CN1650355A - 光学存储装置以及光学存储介质的读取方法 - Google Patents

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Abstract

一种光学存储装置具有：信号检测部(29，30)，其从光学存储介质的返回光中检测由相位凹坑调制的光强度作为ROM信号，并检测所述返回光被所述记录膜调制的RAM信号，其中所述光学存储介质具有相位凹坑和记录层，可以同时再生ROM和RAM；反馈电路(31)，其将所述ROM信号反馈到所述激光元件的激光器驱动电流中，以减少所述记录膜的RAM信号的所述相位凹坑的串扰；调整电路(52)，其进行调整，以实现与所述激光元件的温度变化无关的预定串扰抑制效果。由于根据激光器温度变化而改变用于减小相位凹坑串扰的反馈增益，所以可以设定使得MO信号不会随激光器温度变化而劣化的RF反馈增益。

Description

光学存储装置以及光学存储介质的读取方法
技术领域
本发明涉及通过光头对光学记录介质进行光学记录和再生的光学存储装置以及光学存储介质的读取方法，更具体地，涉及使用具有基于相位凹坑(phase pit)的ROM(Read Only Memory)和基于记录层的RAM(Random Access Memory)两个功能的光学记录介质来再生ROM和RAM的光学存储装置和光学存储介质读取方法。
背景技术
信息记录领域的技术进步非常显著，对于使用光的光学存储器(例如磁光盘存储器)的高密度记录/再生和高速存取的研究和开发正在积极地开展。提升光盘存储器的这些特性的研究和开发正在进行，例如，在日本特开平6-202820号公报中，公开了一种可以同时进行ROM(ReadOnly Memory)和RAM(Random Access Memory)的再生的并发ROM-RAM光盘(以下称作光信息记录介质)。
这种可以同时进行ROM和RAM再生的光信息记录介质能够提供两倍于普通光盘存储器的存储容量，并且，对于磁盘来说不可能进行的ROM-RAM同时再生，在这种光信息记录介质中成为可能。
例如，在上述现有技术中，使用了一种在形成有螺旋或同心圆状相位凹坑的光学透明基板上形成了磁光记录膜的光信息记录介质。从光拾取头将光几乎会聚到衍射极限，然后照射在光信息记录介质上。来自该光信息记录介质的、经过相位凹坑调制的返回光的光强度被再生为ROM信号，而磁光记录膜对返回光调制后的偏振方向分量的差分幅值被再生为RAM信号。
另外，在光拾取头中还安装有磁头，用于向光信息记录介质施加磁场，通过改变来自光拾取头的会聚光和磁场中的至少一方，在磁光记录膜上记录RAM信号。
在这种在同一记录表面上具有ROM信息和RAM信息的光信息记录介质中，为了同时再生由相位凹坑PP构成的ROM信息和由磁光记录OMM构成的RAM信息，还存在多个需要改进的地方。
作为稳定地再生RAM信息和ROM信息的障碍，读取ROM信息时生成的光强度调制成为再生RAM信息时产生噪声的一个原因。为此，本申请人在国际申请PCT/JP02/00159(国际申请日：2002年1月11日)中提出，将伴随ROM信息读取的光强度调制信号负反馈到读取驱动用的激光器中。
通过这种方法，可以降低光强度调制噪声，并且可以减少相位凹坑信号向磁光信号中的泄漏。然而，向激光发射元件供应驱动电流时会升温，即使供应相同的驱动电流值，发光功率也会随温度而改变。因此，根据上面的建议，将光强度调制信号负反馈到激光发射元件来抑制相位凹坑信号时，抑制增益随温度变化而发生变化，从而改变了相位凹坑串扰量。结果，磁光信号的质量劣化，仅此还不能实现很好的降噪效果。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种光学存储装置和光学存储介质读取方法，用以防止由于激光器温度变化而导致的相位凹坑信号抑制增益的波动，并防止RAM再生信号的质量劣化。
本发明的另一个目的是提供一种光学存储装置和光学存储介质读取方法，用以自动调整相位凹坑信号的负反馈增益，以防止由于激光器温度变化而导致的RAM再生信号的劣化。
本发明的再一个目的是提供一种光学存储装置和光学存储介质读取方法，其通过简单的结构而自动调整相位凹坑信号的负反馈增益，以防止由于激光器温度变化而导致的RAM再生信号的劣化。
为了解决以上问题，本发明的光学存储装置具有：光拾取头，用来从激光元件向在形成有相位凹坑的基板上形成有记录膜的ROM-RAM光学记录介质上照射光，并检测来自所述光学记录介质的返回光；信号检测部，用来从所述返回光中检测由所述相位凹坑调制的光强度作为ROM信号，并且检测返回光被所述记录膜调制了的RAM信号；减少装置，用于将所述ROM信号反馈到所述激光元件的激光器驱动电流中，以减少所述记录膜的RAM信号的相位凹坑的串扰；以及调整装置，用于调整所述减少装置，以实现与所述激光元件的温度变化无关的恒定串扰抑制效果。
根据本发明，对用于减少相位凹坑的串扰的反馈系统进行调整，以使得MO信号的质量不会因为激光器温度的变化而劣化，从而可以改善MO再生信号的特性。
在本发明中，优选的是，用于实现与所述激光元件的温度变化无关的恒定串扰抑制效果的调整装置还具有改变装置，用于根据激光元件的激光器温度来改变所述相位凹坑信息的反馈增益。因此，可以设置RF反馈增益，使得MO信号的质量不会因为激光器温度的变化而劣化。因此，可以进一步改善MO再生信号的特性。
另外，在本发明中，优选的是，所述调整装置还具有改变装置，用于比较待施加的APC基准电压和用来执行激光元件的APC控制的驱动电压，并改变所述反馈增益。因此，可以根据激光元件的温度来容易地设置所述相位凹坑反馈增益。
另外，在本发明中，优选的是，所述调整装置还具有改变装置，用于执行所述激光元件的APC控制的驱动电压的A/D转换，并将A/D转换值输入主控制器中，在该主控制器中计算基准电压和驱动电压之间的差值，并改变反馈增益。因此，可以根据激光元件的温度来容易地设置相位凹坑反馈增益。
另外，在本发明中，优选的是，所述调整装置还具有：温度传感器，用于检测所述激光元件的温度；以及改变装置，用于计算检测温度和基准温度之间的差值，并改变反馈增益。因此，可以容易地检测激光元件的温度，并且可以容易地设置相位凹坑反馈增益。
另外，在本发明中，优选的是，所述ROM-RAM光存储介质的记录层由磁光记录层构成，并且所述信号检测电路检测所述返回光的偏振分量的差分幅值作为RAM信号，从而可以利用具有简单结构的光存储介质来实施本实施例。
另外，优选的是，本发明还具有APC控制装置，用来检测所述激光元件的发射光，并将所述激光元件的光输出控制为恒定，并且通过将所述减少装置的输出添加到所述APC控制电路的输出中来驱动所述激光元件，从而可以稳定地减少相位凹坑串扰噪声。
另外，优选的是，本发明还具有反馈控制开关，用于对是否将所述串扰减少装置的输出施加到所述APC控制电路中进行控制，从而可以容易地对反馈开/关进行控制。
附图说明
图1是示出了作为用于本发明一个实施例的光信息记录介质的一个示例的磁光盘的断面图。
图2是图1所示ROM-RAM磁光盘存储器的断面结构图。
图3是说明具有图2所示结构的光信息记录介质中ROM信息和RAM信息的记录状态的平面图。
图4是说明具有图2所示结构的光信息记录介质中ROM信息和RAM信息的记录状态的立体图。
图5是本发明的光学存储装置的一个实施例的整体结构框图。
图6是图5所示光拾取头的光学系统的详图。
图7是图5的一部分的详细框图。
图8是图6和图7的光学检测器的配置图。
图9是说明图8所示光学检测器的输出、基于该输出的聚焦误差(FES)检测、寻道误差(TES)检测、MO信号以及LD反馈信号之间的关系的图。
图10表示图5和图7的主控制器中的再生和记录模式中的ROM和RAM检测的组合。
图11是图5和图7的LD驱动器的结构图。
图12是RF反馈关闭时的动作说明图。
图13是RF反馈打开时的动作说明图。
图14是光学输出对半导体激光器驱动电流的关系图。
图15是图11所示温度控制电路的第一实施例的结构图。
图16是图11所示温度控制电路的第二实施例的结构图。
图17是图11所示温度控制电路的第三实施例的结构图。
具体实施方式
下面将按照如下顺序来说明本发明的实施例：ROM-RAM光盘、光盘驱动器、LD驱动器，以及其他实施例。
[ROM-RAM光盘]
图1是根据本发明一个实施例的ROM-RAM光学记录介质的平面图，图2是其截面图，图3是其用户区域的正视图，而图4是其ROM信号与RAM信号之间的关系图。
在图1或后面的描述中，将描述ROM-RAM磁光盘(MO)作为ROM-RAM光学记录介质的一个示例。如图1所示，ISO标准的磁光盘4为盘状，其中最靠内的圆周中设有读入区域1，最靠外的圆周中设有读出区域2，而它们之间设有用户区域3。
读入区域1和读出区域2是由相位凹坑(由聚碳酸酯基板上的凹凸形成)构成的ROM信息区域，其中记录有诸如盘片规格的信息。通过读取这些信息来控制记录/再生的条件。对作为这种ROM信息的相位凹坑的光学深度(凹坑深度)进行设置，使得再生期间的光强度调制达到最大。通常将调制程度(相位凹坑区域中的光强度相对于平坦区域中的光强度的变化率)设为70％或更大。
在读入区域1和读出区域2之间设有用户区域3，其中通过溅射装置形成有磁光记录膜。用户可以在该用户区域3中随意记录/再生信息。
为了使用户区域3具有ROM和RAM功能，如图2所示，磁光盘4通常由形成有相位凹坑的聚碳酸酯基板4A上的以下部分构成：由诸如氮化硅和氧化钽的材料制成的第一电介质层4B；由诸如TbFeCo的稀土金属和过渡金属的无定形合金制成的磁光记录层4C；由与第一电介质层4B相同的材料构成的第二电介质层4D；由诸如AlTi和Au的金属制成的反射层4E；以及使用紫外硬化树脂的保护涂层4F。
如图2和图3所示，由盘4上的凹凸所形成的相位凹坑PP来提供ROM功能，而通过磁光记录层4C来提供RAM功能。为了在磁光记录层4C上记录数据，用激光束照射磁光记录层4C，以辅助磁化反转，对应于信号磁场反转磁化方向，从而记录磁光信号OMM。这样，就可以记录RAM信息。
用弱激光束照射记录层4C以读取记录在磁光记录层4C上的信息，通过极向克尔效应(polar Kerr effect)，激光束的偏振面对应于记录层4C的磁化方向而改变，通过此时反射光中的偏光成分的强弱来判断有无信号。这样，可以读取RAM信息。在读取过程中，反射光被构成ROM的相位凹坑PP调制，所以可以同时读取ROM信息。
在具有这种结构的光学信息介质中，如图3和图4所示，ROM信息由相位凹坑PP(形成在平面基板上的凹凸)进行固定记录，而RAM信息作为MO信号OMM记录在相位凹坑PP线上的磁光记录层上。图3中径向的A-B线方向上的截面与图2一致。
换言之，可以通过一个光拾取头同时再生ROM和RAM。如果使用磁场调制方式的磁光记录，则可以同时进行RAM的写入和ROM的再生。
[光盘驱动器]
现将描述根据本发明的光盘驱动器。图5是根据本发明一个实施例的光盘驱动器的整体框图，图6是图5所示驱动器的光学系统的结构图，图7是图5所示驱动器的信号处理系统的框图，图8是图6和图7中的检测器的配置图，图9是检测器的输出与生成信号的关系图，而图10是光盘驱动器的各种模式的说明图。
如图5所示，马达18旋转光信息记录介质(MO盘)4。通常MO盘4是可移动介质并从驱动器的插口(未示出)插入。光拾取头5具有磁头35和光头7，它们被布置为夹住光信息记录介质4。
可由滚珠丝杠进给机构等的寻道致动器6来移动光拾取头5，以在径向上访问光信息记录介质4上的任意位置。另外，还设有用于驱动光头7的激光二极管LD的LD(激光二极管)驱动器31，以及用于驱动光拾取头5的磁头35的磁头驱动器34。访问用伺服控制器15-2根据来自光头7的输出，对寻道致动器6、马达18和光头7的聚焦致动器19进行伺服控制。控制器15-1对LD驱动器31、磁头驱动器34以及访问用伺服控制器15-2进行操作，以进行信息记录/再生。
现将参照图6详细说明光头7。来自激光二极管LD的发散光经由三光束寻道用衍射光栅10和分束器11被准直透镜39变为平行光，该平行光被反射镜40反射，然后被物镜16以近乎衍射极限的方式会聚在光信息记录介质4上。
进入分束器11的光的一部分被分束器11反射，经由会聚透镜12会聚在APC(自动功率控制)检测器1 3上。
由光信息记录介质4反射的光再次经由物镜16被反射镜40反射，通过准直透镜39变为会聚光，然后再次进入分束器11。再次进入分束器11的光的一部分返回激光二极管LD侧，而剩余部分的光被分束器11反射，然后经由三光束Wollaston棱镜26和柱面透镜21会聚在反射光检测器25上。
现将说明反射光检测器25的形状和配置。由于入射光是三束，所以该反射光检测器25由四分检测器22-1、位于其上下的MO信号检测器20、位于其左右的寻道误差检测用检测器22-2和22-3构成，如图8所示。
现将参照图7和图9说明再生信号。如图7所示，FES(Focus ErrorSignal)再生电路23使用经过光电转换的四分光电检测器22的输出A、B、C和D，通过图9所示的像散法来检测聚焦误差(FES)。换言之，
FES＝{(A+B)-(C+D)}/(A+B+C+D)或
FES＝{(A+C)-(B+D)}/(A+B+C+D)
此时，使用图9所示的算式，根据推/挽法，由TES生成电路24从寻道误差检测用检测器22-2和22-3的输出E和F中检测出寻道误差(TES)。
TES＝(E-F)/(E+F)
由这些计算求得的聚焦误差信号(FES)和寻道误差信号(TES)被作为聚焦方向和轨道方向的位置误差输入主控制器15(在图5中是访问用伺服控制器15-2)。在图7中，将访问用伺服控制器15-2和控制器15-1集成在主控制器15中。
另一方面，在记录信息检测系统中，根据光信息记录介质4上的磁光记录的磁化方向而变化的反射激光的偏振特性被转换为光强度。换言之，在三光束Wollaston棱镜26中，通过检偏将输入光束分为偏振方向相互垂直的两束，这两个光束通过柱面透镜21进入二分光检测器20，分别进行光电转换。
经过二分光检测器20的光电转换的两个电信号G和H由加法放大器29根据图9中的算式进行相加，从而变成第一ROM信号(ROM1＝G+H)，同时由减法放大器30进行相减，从而变成RAM读出(MO)信号(RAM＝G-H)，然后分别输入主控制器15中。
在图7中，进入到APC用光检测器13中的半导体激光二极管LD的反射光被光电转换，并通过放大器14作为第二ROM信号(ROM2)进入主控制器15。
另外，如上所述，将第一ROM信号(ROM1)(加法放大器29的输出)、RAM信号(RAM)(差动放大器30的输出)、来自FES生成电路23的聚焦误差信号(FES)、以及来自TES生成电路24的寻道误差信号(TES)输入到主控制器15中。
另外，通过与数据源32之间的接口电路33对主控制器15进行记录数据和读出数据的输入/输出。
根据各个模式，即ROM和RAM同时再生、仅再生ROM、以及磁场调制和光调制RAM记录(WRITE)，来检测和使用待输入至主控制器15的第一ROM信号(ROM1＝G+H)、第二ROM信号(ROM2＝I)以及RAM信号(RAM＝G-H)。
图10是示出各模式中ROM1(＝G+H)、ROM2(＝I)和RAM(G-H)的组合的表。主控制器15根据各模式生成LD驱动器31的命令信号。根据该命令信号，LD驱动器31在ROM和RAM再生时根据第一ROM信号(ROM1＝G+H)和第二ROM信号(ROM2＝I)来执行半导体激光二极管LD的发光功率的负反馈控制，在ROM再生和RAM记录时根据第二ROM信号(ROM2＝I)来执行半导体激光二极管LD的发光功率的负反馈控制。
在磁光(RAM)记录中，经由接口33将来自数据源32的数据输入至主控制器15(参见图7)。如果使用磁场调制记录方式，则主控制器15向磁头驱动器34提供这些输入数据。磁头驱动器34驱动磁头35并根据记录数据来调制磁场。此时，在主控制器15中，一个表示记录中的信号被发送至LD驱动器31，LD驱动器31根据第二ROM信号(ROM2＝I)，对半导体激光二极管LD的发光进行负反馈控制，以得到最适于记录的激光功率。
如果使用光调制记录方式，则这些输入数据被发送至LD驱动器31并对激光二极管LD进行光调制驱动。此时，在主控制器15中，一个表示记录进行中的信号被发送至LD驱动器31，LD驱动器31根据第二ROM信号(ROM2＝I)，对半导体激光二极管LD的发光进行负反馈控制，以得到最适于记录的激光功率。
在以上的示例中，使用像散法来检测聚焦误差信号，使用三光束法来检测寻道误差信号，而由偏光成分的差分检测信号检测MO信号，但是上述光学系统仅用于本实施例，并且，可以毫无问题地将例如刀口法以及光斑尺寸位置检测法用作聚焦误差检测方法。另外，对于寻道误差检测方法，可以毫无问题地使用诸如推/挽法和相位差法。
主控制器15(图5中是伺服控制器15-2)根据所检测到的聚焦误差信号FES来驱动聚焦致动器19，以执行光束的聚焦控制。主控制器15(图5中是伺服控制器15-2)还根据所检测到的寻道误差信号TES来驱动寻道致动器6，以执行光束的寻道和轨道跟随控制。
在此，使用检测器25的信号G+H或者检测器13的信号I来进行激光功率调整。如图10所示，如果同时再生ROM信号和RAM信号，则对激光器功率进行控制，使得信号G+H恒定，从而RAM读出信号(＝G-H)不会受到来自光信息记录介质4的相位凹坑信号的串扰。在光调制记录的过程中不检测ROM。
[LD驱动器]
下面说明在上述基本ROM-RAM同时读取装置中安装有负反馈装置的LD驱动器。
图11是图5和图7中的LD驱动器的详细结构图。在图11中，用相同的标号来表示与图5和图7中相同的构成元件。在图11中，光学系统是NA＝0.55，t＝1.20mm，λ＝785nm的光学系统。来自盘4的反射光经由三光束Wollaston棱镜26和会聚透镜21进入检测器20，然后被I-V(电流-电压)转换电路60和62转换为电压信号G和H。
加法放大器29确定电压信号G和H的和，以得到RFSUM信号(第一ROM信号)。减法放大器30确定电压信号G和H之间的差值，以得到MO信号(RAM信号)。
作为驱动激光器的方法，下面将说明通常使用的APC(自动功率控制)机制。用来监视出射光的APC检测器13的输出被I-V(电流-电压)转换电路14转换为检测电压，然后在比较器53中与从主控制器15输出的基准电压REF进行比较，然后利用差值，通过增益放大器54和驱动电路55来驱动激光二极管LD。这样，就总能从激光二极管LD获得预定的发光量。
另一方面，为了执行RF(相位凹坑抑制)反馈，在LD驱动器31中，由AGC放大器50使RFSUM信号具有预定的幅值，通过RF反馈开关SW，经由滤波器51和增益调整电路52，将其输入到APC的驱动器电路。当根据主控制器15的控制，RF反馈开关SW为打开时，RFSUM信号与APC计算输出(差值)相加，然后输入驱动器电路55以驱动激光二极管LD。该增益调整电路52被构建为增益可根据激光二极管温度信息而变化，如稍后所述。
如图12所示，当RF反馈为关闭时，通过APC将LD驱动电路控制为恒定。另一方面，由相位凹坑信息RFSUM(G+H)来调制MO信号(G-H)，其中生成了相位凹坑串扰。如果RF反馈为打开，如图13所示，则对应于相位凹坑的RFSUM信号的输出被添加到APC驱动电流中，LD驱动电流按照RFSUM信号的相反相位进行变化，从而在MO信号中不再有相位凹坑信号，因此，可以减少相位凹坑串扰。
如图14所示，在半导体激光器LD的发射特性中，半导体激光器LD的光输出随温度Tc而变化。例如，即使驱动电流值相同，温度Tc＝25℃时光输出较高，而温度Tc＝60℃时光输出较低。随着向半导体激光器提供驱动电流，半导体激光器LD的温度发生变化。
因此，当RF反馈的增益固定不变时，如果温度低，则光输出如图13中的虚线所示地变化，而如果温度高，则光输出如图13中的实线所示地变化。因此，由RF反馈产生的相位凹坑串扰减少效果随激光元件的温度而变化。所以即使执行了RE反馈，MO信号的特性也会劣化。例如，在图13的情况中，温度较低时MO信号受相位凹坑信号的影响，如虚线所示，这与图12中的RF反馈关闭时的情况类似。这个示例表示的是使用高温情形作为参照，固定RF反馈增益时的情况。
图15是图11中的激光器温度检测电路的第一实施例的结构图，并且用相同的标号来表示与图11中相同的构成元件。作为检测激光器温度的方法，对激光器驱动电流和基准电压进行比较。温度检测电路包括：放大器70，用于对基准电压REF施加预定的增益和偏移；以及减法放大器72，用于从比较器53的APC差分信号LDC中减去放大器70的输出。
即使激光器的温度发生变化，也会因为APC而使得检测信号FWD SUM成为恒定电流，但是APC差分信号LDC的电压随激光器的温度而变化。通过调整，以使在基准温度下LDC＝A*REF+B，并且通过由减法放大器72从APC差分信号LDC中减去基准电压REF，可以得到输出DIFLDC，其中随激光器驱动电流增大，温度正向升高，而随激光器驱动电流减小，温度负向降低。
通过该DIFLDC对增益放大器52的增益进行控制。换言之，根据DIFLDC，使RF反馈的源信号RFSUM的增益为可变。在图13和图14中的示例的情况下，通过输出DIFLDC，如果温度低就控制增益为低，如果温度高就控制增益为高。
这样就可以设定RF反馈增益，利用该RF反馈增益，MO信号的质量不会随激光器温度的变化而劣化。因此，可以进一步改善MO再生信号的特性。
图16是示出图11中的激光器温度检测电路的第二实施例的结构图，并且用相同的标号来表示与图11中相同的构成元件。在该示例中，作为检测激光器温度的方法，对激光器驱动电流和基准电压进行比较。由主控制器15的程序来实现该温度检测电路。该程序对比较器53的APC差分信号LDC执行数字转换，从LCD中减去(a*REF+b)，然后确定增益。增益放大器52具有多(4)组用于调整放大器的反馈电阻的电阻以及开关56a至56d，以使得主控制器15中的数字操作变得更容易。
同样，在该示例中，即使激光器温度发生变化，也会因为APC而使得检测信号FWD SUM成为恒定的电流，但是APC差分信号LDC的电压随激光器的温度而变化。通过调整，以使在基准温度下LDC＝A*REF+B，并且通过由主控制器15从APC差分信号LCD中减去(a*基准电压REF+b)，可以得到输出DIFLDC，其中随激光器驱动电流增大，温度正向升高，而随激光器驱动电流减小，温度负向降低。
通过该DIFLD来确定增益放大器52的增益，并对增益放大器52的反馈电阻56a至56d的开关进行控制。换言之，根据DIF_LDC，使RF反馈的源信号RFSUM的增益为可变。在图13和图14中的示例的情况下，通过输出DIFLDC，如果温度低就控制增益为低，如果温度高就控制增益为高。
这样就可以设定RF反馈增益，利用该RF反馈增益，MO信号的质量不会随激光器温度的变化而劣化。因此，可以进一步改善MO再生信号的特性。该示例中，在主控制器15的微计算机中，激光器驱动电流控制电压LDC连接至A/D通道，并以预定时间间隔抽样，然后计算出激光器驱动电流控制电压LDC与基准电压REF之间的差值，随后根据该结果来确定增益，从而通过反馈电阻的开关的打开/关闭使得RF反馈增益可变。
图17是示出图11中的激光器温度检测电路的第三实施例的结构图，并且用相同的标号来表示与图11中相同的构成元件。作为检测激光器温度的方法，在安装有激光二极管LD的辐射板上安装了温度传感器74。
主控制器15的程序对温度传感器74所检测到的温度TH执行数字转换，从TH中减去基准温度，然后确定增益。增益放大器52具有多(4)组用于调整放大器的反馈电阻的电阻和开关56a至56d，以使得主控制器15中的数字操作变得更容易。
主控制器15从检测温度TH中减去基准温度，从而可以得到输出T，其中当T为正时温度升高，而当T为负时温度降低。
通过T来确定增益放大器52的增益，并对增益放大器52的反馈电阻56a至56d的开关进行控制。换言之，根据温度差，使RF反馈的源信号RFSUM的增益为可变。在图13和图14中的示例的情况下，如果温度低就控制增益为低，如果温度高就控制增益为高。
这样就可以设定RF反馈增益，利用该RF反馈增益，MO信号的质量不会随激光器温度的变化而劣化。因此，可以进一步改善MO再生信号的特性。
[其他实施例]
以上利用几个实施例对本发明进行了说明，但是在本发明的实质特征的范围内可以对本发明进行多种修改，并且这些修改不应该从本发明的技术范围内排除。例如，相位凹坑的大小并不限于以上数值，而可以是其他值。另外，对于磁光记录膜，也可以使用其他磁光记录材料。另外，磁光记录介质不限于盘状，而可以是卡状和其他形状。另外，本发明可以应用于仅再生RAM的情况。
工业应用性
在具有相位凹坑和记录层、能够同时再生ROM和RAM的光学存储介质中，相位凹坑调制信号的反馈增益随激光器温度变化而变化，因此可以设定使MO信号不会因激光器温度变化而劣化的RF反馈增益。因此，可以通过相位凹坑调制信号的反馈增益来改善MO再生信号的特性。

Claims (16)

1、一种光学存储装置，包括：
光拾取头，用于从激光元件向ROM-RAM光学记录介质上照射光，并检测来自所述光学记录介质的返回光，其中在所述ROM-RAM光学记录介质中，在形成有相位凹坑的基板上形成有记录膜；
信号检测部，用于从所述返回光中检测由所述相位凹坑调制的光强度作为ROM信号，并且检测所述返回光被所述记录膜调制的RAM信号；
减少装置，用于将所述ROM信号反馈到所述激光元件的激光器驱动电流中，以减少所述记录膜的RAM信号的所述相位凹坑的串扰；以及
调整装置，用于调整所述减少装置，以实现与所述激光元件的温度变化无关的恒定串扰抑制效果。
2、根据权利要求1所述的光学存储装置，其中所述的实现与所述激光元件的温度变化无关的恒定串扰抑制效果的调整装置还包括用于根据所述激光元件的激光器温度来改变所述相位凹坑信号的反馈增益的装置。
3、根据权利要求2所述的光学存储装置，其中所述调整装置还包括用于比较待施加的APC基准电压和对所述激光元件执行APC控制的驱动电压、并改变反馈增益的装置。
4、根据权利要求3所述的光学存储装置，其中所述调整装置还包括用于执行所述激光元件的APC控制的驱动电压的A/D转换、将经A/D转换的驱动电压输入主控制器中、使该主控制器计算基准电压和驱动电压之间的差值、并改变反馈增益的装置。
5、根据权利要求2所述的光学存储装置，其中所述调整装置还包括：
温度传感器，用于检测所述激光元件的温度；以及
用于计算检测温度和基准温度之间的差值、并改变反馈增益的装置。
6、根据权利要求1所述的光学存储装置，其中所述ROM-RAM光学存储介质的记录层由磁光记录层构成，并且
所述信号检测电路检测所述返回光的偏振分量的差分幅值作为RAM信号。
7、根据权利要求1所述的光学存储装置，其中还包括APC控制装置，用于检测所述激光元件的发射光，并将所述激光元件的光输出控制为恒定，并且
通过将所述串扰减少装置的输出加到所述APC控制电路的输出中，来驱动所述激光元件。
8、根据权利要求7所述的光学存储装置，其中还包括反馈控制开关，用于对是否将所述串扰减少装置的输出加到所述APC控制电路中进行控制。
9、一种光学存储介质的读取方法，包括以下步骤：
通过光拾取头，从激光元件向在形成有相位凹坑的基板上形成有记录膜的ROM-RAM光学记录介质上照射光，并检测来自所述光学记录介质的返回光；
从所述返回光中，检测由所述相位凹坑调制的光强度作为ROM信号，并且检测所述返回光被所述记录膜调制的RAM信号；
将所述ROM信号反馈到所述激光元件的激光器驱动电流中，以减少所述记录膜的RAM信号的所述相位凹坑的串扰；以及
调整所述减少装置，以实现与所述激光元件的温度变化无关的恒定串扰抑制效果。
10、根据权利要求9所述的光学存储介质读取方法，其中所述的进行调整以实现与所述激光元件的温度变化无关的恒定串扰抑制效果的步骤包括以下步骤：根据所述激光元件的激光器温度来改变所述相位凹坑信号的反馈增益。
11、根据权利要求10所述的光学存储介质读取方法，其中所述调整步骤包括以下步骤：比较待施加的APC基准电压和用于执行所述激光元件的APC控制的驱动电压，并改变反馈增益。
12、根据权利要求11所述的光学存储介质读取方法，其中所述调整步骤还包括以下步骤：对所述激光元件的APC控制的驱动电压进行A/D转换，并将其输入到主控制器中，由主控制器计算基准电压和驱动电压之间的差值，并改变反馈增益。
13、根据权利要求10所述的光学存储介质读取方法，其中所述调整步骤还包括以下步骤：计算由用于检测所述激光元件的温度的温度传感器检测到的温度与驱动电压之间的差值，并改变反馈增益。
14、根据权利要求10所述的光学存储介质读取方法，其中所述ROM-RAM存储介质的记录层由磁光记录层构成，并且所述信号检测电路检测所述返回光的偏振分量的差分幅值作为RAM信号。
15、根据权利要求10所述的光学存储介质读取方法，其中还包括以下步骤：将所述串扰减少装置的输出加到用于检测所述激光元件的发射光并将所述激光元件的光输出控制为恒定的APC控制的输出中，以驱动所述激光元件。
16、根据权利要求15所述的光学存储介质读取方法，其中还包括反馈控制开关，用于对是否将所述串扰减少装置的输出施加给所述APC控制电路进行控制。
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