TWI306664B - Backside illuminated semiconductor device - Google Patents

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ίΐ 10. ϋ 8 务正替換頁’ 1306664 第95122935號專利說明書修正本 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體裝置，且特別是關於一種 半導體影像感測裝置。 【先前技術】 於半導體領域中，後侧照光感測器 (backside-illuminated sensors)係用於感測照射於基底後 側表面之光線。上述後側照光感測器亦可形成於基底之 前侧，此時基底需經薄化而使得照射於基底之後侧光可 抵達感測器。然而，經薄化之基底將可能劣化感測器之 感測能力。舉例來說，長波長之光線可能會穿透感測器 而無法造成有效的吸收。因此，便需要改善後側照光感 測器及其應用之基底。 【發明内容】 有鑑於此，本發明提供了一種後側照光之半導體裝 置，包括： 一半導體基底，具有一前侧表面與一後側表面；一 感測元件，位於該半導體裝置之前側表面上；以及一反 光層，設置於該半導體基底之上，其中該反光層係用以 反射朝向該後側表面以及穿透該感測元件之光線之用。 於前述裝置中，該反光層可反射照射透過該感測元 件區域之光線80%以上。該反光層亦可反射至少線照射 於其上之光線30%以上。該反光層具有介於50埃至20 0503-A32106TWFl/Shawn Chang 5 1306664 ! 9ziu.j$ 第9助935號專利說明書修正本 L干月雜(⑧正替顧 飞丄_y_期· y人—--~ 微米之厚度。該反光層係擇自由金屬、介電材料以及上 述材料之組合所組成族群。金屬材料係擇自由銘、銅、 鶴、鈦、氮化鈦、钽、氮化组、金屬耗物以及上述材 料之組t所組成族群。介電材料係擇自由氧化矽、氮化 矽、，氮氧化矽、低介電常數介電材料及上述材料所組成 組群:上述介電材料之反射率係低於半導體基底之反射 率。该反光層可為一多膜層結構。該反光層可設置於或 共構於一多膜層内連物結構中。該反光層可包括部份之 多膜層内連物。該感測元件係擇自由互補型金氧半導體 (cmos)感測器、電耦合裝置（CCD)感測器、主動型像素 感測器、被動型像素感測器或上述感測器之組合。該感 測器可包括設置於該反光層下方之一感光區。該感光區 可具有介於10〜1〇21原子/每平方公分之一摻雜濃度。該 感光區可大體對應該感測元件之一像素區之10〜80%。該 感光區包括一 N型摻雜區及/或一 P型摻雜區。 因此’本發明提供了一種後側照光之半導。 該半導體裝置包括： 置 一半導體基底，具有一前侧表面與一後側表面；複 數個感測元件，位於該半導體裝置之前側表面上；以及 複數個金屬反射構件，設置於該些感測元件之上，以反 射朝向該半導體基底後側表面之光線以及分別通過該些 感測元件之光線80%以上。該些金屬反射構件係擇自由 鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、鈕、氮化钽、金屬矽化物以 及上述材料之組合所組成族群。金屬反射構件則可設置 〇503-A321〇6TWFl/Shawn Chang 6 1306664 第95丨22935號專利說明書修正本 |毕/丨正#換頁 -jpf一ί^~**^^^**~ 1'9_7—tO..-發—· 於二 底前侧表面之多膜層内連物中並順應之 ^厘該些金屬反射構件可為部份之多膜層内連物。該 膜層内。菁件了°又置於该多膜層内連物内之一或多個 本發明提供了-種後側照光之 體裝置包括： 〒瓶衣置这牛導 半導體基底，具有一前侧表 … 數=元件，位於該半導體裝置之前側;=面： ㈣，=射::Γ覆蓋該些感測元件上之-層間介 =曰中以反射朝向該半導體基底後侧表面 *別通過該些❹i元件之光線8G%以上。反 擇自由氧化石夕、氮化發、氮入、，電反射係 料及上述材料所組成組群j - Μ電常數介電材 不 更明本::二上述和其他目的、特徵、和優點能 二;：;场舉一較佳實施例，並配合所_ 【實施方式】 第1圖顯示了依據本發 後側照光之感測n之—半=中建構有複數個 ^ ^ 千¥體裝置1⑻的剖面圖。 在此，半導體裝置包括一半導體 底110可包括一元幸_ 土 & 110。半導體基 兀素恶+導體，例如 半導體基底m亦可包括—化合物 錄、或鑽石。 砷化鎵、砷化銦、磷化 、_，例如碳化矽、 鋼+導體基底110 〇503-A32106TWFl/Shawn Chang 7 车·角日修奶正替換頁 楱正曰輛:97.10.8 1306664 第95122935號專利說明書修正本 個p型摻雜區及/或N型摻雜區。上述摻雜區可藉由如離 子佈植或擴散方式於不同製程中形成。半導體基底ιι〇 亦可包括橫向之絕緣構件，藉以隔離形成於基底上 同裝置。 半導體裝置100可包括複數個形成於半導體基底11〇 讀表面上之感測元件12G。於—實施例中，M元件可 叹置於前侧表面上並延伸於半導體基底110中。此些感 ，元件120可分別包括一感光區（或光子感應區），討為 猎由如擴散或離子佈植之方法所形成形成於半導體基底 ^内且具有/型及或P型摻質之―摻雜區。感光區可 巧介於1G〜妒原子/每平方公分之—摻雜濃度。感光 品可具有對應於相關感測元件1()〜8()%之—表面區，因而 2接收抵達其上之照光。感測元件m例如為感測二 極體、互補型金氧半導體（c聰)影像感測器、電轉合裝 感測器、主動型像素感卿、被動型像素感測器 及/或其他、_散或其財式形成於基底m中之感測 =如前所述’感測元件⑽可包括習知及域未來發展 ^影像感測裝置。感測^件12G可包括採用感測陣列或 ^當，所設置之複數個像素，其中該些感測像素 ^㈣同^型態°舉例來說’該些感測像素可包括 ^刀之CMOS感測晝素與部分之被動型感測器。再者， ‘I測70件12G可夠包括彩色影像感測器及 測器。感測元件12。可更包括或輛接其他構二= 電子電路構件，並於連結後操作❹元件m並對應照 〇503-A321〇6TWFl/Shawn Chang δ S av. ΐϋ. υ« ; 1306664 I年片π修(€)正替換良

第95122935號專利說明書修正本 1—~修正W了TTH 光而產生適當反應。於操作時，半導體裝置1〇〇係用於 接收射向半導體基板110後侧表面之光線150,由於不存 在有閘極構件與金屬線等會對於光徑造成阻礙等物件， 因而對於照光而言可得到最大之照射效果。半導體基底 110可經由薄化而使得照射於其後側表面之光線有效地 抵達感測元件120。 半導體裝置100可更包括形成於半導體基底110前 侧表面之反光層130。反光層130可設置於形成於半導體 基底110上感測元件120之上，藉以使得朝向半導體基 底110之後側表面之光線以及穿透感測元件120後之光 線可經反射而至感測元件120處，因而改善其感測度。 經由適當設計與設置，反光層130可使得後侧之照射可 有效地反射至感測區。於一實施例中，可使得通過感測 區之80%以上之後側照射光可有效地經反射而回照之。 於一實施例中，反光層130對於後側照射光具有大體30% 以上之一反射率。反光層130可具有面對對應一感測元 件之一反射表面，且該反射表面約佔對應之一相關感測 元件表面大體80%以上。反光層130可具有介於50埃至 20微米之一厚度。反光層130可較為靠近感測元件120， 藉以最佳化其效率與表現。於一實施例中，反光層130 係形成於金屬内連物及/或層間介電層（ILD)中。反光層 13 0可具有一連續反射表面以反光後側照射光至複數個 感測元件120處。或者，反光層130可包括複數個反光 之分隔/連結構件，其經圖案化並設置於相同膜層或分散 0503-A32106TWFl/Shawn Chang 9 ΤΙ Ιϋ. ϋ 8 ^ 年月日修(更)丰替換頁 修正 a 期：97·.1Θ·_8--： 1306664 第95122935號專利說明書修正本 設置於不同膜層中。舉例來說，反光層130之一部可設 置於第一金屬層中，而其他部分則可設置於第二金屬層 中。於其他範例中，對應於一感測區之反射表面可包括 一個或一個以上之反射構件。反光層130可包括用於半 導體裝置100中之功能元件，例如接觸物、介層物與金 屬導線等。此些功能性構件除了其本身功能外，其經由 適當設置後則可有效地反射光線。舉例來說，可經由重 新設置一金屬導線且/或加寬之而無須改變其原始功能。 反光層130可包金屬、介電材料、其他製程/製造用料及/ 或其組合。反光層13 0可採用如銘、銅、鎢、鈦、氮化 鈦、组、氮化钽、金屬石夕化物或其組合等金屬。或者， 反光層13 0可採用如氧化石夕、氮氧化石夕、氮化石夕、低介 電常數材料、或其組合之介電材料。於一實施例中，反 光層130中之介電層可具有少於2之消光係數。於另一 實施例中，反光層130中之可包括具有一彎曲表面反光 構件，藉以聚焦並有效反射光線。反光層130可包括具 有一堆疊多重膜層結構之反光構件，例如為包括插入於 兩第二類型膜層間之第一類型膜層之一三明治結構。 半導體裝置100可包括形成於半導體基底110與感 測元件120之上之多膜層内連物140。多膜層内連物140 可沿著反光層130而設置。半導體裝置100可更包括黏 附於半導體基底110之背面之一透光層（未顯示），藉以機 械地支撐半導體裝置100並光學地允許後侧照射光通過 之。半導體裝置100可更包括設置於半導體基底110後 0503-A32106TWFl/Shawn Chang 10 1306664 I iu. υο v nci. I 年 f\ β 修(邊、—;£ϋ 第95122935號專利說明書修正本 L___:_' _ Τΐ.~Ι1Γ：'9Γΐ0.8 Ζ表面之彩色濾光層（未顯示）’藉以應用於彩色顯像之 再者’半導體裝置_ &包括複數個微透鏡（未顯 :、叹置於半導體基底11〇後側表面，或者於使用彩 ^慮光層時介於彩色濾光層與半導體基底之後侧表面 又或者於使用於半導體基底之後側表面與彩色遽光 曰^上’以使得後侧照光可聚焦至感測區。反光層130 可错由應用具有較高反射率之材料及/或採用-堆疊型多 膜層結構以更改善其反射率。堆疊型多膜層結構可經過 設計與設置，使得其中個卿層之厚度與反射係數皆經 過良好調整而使得來自不同膜層之反射光可建設性地干 涉並因而加強反射光。個制層之反射係數係需經過仔 細的挑選或調教以最大化來自於堆疊型多膜層結構之反 射。反光層m可藉由多種製程所製成，並可藉由整合 如雙鎮嵌製程之傳統製成技術所製成。反光層130之製 作方法例如為化學氣相沈積法、物理氣相沈積法、原子 層沈積法、電鑛法、旋轉塗佈法、以及其他適當程序。 上述方法亦可搭配如研磨/平坦化、姓刻、微影以及敎製 :等其他製程-起應用。值得注意的，可最佳化所採用 裝程步驟之配方而得到所期望之反射係數與厚度。 請參照第2圖，顯示了依據本發明之另一實施例之 設置有複數個後側照光感測器之半導體裝置2〇〇。半導體 裝置可包括-半導體基底11Q、如感測元件H 120b與120c之複數個感測元件12〇，以及如彩色濾光層 與微透鏡等大體相似於半導體裝置1〇〇中所應用構件之 0503-A32106TWFl/Shawn Chang 11 97 1〇 〇8 ¥ h曰修便)正替換頁 ♦五_8·期97,10.8-- 1306664 第95122935號專利說明書修正本 其他適當構件。 半導體裝置200包括一多膜層内連物140與一反光 層130。於本實施例中，反光層130可包括複數個圖案化 之反光構件，例如第2圖内所示之反光構件130a、130b 以及130c。多膜層内連物140可包括至少一内連物層。 舉例來說，第2圖所圖示之一多膜層内連物包括兩金屬， 例如第一金屬層142以及第二金屬層144。第一金屬層 142包括導線構件142a與142b，而第二金屬層144則包 括導線構件144a、144b與一假（dummy)導線構件144c。 多膜層内連物140内可設置有垂直介層物（未圖示）並將 之連結於第一金屬層142與半導體基底110之間。多膜 層内連物140内可更設置有垂直介層物（未圖示）並將之 連結於不同金屬膜層間，例如連結於第一金屬層142與 第二金屬層144之間。除了作為一般電性連接用途之外， 多膜層内連物140亦可設計並作為部分之反光層130之 用。舉例來說，導線構件142a可設置於並加寬之，以有 效地反射後側照射光至對應之感測元件120a。於另一範 例中，多膜層内連物140可包括多重金屬構件（形成於同 一膜層或不同膜層之中），例如解說用之導線構件142b 與144b，經過設置後其可與反光構件130b相結合而使得 所形成之結合結構（於範例中之142b與144b及130b)可 有效地反射後側照射光至對應之感測元件120b。於另一 範例中，多膜層内連物140可包括假結構（dummy structure)，例如假之導線構件144c，以使得其或其與其 0503-A32106TWF1/Shawn Chang 12 j Ot. XU. w υ 1306664 j Jf-- 必 第95122935號專利說明書修正本 ；一"： 97：10；8 ^ 他構件（於本實施例中之142b)之結合可有效地反射後侧 照射光至對應之感測元件120c。於另一實施例中，可更 額外地採用接觸/介層構件以單獨地或經結合其他構件後 用於加強光反射之用。經過設計，所有反光構件較佳地 為緊密靠近於感測區，藉以有效地反射光線。 多膜層内連物140可包括習知内連物結構，因而可 藉由習知方法所製成。於一實施例中，多膜層内連物140 可利用鋁製程所製成。於另一實施例中，多膜層内連物 140可利用銅製程所製成。應用鋁製程所製成之多膜層内 連物14 0可包括铭、銘^夕銅合金、敛、氮化鈦、鎢、金 屬矽化物或其組合。應用鋁製程所製成之多膜層内連物 可包括一多膜層結構。舉例來說，多膜層結構可包括含 如鈦/氮化鈦材質之阻障/黏著層以及含鋁合金之一鋁膜 層。接觸介層構件可包括相似之阻障黏著膜層以及一鎢 插拴。應用鋁製程所製成之多膜層内連物可藉由濺鍍、 化學氣相沈積或上述方法之組合方法所形成。亦可採用 如微影與蝕刻之其他製程以圖案化用於垂直連結（介層物 與接觸物）以及水平連結（金屬導線）之金屬材料。應用銅 製程所製成之多膜層内連物可包括銅、銅合金、鈦、氮 化鈦、组、氮化钽、鎢、金屬砍化物、组銘構或其結合。 銅製程所製成之多膜層内連物可採用雙鑲嵌製程，例如 為溝槽先行形成或介層物先行形成之製程。於上述雙鑲 嵌製程中，則可採用電鍍與化學機械研磨等製程。 在此，反光層130可更包括用於鄰近結構與半導體 0503-A32106TWFl/Shawn Chang 13 ^ [ 97. ία Ο 8 -- 1306664 j年月時(¾正替換頁 第95122935號專利說明書修正本 *~修:L α期：97.1-ΘΘ- 製程用之其他金屬材料。舉例來說，其可為製造半導體 裝置200時之所需採用之半導體製程所應用之適當金屬 材料。於多膜層内連物140結構中可更設置有一介電材 料並填入於介於金屬構件間之空隙中。其所應用之介電 材料大體相似於半導體裝置1〇〇中所採用之習知層間介 電材料。舉例來說，介電材料可包括如碳摻雜氧化石夕以 及氟摻雜氧化矽之氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、低介電 常數材料、或上述材料之組合以及或其他適當材料。 請參照第3圖，顯示了依據本發明另一實施例之具 有複數個後側照光感測器之半導體裝置300之剖面圖 式。半導體裝置300包括一半導體基底110、複數個感測 元件120，例如感測元件120a、120b、與120b，以及如 彩色濾光層、微透鏡與内連物等大體相似於半導體裝置 200内構件之其他適當構件。 在此，半導體裝置300更包括設置於並整合於層間 介電層中之一反光層130。於本實施例中，反光層130具 有低於半導體基底110之一反射率且具有不同於鄰近層 間介電層之反射率。反光層130可包括如氧化矽、氮化 矽、氮氧化矽、低介電常數材料、其他適當介電材料或 上述材料之組合等介電材料。於一實施例中，介電材質 之反光層130可包括複數個圖案化之反光構件，例如反 光構件130a、130b以及130c，及/或具有連續之一反光 表面之反光構件130d。於一實施例中，介電材質之反光 層13 0可包括一堆疊之多膜層結構。堆疊之多膜層結構 0503-A32106TWFl/Shawn Chang 14 3/. 1U. U Ο . 年月日修(楚^替換頁I -修正mi[8 」 1306664 第95122935號專利說明書修正本 可經由設計而使得各別膜層具有適當厚度與反射率，藉 以改善反光效果。舉例來說，可經由調整堆疊之多膜層 結構之厚度而使得反射光形成建設性干涉。此外，可更 可仔細挑選或調整各別膜層之反射率，藉以最佳化上述 多膜層之反射情形。 此外，亦可採用如薄膜光學之習知技術以改善反射 效果。於一實施例中，介電材質之反光層130可具有包 括第一介電材質之一第一膜層、第二介電材質之一第二 膜層以及第三介電材質之一第三膜層之一三明治結構， 例如第3圖所示之反光構件130a、130b與130c。於另一 實施例中，介電材質之反光層130包括雙膜層結構，例 如第3圖所示之介電材質之反光構件130d。介電材質之 反光層130可藉由如化學氣相沈積法、物理氣相沈積法、 熱氧化法、原子層沈積、旋轉塗佈、其他適當製程或上 述方法之組合所形成。亦可搭配如化學機械研磨之其他 製程技術。於一實施例中，可藉由化學機械研磨程序之 調整以最小化碟盤效應與腐蝕效應，藉以產生一平坦表 面。於另一實施例中，可藉由化學機械研磨程序的調整 而產生適度之碟盤效應，藉以產生一曲化表面而有效且 適用於聚焦反射之用。介電材質之反光層130與多膜層 内連物140經結合後可最大之反射。於一實施例中，介 電反光構件130b與導線構件142b(電性功能導線/接觸物 /介層物或一假金屬線）經結合而提至對應之感測元件12 0 之反射情形。於另一實施例中，介電材質之反光構件130c 0503-A32106TWFl/Shawn Chang 15

• ία ΰ 8 月曰修(爱7正替換頁 1306664 第95122935號專利說明書修正本 與位於不同階層中之其他介電材質之反光構件130d經結 合後可對於對應之感測元件120c提供一較佳之反射效 果。此外，依據本發明之實施例，亦可採用其他用於改 善反射之適當結合情形與結合型態。 如前所述，於半導體基底前側上形成感測元件、反 光層、保護層與其他結構後可更製程處理半導體基底110 之後側表面。舉例來說，可經由薄化後側表面以使得照 射光可有效地抵達感測區。半導體基底厚度之降低可採 用化學機械研磨及/或蝕刻等製程。半導體基底110之後 側表面可更為具有一足夠厚度與機械強度之一透光膜層 所保護，藉以支撐與保護半導體基底110。 於前述揭露之結構與方法中，於應用上照射光並非 限定於可見光束，並可為其他光學光，例如紅外線、紫 外線或其他適當射線光束等。如此，經由挑選與設計， 反光層130將可有效地反射對應之射線光束。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之 精神和範圍内，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明 之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 0503-A32106TWFl/Shawn Chang 16 1306664 j # α腹) 第95122935號專利說明書修正本 L-修正 【圖式簡單說明】 第1〜3圖分別顯示了多種半導體裝置，該些半導體 裝置包括複數個依據本發明一實施例所製成之後側照光 感測器。 【主要元件符號說明】 100、200、300〜半導體裝置； 110〜半導體基底； 120、120a、120b、120c 〜感測元件； 130〜反光層； 130a、130b、130c、130d〜反光構件； 140〜多膜層内連物； 142〜第一金屬層； 142a、142b〜導線構件； 144〜第二金屬層； 144a、144b〜導線構件； 144c〜假導線構件； 15 0〜光線。 0503-A32106TWFl/Shawn Chang 17

Claims (1)

1. a厶丄U· υ 一 年月日修(於)正替换頁 i止 Η 期：97.10,8 '~ 1306664 第9M22935號專利說明書修正本 十、申請專利範圍： 1. 一種後侧照光之半導體裝置，包括： 一半導體基底’具有-前侧表面與-後侧表面； 一感測元件，位於該半導體裝置之前侧表面上； :導線構件’位於該半導體裝置之該前侧表面上並 與該感測元件部分重疊；以及 -反光層，設置於該半導體基底之該前侧表面上， ^該反光層包括至少—反光構件，該反㈣件與該感 2件及該導線構件部分重疊，㈣反光構件與該導線 構件形成面對該感測元件之一反射面，而該反射面大體 對應該感測元件之表面。 2. 如申請專利範圍第丨項所述之後側照光之半導體 裝置其中邊感測元件包括一主動型像素感測器。 3. 如申請專利範圍第1項所述之後側照光之半導體 裝置，其中該感測元件包括一被動型像素感測器。 4. 如申請專利範圍第1項所述之後側照光之半導體 裝置，其中該反光層對於一後側照射光具有至少30%之 一反射率。 5.如申請專利範圍第1項所述之後側照光之半導體 裝置’其中該反光層具有介於50埃〜2〇微米之一厚度。 6_如申請專利範圍第1項所述之後側照光之半導體 裝置’其中該反光層内之該反光構件包括金屬。 7·如申請專利範圍第6項所述之後側照光之半導體 裝置，其中該金屬包括鋁。 18 〇503-A32106TWFl/ShaWn Chang 1306664 i ? 第95122935號專利說明書修正本 修I曰嘗'Hg· 8. 如申請專利範圍第6項所述之後側照光之半導體 裝置，其中該金屬包括銅。 9. 如申請專利範圍第6項所述之後側照光之半導體 裝置’其中該金屬包括鎢。 10. 如申睛專利範圍第1項所述之後側照光之半導 體裝置，其中該反光層内之該反光構件包括介電材料。 11. 如申請專利範圍第1〇項所述之後側照光之半導 體裝置’其中該介電材料包括氧化秒。 12. 如申請專利範圍第10項所述之後側照光之半導 體裝置’其中該介電材料包括氮化矽。 13. 如申請專利範圍第1〇項所述之後側照光之半導 體裝置，其中該介電材料包括氮氧化發。 14. 如申請專利範圍第1〇項所述之後侧照光之半導 體裝置，其中該介電材料具有低於2之消光係數。 15. 如申請專利範圍第1項所述之後側照光之半導 體裝置，其中該反光層内之該反光構件具有一多膜層結 構。 日、。 16· —種後側照光之半導體裝置，包括： 一半導體基底，具有一前側表面與一後側表面； 一感測元件，位於該半導體基底之前側表面上，其 中該感測元件包括一感光區； 一導線構件，位於該半導體裝置之該前側表面上並 與該感測元件之該感光區部分相重疊；以及 一反光層，設置於該感測區之上，其中該反光層包 0503-A32106TWFl/Shawn Chang 19 ιυ. υ » 年月日修(受)~正替換頁 期：97.-te^~--- 1306664 第95122935號專利自t 括至少一反光構件，該反光構件與該感測元件之感光區 及該導線構件部分重疊，而該反光構件與該導線構件形 成面對該感測元件之該感光區之一反射面，而該反射面 反射光線至該感光區。 17.如申請專利範圍第16項所述之後侧照光之半導 體裝置’其中該感光區具有介於1〇Η〜1〇21原子/每平方公 分之一摻雜濃度。 18.如申請專利範圍第16項所述之後側照光之半導 體裝置’其中該感光區大體對應該感測元件之一像素區 之10〜80%。 19. 如申請專利範圍第π項所述之後侧照光之半導 體裝置，其中該感光區包括型摻雜區。 20. 如申請專利範圍第μ項所述之後侧照光之半導 體裝置，其中該感光區包括一 p型摻雜區。 0503-A32106TWFl/Shawn Chang 20 月日修暖)正替換頁 ifrfeia-期·>9?:ί0.8-- 1306664 第95122935號專利說明書修正本 七、 指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（1)圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 100〜半導體裝置； 110〜半導體基底； 120〜感測元件； 130〜反光層； 140〜多膜層内連物； 150〜光線。 八、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 0503-A32106TWFl/Shawn Chang 4