TWI273551B - Magneto-optical recording medium and magneto-optical storage device - Google Patents

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TWI273551B
TWI273551B TW093116409A TW93116409A TWI273551B TW I273551 B TWI273551 B TW I273551B TW 093116409 A TW093116409 A TW 093116409A TW 93116409 A TW93116409 A TW 93116409A TW I273551 B TWI273551 B TW I273551B
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TW
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recording medium
signal
photomagnetic
rom
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TW093116409A
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Tetsuo Hosokawa
Nobuhide Aoyama
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Description

1273551 玖、發明說明： t 明屬^々頁】 技術領域 本發明係有關於一種一般性之光磁性記錄媒體，特別 5 係有關於一種可同時再生ROM/RAM之光磁性記錄媒體。 背景技術 第1圖係顯示習知之iso規格之磁性光碟之一例之平面 圖。導入區2與導出區4於聚碳酸酯基板具有藉由凹凸形成 10 之相位凹坑所構成之ROM資訊，且記錄磁碟之使用等資 訊。該ROM資訊之相位凹坑之深度係設定成使再生時之光 強度調變為最大。於導入區2與導出區4之間，有藉錢鐘裝 置形成光磁性記錄膜之用戶區6，且，於該用戶區6，用戶 可自由記錄貢訊。 15 第2圖係用戶區6放大之一部份平面圖。於夾在尋跡導 引之凹執8之間的凸執1〇具有構成表頭部12之相位凹坑16 與用戶資料部14。表頭部12之資訊係依照扇區格式由扇區 標誌、VFO、ID等構成。用戶資料部14係夾於凹軌8之間之 平坦之凸軌10，且記錄光磁性信號。 20 第3圖係弟2圖之ΙΠ-ΠΙ線概略截面圖。磁性光碟係積層 聚碳酸酯等基板18 '介電體膜20、TbFeC〇等光磁性記錄膜 22、介電體膜24、A1膜26、及作為保護層之紫外線硬化膜 28所構成者。然而，第3圖係對第2圖修正並顯示出為了使 光磁性圮錄亦於凹軌8之領域進行，在半徑方向上具有與凸 1273551 軌w之領域同樣之寬度。 頌取光磁性信號時，藉弱雷射光束接觸磁性光碟，雷 射光束之偏振平面會因記錄層之磁化之方向所產生之柯爾 效應而改變’利用此時之反射光之偏振成分之強弱可判斷 5有沒有信號。藉此，可讀取RAM資訊。 隨著活用如前述之光碟記憶體之特徵之研究開發的進 展，而有例如曰本專利公開公報6-202820號之可並行同時 再生ROM(唯讀記憶體(Read 〇nly Memory))-RAM(隨機存 取弓己憶體(Random Access Memory))之ROM-RAM光碟。如 10前述之可同時再生ROM-RAM之磁性光碟，具有第4圖所示 之半徑方向之截面構造，且，該例係積層聚碳酸酯等基板 18、介電體膜2〇、TbFeCo等光磁性記錄膜22、介電體膜24、 A1膜26、及作為保護層之紫外線硬化膜28所構成者。如前 述之構造之光磁性記錄媒體中，如第5圖所示般，rqm資訊 15係由相位凹坑PP固定記錄，且RAM資訊係於相位凹坑pp列 上由光磁性記錄OMM記錄。此外，第5圖中之光碟半徑方 向之IV-IV線截面圖係與第4圖一致。第5圖所示之例中，由 於相位凹坑PP為尋跡導引，因此沒有設置如第2圖所示之凹 軌8 〇
20 對於在同一記錄面上具有如前述之ROM資訊與RAM 資訊之光記錄媒體而言，要同時再生由相位凹坑pp構成之 ROM資訊與由光磁性記錄OMM構成之RAM資訊，有很多 課題。第一，為了要穩定地再生ROM資訊與RAM資訊，在 讀取ROM資訊中產生之光強度調變成為ram資訊再生時 1273551 產生雜訊的原因之一。因此，習知技術係使伴隨R〇M資訊 之讀取所產生之光強度調變信號負回饋至讀取驅動用雷 射，藉此使光強度調變雜訊減少，但是，於R〇M資訊之光 強度调變度大時，會有雜訊減少效果不足之問題。又，不 5易以高速回饋控制雷射強度。 L 明内溶13 發明揭示 因此’本發明之目的在於提供一種在同時讀取 ROM-RAM資訊時，可同時穩定地再生⑽师訊及RAM資 10 訊之光磁性記錄媒體。 本發明之另一目的在於提供一種在同時讀取 ROM-RAM資訊時，可改善尺⑽信號抖動與R〇M上之光磁 性(MO)^號抖動之光磁性記錄媒體。 本發明之再另一目的在於提供一種在同時讀取 15 ROM-RAM資訊時，可改善R〇M信號抖動與R〇M上之_ 信號抖動之光磁性記憶裝置。 本發明之一態樣之光磁性記錄媒體，具有：基板，具 有ROM領域’且該R〇M領域形成有多數構成R〇M信號之相 位凹坑；及光磁性記錄膜，係形成於對應前述基板之前述 20 ROM領域之領域且可記錄RAM信號者，又，位於前述各相 位凹坑之深度之-半± 20%之範圍内之各相位凹坑之端部 之平均傾斜角度係10。〜40。。 且，各相位凹坑之寬度宜為3〇〇nm〜5〇〇nm，各相位凹 坑之調變度係10%〜30%。光磁性記錄媒體更具有插入基板 1273551 與光磁性記錄膜之間之介電體層。該介電體層之膜厚係再 生雷射波長之10%以上，且於沒有形成相位凹坑之部分之 再生雷射波長之反射率係18%〜25%。且，各相位凹坑之寬 度宜為再生雷射光束直徑之30%〜50%。 5 本發明之另一態樣之光磁性記憶裝置，係至少可讀出 記錄於光磁性記錄媒體之資訊者，包含有：光學頭，係用 以將具有線式偏振光之雷射光束照射至前述光磁性記錄媒 體者；及光檢測器，係用以由前述光磁性記錄媒體所反射 之反射光生成再生信號者，且，前述光磁性記錄媒體具有： 10基板，具有R0M領域，且該ROM領域形成有多數構成ROM 信號之相位凹坑；及光磁性記錄膜，係形成在前述基板之 對應前述ROM領域之領域且可記錄RAM信號者，又，位於 前述各相位凹坑之深度之一半± 20%之範圍内之各相位凹 坑之端部之平均傾斜角度係1〇。〜4〇。。 15 射入光磁性記錄媒體之雷射光束之偏振平面宜設定在 與各相位凹坑之長度方向垂直之方向± 5%之範圍内。 本發明之再另一態樣之模板，係用以作成具有多數相 位凹坑之基板者，且，包含多數具有與前述各相位凹坑之 形狀互補之形狀之凸部，又，位於前述各凸部之高度之一 半± 20%之各凸部之端部之平均傾斜角度係1〇。〜4〇。。各凸 部之端部之平均傾斜角度宜為15。〜30。。 圖式簡單說明 第1圖係習知ISO規格之磁性光碟之平面圖。 第2圖係用戶區放大之一部份平面圖。 I27355l 第3圖係第2圖之m-III線概略截面圖。 之光磁性記錄媒體之
第4圖係可同時再生ROM-RAM 半徑方向之概略截面圖。 5 第5圖係前述光磁性記錄媒體之平面圖。 第6圖係顯示作為用以理解本發明之光磁性記 之特徵之前提之相位凹坑之配置狀態之圖。 錄媒體 弟7圖係形成於基板之相位凹坑端部之傾斜角度之說
第8圖係模板之概略圖。 〇 帛9圖餘模板之凸部轉印至基板並形成像位 說明圖。 第10圖係本發明實施形態之光磁性記錄媒體之截面構 成圖。 第11圖係顯示ROM上之觀信號抖動與R〇 15抖動對相位凹坑端部之角度之圖表。 。
。第12圖係顯示使相位凹坑之端部之傾斜角度為概略 2〇。時之相位凹坑深度與相位凹坑再生信號之調變度之關 係之圖表。 第13圖係顯示改變調變度時之R 〇 M信號抖動與R 〇 M 20部上之MO信號抖動之圖表。 第14圖係顯示改變相位凹坑之寬度時之r〇m信號抖動 與ROM部上之MO信號抖動之測量結果之圖表。 第15圖係說明射入光束之偏振方向對相位凹坑之形狀 之圖。 9 1273551 第16圖係顯示使N2氣體流量為33sccm時之SiN内塗層 之反射率對膜厚之變化之圖表。 第17圖係顯示改變SiN内塗層之膜厚時之R〇M上M〇 信號抖動與ROM再生信號抖動之改變之圖表。 5 第18圖係顯示腿内塗層厚對成膜時間之變化之 圖表。 第19圖係使N2氣體流量為參數來描繪反射率對成膜時 間之變化之圖表。 第20圖係顯示ROM信號抖動與R〇M上之號抖動 10對成膜時間之圖表。 第21圖係本發明之實施形態之磁性光碟裝置之方塊結 構圖。 第22圖係顯示主控制器之詳細結構之方塊圖。 第23圖係顯示於各模式下之ROM1、ROM2、及RAM之 15檢测之組合之圖。 第24圖係說明加密器及解密器之結構與其等之處理之 一例之圖。 C 方式】 較佳實施例之詳細說明 20 ^ 囷係.、、、員示作為用以理解本發明之光磁性記錄媒體 1特徵之前提之相位凹坑之配置狀態之圖。於第6圖中，參 =號Pd意指相位凹坑之深度，即光學之深度。磁軌間距 土找指半徑方向之相位間距相互間之間隔，間距寬度〜則 4半控方向之相位間距之寬度。以下之實驗中，準備磁 1273551 軌間距，間距寬度Pw=〇 4|Lim，最短間距長度 〇·8μιη，溝深度Pd = 4〇nm之聚碳酸酯基板。其中，準備有 多數利用壓模處理藉塗布於模板之光阻之膜厚與對基板之 紫外線照射，使形成於基板3〇之凹坑32之深度約為4〇腿， 5且調整第7圖所示之凹坑32之端部（邊緣部）之角度θ !之基 板。 凹土几知部角度0 1可藉對基板3〇之紫外線照射來調 整。雖然紫外線照射之凹坑32淺，但該部分可利用模板作 成時之光阻之膜厚預先修正，來準備多數凹坑深度大致相 1〇同且凹坑端部之角度01不同之基板。此外，基板30之凹坑 端部角度之調整，亦可於模板作成時之抗絲處理藉紫外 線照射進行。或者，亦可藉電漿處理等方法調整凹坑角度 θ 1 °第8圖係顯示模板34之概念圖，於對應基板％之相位 凹坑32之位置形成有具有與相位凹坑32之形狀互補之形狀 15之凸部36。凸部％之端部具有0 2之傾斜角。 第9圖係顯示模板34之凸部36轉印至基板％並形成相 位凹坑32之概念圖。此時，實質上等同们。模板_ 錄合金形成，且，於模具中放置模板並藉模壓器進行轉印 加工，藉此作成具有相位凹坑32之基板3〇。形成於模板％ 2〇之凸部形狀36於模星時轉印至樹脂基板3〇，形成相位凹坑 32。基板30由聚碳酸酯等構成。 基板插入具有多數到達真空度5><1〇 —5帕（1>幻以下之成 膜至之濺鍍裝置。將基板3〇搬送至安裝有&鈀材之第1室， 導入Ar氣體與N2氣體且輸入膽之沉電力，藉反應性二鍍 11 1273551 形成SiN内塗層（介電體層）38。其中，藉使成膜時間與N2氣 體之流量極化，作成多數SiN内塗層38之膜厚與反射率不同 之樣品。Ar氣體之流量係5〇sccm(isccm = 1 677x10 一 8m3/s)。接著，將基板30移動至另—室，形成由Tb22(FeC〇i2)78 5等稀土類遷移金屬材料構成之記錄層40。再將基板30移至 另一室’形成由膜厚7nm之GdWFeCo^^成之記錄辅助 層42。然後，將基板30移至第丄室，形成膜厚15ιηπΐ2ΜΝη 塗層44。接著，將基板30移至另一室，形成膜厚5〇mm之由 A1構成之反射層46。於A1反射層46上進行紫外線硬化樹脂 10塗布，作成第1〇圖所示之光磁性記錄媒體。 將如前述般作成之光磁性記錄媒體之樣品安裝於波長 650nm、開口數ΝΑ = 〇·55、光束直徑副#^^2)之記錄再 生裝置，使其以4.8m/s之線速度旋轉。於該樣品之R〇M部 以最短標遠長0.8//m之1-7調變進行光調變記錄，並測量相 15位凹坑所造成之R0M信號抖動與ROM上之MO再生信號抖 動其中，所明抖動，係意指標諸長度之不均量。於RQM 4亦同樣地开7成有最短標諸長Q·8 # m相位凹坑。又，使雷 射光束XK焦於沒有形成相位凹坑之鏡面，亦測量siN内塗層 加38改變之多數樣品之反射率。此外，測量係使具有與相位 2〇凹坑之長向垂直之偏振平面之雷射光束射入安裝於記錄再 生裝置之樣品來進行。 ，第11圖係顯不R〇M上之¥〇信號抖動與r〇m再生信號 ，動朴位凹坑端部之角度。其中，随内塗層狀形成條 久又〇nm仪2氣體之流篁33sccm。相位凹坑之傾斜角 12 1273551 度之測量係使用原子力顯微鏡(AFM)，且測量出第7圖所示 之角度0 1。角度0 1係於相位凹坑32之深度之一半± 2〇% 之位置測出。該樣品之鏡面之反射率係23%。由第η圖可 清楚看到’相位凹坑傾斜角度陡峭時，ROM部之Μ〇信號抖 5動上升，並於傾斜角度40。以上時急速上升。相反地，相位 凹坑傾斜角平緩時，r〇m信號抖動上升，並於傾斜角度1〇。 以下時急速上升。 因此’可了解為了使R〇M部上之MO信號抖動與ROM 信號抖動同為認定是良好抖動之1〇%以下，相位凹坑端部 10之傾斜角度最好設定在10。〜40。間。且，傾斜角度更宜設定 在可達成抖動8%以下之15。〜35。之範圍。雖然無法確切得知 為何當相位凹坑端部之傾斜角度平緩時，R〇M部上之M〇 信號抖動變小，但也許可推想是因為M〇膜之磁化方向之混 亂降低’藉此再生時之偏振平面之混亂降低，而改善R〇M 15 部上之MO信號抖動。 第12圖係顯示使相位凹坑端部之傾斜角度為大約2 0。 時之相位凹坑深度與相位凹坑再生信號之調變度之關係之 圖。其中，調變度係以100χ才目位凹坑信號振幅/反射位準(％) 疋義。反射位準係來自沒有形成相位凹坑之平坦部之反射 位準。例如，平坦部係第6圖之媒體中沒有形成相位凹坑之 部分。使相位凹坑深度增加時，調變度會增加。此外，為 了要調整基板之相位凹坑深度，#然要大致與基板之相位 凹坑之深度同程度細微地調整模板之凸部之高度。第13圖 係顯示改變調變度時之R0M信號抖動與R0M部上之肋信 13 1273551 號抖動之圖。由第13圖可清楚看到，於調變度為1〇%〜3〇% 之間，得到ROM信號抖動及ROM部上之M0信號抖動均良 好之特性。 第14圖係顯示於相位凹坑之端部之傾斜角度2〇。、深度 5 40nm改變相位凹坑之寬度時之R〇M信號抖動與R〇M部上 之MO信號抖動之測量結果。由第14圖可清楚看到，凹坑寬 度500nm以上時’ ROM#號抖動上升，於3〇〇nm#下時， MO信號抖動上升顯著。因此，相位凹坑之寬度以 300nm〜500nm之範圍為佳。 10 表1顯示於相位凹坑端部之傾斜角度20。、凹坑深度 40nm、凹坑寬度390nm之條件下，改變射入光之偏振方向 時之ROM上之MO信號抖動。 表1 射入光偏振方向 0 80 85 90 95 100 (度) ROM上之MO抖動 10.8 13.5 7.8 6.3 8.0 14.3 (%) 由表1可知道ROM上之MO信號抖動於垂直方向上較 15水平方向上更佳，且藉設定在垂直方向± 5。之範圍内可得 到良好抖動。此外，此時之偏振方向，係指第15圖所示之 相對於相位凹坑32之長度方向之射入光束48之偏光角度。 於表2顯示對與表1之測量同一樣品測量對應有無撾〇 仏號之相位凹i几之ROM彳§ ?虎之抖動的結果。 20 表2 射入光偏振方向 0 80 85 90 95 100 (度） ROM抖動，無MO 5.3 5.5 5.9 5.5 5.3 5.5 (%) ROM抖動，有MO 10.9 10.3 6.3 5.6 5.7 6.8 (%) 由於ROMh號測出再生雷射光束之強度變化信號，因 14 1273551 此原理上不會產生偏振方向改變造成之M〇信號之補償。由 表2可清楚看到，於消去M0標誌之狀態下，不論再生雷射 光束之偏振方向如何，可得到大致一定且良好之r〇m信號 抖動。然而，於ROM上記錄M0標誌時，對R〇M再生信號 5之補償產生，且抖動增大。特別，於再生雷射光束具有^ 平方向之偏振平面時，抖動之增加顯著。另外，再生雷射 光束具有垂直偏振平面時，因M0信號造成之抖動上升只有 些許。由以上之結果可知，利用使雷射光束之偏振平面朝 向與相位凹坑之長向垂直之方向可同時抑制由尺〇皿至撾〇 10信號之補償、及由MO至ROM信號之補償。 接著，針對配合SiN内塗層38之條件之抖動之改善方法 作說明。此外，以下之實施例中，使用相位凹坑端部之傾 斜角度18。之基板。第16圖係顯示N2氣體流量為33sccm時反 射率對SiN内塗層之膜厚之改變之圖。其中，利用改變成膜 15時間使SlN内塗層之膜厚改變。第17圖係顯示SiN内塗層38 之膜厚改變時，ROM上MO信號之抖動與R〇M信號抖動之 改變。藉由使SiN内塗層之膜厚增加來提昇反射率，r〇m ^號抖動一慣性地減少。即，由於反射率高時R〇M信號之 振幅增大，因此抖動改善。 20 另外，110]^上1^0信號抖動於雷射光束波長之11.5%以 上’即本實施例中膜厚75nm上之範圍中，與RQM信號抖動 相反地會因膜厚增加且高反射率化，抖動趨向上升。於膜 厚85nm以上，MO信號抖動非常大。對M〇信號再生而言， 可以說抖動會因造成雜訊產生之ROM信號振幅增大而上 15 1273551 升。由該結果可知，為了得到良好之ROM上MO信號抖動， SiN内塗層38之反射率必須在25%以下。 然而，SiN内塗層之膜厚於70nm以下時，不管反射率 有沒有降低，MO信號抖動都上升。即，於SiN内塗層為70nm 5以下之低膜厚領域中，ROM信號抖動及R〇M上MO信號抖 動都上升。因此，SiN内塗層最好具有70nm以上之膜厚。 另外，沒有形成SiN内塗層之普通之凹軌之M〇信號再生， 於膜厚85nm以上抖動僅有些許上升，然而在膜厚 60nm〜90nm之範圍中抖動為非常小之值。由此可知，為了 1〇使相位凹坑上之MO信號再生，必需限定SiN内塗層之條件。 即，可知道為了得到ROM再生信號及11〇]^上之]^〇再 生信號於實用上必要之ίο%以下之良好抖動，宜使SiN内塗 層之膜厚為再生雷射光束波長之1〇%以上，尤宜為11%以 上，此外，隶好使在沒有形成相位凹坑之鏡面之再生雷射 15光束反射率於18%~25之範圍内。藉由使反射率為18%以 上，可彳于到良好之ROJVHs號抖動，又，利用使内塗層之 膜厚為再生雷射光束波長之跳以上，且最好是11%以上， 即使於相位凹坑上亦可得到良好之齡再生信號。此外，由 於本實施例係使用波長65〇nm之雷射光束，因而配合其使凹 2〇坑深度為4〇nm，然而使用例如波長彻細之藍紫雷射時， 若令相位凹坑深度為25nm左右，且將SiN内塗層膜厚設定 在4〇mn以上，可得到相同效果。 第I8圖係顯示SiN内塗層之膜厚對成膜時間之變化，第 19圖係顯示使n2氣體流量為參數來描較射率之改變之圖 16 1273551 表。如前述，為了要使siN内塗層之條件調整成膜厚7〇nm 以上且反射率25%以下，可選擇第18圖之箭號5〇及第_ 之前唬52所顯示之範圍之成膜條件。舉例來看，於第圖 顯示Ns氣體流量28sCCm時之ROM信號抖動及尺〇河上M〇信 5號抖動之變化。依據第18圖，為了要使SiN内塗層之膜厚為 70nm以上’成膜時間必需在12〇秒以上。又，依據㈣圖， 為了使SiN内塗層之反射率於25%以下，成膜時間必需在 160秒以下。 第20係顯示對應SiN内塗層之成膜時間之r〇m信號抖 10動與ROM上MO信號抖動之變化。由第2〇圖來看，利用如前 述般使成膜時間為120秒~160秒，可得到r〇]v1jLm〇 動為8%町之良狀值，但是R⑽㈣㈣於⑽料上 之成膜時間，係8%以下之抖動。與第19圖比較時，可知道 為了要得到良好之ROM信號抖動，必須要18%以上之反射 15 率。 以上所說明之實施例針對採用SiN作為内塗層之介電 體材料之例作說明，然而使用其他材料當然亦可i成同樣 效果。其他材料，可採用A1N系、SiN系⑶細、、 Si02系等。 20 本發明之光磁性記錄媒體係使由相位凹坑信號至M〇 信號之補償，及由MO信號至相位凹坑信號之補償減少，來 改善相位凹坑信號及MQ信號之各抖動，而可得到雜訊少之 良好之再生信號。 接著’參照第圖至24圖說明適於在本發明之光磁性 17 1273551 吕己錄媒體s己錄或再生負aft之磁性光碟之裝置之實施形鮮。 第21圖係磁性光碟裝置之方塊圖，於第21圖中，由半導體 雷射二極體(LD)54射出之雷射光束藉準直鏡％變換成準直 光束並射入極化分光稜鏡58。極化分光稜鏡58之反射光藉 5聚光鏡60聚焦於自動功率控制(APC)用之光碟62。其中，光 電轉換之電性信號透過放大器64輸入主控制器66，並使用 在APC控制或ROM信號之再生。 此外，雷射光束之偏振面，如前述係設定在與相位凹 坑之長度方向（尋跡方向）垂直或垂直方向± 5%之範圍内。 10雷射光束之直徑設定在媒體之各相位凹坑之寬度之大約2 倍〜10/3倍之範圍内。 另外，透射過極化分光稜鏡58之雷射光束大體上藉物 透鏡68受到繞射極限限制，並照射至藉馬達72旋轉之光磁 性記錄媒體70。由光磁性記錄媒體7〇反射之雷射光束再度 15透射過物透鏡68並射入極化分光稜鏡58，並於其反射再導 入伺服光學系統與記錄資訊檢測系統。即，由極化分光稜 鏡58反射之來自光磁性記錄媒體7〇之反射光，射入第2極化 分光稜鏡74，其透射光導入伺服光學系統，且反射光導入 記錄資訊檢測系統。 20 第2極化分光稜鏡74之透射光經由伺服光學系統中之 聚光鏡76及柱面透鏡78射入四分割光電檢測器8〇，並於其 進行光電轉換。藉已進行光電轉換之四分割光電檢測器8〇 之輸出，於利用像散法之生成電路82進行失焦信號(FES)之 生成。同時，於進行推拉法之生成電路84進行尋跡誤差信 18 1273551 場。此時，於主控制器66中，用以指示記錄時間之信號由 加密器151送至LD驅動器102，且LD驅動器1〇2配合第 2ROM信號(ROM2)負回饋控制LD54之發光功率使其成為 記錄時最適當之雷射功率。 5 第24圖係加密器151及解密器156之結構及其等之處理 之一例之說明圖。加密器151中，光磁性記錄之對象之ROM 記錄資料之數位ROM信號透過緩衝記憶體300,與在解調器 155再生之ROM信號一起輸入編碼器301。於編碼器301中進 行用以利用ROM信號加密化RAM信號之編碼處理。編碼器 10 301之輸出，係於交插電路302中進行以預定規則替換編碼 器301之輸出之串列位元列之交插處理。此係用以擔保正負 符號之隨機性。接著，藉同步及轉換電路3〇3，由R〇M信號 同步化成再生之計時信號，並轉換成NRZI信號來形成RAM 記錄資訊。該RAM記錄資訊係於光磁性記錄媒體7〇之凸軌 15領域中藉相位凹坑固定記錄之ROM領域重複光磁性記錄。 由輸入解密器156之光磁性記錄媒體讀出之RAM信 號，可於同步檢測及解調電路3〇5、解交插電路3〇6、及解 碼器307中，進行解密器151中之同步及轉換電路3〇3、交插 電路302及編碼器301之處理及個別相反之處理，得到解密 20之RAM信號。藉前述結構，即使於錯誤訂正中亦可使R〇M 與RAM信號組合。例如，於第24圖中，如虛線箭號所示般， 於解密器156中之RAM信號之再生時，使用ROM再生信號 之一部份進行錯誤訂正。例如，構成為於編碼器3〇ι中將由 ROM信號取出之此特量與RAM信號_起輪出作為讓資 21 1273551 訊，且記錄之。然後，於再座n主+
、冉生時在解碼器307中，組合R0M 與RAM信號之錯誤訂正可藉進行同位檢查進行。 再次參照第22®，根據由第再生之 時鐘信號，透過馬達控制器159，藉第21圖所示之馬達驅動 5器108控制馬達72之旋轉作為尋軌動作之一部份。由飼服控 制器153輸出之伺服信號輸人第21圖所示之致動驅動器 110 ’並根據FES及/或TES驅動致動器η:。 接著，針對再生時之動作作說明。於前已說明相位信 號，即讀取之ROM信號造成之光強度調變，會對RAM信號 10會構成雜訊。因此，可透過LD驅動器1〇2使第irom信號 (ROM1)由加算放大器94負回饋至LD54，控制LD54之發光 並使第1ROM信號（ROM1)減少且平坦化。利用前述之對 應，可有效率地抑制干擾讀取之RAM信號之串音。 然而，於進行ROM及RAM信號之同時讀取時，由於 15 ROM1信號藉如前述般負回饋控制而平坦，因此不易得到 ROM信號。故，必需利用別的方法測出ROM信號。本發明 之實施形態中，於再生時藉第1ROM信號(ROM1)負回饋調 變注入LD54之電流。即，以與ROM信號同一圖案光強度調 變。該光強度調變可藉APC用光電檢測器62測出。於MPF 20 迴路動作時，藉使APC迴路關閉，可得到相位凹坑信號作 為第2ROM信號(ROM2)。
因此，本發明中，該第2ROM信號(ROM2)於第22圖所 示之主控制器66中，藉同步檢測電路154再生時鐘信號，並 以解調器155進行對應EFM磁場調變之解調，可得到R〇M 22 1273551 資訊。解調之R〇M資訊再藉解密器156進行對應加密器151 中之加密化之解密化，並輸出作為再生資料。 ROM資訊及RAM資訊之同時再生時間，係根據藉由同 步檢測電路154得到之第2ROM信號(ROM2)再生之時鐘信 5 號，透過馬達控制器159藉馬達驅動器1〇8控制馬達72之旋 轉作為尋軌動作之一部份。RAM信號可藉包含驅動LD54之 LD驅動器1〇2之ROM信號負回饋機構，於不受R〇M信號干 擾之狀態下，以差動放大器96之輸出之形態測出。 差動放大器96之輸出，係於主控制器66中在同步檢測 10電路157同步測出，並以解調器丨58進行對應NRZI調變之解 調，再藉解密器156解密化，並輸出作為ram信號。此外， 第22圖之主控制器66具有延時電路160。該延時電路160， 如先前所述般為了於RAM信號之再生時降低R〇M資訊之 相位凹坑邊緣所產生之偏振雜訊之影響，可於R〇M資訊上 15記錄RAM資訊時，作對應進行記錄RAM資訊之時間稍微錯 開之處理之時間調整。僅再生R〇M信號時，由於不需要考 慮對RAM信號之影響，因此與記錄時同樣地使用第2RAM 信號(RAM2)作為LD回饋信號，且rom資訊可解調再生第 1ROM信號(ROM1)。
20 此外’本發明之光磁性記憶裝置，除了並行ROM-RAM 媒體以外，還可使用MP媒體或CD系媒體。 產業上之可利用性 本發明之光磁性記錄媒體由於是如以上詳述般構成， 因此於ROM-RAM同時讀取時，可穩定地同時再生ROM資 23 1273551 訊與RAM資訊，且可同時改善R〇M信號抖動與r〇m上之 RAM信號抖動。因此，本發明之光磁性記錄媒體，可以良 好之品質同時再生R0M_RAM，且本發明可提供配合用途之 rom_ram同時記錄及再生媒體。 5 【圖式簡單說明】 第1圖係習知之ISO規格之磁性光碟之平面圖。 第2圖係用戶區放大之一部份平面圖。 第3圖係第2圖之III-III線概略截面圖。 第4圖係可同時再生ROM_RAM之光磁性記錄媒體之 10 半徑方向之概略截面圖。 弟5圖係前述光磁性記錄媒體之平面圖。 第6圖係顯示作為用以理解本發明之光磁性記錄媒體 之特徵之前提之相位凹坑之配置狀態之圖。 第7圖係形成於基板之相位凹坑端部之傾斜角度之古、 15明圖。 又况 苐8圖係模板之概略圖。 第9圖係將模板之凸部轉印至基板並形成像位 說明圖。 ~ 第10圖係本發明實施形態之光磁性記錄媒體之截面構 成 1^^。 第11圖係顯示ROM上之M0信號抖動與尺。]^再生传號 抖動對相位凹坑端部之角度之圖表。 。第12圖係顯示使相位凹坑之端部之傾斜角度為概略 20°時之相位凹坑深度與相位凹坑再生信號之調變度之關 24 1273551 係之圖表。 第13圖係顯示改變調變度時之R〇M信號抖動與R〇M 部上之MO信號抖動之圖表。 第14圖係顯示改變相位凹坑之寬度時之R〇M信號抖動 5與R0M部上之MO信號抖動之測量結果之圖表。 第15圖係說明射入光束之偏振方向對相位凹坑之形狀 之圖。 苐16圖係顯示使N2氣體流量為33sccm時之SiN内塗層 之反射率對膜厚之變化之圖表。 1〇 第17圖係顯示改變SiN内塗層之膜厚時之尺〇訄上河〇 信號抖動與ROM再生信號抖動之改變之圖表。 第18圖係顯示SiN内塗層之膜厚對成膜時間之變化之 圖表。 第D圖係使N2氣體流量為參數來描繪反射率對成膜時 15間之變化之圖表。 第2〇圖係顯示ROM信號抖動與R〇M上之MO信號抖動 對成膜時間之圖表。 第21圖係本發明之實施形態之磁性光碟裝置之方塊結 構圖。 20 第22圖係顯示主控制器之詳細結構之方塊圖。 第23圖係顯示於各模式下之romi、r〇m2、及RAM之 檢測之組合之圖。 第24圖係說明加密器及解密器之結構與其等之處理之 一例之圖。 25 1273551 106.. .磁頭 Pd···參照記號 10 8…馬達驅動器 P w · · ·間距寬度 110…致動驅動器 PP···相位凹坑 112.. .FES及/或TES驅動致動 SW1、SW2···開關 器 Tp···磁執間距 150.. .LD控制器
151.. .加密器 152…磁頭控制器 153.. .伺服控制器 154···同步檢測電路 155.158.. .解調器 156.. .解密器 157.··同步檢測電路 159.. .馬達控制器 160.. .延時電路
300.. .緩衝記憶體 301.. .編碼器 302.. .交插電路 303…同步及轉換電路 304.. .光碟 305…同步檢測及解調電路 306.. .解交插電路 307.. .解碼器 27

Claims (1)

1273551 拾、申請專利範圍： 種光磁性記錄媒體，具有·· 5 10 基板，具有ROM領域，且該ROM領域形成有多數構 成ROM信號之相位凹坑；及 光磁性記錄膜，係形成於對應前述基板之前述R〇M 領域之領域且可記錄RAM信號者， 又，位於前述各相位凹坑之深度之一半± 20%之範圍内 之各相位凹坑之端部之平均傾斜角度係1〇。〜40。。 2·如申請專利範圍第丨項之光磁性記錄媒體，其中前述平 均傾斜角度係15。〜30。。
3.如申請專利範圍第i項之光磁性記錄媒體，其中前述各 相位凹坑之寬度係300nm〜500nm。 4·如申請專職圍第丨項之光磁性記錄媒體，其中前述各 相位凹坑之調變度係1〇%〜3〇%。 15 5·如申睛專利乾圍帛1項之光磁性記錄媒體，更具有插入 前述基板與前述光磁性記_之間之介電體層，且該介 電體層之膜厚係再生雷射光束之波長之1〇%以上，且， 於沒有形成前述相位凹坑之部分之前述光磁性記錄媒 體之再生雷射光束之反射率係18%〜25%。
20 6·如申請專利範圍第1項之光磁性記錄媒體，其中前心 相位凹坑之寬錢再生雷射光束餘之3〇%~50%。 -種光磁性記，隨置，敍対㈣記錄於光磁性記錄 媒體之資訊者，包含有·· 光學頭’係用㈣具麵式健光之雷射光束照射 28 1273551 至前述光磁性記錄媒體者；及 光檢測器’係“由前述光雜記錄舰所反射之 反射光生成再生信號者， 且前述光磁性記錄媒體具有： 5 、基板’具有R0M領域，且該R〇M領域形成有多數構 成ROM^號之相位凹坑；及 光磁性記錄膜’係形成在前述基板之對應前述ROM 領域之領域且可記錄RAM信號者， 又，位於4述各相位凹坑之深度之一半士 2〇%之範圍内 之各相位凹坑之端部之平均傾斜角度係1〇。〜4〇。。 8.如中請專利範圍第7項之光磁性記憶裝置，其中射入前 述光磁性記錄媒體之雷射光束之偏振平面係設定在與 刖述各相位凹坑之長度方向垂直之方向± 5%之範圍 内。 15 9·如巾請專利範圍第7項之光磁性記憶裝置，其中前述雷 射光束之直徑係設定成使前述各相位凹坑之寬度為前 述雷射光束之直徑之3〇%〜50%。 10·如申請專利範圍第7項之光磁性記憶裝置，其中前述光 磁f生Z錄媒體更具有插入前述基板與前述光磁性記錄 2〇 膜之間之介電體層，且該介電體層之膜厚係再生雷射光 束之波長之10%以上，且，於沒有前述相位凹坑之部分 之蚋述光磁性記錄媒體之再生光反射率係在18%〜25% 之範圍内。 11· 一種模板，係用以作成具有多數相位凹坑之基板者， 29 1273551 且匕g夕數具有與兩述各相位凹坑之形狀互補之形狀 之凸部，又，位於前述各凸部之高度之_半± 2〇%之各 凸部之端部之平均傾斜角度係10。〜40。。 12.如申明專利範圍第η項之模板，其中前述平均傾斜角度 5 係15°〜30° 。 13·—種光磁性記憶裝置，係至少可讀出記錄於光磁性記錄 媒體之資訊者，包含有： 光學頭，係用以將具有線式偏振光之雷射光束照射 至前述光磁性記錄媒體者；及 10 光檢測器，係用以由前述光磁性記錄媒體所反射之 反射光生成再生信號者， 又，前述光磁性記錄媒體包含具有形成有多數構成 R0M信號之相位凹坑之ROM領域之基板， 此外’射入前述光磁性記錄媒體之雷射光束之偏振平面 15 係設定在與前述各相位凹坑之長度方向垂直之方向土 5%之範圍内。 14·如申請專利範圍第13項之光磁性記憶裝置，其中前述光 磁性記錄媒體具有形成在對應前述基板之前述R〇M領 域之領域且可記錄RAM信號之光磁性記錄膜，又，前述 20 各相位凹坑之調變度係10%〜30%。 15·如申請專利範圍第13項之光磁性記憶裝置，其中前述光 磁性記錄媒體具有形成在對應前述基板之前述R〇M領 域之領域且可記錄RAM信號之光磁性記錄膜，又，前述 雷射光束之直徑係設定成使前述各相位凹坑之寬度為 30 1273551 前述雷射光束之直徑之30%〜50%。
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