CN1695188A - 光磁记录介质和光磁存储装置 - Google Patents

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Abstract

一种光磁记录介质，包括：具有ROM区域的基板，在该ROM区域上形成有成为ROM信号的多个相位凹坑；和形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜。位于各相位凹坑的深度的一半的±20％的位置上的相位凹坑端部的平均倾斜角度为10°～40°。各相位凹坑的宽度为300nm～500nm，各相位凹坑的调制度为10％～30％。

Description

光磁记录介质和光磁存储装置
技术领域
本发明涉及光磁记录介质，尤其涉及可同时进行ROM/RAM再现的光磁记录介质。
背景技术
图1是表示以往的ISO规格的光磁盘的一例的平面图。导入区2和导出区4具有由凹凸形成在聚碳酸酯基板上的相位凹坑(pit)构成的ROM信息，记录有关于光磁盘的使用等信息。成为该ROM信息的相位凹坑的深度被设定为在再现时使光强度调制成为最大的状态。导入区2和导出区4之间具有利用溅射装置成膜出光磁记录膜的用户区6，用户可以在该用户区6内自由地记录信息。
图2是扩大表示用户区6的局部的平面图。夹在成为循轨引导(tracking guide)的沟槽(groove)8之间的岸(land)10上具有成为扇区头部12的相位凹坑16和用户数据部14。扇区头部12的信息根据扇区格式，由扇区标记、VFO、ID等构成。用户数据部14是夹在沟槽8之间的平坦的岸10，记录有光磁信号。
图3是沿图2中III-III线的概略剖面图。光磁盘通过叠层聚碳酸酯等的基板18、电介质膜20、TbTeCo等的光磁记录膜22、电介质膜24、AL膜26和作为保护层的紫外线固化膜28而构成。但是，在图3中所表示的是对图2进行了修改的情况，即，为了在沟槽8的区域中也能进行光磁记录，使其在半径方向上与岸10的区域具有同样的宽度。
在读出光磁信号时，通过将弱激光束照射在光磁盘上，激光束的偏振光面根据记录层的磁化方向的极向克尔(Kerr)效应而变化，利用此时的反射光的偏振光成分的强弱来判断信号的有无。由此，可以读出RAM信息。
利用这种光盘存储器的特征的研究开发正在进行，例如，特开平6-202820号公报中公开了可同时进行ROM(只读存储器)-RAM(随机存储器)再现的并发ROM-RAM光盘。该可同时进行ROM-RAM再现的光磁记录介质具有图4所示的半径方向的剖面构造，作为一例，通过叠层聚碳酸酯等的基板18、电介质膜20、TbTeCo等的光磁记录膜22、电介质膜24、AL膜26、作为保护层的紫外线固化膜28而构成。
在该构造的光磁记录介质中，如图5所示，ROM信息由相位凹坑PP固定记录，RAM信息由光磁记录OMM记录在相位凹坑PP列上。另外，图5中的光磁盘半径方向的IV-IV线剖面图与图4一致。在图5所示的例子中，由于相位凹坑PP成为循轨引导，所以没有设置图2所示的沟槽8。
在这种同一记录面上存在ROM信息和RAM信息的光记录介质中，为了同时再现由相位凹坑PP构成的ROM信息和由光磁记录OMM构成的RAM信息，具有很多课题。第一，要想与ROM信息一起稳定地再现RAM信息，ROM信息读出时产生的光强度调制成为RAM信息再现时的一个干扰原因。因此，在以往技术中，读出伴随着ROM信息的读出而产生的光强度调制信号，并负反馈给驱动用激光，由此，使光强度调制干扰降低，但是，在ROM信息的光强度调制度大的情况下，存在着干扰降低效果不充分的问题。另外，对激光强度进行高速的反馈控制是困难的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在同时读出ROM-RAM信息时，可以稳定地同时再现ROM信息和RAM信息的光磁记录介质。
本发明的另一目的在于提供一种在同时读出ROM-RAM信息时，可以改善ROM信号抖动和ROM上的光磁(MO)信号抖动的光磁记录介质。
本发明的再一目的在于提供一种在同时读出ROM-RAM信息时，可以改善ROM信号抖动和ROM上的MO信号抖动的光磁存储装置。
根据本发明的一个侧面，提供一种光磁记录介质，其特征在于，具备：基板，其具有形成多个相位凹坑的ROM区域，该多个相位凹坑成为ROM信号；光磁记录膜，其成膜在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上，用于记录RAM信号。在各相位凹坑的深度的一半的±20％的范围内的位置上的相位凹坑端部的平均倾斜角度是10°～40°。
理想的是，各相位凹坑的宽度是300nm～500nm，各相位凹坑的调制度是10％～30％。光磁记录介质还具备插入在基板和光磁记录膜之间的电介质层。该电介质层的膜厚大于等于再现激光束波长的10％，并且，在没有形成相位凹坑的部分的再现激光束的反射率是18％～25％。理想的是，各相位凹坑的宽度是再现激光束直径的30％～50％。
根据本发明的另一个侧面，提供一种光磁存储装置，至少可以读出记录在光磁记录介质上的信息，其特征在于，具备：光学头，将具有直线偏振光的激光束照射到上述光磁记录介质上；光检测器，根据上述光磁记录介质所反射的反射光生成再现信号。上述光磁记录介质具备：基板，其具有形成多个相位凹坑的ROM区域，该多个相位凹坑成为ROM信号；光磁记录膜，其成膜在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上，用于记录RAM信号。各相位凹坑的深度的一半的±20％的范围内的位置上的相位凹坑端部的平均倾斜角度是10°～40°。
理想的是，入射到上述光磁记录介质上的激光束的偏振光面被设定在与上述各相位凹坑的长度方向垂直的方向±5°的范围内。
根据本发明的再一个侧面，提供了一种压模，用于作成具有多个相位凹坑的基板，其特征在于，具备多个凸部，其具有与上述各相位凹坑的形状互补的形状，上述各凸部高度的一半的±20％的位置上的各凸部端部的平均倾斜角度是10°～40°。理想的是，各凸部的端部的平均倾斜角度是15°～30°。
附图说明
图1是以往的ISO规格的光磁盘的平面图。
图2是扩大了用户区的部分平面图。
图3是图2的III-III的概略剖面图。
图4是能够同时进行ROM-RAM再现的光磁记录介质的半径方向的概略剖面图。
图5是其平面图。
图6是表示成为用于理解本发明的光磁记录介质特征的前提的相位凹坑配置状态的图。
图7是形成在基板上的相位凹坑端部的倾斜角度的说明图。
图8是压模的概略图。
图9是将压模的凸部转印到基板上而形成相位凹坑的说明图。
图10是本发明实施方式的光磁记录介质的剖面结构图。
图11是表示相对于相位凹坑端部的倾斜角度的ROM上的MO信号抖动和ROM再现信号抖动的曲线图。
图12是表示将相位凹坑端部的倾斜角设为大致20°时的相位凹坑深度和相位凹坑再现信号的调制度的关系的曲线图。
图13是表示改变调制度时的ROM信号抖动和ROM部上的MO信号抖动的测定结果的曲线图。
图14是表示改变相位凹坑宽度时的ROM信号抖动和ROM部上的MO信号抖动的测定结果的曲线图。
图15是说明相对于相位凹坑的形状的入射光束的偏振光方向的图。
图16是表示将N2气流量设为33sccm时相对于内层SiN层的膜厚的反射率的变化的曲线图。
图17是表示改变内层SiN层的膜厚时的ROM上的MO信号抖动和ROM再现信号抖动的变化的曲线图。
图18是表示相对于内层SiN层的成膜时间的膜厚的变化的曲线图。
图19是将N2气流量作为参数，表示出相对于成膜时间的反射率的变化的曲线图。
图20是表示相对于成膜时间的ROM信号抖动和ROM上的MO信号抖动的曲线图。
图21是本发明的实施方式的光磁盘装置的方框结构图。
图22是表示主控制器的详细结构的方框图。
图23是表示在各模式中的ROM1、ROM2、以及RAM的检测组合的图。
图24是说明加密器和解密器的结构以及对它们进行处理的一个示例图。
具体实施方式
图6是表示成为用于理解本发明的光磁记录介质特征的前提的相位凹坑配置状态的图。在图6中，参照标记Pd表示相位凹坑的深度，即光学深度。磁道间距Tp表示半径方向的相位凹坑之间的间隔，凹坑宽度Pw表示半径方向的相位凹坑的宽度。在以下的实验中，准备了磁道间距Tp＝1.6μm、凹坑宽度Pw＝0.40μm、最短凹坑长度为0.8μm、凹坑深度Pd＝40nm的聚碳酸酯基板。此处，把在压模工序中涂敷在压模上的光致抗蚀剂的膜厚和通过向基板照射紫外线而形成在基板30上的凹坑32的深度设为约40nm，准备了多个对图7所示的凹坑32的端部(边缘部)的角度θ1进行了调整的基板。
相位凹坑32的长度最短为0.8μm，采用具有一定间隔的多种随机长度。凹坑端部角度θ1通过向基板30进行紫外线照射可以调整。通过紫外线照射，凹坑32变浅，但是，该部分预先用压模作成时的光致抗蚀剂的膜厚来进行校正，由此，准备了多个凹坑深度大致相同、凹坑端部的角度θ1不同的基板。另外，基板30的凹坑端部角度的调整也可以在压模作成时的光致刻蚀工序中通过紫外线照射来进行。或者，也可以利用等离子处理等方法来调整凹坑角度θ1。图8是表示压模34的概念图，在与基板30的相位凹坑对应的位置上形成有凸部36，该凸部36具有与相位凹坑32的形状互补的形状。凸部36的端部具有θ2的倾斜角。
图9表示将压模34的凸部36转印到基板30上而形成相位凹坑32的概念图。在该情况下，θ1实质上与θ2相等。压模34由镍合金形成，在金属模具中设置压模，通过成型器的转印加工，作成具有相位凹坑32的基板30。形成在压模34上的凸部形状36在成型时转印到树脂基板30上，形成相位凹坑32。基板30由聚碳酸酯等形成。
将基板插入到到达真空度为5×10-5帕斯卡(Pa)以下的具有多个成膜室的溅射装置中。将基板30搬运到安装有Si靶的第1室中，导入Ar气和N2气，接通3kW的DC电力，通过反应性溅射成膜出内层SiN层(电介质层)38。此处，通过变更成膜时间和N2气的流量，作成内层SiN层38的膜厚和反射率不同的多个样品。Ar气的流量取50sccm(1sccm＝1.667×10-8m3/s)。接着，将基板30移动到别的室内，成膜出由Tb22(FeCo12)78等稀土类过渡金属材料构成的记录层40。将基板30再移动到别的室内，成膜出膜厚7nm的由Gd19(FeCo20)81构成的记录辅助层42。接下来，将基板30移动到第1室内，成膜出膜厚15nm的SiN保护层44。另外，将基板30移动到别的室内，成膜出膜厚50nm的由Al构成的反射层46。在Al反射层46上施加紫外线固化树脂层，作成图10所示的光磁记录介质。
将这样作成的光磁记录介质的样本装入到波长650nm、数值孔径NA＝0.55、光束直径1.08μm(1/e2)的记录再现装置中，并以4.8m/s的线速度旋转。以最短标记(Mark)长0.8μm的1-7调制对该样本的ROM部进行光调制记录，测定了相位凹坑的ROM信息抖动和ROM上的MO再现信号抖动。此处，所谓抖动表示标记长的偏移量。ROM部上也同样地形成有最短标记长为0.8μm的相位凹坑。另外，通过在没有形成相位凹坑的镜面上聚焦激光束也测定了改变内层SiN层38后的多个样本的反射率。另外，通过将具有与相位凹坑的长方向垂直的偏振光面的激光束入射到安装在记录再现装置中的样本来进行测定。
图11表示相对于相位凹坑端部的倾斜角度的ROM上的MO信号抖动和ROM再现信号抖动。此处，内层SiN层38的成膜条件采用厚度为80nm、N2气的流量为33sccm。相位凹坑的倾斜角度的测定使用原子间力显微镜(AFM)，测定图7所示的角度θ1。角度θ1在相位凹坑32的深度一半±20％的位置上测定。该样本的镜面的反射率是23％。从图11可知，当相位凹坑倾斜角度变得陡峭时，ROM部的MO信号抖动上升，当倾斜角度大于等于40°时，该抖动急剧上升。相反，当相位凹坑倾斜角度变得平缓时，ROM信号抖动上升，在倾斜角度小于等于10°时，该抖动急剧上升。
由此可知，要想使ROM部上的MO信号抖动和ROM信号抖动都为被认为是良好抖动的小于等于10％，只要将相位凹坑端部的倾斜角度设定在10°～40°之间即可。更优选将倾斜角度设定在使抖动小于等于8％的15°～45°的范围内。当相位凹坑端部的倾斜角度变平缓时，ROM部上的MO信号抖动为什么会变小的理由不是很清楚，但是，可以推断出很可能因为MO膜的磁化方向的湍流变少导致相应地再现时的偏振光面的湍流变少是ROM部上的MO信号抖动的改善原因。
图12是表示将相位凹坑端部的倾斜角设为大致20°时的相位凹坑深度和相位凹坑再现信号的调制度的关系的曲线图。此处，调制度被定义成100×相位凹坑信号振幅/反射水平(％)。另外，反射水平是来自没有形成相位凹坑的平坦部的反射水平。例如，平坦部是图6的介质中的没有形成相位凹坑的部分。如果相位凹坑变深，则调制度增加。另外，当然，为了调整基板的相位凹坑深度，将压模的凸部的高度调整成与基板的相位凹坑深度大致相同。图13是表示改变调制度时的ROM信号抖动和ROM部上的MO信号抖动的测定结果的图。从图13可知，调制度在10％～30％之间可以得到ROM信号抖动和ROM部上的MO信号抖动都良好的特性。
图14是表示在相位凹坑端部的倾斜角度为20°、深度为40nm的情况下，改变相位凹坑宽度时的ROM信号抖动和ROM部上的MO信号抖动的测定结果的曲线图。从图14可知，在凹坑宽度大于等于500nm的范围内，ROM信号抖动上升，在小于等于300nm的范围内，MO信号抖动显著上升。因此，优选相位凹坑的宽度为300nm～500nm的范围。
表1示出了在将相位凹坑端度的倾斜角设为20°、将凹坑深度设为40nm、将凹坑宽度设为390nm的情况下，改变入射光的偏振光方向时的ROM上的MO信号抖动。
表1
  入射偏振光方向   0   80   85   90   95   100   度
  ROM上MO抖动   10.8   13.5   7.8   6.3   8.0   14.3   (％)
从表1可知，ROM上的MO信号抖动在垂直方向比在水平方向好，通过将入射偏振光方向设定在垂直方向±5°的范围内，可以得到良好的抖动。另外，此处，所谓偏振光方向是针对图15所示的相位凹坑32的长度方向的入射光束48的偏振光角度。
表2示出了使用与表1的测定相同的样本，对与有和没有MO信号相对应的相位凹坑的ROM信号的抖动进行测定的结果。
表2
  入射偏振光方向   0   80   85   90   95   100   度
  ROM抖动，无MO   5.3   5.5   5.9   5.5   5.3   5.5   (％)
  ROM抖动，有MO   10.9   10.3   6.3   5.6   5.7   6.8   (％)
ROM信号由于检测了再现激光束的强度变化信号，所以理论上不会产生因偏振光方向变化而导致的MO信号的泄漏。从表2可知，在消去MO标记的状态下，不管再现激光束的偏振光方向如何，都可以得到大致恒定的良好的ROM信号抖动。可是，如果将MO标记记录在ROM上，则产生向ROM再现信号的泄漏，使抖动增大。尤其在再现激光束具有水平方向的偏振光面时，抖动的增加显著。另一方面，在再现激光束具有垂直偏振光面时，MO信号导致的抖动的上升很小。根据以上的结果，通过将再现激光束的偏振光面设成与相位凹坑的长方向垂直的方向，可以同时抑制从ROM向MO信号的泄漏、从MO向ROM信号的泄漏。
接着，对与内层SiN层38的条件对应的抖动的改善方法进行说明。另外，在以下的实施例中，使用相位凹坑端部的倾斜角为18°的基板。图16是表示将N2气流量设为33sccm时相对于内层SiN层的膜厚变化的反射率变化的图。此处，通过改变成膜时间，使内层SiN层的膜厚变化。图17是表示改变内层SiN层的膜厚时的ROM上的MO信号抖动和ROM再现信号抖动的变化的图。通过使内层SiN层的膜厚变厚而使反射率变高，ROM信号抖动一直减小。即，由于反射率高ROM信号的振幅变大，所以改善抖动。
另一方面，ROM上的MO信号抖动在再现激光束波长的11.5％以上(即，在本实施例中膜厚大于等于75nm)的范围内，与ROM信号抖动相反，通过增加膜厚使反射率变高，但抖动有上升的趋势。在膜厚大于等于85nm的范围内，MO信号抖动变得非常大。这可以说明：对于MO信号再现来说，通过使作为干扰原因的ROM信号振幅变大，使抖动上升。根据该结果，要想得到良好的ROM上的MO信号，必须使内层SiN层38的反射率小于等于25％。
但是，在内层SiN层的膜厚小于等于70nm的范围内，尽管反射率降低，MO信号抖动也上升。即，在内层SiN层的膜厚小于等于70nm低膜厚区域中，ROM信号抖动和ROM上的MO信号抖动一起上升。因此，优选内层SiN层具有大于等于70nm的膜厚。另一方面，在没有形成相位凹坑的通常沟槽的MO信号再现中，在膜厚大于等于85nm的范围内，抖动稍微上升，但是在膜厚为60nm～90nm的范围内，抖动是非常小的值。从这些情况可知，为了再现相位凹坑上的MO信号，必须限定内层SiN层的条件。
即，从这些情况可知，为了使ROM再现信号和ROM上的MO再现信号同时得到实际应用所需的小于等于10％的良好的抖动，只要将内层SiN层的膜厚设成大于等于再现激光束波长的10％(优选大于等于11％)，并且将没有形成相位凹坑的镜面上的再现激光束反射率设定在18％～25％的范围内即可。通过将反射率设为大于等于18％，可以得到良好的ROM信号抖动，另外，通过将内层SiN层的膜厚设成大于等于再现激光束波长的10％(优选大于等于11％)，即使在相位凹坑上也能得到良好的MO再现信号。另外，在本实施例中，由于使用了波长650nm的激光束，所以与其一致，将凹坑深度设为40nm，但是，例如在使用波长405nm的蓝紫色激光的情况下，将相位凹坑深度设成25nm左右，如果将内层SiN层的膜厚设定成大于等于40nm，则可以获得同样的效果。
图18是表示相对于内层SiN层的成膜时间的膜厚的变化的曲线图。图19是表示将N2气流量作为参数，示出反射率的变化的曲线图。如上所述，要想将内层SiN层的条件调整为膜厚小于等于70nm并且反射率小于等于25％，只要选择图18的箭头50和图19的箭头52所示范围的成膜条件即可。作为例子，图20示出了N2气流量为28sccm时的ROM信号抖动和ROM上的MO信号抖动的变化。根据图18，为了使内层SiN层的膜厚大于等于70nm，成膜时间必须大于等于120秒。另外，根据图19，为了使内层SiN层的反射率小于等于25％，成膜时间必须小于等于160秒。
图20表示与内层SiN层的成膜时间相对应的ROM信号抖动和ROM上的MO信号抖动的变化。根据图20，如上所述通过将成膜时间设为120秒～160秒，ROM上的MO信号抖动可以得到小于等于8％的良好的值，但是，ROM信号抖动在大于等于140秒的成膜时间内变成小于等于8％的抖动。与图19相比可知，要想得到良好的ROM信号抖动，需要大于等于18％的反射率。
在以上说明的实施例中，对采用SiN作为内层的电介质材料的例子进行了说明，但采用其它的材料当然也能得到同样的效果。作为其它材料，可以采用AlN系列、SiN系列(SiAlN、SiAlON)、SiO2系列等材料。
本发明的光磁记录介质可以减少从相位凹坑信号向MO信号的泄漏、从MO信号向相位凹坑信号的泄漏，可以改善相位凹坑信号和MO信号的各抖动，得到干扰小的良好的再现信号。
接着，参照图21～图24，对适用于在本发明的光磁记录介质上记录或再现信息的光磁盘装置的实施方式进行说明。图21是本发明的实施方式的光磁盘装置的方框结构图。在图21中，利用准直镜56将从半导体激光二极管(LD)54射出的激光束转换成准直光束，并入射到偏振光束分光器58上。偏振光束分光器58上的反射光通过聚光透镜60聚焦到自动功率控制(APC)用的检光器62上。此处被进行了光电转换的电信号通过放大器64输入给主控制器66，用于APC控制或ROM信号的再现。
另外，激光束的偏振光面如上所述，被设定在与相位凹坑的长度方向(磁迹方向)垂直或垂直±5°的范围内。激光束的直径被设定在介质的各相位凹坑宽度的大约2倍～10/3倍的范围内。
另一方面，透过了偏振光束分光器58的激光束被物镜68几乎集中到衍射极限，并照射到被马达72旋转的光磁记录介质70上。被光磁记录介质反射的激光束再次通过物镜68导入到偏振光束分光器58上，在那里被反射并被导入到伺服光学系统和记录信息检测系统中。即，被偏振光束分光束58反射的来自光磁记录介质70的反射光入射到第2偏振光束分光器74上，其透过光被导入到伺服光学系统中，反射光被导入到记录信息检测系统中。
第2偏振光束分光器74的透过光通过伺服光学系统中的聚光透镜76和圆柱形透镜78输入到四分割检光器80中，在那里进行光电转换。根据光电转换后的四分割检光器80的输出，在利用像散法的生成电路82中生成聚焦误差信号(FES)。同时，在利用推挽法的生成电路84中生成跟踪误差信号(TES)。聚焦误差信号(FES)和跟踪误差信号(TES)被输入给主控制器66。
另一方面，在记录信息检测系统中，第2偏振光束分光器74的反射光被输入到渥拉斯顿棱镜(wollaston prism)86上，根据光磁记录介质70上的光磁记录的磁化方向而变化的反射激光束的偏振光特性被转换成光强度。即，在渥拉斯顿棱镜86中，通过偏振光检波被分离成偏振光方向相互正交的两个光束，并通过聚光透镜88输入到二分割检光器90上，分别进行光电转换。
在二分割检光器90中进行了光电转换的电信号在放大器92、93中放大之后，在加法放大器94中进行加法运算，变成第1ROM信号(ROM1)，同时在减法放大器(差动放大器)96中进行减法运算，变成RAM信号(RAM)，并分别输入给主控制器66。为了抑制相位凹坑信号的光强度调制，第1ROM信号(ROM1)也被用作反馈信号。
到此为止，主要对信号读出中的光束流进行了说明。接下来，参照图22所示的主控制器66的详细结构，对各检光器62、80、90的输出信号流进行说明。在图22中，入射到APC用检光器62中的偏振光束分光器58的反射光在这里进行光电转换，通过放大器64作为第2ROM信号(ROM2)输入给主控制器66。进而，将作为加法放大器94的输出的第1ROM信号(ROM1)、作为差动放大器96的输出的RAM信号(RAM)、来自FES生成电路82的聚焦误差信号(FES)、来自TES生成电路84的跟踪误差信号(TES)输入给主控制器66。
另外，如图21所示，在与数据源98之间，通过接口电路100将记录用数据和读出数据输入输出主控制器66。输入到主控制器66中的第1ROM信号(ROM1)、第2ROM信号(ROM2)、以及RAM信号(RAM)按各模式(即，对应ROM和RAM再现时、只有ROM再现时、以及记录(WRITE)时)进行检测和使用。
图23是表示在各模式中的ROM1、ROM2、以及RAM的检测组合的图。为了对这种各模式的ROM1、ROM2、以及RAM的检测进行组合，图22所示的主控制器66具有ROM切换开关SW1、SW2。图22所示的ROM切换开关SW1、SW2的状态是图23所示的模式中的ROM和RAM再现时的状态。只再现和记录ROM时，图22所示的ROM切换开关SW1、SW2的状态被切换成其反转的状态。
主控制器66内的LD控制器150接收加密器151和ROM切换开关SW1的输出，生成针对LD驱动器102(参照图21)的命令信号。LD驱动器102根据LD控制器150所生成的命令信号，在ROM和RAM信号再现时，根据第1ROM信号(ROM1)对LD54的发光功率进行负反馈控制，只再现和记录ROM时，根据第2ROM信号(ROM2)对LD54的发光功率进行负反馈控制。
在光磁信号记录时，通过接口100将来自数据源98的数据输入给主控制器66。在主控制器66中，该输入数据为了确保安全性，利用加密器151进行加密，作为记录数据通过磁头控制器152提供给磁头驱动器104(参照图21)。磁头驱动器104对磁头106进行驱动，对应于被加密的记录数据，对磁场进行调制。此时，在主控制器66中，将指示记录时的信号从加密器151发送到LD驱动器102中，LD驱动器102根据第2ROM信号(ROM2)，对LD54的发送功率进行负反馈控制，使得记录时为最佳激光功率。
图24是说明加密器151和解密器156的结构以及对它们进行处理的一个示例图。在加密器151中，成为光磁对象的RAM记录数据即数字RAM信号通过缓存器300与在解调器155中再现的ROM信号一起被输入给编码器301中。在编码器301中，利用ROM信号进行用于对RAM信号加密的的编码处理。编码器301的输出在交织电路302中进行交织处理，该交织处理为：以规定的规则对作为编码器301输出的连续位串进行编排。这是为了确保正负号的随机性。接下来，利用同步和转换电路303，与ROM信号所再现的时钟信号同步，转换成NRZI信号，成为RAM记录信息。该RAM记录信息被重叠在ROM区域上进行光磁记录，该ROM区域是通过相位凹坑固定记录在光磁记录介质70的岸区域上的。
输入给解密器156的从光磁记录介质中读出的RAM信号在同步检测和解调电路305、解交织电路306、以及解码器307中分别进行与加密器151中的同步和交换电路303、交织电路302、以及编码器301的处理相反的处理，可以得到被解密的RAM信号。根据上述结构，即使在纠错中也能组合ROM和RAM信号。例如，在图24中，如虚线箭头所示，在再现解密器156中的RAM信号时，使用ROM再现信号的一部分进行纠错。例如，在编码器301中，将从ROM信号中取出的1比特与RAM信号一起作为RAM信息输出，并对其进行记录。并且，再现时，在解码器307中，通过进行奇偶校验，可以对ROM和RAM信号的组合进行纠错。
再次参照图22，根据第1ROM信号(ROM1)所再现的时钟，经过马达控制器159，利用图21所示的马达驱动器108作为搜寻动作的一部分控制马达72的旋转。从伺服控制器153输出的伺服控制信号输入给图21所示的致动器驱动器110，根据FES和/或TES，对致动器112进行驱动。
接下来，对再现时的动作进行说明。之前说明了相位凹坑信号、即被读出的ROM信号的光强度调制相对于RAM信号是干扰信号。因此，将第1ROM信号(ROM1)通过LD驱动器102从加法放大器94负反馈到LD54中，控制LD54的发光，来降低第1ROM信号(ROM1)，可以实现平坦化。在这样的对应中，可以有效地抑制对所读出的RAM信号的串扰。
但是，在同时读出ROM和RAM信号时，ROM1信号如上所述因负反馈控制而变得平坦，所以，很难得到ROM信号，因此，必须使用别的方法来检测ROM信号。在本发明的实施方式中，再现时，根据第1ROM信号(ROM1)对LD54的注入电流进行负反馈调制。即，使用与ROM信号相同的模式进行光强度调制。该光强度调制可以通过APC用检光器62检测。在MPF循环动作时，通过关闭APC循环，可以得到相位凹坑信号，以作为第2ROM信号(ROM2)。
因此，在本发明中，该第2ROM信号(ROM2)在图22所示的主控制器66中，通过同步检测电路154进行时钟再现，在解调器155中进行与EFM磁场调制相对应的解调，可以得到ROM信息。通过解码器156对解调后的ROM信息再进行与加密器151中的加密对应的解密，输出再现数据。
在同时再现ROM信息和RAM信息时，根据同步检测电路154所得到的由第2ROM信号(ROM2)再现的时钟，经过马达控制器159，利用马达驱动器108作为搜寻动作的一部分控制马达72的旋转。RAM信号作为放大器96的输出，可以利用包含有针对LD54的LD驱动器102的ROM信号负反馈单元来进行检测，使其不受ROM信号干扰。
差动放大器96的输出在主控制器66中，与同步检测电路157同步地被检测，在解调器158中进行与NRZI调制对应的解调，由解密器156进行解密，并作为RAM信号被输出。另外，图22的主控制器66具有延迟电路160。该延迟电路160如上述说明的那样，是在RAM信号再现时，为了降低作为ROM信息的相位凹坑边缘所产生的偏振光干扰的影响，在ROM信息上记录RAM信息时，与进行使记录RAM信息的定时稍微偏移的处理相对应的定时调整电路。只再现ROM信号时，由于不必考虑对RAM信号的影响，所以与记录时一样，使用第2RAM信号(RAM2)作为LD反馈信号，ROM信息对第1ROM信号(ROM1)进行复制再现。
另外，本发明的光磁存储装置不仅可以使用并行ROM-RAM介质，也可以使用MO介质或CD系列介质。
由于本发明的光磁记录介质采用以上详细叙述的结构，所以，在同时读出ROM-RAM信息时，可以稳定地再现ROM信息和RAM信息，并且，可以改善ROM信号抖动和ROM上的RAM信号抖动。这样，本发明的光磁记录介质可以以良好的品质同时再现ROM-RAM，本发明可以提供根据用途的ROM-RAM同时记录和再现介质。

Claims (15)

1、一种光磁记录介质，其特征在于，包括：
基板，具有形成有成为ROM信号的多个相位凹坑的ROM区域；和
光磁记录膜，形成在上述基板的与上述ROM区域对应的区域上，用于记录RAM信号，
位于上述各相位凹坑的深度的一半的±20％的范围内的位置上的相位凹坑端部的平均倾斜角度为10°～40°。
2、根据权利要求1所述的光磁记录介质，上述平均倾斜角度为15°～30°。
3、根据权利要求1所述的光磁记录介质，上述各相位凹坑的宽度为300nm～500nm。
4、根据权利要求1所述的光磁记录介质，上述各相位凹坑的调制度为10％～30％。
5、根据权利要求1所述的光磁记录介质，还具有插入在上述基板和上述光磁记录膜之间的电介质层，
该电介质层的膜厚大于等于再现激光束波长的10％，并且在没有形成上述相位凹坑部分的上述光磁记录介质的再现激光束的反射率是18％～25％。
6、根据权利要求1所述的光磁记录介质，上述各相位凹坑的宽度是再现激光束直径的30％～50％。
7、一种光磁存储装置，至少可以读出记录在光磁记录介质上的信息，其特征在于，包括：
光学头，将具有直线偏振光的激光束照射到上述光磁记录介质上；
光检测器，根据上述光磁记录介质所反射的反射光生成再现信号，
上述光磁记录介质包括：
基板，具有形成有成为ROM信号的多个相位凹坑的ROM区域；和
光磁记录膜，形成在上述基板的与上述ROM区域对应的区域上，用于记录RAM信号，
位于上述各相位凹坑的深度的一半的±20％的范围内的位置上的相位凹坑端部的平均倾斜角度为10°～40°。
8、根据权利要求7所述的光磁存储装置，入射到上述光磁记录介质上的激光束的偏振光面被设定在与上述各相位凹坑的长度方向垂直的方向的±5°的范围内。
9、根据权利要求7所述的光磁存储装置，设定上述激光束的直径，使上述各相位凹坑的宽度为上述激光束直径的30％～50％。
10、根据权利要求7所述的光磁存储装置，上述光磁记录介质还具有插入在上述基板和上述光磁记录膜之间的电介质层，该电介质层的膜厚大于等于再现激光束波长的10％，并且在没有形成上述相位凹坑部分的上述光磁记录介质的再现激光束的反射率是18％～25％。
11、一种压模，用于制作具有多个相位凹坑的基板，其特征在于，具备多个凸部，其具有与上述各相位凹坑的形状互补的形状，
位于上述各凸部高度的一半的±20％的位置上的各凸部端部的平均倾斜角度是10°～40°。
12、根据权利要求11所述的压模，上述平均倾斜角度是15°～30°。
13、一种光磁存储装置，至少可以读出记录在光磁记录介质上的信息，其特征在于，具备：
光学头，将具有直线偏振光的激光束照射到上述光磁记录介质上；
光检测器，根据上述光磁记录介质所反射的反射光生成再现信号，
上述光磁记录介质具备基板，其具有形成有成为ROM信号的多个相位凹坑的ROM区域，
入射到上述光磁记录介质上的激光束的偏振光面被设定在与上述各相位凹坑的长度方向垂直的方向的±5°的范围内。
14、根据权利要求13所述的光磁存储装置，上述光磁记录介质具有形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的光磁记录膜，用于记录RAM信号，
上述各相位凹坑的调制度是10％～30％。
15、根据权利要求13所述的光磁存储装置，上述光磁记录介质具有形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的光磁记录膜，用于记录RAM信号，
设定上述激光束的直径，使上述各相位凹坑的宽度为上述激光束直径的30％～50％。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2002219606A1 (en) * 2002-01-11 2003-07-30 Fujitsu Limited Optical information recording medium
AU2002249593A1 (en) * 2002-04-15 2003-10-27 Fujitsu Limited Optical storage device, and optical storage medium reading/writing method
JP3856808B2 (ja) * 2002-08-30 2006-12-13 富士通株式会社 多重記録媒体、記録再生装置及び記録再生方法
JPWO2005052938A1 (ja) * 2003-11-28 2007-08-09 富士通株式会社 光ディスク及び記録再生装置
US8406911B2 (en) * 2010-07-16 2013-03-26 HGST Netherlands B.V. Implementing sequential segmented interleaving algorithm for enhanced process control

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5821335B2 (ja) * 1975-11-29 1983-04-28 日本ビクター株式会社 エンバンジヨウジヨウホウシンゴウキロクバイタイ
US4931336A (en) * 1988-01-18 1990-06-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. Information recording medium and method of optically recording information employing the same
JPH0423239A (ja) * 1990-05-17 1992-01-27 Sony Corp 光記録媒体
US5274623A (en) * 1990-07-19 1993-12-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Information recording medium having high modulation degree
DE4220486A1 (de) * 1992-06-23 1994-01-05 Thomson Brandt Gmbh Aufzeichnung und Wiedergabe von Informationen bei ROM-RAM-Speichermedien
JP2879185B2 (ja) * 1993-04-16 1999-04-05 ティーディーケイ株式会社 光磁気ディスク
JPH0714231A (ja) * 1993-06-29 1995-01-17 Sharp Corp 光磁気ディスク、光ピックアップ及び光磁気ディスク装置
US5763037A (en) * 1994-04-18 1998-06-09 Sony Corporation Base for optical recording medium and stamper for manufacturing base of optical recording medium
JPH09251674A (ja) * 1996-01-08 1997-09-22 Nikon Corp 光ディスク及びその記録再生方法
WO1997038421A1 (en) * 1996-04-10 1997-10-16 Hitachi Maxell, Ltd. Optical recording medium
JPH09282727A (ja) * 1996-04-15 1997-10-31 Nec Corp 光磁気記録再生装置と再生方法
WO1998048417A1 (fr) * 1997-04-24 1998-10-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Support d'enregistrement optique et substrat correspondant
JP3499406B2 (ja) * 1997-08-22 2004-02-23 株式会社東芝 光ディスク
JP2000149331A (ja) * 1998-11-02 2000-05-30 Sony Corp 光記録媒体、光記録媒体製造用原盤及び光記録再生装置
BR0006081A (pt) * 1999-04-26 2001-03-20 Sony Corp Disco óptico e processo para sua fabricação.
WO2000072319A1 (fr) * 1999-05-19 2000-11-30 Fujitsu Limited Support d'enregistrement de donnees et procede de fabrication dudit support
US6212158B1 (en) * 1999-06-01 2001-04-03 Eastman Kodak Company Hybrid optical disc construction
JP2001184726A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Sony Corp 光記録媒体基板、光記録媒体、光記録媒体の製造方法および光記録再生方法
US6501728B2 (en) * 2000-04-21 2002-12-31 Sony Corporation Optical disc having groove and land tracks
JP2002063745A (ja) * 2000-08-16 2002-02-28 Mitsubishi Chemicals Corp 情報記録媒体の製造方法

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