TWI309847B - Apparatus for processing substrate - Google Patents

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!3〇984782； ；pif.doc 為第95103710號中文說明書無劃線修正頁 修正日期：97年1〇月20曰 ”年/δ月日, 頁 九、發明說明： --------. 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一用於處理一基底之裝置。更特定言 之，本發明是關於一用於實施在一基底上形成一薄膜之製 程之裝置，其中基底應用於一有機發光二極體。 【先前技術】 最近，資訊處理設備迅速發展成具有各種形狀及帶有 快速資料處理速度之功能。資訊處理設備具有一用於顯示 被處理資訊之顯示設備。作為顯示設備，主要使用一陰極 射線管型顯示設備，但是，與陰極射線管型顯示設備相比 較’由於平板顯示設備具有諸如重量輕、尺寸緊湊等各種 性質，因此最近平板顯示設備被用作針對資訊處理設備之 顯不設備。特別地，與液晶顯示器相比，有機發光二極體 jOLED)具有諸如厚度薄、能量消耗低、圖像品質清晰、 兩響應速度等各種優點，而備受關注。這是由於〇LEd不 需要一單獨之背光元件(backlight unit)。 為了製造0LED，需要許多製程且在製程中主要使用 一群聚型(clustertype)裝置。在群聚型裝置中，佈置處理室 (process chamber)以形成一圓，且一用於在處理室間 底之機械手臂(robot arm)定位於圓之中心部分。 土 然而，由於基底藉由機械手臂傳送，所以製程 ^夕基底從處理室卸掉以及將基底輯至處理室。另 裝置= 19282-PI-122

Bomu 【發明内容】 本發明提供一能夠有效地實施一用於有機發光二極體 之沉積製程之基底處理裝置（substrate processing apparatus) ° 本發明還提供一能夠連續執行多個製程之基底處理裝 置。 一、 本發明之一方面，一基底處理裝置包含多個處理室、 一傳輸引導件(transferring guide)、至少一基底支樓件 (substrate supporter)以及一沉積材料供應元件（dep〇siti〇n material supplying member)。處理室包含多個沉積室 (deposition chamber)，每一沉積室具有一經由其一側壁形 成之開口。傳輸引導件被安裝在沉積室内一上部處。當基 底在沉積室之間移動且進行處理基底之一製程之同時了^ 底支撐件支撐基底。基底支撐件被耦合至傳輸導引件，使 得基底支#件沿傳輸導引件移動。沉積材料供應元件供應 -沉積材料給基底支#件支狀基底，且沉積材料供應^ 件被置放在定位於沉積室中之傳輸導引件之下方。 撐件沿傳輸導引件經由開口在處理室之間移動，且二二 藉由搞合至傳輸導引件之基底支料切時，執行 底。 土 可在處理室之間提供一用於打開或關閉開口之間 (gate valve)，以使得處理室之内部分彼此隔開。當執 理基底時，沉積室之内部分保持處於—真空狀態:仃处 每-處理室可進-步包含一罩幕連^室（麵k 19282-PI-I22 7 I30984X- attaching chamber)以及一罩幕分離室detaching chamber)。罩幕連接室提供一空間，其間執行一將一具有 一預定圖形之罩幕連接至基底之製程。罩幕連接室被安裝 於沉積室之一第一侧且具有一基底經由其移動通過之開口 (opening)。罩幕分離室提供一空間，其間執行一自基底分 離罩幕之製程’且罩幕分離室被安裝在沉積室之一第二侧 且具有一基底移動通過之開口。 _ 當執行處理底時，沉積室之内部分保持處於一真空狀 態。罩幕連接室、沉積室及罩幕分離室被分成一個或多個 組，且閘閥可打開及關閉安裝在罩幕連接室、沉積室及罩 幕分離室之組間之開口。 -基底可為一用來製造一有機發光二極體之基底。基底 .支撐件包含一在其一下表面上形成之黏附層 (adhere-layer)，且基底藉由黏附層被連接至基底支撐件。 沉積材料供應元件可包含一用於容納沉積材料之供應 容器（supplying container)以及一用於加熱供應容器之加& 鼸元件(heating member)，藉此，當執行處理基底時，沉積^ 料被供應至基底。 裝置可進一步包含一阻擋板(bl〇cking Plate)，經由阻擋 板形成一朝向沉積材料供應元件之一上部之開口。阻擋才2 被安裝於連接至基底支禮件之基底與沉積材料供應元^之 間。阻擋板可防止自沉積材料供應元件供應之沉積材料移 動穿過沉積室之開口或在傳輸導引件沉積。 當執行處理基底時，基底支撐件可沿傳輸導引件連續 19282-PI-122 8 1309847 19585pif.doc 移動。同樣，當執行處理基底時，基底支撐件在一預定位 置停留一預定時間後’可移動基底支撐件。 裝置可進一步包含一用於覆蓋一開口之蓋(c〇ver)，其 中沉積材料供應元件中之沉積材料經由開口被供應至沉積 室。 裝置可進一步包含一返回導引件(returning guide)，其 用於返回基底自其分離之基底支撐件。在處理室中返回導 φ 引件被置放於傳輸導引件上，且當基底支撐件沿傳輸導引 件返回時，其使罩幕自罩幕分離室移動至罩幕連接室。 裝置可進一步包含一沿傳輸導引件使罩幕自罩幕分離 至移動至罩幕連接至之罩幕返回元件（mask returning member)，且沉積室在其中提供一罩幕返回元件暫時停留 ' 之緩衝空間(buffer space)。 在沉積室之傳輸導引件之一上部處提供缓衝空間。在 罩幕連接室中提供緩衝空間且罩幕分離室具有一緩衝空 間，罩幕返回元件在緩衝空間處暫時停留。 基底支撐件包含一用於支稽基底之支撐板(SUpp〇rting plate)以及一驅動滾輪(driving roller),當支樓板沿傳輸導引 件傳輸時，驅動滾輪在傳輪導引件之一上表面上滚動。驅 動滾輪與支撐板之一下表面結合。 基底支撐件可進一步包含一沿傳輸導引件之一侧面滚 動之導引滾輪(guide roller)，當支撐板沿傳輸導引件傳輸 時，以便防止支撐板偏離傳輸導引件而偏向一實質上垂直 於傳輸導引件之一縱向之方向。 19282-PI-122 9 1309847 19282pif.doc 支撐板之下表面包含一用於支撐基底之中心部分、一 安裝驅動滚輪之端部以及一在中心部分與端部之間形成之 第一彎曲部分(bend portion)。傳輸導引件之上表面包含一 與驅動滾輪接觸之路徑部分以及一與第一彎曲部分對應之 第二彎曲部分。 ~ 裝置可進一步包含一用於驅動基底支撐件之驅動器 (driver)。驅動器包含：一齒條(rack gear)，其在支撐板之 鲁 一侧壁上形成，一與齒條結合之小齒輪(a pini〇n弘㈣；一 藉由一馬達轉動之第一旋轉軸(r〇tati〇n axie); 一第一磁性 物質(magnetic substance)，第一旋轉軸插入其中；一用於 轉動小齒輪之第一方疋轉轴，第二旋轉轴實質上垂直於第一 - 旋轉軸；以及一第二磁性物質，其用於自第一旋轉軸傳輸 . 一旋轉力至第二旋轉軸。第二旋轉軸被插入第二磁性物質 中’且第二磁性物質實質上垂直於第一磁性物質。 、 根據上面所述，其可減少基底之處理時間以及裝置之 安裝面積，且當維修任一腔室時，腔室可連續保持於一 • 空狀態。 ' 【實施方式】 應瞭解當一元件或層被稱為“位於”、“連接至，，或“耦八 至”另一元件或層上時，其可直接位於、連接至或耦合至二 一元件或層上或者可出現中間元件或層。相反，當—元件 被稱為“直接位於”、“直接連接至，，或“直接耦合至，，另—元 件或層上’則不會出現中間元件或層。整篇文章相同之數 字表示相同之元件。如本文所使用之術語“及/或”包含—個 19282-PM22 10 1309847 59282pif.doc 或多個相關列出^目之任意及所有組合。 應瞭解，儘管術巧菌—^ 種元件、部件、區域、;为/+、弟二4在本文可用來描述各 區域、層及/或部八—π _或部分，但是此等元件、部件、 來使-:件、部：吾，制。此等術語僅用

i部分件從本二==== 部=域:：層或部分可被稱為-第二元件、 而益用之術語僅為描述特定具體實施例之目的， 思，本發明。如本文所使用之單數形式“a，，、“⑽，，以 =r謂著包含複數形式，除非上下文明確指示之其 ，情況:應進-步瞭解術語“包含，，及/或“包含”，當其用於 。說明曰中時’其明確表示存在所述之特徵、整數、步驟、 ^乍、元件及/或部件’但是不排除存在或附加—種或多種 “他特徵、整數、步驟、操作、科、部件及/或其組合。 除巧另外定義，侧本文使用之所有術語包含技術 及科學術語）具有與本發賴屬之技術領域之技術人員通 常所瞭解之意義-致。應進—步瞭解諸如在通常使用之詞 典中=定義之術語應被解釋為具有一與相關技術之上下文 中之意義相一致之意義，而不要以一理想或過度正式意義 來解釋’除非本文清楚地如此定義。 " 下文中’將參考所附圖示來詳細地説明本發明。 圖1為一根據本發明之一示例性具體實施例顯示一基 底處理裝置之透視圖。圖2及圖3為根據本發明另一示二 19282-PM22 11 1309847 19282pif.doc 為第95103710號t文說明書無劃線修正頁修正曰期·· 97年〗〇月叫g — 一 參考圖1，一基底處理裝置1包含多個腔室。腔室包 含一裝載室（loading chamber)10、一 淨化室（cleaning chamber)30、一 處理室 40 以及一卸载（unl〇ading chamber)20。處理室40包含一罩幕連接室42、一沉積室 44以及一罩幕分離室46。基底處理裝置1可進一步包含帶 有裝載室10、淨化室30、處理室40以及卸載室2〇之其他 腔至。處理至40可選擇性地僅包含沉積室44 ,且可在沉 積至44中執行一罩幕連接製程以及一罩幕分離製程。 在本具體實施例中，沿一直線順序佈置裝載室1〇、淨 化至30、處理室40以及卸載室2〇。罩幕連接室42、沉積 至44以及罩幕分離室46被定位於處理室4〇中，且亦與裝 載至10、淨化室30、處理室40以及卸載室2〇之佈置沿一 相同方向佈置。此外，可改變用於處理室4〇之腔室數量， =疋在有機發光二極體（0LED)情況下，具有大約 單元之腔室可被應用於基底處理裝置i作為處理室4〇。每 -腔室10 ' 20、30及40可包含一用於其維護與管理之門 (door)。同樣，每一腔室1〇、2〇、3〇及4〇與一排氣管邮_ Ρ1ΡΦ4相連接’在排氣管處安裝有一真空泵（未顯示）， 在-基底處理製程期間真空泵用來保持腔室1〇、2〇、3〇 及40之内部處於—真空狀態。 如上所述’可以各種結構佈置室10、20、30及40。 例如可如同圖2中所示之—基底處理裝置丨，將腔室、 2〇、30及4G佈置為—u形，或者饰置為—z字形以使得 19282-PI-122 12 1309847 19282pif.doc 為第_1Q射文__tel修正日期：9?年㈣2〇日 —~'一 •—一，一一 ?你/〇月）¾修正替換頁 月;二1°、2°二3。及40之區域不被伸長。此外，如同 二不&沿一直線上佈置沉積室糾，使得沉積室44 =近，而可沿一實質上垂直於如圖3所示 理 室之I】積室44之佈置方向佈置罩幕連接室-以及罩 ，於-沉積製程，將-基底3經由裝餘1()裝載進入 土 &处理裝置1中，且接著當完成積製 二由卸載室2。自基底處理裝置丨卸載。裝丄= 时之基底3被傳輸至淨化室3〇。在淨化室3〇中，^ 或一紫外線來淨化基底3之淨化製程處 St :製程處理後’基底3被順序傳輸至罩幕 42中，一在1、Λ44以及罩幕分離室*。在罩幕連接室 ^ -在其场成有i定圖形之罩幕 3，在沉積室44中沉積一薄層於基底3上，且mti 室46中基底3上之罩幕與基底3分離。接著，基 ζ 輸至如同處理室4G之下-個處理室1重複$著 ，幕、沉積薄層以及分離罩幕之製程。根連 僅可執行沉積製程而不執行罩幕連接製程以八 :分=下’處理室4°不包含罩幕連接室 儘管在圖示中未表示，但在裝載室1〇、 及卸载室20内部之一下部處提供有一基底傳至： (substrate transferring耻地的。在本具體實施二 傳輸元件可為-總成，其具有：若干軸’每一轴彼此^ 19282-PM22 13 Ι3〇984782ρ- 為第95103710號中文說明書無劃線修正頁 修正日期：97年1〇月20日 ** '** .-.··· -___________________ 7¾^月 >日修正替換頁 上平行；若干滚輪’其分別被辆合至轴之外表面；一馬達； 以及一給軸施加一旋轉力之帶。 圖4為一根據本發明之一示例性具體實施例之顯示一 基底傳輸裳置（substrate transferring apparatus)之平面視

圖。一基底傳輸裝置100在處理室40内部以及處理室之間 傳輸基底3。參考圖4 ’ 一基底傳輸裝置1〇〇包含一基底支 撐件110、一傳輸導引件14〇以及一驅動器16〇。基底支撐 件110在基底處理製程期間支稽·基底3且在處理室之間 傳輸基底3。在基底傳輸裝置100中，提供多個基底支撐 件，使得在每-處理室40中實質上同時執行基底處理製 程。在罩幕連接室42、沉積室Μ以及罩幕分離冑46内部 提供傳輸導件⑽，且其導5丨基底支撐件11()，從而直線 移動基底支撐件削。驅動器副給基底支撐件削施加 一驅動力使其直線移動。 圖5為一顯示圖4中所示之基底支撐件之截面視圖。 圖6為沿圖4之線1-1，截取之截面視圖。 A底ίί Ϊ 基底支撐件UG包含—支撐板120。 —下表面支撐，藉此，基底3之

曲部们勘以及-端部咖。在支撐= ^中間12Ga上形成-黏附層122以便易H 2撐ί120具有—分離棒㈣牆:其 動。黏附声12^工20 ί形成之一孔中且可向上及向下移 合於容易地將基底3與支撐板㈣ 刀離之鶴力。如上所述，基底切件110可使用-諸如 19282-PI-122 [S1 14 1309.847 19282pif.doc 為第95103710號中文說明書無劃線修正頁修正曰期·· 97年 一央子之工具（未顯示）或一工具與黏附層^ 修正替換買| 基底3固定至其上。同樣，基底支 其中之磁鐵124(magnet)，且一罩幕4包含一金| ，位於 而防止耦合至基底支撐件110之罩幕4鬆弛。，從 施例中，磁鐵124為一永久磁鐵。 承具體實 參考圖6，在支撐板120之端部i2〇c處安裝有一 元件(r〇llingmember)130。滾動元件13〇與傳輪導:ϋ 接觸，以使得基底支揮件η〇易於沿傳輸導引件_ = 滚動7G件130包含若干驅動滾輪132及若干 1 广驅動滾輪132被安農在支撐請之下表面之 處二且沿傳輸導引件⑽之-上表面滚動。導引滾輪I: 被女裝在支撐板120之一側面，且沿傳輸導引件⑽之一 側面滾動。當傳輸基底3時以及當罩幕4或基底 與續板12G分開時，導引滾輪134 S 止支#板120之水平移動。 在支撐板120之下表面之端部處形成一第一插入凹槽 ίΓ=ΓΓ)Γ。第—插人凹槽⑽沿―與傳輸導引件 相同之方向上形成。多個固定师_ a邮36 :许° g /入凹槽132&之兩内側面。驅動滾輪132 凹槽咖中’使得固定軸136分別被柄合 M0 另一、、、°構，插入凹槽沿一與傳輸導 Θ3 Ϊ方向上形成，其中插入凹槽彼此被 、W ®疋轴136以及驅動滾輪132可分別被安裝 19282-ΡΙ-122

15 1309847 19282pif.doc 於插入凹槽中。 類似地，在支撐板120之一側面處形成一第二插入凹 槽134a。第二插入凹槽134a在與傳輸導引件HO之縱向 相同之方向上形成。多個固定軸138被輕合至第二播入凹 槽134a之一上表面與一下表面。導引滾輪134被插入第二 插入凹槽134a中，藉此，固定軸138分別被耦合至導引滾 輪 134〇 ^ 在支撐板120之中間部分12〇a與端部i2〇c之間形成 彎曲部分120b。在本具體實施例中，支撐板12〇之彎曲部 分(concave portions)120b包含若干凹部分129a以及若干凸 部分(convexp〇rtions)129b。凹部分129a與凸部分12%在 與支撐板120移動方向之相同方向上形成。同樣，凹部分 129a與凸部分129b在中間部分i2〇a與端部uoc之間交 替形成。 在本具體實施例中，如傳輸導引件14〇之兩個傳輸導 引件被應用至基底傳輸裝置100。此兩個傳輸導引件被定 位於同一高度、彼此隔開且彼此平行。傳輸導引件140包 含-’f曲部分1働以及-在其上表面上形成之路徑部分 140c。在下文中，支撐板120之彎曲部分12〇b以及傳輸導 引件140之彎曲部分140b分別被定義為一第一彎曲部分及 -第二彎曲部分。路徑部分14(^具有―平坦上表面以提供 一供驅動滚輪132滚動之表面，且第二彎曲部分14%具有 一與第一彎曲部分120b對應之形狀。即第二彎曲部分 包含一對應於第一彎曲部分12〇b之凹部分129&之凸部分 19282-PI-122 16 I3〇984J82pifd〇c 為第95103710號中文說明書無劃線修正頁 修正曰期：97年10月20曰 月修正替換頁 14%以及一對應於凸部分12%之凹部分149a 曲- 部分120b與第二彎曲部分140b可防止顆粒流至支撐板 120之中間部分120a，顆粒是由於驅動滾輪132或導引滾 輪134與傳輸導引件140之間之摩擦或者驅動器16〇之各 部件之間摩擦所產生。此外，傳輸導引件14〇具有一平坦 側面以提供一導引滾輪134滾動之表面。 驅動器給基底支#件110施加驅動力使其直線移 .動。在本具體貫施例中，驅動器16〇包含一第一旋轉軸 162、一傳輸元件(transmission member) 163、一 第二轴 165、 一小齒輪166以及一齒條167。第一旋轉軸162沿一與傳 輸導引件140之縱向平行之方向延伸。馬達161與第一旋 轉軸162之一端部相連。第二旋轉軸165與第一旋轉轴162 結合且沿一實質上垂直於第一旋轉軸162之方向佈置。第 二旋轉軸165可藉由傳輸導引件14〇旋轉。藉由第一旋轉 軸162產生之旋轉力藉由傳輸元件163被傳輸至第二旋轉 轴 165 〇 、傳輸元件163包含多個第一磁性物質163a以及多個第 一磁丨生物質163b。藉由將第一旋轉轴162插入第一磁性物 ，163a而使第一磁性物質16如耦合至第一旋轉軸162。 第-磁性物質163a^第—旋轉轴162彼此隔開。第二磁性 物質勿別被安裝在鄰近第一磁性物質163a之位置 處—每第一磁性物質163b被耦合至第二旋轉軸165。第 旋轉軸165具有小齒輪166，且與小齒輪166對應之齒 條I67在支擇板U0之側面之一上部處形成。齒條⑹沿 19282-PM22

17 1309847 19282pif.doc -與傳輸導γ件14G移動方向相同之方向上連續形成。當 小齒輪166藉由第二旋轉轴165旋轉，且來自小齒輪166 之-旋轉力被傳輸至齒條167日夺，齒條167沿相同之方向 直線移動。根據本具體實施例，由於第—及第二磁性物質 163a及⑹b用於在第一與第二旋轉轴162與165之間傳 輸驅動力’因此與-齒輪總成相比，可預防顆粒。驅動器

廳被應用至每一腔室10、2〇、30及40，且獨立在腔室 10、20、30及40内部被驅動。 儘管未在圖示中顯示，但是可在淨化室3〇與處理室之 間安裝-卡緊室(chucking chamber)，且可在卸載室2〇與 ，理室4G之間安裝—卸卡錄咖⑽的。卡緊 至可包含與裝載室1〇中相同之基底傳輸元件。在 ’執彳了―將基底3自基底傳輸元件傳輸至基底支 Ϊ卡緊製程。同樣，在卸卡室中執行—將基底3 自基底支撐件11G傳輸至基底傳輸元件之—卸卡製程。另 矸可在裝載室1〇或淨化室3〇中執行卡緊製程，且 3=〇至^中執行卸卡製程。另外，卡緊室可被定位於 =化室30之間，從而當基底3被固定至基底 支撐件110時執行淨化製程。 f卡緊室與卸卡室中，可安裝—用於向上及向下 y =降機(eleva㈣（未顯示）。當基底3被裝載至卡 置至以機上時’升降機向上移動直至—預定之位 確咖連接至基底支撐件110之下表面4進= 19282-PI-122 1309847 19282pif.doc 行-對準基底3之—位置之猶餘。在卸卡 機向下移動直至基底支撐件11〇下方一預定位置。同樣， 分離棒126向下移動以自基底支撐件110推動基底3，從 而基底3與基底支撐件UG分離且被定位於升降機上。另 -方面]基底支撐件1U)可向τ移動以自基底傳輪元件卡 緊或放鬆基底3。 圖7為-根據本發明之-示例性具體實施例顯示一罩 幕連接/分離室之截面視圖。 參考圖7,罩幕連接室42與罩幕分離室46在其中包 含一罩幕移動器(maskmover)300。罩幕移動器3〇〇可向上 及向下移動，且罩幕4被設置於罩幕移動器3〇〇上。罩幕 4具有一在其上形成之預定圖形以界定一區域，其中在區 域上形成溥層。當罩幕移動器3〇〇在罩幕連接室42中移動 直至一預定之高度時，罩幕4藉由一應用於基底支撐件11〇 之夾子（未顯示）耦合至基底支撐件11()。將罩幕4麵合 至基底支撐件110之前，執行一基底3與罩幕4之間之對 準製程。罩幕4包含一金屬材料以使得罩幕4與基底支撐 件110之磁鐵124結合，從而防止麵合至基底支撐件11〇 之罩幕4部分鬆弛。當罩幕移動器3〇〇在罩幕分離室46 中移動直至一預定之高度時，基底支撐件11〇之夾子釋放 罩幕4，從而罩幕4自基底支樓件分離且被定位於罩 幕驅動器300上。用於罩幕耦合與分離之結構及方法不應 被限定於示例性具體實施例，且熟悉此項技術之人員可進 行各種改變及修正。 19282-PI-122 19 1309847 19282pif.doc 連接罩幕4之基底3被傳輸至沉積室44以執行沉積製 程。 圖8為一根據本發明一示例性具體實施例顯示一沉積 製程之截面視圖。圖9為一圖解在圖8之沉積室中執行一 >儿積製程之截面視圖。圖10為一圖解在圖1之基底處理裝 置中之罩幕之一分離製程之截面視圖。圖11及12為顯示 應用於圖1之基底處理裝置之閘閥之截面視圖。 參考圖8，在沉積室44下方設置一沉積材料供應室 (deposition material supplying chamber)48。沉積材料供應室 48可與沉積室44形成一整體，或在單獨製造沉積材料供 應室48後，沉積材料供應室48可被耦合至沉積室44。沉 積材料供應室48包含一應用於其中之沉積材料供應元件 500。沉積材料供應元件500包含一供應容器520以及一加 熱元件540。供應容器520提供一用於接收沉積材料之接 收空間，且供應谷器520之一上表面敵開。加熱元件540 加熱供應容器520，使得自沉積材料產生一流道(flume)。 一裝有一真空泵之管道被連接至沉積材料供應室48，且在 沉積材料供應室48之一前表面處安裝一門56(參見圖j )。 在本具體實施例中’加熱元件540之一實例可包含一熱線 圈（heat coil)。加熱元件540可被安裝於供應容器520之一 内側壁或被安裝以環繞供應容器520之内側壁。為自沉積 材料產生流道’可將一雷射轄照器（laser irradiat〇r)(未顯 示）應用於沉積室44以代替加熱元件540。在本具體實施 例中，已經描述了單獨應用於沉積室44之沉積材料供應室 19282-PM22 20 1309847 19282pif.doc 48 仁疋沉積材料供應室48可被安裝於沉積室44内部。 —在基底3之尺寸很小之情況下，在基底支撐件祜 固定至一面對沉積材料供應室48之位置後 程。然而，在基底3之尺植大之情況下，當基錢^ 削沿傳輸導引件M0移動時，沉積製程關於基底3吾牙 且反覆執行，同時基底支撐件11()沿傳輸導引件i 刀。 Π支===件110以一均勻速度連續移動之時或 基底支按件11G停止-預定時間且接著移動之時 積^程。在執行_製料財，基底讀件ug可在^ 中往復運動。作為另—示例性具體實施例，可在: 應谷盗520移動之同時執行沉積製程。然而 動 供應容器520以執行沉積製程時沉積室44之配置 二:^於沉積製程較佳地基底支撐件則沿傳輸導引 同樣，對於處理室40之沉積室44， 腔室可具有傳輸導引件刚。但是，處 寸^ 輸基;3至另一腔室之製程。此外，沉積 =~加’且難以提供—用於傳輸具有大尺寸之基底3之 結構。 4Q包含—蓋620 ’蓋620用於打開/關 520之—頂部或沉積材料供應室48之一開口。 4田8 n，仃^積“時（基底3未被設置於沉積材料供應室 合、、ώ、#、、ί、ϋ防止自沉積材料產生之流道流進沉積室44。 田"’〜爪進/儿積至44中時’流道在傳輸導引件14〇或在沉 19282-ΡΜ22 21 1309847 19282pif.doc 積室44之一内部沉積，從而產生顆粒。 在執行沉積製程過程中，當自沉積材料產生之流道流 向基底3之一頂部時’則流道被沉積至基底支撐件ho或 沉積室44内部之另一元件。同樣，當流道在沉積室44内 部散開時’散開之流道可經由一開口 40a流入鄰近腔室44

之另一腔室，從而污染另一腔室。為了防止污染鄰近沉積 室44之另一腔室’在沉積室44内部提供一阻擋板640。 阻擋板640被安裝在一較基底3連接至基底支撐件no之 位置更低之位置。阻擔板640具有一開口 642，開口 642 穿過阻擋板640形成且對應於沉積材料供應室48之開口 502。由於流道經由阻擋板64〇之開口 642被供應至沉積室 44之上部，因此自沉積材料產生之流道之區域可被限制為 基底3上之一預定區域。 處理至40可進一步包含一位於傳輸導引件140上之返 回導引件400。返回導引件_面對傳輸導引件140且且 有與傳輸導引件14〇相同之結構。當在底、 自基底支樓件U0分離時，基底支撐们1〇沿返=3 400返回至士螫含m ^ ^^丨1干 離之罩。同樣’在罩幕分離室46中與基底3分 呈辦眚—被傳輸至罩幕連接室42。如圖1G所示，在本 底支樓件=導引件_返回之基 罩幕分離室46返回//4連接至42°即基底支撐件110自 接室42。每告美广±幕且將返回之罩幕4傳輸至罩幕連 呆作。另一方面，罩幕4與基底支 19282-PM22 22

1309847 19282pif.doc =二：-預定位置層疊以代替自動返回罩幕4與基 一古ΐίΓ沉積製程時，處理室4G使其1部空間保持在 冋真空狀態。然而，當佟虚 ”、 持盆内部M h 處至4 G時，處理室4 〇保 k間處於-大氣壓狀態 似開口 ^ 由於腔室經由類 4〇a之開口彼此連接，當維修任一胪 室皆保持處於大氣壓狀能。囡μ ^ π所有腔 於所古_ 0 當完成維修處理時，由 於所有腔至必翁持處於高真空狀態 來開始下一製此而t長時間 打A心時基處理裝置1包含用於 打開及關閉母-腔室之開口伽之閘閥7〇 被安裝如在圖1丨所示之备一胪宮扯 ^ 知口 i所不之母腔至之間。然而，當閘閥7〇〇 在母一腔室之間形斜，基歧理裝置〗之製造成本增 加於疋，在腔室被分割成多個組後，閘閥7〇〇可被安裝 於腔室組之間。 在本具體實施例中，如圖12所示，罩幕連接室42、 /冗積至44以及罩幕分離室46可被配置成一處理室群。在 此情況下，在除了處理室群之腔室之間以及處理室群與鄰 近處理室群之腔室之間提供閘閥700。當維修任一腔室 時，將被維修之腔室可與鄰近之腔室分離。 圖13為一顯示當維修任一腔室時腔室内部之真空狀 態之視圖。在圖13中，維修包含罩幕連接室42、沉積室 44以及罩幕分離室46之處理室40之情況將作為本發明之 一示例性具體實施例被描述。 參考圖13，關閉鄰近處理室40之腔室處安裝之閘閥 19282-PI-122 23 1309847 19282pif.doc 700，且打開對應於處理室4〇之 之壓力保持處在大氣壓狀態，而^處理處理室40 之壓力保持處於高真空狀態β 之外之腔室 理室―且處理室仙關閉處 態。於是，可減少維修處理室40所力需為高真空狀 地改進了基錢理裝置i之工作=要之_’從而有效 圖14為一根據本發明另一 基底處理裝置之一視圖。圖15為一二=例 ”圖Η之基底處理裝置之二圖： 相同的參考數字表示圖1中相同之树，二2二中门 元件之詳細描述。 π疋將忽略相同 參考圖14,一基底處理裝 幕4自罩幕分離室46返回至“室用於使罩 件獅。祕返回基底支樓 ==外部。罩幕返回元件9〇。沿傳輪導引二 與插件卿可 =元件觸與娘撐件1 ^= 80! ’罩幕返回元件9。°可暫時停留在 、、、二^在'儿積至44之一内部上部分提供缓衝咖間 8〇〇，典藉此，、易於移動罩幕返回元件_。W、緩衝工間 70件_移動時，罩幕返回元件900可向 9=广二之緩衝空間_提昇，以避免軍幕返回元件 ，、土底支撐件1 i 0之間之碰撞。在完成將薄層沉積於 19282-PI-122 24 1309847 19282pif.doc 罩幕返回元件_可與基底支撐件11G 結構。罩幕返回元件900可使用磁力、諸如_4子== 疋件或磁力與機械元件之組合將罩幕4連接至其上。儘與 在圖14中未顯示，單幕返回元件_可在傳輸導引件^ • 肖緩衝空間800之間向上及向下移動。例如，罩幕返回元 件_可具有，合至其之傳輸元件(未顯示 於向上及向下移動一物體之滾輪。 ,為了防止基底支撐件110與罩幕返回元件900之間之 - 碰撞’基底處理裝置2可進一步包含一感測器(sens〇r)(未 - 顯不）與一控制器(c〇咖Uer)(未顯示）。感測器感測基底 支樓件110之-位置且給控制器提供一感測之信號。控制 器根據自感測器提供之感測信號控制罩幕返回元件9〇〇之 運動。為防止基底支撐件11〇與罩幕返回元件9〇〇之間之 碰才里，在基底支撐件110或罩幕返回元件9〇〇中可編制一 考慮各種因素之程式，諸如基底支樓件之一移動距 離、罩幕返回元件900之一移動距離、罩幕返回元件9〇〇 移動至缓衝空間800之時間、罩幕返回元件9〇〇停留在緩 衝空間800中之時間等等之因素。 當罩幕4返回時，罩幕返回元件9〇〇可停留在緩衝空 間800中。如圖15所示，緩衝空間8〇〇可進一步應用於罩 幕連接室42或具有沉積室44之罩幕分離室46。 19282-PM22 25 1309847 19282pif.doc 根據圖14所示之基底處理裝置2,由於罩幕返回元件 900沿傳輸導引件14〇移動，因此無需一額外之導弓 來導引罩幕返回元件9〇〇。另外，由於在處理室40中使用 之罩幕4僅在處理室4〇中移動，因此安裝在處理室 間之開口 40a 之 j? > ^ 尺寸亦變小。彳皮小，稭此’用於開口伽之閑闕之 圖16至18為圖解—使用圖14所示之基底 # 相一罩幕之製程之視圖。 攻置來 罢二考圖6至18’當罩幕4被裝載在罩幕分離室46中 2罩幕返回元件9〇〇上時，罩幕返 ^ =移動r積室44(參考圖⑹。在罩幕 '元件900不與基底支樓件110碰撞情況下，罩幕 '二』1 至罩幕 Φ ^ ΔΛ . 、回元件900移動至應用於沉積 =之緩衝空間8〇〇(參見叫接著，在沉積室： :執仃連接至基底支撐件UG之基底3之沉積製程。 况積製程後’當基底支擇件u 八離 = 罩幕返回元件_被耦合至傳於罩f；刀離至46時， 連接室42 (參見圖18)。此^^件140且移動至罩幕 緩衝空間800或罩幕分離室46 ^回疋件_移動至 L ^ ^ 如至46以重钹執行沉積製程。 根據上面所述认在執行沉積製程之 輸導引件，其中傳輸料件用於導引支撐基底之基 19282-ΡΜ22 26 1309847 19282pif.doc 而減小基底處理裝置之面積。同樣，由於在輕合至 承引件之基底讀件移動至沉積室之同時執行基底之 沉積製程，因此可減少沉積製程之時間。 此外由於在處理室之間或組合處理室之間安裝閘 ，’所：當維修其中任一腔室之時，腔室之内部可保持高 ^空狀,4。於是’當連續執行基底處理製辦，可減少再 操作基底處理裝置所需要之時間。 同樣，在每-處理室中獨立執行罩幕返回製程。由於 無需經由開口在處理室之_鮮幕返回元件，因此，可 減少閘閥之數量。 同樣，由於罩幕返回元件及基底傳輸元件沿傳輸導引 件移動且在沉積㈣部提供因此，基底處理 f可防止轉返回元件減鋪輸元件之間之碰撞，從^ 簡化基底處理裝置之結構。 同樣’沿傳輸導引件滾動之驅動滾輪與導引滾輪被福 合至基底支#件，岐基底支撐件可能室分離，因此， 可易於維修及保養基底支撐件。 同樣在女裝驅動滾輪與導引滾輪之基底支稽件部分 與支撐基底之基底找件部分之職、帛彎曲部分，從而防 止由於驅練輪或導引滾輪麟輸料件之間之摩擦產生 之顆粒之附屬物(attachment)。 另外’使用磁性物質作為用於在軸之_輸旋轉力之 傳輸元件，因此，與採用齒輪總成作為傳輸元件相比可減 19282-PI-122 27 1309847 19282pif.doc 為第95103710號中文說明當 Y又兄月¥無割線修正頁修正日期：97 ㊈明)6| 丨日修正替換] 儘 .官已經描述了本發明之示例性具體 之本發明:具體實施例，且在隨後主: 與修I。 f，、㈣内熟悉此項技術者可進行各種改變 【圖式簡單說明】 纽上之詳吨述絲合其巾制_示騎考慮， 本發明之上述及其他優點將變得顯而易見。 圖1為一根據本發明之一示例性具體實施例顯示一美 底處理裝置之透視圖。 土 圖2及3為根據本發明另一示例性具體實施例顯示一 基底處理裝置之一佈置之平面視圖。 圖4為一根據本發明一示例性具體實施例顯示一 傳輸裝置之平面視圖。 圖5為一顯示圖4所示之基底支撐件之截面視圖。 圖6為一沿圖4之線ι_[，截取之截面視圖。 連接/分離t 1娜具斷齡_示一罩幕 製程之截ί視:據本發明一不例性具體實施例顯示-沉積 面視^為—圖解在® 8之沉積室巾執行—_製程之截 圖10為一圖解在圖i之基底處理裝 製程之截面視圖。 丨置中罩幕之-分離 圖11及12為顯示應用於圖k基底處理裝置之問闊 19282-PM22 28 1309847 19282pif.doc 之截面視圖。 圖13為一維修任一腔室時顯示腔室内部一真空狀態 之視圖。 圖14為一根據本發明另一示例性具體實施例顯示一 基底處理裝置之視圖。 圖15為一根據本發明另一示例性具體實施例顯示圖 14之基底處理裝置之視圖。

圖16至18為圖解使用圖14所示之基底處理裝置返回 一罩幕之製程之視圖。 【主要元件符號說明】 1 :基底處理裝置 1’ ：'基底處理裝置 1” ：基底處理裝置 2 ： 基底處理裝置 3 ： 基底 4 ： 罩幕 10 :裝載室 20 :卸載室 30 :淨化室 40 :處理室 40a :開口 42 :罩幕連接室 44 :沉積室 46 :罩幕分離室 19282-PI-122 29 1309847 19282pif.doc 48 :沉積材料供應室 52 :門 54 :排氣管 56 :門 100 :基底傳輸裝置 110 :基底支樓件 120 :支撐板 120a :中間部分 120b :第一彎曲部分 120c :端部分 122 :黏附層 124 :磁鐵 126 :分離棒 129a :凹部分 129b :凸部分 130 :滾動元件 132 :驅動滚輪 132a :第一插入凹槽 134 :導引滾輪 134a :第二插入凹槽 136 :固定軸 138 :固定軸 140 :傳輸導引件 140b ··第二彎曲部分 19282-PI-122 1309847 19282pif.doc 140C :道路部分 149a :凹部分 149b :凸部分 160 :驅動器 161 :馬達 162 :第一旋轉轴 163 :傳輸元件 I 163a:第一磁性物質 163b :第二磁性物質 165 :第二旋轉轴 166 :小齒輪 - 167 :齒條 . 300 :罩幕移動件 400 :返回導引件 500 :沉積材料供應元件 502 :開口 • 520:供應容器 540 :加熱元件 620 :蓋 640 :阻擋板 642 :開口 700 :閘閥 800 :緩衝空間 900 :罩幕返回元件 19282-P1-122 31

Claims (1)

1309847 19282pif.doc 十、申請專利範圍： 1·一種基底處理裝置，其包括： 多個處理室，所述處理室具有多個沉積室，每一沉積 室具有經由其一側壁形成之開口； 一傳輸導引件，其被安裝於所述沉積室之一上部分； 至少一基底支撐件，用於支撐一基底以當所述基底在 所述沉積室之間移動以及執行處理所述基底時，所述基底 支撐件被耦合至所述傳輸導引件’使得所述基底支撐件沿 所述傳輸導引件移動；以及 一沉積材料供應元件，其用於供應藉由基底支撐件支 撐之基底的一沉積材料，所述沉積材料供應元件被設置在 定位於所述沉積室中之所述傳輸導引件之下方；其中所述 基底支撐件沿所述傳輸導引件經由該開口在所述處理室之 間移動，且當藉由耦合至所述傳輸導引件之基底支撐件支 撐'該基底時，執行所述基底之處理。 2. 如申請專利範圍第1項所述之基底處理裝置，其進 一步包括閘閥，所述閘閥用於打開或關閉所述開口以使得 所述處理室之内部各部分彼此分開，其中當執行所述基底 之處理時，所述處理室之内部各部分保持於一真空狀態。 3. 如申請專利範圍第1項所述之基底處理裝置，其中 每一所述處理室進一步包括： 一罩幕連接室’其中執行將一具有一預定模式之罩幕 連接至所述基底之製程’所述罩幕連接室被安裝於所述沉 積室之一第一側部處且具有所述基底移動穿過之一開口； 19282-PI-122 32 1309847 19282pif.doc 以及 一罩幕分離室’其中執行一使所述罩幕與所述基底分 離之製权’所述罩幕分離室被安裝於所述沉積室之一第二 側部處且具有一所述基底移動穿過之開口。 4. 如申請專利範圍第3項所述之基底處理裝置’其進 一步包含一用於打開及關閉所述開口之閘閥，其中當執行 所述基底之處理時所述沉積室之内部各部分保持於一真空 狀態，所述罩幕連接室、沉積室以及罩幕分離室被分割成 一個或多個組，且所述閘閥打開及關閉安裝在所述罩幕連 接室、沉積室以及罩幕分離室之所述組間之開口。 5. 如申請專利範圍第1項所述之基底處理裝置，其中 所述基底為一用於製造一有機發光二極體之基底。 6. 如申請專利範圍第1項所述之基底處理裝置，其中 所述基底支撐件包括一在其一下表面上形成之黏附層，且 所述基底藉由所述黏附層被連接至所述基底支撐件。 7. 如申請專利範圍第1項所述之基底處理裝置，其中 所述沉積材料供應元件包括： 一用於儲存所述沉積材料之供應容器；以及 一用於加熱所述供應容器之加熱元件，藉此，當執行 所述基底之處理時，所述沉積材料被供應至所述基底。 8. 如申請專利範圍第1項所述之基底處理裝置，其進 一步包含一阻擋板，一面對所述沉積材料供應元件之一上 部形成之開口穿過所述阻擋板，所述阻擋板被安裝於連接 至所述基底支撐件之所述基底與所述沉積材料供應元件之 19282-PM22 33 1309847 19282pif.doc 間，其中所述阻擋板防止自所述沉積材料供應元件供應之 沉積材料移動穿過所述沉積室之所述開口或在所述傳輸導 引件處沉積。 9. 如申請專利範圍第8項所述之基底處理裝置，其中 當執行所述基底之處理時，所述基底支撐件沿該傳輸導引 件連續移動。 10. 如申請專利範圍第8項所述之基底處理裝置，其中 當執行所述基底之處理時，所述基底支撐件在一預定位置 停留一預定時間後，移動所述基底支撐件。 11. 如申請專利範圍第1項所述之基底處理裝置，其進 一步包含一用於覆蓋一開口之蓋，所述沉積材料供應元件 中之沉積材料經由所述開口被供應至所述沉積室。 12. 如申請專利範圍第3項所述之基底處理裝置，其進 -步包括-返叫；丨件’用以如麟述基底分離之基底 ^樓件’所述返啤餅被設置於在所述處理室中之傳輸 支二當沿所述傳輸導引件返回時’所述基底 室。牛自所衫幕分離室移動職罩幕至所述罩幕連接 一牛範㈣3销叙基底處縣置，其進 :===接室，其中所述= ⑷如申留之-緩衝空間。 中在所述沉積室之傳輸導2所述之基底處理裝置，其 輸導引件之-上部處提供所述緩衝空 19282-PM22 34 1309847 19282pif.doc 間。 a如申請專利範㈣13項所述之基底處理裝置，发 進-步包括-用於返回—基底傳輸元件之返回導引件，ς 述基底傳輸元件在崎處理室之間傳輸所述基底。 16. 如申請專利範圍第13項所述之基底處理裝置4 中在所述罩幕連接㈣部提賴述緩衝^間，且所述^ 分離室具有-緩触間，所群幕返回元件在所 ^

間處暫時停留。 街二 17. 如申請專利範圍第丨項所述之基底處理裝置 所述基底支撐件包括： 、 一用於支撐所述基底之支撐板；以及 一驅動滾輪，當沿所述傳輸導引件傳輸所述支撐板 夺其在所述傳輪導引件之一上表面上滾動，所述驅動滾 輪與所述支撐板之一下表面結合。 18. 如申請專利範圍第17項所述之基底處理裝置，其 中所述基底支撐件進一步包括沿所述傳輸導引件之一側表 面滾動之一導引滾輪，當沿所述傳輸導引件傳輸所述支撐 板時’以便防止所述支撐板自所述傳輸導引件向實質上垂 直於所述傳輸導引件之一縱向之一方向偏移。 19. 如申請專利範圍第n項所述之基底處理裝置，其 中所述支撐板之下表面包括： 一用於支樓所述基底之中間部分； 一安裝所述驅動滾輪之端部；以及 一在所述中間部分與所述端部之間形成之第一彎曲部 19282-PI-122 35 1309847 19282pif.doc 分； 其中所述傳輸導引件之上表面包括： 一與所述驅動滾輪接觸之道路部分；以及 一第二彎曲部分，其面對所述第一彎曲部分且對應於 所述第一彎曲部分。 20. 如申請專利範圍第π項所述之基底處理裳置，其 進一步包括一用於驅動所述基底支撐件之驅動器，其中所 述驅動器包括： ® 一在所述支撐板之一側壁上形成之齒條； 一與所述齒條結合之小齒輪； 一藉由一馬達旋轉之第一旋轉軸； - 所述第一紅轉轴插入其中之第一磁性物質； 一用於旋轉所述小齒輪之第二旋轉軸，所述第二旋轉 轴實質上垂直於所述第一旋轉軸；以及 用於自所述第一旋轉軸傳輸一旋轉力至所述第二旋 轉軸之第二磁性物質，所述第二旋轉軸被插入所述第二磁 着 性物質中，且所述第二磁性物質實質上垂直於所述第一磁 性物質。 21. —種基底處理裝置，其包括： 多個處理室，其用於將具有一圖形之罩幕連接至一基 底、在所述基底上沉積一材料以及在所述基底上沉積所述 材料後，使所述罩幕與所述基底分離； 女裝於所述處理室内一上部處之傳輸導引件； 至少一用於支撐所述基底之基底支撐件，所述基底支 19282-PI-122 36 1309847 i9282pif.doc 撐件被耦合至所述傳輸導引件，藉此，所述基底支撐件在 所述處理室中以及所述處理室之間移動；以及

一用於供應材料給藉由所述基底支撐件支撐之基底之 沉積材料供應元件，所述沉積材料供應元件被設置於藉由 所述基底支撐件支撐之基底之下方；其中所述基底藉由所 述基底支撐件支撐，藉此，當執行在所述基底上沉積材料 之一製程時，所述基底之一表面面對一下部分，其中材料 沉積在所述表面上，且當執行所述基底之處理時，所述基 底支撐件沿所述傳輸導引件連續移動，或者在沉積製程期 間所述基底支撐件在-默位置停留—預定時間後移動。 22·如申請專利範圍第21項所述之基底處理裝置，JL 中所述處理室包括： 〃 執行將该罩幕連接至所述基底之製程之一罩幕連接 .執行自所述基底分離所述罩幕之製程之—罩幕分離 室；以及 執盯所述沉積製程之一沉積室，其中，所述沉積室被 設置在所《幕連接室與所料幕分離室之間且與所述沉 積材料供應元件結合，其巾職罩幕連接室、罩幕分離 與沉積室财經由其-側_狀—·， 動穿過所述開口。 4土低秒 23.如申請專利範圍第22項所述之基底處理裝置，盆 進-步^括-用於打開及關閉所述開口之開閥，其中當& 行所述土底之沉積處理時，所述罩幕連接室、罩幕分^室 Ι9282-ΡΜ22 37 1309847 19282pif.doc ^及二積至之―内部保持於_真空狀態，所述罩幕連接 至與罩幕分離室被分割成—個或多_，且所述 及Μ絲在所述罩幕連接室、⑽錢罩幕分 離至之各組間之開口。 、鱼一^·^ Μ專利㈣第22項所叙基底處理裝置，其 底去^括—返回導引件，用於返回與所述基底分離之基 ，輸導引件上，其中當所述基底支撐;=== =返回時，所祕底_件自料罩幕分離 所 幕至所述罩幕連接室。 動所逑罩 19282-ΡΙ-122 38