TWI625409B - 沉積裝置及使用其沉積薄層之方法 - Google Patents

Abstract

於一態樣中，提供包含沉積室、第一組沉積源單元以及第二組沉積源單元之一種沉積裝置。沉積室可包含第一準備區域、沉積區域以及第二準備區域。沉積區域位於第一與第二準備區域之間。第一組沉積源單元可由第一準備區域移動至沉積區域並提供第一組沉積材料於位於沉積區域中之基座構件。第二組沉積源單元可由第二準備區域移動至沉積區域並提供第二組沉積材料於基座構件。

Description

沉積裝置及使用其沉積薄層之方法

相關申請案之交互參照

本申請案主張於2012年11月12日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0127687號之優先權及效益，其全部內容於此併入作為參考。

本發明所述之技術大致是關於一種沉積裝置以及一種利用該沉積裝置沉積薄層之方法。

一般而言，平板顯示或半導體裝置包含至少一薄層位於基座基板上。該薄層包含有機材料、無機材料或是有機材料與無機材料之混合。每一有機或無機材料通過混合兩種或兩種以上材料而成。該薄層沉積於沉積裝置。

沉積裝置包含沉積室與提供沉積材料之沉積源單元。為此，基座基板位於沉積室而沉積源單元提供沉積材料至基座基板。

通常情況下，一種沉積裝置僅形成一種薄層。因此，形成不同種類的薄層於基座基板上可能需要額外的沉積裝置。

本揭露提供可沉積超過一種薄層之一種沉積裝置。

一些實施例提供使用沉積裝置沉積薄層之方法。

一些實施例提供包含沉積室、第一組沉積源單元以及第二組沉積源單元之一種沉積裝置。在一些實施例中，沉積室包含第一準備區域、沉積區域以及第二準備區域。在一些實施例中，沉積區域位於第一與第二準備區域之間。

在一些實施例中，第一組沉積源單元可設置以由第一準備區域移至沉積區域，且可設置以提供第一組沉積材料於位於沉積區域之基座構件。在一些實施例中，第二組沉積源單元可設置以由第二準備區域移至沉積區域，且可設置以提供第二組沉積材料於基座構件。

在一些實施例中，第一組沉積源單元與第二組沉積源單元可設置以交替地或基本上同時地提供第一組沉積材料與第二組沉積材料於基座構件。

在一些實施例中，第一組沉積源單元包含可設置以提供第一材料之第一沉積噴嘴單元，以及可設置以提供與第一材料不同之第二材料之第二沉積噴嘴單元，第一組沉積材料係通過混合第一材料與第二材料而獲得。

在一些實施例中，沉積裝置包含可設置以傳送第一組沉積源單元之第一傳送構件，以及可設置以傳送第二組沉積源單元之第二傳送構件。

每一第一傳送構件與第二傳送構件均包含容納第一組沉積源單元與第二組沉積源單元之對應沉積源單元之本體構件，以及連接於 本體構件之驅動構件。在一些實施例中，第一傳送構件被至少由第一準備區域延伸至沉積區域之第一導軌所導引。在一些實施例中，第二傳送構件可被至少由第二準備區域延伸至沉積區域之第二導軌所導引。

在一些實施例中，沉積裝置進一步包含於沉積區域中，連接於沉積室以支持基座構件之支持裝置。

一些實施例提供一種沉積薄層之方法。在一些實施例中，第一組沉積源單元與第二組沉積源單元可分別位於沉積室中之第一準備區域與第二準備區域。在一些實施例中，沉積室包含第一準備區域、第二準備區域以及基座構件位於其中之沉積區域。然後，一些實施例提供當於第一準備區域至沉積區域間來回穿梭時，噴灑第一組沉積材料以沉積第一薄層於基座構件上之第一組沉積源單元。在這之後，一些實施例提供當於第二準備區域至沉積區域來回穿梭時，噴灑第二組沉積材料以沉積第二薄層於第一薄層上之第二組沉積源單元。

一些實施例提供一種沉積薄層之方法。在一些實施例中，第一組沉積源單元與第二組沉積源單元可分別位於沉積室之第一準備區域與第二準備區域。在一些實施例中，沉積室包含第一準備區域、第二準備區域以及基座構件位於其中之沉積區域。然後，一些實施例提供由第一準備區域移至第二準備區域之第一組沉積源單元。在那之後，一些實施例提供在第二準備區域至沉積區域來回穿梭時，分別噴灑第一組沉積材料與第二組沉積材料以沉積一薄層於基座構件之第一組沉積源單元與第二組沉積源單元。然後一些實施例提供由第二準備區域移至第一準備區域之第一組沉積源單元。

根據上述，沉積裝置可使用一個沉積室形成兩層或多個不同薄層，另外，沉積裝置可形成以混合物形成之薄層。

在一些實施例中，當控制第一與第二組沉積源單元停留於沉積區域之時間時，可調整每一第一與第二薄層之厚度。

在一些實施例中，因為第一組與第二組沉積源單元於在沉積室之沉積區域穿梭時，分別噴灑第一組與第二組沉積材料，第一薄層與第二薄層之均勻度可被提升。

10、20‧‧‧沉積裝置

100‧‧‧沉積室

100A‧‧‧第一準備區域

100B‧‧‧沉積區域

100C‧‧‧第二準備區域

200‧‧‧支持裝置

BP‧‧‧本體構件

BW1‧‧‧第一隔牆

BW2‧‧‧第二隔牆

DM1、DM10‧‧‧第一組沉積材料

DM2、DM20‧‧‧第二組沉積材料

DS1、PDS1、DS10、PDS10‧‧‧第一組沉積源單元

DS2、DS20‧‧‧第二組沉積源單元

DX‧‧‧第一方向

DY‧‧‧第二方向

DZ‧‧‧法線方向

NP1‧‧‧第一沉積噴嘴單元

NP2‧‧‧第二沉積噴嘴單元

NP3‧‧‧第三沉積噴嘴單元

NP4‧‧‧第四沉積噴嘴單元

NZ‧‧‧噴嘴

SUB‧‧‧基座基板

TP1‧‧‧第一傳送構件

TP2‧‧‧第二傳送構件

WP‧‧‧驅動構件

GR1‧‧‧第一導軌

GR2‧‧‧第二導軌

DM30‧‧‧第三沉積材料

DM40‧‧‧第四沉積材料

本揭露之上述或其他優勢，將藉參照與下列附圖結合考慮之以下列詳細說明而變得顯而易見。

第1圖係為根據本揭露例示性實施例之沉積裝置之剖面圖；第2圖係為顯示第1圖所示之沉積裝置之俯視圖；第3A至第3E圖係為顯示根據本揭露例示性實施例沉積薄層之方法之視圖；第4A至第4E圖係為顯示根據本揭露例示性實施例沉積薄層之方法之視圖；第5圖係為顯示根據本揭露例示性實施例之沉積裝置之剖面圖；第6圖係為顯示第5圖所示之沉積裝置之俯視圖；第7A至第7E圖係為顯示根據本揭露例示性實施例沉積薄層之方法之視圖。

將理解的是，當元件或層被稱為在另一元件或層「上」、「連接至」或「結合至」另一元件或層時，它可直接在另一元件或層上、連接至或結合至另一元件或層或者可能存在中間元件或層。相反的，當元件或層被指「直接在」另一元件或層「上」、「直接連接至」或「直接結合至」另一元件或層時，則不存在中間元件或層。全文中相似的標號代表相似之元件。本文所用之「且/或」代表一個或多個所列相關項目之任意與所有組合。

將理解的是，雖然第一、第二等用詞可在本文中被用來描述不同元件、組件、區域、層及/或區段，但這些元件、組件、區域、層及/或區段不應被這些用詞所限制。這些用詞僅用於區分一個元件、組件、區域、層或區段與另一元件、組件、區域、層或區段。因此，下列敘述之第一元件、組件、區域、層或區段在不脫離本實施例之教導下也可稱為第二元件、組件、區域、層或區段。

空間上相對的措辭，例如「下方(beneath)」、「以下(below)」、「較低(lower)」、「上方(above)」、「較上(upper)」與其他類似措辭，可被用於本文中以簡單敘述圖示當中繪示之一元件或特徵與另一元件或特徵的關係。將理解的是，除了圖式上所描繪的方向外，空間上相對的措辭旨在包含裝置在使用或操作上各個不同的方向。舉例來說，如果圖示中的裝置被翻轉，被描述於其他元件或特徵之「下方」或「以下」之元件，轉向成為在其他元件或特徵「上方」。因此，例示性的用詞「下方」同時包括上方與下方的方向。裝置可以其它方式轉向(旋轉90度或是其他方向)，且本文中所使用之空間上相對的措辭據此解釋。

這裡所使用的專門名詞只是為了描述特定的例示性實施例，而非用於限制本發明。除非上下文有清楚的指明，否則這裡所用單數形式的「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」也包含了複數形式。更進一步可以理解的是用詞「包含(includes)」及/或「包含(including)」在本說明書使用中時，是指所述特徵、整體、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但不排除存在或增加一個或多個特徵、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其組合。

除非另有定義，否則用於本文中之用詞(包含技術與科學用詞)的含意與所屬技術領域之通常知識者所通常理解的相同。進一步的理解，這些定義於常用字典內之用詞，在上下文相關技術中應被解釋為與其一致的含意，且除非有明確的定義，否則不應以理想化或過於正式的意義解釋。

以下將根據附圖詳細說明本實施例。

第1圖係為顯示根據本揭露之例示性實施例之沉積裝置之剖面圖，而第2圖係為顯示第1圖所示之沉積裝置之俯視圖。

參閱第1與第2圖，沉積裝置10包含沉積室100、第一組沉積源單元DS1以及第二組沉積源單元DS2。第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2位於沉積室100中。

在一些實施例中，沉積室100包含第一準備區域100A、沉積區域100B以及第二準備區域100C。在一些實施例中，沉積區域100B位於第一準備區域100A與第二準備區域100C之間。在一些實施例中，第 一準備區域100A、沉積區域100B以及第二準備區域100C可以第一方向DX依序排列。

在一些實施例中，第一準備區域100A與沉積區域100B可由第一隔牆BW1分隔，第二準備區域100C與沉積區域100B可由第二隔牆BW2分隔。在一些實施例中，第一隔牆BW1包含使第一組沉積源單元DS1經過其通過之第一屏蔽門(未圖示)，第二隔牆BW2包含使第二組沉積源單元DS2經過其通過之第二屏蔽門(未圖示)。

在一些實施例中，第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2在進行沉積過程前，可分別位於第一與第二準備區域100A、100C。在一些實施例中，沉積區域100B在沉積過程中維持在真空狀態。在一些實施例中，第一與第二準備區域100A、100C根據本發明另一實施例可準備於沉積室100外部。在一些實施例中，沉積室100可僅包含沉積區域100B。

在一些實施例中，基座基板(即基座構件)SUB位於沉積區域100B中。在一些實施例中，基座基板SUB在沉積區域100B中固定在連接沉積室100之支持裝置200。在一些實施例中，基座基板SUB可為但不限於，用在顯示面板之基板。在一些實施例中，顯示面板可為有機發光顯示面板或液晶顯示面板。在一些實施例中，基座基板SUB可為但不限於用在半導體裝置之基板。在一些實施例中，基座基板SUB是由玻璃、矽、金屬或塑膠構成。

在一些實施例中，第一組沉積源單元DS1由第一準備區域100A移至沉積區域100B。在一些實施例中，第一組沉積源單元DS1由沉 積區域100B返回第一準備區域100A，但並不侷限於此。也就是說在需要的情況下，第一組沉積源單元DS1可移動至第二準備區域100C。

在一些實施例中，第一組沉積源單元DS1提供第一組沉積材料DM1於設置於沉積區域100B之基座基板SUB。第1圖中以虛線繪示之標號「PDS1」表示移動通過沉積區域100B同時噴灑第一組沉積材料DM1之第一組沉積源單元DS1。

在一些實施例中，第一組沉積源單元DS1包含至少一第一沉積噴嘴單元。在一些實施例中，第一沉積噴嘴單元延伸於垂直第一方向DX之第二方向DY。在一些實施例中，第一沉積噴嘴單元包含設置於第二方向DY之複數個噴嘴NZ。

在一些實施例中，噴嘴NZ噴灑第一組沉積材料DM1於基座基板SUB。基座基板SUB與噴嘴NZ於第一方向DX與第二方向DY所定義表面之法線方向DZ空間上分隔。在一些實施例中，第一組沉積材料DM1包含有機與無機材料。在一些實施例中，第一組沉積材料DM1可包含摻有摻質之有機材料。

根據本揭露之另一例示性實施例，第一組沉積源單元DS1包含複數個第一沉積噴嘴單元。在一些實施例中，第一組沉積源單元DS1包含容納第一組沉積材料DM1之容器或坩堝以及加熱該容器之加熱器。

在一些實施例中，第二組沉積源單元DS2由第二準備區域100C移至沉積區域100B並由沉積區域100B返回第二準備區域100C。在一些實施例中，第二組沉積源單元DS2提供第二組沉積材料(未圖示)於位 於沉積區域100B之基座基板SUB。在一些實施例中，第二組沉積源單元DS2與第一組沉積源單元DS1具有相同結構。

在一些實施例中，第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2可由第一傳送構件TP1與第二傳送構件TP2分別傳送，第一傳送構件TP1與第二傳送構件TP2各包含一本體構件BP以容納第一沉積源單元DS1或第二沉積源單元DS2之對應沉積源單元，以及連接於本體構件BP之驅動構件WP，驅動構件WP包含藉由馬達驅動之輪子。

在一些實施例中，沉積裝置10包含第一導軌GR1，至少由第一準備區域100A延伸至沉積區域100B，以導引第一傳送構件TP1。在一些實施例中，沉積裝置10包含第二導軌GR2，至少由第二準備區域100C延伸至沉積區域100B，以導引第二傳送構件TP2。第一與第二傳送構件TP1與TP2之輪子可連接於第一導軌GR1與第二導軌GR2以移動。

如第1與第2圖所示，第一與第二導軌GR1與GR2可由第一準備區域100A延伸至第二準備區域100C。第2圖中，顯示了兩條第一導軌GR1與兩條第二導軌GR2，但第一與第二導軌GR1與GR2之數量並不限於兩條。

在一些實施例中，每一第一與第二傳送構件TP1與TP2可由輸送帶、滾輪或是機器手臂所替代以移動第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2。

第3A至第3E圖係為根據本揭露例示性實施例沉積薄層之方法之視圖。使用根據本例示性實施例之沉積裝置沉積薄層之方法參考第3A至第3E圖以詳細敘述。

在一些實施例中，第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2交替地提供第一組沉積材料DM1與第二組沉積源材料DM2於基座基板SUB(參照第1圖)。因此由第一組沉積材料DM1形成之第一薄層(未圖示)與由第二組沉積材料DM2形成之第二薄層可形成於基座基板SUB上。

參閱第3A圖，第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2分別位於第一與第二準備區域100A與100C。

然後，一些實施例提供第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2的其中之一移動至沉積區域100B。如第3A圖所示，第一組沉積源單元DS1可移動至沉積區域100B。在一些實施例中，第一組沉積源單元DS1通過第一隔牆BW1進入沉積區域100B以噴灑第一組沉積材料DM1。在一些實施例中，移動第一組沉積源單元DS1並噴灑第一組沉積材料DM1一直到其靠近第二隔牆BW2。

參閱第3B圖，接近第二隔牆BW2之第一組沉積源單元DS1返回第一準備區域100A。在一些實施例中，第一組沉積源單元DS1在返回第一準備區域100A時仍繼續噴灑第一組沉積材料DM1。當第一組沉積源單元DS1移動返回第一準備區域100A時，第一薄層形成於基座基板SUB上。在一些實施例中，因為移動的同時，第一組沉積源單元DS1提供第一組沉積材料DM1於基座基板SUB上，第一組沉積材料DM1均勻的形成於基座基板SUB上。因此第一薄層具有均一之厚度。

根據另一例示性實施例，第一組沉積源單元DS1在返回第一準備區域100A前可於第一與第二隔牆BW1與BW2之間來回穿梭數 次。故第一薄層可具有相對較厚之厚度。仍然根據另一例示性實施例，第一組沉積源單元DS1在來回穿梭移動時可暫時停止於沉積區域100B中央部位。

接著參閱第3C與第3D圗，一些實施例提供第二組沉積源單元DS2移動至沉積區域100B。在一些實施例中，第二組沉積源單元DS2與第一組沉積源單元DS1以相同方式移動，並提供第二組沉積材料DM2於基座基板SUB。

在一些實施例中，第二組沉積源單元DS2通過第二隔牆BW2並進入沉積區域100B以噴灑第二組沉積材料DM2。在一些實施例中，第二組沉積源單元DS2移動的同時噴灑第二組沉積材料DM2一直到靠近第一隔牆BW1，然後移動返回第二準備區域100C。從而第二薄層可形成於第一薄層上。在一些實施例中，第二組沉積源單元DS2可在來回穿梭移動時暫時停止於沉積區域100B之中央部份。

在一些實施例中，處於如第3E圖所示之準備狀態之第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2，可重複執行如第3A至第3D圗所描述之操作。因此第一與第二薄層可交替的層疊於基座基板SUB。

在一些實施例中，藉由上述方法操作之沉積裝置可以一個沉積裝置製作複數個薄層。在一些實施例中，沉積室的大小例如沉積室的長度，比傳統沉積裝置減少許多，其中於傳統沉積裝置中複數個沉積源單元可設置於一線上。

第4A至第4E圖係為顯示根據本揭露例示性實施例之沉積薄層之方法之視圖。在一些實施例中，將藉參考第4A至第4E圖詳細敘述使用根據本例示性實施例之沉積裝置沉積薄層之方法。

在一些實施例中，第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2基本上同時分別提供第一組沉積源材料DM1(參照第4C圖)以及第二組沉積材料DM2(參照第4C圖)於基座基板SUB上(參照第1圖)。因此通過混合第一組沉積材料DM1與第二組沉積材料DM2獲得之薄層形成於基座基板SUB上。

參閱第4A圖，第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2分別位於第一與第二準備區域100A與100C。在一些實施例中，第一組沉積源單元DS1在準備狀態下移動至第二準備區域100C。

參閱第4B圖，第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2設置於第二準備區域100C。在一些實施例中，第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2一起移動至沉積區域100B。

參閱第4C圖，第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2進入沉積區域100B，分別噴灑第一組沉積材料DM1與第二組沉積材料DM2。在一些實施例中，第一組沉積材料DM1與第二組沉積材料DM2可互相混合。在本例示性實施例中，第一組沉積材料DM1可為有機材料而第二組沉積材料可為摻質。在一些實施例中，薄層之組成比例取決於第一組沉積材料DM1之噴灑速度與第二組沉積材料DM2之噴灑速度。

在一些實施例中，第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2可在沉積區域100B之第一隔牆BW1與第二隔牆BW2之間來回 穿梭數次。在一些實施例中，由第一組與第二組沉積材料DM1與DM2所形成薄層之厚度，可由第一組與第二組沉積源單元DS1與DS2在第一與第二隔牆BW1與BW2之間來回穿梭之次數來決定。

然後，參閱第4D與第4E圖，一些實施例提供第一組沉積源單元DS1與第二組沉積源單元DS2分別返回第一與第二準備區域100A與100C。

第5圖係為顯示根據本揭露例示性實施例之沉積裝置之剖面圖而第6圖係為顯示第5圖所示之沉積裝置之俯視圖。在第5與第6圖中，相同標號表示與第1與第2圖之相同元件，因此相同元件詳細的敘述將被省略以避免重複。

參閱第5與第6圖，沉積裝置20包含沉積室100、第一組沉積源單元DS10以及第二組沉積源單元DS20。在一些實施例中，第一組沉積源單元DS10與第二組沉積源單元DS20在準備狀態下可分別位於第一準備區域100A與第二準備區域100C。

在一些實施例中，第一組沉積源單元DS10包含第一沉積噴嘴單元NP1與第二沉積噴嘴單元NP2，其提供不同於彼此之沉積材料。在一些實施例中，第二組沉積源單元DS20包含第三沉積噴嘴單元NP3與第四沉積噴嘴單元NP4，其提供不同於彼此之沉積材料。

第5圖中以虛線表示之標號「PDS10」表示在執行沉積操作後移動通過沉積區域100B之第一組沉積源單元DS10。在一些實施例中，第一沉積噴嘴單元NP1噴灑第一沉積材料DM10且第二沉積噴嘴單元NP2噴灑第二沉積材料DM20。在一些實施例中，噴灑的第一沉積材料 DM10與噴灑的第二沉積材料DM20可互相混合。在一些實施例中，第一沉積材料DM10可為有機材料而第二沉積材料DM20可為摻質。在一些實施例中，每一第一與第二沉積材料DM10與DM20可包含不同於彼此之有機或無機材料。

雖然未於第5與第6圖顯示，第三沉積噴嘴單元NP3可噴灑第三沉積材料(未圖示)且第四沉積噴嘴單元NP4可噴灑第四沉積材料(未圖示)。在一些實施例中，噴灑的第三沉積材料與噴灑的第四沉積材料可互相混合。因此，第5與第6圖所示之沉積裝置20可形成每一個皆係由混合物形成之複數個薄層。

第7A至第7E圖係為顯示根據本揭露例示性實施例沉積薄層之方法之視圖。在一些實施例中，使用第7A至第7E圖所示之沉積裝置沉積薄層之方法與使用第3A至第3E圖所示之沉積裝置沉積薄層之方法相同。

參閱第7A圖，第一組沉積源單元DS10與第二組沉積源單元DS20分別位於第一準備區域100A與第二準備區域100C。

然後，一些實施例提供第一組沉積源單元DS10移動至沉積區域100B。在一些實施例中，第一組沉積源單元DS10近入沉積區域100B並噴灑第一與第二沉積材料DM10、DM2。在一些實施例中，第一與第二沉積材料DM10與DM20之混合物沉積於基座基板SUB。

參閱第7B圖，接近第二隔牆BW2之第一組沉積源單元DS10開始移動至第一準備區域100A。在一些實施例中，第一組沉積源 單元DS10在移動至第一準備區域100A時仍持續噴灑第一與第二沉積材料DM10與DM20。

在這之後，參閱第7C與第7D圗，一些實施例提供第二組沉積源單元DS20移動至沉積區域100B。在一些實施例中，第二組沉積源單元DS20與第一組沉積源單元DS10以同樣方式移動，以提供第三與第四沉積材料DM30與DM40於基座基板SUB。

在一些實施例中，第一組沉積源單元DS10與第二組沉積源單元DS20在如第7E圖所示之準備狀態下，可重複執行參照第7A至第7D圖所述之操作。

雖然已敘述本發明例示性實施例，但可以理解的是本發明不應侷限於這些例示性實施例中，而是此技術領域之一般人員所作之各種變化與修改，均應包含於如後附之專利申請範圍之本發明精神與範疇當中。

Claims (17)

1. 一種沉積裝置，其包含：一沉積室，係包含一第一準備區域、一沉積區域以及一第二準備區域；一第一組沉積源單元，係設置以由該第一準備區域移至該沉積區域，且設置以提供一第一組沉積材料於位於該沉積區域之一基座構件，其中該第一組沉積源單元具有一長度，且於該沉積區域中以一第一方向移動，以在接收該第一組沉積材料的該沉積區域中，定義於該第一組沉積源單元的該長度下方的一第一區域；以及一第二組沉積源單元，係設置以由該第二準備區域移至該沉積區域，且提供一第二組沉積材料於該基座構件，其中該第二組沉積源單元具有一長度，且於該沉積區域中以一第二方向移動，以在接收該第一組沉積材料的該沉積區域中，定義於該第二組沉積源單元的該長度下方的一第二區域，其中該第一區域與該第二區域彼此重疊，其中該第一組沉積源單元獨立於該第二組沉積源單元移動，該第一組沉積源單元在該第一方向上面對該第二組沉積源單元，以及在該第一方向上觀看，該第一組沉積源單元與該第二組沉積源單元彼此重疊。
2. 如申請專利範圍第1項之沉積裝置，其中該沉積區域係位於該第一準備區域與該第二準備區域之間。
3. 如申請專利範圍第2項之沉積裝置，其中該第一組沉積源單元與該第二組沉積源單元係設置以交替地提供該第一組沉積材料與該第二組沉積材料於該基座構件。
4. 如申請專利範圍第2項之沉積裝置，其中該第一組沉積源單元與該第二組沉積源單元係設置以基本上同時地提供該第一組沉積材料與該第二組沉積材料於該基座構件。
5. 如申請專利範圍第1項之沉積裝置，其中該第一組沉積源單元包含：一第一沉積噴嘴單元，係設置以提供一第一材料；以及一第二沉積噴嘴單元，係設置以提供與該第一材料不同之一第二材料，其中該第一組沉積材料混合為該第一材料與該第二材料之混合物。
6. 如申請專利範圍第5項之沉積裝置，其中該第二組沉積源單元包含：一第三沉積噴嘴單元，係設置以提供一第三材料；以及一第四沉積噴嘴單元，係設置以提供與該第三材料不同之一第四材料，其中該第二組沉積材料為該第三材料與該第四材料之混合物。
7. 如申請專利範圍第1項之沉積裝置，進一步包含：一第一傳送構件，係設置以傳送該第一組沉積源單元；以及一第二傳送構件，係設置以傳送該第二組沉積源單元。
8. 如申請專利範圍第7項之沉積裝置，其中該第一傳送構件與該第二傳送構件各包含： 一本體構件，係設置以容納該第一組沉積源單元與該第二組沉積源單元之對應沉積源單元，以及一驅動構件，係連接於該本體構件。
9. 如申請專利範圍第7項之沉積裝置，進一步包含：一第一導軌，係至少由該第一準備區域延伸至該沉積區域，其係設置以導引該第一傳送構件；以及一第二導軌，係至少由該第二準備區域延伸至該沉積區域，其係設置以導引該第二傳送構件。
10. 如申請專利範圍第1項之沉積裝置，進一步包含於該沉積區域中，連接至該沉積室以支持該基座構件之一支持裝置。
11. 一種沉積薄層之方法，其包含：分別排列一第一組沉積源單元與一第二組沉積源單元於一沉積室之一第一準備區域與一第二準備區域，該沉積室包含該第一準備區域、該第二準備區域以及一基座構件位於其中之一沉積區域；移動該第一組沉積源單元使其在該第一準備區域至該沉積區域之間來回穿梭，該第一組沉積源單元在該第一準備區域至該沉積區域之間來回穿梭時，提供一第一組沉積材料以沉積一第一薄層於該基座構件上；以及移動該第二組沉積源單元使其在該第二準備區域至該沉積區域之間來回穿梭，該第二組沉積源單元在該第二準備區域至該沉積區域之間來回穿梭時，提供一第二組沉積材料以沉積一第二薄層於該第一薄層上， 其中該第一組沉積源單元具有一長度，且於該沉積區域中以一第一方向移動，以在接收該第一組沉積材料的該沉積區域中，定義於該第一組沉積源單元的該長度下方的一第一區域，及其中該第二組沉積源單元具有一長度，且於該沉積區域中以一第二方向移動，以在接收該第一組沉積材料的該沉積區域中，定義於該第二組沉積源單元的該長度下方的一第二區域，其中該第一區域與該第二區域彼此重疊，其中該第一組沉積源單元獨立於該第二組沉積源單元移動，該第一組沉積源單元在該第一方向上面對該第二組沉積源單元，以及在該第一方向上觀看，該第一組沉積源單元與該第二組沉積源單元彼此重疊。
12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該第一組沉積源單元包含：一第一沉積噴嘴單元，提供一第一材料；以及一第二沉積噴嘴單元，提供與該第一材料不同之一第二材料，且該第一組沉積材料為該第一材料與該第二材料之混合物。
13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該第二組沉積源單元包含：一第三沉積噴嘴單元，提供一第三材料；以及一第四沉積噴嘴單元，提供與該第三材料不同之一第四材料，且該第二組沉積材料為該第三材料與該第四材料之混合物。
14. 如申請專利範圍第11項之方法，其中當沉積該第一薄層時，該第一組沉積源單元在該第一準備區域至該沉積區域之間來回穿梭數次。
15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中當沉積該第二薄層時，該第二組沉積源單元在該第二準備區域至該沉積區域之間來回穿梭數次。
16. 一種沉積薄層的方法，其包含：分別排列一第一組沉積源單元與一第二組沉積源單元於一沉積室之一第一準備區域與一第二準備區域，該沉積室包含該第一準備區域、該第二準備區域以及一基座構件位於其中之一沉積區域；移動該第一組沉積源單元由該第一準備區域至該第二準備區域；移動該第一組沉積源單元與該第二組沉積源單元使其在該第二準備區域至該沉積區域之間來回穿梭，該第一組沉積源單元與該第二組沉積源單元在該第二準備區域至該沉積區域來回穿梭時，分別提供一第一組沉積材料與一第二組沉積材料以沉積一薄層於該基座構件上；以及移動該第一組沉積源單元由該第二準備區域至該第一準備區域，其中該第一組沉積源單元具有一長度，且於該沉積區域中以一第一方向移動，以在接收該第一組沉積材料的該沉積區域中，定義於該第一組沉積源單元的該長度下方的一第一區域，及 其中該第二組沉積源單元具有一長度，且於該沉積區域中以一第二方向移動，以在接收該第一組沉積材料的該沉積區域中，定義於該第二組沉積源單元的該長度下方的一第二區域，其中該第一區域與該第二區域彼此重疊，其中該第一組沉積源單元獨立於該第二組沉積源單元移動，該第一組沉積源單元在該第一方向上面對該第二組沉積源單元，以及在該第一方向上觀看，該第一組沉積源單元與該第二組沉積源單元彼此重疊。
17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中當沉積該薄層時，該第一組沉積源單元與該第二組沉積源單元在該第二準備區域至該沉積區域之間來回穿梭數次。