TWI261026B - Photocatalyst sheet, method for adhesion and producing the same - Google Patents

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1261026 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關經由光觸媒粒子使基材或光觸媒含有層 之樹脂或橡膠不會被分解之光觸媒片、其接合方法及其製 造方法，尤其是有關光觸媒片之間容易接合且可獲得光觸

媒光氧化還原效用之弁觸姐y _ A &尤觸媒片、其接合方法及其製造方法。 【先前技術】 由於光觸媒具有消臭、抗菌、防污之機能 …因、防〉可之機能，目前已 ^皮利用料種領域。例如對於具有光觸媒粒子之片若 3於曰光等之紫外線照射， a H ^ ^ ^ U ^ 、產生先虱化逖原反應，將 者於片表面之有機物等污物 作用於污染物質等，3 一方面，光觸媒不/ 、亦㈢刀解纖維或塑膠本身，所以可· 慮在光觸媒氧化鈦表面以 — _ 7尤觸媒壬不活性之多孔性石悉? ㈣加以包覆(例如特許文獻…)。 外 弟8圖為含有以往来網 片1〇具有如下所干之7叙#之斷面構造®。以往： ，、月y r ηχ不之四層播皮 纖維或無機纖維織物等纖。’、p，由成為基質之合月 飞观寺缄維組成之第一声n , , ^ ^ y 成樹脂或橡膠組成之第二層12 _曰 ^復由e

層13，更於中間層J 3上勺费 Λ / 12上包覆中fE 成之光觸媒層14(例如特獻:化鈦等光觸媒粒子15相 光觸媒H4所含之光角_立; 生氧化還原反應，則經由…二」5右爾照射而潑 底層之第二層D或第—/羊還原反應，在不使構成 φ OB S 1 ^ 層1 ]之樹脂或纖唯箄法' # 丁 ^ 中間層U介於第二層12與 減之寺：化下’將 T曰i 4之間。亦即，中間 1261026 層1 3具有一種保護黏著層 —〆+ 曰之柃月匕。此外，光觸媒粒子之固 疋係使用氟樹脂等難分解性材料。 第9圖為含有與笫s ^ 、 /、 圖不同光觸媒之片之斷面構造 0。弟8圖為在第一層1]之 1 ^ 丄 表或晨中一方之面上以第二芦 1 2、中間層1 3及光觸嬋芦 曰 ^ ^ 呆層14之順序包覆之片10。如第9 圖所示，第一層Π之矣言工 „ ια 表晨兩面對稱地以第二層12、中間 層13、及光觸媒層14之順序包覆之片10a。 以往片1〇與心間之接合方法使用如下所述之方法 第10(a)圖為以往將片1〇 / ..u 牧口 <刖P白奴之斷面圖，（^ 為接合階段之斷面圖。於前 I ) u 1A 、月j ^丰又，如弟10(a)圖所示，僅蔣 片10a間將接合之寬度d怂杠立人 1重將 ^ ?, 攸任何接合之片10a經由 去光觸媒層14及中間屑n 石除 ..^ 層13使其中一方之面露出可埶炉 者之树脂層之第二層12。 …、备 八接著，在接合階段，如第10(b)圖所示，將寬度 &面合併 '熱熔著。亦即，在構成第二層12之樹脂 ·)谷融固化。熱熔著之方法有熱風熔著、熱板溶著、古= 溶著、超音波溶著、熱固定式溶著等。亦可經 劑或雙面膠使接合。對於光觸媒層14僅單面包覆之:占者 ^相同’刖階段需除去接合寬度d之光觸媒層14及中間: 如此，將具有介於第二層n與光觸媒層14之 間：η而使光觸媒粒子15引發之光氧化還原反應 一層12或第一層1]無不良影響之片10、]0a接合0士，、昂 需除去接合寬度d之光觸媒層]4及中間層]3(例如^ ’僅 3]6575 !261〇26 獻7)。 [特許文獻]]特許第3275032號公報（[0006]，[0009]) [特許文獻2]特開平^2675:19號公報（[0004]，[0009]) [特許文獻3]特開2〇〇〇_1631號公報（標題頁） [特許文獻4]W〇〇i/〇17680號公報（標題頁） [特許文獻5]特開2〇〇〇_ ^ 9957號公報（[0009]) [特許文獻6]特開平】0_237769號公報（[⑻〇4]、[〇〇〇5]) [特許文獻7]特許第2889224號公報（[0007]) 13 差 但是，若在第二層12及光觸媒層】4之間設置中間層 則在製造片1 〇、1 〇a上會增加作業工程、生產效率變 成本變高。又必需進行以往將片10，10a之間接合時 =所明非除去接合寬度之光觸媒層不可之接合工程上之煩 t作業。x ’將光觸媒粒子固定時需使用氟樹脂等難分解 ，原材料，使得加工固難且成本變高。 、 【發明内容】 本名X明以上述課題為借鏡 μ^^^^ ^以美供基材或光觸媒含有 層之树脂或橡勝不會被光觸媒有 獲得光觸婢之弁^ 5之間谷易接合且可 其製造方法為目的。 a觸媒片、其接合方法及 為了達成上述目的，本發明 至少在表面固定有經•灰石包，二媒片之第—構成’係 片，Α ώ 已设之光觸媒粒子之朵鍁姐 /、中以上述光觸媒片彼此之 先觸媒 各接合面係由可埶著 。刀目重豐、接合之 申者之材㈣成為其特徵者。 μ寸利乾圍第2項揭示之發 V、由以磷灰石包 -^16575 7 叫026 之光觸媒粒子及將該光觸 之光觸媒片，其中以 :、: *定在表面之基材所成 晶 4立 、入上述各光觸媒片之一邦八77扣杳 宜、接合之基材之各接八 。媒片之。卩分互相重 特徵者。 。面知由可熱熔著之材料形成為其 本發明光觸媒片之第- 材之單面或雙面之覆系由基材及包覆在該基 有以磷灰石包覆之光觸V:子之/以上述㈣^ 者。 1媒拉子之光觸媒含有層為其特徵 本發明光觸媒片之第r 材之單面或雙面之第係由基材及包覆在該基 之皆两 復版層與包覆在上述第一雩胺展卜 之罘二覆膜層組成，其 k弟復fe層上 包覆之光觸媒粒子之光後M層係固定有以磷灰石 上述来網拔A先觸媒έ有層為其特徵者。 萄媒3有層表面之以磷灰石勺步 ’以具有從光觸媒含有層 ：：觸媒粒 以勉石包覆之光觸媒粒子’二=刀者較佳。上述 用鱗灰石包覆之粒子ϋ洛 力觸媒粒子表面之-部分 覆之粒子較佳。又，勺受 用夕孔性石拜灰石包 晋，·、, + U、、 匕復上述光觸媒粒子之磷灰石之勺舜 里，以在上述光觸姐y 匕復 照射i小時後上、+ ^ ^經強度^讀/⑽2之紫外線 町^ J峙俊上述光觸媒片全 ^ 以下之量。弁網财』7 之重里減少率較好在1〇% I之里先觸媒粒子以紫外線應答型 任何一種或兩種者較佳。 見先C合型之 上述光觸媒粒子以含 、， 石、碳酸磷灰石、?述磷灰石以羥磷灰 午人石 虱磷灰石及氯磷方石少k y 等之混合物較佳。L τ其 / 、、，、 可一種類或該 处土材以由洋麻、黃麻及其他天 316575 8 1261026 、准=酿胺系纖維、聚芳醯胺系纖維、聚酷系纖維、聚氣 乙細_、聚偏氣乙稀系纖維、丙歸 醇糸纖維、聚丙稀系纖維、聚乙烤系纖維及其 纖細 維組成者較佳。 武石滅維及其他無機纖 用碟灰石包覆之光觸媒粒子，以使用構成上述光 =有層之樹脂或橡膠加以固定者較佳。相對於該樹脂 或橡私，以石舞灰石包覆之光觸媒粒子之比例較好在⑺ 9J重，範圍。又，上述樹脂較佳為氯乙稀樹脂、聚乙 : 乙稀-乙酸峨共聚物、聚胺基甲酸醋、敦 树月曰、本乙烯、丙烯腈-丁二烯_苯乙烯共聚物、、 丙烯酸系樹脂、聚碳酸醋，戊 一述橡咖爾丁二稀= 聚乙烯橡膠、天然橡膠、丁二稀系„、苯乙_ =化 丁基系橡踢、腈橡膠、丙稀酸系橡膠、胺基甲酸^橡界、 石夕乳燒系橡膠、說橡膠、乙稀_丙婦系橡膠中之任何拳 上述㈣脂較好為聚四敦乙烯（PTFE)、四氟 。 共聚_、四氣乙稀他基乙稀鱗共 = 氟乙烯（PVF)、聚偏氟乙烯（pvDF)之任何一種。 ）♦ :發：之光觸媒片，光觸媒片表面之光觸媒含有層由 a在表面路出樹脂或橡膠，所以可直接熱熔 或雙面膠接合，在光觸媒片間之二:者Μ 工程’可容易地接合。又，由於在該光之 固定㈣灰石包覆之光觸媒粒子’所以可獲得光^^乍 316575 9 1261026 用。而且由於光觸媒粒子 不會影響光觸媒含 =火石包仅’所以光觸媒作用 之第-覆膜層及在基二=媒以外之材料、於第三構成 原反應而分解。尤A是於！即，基材幾乎不會因光氧化還 第二覆膜層與基材之間介：：構成，作為光觸媒含有層之 後之同—原材_叙第㈣含有層除去光觸媒 以很薄，可大幅产減讀層’所以光觸媒含有層可 覆之光觸媒粒子之量^疋2觸媒含有層之經石粦灰石包 包覆之光觸媒粒子，所以不2觸媒使用經磷灰石 f可使用氟―灰石包覆之光觸:: 媒二方:成:J明::媒片之接合方法為本發明光觸 乐一構成或弟二構成之光觸媒片之接合方 不除去光觸媒片之光觸媒含有層 在 該接合面之間接合為其特徵二=面之間合併而使 … 使存在於上述接合面夕 =㈣橡膠之間經熱炼著而接合者較佳。於光觸媒含有芦嫌 於用 +來固定經磷灰石包覆之光觸媒粒子之樹脂： 〜乡、，忒矬知灰石包覆之光觸媒粒子之比例較好在⑺ 60重量％之範圍。 根據本發明之光觸媒片之接合方法，盥以往々方法不 X由於不需經過除去接合寬度之先觸媒層而使i脂層露 出表面之前階段處理’所以可容易地進行接合。尤立在埶 熔著時，相對於樹脂或橡膠之經石舞灰石包覆之光觸媒粒子 之比例在10至6。重量。/。之範圍，可以充分之接合強度接 316575 10 1261026 合。 本發明光觸媒月之製造方法，係 之單面或雙面之覆膜層組成，覆膜層之:卜^仅在基材 磷灰石包覆令朵鈣Μ 、θ取上層是固定有經 I设之先觸媒粒子之光觸媒含有岸 造方法，光觸媒含有層係由樹脂或橡勝^成^片之製 有經墙灰石包覆之光觸媒粒子之分係由塗佈含 層為其特徵者。 ^㈣W觸媒含有 本發明光觸媒片之製造方法，係由 ， 之單面或雙面之覆膜層組；…基材 造方法，光觸觸媒含有層之光觸媒片之製 # h 有層係由樹脂或橡谬組成，係由人右r 磷灰石包覆之光觸媒粒 ，、由3有、、坐 入七& 卞之树月日或橡膠形成片妝$古i若丄甘 含有層，再將該片狀之光觸媒含有之先觸媒 上層而形成光觸媒片為其特徵者有層貼在上述覆膜層之最 造方法中，分散液較好由樹 石包復之光觸媒粒子、 体/用、灰 層中，相對於用來固定經磷灰2構成。在光觸媒含有 或橡膠，經磷灰石包覆之丄已復之光觸媒粒子之樹脂 %範圍。再者，八今、广先觸媒子之量為10至90重量 之光觸媒粒子、：VI 子由樹脂或橡膠、用磷灰石包覆 用來固定經石粦灰石h Α。在光觸媒含有層中，相對於 灰石包覆之光觸嬋光觸媒粒子之樹脂或橡膠，經_ 柜^ 粒子之比例為]0至90重量％。 根據本發明光觸婢制 層之含有經磷灰石自爱、之衣k方法，將設置於基材最上 、 後之光觸媒之光觸媒含有層，用分散 1^575 11 1261026 液金抹等方、、土 i — 今万去可容易製造。 【實施方式】 (實施本發明之最佳形態） 以下詳細說明本發明並以表示本發明之數個實施形態 、 固表為基礎’使本發明更容易被暸解°然而，該等 丨付^圖表所不之種種實施例不是特定或限定本發明之意， 而疋單純為了使本發明可容易說明及瞭解之目的。 ^ ’將本發明之實施形態經由圖表加以詳細說明。 第1圖為本發明光觸媒片之斷面圖。第1圖之光觸媒 片1由基材2以及將經磷灰石包覆之光觸媒粒子4分 固定之覆膜層3組成。

於包含申請專利範圍之本說明 «品本體以及該製品所使用之材料之概念，包^^ =才枓）表面經表面處理劑包覆之狀態或包覆前之狀能_ ='二基材2可列舉例如棒球場、集會場等圓屋項或L 育館，設施等 錄棚卡車車逄、療養被單、易蠻宏哭努处 一 或防雨衣、書包、椅子等你 ^σσ、吏用之基材， 等機械用纖維補強樹脂之基材送帶、定時夸 :麻、黃麻其他之天然纖維或聚酿二:纖 纖維、聚醋系纖維、聚氯乙烯系來烷鉍月女系 丙烯酸系纖維、聚乙_系纖广^ 系纖等合成纖維或玻璃纖維〜么〃、、、: 、准、4乙稀 等無機纖維等，經加工成為織物^^'纖碓、玄武岩纖維 3!6575 12 1261026 覆膜層3為將經鱗灰石包覆之光觸媒 脂或橡膠而成之光觸媒含有層。由 ^ =樹 、經被碌灰石包覆，所以用來固定、_灰石包=^^已 二尸4?固定劑不需為說樹脂等難分解性之原㈣。：! 月吴層J在不除去朵阴Μ人士 復 時，為了=1]媒含有層下將光觸媒U之間熱炫著 灰石21:之接合強度，相對於樹脂或橡躍，用碌 已设一先觸媒粒子4之比例較好為1G至6G重量％。 :脂：列舉例如氯乙稀樹脂(pvc)、聚乙烯㈣、聚丙 _二[乙酸乙稀酯共聚物(叫聚胺基甲酸醋 ，咖、聚苯乙娜)、丙烯腈丁二稀-苯乙婦共聚 p BS) * S&胺（PA、尼龍（註冊商標））、丙烯酸系樹脂 A)、'曰聚碳酸醋（PC)、曱基戊稀樹脂（TPX)等合成樹脂或 :寺之此合物。氟樹脂可列舉聚四氟乙烯（PTFE)、四氟乙 稀一六1氣丙烯共聚物（卿）、四氟乙烯-全氟烧基乙刺共聚 7(PFA)、聚氟乙烯（PVF)、聚偏氟乙烯（PVDF)等氟樹脂單 體^聚合物。橡膠可列舉氯丁二烯系橡膠（CR)、氣磺化聚 乙烯橡膠（CSM)、天然橡膠（NR)、丁二烯系橡膠（BR)、苯 乙烯乐橡膠（SBR)、丁基系橡膠（IIR)、腈系橡膠（NBR)、丙 少市酸糸橡膠（ACM)、胺基曱酸酯系橡膠、矽氧烷系橡膠 (Sl)、氟橡膠（FPM)、乙烯-丙烯系橡膠（EPDM)等。 固定於覆膜層3之磷灰石包覆之光觸媒粒子4，為光 觸媒粒子表面之一部分以島狀或全部，以對光觸媒呈惰性 之鱗灰石包覆而成之粒子。包覆光觸媒粒子之磷灰石之包 t ’為基材或樹脂等不會被光觸媒分解程度之量。例如 316575 1261026 f光觸媒片表面照射強度1驗/‘之紫外 時，以經由光觸媒作 ’小時 在贈。以下之量者二: 全體之重量減少率 360·左右旅生7外^7 照射主要使用設計在 …系外線放射之高塵水銀燈或營光严、七 燈、不可見光燈等之光。 皮尤/且、矾 覆之光觸媒粒子4為在光觸媒表面全部-〜灰石包覆之粒子時，碌灰石必需為多孔性，：： 狀態。_卩作為搞狀讀光編以為露出之 此需之光觸媒為亦稱為光半導體之材料， 1〇〇疆之銳鈦礦⑼她叫型Ti〇2(二氧化鈦，林— 3.2eV，波長388麵）等之光觸媒微 二π見 中除了銳鈦0肌之外，*化鈦（鈦氧化物） —波長―或三氧化 將該等光觸，稱為適當氧化鈦。光觸媒亦可使用链 (ZnO^ ^ t t 3.2eV ^ 388nm) ^ ltS^,(SrTl〇 " , ^ 二：38一氧化鎢— 光觸媒粒子不僅是用紫外線產生光氧 外線應答型，亦可為用包括室内光之可見光線產生it 還原反應之可見光線應答型，亦可將該等混合使用。 石舞灰石係以石舞酸妈作為主成分，可列舉_灰石㈣ 碟灰外碳㈣灰石、“灰石、氯碟灰 ^ 等之混合物。 Ί j為这 ^16575 14 1261026 、亦即，磷灰石只要實質上由羥磷灰石（Ca^p〇4)6(〇H)2) 組成者即可，容許含有少量之其他成分。亦可為將該經鱗 ，石之Ca側、p〇4側、〇H側以其他元素或分子取代或使 部分固溶之種種化合物構造之磷灰石。Ca側之鈣可經勰、 鋇、斜、録、鐘等取代，或使斂、纪、鑭、猛、鐵、鋅、 姥^氫等兀素部分固溶。鉛側之外〇4可經、As〇4、

Cr〇4等取代，亦可你 ^

使C〇3、HP〇4、b〇3等部分固溶。〇H 側之OH可經氟、氯1、氧、c〇3、b〇2等取代。 碟灰石以不容易析出之水難溶性者較佳。又，以用多 孔性石粦灰石包覆者較佳 #總拔主1 為王多孔性所以在細孔中存在 光觸媒表面未經被霜而言山 生m “ 部分，該部分用光照射而產 昭射T ^ ^ , 在先，尤其在紫外線或可見光線 光觸媒產生之電子及正電孔之光氧化還原反 害物質以及其他有：:：〜灰石所吸著之有機物質或有 六、寻光觸媒作用。使用可見光應艾 ^ 光觸媒片時，經由 ；觸 M S屋内使用 污染物質分解。又，蜀媒反應而將室内之環境 觸角成為“。。以下’由於將片 = 觸媒片作為膜構造建築物或帳 …所以在將光 滴落下。 ㊉錢科，可防止凝結之水 由於用磷灰石將光觸媒 之光觸媒粒子4之樹脂或橡 媒表面。又，由於該磷灰石 包覆，用來固定經磷灰石包覆 膠’實質上不會直接接觸光觸 對於光觸媒呈惰性’即使混入 3]6575 1261026 用來固綱灰石包覆之光觸媒粒子4之覆 磷灰石伴偏戈橡膠之介質中使用，亦可將樹脂或橡膠用 觸焊光不易產生樹脂或橡膠等介質本身之分解。光 良影響，可提昇光觸媒片！之耐^基材2不會造成不 臭源灰石具有吸附雜菌、空氣中之細菌、病毒、惡 等有害物質之性二 有機化合物（voc) 經碟灰石包覆之光觸：：：被固疋於光觸媒含有層表面之 時，亦可將所％ 在吸附該等有害物質之同 、 ϋ付之有告物質經由光觸媒 貫且有效率地消滅或分解。 九觸媒之強魏力，確 不僅疋用该鱗灰石包 之光觸媒粒子4,亦可為：用=媒”之經鱗灰石包覆 之表面部分等、、Β岛、 Η火石包覆時在光觸媒粒子 1刀寺化入鉑、鍺、釕、 加逮經由光觸姐你田^ ° ^銅、鋅等金屬而 觸媒粒子4。/、 Μ化分解速度之經磷灰石包覆之光 用碟灰石包覆之光觸媒粒 膜層3之光觸媒含” 。勻分散在作為覆 子4至二在光觸媒含有層表面之用•灰石包声之光觸❹ 千4，從覆膜層3， 匕仅之先觸媒粒 曰光等光所含之紫外線^角蜀媒含有層表面露出者，經由 應，可容易獲得光觸；:=〜容易引發光氧化還原反 …面積：:層：出之經伽包覆⑽ 夕牛灰石包覆之光觸媒粒子4之粒徑 316575 16 1261026 以適度小者較理想。 與如以往之片1〇(镇 粒子15者不同，於本發明^係在、光觸媒層14填充光觸媒 3之光觸媒含有層 ：、：分散、固定於作為覆膜層 磷灰石包覆之先觸媒粒子4去則不需準備必要以上之用 為了在光觸媒片〗賦予導 在覆膜層3添加金屬材料或光:增強光觸媒效果，可 材料可列舉銀、铭入一 f某機能補助物質等。金屬 m::、銅、鐵、銦、銀、錦、鐵、錯、 ^ 1^ 録、鋅、供笙。▽ 丄 媒片1之用途，、天^ 在覆膜層3可配合光觸 性碳、蹲石等吸收劑。、貝或有告物負等吸收之活 第二==:圖：同之本發明光觸媒片之斷面圖。 -覆膜声 材2、包覆基材2之單面之第 所構成广.以及包覆於第-覆膜層5上之第二覆膜層3a 二層構造二覆膜層％為使經碌灰石包覆之光 :::子4分散並固定之光觸媒含有層。基材2與第W 伯f:2相同，第二覆膜層^與第i圖之覆膜層3相同， =兀觸媒片la之第二覆膜層3a比光觸媒片 者為薄。 v牙上 劳弟—覆膜層5由在第二覆膜層3a用來固定經磷灰石包 设之光觸媒粒子4之樹脂或橡膠構成。其他與第丨 觸媒片相同。 根據該構成，可減低分散、固定於作為第二覆膜層3a 之光觸媒含有層之用磷灰石包覆之光觸媒粒子4之量，在 316575 17 1261026 降低成本之同時，於光觸媒片la之強度方面亦不會比第！ 圖之光觸媒片！遜色，又，在將光觸媒片]a之間進行接人 時亦可與第1圖時同樣進行。 。 p弟3圖與第】圖及第2圖不同，為本發明光觸媒片之 斷面圖。第3圖之光觸媒片lb與如第]圖之光觸媒片】 之在基村2之單面以覆膜層3包覆之片不同，係 之雙面以覆膜層3包覆 材2 各層與第】圖相同。 此處，基材2、覆膜層3之 :第3圖所示，在光觸媒片^之雙面具有光觸媒含有( 曰之復胲層3時，在光觸媒片】b單面上之覆膜層3铲 將紫外線應答型之光觸媒粒 二：吏用 粒子4,光觸婵lb之另而華 包後而成之光觸媒 写呆lb之另一面之覆膜層3則係 應答型之光觸媒粒子以磷灰 將可見光 跄少女闽全 包覆而成之光觸媒粒子4。 雖侧表，但是第2圖之光觸媒片h t基材2之雙面包覆第一覆膜層再在第-覆膜ΓΓ 包覆第二覆膜層3a而成之片。 層5上 第4圖與第i圖至第3圖不同， ( 斷面圖。第4圖之光觸媒片卜為在美材1光觸媒片之 媒粒子7而成之片。基材6俜 表面固定光觸 合面之基材6之表面可熱炫著之原 =觸：“間之接 :6之材質可列舉上述之各種樹脂或橡膠。又例:::為基 表面固定有用磷灰石8包覆 基材6之 媒粒子7之-部分用伽8包先=77。所固定光觸 亦即未經磷灰石8包覆之表 、同媒粒子7之表面， 、路出在大氣侧者較 1261026 Γ 則光觸媒粒子7容易受光而發揮w土 作用。第4圓雖然只在基材 二^土之光觸媒 7,但是若在基材6雙方之表 表面固疋光觸媒粒子 時不^ {麵軸子7，在接合 心接合面所以接合作業容易進行。 接者，對於本發明光觸媒片】、 僅列舉將第3圖光觸媒片】b之間接人 =合方法， 說明。 之方法作為例子加以 弟5圖為將第3圖光觸媒片之間接 :觸媒片“之表裏兩面都具有覆膜層3,心：：圖。 用崦灰石包覆之光觸媒粒子4分散、二"曰3為將 有層。光觸媒含有層不是填充用鱗灰石某含 而是使之分散，在表面或其内 =觸媒粒子 石包覆之光觸媒粒子4之樹脂。 有用來固疋經磷灰 將光觸媒片】b之間互相接合 】上之接合面對齊後將接合面熱熔著，X:=絲媒片 有層之樹脂之間熔融固化而將光二易將先觸媒含 方法可列舉埶風扠著、# ” b接合。熱熔著之 使用超音波溶：:：用：熱板炫著、使用高周波熔著、 曰及/合者、使用熱鏟熔著等。 以上之接合方法在已說明之1他 由於在各光觸媒片之表面存在同樣1、等： 不需作任何變更即可同樣適用。 、δ有層，所以 如以上之說明，光觸媒片係使用經鱗勺 知粒子，且將該用磷灰、^復先萄 m ,, 之九知媒粒子用樹脂戍橡膠 …此則光觸媒之作用，亦即光氧化還原反二 316575 19 1261026 以外之原材料 同時在接合時 以及第2圖 不需移除多 不會波及光觸媒含有層之光觸媒 光觸媒片之第―覆膜層及基材，、 餘的地方。 將該光觸媒片之間接合時，以往 或中間層除去，但是如以 夕备'之光觸媒層 只要將光觸媒片之接入&#4十 男而要^去之地方， 低生產成本’同時’以往經由移除而會產二r可減 ρ 刀，所以不會產生廢棄物。 =對本發明光觸媒片之製造方法加以說明。 ❹/之先觸媒片可經由在聚酯纖維織物或破璃纖唯 =兩面將經氣乙稀樹脂包覆之片(以 ：:= 片）或經™包覆之片（以下稱為適宜删片）^nc 下^ μ媒之合成樹脂分散液，在既^之溫户 下“既定時間，再經由自然冷卻製成。 4 3有用ν灰石包覆之光觸媒之合成樹脂分散液，為在 曱基乙基酮（ΜΕΚ)乃/十田#斤丄 马在 人、 ）及/或曱本寺有機溶劑添加氣乙烯或丙 、Ρ寺口成魏、用·石包覆之光觸媒粉末、ΜΕΚ等稀釋 dI進仃心合 '攪拌而成者。有機溶劑及稀釋劑只要多 溶解上述之合成樹脂或橡膠等者即可，並不只限於：：

者。又’有機溶劑若添加到使分散液之黏度在1_心· $ 以下，則其塗抹性變佳。 e S 用Η灰石匕板之光觸媒粉末可不使用有機溶劑而直护 ^料氣乙稀或丙稀等合成樹脂中，但是若考慮到製造二 率或混合容S度，⑽使用有機溶震齡散體進行塗抹 "HxS75 20 1261026

)使用PVC或椟狀铪A $ y + 〜月乡夸亂U脂以外之合成樹 放液時，在最外表面層 f月曰作為分 ηπ / 2 丁 ’至抹Β寸之塗抹量以s & η] #父佳，乾燥溫度隨使用 Ώ 至]2(TC較佳。 $铖而異，以7crc 氟樹脂驗分散液時， 僅是水系分散體，亦可使$ 、虱樹脂不 柯 便用乙酸丁酯等溶劑，作忐垄、才、入 科之形態加以利用。又，pVF 心乍成尤漆塗 ，進行溶融。該等有機溶劑 ^擇^之有機 二，脂之最外表面層進行塗佈時之塗佈量: J〇g/m2 較佳。 m 至 塗抹方法只要是棒塗覆法、照相凹版塗覆法 、目凹版塗覆法、微照相凹版塗覆照 2軲塗復法、滾壓塗覆法、逆輥塗覆法、浸 觸塗覆法、梦朔泠φ、+ 七各 、土设法、接 以法、流動塗覆法等可均-塗抹之方法 可，可使用任何一種方法。 本發明光觸媒片之製造方法 外夕人二、此— 下使用氣樹脂以 ,5成樹月曰或橡膠時可將含有用磷灰石包覆之 :觸媒粒子之樹脂或橡膠經由壓延機加工等使片 “形成光觸媒含有層’再將該片化之光觸媒含 “貼合在基材之最上層而製成。 士具體而言，係使經碟灰石包覆之光觸媒粒子以及必要 ::將增塑劑、加工助劑、耐氣候安定劑、抗氧化劑、顏料 寺破包含於合成樹脂或橡膠中，再進行炫融、混練、片化。 將該經片化之光觸媒含有層貼合在基材之最上層’即可製 316575 1261026 成本發明之弁艄 尤_媒片。該美士 覆之基材。 丞材亦可為經合成樹脂或橡膠包

[貫施例1 J 百先對於將用磷灰石 维兩面用氯乙稀樹脂包承…觸媒粒子固定於聚醋纖 實施例1至5及1 设之PVC片之表面之光觸媒片之 〜，及其比較例1至6加以說明。 ^例1為添加a乙稀樹脂 (大曰精化公司製造， 有表面處理劑 1上5wt〇/〇(重量％))1〇〇公 軍钱成分 仆敍#鎞加 克用外灰石包覆之銳鈦礦型-羞 化鈦先觸媒粉末（昭 亡坐一孔 ΠΛ 丄 不％公司製造F1S02(<^妗軲斤 90nm、磷灰石包覆量 η (+句拉徑 ΜΕΚ3.5公克，麫、曰人° · △、以及作為稀釋劑之 、''工此5、攪拌調製成溶 氯乙烯樹脂（P Vn乃△ 八 d冷液A之 c)及丙烯酸系樹脂（PMA)與鱗 化鈦之比率為90: 1〇。 外及石包後氧 接著，將該溶液A以棒塗法塗佈在 用氯乙烯樹脂包覆之PVCHm…曰、'滅、准之兩面 匕復之PVC片之早面。該塗膜 於100〇C加埶乾焯？八妒χ ,, Α Λ1 λ 币皿把/本後 …、紅4 2义知，再經自然冷卻製成實施 試料&。 、心 [實施例2] 除了用磷灰石包覆之二氧化鈦光觸媒粉末I 0·34公 克以外’與實施例1同樣操作，調製成溶液Β ,製成實^ 例2之試料，。溶液Β之氣乙稀樹脂及丙稀酸系：脂 灰石包覆二氧化鈦之比率為8〇 : 20。 [實施例3 ] ^16575 1261026 除了用磷灰石包覆之二氧化鈦光觸媒 克以外，與實施例！同樣操作，調製成 、·、0.90公 例3之試料c。溶液C之氯乙稀樹脂及丙烯❸=實施 灰石包覆二氧化鈦之比率為6〇:4〇。 〜樹脂與- [實施例4] 除了用碟灰石包覆之二氧化鈦光觸媒粉 克以外，與實施例1同樣操作，調製成溶液^制=么 例4之試料d。溶液D之氯乙稀樹脂及丙稀酸系：= 灰石包覆二氧化鈦之比率為4〇 : 6〇。 曰，、石夕牛 [實施例5 ] 了用磷灰石包覆之二氧化鈦光觸媒

克以外，與實施例1同樣操作，調製成溶液E，制二A 例5之試料e。溶液E之氯乙稀樹脂及丙歸酸系：二Π 灰石包覆二氧化鈦之比率為30: 70。 ’、、曰/、石夕牛 (比較例1) 將在實施例1使用之聚醋纖維之兩面用 覆，以不塗抹光觸媒之片單體作為比 ^脂包 (比較例2) 〈忒抖f。 除了使用未包覆磷灰石之銳鈦礦型二氧 末（石原產業公司製造ST01、〗-欠初a外7 先觸媒粉 “人粒約7nm)〇 15八古 外，與實施例1同樣操作，調製成溶液G，f成比2以 之試料g。溶液G之氣乙稀樹脂及丙稀 ：列2 磷灰石之二氧化鈦之比率為9〇: 1〇。 未包覆 (比較例3) 1261026 除了將比較例2之未向考石东女 士沐* 包復n灰石之二氧化鈦光觸媒於 末改為0.34公克之外，I竇你仓丨1门 η 一貝施例1同樣操作，調絮 製成比較例3之試料h。溶f Η = $ 7 ρ Η， ,,Ht ^ + ^ 合液乙烯樹脂及丙烯酸年 柄月曰人未包後碩灰石之二氧化鈦之比率為8〇: 2〇。、 (比較例4) 除了將比較例2之未包覆碟灰石之二氧化欽 末改為〇·9公克之外，|實$ ②，、叙 制士 ”男、鈿例1同樣操作，調製溶液I， 衣成比較例4之試料i 〇溶、、存τ 备 脂盘未…… 她旨及丙烯酸系樹 月曰，、未包覆磷灰石之二氧化鈦之比率為6〇:4〇。 (比較例5) 除了將比較例2之未包霜磘方 卜 末改為90。\* 1才匕後η灰石之二氧化鈦光觸媒粉 不改為2.0j公克之外，|廢 制士 a ^ 貝施例1同樣操作，調製溶液j, 衣成比較例5之試料卜、玄、為τ7 Μ 脂盥未自费#ft ' 1 虱乙烯樹脂及丙烯酸系樹 月曰/、未包復磷灰石之二氧化鈦之比率為40:60。 (比較例6) 除了將比較例2之去4 末改為3.15公克夕外^復拜之二氧化欽光觸媒粉 f成比ρ 、，14貫施例1同樣操作，調製溶液Κ， 之試料k。溶液K之氯乙烯樹脂及丙烯酸李 广曰與未包覆鱗灰石之二氧化欽之比率為30:7。。 [實施例6] 接著對於將用磷灰 維織物兩面細PT£F :: 觸媒粒子固定於破璃纖 例6至】“1 包覆之片表面而成之光觸媒片之實施 至1〇及其比較例7加以說明。 對4加用鱗灰石包覆之銳敍鑛型二氧化叙光觸媒之水 316575 24 l26l〇26 =體（昭和電工公司製造f]SQ2FS(平均粒經9〇_ 久石包霜I 9 〇/ 牛 克、由卿^固體成分25wt%)10公克、精製水]〇公 石々— 水系分散體（固體成分54wt%)41 7公吉 界面活性劑〇.6公克(全體之]重量分)而成之 1容 _ '授拌，調製成溶液M(FEP/用石粦灰石包覆 一氣化鈦=90/ 1〇)。 接著，在玻璃纖維之兩面用PTFE包覆， 口二： C片，經由棒塗覆法將溶液Μ ，、土布灰早面。該塗膜在常溫乾燥後於6〇。〇加埶 鐘：更於爾加熱燒成3分鐘，自然冷卻。再用= 期矾老化儀在放射照度丨8〇w/ m2(波長3〇〇至4〇〇n 紫外線照射24小時之漂白處理，製成實施例6之 仃 [實施例7] ° m。 除了將實施例6之由FEP組成之水系分散體改為U 公克以外，與實施例6同樣操作，調製溶液n，製成每= 例7之試料n。溶液N之FEp與用磷灰貝施 之比率為80: 20。 K羊'化敎 [實施例8] 除了將實施例6之由FEP經成之水系分散體改為6 公克以外，與實施例6同樣操作，調製溶液p，製成杏^ 例8之試料p。溶液P之FEP與用磷灰石包覆之:&只施 之比率為60 ·· 40。 氣化鈇 [實施例9] 除了將實施例6之由FEP組成之水系分散體改為3 3»6575 1261026 二與實施例6同樣操作，調製溶液Q，製成實施 八枓q。溶液Q之FEP與用磷灰石包覆之二 之比率為40: 6〇。 虱化鈦

[貫施例1 Q J 公克L了卜將實施例6之由FEP組成之水系分散體改為2.0 ，轉實施例6同樣操作，調製溶液R，製成實施 之比率為灰石包覆之二氧化鈦 (比較例7) 片，例6之PTFE片之最表面層$FEP包覆而成之 _ *周期氙老化儀在放射照度180W/m2(波f ^進行紫外線照射24小時之漂白處理’= 例7之試料s。 、衣成比較 接著進行實施例丨至10之含有用磷灰石包一 鈦光觸媒之光觸媒片及比較-乳化 γ η 主/之片取上層之朵銪丄甘 之評估熱接合特性、以及因光氧化分解造叙質量變;率 来J 6Ρ圖表示實施例1至5之用鱗灰石包覆之二氧化敘 先觸媒PVC片、以及比較例i 我化斌 性、熱接合特性、以及因光氧|^ 層之光觸媒活 二 九乳化分解造成之質量蠻 :估結果。光觸媒活性之還原作㈣根據•銀^ 色反應後之色差（ΛΕ)進行評估。 / h 莫耳/公升（(M當量濃度）之功Λ 式枓次、;貝於〇·] 里辰度）之确酸銀水溶液中之 ι]ηλν/cm2之紫外線i分鐘， 心π射 王現王色反應者為具有光觸 316575 1261026 媒反應，以◦表示，未呈現呈色反應者 λΑλ /r/x /\ 不^不。

以冰 之評估1可明瞭，未含有光觸媒之W 之含有光觸媒之實施例】至6及比較例2幻乂例] 某片具光觸媒反應，記錄為〇。 之光觸 拉入其次，熱接合為將PVC片之光觸媒面聊〜 接&。熱接合使用安裝有4公分χ 3〇八八“進行熱 凹凸、無齒型之平面狀帝極^ ^ w A刀之平板電極（無 尼塔（股）公司製造，YC]_F型，功率 山本畢 件為使比較例2之試料f充分熔著之…一接合條丨 設定值10、調諧7〇、炫著時間4秒、；逮度 後，接合部經由拉伸試驗機以5〇毫米/ 心。炫著 聚酯纖维或玻璃纖維剝離時為良好，刀、度剝離，從 媒層呈現殘餘剝離外觀 表不，部分光觸 判斷為未熔著，以在光觸媒層間剝離時 從第6圖之評估2可明瞭含有用碟灰 一 鈦光觸媒之實施例！至3及比 、：-乳化 良好(〇）、實施例4為△、勺％ 之拉伸试驗結果i 炫著〇〇。 ^ ^例5、比較例5、6為不能 由此可知，方6眚始Μ，^ ^ 脂及丙稀酸系樹脂與用伽包之=烯： 4〇:6〇以上至9〇:1〇者，熱接合性佳。之比平在 接著，對經由光氧化分解造成之走… 估。從各試料切出5公分χ 5公分之試驗 卞進^平 測定質量，然後將各試驗片放用叫早位 ⑺巩塏之老化儀（斯卡試 316575 27 1261026 驗卿造，照射波長至㈣、照射強度：18mw/ Μ 1小時及24小時後測定質量之mg單位，叶管 與試驗前之質量變化率。 早位。十开 …t/VC片時’經由照射紫外線發生增塑劑等之揮發。 貝置受化量為試驗片全體之變化量。由於 於光觸媒含有樹脂層附近 以作二^匕干者眼 量（此次設^為約】Gg/m2,; ；\所以作為相對於塗抹 ^ / 母 25cirr 試驗 A 25 古 *、> 質量變化率，由於考慮 、”)之 作為基準（參照第6圖評估曰3)土/寻之揮發分’將比較们 口此，5亥數之正值越大⑴ 及丙烯樹脂表面處 H吼乙烯樹脂 對地，負值越大卜抑制增塑劑之揮發。相 負值較小者可視騎= 觸媒分解之影響，又， 視為車乂不易文到光觸媒 如第6圖之評估3可知，含^ 光觸媒之實施例】至5之質：火石包覆之氧化敍 光觸媒之影響。相對地，比較例2至千6為+，可明瞭為不受 可明瞭會受到光觸媒分解之影響。<質量變化率為-，ξ 接著對於實施例6至1〇及比較例 某活性、熱接合特性、以及 ^㉟之光觸 率之評估加以說明。 虱化刀％造成之質量變化 弟7圖為實施例6至]〇以含有細 光觸媒之FEP層作為最上層之ρτρ^人石匕覆之氧化鈦 最上層之光觸媒活性、熱 、以及比較例7之 成之質量變化率之評话結果氧化分解造 万法除了 mE片之熱 28 1261026 接合條件外均與實施例】至 略。 方法相同，將說明省 PTFE片之熱接合性，為將各試料 用安裝10公分X 40公分熱板（無凹n 層重S，使 極)之熱板融接機。接合條件為使 (；之:面狀電 之溫度⑽、厂…鳥一炼著β = 時間20秒。 了間7〇秒、冷卻 從第7圖之評估〗明 以外，含右尖勰讲^ J木3有先觸媒之比較例7 乂外3有先觸媒之實施例5至】〇 反應，記錄為〇。 ⑨某片具有光觸媒 由第7圖之5平估2可知，孰接合 包覆之二氧化鈦光觸媒之實施例有石 貝轭例5至9及PTFE單體片夕 比較例7之拉伸試驗為良 Θ荽〜、丄 為良好（0)或可（△)，實施例10為未 :者(X)。由此明瞭於實施例… 與用輪包覆之二氧化鈦之比率為4。:6〇以上中至= 1 〇者之熱接合性良好。 併t弟7 11之評估3可知，實施例6至1G及比較例7 ^里變化及其變化率均為〇，可明瞭未受到光觸媒之影 從上述實施例之結果明瞭在實施例1 i 1G，其最上層 ^光觸媒活性及經先氧化分解造成之質量變化率，對於二 車乂例1至7為良好。又，於實施例1 S 4及6至9更明瞭 熱接合特性良好。 μ 本發明並不只限於實施上述發明之最佳形態，可在申 316575 29 1261026 石月專利範圍戶斤一 於本發明之二二發明範圍内作種種變更，該等亦包含 觸媒片等片之用語本說明書及申請專利範圍中，使用光 [產業上利用之可能性] 曰〜物之意。 根據本發明之光觸媒片及苴 光觸媒片之間互相接合之光觸媒;^法’可獲得容易將 之光觸媒粒子分散、固定觸:將^灰石包覆 :乍用產生之光氧化還原反應幾乎不 ==因光觸媒 觸媒含有層之表面在接合時存在“ 午。又，光 之材料，在接合時盥 、工 相丈谷融固化結合 其是如本發明光觸媒片：Π構ΓΓ前階段處理。尤 之第二覆膜層與基封之間；:：：二作為光觸媒含有層 觸媒之同-材料構成之第有二攸光觸媒含有層除去光 薄，可大幅度減少固定於光：二可使光觸媒含有層變 光觸媒粒子之量。又2觸媒含有層之用罐灰石包覆之 為光觸媒粒子，將用磷灰石、=灰：包覆之光觸媒粒子作 使用氟樹脂等難分解性η㈤媒粒子固定時不需 困難。又，亦適用於用：二本不會變高，加工亦不 子固定之情況。光觸媒粒=用磷灰石包覆之光觸媒粒 用可見光應答型，在屋内：:::紫外線應答型，亦採 媒之作用。相對於樹脂或橡於τ況即可獲得作為光觸 粒子之比例作成10至9〇重；。:將用;f灰石包覆之光觸媒 會劣化，可獲得充分之光^ ° ’則樹脂、橡膠或基材不 丄， 九觸媒之作用效果。 本發明光觸媒片之接八 〇法，在光觸媒含有層表面亦 316575 1261026 -火石包覆之光觸媒粒子分 由於作為固定劑之樹脂亦存在於 如此則 面膠將兩光觸媒片接人：所以用黏著劑或雙 觸媒含有層之門产tr ，可將光觸媒片之光 在接合時 去之前階段處理，可大幅度縮先:媒:部分除 著時對於樹脂或橡膠，將用磷灰石包=;進:熱溶 充分之接合強度。 在將切心之間接合時可獲^ 本發明之光觸媒片可適 帳篷、内f 、圓屋頂寺膜構造建築物、 迷 Μ表材、可撓曲袋狀交哭、 明光觸媒片之接人方、1 π 建梁用片等，本發 片接合時。方法可利用於以各種期望之大小容易將 【圖式簡單說明】 f1圖為本發明光觸媒片之斷面圖。 第2圖為與第1圖不同之本發明 第3圖為與第^圖^”之斷面圖。( 斷面圖。 $ ®不同之本發明光觸媒片之 第4圖為與第1圖至第 斷面圖。 ^圖不同之本發明光觸媒片之 第5圖為將本發明光觸 斷面圖。 某片〜接合方法以模式呈現之 弟ό圖為貫施例1至5 >田+七 總诚· μ κ 之用破灰石包覆之二氧化鈦光 觸媒pvc片及比較例】至6之最上層之光觸媒活性、熱= 316575 3] 1261026 μ 、及、工光氧化分解造成之質量變化率之評估結果。 化欽為以含有實施例6至10之經麟灰石包覆之二氧 7 =觸媒之fep層作為最上層^侧片、以及比較例 =上層之域媒活性、熱接合特性、以及經光氧化分 角牛&成之質量變化率之評估結果。 第8圖為以往之光觸媒片之斷面圖。 第:9圖為與第8圖不同之以往之光觸媒片之斷面圖。 ^第1〇圖為將以往之光觸媒片之接合方法以模式呈 ()為削卩白^又之_面圖’（b)為接合階段之斷面圖。 【主要元件符號說明】 基材 第二覆膜層 第一覆膜層 片 第二層 光觸媒層

Ua〜lc 光觸媒片 2,6 覆膜層 3a 4,7，15 光觸媒粒子 5 7a 未經鱗灰石包覆之表面 8 石粦灰石 l〇JOa 11 第一層 12 13 中間層 14 316575

Claims (1)

1261026 十、申請專利範圍： 1. 一種光觸媒片，係至少在表面固定有經磷灰石包覆之光 觸媒粒子之光觸媒片，其特徵為上述光觸媒片彼此之一 部分互相重疊、接合之各接合面係由可熱熔著之材料構 成者。 2. —種光觸媒片，係由經磷灰石包覆之光觸媒粒子及將該 光觸媒粒子固定在表面之基材所構成之光觸媒片，其特 徵為： 與上述各光觸媒片之一部分互相重疊、接合之基材 之各接合面係由可熱溶著之材料構成者。 3. —種光觸媒片，係由基材及包覆在該基材之單面或雙面 之覆膜層組成，其特徵為： 上述覆膜層係固定有經磷灰石包覆之光觸媒粒子 之光觸媒含有層者。 4. 一種光觸媒片，係由基材、包覆在該基材之單面或雙面 之第一覆膜層、以及包覆在上述第一覆膜層上之第二覆 膜層所構成，其特徵為： 上述第二覆膜層係固定有經磷灰石包覆之光觸媒 粒子之光觸媒含有層者。 5. 如申請專利範圍第3項或第4項之光觸媒片，其中該固 定於上述光觸媒含有層之經磷灰石包覆之光觸媒粒子 係具有從該光觸媒含有層表面露出之部分者。 6. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之光觸媒片， 其中前述經磷灰石包覆之光觸媒粒子係光觸媒粒子表 316575 1261026 面之°卩刀破磷灰石包覆而成之粒子，或光觸媒粒子表 面係被多孔性磷灰石勺受而★ 衣 二 河I石包覆而成之粒子。 7·二申#專利乾圍 6項之光觸媒片，其中包覆上述光觸 …："^之^灰石之包覆量，係以強度18mW/cm2之紫 袭、射則逃光觸媒片表面1小時後，前述光觸媒片全 月豆之重量減少率在10%以下之量。 8·:!!專利範圍第1項至第4項中任-項之光觸媒片， ^4之光觸媒粒子係、為紫外線應答型、可見光應答 尘之任何一種或兩種。 9 ·如申请專利範圍第1 μ — 員至弟4項中任一項之光觸媒片， 其中：述光觸媒粒子係含有氧化鈦， 、〕l :灰石係為羥磷灰石、碳酸磷灰石、氟磷灰 ^'以及氣鱗灰石之任何—種類或該等之混合物。 10·如申請專利範圍第3 贫丄、，固昂j項或乐4項之光觸媒片，其中前述 ::洋麻汽麻及其他天然纖維；聚醯胺系纖維、 聚务酿胺系纖維、聚西旨么 ^ ΛΚ酉曰不緘維、聚氯乙烯系纖維、聚偏 氣/、“尔、截、准@稀酸糸纖維、聚乙稀醇系纖維、聚丙 細糸纖維、聚乙燁系纖維及其他合成纖維；以及 維、矽氧烷系纖維、玄被山峨从 ^ 纖 玄武石緘維及其他無機纖維所構成 者。 11. 如申請專利範圍第3項或第 一士 Λ矛4工貞之先觸媒片，其中前述 、、工外灰石包復之光觸媒粒子係以構成前述光觸媒含有 層之樹脂或橡膠使之固定。 12. 如申請專利範圍第U項 、之光觸媒片，其中前述經磷灰 316575 34 1261026 石包復之光觸媒粒子相對於前述樹脂或橡膠之比 10至90重量％。 … 1 3 ·如申請專利笳圚笼 ^ ^ ' 員之光觸媒片，其中前述樹脂為 虱乙烯樹脂、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚 物二“女基曱酸酯、氟樹脂、$苯乙烯、丙烯腈-丁二 烯-苯乙稀共聚物、聚醒胺、“ 甲基戊之任何—種或料之混合物； β 前述橡膠為氯丁二烯系橡膠、氯石黃化聚乙烯橡膠、 ί = 丁，稀系橡膠、苯乙稀系橡膠、丁基系橡膠、 冃卞’，丙烯酸系橡膠、胺基曱酸酯系橡膠、矽氧严 系橡膠、氟橡膠、乙稀-丙稀系橡膠之任何一種。兀 ^:請專利範圍第13項之光觸媒片，其中前述氣樹脂 w四氟^希（PTFE)、四1乙稀_六氣丙稀共聚物 (fEP)、四氟乙烯全氟烷基乙烯醚共聚物（PFA)、聚氟乙 浠（PVF)來偏氟乙烯（PVDF)之任何一種。 :::::之接合方法’其中上述光觸媒片係由基材 广復在錢材之單面或雙面之覆膜層所構成，上述步 膜層係固定有經鱗灰石包覆之光觸媒粒子之光觸婢: 有層；或者 乐s ^述光觸媒片係由基材、包覆在該基材之單面或雙 面之第-包覆膜層、以及包覆在該第—覆膜層上之第： ，覆膜層所構成，上述第二覆膜層係固定有經磷灰：： 覆之光觸媒粒子之光觸媒含有層， 、^ 該方法之特徵為 在不除去上述光觸媒片 之上述光 316575 1261026 觸媒、含有芦 曰5私接合面重疊並使該接八而5 士 1 6 ·如申請專利簕圖楚 ° 互相接合。 執圍弟1 5項之光觸媒片接八 存在於前诚拉八二 4 °方法’其中使 合。〜接&面之樹脂或橡膠彼此進㈣ 17. 如申請專利範圍第16項之光觸媒片接 述光觸媒含有属 _ 方法’其中前 於用來固定經鱗灰石包覆之光觸媒粒子相對 橡膠之比例為;之光觸媒粒子之樹脂或 1 J 4 10至60重量％。 18. —種光觸媒片 在#其4方法，该光觸媒片係由基材及包覆 在5亥基材之單面或雙面之覆膜層所構成’且 上述覆膜層之最上層係 觸媒粒子之光觸媒含有層；K石包覆之光 該方法之特徵為： 上述光觸媒含有層包含樹脂或橡膠，而 覆之光觸媒含有層係由塗佈含有上述經磷灰石包 復之先觸媒粒子之分散液而形成。 19· 一種光觸媒片之劐 在該美 衣&方法，该光觸媒片係由基材及包覆 土 1早卸或雙面經之覆膜層所構成，且 、、復膜層之敢上層係固定有經碟方石勺孕夕决 觸媒粒子之光觸媒含有層；灰石包-之先 該方法之特徵為： 上述光觸媒含有層係由樹脂或橡膠組成， 光觸含有層係由使含有經•灰石包覆之 ” 之树月曰或橡膠形成片狀， 3(5 316575 1261026 ^ 再將該片狀之光觸媒含有層貼合在上述覆膜層之 取上層而形成上述光觸媒片。 2〇·^請專利範圍» 18項之光觸媒片製造方法，其中前 述7刀散液係由樹脂或橡膠、經磷灰石包覆之光觸媒粒 乂及有機溶劑所構成，該經填灰石包覆之光觸媒粒 子相對於上述光觸媒含有層中用來固定上述經磷灰石 包覆之光觸媒粒子之樹脂或橡膠之比例在10至90重量 %之範圍。 21·如申請專利範圍第18項之光觸媒片製造方法，其中前 述分散液係由樹脂或橡膠，經磷灰石包覆之 子、以及水所構成，該經磷灰石包覆之光觸媒粒子相對 於上述光觸媒含有層中用來固定經磷灰石包覆之光觸 媒粒子之樹脂或橡膠之比例為丨〇至9〇重量％之範圍。

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