JP2002151744A - 光源装置 - Google Patents

光源装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体発光素子からの直接光と波長変換され
た光とを効率良く外部に出射し、高輝度でクリアな混合
光を得る。 【解決手段】 金属製のリードフレーム２の載置パター
ン２ａに半導体発光素子３の底面４の大きさよりも小さ
い凹部５を設け、この凹部５に波長変換材料７を充填
し、この波長変換材料７の上に半導体発光素子３を載置
する。半導体発光素子３の底面４から発する光は、波長
変換材料７で波長変換された後にリードフレーム２で反
射する。そして、この反射光と半導体発光素子３の表面
３ａから発する光とが混色放射される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体発光素子
と波長変換材料とを金属製のリードフレームまたは基板
の反射面の上に設け、半導体発光素子の底面方向から出
射する光をリードフレームまたは基板上の波長変換材料
により波長変換して光を反射し、この光を再度半導体発
光素子を透過させて半導体発光素子本来の光と一緒に混
合光を出射する光源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示装置等をフルカラ表示さ
せるための光源装置としては、発光色が赤色（Ｒｅ
ｄ）、青色（Ｂｌｕｅ）および緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半
導体発光素子、いわゆるＲＢＧの三つの半導体発光素子
を基板等に設けて１ユニットとして用いたＬＥＤランプ
が知られている。
【０００３】また、発光色が赤色（Ｒｅｄ）、青色（Ｂ
ｌｕｅ）および緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半導体発光素子の
三つの半導体発光素子を一つのリードフレーム等に設け
たフルカラの光源装置も知られている。
【０００４】さらに、半導体発光素子自身の発光色から
他発光色を得るため、例えば特開平７−９９３４５号公
報に開示されているように、リードフレームのカップ状
に形成した中の底部上に半導体発光素子を載置し、カッ
プ内部に半導体発光素子の発光波長を他の波長に変換す
る蛍光物質を含有した樹脂で包囲して異なる発光色を得
る発光ダイオードが知られている。
【０００５】また、同様に半導体発光素子の発光波長を
他の波長に変換して半導体発光素子ランプ単体で白色の
発光色を得るため、青色発光の半導体発光素子等を波長
変換材料が含有した樹脂全体でランプ形状に包囲したも
のも知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の光源装置とし
て、赤色、青色および緑色発光色の半導体発光素子を基
板上に３つ用いて１ユニットとして使用する構成では、
発光表示装置が大型化なってしまうとともに互いの半導
体発光素子間の距離があるので、混合色が得にくく、混
合色のばらつきや画面色が粗くなってしまう課題があ
る。
【０００７】また、従来の発光色が赤色（Ｒｅｄ）、青
色（Ｂｌｕｅ）および緑色（Ｇｒｅｅｎ）の半導体発光
素子の三つの半導体発光素子を一つのリードフレーム等
に設けた光源装置では、白色の発光色を得る場合に赤
色、青色および緑色等全ての半導体発光素子に電荷を供
給しなければ成らないので、電力消費が大きく省エネル
ギに対する課題や携帯機器等のバッテリ必要スペースに
対する課題がある。
【０００８】さらに、特開平７−９９３４５号公報に開
示されているように、リードフレームのカップ状に形成
した中の底部上に載置した半導体発光素子に波長変換す
る蛍光物質を含有した樹脂で包囲して異なる発光色を得
る発光ダイオードは、半導体発光素子が波長変換材料の
中に入ったような状態であるために混合色が得にくい課
題がある。
【０００９】また、同様に半導体発光素子の発光波長を
他の波長に変換して半導体発光素子ランプ単体で白色の
発光色を得るために青色発光の半導体発光素子等を波長
変換材料が含有した樹脂全体でランプ形状に包囲した構
成では、波長変換材料の使用量が多くなってしまうとと
もに波長変換材料の分散分布の安定性に課題がある。
【００１０】本発明はこのような課題を解決するためな
されたもので、リードフレームまたは基板に半導体発光
素子の底面の大きさよりも小さい凹部をエッチング加
工、レーザ加工や放電加工で反射効率を良く設けて、こ
の凹部に波長変換材料を充填して波長変換材料の上に半
導体発光素子を載置し、透明性を有した半導体発光素子
の底面から発する光を波長変換材料で波長変換し、その
光をリードフレームや基板の反射面で再度半導体発光素
子方向に反射し、この反射光と波長変換されていない半
導体発光素子自身の表面から発する光とが混ざり合って
混色放射することができる光源装置を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に係る光源装置は、リードフレームまたは基板
には、半導体発光素子の底面の大きさよりも小さい凹部
が設けられ、当該凹部には波長変換材料が充填され、当
該波長変換材料の上に半導体発光素子が載置されてお
り、半導体発光素子の底面から発する光を波長変換材料
で波長変換するとともにリードフレームまたは基板の反
射面で反射し、半導体発光素子の表面から発する光と混
色放射することを特徴とする。
【００１２】請求項１に係る光源装置は、リードフレー
ムまたは基板には、半導体発光素子の底面の大きさより
も小さい凹部が設けられ、当該凹部に波長変換材料が充
填され、当該波長変換材料の上に半導体発光素子が載置
されており、半導体発光素子の底面から発する光を波長
変換材料で波長変換するとともにリードフレームまたは
基板の反射面で反射し、半導体発光素子の表面から発す
る光と混色放射するので、半導体発光素子からの直接光
と波長変換された光とが効率良く外部に出射する。
【００１３】また、請求項２に係る光源装置は、凹部を
半導体発光素子の底面からの発光形状または矩形状ある
いは円形状であることを特徴とする。
【００１４】請求項２に係る光源装置は、凹部を半導体
発光素子の底面からの発光形状または矩形状あるいは円
形状であるので、半導体発光素子の底面からの光線がも
れなく有効に凹部に投射したり、また加工が容易であ
る。
【００１５】さらに、請求項３に係る光源装置は、凹部
がエッチング加工、レーザ加工または放電加工によって
加工形成された微小で反射効率の良い開口部からなるこ
とを特徴とする。
【００１６】請求項３に係る光源装置は、凹部をエッチ
ング加工、レーザ加工または放電加工によって加工形成
された微小で反射効率の良い開口部からなるので、精度
良く半導体発光素子の底面の大きさよりも小さい凹部を
設けることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づき説明する。なお、本発明は、金属製のリー
ドフレームまたは反射面を有する基板に半導体発光素子
の底面の大きさよりも小さい凹部を設け、この凹部に波
長変換材料を充填し、この波長変換材料の上に半導体発
光素子を載置し、半導体発光素子の底面から発する光を
波長変換材料で波長変換するとともにリードフレームや
基板の反射面等で反射し、この反射光と半導体発光素子
の表面から発する光とを混色放射する光源装置を提供す
るものである。
【００１８】図１は本発明に係る光源装置の略側面図、
図２は本発明に係る光源装置のインジェクションモール
ド成型したリードフレームまたは基板に施した凹部の正
面図である。
【００１９】図１および図２に示すように、光源装置１
は、リードフレーム２、半導体発光素子３、ワイヤ６、
波長変換材料７、モールドケース８を備えている。
【００２０】リードフレーム２は、導電性および弾性力
のあるアルミニウム等の金属薄板からなる。リードフレ
ーム２は、半導体発光素子３を載置する複数の載置パタ
ーン２ａ、半導体発光素子３と電気的接続する配線パタ
ーン２ｂ、図示しない複数のリード端子および図示しな
い支持枠部等を１ユニットとして、多数ユニットが並設
されるようにパンチプレス等により形成される。
【００２１】また、図１および図２に示すように、リー
ドフレーム２の載置パターン２ａには、半導体発光素子
３を載置する位置に半導体発光素子３の底面４の大きさ
よりも小さい凹部５がエッチング加工やレーザ加工また
は放電加工によって微小形成されている。
【００２２】さらに、リードフレーム２は、燐青銅の様
な反射性にやや劣る場合には、銀等のメッキを施して反
射効率を良くする。この反射効率を良くする目的は、半
導体発光素子３の底面４からの出射光線を反射し、再度
半導体発光素子３の表面３ａ方向に導くためである。
【００２３】また、リードフレーム２の載置パターン２
ａは、半導体発光素子３のアノード（もしくはカソー
ド）からワイヤ６（６ａ）と接続される。同様にリード
フレームの配線パターン２ｂは、半導体発光素子３を載
置せずに電気的接続のためのパターンとし、半導体発光
素子３のカソード（もしくはアノード）からワイヤ６
（６ｂ）と接続される。
【００２４】また、リードフレーム２は、図示しない金
型によって面対称に挟み込むように載置パターン２ａや
配線パターン２ｂ等の底面とモールドケース３によって
インサートモールド成形される。
【００２５】なお、リードフレーム２は、図示しない支
持枠部を有してインサートモールド成形され、半導体発
光素子３等のチップのマウント、ボンディング、ワイヤ
６のボンディング、波長変換材料７の充填等の工程まで
全体のフレームを保持し、最終的には図示しないリード
端子のみを残し切断除去する。
【００２６】凹部５は、エッチング加工やレーザ加工ま
たは放電加工等によって微小に加工され、半導体発光素
子３の底面４の大きさよりも小さく形成される。
【００２７】また、凹部５は、図２に示すような半導体
発光素子３の底面４からの発光形状５ｃまたは矩形状５
ａあるいは円形状５ｂに作成される。この凹部５内には
波長変換材料７が充填され、波長変換材料７の上には半
導体発光素子３が載置される。
【００２８】半導体発光素子３としては、例えばサファ
イヤ等の透明基板を用いてアノードやカソード等の電極
３ｃ，３ｄ以外の発光した光が出射できるＩｎＧａＡｌ
ＰやＩｎＧａＡｌＮおよびＩｎＧａＮ系の青色発光する
半導体発光素子が用いられる。
【００２９】また、半導体発光素子３は、凹部５内に充
填された波長変換材料７の上に素子のチップを載置し、
電極３ｃ，３ｄとリードフレーム２の載置パターン２ａ
および配線パターン２ｂとの間にワイヤー６ａ，６ｂを
ワイヤーボンディングして電気的接続を行う。
【００３０】特に半導体発光素子３の電極形状が左右端
部中心に配置されている場合には、半導体発光素子３の
底面４からの発光形状と同等の形状を有する図２（ｃ）
に示すような凹部５ｃ内に波長変換材料７を充填し、こ
の波長変換材料７の上に半導体発光素子３を載置する。
【００３１】さらに、半導体発光素子３は、半導体発光
素子３上に取り付ける電極をＩｎ2Ｏ3 、ＳｎＯ2 、Ｉ
ＴＯ等から成る導電性透明金属等をスパッタリング、真
空蒸着、化学蒸着等生成させて電極（アノードやカソー
ド）３ｃ，３ｄを製作した場合には、半導体発光素子３
の底面４からの出射光が略矩形状であるので、図２
（ａ）に示すような凹部５ａ内に波長変換材料７を充填
してその上に載置し、量産性や加工性によっては図２
（ｂ）に示すような円形状な凹部５ｂ内に波長変換材料
７を充填してその上に載置しても良い。
【００３２】波長変換材料７は、無機系の蛍光顔料や有
機系の蛍光染料等からなり、無色透明なエポキシ樹脂や
シリコーン樹脂等に混合分散させたものであり、半導体
発光素子３の発光色を他の異なる色に変換する。
【００３３】例えば橙色蛍光顔料はＣａＳｉＯ3 ：Ｐ
ｂ，ＭｎやＹ3 Ａ１5 Ｏ12系等からなり、青色発光の半
導体発光素子３との光と混合して白色光を得る。
【００３４】波長変換材料７は、図２（ａ）〜（ｃ）の
凹部５ａや凹部５ｂおよび凹部５ｃに充填され、半導体
発光素子３の底面４からの出射光を波長変換し、凹部５
の金属部分で反射し、半導体発光素子３の下方向に放射
した光が波長変換材料７で色変換された光が上方の放射
するとともに下部で反射して、反射した光も上方に放射
し、半導体発光素子３から直接上方に放射した光と混合
する。
【００３５】例えば、半導体発光素子３の下方向に放射
した青色光が波長変換材料７で色変換されて黄色光が上
方の放射するとともに下方に放射し凹部５の底部で反射
して、反射した黄色光も上方に放射し、これら２つの過
程での半導体発光素子３方向に向う黄色光と半導体発光
素子３から直接上方に放射した青色光とが完全に混ざり
合い均一な白色光を上方に放射するので、クリアで輝度
の高い白色光を得ることができる。
【００３６】また、波長変換材料７は、半導体発光素子
３等の発光した光の吸収により励起され、エネルギ準位
の低い基底状態からエネルギ準位の高い励起状態に遷移
し、基底状態に戻る時に電子エネルギを振動や回転等の
熱エネルギに変化することなく光をして放出する物であ
り、一般にストークスの法則の様に、半導体発光素子３
の発光波長よりも波長変換材料７からの発光波長のほう
が長い発光や２段階的な電子励起が励起過程に含まれ、
反ストークスな半導体発光素子３の発光波長よりも波長
変換材料７からの発光波長のほうが短い発光をも含まれ
る。
【００３７】さらに、波長変換材料７は、無色透明なエ
ポキシ樹脂やシリコーン樹脂等に混合分散する比率によ
って、エポキシ樹脂部分を透過した半導体発光素子３本
来の色調と波長変換材料７で波長変換された色調との混
合によって色度図等に示される色調が得られる。
【００３８】例えば、青色発光の半導体発光素子３から
の光を橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料を混入した波長変換
材料７に投射すると、青色光と橙色光との混合によって
白色光が得られ、波長変換材料７が多い場合には橙色の
色調が濃い光が得られ、波長変換材料７が少ない場合に
は青色の色調が濃い光が得られるが、同じ量の波長変換
材料７でも密度分布が大きいと波長変換された光が再度
半導体発光素子３に戻る光量が波長変換材料７の表面部
からの波長変換光のみとなってしまう。
【００３９】よって、本例の光源装置１では、凹部５を
施して白色光に必要な絶対波長変換材料７の量を維持
し、これら波長変換材料７の粒子間に無色透明なエポキ
シ樹脂やシリコーン樹脂等を存在させ、波長変換材料７
によって波長変換された光を凹部５の底面まで到達さ
せ、凹部５による反射光を波長変換材料７粒子間を通過
させ、再度半導体発光素子３に戻し、反射効果が失われ
ないようにする。
【００４０】金線等からなるワイヤ６ａは、半導体発光
素子３のアノード電極３ｄとリードフレーム２の載置パ
ターン２ａとをボンダによって電気的接続をする。また
同様に、金線等からなるワイヤ６ｂは、半導体発光素子
３のカソード電極３ｃとリードフレーム２の配線パター
ン２ｂとをボンダによって電気的接続をする。
【００４１】尚、ここでは図示していないが、リードフ
レーム２（２ａ，２ｂ）等は、外部に取り出すために、
導電性および弾性力のある燐青銅等の銅合金材またはア
ルミニウム等からなるリード端子に接続、またはそのま
まリード端子としてこれら全体を包囲するモールドケー
ス８から出すように構成する。
【００４２】さらに、図２に示すモールドケース８は、
変成ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ナイロ
ン４６や芳香族系ポリエステル等からなる液晶ポリマな
どの絶縁性の有る材料に、光の反射性を良くするために
チタン酸バリウム等の白色粉体を混入させたものを、加
熱し圧力を加えてリードフレーム２（２ａ，２ｂ）等を
挿入してインジェクションモールド成型する。
【００４３】ところで、上述した例では、リードフレー
ム２（２ａ）に凹部５（５ａ，５ｂ，５ｃ）を形成し、
凹部５内に波長変換材料７を充填しその上に半導体発光
素子３を載置する構成について説明したが、半導体発光
素子３が載置される部分に反射面を有する基板について
も同様である。すなわち、基板に半導体発光素子３の底
面の大きさよりも小さい凹部５を設け、凹部５内に波長
変換材料７を充填しその上に半導体発光素子３を載置し
ても同様な効果を得ることができる。
【００４４】但し、リードフレーム２に代えて基板を用
いる場合、例えば基板がガラスエポ等の絶縁性材料から
なるときには、電気的接続の配線パターンと同様に導電
性材料により成形しエッチング加工やレーザ加工または
放電加工によって凹部５を形成した後に、銀等のメッキ
を施して反射面を形成し反射効率を良くする。
【００４５】
【実施例】本発明の光源装置を実施例に基づき説明す
る。ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネッ
ト）系の蛍光顔料である（Ｙ，Ｇｄ）3 （Ａｌ，Ｇａ）
5 Ｏ12：Ｃｅの（Ｙ，Ｇｄ）3 （Ａｌ，Ｇａ）5 Ｏ12と
Ｃｅとの原子量比を各種変え、この比率が１：４の時
に、さらに蛍光顔料の平均粒度を８μｍ程度にした物を
無色透明なエポキシ樹脂と重量比１：１に調整した波長
変換材料混入樹脂による橙色の発光色と青色発光の半導
体発光素子の発光色とにより白色の光を得ることができ
た。
【００４６】なお、この実施例において、青色発光の半
導体発光素子３には豊田合成（株）のＥ１Ｃ００−１Ｂ
Ａ０１を用い、波長変換材料には根本特殊化学（株）の
（ＹＡＧ８１００４）を用いた。
【００４７】また、半導体発光素子３に波長変換材料７
を塗った場合よりも、本発明の半導体発光素子３を載置
する位置に凹部５を設け、そこに波長変換材料７を充填
した場合のほうが、平均輝度が３２．５％高く得られ
た。
【００４８】このように、従来は波長変換材料を半導体
発光素子の上部に設ける白色光を得る場合、半導体発光
素子上方に放射した半導体発光素子自身の青色光と、半
導体発光素子上に設けた波長変換材料により変換された
黄色光との分散した光が、人間の目に白色光のように見
えるが、青色光と黄色光との分散および分布が均一およ
び一定で有る必要性があり、半導体発光素子上方で波長
変換材料により青色光を遮って色変換した光と、青色光
自身との合成された光量によって輝度が決定される。よ
って、波長変換材料の分散および分布を均一に行ねばな
らず、輝度があまり良くない。
【００４９】しかし、本発明の光源装置によれば、半導
体発光素子上方に放射した半導体発光素子自身の青色光
と、半導体発光素子下方に放射した青色光を波長変換材
料により変換された黄色光として再度上方に反射させ、
上方に放射した光と上方に反射した光とが完全に混ざり
合い均一な白色光を上方に放射するので、クリアで輝度
の高い白色光を得ることができる。
【００５０】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る光源装置
は、リードフレームまたは基板に半導体発光素子の底面
の大きさよりも小さい凹部が設けられ、当該凹部に波長
変換材料が充填され、当該波長変換材料の上に半導体発
光素子が載置されており、半導体発光素子の底面から発
する光を波長変換材料で波長変換するとともにリードフ
レームまたは基板の反射面で反射し、半導体発光素子の
表面から発する光と混色放射するので、半導体発光素子
からの直接光と波長変換された光とが効率良く外部に出
射し、高輝度でクリアな混合光を得ることができる。
【００５１】また、請求項２に係る光源装置は、凹部を
半導体発光素子の底面からの発光形状または矩形状ある
いは円形状であるので、半導体発光素子の底面からの光
線がもれなく有効に凹部に投射し、凹部に入った光線が
全て波長変換でき、また加工が容易であるので、作業も
容易になり、信頼性および経済性の優れている。
【００５２】さらに、請求項３に係る光源装置は、凹部
がエッチング加工、レーザ加工または放電加工によって
加工形成された微小で反射効率の良い開口部からなるの
で、精度良く半導体発光素子の底面の大きさよりも小さ
い凹部を設けることができるために、最適な波長変換材
料を充填でき、半導体発光素子の底面からの光線をもれ
なく受けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光源装置の略側面図
【図２】本発明に係る光源装置に施した凹部の正面図
【符号の説明】
１…光源装置、２…リードフレーム、２ａ…載置パター
ン、２ｂ…配線パターン、３…半導体発光素子、３ａ…
半導体発光素子表面、３ｃ，３ｄ…半導体発光素子電
極、４…半導体発光素子底面、５（５ａ，５ｂ，５ｃ）
…凹部、６（６ａ，６ｂ）…ワイヤ、７…波長変換材
料、８…モールドケース。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属製のリードフレームまたは基板の反
    射面の上にＩｎＧａＡｌＰやＩｎＧａＡｌＮやＩｎＧａ
    ＮおよびＧａＮ系の透明性を有する半導体発光素子が載
    置された光源装置において、 前記リードフレームまたは前記基板には、前記半導体発
    光素子の底面の大きさよりも小さい凹部が設けられ、当
    該凹部には波長変換材料が充填され、当該波長変換材料
    の上に前記半導体発光素子が載置されており、前記半導
    体発光素子の底面から発する光を前記波長変換材料で波
    長変換するとともに前記リードフレームまたは前記基板
    の反射面で反射し、前記半導体発光素子の表面から発す
    る光と混色放射することを特徴とする光源装置。
  2. 【請求項２】 前記凹部は、前記半導体発光素子の底面
    からの発光形状または矩形状あるいは円形状であること
    を特徴とする請求項１記載の光源装置。
  3. 【請求項３】 前記凹部は、エッチング加工、レーザ加
    工または放電加工によって加工形成された微小で反射効
    率の良い開口部からなることを特徴とする請求項１又は
    ２記載の光源装置。
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