CN1759443A - 磁光记录介质和磁光记录装置 - Google Patents

磁光记录介质和磁光记录装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1759443A
CN1759443A CN03826136.7A CN03826136A CN1759443A CN 1759443 A CN1759443 A CN 1759443A CN 03826136 A CN03826136 A CN 03826136A CN 1759443 A CN1759443 A CN 1759443A
Authority
CN
China
Prior art keywords
aforementioned
recording medium
phase place
magnetooptic
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN03826136.7A
Other languages
English (en)
Inventor
细川哲夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of CN1759443A publication Critical patent/CN1759443A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/1055—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers
    • G11B11/10576—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers with provision for moving the transducers for maintaining alignment or spacing relative to the carrier
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
    • G11B11/10528—Shaping of magnetic domains, e.g. form, dimensions
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10595—Control of operating function
    • G11B11/10597—Adaptations for transducing various formats on the same or different carriers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/007—Arrangement of the information on the record carrier, e.g. form of tracks, actual track shape, e.g. wobbled, or cross-section, e.g. v-shaped; Sequential information structures, e.g. sectoring or header formats within a track
    • G11B7/0079—Zoned data area, e.g. having different data structures or formats for the user data within data layer, Zone Constant Linear Velocity [ZCLV], Zone Constant Angular Velocity [ZCAV], carriers with RAM and ROM areas
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24085—Pits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)

Abstract

一种磁光记录介质，在形成在基板上的光学相位坑上形成磁光记录薄膜，可以使相位坑信号和形成在其上的记录膜信号两者再生；当把形成在基板上的相位坑的光学深度设为X(λ)，把照射了偏振光方向的光束时的前述相位坑的调制度设为Y(％)时，其中，该偏振光方向为与前述磁光记录介质的轨道垂直的方向，满足以下条件：344X－8.12≥Y且Y≥286X－10.7，0.080≤X≤0.124且16≤Y≤30。这样，可以获得把MO信号和相位坑信号的抖动抑制为所期望的小于等于10％、且不发生裂纹、而重复记录特性也充分的磁光记录介质。

Description

磁光记录介质和磁光记录装置
技术领域
本发明涉及一种具有使用形成在基板上的光学相位坑的ROM(ReadOnly Memory：只读存储器)和使用磁光记录膜的RAM(Random AccessMemory：随机存取存储器)两种功能的磁光记录介质和磁光记录装置，特别涉及用于使两者良好再生的磁光记录介质和磁光记录装置。
背景技术
图21是以往的ISO标准的磁光盘的平面图，图22是其用户区的放大图，图23是其截面图，图24是其相位坑和MO信号的关系图。如图21所示，磁光盘70被分割成：导入区(lead in area)71，导出区(lead outarea)72，以及用户区73。导入区71和导出区72是由在聚碳酸酯基板上利用凹凸所形成的相位坑构成的ROM区。成为该ROM区的相位坑的深度被设定为使再生时的光强度调制最大。导入区71和导出区72之间是用户区73，是用户可自由记录信息的RAM区。
如图22的用户区73的放大图所示，在作为寻轨导向部分的凹槽74之间的突起(Land)75上具有成为头部76的相位坑78和用户数据部77。用户数据部77是凹槽74之间的平坦突起75，该用户数据部77被记录成磁光信号。
在读出磁光信号时，通过照射弱激光，根据极化Kerr效应，激光的偏振面根据记录层的磁化方向而改变，根据此时的反射光的偏振光分量的强弱来判断有无信号。这样可读出RAM信息。
利用这种磁光盘存储器特征的研究开发不断地取得进展，例如，在特开平6-202820号公报中公开了可以同时再生ROM-RAM的并行ROM-RAM光盘。
这种可以同时再生ROM-RAM的磁光记录介质74具有图23所示的半径方向的截面结构，作为示 例，该磁光记录介质74是通过层叠聚碳酸酯等的基板74A、电介质膜74B、TbFeCo等的磁光记录膜74C、电介质膜74D、Al膜74E、以及作为保护层的UV硬化膜74F而构成的。
在这种结构的磁光记录介质中，如图23和图24所示，ROM信息通过基板74A的相位坑PP来固定地记录，RAM信息OMM通过磁光记录来记录在相位坑PP列上。另外，图24中的半径方向的A-B线方向的截面与图23一致。在图24所示的示例中，由于相位坑PP是寻轨导向部分，因而不设置图22所示的凹槽74。
在同一记录面具有这种ROM信息和RAM信息的光信息记录介质中，为了同时再生由相位坑PP构成的ROM信息和由磁光记录OMM构成的RAM信息，存在许多问题。
第一，为了同时稳定地再生RAM信息与ROM信息，在ROM信息读取中产生的光强度调制成为RAM信息再生时产生噪声的原因之一。因此，本申请人在PCT/JP02/00159(国际申请日2002年1月11日)的国际申请中提出：通过使伴随ROM信息读出而产生的光强度调制信号负反馈给用于读取驱动的激光器，来降低光强度调制噪声。然而，在ROM信息的光强度调制度很大的情况下，就这点来说，存在降低噪声效果不充分的问题。
第二，存在难以对激光强度进行高速反馈控制的问题。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种用于稳定地同时再生由相位坑构成的ROM信息和磁光记录的RAM信息的磁光记录介质和磁光记录装置。
而且，本发明的另一目的在于提供一种用于根据记录介质的结构把ROM信息和RAM信息的再生信号的抖动抑制在规定范围内的磁光记录介质和磁光记录装置。
并且，本发明的再一目的在于提供一种把ROM信息和RAM信息的再生信号的抖动抑制在规定范围内，而不产生裂纹，并且具有充分的重复记录耐久性的磁光记录介质和磁光记录装置。
为了实现该目的，本发明的磁光记录介质和装置具有一种磁光记录介质，其中，在形成在基板上的光学相位坑上形成磁光记录薄膜，以使得相位坑信号和形成在其上的记录膜的信号两者可以再生；当把形成在基板上的相位坑的光学深度设为X(λ)，把照射偏振光方向的光束时前述相位坑的调制度设为Y(％)(其中，该偏振光方向为与前述磁光记录介质的轨道垂直的方向)时，满足以下条件：
344X-8.12≥Y  且Y≥286X-10.7
0.080≤X≤0.124且16≤Y≤30。
这样，可以获得把MO信号和相位坑信号的抖动抑制为所期望的小于等于10％、且不产生裂纹、以及重复记录特性充分的磁光记录介质。
并且，优选的是，当把相位坑的光学深度设为X(λ)，把调制度设为Y(％)时，满足以下条件：
344X-8.12≥Y且Y≥286X-10.7
0.080≤X≤0.124且19≤Y≤26。
这样，可以把MO信号和相位坑信号的抖动进一步抑制为小于或等于具有更多余量的8％。
而且，优选的是，前述薄膜是电介质薄膜和记录膜，并且，优选的是，电介质薄膜是SiN，从而可以实现具有优异耐久性能的磁光介质。
附图说明
图1是在本发明的一实施方式中使用的磁光记录介质的截面图。
图2是对图1所示的磁光记录介质中的ROM信息和RAM信息的记录状态进行说明的立体图。
图3是用于制造图1的磁光记录介质的溅镀装置的结构图。
图4是图3的Ar流量和腔室内的压力的关系图。
图5是作为本发明的评价对象的调制度的说明图。
图6是作为本发明的评价对象的信号抖动的说明图。
图7是根据本发明的Ar压力和调制度的关系图。
图8是根据本发明的调制度与ROM信号和RAM信号抖动之间的关系图。
图9是根据本发明的Ar压力和信号抖动的关系图。
图10是根据本发明的热冲击试验的裂纹观察结果的表。
图11是根据本发明的光学相位坑深度和调制度的关系图。
图12是示出根据本发明的光学相位坑深度和调制度的设定范围的关系图。
图13是本发明的另一实施方式的磁光记录介质的截面图。
图14是本发明的磁光记录装置的一实施例的构成的整体方框图。
图15是图14的光学拾波器的光学系统的详细图。
图16是图14的部分详细方框图。
图17是图15和图16的光检测器的配置图。
图18是对图17的光检测器的输出与基于该输出的聚焦误差(FES)检测、寻轨误差(TES)检测、MO信号以及LD反馈信号的关系进行说明的图。
图19是示出图14和图16的主控制器中的各个再生模式和记录模式的ROM和RAM检测之间的组合的图。
图20是本发明的磁光记录装置的另一实施方式的方框图。
图21是传统磁光记录介质的平面图。
图22是图21的用户区的说明图。
图23是图22所示的ROM-RAM磁光盘存储器的截面构成图。
图24是对图23的结构的磁光记录介质中的ROM信息和RAM信息的记录状态进行说明的平面图。
具体实施方式
下面，按照磁光记录介质、磁光记录装置以及其它实施方式的顺序对本发明的实施方式进行说明。
[磁光记录介质]
图1是本发明的一实施方式中的并行磁光记录介质的截面图，图2是其ROM信号和RAM信号的关系图。
如图1所示，用于使用户区具有ROM和RAM的功能的磁光盘4的结构是如下的层结构，即：在形成有相位坑1的聚碳酸酯基板4A上，具有：以氮化硅(SiN)、氧化钽等为材料的第1电介质层4B，以诸如TbFeCo、GdFeCo的稀土类(Tb、Dy、Gd)和过渡金属(FeCo)的非晶合金为主要成分的2层磁光记录层4C、4D，由与第1电介质层4B相同或不同的材料构成的第2电介质层4F，由Al、Au等金属构成的反射层4G以及使用了紫外线硬化型树脂的保护涂层。
如图1和图2所示，由在盘4上凸凹形成的相位坑1来提供ROM功能，由磁光记录层4C、4D来提供RAM功能。为了在磁光记录层4C、4D上进行记录，使用激光对磁光记录层4C、4D进行加热来帮助磁化反向，通过与信号磁场相对应地使磁化方向反向，来进行磁光(MO)信号2的记录。这样，可以记录RAM信息。
为了对磁光记录层4C、4D的记录信息进行读出，通过向记录层4C、4D上照射弱激光，由此根据极化Kerr效应，激光的偏振光面根据记录层4C、4D的磁化方向而改变，根据此时的反射光的偏振光分量的强弱来判断有无信号。这样，可以读出RAM信息。在该读出中，由于反射光由构成ROM的相位坑PP进行调制，因而同时也能读出ROM信息。
即，可以使用1个光拾波器同时再生ROM和RAM，并且如果采用磁场调制方式的磁光记录，则可以同时进行向RAM上的写入和ROM的再生。
图3是用于制造图1的并行磁光介质的溅镀成膜装置的说明图，图4是其Ar流量和腔室内压力的关系图。
首先，对具有图1的截面结构的磁光盘的制造工序进行说明。根据图2，制备了5块槽深(坑光学深度)Pd不同的聚碳酸酯基板4A，其中，该槽深Pd是通过以轨道间距Tp＝1.6μm、坑宽度Pw＝0.40μm、最短坑长度＝0.832μm作为相位坑尺寸的EFM调制而形成的。
即，准备了相位坑光学深度Pd(λ)为0.070、0.080、0.105、0.124、以及0.136的5块聚碳酸酯基板4A。这里，坑深度根据用于在基板4A上形成相位坑的压模的压模制造过程中抗蚀剂涂敷膜厚而改变。
如图3所示，把该基板4A插入到具有达到真空度小于或等于5×e-5(Pa)的多个成膜室的溅镀装置50内。把基板4A传送到安装有Si靶56的第1室50，把Ar气体和N2气体导入到该第1室50内，施加3KW的直流电，通过反应性溅镀使底涂层(UC)SiN层4B成膜。
而且，图3的溅镀成膜装置使用诸如低温泵等的真空泵51，把溅镀室50内抽真空到5×e-5(Pa)左右。打开基板传送门54、55，从邻近的室插入基板4A。通过Ar气体配管53和N2气体配管52，把Ar气体和N2气体导入到溅镀室50内。此时，通过改变Ar气体的流量，来调整溅镀室50内的气体压力。
如图4所示，Ar气体流量和压力的关系根据溅镀室50的大小和形状而不同，然而该关系为大致成比例。从未作图示的直流电源把电力提供给Si靶56。由于提供了电力和Ar气体，产生等离子体，从Si靶56中散射出Si，在Si与N2气体反应的同时，淀积在基板4A上，所以在基板4A上形成SiN层4B。
这里，通过改变Ar气体流量，来改变室50内的气体压力，生成具有SiN底涂层的多个(如后所述，7个)样本。气体流量在30sccm(每1分钟的流量)至200sccm之间变化。而且，调整成膜时间以使底涂层SiN层4B的厚度为80nm。
然后，将基板4A移动到别的室，使TbFeCo靶放电，改变所提供的电力比，从而淀积由Tb22(Fe88Co12)78构成的厚度30nm的记录层4C。然后，如图1所示，在Tb22(Fe88Co12)78、膜厚30nm的记录层4C上，添加膜厚4nm的Gd19(Fe88Co20)81的记录辅助层4D。
然后，将基板4A移动到第一室50，淀积形成5nm的SiN外涂层4F和50nm的Al层4G。在其上施加紫外线硬化树脂涂层，构成图1所示的磁光记录介质4。
将该结构的35个样本(使用7种不同的气压在具有5种坑光学深度的基板上形成的磁光盘)的ROM再生时的调制度和抖动作为评价对象进行测定。
把该样本安装在光束直径1.08μm(1/e2)、波长650nm、NA(数值孔径)O.55的记录再生装置(MO盘；日本芝测(Shibasoku)公司制造的LM530C)上，使其以4.8m/s的线速度旋转。
在该样本的ROM部42上形成有最短标记为0.832μm的EFM调制的相位坑(与Compact Disk(光盘)相同的图案)。为了进行调制度的测定，如图5所示，在以下记录条件下进行记录，在以下再生条件下进行再生，来测定调制度。即，使用Pw＝6.5mW的记录激光功率和DC发光，以最短的标记长度(0.832μm)通过磁场调制将EFM随机图案记录在ROM部42上。
此外，对于再生光，再生功率Pr＝1.5mW，没有再生磁场，偏振光方向相对于盘轨道为垂直方向。使用示波器测定ROM再生波形，并且在图2所示的介质的轨道上，测定对没有相位坑1的位置(空间部)照射再生光束时的反射电平(图5的空间部反射电平)，以及对有相位坑1的位置(标记部)照射再生光束时的ROM信号的再生输出电平(图5的标记部反射电平)。如图5所示，将调制度限定为100×b/a(％)。
此外，对于抖动，测定使用相位坑的ROM抖动和ROM上的MO再生抖动。对于图6所示的抖动，使用时间间隔分析器测定了数据到数据(datato data)的抖动。抖动是检测标记长度相对于目标标记长度的误差大小，当抖动大时，不能进行纠错，从而产生再生误差。
图7是表示对于改变了相位坑深度后的各个基板(5种基板)，调制度对形成SiN底涂层时的Ar压力的依赖性。如图7所示，可以在低Ar压力侧将调制度调整得较高，而通过在形成SiN底涂层时增大Ar压力，可以在高Ar压力侧将调制度调整得较低。
在Ar压力大于或等于1.5Pa时，调制度几乎没有变化，从而变得稳定。这样，可以通过改变SiN底涂层的Ar压力的设定，来调整调制度。该变化倾向大致相同，而与基板的相位坑光学深度无关。这里，相位坑光学深度是在基板成形后，使用AFM(Atomic Force Microscope：原子力显微镜)来测定的。
根据SiN底涂层的Ar压力来改变磁光盘的相位坑的调制度的原因，在于利用Ar溅镀来加工基板的相位坑。通过改变Ar压力的设定电平，来改变成膜室内的等离子体状态，由此使基板表面的相位坑的工艺状态改变。结果，调制度的调整变得可能。也就是说，实质上可以使用成膜工序来加工相位坑的形状。
图8是在如前所述测定了从图7的调制度10(％)到37(％)的7个磁光盘介质样本的ROM抖动和ROM上的MO(RAM)信号抖动的情况下的调制度与抖动的关系图。而且，对于抖动，将前述的数据到数据(data to data)的测定值换算成时钟到数据(clock to data)的测定值。
当提高调制度时，ROM上的MO(RAM)信号抖动上升，反之当调制度降低时，ROM抖动上升。对于电路，可纠错的临界抖动是15％以内，然而当考虑由盘旋转波动等各种波动因素引起的抖动恶化时，必须实现小于或等于10％的抖动。
从图8的曲线图可知，为了使ROM和ROM上的MO(RAM)两者的抖动小于或等于10％，必须将调制度设定在16％～30％。并且为了实现小于或等于8％的抖动，优选地将调制度设定在19％～26％。
图9是ROM上的MO(RAM)信号的抖动与形成底涂层时的Ar压力的关系图。对于抖动，测定了初始时的抖动和进行了10万次连续记录测试后的抖动。
如图9所示，当降低Ar压力(增大调制度)时，随着ROM再生信号的调制度上升，ROM上的MO(RAM)信号的抖动急剧上升，同时，连续记录后的抖动上升也增大。如前述图8所说明的那样，为了使连续记录后的抖动小于或等于10％，必须把Ar压力设定为大于或等于0.5Pa。
然后，如图1所示，在基板4A上，在对镀膜形成了包含SiN底涂层的各层后的样本进行热冲击试验后，观察介质的裂纹的产生。如图10所示，在形成SiN底涂层的多种Ar压力下创建多个样本，将这些样本从室温移动到100℃的环境，并保持1小时后，返回到室温环境，观察裂纹的产生。从图10可知，SiN底涂层不产生裂纹的范围是Ar压力小于等于2.0Pa。
从以上图8、图9和图10的结果可知，为了不产生裂纹，并且使ROM信号和RAM(ROM上的MO)信号全都获得良好的信号质量，只要设定为满足图7的框内条件即可。
例如，对于光学坑深度0.124λ的基板，只要将Ar压力设定在0.7～2.0(Pa)之间即可。并且，对于光学坑深度0.080λ的基板，只要将Ar压力设定在0.5～1.5(Pa)之间即可。对于光学坑深度0.070λ和0.136λ的基板，即使把Ar压力设定在0.5～2.0(Pa)之间，也不能把调制度设定为16～30％。
对于光学坑深度0.105λ的基板，无论是0.5～2.0(Pa)中的任何值，调制度都在16～30％的范围内。使ROM信号和RAM信号抖动都最佳的条件是调制度为23％，对于该基板，通过把Ar压力设定为0.6～1.0Pa，也可以进一步实现高电平的质量。
与图7相反，图11示出根据底涂层SiN成膜时的各个Ar压力绘制的调制度相对于光学相位坑深度的变化的结果。在图11中，在基板成形时的光学相位坑深度是0.080λ的情况下，通过把Ar压力调整在0.5～0.9(Pa)的范围内，可以把调制度调整在16～30％的范围内。而且，优选的是，通过把Ar压力设定成0.5(Pa)，可以把调制度调整为大致19％。
反之，在光学坑深度为0.124λ的情况下，通过将底涂层SiN成膜时的Ar压力设定在0.9～2.0(Pa)的范围内，可以获得16～30％范围内的调制度。而且，优选的是，通过把Ar压力设定成2.0(Pa)，可以获得大致26％的调制度。
在相位坑深度是中间电平的0.105λ的情况下，在Ar压力在0.5～2.0(Pa)的范围内，可以获得16～30％的调制度。而且，优选的是，通过把Ar压力设定在0.65～1.5(Pa)的范围内，可以获得19～26％的调制度。
当光学相位坑深度浅到小于等于0.080λ时，调制度的可调整范围变窄，不能实现19～26％的调制度。并且，如果相位坑深度大于等于0.124λ，则调制度的可调整范围也变窄，不能实现19～26％的调制度。
图12是在图11中考虑了前述图9的重复记录特性和图10的裂纹产生的特性图。即，图12示出可以实现能够使ROM和RAM信号全都获得小于等于10％的良好的抖动，而且也不产生裂纹，重复记录耐久性也充分的可同时再生ROM/RAM的磁光介质的相位坑深度和调制度的设定范围。
在图12中，根据图9的重复特性求出直线1，根据图10的热冲击试验的裂纹观察结果求出直线2。因此，从图12可知，前述设定范围在以下所示的二条直线1、2之间的范围内，而且相位坑的光学深度为0.080λ～0.124λ，并且调制度在16～30％的范围内，优选的是，在19～26％的范围内。
直线1：Y＝344X-8.12
直线2：Y＝286X-10.7。
在本实施例中，以SiN的溅镀成膜工序为例进行了说明，然而也可以使用其他材料，只要是能够调整调制度的材料即可。例如，可以是SiO2、AlN、SiAlO、SiAlON、TaO等材料。
图13是本发明的另一实施方式的磁光记录介质4的截面图，示出了用于MSR(超分辨率记录)的介质。形成在基板4A的第1电介质层4B上的磁光记录层由GdFeCo层(面内)4D、电介质层4E以及垂直记录层(TbFeCo)层4C构成。
在该结构的记录介质中，也可以使用在图7和以下说明的相位坑光学深度、调制度等条件。而且，对于MSR，由于记录密度高，因而即使把光强度调制信号负反馈给发光激光器，也不能降低噪声，所以本发明的效果显著。
以上，如所说明的那样，一种磁光记录介质，在形成在基板上的光学相位坑上形成磁光记录薄膜，可以使相位坑信号和形成在其上的记录膜信号两者再生；当把形成在基板上的相位坑的光学深度设为X(λ)，把调制度设为Y(％)时，满足以下条件：
344X-8.12≥Y且Y≥286X-10.7
0.080≤X≤0.124且16≤Y≤30。
这样，可以获得把MO信号和相位坑信号的抖动抑制为所期望的小于等于10％、且不产生裂纹、重复记录特性也充分的磁光记录介质。
并且，优选的是，当把相位坑光学深度设为X(λ)，把调制度设为Y(％)时，满足以下条件：
344X-8.12≥Y且Y≥286X-10.7
0.080≤X≤0.124且19≤Y≤26。
这样，可以把MO信号和相位坑信号的抖动进一步抑制为小于等于具有余量的8％。
而且，优选的是，前述薄膜是电介质薄膜和记录膜，并且，优选的是，电介质薄膜是SiN，从而可以实现具有优秀耐久性能的磁光介质。
并且，记录层使用以TbFeCo为主要材料的薄膜构成，优选的是，记录层包括至少两层：以TbFeCo层为主要成分的层和以GdFeCo层为主要成分的层，并且理想的是，GdFeCo层在室温下具有过渡金属优势，并包括垂直磁化膜。
[磁光记录装置]
下面，对根据本发明的磁光记录装置(盘驱动器)进行说明。图14是本发明的一实施方式的光盘驱动器的整体方框图，图15是图14的驱动器的光学系统的结构图，图16是图14的驱动器的信号处理系统的方框图，图17是图15和图16的检测器的配置图，图18是检测器的输出与生成信号的关系图，图19是光盘驱动器的各模式的说明图。
如图14所示，电动机18使磁光记录介质(MO盘)4旋转。通常，MO盘4是可移动介质，其被从未作图示的驱动器的插入口插入。光拾波器5具有构造用来夹持该光信息记录介质4的磁头35和光头7。
光拾波器5由诸如滚珠丝杠进给机构的轨道致动器6移动，可以对光信息记录介质4的半径方向的任意位置进行存取。而且，磁光记录装置还设置有：LD驱动器31，用于驱动光头7的激光二极管LD；以及磁头驱动器34，用于驱动光拾波器5的磁头35。存取伺服控制器15-2根据来自光头7的输出，对轨道致动器6、电动机18、以及光头7的聚焦致动器19进行伺服控制。控制器15-1使LD驱动器31、磁头驱动器34以及存取伺服控制器15-2工作，以进行信息的记录和再生。
参照图15对光头7进行详细说明。来自激光二极管LD的漫射光经由用于3光束寻轨的衍射光栅10和分束器11通过准直透镜39变成平行光，并在由反射镜40反射后，通过物镜16聚光到光信息记录介质4上并基本上达到衍射极限。
入射到该分束器11上的光的一部分由分束器11反射，通过聚光透镜12会聚到APC(Auto Power Control：自动功率控制)检测器13上。
而且，由光信息记录介质4反射的光再次通过物镜16由反射镜40反射后，由准直透镜39变成收敛光，并再次入射到分束器11。再次入射到分束器11上的光的一部分返回到激光二极管LD侧，剩余的光由分束器11反射，通过3光束Wollaston棱镜26和圆筒面透镜21会聚到反射光检测器25上。
对反射光检测器25的形状和构造进行说明。由于入射光是3光束的光，所以如图17所示，反射光检测器25包括：4分割检测器22-1、设置在4分割检测器22-1的上部和下部的MO信号检测器20、以及设置在4分割检测器22-1左侧和右侧的用于寻轨误差检测的检测器22-2、22-3。
参照图16和图18对再生信号进行说明。如图16所示，FES(FocusError Signal：聚焦误差信号)再生电路23使用光电转换后的4分割光检测器22的输出A、B、C、D，通过图18所示的像散法来检测聚焦误差(FES)。即，
FES＝(A+B)-(C+D)/(A+B+C+D)。
同时，在TES生成电路24中，使用图18的运算式，基于推挽法，从用于轨道误差检测的检测器22-2、22-3的输出E、F中检测寻轨误差(TES)。
TES＝(E-F)/(E+F)。
将通过这些计算确定的聚焦误差信号(FES)和寻轨误差信号(TES)作为聚焦方向和轨道方向的位置误差信号输入到主控制器15(在图14中，存取伺服控制器15-2)。而且，在图16中，将存取伺服控制器15-2和控制器15-1集成到主控制器15中。
另一方面，在记录信息检测系统中，将根据光信息记录介质4上的磁光记录的磁化方向而变化的反射激光的偏振光特性转换为光强度。即，在3光束Wollaston棱镜26中，通过偏振检测将偏振方向分离成两个相互正交的光束，这两个光束通过圆柱面透镜21入射到2分割光检测器20上，并分别对其进行光电转换。
按照图18的运算式，由加法放大器29对由2分割光检测器20进行了光电转换后的2个电信号G、H进行加法运算，成为第一ROM信号(ROM1＝G+H)，同时，由减法放大器30进行减法运算，成为RAM读出(MO)信号(RAM＝G-H)，并分别将它们输入到主控制器15。
在图16中，对入射到APC用光检测器13上的半导体激光二极管LD的反射光进行光电转换，并通过放大器14作为第二ROM信号(ROM 2)输入到主控制器15中。
而且，如上所述，将作为加法放大器29的输出的第一ROM信号(ROM1)、作为差动放大器30的输出的RAM信号(RAM)、来自FES生成电路23的聚焦误差信号(FES)、以及来自TES生成电路24的寻轨误差信号(TES)输入到主控制器15中。
并且，通过与数据源32的接口电路33把记录数据和读出数据输入/输出到主控制器15。
根据各模式(即：同时再生ROM和RAM、仅再生ROM、以及磁场调制和光调制RAM记录(WRITE))来检测和使用输入到主控制器15的第一ROM信号(ROM 1＝G+H)、第二ROM信号(ROM 2＝I)以及RAM信号(RAM＝G-H)。
图19是示出各模式下的上述ROM 1(＝G+H)、ROM 2(＝I)以及RAM(G-H)的检测组合的图。主控制器15根据各模式，生成用于LD驱动器31的指令信号。LD驱动器31根据指令信号，在再生ROM和RAM时，根据第一ROM信号(ROM 1＝G+H)对半导体激光二极管LD的发光功率进行负反馈控制，在RAM记录时，根据第二ROM信号(ROM 2＝I)对半导体激光二极管LD的发光功率进行负反馈控制。
在磁光(RAM)记录时，将来自数据源32的数据通过接口33输入到主控制器15中(参照图16)。主控制器15在使用磁场调制记录方式的情况下，把该输入数据提供给磁头驱动器34。磁头驱动器34驱动磁头35，并与记录数据相对应地调制磁场。此时，在主控制器15中，将指示正在记录的信号传送到LD驱动器31，LD驱动器31根据第二ROM信号(ROM 2＝I)对半导体激光二极管LD的发光进行负反馈控制，以使其成为最适于记录的激光功率。
而且，在使用光调制记录方式的情况下，把该输入数据传送到LD驱动器31，对激光二极管LD进行光调制驱动。此时，在主控制器15中，将指示正在记录的信号传送到LD驱动器31，LD驱动器31根据第二ROM信号(ROM 2＝I)对半导体激光二极管LD的发光进行负反馈控制，以使其便成为最适于记录的激光功率。
另外，尽管在使用像散法检测聚焦误差信号、使用3光束法检测寻轨误差信号、根据偏振光分量的差动检测信号来检测MO信号的示例中作了说明，然而前述光学系统是在本发明的实施例中使用的光学系统，作为聚焦误差检测方法，无论是刀刃法、还是光点尺寸位置检测法等都没有任何问题。并且，对于寻轨误差检测法，即使使用推挽法、相位差法等也没有任何问题。
而且，主控制器15(在图14中，伺服控制器15-2)根据所检测的聚焦误差信号FES来驱动聚焦致动器19，对光束进行调焦控制。主控制器15(在图14中，伺服控制器15-2)根据所检测的寻轨误差信号TES来驱动轨道致动器6，对光束进行查找和轨道跟踪控制。
这里，在激光功率调整中，使用检测器25的G+H信号或检测器13的I信号。如图19所示，在同时再生ROM信号和RAM信号的情况下，为了使RAM读出信号(＝G-H)不受来自磁光记录介质4的相位坑调制的串扰(cross talk)的影响，控制激光功率控制以使G+H信号恒定。在光调制记录时，不进行ROM检测。
图20是本发明的另一实施方式的磁光记录装置的方框图。在图20中，与图14至图16所示相同的部分使用相同的标号来表示。在该示例中，不对激光二极管LD进行使用ROM 1信号(相位坑调制信号)的负反馈控制。
当使用前述磁光记录介质4时，由于可以降低相位坑调制信号的噪声，因而不需要负反馈控制。因此，可以防止负反馈控制的相位延迟，特别适合于盘高速旋转和高密度记录。
[其它实施方式]
以上，通过实施方式对本发明进行了说明，然而在本发明要旨的范围内，可以对本发明进行各种变形，这些变形并不排除在本发明的技术范围之外。例如，相位坑尺寸并不限于前述数值，也可以使用其他数值。而且，磁光记录膜可以使用其他的磁光记录材料。同样地，磁光记录介质不限于圆盘形状，可以采用卡形等。
工业适用性
一种磁光记录介质，在形成在基板上的光学相位坑上形成磁光记录薄膜，可以使相位坑信号和形成在其上的记录膜信号两者再生；当把形成在基板上的相位坑的光学深度设为X(λ)，把调制度设为Y(％)时，满足以下条件：
344X-8.12≥Y且Y≥286X-10.7
0.080≤X≤0.124且16≤Y≤30。
这样，可以获得把MO信号和相位坑信号的抖动抑制成所期望的小于或等于10％、且不发生裂纹、重复记录特性也充分的磁光记录介质，可以提高同时再生ROM-RAM的再生信号质量。
而且，可以通过使用介质的结构来实现，所以可以容易且稳定地实现。

Claims (12)

1、一种磁光记录介质，在形成在基板上的光学相位坑上形成磁光记录薄膜，可以使光学相位坑信号和形成在其上的记录膜信号两者再生；其特征在于，
被构成为：当把形成在基板上的相位坑的光学深度设为X(λ)，把照射了偏振光方向的光束时的前述相位坑的调制度设为Y(％)时，其中，该偏振光方向为与前述磁光记录介质的轨道垂直的方向，满足以下条件：
344X-8.12≥Y且Y≥286X-10.7
0.080≤X≤0.124且16≤Y≤30。
2、根据权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于，被构成为在前述条件内满足19≤Y≤26的条件。
3、根据权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于，前述调制度是根据在照射了偏振光方向的光束时，前述磁光记录介质的无前述相位坑的空间部的反射光电平与前述空间部的反射电平和有前述相位坑的标记部的反射电平之间的差异之比来定义的，其中，上述偏振光方向为与前述磁光记录介质的轨道垂直的方向。
4、根据权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于，前述磁光记录膜具有由第1电介质层、记录层、第2电介质层以及反射层构成的结构。
5、根据权利要求4所述的磁光记录介质，其特征在于，前述第1电介质层由溅镀成膜的SiN构成。
6、根据权利要求4所述的磁光记录介质，其特征在于，前述记录层由以TbFeCo为主要材料的薄膜构成。
7、一种磁光记录装置，其特征在于，具有：
光头，用于把光照射到在形成有相位坑的基板上形成有磁光记录膜的磁光记录介质上，并且根据来自前述磁光记录介质的返回光，把由前述相位坑调制后的光强度检测为ROM信号，并把由前述磁光记录膜对前述返回光进行了调制后的偏振光方向分量的差动振幅检测为RAM信号；
磁场施加单元，用于向磁光记录介质施加磁场，以在前述磁光记录膜上进行记录；以及
轨道致动器，用于至少使前述光头对前述光信息记录介质的期望位置进行存取；
前述磁光记录介质被构成为：当把形成在基板上的相位坑的光学深度设为X(λ)，把照射了偏振光方向的光束时的前述相位坑的调制度设为Y(％)时，其中，上述偏振光方向为与前述磁光记录介质的轨道垂直的方向，满足以下条件：
344X-8.12≥Y且Y≥286X-10.7
0.080≤X≤0.124且16≤Y≤30。
8、根据权利要求7所述的磁光记录装置，其特征在于，前述磁光记录介质被构成为在前述条件内满足19≤Y≤26的条件。
9、根据权利要求7所述的磁光记录装置，其特征在于，前述磁光记录介质的前述调制度是根据在照射了偏振光方向的光束时，前述磁光记录介质的无前述相位坑的空间部的反射光电平与前述空间部的反射电平和有前述相位坑的标记部的反射电平之间的差异之比来定义的，其中，该偏振光方向为与前述磁光记录介质的轨道垂直的方向。
10、根据权利要求7所述的磁光记录装置，其特征在于，前述磁光记录介质的前述磁光记录膜具有由第1电介质层、记录层、第2电介质层以及反射层构成的结构。
11、根据权利要求10所述的磁光记录装置，其特征在于，前述磁光记录介质的前述第1电介质层由溅镀成膜的SiN构成。
12、根据权利要求10所述的磁光记录装置，其特征在于，前述磁光记录介质的前述记录层由以TbFeCo为主要材料的薄膜构成。
CN03826136.7A 2003-03-12 2003-03-12 磁光记录介质和磁光记录装置 Pending CN1759443A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2003/002888 WO2004081930A1 (ja) 2003-03-12 2003-03-12 光磁気記録媒体及び光磁気記録装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1759443A true CN1759443A (zh) 2006-04-12

Family

ID=32983438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN03826136.7A Pending CN1759443A (zh) 2003-03-12 2003-03-12 磁光记录介质和磁光记录装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPWO2004081930A1 (zh)
CN (1) CN1759443A (zh)
AU (1) AU2003213460A1 (zh)
WO (1) WO2004081930A1 (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06162590A (ja) * 1992-11-20 1994-06-10 Sony Corp 光ディスク
JPH09102142A (ja) * 1995-10-02 1997-04-15 Fujitsu Ltd 光記録媒体及びその製造方法
JP4303390B2 (ja) * 1999-06-21 2009-07-29 富士通株式会社 光記録媒体、データブロック識別マークの検出方法及び光記憶装置
JP2002197725A (ja) * 2000-12-22 2002-07-12 Sony Corp 記録媒体および記録媒体原盤ならびに記録媒体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003213460A1 (en) 2004-09-30
JPWO2004081930A1 (ja) 2006-06-15
WO2004081930A1 (ja) 2004-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW497094B (en) Optical recording medium and optical recording device
JP2857002B2 (ja) 光磁気記憶装置
CN1157048A (zh) 光学信息记录介质及其制造方法和制造装置，以及光学信息记录和重现装置
CN1747021A (zh) 磁记录媒体的记录再生方法、记录再生装置及磁记录媒体
CN1205607C (zh) 光记录介质和光盘装置
JP4038336B2 (ja) 情報記録再生方法
CN1649009A (zh) 光记录介质
CN1308947C (zh) 光信息记录介质
CN1623197A (zh) 光记录介质、记录再现装置、存储装置及记录再现方法
CN1615518A (zh) 记录装置
CN1513180A (zh) 磁光记录介质
US20050195693A1 (en) Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording device
CN1759443A (zh) 磁光记录介质和磁光记录装置
CN100343914C (zh) 光学记录介质、制造其的原盘、记录/再现设备及方法
CN1551167A (zh) 光学记录媒质及其制造基板，记录和复制装置及方法
US20080084800A1 (en) Power Determining Method, Single-Sided Multilayer Optical Disk, Recording Method, Computer Program Product, Computer-Readable Medium, And Optical Disk Apparatus
JPH11353681A (ja) 光再生装置および光記録媒体
JP4105165B2 (ja) 光磁気記録媒体及び光磁気記憶装置
TWI234154B (en) Optical recording medium, magnetic-optical recording medium and optical memory apparatus
CN1650355A (zh) 光学存储装置以及光学存储介质的读取方法
US20080062854A1 (en) Disc Recording Medium, Disc Drive, and Manufactuing Method of Optical Disc
CN1462436A (zh) 磁光记录介质及其再现方法
JPWO2003088224A1 (ja) 光学的情報記録再生の方法及び装置
US20050201263A1 (en) Magneto-optical recording medium and a magneto-optical recording device thereof
CN1124595C (zh) 高密度信息记录再生方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication