JP4364423B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は成膜装置に関する。さらに詳しくは、イオンプレーティング等によって基材に膜を形成（成膜）するための成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、イオンプレーティングの装置としては、特公平１−４８３４７号公報に記載された装置が知られている。この装置は真空チャンバ内に成膜対象基材を保持する基材ホルダおよび膜材料を蒸発させる蒸発源を有しており、基材ホルダが電極を構成している。そして、基材ホルダとチャンバの内壁との間、または、基材ホルダと蒸発源との間に高周波電力および直流電圧を印加するための高周波電源および直流電源等を備えている。
【０００３】
そして、膜材料を蒸発させるとともに、基材ホルダとチャンバの内壁との間、または、基材ホルダと蒸発源との間に高周波電力および直流電圧を印加することにより、蒸発した膜材料をイオン化および励起して基材に付着させる。
【０００４】
かかる装置によって基材に形成される膜のうち、金属酸化物からなる薄膜は物理的な強度に優れており、ガラス等からなる基板の表面の保護層等として用いられる。その他にも、ディスプレイデバイス用のガラス基板の保護層として形成されるものがある。とくに、ガス中での放電によって発光動作させるプラズマディスプレイパネルの保護層では、放電ガス中のイオンの衝撃に対する耐スパッタ性が要求される。耐スパッタ性は膜の性状に大きく依存するため、この要求を満足するためには膜の組織が緻密に形成されていること、すなわち高品質な膜質を有していることが必要である。すなわち、膜と基板との界面から膜の表面の方向に延びるように成長した柱状組織の一つを単位とし、かかる柱状組織が多数充填された構造に形成すること、換言すれば、この柱状組織の数密度を大きくすることが必要である。このためには膜の形成初期の段階で十分に緻密な組織となっている必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の成膜装置によってこのような緻密な組織の膜を形成しようとすると、成膜速度を遅くする必要があるので所定の膜厚にまで組織を成長させるのに十分に長い時間がかかる。結果的に生産効率が低下してしまう。また、膜の形成速度をコントロールすることはやっかいな作業である。
【０００６】
本発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、基材表面に対する膜の形成過程の初期段階において十分に緻密な組織とするように連続的に成膜することができる成膜装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる成膜装置は、その内部に高周波電界が生じうる成膜用真空容器と、該成膜用真空容器内に形成されたプラズマ生成空間および成膜対象基材の搬送空間と、成膜対象基材を搬送するための搬送装置と、プラズマ生成空間内に配設された膜材料を含む蒸発源と、上記プラズマ生成空間と搬送空間との間に配設された、蒸発膜材料通過スリットが開口された境界壁とを備えており、上記蒸発膜材料通過スリットが、成膜対象基材の進行方向に沿って上流側から順に配設された小面積の第一スリットと大面積の第二スリットとから構成されている。
【０００８】
この成膜装置によれば、小面積の第一スリットを通過する蒸発膜材料による膜形成は緩やかに行われ、大面積の第二スリットを通過する蒸発膜材料による膜形成は相対的に速く行われる。その結果、第一スリットによって膜の形成初期の段階で十分に緻密な組織が得られる。ついで、第二スリットによって従来と変わらない通常の速度で膜が形成されるが、基材の表面に接した初期形成組織が十分に緻密に整列した結晶であるため、そこから成長する結晶によって従来に較べると緻密に整列した組織が得られる。このように形成された膜は従来の膜に較べると結晶性がよくなるのでその膜質が大幅に向上する。
【０００９】
そして、上記蒸発膜材料通過スリットが、第二スリットの下流側に小面積の第三スリットをさらに有してなる成膜装置にあっては、第三スリットによって膜形成の最終段階でさらに十分緻密な組織が得られるので、膜質が一層向上するので好ましい。
【００１０】
また、上記蒸発膜材料通過スリットに、成膜対象基材の搬送方向に移動可能な調整板が配設されており、該調整板が移動することにより蒸発膜材料通過スリットの開口面積が変更されるように構成されてなる成膜装置にあっては、簡易な構成によって膜の形成速度を変更することができるので好ましい。この場合の小面積および大面積は調整板によって達成されるもの故、境界壁に形成された開口は全て同一面積であってもよい。
【００１１】
また、上記成膜用真空容器内における搬送空間の上流側に、搬送空間と隔離および連通可能に配設されたイオンボンバード室を備えており、該イオンボンバード室が真空化可能であり且つその内部に高周波電界が生じるように構成されており、イオンボンバード室にプラズマソースガス供給装置が配設されてなる成膜装置にあっては、基材に対する成膜処理に先だってイオンボンバード処理を施して基材の表面を清浄にすることが可能となる。
【００１２】
上記の本発明にかかる成膜装置であって、その成膜用真空容器に隣接して、それぞれが成膜用真空容器と隔離および連通可能に配設された真空化可能な成膜対象基材供給室および成膜対象基材送出室を備えており、上記搬送装置が、成膜対象基材を成膜対象基材供給室から成膜用真空容器を通して成膜対象基材送出室に搬送するように構成されてなる成膜装置にあっては、基材を順次基材供給室から成膜用真空容器を通して成膜しつつ基材送出室に送り出すことができる。いわゆるインライン式の成膜装置が実現する。
【００１３】
また、前述した搬送装置が、成膜対象の基材を保持するための保持装置と、該保持装置を移動させて成膜用スリット上を通過させるための移動装置と、上記保持装置に高周波電力を供給するための給電装置とを備えており、上記保持装置が高周波電界を生じさせるための電極としての機能を有してなる成膜装置にあっては、保持装置が成膜対象の基材を成膜用スリット上を通過させるときに保持装置に給電されることによって高周波電界が生じるので（上記保持装置が電極として機能するので）、基材の成膜面にとって効果的な範囲にプラズマが生じるため、効率のよい成膜装置が実現する。
【００１４】
なお、上記搬送装置としては以下のごとき種々の好ましい形態がある。
【００１５】
第一に、保持装置が電極板とこの電極板の下面に成膜対象基材を把持するためのクランプとを有するもの。
【００１６】
第二に、保持装置が、表面に電極が形成された成膜対象基材を保持するための装置であって、中央部に開口を有する枠状の電極部材を有しており、この開口部が、成膜対象基材における少なくとも成膜対象範囲であるもの。
【００１７】
第三に、上記移動装置として、保持装置が載置される複数個のローラを採用し、このローラのうちの少なくとも一部を、保持装置を搬送する方向に回転する回転駆動ローラとして構成したもの。
【００１８】
第四に、上記移動装置として、保持装置が移動可能に係合されるレールと、このレールに係合した保持装置に接続されて保持装置を移動させるワイヤとから構成したもの。
【００１９】
第五に、上記給電装置が移動装置を通して保持装置に給電するように構成したもの。
【００２０】
第六に、移動装置を通して保持装置に給電される上記搬送装置のうち、上記移動装置が前述のローラを用いた移動装置から構成されたものとしては、上記ローラのうち、成膜空間の範囲に配列された全ローラまたはこのうちの一部に給電されるように構成したものがある。または、移動装置を通して保持装置に給電される上記搬送装置のうち、上記移動装置がレールとワイヤとを用いた移動装置から構成されたものとしては、上記レールのうち、成膜空間の範囲に給電されるように構成したものがある。たとえば、レール全長のうちの成膜空間の範囲のみ導電性材料から形成する等である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の成膜装置の実施形態を説明する。
【００２２】
図１に示すのは、複数の成膜対象基材（以下、単に基材という）Ｗを順次搬送しながら連続して各基材Ｗの表面に成膜するためのいわゆるインライン式の成膜装置１である。
【００２３】
この成膜装置１は真空容器２を備えており、この内部には下部のプラズマ生成空間３と上部の基材搬送空間４とが形成されている。両空間３、４ともに真空に排気されるように構成されている。プラズマ生成空間３と基材搬送空間４との境界には、両空間３、４同士を連通する成膜用スリット５が開口された境界壁６が形成されている。成膜用スリット５は、プラズマ生成空間３で生じたプラズマ状の膜材料Ｍが通過して、基材搬送空間４を移動する基材Ｗに到達させるためのものである。
【００２４】
また、上記プラズマ生成空間３には蒸発源７と電極８とが配設されており、基材搬送空間４には基材Ｗの搬送装置９と基材加熱用ヒータ１０ａ、１０ｂとが配設されている。蒸発源７は膜材料Ｍと、この膜材料Ｍを載置するための開放容器（以下、るつぼという）１１と、るつぼ１１上の膜材料Ｍを加熱して蒸発させるための電子銃１２とから構成される。符号１３はガス供給装置であり、必要に応じて反応ガス、プラズマ生成用ガス等を真空容器２内へ供給するためのものである。符号１４は容器２内を真空にするための排気装置である。
【００２５】
電極８は境界壁６の直下に配設されている。この電極８には、高周波電源１５およびマッチング回路１６並びに直流電源１７が接続されている。これにより、電極８と真空容器２の内壁との間にプラズマを生成させる高周波電力および直流バイアス電圧が印加される。プラズマ中でイオン化した膜材料がバイアス電圧によって加速されて基材表面に付着する。
【００２６】
図２には上記成膜用スリット５が示されている。成膜用スリット５は小面積の第一スリット５１および第三スリット５３並びに大面積の第二スリット５２から構成されている。第一スリット５１および第三スリット５３と第二スリット５２とは、その幅方向の寸法は同一にされているが、基材Ｗの搬送方向の寸法については第一スリット５１および第三スリット５３が小さく、第二スリット５２が大きくされている。
【００２７】
基材Ｗが基材搬送空間４を等速度で移動する場合は、この基材Ｗの表面に対して、小面積のスリット５１、５３を通過する蒸発膜材料による膜形成は緩やかに行われ、大面積のスリット５２を通過する蒸発膜材料による膜形成は相対的に速く行われる。このように、基材Ｗの搬送速度、蒸発源等の制御に依ることなく膜の形成速度を複数段に変更することが可能となる。その結果、第一スリット５１によって膜の形成初期の段階で十分に緻密な組織が得られる。ついで、第二スリット５２によって従来と変わらない通常の速度で膜が形成されるが、基材Ｗ表面に接した初期形成組織が十分に緻密に整列した結晶であるため、そこから成長する結晶によって従来に較べると緻密に整列した組織が得られる。ついで第三スリット５３によって膜形成の最終段階でさらに十分緻密な組織が得られる。
【００２８】
このように形成された膜は従来の膜に較べると膜質が大幅に向上する。本発明ではとくに第三スリット５３を設ける必要もなく高い膜質が得られるが、第三スリット５３を設けることによって膜質が一層向上するので好ましい。たとえばプラズマディスプレイパネルとして用いる場合、保護膜の表面が特に高い耐スパッタ性を示すので膜の長寿命化を図ることができる。
【００２９】
図３には異なる成膜用スリット６０が示されている。この成膜用スリット６０は、小面積の第一スリット６１および第三スリット６３並びに大面積の第二スリット６２の全てについてその開口面積を変更することができるものである。各スリット６１、６２、６３の幅寸法は同一であって変更できないが、長手方向（基材の搬送方向）の寸法が増減しうるようにされている。具体的には、各スリット６１、６２、６３に対してその長手方向に摺動して開口を開閉しうる調整板７１、７２、７３が配設されている。この構成により、各調整板７１、７２、７３を個別に移動させて開口面積を変更する。この場合、三つのスリットを境界壁６に同一寸法で開口しておいてもよい。
【００３０】
図１に示すように、基材Ｗの搬送方向でいう基材搬送空間４の上流側にはイオンボンバード室１８が配設されている。イオンボンバード室１８と基材搬送空間４との境界には、絶縁機能を有する開閉扉１９が配設されている。イオンボンバード室１８は独立して真空に排気されるように排気装置１４に接続されている。イオンボンバード室１８の内部には電極２０およびガス供給装置２１が配設されており、電極２０には高周波電源２２が接続されている。これにより、イオンボンバード室１８を真空排気したあとにアルゴンまたは酸素等のプラズマソースガスを供給し、電極２０とイオンボンバード室１８の内壁との間に高周波電力を印加してプラズマを形成する。発生した正イオンを直流バイアス電圧によって加速して基板に衝突させ（イオンボンバード）、基材Ｗの表面の付着不純物などを除去する。
【００３１】
イオンボンバード室１８の上流側には基材供給室２４が配設され、基材搬送空間４の下流側には基材送出室２５が配設されている。基材供給室２４とイオンボンバード室１８との境界、および、基材搬送空間４と基材送出室２５との境界には、それぞれ絶縁機能を有する開閉扉２６、２７が配設されている。両室２４、２５ともに個別に真空に排気されるように排気装置１４に接続されている。
【００３２】
かかる構成により、基材供給室２４はそこに基材Ｗが搬入された後に真空にされ、その後扉２６が開かれて基材Ｗがイオンボンバード室１８に搬入され、扉２６が閉止される。基材Ｗはイオンボンバード室１８においてイオンボンバード処理された後、扉１９が開かれて基材搬送空間４に搬入され、扉１９が閉止される。基材搬送空間４において成膜が終了した基材Ｗは、既に真空状態にある基材送出室２５との間の扉２７が開かれたあとで基材送出室２５に搬入される。その後、扉２７が閉じられてから基材Ｗは基材送出室２５から搬出される。かかる動作が連続してなされる。以上説明した連続処理工程における基材Ｗの搬送は搬送装置９によってなされる。
【００３３】
図４に搬送装置の例が示されている。まず、基材搬送空間４内に基材Ｗの進行方向に沿って多数個のローラ２９が配列されている。これらローラ２９のうち、成膜用スリット５の範囲に配列されたローラ２９ｂのみ左右両側に相互に間隔をおいて配列されている。このローラ２９の各列に支持されるように無端ベルト３０が掛け回されている。ローラ列の両端のローラ２９ａの一方または両方が回転駆動される駆動ローラである。イオンボンバード室１８、基材供給室２４および基材送出室２５にも同様の搬送用のローラ２９およびベルト３０が配設されている。かかる構成により、基材Ｗはその左右両辺が両側のベルト３０に載置されたうえで、ベルト３０がイオンボンバード室１８側から基材送出室２５側へと回動することによって搬送される。成膜用スリット５の範囲における両側のベルト３０同士の間隔およびローラ２９同士の間隔は、上記基材Ｗの所定の膜形成範囲が確保されるような大きさとされている。なお、全てのローラ２９を左右両側に相互に間隔をおいて配列してもよい。また、ベルト３０を用いずに、全ローラ２９、または、一個おきまたは二個おき等のローラを駆動ローラとして基材Ｗを搬送するようにしてもよい。
【００３４】
本発明においてはベルト３０とローラ２９に限定されることはない。たとえば、図５に示すようにローラに代えて左右両側にレール３１を敷設し、基材Ｗを載置するための枠状のトレイ３２を上記レール３１に移動可能に係合したものを用いてもよい。このトレイ３２には基材Ｗの所定の膜形成範囲をカバーする開口３３が形成されている。また、トレイ３２は、イオンボンバード室１８側および基材送出室２５側に配設された図示しない駆動ローラに掛け回されたワイヤ３５に接続されており、イオンボンバード室１８側と基材送出室２５側との間を往復動させられる。イオンボンバード室１８、基材供給室２４および基材送出室２５には前述の搬送用のローラ２９およびベルト３０を配設しておけばよい。
【００３５】
図１において、符号１０ａ、１０ｂは基材Ｗを加熱するためのヒータである。また、成膜用スリット５の上方のヒータ１０ａの下面に近接して、ヒータ１０ａを覆うようにヒータ防護部材４０が配設されている。このヒータ防護部材４０はアースされたメッシュから構成されており、プラズマを生成するときの高周波を遮断してヒータ１０ａを防護するものである。
【００３６】
以上の実施形態では電極８が真空容器２内に固定されている。しかし、本発明はかかる構成に限定されない。電極は、成膜対象である基材Ｗの膜形成面側に有効なプラズマが生成されように高周波電界が生じるように配置され、また、イオン化された膜材料が上記膜形成面に向けて加速されて衝突し、膜形成面での拡散が促進するような直流電界が生じるように配置されるのが好ましい。
【００３７】
斜め下方から見た図６には、かかる観点から良好に構成され且つ配置された電極４１が示されている。すなわち、真空容器内に固定された電極ではない。図１の基材搬送空間４における電極８および搬送装置９に代えて以下のごとく電極機能を有する搬送装置を備えるものである。この電極４１は基材Ｗを保持する保持装置としての機能を有しており、電極板部４２とその下面に基材Ｗを把持するためのクリップ部４３とを有している。クリップ部４３によって自動的に基材が把持される。クリップ部４３による基材Ｗの把持部分は成膜対象範囲外となるようにされている。この電極４１は基材Ｗの進行方向に沿って配列された多数個のローラ２９の上に載置されて搬送される。ローラ２９の配列は、クリップ部４３との干渉を避けるために基材Ｗの進行方向の左右両側に相互に間隔をおいて配列されているが、左右のローラ同士の間隔は図２におけると同様である。全ローラ２９、または、一個おきまたは二個おき等のローラが駆動ローラとして基材Ｗを搬送するようにされている。
【００３８】
図７に示すように、成膜用スリット５の両側に配列されたローラ２９ｂの全て、または、そのうちのいずれか（たとえば、成膜用スリット５範囲の上流端および／または下流端）には給電用のシュー（給電シュー）４４が弾力的に押圧する状態で配設されている。この給電シュー４４には前述の高周波電源１５およびマッチング回路１６並びに直流電源１７が接続されている。これによってローラ２９ｂを通して上記電極４１に給電される。この構成によれば、基材Ｗが成膜用スリット５に至ったときに基材Ｗの上方の電極板部４２と真空容器２の内壁（またはるつぼ）との間に高周波電力および直流電圧が印加される。
【００３９】
また、本発明においては電極４１の搬送装置としてはローラ２９ｂに限定されることはない。たとえば、図５に示したようにローラに代えて左右両側にレール３１を敷設し、このレール３１に電極４１を移動可能に係合するようにしてもよい。そして、電極４１に、イオンボンバード室１８側および基材送出室２５側に配設された図示しない駆動ローラに掛け回されたワイヤ３５を接続し、イオンボンバード室１８側と基材送出室２５側との間を往復動させるようにすればよい。給電はレール３１またはワイヤ３５を通して行えばよい。レール３１を通して給電する場合に、レール３１を成膜用スリット５の範囲のみ導電材から形成しておけば、基材Ｗが成膜用スリット５に至ったときに電極板部４２と真空容器２の内壁（またはるつぼ）との間に高周波電力および直流電圧が印加されることになる。
【００４０】
図８には、基材自体に電極が形成されている基材、たとえばプラズマディスプレイパネルの前面板（以下、単に基材という）Ｐを搬送するための搬送装置４５が示されている。この基材Ｐは、ガラス基板Ｐａの表面に左右両辺から櫛歯形状の表示電極（透明電極）Ｔａ、Ｔｂが相互にかみ合うように形成されたものである。これらの透明電極Ｔａ、Ｔｂの上面にはバス電極としての金属電極（図示せず）が形成されている。この搬送装置４５は基材Ｐの上記電極Ｔａ、Ｔｂを利用して高周波電力および直流電圧を印加するものである。
【００４１】
この搬送装置４５は、基材Ｐを載置するための枠状のトレイ４６と、基材Ｐの進行方向に沿って配列された多数個のローラ２９とから構成されている。ローラ２９のうち、成膜用スリット５の範囲に配列されたローラ２９ｂのみ左右両側に相互に間隔をおいて配列されている。トレイ４６はその左右両辺が両側のローラ２９の上に載置されて搬送される。トレイ４６には、その上に載置される基材Ｐの所定の膜形成範囲をカバーする開口４７が形成されている。また、左右のローラ２９ｂ同士の間隔等は図４および図６におけると同様である。全ローラ２９、または、一個おきまたは二個おき等のローラが駆動ローラとして基材Ｗを搬送するようにされている。そして、成膜用スリット５の両側に配列されたローラ２９ｂの全て、または、そのうちのいずれかには前述の給電シュー４４（図７）が弾力的に押圧する状態で配設されている。この給電シュー４４には前述の各電源等１５、１６、１７が接続されている。したがって、上記トレイ４６は、給電されたローラに接触すれば電極部材となる。
【００４２】
したがって、基材Ｐをトレイ４６上に載置すれば基材Ｐの電極Ｔａ、Ｔｂがトレイ４６と接触しているので、このトレイ４６が成膜用スリット５に至って給電されているローラ２９ｂに達すると基材Ｐと真空容器２の内壁（またはるつぼ）との間に高周波電力および直流電圧が印加される。
【００４３】
本発明においては上記ローラ２９に限定されることはない。
【００４４】
たとえば、図９に示すようにローラに代えて左右両側にレール３１を敷設し、各レール３１にクランプ部材または載置部材４８を移動可能に配設したものを用いてもよい。なお、図９では基材Ｐがその短手方向に搬送される場合を例に取っている。基材Ｐはその両辺の電極Ｔａ、Ｔｂが載置部材４８に接触するように載置される。両載置部材４８は、イオンボンバード室１８側および基材送出室２５側に配設された図示しない駆動ローラに掛け回されたワイヤ３５に接続され、イオンボンバード室１８側と基材送出室２５側との間を往復動させられる。
【００４５】
いずれにしても、基材Ｐの電極を効果的に利用することができる。
【００４６】
以上説明した電極機能を有する搬送装置は、基材搬送空間４における成膜用スリットの範囲で給電されるように構成されている。しかし、イオンボンバード室１８内においてもこの電極機能を有する搬送装置を用いることは可能である。そして、イオンボンバード室１８内においてもこの搬送装置に給電するようにすればよい。かかる構成によればイオンボンバード室１８に固設された電極２０は不要となる。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば、膜の形成過程の初期段階において十分に緻密な組織とするように連続的に成膜することができる。とくに酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のように成膜初期の膜が薄い状態において結晶化しにくい膜材料に対しては有効である。ＭｇＯに限らず、融点が高い酸化金属、たとえば酸化珪素（ＳｉＯ2）、二酸化チタン（ＴｉＯ2）酸化アルミニウム(Ａｌ2Ｏ5）なども結晶化しにくいため、これらの膜を形成する場合も有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の成膜装置の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１の成膜装置における成膜用スリットの一例を示す斜視図である。
【図３】図１の成膜装置における成膜用スリットの他の例を示す斜視図である。
【図４】本発明の成膜装置の他の実施形態における搬送装置の一実施形態を示す斜視図である。
【図５】本発明の搬送装置の他の実施形態を示す斜視図である。
【図６】本発明の搬送装置のさらに他の実施形態を示す、斜め下方から見た斜視図である。
【図７】図４のＩＩＶ−ＩＩＶ線断面図である。
【図８】本発明の搬送装置のさらに他の実施形態を示す平面図である。
【図９】本発明の搬送装置のさらに他の実施形態を示す平面図である。
【符号の説明】
１ 成膜装置
２ 真空容器
３ プラズマ生成空間
４ 基材搬送空間
５ 成膜用スリット
５１ 第一スリット
５２ 第二スリット
５３ 第三スリット
６ 境界壁
７ 蒸発源
８ 電極
９ 搬送装置
１０ａ、１０ｂ 基材加熱用ヒータ
１１ るつぼ
１２ 電子銃
１３ ガス供給装置
１４ 排気装置
１５ 高周波電源
１６ マッチング回路
１７ 直流電源
１８ イオンボンバード室
１９ 開閉扉
２０ 電極
２１ ガス供給装置
２２ 高周波電源
２４ 基材供給室
２５ 基材送出室
２６、２７ 扉
２９ ローラ
２９ａ 駆動ローラ
２９ｂ 両側ローラ
３０ ベルト
３１ レール
３２ トレイ
３３ 開口
３４ 膜材料供給装置
３５ ワイヤ
４０ ヒータ防護部材
４１ 電極
４２ 電極板部
４３ クリップ部
４４ 給電シュー
４５ 搬送装置
４６ トレイ
４７ 開口
４０ ガス供給装置
４１ 排気装置
６０ 成膜用スリット
６１ 第一スリット
６２ 第二スリット
６３ 第三スリット
７１、７２、７３ 調整板
Ｐ、Ｗ 基材
【発明の属する技術分野】
本発明は成膜装置に関する。さらに詳しくは、イオンプレーティング等によって基材に膜を形成（成膜）するための成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、イオンプレーティングの装置としては、特公平１−４８３４７号公報に記載された装置が知られている。この装置は真空チャンバ内に成膜対象基材を保持する基材ホルダおよび膜材料を蒸発させる蒸発源を有しており、基材ホルダが電極を構成している。そして、基材ホルダとチャンバの内壁との間、または、基材ホルダと蒸発源との間に高周波電力および直流電圧を印加するための高周波電源および直流電源等を備えている。
【０００３】
そして、膜材料を蒸発させるとともに、基材ホルダとチャンバの内壁との間、または、基材ホルダと蒸発源との間に高周波電力および直流電圧を印加することにより、蒸発した膜材料をイオン化および励起して基材に付着させる。
【０００４】
かかる装置によって基材に形成される膜のうち、金属酸化物からなる薄膜は物理的な強度に優れており、ガラス等からなる基板の表面の保護層等として用いられる。その他にも、ディスプレイデバイス用のガラス基板の保護層として形成されるものがある。とくに、ガス中での放電によって発光動作させるプラズマディスプレイパネルの保護層では、放電ガス中のイオンの衝撃に対する耐スパッタ性が要求される。耐スパッタ性は膜の性状に大きく依存するため、この要求を満足するためには膜の組織が緻密に形成されていること、すなわち高品質な膜質を有していることが必要である。すなわち、膜と基板との界面から膜の表面の方向に延びるように成長した柱状組織の一つを単位とし、かかる柱状組織が多数充填された構造に形成すること、換言すれば、この柱状組織の数密度を大きくすることが必要である。このためには膜の形成初期の段階で十分に緻密な組織となっている必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の成膜装置によってこのような緻密な組織の膜を形成しようとすると、成膜速度を遅くする必要があるので所定の膜厚にまで組織を成長させるのに十分に長い時間がかかる。結果的に生産効率が低下してしまう。また、膜の形成速度をコントロールすることはやっかいな作業である。
【０００６】
本発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、基材表面に対する膜の形成過程の初期段階において十分に緻密な組織とするように連続的に成膜することができる成膜装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる成膜装置は、その内部に高周波電界が生じうる成膜用真空容器と、該成膜用真空容器内に形成されたプラズマ生成空間および成膜対象基材の搬送空間と、成膜対象基材を搬送するための搬送装置と、プラズマ生成空間内に配設された膜材料を含む蒸発源と、上記プラズマ生成空間と搬送空間との間に配設された、蒸発膜材料通過スリットが開口された境界壁とを備えており、上記蒸発膜材料通過スリットが、成膜対象基材の進行方向に沿って上流側から順に配設された小面積の第一スリットと大面積の第二スリットとから構成されている。
【０００８】
この成膜装置によれば、小面積の第一スリットを通過する蒸発膜材料による膜形成は緩やかに行われ、大面積の第二スリットを通過する蒸発膜材料による膜形成は相対的に速く行われる。その結果、第一スリットによって膜の形成初期の段階で十分に緻密な組織が得られる。ついで、第二スリットによって従来と変わらない通常の速度で膜が形成されるが、基材の表面に接した初期形成組織が十分に緻密に整列した結晶であるため、そこから成長する結晶によって従来に較べると緻密に整列した組織が得られる。このように形成された膜は従来の膜に較べると結晶性がよくなるのでその膜質が大幅に向上する。
【０００９】
そして、上記蒸発膜材料通過スリットが、第二スリットの下流側に小面積の第三スリットをさらに有してなる成膜装置にあっては、第三スリットによって膜形成の最終段階でさらに十分緻密な組織が得られるので、膜質が一層向上するので好ましい。
【００１０】
また、上記蒸発膜材料通過スリットに、成膜対象基材の搬送方向に移動可能な調整板が配設されており、該調整板が移動することにより蒸発膜材料通過スリットの開口面積が変更されるように構成されてなる成膜装置にあっては、簡易な構成によって膜の形成速度を変更することができるので好ましい。この場合の小面積および大面積は調整板によって達成されるもの故、境界壁に形成された開口は全て同一面積であってもよい。
【００１１】
また、上記成膜用真空容器内における搬送空間の上流側に、搬送空間と隔離および連通可能に配設されたイオンボンバード室を備えており、該イオンボンバード室が真空化可能であり且つその内部に高周波電界が生じるように構成されており、イオンボンバード室にプラズマソースガス供給装置が配設されてなる成膜装置にあっては、基材に対する成膜処理に先だってイオンボンバード処理を施して基材の表面を清浄にすることが可能となる。
【００１２】
上記の本発明にかかる成膜装置であって、その成膜用真空容器に隣接して、それぞれが成膜用真空容器と隔離および連通可能に配設された真空化可能な成膜対象基材供給室および成膜対象基材送出室を備えており、上記搬送装置が、成膜対象基材を成膜対象基材供給室から成膜用真空容器を通して成膜対象基材送出室に搬送するように構成されてなる成膜装置にあっては、基材を順次基材供給室から成膜用真空容器を通して成膜しつつ基材送出室に送り出すことができる。いわゆるインライン式の成膜装置が実現する。
【００１３】
また、前述した搬送装置が、成膜対象の基材を保持するための保持装置と、該保持装置を移動させて成膜用スリット上を通過させるための移動装置と、上記保持装置に高周波電力を供給するための給電装置とを備えており、上記保持装置が高周波電界を生じさせるための電極としての機能を有してなる成膜装置にあっては、保持装置が成膜対象の基材を成膜用スリット上を通過させるときに保持装置に給電されることによって高周波電界が生じるので（上記保持装置が電極として機能するので）、基材の成膜面にとって効果的な範囲にプラズマが生じるため、効率のよい成膜装置が実現する。
【００１４】
なお、上記搬送装置としては以下のごとき種々の好ましい形態がある。
【００１５】
第一に、保持装置が電極板とこの電極板の下面に成膜対象基材を把持するためのクランプとを有するもの。
【００１６】
第二に、保持装置が、表面に電極が形成された成膜対象基材を保持するための装置であって、中央部に開口を有する枠状の電極部材を有しており、この開口部が、成膜対象基材における少なくとも成膜対象範囲であるもの。
【００１７】
第三に、上記移動装置として、保持装置が載置される複数個のローラを採用し、このローラのうちの少なくとも一部を、保持装置を搬送する方向に回転する回転駆動ローラとして構成したもの。
【００１８】
第四に、上記移動装置として、保持装置が移動可能に係合されるレールと、このレールに係合した保持装置に接続されて保持装置を移動させるワイヤとから構成したもの。
【００１９】
第五に、上記給電装置が移動装置を通して保持装置に給電するように構成したもの。
【００２０】
第六に、移動装置を通して保持装置に給電される上記搬送装置のうち、上記移動装置が前述のローラを用いた移動装置から構成されたものとしては、上記ローラのうち、成膜空間の範囲に配列された全ローラまたはこのうちの一部に給電されるように構成したものがある。または、移動装置を通して保持装置に給電される上記搬送装置のうち、上記移動装置がレールとワイヤとを用いた移動装置から構成されたものとしては、上記レールのうち、成膜空間の範囲に給電されるように構成したものがある。たとえば、レール全長のうちの成膜空間の範囲のみ導電性材料から形成する等である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の成膜装置の実施形態を説明する。
【００２２】
図１に示すのは、複数の成膜対象基材（以下、単に基材という）Ｗを順次搬送しながら連続して各基材Ｗの表面に成膜するためのいわゆるインライン式の成膜装置１である。
【００２３】
この成膜装置１は真空容器２を備えており、この内部には下部のプラズマ生成空間３と上部の基材搬送空間４とが形成されている。両空間３、４ともに真空に排気されるように構成されている。プラズマ生成空間３と基材搬送空間４との境界には、両空間３、４同士を連通する成膜用スリット５が開口された境界壁６が形成されている。成膜用スリット５は、プラズマ生成空間３で生じたプラズマ状の膜材料Ｍが通過して、基材搬送空間４を移動する基材Ｗに到達させるためのものである。
【００２４】
また、上記プラズマ生成空間３には蒸発源７と電極８とが配設されており、基材搬送空間４には基材Ｗの搬送装置９と基材加熱用ヒータ１０ａ、１０ｂとが配設されている。蒸発源７は膜材料Ｍと、この膜材料Ｍを載置するための開放容器（以下、るつぼという）１１と、るつぼ１１上の膜材料Ｍを加熱して蒸発させるための電子銃１２とから構成される。符号１３はガス供給装置であり、必要に応じて反応ガス、プラズマ生成用ガス等を真空容器２内へ供給するためのものである。符号１４は容器２内を真空にするための排気装置である。
【００２５】
電極８は境界壁６の直下に配設されている。この電極８には、高周波電源１５およびマッチング回路１６並びに直流電源１７が接続されている。これにより、電極８と真空容器２の内壁との間にプラズマを生成させる高周波電力および直流バイアス電圧が印加される。プラズマ中でイオン化した膜材料がバイアス電圧によって加速されて基材表面に付着する。
【００２６】
図２には上記成膜用スリット５が示されている。成膜用スリット５は小面積の第一スリット５１および第三スリット５３並びに大面積の第二スリット５２から構成されている。第一スリット５１および第三スリット５３と第二スリット５２とは、その幅方向の寸法は同一にされているが、基材Ｗの搬送方向の寸法については第一スリット５１および第三スリット５３が小さく、第二スリット５２が大きくされている。
【００２７】
基材Ｗが基材搬送空間４を等速度で移動する場合は、この基材Ｗの表面に対して、小面積のスリット５１、５３を通過する蒸発膜材料による膜形成は緩やかに行われ、大面積のスリット５２を通過する蒸発膜材料による膜形成は相対的に速く行われる。このように、基材Ｗの搬送速度、蒸発源等の制御に依ることなく膜の形成速度を複数段に変更することが可能となる。その結果、第一スリット５１によって膜の形成初期の段階で十分に緻密な組織が得られる。ついで、第二スリット５２によって従来と変わらない通常の速度で膜が形成されるが、基材Ｗ表面に接した初期形成組織が十分に緻密に整列した結晶であるため、そこから成長する結晶によって従来に較べると緻密に整列した組織が得られる。ついで第三スリット５３によって膜形成の最終段階でさらに十分緻密な組織が得られる。
【００２８】
このように形成された膜は従来の膜に較べると膜質が大幅に向上する。本発明ではとくに第三スリット５３を設ける必要もなく高い膜質が得られるが、第三スリット５３を設けることによって膜質が一層向上するので好ましい。たとえばプラズマディスプレイパネルとして用いる場合、保護膜の表面が特に高い耐スパッタ性を示すので膜の長寿命化を図ることができる。
【００２９】
図３には異なる成膜用スリット６０が示されている。この成膜用スリット６０は、小面積の第一スリット６１および第三スリット６３並びに大面積の第二スリット６２の全てについてその開口面積を変更することができるものである。各スリット６１、６２、６３の幅寸法は同一であって変更できないが、長手方向（基材の搬送方向）の寸法が増減しうるようにされている。具体的には、各スリット６１、６２、６３に対してその長手方向に摺動して開口を開閉しうる調整板７１、７２、７３が配設されている。この構成により、各調整板７１、７２、７３を個別に移動させて開口面積を変更する。この場合、三つのスリットを境界壁６に同一寸法で開口しておいてもよい。
【００３０】
図１に示すように、基材Ｗの搬送方向でいう基材搬送空間４の上流側にはイオンボンバード室１８が配設されている。イオンボンバード室１８と基材搬送空間４との境界には、絶縁機能を有する開閉扉１９が配設されている。イオンボンバード室１８は独立して真空に排気されるように排気装置１４に接続されている。イオンボンバード室１８の内部には電極２０およびガス供給装置２１が配設されており、電極２０には高周波電源２２が接続されている。これにより、イオンボンバード室１８を真空排気したあとにアルゴンまたは酸素等のプラズマソースガスを供給し、電極２０とイオンボンバード室１８の内壁との間に高周波電力を印加してプラズマを形成する。発生した正イオンを直流バイアス電圧によって加速して基板に衝突させ（イオンボンバード）、基材Ｗの表面の付着不純物などを除去する。
【００３１】
イオンボンバード室１８の上流側には基材供給室２４が配設され、基材搬送空間４の下流側には基材送出室２５が配設されている。基材供給室２４とイオンボンバード室１８との境界、および、基材搬送空間４と基材送出室２５との境界には、それぞれ絶縁機能を有する開閉扉２６、２７が配設されている。両室２４、２５ともに個別に真空に排気されるように排気装置１４に接続されている。
【００３２】
かかる構成により、基材供給室２４はそこに基材Ｗが搬入された後に真空にされ、その後扉２６が開かれて基材Ｗがイオンボンバード室１８に搬入され、扉２６が閉止される。基材Ｗはイオンボンバード室１８においてイオンボンバード処理された後、扉１９が開かれて基材搬送空間４に搬入され、扉１９が閉止される。基材搬送空間４において成膜が終了した基材Ｗは、既に真空状態にある基材送出室２５との間の扉２７が開かれたあとで基材送出室２５に搬入される。その後、扉２７が閉じられてから基材Ｗは基材送出室２５から搬出される。かかる動作が連続してなされる。以上説明した連続処理工程における基材Ｗの搬送は搬送装置９によってなされる。
【００３３】
図４に搬送装置の例が示されている。まず、基材搬送空間４内に基材Ｗの進行方向に沿って多数個のローラ２９が配列されている。これらローラ２９のうち、成膜用スリット５の範囲に配列されたローラ２９ｂのみ左右両側に相互に間隔をおいて配列されている。このローラ２９の各列に支持されるように無端ベルト３０が掛け回されている。ローラ列の両端のローラ２９ａの一方または両方が回転駆動される駆動ローラである。イオンボンバード室１８、基材供給室２４および基材送出室２５にも同様の搬送用のローラ２９およびベルト３０が配設されている。かかる構成により、基材Ｗはその左右両辺が両側のベルト３０に載置されたうえで、ベルト３０がイオンボンバード室１８側から基材送出室２５側へと回動することによって搬送される。成膜用スリット５の範囲における両側のベルト３０同士の間隔およびローラ２９同士の間隔は、上記基材Ｗの所定の膜形成範囲が確保されるような大きさとされている。なお、全てのローラ２９を左右両側に相互に間隔をおいて配列してもよい。また、ベルト３０を用いずに、全ローラ２９、または、一個おきまたは二個おき等のローラを駆動ローラとして基材Ｗを搬送するようにしてもよい。
【００３４】
本発明においてはベルト３０とローラ２９に限定されることはない。たとえば、図５に示すようにローラに代えて左右両側にレール３１を敷設し、基材Ｗを載置するための枠状のトレイ３２を上記レール３１に移動可能に係合したものを用いてもよい。このトレイ３２には基材Ｗの所定の膜形成範囲をカバーする開口３３が形成されている。また、トレイ３２は、イオンボンバード室１８側および基材送出室２５側に配設された図示しない駆動ローラに掛け回されたワイヤ３５に接続されており、イオンボンバード室１８側と基材送出室２５側との間を往復動させられる。イオンボンバード室１８、基材供給室２４および基材送出室２５には前述の搬送用のローラ２９およびベルト３０を配設しておけばよい。
【００３５】
図１において、符号１０ａ、１０ｂは基材Ｗを加熱するためのヒータである。また、成膜用スリット５の上方のヒータ１０ａの下面に近接して、ヒータ１０ａを覆うようにヒータ防護部材４０が配設されている。このヒータ防護部材４０はアースされたメッシュから構成されており、プラズマを生成するときの高周波を遮断してヒータ１０ａを防護するものである。
【００３６】
以上の実施形態では電極８が真空容器２内に固定されている。しかし、本発明はかかる構成に限定されない。電極は、成膜対象である基材Ｗの膜形成面側に有効なプラズマが生成されように高周波電界が生じるように配置され、また、イオン化された膜材料が上記膜形成面に向けて加速されて衝突し、膜形成面での拡散が促進するような直流電界が生じるように配置されるのが好ましい。
【００３７】
斜め下方から見た図６には、かかる観点から良好に構成され且つ配置された電極４１が示されている。すなわち、真空容器内に固定された電極ではない。図１の基材搬送空間４における電極８および搬送装置９に代えて以下のごとく電極機能を有する搬送装置を備えるものである。この電極４１は基材Ｗを保持する保持装置としての機能を有しており、電極板部４２とその下面に基材Ｗを把持するためのクリップ部４３とを有している。クリップ部４３によって自動的に基材が把持される。クリップ部４３による基材Ｗの把持部分は成膜対象範囲外となるようにされている。この電極４１は基材Ｗの進行方向に沿って配列された多数個のローラ２９の上に載置されて搬送される。ローラ２９の配列は、クリップ部４３との干渉を避けるために基材Ｗの進行方向の左右両側に相互に間隔をおいて配列されているが、左右のローラ同士の間隔は図２におけると同様である。全ローラ２９、または、一個おきまたは二個おき等のローラが駆動ローラとして基材Ｗを搬送するようにされている。
【００３８】
図７に示すように、成膜用スリット５の両側に配列されたローラ２９ｂの全て、または、そのうちのいずれか（たとえば、成膜用スリット５範囲の上流端および／または下流端）には給電用のシュー（給電シュー）４４が弾力的に押圧する状態で配設されている。この給電シュー４４には前述の高周波電源１５およびマッチング回路１６並びに直流電源１７が接続されている。これによってローラ２９ｂを通して上記電極４１に給電される。この構成によれば、基材Ｗが成膜用スリット５に至ったときに基材Ｗの上方の電極板部４２と真空容器２の内壁（またはるつぼ）との間に高周波電力および直流電圧が印加される。
【００３９】
また、本発明においては電極４１の搬送装置としてはローラ２９ｂに限定されることはない。たとえば、図５に示したようにローラに代えて左右両側にレール３１を敷設し、このレール３１に電極４１を移動可能に係合するようにしてもよい。そして、電極４１に、イオンボンバード室１８側および基材送出室２５側に配設された図示しない駆動ローラに掛け回されたワイヤ３５を接続し、イオンボンバード室１８側と基材送出室２５側との間を往復動させるようにすればよい。給電はレール３１またはワイヤ３５を通して行えばよい。レール３１を通して給電する場合に、レール３１を成膜用スリット５の範囲のみ導電材から形成しておけば、基材Ｗが成膜用スリット５に至ったときに電極板部４２と真空容器２の内壁（またはるつぼ）との間に高周波電力および直流電圧が印加されることになる。
【００４０】
図８には、基材自体に電極が形成されている基材、たとえばプラズマディスプレイパネルの前面板（以下、単に基材という）Ｐを搬送するための搬送装置４５が示されている。この基材Ｐは、ガラス基板Ｐａの表面に左右両辺から櫛歯形状の表示電極（透明電極）Ｔａ、Ｔｂが相互にかみ合うように形成されたものである。これらの透明電極Ｔａ、Ｔｂの上面にはバス電極としての金属電極（図示せず）が形成されている。この搬送装置４５は基材Ｐの上記電極Ｔａ、Ｔｂを利用して高周波電力および直流電圧を印加するものである。
【００４１】
この搬送装置４５は、基材Ｐを載置するための枠状のトレイ４６と、基材Ｐの進行方向に沿って配列された多数個のローラ２９とから構成されている。ローラ２９のうち、成膜用スリット５の範囲に配列されたローラ２９ｂのみ左右両側に相互に間隔をおいて配列されている。トレイ４６はその左右両辺が両側のローラ２９の上に載置されて搬送される。トレイ４６には、その上に載置される基材Ｐの所定の膜形成範囲をカバーする開口４７が形成されている。また、左右のローラ２９ｂ同士の間隔等は図４および図６におけると同様である。全ローラ２９、または、一個おきまたは二個おき等のローラが駆動ローラとして基材Ｗを搬送するようにされている。そして、成膜用スリット５の両側に配列されたローラ２９ｂの全て、または、そのうちのいずれかには前述の給電シュー４４（図７）が弾力的に押圧する状態で配設されている。この給電シュー４４には前述の各電源等１５、１６、１７が接続されている。したがって、上記トレイ４６は、給電されたローラに接触すれば電極部材となる。
【００４２】
したがって、基材Ｐをトレイ４６上に載置すれば基材Ｐの電極Ｔａ、Ｔｂがトレイ４６と接触しているので、このトレイ４６が成膜用スリット５に至って給電されているローラ２９ｂに達すると基材Ｐと真空容器２の内壁（またはるつぼ）との間に高周波電力および直流電圧が印加される。
【００４３】
本発明においては上記ローラ２９に限定されることはない。
【００４４】
たとえば、図９に示すようにローラに代えて左右両側にレール３１を敷設し、各レール３１にクランプ部材または載置部材４８を移動可能に配設したものを用いてもよい。なお、図９では基材Ｐがその短手方向に搬送される場合を例に取っている。基材Ｐはその両辺の電極Ｔａ、Ｔｂが載置部材４８に接触するように載置される。両載置部材４８は、イオンボンバード室１８側および基材送出室２５側に配設された図示しない駆動ローラに掛け回されたワイヤ３５に接続され、イオンボンバード室１８側と基材送出室２５側との間を往復動させられる。
【００４５】
いずれにしても、基材Ｐの電極を効果的に利用することができる。
【００４６】
以上説明した電極機能を有する搬送装置は、基材搬送空間４における成膜用スリットの範囲で給電されるように構成されている。しかし、イオンボンバード室１８内においてもこの電極機能を有する搬送装置を用いることは可能である。そして、イオンボンバード室１８内においてもこの搬送装置に給電するようにすればよい。かかる構成によればイオンボンバード室１８に固設された電極２０は不要となる。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば、膜の形成過程の初期段階において十分に緻密な組織とするように連続的に成膜することができる。とくに酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のように成膜初期の膜が薄い状態において結晶化しにくい膜材料に対しては有効である。ＭｇＯに限らず、融点が高い酸化金属、たとえば酸化珪素（ＳｉＯ2）、二酸化チタン（ＴｉＯ2）酸化アルミニウム(Ａｌ2Ｏ5）なども結晶化しにくいため、これらの膜を形成する場合も有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の成膜装置の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１の成膜装置における成膜用スリットの一例を示す斜視図である。
【図３】図１の成膜装置における成膜用スリットの他の例を示す斜視図である。
【図４】本発明の成膜装置の他の実施形態における搬送装置の一実施形態を示す斜視図である。
【図５】本発明の搬送装置の他の実施形態を示す斜視図である。
【図６】本発明の搬送装置のさらに他の実施形態を示す、斜め下方から見た斜視図である。
【図７】図４のＩＩＶ−ＩＩＶ線断面図である。
【図８】本発明の搬送装置のさらに他の実施形態を示す平面図である。
【図９】本発明の搬送装置のさらに他の実施形態を示す平面図である。
【符号の説明】
１ 成膜装置
２ 真空容器
３ プラズマ生成空間
４ 基材搬送空間
５ 成膜用スリット
５１ 第一スリット
５２ 第二スリット
５３ 第三スリット
６ 境界壁
７ 蒸発源
８ 電極
９ 搬送装置
１０ａ、１０ｂ 基材加熱用ヒータ
１１ るつぼ
１２ 電子銃
１３ ガス供給装置
１４ 排気装置
１５ 高周波電源
１６ マッチング回路
１７ 直流電源
１８ イオンボンバード室
１９ 開閉扉
２０ 電極
２１ ガス供給装置
２２ 高周波電源
２４ 基材供給室
２５ 基材送出室
２６、２７ 扉
２９ ローラ
２９ａ 駆動ローラ
２９ｂ 両側ローラ
３０ ベルト
３１ レール
３２ トレイ
３３ 開口
３４ 膜材料供給装置
３５ ワイヤ
４０ ヒータ防護部材
４１ 電極
４２ 電極板部
４３ クリップ部
４４ 給電シュー
４５ 搬送装置
４６ トレイ
４７ 開口
４０ ガス供給装置
４１ 排気装置
６０ 成膜用スリット
６１ 第一スリット
６２ 第二スリット
６３ 第三スリット
７１、７２、７３ 調整板
Ｐ、Ｗ 基材
Claims (6)
- その内部に高周波電界が生じうる成膜用真空容器と、該成膜用真空容器内に形成されたプラズマ生成空間および成膜対象基材の搬送空間と、成膜対象基材を搬送するための搬送装置と、プラズマ生成空間内に配設された膜材料を含む蒸発源と、上記プラズマ生成空間と搬送空間との間に配設された、蒸発膜材料通過スリットが開口された境界壁とを備えており、
上記蒸発膜材料通過スリットが、成膜対象基材の進行方向に沿って上流側から順に配設された小面積の第一スリットと大面積の第二スリットとから構成されてなる成膜装置。 - 上記蒸発膜材料通過スリットが、第二スリットの下流側に小面積の第三スリットをさらに有してなる請求項１記載の成膜装置。
- 上記蒸発膜材料通過スリットに、成膜対象基材の搬送方向に移動可能な調整板が配設されており、該調整板が移動することにより蒸発膜材料通過スリットの開口面積が変更されるように構成されてなる請求項１記載の成膜装置。
- 上記成膜用真空容器内における搬送空間の上流側に、搬送空間と隔離および連通可能に配設されたイオンボンバード室を備えており、該イオンボンバード室が真空化可能であり且つその内部に高周波電界が生じるように構成されており、イオンボンバード室にプラズマソースガス供給装置が配設されてなる請求項１記載の成膜装置。
- 上記成膜用真空容器に隣接して、それぞれが成膜用真空容器と隔離および連通可能に配設された真空化可能な成膜対象基材供給室および成膜対象基材送出室が配設されており、上記搬送装置が、成膜対象基材を成膜対象基材供給室から成膜用真空容器を通して成膜対象基材送出室に搬送するように構成されてなる請求項１記載の成膜装置。
- 上記搬送装置が、成膜対象の基材を保持するための保持装置と、該保持装置を移動させて成膜用スリット上を通過させるための移動装置と、上記保持装置に高周波電力を供給するための給電装置とを備えており、
上記保持装置が高周波電界を生じさせるための電極としての機能を有してなる請求項１記載の成膜装置。
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