JP5841655B2 - チャンバ装置および極端紫外光生成装置 - Google Patents
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Description
まず、本開示の実施の形態1による集光ミラーおよびEUV光生成装置を、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本実施の形態1によるEUV光生成装置をEUV光の中心軸を含む面で切断した際の概略構成を示す模式断面図である。図2は、図1に示すEUV光生成装置をEUV光の中心軸を含み且つ図1とは異なる断面で切断した際の概略構成を示す模式断面図である。
上述の実施の形態1では、EUV集光ミラー14を介するレーザ光それぞれについて個別の貫通部を設けていた。しかし、この貫通部の形状は、上述の例に限定されるものではない。以下、本実施の形態1によるEUV集光ミラーの変形例を、図面を参照して詳細に説明する。図6は、本実施の形態1の変形例1によるEUV集光ミラーをプラズマ生成サイト側から見た際の概略構成を示す模式図である。
つぎに、本実施の形態1の変形例2によるEUV集光ミラーを、図面を参照して詳細に説明する。図7は、本実施の形態1の変形例2によるEUV集光ミラーをプラズマ生成サイト側から見た際の概略構成を示す模式図である。
つぎに、本実施の形態1の変形例3によるEUV集光ミラーを、図面を参照して詳細に説明する。図8は、本実施の形態1の変形例3によるEUV集光ミラーをプラズマ生成サイト側から見た際の概略構成を示す模式図である。
図9は、本実施の形態1の変形例4によるEUV集光ミラーをプラズマ生成サイト側から見た際の概略構成を示す模式図である。上記した実施の形態および変形例では、EUV集光ミラー144の中心以外に形成されるレーザ光用の貫通部を2つとした場合を例に挙げた。ただし、本開示はこれに限られるものではない。たとえば図9に示すように、中心の貫通部A42に対して片側に2つ以上(本例では4つ)の貫通部A41またはA43を設けるなど、種々変形することが可能である。これにより、より多くのレーザ光のビーム軸やその他計測器などの要素を、EUV光L2が強く発生する側であって、プラズマ生成サイトP1に近接した位置に配置することが可能となる。なお、各帯領域E2に設けられる貫通部の配置は、直線状の配列に限るものではない。
図10は、本実施の形態1の変形例5によるEUV集光ミラーをプラズマ生成サイト側から見た際の概略構成を示す模式図である。上記した実施の形態および変形例では、EUV集光ミラーの中心に対して点または線対称に、レーザ光を通過させるための貫通孔や切欠きや間隙などの貫通部を設けた場合を例に挙げた。ただし、これらに限定されず、たとえば図10に示すEUV集光ミラー154のように、片側の帯領域E2にのみ、貫通部A11を設けてもよい。さらに、これに限定されず、2つの帯領域E2それぞれで異なるパターンの貫通孔、間隙または切欠き等の貫通部を設けてもよい。
上記した実施の形態および変形例では、EUV集光ミラーに設けられた貫通部を、プラズマ生成サイトP1に集光するレーザ光を通過させるために用いる場合を例示した。ただし、上述したように、本開示はこれに限定されるものではない。以下、EUV集光ミラーに設けた貫通部の使用例を、本実施の形態1の変形例として、図面を参照して詳細に説明する。図11は、本実施の形態1の変形例6によるEUV集光ミラーの使用例を示す概略構成図である。なお、本変形例6および以下の変形例では、上記の変形例1によるEUV集光ミラー114を例に挙げて説明する。
図12は、本実施の形態1の変形例7によるEUV集光ミラーの使用例を示す概略構成図である。
図13は、本実施の形態1の変形例8によるEUV集光ミラーの使用例を示す概略構成図である。上述の変形例7では、EUV集光ミラー114の貫通部A11内にノズル17aを配置し、ビームダンパ15にターゲット回収筒18を設けた。ただし、これに限定されず、たとえば図13に示すように、ビームダンパ15にノズル17aを設け、EUV集光ミラー114の貫通部A11内にターゲット回収筒18を配置してもよい。この場合、ターゲット回収筒18の開口中心を通る中心軸は、プラズマ生成サイトP1を通るように設定される。
図14は、本実施の形態1の変形例9によるEUV集光ミラーの使用例を示す概略構成図である。図14に示すように、EUV集光ミラー114に設けた貫通部A11〜A13は、ドロップレットDの通過位置およびタイミングを検出する位置検出用ガイドレーザ光L5をEUV集光ミラー114の背面側からプラズマ生成サイトP1へ向けて照射するための貫通部としても使用することが可能となる。位置検出用ガイドレーザ光L5aおよびL5bは、EUV光L2の中心軸AXを挟んで2方向からプラズマ生成サイトP1へ向けて照射されるのが好ましい。また、時間的なタイミング同期を取るためにパルス発光レーザとしてもよい。この際、2つの位置検出用ガイドレーザ光L5のビーム軸が互いに90°異なることが好ましい。これにより、より正確にドロップレットDの通過位置およびタイミングを検出することが可能となる。この結果、より正確な位置に正確なタイミングで通過するようにドロップレットDの出力を制御することが可能となる。
図15は、本実施の形態1の変形例10によるEUV集光ミラーの使用例を示す概略構成図である。上述の変形例9では、プラズマ生成サイトP1に位置検出用ガイドレーザ光L5を照射し、その反射光を観測してドロップレットDの通過位置およびタイミングを検出する場合を例に挙げた。ただし、これに限定されず、たとえば図15に示すように、プラズマ生成サイトP1を撮像するターゲット位置計測用カメラ61aおよび61bにて撮影された像を用いて、ドロップレットDの通過位置およびタイミングを検出することも可能である。この場合も、変形例9と同様に、EUV光L2のビーム軸AXを挟んで2方向からプラズマ生成サイトP1を撮像するように2つのターゲット位置計測用カメラ61を配置するのが好ましい。さらに、この際、各ターゲット位置計測用カメラ61の観察軸が互いに90°異なることが好ましい。これにより、より正確にドロップレットDの通過位置およびタイミングを検出することが可能となる。この結果、より正確な位置に正確なタイミングで通過するようにドロップレットDの出力を制御することが可能となる。
図16は、本実施の形態1の変形例11によるEUV光生成装置をEUV光の中心軸を含む面で切断した際の概略構成を示す模式断面図である。図17は、本実施の形態1の変形例11によるEUV集光ミラーの使用例を示す概略構成図である。
つぎに、本開示の実施の形態2によるEUV集光ミラーおよびEUV光生成装置を、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において、上述の実施の形態または変形例と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
なお、上述した各実施の形態において、EUV集光ミラー14、114、124、134、144、154、174および214は、それぞれチャンバ10内に固定される。本実施の形態3では、EUV集光ミラーの固定について、例を挙げて説明する。なお、以下の説明では、実施の形態1(図1)を引用するが、これに限るものではない。
10 チャンバ
11 プリパルスレーザ
12 メインパルスレーザ
13 イオン化レーザ
14、114、124、134、144、154、174、214 EUV集光ミラー
15 ビームダンパ
16a、16b デブリ回収筒
17 ドロップレットジェネレータ
17a ノズル
18 ターゲット回収筒
19a、19b 電磁石コイル
21 プラズマモニタ用カメラ
22 EUVエネルギーモニタ
30 露光装置接続部
31 ピンホール
41 ステージ
42、43 プレート
44 アクチュエータ
45 ミラー結合プレート
61a、61b ターゲット位置計測用カメラ
124a、124b ミラー部材
A1〜A3、A10、A11〜A13 貫通部
A111、A201 貫通孔
A20、A21〜A23 間隙
A31、A33 切欠き部
A75、A76 切欠き
AX 中心軸
D ドロップレット
E、EE オブスキュレーション領域
E1 中心領域
E2 帯領域
IF 中間集光点
L11 プリパルスレーザ光
L12 メインパルスレーザ光
L13 イオン化レーザ光
L2 EUV光
L5a、15b 位置検出用ガイドレーザ光
M11〜M13 集光レンズ
M111 軸外放物面ミラー
M112、M113 円錐レンズ
P1 プラズマ生成サイト
W11〜W13 ウィンドウ
W14 ゲートバルブ
Claims (18)
- オブスキュレーション領域を有する露光装置と共に用いられるチャンバ装置であって、
EUV光の生成が内部で行われるチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、前記EUV光を集光し、貫通部と2つの切欠き部とを有する集光ミラーと、
前記集光ミラーを前記チャンバに固定する支持部と、
前記チャンバに設けられ、前記集光ミラーで集光されたEUV光を前記露光装置へ導入するための出力口と、
を備え、
前記貫通部は、集光ミラーの反射面の中央に位置し、該集光ミラーの反射側から裏面まで貫通し、
前記2つの切欠き部は、それぞれ前記集光ミラーの外端に位置し、前記集光ミラーにおける前記反射面の前記中央に対して対称に位置し、
前記支持部は、前記2つの切欠き部が前記オブスキュレーション領域と対応する場所に位置するように前記集光ミラーを支持する
チャンバ装置。 - 前記チャンバは、外部からレーザ光を導入するための少なくとも1つの入射口と、前記レーザ光を集光する集光光学系とを含み、
前記レーザ光は、前記集光ミラーに設けられた前記貫通部を介して、前記チャンバ内の所定の領域に集光される、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記チャンバは、その内部にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部を含み、
前記ターゲット物質は、前記集光ミラーに設けられた前記貫通部を介して、前記チャンバ内の所定の領域に供給される、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記チャンバは、その内部にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、供給された前記ターゲット物質の一部を回収するためのターゲット回収部とを含み、
前記ターゲット回収部は、前記集光ミラーに設けられた前記2つの切欠き部の何れか一方の内部に配置される、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記チャンバは、計測器を含み、
前記計測器は、前記2つの切欠き部の何れか一方の内部に配置される、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記計測器は、プラズマモニタ用カメラである、請求項5記載のチャンバ装置。
- 前記計測器は、EUV光エネルギーモニタである、請求項5記載のチャンバ装置。
- 前記計測器は、ターゲット位置計測用カメラである、請求項5記載のチャンバ装置。
- 前記チャンバは、その内部にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、供給された前記ターゲット物質に由来するデブリを回収するためのデブリ回収部とを含み、
前記デブリ回収部は、前記集光ミラーに設けられた前記2つの切欠き部の何れか一方の内部に配置される、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 各切欠き部は、前記反射面側から見た際の形状がU字形状であり、前記集光ミラーの前記裏面まで貫通していない、請求項1記載のチャンバ装置。
- オブスキュレーション領域を有する露光装置と共に用いられる極端紫外光生成装置であって、
EUV光の生成が内部で行われ、外部からレーザ光を導入するための少なくとも1つの入射口を含むチャンバと、
前記チャンバの内部にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記レーザ光を集光する集光光学系と、
前記チャンバ内に配置され、前記EUV光を集光し、貫通部と2つの切欠き部とを有する集光ミラーと、
前記集光ミラーを前記チャンバに固定する支持部と、
前記チャンバに設けられ、前記集光ミラーで集光されたEUV光を前記露光装置へ導入するための出力口と、
を備え、
前記貫通部は、集光ミラーの反射面の中央に位置し、該集光ミラーの反射側から裏面まで貫通し、
前記2つの切欠き部は、それぞれ前記集光ミラーの外端に位置し、前記集光ミラーにおける前記反射面の前記中央に対して対称に位置し、
前記支持部は、前記2つの切欠き部が前記オブスキュレーション領域と対応する場所に位置するように前記集光ミラーを支持する
極端紫外光生成装置。 - 前記レーザ光は、前記集光ミラーに設けられた前記貫通部を介して、前記チャンバ内の所定の領域に集光される、
請求項11記載の極端紫外光生成装置。 - 前記チャンバ内部に供給された前記ターゲット物質の一部を回収するためのターゲット回収部をさらに備え、
前記ターゲット回収部は、前記集光ミラーに設けられた前記2つの切欠き部の何れか一方の内部に配置される、
請求項11記載の極端紫外光生成装置。 - 前記チャンバ内部に供給された前記ターゲット物質に由来するデブリを回収するためのデブリ回収部をさらに備え、
前記デブリ回収部は、前記集光ミラーに設けられた前記2つの切欠き部の何れか一方の内部に配置される、
請求項11記載の極端紫外光生成装置。 - 前記チャンバは、前記2つの切欠き部の何れか一方の内部に配置された計測器をさらに備える、請求項11記載のチャンバ装置。
- 前記計測器は、プラズマモニタ用カメラである、請求項15記載のチャンバ装置。
- 前記計測器は、EUV光エネルギーモニタである、請求項15記載のチャンバ装置。
- 前記計測器は、ターゲット位置計測用カメラである、請求項15記載のチャンバ装置。
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