TWI304144B - - Google Patents

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1304144 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於液晶顯示裝置，特別是有關於一種主 動矩陣型的液晶顯示裝置。 【先前技術】 主動型的液晶顯示裝置，則在中介著液晶而被對向配 Φ置的各基板中，則在其中一個基板的液晶側的面，將被在 X方向延伸，且被共設在y方向的閘極信號線，與在y方向 延伸，且被並設在X方向的汲極信號線所包圍的各領域當 作畫素領域，在該畫素領域備有可根據來自閘極信號線之 掃描信號而作動的主動元件，經由該主動元件，而被供給 有來自汲極信號線之影像信號的畫素電極，以及在與該畫 素電極之間產生的電容。 該液晶顯示裝置，則藉由主動元件進行一定時間的寫 •入與一定時間的保持，而實現畫像顯示。 該保持方式已知有在閘極信號線與畫素電極之間形成 電容的Cadd (附加電容）方式，以及在保持電容信號線與 畫素電極之間形成電容的Cstg (保持電容）方式。

Cstg方式，雖然必須要有保持電容信號線而導致數値 孔徑降低，但由於可將保持電位設成安定，因此能夠得到 比較高的畫質。 •又，利用C stg方式的液晶顯示裝置，則已知有被稱爲 橫向電場方式者。該種液晶顯示裝置，則在已形成有畫素 -5- 1304144 電極的基板側設有用於在與該畫素電極之間產生電場的基 準電極（reference electrode)，藉由經由絕緣膜，將畫素電 極重疊在將基準信號供給到該基準電極的基準信號線，而 形成保持電容。 而此則可以實現使液晶顯示裝置的顯示得以廣視角化 ，近年來利用該方式者則已經被製品化。 另一方面，爲了使中介著液晶而被對向配置之各基板 φ的間隙（cell gap )得以確保均勻，已知有將共聚物靜止 粒體（beads )散佈在該液晶內的結構，或是藉由光石印 技術的選擇鈾刻，而在其中一個基板面設置有機材料的支 柱的結構。 在粒體或是支柱的周邊雖然會發生漏光的情形，但是 在將支柱配置在畫面內的手法中，由於可以事先設定其位 置，因此，對其比（contrast )比可較粒體分散手法更加 提高。 φ 又，將信號供給到主動元件之驅動器（半導體晶片） 的安裝則已知有TCP方式與FCA (也稱爲COG方式）。 TCP方式則具有較FCP方式容易製造，而能提高良品 率的特徵，又，FCP方式由於可以減少到外部之拉出配線 的數目，因此適合於高精細化。 【發明內容】 (本案所要解決的第1課題） 首先，爲了要實現廣視角且高精細度的液晶顯示裝置 -6- 1304144 ’則最好上述橫向電場方式採用F C A方式。 但是橫向電場方式，由於其液晶的顯示模式爲多折射 模式，因此例如相較於TN模式，則對於液晶層之厚度的 變動會變得敏感，而即使是對於同一液晶層厚的變動量， 也會有看得到著色的問題。 又’ F C A方式，由於其驅動器係直接地被搭載在液晶 顯示裝置的基板，因此，來自該驅動器的發熱會直接傳到 鲁液晶顯示裝置的基板，而在該驅動器之附近的液晶會導致 局部的溫度上昇，而發現在該部分會有看到的變色的問題 (本發明所要解決的第2課題） 又，當採用FCA方式時，則大多直接將只由半導體晶 片所構成之驅動器安裝到液晶顯示裝置的基板，而發現在 半導體晶片之周邊的基板容易產生應力。 此外，因爲該應力，會發現在顯示面之驅動器之附近 的部分產生看得到變色的問題。 此時，當爲所謂的正常黑模式時，則在作黑顯示時會 產生漏光，而確認出其對比較低。在此，所謂的正常黑模 式係指在未對液晶施加電場的狀態下，該液晶的透光率會 成爲最低的情形。 (本發明所要解決的第3課題） 又，爲了使中介著液晶而被對向配置之各基板的間隙 1304144 設成均勻，當在單側的基板形成支柱時’則上述課題2的 應力會成爲原因，而造成在晶片附近的領域，其上下基板 之對位偏移會較其他的領域惡化。 當利用粒體（beads )時，藉著其形狀爲球體，且未 被固地固定，當施加局部的應力時，則在使其緩和的方向 進行粒體的再配置，結果可知能夠減低在半導體晶片之附 近之上下基板的對偏移程度。 φ 但是當爲支柱時，由於支柱與基板是面接觸，因此接 觸面積大，又，由於支柱本身是被固定在單側的基板，因 此發現在半導體晶片附近仍會因爲應力而產生局部的對位 偏移，而難以被緩和。 (本發明所要解決的第4課題） 更者·，當爲橫向電場方式時，則已知在彼此產生電場 的畫素電極與基準電極中，基準電極係鄰接於影像信號線 _而配置。 而此是爲了讓來自影像信號線的電場終止於基準電極 側，而不致於影響到畫素電極側。 此外，則在影像信號線與基準電極之間形成間隙，而 由於在該間隙部驅動液晶，而發生所謂的Domain情形， 因此在該部分形成遮光膜。 但是，該遮光膜的形成會阻礙提高畫素的數値孔徑。 (本發明所要解決的第5課題） -8- 1304144 更者，在閘極信號線或汲極信號線與驅動器（drive )連接時，則位在該驅動器附近的信號線，會形成爲可以 被擠入到半導體晶片之尺寸範圍內的案圖（pattern ) ° 此時，將上述以外的信號線，例如基準信號線拉出到 半導體晶片側，而在上述各信號線的擠入部分則必須要連 接到其他的配線層，因此要求要確保接觸（contact )領域 〇 但是爲了要確保該領域，則會產生無法確保縮小所謂 之額緣（以從基板的外輪廓開始到顯示面爲止的寬度所形 成的部分）的問題。 本發明則爲了要解決上述第1課題所示的問題，乃提 供一種抑制在驅動器附近之液晶之局部溫度上昇問題之液 晶顯示裝置。 本發明爲了要解決上述第2課題所示的問題，乃提供 一種用於抑制應力傳達到驅動器之基板的液晶顯示裝置。 本發明爲了要解決上述第3課題所示的問題，乃提供 一種可在驅動器附近的顯示面抑制對位偏移情形之液晶顯 示裝置。 本發明爲了要解決上述第4課題所示的問題，乃提供 一種可以提高數値孔徑之液晶顯示裝置。 本發明爲了要解決上述第5課題所示的問題，乃提供 一種可以縮小所謂之額緣的液晶顯示裝置。 在本發明所揭露的發明中，若要簡單地說明代表者之 槪要內容則如下。 -9- 1304144 用於解決上述第1課題之代表的手段，其特徵在於： 在中介著液晶層被對向配置之各基板中，在其中一個 基板的液晶側的面備有：根據來自閘極信號線之掃描信號 而作動的開關元件，經由該開關元件，而被供給有來自汲 極信號線之影像信號的畫素電極、以及在與該畫素電極之 間產生電場的基準電極， 來自上述汲極信號線的影像信號是由被安裝在上述其 φ中一個基板上的驅動晶片所形成， 當在畫素電極與基準電極之間未施加電壓時，則構成 使上述液晶層之透光率成爲最低，且將上述影像信號的電 壓最大振幅設定在當要將上述液晶層的相對透過率設成 9 0 %時所需要的電壓以下。 用於解決上述第2課題之代表的手段，其特徵在於： 在中介著液晶層被對向配置之各基板中，在其中一個 基板的液晶側的面備有：根據來自閘極信號線之掃描信號 •而作動的開關元件，經由該開關元件，而被供給有來自汲 極信號線之影像信號的畫素電極、以及在與該畫素電極之 間產生電場的基準電極， 來自上述汲極信號線的影像信號是由被安裝在上述其 中一個基板上的驅動晶片所形成， 在該驅動晶片與上述其中一個基板之間則存在有應力 緩衝層。 用於解決上述課題之代表性的手段，其特徵在於： 在中介著液晶層被對向配置之各基板中，在其中一個 -10- 1304144 基板的液晶側的面備有：根據來自閘極信號線之掃描信號 而作動的開關元件’經由該開關元件’而被供給有來自汲 極信號線之影像信號的畫素電極、以及在與該畫素電極之 間產生電場的基準電極， 來自上述各信號線的信號是由被安裝在上述其中一個 基板上的驅動晶片所形成， 備有用於確保在上述各基板中’與面向一個基板之液 •晶側的面的另一個基板的間隙的支柱’ 該支柱則以每相鄰的2個畫素領域1個以下的密度被配 置。 用於解決上述第4課題之代表的手段’其特徵在於： 在中介著液晶層被對向配置之各基板中，在其中一個 基板的液晶側的面備有：根據來自閘極信號線之掃描信號 而作動的開關元件，經由該開關元件，而被供給有來自汲 極信號線之影像信號的畫素電極、以及在與該畫素電極之 φ間產生電場多個的基準電極， 上述各基準電極中的一者，則經由介電率較無機材料 爲低的絕緣膜，而與汲極信號線重疊被形成，且其寬度則 被形成爲較該汲極信號線的寬度爲大。 用於解決上述第5課題之代表性的手段，其特徵在於 在中介著液晶層而被對向配置之各基板中，在其中_ 個基板之液晶側的面備有：根據來自閘極之掃描信號而作 動的開關元件，經由該開關元件，而被供給有來自汲極信 -11 - 1304144 號線之影像信號的畫素電極，以及離開該畫素電極而被配 置，而被供給有來自基準信號線之基準信號的基準電極， 來自上述汲極信號線的影像信號是由被安裝在上述其 中一個基板上的驅動晶片來形成， 上述閘極信號線、汲極信號線、以及基準電極分別經 由絕緣膜，而被形成在彼此不同的層。 Φ【實施方式】 (發明之實施形態） 以下請參照圖面來說明本發明之液晶顯示裝置的實施 例。 (實施例1 ) 〔液晶顯示裝置的等效電路〕 第2圖爲表示實施例之液晶顯示裝置之一實施例的等 鲁效電路圖。同一圖雖然是電路圖，但卻是對應於實際上之 幾何學的配置來描畫。 在本實施例中，可將本發明應用在已知擁有廣寬視角 之所謂的橫向電場方式的液晶顯示裝置。 首先’具有液晶顯示面板PNL，該液晶顯示面板PNL ，則將中介著液晶而被對向配置的透明基板SUB 1、SUB2 當作外圍器。此時，其中一個透明基板SUB1、SUB2(圖 中下側的基板：矩陣基板）則被形成爲較另一個透明基板 (圖中上側的基板：濾色器基板）稍大，圖中的下側與右 -12- 1304144 側的周邊端則被配置成大約成爲同一平面。 結果，其中一個透明基板SUB 1之圖中左側的周邊以 及圖中上側的周邊，則相對於另一個透明基板SUB2延伸 到外方。雖然之後會詳述，但該部分成爲一搭載有閘極驅 動器電路（1C ) 5以及汲極驅動電路（1C ) 6的領域。 在各透明基板SUB 1、SUB2的重疊的領域，則設有被 配置呈矩陣狀的畫素2，該畫素2則被形成在爲在圖中X方 φ向延伸，而被並設在y方向的閘極信號線GL，與在y方向 延伸，而被並設在X方向的汲極信號線DL所包圍的領域， 至少備有根據供給來自其中一個閘極信號線G L的掃描信 號而被驅動的開關元件TFT、以及經由該開關元件TFT， 而被施加由其中一個汲極信號線DL所供給之影像信號的 畫素電極。 在此，如上所述，各畫素2乃採用所謂的橫向電場方 式，如後所詳述，除了上述的閂關元件TFT以及畫素電極 鲁PX外，也備有基準電極CT以及保持電容Cstg。 此外，各閘極信號線GL，其中一端（圖中左側的端 部）則延伸到透明基板S U B 1外，而被連接到搭載在透明 基板SUB1之閘極驅動電路5的輸出端子。 此外，除了設有多個的閘極驅動電路5外，上述閘極 信號線GL，則將互相鄰接者加以群化（參照圖第5 8圖） ，該些各個經群化的閘極信號線GL，則分別被連接到接 近的各閘極驅動電路5。 又，同樣地，各汲極信號線D L，其中一端（圖中上 -13- 1304144 側的端部）則延伸到透明基板s U B 1外，而被連接到被搭 載在透明基板SUB1之汲極驅動電路6的輸出端子。 此時，除了設有多個的汲極驅動電路6外，上述汲極 信號線D L，則將互相鄰接者加以群化，該些各個經群化 的汲極信號線DL，則分別被連接到接近的各汲極驅動電 路6 〇 另一方面，具有接近於已搭載有閘極驅動電路5以及 φ汲極驅動電路6之液晶顯示面板PNL而被配置的印刷基板 1 〇 (控制基板1 〇 )，在該印刷基板1 〇，則除了電源電路1 1 等之外，也搭載有用於將輸入信號供給到述閘極驅動電路 5以及汲極驅動電路6的控制電路（1C ) 12。 此外，來自該控制電路1 2的信號，則經由彈性配線基 板（閘極電路基板1 5、汲極電路基板1 6 A、汲極電路基板 16B )，而被供給到閘極驅動電路5以及汲極驅動電路6。 亦即，在閘極驅動電路5側，則配置有備有分別面向 鲁各閘極驅動電路5之輸入側的端子而被連接之端子的彈性 配線基板（閘極電路基板1 5 )。 該閘極電路基板1 5，其中一部分則延伸到上述控制基 板1 〇側而被形成，而在該延伸部，則經由連接部1 8而被連 接到該控制基板1 0。 來自被搭載在控制基板1 〇之控制電路1 2的輸出信號’ 則經由位在該控制基板1 0上的配線層，上述連接部，更者 在閘極電路基板1 5上的配線層，而被輸入到各閘極驅動電 路5。 -14- 1304144 又，在汲極驅動電路6側，則配置有分別面向各汲極 驅動電路6之輸入側的端子而被連接之V而子的汲極電路基 板 1 6 A、1 6 B 0 該汲極電路基板1 6A、1 6B，其中一部分則延伸到上 述控制基板1 〇側而被形成’在該延伸部’則經由連接部 19A、19B而被連接到該控制基板1〇。 來自被搭載在控制基板1 〇之控制電路1 2的輸出信號， •則經由位在該控制基板1 0上的配線層，上述連接部1 9 A、 19B，更者，在汲極電路基板16A、16B上的配線層，而被 輸入到各汲極驅動電路6。 此外，位在汲極驅動電路6側的汲極電路基板1 6 A、 1 6B，如圖所示乃被分割成2個而設，用來防止隨著液晶顯 示面板1的大型化，因爲汲極電路基板朝圖中X方向之長 度增加而造成熱膨脹的情形。 此外，來自在控制基板10上之控制電路12的輸出，則 鲁分別經由汲極電路基板1 6 A的連接部1 9 A、以及汲極電路 基板1 6 B的連接部1 9 B，而被輸入到對應的汲極驅動電路6 〇 更者，在控制基板1 〇，則從影像信號源22，藉由電纜 23，經由介面基板24而被供給有影像信號，且被輸入到被 搭載在該控制基板1 〇的控制電路1 2。 此外，在該圖中，雖然液晶顯示面板PNL、閘極電路 基板1 5、汲極電路基板1 6 A、1 6 B以及控制基板丨〇係位在 大約同一平面內’但實際上，該控制基板i 〇，在閘極電路 -15- 1304144 基板15、汲極電路基板16A、16B的部分乃呈彎曲，而大 約相對於液晶顯示面板1呈直角。藉此，可以減小所謂額 緣的面積。在此，所謂的額緣係指位在顯示面板PNL之外 框的輪廓與顯示領域A R之輪廓之間的領域，藉由減小該 領域’可得到相對於外框加大顯示部之面積的效果。 <<畫素的構成>> φ 在此，上述液晶顯示面板PNL，如上所述，其顯示領 域部A R係由被配置呈矩陣狀的多個的畫素2所構成，其 中一個畫素的構成，則成爲如第3圖所示。又，第4圖爲在 第3圖之IV— IV線之斷面圖，第5圖爲在第3圖之V - V線的 斷面圖。 在同一圖中，在透明基板SUB1的主表面則形成在X方 向延伸之閘極信號線GL與基準電壓（reference voltage)信 號線CL。此外，被各信號線GL、CL與後述之在y方向延伸 鲁的汲極信號線D L所包圍的領域，則成爲畫素領域。 亦即，在本實施例中，基準電壓信號線C L則被形成 爲在與閘極信號線GL之間行走，而在以該基準電壓信號 線CL作爲邊界之±y方向分別形成畫素領域。 藉此，被並設在y方向的基準電壓信號線CL，則可以 減少到爲以往之大約一半，爲此所封閉的領域，則可以分 擔作爲畫素領域來使用，而能夠加大該畫素領域的面積。 在各畫素領域中，在上述基準電壓信號線GL，則呈 等間隔地形成例如3條與其成爲一體，而在y方向延伸的基 -16- 1304144 準電極CT。各基準電極CT，則在不連接到閘極信號線GL 的情形下接近閘極信號線GL而延伸，其中位在兩側的2個 ，則被配置成鄰接汲極信號線DL，而剩下來的1個則位於 中央。 更者，在已形成有閘極信號線GL、基準電壓信號線 CL以及基準電極CT之透明基板SUB1的主表面，則乃被覆 該些閘極信號線GL等般地形成例如由矽氮化膜所構成的 φ絕緣膜GI。該絕緣膜GI對於後述之汲極信號線DL，可以 當作用於取得與閘極信號線GL以及基準電壓信號線CL之 絕緣的層間絕緣膜來使用，而對於薄膜電晶體TFT當作閘 極絕緣膜來使用，對於積蓄電容Cstg，則當作介電體膜來 使用。 在該絕緣膜GI的表面，則在其薄膜電晶體TFT的形成 領域形成有半導體層AS。該半導體層AS例如是由非晶矽 所構成，而在閘極信號線GL上，如被重疊在接近於後述 •之汲極信號線D L的部分般被形成。藉此，閘極信號線GL 的一部分，則兼作爲薄膜電晶體TFT的閘極。 此外，在該絕緣膜GI的表面，則形成在其y方向上延 伸，且被並設在X方向的汲極信號線DL。該汲極信號線DL ，則與延伸到構成薄膜電晶體TFT之上述半導體層AS之表 面的一部分所形成的汲極SD 1成爲一體。 更者，在畫素領域中之絕緣膜GI的表面，則形成有被 連接到薄膜電晶體TFT之源極SD2的畫素電極ρχ。該畫素 電極，則在上述基準電極CT之各自的中央，在y方向延伸 -17- 1304144 而被形成。亦即，畫素畫素PX的一端則兼作爲上述薄膜 電晶體TFT的源極SD2，當在y方向上延伸，且在基準電壓 信號線C L上，在X方向延伸後，才向y方向延伸，而成爲 一口字狀。 在此，被重疊在畫素電極PX之基準電壓信號線CL的 部分，則在與該基準電壓信號線CL之間構成一以上述絕 緣膜GI作爲介電體膜的積蓄電容Cstg。藉由該積蓄電容 φ Cstg，當例如在使薄膜電晶體TFT作Ο F F之際，可以具 有能夠使影像資訊更長時間積蓄在畫素電極PX的效果。 此外，在相當於上述薄膜電晶體TFT的汲極SD1與源 極SD2之界面之半導體層AS的表面，則被摻雜了磷（P) ，而成爲一高濃度層，藉此，在上述各電極可達成歐姆接 點，（Ohmic contact )。此時，則在半導體層AS之表面 的整個領域形成上述高濃度層。在形成上述各電極後，則 以該電極作爲掩罩（mask )，而針對該電極形成領域以外 鲁的高濃度層進行鈾刻，而能夠成爲上述的構成。 此外，在已形成有薄膜電晶體TFT、汲極信號線DL、 畫素電極PX、以及積蓄電容Cstg之絕緣膜GI的上面，則形 成有例如由矽氮化膜所構成之保護膜PSV，在保護膜PSV 的上面，則成有配向膜Ο R11，而構成液晶顯示面板P N L之 所謂下側基板。 在此，基準電極CT以及畫素電極PX，均可以如金屬 般之不透光性的材料層所形成，又，也可以至少使其中一 者以例如ITO( Indium-Tin-Oxide)等之透光性的材料層 -18 - 1304144 來形成。當爲後者時，則具有可提昇畫素之數値孔徑的效 果。 又，在成爲上側基板之透明基板（濾色器基板） SUB2的液晶側的部分，則形成在相當於各畫素領域之部 分具有開口部的黑色矩陣BM。 更者，則如被覆在相當於該黑色矩陣BM之畫素領域 的部分所形成的開口部般地形成濾色器FIL。該濾色器FIL φ，除了具備與位在X方向相鄰之畫素領域不同的顏色外’ 也分別在黑色矩陣BM上具有邊界部。 又，在已形成有黑色矩陣BM、以及濾色器FIL的面上 形成由樹脂膜所構成的平坦膜〇C，而在該平坦膜〇C的表 面形成有配向膜ORI2。 在此，在本實施例中，是一當在畫素電極PX與基準 電極C T之間未產生電場時，液晶之透光率會成爲最小之 所謂的正常黑（normal black)模式的構成。 φ 此外，將被供給到汲極信號線DL之影像信號（電壓 )的最大振幅設定成在對液晶層L C之相對透過率設成90 %時爲必要之電壓（V90 )以下。 本實施例的液晶顯示裝置是一正常黑模式’以此作爲 背景，可以抑制液晶驅動電壓之大幅減少’與對比（ contrast )比降低之影響的情形。 亦即，第1圖爲表示在正常黑模式下之液晶驅動電壓 (V )與相對輝度（％ )之關係的說明圖。當爲正常黑模 式時，雖然白顯示輝度是依存於電壓，但在給予相對輝度 -19- 1304144 1 0 〇 %之電壓（Vmax )的附近具有飽和的傾向。而此則意 味著在給予相對度100%之電壓（Vmax)的附近，即使是 驅動電壓，輝度一點也不會有變化。 因此，藉由將輝度抑制在9〇 %以下而作白顯示，可以 大幅地減低液晶驅動電壓。 而此，則作爲將影像信號供給到汲極信號線D L的汲 極驅動1C，而選擇其中輸出小者，或是連發熱量也可以減 肇低。 φ 又，由於此時的黑顯示處於無通電狀態，因此，相較 於正常白模式的情形（其特性表示在第6圖），可以抑制 對於其對比所產生的影響。 (實施例2 ) 又，在本實施例中，經由基準電壓信號線c L，而供 給到各畫素領域之基準電極CT的基準信號’則依據圖框 •單位而反轉。 # 如第7圖所示，由於係針對依據圖框單位而反轉的基 準信號來決定影像信號的振幅V，因此可以減小整體之影 像信號的振幅。 爲了供比較起見，如第8圖所示’當考慮依據圖框單 位將基準信號設爲一定時，則影像信號必須相對於基準信 號，在（+ )側取振幅V，而在（一）側取振幅V。 因此，在本實施例中，若相較於第8圖’可將影像伯 號的振幅設成一半。 -20- 1304144 因此，汲極驅動IC可以選擇其輸出小者，或是連發熱 量也可以減低。 (實施例3 ) 又，在本實施例中，在汲極信號線D L與基準電壓信 號線C L中，則將被供給有每一圖框的平均電壓振幅大之 信號的信號線的電阻構成爲較另一個信號線爲低。 被輸入到信號線的各種驅動波形，則在其輸入端，如 第9圖（A )所示，具有接著於方形的形狀，但由於信號 線的電阻以及寄生電容的緣故，在遠端會成爲一如第9圖 (B )所示之失真的波形。 在液晶顯示面板PNL，則要求在顯示面的整個領域進 行均一的顯示，實際的輸入信號，則必須要考慮到該波形 的失真成分，而事先提高輸入電壓振幅，但是如此一來， 則驅動電壓不得不再上昇。 在此，被施加有每個圖框之平均振幅最大之信號的信 號線，藉由使用電阻較其他信號線爲低的配線，可以在不 必特別使用大的電壓信號的情形下，即能夠減低在振幅大 的信號線中的波形失真情形。 此時，對於將基準信號（電壓）設爲一定的驅動方式 (參照第8圖）而言，最好將汲極信號線DL之配線的比電 阻（電阻係數）設成較基準電壓信號線CL爲低。 例如，汲極信號線爲A1或含有A1之合金、或是該些的 多層構造，基準信號線爲Al、Cr、TA、Mo、W或者含有 -21 - 1304144 在該些中之至少其中一者的合金、或是該些的多層構造。 又，汲極信號線DL爲A1、Cr、TA、Mo、W或含有其 之合金、或者該些的多層構造，基準信號線則可以IT0、 IΠ2〇3 ' Sn〇2o 又，對於針對各圖框使基準電壓信號反轉的驅動方式 而言，最好將基準電壓信號線CL的比電阻（電阻係數）設 成較汲極信號線DL爲低。 φ 例如，汲極信號線DL爲Al、Cr、TA、Mo、W或含有 該些之其中之一的合金或是該些的多層構造，基準信號線 Al、Cr、或含有該些中之至少其中一者的合金或是該些的 多層構造。 此外，汲極信號線DL與基準電壓信號線CL係以同種 材料的多層構造所構成，當然上述關係也可以例如將其中 一個線寬加大或減小。 φ (實施例4 ) 第10圖（A)爲第2圖之X — X線的斷面圖。由半導體 晶片所構成的汲極驅動IC6 ’則讓已形成有輸入凸部、輸 出凸部的面面向透明基板SUB1 (面朝下），而各凸部， 則與在透明基板SUB 1面所形成之配線層的端子連接（在 本說明書中稱爲FCA方式）。 此時，汲極驅動IC6則位於被並設之輸入凸部群與輸 出凸部群之間’至少議在該凸邰之局度以上的間隙位在與 透明基板SUB 1側之間。 -22- 1304144 此外，如埋往該間隙般地，在該透明基板SUB 1側形 成應力緩衝層3 1。藉此，藉由在該透明基板SUB 1側所形 成的應力緩衝層3 1來吸收上述汲極驅動IC6之撓彎（位在 該汲極驅動1C的中央部，朝透明基板SUB 1側成爲凹部的 撓彎）。 此時，在汲極驅動IC6所產生的應力則會變得難以傳 達到透明基板SUB1側，可避免在其附近之透明基板SUB 1 φ與透明基板SUB2產生局部的對位（alignment )偏移。 又，第1 0圖（B )爲表示其他實施例的構成圖，係對 應於1 0 ( A )。 在該第1 0圖（B )中，應力緩衝層3 1，則不限於汲極 驅動IC6的安裝領域，也被形成到其周邊爲止。又與汲極 驅動IC6之各凸部連接的配線層（汲極信號線DL )，則被 形成在該應力緩衝層3 1的上面。 此外，在各畫素領域所形成之上述保護膜P S V，也有 •以例如由S iN所構成之無機材料層以及由樹脂所構成的有 機材料層的依序積層體而構成的情形。也此是因爲有要求 減小保護膜PSV之介電常數，或要求以有機材料層來被覆 無機材料之裂痕等的情形。 此時，藉由在形成上述有機材料層的同時形成上述應 力緩衝層3 1 (也可以直接延伸而形成），具有避免製程數 目增加的效果。 以外，在本實施例中，雖然是針對汲極驅動IC6來加 以說明，但由於對於閘極驅動IC5的情形也相同，因此， -23- 1304144 當然在閘極驅動IC5的安裝領域，也可以採用同樣的構成 (實施例5 ) 在上述各實施例中，雖然是以透明基板SUB 1當作玻 璃基板，但在本實施例中，該透明基板S UB 1，則特別使 用由樹脂所構成樹脂基板。 在該透明基板SUB 1則安裝有汲極驅動IC6以及閘極驅 動1C 5，藉由該基板使用伸縮性較玻璃爲高的樹脂，可以 解決由在該各驅動1C所產生的應力而造成的問題。 藉由採用在上述各實施例中的至少一者，可以減低驅 動1C的驅動能力，又，也可以減少由此所產生的發熱量， 因此，如第1 1圖所示，在顯示領域A R中，可以避免在接 近於該驅動1C的領域T R中受到該發熱的影響（變色等） (實施例6 ) 如第1 2圖所示，在中介著液晶而被對向配置之各透明 基板中，則在透明基板SUB2形成有被稱爲黑色矩陣BM的 遮光膜。此外，在同一圖中，（A)爲平面圖，（B)爲 在（A)之B - B線的斷面圖。 此外，用於確保透明基板SUB1與透明基板SUB2之間 隙的間隔件（spacer )，則使用例如藉由光石印技術，對 在透明基板SUB側所形成的樹脂層進行擇蝕刻而形成的支 -24- 1304144 柱33。 該支柱3 3 ’則在當作各畫素領域的集合所形成的顯示 部內，可以配置在所設定的位置，而如可與上述黑色矩陣 BM發生重疊般地被形成。 而此是因爲在支柱33的周邊液晶分子的配向容易產生 混亂，而容易被目視使然（被稱爲Domain )。 此外，在本實施例中，乃將位在汲極驅動IC6、閘極 •驅動IC 5之附近的黑色矩陣的寬度設成較在其他部分中之 黑色矩陣的寬度爲大。 如此設定之理由在於各驅動1C的附近，會因爲該驅動 1C的發熱，而容易使透明基板SUB 1、SUB2的位發生偏移 ，而因爲該對位偏移會導致容易看到上述Domain使然。 此外，遮光膜也不限定在黑色矩陣BM，當然也可以 採用爲了其他目的而形成的遮光膜。 鲁（實施例7 ) 在本實施例中，乃以每2個單位畫素〜8個單位畫素成 爲1個的密度來配置顯示部內的上述支柱。 在此，所謂的單位畫素係指R G B或CM Y組設定成1 個單位畫素者。 假設將上述支柱，以每8個單位畫素未滿1個的方式來 加以配置時，則上下的基板會因爲應力容易產生移動，而 會導致對位發生偏移，又，支柱的強度會不敵於該應力而 發生塑性變形，逐妨礙到上下基板之間隙的均一性。 -25- 1304144 上述各實施例雖然是適用於例如第1 3圖所示之畫素構 成的液晶顯示裝置，但是也可以適用於以後所表示之畫素 構成的液晶顯示裝置。 (實施例8 ) 在本實施例中，如第13圖所示，汲極信號線DL與畫 素電極PX係位在同一層，基準電極CT，則經由保護膜 春P S V 1被形成在該汲極信號線D l與畫素電極p X的上層。又 ’該基準電極C T，則通過貫通孔τ Η而與被形成與閘極信 號線GL同一層的基準電壓信號線c L互相連接。此外，在 同一圖中’ （A)爲平面圖，（B)爲B_B線的斷面圖， (c )爲c 一 c線的斷面圖。 此外’如與汲極信號線DL呈重疊狀地形成基準電極 CT，因此’無法目視到因爲在汲極信號線DL與基準電極 CT之間所產生的電場對液晶所造成之不可預期舉動（ _ Domain ) 亦即’由來自汲極信號線DL的界場所造成的Domain ，則會被上述基準電極CT所遮光。 又’如此一來，來自汲極信號線DL的電場會被結束 在電位被固定的基準電極C T側，而可以抑制對畫素領域 側所造成的影響。 此外’上述基準電極C T，則考慮有以如金屬層般之 不透明的導電層來形成的情形，與如ITO(Indium-Tin-Oxide )般之透明的導電層來形成的情形。 -26- 1304144 在此’當以透明的導電層來構成基準電極CT時，則 爲了該基準電極CT擁有具有作爲遮住舉動（Domaill)之 目視情形之遮光膜的功能，則必須設成所謂的正常白模式 〇 正常白模式，當在基準電極CT與基準電壓電極線CL 之間未產生電場時，可以由選擇能夠使液晶的透光率成爲 最低的該液晶的材料來構成。 此外，透明的導電層則不限定於ITO，也可以例如是 ln203' Sn02、ΙΖΟ、Ζη02，些的混合物、或是積層體。 又，在本實施例中，在基準電極CT的上面形成有保 護膜PSV2 ’而在該保護膜PSV2的上面形成配向膜（未圖 示）。 此時，保護膜PSV2可以使用樹脂等的有機材料，如 此一來，具有可以使其表面平坦化等的效果。 鲁（實施例9 ) 本實施例，係針對實施例8 (第1 3圖）所示的構成， 以例如由SiN所構成的無機材料與由樹脂所構成的有機材 料的依序積層體來構成保護膜P SV 1。如此此的情形，可 以得到能夠降低在畫素電極PX與基準電極C T之間之介電 率的效果。 (實施例1 0 ) 在本實施例中，當上述實施例8 (第1 3圖）的構成’ -27- 1304144 特別以金屬層來構成基準電極CT時，則在上面，$胃 該基準電極C Τ般地形成保護膜p s V 2，而在該保護膜p s ν 2 的上面形成配向膜。 當以金屬層來構成基準電極CT時’則該金屬層會，經 由極薄的配向膜而面向液晶，該金屬層容易與液晶產生化 學反應，而產生例如電蝕等的問題。 因此，藉由絕緣膜位於基準電極C Τ與配向膜之間， Φ可以保護該基準電極CT。 上述絕緣膜可以是利如s i Ν、S I 0 2般的無機材料、或 是如樹脂般的有機材料。 (實施例Π ) 在本實施例中，如第1 3圖所示，用於將基準信號供給 到基準電極CT的基準信號線CL則被形成在與閘極信號線 GL同一層，且以與閘極信號線GT相同的材料（金屬層） _來形成。 基準信號線CL除了被配置成大約與閘極信號線GL呈 平行外，也位在彼此相鄰之閘極信號線GL的大約中央。 此外，基準電極CT，則從已形成有上述基準信號線 CL的透明基板SUB1的面開始，經由絕緣膜GI以及保護膜 PSV1，而被成在該保護膜上。 基準信號線CL與基準電極CT的連接，則是經由位於 畫素領域之大約中央，而在保護膜PS VI與絕緣膜GI所形 成的貫通孔TH來達成。 1304144 基準電極CT例如是由ITO膜所形成，乃形成爲在圖中 的y方向延伸’且被並設在X方向上之合計3個電極。 此時，中央的基準電極CT，則經由上述貫通孔TH， 而被連接到基準信號線CL，除了該基準電極CT以外之剩 下來的2個基準電極CT，則分別重疊於影像信號線DL而被 形成。又，各基準電極C T之上下的端部，則分別藉由被 重疊在閘極信號線GL的ITO膜而互相被連接。 φ 因此，在保護膜PSV1上所形成的ITO膜，則設成包圍 畫素領域，換言之，係被重疊在汲極信號線DL以及閘極 信號線GL上，且具有較該些信號線的寬度爲大的寬度。 此外，該ITO膜則被形成爲與其他相鄰之畫素領域之 IT 0膜成爲一體。 此時，ITO膜，由於在顯示領域內形成爲格子狀的圖 案，因此，具有可減低其本身之電阻値的效果。 此外，將基準信號供給到該ITO膜的基準信號線CL， 鲁由於是以電阻値低的金屬層來形成，因此，可以抑制被供 給到基準電極CT之基準信號發生信號偏移。 (實施例1 2 ) 在本實施例中，在上述實施例1 1的構成，保護膜 PSV1例如是由SiN所構成的無機材料與由樹脂所構成的有 機材料的依序積層體而構成。 (實施例1 3 ) -29- 1304144 在實施例11、12中，除了以金屬層形成基準電壓信號 線CL外，也以IT0等的透光性的導電層形成基準電極cT， 但只要基準電壓信號線CL的材料層的電阻較基準電極CT 之材料層的電阻爲小，則不一定要限制該些材料。 如此一來，可以減低基準電壓信號線c L與基準電極 C Τ的整體的電阻’而能夠確保被供給到各基準電極^ τ之 基準信號之電位的安定化。 • · (實施例1 4 ) 在實施例1 1 (第1 3圖）的構成中，乃採用正常黑模式 〇 亦即，當在畫素電極ΡΧ與基準電極CT之間未施加電 場時，液晶的透光率會成爲最低（黑顯示）。 此時，以基準電極CT作爲一部分而構成的ΙΤΟ膜則當 作遮光膜來使用，而形成可充分地被覆閘極信號線GL以 •及汲極信號線DL的遮光膜。 · 而此具有不需要在另外的過程形成具有同樣功能之例 如黑色矩陣等之遮光膜的效果。 此外，此時，將基準電極當作一部分所形成的材料’ 則不限於ΙΤΟ，也可以是In2〇3、Sn〇2、ΙΖΟ、Ζη〇2或該些 的混合體、積層體。 (實施例1 5 ) 在實施例11至14的各構成中’以基準電極CT作爲一 -30- 1304144 部分而形成的材料層，由於係成爲格子狀的圖案而被形成 在顯示領域內’因此，也可以將基準信號供給到該材料層 〇 因此，在本實施例中，基準電壓信號線CL自不得言 ，也會將基準信號供給到以基準電極CT作爲一部分而形 成的材料層。此時，則是從與基準信號線C L之延伸方向 呈直交的方向來供給該基準信號。 φ 亦即，從在以基準電極CT作爲一部分而形成之材料 層的周邊中，以及在與圖中X方向平行的周邊中之其中一 者，或是從雙方來供給基準信號。 此時，如第1 4圖所示，讓帶狀之低電阻的金屬層3 5重 疊在該材料層的一邊，而經由該金屬層供給基準信號。 如此一來，可以緩和被供給到在各畫素領域中之基準 電極CT的基準信號的波形失真程度。 此外，在本實施例中，以上述基準電極CT作爲一部 鲁分的材料層零然可以是透光性高的材料或是金屬層。 (實施例1 6 ) 在本實施例中，在上述實施例1 3至1 5之任一個構成中 ，針對每個圖框讓基準信號反轉（共同反轉驅動）。 如上所述，由於基準電壓信號線CL的電阻較基準電 極CT爲低，因此，可以減少將基準信號供給到基準電極 CT時之信號波形的失真。

又，由於作共用反轉驅動，因此能夠減低汲極驅動1C -31 - 1304144 的輸出，而能夠使用輸出小者作爲該汲極驅動1C。 此外，該構成，除了可以抑制在基準電壓信號線CL (Al、Cr、TA、Mo、W以及該些的混合體或積層體）中 的信號失真情形外，在汲極信號線中的信號失真，則可以 藉由其材料使用Al、Cr、以及該些的混合體、或積層體來 加以抑制。 φ (實施例1 7 )

在本實施例中，如第1 3圖所示，將在畫素領域內所形 成的貫通孔形成在相鄰之各畫素電極PX的大約中央，而 藉由該貫通孔TH來連接基準電壓信號線CL與基準電極CT 〇 當如此構成時，可以減少貫通孔ΤΗ與和其鄰接之畫 素電極ΡΧ發生短路的機率。 •(實施例1 8 ) 在本實施例中，將貫通孔ΤΗ的直徑’如第1 3圖所示 般，設成基準電壓信號線CL的寬度爲小，且較基準電極 CT的寬度爲小。 如此一來，可以減低基準電極CT在該貫通孔ΤΗ部發 生斷線的機率。 (實施例1 9 ) 在本實施例中，如第1 5圖所示，經由基準電壓信號線 -32- 1304144 CL與保護膜PSVl，在該保護膜PSV1上形成以基準電極CT 作爲一部分的材料層，該材料層具有至少以沿者基準丨口 5虎 線CL而重疊的帶狀的部分3 7、以及如與該帶狀的部分3 7 呈交差地延伸的基準電極CT，在該些的交差部’則通過 貫通孔TH而被連接到上述基準電壓信號線CL。 藉由如此地構成，由於可以藉由低電阻，將來自基準 電壓信號線CL的電位傳到基準電極，因此，更可以抑制 φ基準電位之偏移。 (實施例20) 在本實施例中，如第1 6圖所示，經中基準電壓信號線 CL與保護膜PSV1，在該保護膜PSV1上形成基準電極CT作 爲一部分的材料層，該材料層除了至少具有與基準電壓信 號線CL呈交差而延伸的基準電極CT外，在與該基準電壓 信號線CL的交差部，則寬度被形成爲較其他的部分爲寬 鲁，而在該寬度被形成較寬的部分，則通過貫通孔TH被連 接到上述基準電壓信號線CL。 藉由如此地構成，可以避免基準電極CT在貫通孔TH 部發生斷線。 (實施例2 1 ) ^ 本實施例，如第1 7圖所示，乃類似於第1 5圖所示的構 成，首先，以基準電極CT作爲一部分的材料層係以由金 屬層所構成之不透光性的導電材所構成。 -33- 1304144 此外，沿著基準電壓信號線CL重疊而形成的材料層 ，除了其中心軸大致上與該基準電壓信號線CL的中心軸 呈一致外，其寬度也形成較該基準電壓信號線CL的寬度 爲小。 藉由如此地構成，可以加大在畫素領域中的透光領域 ，而能夠提高數値孔徑。 φ (實施例22) 本實施例，如第1 8圖所示，經由基準電壓信號線C L 與保護膜PSV1，在該保護膜PSV1上形成以基準電極CT作 爲一部分的材料層，該材料層具有至少沿著基準電壓信號 線CL而重疊的帶狀的部分，與和該帶狀的部分呈交差而 延伸的基準電極CT，在該些父差部’則通過貝通孔TH而 被連接到上述基準電壓信號線CL，在該貫通孔TH的附近 ，上述基準電極CT則愈接近於該貫通孔TH ’寬度形成愈 φ寬。 此外，此時，基準電極C T是由不透光性的金屬層所 形成，沿著基準電壓信號線CL而重疊之上述帶狀的部分 的寬度，則被形成爲較該基準電壓信號線C L的寬度爲小 (實施例23 ) 在本實施例中，如第1 9圖所示，例如在實施例1 1 (第 1 5圖）的構成中，以被覆閘極信號線GL所形成的基準電 1304144 極作爲一部分的材料層，則在面向薄膜電晶體TFT的部分 設有開口（該材料層的非形成領域）。 若在薄膜電晶體TFT的上部施加電位時，由於該薄膜 電晶體TFT的閾値會變動（Back Channel )，因此，藉由 上述開口，可以避免該問題發生。 (實施例24) φ 在本實施例中，如第20圖所示，例如在實施例1 1的構 成中，將在面向薄膜電晶體TFT的部分所形成的上述材料 層的開口，如沿著閘極信號線GL，朝著汲極信號線DL側 延伸般地形成較大，而該汲極信號線DL的一部分則面向 該開口。 藉由如此地構成，可以避免由從基準電極CT的電位 對薄膜電晶體之Back Channel之突入電壓所產生的影響。 φ (實施例25 ) 在本實施例中，如第2 1圖所示，將在和汲極信號線 DL重疊之基準電極CT，與相鄰之其他基準電極CT之間所 形成的材料層的開口擴展到薄膜電晶體TFT的形成領域爲 止’藉此’可使得該材料層不致與薄膜電晶體發生重疊。 即使如此構成，也可以避免由從基準電極CT對薄膜 電晶體TFT之Back Channel之突入電壓所產生的影響。 又’由於該材料層不需要進行微細加工，因此可以提 高良品率（例如相較於實施例1 1 )。 -35- 1304144 (實施例26) 在本實施例中，如第22圖所示，在實施例25的構成（ 第2 1圖）中，使在和汲極信號線重疊的基準電極C T，與 相鄰之其他基準電極CT之間所形成的材料層的開口超過 薄膜電晶體TFT的形成領域，將閘極信號線GL置於中間， 而形成爲及於相鄰之其他的畫素領域。 此時，由於該材料層不需要進行微細加工（例如相較 於實施例24 )，因此可以提高良品率。 此外，實施例23至26的構成，不管是何者，基準電極 CT與基準電壓信號線CL皆形成作爲不同的層，但限定於 此，當然該基準電極與基準信號線可以是同一層，且被形 成爲一體。 (實施例2 7 ) 第23圖係例如第13圖之ΧΧΙΙΙ-ΧΧΙΠ線的斷面圖，乃 表示用來連接基準電壓信號線CL與基準電極CT之貫通孔 TH的斷面。 在透明基板SUB1的表面首先形戊基準電壓信號線CL ，而被覆該基準電壓信號線C L，在基板上形成由S iN膜所 構成的絕緣膜GI。該絕緣膜GI係當作薄膜電晶體TFT之閘 極絕緣膜來使用。又，在該絕緣膜GI的上面形成有保護膜 PSV1、PSV2，該些保護膜PSV1、PSV2係以由SiN膜所構 成的無機材料以及由樹脂膜所構成之有機材料的依序積層 -36- 1304144 mss 體。 此外，則形成到達上述保護膜PS VI、PS V2以及絕緣 膜GI，而讓上基基準電壓信號線CL的一部分露出的貫通 ?L TH，在該貫通孔TH內之作爲上述絕緣膜GI的SiN膜與作 爲上述保護膜PSV1的SiN膜的側壁形成有3102膜40。 藉此，能夠使在該貫通孔TH之側壁中的斜面形成爲 平滑的面，以避免因爲基準電極CT的段差而造成中斷。 爲了比較起見，第26圖爲表示未形成有上述SI02膜之 狀態的斷面圖。在作爲絕緣膜GI的S iN膜與作爲保護膜 PSV1的SiN膜之間，作爲保護膜PSV1的SiN膜與作爲保護 膜PSV2的樹脂膜之間乃產生段差。 作爲絕緣膜GI的SiN膜，由於帶來作爲薄膜電晶體 TFT之閘極絕緣膜的功能，因此其密度爲緻密，相較於此 ，作爲保護膜PS VI的SiN，由於以提高生產率爲優先，因 此其密度較該絕緣膜GI爲疏鬆。 由於對積層體的各材料的蝕刻速率不同，因此會產生 如第26圖所示的段差。 上述SI02膜40的形成方法，則例如採用在對上述SiN 膜進行鈾刻時，會導入〇2氣體來進行清洗處理的方法。 又’其他的方法，則可以採用對樹脂層進行乾蝕刻， 而此時，則藉由含有〇2的氣體來進行蝕刻的方法。 (實施例28 ) 本實施例爲上述貫通孔TH之構成的其他實施例，第 -37- 1304144 24圖爲其斷面圖。 在此，作爲保護膜PSV2的樹脂膜，則如被覆在其保 護膜PSV2之下層所形成的SiN膜（保護膜PSV1)，更者位 在其下層之SiN膜（絕緣膜GI )的各側壁般地被形成。 當如此構成時’除了 S i N膜（絕緣膜（TI )與S i N膜（ 保護膜PSV1 )之間的段差被樹脂膜所被覆外，由於沿著 貫通孔TH之側壁的整個領域形成樹脂膜，因此，其斜面 φ會成爲平滑。 因此，藉由該貫通孔TH，可以避免因爲基準電壓信 號線CL與被連接的基準電極CT的段差造成中斷。 此外，該貫通孔TH的產生方法，首先，在作爲被形 成在透明基板SUB1上之絕緣膜GI的SiN膜，以及保護膜 PS VI的SiN膜形成貫通孔TH。此外，則被覆該貫通孔TH ，在基板上形成作爲保護膜PSV2的樹脂膜，而在該樹脂 膜形成與上述貫通孔TH呈同心，且直徑較該貫通孔TH的 _直爲小的貫通孔TH。 此時，當然樹脂膜可以是光分解性者或是光硬化性者 (實施例2 9 ) 在本實施例中，如第2 5圖所示’有鑑於形成貫通孔 TH的絕緣膜爲多層構造，因此，在基準電壓信號線C L與 基準電極CT的連接時，乃經由其他導電層42。 亦即，在絕緣膜GI，由無機材料所構成的保護膜 -38- 1304144 PSV1，由有機材料所構成的保護膜PSV2的依序積層體， 乃形成經由在上述絕緣膜GI所形成的貫通孔TH，而與基 準電壓信號線CL連接的導電層42，更者，則形成經由在 由無機材料以及有機材料的依序積層體所構成的保護膜 PSV所形成的貫通孔TH，而與上述導電層42連接的基準電 極CT。 貫通孔TH，由於形成直徑愈到其底部愈小的形狀， φ因此，經由來自該貫通孔TH的暴露面積較基準電壓信號 線CL的情形爲大的上述導電層42，來進行基準電壓信號 線CL與基準電極CT的連接，除了可以減低斷線的發生率 外，也能夠減低接觸電阻。 又，當爲由對基準電壓信號線CL無法良好連接的材 料所構成基準電極CT時，則具有藉由選擇該導電層42的 材料，可以避免該問題的效果。 例如當基準電壓信號線CL爲A1系的材料時，若基準 •電極CT爲ITO等之透光性的導電膜時即是如此，此時，藉 由使用C r系的材料作爲上述導電層42，可以使彼此的連 接成爲良好。 又’該導電層42，例如在形成汲極信號線DL的同時 被形成，可以避免製程數目的增加。 此外’在本實施例中，雖然是針對基準電壓信號線 CL與基準電極CT的連接來說明，但並不限於該些，也可 以適用於經由貫通孔來連接各導電層的情形。 1304144 (實施例3 0 ) 第27圖（A)至（B)爲當將顯示領域當作整體來看 分別形成在畫素領域內的貫通孔時，表示其配置狀態之各 實施例的平面圖。 各圖，分別負責彩色顯不的三原色R、G、B的各畫 素領域則相鄰地形成’在以外的說明中，也有將該3個的 各畫素當作彩色顯示中的單位畫素來表現的情形。 φ 第27圖（A )爲貫通孔TH例如形成在每隔1個的畫素 · 領域的情形。因此，在各單位畫素有該貫通孔存在1個的 情形以及存在2個的情形。 如此一來，光是減少貫通孔的部分’即具有提局數値 孔徑的效果。 此外，當如此構成時，畫素領域的構成，例如如圖 13所示，基準電極CT係呈格子狀被形成在顯示面上，而 經由基準電壓信號線CL，將基準信號供給到該基準電極 • CT。 · 第27圖（B )爲每單位畫素形成1個的貫通孔TH，該 貫通孔則被形成在負責G (綠色）的畫素領域內。 由於負責G (綠色）的畫素領域的光的透過率較負責 其他顏色的畫素領域爲高，因此’藉由在該領域形成貫通 孔丁H ，可以儘量避免數値孔徑減少。 (實施例3 1 ) 在本實施例中，如第2 8圖所示’當形成用來連接基準 -40- 1304144 電壓信號線C L與基準電極C T的貫通孔Τ Η時，則其形狀沿 著基準電壓信號線CL的延伸方向而擴展。 亦即，經由絕緣膜（絕緣膜G1、保護膜P S V 1、P s V 2 )，而位在該絕緣膜上的基準電極CT ’與基準電壓信號 線C L的連接，則是通過在該絕緣膜上所形成’位在該基 準電壓信號線C L之寬度內的領域上’且沿著該基準電壓 信號線CL之延伸方向而擴展的貫通孔TH來進行。 φ 當如此構成時，可以加大基準電極CT對基準電壓信 號線c L的連接面積，具有能夠大幅減低其連接電阻的效 果。 (實施例32) 在本實施例中，則表示在基準電壓信號線CL與畫素 電極PX之間所形成之電容元件Cstg的構成。 亦即，如第29圖所示，基準電極CT則被成在經由絕 •緣膜，而與上述基準電壓信號線CL交差的方向上，且通 過在該絕緣膜所形成的貫通孔TH而被連接。 畫素電極PX則位在上述基準電極CT的兩側，該畫素 電極PX，則在上述基準電壓信號線CL上具有在遠離上述 貫通孔TH的方向延伸的延伸部45。 藉由該延伸部45，可以在畫素電極PX與基準電壓信 號線CL之間形成具有某個値以上之電容的電容元件Cstg， 且由於該延伸部45係離開貫通孔ΤΗ而被形成，因此具有 可以避免畫素電極ΡΧ與基準電壓信號線CL發生短路的效 -41 - 1304144 果。 (實施例3 3 ) 本實施例係將實施例32再加以改良者，如第3〇圖所示 ，位在通過貫通孔TH，而與基準電壓信號線CL連接之基 準電極CT的兩側的畫素電極PX，則在上述基準電壓信號 線CL上，具有在接近於上述貫通孔TH的方向延伸延伸部 @46，且其長度較在離開上述貫通孔TH的方向延伸的上述 延伸部45爲小。 藉由如此地構成，除了可以避免延伸部46與貫通孔 TH的衝突外，也具有可以加大電容元件Cstg之電容的效果 (實施例3 4 ) 本實施例，如第3 1圖所示，未形成上述基準電壓信號 •線CL，藉此，可以提高數値孔徑。 如第3 1圖所示，基準電極CT，除了位在閘極信號線 GL、薄膜電晶體TFT、汲極信號線DL、畫素電極PX的上 外，也當作重疊於上述閘極信號線GL以及汲極信號線DL 所形成的導電層的一部分，基準信號則經由上述導電層供 給到該基準電極CT。 亦即，該導電層則被形成爲與相鄰之其他畫素領域呈 對應的其他的導電層成爲一體，藉此’及於顯示領域的周 邊而被形成。因此，基準信號很容易從該導電層的周邊來 -42- 1304144 供給。 此時的供電，則例如如第14圖所示’藉由經由金屬層 3 5來進行，可均勻地將基準信號供給到上述導電層。 此外，此時，基準電極則不限於具有IT 〇膜寺之光透 光性的導電層，當然也可以是金屬層般之不透明導電層。 (實施例3 5 )

φ 本實施例是一當未形成稱爲上述基準電壓信號線CL 者時，用來確保畫素電極PX與基準電極CT之間的電容元 件Cadd的構成。 亦即，如第32圖所示，設有被配置在基準電極CT之 兩側之各畫素電極的連接部48，該連接部48則與上述基準 電極CT呈交差，而在該交差部形成電容元件Cadd。 該基準電極CT則被形成爲與被覆閘極信號線GL的材 料層成爲一體，上述各基準電極CT之各自的兩端則設成 鲁與上述材料層重疊’而在該重疊的部分也形成有電容元件 C ad d 〇 (實施例3 6 ) 又，如第33圖所示，也可以如與各畫素電極ρχ的連 接部48重疊般地’在以基準電極CT作爲一部分而形成的 材料層形成連接部49。 (實施例3 7 ) -43- 1304144 在本實施例中，則在一個畫素領域形成電容元件c St g 與電容元件Cadd ° 如第3 4圖所示，畫素電極PX的延伸部，除了經由絕 緣膜GI被重疊在閘極信號線G L的一部分’而形成在電容 元件Cadd外，也經由保護膜PSV被重疊在上述基準電極CT 的延伸部，而形成電容元件Cstg。此外’第35圖爲第34圖 之3 5 — 3 5線的斷面圖。 (實施例3 8 ) 又，第3 6圖爲針對第3 5圖所示之實施例的其他的實施 例，當保護膜P S V爲以無機材料與有機材料的依序積層體 (PSV1、PSV2 )所構成時，由於無法充分地確保電容元 件Cstg的電容，因此，同時使用電容兀件Cadd的構成很有 幫助。 又，如與第36圖對應的第37圖所不，當然在基準電極 修CT的上面更可以形成保護膜PSV3。 (實施例3 9 ) 又，根據上述的構成，電容元件Cstg與電容元件Cadd 則被形成在大約相同的領域內，換言之，由於各元件Cstg 、Cadd係被重疊地形成，因此，可以減小該些的占有面積 ，而能夠提高數値孔徑。 (實施例40) -44- 1304144 又，根據上述的構成，藉由將電容元件C ad d的面積形 成爲較電容元件Cstg的面積爲小，可以一邊確保的電容’ 一邊在電氣上更安定地確保電容元件Cstg的保持能力’而 能夠達成保持電位的安定化。 (實施例4 1 ) 又，根據上述的構成，由於畫素電極PX的延伸部係 φ由和其他之相鄰的畫素電極PX的連接部’與和閘極信號 線GL的一部分重疊的部分（電容元件Cadd形成部）所構 成，因此，當在該電容元件Cadd的形成部發生短路時，則 藉由雷射光線，將和閘極信號線重疊的部分，與其他的部 分加以切離，而能夠加以救助。 此時，藉由電容元件Cstg可以確保一定的電容，而能 夠抑制該畫素的畫質降低。 •(實施例42 ) 又，實施例4 1的情形，藉由將基準電極CT作爲一部 分的材料層以光透光性的材料層來構成，因此具有能夠容 易目視到該電容元件Cadd的形成部所產生之短路的效果。 (實施例43 ) 上述實施例3 7〜4 2所示的效果，對於如第3 8圖所示， 形成基準信號線，而藉由貫通孔來連接該基準信號線與基 準電極的構成也同樣地適用。 -45- 1304144 (實施例4 4 ) 第39圖係表示當將上述實施例37至43的構成應用在所 謂之multidomain方式時的構成。 所謂的multidomain係指使在畫素電極ρχ基準電極CT 之間所產生的電場方向，在畫素領域內形成2個，藉此， 即使是從相對於顯示面的垂直方向爲不同的方向來看時， φ色調也不會產生變化者。 其中一實施，係使畫素電極以及基準電極，沿著各自 的延伸方向形成多個的彎曲部，而成爲一鋸齒形狀。 此外，在本實施例中，第3 9圖爲表示構成電容元件 Cadd的例子，但只有電容元件Cstg的情形也可以適用。 (實施例45) 第40圖係在實施例44的構成中設置與閘極信號線GL 鲁呈平行的基準電壓信號線GL，而通過在絕緣膜所形成貫 通孔TH被連接到基準電極CT。 (實施例46 ) 第4 1圖係表在實施例44的構成中，讓汲極信號線DL 對應於被形成在其上層的基準電極C T的形狀’而在其行 走方向設成鋸齒狀。 藉此，可以以均勻的寬度來被覆基準電極CT、汲極 信號線DL，有信賴性地使來自該汲極信號線DL的電場終 -46- 1304144 止於基準電極CT側。 (實施例47 ) 本實施例，如第42圖所示，則是在上述實施例46的構 成中備有基準電壓信號線CL，而將通過貫通孔τη而被連 接之基準電極CT的該連接部的寬度形成較寬。 φ (實施例4 8 ) 本實施例’則是在實施例23至26的各構成中，爲了要 避免薄膜電晶體TFT產生Back Channel，乃在以基準電極 CT作爲一部分而構成的導電膜該薄膜電晶體TFT上的領域 設置開口。 (實施例49 ) 本實施例’則是在實施例37至48的各構成中，基準電 鲁極CT使用Al、Cr、MO、TA、W之任一材料，或是由該 些的合金所構成的材料，或是讓該些中之數種積層而成的 材料。 如此一來，不需要在汲極信號線DL上特別形成遮光 膜，或由於成爲低電阻，因此，可以抑制在共用反轉驅動 下之波形失真情形。 (實施例5 0 ) 本實施例，則是在實施例3至4 8的各構成中，除了基 -47- 1304144 耗極CT使用WTA、W之任—材料，或是由 該些的合金所構成的材料，或是随些中之數種積層而成 的材料外，基準電壓信號線CL也使用A1、Cr之任〜材料 ’或由該些的合金所構成的材料’或讓該些中之數種積層 而成的材料。 ' (實施例5 1 ) 本貫施例’基準電極ct使用ιτο、in2o3、SN〇2、IZ〇 、ZN〇2之任一材料，或由該些的合金所構成的材料，或 是讓該些中的數種積層而成的材料。 此時，在閘極信號線GL、汲極信號線DL、基準電壓 信號線C L的端子部，當爲了要防止電蝕而被覆上述材料 時’則可以同時形成該基準電極，以避免製程數目的增加 又，此時，在修復電容元件時，由於可通過該基準電 修極直接看到電容元件，因此且具有在藉由雷射切斷來修復 時容易定位的效果。 (實施例52) 本實施例，則是在實施例5 1的構成中成爲所謂的正常 黑模式。 藉此，位在汲極信號線上的基準電極C T可當作遮光 膜來使用，相較於以正常白模式來構成的情形’可以解決 因爲漏光所造成的問題。 -48- 1304144 在此’所謂的正常白模式係指當在畫素電極px與基 準電極CT之間產生電場時，液晶的透光率會成爲最高的 構成。 (實施例5 3 ) 本實施例’則是在實施例5 i、52的各構成中，在所謂 的點反轉驅動下，在基準電極C1r與畫素電極ρχ之間施加 φ電壓。 基準電極ct係以上述的材料（IT〇、m2〇3、SN〇2、 IZO、ZN〇2等）來構成，有鑑於其電阻比較高，藉由進行 該點反轉，可以提高顯示面之輝度的均一化。 (實施例54) 本實施例是在上述各構成中，針對在薄膜電晶體TFT 的上方形成以基準電極CT作爲一部分的導電層者（未形 •成有開口者），使基準電極的電位位於（—）5 V以上（ + ) 1 〇 V以下之範圍內加以驅動。 其理由即在於在上述範圍內來驅動基準電極，可知可 將薄膜電晶體TFT之閾値的變動抑制在容許範圍內使然。 (實施例5 5 ) 在上述各實施例中，在畫素內所形成的開關元件並不 限定於薄膜電晶體TFT，也可以適用於其他構成的開關元 件。 -49- 1304144 但是當應用薄膜電晶體TFT時，爲了要使其成爲〇N狀 態’則供給到閘極信號線的掃描信號被設定在+丨2 V以上 ，而爲了要成爲Ο F F狀態，則被設定在一 5 V以下。 因此’藉由將基準電極C T的電位，在不會抵觸於該 條件的領域中來驅動，可以防止因爲該基準電極C T而導 致該薄膜電晶體TFT發生錯誤動作。 φ (實施例5 6 ) 在本實施例中，則是在上述的各構成中，針對在薄膜 電晶體TFT的上方形成以基準電極作爲一部分的導電層者 (未形成有開口者），在所謂的共用反轉驅動方法下，將 該基準電極之電位的最小値設在- 5 V以上。 此時，也可以抑制薄膜電晶體TFT的閾値變動。 (實施例5 7 ) • 在本實施例中，則在上述的各構成中，針對在薄膜電 晶體TFT的上方形成以基準電極CT作爲一部分的導電層者 (未形成有開口者），在將基準電極的電位設成大約一定 的驅動方式下，將其電位設定在一 5V以上、+ 10V以下的 範圍，最好是一 IV以上、+ 7V以下的範圍。 此時，也可以抑制薄膜電晶體TFT閾値變動。 (實施例5 8 ) 本實施例則表示例如閘極信號線GL在閘極驅動1C 5之 -50- 1304144 連接部附近構成。 如第4 3圖所示，閘極信號線GL在閘極驅動IC 5的連接 部附近，如上所述’乃形成爲與相鄰之其他的閘極信號線 GL—起綁在閘極驅動IC5側的形式。此外，該部分則對應 於被第5 8圖之一點虛線框A所包圍的部分。 此時，基準電壓信號線CL，則在同一層被配置在各 閘極信號線GL之間，當該基準電壓信號線CL也被拉出到 φ閘極驅動IC5側時，在各閘極信號線Gl之上述綁住領域會 與相鄰的閘極信號線GL發生干涉，而容易發生短路。 因此，在本實施例中，除了基準電壓信號線CL，相 對閘極信號線GL，經由絕緣膜被形成在其他的層外，在 各閘極信號線GL之上述綁住領域，則通過形成在上述絕 緣膜的貫通孔，而與在和該閘極信號線GL大約直交方向 上延伸的配線層50連接。 如此一來，可以避被稱爲額緣之領域的增加。 φ 亦即，在先前的例5中，若是想要使基準電壓信號線 CL，在各閘極信號線GL之上述綁住領域不會發生短路般 地來形成時，則不得不減小在該綁住部分之各閘極信號線 的彎曲角度，而必須將閘極驅動IC5安裝在遠離顯示領域 A R的位置。 此外，當本實施例的畫素如第1 3圖所示般地構成時’ 則上述配線層5 0可以設成與汲極信號線DL同時形成的配 線層。 又，在本實施例中，雖然是表示閘極信號線GL在閘 -51 - 1304144 極驅動I C 5之連接部附近的構成，但是當然也適用於汲極 信號線DL在汲極驅動IC6之連接部附近。 (實施例5 9 ) 本實施例，如與第43圖（B )對應的第44圖所示，上 述配線層50則形成爲與基準電壓信號線CL成爲一體。 (實施例60 ) 本實施例是在實施例5 8所示的構成中表示在畫素領域 中的構成。亦即，將閘極信號線GL與基準電壓信號線CL 形成在同一層，藉由形成在絕緣膜的貫通孔TH，而與經 由該絕緣膜，而在該絕緣膜的上面所形成的基準電極CT 連接。 (實施例6 1 ) 本實施例是在實施例5 9所示的構成中還是表示在畫素 領域中的構成的說明圖。 (實施例62 ) 第47圖係對應於第43圖，而不同於第43圖的構成則在 於被拉出到配線層50的基準電壓信號線CL·係每隔1個被配 置。此時，並不限於每隔1個，當然也可以每隔2個、或每 隔3個。 此外，此時，基準電極C T，如上所述，係當作材料 -52- 1304144 層的一部分被形成，該材料層則被形成爲與在相鄰之其他 的畫素領域中對應的材料層連接。 當如此地構成時，在各閘極信號線GL綁住的領域則 可以避免信號線的密集。 此外，在本實施例中，雖然是針對基準電壓信號線來 加以說明，但是當然也可以適用於保持電容線。 β φ (實施例63 ) φ 在本實施例中，如第4 8圖所示，上述配線層5 0係在被 連接到1個驅動晶片（汲極驅動IC6、閘極驅動IC5 )之各 閘極信號線GL來的外側迂迴，更者，則鄰接於該驅動晶 片而被拉出。 當如此地構成時，則讓該配線層50拉出到該驅動晶片 之輸入側的端子側。 此外，第4 8圖所示的部分則對應於第5 8圖所示之一點 #虛線框B所示的部分。 鲁 (實施例64) 本實施例係針對4 8之其他的實施例，如第4 9圖所不’ 鄰接於驅動晶片被拉出的配線層5 〇，則被設成位在驅動晶 片的下側。 (實施例6 5 ) 在本實施例中’則在上述各實施例的構成中’使用由 -53- 1304144 以下的構造式所構成材料作爲配向膜0 R11、〇 R12 ° 藉由使用如此的配向膜o R11、o R12 ’可以抑制因爲 在液晶層內之離子性雜質的移動而造成殘像（離子性殘像 ) 更者，當相對於配向膜中的式（1)以及式（2 )之物 質的合計的成分比，若式（1 )的物質占3 〇 %〜70 %的比 例時，更可以抑制其發生。 在此，所謂的離子性殘像，如第5 0圖（A )所示’係 指在初始狀態下，在相鄰的領域進行1個小時的白色以及 黑色的顯示，以中間灰階來進行顯示，在從白顯示的領域 沿著黑顯示的領域來檢測其輝度變化時，從與該中間灰階 對應的輝度所突出之輝度的部分。 此時，藉由上述配向膜ORI1、ORI2使用上述的材料 ，可以將第5 0圖（A )所示的離子性殘像強度抑制到3以 下（最好是2以下）’而能夠避免發生離子性殘像。 此外，第5 0圖（B )則是將第5 0圖（A )之初期的黑 顯示當作共同的部分，而在其右側則有白顯示。 相較於第5 〇圖（A )的情形，之所以在中間灰階中的 輝度分佈會不同則是因爲離子朝著圖中左側移動所造成。 (實施例6 6 ) 在本實施例中，在第3 1圖的構成中’如對應於其（B )之51 (A)所示般，基準電極CT被形成在保護膜PSV( 其上層爲由有機材料所構成的保護膜PS V2 )上，此外， -54 - 1304144 也被覆該基準電極CT，在該保護膜PSV上形成配向膜0RI1 〇 此外，在該保護膜PSV之上面之形成有該基準電極CT 的部分則形成有凹陷部。 藉此，可以儘量地減小該基準電極C T的段差’而解 決上述配向膜ORI1在該基準電極CT的附近的摩擦性的降 低問題，殘像惡化，以及因爲配向不良而造成漏光的問題 • ° 此時，如第5 1圖（Β )所示’當將電極的厚度設爲Η (=3 00nm )，將從凹陷部突出之電極的高度設爲H i (= 0、90、1 50、3 00nm )時，若調查各自電極的漏光情形， 則成爲第52圖所示。圖中，◎爲避免漏光最佳的狀態、〇 爲良好的狀態、X爲不好的狀態。 因此，該基準電極CT最好是被埋入到保護膜PSV2， 當將該基準電極CT的厚度設爲Η，將從凹陷部突出之電極 ϋ之的高度設爲Η !時，可知最好是有如下式（3 )所的關係 〇 0$ ( Η- Hi ) / 0.5...... ( 3 ) 此外，在本實施例中，則是針對在基準電極CT的表 面直接形成配向膜ORI1的情形來說明。但是也可以適用 在形成其他的絕緣膜，而在其表面形成配向膜ORI1的情 形。 此時’由基準電極C T所造成的段差會在上述其他絕 緣膜之表面顯著化之段差中的高度也可以換算成Η!。 -55- 1304144 此外，此時的電極則不限於基準電極CT，也可以是 其他的電極。或也不限於透光性或非透光性的材料層。 (實施例6 7 ) 在本實施例中，則在上述的各實施例中，當以由無機 材料所構成的保護膜PSV1，與由有機材料所構成之保護 膜PSV2的依序積層體來形成保護膜PSV時，則該保護膜 φ PSV2的材料可以使用丙烯系（透明性高、正型感光性） 、聚醯亞胺系（耐熱性高）、酚醛清漆系（容易著色）、 聚醯亞胺、環氧共聚物（可兼作爲配向膜）之其中任一者 ，或是該些的積層體。 如此的保護膜PSV2，其膜厚爲400nm，具有95%的透 光性、23 0 °C以上的耐熱性。 又，針對液晶的污染性低，且具有耐製程性（耐住噴 濺蝕刻液、剝離液、配向膜溶媒、UV/ 03洗淨）。 (實施例6 8 ) 當在畫素電極PX與基準電極CT之間施加電壓而形成 電場時，若在與各電極之間存在有有機材料的保護膜 PSV2時，可以確認要存在有該保護膜PSV2，則不得不增 加驅動電壓。 此時，當將驅動器，亦即，將掃描信號供給到閘極信 號線G L的閑極驅動IC 5、或將影像信號供給到汲極ig號線 〇!^的汲極驅動1〇6直接安裝到透明基板31181時（？0八方式 -56- 1304144 )’則必須要有針對該驅動1C的發熱對策。 在此’在正常黑模式下了解成爲最大輝度之液晶驅動 電壓Vmax與有機材料所構成之保護膜PSV2的膜厚、畫素 電極PX與基準電極CT的間隔，液晶之介電常數異方性的 關係。 首先，液晶之介電常數異方性、畫素電極PX和基準 電極CT的間隔、Vmax的關係圖則表示在第53圖，而在液 φ晶之介電常數異方性=10下之保護膜PSV2的膜厚、畫素 電極PX和基準電極CT的間隔、與Vmax的關係圖則表示在 第5 4圖，而在液晶之介電常數異方性=1 4.5下之保護膜 PSV2的膜厚、畫素電極PX和基準電極CT的間隔、Vmax的 關係圖則表示在第5 5圖。 由此可知，如第5 3圖所示，藉由使用液晶之介電常數 異方性高的液晶材料，可以減低Vmax。此外，Vmax會隨 著保護膜PSV2的膜厚的增加而增加，且Vmax會隨著畫素 春電極PX和基準電極CT的間隔的增加而增加。其關係則表 示在第54圖、以及第55圖。 因此，由上述的圖可以導出下式（4 )的關係成立。

Vmax = 1.9d + 0.4146W-0.2328As + 2.82 18...... (4) 在此，D爲由有機材料所構成之保護膜PS V2的膜厚（ μ m ) 、W爲畫素電極PX與基準電極CT的間隔（# m )、 △ e液晶之介電常數異方性。 由此可知，首先，具有高的△ ε的液晶的材料，則如 第5 5圖的化學結構式所示，最好是使用氰二氟液晶，又， -57- 1304144 在實現如△ ε爲14.5以上的高領域時，則如第57圖的化學 結構式所示，最好是使用三氟二噁烷液晶。 不管是何者，藉由使用包含上述各液晶中之至少一者 在內的液晶，可以減低上述Vmax。 (實施例69 ) 在正常黑模式的構成下，當畫素電極PX與基準電極 • C T，經由由有機材料所構成的保護膜P S V 2而位在不同的 層時，則由將在作白顯示時之汲極驅動器的輸出電壓的振 幅設在單側7.5 V以下，可以進行液晶顯示。 (實施例70 ) 又，在正常黑模式的構成下，當畫素電極PX與基準 電極CT，經由由有機材料所構成的保護膜PSV2而位於不 同的層時，則設定D、W、△ ε以使上述式（4 )較15V爲 書小，更者，則進行所謂的共用（common )反轉，藉由將 在作白顯示時之汲極驅動器之輸出電壓的振幅設成單側 7.5 V以下，可以進行液晶顯示。 而此是因爲根據共用反轉驅動，則可將得到相同之液 晶驅動電壓之必要之驅動器的輸出電壓大約減半。 (實施例7 1 ) 又，在正常黑模式的構成下，當畫素電極pX與基準 電極C T，經由由有機材料所構成的保護膜P S V 2而位於不 -58- 1304144 同的層時，則設定D.W.A ε以及使上述式（4 )較7.5V爲 小。更者’藉由則將在作白顯示時之汲極驅動器之輸出電 壓的振幅設成單側7·5 V以下，可以進行液晶顯示。 (實施例72 ) 又，’在正常黑模式的構成中，當畫素電極PX與基板 電極CT，經由由有機材料所構成的保護膜PSV2而位於不 φ同的層時，藉由將影像信號的電壓最大振幅設定在對將上 述液晶層之相對透過率設成9 0 %爲必要之電壓以下，當上 述式（4 )較9.3 75 V爲小時，則將在作白顯示時之汲極驅 動器之輸出電壓的振幅設成單側7.5 V以下，可以進行液晶 顯示。 在正常黑模式下，由於在Vmax附近，B— V的曲線會 變得和緩，相對於得到透過率1 〇〇 %所需要的電壓，則要 得到透過率90%所需要的電壓，則只需要其80%即可。 (實施例73 ) 又，在正常黑模式的構成下，當畫素電極PX與基準 電極C T，經由由有機材料所構成的保護膜P S V 2而位於不 同的層時，則進所謂的共用反轉，藉由將影像信號的電壓 最大振幅設定在對將上述液晶層之相對透過率設成90 %所 需要的電壓以下’當上述式（4 )較1 8 · 7 5 v爲小時’則將 在作白顯示時之汲極驅動器的輸出電壓的振幅設在7 · 5 V以 下，可以進行液晶顯示。 -59- 1304144 (實施例74 ) 在正常黑模式的構成下，當畫素電極PX與基準電極 CT，經由由有機材料所構成的保護膜PSV2而位於不同的 層時，藉著將在作白顯示時之驅動器之輸出電壓的振幅設 成單側5 V以下，可以解決汲極驅動器的發熱問題。 φ (實施例75 ) 又，在正常黑模式的構成下，當畫素電極PX與基準 電極CT，經由由有機材料所構成的保護膜PSV2而位於不 同的層時，則進行所謂的共用反轉，藉由將在作白顯示時 之汲極驅動器之輸出電壓的振幅設成單側5V以下，且設 定D、W、△ ε以使上述式（4 )較1 0 V爲小，而能夠解決 驅動器發熱的問題。 籲（實施例76 ) 又，在正常黑模式的構成中，當畫素電極ΡΧ與基準 電極CT，經由由有機材料所構成的保護膜PSV2而位於不 同的層時，藉由將影像信號的電壓最大振幅設定在對將上 述液晶層之相對透過率設成90%所需要的電壓以下，當上 述式（4 )較6.25爲小時，則將在作白顯示時之汲極驅動 器之輸出電壓的振幅設成單側5V以下，而能夠解決驅動 器發熱的問題。 -60- 1304144 (實施例77 ) 又，在正常黑模式的構成下，當畫素電極PX與基準 電極CT，經由由有機材料所構成的保護膜PSV2而位於不 同的層時，進行所謂的共用反轉，藉由將影像信號的電壓 最大振幅設定在對將上述液晶層之相對透過率設成90%所 需要的電壓以下，當上述式（4 )較1 2 · 5爲小時，則將在 ' 作白顯示時之汲極驅動器之輸出電壓的振幅設成單側5V 以下，而能夠解決驅動器發熱的問題。 φ 由以上說明書中可知，根據本發明之液晶顯示裝置， 可以得到能夠抑制在驅動器附近之液晶之局部溫度上昇程 度之液晶顯示裝置。 又，可以得到能抑制應力傳達到驅動器之基板的液晶 顯示裝置。 又，可以得到在驅動器附近之顯示面能夠抑制對位偏 移情形的液晶顯示裝置。 又，可以得到能夠提高數値孔徑的液晶顯示裝置。 · 更者，可以得到能夠縮小所謂之額緣的液晶顯示裝置 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示實施例之液晶顯示裝置之一實施例的說 明圖，係表示在正常黑模式下之液晶驅動電壓與相對輝度 之關係的說明圖。 第2圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之一實施例的整 -61 - 1304144 體構成圖。 第3圖爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之一實施例的 平面圖。 第4圖爲第3圖之IV — IV線的斷面圖。 第5圖爲第3圖之V— V線的斷面圖。 第6圖爲表示正常白模式下之液晶驅動電壓與相對輝 度之關係的說明圖。 第7圖爲以與時間的關係來表示在共通（common)反 轉中之畫素電極與基準電極之之電壓値的說明圖。 第8圖爲以與時間的關係來表示在共通電壓爲一定下 之畫素電極與基準電極之之電壓値的說明圖。 第9圖爲表示在傳遞到信號線時發生信號失真情形的 說明圖。 第1 〇圖爲表示被連接到信號線之驅動器（閘極驅動1C 、汲極驅動1C )以及其附近之構成的側面圖。 第1 1圖爲表示在液晶顯示裝置的顯示領域中，在接近 於驅動器的部分發生變色情形的說明圖。 第1 2圖爲被配置在液晶顯示裝置之中介著液晶而被對 向配置之各基板之間之支柱的一實施例的構成圖。 第1 3圖爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施例 的構成圖。 第1 4圖爲表示被形成在本發明之液晶顯示裝置之基準 電極之一實施例的平面圖。 第1 5圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 -62- 1304144 施例的構成圖。 第16圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 第17圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 第18圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 第19圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 第20圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 第2 1圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 第22圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 第23圖爲表不在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形 成之貫通孔之一實施例的斷面圖。 %24圖爲表不在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形 成之貫通孔之其他實施例之斷面圖。 第25圖爲表不在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形 成之貫通孔之其他實施例之斷面圖。 第26圖爲表示在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形 成之貫通孔之其他實施例之斷面圖。 第27圖爲表示在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形 -63- 1304144 成之貫通孔之配置的實施例的斷面圖。 第28圖爲表示在本發明之液晶顯示裝置之衋素內所形 成之貫通孔之配置的實施例的斷面圖。 第29圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 第30圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 第31圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 第32圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 第33圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 第34圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他貝 施例的構成圖。 第35圖爲第34圖之35 — 35線的斷面圖。 第3 6圖爲本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的圖’ 是一對應於第3 5圖的圖。 第37圖是本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的圖’ 是一對應於第3 5圖的圖。 第3 8圖爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施例 的構成圖。 第3 9圖爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施例 的構成圖。 -64- 1304144 第40圖爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施例 的構成圖。 第4 1圖爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施例 的構成圖。 第42圖爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施例 的構成圖。 第43圖A爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 鲁的構成圖，第43圖B爲一表示各基準電壓信號線之拉出部 的平面圖。 第44圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例中 ’各基準電壓信號線之拉出部的斷面圖。 第45圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例中 ’各基準電壓信號線之拉出部的斷面圖。 第46圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例中 ’各基準電壓信號線之拉出部的斷面圖。 ® 第4 7圖爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例中 ’各基準電壓信號線之拉出部的斷面圖。 弟4 8圖爲表本發明之液晶顯不裝置之其他實施例中， 驅動器之安裝部之附近的平面圖。 第49圖爲表本發明之液晶顯示裝置之其他實施例中， 驅動器之安裝部之附近的平面圖。 第5 0圖係表示液晶內之離子性殘像的現象以及離子性 殘像強度的說明圖。 第5 1圖係表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的 -65- 1304144 構成圖。 第5 2圖係表示在第5 1圖的構成中，表示針對電極之絕 緣膜之埋入程度與在該電極附近之漏光程度之關係的說明 圖。 弟5 3圖係表不液晶的介電率異方性畫素電極與基準電 極的間隔、與電極間電壓Vmax之關係的說明圖。 第5 4圖係表示由液晶之介電率異方性=1 〇的有機材料 φ所構成之保護膜的膜厚、畫素電極與基準電極的間隔、與 Vmax之關係的說明圖。 第5 5圖係表示由液晶之介電率異方性=1 4 · 5的有機材 料所構成之保護膜的膜厚、畫素電極與基準電極的間隔、 與Vmax之關係的說明圖。 第56圖爲表示在本發明之液晶顯示裝置中所使用之液 晶中所含之液晶之一實施例的化學構造式。 第57圖爲表示在本發明之液晶顯示裝置中所使用之液 鲁晶中所含之液晶之一實施例的化學構造式。 第58圖係表示本發明之液晶顯示裝置之驅動器之安裝 領域之附近的平面圖。 主要元件對照表 2 畫素 5 閘極驅動電路 6 汲極驅動電路 10 印刷基板 -66- 1304144 11 電源電路 1 2 控制電路 15 閘極電路基 1 6A 汲極電路基 1 6B 汲極電路基 18 連接部 1 9A、 19B 連接部 22 影像信號源 23 電纜 24 介面基板 3 5 金屬層 37 帶狀的部分 45 延伸部 46 延伸部 48 連接部 49 連接部 50 配線層 AR 顯示領域 AS 半導體層 PX 畫素電極 SD2 源極 BM 黑色矩陣 FIL 濾色器 OC 平坦膜 -67- 1304144 PS VI 保護膜 ΤΗ 貫通孔 PS V2 保護膜 Cadd電容兀件 PNL 液晶顯示面板 SUB1 透明基板 SUB2 透明基板 GL 閘極信號線 GI 絕緣膜 DL 汲極信號線 CL 基準電壓信號線 CT 基準電極 C stg 保持電容 ORI1 配向膜 ORI2 配向膜 • · -68-

Claims (1)

1. Ο 4 Ί Λ Λ ——一 ― 公…·本I |辦.7月|_；1)正本: i J I· .‘ .•««.-r.fr-trt.T^.... t. - 拾、申請專利範圍 1 · 一種液晶顯示裝置，其特徵在於： 在中介著液晶而被對向配置之各基板中，在其中一個 基板之液晶側的面的各畫素領域，具備有：根據來自閘極 信號線之掃描信號而動作的開關元件，經由開關元件，而 被供給有來自汲極信號線之影像信號的畫素電極、以及在 與該畫素電極之間產生電場的基準電極， Φ 從上述其中一個基板側開始，分別在不同的層形成閘 極信號線、畫素電極、基準電極，上述畫素電極中介著絕 緣膜（GI)，而與閘極信號線之一部分呈重疊，也同時中介 著保護膜（PSV)被重疊在上述基準電極之一部分，且上述 基準電極被重疊於上述閘極信號線的一部分。 2 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中保護 膜是由無機材料與有機材料的依序積層體所構成。 3 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中畫素 •電極延伸部之與閘極信號線的重疊面積則被設定成較畫素 電極延伸部之與基準電極延伸部的重疊面積爲小。 4 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中畫素 電極延伸部之與閘極信號線的電容，則被設定成較畫素電 極延伸部之與基準電極的延伸部的電容爲小。 5 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中畫素 電極延伸部係由與其他的畫素電極的連接部’以及與閘極 信號線之一部分重疊的部分所構成。 6 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中在與 -69- 1304144 閘極信號線的同一層形成基準信號線，此基準信號線透過 被形成在絕緣膜以及保護膜的貫通孔而被連接到基準電極 〇 7 · —種液晶顯示裝置，其特徵在於’· 在中介著液晶而被對向配置之各基板中，在其中一個 基板之液晶側的面的各畫素領域，具備有：根據來自閘極 信號線之掃描信號而動作的開關元件，經由開關元件，而 φ被供給有來自汲極信號線之影像信號的畫素電極、以及在 與該畫素電極之間產生電場的基準電極， 該畫素電極與基準電極，則分別如使其間之電場的方 向不同般地在其延伸方向具有彎曲部， 而從上述其中一個基板側開始，分別在不同的層形成 閘極信號線、畫素電極、基準電極， 上述畫素電極的一部分中介著絕緣膜而與閘極信號線 的一部分重疊，也同時中介著保護膜被重疊在上述基準電 •極的一部分，且上述基準電極重疊於上述閘極信號線的一 部份。 8 ·如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中基準 信號線係被形成在閘極信號線的同一層，該基準信號線， 則透過被形成在保護膜以及絕緣膜的貫通孔而被連接到基 準電極。 9 ·如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中基準 電極則重疊在汲極信號線上被形成’且汲極信號線對應於 被形成在該基準電極的彎曲部而形成有彎曲部。 -70- 1304144 1 〇 .如申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，其中基 準信號線被形成在閘極信號線的同一層，該基準信號線透 過被形成在絕緣膜以及保護膜的貫通孔而被連接到基準電 極。

   -71 -

   !120377號專利申請案 具逾97年7月1日修正

   們年T月丨日修(吏)正替換頁 冲义圓式修正頁- 第1圖 741860-1 連接I

   第2圖 23 22 24 11 10 19A 12 16A 19巳

   令X 0 SUB1 SUB2 AR PNL (1) 1304144 7月十母修(霁)正替換頁 第6圖

   第7圖 八 Vd 八V -----, V 14<11 ΒΕΙΙ ιίΐιπτί ρτ Vcom 時間 第8圖 ι\ Vd IT" V |U1II1H| lUinfl ipr Vcom V b 時間 1304144

   ?埤7月丨日修(吏)正替換頁 第13圖A

   PX

   第13圖B PSV2 PSV1

   第13圖C

   1304144

   rr年7月I曰修(更)正替換頁 第23圖 CT

   第24圖 CT

   第25圖 CT

   42 1304144

   r?年7月/日修(於正替換頁

   GL 1304144 ?伴7月/曰修(只)正替換頁 第40圖

   GL 1304144 气坪7月，日修(吏〗正替換頁 第50圖A 離子性殘像現象： 在顯示下列顯示圖案一小時後，檢測在顯示 灰階檢測圖案(V5%)時之輝度變化 顯示時之圖案

   檢測時之圖案 (V5%)

   第50圖B 顯示時之圖案 檢測時之圖案 (V5%)

   T 2 T 3 h 4 T 5 T 6 位置(mm) 1304144 祁年7月/日修(更)正替換頁 ——第51圖A一 ORI 1

   第51圖B

   第52圖

   Η H1 (Η—HI) /Η 在電極附近避免漏光 300nm 0 0 ◎ 个 90nm 0. 3 ◎ 个 1 50nm 0. 5 〇 个 300nm 1 X 1304144

   電極間之間隔(#m) 1304144 (>XBI 6 5 4 3 伴7月/日修(吏)正替換頁 ~~第54圖~ 0 9 8

   L=1 4. 0//m C 0.5 1 1.5 2 有機保護膜之膜厚Um) Vmax與有機保護膜之膜厚及電極間之間隔之關係 (液晶 Δε =10) 1304144

   (>χπΕΛ 098765432

   —L=1 4, 0//m C o. 5 1 1. 5 2 有機保護膜之膜厚Mm) Vmax與有機保護膜之膜厚及電極間之間隔之關係 (液晶 Δε =10) 第56圖 1304144 柒、（一）、本案指定代表圓為：第34圖 (二）、本代表囷之元件代表符號簡單說明： 件容線線 元電號號極極 層容I信信電電 屬電保極極素準 金：Μ汲閘畫基 ••ddtg........ 5 a s L L X τ 3 c c D G p c 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：