TWI294179B - - Google Patents

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TWI294179B
TWI294179B TW095100255A TW95100255A TWI294179B TW I294179 B TWI294179 B TW I294179B TW 095100255 A TW095100255 A TW 095100255A TW 95100255 A TW95100255 A TW 95100255A TW I294179 B TWI294179 B TW I294179B
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Hiroyuki Miyamoto
Tadayuki Dofuku
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Description

1294179 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種固體攝像裝置之製造方法、固體攝像 裝置及照相機，係關於一種例如由CCD(Charge Coupled Device)組成之固體攝像裝置之製造方法、固體攝像裝置及 具有該固體攝像裝置之照相機。 【先前技術】 參照圖1〜圖3,對先前之固體攝像裝置之製造方法進行說 明。 首先’在例如η型石夕基板（基板ill)之p型井Η]上，使用 離子佈值法形成η型信號電荷儲存區域丨丨3、η型傳輸通道區 域115及通道截斷區域118。信號電荷儲存區域與傳輸通 道區域115之間之ρ型井112成為讀取閘區域丨丨7。此外，在 基板111上形成閘極絕緣膜120，在閘極絕緣膜12〇上形成傳 輸電極121後’形成被覆傳輸電極12 1之絕緣膜12 2。然後， 以傳輸電極121及絕緣膜122作為遮罩，使用離子佈值法形 成P型電洞儲存區域114。受光部1〇5由信號電荷儲存區域 11 3及電洞儲存區域114構成。此外，垂直傳輸部丨〇7由傳輸 通道區域115及傳輸電極121構成。此外，讀取閘部1 〇 6由讀 取閘區域117及傳輸電極121構成。 繼之，如圖1(b)所示，以被覆傳輸電極121之方式在整個 面上形成遮光膜123。遮光膜123之形成，例如使用賤鍍法 或CVD(Chemical Vapor Deposition)法形成鋁或鎢等高遮光 性之金屬膜。 106439.doc 1294179 繼之，如圖2(a)所示，在遮光膜123上，使用抗蝕劑塗佈、 曝光及顯影，在受光部1〇5之區域形成具有遮罩開口 c之抗 蝕膜126。 繼之，如圖2(b)所示，以抗蝕膜126作為蝕刻遮罩，除去 露出於遮罩開口 c之部分之遮光膜123,在遮光膜123上形成 開口部123a。然後，如圖3(a)所示，除去抗蝕膜126。 繼之，如圖3(b)所示，在基板1U上形成保護絕緣膜125， 以便被覆遮光膜123。保護絕緣膜125例如係氧化矽膜或氮 化石夕膜者。 作為以後之步驟，根據需要，藉由形成彩色濾光片及單 片透鏡，製造固體攝像裝置。 如此先别使成為受光部105之區域露出之遮光膜123之 開口部123a係由使用抗蝕膜126之圖案成形所形成（例如參 照專利文獻1、2)。 [專利文獻1]特開平7-202 160號公報 [專利文獻2]特開平8-32045號公報 [發明所欲解決之問題;| 但是，上述之先前固體攝像裝置之製造方法產生以下問 題。 ° 圖4係用於指出先前例之固體攝像裝置製造之問題點的 圖，（a)係遮光膜之平面圖，（b)係遮光膜之剖面圖。此外'， 圖5係用於指出先前例之固體攝像裝置製造之其他問題點 的圖，（a)係遮光膜之平面圖，（b)係遮光膜之剖面圖。… 固體攝像裝置從提高感度特性之觀點考量，想要盡量择 大形成於遮光膜123上之開口部123a之面積。但是，因為: 106439.doc 1294179 遮光膜123上產生有起因於傳輸電極121之高階差部，所以 在使用抗蝕膜126之圖案成形中，產生開口部123&之角部之 圓角（參照圖4(a)之D部）或向受光部105之伸出（參照圖4(b) 之E部）。開口部123a之角部之圓角或向受光部1〇5之伸出與 開口面積之縮小相關聯，招致感度特性降低。 假定為了增大開口部123a之面積，放大成為蝕刻遮罩之 抗蝕膜126之遮罩開口 C或採用過度蝕刻手法時，如圖5所 示，由於微影中之線寬及疊合偏移，產生遮光膜123之側壁 削減及非對稱性（參照圖5之F部）。遮光膜123之側壁削減引 起模糊特性惡化，遮光膜123側壁之非對稱性引起感度偏 差。 上述問題，作為蝕刻遮罩不是抗蝕膜126，而是使用由無 機材料組成之硬遮罩時，亦同樣產生。因為硬遮罩之圖案 係由使用抗蝕膜之蝕刻所形成，所以開口部123&之尺寸必 定受到微影中之線寬及疊合偏移之影響。 本發明係鑒於以上情況所完成，其目的在於提供一種可 以提高感度特性之固體攝像裝置之製造方法。 本發明之其他目的在於提供一種提高感度特性之固體攝 像裝置及具有該固體攝像裝置之照相機。 【發明内容】 為了達成上述之目的’本發明之固體攝像裝置之製造方 法包含··在攝像部之基板上形成受光部之步驟；在上述基 板之上層形成在上述受光部之周緣隆起形狀之遮光膜之步 驟；在上述遮光膜上形成光學透明之絕緣膜之步驟；使用 106439.doc 1294179 深蝕刻加工上述絕緣膜，在上述受光部之周緣部之上述遮 先膜之側壁上形成側壁絕緣膜之步驟；在上述遮光膜上形 成在對應於上述受光部之位置上具有遮罩開口之遮罩層之 步驟；及將上述側壁絕緣膜及上述遮罩層作為㈣遮罩， 蝕刻上述遮光膜，形成使丨述受光部露出之開口部之步驟。 上述固體攝像裝置之製造方法中’使用深蝕刻加工絕緣 膜，藉此在遮光膜之側壁上形成透明之側壁絕㈣，該遮 光膜係在受光部之周緣隆起之形狀。該側壁絕緣膜自行對 準地形成。 而且，將該側壁絶緣膜及遮罩層作為钱刻料，钱刻遮 光膜，藉此形成使受光部露出之開口部。 開口部之尺寸主要由自行對準地形成之側壁絕緣膜所控 制、。遮罩層係作為遮光膜之上面之㈣保護膜起作用。 為了達成上述之目的，本發明之固體攝像裝置包含··形 f於基板上之受光部；形成於上述基板上，在對應於上述 叉光部之位置上具有開口部之遮光膜;及沿上述開口部之 邊緣’形成於上述遮光膜之側壁上部之光學透明之側壁絕 緣膜；且上述側壁絕緣膜下之上述遮光膜被除去。 上述本發明之固體攝像裝置中，沿遮光膜之開口部之邊 在遮光膜之側壁上部形成有側壁絕緣膜。該側壁絕緣 膜係在加工遮光膜之開口部時所使用者。 、 因為側壁絕緣膜係光學透明膜，且在側壁絕緣膜下不存 在遮光膜’所以入射到側壁絕緣膜上的光通過側壁絕緣膜 入射到受光部，在受光部進行光電轉換。 、 106439.doc 1294179
為了達成上述之目的，本發明之照相機包含··固體攝像 裝置；在上述固體攝像裝置之攝像面上使光成像之光學系 統；及對來自上述固體攝像裝置之輸出信號進行特定信號 處理之信號處理電路；且上述固體攝像裝置包含··形成於 基板上之受光部；形成於上述基板上，在對應於上述受光 部之位置上具有開口部之遮光膜；及沿上述開口部之邊 緣，形成於上述遮光膜之側壁上部之光學透明之側壁絕緣 膜；且上述側壁絕緣膜下之上述遮光膜被除去。 設置於上述本發明之照相機内之固體攝像裝置中，沿遮 光膜之開口部之邊緣，在遮光膜之侧壁上部形成有侧壁絕 緣膜。該側壁絕緣膜係在加工遮光膜之開口部時所使用者。 因為側壁絕緣膜係光學透明膜，且在側壁絕緣膜下不存 在遮光膜’所以入射到冑壁絕緣膜上的光通過側壁絕緣膜 入射到受光部，在受光部進行光電轉換。 [發明之效果] 根據本發明之固體攝像裝置之製造方法，可以製造提高 感度特性之固體攝像裝置。 卜根據本發明，可以實現提高感度特性之固體攝像 裝置及照相機。 【實施方式】 /下’參照圖面’對本發明之實施方式進行說明。本實 細方式中，對將本發明應用到線路間傳輸方式之固體攝像 裝置之例進行說明。 圖6係與本實施方式相關之固體攝像裝置之概略構成圖。 106439.doc 1294179 與本貫施方式相關之固體攝像裝置1包含··攝像部2、水 平傳输部3及輸出部4。 攝像部2包含：行列狀配置之複數受光部5 ;配置於每個 ^ 受光部5之垂直行之複數根垂直傳輸部7;及配置於受光部5 與垂直傳輸部7之間之讀取閘部6。 . 受光部5例如由光電二極體所形成，將從被攝物體入射之 像光（入射光）光電轉換為對應於該光量之電荷量之信號電 # 荷並儲存。讀取閘部6將儲存於受光部5之信號電荷讀取到 垂直傳輸部7。垂直傳輸部7由4相之時鐘信號φνι、㈣、 W3、φν4所驅動，將從受光部5讀取之信號電荷傳輸到垂 直方向（圖中下方向）。並且，作為時鐘信號，並非限定於4 相者。 水平傳輸部3由2相之時鐘信號ΦΗ1、ΦΗ2所驅動，將從垂 直傳輸部7垂直傳輸來的信號電荷傳輸到水平方向（圖中左 方向）。 籲 •直傳輸部7及水平傳輸部3包含··形成於基板上向傳輸 方向延伸之傳輸通道區域；及在傳輸通道區域上以插入絕 緣膜之狀悲，在傳輸方向排列形成之複數傳輸電極。 對傳輸電極施加電遷，則在傳輸通道區域上形成電位 •用於形成σ亥電立井之時鐘冑號錯開相位施加於排列在 ♦輸方向上之各傳輸電極，藉此電位井之分佈依次變化， 電位井内之電荷沿傳輪方向被傳輸。 輸出。Μ例如具有由浮動擴散所構成之電荷-電壓轉換部 將由水平傳輸部3水平傳輸之信號電荷轉換為電氣信 106439.doc 1294179 號，作為類比圖像信號輸出。 圖7(a)係圖6之攝像部2之要部平面圖，圖7(b)係圖之 A-A’線剖面圖。此外，圖8係揭示傳輸電極之佈置一例之要 部平面圖。 例如，在η型矽基板（以下稱作基板n)上形成有p型井 12。p型井12形成溢出障壁。 文光部5包含：形成於p型井12上之n型信號電荷儲存區域 I3，及$成於彳p號電何儲存區域IS表層之之電洞健存區 域14。電洞儲存區域14抑制在信號電荷儲存區域13之表面 附近產生，成為雜訊源之暗電流。 受光部5上，藉由信號電荷儲存區域13、p型井12、基板 1〇形成有npn結構。該npn結構構成縱型溢漏結構，該溢漏 結構係強光入射至受光部5而過剩地產生之信號電荷超過 由P型井12所形成之溢出障壁，就將該信號電荷向基板u 側排出。 垂直傳輸部7包含：與信號電荷儲存區域13隔開特定間隔 形成於P型井12上之傳輸通道區域15;及於傳輸通道區域15 上經由由氧化矽膜所形成之閘極絕緣膜2〇所形成之例如由 多晶石夕所形成之傳輸電極2 1。 如圖8所示，傳輸電極21例如由單層結構所形成。即，例 如藉由1層多晶矽，在垂直方向排列傳輸電極21。此外，水 平方向之傳輸電極2 1間連接。傳輸電極2丨以包圍受光部$ 之方式配置。對排列於垂直方向之傳輸電極21依次供給4 相之時鐘信號φνΐ、φΥ2、，V3、φν4。對排列於水平方向 106439.doc 1294179 傳輪電極2 1不限 之傳輸電極2i同時供給時鐘信號。並且 定於單層結構，亦可為2層以上之結構。 讀取閑部6包含：信號電荷儲存區域13與傳輸通道區域15 =之P型井12(讀取閘區域17);及經由閘極絕緣㈣形成 於頃取閘區域上之傳輸電極21。本實施方式中，傳輸電 極21兼作讀取電極。讀取間區域17仏型信號電荷儲存區域 13與傳輸通道區域15之間形成電位障壁。讀取時，對傳輸 電極2i施加正的讀取電壓，讀取閘區域”之電位障壁被降 低’信號電荷從信號電荷健存區域13向傳輸通道區域⑽ 動0 相對信號電荷儲存區域13，在與讀取側相反側上形成有p 型通道截斷區域18。通道截斷區域18係對信號電荷形成電 位障壁，防止信號電荷之流出及流入。 被覆傳輸電極21而形成有由氧化矽膜組成之絕緣膜22。 在絕緣膜22上形成有被覆傳輸電極21之遮光膜23。遮光膜 23在對應於受光部5之位置上形成有開口部23a。遮光膜23 由鶴或鋁等高遮光性之金屬材料所形成。本實施方式中， 開口部23a形成為矩形。 以沿開口部23a之邊緣之方式在遮光膜23之側壁上部形 成有光學透明之例如由氧化矽或氮化矽所組成之側壁絕緣 膜24。側壁絕緣膜24下面之遮光膜23被除去。因此，本實 施方式中，不存在遮光膜23之伸出部。 在開口部23a内及遮光膜23上形成有保護絕緣膜25。保護 絕緣膜 25例如由 BPSG(Boron Phosphorous Silicate glass)膜 106439.doc -12- 1294179 所形成。 雖然未圖示’但在保護絕緣媒25上形成有彩色遽光片、 單片透鏡等。 其次，參照圖9〜圖18，對盥上诚太杳# + l 一上4本實轭方式相關之固體 攝像裝置之製造方法進行說明。卄 々m丄 ^並且，各圖中，（a)係攝像 部之步驟截面圖或平面圖，（b)# Η、息im 卜 固係周邊部之步驟截面圖或平 面圖。在此，所謂周邊部，传不报# # ^ '你不形成傳輸電極之攝像部2
之外側區域。例如，厨邊部係兀形^…μ „ y ◦逻。丨你不形成兀件且以後要被切斷 之劃線區域。 首先，製造直到圖9所示之結構。即，在纟η型石夕所形成 之基板11上，用離子佈值法形成ρ型井12、信號電荷儲存區 域13、傳輸通道區域15、通道截斷區域18。信號電荷儲存 區域13與傳輸通道區域15之間之ρ型井12成為讀取閘區域 1 7。並且，對此等各區域之形成順序並無限定。然後，在 基板11之表面上用熱氧化法形成閘極絕緣膜2〇後，在基板 11之除去感光部5之區域，即傳輸通道區域15及讀取閘區域 17上形成傳輸電極21。再者，藉由熱氧化法形成被覆傳輸 電極21之絕緣膜22後，用以傳輸電極21及絕緣膜22作為遮 罩之離子佈值法形成電洞儲存區域14。此時，如圖9(b)所 示’周邊部在基板11上形成氧化矽等閘極絕緣膜2〇。 其次，如圖10(a)所示，在整個面上形成遮光膜23，以便 被覆受光部5及傳輸電極21。遮光膜23之形成，例如使用錢 鍍法或CVD(Chemical Vapor Deposition)法形成銘或鶴等高 遮光性之金屬膜。攝像部在被覆傳輸電極21之遮光膜23上 106439.doc •13- 1294179 形成南階差部。此時’如圖剛所示，即使在無傳輸電極 21之周邊部’亦堆積遮光膜材料’形成監視用遮光膜以。 周邊部因為無傳輸電極2卜所以監視用遮光膜23，之表 坦。 丁 其次，如圖1!所示，在遮光膜23及監視用遮光助，上形 成光學透明之絕緣膜24ae作為絕緣膜24a，只要係可取得 與遮光膜23之姓刻選擇比之材料即可，例如藉由氧化石夕: 或氮化矽膜形成絕緣膜24a。此外，絕緣膜“a之成膜膜厚 根據下-㈣之深_或微f彡之加卫諸任意敎即可'。 /、人：ito圖12所不’使用乾式蝕刻法整個面深蝕刻絕緣 膜24a’在遮光膜23之侧壁上形成側壁絕緣膜24。側壁絕緣 膜24之寬度η例如配合下述抗钱膜％之遮罩帛口之精度（微 影之精度）進行設定即可，例如4〇〜5〇nm程度。並且，周邊 部因為監視用遮光膜23,平坦，所以不殘留侧壁絕緣膜2心 此時之平面圖如圖13所示。圖13(a)係攝像部之要部平面 圖，圖8(b)係周邊部之要部平面目。圖12⑷相當於圖 之a-a，線截面圖，圖12(b)相當於圖13(|^Β_Β，線截面圖。 遮光膜23於被覆受光部5之位置成為凹部，於被覆其外側 之傳輸電極21之位置成為凸部。藉由整個面之姓刻，在受 光部5之周緣部形成框狀侧壁絕緣膜24。㈣，側壁絕緣2 24於受光部5之角部不帶有圓角，矩形性被確保。 其_人，如圖14(a)所示，藉由塗佈抗姓劑、曝光及顯影， 在對應於文光部5之位置上形成具有遮罩開口 ci之抗钱膜 (遮罩層）26。此時，如圖14(b)所示’在周邊部亦同時形成 106439.doc 14 1294179 具有監視用遮罩開口 C2之監視用抗姓膜％，。遮罩開口 ^ 與監視用遮罩開口 C2之尺寸最好相同。此處，因為遮㈣ 2 3之側壁由側壁絕緣膜2 4所保護，所以遮罩開口 c i之尺寸 可以具有某種程度之容許偏差，遮罩開口 ci形成於較由遮 光膜23之側壁所包圍之區域G内側即可。抗姓膜祖要具有 作為遮光膜23上面之保護膜之作用。此外，此時之光阻圖 案形成，亦可使用底部抗反射層BARC(B〇tt〇m Anu_ Reflection Coating) 〇 其次，如圖15(a)所示，藉由以抗蝕膜％及側壁絕緣膜24 作為遮罩之遮光膜23之㈣，在遮光膜23上形成開口部 23a。該㈣使用各向同性之乾式_，以產生遮光膜以 側面㈣，將側壁絕緣膜24下之遮光膜部分（伸出部）也除 去。隨者钱刻之進行，遮罩開口 C1、C2成為較形成時還要 寬之遮罩開口 Cl，、C2,。 形成於遮光膜23上之開口部23a之線寬W1，由於侧壁絕 緣膜24之存在’直接觀察困難。因此，藉由觀察形成於設 在周邊部之監視用遮光膜23，上之監視用開口部2外之線寬 s理開口部23a之線寬W1。因此，可以預先取得伴隨 進行之開口部23a與監視用開口部23b之線寬變化之相 關。 其次，如圖16所示，除去抗蝕膜26及監視用抗蝕劑膜 26’。此時之平面圖如圖12所示。圖17(a)係攝像部之要部平 面圖’圖17(b)係周邊部之要部平面圖。圖16⑷相當於圖 之A_A’線截面圖，圖16(b)相當於圖17(b)之B-B，線截面圖。 106439.doc 1294179 如圖17(a)所示，遮光膜23之開口部23a形成為矩形。此 外’沿矩形開口部23a殘留有框狀側壁絕緣膜24。並且，因 為側壁絕緣膜24由氧化矽或氮化矽等光學透明膜所形成， 所以入射到側壁絕緣膜2 4之位置上的光也到達受光部5。並 且’如圖17(b)所示，因為監視用開口部23b由以抗蝕劑作為 遮罩之I虫刻所形成，所以角部產生圓角。 其次’如圖18所示，被覆開口部23a内及遮光膜23上，在 整個面上形成保護絕緣膜25。作為保護絕緣膜25，藉由堆 積流動性咼之BPSG膜，進行回流處理，可以使側壁絕緣膜 24下也充填保護絕緣膜25。 作為以後之步驟，根據需要，藉由形成彩色濾光片或單 片透鏡，製造固體攝像裝置。 如上説明’與本實施方式相關之固體攝像裝置之製造方 法中，使用深I虫刻加工絕緣膜24a，在被覆傳輸電極21之遮 光膜23之側壁上自行對準地形成側壁絕緣膜24，用以該側 壁絕緣膜24與抗蝕膜26作為遮罩之蝕刻形成開口部23a。因 此，遮光膜23之開口部23a不受抗蝕膜26之遮罩開口 C1之尺 寸偏差之影響，主要由自行對準地形成之側壁絕緣膜24所 加工’所以矩形性良好，可以除去伸出部。並且，抗蝕膜 26起作用作為遮光膜23上面之蝕刻保護膜。可以除去遮光 膜23之開口部23a之角部之圓角或伸出部之結果，可以增大 開口部23a之面積，有助於提高感度特性。 此外’包圍受光部5之遮光膜23之側壁由側壁絕緣膜24 所保護’所以對用於形成抗蝕膜26之微影中之線寬及疊合 106439.doc -16- 1294179 + 可以取侍足夠之容限。即，因為微影之偏移而遮光 :、·3之側壁不會薄膜化，所以可以抑制產生模糊。同樣， 均勾確保遮光膜23之側壁之結果，感度偏差被抑制。
攝:象。Ρ中起因於沿受光部5之外緣所形成之側壁絕緣膜 24’稭由上部觀察進行的遮光膜23之開口部❿之線寬管理 及蝕刻穩定性確認變得困難。但是，可以藉由監視形成於 周邊。I5之L視用遮光膜23,之監視用開口部別之線寬，進行 攝像部之線寬管理及蝕刻穩定性之確認。 根據與本實施方式相關之固體攝像裝置，沒有遮光膜23 之伸出部，且遮光膜23之開口部23a之矩形性良好，所以可 以增大遮光膜23之開口部23a之面積，提高感度特性。雖然 沿受光部5之外緣殘留有框狀之側壁絕緣膜24，但因為側壁 絕緣膜24由光學透明之絕緣膜所形成，所以入射到側壁絕 緣膜24之光被取入受光部5，有助於光電轉換。 上述固體攝像裝置例如可用於視訊攝像機、數位照相機 或電子内視鏡等照相機上。 圖19係使用上述固體攝像裝置之照相機之概略構成圖。 照相機30包含：固體攝像裝置（CCD)1、光學系統32、驅 動電路33及信號處理電路34。 光學系統32使來自被攝物體之像光（入射光）在固體攝像 裝置1之攝像面上成像。藉此，在固體攝像裝置1之各受光 部5上，轉換為對應入射光量之信號電荷，在受光部5之信 號電荷儲存區域13上，一定期間儲存該信號電荷。 驅動電路33將上述4相之時鐘信號ψνΐ、φΥ2、φν3、φν4 106439.doc -17- 1294179 相之，鐘信號φΗ1、仲2等各種時序信號供給固體攝像 哀置藉此，進行固體攝像裝置1之信號電荷之讀取、垂 直傳輸、水平傳輸等各種驅動。此外，藉由該驅動，從固 體攝像裝置1之輸出部4輸出類比圖像信號。 L號處理電路34對從固體攝像裝置i輸出之類比圖像信 號，進行消除雜訊或變換為數位信號之各種信號處理。由 信號處理電路34進行信號處理後，記憶到記憶體等記憶媒 體上。 如此，於視訊攝像機或數碼照相機等照相機3〇，藉由使 用提高感度特性之上述固體攝像裝置丨，可以提高照相機％ 之感度特性。 本發明不限定於上述之實施方式之說明。 本貫施方式中對線路間傳輸方式之固體攝像裝置進行了 說明，但亦可為幀線路間傳輸方式之固體攝像裝置。此外， 亦可應用於從基板1 〇之背面接收光之背面照射型固體攝像 裝置或CMOS型固體攝像裝置。 例如，CMOS型固體攝像裝置之情形，在配線層之上層形 成遮光膜。因為配線層以避開受光部以外之區域之方式形 成，所以存在形成於配線層上層之遮光膜在受光部之周緣 成為隆起形狀之情形。該情形時，藉由應用本發明，可以 在受光部周緣之遮光膜側壁上形成側壁絕緣膜，用以該側 壁絕緣膜作為遮罩之钱刻自行對準地形成矩形之開口部。 此外，除抗蝕膜以外，亦可使用由無機材料所組成之硬 遮罩等遮罩層。但是，硬遮罩之圖案由使用抗蝕膜之蝕刻 106439.doc -18- 1294179 所形成。 ， 其他，在不偏離本發明之要點之範圍可以進行各種變更。 【圖式簡單說明】 圖1(A)、（B)係先前例之固體攝像裝置製造之步驟剖面 圖。 圖2(A)、（B)係先前例之固體攝像裝置製造之步驟剖面 圖。 圖3(A)、（B)係先前例之固體攝像裝置製造之步驟剖面 圖。 圖4係用於指出先前例之固體攝像裝置製造之問題點的 圖，（A)係遮光膜之平面圖，（B)係遮光膜之剖面圖。 圖5係用於指出先前例之固體攝像裝置製造之其它問題 點的圖’（A)係遮光膜之平面圖，係遮光膜之剖面圖。 圖6係揭示與本實施方式相關之固體攝像裝置一例之概 略構成圖。 • @7(A)係攝像部之要部平面圖，（B)係（A)之A-A，線剖面 圖。 圖8係揭示傳輸電極之佈置之平面圖。 圖9(A) (B)係與本貫施方式相關之固體攝像裝置製造之 步驟剖面圖。 . 圖1G(A) (B)係與本實施方式相關之固體攝像裝置製造 之步驟剖面圖。 圖11 (A)、（B)係盘太脊> 士 4 一本貫細> 方式相關之固體攝像裝置製造 之步驟剖面圖。 106439.doc
-19- 1294179 圖12(A)、（B)係與本實施方式相關之固體攝像裝置製造 之步驟剖面圖。 圖13(A)、（B)係與本實施方式相關之固體攝像裝置製造 步驟之平面圖。 圖14(A)、（B)係與本實施方式相關之固體攝像裝置製造 之步驟剖面圖。 圖15(A)、（B)係與本實施方式相關之固體攝像裝置製造 之步驟剖面圖。
圖16(A)、（B)係與本實施方式相關之固體攝像裝置製造 之步驟剖面圖。 圖17(A)、（B)係與本實施方式相關之固體攝像裝置製造 步驟之平面圖。 圖18(A)、（B)係與本實施方式相關之固體攝像裝置製造 之步驟剖面圖。 圖19係揭示與本實施方式相關之應用固體攝像裝置之照 相機之概略構成之方塊圖。 【主要元件符號說明】 1 固體攝像裝置 2 攝像部 3 水平傳輸部 4 輸出部 4a 電荷-電壓轉換部 5 受光部 6 讀取閘部 106439.doc -20- 1294179 7 垂直傳輸部 11 基板 12 P型井 13 信號電荷儲存區域 14 電洞儲存區域 15 傳輸通道區域 17 讀取閘區域 18 通道截斷區域 20 閘極絕緣膜 21 傳輸電極 22 絕緣膜 23 遮光膜 23， 監視用遮光膜 23a 開口部 23b 監視用開口部 24 側壁絕緣膜 24a 絕緣膜 25 保護絕緣膜 26 抗1虫膜 26， 監視用抗蝕膜 Cl 遮罩開口 C2 監視用遮罩開口 30 照相機 32 光學系統 106439.doc -21 1294179 33 驅動電路 34 信號處理電路 105 受光部 106 讀取閘部 107 垂直傳輸部 111 基板 112 P型井 113 信號電荷儲存區域 114 電洞儲存區域 115 傳輸通道區域 117 讀取閘區域 118 通道截斷區域 120 閘極絕緣膜 121 傳輸電極 122 絕緣膜 123 遮光膜 123a 開口部 125 保護絕緣膜 126 抗蝕膜 C 遮罩開口 106439.doc -22-

Claims (1)

1294179 十 1. 2. 3. 4. 5. 、申請專利範圍： 一種固體攝像裝置之製造方法，其包人. 在攝像部之基板上形成受光部之步驟. 在上述基板之上層形成在上述“部q 狀之遮光膜之步驟； 、’起之形 在上述遮光膜上形成光學透明之絕緣膜之步驟. 使用深㈣(etchback)加工上述絕緣膜，在上述受光部 之周緣部之上述遮光膜之側壁上 ° 上形成侧壁絕緣膜之步 y 在上述遮光膜上形成在對應於上述受光部之位置上且 有遮罩開口之遮罩層之步驟；及 〃 以上述側壁絕緣膜及上述遮罩層作為敍刻遮罩， 上述遮光膜，形成使上述受光部露出之開口部之步驟。〆 如請求項1之固體攝像裝置之製造方法，其中在形成上述 受光部之步驟後、形成上述遮光膜 含在上述基板之上述受光部除外之區域上形成H包 驟； 形成上述遮光膜之步驟中，形成被覆上述受光部及上述 電極之上述遮光膜。 如請求項2之固體攝像裝置之製造方法，其中上述電極係 傳輸電極。 如請求項2之固體攝像裝置之製造方法，纟中形成上述電 極之步驟中，形成單層或複數層之上述電極。 如請求項1之固體攝像裝置之製造方法，纟中形成上述開 106439.doc 1294179 口广之步驟中’除去上述側壁絕緣膜下之上述遮光膜。 6·如請求項1之固體攝像裝置之製造方法，其中形成上述保 ϋ部之步驟巾’形成矩形之上述開口部。 7.㈣求項i之固體攝像裝置之製造方法，其中形成上述開 口部之步驟巾’以±述㈣絕緣膜及上述遮罩層作為勒 刻遮罩，各向同性蝕刻上述遮光膜。 8 如請求項1之固體攝像裝置之製造方法，其中形成上述遮 光膜之同時，在上述攝像部之周邊部之上述基板上形成 監視用遮光膜； 形成上述遮罩層之同時，在上述監視用遮光膜上形成 具有遮罩開口之監視甩遮罩層； 蝕刻上述遮光膜之步驟中，藉由監視形成於上述監視 用遮光膜上之開Π部之寬度，管理使上述受光部露出之 上述開口部之寬度。 9· 一種固體攝像裝置，其包含： 形成於基板上之受光部； 形成於上述基板上，在對應於上述受光部之位置上具 有開口部之遮光膜；及 沿上述開口部之邊緣，形成於上述遮光膜之側壁上部 之光學透明之側壁絕緣臈； 上述側壁絕緣膜下之上述遮光膜被除去。 10.如請求項9之固體攝像裝置，其中上述基板上尚具有形成 於上述受光部除外之區域之電極； 上述遮光膜以被覆上述電極之方式形成。 106439.doc 1294179 11. 12. 如請求項10之固體攝像裴置 如請求項10之固體攝像裝置 數層所形成。 其中上述電極係傳輸電極。 其中上述電極由單層或複 13 ·如請求項9之固體攝像裝置，其中 具有被覆上述遮光膜之層間絕緣膜； 矩形 上述側壁絕緣膜下之區域由上述層間絕緣膜所填埋。 14.如請求項9之固體攝像裝置，其中上述遮光膜之開口部係 1 5 · —種照相機，其包含·· 固體攝像裝置； 在上述固體攝像裝置之攝像面上使光成像之光學系 統；及 μ 對來自上述固體攝像裝置之輸出信號進行特定之信號 處理之信號處理電路； 〜 上述固體攝像裝置包含·· 形成於基板上之受光部； 形成於上述基板上，在對應於上述受光部之位置上具 有開口部之遮光膜；及 沿上述開口部之邊緣，形成於上述遮光膜之側壁上部 之光學透明之側壁絕緣膜； 上述側壁絕緣膜下之上述遮光膜被除去。 16.如請求項15之照相機，其中上述基板上尚具有形成於上 述受光部除外之區域之電極； 上述遮光膜以被覆上述電極之方式形成。 106439.doc 1294179 17.如請求項16之照相機，其中上述電極係傳輸電極。 1如請求項16之照相機，其中上述電極由單層或複數層所 形成。 1 9.如請求項丨5之照相機，其中 具有被覆上述遮光膜之層間絕緣膜； 2〇如2側壁絕緣膜下之區域由上述層間絕緣膜所填埋》 “項15之照相機，其中上述遮光膜之開口部係矩形。 106439.doc
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