之為Gr. B。更且，將具有光澤鍍為0.5之第3引線架的試料(試料S7~S9)之組群稱之為Gr. C。更且另外，將具有光澤鍍為0.6之第4引線架的試料(試料S10~S12)之組群稱之為Gr. D。另外，將具有光澤鍍為0.7之第5引線架的試料(試料S13~S15)之組群稱之為Gr. E。更且，將具有光澤鍍為1.0之第6引線架的試料(試料S16~S18)之組群稱之為Gr. F。並且，將具有光澤鍍為1.3之第7引線架的試料(試料S19~S21)之組群稱之為Gr. G。然而，在此例中，Gr. B～Gr. F即試料S4~S18乃成為實施例，Gr. A即試料S1~S3及Gr. G即試料S19~S21乃成為比較例。
在此，在Gr. A中，引線架的鍍銀層乃成為無光澤之所謂無光澤白色狀態，顯示極接近藍氏反射之特性。另外，在Gr. B～Gr. F中，引線架的鍍銀層乃成為半光澤之狀態，顯示部分性之藍氏反射之特性。對此，在Gr. G中，引線架的鍍銀層乃成為光澤高之所謂全光澤之狀態，顯示接近完全鏡面反射之特性。
接著，對於個試料S1~S21之製作步驟簡單加以說明。
具有Type1及Type2之樹脂容器61的試料S1、S2、S4、S5、S7、S8、S10、S11、S13、S14、S16、S17、S19、S20係對於1片之引線架而言，以白色樹脂形成144個之樹脂容器61而加以作成。另一方面，具有Type3之框體的試料S3、S6、S9、S12、S15、S18、S21係對於1片之引線架而言，以白色樹脂形成40個之樹脂容器61而加以作成。然而，在各式料S1~S21，樹脂容器61之凹部61a的深度全為0.6mm。
並且，對於各樹脂容器61而言，將半導體發光元件64，使用使用黏晶漿料進行晶片黏合，並以150℃進行2小時加熱而使黏晶漿料硬化之後，使用直徑25μm之田中貴金属製4N的金線進行導線接合。然而，具有Type1及Type2之樹脂容器61的構成係於1個樹脂容器61搭載1個半導體發光元件64。對此，具有Type3之樹脂容器61的構成係於1個樹脂容器61，並聯搭載3個半導體發光元件64(第1半導體發光元件64a、第2半導體發光元件64b、第3半導體發光元件64c)。
另外，準備於注入時之黏度為9000cP，密度為1.7g/cm3 之矽樹脂所成之未硬化的透明樹脂65b，混入含有密度4.5g/cm3 ，激發波長450nm，發光波長530nm，質量平均粒徑12μm之矽酸鹽螢光體，和密度4.2g/cm3 ，激發波長460nm，發光波長640nm，質量平均粒徑9μm之氯化物螢光體的螢光體粉體65a之混合樹脂漿料R。在此，將對於透明樹脂65b而言之螢光體粉體65a之混入量，將綠色螢光體作為5.8量%，將紅色螢光體作為2.1質量%而作為一定。
並且，將如此所得到之混合樹脂漿料R，使用自動樹脂注入器的吐出噴嘴N加以注入。在此，對於Type1之構成係注入1.2μL、對於Type2之構成係注入3μL、對於Type3之構成係注入6.8μL。Type1及Type2之構成係於1個引線架設置有144個樹脂容器61。對於此等係準備100片之引線架，試做合計共14400個之發光裝置60。另一方面，在Type3之構成係於1個引線架設置有40個樹脂容器61。對於此等係準備400片之引線架，試做合計共16000個之發光裝置60。然而，對於1個之樹脂容器61而言，為了注入混合樹脂漿料R而需要1.5秒程度之時間。
對於所得到之各發光裝置60，以上述之雷射變位計測定射出面65c之上面的形狀。於開始前流動在模鍛，10個凹陷量d之平均值(平均凹陷量)乃呈-60μm±10μm地為調整注入量。一個之引線架的平均凹陷量乃如偏移20μm以上，改變著壓力，呈達到-60μm±10μm地進行調節。1個引線架內之不均係在Type1之情況，σ=約16μm、在Type2之情況，σ=約13μm、在Type3之情況，σ=約11μm。
在此，混合樹脂漿料R的注入量越小，其不均越大，但在1個之引線架作為平均化與凹陷量d的變動係在時間經過的同時，呈略相同地變動。其結果，即使使用任何樹脂容器61，可將所有凹陷量d達到-20μm～-100μm之範圍。混合樹脂漿料R之注入後，以150℃加上4小時的熱，進行硬化處理。
並且，對於所得到之各發光裝置60而言，使用Labsphere社製積分球而進行出力P(mW)、全光束Φ(lm)、発光効率E(lm/W)、色度(x，y)之測定。在此，在具有Type1及Type2之樹脂容器61之構成中，將通電電流I作為20mA。另一方面，在具有Type3之樹脂容器61之構成中，將通電電流I作為60mA。此等之測定結果係作為各構成各試料S1～S21之20個的發光裝置60之平均值。然而，色度(x，y)係以在CIE之Yxy(XYZ)表色系之x值與y值來表示。
另外，使用分光放射亮度計(konicaminolta CS1000S)，測定從各試料S1～S21所輸出之光的色度之方位依存性(色度之不均)。此測定係依照以下的步驟。對於發光裝置60之發光面(射出面65c)而言之垂直的方向，於發光面之中心放置垂線，在含有此垂線之一個面內，對於垂線而言，在從0度至180度之範圍進行測定。另一方面，對於發光面而言之平行的方向，在從上述垂線傾斜60度處，於發光面，在平行的面內使其360度旋轉而進行測定。色度之不均程度係對於射出面65c而言，在垂直之方向及平行之方向，以各x值、y值之最大最小差，即xΔmax-min及yΔmax-min所表示。另外在各試料S1～S21，對於各1000個之發光裝置60，從射出面65c的正面進行測定，評估x與y之標準偏差的色度之不均。在此，前者係將在單一的發光裝置60，將經由方位之色度的變化作為定量化者作為目的者，後者係將在複數的發光裝置60，將色度的不均作為定量化者作為目的者。
圖9乃顯示在實施例及比較例所使用之各試料與所得到之特性之關係圖。更具體說明時，圖9係顯示各試料S1～S21，和對於各試料S1～S21而言之通電電流I(mA)、和對於各試料S1～S21而言之施加電壓V(V)、和從各試料S1～S21之光的輸出P(mW)、各試料S1～S21所輸出之全光束Φ(lm)、各試料S1～S21之發光効率E(lm/W)、各試料S1～S21之發光色之色度(x，y)、各試料S1～S21之色度y的不均σ、對應於各試料S1～S21之垂直方向之色度的不均情況之xΔmax-min及yΔmax-min、並且對應於各試料S1～S21之平行方向之色度的不均情況之xΔmax-min及yΔmax-min之關係。
並且，圖10乃顯示從圖8及圖9所示的關係，將構成發光裝置60之引線架的形式(Type1、Type2、Type3)作為參數而顯示各試料S1～S21的光澤度與發光效率之關係圖表。
從圖10了解到，在Type1、Type2及Type3之任一，亦了解到與引線架乃幾乎成為無光澤之光澤度=0.1及引線架乃幾乎成為鏡面光澤之光澤度=1.3做比較，在引線架乃成為半光澤之光澤度=0.3~1.0之範圍，可得到更高之發光效率E者。另外，了解到特別是在光澤度=0.5~0.7之範圍，可得到更高之發光效率E者。此係對於例如引線架之光澤度乃0.1之情況，係因此時之引線架的光吸收率乃為增加至12%，而經由引線架之光吸收的影響變大。另一方面，對於例如引線架之光澤度乃1.3之情況，係因引線架的反射特性為接近於鏡面反射，在引線架反射的光乃從射出面65c至放出為止之反射次數增大，而經由引線架或白色樹脂之光吸收的影響變大。隨之，理解到將引線架的光澤度作為0.3～1.0之範圍，更理想為從0.5～0.7之範圍加以選擇即可者。
另外，圖11乃顯示從圖8及圖9所示的關係，將構成發光裝置60之引線架的形式(Type1、Type2、Type3)作為參數而顯示各試料S1～S21的光澤度，與對於在射出面65c而言之垂直方向的x值、y值各最大最小差xΔmax-min及yΔmax-min之關係圖表。然而，在圖11中，例如將Type1(試料S1、S4、S7、S10、S13、S16、S19)之x值之最大最小差xΔmax-min作為Type1(x)而顯示，將y值之最大最小差yΔmax-min作為Type1(y)而顯示。此係對於其他的，在Type2(x)、Type2(y)、Type3(x)、Type3(y)亦為相同。
從圖11了解到，在Type1、Type2及Type3之任一，亦了解到與引線架乃幾乎成為鏡面光澤之光澤度=1.3做比較，在光澤度=0.1~1.0之範圍，在各發光裝置60之射出面65c，垂直方向之x值、y值的不均變小，換言之，抑制從各發光裝置60所射出的光之色不勻者。
另外，圖12乃顯示從圖8及圖9所示的關係，將構成發光裝置60之引線架的形式(Type1、Type2、Type3)作為參數而顯示各試料S1～S21的光澤度，與對於在射出面而言之平行方向的x值、y值各最大最小差xΔmax-min及yΔmax-min之關係圖表。然而，在圖12中，與圖11同樣地，例如將Type1(試料S1、S4、S7、S10、S13、S16、S19)之x值之最大最小差xΔmax-min作為Type1(x)而顯示，將y值之最大最小差yΔmax-min作為Type1(y)而顯示。此係對於其他的，在Type2(x)、Type2(y)、Type3(x)、Type3(y)亦為相同。
從圖12了解到，在Type1、Type2及Type3之任一，亦了解到與引線架乃幾乎成為鏡面光澤之光澤度=1.3做比較，在光澤度=0.1~1.0之範圍，在各發光裝置60之射出面65c，平行方向之x值、y值的不均變小，換言之，抑制從各發光裝置60所射出的光之色不勻者。但如圖12所示，對於引線架乃幾乎成為無光澤之光澤度=0.1之情況，較引線架乃成為半光澤之光澤度=0.3~1.0之情況，發光效率則變低。隨之，理解到將引線架的光澤度作為0.3～1.0之範圍，更理想為從0.5～0.7之範圍加以選擇即可者。
在此，當看存在有螢光體粉體65a之密封樹脂65的形狀時，例如在Type1之樹脂容器61中，底面70乃0.4mm×3.2mm，深度乃0.6mm、在Type2之樹脂容器61中，底面70之直徑乃1.6mm，深度乃0.6mm、在Type3之樹脂容器61中，底面70之直徑乃0.4mm，深度乃0.6mm。如上述，對於Type1及Type2之樹脂容器61，係於底面70之略中央搭載有半導體發光元件64，對於Type3之樹脂容器61，係3個半導體發光元件64乃於從底面70之中央偏移之位置搭載為略正三角形狀。隨之，從半導體發光元件64至密封樹脂65之射出面65c為止的距離係根據樹脂容器61之形式而各有不同。但，無關於樹脂容器61之形狀，而色度之方位依存性的不均係控制在小的範圍。隨之，從上述之結果了解到，以白色樹脂構成樹脂容器61，將露出於樹脂容器61之底面70的引線架之鍍銀層的光澤度作為0.3以上1.0以下，更且經由將螢光體粉體65a均一地分散於密封樹脂65之時，從發光裝置60所輸出之光的色度之方位依存性係未依存於樹脂容器61之凹部61a的形狀。
更且，圖13乃顯示從圖8及圖9所示的關係，將構成發光裝置60之引線架的形式(Typr1、Typr2、Typr3)作為參數而顯示各試料S1～S21的光澤度，與發光裝置60間之色度y的不均之關係圖表。然而，在此，各準備20個各試料S1～S21，將從構成各試料S1～S21之各20個之發光裝置60所輸出之光的色度y的不均，以σ加以評估。
從圖13了解到，在Typr1、Typr2及Typr3之任一，亦了解到與引線架乃幾乎成為鏡面光澤之光澤度=1.3做比較，在光澤度=0.1~1.0之範圍，色度y的不均σ變更小，換言之，抑制在各發光裝置60之色不勻者。但如圖10所示，對於引線架乃幾乎成為無光澤之光澤度=0.1之情況，較引線架乃成為半光澤之光澤度=0.3~1.0之情況，發光效率E則變低。隨之，理解到將引線架的光澤度作為0.3～1.0之範圍，更理想為從0.5～0.7之範圍加以選擇即可者。
10．．．背照光裝置
12．．．發光模組
50．．．液晶顯示模組
51．．．液晶面板
60．．．發光裝置
61．．．樹脂容器
61a．．．凹部
61b．．．上面
62．．．陽極用導線部
62a．．．第1陽極用導線部
62b．．．第2陽極用導線部
62c．．．第3陽極用導線部
63．．．陰極用導線部
64．．．半導體發光元件
64a．．．第1半導體發光元件
64b．．．第2半導體發光元件
64c．．．第3半導體發光元件
65．．．密封樹脂
65a．．．螢光體粉體
65b．．．透明樹脂
65c．．．射出面
70．．．底面
80．．．壁面
圖1乃顯示液晶顯示裝置之全體構成的圖。
圖2乃為了說明背照光裝置之構造的圖。
圖3乃為了說明實施型態1之發光裝置之構成的圖。
圖4乃為了說明實施型態1之發光裝置之製造方法的圖。
圖5乃為了說明實施型態2之發光裝置之構成的圖。
圖6乃為了說明實施型態2之發光裝置之製造方法的圖。
圖7乃為了說明實施型態3之發光裝置之構成的圖。
圖8乃顯示在實施例及比較例所使用之各試料與其構成之關係圖。
圖9乃顯示在實施例及比較例所使用之各試料與所得到之特性之關係圖。
圖10乃顯示將構成發光裝置之引線架的形式作為參數，顯示各試料的光澤度與發光效率之關係圖表。
圖11乃顯示將構成發光裝置之引線架的形式作為參數，顯示各試料的光澤度，與對於射出面而言在垂直方向之x值，y值各最大最小之關係圖表。
圖12乃顯示將構成發光裝置之引線架的形式作為參數，顯示各試料的光澤度，與對於射出面而言在平行方向之x值，y值各最大最小之關係圖表。
圖13乃顯示將構成發光裝置之引線架的形式作為參數，顯示各試料的光澤度，與發光裝置間之色度y之不均的關係圖表。
60．．．發光裝置
61．．．樹脂容器
61a．．．凹部
62．．．陽極用導線部
63．．．陰極用導線部
64．．．半導體發光元件
65．．．密封樹脂
65a．．．螢光體粉體
65b．．．透明樹脂
65c．．．射出面
70．．．底面
80．．．壁面
L．．．延長面
d．．．凹陷量
A．．．點

Claims (25)

  1. 一種發光裝置，其特徵乃包含：具有凹部之樹脂容器，和具有金屬導體，和具有形成於該金屬導體的表面之0.3以上且1.0以下之光澤度(JISZ8741：入射角=60°)的鍍銀層，在露出於前述樹脂容器之前述凹部的內側狀態加以配置之導體部，和設置於前述凹部的內側，與前述導體部電性連接之發光元件，和具有對於從前述發光元件所輸出的光而言之透光性，在前述凹部密封該發光元件之密封樹脂。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述導體部係經由由具有前述0.3以上且1.0以下之光澤度的鍍銀層所得到之藍氏反射體型之反射特性，使來自前述發光元件的光反射者。
  3. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述密封樹脂係包含對於前述發光元件之發光波長而言，透明之透明樹脂，和將分散於該透明樹脂之該發光元件的發光波長變換成更長波長的光之螢光體者。
  4. 如申請專利範圍第3項記載之發光裝置，其中，前述密封樹脂係具有將從前述發光元件所輸出的光射出於外部之射出面，前述射出面係具有從與前述樹脂容器之境界部側朝中央部側凹陷之凹部形狀，該射出面之凹陷量乃設定為20μ m以上且100μm以下之範圍者。
  5. 如申請專利範圍第3項記載之發光裝置，其中，對於前述凹部的內側，係安裝複數前述發光元件者。
  6. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述樹脂容器係使用白色顏料而加以白色化者。
  7. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，在前述導體部之前述鍍銀層的光澤度為0.5以上且0.7以下者。
  8. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述密封樹脂乃由矽樹脂加以構成者。
  9. 一種發光裝置，其特徵乃包含；具備含有底面，和從該底面周緣立起之壁面的凹部之樹脂容器，和具有金屬導體，和具有形成於該金屬導體的表面之0.3以上且1.0以下之光澤度(JISZ8741：入射角=60°)的鍍銀層，在露出於前述樹脂容器之前述凹部的前述底面狀態加以配置之導體部，和設置於前述凹部的前述底面，與前述導體部電性連接之發光元件，和具有對於從前述發光元件所輸出的光而言之透光性，在前述凹部密封該發光元件之密封樹脂。
  10. 如申請專利範圍第9項記載之發光裝置，其中，前述導體部係經由由具有前述0.3以上且1.0以下之光澤度的鍍銀層所得到之藍氏反射體型之反射特性，使來自前述發光元件的光反射者。
  11. 如申請專利範圍第9項記載之發光裝置，其中，前述密封樹脂係包含對於前述發光元件之發光波長而言，透明之透明樹脂，和將分散於該透明樹脂之該發光元件的發光波長變換成更長波長的光之螢光體者，前述發光元件係安裝於與前述底面之中心位置不同之位置者。
  12. 如申請專利範圍第9項記載之發光裝置，其中，前述密封樹脂乃由包含二氧化鈦微粒子之樹脂加以構成者。
  13. 如申請專利範圍第9項記載之發光裝置，其中，在前述導體部之前述鍍銀層的光澤度為0.5以上且0.7以下者。
  14. 如申請專利範圍第9項記載之發光裝置，其中，在可視範圍之前述樹脂容器及前述導體部之前述鍍銀層的光反射率為85%以上且98%以下者。
  15. 如申請專利範圍第9項記載之發光裝置，其中，露出於前述凹部的前述底面之前述導體部的面積乃設定為該底面之全面積的一半以上者。
  16. 一種發光模組，其特徵乃具備基板，和安裝於前述基板之複數的發光裝置，而前述發光裝置係具有：具有凹部之樹脂容器，和具有金屬導體，和具有形成於該金屬導體的表面之0.3以上且1.0以下之光澤度(JISZ8741：入射角=60°)的 鍍銀層，在露出於前述樹脂容器之前述凹部的內側狀態加以配置之導體部，和設置於前述凹部的內側，與前述導體部電性連接之發光元件，和具有對於從前述發光元件所輸出的光而言之透光性，在前述凹部密封該發光元件之密封樹脂。
  17. 如申請專利範圍第16項記載之發光模組，其中，前述發光裝置之前述導體部係經由由具有前述0.3以上且1.0以下之光澤度的鍍銀層所得到之藍氏反射體型之反射特性，使來自前述發光元件的光反射者。
  18. 如申請專利範圍第16項記載之發光模組，其中，前述發光裝置之前述密封樹脂係包含：對於前述發光元件之發光波長而言，透明之透明樹脂，和將分散於該透明樹脂之該發光元件的發光波長變換成更長波長的光之螢光體者。
  19. 如申請專利範圍第18項記載之發光模組，其中，前述發光裝置之前述發光元件係安裝於與前述凹部之底面之中心位置不同之位置者。
  20. 如申請專利範圍第16項記載之發光模組，其中，前述發光裝置之前述樹脂容器係使用白色顏料而加以白色化者。
  21. 如申請專利範圍第16項記載之發光模組，其中，在前述發光裝置之前述導體部之前述鍍銀層的光澤度為0.5以上且0.7以下者。
  22. 一種顯示裝置，屬於包含進行畫像顯示之顯示面板，和設置於該顯示面板之背面，從該顯示面板之背面側照射光的背照光之顯示裝置，其特徵乃前述背照光乃具備：基板，和安裝於前述基板之複數的發光裝置，前述發光裝置係具有：具有凹部之樹脂容器，和具有金屬導體，和具有形成於該金屬導體的表面之0.3以上且1.0以下之光澤度(JISZ8741：入射角=60°)的鍍銀層，在露出於前述樹脂容器之前述凹部的內側狀態加以配置之導體部，和設置於前述凹部的內側，與前述導體部電性連接之發光元件，包含對於前述發光元件之發光波長而言，透明之透明樹脂，和將分散於該透明樹脂之該發光元件的發光波長變換成更長波長的光之螢光體，在前述凹部密封該發光元件之密封樹脂。
  23. 如申請專利範圍第22項記載之顯示裝置，其中，前述發光裝置之前述導體部係經由由具有前述0.3以上且1.0以下之光澤度的鍍銀層所得到之藍氏反射體型之反射特性，使來自前述發光元件的光反射者。
  24. 如申請專利範圍第22項記載之顯示裝置，其中，前述發光裝置之前述樹脂容器係使用白色顏料而加以 白色化者。
  25. 如申請專利範圍第22項記載之顯示裝置，其中，在前述發光裝置之前述導體部之前述鍍銀層的光澤度為0.5以上且0.7以下者。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153666A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Showa Denko Kk 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
JP2012049348A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Sharp Corp 発光装置
TW201250964A (en) * 2011-01-27 2012-12-16 Dainippon Printing Co Ltd Resin-attached lead frame, method for manufacturing same, and lead frame
WO2013069924A1 (en) * 2011-11-08 2013-05-16 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
JP2013239540A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法
JP5708628B2 (ja) * 2012-12-06 2015-04-30 株式会社デンソー 表示装置
US9761763B2 (en) * 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
US8754435B1 (en) 2013-02-19 2014-06-17 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED package and related methods
US8933478B2 (en) 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
CN103543559B (zh) * 2013-11-05 2016-11-02 深圳市华星光电技术有限公司 直下式背光模组
KR20150096198A (ko) * 2014-02-14 2015-08-24 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
TWM490118U (en) * 2014-07-03 2014-11-11 Prolight Opto Tech Corporation Light emitting device with circular lighting
US10211378B2 (en) * 2016-01-29 2019-02-19 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing same
KR20170124682A (ko) * 2016-05-02 2017-11-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6394649B2 (ja) * 2016-06-30 2018-09-26 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
WO2018190449A1 (ko) * 2017-04-13 2018-10-18 (주)라이타이저코리아 라운드 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법
US10950764B2 (en) * 2017-11-28 2021-03-16 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2019186537A (ja) * 2018-03-30 2019-10-24 日亜化学工業株式会社 波長変換部材及び発光装置
CN113036016B (zh) * 2019-12-24 2022-10-11 群创光电股份有限公司 电子装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006228856A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用配線基板
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
TW200834992A (en) * 2006-11-28 2008-08-16 Samsung Electronics Co Ltd Light emitting diode package, backlight unit and liquid crystal display having the same
TW200834980A (en) * 2006-09-22 2008-08-16 Toshiba Kk Optical semiconductor device and manufacturing method thereof

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4172196B2 (ja) * 2002-04-05 2008-10-29 豊田合成株式会社 発光ダイオード
JP3991961B2 (ja) 2002-09-05 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 側面発光型発光装置
KR100586944B1 (ko) * 2003-12-26 2006-06-07 삼성전기주식회사 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법
JP4128564B2 (ja) 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
KR101041311B1 (ko) 2004-04-27 2011-06-14 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을 이용한 발광장치
DE102004045947A1 (de) * 2004-06-30 2006-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
KR101154801B1 (ko) 2004-12-03 2012-07-03 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 세라믹 기판 및 발광 소자 수납용 세라믹 패키지
JP2006269531A (ja) 2005-03-22 2006-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置
JP4918238B2 (ja) * 2005-09-13 2012-04-18 昭和電工株式会社 発光装置
US7812358B2 (en) 2005-09-13 2010-10-12 Showa Denko K.K. Light-emitting device
US7549772B2 (en) * 2006-03-31 2009-06-23 Pyroswift Holding Co., Limited LED lamp conducting structure with plate-type heat pipe
KR101496066B1 (ko) * 2006-06-02 2015-03-02 히타치가세이가부시끼가이샤 광반도체소자 탑재용 패키지 및 이것을 이용한 광반도체장치
JP2008041699A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Showa Denko Kk Ｌｅｄパッケージ
JP2008091818A (ja) 2006-10-05 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法
JP2008159659A (ja) 2006-12-21 2008-07-10 Showa Denko Kk 発光装置および表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
JP2006228856A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用配線基板
TW200834980A (en) * 2006-09-22 2008-08-16 Toshiba Kk Optical semiconductor device and manufacturing method thereof
TW200834992A (en) * 2006-11-28 2008-08-16 Samsung Electronics Co Ltd Light emitting diode package, backlight unit and liquid crystal display having the same

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