TWI279185B - Durable EMI shielding film - Google Patents

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1279185 玖、發明說明： 相關申請案相互對照 本案本案主張2002年8月17日申請為部分接續案之美國申 請案序號第10/222,465號“持久性透明EMI屏蔽膜，，之優先權。 【發明所屬之技術領域】 本發明適用於電磁干擾（EMI)屏蔽應用之導電膜。 【先前技術】 EMI屏敝膝阻礙不想要的電磁能量傳送進出電子裝置。 多種導電材料可用於此目的。就必須看透屏蔽（例如觀看顯 示器）之應用而言，已使用具細絲網窗及特殊透明膜。透明 EMI屏蔽亦揭示於美國專利第4,910,090及5,489,489號以及歐洲 專利申請案第EP 810452號中。市售的透明EMI屏蔽膜通常使 用聚合物基板，例如塗覆導電氧化物膜（例如氧化錮錫）或 具金屬（例如銀）與導電氧化物交替的塗覆層之PET。具代表 性之市售透明EMI屏蔽膜包含AgHT'4及AgHTTM-8膜（CP Films， Inc.)、ALTAIRtm Μ及 XIRTM透明導電膜（Southwall Technologies)及 WIN-SHIELD AgF8 膜（Parker Hannifin Corporation 之 Chomerics 邵門）。 目前市售的EMI屏蔽膜缺乏適當的持久性、耐污性或耐 腐14性。舉例來說，由CP Films，Inc.供應之膜基礎屏蔽操作 指南建議工作人員當操作屏蔽膜時需穿戴無塵乳膠手套及 面罩；必須小心導電膜塗料易受到無機離子（例如鈉、鉀及 氣，全部係存在於人體手指上及唾液中）之侵襲；且建議倘 若膜未變為受污染，則應以非棉絨清洗室抹布（浸濕於異丙 醇中）清洗其表面。此等操作指南亦小心防止過度摩擦，因 87576 1279185 為其非常薄且有些易碎。 【發明内容】 本發明万；第一方面係提供一種透明地屏蔽可造成或敏感 方、％磁干擾之裝置或封閉區域之方法，其包含以透可見光 膜至少部力地圍繞孩裝置或區域，該透可見光膜包含柔章刃 支持體、可延伸的透可見光金屬或金屬合金層及透可見光 的交聯聚合保護層，且視情況連接至少—接地電極至該金 屬或金屬合金層。 於第一方面，本發明提供一種電磁屏蔽物件，其包含可 造成或敏感於電磁干擾之裝置或封閉區域，其中該裝置或 區域係至少部分地以透可見光膜圍繞，該透可見光膜包含 柔動支持體、可延伸的透可見光金屬或金屬合金層及透可 見光的交聯聚合保護層，且視情況其中至少—接地電極係 連接至該金屬或金屬合金層。 於第三万面，本發明提供一種電磁屏蔽物件，其包含可 造成或敏感於電磁干擾之裝置或封閉區域，其中該裝置或 區域係至少部分地以透可見錢圍繞，該透可見光膜包含 柔韌支持體及藉透可見光的交聯聚合保護層分開之可延伸 的透可見光第一及第二金屬或金屬合金層。 所揭示的膜及物件當形成時或當受到彎曲、屈曲、拉直 、形變操作或腐㈣件時可具有增加的耐分層、斷裂或腐 姓性，仍維持適當的導電性，因而維持良好的腿屏蔽效 能。金屬或金屬合金層實質上在膜的大部分區域上（即在需 要EMI屏蔽、加熱或類似功能之部分膜上）是連續的。於一 87576 1279185 些具體例中’金屬或金屬合金層於整個膜綠 的，於其他具體例中，金屬或金屬合 :王1 義有限數目之用於所欲功能的孔、洞或通道= 更多頻率選擇表面或可區別的導電路徑）。 5 本發：之此等及其他方面自以下詳細說明當可明白。炊 、口無何，以上摘要非意欲限制所請求之主題，此菩 王題僅受限於如附申請專利範圍(於審查其間可能修正)。 、藉使較位用語，例如用㈣揭示膜或物件中各層 ^ ::二、纟上万”、“最上方’’及類似用語，其代表關 万”千支持層之一或多層的相對位置。本案申請人不打嘗 使膜或物件於製造期間或之後應具有在空間中之任何特: 定位。 “透光的”支持體、層、膜或物件代表支持體、層、膜或 物件在令人感興趣之頻譜範圍具平均透射率T之至少約 件代表支持體、層、膜或物件在頻譜的可見光部分具平均 透射率Tvist至少約20%(沿著法線軸測定）。“紅外反射的，，支 持缸、層、膜或物件代表在至少100毫微米寬之頻帶（於波 長為约700毫微米至約2〇〇〇毫微米）反射至少5〇%光（以近直角 (例如約入射角之6度角）測得）之支持體、層、膜或物件。 ‘‘光”代表日光輻射。 ‘柔韌”支持體、層、膜或物件代表可自其原來位置彎曲 30度（不需摺疊或弄皺）且經釋放以恢復至少部分其原來形 87576 1279185 狀之支持體、層、膜或物件，而不喪失電連接性且不形成 可見的不連續性（以裸眼於至少約〇.25公尺之距離偵測）。 “金屬層”代表金屬或金屬合金層。 可延伸的”金屬層代表當合併於透光膜或物件時可於面 内万向拉直至少3%之層，而不喪失電連接性且於金屬表面 不形成可見的不連續性（以裸眼於至少約〇·25公尺之距離偵 測）〇 . “交聯”聚合物一詞代表藉共價化學鍵（通常經由交聯分子 或基團）將聚合物鏈接合在一起以形成網絡聚合物之聚合物 。交聯聚合物之通常特徵在於不溶性，但可能在適當錢 存在下溶脹。“聚合物，，一詞代表均聚合物及共聚物，以及 可形成於混溶掺合物中之均聚合物或共聚物（例如藉共擦壓 作用或藉反應，含例如轉酯化反應）。“共聚物，，一詞同時代 表無規及嵌段共聚物。 “非平面的”支持體、層、膜或物件代表支持體、層、膜 或物件具連續、間斷、單向或複合曲率。“複合彎曲：，，或 具“複合曲率”之支持體、層、膜或物件代表支持體 '層、 膜或物件之表面在二個不同的非線性方向（自單—點斤曲。 “自持的”複合彎曲支持體、層、膜或物件代表具有充足 剛=當放置於水平面且#用手在—端托住且垂直地懸掛 時貫質上維持其形狀之支持體、I、膜或物件。 支持體、層、膜或物件之“永久形變的複合彎曲區”代表 支持體1、膜或物件之表面包含代表具複合曲率之非平 面區域，當用手拉緊托住支持體、層、膜或物件二相显端 87576 -9- 1279185 使得明顯鬆弛移除時，其形狀實質上保留。 “光學上透明的”代表其中缺乏可見的明顯混濁或裂隙（係 以裸眼於約1公尺距離，較佳為約0.5公尺偵測）之膜或物件。

請看圖1，醫療裝置10係藉金屬殼體12而部分地自EMI屏 蔽。殼體12上之資訊顯示器14係覆蓋透明的EMI屏蔽膜16。 金屬盤座18圍繞膜16且用作使膜16的整個週邊電連接至殼 體12之接地電極。膜16提供用於裝置10未受殼體12屏蔽之 剩餘部分的EMI屏蔽。 請看圖2，適合作為EMI屏蔽之膜通常以110顯示。膜110 包含由透可見光塑膜（例如聚對酞酸伸乙酯（“PET”））製成的 柔韌支持體112。由銀製成之可延伸的透可見光金屬層116位 於支持體112頂部。由交聯丙烯酸酯聚合物製成的保護層 122位於金屬層116頂部。金屬層116係透過電極124接地。

於圖3中，另一適合作為EMI屏蔽之膜係以130顯示。膜 130類似膜110,但在支持體112與金屬層116間具有製自交聯 丙烯酸酯聚合物之基底塗層132。 於圖4中，另一適合作為EMI屏蔽之膜係以140顯示。膜 140類似膜110，但在支持體112頂部具有法布-柏羅（Fabry-Perot)干擾堆疊體114。堆疊體114包含第一透可見光金屬層 116、由交聯丙婦酸酯聚合物製成之透可見光間隔層118及由 銀製成的第二透可見光金屬層120。金屬層116及120以及中 間交聯聚合層118之厚度經小心地選擇，使得金屬層116及 120具部分反射性及部分透射性。間隔層118具有選擇厚度 (係定義為層之物理厚度乘於其面内折射率）以便獲致用於 87576 -10- 1279185 透射光所需通過頻帶（pass band)之中央。波長在通過頻帶内 之光主要係穿透薄金屬層116及12〇。波長超過通過頻帶之光 主要文薄金屬層116及120反射，或由於破壞性干涉之緣故 而抵銷。間隔層118亦用作第一金屬層116之保護層。 於圖5中，另一揭示膜通常以15〇顯示。膜15〇類似膜， 但具有基底塗層132(在支持體112與金屬層116間）及第二接 地電極124。 較佳的支持體在550毫微米 特佳的支持體為含柔韌材 可使用多種透可見光支持體。 具至少約70%之可見光透射率。 料之熱塑性膜，例如聚酯（例如PET)、聚丙烯酸酯（例如聚 甲^丙缔酸g旨）、聚碳酸醋、聚丙缔、高或低密度聚乙缔: 聚奈二甲酸伸乙酯、聚砜、聚醚砜、聚胺基甲酸酯、聚醯 胺、聚乙缔基丁縮越、聚乙埽基氯、聚亞乙締基二氣及^ 伸乙烯硫；及熱固性膜，例如纖維素衍生物、聚醯亞胺、 聚醯亞胺苯并w及聚苯并㈣。支持體亦可為多層光學 膜（“MOF”）’例如揭示於美國專利申請案第us 2〇〇2/〇15娜 中者或塗覆至少—種交聯聚合層及金屬層之_(例如揭示 万、2002年8月17日中凊且標題為“增加型熱鏡膜”之共同申請 案序號第H)/222’473號，其係合併於本案以供參考）。由附 製成之支持體為特佳^持體較佳具厚度為約〇〇ι至 、’勺1笔米，，，、而，支持體可相當厚，例如當需要自持物件時 。此等物件亦可便利地藉著在柔動支持體頂部形成一或多 個金屬層及-或多個交聯聚合層’且層壓或另外地接合柔 動支持體於較厚非柔動或較低柔勃補充支持體（如以下更詳 87576 1279185 細說明）而製得。 金屬層116可製自多種材料。較佳金屬包含元素銀人 銅、鎳及鉻，其中以銀為特佳。亦可於彼此混合物中=蛊 其他金屬之混合物中使用含此等金屬之合金（例如 分散液）。當使用額外的金屬層時，其可彼此相同或相里一， 且不需具相同厚度。金屬層較佳足夠厚，俾維持連績性(倘 若在面内方向伸長超過3%)，且夠薄以確保膜及使用此膜^ 物件將具有所欲EMI屏蔽程度及光透射率。金屬層之物2 厚度（相反於光學厚度）較佳為約3至約5〇毫微米’ A佳為約 4至約15毫微米。一般而言，金屬層係藉使用用於膜金屬化 技藝之技術，例如濺鍍（例如陰極或平面磁電管濺鍍）、茨 發（例如抵抗性或電子束蒸發）、化學氣體沉積、電=及= 似方法，而沉積於上述支持體上。 第一金屬之平滑性及連續性以及其對於支持體之黏附性 較佳係藉適當預處理支持體而增強。較佳的預處理法涉及 $反應性或非反應性氣壓存在下放電預處理支持體（例如電 漿、輝光放電、電暈放電、介電障壁放電或大氣壓放幻,· 化予預處理，火焰預處理；或施加成核層（例如揭示於美國 專利第3,6〇M71及3,682,528號中之氧化物及合金）。此等預處 理可有助於確保支持體表面可被接續施用的金屬層接受。 電漿處理為特佳。進—步特佳的預處理法涉及以無機或有 機基底塗層(例如以上之層132)塗覆支持體，視情況接著進 步使用電裝或上述其他預處理之一預處理。有機基底塗 層且特別疋以又聯丙烯酸酯聚合物為基礎之基底塗層， 87576 -12· 1279185 為特佳。基底塗層最佳係藉急速蒸發及氣體沉積一或多個 輻射可交聯的單體（例如丙晞酸酯單體，視情況合併適合的 光引發劑），接著原位地交聯而形成（使用例如電子束裝置 、uv光源、放電裝置或其他適合的裝置），例如揭示於美 國專利第 4,696,719、4,722,515、4,842,893、4,954,371、5,018,048、 5,032,46卜 5,097,800、5，125，138、5,440,446、5,547,508、6,045,864、 ^ 6,231，939及6,214,422號；於公開的PCT申請案第W0 00/26973號 ;於0. G Shaw及M. G. Langlois，“一種用於塗覆紙及聚合物織 f 物之新穎的氣體沉積法”，第6版，International Vacimm Coating Conference (1992);於D· G· Shaw及Μ· G. Langlois，“一種用於氣 體沉積丙烯酸酯薄膜之新穎的高速法：更新版”，Society of Vacuum Coaters 36th Annual Technical Conference Proceedings (1993) 1 於D. G. Shaw及M. G. Langlois，“使用氣體沉積的丙晞酸酯塗料 改良金屬化膜之障壁性質”，Society of Vacuum Coaters 37th Annual Technical Conference Proceedings (1994)；於D. G. Shaw、M. Roehrig、M· G· Langlois及C· Sheehan，“使用蒸發的丙晞酸酉旨塗 料以平坦化聚酯及聚丙烯膜基板之表面”，RadTech (1996); 於 J. Affinito、Ρ· Martin、M. Gross、C. Coronado 及 Ε. Greenwell， . “用於光學應用之真空沉積的聚合物/金屬多層膜”，Thin %

Solid Films 270, 43-48 (1995);於 J_ D. Affinito、Μ· Ε· Gross、C· Α· Coronado、G· L. Graff、Ε· Ν· Green well 及 Ρ. Μ· Martin，“聚合物-氧 化物透明障壁層 ”，Society of Vacimm Coaters 39th Annual Technical Conference Proceedings (1996))。必要時，亦可使用習知的塗覆 法，例如滾動塗覆（例如凹版輥塗覆）或喷淋塗覆（例如靜電 87576 -13 - 1279185 喷淋塗覆），施用基底塗層’接著使用例如^輻射而交聯 。基底塗層所需之化學組成及厚度將部分地取決於支持= 4本性。舉例來言兒’就PET支持體而言，基底塗層較佳係自 丙烯酸酯單體形成，且通常將具僅數毫微米至約2微米之厚 度。 . 可藉包含黏附促進或抗腐蝕添加劑於基底塗層中而進一、 步改良第一金屬層對於基底塗層之黏附性。此可能影響介 方、基底塗層與第一金屬層間界面之表面能量或其他相關特0 性適合的黏附促進或抗腐姓添加劑包含硫醇、含硫醇化 合物、酸（例如羧酸或有機磷酸）、三唑 '染料及潤濕劑。 乙二醇雙硫代乙醇酸酯（揭示於美國專利第4,645,714號）為特 佳的添加劑。添加劑較佳係以足以得到所欲提高的黏附程 度<含量存在，而不會造成第一金屬層之氧化反應或其他 降級情形。 父聯聚合層係位於第一金屬層頂部，且用作保護性耐腐 蝕表面塗層122(倘若不存在其他金屬層時），且用作保護層 及間隔層，例如層118(倘若使用額外的金屬層時）。含2、3 或4個金屬層之堆疊體提供用於一些應用之所欲特性。含2 · 至4個金屬層（其中每一金屬層鄰近於其每一表面具有交聯 聚合層）之堆疊體為特佳。含法布_柏羅光學干擾堆疊體之 具代表性膜揭示於2002年8月17日申請且標題為“聚合物-金 屬紅外干擾濾、波器，，之共同申請案序號第10/222,466號（合併 於本案以供參考）以及上述共同申請案序號第1〇/222,473號中 。於金屬層間使用交聯聚合間隔層促使膜及其金屬層更容 87576 -14- 1279185 易延伸，同時降低對於金屬層之破壞性。 叉聯聚合層τ自多種有機材料形<。聚合層較佳係原位 地於第一金屬層頂邵形成。必要時，可使用習知的塗覆法 ，例如滾動塗覆（例如凹版輥塗覆）或噴淋塗覆（例如靜電噴 淋塗覆），施用聚合層，接著使用例如Uy輻射而交聯。聚 6層更佳係藉如上述針對基底塗層132之急速蒸發、蒸氣沉 積及單體交聯作用形成。可揮發的（甲基）丙烯酸酯單體較 佳用於此一方法中，其中可揮發的丙烯酸酯單體為特佳。 較佳的（甲基）丙烯酸酯具分子量係在約15〇至約6〇〇之範圍内 ’更佳為約200至約400。其他較佳的（甲基）丙晞酸酯每分子 具分子量對丙烯酸酯官能基團數之比例係在約15〇至約6〇〇克 /莫耳/(甲基）丙烯酸酯基團範圍内，更佳為約200至約4〇〇克/ 莫耳/(甲基）丙烯酸酯基團。可使用較高分子量範圍或比例 之氟化的（甲基）丙烯酸酯，例如約400至約3000分子量或約 400至約3000克/莫耳/(甲基）丙烯酸酯基團。可藉冷卻支持體 而改良塗覆效率。特佳的單體包含多官能（甲基）丙晞酸酯 ’係單獨地使用或合併其他多官能或單官能（甲基）丙烯酸 酉旨’例如己虎二醇二丙錦r g旨、丙晞酸乙氧基乙g旨、丙缔酸 丙氧基乙酯、（單）丙烯酸氰基乙酯、丙晞酸異福基酯、甲 基丙缔酸異萡基酯、丙烯酸十八烷基酯、丙烯酸異癸基酯 、丙烯酸月桂基酯、丙烯酸β-羧基乙基酯、丙烯酸四氫呋 喃甲基酯、二腈丙締酸酯、丙烯酸五氟苯基酯、丙烯酸硝 基苯基酯、丙烯酸2-苯氧基乙酯、甲基丙烯酸2-苯氧基乙 酯、（甲基）丙晞酸2,2,2-三氟甲酯、一縮二乙二醇二丙晞酸 87576 -15- 1279185 酯、二縮三乙二醇二丙烯酸酯、二縮三乙二醇二$基丙烯 酸酉曰、一縮二丙一醇二丙浠酸醋、三縮四乙二醇二丙烯酸 酯、新戊基二醇二丙晞酸酯、丙氧基化的新戊基二醇二丙 晞酸醋、聚乙二醇二丙烯酸酯、三縮四乙二醇二丙烯酸酯 、雙酚A環氧基二丙烯酸酯、ι，6-己烷二醇二甲基丙烯酯、 二每甲基丙醇三丙烯酸酯、乙氧基化的三幾甲基丙醇三丙 ^ 缔酸酯、丙氧基化的三羥甲基丙醇三丙烯酸酯、三（2_羥乙 基）-井二聚氰酸二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、丙烯| 酸苯基硫代乙酯、丙烯酯萘氧基乙酯、IRR_214環二丙烯酸 酯（自UCB Chemicals)、丙晞酸環氧基酯奶划〇〇95(自⑽/啦 Corporation)及其混合物。多種其他可熟化材料可包含於交聯 聚合物中，例如乙晞基酯、乙烯基伸莕基化合物、丙烯腈 及其組合。交聯聚合物層之物理厚度將部分地取決於折射 率且部分地取決於所欲的膜光學特性（例如取決於膜是否含 額外的金屬層）。為了用於含法布_柏羅堆疊體之紅外阻^ EMI屏蔽膜，义聯聚合層通常將具折射率為約1 至約1 7， ^ 且較佳將具光學厚度為約75至約350毫微米，更佳為約1〇〇至 約275毫微米，且對應物理厚度約45至約27〇毫微米，更佳= 約60至約210毫微米。 … " 叉聯聚合層之平滑性及連續性以及其對於第一金屬層之I 黏附性較佳係於施加交聯聚合層前藉適當預處理第一：屬 層或藉包含適合的添加劑於交聯聚合層中而增強。較佳的 預處理法包含上述之支持體預處理法，其中第一金^層之 電漿預處理為特佳。用於交聯聚合層之較佳添加劑包^上 87576 -16- 1279185 述之基底塗層添加劑。 、六μ取、^訑用的金屬層之平滑性及連續性以及其對於下 二，，木R 口層之黏附性較佳係於施加額外施用的金屬層前 2 ’田預處理乂聯聚合層或藉包含適合的添加劑於交聯聚 合層中而：強。較佳的預處理法包含上述之支持體預處理 法：其中叉聯聚合層之電漿預處理為特佳。用於交聯聚合 層之較：添加劑包含上述之基底塗層添加劑。 、人％冴地，本案發明人亦發現，當使用上述預處理之 -或兩者時，且#_或多種上述基底塗層合併於用於形成 間隔層〈單體〉昆合物中#，於電流影響下之金屬層的耐腐 :^ U地增強。電漿處理為較佳的預處理法，其中氣氣 私水為特佳。乙二醇雙硫代乙醇酸酯為合併於單體混合物 中之較佳添加劑。 可♦加彳夕功能層或塗料至EMI屏蔽膜，以便改變或改 民其物理或化學性質，尤其是在膜表面處。此等層或塗料 可包含例如低摩擦塗料或滑劑顆粒（以便在膜製造期間使膜 更易操作）、增加擴散性質或防止浸濕之顆粒、或牛頓環 (當膜放在緊鄰另一膜或表面時）、用以防止眩光之抗反射 層（當EMI膜施用於資訊顯示器表面時）、抗靜電塗層、耐磨 或硬膜（hardcoat)材料、抗霧材料、磁性或磁_光塗料或膜、 黏附劑（例如感壓性黏附劑或熱熔性黏附劑）、用以促進黏 附於相鄰層之引劑（primers)、低黏附性背側塗料（當欲以黏 附輥形式之膜使用時）、液晶面板、電致發光或電激光面板 、攝影乳液、棱鏡膜及全像攝影膜或影像。額外的功能層 87576 -17- 1279185 或

睛案第 WO 97/01440、WO 塗料揭示於例如公開的PC丁申 99/36262及W0 99/36號。功能層或塗料___、< 侵入或耐穿刺撕裂膜及塗料，例如揭示於公開的pcT申請 案第WO 01/96H5號中之功能|。額外的功能層或塗層可包 含振動-阻尼膜層，例如揭示於公開的肊丁_請案第w〇 98/26927號及美國專利第5,773，1〇2號，以及障壁層，俾提供 防護或改變膜對於液體（例如水或有機溶劑）或對於氣體（例 如戰、水療汽或二氧化碳）之透射性質。此等功能成分可合 併於顧屏蔽膜之-或多個最外層中，或其可以分離膜或 塗料施用或含於補充支持體中。 就-些應用而言，改變EMI屏蔽膜之外觀或效能可能是 必要的，例如藉層壓染色膜層至此膜、施用著色的塗料至 膜表面或包含染料及顏料於一或多種用以製造膜之材料。 染料或顏料可吸收於頻譜之一或多個選擇區中，含部分紅 外、紫外或可見頻譜。染料或顏料可用以補充膜的性質， 尤其在膜傳送某些頻率同時反射其他頻率之情形中。可用 fEMI屏蔽膜之特別有用的著色層揭示於公開的pCT申請案 第WO 2001/58989號中。此層可經層壓、擠壓塗覆或共擦壓 f表皮層於膜上。顏料裝載含量可於介於約0.01及約1.0重 里％間改變，以便如所欲地改變可見光透射率。添加^吸 收覆盍層亦可為必要的，以便保護此膜之任一内層（當暴露 _ #田射時可此疋不穩定的）。亦可以例如墨水或其他印 刷標記（例如用以顯示製造標誌、定位資訊、廣告、警語、 裝飾或其他資訊者）處理EMI屏蔽膜。可使用許多技術以印 87576 -18- 1279185 刷於EMI屏蔽膜上，例如篩網印刷、喷墨印刷、熱轉移印 刷、凸版印刷、平版印刷、橡膠版輪轉印刷、點刻印刷、 雷射印刷等等，且可使用多種墨水，含一及二種成分墨水 、氧化乾燥及UV乾燥墨水、溶解墨水、分散墨水及1〇〇%墨 水系統。 ， EMI屏蔽膜可經定向，且視情況於足以輔助膜相配合之 、 條件下加熱固定，而不會對於非平面基板大量起皺。當 EMI屏蔽膜欲層壓之非平面基板具已知形狀或曲率時，此| 特別有用’尤其是當層壓物具已知的嚴格複合曲率時。藉 個別地控制EMI屏蔽膜於每一面内方向之收縮率，可造成 EMI屏蔽膜於層壓作用期間（尤其在夾輥層壓作用期間）以受 控方式收縮。用於製造具目標收縮性質之M〇F支持體之相. 關技術的細節揭示於已公開的PCT申請案第w〇 〇1/961〇4號。 可便利地用以製造所揭示膜之裝置18〇顯示於圖6A中。動 力驅動的捲筒181a及181b係前後移動支持織物182通過裝置 180。控溫的旋轉輥i83a&183b及導輪184a、18牝、18如、md φ 及184e運送織物182通過金屬濺鍍塗抹器185、電漿預處理器 186、單體蒸發器187及E_束交聯裝置188。液態單體189係自 · 貯存益190供應至蒸發器187。使用多通道通過裝置可將 接績層施加至織物182。裝置180可封入適合的室中（圖6A中 未顯示）且維持於真空下或供應適合的惰性氛圍，俾阻擋氧 氣、水蒸汽、粉塵及其他大氣污染物免於干擾許多預處理 、單體塗覆、交聯及濺鍍步驟。 EMI屏蔽膜之金屬層較佳係連接於至少一個接地電極， 87576 -19- 1279185 例如圖2中之電極124。可於EMI屏蔽膜接合於其他裝置或需 要EMI屏蔽之裝置之前後將接地電極連接於金屬層。接地 電極可使用遮蔽、電鍍及其他印刷電路技術（熟習本技藝之 人士所熟悉者）形成，或可使用金屬條、導線、導電塗料及 其他連接件（熟習本技藝之人士所熟悉者）形成。3M™導電 膠布9703及9713 (3M，St· Paul MN)為特佳的接地電極。此等 膠布含有穿透最外交聯聚合物層且提供電連接於下方金屬 層之纖維或顆粒。當二或多個金屬層欲串聯或並聯連接時 ，可使用具此等膠布之適當的匯流排。 於另一具體例中，金屬層不需接地。雖然較不佳，但此 一具體例確實透過反射而提供EMI屏蔽，且可用於可容忍 較低水平EMI屏蔽之應用。用於此等未接地的EMI屏蔽膜之 應用包含測試設施、安全性/安全室及天線元件。 於EMI屏蔽物件中，較佳大部分，且最佳為整個EMI屏蔽 膜邊緣係連接於接地電極。接地電極通常係連接或結合於 需要EMI屏蔽或圍繞裝置之殼體（例如透明殼體）。 當EMI屏蔽膜具複數個金屬層時，一或多層可用於EMI屏 蔽，且一或多個剩餘層可用於除了 EMI屏蔽以外之目的， 例如用於加熱、侵入性偵測、接觸偵、測紅外阻隔及裝置或 其他光學目的。含複數金屬層之加熱膜揭示於2002年8月17日 申請且標題為“柔韌導電膜”之共同申請案序號第10/222,449 號（合併於本案以供參考）。EMI屏蔽膜亦可用於不需EMI屏 蔽之目的，例如用於加熱、侵入性偵測、接觸偵測紅外阻 隔及裝置或其他光學目的，而沒有慎重地EMI屏蔽角色。 87576 -20- 1279185 因此，用於EMI屏蔽膜及物件 件、本兩他用途包含電加熱的物 件^極物件、障壁物件、安全物件、裝飾物件。 ^外、.、。合膜至適合的補充支持體或其他基板，而較容易 地i造自持物件。典型的補充支持體或基板材料包各❹ 玻墒材料，例如玻璃（可為經絕緣、回火、層壓、退火或力人 熱強化’且為含板片及模製物件形式)、金屬(可 退火或加熱強化，且為含連續或穿孔板片、篩網、厚板及 模製物件形式）及塑膠（可經層壓、退火或加熱處理，且為 含連、讀或穿孔板片、織造或非織造筛網、厚板及模製物件 形式）。EMI屏蔽膜特別有效於非平面結構或與非平面美板 有關，尤其是具複合曲率者，含由破璃、金屬、塑膠^料 (例如上述支持體材料及其他適合的材料）製成的非平面面 板或換製物件。此等非平面結構通常可透過謹慎形變工 屏蔽膜而得。為了簡化，“預成型物，，一詞可用以說明^體 化意欲受形變操作之EMI屏蔽膜2EMI屏蔽膜或物件。舉= 來說’形變操作係於預成型物之至少一表面自均勻地平扭 的平面表面（EMI屏蔽膜當最初製造時通常具有者）改變。來 變操作通常將預成型物之一般平坦的平面表面區域轉換為 具二維特性之區域。形變操作可利用熱改良預成型物的工 作品質及其他度量（例如壓力、真空、模具等）。舉例來嘴 ，一較佳形變操作係使用熱成型法，含許多形式之真空咬 壓模/成型、塞模、注模等。預成型物可黏附、拉直或者米 變於非平面基板（例如複合彎曲基板）上。預成型物可麵壓 87576 -21 - 1279185 紋或者慎重地再成型。預成型物之拉引或拉直亦 、 力J用以提 供永久形變的複合彎曲區域予預成型物。熟習本技蓺之 士將可理解，可使用許多其他製造技術以提供所欲的 予預成型物。 交 形變可包含相當少的形變量（例如當壓紋膜時所遇到者） 向上至較大規模（例如當膜製或熱成型膜時所遇到者）。預 成型物較佳可採用無大量裂縫或皺摺之非平面結構。.因之 形變的膜或物件可具許多結構。一種此等結構描述於圖^ 中’其中預成型物200包含在選擇區206及208形變之第一主 要表面202及第二主要表面204。選擇區206在第一主要表面 202為凹處，且選擇區208在第二主要表面2〇8為隆起區，且 在此例中，此二區是同時發生的。圍繞區域2〇6及2〇8之預 成型物200的一般平坦平面區定義出未形變厚度沁。選擇區 206及208定義出形變厚度化。於一些情形中，可能較佳的: ，比例to·，可至少為約L1:1，更佳為至少約15:1，又更佳為 至少約1.75:1，甚至更佳為至少約2:!。 圖6C及圖6D說明更極端的形變結果。物件21〇可視為強烈 拉引形變操作之一實施例。物件21〇包含第一主要表面212 及第二主要表面214以及複數個選擇區域，其中預成型物已 形變而提供凹處區域216及開口 220(形成於第一主要表面212 中）及隆起區域218(形成於第二主要表面214上）。凹處區域 216包含開口 220、彎曲區域222及224(具連續的較低曲率半 從）以及強烈拉引之側壁226。形變量可以凹處區域2丨6平均 寬度w (穿過開口 220而測得）與凹處區域216平均深度4(自第 87576 -22- 1279185 -王要^面212而測得）之縱橫比而描緣特徵。就非圓形門 口 220而言，較佳可穿過其最_尺寸測得寬度w。於—些: 子中，凹處區域216具縱橫比w:d較佳為約1〇:1或更少，更佳 為2:1或更少，|至更佳為1:1或更少，且又更佳為約咖或 更少。必要時，形變程度可以絕對量測得。就某些例子而 言’深度d較佳為至少約〇」毫米或更多，更佳為至少约夏毫 米或更多’ S至更佳為至少約1〇毫|或更多。應瞭解當深 度d接近或超過預成型物厚度時，隆起區域218變得更I易 形成於第二主要表面214上。 开y成杰第主要表面212凹處區域216之深度d的測量法不 限方；其中第主要表面為平面之場合。此刻請看圖犯，已 形變的預成型物230係以彎曲的結構描述。預成型物23〇包 含形成於第一主要表面234上之凹處區域232、於第二主要表 面236上之對應的隆起區域238、低曲率半徑區域24〇及242以 及強烈拉引之側壁244。凹處區域232之深度d較佳係自通常 藉第一主要表面234定義之幾何表面測得，且通常將為離幾 何表面最大深度。 倘若EMI屏蔽膜於介於第一與第二金屬層間具聚合間隔 層，則間隔層可能有厚度減少情形（由於形變操作之緣故） 。於此一例子中，於形變程序期間，聚合間隔層厚度在已 &歷南水平應變之物件區域處通常可能是較低的，且在已 經歷咼少量或無應變之物件區域處通常可能是較高的。 雖然不欲受限於理論，但咸信藉已揭示方法形成之物件 遇到自程序產生的結構中所反映之變化。含熱塑性基板、 87576 -23- !279185 ΐ:二更2屬層及至少—交聯聚合層之平面膜係藉所 、f::複合-ί熱成型或類似方法形變，以便符合折彎 人全乂 Γ 口弓b ^狀。由於此方法之緣故，金屬或金屬 口至層可於一些區域延具， 旬 得的材料性質為達破壞之仲長域壓縮。通常測 失^即破心，材料可拉直之量（以應變測得）。決定是不 的中性平认评了猎邊層對於最初平面膜 號中1明杳、1曰4、S兄明（如揭示於美國專利第4,888,061 。位屬或金屬合金層係位於接近膜中性平面處 ，且、、:有二：面處上之材料未受到應力(為形變之結果) :吴：應變屋生。取決於形變之相對定位， 說：=1!之材料層將經歷壓縮或者延長。舉例來 且全屬^入屬人』物平面膜通常將於基板内具中性平面， 門此：ΐ 層及相關的透明交聯聚合物層將位於離 開此中性平面處。告 力卞万、雊 性平面與曲率半徑：緣間：.，=以致於含金屬層介於中 當含金屬層+於中祕、， 5金屬層經拉長；相反地， 經壓縮。㈣同方式平面與曲率半徑内緣間時，含金屬層 成伸長）下形成而定%層是否在壓力或拉力作用（造 初厚戶改傲入 千面胺中疋每一層的厚度可相對於最 m:長：：3金屬層達破壞之伸長量係視是否層已經壓 形：：=。相較於最初平面膜達破壞之伸長量，已於 層二較低達破壞之伸長量(即此 層之厚度可於此形變期門低的應力)’此外’膜中每- "月間降低。對照之下，已經壓縮之含 87576 -24- 1279185 金屬層具有較平面膜更高的達破壞之伸長量；此外，膜中 每一層之厚度可於此形變期間提高。 、 圖6F顯示用以使預成型物起皺之裝置25〇之部分圖式，並 係使用第一及第二通常圓柱形波紋形構件或滾輪252 ^ 254(每-者具-軸及複數個分別定義波紋狀構件252及周 圍之間隔的隆起部256及258)。隆起部攻與没間之間隙適 用於以介於波紋狀構件252與254間之網狀關係接收預成型 物260。配置亦包含用於轉動波紋狀構件乃2或254中至少一 及用於供給或捲取預成型物260之適當的裝置，以致於預成 型物260通#將形變為藉第一波紋狀構件252周圍定義之形 狀。影¥二維結構體之製程參數且於某些#合為生成的波 紋狀膜的裝置外觀包含波紋狀滾筒之溫度、介於波紋狀滾 筒間之夾壓、波紋狀滾筒之直徑、線速率以及隆起部256及 258之形狀及鐘平（spading)。 可使用此一起皺法製得之波紋狀結構28〇係顯示於圖6G中 。波紋狀之特徵在於拱形部分282、凹谷部分284及中間部分 286及288(使拱形部分連接於凹谷部分）。當顯示於圖6G中之 波纹狀為正旋形狀時，應理解起皺法可產生許多其他所欲 形狀之波紋狀，例如顯示於圖6H中之起皺物件29〇。此外， 起敵物不需延長完全寬度或沿著預成型物延長。相反地， 其可針對任一所欲長度及在任一方向，於預成型物之平面 或一般曲率延長。 熟習本技藝之人士將瞭解，可使用廣泛種類之預成型物 及形 < 技術以提供廣泛種類之永久形變的膜及物件。 87576 -25 - 1279185 可使用熟習本技藝之人士熟知的技術進行完整的裝置或 緊鄰封閉區域中之EMI屏蔽膜或物件組裝。舉例來說，用 於EMI屏蔽窗口之具代表性的結構體詳細資料可發現於1 蔽殼體之設計：防止EMI之有成本效益的方法，Louis T. Gnecco著(Newnes Publishing: Butterworth-Heinemann，Boston，2000)。額 外的EMI屏蔽材料，例如襯塾、膠布、織物、發泡體或其 他材料，可合併EMI屏蔽膜及物件使用。用於此等其他材 料之具代表性的EMI屏蔽方程式及技術揭示於以上引用的 書籍中；於有關電磁干擾及相容性之手冊系列（Interference Control Technologies，Inc·，Gainesville，VA，1988)中，尤其是第 3 冊： 電磁屏蔽，Donald R· J_ White及 Michel Mardiguian 著；第 8 冊： EMI控制方法及程庠，Michel Mardiguian著；及於第8章：用 於電機工程之雷磁相容性，B. A. Austin著（電機工程師參考 書，G. R. Jones，M. A· Laughton 及 M· G. Say 著（Butterworth-Heinemann， Oxford，UK，1993))。具代表性的裝置包含設備、顯示器（例如 電漿顯示器）、成像設備（例如電磁共振成像設備）、電腦設 備（例如伺服器）、通信設備（例如行動電話）、醫療裝置及類 似物。具代表性的封閉區域包含房間（例如安全機房或測試 設備設施）、傳送設施（或其部分）、腔室、帳篷及類似物。 EMI屏蔽膜及物件之較佳具體例可提供光學透明、柔韌 或可延伸的屏蔽，其可阻礙不想要的電磁能量傳送進出電 子裝置及其他可造成或敏感於電磁干擾之裝置。此等較佳 的EMI屏蔽膜及物件可提供比典型市售光學透明EMI屏蔽膜 引人注目之較佳的持久性及耐腐蝕性，同時提供類似的光 87576 -26 - 1279185 學透明度及屏蔽能力。令人驚訏地，此等較佳的EMI屏蔽 膜保留其EMI屏蔽能力，甚至當拉伸、彎曲或弄皺時亦同 。EMI屏蔽膜較佳係當以其原始長度5%、10%或更多之拉伸 模式拉緊時保留其EMI屏蔽能力。EMI屏蔽膜更佳係當以其 原始長度20%、30%、40%或甚至50%或更多之拉伸模式拉緊 時保留其EMI屏蔽能力。這是未預期的結果，因為市售的 EMI屏蔽膜於應變恰低於10%且甚至5%(例如於2%應變）時喪 失其EMI屏蔽能力。EMI屏蔽膜較佳係當以45度角彎曲時（更 佳係當以90度角彎曲時）具有保留的EMI屏蔽能力。更佳地 ，當以180度角彎曲或弄皺時，其保留EMI屏蔽能力。這是 未預期的結果，因為市售的EMI屏蔽膜當彎曲時或當粗略 操作時喪失其EMI屏蔽能力。 以下試驗係用以評估許多EMI屏蔽膜·· 腐蝕試驗 自膜樣品中央切割兩條狀物25.4毫米寬乘以約254至305毫 米長。於室溫下，將條狀物放置於含20% KC1溶液之罐子中 ，使得每一條狀之約150至200毫米浸潰於鹽溶液中。將罐 蓋旋入罐子上，以防止鹽溶液蒸發。於15分鐘浸潰後移走 條狀物，將支持體側向下放置於乾燥紙巾上，且以衛生紙 或紙巾沿著條狀物寬度擦抹。當擦抹時施以中等壓力。接 著以冷水清洗條狀物，以便自表面移走鹽，且觀察膜表面 外觀。外觀評分係以擦抹條狀物後移走的金屬層量視覺估 計為基礎，以原始金屬層面積百分率表示。 電流作用下之腐蝕試驗 87576 -27 - 1279185 自膜樣品中央切割兩條狀物25.4毫米寬乘以203毫米長。 於條狀物窄端之兩側上塗上No. 22-201銀塗料（Katy Company) 。於銀塗料乾燥後，將銅對摺於已塗漆之邊緣，以便在條 狀物之每一端形成持久性電極。將4.0伏特電壓施於接點間 ，且測量及記錄生成的電流。接著將接近每一條狀物中央 之125至150毫米斷面浸入20°C之20% KC1溶液中。於浸潰期間 測量及記錄電流。 黏附性試驗 自膜樣品中央切割約254毫米寬乘以約254毫米長之正方 形。同時於MD及TD方向，將25.4毫米寬乘以178毫米長片美 紋膠帶（masking tape)及細絲膠帶每一者施用於膜，以2_3公斤 轉輥施壓，接著老化一週。黏附性試驗評分係以剝離膠布 後之金屬層殘餘量視覺估計為基礎，以原始金屬層面積百 分率表示。 導電率對應變試驗 就EMI屏蔽膜將喪失其EMI屏蔽能力時之應變水平近似測 量而言，使用SINTECH™ 200/S拉伸測試機（Instron Coip·)拉直 EMI屏蔽膜，以便測定膜停止導電時之應變百分率。將如 電流作用下之腐蝕試驗中製備之條狀物夾在拉伸測試機之 顎口中，且使用顎口夾使電源供應區連接至銅電極。當使 用規格長度101.6毫米及十字頭速率為25.4毫米/分鐘時，將4 伏特之固定電壓供應至條狀物，且測量及記錄對％應變之 電流。 板片電阻試驗 87576 -28 - 1279185 使用未接觸導電率測量裝置（Model 717B Benchtop Conductance Monitor，Delcom Instruments Inc.)，評估 EMI屏蔽膜之板片電阻或 表面電阻。 日照得熱係數及遮光係數 數值Te係定義為由樣品透射之太陽能（自250毫微米至2500 毫微米）除以總入射太陽能之比例（以百分率表示）。數值Ae 係定義為由樣品吸收之太陽能（自250毫微米至2500毫微米） 除以總入射太陽能之比例（以百分率表示）。使用自ASTM E891之太陽發光數據（使用空氣質量1.5)計算日光性質。日 照得熱係數（SHGC)經計算為 SHGC = Te + 0.27(Ae) 〇 遮光係數（SC)係定義為通過特定鑲嵌玻璃對於通過標準3.2 毫米厚窗玻璃之單平面的日照得熱係數比例，且經計算為 SC = SHGC / 87.0。 EMI屏蔽強度 透過遠場型測試（使用同軸丁EM室），根據ASTM D-4935-99 評估EMI屏蔽強度。結果以分貝（dB)報告。 此刻將參照以下非限制的實施例說明EMI屏蔽膜，其中 除非特別指明，否則所有份數及百分率係以重量計。 貫施例1 (層1)將一捲約300公尺長之0.05毫米厚乘以508毫米寬PET 支持體（MELINEX™ No· 453 膜，DuPont Teijin Films)裝載於如圖 6A中所示之捲帶式（roll to roll)真空室中。將真空室中之壓力 降至3 X 1〇-4托耳。接續地於一次操作期間，以36.6公尺/分鐘 87576 •29- 1279185 之織物速率電漿預處理支持體及塗覆丙烯酸酯。電漿預處 理係於氮氣氛圍下（以70 seem(每分鐘標準立方公分）之氮氣 流），利用以1500瓦功率（429伏特及3.5安培）操作之鉻標靶及 不平衡的dc磁電管。丙稀酸g旨塗料係使用IRR214丙晞酸酉旨 (UCB Chemicals)與丙晞酸月桂基酯之50:50混合物，其已藉放 置液態單體混合物之容器於鐘形玻璃罩中脫氣1小時，且降 壓至約1毫托耳。以2.35毫升/分鐘之流率泵送已脫氣的單體 通過超音波喷霧器至維持於274°C之蒸發室中。於-18°C之轉 鼓溫度下，將單體蒸氣冷凝於移動織物上，且使用單絲槍 (於7.59 kV及2.0毫安培操作）進行電子束交聯。 (層2)倒轉織物方向。再度以36_6公尺/分鐘操作，使丙締 酸酯表面經電漿處理且塗覆磁電管濺鍍的銀。電漿預處理 係如前述，但使用413伏特及3.64安培。以10,000瓦功率（590 伏特及16.96安培）、轉鼓溫度25°C及氮氣氛圍（以每分鐘90標 準立方公分之氬氣流）濺鍍銀。 (層3)再度倒轉織物方向。再度以36.6公尺/分鐘操作，使 用上述單體混合物，但在單體沉積前未電漿預處理銀表面 ，形成交聯的間隔層。使用轉鼓溫度-17°C及上述之其他單 體沉積條件，將單體蒸氣冷凝於移動織物上，且使用單絲 槍（於7.8 kV及3.8毫安培操作）進行電子束交聯。 (層4)再度倒轉織物方向。再度以36.6公尺/分鐘操作，使 交聯的間隔層經電漿預處理且塗覆磁電管濺鍍的銀。電漿 預處理係如前述，但使用429伏特及3.5安培。如前述賤鍍銀 ，但以590伏特、16.94安培及轉鼓溫度22°C進行。 87576 -30- 1279185 (層5)再度倒轉織物方向。使用上述單體混合物，但在單 體沉積前未電漿預處理銀表面，形成保護層。使用轉鼓溫 度-17°C及上述之其他單體沉積條件，將單體蒸氣冷凝於移 動織物上，且使用單絲槍（於10.11 kV及3.8毫安培操作）進行 電子束交聯。 生成的紅外阻隔丙烯酸酯/Ag/丙晞酸酯/Ag/丙烯酸酯光學 “ 堆疊體之光學性質顯示於圖7中。曲線T及R分別顯示完成 的膜之透射率（Tvis)及反射率。使用光學模型且假設銀之布 | 魯曼（Bruggerman)密度為0.97，此五層具有計算而得之厚度為 120毫微米（丙晞酸酯層1)/12毫微米（Ag層2)/85毫微米（丙烯 酸酯層3)/12毫微米（Ag層4)/120毫微米（丙烯酸酯層5)。 實施例2 使用實施例1之方法，以五層丙烯酸酯/Ag/丙稀酸酯/Ag/ 丙烯酸酯光學堆疊體覆蓋PET支持體，但同時在金屬層之頂 部及頂部使用電漿預處理。個別層之差異性如下： (層1)如前述電漿預處理支持體，但使用1000瓦功率（402 φ 伏特及2.5安培）及每分鐘102標準立方公分之氮氣流。單體 流率為2.45毫升/分鐘，且蒸發室溫度為276°C。使用-21°C之 ^ 轉鼓溫度，將單體蒸氣冷凝於移動織物上。電子束絲係於 8.0 kV及6.5毫安培操作。 (層2)以1000瓦功率（309伏特及3.34安培）及每分鐘90標準立 方公分之氮氣流進行電漿預處理。以570伏特及17.88安培、 轉鼓溫度21°C及每分鐘93.2標準立方公分之氬氣流濺鍍銀。 (層3)於間隔層沉積前，電漿預處理銀表面。電漿預處理 87576 -31 - 1279185 係利用絡標革巴及1 _瓦功率（3〇8伏特及333安培）。使用轉鼓 溫度-23°C，將單體蒸氣冷凝於移動織物上，且使用單絲^ (於8.0 kV及6.0毫安培操作）進行電子束交聯。 (層4)電t預處理係以316伏特及3 22安培進行，且氮氣流 率為每分鐘90標準立方公分。以567伏特及1766安培 '轉鼓 溫度2吖及每分鐘95.5標準立方公分之氬氣流濺鍍銀。 (層5)於料層沉積前，電漿預處理銀表面。電聚預義理 係於層3巾相同。使用轉鼓溫度_坑，將單體蒸氣冷凝於移 動織物上，且使用單絲槍（於8〇 kv及62毫安培操作）進行電 子束交聯。 生成的五層紅外阻隔丙缔酸酯/Ag/丙烯酸酯/Α§/丙埽酸酯 光學堆疊體之光學性質顯示於圖8中。曲線丁及以分別顯示 完成的膜之透射率及反射率。使用光學模型且假設銀之布 魯曼密度為〇·97,此五層具有計算而得之厚度為12〇毫微米 (丙晞酸酯層1 )/9毫微米（Ag層2)/95毫微米（丙缔酸酯層3)/9 耄微米（Ag層4)/120毫微米（丙烯酸酯層5)。 實施例3-5 使用實施例2之方法，具改變厚度的銀層之五層紅外阻隔 丙#酸酯/Ag/丙烯酸酯/Ag/丙烯酸酯光學堆疊體形成於ρΕτ 支持體上。生成的膜經評估外觀、透射率（Tvis)、反射率、 日照得熱係數（SHGC)、遮光係數（sc)及板片電阻。處理條 件及評估結果說明於以下表1中。 87576 -32- 1279185 表1 實施例3 實施例4 實施例 層1 沉積的材料 單體 單體 單體 線速率（公尺/分鐘） 36.6 36.6 36.6 電漿（瓦） 1000 1000 1000 轉鼓溫度（°c) -21 -21 -21 單體進料（毫升/分鐘） 2.65 2.65 2.65 層2 沉積的材料 Ag Ag Ag 線速率（公尺/分鐘） 35.1 36.6 38.1 電漿（瓦） 1000 1000 1000 轉鼓溫度（°c) 26 26 26 濺鍍功率（千瓦） 10 10 10 層3 沉積的材料 單體 單體 單體 線速率（公尺/分鐘） 36.6 36.6 36.6 電漿（瓦） 1000 1000 1000 轉鼓溫度（°C) -19 -19 -19 單體進料（毫升/分鐘） 2.65 2.65 2.65 層4 沉積的材料 Ag Ag Ag 線速率（公尺/分鐘） 35.1 36.6 38.1 電漿（瓦） 1000 1000 1000 勹Λ -JJ - 87576 1279185 實施例3 實施例4 實施例5 轉鼓溫度（°c) 28 28 28 濺鍍功率（千瓦） 10 10 10 層5 沉積的材料 單體 單體 單體 線速率（公尺/分鐘） 36.6 36.6 36.6 電漿（瓦） 1000 1000 1000 轉鼓溫度（°C) -18 -18 -18 單體進料（毫升/分鐘） 1.35 1.35 1.35 結果： 外觀 良好 良好 良好 透射發光率（Tvis) 72.37 72.14 71.53 反射發光率 12.36 10.92 11.18 SHGC 46.28 46.84 48.04 SC 0.5320 0.5384 0.5522 板片電阻（歐姆/square) 3.929 4.505 4.673 表1中之結果顯示使用 改變的線速率 以改變金屬層厚度。 可製得具Tvis高達72%且板片電阻低達3.9歐姆/square之膜。使 用導電率對應變試驗，亦評估二樣品（實施例4及5之每一 膜）。結果分別顯示於圖9及10中。於達到50%或更多應變時 ，所有膜樣品傳導電流。 比較例1 使用導電率對應變試驗，評估以透明銀層及氧化銦無機 電介質（XIR™ 75 膜，South wall Technologies Inc.)為基礎之市售產 87576 -34- 1279185 品。當僅受1%應變時，樣品不合格。 實施例6-11 使用實施例3至5之方法，將五層紅外阻隔丙烯酸酯/Ag/ 丙烯酸酯/Ag/丙烯酸酯光學堆疊體形成於PET支持體上（實 施例6-9)或雙折射多層光學膜支持體（3M™ Solar* Reflecting Film Να 41-4400-0146-3，實施例10-11)上，且視情況提供電漿後處 理。藉改變以下所示之沉積條件改變層5之厚度。生成的膜 經評，·估外觀、透射率、反射率、日照得熱係數、遮光係數 及板片電阻。處理條件及評估結果說明於以下表2中。 表2 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 6 7 8 9 10 11 層1 沉積的材料 單體 單體 單體 單體 單體 單體 線速率(公尺/分鐘） 36.6 36.6 36.6 36.6 36.6 36.6 電漿(瓦） 1000 1000 1000 1000 1000 1000 轉鼓溫度(°c) -21 -21 -21 -21 -21 -21 單體進料(毫升/分鐘） 2.65 2.65 2.65 2.65 2.65 2.65 層2 沉積的材料 Ag Ag Ag Ag Ag Ag 線速率(公尺/分鐘） 36.6 36.6 36.6 36.6 36.6 36.6 電漿(瓦） 1000 1000 1000 1000 1000 1000 轉鼓溫度(°c) 26 26 26 26 19 19 濺鍍功率(千瓦） 10 10 10 10 10 10 87576 -35- 1279185 實施例實施例實施例實施例實施例實施例 6 7 8 9 10 11 層3 沉積的材料 線速率(公尺/分鐘） 電漿(瓦） 轉鼓溫度(°C) 單體進料(毫升/分鐘) 層4 沉積的材料 線速率(公尺/分鐘） 電漿(瓦） 轉鼓溫度(°C) 濺鍍功率(千瓦） 層5 沉積的材料 線速率(公尺/分鐘） 電漿(瓦） 轉鼓溫度(°C) 單體進料(毫升/分鐘) 電漿後處理 線速率(公尺/分鐘） 電漿(瓦） 結果： 單體 單體 單體 36.6 36.6 36.6 1000 1000 1000 -19 19 -19 2.65 2.65 2.65 Ag Ag Ag 36.6 36.6 36.6 1000 1000 1000 28 28 28 10 10 10 單體 單體 單體 36.6 36.6 36.6 1000 1000 1000 -18 -18 -18 1.45 1.25 1.35 36.6 1500 單體 單體 單體 36.6 36.6 36.6 1000 1000 1000 -19 -20 -20 2.65 2.85 2.85

Ag Ag Ag 36.6 36.6 36.6 1000 1000 1000 28 23 23 10 10 10 單體 單體 單體 36.6 36.6 36.6 1000 1000 1000 -18 -17 -17 1.35 1.35 1.35 36.6 36.6 1000 1000 87576 -36- 1279185 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 6 7 8 9 10 11 外觀 良好 良好 良好 良好 良好 良好 透射發光率(Tvis) 71.51 70.09 68.19 72.59 72.69 72.51 反射發光率 11.73 12.02 11.86 7.75 11.16 10.15 SHGC 46.60 46.25 44.82 46.81 44.97 45.63 SC 0.5356 0.5316 0.5152 0.5381 0.5169 0.5244 板片電阻(歐姆/ square) 4.23 4.38 5.709 5.208 3.927 4.389

表2中之結果顯示使用二種不同基板，改變頂部塗層厚度 及視需要選用電漿後處理頂部塗層。可製得具Tvis高達73% 且板片電阻低達3.9歐姆/square之膜。使用導電率對應變試 驗，亦評估實施例11之二樣品。結果顯示於圖11中。於達 到50%或更多應變時，兩膜樣品傳導電流。 實施例12 使用實施例2之方法，以五層丙晞酸g旨/Ag/丙稀酸g旨/Ag/ 丙缔酸酯光學堆疊體覆蓋PET支持體，但同時在金屬層之頂 f 部及頂部使用電漿預處理。個別層之差異性如下： (層1)以1000瓦功率電漿預處理支持體，但使用322伏特、 ， 3.15安培及每分鐘70標準立方公分之氮氣流。單體流率為 2.65毫升/分鐘，且蒸發室溫度為274°C使用-20°C轉鼓溫度， 將單體蒸氣冷凝於移動織物上。電子束絲係於8.04 kV及5.7 毫安培操作。 (層2)以1000瓦功率進行電漿預處理，但使用378伏特、 3.09安培及每分鐘70標準立方公分之氮氣流。以547伏特、 87576 -37- 1279185 18.36安培、轉鼓溫度26°C每分鐘70標準立方公分之氬氣流濺 鍍銀。 (層3)以1000瓦功率進行電漿預處理，但使用327伏特及3.1 安培。使用轉鼓溫度-19°C將單體蒸氣冷凝於移動織物上。 電子束絲係於8.04 kV及6.3毫安培操作。 ’ (層4)以1000瓦功率進行電漿預處理，但使用328伏特、 — 3.07安培及每分鐘70標準立方公分之氮氣流。以546伏特、 18.34安培、轉鼓溫度28t每分鐘70標準立方公分之氬氣流濺 f 鍍銀。 (層5)以1000瓦功率進行電漿預處理，但使用359伏特及 2.82安培。使用轉鼓溫度-18°C將單體蒸氣冷凝於移動織物上 。電子束絲係於8.04 kV及4.6毫安培操作。 生成的五層紅外阻隔丙烯酸酯/Ag/丙缔酸酯/Ag/丙烯酸酯 光學堆疊體之光學性質顯示於圖12中。曲線T及R分別顯示 完成的膜之透射率及反射率。膜具具Tvis為71.5%。接著將膜 切割為30.5公分乘以2.54公分條狀物。邊緣塗上銀導電漆 f (SILVER PRINT™，0·Κ· Thorsen Inc.)。將 2.54公分乘以 2.54公分 銅箔摺疊於條狀物相對窄端之每一者上，且使用設有顎口 ， 夾之引線連接至0-20伏特電源供應器（Model 6253A dual DC，

Hewlett Packard，Inc.)。將電壓施於條狀物，並且測量為時間 函數之電流及條狀物溫度。當條狀物溫度停止增加時，施 加較高電壓。結果顯示於以下表3中。 87576 -38- 1279185 表3 Ο 1 2 3 4 6 10 11 12 15 17 19 21 22 23 25 29 33 34 表3中之結 果 伏特 0 安培 0 功率（W)功率（W/cm2) 溫度（。〇 23.4 16 0.265 4.24 0.0548 51.3 16 0.265 4.24 0.0548 54 16 0.265 4.24 0.0548 55.4 16 0.265 4.24 0.0548 56.4 16 0.265 4.24 0.0548 57.8 16 0.265 4.24 0.0548 58.8 20 0.34 6.8 0.0878 69.9 20 0.34 6.8 0.0878 73.1 20 0.34 6.8 0.0878 75.6 20 0.34 6.8 0.0878 76.4 20 0.34 6.8 0.0878 76.3 24 0.42 10.08 0.1302 103.1 24 0.42 10.08 0.1302 99.8 24 0.42 10.08 0.1302 103.5 24 0.42 10.08 0.1302 105.4 24 0.42 10.08 0.1302 106.9 24 0.42 10.08 0.1302 107.4 24 0.42 10.08 0.1302 107.4 ’ 膜可禁得起極高 功率密度及極高溫度， ^双Μ吏條狀物冷卻，且施加16伏特至條狀物 ，因而造成測得電流〇·27安培。膜於接觸時變為溫暖。接著 87576 -39- 1279185 以45度角，且之後以90度角，於相反頂部邊緣上彎曲膜。 膜於接觸時仍有溫暖感，且電流保持於0.27安培。接著以 180度角彎曲膜。膜於接觸時仍有溫暖感，且電流保持於 0.27安培。當斷裂出現時，膜中將出現熱斑，且將可觀察到 大量電流變化（或電流完全中斷），伴隨著EMI屏蔽能力喪失。 比較例2 使用實施例12之方法，提供能量且加熱XIR 75氧化錮膜樣 品（Southwall Technologies Inc·)。當受24伏特且當彎曲時，樣品 不合格。結果顯示於以下表4中。 表4 時間（分鐘）伏特安培功率（W)功率（W/cm2)溫度（°C) 0 8 0.122 0.976 0.0130 23.1 2 8 0.122 0.976 0.0130 32.3 4 8 0.122 0.976 0.0130 33 6 8 0.122 0.976 0.0130 33.4 7 8 0.122 0.976 0.0130 33.6 8 8 0.122 0.976 0.0130 33.4 10 12 0.182 2.184 0.0291 41.7 11 12 0.182 2.184 0.0291 42.5 12 12 0.182 2.184 0.0291 43 13 12 0.182 2.184 0.0291 43.1 14 12 0.182 2.184 0.0291 43.5 15 12 0.182 2.184 0.0291 43.6 16 12 0.182 2.184 0.0291 43.6 87576 -40 - 1279185 17 18 20 22.5 25 26 27 28 30 32 34 37.5 38 39 40 41 12 12 16 16 16 16 16 16 20 20 20 20 20 20 20 24 0.182 0.182 0.24 0.24 0.24 0.24 0.24 0.24 0.29 0.29 0.29 0.29 0.29 0.29 0.29 2.184 2.184 3.84 3.84 3.84 3.84 3.84 3.84 5.8 5.8 5.8 5.8 5.8 5.8 5.8 0.0291 0.0291 0.0512 0.0512 0.0512 0.0512 0.0512 0.0512 0.0773 0.0773 0.0773 0.0773 0.0773 0.0773 0.0773 43.7 43.7 53.3 55.1 55.7 55.7 55.5 55.7 67.3 71.2 11 72.3 72.8 72.7 72.7 表4中' 〇 (不合格）（不合格） 又結果顯示比較膜可經電加埶。 ' 至24伏特時，膜不合格。咸信此侍由於氧當電磨提高 使用施加電墨16伏特電加熱比辦衣 i告忐、、目ii i曰不r丄 又刀開樣品，因而 化成測侍電壓為〇·235安培。比 ^ λ 1接觸時變為溫暖。當 以45度角於相反頂部邊緣上彎 弓曲比較膜時，膜不合格。使 用光學顯微鏡，可於塗層中觀察到裂縫。 實施例13 使304¾米乘以304¾米具板片電阻4 2歐姆/叫⑽代之實施例 87576 -41 . 1279185 5之膜樣品電連接於匯流排，使得兩金屬層可接地。 實施例14 以三層丙烯酸酯/Ag/丙烯酸酯堆疊體覆蓋PET支持體。個 別層之係如下形成： (層1)將一捲914公尺長之0.05毫米厚x508毫米寬PET支持體 (MELINEX™ No· 453 膜，DuPont-Teijin Films)裝載於捲帶式真空 室中，將真空室中之壓力泵至壓力為8x 10_6托耳。以含48.5% IRR214丙烯酸g旨、48.5%丙烯酸月桂基酯及30% EBECRYL™ 170黏附促進劑之丙烯酸酯混合物塗覆PET膜。於塗覆前使 丙烯酸酯混合物真空脫氣，並且以2.35毫升/分鐘之流率泵 送通過超音波噴霧器至維持於275°C之蒸發室中。以30.4公尺 /分鐘之織物速率，使PET膜通過維持於0°C之塗覆轉鼓上， 其中單體蒸氣經冷凝，且接著以單絲（於8.0 kV及2.0毫安培 操作）進行電子束交聯。於熟化後，此生成具100毫微米厚 丙稀酸S旨層。 (層2)於真空室内倒轉織物方向，且將丙缔酸酯濺鍍銀層 。使用氬氣作為濺鍍氣體（在室壓2.0毫托耳下）及30.4公尺/ 分鐘之織物速率，以10 kW功率濺鍍銀，俾提供10毫微米厚 之銀層。 (層3)再度倒轉織物方向。使用與用於層1之相同條件， 將100毫微米厚丙烯酸酯層沉積於銀層上。 生成的三層膜堆疊體展現良好的頻譜透射率及反射率性 質（即透光性），且具電阻為10歐姆/sq。當進行電流作用下 之腐蝕試驗時，電流於浸潰後數秒後降至零。此表示銀腐 87576 -42- 1279185 蚀、電流失效及可能的EMI屏蔽能力喪失較在嚴重腐钱條 件下所需者更快地出現。 實施例15 以與實施例14中相同的方法製備第二個三層膜堆疊體， 但於接續層沉積前使用氮電漿預處理PET、層i丙晞酸醋塗 層及層2銀塗層。使用不平衡dc磁電管源（於1〇 kw及2〇毫托 耳壓力操作）施用氮電漿。當進行電流作用下之腐蝕試驗時 ，電流直到浸潰後500至600秒後才降至零，此表示比實施 例14中遠較緩慢的銀腐蝕及電流失效以及改良的ΕΜι屏蔽能 力。 實施例16 以與實施例Η中相同的方法製備三層膜堆疊體，伴隨著 添加2%乙二醇雙硫代乙醇酸酯至單體混合物。生成的膜是 透光的。當進行電流作用下之腐银試驗時，電流直到浸潰 後500至_秒後才降至零，此表示比實施例14中遠較緩慢的 銀腐蝕及電流失效以及類似實施例15之效能。 實施例17 以與實施例14中相同的方法製備三層膜堆疊體，伸使用 如實施㈣之氮氣電滎處理且如實施例15添加2%乙二醇雙 硫代乙醇酸酿。生成的膜是透光的。當進行電流作用下之 腐链試驗時’電流於浸潰後輯目定超㈣剛此時終止 測試）。此表示銀腐蝕及電流失效與_屏蔽能力之可能性 已進一步地降低（相較於實施例14至16)。 實施例18 87576 -43 - 1279185 針對實施例12之膜測試光透射率（於550毫微米）、板片電 阻及EMI屏蔽強度。測得的光透射率為75%、表面電阻為4.5 歐姆/sq且EMI屏蔽強度為29 dB。 比較例3 使用實施例18之方法，評估AgHT™-4光學透明EMI屏蔽膜 (CP Films)。測得的光透射率為76%、表面電阻為4.7歐姆/sq 且EMI屏蔽強度為29 dB。用手使膜捲曲，且重新測試EMI屏 蔽強度。EMI屏蔽強度降至5 dB。亦評估新鮮膜樣品之腐蝕 及耐應變性。於電流作用下之腐蝕試驗過程中，電流失效 出現在20秒，且在導電率對應變試驗中，導電率降至零（於 2%應變時）。 實施例19 使用實施例12之方法，以五層丙烯酸酯/ Ag/丙烯酸酯/ Ag/ 丙烯酸酯光學堆疊體覆蓋PET支持體，同時在金屬層之頂部 及頂部使用電漿預處理。單體混合物含2%乙二醇雙硫代乙 醇酸酯。個別層之差異性如下： (層1)以1000瓦功率電漿預處理支持體，但使用428伏特及 2.3安培。使用-17°C之轉鼓溫度，將單體蒸氣冷凝於移動織 物上。電子束絲係於8.0 kV及2.8毫安培操作。 (層2)以1000瓦功率進行電漿預處理，但使用368伏特及 2.72安培。以632伏特、15.8安培、轉鼓溫度31°C及每分鐘87 標準立方公分之氬氣流濺鍍銀。 (層3)以1000瓦功率進行電漿預處理，但使用430伏特及2.3 安培。使用轉鼓溫度-17°C，將單體蒸氣冷凝於移動織物上 87576 -44- 1279185 •。電子束絲係於8.0 kV及4.8毫安培操作。 (層4)以1000瓦功率進行電漿預處理，但使用368伏特及 2.72安培。以634伏特、15.8安培、轉鼓溫度32°C及每分鐘87 標準立方公分之氬氣流濺鍍銀。 (層5)以1000瓦功率進行電漿預處理，但使用448伏特及2.2 安培。使用轉鼓溫度-19°C，將單體蒸氣冷凝於移動織物上 。電子束絲係於8.0kV及5.7毫安培操作。 生成的膜所測得之光透射率為70%、表面電阻為5.6歐姆 /sq且EMI屏蔽強度為28 dB。如比較例3用手使膜捲曲，且重 新測試EMI屏蔽強度。EMI屏蔽強度保持為28 dB，此表示 EMI屏蔽能力完全保留。 實施例20 使用實施例1之一般方法（但使用鉻濺鍍代替電漿預處理 ，以便沉積一層絡金屬），以七層丙缔酸S旨/Cr/Ag/丙烯酸酯 /Cr/Ag/丙烯酸酯光學堆疊體覆蓋PET支持體。單體混合物含 IRR214丙烯酸酯、丙烯酸月桂基酯與DAROCUR™ 1173光引發 劑（Ciba Specialty Chemicals)之43:43:14混合物。於真空脫氣後 且恰於塗覆前，添加光引發劑至單體混合物。個別層係如 下形成： (層1)將真空室中之壓力降低至2 X HT5托耳。接續地於一 次操作期間，使用每分鐘500標準立方公分之氮氣流、800 瓦之RF電漿功專（於450 kHz)及-9.4°C之塗覆轉鼓溫度，以24.4 公尺/分鐘之織物速率電漿預處理支持體及塗覆丙烯酸酯。 以1.5毫升/分鐘之流率泵送三成分單體混合物。使用UV燈 87576 -45 - 1279185 熟化單體混合物。 (層2)倒轉織物方向。使用2.5 kW DC濺鍍功率及每分鐘10 標準立方公分之氬氣流，以12.2公尺/分鐘，以鉻塗覆丙烯 酸酉旨。 (層3)倒轉織物方向。使用9.0 kW DC濺鍍功率及每分鐘10 標準立方公分之氬氣流，以24.4公尺/分鐘，以銀塗覆鉻層。 (層4)接著於相同操作中，以如層1之單體混合物塗覆銀 0 (層5)倒轉織物方向。以如層3之絡塗覆丙稀酸醋層。 (層6)倒轉織物方向。以24.4公尺/分鐘操作，以如層4之 銀塗覆絡層。 (層7)接著於相同操作中，以如層1之單體混合物塗覆丙 烯酸S旨層。 生成的七層紅外阻隔丙烯酸S旨/Cr/Ag/丙缔酸g旨/Cr/Ag/丙 烯酸酯光學堆疊體之光學性質顯示於圖13中。曲線T及R分 別顯示完成的膜之透射率及反射率。完成的膜具可見光透 射率為76%、霧度為0.68%、表面電阻為5.9歐姆/sq且EMI屏 蔽強度為33 dB(於5 GHz)。 實施例21 使用實施例20之一般方法，以六層Ti/Ag/丙烯酸酯/Ti/Ag/ 丙烯酸酯光學堆疊體覆蓋PET支持體。單體混合物含IRR214 丙烯酸酯、丙烯酸月桂基酯與乙二醇雙硫代乙醇酸酯之 64:28:8混合物。於真空脫氣後且恰於塗覆前，添加光引發 劑至單體混合物。個別層係如下形成： 87576 -46- 1279185 (層1)由製造商供應之支持體於一側上包含未確認的處理 。使用-23°C之轉鼓溫度、2.8 kW DC濺鍍功率（426伏特及6.8 安培）及每分鐘50標準立方公分之氬氣流，以36.6公尺/分鐘 ，以鈦塗覆支持體之未處理側。 (層2)接著於相同操作中，使用-23°C之轉鼓溫度、15 kW DC (779伏特及19.6安培）濺鍍功率及每分鐘150標準立方公分 之氬氣流，以銀塗覆鈥層。 (層3)接著於相同操作中，使用2.4毫升/分鐘之流率、274°C 之蒸發室溫度、-23°C之轉鼓溫度及在7.5 kV及9.7毫安培操作 之單絲電子束槍，以單體混合物塗覆銀層。 (層4)倒轉織物方向。使用-16°C之轉鼓溫度、2.8 kW DC (412伏特及11.1安培）濺鍍功率及每分鐘90標準立方公分之氬 氣流，以36.6公尺/分鐘，以鈇塗覆丙晞酸g旨層。 (層5)接著於相同操作中，使用-16°C之轉鼓溫度、15 kW DC濺鍍功率（778伏特及19.5安培）及每分鐘150標準立方公分 之氬氣流，以銀塗覆鈥層。 (層6)接著於相同操作中，使用-17°C之轉鼓溫度及在7.5 kV及7.2毫安培操作之單絲電子束槍，以如層：3中之單體混 合物塗覆銀層。 生成的六層紅外阻隔Ti/Ag/丙缔酸酿/Ti/Ag/丙稀酸醋光學 堆疊體之光學性質顯示於圖14中。曲線T及R分別顯示完成 的膜之透射率及反射率。完成的膜具可見光透射率為73% 、霧度為0.44%且表面電阻為6.2歐姆/sq。 實施例22 87576 -47- 1279185 使用實施例21之一般方法，以六層Ti/Ag/丙晞酸酯/Ti/Ag/ 丙烯酸酯光學堆疊體覆蓋PET支持體。個別層係如下形成： (層1)將真空室中之壓力降低至1·5 X HT4托耳。使用-17°C之 轉鼓溫度、2.8 kW DC濺鍍功率（404伏特及7.2安培）及每分鐘 10標準立方公分之氬氣流，以24.4公尺/分鐘，以鈦塗覆織 物。 (層2)接著於相同操作中，使用-17°C之轉鼓溫度、15 kW DC濺鍍功率（742伏特及20.5安培）及每分鐘90標準立方公分 之氬氣流，以銀塗覆鈥層。 (層3)接著於相同操作中，使用1.8毫升/分鐘之流率、274°C 之蒸發室溫度、-18°C之轉鼓溫度及在7.5 kV及10.9毫安培操 作之單絲電子束槍，以單體混合物塗覆銀層。 (層4)倒轉織物方向。使用-16°C之轉鼓溫度、2.8 kW DC (371伏特及7.8安培）濺鍍功率及每分鐘10標準立方公分之氬 氣流，以24.4公尺/分鐘，以鈥塗覆丙稀酸g旨層。 (層5)接著於相同操作中，使用-16°C之轉鼓溫度、15 kW DC濺鍍功率（739伏特及20.6安培）及每分鐘90標準立方公分 之氬氣流，以銀塗覆鈥層。 (層6)倒轉織物方向。使用1.5毫升/分鐘之流率、-18°C之 轉鼓溫度及在7.5 kV及4.1毫安培操作之單絲電子束槍，以 45.7公尺/分鐘，以如層3之單體混合物塗覆銀層。 生成的六層紅外阻隔Ti/Ag/丙烯酸酯/Ti/Ag/丙烯酸酯光學 堆疊體之光學性質顯示於圖15中。曲線T及R分別顯示完成 的膜之透射率及反射率。完成的膜具可見光透射率為78% 87576 -48 - 1279185 、袼度為0.76%、表面電阻為6·5歐姆/sq且EM屏蔽強度為％ dB(於 5 GHz)。 實施例23 熱成型貫施例20之膜，使得部分膜具三維半球形凹口。 藉使膜通過45耄米直徑孔用帶子捆紮於塑膠厚板中，進行 熱成型法。通過厚板中之孔對膜抽真空，同時使用加熱搶 加熱膜，直到膜夠熱以朝下形變進入孔中為止。移走加熱 槍，且使膜冷卻且自厚板移走。相對於剩餘膜之名目平面 區，生成的熱成型半球形凹口具5毫米深度。當用手於兩相 反知托住膜且充分地拉^以移除明顯鬆弛時，凹口保留。 形’交區是透光的，且展現表面電阻為5·5歐姆/sq及霧度為 1·6/〇(相較於未經熱成型的膜之數值5 9歐姆㈤及霧度為 0.68%) 〇 比較例4 使用實施例23之方法熱成型XIR 75氧化銦膜，使得部分膜 具三維半球形凹口。熱成型區之表面電阻提高至5,〇〇〇歐姆 /sq(相較於未經熱成型的膜之5.2歐姆/叫）。熱成型膜之大表 面黾阻符合導電率、紅外反射率及屏蔽強度之一或多 者之喪失。熱成型區之務度提鬲至13·9%(相較於未經熱成 型的膜之0.56%)。 比較例5-8 使用實施例23之方法使數種市售自CPFilms，加.之膜熱成 型，使得部分膜具三維半球形凹口。膜之特徵在於表面電 阻。結果顯示於以下表5中。 87576 -49- 1279185 表5 比較例比較例比較例比較例 5 6 7 8

AgHT-4 AgHT-8 OC-50 ARAL70 表面電阻 3.4 8.4 52 20 (於熱成型前，歐姆/sq) 表面電阻 413 316 719 585* (於熱成型後，歐姆/sq) 以上結果顯示，當意欲熱成型時，市售膜展現明顯增加 的之表面電阻（符合導電率、紅外反射率及EMI屏蔽強度之 一或多者喪失）。 實施例24 使用NO. 467MP轉換黏附劑（3M)，將實施例21之膜層壓為 0.25毫米厚之補充的聚碳酸酯聚合物（LEXAN™ 8010，General Electric)。將生成的層壓結構體放置於125°C之對流烘箱中達 約20分鐘，俾使黏附劑乾燥。對應於行動電話之正面，接著 將層壓結構體熱成型為三維形狀。熱成型法係使用在約222°C 預熱操作 90秒之 Labform Pressure Former (Hydro-Trim Corporation)， 接著在相同溫度下進行90秒熱成型步驟。生成的熱成型部 件是透明、相當堅硬及自持的，其具永久形變的複合彎曲 特性。生成的熱成型部件之表面電阻為6.0歐姆/sq，非常類 似未經成型膜之6.2歐姆/sq表面電阻。 熱成型部件係說明於圖16中。行動電話殼體300包含具通 常為凸狀之表面區302(自正面觀察）。凹口 304標出麥克風位 87576 -50- 1279185 置。凹口 306標出鍵盤按鈕位置。區域308標出顯示器區域 。模製凸緣310圍繞表面區302，且可使用熟習製造模製塑膠 物件技藝之人士熟悉的技術，自完成的電話蓋移走。 比較例9 使用實施例24之方法將XIR 75氧化錮膜層壓為0.25毫米厚 ’ 聚碳酸酯補充的聚合物，且經熱成型。生成的熱成型部件 ^ 是透明的。含XIR 75膜之熱成型層壓結構體的表面電阻為 990歐姆/sq。此遠較未經熱成型的膜之5.2歐姆/sq表面電阻 f 為高。 實施例25 使用No. 467MP轉換黏附劑（3M)，將實施例21之膜層壓介 於0.25毫米厚聚碳酸醋補充的聚合物（Lexan 8010，General Electric)與VIKUm™增強的鏡面反射體（ESR)多層光學膜（3M) 間。使生成的層壓結構體乾燥，且接著使用實施例24之方 法熱成型為相同的三維行動電話正面形狀。將VIKUITI ESR 膜表面靠著模具放置。由於VIKUm ESR膜包含於透明的實 f 施例21膜及聚碳酸酯補充的支持體之結構體中，生成的熱 成型部件不是透光的，且具有銀外觀。生成的熱成型部件 _ 之表面電阻為6.4歐姆/sq，其非常類似未經成型膜之6.2歐姆 / sq表面電阻。 比較例10

使用實施例25之方法將XIR 75氧化銦膜層壓介於0.25毫米 厚聚碳酸酯補充的聚合物與VIKUITI ESR膜間、經乾燥且熱 成型為相同的三維行動電話正面形狀。由於包含VIKUITI 87576 -51 - 1279185 ESR膜，1成的熱成型部件具有銀外觀，但減型部件之 表面電阻為840歐姆/Sq。此遠較未經熱成型的xir 75膜之μ 歐姆/sq表面電阻為高。 實施例26 使貫施例22<膜壓紋’使得其具三維圖案。藉著以。公 尺/分鐘將實施例22之膜供料通過重疊的受熱夾輥（具嗟合 的鑽石狀突出物及凹槽）而產生I纹圖案。夾輥溫度係介於 176與19代間。就已壓紋而言，膜之表面電阻係於壓紋後確 實地降低至3.75歐姆/Sq(相較於未經壓紋的膜之6·5歐姆/叫）。 比較例11 使用實施例26之方法，將XIR75氧化銦膜壓紋為鑽石圖案 二就已壓紋的膜而言’ XIR 75膜之表面電阻係於壓紋後確 貫地提高至885歐姆/sq(相較於未經壓紋的膜之5_2歐姆&心。 實施例27 使用實施例1至20之一般方法，將pET支持體電漿處理， 且覆蓋三層鉻/丙晞酸酯/鋁堆疊體。個別層之係如下形 成： ^ (層1)真空室中之壓力為3χ 1〇_4托耳。於氮氣氛圍下（以每 分鐘標準立方公分之氮氣流），使用鉻標靶及操作於 kW功率操作之不平衡也磁電管源（429伏特及3·5安培），於分 開：：作中，電漿預處理支持體。於氮氣氛圍下(以每分： 枯'乂方公分之氬氣流及15·2公尺/分鐘之織物速率），使 ，各t $巴及操作於12 kW功率操作之不平衡此磁電管源，於 第二操作中沉積鉻。 87576 -52- 1279185 (層2)使實施例14中之單體混合物脫氣，且以279毫升/八 鐘之流率泵送通過超音波喷霧器至維持於274。〇之笑發室= 。於，之轉鼓溫度下，將單體蒸氣冷凝於移動：：：， 且使用單絲槍（於7.59 kV&2.〇毫安培操作）進行電子束交聯。 (層3)使用電阻加熱的晶舟及5G英q分鐘之織物速=將 鋁金屬熱蒸發於丙烯酸酯層至厚度為3〇毫微米。 實施例28 知、力6乘以12英忖〈以上膜樣品放置於用以製造浮雕圖案 (供汽車標記應用）之熱真空成型機中。將膜熱成型為用於 二維圖案（拼出摩托車名稱“DUCATI”TM)之凹膜中。使埶成刑 的膜逆向填充聚胺基甲酸酉旨樹脂，且熟化至背側塗，一： 感壓性黏附劑之襯塾上。結果為不透光但強烈地著色之二 維背概圖案(當視角改變時，顏色自品紅色轉移至綠色)。 本發明之許多修飾及變化，熟習本技藝之人士當可明白 而不脫離本發明之範圍。本發明應不受限於僅為了說明 目的而提出者。 【圖式簡單說明】 圖1為所揭示的電磁屏蔽物件之示意透視圖； 圖2至圖5為所揭示膜之示意斷面圖； 圖6A為用於製造所揭示膜之裝置的示意圖； 圖6B為所揭示複合-彎曲物件之放大部分斷面圖； 圖6C為郅分所揭示複合_彎曲物件之透視圖； 圖6D及圖6E為所揭示複合-彎曲物件之部分放大斷面圖； 圖6F為可用以製造背曲物件之波紋狀裝置之部分示意圖； 87576 -53- 1279185 圖6G及圖6H為波紋狀彎曲物件之透視圖； 圖7及圖8為分別顯示實施例1及實施例2之膜的透射率及 反射率圖； 圖9至圖11為分別顯示實施例4、實施例5及實施例11之膜 的電導率對應變圖； 圖12至圖15為分別顯示實施例12、實施例20、實施例21及 實施例22之膜的透射率及反射率圖； 圖16為實施例24中形成之複合彎曲形狀之平面圖。 圖式之許多圖中相同的元件符號代表相同的元件。圖式 中之元件未按比例繪製。 【圖式代表符號說明】 10 醫療裝置 12 殼體 14 資訊顯示器 16 EMI屏蔽膜 18 盤座 110、130、140、150 EMI屏蔽膜 112 支持體 114 堆疊體 116 、 120 金屬層 118 間隔層 122 保護層 124 電極 132 基底塗層 87576 - 54 - 1279185 180 製膜裝置 181a、181b 捲筒 182 支持織物 183a、183b 旋轉輥 184a、184b、184c、184d、 184e 導輪 185 金屬濺鍍塗抹器 186 電漿預處理器 187 單體蒸發器 188 E-束交聯裝置 189 液態單體 190 貯存器 200、230、260 預成型物 202、212、234 第一主要表面 204、214、236 第二主要表面 206、208 選擇區 210 物件 216 、 232 凹處區域 218 、 238 隆起區域 220 開口 222、224 彎曲區域 226、244 側壁 240、242 低曲率半徑區域 250 裝置 252、254 波紋狀構件 87576 -55- 1279185 256、258 隆起部 300 行動電話殼體 302 表面區 304 麥克風位置 306 鍵盤按鈕位置 308 顯示器 310 凸緣 T 透射率 R 反射率 t〇 未形變厚度 tf 形變厚度 d 深度 w 寬度 87576 - 56 -

Claims (1)

1279185 捨 2· 3· 4· 5· 申清專利範圍： —種透明地屏蔽裝置或封閉 捧 域可造成或敏感於電磁干 κ万法’其包含至少以透 丁 或 、、 見先胰邯分地圍繞該裝置 4 £域，孩透可見光膜包厶； 目止人π . 〇术初支持體、可延伸的透可 見先金屬或金屬合金層及透 L丄、 处」見先的又聯聚合保護層。 如申凊專利範圍第1項之方、、參甘+、、 /、疋万去，其中該金屬或金屬合金層 貫質上是連續的，該方法另 土曰 、、 以万清另包含連接至少一接地電極至 孩金屬或金屬合金層。 如申請專利範圍第丨或2項之方 心万法，其中孩金屬或金屬人 金包含銀，且該交聯聚合層包含丙晞酸§旨聚合物。° 如申請專利範㈣_項之方法，其中該膜係於介於該 支持體與孩金屬或金屬合金層間包含基底塗層。 如申請專利範園第丨或2項之方法，其中該膜具有二或多 個金屬或金屬合金層。 如申請專利範圍第lil2項之方法，其中介於該金屬或全 屬合金層與膜内相鄰層間之界面受到黏附增強處理，或 膜内之一或多個相鄰層具有黏附增強辅助劑，藉以提高 該膜之耐腐蝕性。 阿 7·如申請專利範圍第2項之方法，其中該接地電極包含含有 穿透該父聯聚合層之纖維或顆粒之膠布。 S·如申請專利範圍第1項之方法，其中該膜具有大部分連接 於接地電極之週邊。 9·如申請專利範圍第1項之方法，其中該膜具有全部連 接地電極之週邊。 ； 87576 1279185 1〇.如申請專利範圍第1或2项之方法，其中當該膜以其長度 5。叙扭伸模式拉緊時’該膜具有長度及保留的電磁屏蔽 能力。 又 U·如申請專利範圍第1或2项之方法，其中當該膜以其長度 1斷拉伸模式拉緊時，該膜具有長度及㈣的電 能力。 12.如申請專利範圍第1或2项之方法，其中當該膜以45度角 彎曲時，該膜具有保留的電磁屏蔽能力。 13·如申請專利範圍第1或2項之方法，其中當該膜以90度角 _曲時’該膜具有料的電磁屏蔽能力。 Η·如申請專利範圍第_項之方法，其中當該膜以職角 •曾曲時，該膜具有保留的電磁屏蔽能力。 15.種％磁屏蔽物件，其包含可造成或敏感於電磁干擾之 裝置或封閉區域’其中該裝置或區域係至少部分地以透 可見光版圍繞，該透可見光膜包含柔勃支持體、可延伸 的透可見光金屬或金屬合金層及透可見光的交聯聚合保 護層。 16·如^請專利範圍第15項之物件，其中該金屬或金屬合金 曰只貝上疋連績的，且其中至少一接地電極係連接至該 金屬或金屬合金層。 π. 2請專利範圍第15或16項之物件，其中該金屬或金屬 。土包s銀，且孩父聯聚合層包含丙烯酸酯聚合物。 18.:申請專利範圍第15或16項之物件，其中該膜係於介於 3支持fa與Η金屬或金屬合金層間包含基底塗層。 87576 1279185 19·如申請專利範圍第I5或16項之物件，豆# 多個金屬或金屬合金層。 八々^包含二或 20·如申請專利範圍第丨5或16項之物件，炊 干，其中介於該 金屬合金層與膜内相鄰層間之界面係受黏附增強處：或 或膜内I-或多個相鄰層具有黏附增強辅助劑， 高該膜之耐腐蝕性。 9 21·如申請專利範圍第I6項之物件，1 r 具中摄接地電極包各本 有穿透該交聯聚合層之纖維或顆粒之膠布。 。口 22•如申請專利範圍第15項之物件，其中該膜具有大部分連 接於接地電極之週邊。 23.如申請專利範圍第15項之物件，其中該膜具有全部連接 於接地電極之週邊。 24•如申請專利範圍第15或16項之物件，其中當該膜以並長 度5。/。之拉伸模式拉緊時，該膜具有長度及保留的電磁屏 蔽能力。 25. 如申請專利範圍第15或16項之物件，其中當該膜以並長 度1〇。/。之拉伸模式拉緊時，該膜具有長度及保留的電磁屏 蔽能力。 26.如申請專利範圍第15或16項之物件，其中當該膜以心度 角彎曲時，該膜具有保留的電磁屏蔽能力。 又 27·如申請專利範圍第15或16項之物件，其中當該膜以9〇度 角彎曲時，該膜具有保留的電磁屏蔽能力。 又 28.如申凊專利範圍第15或16項之物件，其中當該膜以18〇度 角彎曲時，該膜具有保留的電磁屏蔽能力。 87576 1279185 29. —種電磁屏蔽物件，其包含可造成或敏感於電磁干擾之 裝置或封閉區域，其中該裝置或區域係至少部分地以透 可見光膜圍繞，該透可見光膜包含柔韌支持體及藉透可 見光的交聯聚合保護層分開之可延伸的透可見光第一及 第二金屬或金屬合金層。 30. 如申請專利範圍第29項之物件，其中該第一及第二金屬 或金屬合金層實質上是連續的。 87576