TW200422731A - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

200422731 ⑴ 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於液晶顯示裝置，特別是有關於一種主 動矩陣型的液晶顯示裝置。 【先前技術】 主動型的液晶顯示裝置，則在經由液晶而被對向配置 的各基板中，則在其中一個基板的液晶側的面，將被在X 方向延伸，且被共設在y方向的閘極信號線，與在y方向延 伸，且被並設在X方向的汲極信號線所包圍的各領域當作 畫素領域，在該畫素領域備有可根據來自閘極信號線之掃 描信號而作動的主動元件，經由該主動元件，而被供給有 來自汲極is號線之影像fe號的畫素電極，以及在與該畫素 電極之間產生的電容。 該液晶顯示裝置，則藉由主動元件進行一定時間的寫 入與一定時間的保持，而實現畫像顯示。 該保持方式已知有在閘極信號線與畫素電極之間形成 電容的CADD (附加電容）方式，以及在保持電容信號線 與畫素電極之間形成電容的Cstg (保持電容）方式。. C s t g方式，雖然必須要有保持電容信號線而導致數値 孔徑降低，但由於可將保持電位設成安定，因此能夠得到 比較高的畫質。 又，利用Cstg方式的液晶顯示裝置，則已知有被稱爲 橫向電場方式者。該種液晶顯示裝置，則在已形成有畫素 -4- (2) (2)200422731 電極的基板側設有用於在與該畫素電極之間產生電場的基 準電極，藉由經由絕膜，將畫素電極重疊在將基準信號供 給到該基準電極的基準信號線，而形成保持電容。 而此則可以實現使液晶顯示裝置的顯示得以廣視角化 ，近年來利用該方式者則已經被製品化。 另一方面，爲了使經由液晶而被對向配置之各基板的 間隙（cell gap )得以確保均勻，已知有將共聚物靜止粒 體（beads )散佈在該液晶內的結構，或是藉由光石印技 術的選擇鈾刻，而在其中一個基板面設置有機材料的支柱 的結構。 在粒體或是支柱的周邊雖然會發生漏光的情形，但是 在將支柱配置在畫面內的手法中，由於可以事先設定其位 置，因此，對其比（contrast )比可較粒體分散手法更加 提®。 又，將信號供給到主動元件之驅動器（半導體晶片） 的安裝則已知有方式與FCA (也稱爲COG方式）。 TCP方式則具有較FCP方式容易製造，而能提高良品 率的特徵，又，FCP方式由於可以減少到外部之拉出配線 的數目，因此適合於高精細化。 【發明內容】 (本案所要解決的第1課題） 首先，爲了要實現廣視角且高精細度的液晶顯示裝置 ，則最好上述橫向電場方式採用F C A方式。 (3) (3)200422731 但是橫向電場方式，由於其液晶的顯示模式爲多折射 模式，因此例如相較於TN模式，則對於液晶層之厚度的 變動會變得敏感，而即使是對於同一液晶層厚的變動量， 也會有看得到著色的問 又，FCA方式，由於其驅動器係直接地被搭載在液晶 顯示裝置的基板，因此，來自該驅動器的發熱會直接傳到 液晶顯示裝置的基板，而在該驅動器之附近的液晶會導致 局部的溫度上昇，而發現在該部分會有看到的變色的問題 (本發明所要解決的第2課題） 又’當採用FCA方式時，則大多直接將只由半導體晶 片所構成之驅動器安裝到液晶顯示裝置的基板，而發現在 半導體晶片之周邊的基板容易產生應力。 此外’因爲該應力，會發現在顯示面之驅動器之附近 的部分產生看得到變色的問題。 此時，.當爲所謂的正常黑模式時，則在作黑顯示時會 產生漏光，而確認出對比比會降低。在此，所謂的正常黑 模式係指在未對液晶施加電場的狀態下，該液晶的透光率 會成爲最低的情形。 (本發明所要解決的第3課題） 又’爲了使經由液晶而被對向配置之各基板的間隙設 成均勻’當在單側的基板形成支柱時，則上述課題2的應 (4) (4)200422731 力會成爲原因，而造成在晶片附近的領域，其上下基板之 對位偏移會較其他的領域惡化。 當利用粒體（b e a d s )時，藉著其形狀爲球體，且未 被固地固定，當施加局部的應力時，則在使其緩和的方向 進行粒體的再配置，結果可知能夠減低在半導體晶片之附 近之上下基板的對偏移程度。 但是當爲支柱時，由於支柱與基板是面接觸，因此接 觸面積大，又，由於支柱本身是被固定在單側的基板，因 此發現在半導體晶片附近仍會因爲應力而產生局部的對位 偏移，而難以被緩和。 (本發明所要解決的第4課題） 更者，當爲橫向電場方式時，則已知在彼此產生電場 的畫素電極與基準電極中，基準電極係鄰接於影像信號線 而配置。 而此是爲了讓來自影像信號線的電場終止於基準電極 側;，而不致於影到畫素電極側。 此外’則在影像信號線與基準電極之間形成間隙，而 由於在該間隙部驅動液晶，而發生所謂的Domain情形， 因此在該部分形成遮光膜。 但是’該遮光膜的形成會阻礙提高畫素的數値孔徑。 (本發明所要解決的第5課題） 更者’在閘極信號線或汲極信號線與驅動器（drive -7- (5) (5)200422731 )連接時，則位在該驅動器附近的信號線’會形成爲可以 被擠入到半導體晶片之尺寸範圍內的案圖（pattern )。 此時，將上述以外的信號線，例如基準信號線拉出到 半導體晶片側，而在上述各信號線的擠入部分則必須要連 接到其他的配線層，因此要求要確保接觸（contact )領域 〇 但是爲了要確保該領域，則會產生無法確保縮小所謂 之額緣（以從基板的外輪廓開始到顯示面爲止的寬度所形 成的部分）的問題。 本發明則爲了要解決上述課題1所示的問題，乃提供 一種抑制在驅動器附近之液晶之局部溫度上昇問題之液晶 顯示裝置。 本發明爲了要解決上述課題2所示的問題，乃提供一 種用於抑制應力傳達到驅動器之基板的液晶顯示裝置。 本發明爲了要解決上述課題3所示的問題，乃提供一 種可在驅動器附近的顯示面抑制對位偏移情形之液晶顯示 裝置。 本發明爲了要解決上述課題4所示的問題，乃提供一 種可以提高數値孔徑之液晶顯示裝置。 本發明爲了要解決上述課題5所示的問題，乃提供一 種可以縮小所謂之額緣的液晶顯示裝置。. 在本發明所揭露的發明中，若要簡單地說明代表者之 槪要內容則如下。 用於解決上述第1課題之代表的手段，其特徵在於： (6) (6)200422731 在經由液晶層被對向配置之各基板中，在其中一個基 板的液晶側的面備有··根據來自閘極信號線之掃描信號而 作動的開關元件，經由該開關元件，而被供給有來自汲極 信號線之影像信號的畫素電極、以及在與該畫素電極之間 產生電場的基準電極， 來自上述汲極信號線的影像信號是由被安裝在上述其 中一個基板上的驅動晶片所形成， 當在畫素電極與基準電極之間未施加電壓時，則構成 使上述液晶層之透光率成爲最低，且將上述影像信號的電 壓最大振幅設定在當要將上述液晶層的相對透過率設成 90%時所需要的電壓以下。 用於解決上述第2課題之代表的手段，其特徵在於： 在經由液晶層被對向配置之各基板中，在其中一個基 板的液晶側的面備有：根據來自閘極信號線之掃描信號而 作動的開關元件，經由該開關元件，而被供給有來自汲極 信號線之影像信號的畫素電極、以及在與該畫素電極之間 產生電場的基準電極， 來自上述汲極號線的影像信號是由被安裝在上述其 中一個基板上的驅動晶片所形成， 在該驅動晶片與上述其中一個基板之間則存在有應力 緩衝層。 用於解決上述課題之代表性的手段，其特徵在於： 在經由液晶層被對向配置之各基板中，在其中一個基 板的液晶側的面備有：根據來自閘極信號線之掃描信號而 - 9- (7) (7)200422731 作動的開關元件’經由該開關元件’而被供給有來自汲極 信號線之影像信號的畫素電極 '以及在與該畫素電極之間 產生電場的基準電極， 來自上述各信號線的信號是由被安裝在上述其中一個 基板上的驅動晶片所形成， 備有用於確保在上述各基板中，與面向一個基板之液 晶側的面的另一個基板的間隙的支柱， 該支柱則以每相鄰的2個畫素領域1個以下的密度被配 置。 用於解決上述第4課題之代表的手段，其特徵在於·· 在經由液晶層被對向配置之各基板中，在其中一個基 板的液晶側的面備有：根據來自閘極信號線之掃描信號而 作動的開關元件，經由該開關元件，而被供給有來自汲極 信號線之影像信號的畫素電極、以及在與該畫素電極之間 產生電場多個的基準電極， 上述各基準電極中的一者，則經由介電率較無機材料 爲低的絕緣膜，而與汲極信號線重疊被形成，且其寬度則 被形成爲較該汲極信號線的寬度爲大。 用於解決上述第5課題之代表性的手段，其特徵在於 在經由液晶層而被對向配置之各基板中，在其中一個 基板之液晶側的面備有··根據來自閘極之掃描信號而作動 的開關元件，經由該開關元件，而被供給有來自汲極信號 線之影像信號的畫素電極，以及離開該畫素電極而被配置 -10- (8) (8)200422731 ，而被供給有來自基準信號線之基準信號的基準電極， 來自上述汲極信號線的影像信號是由被安裝在上述其 中一個基板上的驅動晶片來形成， 上述閘極信號線、汲極信號線、以及基準電極分別經 由絕緣膜，而被形成在彼此不同的層。 【實施方式】 (發明之實施形態） 以下請參照圖面來說明本發明之液晶顯示裝置的實施 例。 (實施例1 ) 〔液晶顯示裝置的等效電路〕 圖2爲表示實施例之液晶顯示裝置之一實施例的等效 電路圖。同一圖雖然是電路圖，但卻是對應於實際上之幾 何學的配置來描畫。 在本實施例中，可將本發明應用在已知擁有廣寬視角 之所謂的橫向電場方式的液晶顯示裝置。 首先，具有液晶顯示面板PNL，該液晶顯示面板PNL ，則將經由液晶而被對向配置的透明基板SUB 1、SUB2當 作外圍器。此時，其中一個透明基板SUB1、SUB2 (圖中 下側的基板：矩陣基板）則被形成爲較另一個透明基板（ 圖中上側的基板：濾色器基板）稍大，圖中的下側與右側 的周邊端則被配置成大約成爲同一平面。 -11 > (9) (9)200422731 結果，其中一個透明基板SUB 1之圖中左側的周邊以 及圖中上側的周邊，則相對於另一個透明基板SUB2延伸 到外方。雖然之後會詳述，但該部分成爲一搭載有閘極驅 動器電路（1C) 5以及汲極驅動電路（1C) 6的領域。 在各透明基板SUB 1、SUB2的重疊的領域，則設有被 配置呈矩陣狀的畫素2，該畫素2則被形成在爲在圖中X方 向延伸，而被並設在y方向的閘極信號線G L，與在y方向 延伸，而被並設在X方向的汲極信號線DL所包圍的領域， 至少備有根據供給來自其中一個閘極信號線GL的掃描信 號而被驅動的開關元件TFT、以及經由該開關元件TFT， 而被施加由其中一個汲極信號線DL所供給之影像信號的 畫素電極。 在此，如上所述，各畫素2乃採用所謂的橫向電場方 式，如後所詳述，除了上述的閂關元件TFT以及畫素電極 PX外，也備有基準電極CT以及保持電容Cstg。 此外，各閘極信號線GL，其中一端（圖中左側的端 部）則延伸到透明基板SUB 1外，而被連接到搭載在透明 基板SUB1之閘極驅動電路5的輸出端子。 此外，除了設有多個的閘極驅動電路5外，上述閘極 信號線GL，則將互相鄰接者加以群化（參照圖5 8 )，該 些各個經群化的閘極信號線GL，則分別被連接到接近的 各閘極驅動電路5。 又，同樣地，各汲極信號線D L，其中一端（圖中上 側的端部）則延伸到透明基板SUB 1外，而被連接到被搭 -12- (10) (10)200422731 載在透明基板SUB1之汲極驅動電路6的輸出端子。 此時，除了設有多個的汲極驅動電路6外，上述汲極 信號線DL，則將互相鄰接者加以群化，該些各個經群化 的汲極信號線DL，則分別被連接到接近的各汲極驅動電 路6。 另一方面，具有接近於已搭載有閘極驅動電路5以及 汲極驅動電路6之液晶顯示面板PNL而被配置的印刷基板 1 〇 (控制基板1 〇 )，在該印刷基板1 〇，則除了電源電路1 1 等之外，也搭載有用於將輸入信號供給到述閘極驅動電路 5以及汲極驅動電路6的控制電路（1C ) 20。 此外，來自該控制電路1 2的信號，則經由彈性配線基 板（閘極電路基板1 5、汲極電路基板1 6 A、汲極電路基板 1 6B )，而被供給到閘極驅動電路5以及汲極驅動電路6。 亦即，在閘極驅動電路5側，則配置有備有分別面向 各閘極驅動電路5之輸入側的端子而被連接之端子的彈性 配線基板（閘極電路基板1 5 )。 該閘極電路基板1 5，其中一部分則延伸到上述控制基 板1 〇側而被形成，而在該延伸部，則經由連接部18而被連 接到該控制基板1 0。 來自被搭載在控制基板1 0之控制電路1 2的輸出信號， 則經由位在該控制基板1 0上的配線層，上述連接部，更者 在閘極電路基板1 5上的配線層，而被輸入到各閘極驅動電 路5。 又，在汲極驅動電路6側，則配置有分別面向各汲極

-13- (11) (11)200422731 驅動電路6之輸入側的端子而被連接之端子的汲極電路基 板 1 6 A、1 6 B 0 該汲極電路基板1 6 A、1 6 B，其中一部分則延伸到上 述控制基板1 〇側而被形成，在該延伸部’則經由連接部 19A、19B而被連接到該控制基板1〇。 來自被搭載在控制基板1 〇之控制電路1 2的輸出信號’ 則經由位在該控制基板1 〇上的配線層，上述連接部1 9 A、 19B，更者，在汲極電路基板16A、16B上的配線層，而被 輸入到各汲極驅動電路6。 此外，位在汲極驅動電路6側的汲極電路基板〗6 A、 16B，如圖所示乃被分割成2個而設，用來防止隨著液晶顯 示面板1的大型化，因爲汲極電路基板朝圖中x方向之長 度增加而造成熱膨脹的情形。 此外，來自在控制基板1 〇上之控制電路1 2的輸出’則 分別經由汲極電路基板16A的連接部19A、以及汲極電路 基板1 6B的連接部1 9B，而被輸入到對應的汲極驅動電路6 〇 更者，在控制基板1 0，則從影像信號源2 2，藉由電纜 23，經由介面基板24而被供給有影像信號，且被輸入到被 搭載在該控制基板1 〇的控制電路1 2。 此外，在該圖中，雖然液晶顯示面板PNL、閘極電路 基板15、汲極電路基板16A、16B以及控制基板1〇係位在 大約同一平面內，但實際上，該控制基板1 0，在閘極電路 基板1 5、汲極電路基板1 6 A、1 6B的部分乃呈彎曲，而大 -14- (12) (12)200422731 約相對於液晶顯示面板1呈直角。藉此，可以減小所謂額 緣的面積。在此，所謂的額緣係指位在顯示面板PN L之外 框的輪廓與顯示領域A R之輪廓之間的領域，藉由減小該 領域，可得到相對於外框加大顯示部之面積的效果。 <<畫素的構成>> 在此，上述液晶顯示面板PN L，如上所述，其顯示領 域部A R係由被配置呈矩陣狀的多個的畫素2所構成，其 中一個晝素的構成，則成爲如圖3所示。又，圖4爲在圖3 之IV - IV線之斷面圖，圖5爲在圖3之V — V線的斷面圖。 在同一圖中，在透明基板S U B 1的主表面則形成在X方 向延伸之閘極信號線GL與基準電壓信號線CL。此外，被 各信號線G L、C L與後述之在y方向延伸的汲極信號線D L 所包圍的領域，則成爲畫素領域。 亦即，在本實施例中，基準電壓信號線CL則被形成 爲在與閘極信號線GL之間行走，而在以該基準電壓信號 線CL作爲邊界之±y方向分別形成畫素領域。 藉此，被並設在y方向的基準電壓信號線C L，則可以 減少到爲以往之大約一半，爲此所封閉的領域，則可以分 擔作爲畫素領域來使用，而能夠加大該畫素領域的面積。 在各畫素領域中，在上述基準電壓信號線G L ’則呈 等間隔地形成例如3條與其成爲一體’而在y方向延伸的基 準電極CT。各基準電極CT，則在不連接到閘極信號線GL 的情形下接近閘極信號線GL而延伸’其中位在兩側的2個 -15- (13) (13)200422731 ，則被配置成鄰接汲極信號線DL，而剩下來的1個則位於 中央。 更者，在已形成有閘極信號線G L、基準電壓信號線 CL以及基準電極CT之透明基板SUB1的主表面，則乃被覆 該些閘極信號線GL等般地形成例如由矽氮化膜所構成的 絕緣膜GI。該絕緣膜GI對於後述之汲極信號線DL，可以 當作用於取得與閘極信號線GL以及基準電壓信號線CL之 絕緣的層間絕緣膜來使用，而對於薄膜電晶體TFT當作閘 極絕緣膜來使用，對於積蓄電容Cstg，則當作介電體膜來 使用。 在該絕緣膜GI的表面，則在其薄膜電晶體TFT的形成 領域形成有半導體層AS。該半導體層AS例如是由非晶矽 所構成，而在閘極信號線GL上，如被重疊在接近於後述 之汲極信號線DL的部分般被形成。藉此，閘極信號線GL 的一部分，則兼作爲薄膜電晶體TFT的閘極。 此外，在該絕緣膜GI的表面，則形成在其y方向上延 伸’且被並設在X方向的汲極信號線DL。該汲極信號線DL ’則與延伸到構成薄膜電晶體TFT之上述半導體層AS之表 面的一部分所形成的汲極S D 1成爲一體。 更者，在畫素領域中之絕緣膜G I的表面，則形成有被 連接到薄膜電晶體TFT之源極SD2的畫素電極PX。該畫素 電極，則在上述基準電極CT之各自的中央，在y方向延伸 而被形成。亦即，畫素畫素PX的一端則兼作爲上述薄膜 電晶體TFT的源極SD2，當在y方向上延伸，且在基準電壓 -16- (14) (14)200422731 柄號線C L上，在X方向延伸後，才向y方向延伸，而成爲 一〕字狀。 在此’被重疊在畫素電極PX之基準電壓信號線CL的 部分’則在與該基準電壓信號線CL之間構成一以上述絕 緣膜GI作爲介電體膜的積蓄電容cstg。藉由該積蓄電容 Cstg ’當例如在使薄膜電晶體丁”作〇 f f之際，可以具 有能夠使影像資訊更長時間積蓄在畫素電極P X的效果。 此外，在相當於上述薄膜電晶體TFT的汲極S D 1與源 極SD2之界面之半導體層AS的表面，則被摻雜了磷（p) ，而成爲一高濃度層，藉此，在上述各電極可達成歐姆接 點，（Ohmic contact )。此時，則在半導體層AS之表面 的整個領域形成上述局濃度層。在形成上述各電極後，則 以該電極作爲掩罩（mask )，而針對該電極形成領域以外 的高濃度層進行蝕刻，而能夠成爲上述的構成。： 此外，在已形成有薄膜電晶體TFT、汲極信號線D.L、 畫素電極P X、以及積蓄電容C s t g之絕緣膜GI的上面，則形 成有例如由矽氮化膜所構成之保護膜PSV，在保護膜PSV 的上面，則成有配向膜ORI1，而構成液晶顯示面板PNL之 所謂下側基板。 在此，基準電極CT以及畫素電極PX，均可以如金屬 般之不透光性的材料層所形成，又，也可以至少使其中一 者以例如ITO ( Indium-Tin-Oxide )等之透光性的材料層 來形成。當爲後者時，則具有可提昇畫素之數値孔徑的效 果0 -17- (15) (15)200422731 又，在成爲上側基板之透明基板（濾色器基板） SUB2的液晶側的部分，則形成在相當於各畫素領域之部 分具有開口部的黑色矩陣BM。 更者，則如被覆在相當於該黑色矩陣BM之畫素領域 的部分所形成的開口部般地形成濾色器FIL。該濾色器FIL ，除了具備與位在X方向相鄰之畫素領域不同的顏色外， 也分別在黑色矩陣BM上具有邊界部。 又，在已形成有黑色矩陣BM、以及濾色器FIL的面上 形成由樹脂膜所構成的平坦膜OC，而在該平坦膜OC的表 面形成有配向膜ORI2。 在此，在本實施例中，是一當在畫素電極PX與基準 電極CT之間未產生電場時，液晶之透光率會成爲最小之 所謂的正常黑（normal black )模式的構成。 此外，將被供給到汲極信號線D L之影像信號（電壓 )的最大振幅設定成在對液晶層L C之相寺透過率設成9 0 %時爲必要之電壓（V90 )以下。 本實施例的液晶顯示裝置是一正常黑模式，以此作爲 背景，可以抑制液晶驅動電壓之大幅減少，與對比（ c ο n t r a s t )比降低之影響的情形。 亦即，圖1爲表示在正常黑模式下之液晶驅動電壓（ V )與相對輝度（％ )之關係的說明圖。當爲正常黑模式 時，雖然白顯示輝度是依存於電壓，但在給予相對輝度 1 0 0 %之電壓（V m ax )的附近具有飽和的傾向。而此則意 味著在給予相#度1 〇 〇 %之電壓（V m a X )的附近，即使是 -18- (16) (16)200422731 驅動電壓，輝度一點也不會有變化。 因此，藉由將輝度抑制在90%以下而作白顯.示，可以 大幅地減低液晶驅動電壓。 而此，則作爲將影像信號供給到汲極信號線DL的汲 極驅動1C，而選擇其中輸出小者，或是連發熱量也可以減 低。 又，由於此時的黑顯示處於無通電狀態，因此，相較 於正常白模式的情形（其特性表示在圖6 )，可以抑制對 於對比比所產生的影響。 (實施例2) 又，在本實施例中，經由基準電壓信號線C L，而供 給到各畫素領域之基準電極CT的基準信號，則依據圖框 單位而反轉。 如圖7所示，由於係針對依據圖框單位而反轉的基準 信號來決定影像信號的振幅V，因此可以減小整體之影像 信號的振幅。 爲了供比較起見，如圖8所示’當考慮依據圖框單位 將基準信號設爲一定時，則影像信號必須相對於基準信號 ，在（+ )側取振幅V，而在（一）側取振幅V。 因此，在本實施例中，若相較於圖8，可將影像信號 的振幅設成一·半。 因此，汲極驅動I C可以選擇其輸出小者，或是連發熱 量也可以減低。 -19- (17) (17)200422731 (實施例3 ) 又，在本實施例中，在汲極信號線DL與基準電壓信 號線C L中，則將被供給有每一圖框的平均電壓振幅大之 信號的信號線的電阻構成爲較另一個信號線爲低。 被輸入到信號線的各種驅動波形，則在其輸入端，如 圖9 ( A )所示，具有接著於方形的形狀，但由於信號線 的電阻以及寄生電容的緣故，在遠端會成爲一如圖9(B) 所示之失真的波形。 在液晶顯示面板PNL，則要求在顯示面的整個領域進 行均一的顯示，實際的輸入信號，則必須要考慮到該波形 的失真成分，而事先提高輸入電壓振幅，但是如此一來， 則驅動電壓不得不再上昇。 在此，被施加有每個圖框之平均振幅最大之信號的信 號線，藉由使用電阻較其他信號線爲低的配線，可以在不 必特別使用大的電壓信號的情形下，即能夠減低在振幅大 的信號線中的波形失真情形。 此時，對於將基準信號（電壓）設爲一定的驅動方式 (參照圖8 )而言，最好將汲極信號線DL之配線的比電阻（ 電阻係數）設成較基準電壓信號線CL爲低。 例如，汲極信號線爲A1或含有A1之合金、或是該些的 多層構造，基準信號線爲Al、Cr、TA、Mo、W或者含有 在該些中之至少其中一者的合金、或是該些的多層構造。 又，汲極信號線DL爲Al、Cr、TA、Mo、W或含有其 -20- (18) (18)200422731 之合金、或者該些的多層構造，基準信號線則可以ITO、 Iri2〇3、Sn〇20 又，對於針對各圖框使基準電壓信號反轉的驅動方式 而S ’最好將基準電壓信號線C L的比電阻（電阻係數）設 成較汲極信號線D L爲低。 例如，汲極信號線DL爲Al、Cr、TA、Mo、W或含有 該些之其中之一的合金或是該些的多層構造，基準信號線 Al、Cr、或含有該些中之至少其中一者的合金或是該些的 多層構造。 此外，汲極信號線DL與基準電壓信號線CL係以同種 材料的多層構造所構成，當然上述關係也可以例如將其中 一個線寬加大或減小。 (實施例4 ) 圖1 0 ( A )爲圖2之X — X線的斷面圖。由半導體晶片 所構成的汲極驅動IC6，則讓已形成有輸入凸部、輸出凸 部的面面向透明基板SUB 1 (面朝下），而各凸部，則與 在透明基板SUB】面所形成之配線層的端子連接（在本說 明書中稱爲FCA方式）。 此時，汲極驅動IC6則位於被並設之輸入凸部群與輸 出凸部群之間，至少讓在該凸部之高度以上的間隙位在與 透明基板SUB 1側之間。 此外，如埋往該間隙般地，在該透明基板SUB 1側形 成應力緩衝層3 1。藉此，藉由在該透明基板SUB 1側所形 (19) (19)200422731 成的應力緩衝層3 1來吸收上述汲極驅動I C 6之撓彎（位在 該汲極驅動1C的中央部，朝透明基板SUB 1側成爲.凹部的 撓彎）。 此時，在汲極驅動IC6所產生的應力則會變得難以傳 達到透明基板SUB1側，可避免在其附近之透明基板SUB 1 與透明基板SUB2產生局部的對位（alignment )偏移。 又，圖1 0 ( B )爲表示其他實施例的構成圖，係對應 於 1 0 ( A )。 在該圖1 0 ( B )中，應力緩衝層3 1，則不限於汲極驅 動IC6的安裝領域，也被形成到其周邊爲止。又與汲極驅 動IC6之各凸部連接的配線層（汲極信號線DL )，則被形 成在該應力緩衝層3 1的上面。 此外，在各畫素領域所形成之上述保護膜PSV，也有 以例如由S IN所構成之無機材料層以及由樹脂所構成的有 機材料層的依序積層體而構成的情形。也此是因爲有要求 減小保護膜PSV之介電常數，或要求以有機材料層來被覆 無機材料之裂痕等的情形。 此時，藉由在形成上述有機材料層的同時形成上述應 力緩衝層3 1 (也可以直接延伸而形成），具有避免製程數 目增加的效果。 以外，在本實施例中，雖然是針對汲極驅動IC6來加 以說明，但由於對於閘極驅動IC5的情形也相同，因此， 當然在閘極驅動IC5的安裝領域，也可以採用同樣的構成 (20) 200422731 (實施例5 ) 在上述各實施例中，雖然是以透明基板SUB1當作玻 璃基板，但在本實施例中，該透明基板SUB 1，則特別使 用由樹脂所構成樹脂基板。 在該透明基板S U B 1則安裝有汲極驅動I C 6以及閘極驅 動IC5，藉由該基板使用伸縮性較玻璃爲高的樹脂，可以 解決由在該各驅動1C所產生的應力而造成的問題。 藉由採用在上述各實施例中的至少一者，可以減低驅 動1C的驅動能力，又，也可以減少由此所產生的發熱量， 因此，如圖1 1所示，在顯示領A R中，可以避免在接近於 該驅動1C的領域TR中受到該發熱的影響（變色等）。 (實施例6 )

如圖1 2所示，在經由液晶而被對向配置之各透明基板 中，則在透明基板SUB2形成有被稱爲黑色.矩陣bm的遮光 膜。此外，在同一圖中，（A)爲平面圖，（B)爲在（A )之B — B線的斷面圖。 此外’用於確保透明基板S U B 1與透明基板S U B 2之間 隙的間隔件（spacer )，則使用例如藉由光石印技術，對 在透明基板S U B側所形成的樹脂層進行擇蝕刻而形成的支 柱3 3 〇 該支柱3 3 ’則在當作各畫素領域的集合所形成的顯示 部內’可以配置在所設定的位置，而如可與上述黑色矩陣 -23- (21) (21)200422731 BM發生重疊般地被形成。 而此是因爲在支柱3 3的周邊液晶分子的配向容易產生 混亂，而容易被目視使然（被稱爲Domain )。 此外，在本實施例中，乃將位在汲極驅動IC6、閘極 驅動IC5之附近的黑色矩陣的寬度設成較在其他部分中之 黑色矩陣的寬度爲大。 如此設定之理由在於各驅動1C的附近，會因爲該驅動 1C的發熱，而容易使透明基板SUB]、SUB2的位發生偏移 ，而因爲該對位偏移會導致容易看到上述Domain使然。 此外，遮光膜也不限定在黑色矩陣BM，當然也可以 採用爲了其他目的而形成的遮光膜。 (實施例7 ) 在本實施例中，乃以每2個單位畫素〜8個單位畫素成 爲1個的密度來配置顯示部內的上述支柱。 在此，所謂的單位畫素係指R G B或CMY組設定成1 個單位畫素者。 假設將上述支柱，以每8個單位畫素未滿1個的方式來 加以配置時，則上下的基板會因爲應力容易產生移動，而 會導致對位發生偏移，又，支柱的強度會不敵於該應力而 發生塑性變形，逐妨礙到上下基板之間隙的均一性。 上述各實施例雖然是適用於例如圖1 3所示之畫素構成 的液晶顯示裝置，但是也可以適用於以後所表示之畫素構 成的液晶顯示裝置。 -24- (22) (22)200422731 (實施例8 ) 在本實施例中，如圖13所示，汲極信號線DL與畫素 電極PX係位在同一層，基準電極CT，則經由保護膜PSV1 被形成在該汲極信號線D L與畫素電極P X的上層。又，該 基準電極CT，則通過貫通孔τη而與被形成與閘極信號線 G L同一層的基準電壓信號線C l互相連接。此外，在同一 圖中，（A)爲平面圖，（B)爲B— B線的斷面圖，（Ο 爲c — c線的斷面圖。 此外，如與汲極信號線DL呈重疊狀地形成基準電極 C T，因此，無法目視到因爲在汲極信號線D L與基準電極 CT之間所產生的電場對液晶所造成之不可預期舉動（ Domain ) 〇 亦即，由來自汲極信號線DL的界場所造成的Domain ，則會被上述基準電極CT所遮光。 又，如此一來，來自汲極信號線DL的電場會被結束 在電位被固定的基準電極CT側，而可以抑制對畫素領域 側所造成的影響。 此外，上述基準電極CT，則考慮有以如金屬層般之 不透明的導電層來形成的情形，與如1丁0(111(141^1^11-Ο X i d e )般之透明的導電層來形成的情形。 在此，當以透明的導電層來構成基準電極CT時，則 爲了該基準電極CT擁有具有作爲遮住舉動（Domain )之 目視情形之遮光膜的功能’則必須設成所謂的正常白模式 -25- (23) (23)200422731 正常白模式’當在畫素電極CT與基準電壓電極線 CL之間未產生電場時，可以由選擇能夠使液晶的透光率 成爲最低的該液晶的材料來構成。 此外，透明的導電層則不限定於ITO，也可以例如是 Ιϋ2〇3 ' Sn02、IZO、Zn〇2，些的混合物、或是積層體。 又，在本實施例中，在基準電極CT的上面形成有保 護膜PSV2，而在該保護膜PSV2的上面形成配向膜（未圖 示）。 此時，保護膜PSV2可以使用樹脂等的有機材料，如 此一來，具有可以使其表面平坦化等的效果。 (實施例9 ) 本實施例，係針對實施例8 (圖1 3 )所示的構成，以 例如由S IN所構成的無機材料與由樹脂所構成的有機材料 的依序積層體來構成保護膜P S V 1。如此此的情形，可以 得到能夠降低在畫素電極PX與基準電極CT之間之介電率 的效果。 (實施例]〇 ) 在本實施例中，當上述實施例8 (圖1 3 )的構成，特 別以金屬層來構成基準電極CT時，則在上面，如被覆該 基準電極CT般地形戊保護膜PSV2，而在該保護膜PSV2的 上面形成配向膜。 -26- (24) (24)200422731 當以金屬層來構成基準電極C T時，則該金屬層會經 由極薄的配向膜而面向液晶，該金屬層容易與液晶產生化 學反應，而產生例如電蝕等的問題。 因此，藉由絕緣膜位於基準電極CT與配向膜之間， 可以保護該基準電極CT。 上述絕緣膜可以是利如SIN、SI02般的無機材料、或 是如樹脂般的有機材料。 (實施例：Π ) 在本實施例中，如圖1 3所示，用於將基準信號供給到 基準電極CT的基準信號線CL則被形成在與閘極信號線GL 同一層，且以與閘極信號線G T相同的材料（金屬層）來 形成。 基準信號線CL除了被配置成大約與閘極信號線GL呈 平行外，也位在彼此相鄰之閘極信號線GL的大約中央。 此外，基準電極CT，則從已形成有上述基準信號線 CL的透明基板SUB1的面開始，經由絕緣膜GI以及保護膜 PSV1，而被成在該保護膜上。 基準信號線CL與基準電極CT的連接，則是經由位於 畫素領域之大約中央，而在保護膜PSV1與絕緣膜GI所形 成的貫通孔TH來達成。 基準電極CT例如是由ITO膜所形成，乃形成爲在圖中 的y方向延伸，且被並設在X方向上之合計3個電極。 此時，中央的基準電極CT，則經由上述貫通孔TH， -27- (25) (25)200422731 而被連接到基準信號線CL，除了該基準電極CT以外之剩 下來的2個基準電極CT，則分別重疊於影像信號線DL而被 形成。又，各基準電極CT之上下的端部，則分別藉由被 重疊在閘極信號線GL的ITO膜而互相被連接。 因此，在保護膜PSV1上所形成的ITO膜，則設成包圍 畫素領域，換言之，係被重疊在汲極信號線DL以及閘極 信號線GL上，且具有較該些信號線的寬度爲大的寬度。 此外，該ITO膜則被形成爲與其他相鄰之畫素領域之 ITO膜成爲一體。 此時，ITO膜，由於在顯示領域內形成爲格子狀的圖 案，因此，具有可減低其本身之電阻値的效果。 此外，將基準信號供給到該ITO膜的基準信號線CL， 由於是以電阻値低的金屬層來形成，因此，可以抑制被供 給到基準電極CT之基準信號發生信號偏移。 (實施例1 2 ) 在本實施例中，在上述實施例1 1的構成，保護膜 PSV1例如是由SIN所構成的無機材料與由樹脂所構成的有 機材料的依序積層體而構成。 (實施例1 3 ) 在實施例11、1 2中，除了以金屬層形成基準電壓信號 線C L外，也以I Τ Ο等的透光性的導電層形成基準電極C T， 但只要基準電壓信號線C L的材料層的電阻較基準電極C 丁 (26) (26)200422731 之材料層的電阻爲小，則不一定要限制該些材料。 如此一來’可以減低基準電壓信號線C L與基準電極 CT的整體的電阻，而能夠確保被供給到各基準電極CT之 基準信號之電位的安定化。 (實施例1 4 ) 在實施例：Π (圖1 3 )的構成中，乃採用正常黑模式。 亦即，當在畫素電極PX與基準電極CT之間未施加電 場時，液晶的透光率會成爲最低（黑顯示）。 此時，以基準電極CT作爲一部分而構成的ITO膜則當 作遮光膜來使用，而形成可充分地被覆閘極信號線GL以 及汲極信號線DL的遮光膜。 而此具有不需要在另外的過程形成具有同樣功能之例 如黑色矩陣等之遮光膜的效果。 此外，此時，將基準電極當作一部分所形成的材料， 則不限於ITO，也可以是ln203、Sn02、IZO、Ζη02或該些 的混合體、積層體。 (實施例1 5 ) 在實施例1 1至1 4的各構成中，以基準電極CT作爲一 部分而形成的材料層，由於係成爲格子狀的圖案而被形成 在顯示領域內，因此，也可以將基準信號供給到該材料層 〇 因此，在本實施例中，基準電壓信號線C L自不得言 -29- (27) (27)200422731 ，也會將基準信號供給到以基準電極CT作爲一部分而形 成的材料層。此時，則是從與基準信號線c L之延伸方向 呈直交的方向來供給該基準信號。 亦即，從在以基準電極CT作爲一部分而形成之材料 層的周邊中，以及在與圖中X方向平行的周邊中之其中〜 者，或是從雙方來供給基準信號。 此時，如圖1 4所示，讓帶狀之低電阻的金屬層3 5重疊 在該材料層的一邊，而經由該金屬層供給基準信號。 如此一來，可以緩和被供給到在各畫素領域中之基準 電極CT的基準信號的波形失真程度。 此外，在本實施例中，以上述基準電極C T作爲一部 分的材料層當然可以是透光性高的材料或是金屬層。 (實施例1 6 ) 在本實施例中，在上述實施例1 3至1 5之任一個構成中 ，針對每個圖框讓基準信號反轉（共同反轉驅動）。 如上所述，由於基準電壓信號線CL的電阻較基準電 極CT爲低，因此，可以減少將基準信號供給到基準電極 CT時之信號波形的失真。 又，由於作共用反轉驅動’因此能夠減低汲極驅動I C 的輸出，而能夠使用輸出小者作爲該汲極驅動IC。 此外，該構成，除了可以抑制在基準電壓信號線CL (A]、Cr、TA、Mo、W以及該些的混合體或積層體）中 的信號失真情形外’在汲極信號線中的信號失真’則可以 -30- (28) (28)200422731 藉由其材料使用A1、Cr、以及該些的混合體、或積層體來 加以抑制。 (實施例1 7 ) 在本實施例中，如圖1 3所示，將在畫素領域內所形成 的貫通孔形成在相鄰之各畫素電極PX的大約中央’而藉 由該貫通孔TH來連接基準電壓信號線CL與基準電極CT ° 當如此構成時，可以減少貫通孔TH與和其鄰接之畫 素電極PX發生短路的機率。 (實施例1 8 ) 在本實施例中，將貫通孔TH的直徑，如圖1 3所示般 ，設成基準電壓信號線CL的寬度爲小，且較基準電極CT 的寬度爲小。 如此一來，可以減低基準電極CT在該貫通孔TH部發 生斷線的機率。 (實施例1 9 ) 在本實施例中，如圖1 5所示，經由基準電壓信號線 CL與保護膜PSV1，在該保護膜PSVI上形成以基準電極CT 作爲一部分的材料層，該材料層具有至少以沿著基準信號 線CL而重疊的帶狀的部分37、以及如與該帶狀的部分37 呈交差地延伸的基準電極C T，在該些的交差部，則通過 貫通孔TH而被連接到上述基準電壓信號線CL。 (29) (29)200422731 藉由如此地構成，由於可以藉由低電阻，將來自基準 電壓信號線CL的電位傳到基準電極，因此，更可以抑制 基準電位之偏移。 (實施例2 0 ) 在本實施例中，如圖1 6所示，經中基準電壓信號線 CL與保護膜PSV1，在該保護膜PSV1上形成基準電極CT作 爲一部分的材料層，該材料層除了至少具有與基準電壓信 號線C L呈交差而延伸的基準電極c T外，在與該基準電壓 信號線CL的交差部，則寬度被形成爲較其他的部分爲寬 ’而在該寬度被形成較寬的部分，則通過貫通孔TH被連 接到上述基準電壓信號線CL。 藉由如此地構成，可以避免基準電極CT在貫通孔TH 部發生斷線。 (實施例2 1 ) 本實施例，如圖1 7所示，乃類似於圖1 5所示的構成， 首先，以基準電極C T作爲一部分的材料層係以由金屬層 所構成之不透光性的導電材所構成。 此外，沿著基準電壓信號線C L重疊而形成的材料層 ’除了其中心軸大致上與該基準電壓信號線C L的中心軸 呈一致外，其寬度也形成較該基準電壓信號線CL的寬度 爲小。 藉由如此地構成，可以加大在畫素領域中的透光領域 -32- (30) (30)200422731 ，而能夠提高數値孔徑。 (實施例22) 本實施例，如圖1 8所示，經由基準電壓信號線CL與 保護膜PSV1，在該保護膜PSV1上形成以基準電極CT作爲 一部分的材料層，該材料層具有至少沿著基準電壓信號線 CL而重疊的帶狀的部分，與和該帶狀的部分呈交差而延 伸的基準電極CT，在該些交差部，則通過貫通孔TH而被 連接到上述基準電壓信號線CL，在該貫通孔TH的附近， 上述基準電極CT則愈接近於該貫通孔TH，寬度形成愈寬 〇 此外，此時，基準電極CT是由不.·透光性的金屬層所 形成，沿著基準電壓信號線CL而重疊之上述帶狀的部分 的寬度，則被形成爲較該基準電壓信號線CL的寬度爲小 (實施例23 ) 在本實施例中，如圖1 9所示，例如在實施例1 1 (圖1 5 )的構成中，以被覆閘極信號線GL所形成的基準電極作 爲一部分的材料層，則在面向薄膜電晶體TFT的部分設有 開口（該材料層的非形成領域）。 若在薄膜電晶體TFT的上部施加電位時，由於該薄膜 電晶體TFT的閾値會變動（Back Channel )，因此，藉由 上述開□，可以避免該問題發生。 -33 - (31) (31)200422731 (實施例2 4 ) 在本實施例中，如圖20所示，例如在實施例1 1的構成 中，將在面向薄膜電晶體TFT的部分所形成的上述材料層 的開口，如沿著閘極信號線GL，朝著汲極信號線DL側延 伸般地形成較大，而該汲極信號線DL的一部分則面向該 開口。 藉由如此地構成，可以避免由從基準電極C T的電位 對薄膜電晶體之Back Channel之突入電壓所產生的影響。 (實施例2 5 ) 在本實施例中，如圖21所示，將在和汲極信號線DL 重疊之基準電極CT，與相鄰之其他基準電極CT之間所形 成的材料層的開口擴展到薄膜電晶體TFT的形成領域爲止 ’藉此’可使得該材料層不致與薄膜電晶體發生重疊。 即使如此構成，也可以避免由從基準電極C T對薄膜 電晶體TFT之Back Channel之突入電壓所產生的影，響。 又’由於該材料層不需要進行微細加工，因此可以提 局良品率（例如相較於實施例丨丨）。 (實施例2 6 ) 在本實施例中，如圖22所示，在實施例25的構成（圖 2 1 )中’使在和汲極信號線重疊的基準電極c τ，與相鄰 之其他基準電極CT之間所形成的材料層的開口超過薄膜 -34- (32) 200422731 電晶體TFT的形成領域，將閘極信號線GL置於中間，而形 成爲及於相鄰之其他的畫素領域。 此時，由於該材料層不需要進行微細加工（例如相較 於實施例24 )’因此可以提高良品率。 此外，實施例23至26的構成，不管是何者，基準電極 CT與基準電壓信號線CL皆形成作爲不同的層，但限定於 此，當然該基準電極與基準信號線可以是同一層，且被形 成爲一體。 (實施例2 7 ) 圖23係例如圖13之XXIII - XXIII線的斷面圖，乃表示 用來連接基準電壓信號線CL與基準電極CT之貫通孔TH的 斷面。

在透明基板SUB1的表面首先形戊基準電壓信號線Cl ，而被覆該基準電壓信號線CL，在基板上形成由SIN膜所 構成的絕緣膜GI。該絕緣膜GI係當作薄膜電晶體TFT之閘 極絕緣膜來使用。又，在該絕緣膜GI的上面形成有保護膜 PSV1、PSV2，該些保護膜PSV1、PSV2係以由SIN膜所構 成的無機材料以及由樹脂膜所構成之有機材料的依序積層 此外，則形成到達上述保護膜PSV1、PSV2以及絕緣 膜G I，而讓上基基準電壓信號線CL的一部分露出的貫通 ?L TH，在該貫通孔TH內之作爲上述絕緣膜GI的SIN膜與作 爲上述保護膜PSV1的SIN膜的側壁形成有SI02膜40。 -35- (33) (33)200422731 藉此，能夠使在該貫通孔ΤΗ之側壁中的斜面形成爲 平滑的面，以避免因爲基準電極CT的段差而造成中斷。 爲了比較起見，圖26爲表示未形成有上述SI02膜之狀 態的斷面圖。在作爲絕緣膜GI的SIN膜與作爲保護膜PS VI 的SIN膜之間，作爲保護膜PSV1的SIN膜與作爲保護膜 PSV2的樹脂膜之間乃產生段差。 作爲絕緣膜GI的SIN膜，由於帶來作爲薄膜電晶體 TFT之閘極絕緣膜的功能，因此其密度爲緻密，相較於此 ，作爲保護膜PSV1的SIN，由於以提高生產率爲優先，因 此其密度較該絕緣膜GI爲疏鬆。 由於對積層體的各材料的鈾刻速率不同，因此會產生 如圖26所示的段差。 上述S I 0 2膜4 0的形成方法，則例如採用在對上述S IN 膜進行蝕刻時，會導入〇2氣體來進行淸洗處理的方法。 又，其他的方法，則可以採用對樹脂層進行乾蝕刻， 而此時，則藉由含有〇2的氣體來進行蝕刻的方法。 (實施例2 8 ) 本實施例爲上述貫通孔TH之構成的其他實施例，圖 2 4爲其斷面圖。 在此，作爲保護膜P S V 2的樹脂膜，則如被覆在其保 護膜PSV2之下層所形成的SIN膜（保護膜PSV1) ’更者位 在其下層之SIN膜（絕緣膜G〗）的各側壁般地被形成。 當如此構成時，除了 SIN膜（絕緣膜（TI )與S1N膜（ (34) (34)200422731 保護膜PSV 1 )之間的段差被樹脂膜所被覆外，由於沿著 貫通孔TH之側壁的整個領域形成樹脂膜，因此，其斜面 會成爲平滑。 因此，藉由該貫通孔TH，可以避免因爲基準電壓信 號線CL與被連接的基準電極CT的段差造成中斷。 此外’該貫通孔TH的產生方法，首先，在作爲被形 成在透明基板SUB1上之絕緣膜GI的SIN膜，以及保護膜 PS VI的SIN膜形成貫通孔TH。此外，則被覆該貫通孔TH ，在基板上形成作爲保護膜PSV2的樹脂膜，而在該樹脂 膜形成與上述貫通孔TH呈同心，且直徑較該貫通孔TH的 直爲小的貫通孔TH〇 此時’當然樹脂膜可以是光分解性者或是光硬化性者 (實施例29 ) 在本實施例中，如圖25所示，有鑑於形成貫通孔TH 的絕緣膜爲多層構造，因此，在基準電壓信號線C L與基 準電極CT的連接時，乃經由其他導電層42。 亦即，在絕緣膜GI，由無機材料所構成的保護膜 PSV1，由有機材料所構成的保護膜PSV2的依序積層體， 乃形成經由在上述絕緣膜GI所形成的貫通孔TH，而與基 準電壓信號線C L連接的導電層4 2，更者，則形成經由在 由無機材料以及有機材料的依序積層體所構成的保護膜 PSV所形成的貫通孔TH，而與上述導電層42連接的基準電 -37- (35) (35)200422731 極CT。 貫通孔ΤΗ，由於形成直徑愈到其底部愈小的形狀， 因此，經由來自該貫通孔ΤΗ的暴露面積較基準電壓信號 線CL的情形爲大的上述導電層42，來進行基準電壓信號 線CL與基準電極CT的連接，除了可以減低斷線的發生率 外，也能夠減低接觸電阻。 又，當爲由對基準電壓信號線C L無法良好連接的材 料所構成基準電極CT時，則具有藉由選擇該導電層42的 材料，可以避免該問題的效果。 例如當基準電壓信號線CL爲Α1系的材料時，若基準 電極CT爲ΙΤΟ等之透光性的導電膜時即是如此，此時，藉 由使用C r系的材料作爲上述導電層42，可以使彼此的連 接成爲良好。 又’該導電層42，例如在形成汲極信號線dL的同時 被形成，可以避免製程數目的增加。 此外’在本實施例中，雖然是針對基準電壓信號線 CL與基準電極CT的連接來說明，但並不限於該些，也可 以適用於經由貫通孔來連接各導電層的情形。 (實施例3 0 ) 圖27(A)至（B)爲當將顯示領域當作整體來看分 別形成在畫素領域內的貫通孔時，表示其配置狀態之各實 施例的平面圖。 各圖’分別負責彩色顯示的三原色R、G、B的各畫 -38- (36) 200422731 素領域則相鄰地形成，在以外的說明中，也有將該3個的 各畫素當作彩色顯示中的單位晝素來表現的情形。 圖2 7 ( A )爲貫通孔TH例如形成在每隔1個的畫素領 域的情形。因此，在各單位畫素有該貫通孔存在1個的情 形以及存在2個的倩形。 如此一來，光是減少貫通孔的部分，即具有提高數値 孔徑的效果。 此外，當如此構成時，畫素領域的構成，例如如圖 13所示，基準電極CT係呈格子狀被形成在顯示面上，而 經由基準電壓信號線CL，將基準信號供給到該基準電極 CT ° 圖27 ( B )爲每單位畫素形成1個的貫通孔TH，該貫 通孔則被形成在負責G (綠色）的畫素領域內。

由於負責G (綠色）的畫素領域的光的透過率較負責 其他顏色的畫素領域爲高，因此，藉由在該領域形成貫通 孔丁Η ，可以儘量避免數値孔徑減少。 (實施例3 1 ) 在本實施例中，如圖2 8所示，當形成用來連接基準電 壓信號線CL與基準電極CT的貫通孔ΤΗ時，則其形狀沿著 基準電壓信號線CL的延伸方向而擴展。 亦即，經由絕緣膜（絕緣膜GI、保護膜PSV1、PSV2 )，而位在該絕緣膜上的基準電極C Τ，與基準電壓信號 線C L的連接，則是通過在該絕緣膜上所形成，位在該基 -39- (37) (37)200422731 準電壓信號線CL之寬度內的領域上’且沿著該基準電壓 信號線CL之延伸方向而擴展的貫通孔1[11來進行。 當如此構成時’可以加大基準電極CT對基準電壓信 號線C L的連接面積’具有能夠大巾®丨咸低其連接電阻·的'效 果。 (實施例3 2 ) 在本實施例中，則表示在基準電壓信號線c L與畫素 電極PX之間所形成之電容元件Cstg的構成。 亦即，如圖2 9所示，基準電極C T則被成在經由絕緣 膜，而與上述基準電壓信號線CL交差的方向上，且通過 在該絕緣膜所形成的貫通孔TH而被連接。 畫素電極PX則位在上述基準電極CT的兩側，該畫素 電極PX，則在上述基準電壓信號線CL上具有在遠離上述 貫通孔TH的方向延伸的延伸部45。 藉由該延伸部45，可以在畫素電極PX與基準電壓信 號線CL之間形成具有某個値以上之電容的電容元件Cstg， 且由於該延伸部45係離開貫通孔ΤΗ而被形成，因此具有 可以避免畫素電極ΡΧ與基準電壓信號線CL發生短路的效 果0 (實施例3 3 ) 本實施例係將實施例3 2再加以改良者，如圖3 0所示， 位在通過貫通孔ΤΗ，而與基準電壓信號線CL連接之基準 -40- (38) (38)200422731 電極CT的兩側的畫素電極PX，則在上述基準電壓信號線 CL上，具有在接近於上述貫通孔TH的方向延伸延伸部46 ，且其長度較在離開上述貫通孔TH的方向延伸的上述延 伸部4 5爲小。 藉由如此地構成，除了可以避免延伸部46與貫通孔 TH的衝突外，也具有可以加大電容元件Cstg之電容的效果 (實施例34 ) 本實施例，如圖3 1所示，未形成上述基準電壓信號線 CL，藉此，可以提高數値孔徑。 如圖3 1所示，基準電極CT，除了位在閘極信號線GL '薄膜電晶體TFT、汲極信號線DL、畫素電極PX的上外， 也當作重疊於上述閘極信號線G L以及汲極信號線D L所形 成的導電層的一部分，基準信號則經由上述導電層供給到 該基準電極CT。 亦即’該導電層則被形成爲與相鄰之其他畫素領域呈 對應的其他的導電層成爲一體，藉此，及於顯示領域的周 邊而被形成。因此，基準信號很容易從該導電層的周邊來 供給。 此時的供電，則例如如圖1 4所示，藉由經由金屬層3 5 來進行’可均勻地將基準信號供給到上述導電層。 此外’此時，基準電極則不限於具有ITO膜等之光透 光性的導電層，當然也可以是金屬層般之不透明導電層。 -41 - (39) 200422731 (實施例3 5 ) 本實施例是一當未形成稱爲上述基準電壓信號線CL 者時，用來確保畫素電極PX與基準電極CT之間的電容元 件CADD的構成。 亦即，如圖32所示，設有被配置在基準電極CT之兩 側之各畫素電極的連接部4 8，該連接部4 8則與上述基準電 極CT呈交差，而在該交差部形成電容元件CaDD。 該基準電極CT則被形成爲與被覆閘極信號線GL的材 料層成爲一體，上述各基準電極CT之各自的兩端則設成 與上述材料層重疊，而在該重疊的部分也形成有電容元件 CADD。 (實施例3 6 )

又，如圖33所示，也可以如與各畫素電極PX的連接 部4 8重疊般地，在以基準電極CT作爲一部分而形成的材 料層形成連接部49。 (實施例3 7 ) 在本實施例中，則在一個畫素領域形成電容元件Cstg 與電容元件CADD。

如圖34所示，畫素電極PX的延伸部，除了經由絕緣 膜GI被重疊在閘極信號線GL的一部分，而形成在電容元 件CADD外，也經由保護膜PSV被重疊在上述基準電極CT -42- (40) (40)200422731 的延伸部，而形成電容元件Cstg。此外，圖35爲圖34之35 —3 5線的斷面圖。 (實施例3 8 ) 又，圖3 6爲針對圖3 5所示之實施例的其他的實施例， 當保護膜P S V爲以無機材料與有機材料的依序積層體（ P S V 1、P S V 2 )所構成時，由於無法充分地確保電容元件 Cstg的電容，因此，同時使用電容元件cadD的構成很有 幫助。 又’如與圖36對應的圖37所示，當然在基準電極CT 的上面更可以形成保護膜P S V 3。 (實施例3 9 ) 又，根據上述的構成，電容元件Cstg與電容元件 C A D D則被形成在大約相同的領域內，換言之，.由於各元 件C s t g、C A D D係被重疊地形成，因此，可以減小該些的 占有面積，而能夠提高數値孔徑。 (實施例40) 又，根據上述的構成，藉由將電容元件C A D D的面積 形成爲較電容元件Cstg的面積爲小，可以一邊確保的電容 ，一邊在電氣上更安定地確保電容元件Cstg的保持能力， 而能夠達成保持電位的安定化。 -43- (41) (41)200422731 (實施例4 1 ) 又，根據上述的構成，由於畫素電極ρ χ的延伸部係 由和其他之相鄰的畫素電極PX的連接部，與和閘極信號 線GL的一部分重疊的部分（電容元件CADD形成部）所構 成，因此，當在該電容元件CADD的形成部發生短路時’ 則藉由雷射光線，將和閘極信號線重疊的部分，與其他的 部分加以切離，而能夠加以救助。 此時，藉由電容元件Cstg可以確保一定的電容’而能 夠抑制該畫素的畫質降低。 (實施例42 ) 又，實施例4 1的情形，藉由將基準電極CT作爲一部 分的材料層以光透光性的材料層來構成，因此具有能夠容 易目視到該電容元件CADD的形成部所產生之短路的效果

(實施例4 3 ) 上述實施例3 7〜4 2所示的效果，對於如圖3 8所示，形 成基準信號線，而藉由貫通孔來連接該基準信號線與基準 電極的構成也同樣地適用。 (實施例44 ) 圖39係表示當將上述實施例37至43的構成應用在所謂 之m u 11 i d 〇 m a i η方式時的構成。 -44- (42) (42)200422731 所謂的multidomain係指使在畫素電極PX基準電極CT 之間所產生的電場方向，在畫素領域內形成2個，藉此， 即使是從相對於顯示面的垂直方向爲不同的方向來看時， 色調也不會產生變化者。 其中一實施，係使畫素電極以及基準電極，沿著各自 的延伸方向形成多個的彎曲部，而成爲一鋸齒形狀。 此外，在本實施例中，圖3 9爲表示構成電容元件 CADD的例子，但只有電容元件Cstg的情形也可以適用。 (實施例4 5 ) 圖4 0係在實施例4 4的構成中設置與閘極信號線G L呈 平行的基準電壓信號線GL，而通過在絕緣膜所形成貫通 孔TH被連接到基準電極CT。 (實施例46) 圖4 1係表在實施例44的構成中，讓汲極信號線DL對 應於被形成在其上層的基準電極CT的形狀，而在其行走 方向設成鋸齒狀。 藉此，可以以均勻的寬度來被覆基準電極C T、汲極 信號線DL，有信賴性地使來自該汲極信號線DL的電場終 止於基準電極CT側。 (實施例4 7 ) 本實施例，如圖42所示，則是在上述實施例46的構成 (43) (43)200422731 中備有基準電壓信號線CL，而將通過貫通孔ΤΗ而被連接 之基準電極CT的該連接部的寬度形成較寬。 (實施例4 8 ) 本實施例，則是在實施例23至26的各構成中，爲了要 避免薄膜電晶體TFT產生Back Channel，乃在以基準電極 CT作爲一部分而構成的導電膜該薄膜電晶體TFT上的領域 設置開口。 (實施例4 9 ) 本實施例，則是在實施例3 7至4 8的各構成中，基準電 極CT使用Al、C r 、MO、TA、W之任一材料，或是由該 些的合金所構成的材料’或是讓該些中之數種積層而成的 材料。 如此一來’不需要在汲極信號線DL上特別形成遮光 膜’或由於成爲低電阻’因此，可以抑制在共用反轉驅動 下之波形失真情形。 (實施例5 0 ) 本貫施例，則是在實施例3至4 8的各構成中，除了基 準電極CT使用AI、Cr、M0、ta、W之任一材料，或是由 0些的η金所構成的材料，或是讓該些中之數種積層而成 的材料外，基準電壓信號線CL也使用A】、之任一材料 戈由二的口金所構成的材料，或讓該些中之數種積層 -46- (44) 200422731 而成的材料。 (實施例5 1 ) 本實施例，基準電極CT使用ITO、 、ZN〇2之任一材料，或由該些的合金 是讓該些中的數種積層而成的材料。 此時’在閘極信號線GL、汲極信 信號線CL的端子部，當爲了要防止電 時，則可以同時形成該基準電極，以避 〇 又’此時，在修復電容元件時，由 極直接看到電容元件，因此且具有在藉 時容易定位的效果。 (實施例5 2 ) 本實施例，則是在實施例5 1的構成 黑模式。 藉此，位在汲極信號線上的基準i 膜來使用，相較於以正常白模式來構成 因爲漏光所造成的問題。 在此，所謂的正常白模式係指當7 準電極C T之間產生電場時’液晶的透: 構成。 ιν2 03、sn〇2、IZ0 所構成的材料，或 號線DL、基準電壓 鈾而被覆上述材料 免製程數目的增加 於可通過該基準電 由雷射切斷來修復 中成爲所謂的正常 |極CT可當作遮光 的情形，可以解決 E畫素電極PX與基 七率會成爲最高的 -47- (45) (45)200422731 (實施例5 3 ) 本實施例，則是在實施例5 1、5 2的各構成中，在所謂 的點反轉驅動下，在基準電極C T與畫素電極P X之間施加 電壓。 基準電極CT係以上述的材料（ITO、IN2〇3、SN〇2、 ιζο、zno2等）來構成，有鑑於其電阻比較高，藉由進行 該點反轉，可以提高顯示面之輝度的均一化。 (實施例5 4 ) 本實施例是在上述各構成中，針對在薄膜電晶體TFT 的上方形成以基準電極CT作爲一部分的導電層者（未形 成有開口者）’使基準電極的電位位於（一）5V以上（ + ) 10V以下之範圍內加以驅動。 其理由即在於在上述範圍內來驅動基準電極，可知可 將薄膜電晶體TFT之閾値的變動抑制在容許範圍內使然。 (實施例5 5 ) 在上述各實施例中，在畫素內所形成的開關元件並不 限定於薄膜電晶體TFT，也可以適用於其他構成的開關元 件。 但是當應用薄膜電晶體TFT時，爲了要使其成爲on狀 態，則供給到閘極信號線的掃描信號被設定在+ 1 2 V以上 ，而爲了要成爲〇 F F狀態，則被設定在一 5 V以下。 因此，藉由將基準電極C T的電位，在不會抵觸於該 (46) (46)200422731 條件的領域中來驅動，可以防止因爲該基準電極CT而導 致該薄膜電晶體TFT發生錯誤動作。 (實施例5 6 ) 在本實施例中，則是在上述的各構成中，針對在薄膜 電晶體TFT的上方形成以基準電極作爲一部分的導電層者 (未形成有開口者），在所謂的共用反轉驅動方法下，將 該基準電極之電位的最小値設在- 5 V以上。 此時，也可以抑制薄膜電晶體TFT的閾値變動。 (實施例5 7 ) 在本實施例中，則在上述的各構成中，針對在薄膜電 晶體TFT的上方形成以基準電極CT作爲一部分的導電層者 (未形成有開口者），在將基準電極的電位設成大約一定 的驅動方式下，將其電位設定在一 5 V以上、+ 1 〇 V以下的 範圍，最好是一 IV以上、+ 7V以下的範圍。. 此時，也可以抑制薄膜電晶體TFT閾値變動。 (實施例5 8 ) 本實施例則表示例如閘極信號線G L在閘極驅動I C 5之 連接部附近構成。 如圖4 3所示，閘極信號線G L在閘極驅動IC 5的連接部 附近，如上所述，乃形成爲與相鄰之其他的閘極信號線 GL—起綁在閘極驅動IC5側的形式。此外，該部分則對應 (47) 200422731 於被圖5 8之一點虛線框A所包圍的部分。 此時，基準電壓信號線CL，則在同一層被配置在各 閘極信號線GL之間’當該基準電壓信號線Cl也被拉出到 閘極驅動IC5側時，在各閘極信號線GL之上述綁住領域會 與相鄰的閘極信號線GL發生干涉，而容易發生短路。

因此，在本實施例中，除了基準電壓信號線C L，相 對閘極信號線GL，經由絕緣膜被形成在其他的層外，在 各閘極信號線GL之上述綁住領域，則通過形成在上述絕 緣膜的貫通孔，而與在和該閘極信號線GL大約直交方向 上延伸的配線層50連接。 如此一來，可以避被稱爲額緣之領域的增加。

亦即，在先前的例5中，若是想要使基準電壓信號線 CL，在各閘極信號線GL之上述綁住領域不會發生短路般 地來形成時，則不得不減小在該綁住部分之各閘極信號線 的彎曲角度，而必須將閘極驅動IC5安裝在遠離顯示領域 A R的位置。 此外，當本實施例的畫素如圖1 3所示般地構成時，則 上述配線層5 0可以設成與汲極信號線DL同時形成的配線 層。 又，在本實施例中，雖然是表示閘極信號線GL在閘 極驅動IC5之連接部附近的構成，但是當然也適用於汲極 信號線DL在汲極驅動IC6之連接部附近。 (實施例5 9 ) -50- (48) 200422731 本實施例，如與圖4 3 ( B )對應的圖4 4所示’上述配 線層50則形成爲與基準電壓信號線CL成爲一體。 (實施例60) 本實施例是在實施例5 8所示的構成中表示在畫素領域 中的構成。亦即，將閘極信號線GL與基準電壓信號線CL 形成在同一層，藉由形成在絕緣膜的貫通孔TH，而與經 由該絕緣膜，而在該絕緣膜的上面所形成的基準電極CT 連接。 (實施例6 1 ) 本實施例是在實施例59所示的構成中還是表示在畫素 領域中的構成的說明圖。 (實施例62 )

圖4 7係對應於圖43，而不同於圖43的構成則在於被拉 出到配線層5 0的基準電壓信號線CL係每隔1個被配置。此 時，並不限於每隔1個，當然也可以每隔2個、或每隔3個 此外，此時，基準電極CT，如上所述，係當作材料 餍的一部分被形成，該材料層則被形成爲與在相鄰之其他 的畫素領域中對應的材料層連接。 當如此地構成時，在各閘極信號線GL綁住的領域則 可以避免信號線的密集。 -51 - (49) (49)200422731 此外，在本實施例中，雖然是針對基準電壓信號線來 加以說明，但是當然也可以適用於保持電容線。 (實施例6 3 ) 在本實施例中，如圖48所示，上述配線層50係在被連 接到1個驅動晶片（汲極驅動IC6、閘極驅動IC5 )之各閘 極信號線GL來的外側迂迴，更者，則鄰接於該驅動晶片 而被拉出。 當如此地構成時，則讓該配線層50拉出到該驅動晶片 之輸入側的端子側。 此外，圖48所示的部分則對應於圖58所示之一點虛線 框B所示的部分。 (實施例64) 本實施例係針對48之其他的實施例，如圖49所示，鄰 接於驅動晶片被拉出的配線層5 0，則被設成位在驅動晶片 的下側。 (實施例65 ) 在本實施例中，則在上述各實施例的構成中，使用由 以下的構造式所構成材料作爲配向膜ORI1、ORI2。 藉由使用如此的配向膜ORI1、ORI2，可以抑制因爲 在液晶層內之離子性雜質的移動而造成殘像（離子性殘像 -52- (50) (50)200422731 更者，當相對於配向膜中的式（1 )以及式（2 )之物 質的合計的成分比，若式（1 )的物質占3 0 %〜7 0 %的比 例時，更可以抑制其發生。 在此，所謂的離子性殘像，如圖5 0 ( A )所示’係指 在初始狀態下，在相鄰的領域進行1個小時的白色以及黑 色的顯示，以中間灰階來進行顯示，在從白顯示的領域 '沿 著黑顯示的領域來檢測其輝度變化時，從與該中間灰階對 應的輝度所突出之輝度的部分。 此時，藉由上述配向膜ORI1、ORI2使用上述的材料 ，可以將圖5 0 ( A )所示的離子性殘像強度抑制到3以下 (最好是2以下），而能夠避免發生離子性殘像。 此外，圖5 0 ( B )則是將圖5 0 ( A )之初期的黑顯示 當作共同的部分，而在其右側則有白顯示。 相較於圖5 0 ( A )的情形，之所以在中間灰階中的輝 度分佈會不同則是因爲離子朝著圖中左側移動所造成。 (實施例6 6 ) 在本實施例中，在圖3 1的構成中，如對應於其（B ) 之51(A)所示般，基準電極CT被形成在保護膜PSV (其 上層爲由有機材料所構成的保護膜PSV2 )上，此外，也 被覆該基準電極CT，在該保護膜PSV上形成配向膜ORI1。 此外，在該保護膜PSV之上面之形成有該基準電極CT 的部分則形成有凹陷部。 藉此，可以儘量地減小該基準電極C T的段差，而解 -53- (51) 200422731 決上述配向膜ORI1在該基準電極CT的附近的摩擦性的降 低問題，殘像惡化，以及因爲配向不良而造成漏光的問題 此時，如圖5 1 ( B )所示，當將電極的厚度設爲Η ( 二3 00ΝΜ )，將從凹陷部突出之電極的高度設爲Η!(二0 、90、150、3 00ΝΜ )時，若調查各自電極的漏光情形， 則成爲圖52所示。圖中，◎爲避免漏光最佳的狀態、〇爲 良好的狀態、X爲不好的狀態。 因此，該基準電極CT最好是被埋入到保護膜PSV2， 當將該基準電極CT的厚度設爲Η，將從凹陷部突出之電極 之的高度設爲Η!時，可知最好是有如下式（3 )所的關係 0^ ( Η- H] ) / 0.5...... ( 3 )

此外，在本實施例中，則是針對在基準電極C Τ的表 面直接形成配向膜ORI1的情形來說明。但是也可以適用 在形成其他的絕緣膜，而在其表面形成配向膜ORI1的情 形。 此時，由基準電極CT所造成的段差會在上述其他絕 緣膜之表面顯著化之段差中的高度也可以換算成Η!。 此外，此時的電極則不限於基準電極CT，也可以是 其他的電極。或也不限於透光性或非透光性的材料層。 (實施例6 7 ) 在本實施例中，則在上述的各實施例中，當以由無機 -54- (52) (52)200422731 材料所構成的保護膜P S V 1，與由有機材料所構成之保護 膜PSV2的依序積層體來形成保護膜PSV時，則該保護膜 P S V 2的材料可以使用丙烯系（透明性高、正型感光性） 、聚醯亞胺系（耐熱性高）、酚醛淸漆系（容易著色）、 聚醯亞胺、環氧共聚物（可兼作爲配向膜）之其中任一者 ，或是該些的積層體。 如此的保護膜PSV2，其膜厚爲400NM，具有95 %的 透光性、230°C以上的耐熱性。 又，針對液晶的污染性低，且具有耐製程性（耐住噴 濺蝕刻液、剝離液、配向膜溶媒、U V / 0 3洗淨）。 (實施例6 8 ) 當在畫素電極PX與基準電極CT之間施加電壓而形成 包場時，若在與各電極之間存在有有機材料的保護膜 PSV2時，可以確認要存在有該保護膜PSV2，則不得不增 加驅動電壓。 此時，當將驅動器，亦即，將掃描信號供給到閘極信 號線GL的閘極驅動IC5、或將影像信號供給到汲極信號線 DL的汲極驅動IC6直接安裝到透明基板SUB 1時（FCA方式 )，則必須要有針對該驅動1C的發熱對策。 在此’在正常黑模式下了解成爲最大輝度之液晶驅動 電壓Vm ax與有機材料所構成之保護膜pSV2的膜厚、畫素 電極PX與基準電極CT的間隔，液晶之介電常數異方性的 關係。 -55- (53) (53)200422731 首先’液晶之介電常數異方性、畫素電極ρχ和基準 電極C Τ的間隔、V m a X的關係圖則表示在圖5 3，而在液晶 之介電常數異方性=10下之保護膜PSV2的膜厚、畫素電 極PX和基準電極CT的間隔、與Vm ax的關係圖則表示在圖 54，而在液晶之介電常數異方性=14·5下之保護膜psv2的 膜厚、畫素電極PX和基準電極CT的間隔' Vmax的關係圖 則表示在圖5 5。 由此可知，如圖5 3所示，藉由使用液晶之介電常數異 方性局的液晶材料，可以減低V m a X。此外，V m a X會隨著 保護膜PSV2的膜厚的增加而增加，且Vmax會隨著畫素電 極PX和基準電極CT的間隔的增加而增加。其關係則表示 在圖5 4、以及圖5 5。 因此，由上述的圖可以導出下式（4 )的關係成立。 Vmax=1.9d + 0.4146W-0.2328A ε + 2.8218...... ( 4) 在此，D爲由有機材料所構成之保護膜PS V2的膜厚（ //M) 、W爲畫素電極PX與基準電極CT的間隔（//Μ)、 △ ε液晶之介電常數異方性。 由此可知，首先，具有高的△ ε的液晶的材料，則如 圖5 5的化學結構式所示，最好是使用氰二氟液晶，又，在 實現如△ ε爲I 4.5以上的高領域時，則如圖5 7的化學結構 式所不，最好是使用二截一'卩惡丨完液晶。 不管是何者，藉由使用包含上述各液晶中之至少一者 在內的液晶，可以減低上述Vmax。 -56- (54) 200422731 (實施例6 9 ) 在正常黑模式的構成下，當畫素電極PX與基準電極 CT，經由由有機材料所構成的保護膜PSV2而位在不同的 層時，則由將在作白顯示時之汲極驅動器的輸出電壓的振 幅設在單側7.5 V以下，可以進行液晶顯示。 (實施例7 〇 )

又，在正常黑模式的構成下，當畫素電極PX與基準 電極CT，經由由有機材料所構成的保護膜PSV2而位於不 同的層時，則設定D、W、△ ε以使上述式（4 )較1 5 V爲 小，更者，則進行所謂的共用（common )反轉，藉由將 在作白顯示時之汲極驅動器之輸出電壓的振幅設成單側 7.5 V以下，可以進行液晶顯示。 而此是因爲根據共用反轉驅動’則可將得到相同之液 晶驅動電壓之必要之驅動器的輸出電壓大約減半。

(實施例7 1 ) 又，在正常黑模式的構成下’當畫素電極PX與基準 電極C 丁，經由由有機材料所構成的保護膜p s v 2而位於不 同的層時，則設定D · W · △ ε以及使上述式（4 )較7 · 5 V爲 小。更者，藉由則將在作白顯示時之汲極驅動器之輸出電 壓的振幅設成單側7·5 V以下’可以進行液晶顯示。 (實施例72 ) -57- (55) (55)200422731 又’在正常黑模式的構成中，當畫素電極PX與基板 電極c T，經由由有機材料所構成的保護膜p s V 2而位於不 同的層時，藉由將影像信號的電壓最大振幅設定在對將上 述液晶層之相對透過率設成90%爲必要之電壓以下，當上 述式（4 )較9.3 7 5 V爲小時，則將在作白顯示時之汲極驅 動器之輸出電壓的振幅設成單側7 · 5 V以下，可以進行液晶 顯示。 在正常黑模式下，由於在Vmax附近，B - V的曲線會 變得和緩，相對於得到透過率1 〇 〇 %所需要的電壓，則要 得到透過率90%所需要的電壓，則只需要其80%即可。 (實施例73 ) 又，在正常黑模式的構成下，當畫素電極PX與基準 電極CT，經由由有機材料所構成的保護膜PSV2而位於不 同的層時，則進所謂的共用反轉，藉由將影像信號的電壓 最大振幅設定在對將上述液晶層之相對透過率設成90 %所 需要的電壓以下，當上述式（4 )較1 8.7 5 V爲小時，則將 在作白顯示時之汲極驅動器的輸出電壓的振幅設在7 · 5 V以 下，可以進行液晶顯示。 (實施例74 ) 在正常黑模式的構成下，當畫素電極PX與基準電極 CT，經由由有機材料所構成的保護膜PSV2而位於不同的 層時，藉著將在作白顯示時之驅動器之輸出電壓的振幅設 -58- (56) (56)200422731 成單側5 V以下，可以解決汲極驅動器的發熱問題。 (實施例7 5 ) 又’在正常黑模式的構成下，當畫素電極PX與基準 電極ct ’經由由有機材料所構成的保護膜PSV2而位於不 同的層時’則進行所謂的共用反轉，藉由將在作白顯示時 之汲極驅動器之輸出電壓的振幅設成單側5 V以下，且設 定D、W、△ ε以使上述式（4 )較1 0 V爲小，而能夠解決 驅動器發熱的問題。 (實施例76 ) 又，在正常黑模式的構成中，當晝素電極ΡΧ與基準 電極CT，經由由.有機材料所構成的保護膜PSV2而位於不 同的層時，藉由將影像信號的電壓最大振幅設定在對將上 述液晶層之相對透過率設成90 %所需要的電壓以下，當上 述式（4 )較6 · 2 5爲小時，則將在作白顯示時之汲極驅動 器之輸出電壓的振幅設成單側5 V以下’而能夠解決驅動 器發熱的問題。 (實施例7 7 ) 又，在正常黑模式的構成下，當畫素電極ΡΧ與基準 電極CT，經由由有機材料所構成的保護膜PSV2而位於不 同的層時，進行所謂的共用反轉，藉由將影像信號的電壓 最大振幅設定在對將上述液晶層之相對透過率設成90 %所 >59- (57) (57)200422731 需要的電壓以下，當上述式（4 )較1 2 · 5爲小時，則將在 作白顯示時之汲極驅動器之輸出電壓的振幅設成單側5V 以下，而能夠解決驅動器發熱的問題。 由以上說明書中可知，根據本發明之液晶顯示裝置， 可以得到能夠抑制在驅動器附近之液晶之局部溫度上昇程 度之液晶顯不裝置。 又，可以得到能抑制應力傳達到驅動器之基板的液晶 顯示裝置。 又，可以得到在驅動器附近之顯示面能夠抑制對位偏 移情形的液晶顯示裝置。 又，可以得到能夠提高數値孔徑的液晶顯示裝置。 更者，可以得到能夠縮小所謂之額緣的液晶顯示裝置 【圖式簡單說明】 圖1爲表不貫施例之液日日福不裝置之一實施例的說明 圖，係表示在正常黑模式下之液晶驅動電壓與相對輝度之 關係的說明圖。 圖2爲表示本發明之液晶顯示裝置之一實施例的整體 構成圖。 圖3爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之一實施例的平 面圖。 圖4爲圖3之IV - IV線的斷面圖。 圖5爲圖3之V — V線的斷面圖。 -60- (58) (58)200422731 圖6爲表示正常白模式下之液晶驅動電壓與相對輝度 之關係的說明圖。 圖7爲以與時間的關係來表示在共通（comm〇n )反轉 中之畫素電極與基準電極之之電壓値的說明圖。 圖8爲以與時間的關係來表示在共通電壓爲一定下之 畫素電極與基準電極之之電壓値的說明圖。 圖9爲表示在傳遞到信號線時發生信號失真情形的說 明圖。 圖1 〇爲表示被連接到信號線之驅動器（閘極驅動IC、 汲極驅動1C )以及其附近之構成的側面圖。 圖1 1爲表示在液晶顯示裝置的顯示領域中，在接近於 驅動器的部分發生變色情形的說明圖。 圖1 2爲被配置在液晶顯示裝置之經由液晶而被對向配 置之各基板之間之支柱的一實施例的構成圖。 圖1 3爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施例的 構成圖。 圖1 4爲表示被形成在本發明之液晶顯示裝置之基準電 極之一實施例的平面圖。 圖15爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施 例的構成圖。 圖丨6爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施 例的構成圖。 圖1 7爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施 例的構成圖。 •61 - (59) (59)200422731 W18爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施 例的構成圖。 ffll 9爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施 例的構成圖。 匱I 20爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施 例的構成圖。 爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施 例的構成圖。 φ 匱1 2 2爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施 例的構成圖。 匱i 23爲表示在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形成 之貫通孔之〜實施例的斷面圖。 圖24爲表示在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形成 之貫通孔之其他實施例之斷面圖。 圖25爲表示在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形成 之貫通孔之其他實施例之斷面圖。 # 圖26爲表示在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形成 之貫通孔之其他實施例之斷面圖。 圖27爲表示在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形$ 之貫通孔之配置的實施例的斷面圖。 圖28爲表示在本發明之液晶顯示裝置之畫素內 之貫通孔之配置的實施例的斷面圖。 圖29爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其ί也胃^ 例的構成圖。 -62- (60) 200422731 I他實施 圖3 0爲表示本發明之液晶顯示裝置之衋素之/、 例的構成圖。 j 他·實施 圖31爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之/、 例的構成圖。 + #彳也實施 圖3 2爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之/、 例的構成圖。

#今：g：他實施 圖3 3爲表示本發明之液晶顯示裝置之賓素Z /、 例的構成圖。 _ #夕其他實方桓 圖34爲表示本發明之液晶顯示裝置之賓素 / 例的構成圖。 長 晏 圖3 5爲圖34之35 — 35線的斷面圖。 _的圖 圖3 6爲本發明之液晶顯示裝置之其他實細仍 一對應於圖3 5的圖。 圖3 7是本發明之液晶顯示裝置之其他 實施例的圖 一對應於圖3 5的圖。 圖3 8爲本發明之液晶顯示裝置之畫素 之其他實施―

之其他實施例的 之其他實施例的 之其他實施例的 構成圖。 圖3 9爲本發明之液晶顯示裝置之畫素 構成圖。 圖40爲本發明之液晶顯示裝置之畫素 構成圖。 圖4 1爲本發明之液晶顯示裝置之畫素 構成圖。 圖42爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施例的 -63- (61) (61)200422731 構成圖。 ® 43爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的構 成ffl ’爲一表示各基準電壓信號線之拉出部的平面圖。 W 44爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的構 成II ’爲一表示各基準電壓信號線之拉出部的斷面圖。 Η 4 5爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的構 成Η ’爲一表示各基準電壓信號線之拉出部的斷面圖。 ffl 46爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的構 成圖’爲一表示各基準電壓信號線之拉出部的斷面圖。 ® 47爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的構 成Η ’爲一表示各基準電壓信號線之拉出部的斷面圖。 II 48係表本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的構成 匱I ’爲一表示驅動器之安裝部之附近的平面圖。 圖4 9係表本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的構成 圖’爲一表示驅動器之安裝部之附近的平面圖。 圖5 0係表示液晶內之離子性殘像的現象以及離子性殘 像強度的說明圖。 圖5 1係表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的構 成圖。 圖5 2係表示在圖51的構成中，表示針對電極之絕緣膜 之埋入程度與在該電極附近之漏光程度之關係的說明圖。 圖5 3係表示液晶的介電率異方性畫素電極與基準電極 的間隔、與電極間電壓Vmax之關係的說明圖。 圖54係表示由液晶之介電率異方性=1 0的有機材料所 -64- (62) 200422731 構成之保護膜的膜厚、畫素電極與基準電極的間隔、與 Vmax之關係的說明圖。 圖55係表示由液晶之介電率異方性=Μ.5的有機材料 所構成之保護膜的膜厚、畫素電極與基準電極的間隔、與 V m a X之關係的說明圖。 圖5 6爲表示在本發明之液晶顯示裝置中所使用之液晶 中所含之液晶之一實施例的化學構造式。 圖5 7爲表示在本發明之液晶顯示裝置中所使用之液晶 中所含之液晶之一實施例的化學構造式。 圖5 8係表示本發明之液晶顯示裝置之驅動器之安裝領 域之附近的平面圖。 主要元件對照表 2 畫 素 5 閘 極 驅 動 電 路 6 汲 極 驅 動 電 路 10 印 刷 基 板 11 電 源 電 路 12 控 制 電 路 15 閘 極 電 路 基 板 1 6A 汲 極 電 路 基 板 1 6B 汲 極 電 路 基 板 18 連 接 部

19A 、 ]9B 連接部 (63)200422731 22 影 像 信 號 源 23 電 纜 35 金 屬 層 45 延 伸 部 46 延 伸 部 48 連 接 部 AS 半 導 體 層 PX 畫 素 電 極 SD2 源 極 BM 里 ✓ 1 »、 色 矩 陣 FIL 濾 色 器 OC 平 坦 膜 PS V 1 保 護 膜 TH 貫 通 孔 PS V2 保 護 膜 CADD 電 容 元 件 PNL 液 晶 顯 示 面板 SUB 1 透 明 基 板 SUB2 透 明 基 板 GL 閘 極 信 號 線 GI 絕 緣 膜 DL 汲 極 信 號 線 CT 基 準 電 極 C st g 保 持 電 容 -66 ~

Claims (1)

1. (1) (1)200422731 拾、申請專利範圍 1 · 一種液晶顯示裝置，其特徵在於： 在經由液晶而被對向配置之各基板中，在其中一個基 板之液晶側的面的各畫素領域，則備有：根據來自閘極信 號線之掃描信號而動作的開關元件，經由開關元件，而被 供給有來自汲極信號線之影像信號的畫素電極、以及在與 該畫素電極之間產生電場的基準電極， 從上述其中一個基板側開始，則分別在不同的層形成 閘極信號線、晝素電極、基準電極，上述畫素電極的延伸 部’則除了經由第1絕緣膜，而與閘極信號線之一部分呈 重疊外，也經由第2絕緣膜，也被重疊在上述基準電極的 延伸部’且上述基準電極的延伸部則成爲一用於覆蓋閘極 伯5虎線的部分。 2 .如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，第2絕緣 膜是由無機材料與有機材料的依序積層體所構成。 3 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，畫素電極 延伸部之與閘極信號線的重疊面積則被設定成較畫素電極 延伸郃之與基準電極延伸部的重疊面積爲小。 4 ·如申請專利範圍第〗項之液晶顯示裝置，畫素電極 延伸部之與閘極信號線的電容，則被設定成較畫素電極延 伸部之與基準電極的延伸部的電容爲小。 5 ·如申請專利範圍第丨項之液晶顯示裝置，畫素電極 延伸部係由與其他的畫素電極的連接部，以及與閘極信號 線之一部分重疊的部分所構成。 -67- (2) (2)200422731 6 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，在與閘極 信號線的同一層形成基準信號線，基準信號線，則經由被 形成在第1絕緣膜以及第2絕緣膜的貫通孔，而被連接到基 準電極。 7 · —種液晶顯示裝置，其特徵在於： 在經由液晶而被對向配置之各基板中，在其中一個基 板之液晶側的面的各畫素領域，則備有··根據來自閘極信 號線之掃描信號而動作的開關元件，經由開關元件，而被 供給有來自汲極信號線之影像信號的畫素電極、以及在與 該畫素電極之間產生電場的基準電極， 該畫素電極與基準電極，則分別如使其間之電場的方 向不同般地在其延伸方向具有彎曲部：， 而從上述其中一個基板側開始，分別在不同的層形成 閘極信號線、畫素電極、基準電極， 上述畫素電極的延伸部除了經由第1絕緣膜，而與閘 極信號線的一部分重疊外，也經由第2絕緣膜被重疊在上 述基準電極的延伸部，且上述基準電極的延伸部成爲用於 覆蓋閘極信號線的部份。 8 ·如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，基準信號 線係被形成在閘極信號線的同一層，該基準信號線，則經 由被形成在第2絕緣膜以及第1絕緣膜的貫通孔，而被連接 到基準電極。 9 .如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，基準電極 則重疊在汲極信號線上被形成，汲極信號線對應於被形成 -68- (3) (3)200422731 在該基準電極的彎曲部而形成有彎曲部。 1 0 .如申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，基準信 號線被形成在閘極信號線的同一層，該基準信號線，則經 由被形成在第1絕緣膜以及第2絕緣膜的貫通孔，而被連接 到基準電極。

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