TWI294560B - Exposure apparatus and device fabrication method using the same - Google Patents
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1294560 (1) 玖、發明說明 本申請案主張基於2002年4月26日提出之曰本專利 申請案第2002- 1 27343號及在2003年3月16日提出之 2003-73637之優先權，它們在此全部以引用的方式倂入 本文中，宛如在此完全提出者。 【發明所屬技術領域】 本發明大致有關曝光設備及裝置製造方法，及更特別 有關一種用於微影鈾刻製程之超紫外線（、、EU V 〃 ）曝光 設備’用以製造各種裝置，例如半導體裝置，諸如IC s及 LSIs、液晶裝置、諸如CCDS之影像收集裝置、及磁頭。 【先前技術】 隨著近來對越小及較低輪廓電子裝置之需求，已漸增 地需要將更細微之半導體裝置安裝於這些電子裝置上。傳 統上’ 一用於製造半導體裝置之微影蝕刻方法已使用一種 使用紫外線（'、U V 〃 ）之縮小投影曝光，但可於該縮小 投影曝光中轉移之最小臨界尺寸係與用於傳送之光波長成 比例’且與一投影光學系統之數値孔徑（、、NA 〃）成反 比。爲了傳送更細微之電路圖案，一用過曝光光線之波長 已由一 i-線水銀燈（具有3 65奈米之波長）縮短至氟化氪 (KrF)準分子雷射（具有248奈米之波長）及氟化氬（ ArF )準分子雷射（具有約193奈米之波長）。 然而’當該半導體裝置已迅速地變得更細微時，使用 -6- 1294560 (2) 該UV光之微影蝕刻術具有一有限之解析度。據此，爲了 有效印製一在0.1微米下之極細電路圖案，已經開發出一 使用具有10及15奈米間之波長之EUV光之投影曝光裝 置，該波長係比該UV光之波長遠較小。 該EUV光源譬如使用一雷射電漿光源。其使用雅各 (YAG )雷射等，以照射一高度增強之脈衝雷射光束至一 放在真空室中之目標材料，如此產生用作EUV光之高溫 電漿，並具有由此放射之約1 3.5奈米波長。該目標材料 可使用一金屬薄膜、惰氣、及小點滴等，且藉著氣體噴射 機構及其它機構供給至該真空室。該脈衝雷射之較高重複 頻率、例如典型數千赫之重複頻率係更佳用於該EUV光 之增加平均強度。 日本專利公開案第 5-217856、 8-236292、 11-40479 號及美國專利第5,3 3 5,25 8號教導當作目標材料之固體材 料之使用，而美國專利第5,459,77 1號教導當作目標材料 之小點滴之使用。 曰本專利公開案第 2003-43 1 96 (對應於美國專利公 開案第 2002/0162975 A1 號）、2000-110709、 2002-8 89 1及2000-3468 1 7號教導一自轉鏡片之拋物面之 使用，其當作一用於凝聚由所產生電漿所放射EUV光之 鏡片，而日本專利公開案第2000-9 1 209 (對應於美國專 利第6,266,3 89號）及200 1 -332489號教導一橢圓形鏡片 之使用。 當照射該目標時，具有高強度之脈衝雷射光束產生所 1294560 (3) 謂碎片之飄浮微粒以及該EUV光。當黏著至一光學元件 時，該碎片造成汙染、損害及降低之反射比，且如此傳統 上已提出碎片移除機構，以防止該碎片由該目標抵達一光 學元件。譬如，當作一示範之碎片移除機構，一碎片過濾 器係由鉬、鈹、锆等製成，且至該EUV光之透射比係設 定於百分之50及百分之70之間。 爲更易於預防碎片進入該照明光學系統，其較佳的是 該EUV光之聚光鏡片使用一橢圓形鏡片，該橢圓形鏡片 具有出現電漿之焦點，及用於聚光之另一焦點，以及使該 光源及該照明系統間之路徑實質上變窄。 原則上，該HUV光係由該電漿等方性地放射，及如 此當一橢圓形聚光器反射鏡之覆蓋角係製成更大時可有效 率地凝聚。 使用該EUV光照明一目標區域之照明光學系統係安 排在該EUV光之放射點下方，且該習知曝光裝置安排一 雷射光源，使得該激發雷射之一光學軸與入射於該照明光 學系統中弟一鏡片上之EUV光之光學軸一'致。 由於震動及機械變形，該激發雷射可能完全或局部偏 離該目標。由於異於該激發雷射及該目標間之位置偏移之 成因’該激發雷射可完全或局部橫越該放射點。當橫越該 放射點之激發雷射直直往前及抵達該照明光學系統時，其 使該第一及隨後之鏡片熱變形或使該鏡片上之多層熱破壞 ，降低該解析度及阻礙高品質之曝光。鏡片之修理及替換 將顯著地降低該設備之工作效率，因爲該照明及投影光學 -8- (4) ' 0 1294560 系統係坐落在一真空室中。其可以想到的是大幅縮減該雷 射光束之直徑，使得該激發雷射甚至當其稍微偏移時仍可 落在該目標內，但該不宜地是減少該EUV光之功率及降 二 低該產量。 ： 上面之碎片過濾器對該EUV光具有於大約百分之50 及百分之70間之透射比，但對一來自雅各雷射之雷射光 束之透射比大約百分之1 〇〇。因此。該習知碎片過濾器已 不足以屏蔽該直直往前超出該EUV放射點之雷射光束。 鲁 另一習知曝光設備安排該雷射光源，使得入射於該照 明光學系統中第一鏡片上之EUV光之光軸不會與該激發 雷射之光軸一致。然而，此曝光裝置限制該聚光器反射鏡 之覆蓋角，以便維持該激發雷射至該目標之引導空間，及 不會有充分高之EUV光放射效率。 該先前技藝未教導該橢圓形聚光器反射鏡之一大覆蓋 角、該激發雷射入射於一目標上及離開該目標之方向、或 該激發雷射及包含該橢圓形鏡片之照明系統間之干涉。 鲁 【發明內容】 · 據此，本發明之一示範目的是提供一種曝光設備及用 > 其製造裝置的方法，該設備使用一橢圓形鏡片當作一聚光 器反射鏡，以將該EUV光凝聚成一點，增加其覆蓋角或 尺寸，及防止直直往前超出一目標之雷射光束損及包括用 於高品質曝光之橢圓形鏡片之光學元件，而不會降低該產 -9- (5) , 1294560 雜 根據本發明一論點之曝光設備包含一使用該照明光照 明一形成欲傳送圖案之反射光柵之照明光學系統，其照射 激發雷射於一目標上，及由所產生之電漿產生一光源，用 1 於產生一超紫外線範圍或一 X射線範圍之照明光，該照明 ： 光學系統包含最接近該光源之第一鏡片、一用於在該照明 光學系統中之第一鏡片前面凝聚該照明光之橢圓形鏡片； 及一投影光學系統，其縮小及投射該反射光柵上所反射之 圖案至一欲曝光之目標上，其中在該激發雷射之光軸方向 鲁 前進至超出一藉著該激發雷射產生該電漿之位置處，光線 不會與包含該照明及投影光學系統、及該橢圓形鏡片之曝 光設備中零組件干涉。 該激發雷射之一光軸可由進入該照明光學系統中第一 < 鏡片之照明光之一光軸方向偏移。 入射於該目標上之激發雷射及離開該目標之激發雷射 可通過設於該橢圓形鏡片中之通道部份。入射於該目標上 之激發雷射可通過設於該橢圓形鏡片中之通道部份，且離 鲁 開該目標之激發雷射可通過該橢圓形鏡片之一開口，該照 明光即通過該開口。離開該目標之激發雷射可通過該橢圓 形鏡片中之通道部份，且入射於該目標上之激發雷射可通 ， 過該橢圓形鏡片之一開口，該照明光即通過該開口。 該曝光設備尙可包含一用於相對於該照明光之光軸方 向三維地傾斜該激發雷射之光軸方向之機制。該曝光設備 尙可包含一遮光構件，其防止該激發雷射超出該目標抵達 該照明光學系統。該曝光設備尙可包含一碎片移除構件， -10- 1294 1294
民國96年10月25日修正 1109249號專利申請案 ，明書修正頁
年月二…^ 射點所產生之碎片抵達該照明光學系統 Q§> ^ 該曝光設備尙可包含一遮光構件，其防止該激發雷射超出 該目標抵達該照明光學系統’該遮光構件對該激發雷射具 有約百分之1 0或更少之透射比；及一碎片移除構件，其 防止在電漿放射點所產生之碎片抵達該照明光學系統，該 碎片移除構件對該激發雷射具有大約百分之90或更高之 透射比。該遮光構件可包含一金屬構件及一在該金屬構件 上之增透塗層（抗反射塗層；antireflective)。 當由來自入射於該第一鏡片上之照明光光軸方向之光 源至該激發雷射之光軸方向觀看時，可決定該激發雷射之 一光軸相對該照明光之光軸方向之角度，使得來自該激發 雷射而持續進行超出該光源之光線不會照射於該曝光設備 中之最外邊元件。該曝光設備尙可包含一用於冷卻該遮光 構件之冷卻機制。該遮光構件可位於一收容該照明及投影 光學系統之室外側。讓該照明光通過之橢圓形鏡片之一開 口可能於該照明光之一光軸方向中比該激發雷射之一聚光 點ίιι於更靠近該第一鏡片處。 本發明另一論點之曝光設備包含一使用該照明光照明 一形成圖案之反射光柵之照明光學系統，其照射激發雷射 至一目標上，及由所產生之電漿產生一光源，用於產生一 超紫外線範圍或一 X射線範圍之照明光，該照明光學系統 包含最接近該光源之第一鏡片、一用於引導該照明光至該 照明光學系統中之第一鏡片之聚光鏡片；及一投影光學系 統，其縮小及投射該反射光柵上所反射之圖案至一欲曝光 -11 - 1294560 (7) 之目標上，其中該照明光通過之聚光鏡片之開口係位於比 該照明光之光軸方向中激發雷射之一聚光點更靠近該第一 鏡片’且其中在該激發雷射之光軸方向前進至超出一藉著 該激發雷射產生該電漿之位置處，光線不會與包含該照明 及投影光學系統、及該聚光鏡片之曝光設備中零組件干涉 。該聚光鏡片可爲一橢圓形鏡片。 本發明又另一論點之裝置製造方法包含使用上面之曝 光設備曝光一物體，及施行一用於該曝光物體之預定製程 之步驟。要求一用於施行類似於上面曝光設備之操作之裝 置製造方法涵蓋當作中間及最後產物之裝置。此裝置包含 類似一 LSI及VLSI之半導體晶片、CCDs、LCDs、磁性 傳感器、薄膜磁頭等。 本發明之其它目的及進一步特色將參考所附圖面由以 下較佳具體實施例之敘述而輕易地變得明顯。 【實施方式】 · 第一具體實施例 現在將參考圖1敘述根據本發明第一具體實施例之一 - EUV曝光設備。圖1係該EUV曝光設備之一槪要平面圖 ， 。本發明之曝光設備係一種使用EUV光當作用於掃瞄式 曝光之曝光光線之曝光設備，該EUV光之波長係於10及 1 5奈米之間，並小於該UV光之波長（例如具有1 3.5奈 米之波長）。 參考圖1，該曝光設備包括一雷射電漿光源部件、一 -12- 1294560 (8) 照明光學系統1 2 0、一反射光柵或光罩（這些名稱可交替 地用於本申請案中）1 2 1、一投影光學系統！ 22、一光柵 鏡台124、一晶圓123、及一晶圓鏡台125，且於該真空 ·· 室1 9 0中調節該照明光學系統1 2 0至該晶圓鏡台1 2 5。 - 本具體實施例之雷射電漿光源由一雷射光源1 〇 〇經過 聚光器光學系統1 〇 2將高度增強之脈衝雷射光束1 〇 !照射 至一在聚光點1 〇 3藉著容納於真空室1 8 0中之目標供給系 統1 0 5所供給之目標1 0 4，如此產生由其放射出而具有大 · 約1 3.5奈米波長且用作EUV光線之高溫電漿。更特別地 是，該雷射電漿光源將高強度激發脈衝雷射1 0 1照射於該 目標1 04上，及於一高溫電漿狀態中激發該目標1 〇4。該 聚光鏡片108凝聚來自由紅外線至UV光及EUV光範圍 光波中之EUV光，以便使用該EUV光當作曝光光線。 如上所述，爲了易於預防隨著該EUV光產生之碎片 進入該照明光學系統，其較佳的是該EUV光之聚光鏡片 使用一橢圓形鏡片，該鏡片具有一發生電漿之焦點，及用 · 於聚光之另一焦點，且使該光源及該照明光系統間之路徑 實質地變窄。 - 此外，對於該EUV光之想要功率及該曝光設備之增 . 強生產力或產量，由該電漿所放射之EUV光應有效率地 凝聚。這是藉著以一大覆蓋立體角凝聚所放射之EUV光 而達成，且此目的需要一大聚光鏡片。 該脈衝雷射光束1 01係源自例如銨：雅各雷射、準分 子雷射等。該真空室1 8 0維持一用於對空氣具有小透射比 -13- 1294560 (9) 之EUV光之真空大氣環境。該脈衝雷射光束101係經過 一設於該真空室180中之窗口 112凝聚在該凝聚位置103 。最好’該窗口 112係由對該脈衝雷射光束101具有大透 射比之石英等製成。 該目標104依該EUV光所產生之波長而定，及可使 用諸如銅、鋰、及鋅之金屬薄膜、諸如氙氣之惰性氣體、 及小點滴等，且由該目標供給系統1 05所供給，諸如氣體 噴射進入該真空室180。在其中，氙氣係一當作該目標 104之有力候選物，其理由包含以該EUV光所產生且將 不利地污染其它照明系統之碎片、由該激發脈衝雷射1 0 1 至該EUV光106之轉換效率、及該目標104之處理便利 性。提供一目標回復系統1 07以恢復該目標1 04，因爲所 有供給之目標1 04係未必促成該電漿之產生。 參考圖5，將敘述一當作該目標1 04之氙氣供給至該 凝聚位置103之方法。於圖5A中，一噴嘴505噴射氙氣 5 04，且當該高溫電漿冷卻時該凝聚之脈衝雷射光束501 在一聚光點5 03產生EUV光5 06。於圖5B中，一噴嘴 515噴射像一桿棒般之氙氣液體514，且當該高溫電漿冷 卻時該凝聚之脈衝雷射光束501同樣在一聚光點503產生 EUV光506。於圖5C中，一噴嘴525在同步控制下滴下 氤氣小點滴5 2 4，以致當該氣氣小點滴5 2 4抵達該放射點 5 03時，該脈衝雷射光束501抵達該放射點5 03。其結果 是當該高溫電漿冷卻時發生該EUV光506。 大致上，用於增強由該脈衝雷射至該EUV光之轉換 -14- 1294560 (10) 效率應該要增加該氙氣密度，且圖5B及5C中所示之液 體形式係一比圖5A中所示氣體形式更佳之供給方法。雖 然如此，即使該氙氣液體由該脈衝雷射光束1 0 1至該 EUV光106產生最多稍微超過百分之1之轉換效率。對 於改良之生產力或產量，一 EUV光源係需要產生具有50 至150瓦功率之EUV光。因此。激發該電漿之脈衝雷射 需要如5至1 5千瓦之此大功率。 該目標供給系統1 0 5係坐落在該真空室1 8 0中。該雷 射光源1 〇〇係此一種具有5至1 5千瓦等級之大輸出、及 安裝在一不同於該真空室180之支撐齒條（未示出）上之 大單元。這需要由該雷射光源1 〇〇所放射之脈衝雷射光束 1 〇 1及該氙氣目標系統1 04間之高對齊準確性，及該脈衝 雷射501之放射定時及圖5C中所示目標供給系統中液體 目標524之滴下定時之間之精密同步控制。 該對齊可提供譬如一對該雷射光源1 〇〇及該真空室 1 80之干擾儀系統1 40，及檢測一於它們間之位置偏移。 該脈衝雷射1〇〇及該目標104間位置之精確對齊可藉著使 用一驅動器（未示出）所達成，以驅動一用於控制該雷射 光源或該脈衝雷射光束101之位置之光學元件（未示出） 0 然而，該干擾儀系統1 40不會測量該脈衝雷射光束 101在該聚光點103之位置及該目標104在該聚光點103 之位置，且如此其難以在該聚光點1 03正確地對齊該脈衝 雷射光束101與該目標104。因此，該震動、機械變形等 -15· 1294560 (11) 於它們之間產生一位置偏移。 圖6顯示當由一箭頭方向所視時，於圖5 B所示目標 供給系統中一脈衝雷射光束601及一目標604間之關係。 沒有位置偏移，脈衝雷射光束60 1之中心及該棒形目標 6 0 4之中心彼此一致，如圖6 A所示。具有輕微之位置偏 移，該脈衝雷射光束601局部照射該目標604，如圖6B 所示。有大幅位置偏移，該脈衝雷射光束6 0 1未照射該目 標6 04，如圖6C所示。 同理，圖7顯示當由一箭頭方向所視時，於圖5 C所 示目標供給系統中一脈衝雷射光束701及一目標7〇4間之 關係。沒有位置偏移，脈衝雷射光束7 0 1之中心及該液體 目標704之中心彼此一致，如圖7A所示。具有輕微之位 置偏移，該脈衝雷射光束701局部照射該目標704，如圖 7B所示。有大幅位置偏移，該脈衝雷射光束701未照射 該目標704，如圖7C所示。 於圖6B及7B中，未照射該目標604及704之脈衝 雷射光束601及701部份通過該聚光點。同理’於圖6C 及7C中，所有脈衝雷射光束601及701通過該聚光點。 如此，於該脈衝雷射光束101之光軸與該EUV光 1 06之光軸一致之習知架構中，該EUV光在該聚光點1〇3 產生及入射於該第一鏡片131上，當該橢圓形聚光纟見片 108具有一較大之覆蓋角或尺寸以凝聚該EUV光時’已 凝聚之EUV光係放射朝向該橢圓形聚光鏡片之開口。該 凝聚之脈衝雷射光束不會直接照射該橢圓形聚光鏡片’但 -16- 1294560 (12) 直接照射該第一鏡片1 3 1。 例如，假設該脈衝雷射光束係源自具有1，〇 64奈米波 長之銨：雅各雷射，且該鏡片131形成鉬及矽之多層片以 反射該EUV光。然後，該多層片對1，〇64奈米波長之反 射比最多係大約百分之3 0，且大部份光線係被吸收及轉 換成熱量。於此案例中，該脈衝雷射光束不會凝聚在該第 一鏡片1 3 1上，但該脈衝雷射光束具有諸如大約5至1 5 千瓦之高輸出及將一相當可觀數量之熱注入該第一鏡片 131。因此，該第一鏡片131變成在高溫，且造成該多層 片之熱變形及變質。該第一鏡片1 3 1之成像性能因此變成 太惡化，以致不能提供高品質之曝光，且應該要更換。既 然該鏡片131係坐落在該真空室190中，此替換操作需要 一次釋放至該大氣壓力、該第一鏡片131之替換及調整、 及再次抽真空。既然該照明光及投影光學系統120及122 係精密之光學系統，該調整有時係不限於該第一鏡片1 3 1 ，但該照明光及投影光學系統120及122應係重新調整， 而延長該設備之機器停止生產的時間。上文討論脈衝雷射 光束直接進入之第一鏡片131，但該隨後之鏡片亦可能由 於源自多層片之溫度上昇及變質之熱變形而被補充，雖然 該注入之熱量係比該第一鏡片1 3 1較小。特別地是，該曝 光設備中之光學元件不具有高耐熱性，及輕易地受該脈衝 雷射光束之負面影響。 例如，該聚光鏡片1 0 8、該照明光學系統1 2 0、該反 射光柵121、及該投影光學系統122在一基板上形成數十 -17- 1294560 (13) 對由鉬及砂等製成之多層片，以便有效率地反射該EUV 光106’且其表面粗糙度係需要在該標準偏差之埃位數中 ’以防止該反射比降低。此外，除了該表面粗糙度之外， 該投影光學系統1 22中鏡片之形狀精確度係需要位於該標 準偏差之埃位數中，且該投影光學系統i 22應是一非常精 密之光學系統。當然，其對於諸如溫度等干擾應係穩定的 〇 在另一方面，爲了減輕該脈衝雷射光束1 〇 1及該目標 1 04間之可允許之對齊準確性，其盡可能造成可變之脈衝 雷射光束101之凝聚直徑。圖8A及8B顯示一案例中， 在此該脈衝雷射光束8 0 1及8 1 1係大於該目標8 04及8 1 4 。圖8A顯示圖5B所示噴嘴噴射棒形氙氣液體，及圖8B 顯示圖5C所示噴嘴噴射氙氣小點滴。既然該脈衝雷射光 束係大於兩案例中之目標，該脈衝雷射光束甚至於其間有 稍微位置偏移時仍可完全地照射該目標。然而，部份脈衝 雷射光束必定繼續前進而未照射該目標，且極可能損害該 裝置中之其它零組件，如上文討論者。 在另一方面，圖8C及8D顯示一案例，在此該脈衝 •雷射光束821及831係小於該目標824及8 34。圖8C顯 示圖5B所示噴嘴噴射棒形氤氣液體，及圖8D顯不圖5C 所示噴嘴噴射氙氣小點滴。既然該脈衝雷射光束係小於兩 案例中之目標，全部脈衝雷射光束可完全地照射該目標’ 甚至於它們之間具有稍微位置偏移及在此無與圖8A及8B 有關之問題。然而，其不易於增加該目標之尺寸，且一新 -18 - 1294560 (14) 的問題源自該EUV光之功率及如此藉著該脈衝雷射光束 8 2 1,8 3 1之凝聚直徑之減少數量減少該產量。 其係如此較佳的使該脈衝雷射光束之尺寸等於該目標 ： ，如圖5所示。 . 當然，於該習知架構中，在此該脈衝雷射光束1 〇 1之 光軸與在該放射點103產生及入射於該第一鏡片131上之 EUV光106之光軸一致，發生一預料不到之情況，其中 所有或部份脈衝雷射光束爲了異於它們間之位置偏移之理 φ 由通過該聚光點1 〇 3。例如，圖5 C所示目標供給系統可 能於該液體目標524及該脈衝雷射501之間具有不佳之同 步控制能力，且可於該脈衝雷射放射時期及該液體滴下時 期之間發生不一致。另一選擇係，由於目標供給系統本身 之故障而不供給該目標524。再者，甚至完全照射該目標 之部份脈衝雷射可能由於該脈衝雷射及該目標間之未相互 作用結果維持一直直往前之分量。任一案例將顯著不利地 影響該照明光及投影光學系統1 20及1 22，如上面所討論 · 者。 圖1所示本具體實施例藉著由該聚光點103產生及入 - 射於該第一鏡片131之EUV光106光軸方向109偏移雷 射光束101之光軸方向AA/、及藉著提供具有通道部份 之橢圓形聚光鏡片解決上面問題，入射於該目標上之脈衝 雷射光束通過該通道部份，該脈衝雷射光束經過該通道部 份延伸至該目標。170係意指用於相對該EUV光106之 光軸方向1 〇 9三維地傾斜該脈衝雷射光束1 0 1之光軸方向 -19- 1294560 (15) 。 ''三維〃一詞意指其包含譬如該光軸方向AA /未在與 圖1相同之紙章表面、例如垂直於圖1之紙章之案例。稍 後將參考圖9討論此一具體實施例。該脈衝雷射光束1 〇 1 之光軸方向係該脈衝雷射光束1 0 1入射於該目標1 04上之 方向。本具體實施例決定該方向AA /，以致超出該目標 1〇4之脈衝雷射光束101不會干涉其它零組件，諸如該照 明光學系統120、該投影光學系統122、該光柵鏡台124 、及該晶圓鏡台125。 該橢圓形聚光鏡片中之通道部份維持該脈衝雷射之一 光學路徑，以致該入射及離去脈衝雷射不會干涉該橢圓形 聚光鏡片。 圖1所示本具體實施例藉著由在該聚光點103產生及 入射於該第一鏡片131上之EUV光106光軸方向109偏 移該雷射光束101之光軸方向AA>達5度或更多之角度 以解決該問題。'' 5度〃係意指該雷射光束1 0 1之光軸方 向AA /相對該光軸方向1 09故意地傾斜者（亦即不是因 爲安裝時之誤差）。 本具體實施例於該EUV光106之光軸方向109中設 置一比該激發雷射101之聚光點103更靠近該第一鏡片 1 3 1側面之橢圓形聚光鏡片1 〇8之開口。 其較佳的是在該光軸AA /上安排一擋塊150，用於 屏蔽該脈衝雷射光束1 0 1之傳播及吸收該脈衝雷射光束 101。合適地是爲了避免在該擋塊150上反射結果之二次 照射，該擋塊1 50係由各種材料製成或具有一用於吸收該 -20- 1294560 (16) 脈衝雷射光束1 〇 1而不會反射該雷射光束l ο 1之形狀。既 然該脈衝雷射光束101具有此一大約5至15千瓦之大輸 出，且該擋塊1 50吸收大量之熱，其想要的是對該擋塊 150提供一冷卻機制。更特別地是，一通道151係提供環 繞著該擋塊1 50，以循環諸如液體及氣體之溫度調節流體 、與該流體進行熱交換、及將熱量排出該設備之外。 如此，藉著對齊該脈衝雷射光束1 0 1之光軸與該方向 AA /、提供具有使進入或離開該目標1 04之脈衝雷射光 束所通過之通道部份之橢圓形聚光鏡片108、及安排包含 一冷卻機制之擋塊1 50，該脈衝雷射光束1 〇 1不會照射或 損害其它零組件，包含該橢圓形聚光鏡片108、該第一鏡 片131、及其它零組件甚至當該脈衝雷射光束1〇1全然不 會照射該目標104或僅只照射部份目標1〇4時，或當該脈 衝雷射不與該目標互相作用且保持超出該目標時。其結果 是，可藉著避免替換及重新調整一顯著損壞零組件所導致 該設備之長機器停止生產時間而防止該設備之工作效率降 低，因爲其需要將真空室180及190釋壓至該大氣壓力、 零組件之替換及重新調整、及然後再次抽真空供回復。 此外，該通道能夠使該橢圓形鏡片變大。 已導入該真空室190之EUV光106經過該照明光學 系統1 2 0照明具有一預定圖案之反射光柵1 2 1。該照明光 學系統120具有傳播該EUV光及明亮該反射光柵121之 作用，且包含該第一鏡片131之複數鏡片、一光學積分器 、及一孔徑。該第一鏡片1 3 1大約等方性地聚集所放射之 -21 - 1294560 (17) EUV光。該光學積分器具有以一預定數値孔徑平均地照 射該反射光柵1 2 1之作用。該孔徑係設在一與該反射光柵 1 2 1成對之位置，及限制一區域以將該反射光柵1 2丨照明 成一弧形。 已在該反射光柵121上選擇性地反射之EUV光106 係縮小及投射於該晶圓1 23上，而該抗蝕劑已經過包含複 數鏡片之投影光學系統122塗在該晶圓123上。其結果是 ’該反射光柵121上之圖案係傳送至該晶圓123上。 該反射光柵1 2 1上之照明區域及該晶圓1 23上之投射 影像具有一相同像點之非常窄弧形，以便藉著抑制該投影 光學系統1 22之象差獲得一好影像。如此，本曝光設備採 用一種所謂之掃瞄曝光方法，其於曝光期間同步掃瞄該光 柵鏡台124及該晶圓鏡台125。 第二具體實施例 現在參考圖2，其將敘述根據本發明之第二具體實施 例。那些於圖2中與該圖1之對應元件相同之元件係標以 相同之參考數字，且將省略其敘述。於本具體實施例中， 該雷射光束101之光軸方向A A ’係由在該聚光點103產生 及入射於該第一鏡片131上之EUV光106之光軸方向 109偏置，以致該EUV光不會干涉其它包含該橢圓形聚 光鏡片1 08之零組件。特別地是已由該目標放射之脈衝雷 射係設計成可通過該橢圓形聚光鏡片中之開口，該凝聚之 EUV光線通過該開口。再者。該橢圓形聚光鏡片係配備 -22- 1294560 (18) 有該通道部份，進入該目標之脈衝雷射光束通過該通道部 份。於此案例中，於該橢圓形聚光鏡片中之通道部份之數 目係設定爲一，且有助於製造。 圖2所示本具體實施例藉著由在該聚光點103產生及 入射於該第一鏡片131上之EUV光106光軸方向109偏 移該雷射光束101之光軸方向AA>達5度或更多之角度 以解決該問題。'' 5度〃意指該雷射光束1 0 1之光軸方向 AA >相對該光軸方向1 〇9故意地傾斜者（亦即不是因爲 安裝時之誤差）。 本具體實施例於該EUV光106之光軸方向109中設 置一比該激發雷射101之聚光點103更靠近該第一鏡片 1 3 1側面之橢圓形聚光鏡片1 08之開口。 其較佳的是該通道部份之一直徑係在該開口直徑之1 / 2 0以下。 第三具體實施例 φ 參考圖3，其將敘述根據本發明之第三具體實施例。 此具體實施例使該雷射光源1 00於一與圖2方向相反之方 . 向中傾斜，且在該真空室160及190之外安排該擋塊150 。因此，該真空室180或190係設有一窗口 152，以運送 該脈衝雷射光束1 0 1。該窗口 1 5 2最好係由諸如石英等對 該脈衝雷射光束1 0 1具有高透射比之材料製成。既然該擋 塊1 5 0係安裝在空氣中，及如此由熱處理之觀點比該真空 環境更易於處理。 -23- 1294560 (19) 第四具體實施例 參考圖4，其將敘述根據本發明之第四具體實施例。 此具體實施例決疋該脈衝雷射至該目標之一*光軸，使得該 脈衝雷射光束經過該橢圓形聚光鏡片之開口抵達該目標 104，該凝聚之EUV光線通過該開口，且該橢圓形聚光鏡 片係設有該通道部份，離開該目標1 0 4之脈衝雷射光束通 過該通道部份。因此，類似於該第二具體實施例，該擋塊 150輕易地安排在該真空室180及190之外，且該脈衝雷 射光束超出該目標之一傳播方向係與其它包含該照明及投 影系統之零組件相反。有利地是可輕易地維持一用於配置 該擋塊之空間。 第五具體實施例 現在參考圖9，其將敘述根據本發明之第五具體實施 例。圖9詳細地顯示該真空室1 8 0之內側。本具體實施例 將該雷射光束101之光軸方向AA/安排成垂直於圖1之 紙章表面1。更特別地是，該脈衝雷射光束1 01係於圖 9A所示方向中導入至該聚光點1〇3，且該擋塊150係安 排超出該聚光點103。類似於圖1至4，該擋塊150係安 排在真空或大氣環境中。用於該EUV光之聚光鏡片1〇8 係一用於凝聚源自在該聚光點103所產生電漿之EUV光 之物鏡，且其形狀係在該聚光點103及109具有一焦點之 回轉橢圓面之一部份。既然其難以對此一具有如該回轉橢 -24 - 1294560 (20) 圓面之大曲率之特別形狀作精確地處理、測量、及覆以薄 膜，如圖9A所示，該聚光鏡片係譬如分成六個零件，以 便造成每一個零件有相當小之曲率。然後。這些零件係精 ： 確地處理、測量、及覆以薄膜，且然後組合它們，以便使 . 它們提供聚光鏡片1 〇8之功能。 如圖9A及9B所示，本具體實施例取代形成圖1至4 所示通道而經過當作該通道部份之間隙引導該脈衝雷射朝 向該目標，該間隙係在該橢圓形聚光鏡片之分開零件之間 φ ，且能夠使該脈衝雷射由該目標離開。同理可形成該目標 供給系統1 05及1 07，以致該雷射光束通過各零件間之間 隙。在此，圖9A係此具體實施例之一槪要透視圖，在此 該脈衝雷射光束101係垂直於圖1之紙章導入，且圖9B 係當由一箭頭方向觀看時圖9A之一槪要平面圖。 第六具體實施例 現在參考圖10，其將敘述根據本發明第六具體實施 · 例之一曝光設備。圖10係顯示一範例之槪要平面圖，其 中該脈衝雷射光101之光軸方向AA’與該EUV光之光軸 - 方向109 —致，且該擋塊150及碎片過濾器160係設於該 _ 光軸方向中。雅各雷射具有一大約100微米之光東直徑及 大約〇.〇1之數値孔徑。該碎片過濾器160可爲例如鉬、 鈹、鉻等之薄膜製成，且具有0.1至0.2微米之厚度，及 對該EUV光之透射比大約於百分之50及70之間，而對 雅各雷射大約百分之100。 -25- 1294560 (21) 該擋塊15〇包含一金屬構件及在該金屬構件上之增透 塗層，及具有一大約1〇至2〇奈米之厚度，且約10至20 笔米之尺寸。該尺寸係方便的，因爲其不會屏蔽該EUV 光106。亦可應用圖1〇所示之散光器。一三角形零件155 反射雷射、及多次反射之結果而吸收之。該擋塊1 5 0具有 一大約50x50x50毫米至大約ι00χ100χ100毫米之尺寸。 雖然此具體實施例形成該碎片過濾器丨60及該擋塊 1 5 0當作分開之構件，兩構件可整合在一起。該碎片過濾 器不限於一薄膜，及可應用其它形式。 第七具體實施例 現在參考圖U ·，其將敘述根據本發明第七具體實施 例之一曝光設備。圖1 1係顯示一範例之槪要平面圖，其 中該脈衝雷射光束101之光軸方向AA’與該EUV光之光 軸方向109 —致，且該擋塊157係設在該光軸方向109上 。如所討論者’雅各雷射具有一大約1 〇〇微米之光束直徑 及大約0 · 0 1之數値孔徑。該反射構件1 5 7係由具有高反 射比（例如百分之99或更高）之材料製成，諸如金、銀 及銅，及具有一大約10至20奈米之厚度，且約10至20 毫米之尺寸。該尺寸係方便的，因爲其不會屏蔽該EUV 光 106。 參考圖12及13，其將敘述一使用上面曝光設備之裝 置製造方法之具體實施例。圖12係一用於說明裝置之製 造之流程圖（亦即諸如1C及LSI之半導體晶片、LCDs、 -26- 1294560 (22) CCDs等）。在此’將敘述半導體晶片之製造當作一範例 。步驟1 (電路設計）設計一半導體裝置電路。步驟2 ( 反射光柵製作）形成一具有所設計電路圖案之反射光柵。 步驟3 (晶圓製備）使用諸如砂之材料製造一*晶圓。步驟 4 (晶圓處理），稱爲一前處理，經過微影術使用該反射 光柵及晶圓在該晶圓上形成實際電器迴路。步驟5 (組裝 )，亦稱爲一後處理，在步驟4中所形成晶圓上形成一半 導體晶片，及包含一組裝步驟（例如切割、接合）、封裝 步驟（晶片密封）等。步驟6 (檢測）對步驟5中所製成 之半導體裝置施行各種測試，諸如有效性測試及耐用性測 試。經過這些步驟，一半導體裝置係完成及裝運（步驟7 )° 圖1 3係圖1 2所示步驟4中晶圓處理之一詳細流程圖 。步驟1 1 (氧化作用）氧化該晶圓之表面。步驟12 ( CVD )在該晶圓之表面上形成一絕緣薄膜。步驟13 (電 極形成）在該晶圓上藉著蒸氣沈積等形成電極。步驟1 4 (離子植入）將離子植入該晶圓。步驟1 5 (抗蝕劑處理 )將一感光性材料塗至該晶圓上。步驟1 6 (曝光）使用 該曝光設備以將該反射光柵上之一電路圖案曝光在該晶圓 上。步驟1 7 (顯影）使已曝光之晶圓顯影。步驟1 8 (蝕 刻）鈾刻異於一已顯影抗蝕劑圖像之部份。步驟1 9 (抗 蝕劑剝除）在鈾刻之後移去廢棄之抗蝕劑。重複這些步驟 ’且多層之電路圖案係形成在該晶圓上。此具體實施例之 裝置製造方法可藉著抑制該投影光學系統中之光學元件之 -27- 1294560 (23) 表面形狀變化及改正該光學性能之惡化比 高品質之裝置。如此，使用該曝光設備之 當作已加工商品之裝置亦構成本發明之一 施例之裝置製造方法防止光學元件之熱變 該照明光學系統120中之橢圓形聚光鏡片 片131，而增加該橢圓形聚光鏡片之覆蓋 凝聚該EUV光，藉此具有高生產力地製 。如此，一使用該曝光設備之裝置製造方 構成本發明之一論點。 再者，本發明未受限於這些較佳具體 各種變化及修改，卻未脫離本發明之範圍 雖然本具體實施例對一凝聚該EUV 橢圓形，本發明未受限於該橢圓形鏡片之 聚光鏡片於該照明光學系統中之第一 _ EUV光即已足夠。 上面較佳之第一至第七具體實施例提 決定該激發雷射之一光軸方向，以致 直往前超出該目標時，該光線不會照射其 備中之橢圓形聚光鏡片及光學系統之零組 EUV光之橢圓形聚光鏡片係設有通道部· 離開該目標之激發雷射通過該通道部份。 發雷射且包含一冷卻機制之擋塊係設在該 外側。如此，甚至當該激發雷射繼續前進 可防止其它包含該橢圓形聚光鏡片之零組 習知裝置製造較 裝置製造方法及 論點。本具體實 形及損壞，諸如 1 〇 8及該第一鏡 角，以有效率地 造高品質之裝置 法及結果之裝置 實施例，且可作 〇 光之鏡片使用一 形狀。本發明之 i片前面凝聚該 供以下之效果： 當該激發雷射直 它包含該曝光設 件。用於凝聚該 份，進入及/或 屏蔽及吸收該激 真空室之內側或 超出該目標時， 件受損。 -28 - 1294560 (24) 此外，藉著避免替換及重新調整一顯著損壞零組件所 導致該設備之長機器停止生產時間而防止該設備之工作效 率降低，因爲其需要將真空室釋壓至該大氣壓力、替換及 重新調整該零組件、及然後再次抽真空供回復。 再者，既然該通道部份可避免上面之顯著損壞，及放 大該EUV光用橢圓形聚光鏡片之覆蓋角或尺寸，EUV光 之更多功率可供給至該晶圓。如此，該EUV光可有效率 地凝聚，且該曝光設備可具有改善之生產力及該曝光設備. 之產量。 工業應用性 如此，本發明決定該激發雷射之一光軸方向，以致當 該激發雷射直直往前超出該目標時，該光線不會照射其它 包含該曝光設備中之橢圓形聚光鏡片及光學系統之零組件 ’且甚至當該激發雷射繼續前進超出該目標時，防止其它 包含該橢圓形聚光鏡片之零組件受損。 【圖式簡單說明】 圖1係根據本發明第一具體實施例之曝光設備之一槪 要平面圖。 圖2係根據本發明第二具體實施例之曝光設備之一槪 要平面圖。 圖3係根據本發明第三具體實施例之曝光設備之一槪 要平面圖。 -29 - 1294560 (25) 圖4係根據本發明第四具體實施例之曝光設備之一槪 要平面圖。 圖5係一用於說明接近電漿光源之目標供給視圖。 圖6係用於說明一使用激發雷射以照射該目標之範例 槪要圖。 圖7係用於說明一使用激發雷射以照射該目標之另一 範例槪要圖。 圖8係用於說明一使用激發雷射以照射該目標之又另 一範例槪要圖。 圖9係根據本發明第五具體實施例之曝光設備之一槪 要平面圖。 圖10係根據本發明第六具體實施例之曝光設備之一 槪要平面圖。 圖1 1係根據本發明第七具體實施例之曝光設備之一 槪要平面圖。 圖1 2係一流程圖，用於說明一製造裝置（諸如IC S 、LSIs及類似之半導體晶片、LCDs、CCDs等）之方法。 圖1 3係圖1 2中所示晶圓製程之步驟4用之一詳細流 程圖。 主要元件對照表 100 雷射光源 101 脈衝雷射光束 102 聚光器光學系統 -30- 1294560 (26) 103 聚光點 104 目標 105 目標供給系統 106 EUV光 107 目標回復系統 108 聚光鏡片 109 光軸方向 112 窗口 ’ 120 照明光學系統 12 1 (反射）光柵 122 投影光學系統 123 晶圓 124 光柵鏡台 125 晶圓鏡台 13 1 第一鏡片 140 干擾儀系統 150 擋塊 15 1 通道 152 窗口 155 三角形零件 157 擋塊 160 碎片過濾器 170 三維傾斜方向 180 真空室
-31 - 1294560 (27) 190 真空室 5 0 1 脈衝雷射光束 5 03 聚光點 5 04 氙氣 5 05 噴嘴 506 EUV 光 5 14 氤氣液體 515 噴嘴 524 氣氣小點滴 52 5 噴嘴 601 脈衝雷射光束 604 目標 701 脈衝雷射光束 704 目標 801 脈衝雷射光束 804 目標 8 11 脈衝雷射光束 814 目標 821 脈衝雷射光束 824 目標 831 脈衝雷射光束 8 3 4 目標
Claims (1)
- 拾、申請專利範圍 第92 1 09249號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 6年10月25臼修正 1 . 一種曝光設備，其將激發雷射束照射在〜目標上 ’及由所產生之電漿產生一光源，用於產生一超紫外線範 圍或X射線範圍之照明光，該曝光設備包含： 一照明光學系統，其使用該照明光以照明一形成欲傳 送圖案之反射光柵，該照明光學系統包括最接近該光源之 第一鏡片； 一橢圓形鏡片，其用於將該照明光會聚在該照明光學 系統中之第一鏡片前面；及 一投影光學系統，其將已反射在該光柵上之圖案縮小 及投射至一欲曝光之目標上， 其中在該激發雷射束之光軸方向前進至超出一藉著該 激發雷射束產生該電漿之位置處，光線不會與包括該照明 及投影光學系統、及該橢圓形鏡片之該曝光設備中零組件 干涉， 其中離開該目標之激發雷射束通過在該橢圓形鏡片內 之通道部份，且入射於該目標上之激發雷射束通過該橢圓 形鏡片之一開口，該照明光即通過該開口，和 其中該曝光設備包含遮光構件，該遮光構件遮蔽通過 該橢圓形鏡片之開口的該激發雷射束。 2. —種曝光設備，其將激發雷射束照射在一目標上 1294560 ，及由所產生之電漿產生一光源，用於產生一超紫外線範 圍或X射線範圍之照明光，該曝光設備包含： 一照明光學系統，其使用該照明光以照明一形成欲傳 送圖案之反射光柵，該照明光學系統包括最接近該光源之 弟一 1¾片， 一橢圓形鏡片，其用於將該照明光會聚在該照明光學 系統中之第一鏡片前面；及 一投影光學系統，其將已反射在該光柵上之圖案縮小 及投射至一欲曝光之目標上， 其中在該激發雷射束之光軸方向前進至超出一藉著該 激發雷射束產生該電漿之位置處，光線不會與包括該照明 及投影光學系統、及該橢圓形鏡片之曝光設備中零組件干 涉，和 其中該曝光設備包含一遮光構件，其防止該激發雷射 束超出該目標抵達該照明光學系統，和 其中該遮光構件係位於一容置該照明及投影光學系統 之室的外側。 3 . —種曝光設備，其將激發雷射束照射在一目標上 ，及由所產生之電漿產生一光源，用於產生一超紫外線範 圍或X射線範圍之照明光，該曝光設備包含： 一照明光學系統，其使用該照明光以照明一形成欲傳 送圖案之反射光柵，該照明光學系統包括最接近該光源之 第一鏡片； 一橢圓形鏡片，其用於將該照明光會聚在該照明光學 -2- 1294560 系統中之第一鏡片前面；及 一投影光學系統，其將已反射在該光柵上之圖案縮小 及投射至一欲曝光之目標上， 其中在該激發雷射束之光軸方向前進至超出一藉著該 激發雷射束產生該電漿之位置處，光線不會與包括該照明 及投影光學系統、及該橢圓形鏡片之曝光設備中零組件干 涉，和 其中該曝光設備包含一遮光構件，其防止該激發雷射 束超出該目標抵達該照明光學系統，且該曝光設備包含一 用於冷卻該遮光構件之冷卻機構。 4 · 一種曝光設備，其將激發雷射束照射在一目標上 ’及由所產生之電漿產生一光源，用於產生一超紫外線範 圍或X射線範圍之照明光，該曝光設備包含·· 一照明光學系統，其使用該照明光以照明一形成欲傳 送圖案之反射光柵，該照明光學系統包括最接近該光源之 第一鏡片 ; 一橢圓形鏡片，其用於將該照明光會聚在該照明光學 系統中之第一鏡片前面；及 一投影光學系統，其將已反射在該光柵上之圖案縮小 及投射至一欲曝光之目標上， 其中在該激發雷射束之光軸方向前進至超出一藉著該 激發雷射束產生該電漿之位置處，光線不會與包括該照明 及投影光學系統、及該橢圓形鏡片之曝光設備中零組件干 涉，和 -3- 1294560 其中該曝光設備包含一遮光構件，其防止該激發雷射 束超出該目標抵達該照明光學系統，和 其中該遮光構件包括一在金屬構件上之增透塗層。 ： 5 . —種曝光設備，其將激發雷射束照射在一目標上 ： ，及由所產生之電漿產生一光源，用於產生一超紫外線範 圍或X射線範圍之照明光，該曝光設備包含： 一照明光學系統，其使用該照明光以照明一形成圖案 之反射光柵，該照明光學系統包含最接近該光源之第一鏡 φ 片； 一聚光鏡片，其用於將該照明光引導至該照明光學系 統中之第一鏡片；及 一投影光學系統，其將已反射在該光柵上之圖案縮小 及投射至一欲曝光之目標上， 其中，該照明光通過之該聚光鏡片的開口，係位於比 該照明光之光軸方向中激發雷射束的一聚光點，更靠近該 第一鏡片，且 _ 其中在該激發雷射束之光軸方向前進至超出一藉著該 激發雷射束產生該電漿之位置處，光線不會與包括該照明 · 及投影光學系統、及該聚光鏡片之該曝光設備中零組件干 _ 涉， 其中離開該目標之激發雷射束通過該橢圓形鏡片中之 通道部份，且入射於該目標上之激發雷射束通過該橢圓形 鏡片的一開口，該照明光即通過該開口，和 其中該曝光設備包含遮光構件，該遮光構件遮蔽通過 -4- 1294560 該橢圓形鏡片之開口的該激發雷射束。 6 · —種曝光設備，其將激發雷射束照射在一目標上 ，及由所產生之電漿產生一光源，用於產生一超紫外線範 圍或X射線範圍之照明光，該曝光設備包含： 一照明光學系統，其使用該照明光以照明一形成圖案 之反射光柵，該照明光學系統包含最接近該光源之第一鏡 片； 一聚光鏡片，其用於將該照明光引導至該照明光學系 統中之第一鏡片；及 一投影光學系統，其將已反射在該光柵上之圖案縮小 及投射至一欲曝光之目標上， 其中，該照明光通過之該聚光鏡片的開□，係位於比 該照明光之光軸方向中激發雷射束的一聚光點，更靠近該 第一鏡片，且 其中在該激發雷射束之光軸方向前進至超出一藉著該 激發雷射束產生該電漿之位置處，光線不會與包括該照明 及投影光學系統、及該聚光鏡片之該曝光設備中零組件干 涉，和 該曝光設備包含一遮光構件，其防止該激發雷射束超 出該目標抵達該照明光學系統，和 其中該遮光構件係位於一容置該照明及投影光學系統 之室的外側。 7. —種曝光設備，其將激發雷射束照射在一目標上 ，及由所產生之電漿產生一光源，用於產生一超紫外線範 -5- 1294560 圍或X射線範圍之照明光，該曝光設備包含： 一照明光學系統，其使用該照明光以照明一形成圖案 之反射光柵，該照明光學系統包含最接近該光源之第一鏡 片； 一聚光鏡片，其用於將該照明光引導至該照明光學系 統中之第一鏡片；及 · 一投影光學系統，其將已反射在該光柵上之圖案縮小 及投射至一欲曝光之目標上， 其中，該照明光通過之該聚光鏡片的開口，係位於比 該照明光之光軸方向中激發雷射束的一聚光點，更靠近該 第一鏡片，且 其中在該激發雷射束之光軸方向前進至超出一藉著該 激發雷射束產生該電漿之位置處，光線不會與包括該照明 及投影光學系統、及該聚光鏡片之該曝光設備中零組件干 涉，和 其中該曝光設備包含一遮光構件，其防止該激發雷射 束超出該目標抵達該照明光學系統，且該曝光設備包含一 用於冷卻該遮光構件之冷卻機構。 8 . —種曝光設備，其將激發雷射束照射在一目標上 ，及由所產生之電漿產生一光源，用於產生一超紫外線範 圍或X射線範圍之照明光，該曝光設備包含= 一照明光學系統，其使用該照明光以照明一形成圖案 之反射光柵，該照明光學系統包含最接近該光源之第一鏡 片； -6 - 1294560 一聚光鏡片，其用於將該照明光引導至該照明光學系 統中之第一鏡片；及 一投影光學系統，其將已反射在該光柵上之圖案縮小 及投射至一欲曝光之目標上， 其中，該照明光通過之該聚光鏡片的開口，係位於比 該照明光之光軸方向中激發雷射束的一聚光點，更靠近該 第一鏡片， 其中在該激發雷射束之光軸方向前進至超出一藉著該 激發雷射束產生該電漿之位置處，光線不會與包括該照明 及投影光學系統、及該聚光鏡片之該曝光設備中零組件干 涉， 其中該曝光設備包含一遮光構件，其防止該激發雷射 束超出該目標抵達該照明光學系統，且 其中該遮光構件包括一在金屬構件上之增透塗層。 9. 如申請專利範圍第1或4項之曝光設備，尙包含 一遮光構件，其防止該激發雷射超出該目標抵達該照 明光學系統，該遮光構件對該激發雷射具有約百分之1 0 或更少之透射比；及 一碎片過濾器，其防止在電漿放射點所產生之碎片抵 達該照明光學系統，該碎片過濾器對該激發雷射具有大約 百分之90或更高之透射比。 10. 如申請專利範圍第2-3、或5-8項中任一項之曝 光設備，尙包含： 1294560 一碎片過濾器，其防止在電漿放射點所產生之碎片抵 達該,照明光學系統，該碎片過濾器對該激發雷射具有大約 百分之90或更高之透射比， 其中該遮光構件對該激發雷射具有約百分之1 〇或更 少之透射比。 11 * 種製造半導體裝置的方法，其包含下列步驟： 使用如申請專利範圍i _ 8項中任一項的曝光設備將一 目標曝光；和 將該已曝光的目標顯影。92109249號專利申請案中文圖式替換頁 民國96年3月3日修正 748550 001'寸tn 1驛5碰醒 CN 搬 ❿h"n Nl口 I s vIi; 1'2 31—1 醒寸濉 1|_5初mm(步驟7 )第12圖 1294560 陸、（一）、本案指定代表圓為：第1圖(二）、本代表圖之元件代表簡單說明： 100 102 105 107 1 12 121 123 125 140 15 1 180 統 系統統 學系系 源光給復 光器供回 統 ) 台系 射 鏡儀室 射光標標口反圓圓擾道空 雷聚目目窗丨晶晶干通真 柵 光 13680241000 00002223579 :脈衝雷射光束 聚光點 EUV光 聚光鏡片 照明光學系，統 投影光學系統 光柵鏡台 第一鏡片 擋塊 三維傾斜方向 真空室柒戈〒若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 -4·
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