TWI260842B - EUV light source - Google Patents

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TWI260842B
TWI260842B TW094105385A TW94105385A TWI260842B TW I260842 B TWI260842 B TW I260842B TW 094105385 A TW094105385 A TW 094105385A TW 94105385 A TW94105385 A TW 94105385A TW I260842 B TWI260842 B TW I260842B
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Norbert R Bowering
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Igor V Fomenkov
David W Myers
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1260842 九、發明說明： I：發明戶斤Λ之技術領域1 ' 發明領域 < 本發明係有關處於譬如EUV積體電路微影術所需要的 5 功率位準之極端紫外線(EUV)光的產生方式，其具有所需要 的劑量穩定性及此等用途需要的其他參數。 相關申請案 本申請案係為共同審查中之2004年3月17日提交名稱 # 為“高重複率雷射生成式電漿EUV光源’’的申請案 ， 10 Ν〇·10/803,526號（事務所案號Νο.2003-0125-01)、及2004年3 月10日提交名稱為“用於EUV光源之收集器”的申請案 、· Ν〇·10/798,740號（事務所案號Νο.2003-0083-01)之部分接續 案，並有關2003年12月18曰提交名稱為“放電生成式電漿 EUV光源”的申請案Νο·10/742,233號（事務所案號 15 Νο.2003-0099-01)、及2003年4月8日提交名稱為“極端紫外 線光源”的申請案No.10/409,254號（事務所案號 籲 No.2002-0030-01)、及2002年7月3日提交名稱為“具有改良 的脈衝功率系統之電漿聚焦光源’’的申請案Ν〇·10/189,824 h 號（事務所案號Ν〇·2002-0007-01)，上述各案皆讓渡予本申 20 請案的受讓人且各案的揭示以引用方式併入本文中。 L先前技術3 發明背景 如同上述共同審查中的申請案所討論，一種以每秒一 萬或二萬脈衝或更南的EUV光操作且使用譬如一諸如有限 1260842 質置滴粒等活動的標靶之EUV光源的一態樣係具有追蹤樑 靶的位置及定時及其各別抵達一所需要的電漿弓丨發部位之 忐力。這譬如包含了決定被一 EUV光收集器所成像至—中 間焦點（IF)之3D空間中的一小區（sp〇t)，其譬如位於來自〜 5 10 15 包含收集器及所需要的引發部位之EUV光產生室的EUV光 之一離開點上。並且，如上述共同審查中的申請案所討論， 一譬如包括一滴粒產生器及瞄準系統之滴粒輸送系統係需 對準藉以與收集器的焦點及此焦點周圍譬如±1〇微米的〜 小區域對應地使滴粒投射經過或掉落經過(在重力饋送的 案例中）用於構成所需要的電衆引發部位之小區，其中從〜 雷射生成式電漿產生的Euv係仍將適度地聚焦至系統的中 間焦點，位於所需要的電漿引發部位周圍之—所謂所 的電漿引發區。亦需要能夠發射雷射以使驅動雷射束在 需要的《引發部位來交會_餘，料處於當: 確切地抵達所需要㈣發雜之時。如上述，請瞭解所1 要的引發部何能對於„㈣精密焦點略微地= 動’譬如在一具有一包含光源系統的中間焦點之第二隹' 的橢圓形收集器鏡面之-第-焦點上，譬如對於約10= 至40微米直#的滴粒譬如相差約1()微米而仍呈i 收集之聚焦。因此，追蹤次系統的—功能不;^適度 出何時發射雷射，亦包括如果並非位於真匕决定 的電漿引發部位則將在何處選定電漿引發部位&、所而要 同時為了將標靶輸送帶到所需要的電漿引 ^以及 送系統所需要之矮正。㈣統亦決定=位而對於輪 不年巴滴粒並非位於 20 -軌道上來抵達所需要的電漿引發部位，且因此將不產生 έ抵達中間焦點之任何有效的EUV光，且因此當標靶滴粒 旬到^適當縣執道來交會所需要的EUV電漿引發部位時 不應舍射田射。或者，即便當標靶定位持續進行中時並未 故集適度的EUV光，仍允許雷射繼續發射。 請瞭解此處所用的“所需要的電漿引發部位，，係為收集 °。的焦點’收集為焦點周圍的部分區域亦即其中使驅動雷 射束瞄準於略微偏離收集器焦點的一所謂選定的電漿引發 4位係將仍可在中間焦點‘所需要的電漿引發區，，)有效地 產生一有效量的EUV光。可能發生並非位於收集器焦點上 而是位於所需要的電漿引發區内之“選定的電漿引發部 伋’’，其在X與y平面兩者中具有一可接受的距離誤差。若是 即便選定的電漿引發部位位於所需要的電漿引發區之外時 雷射仍將繼續發射，則選定的電漿引發部位可能亦發生於 所需要的電漿引發區之外。 已經在上述共同審查中的申請案討論了進行這些功能 之恕樣。申請人在此處提出用於達成這些功能之特定經過 改良之裝置及方法。 申請人已經發展出根據本發明的實施例之態樣將譬如 個別Li滴粒標靶等標靶放置在3D空間中之正確位置中而使 一雷射束瞄準於一滴粒位置及在正確瞬間發射雷射藉以能 夠操作EUV LPP源之獨特途徑。諸如一標靶滴粒等標靶的 輻照係充分地加熱滴粒以譬如經由蒸發/燒蝕導致一電装 形成，且雷射束中的光子係剝離電子而在電漿中形成蒸發 1260842 標靶金屬原子之離子，如此看來，標靶係在一電壓點燃部 位上被點燃，利用點火或點燃的意義來代表標靶受到密集 熱量及/或加熱或激發，且一般代表電漿由於從一與標靶相 交的驅動雷射束傳遞熱（能）而從受輻照標乾形成並將標革巴 5 點燃以形成一所產生的電漿且其轉而生成EUV輻射。請瞭 解上述申請案中使用的點燃用語係具有此種意義。點燃的 另一意義係為一電聚加熱至一夠高溫度足以維持核溶合。 雖然根據本發明的態樣可能在電漿形成中達成此溫度，然 而，其並未包含試圖充份地拘限住根據本發明的態樣所形 10 成之電漿以引發及/或維持熔合，根據本發明的一實施例之 態樣，電漿點燃的概念係具有類似於上述申請案所使用的 意義。本申請案中，相同概念係以“電漿引發”及“電漿引發 部位”用語表示，代表標靶的輻照造成電漿形成“電漿引發” 且其發生或需要發生於某“電漿引發部位”處。 15 如上述共同審查中的申請案所討論作為標靶之鋰中係 可能將具有至少部分雜質。隨著時間經過，即便位於百萬 分之一（parts per million)範圍的雜質位準亦會在一 LPP EUV室内譬如在收集器光學裝置及/或各種不同室窗上造 成不需要且具損害性的沉積。包含在液體鋰的一LPP標靶滴 20 粒中之這些雜質係將於電漿引發之後譬如沉積在收集器鏡 面上。因為許多這些雜質具有遠比譬如400至500°C等所提 議的收集器溫度更高之沸騰溫度以譬如蒸發鋰本身的沉 積，故較難以利用先前建議的蒸發技術來從收集器移除這 些雜質。申請人在本申請案中建議一種應付諸如光學組件 1260842 =先前提出的LPP及/或DPP EUV室組件中的此項問題之方 如上述先前共同審查中的申請案所討論，收集器需以 $升高溫度(譬如至少約400至·。c範圍)操作，譬如藉以從其 5 ^射表面來蒸發Ll&維持其反射率。巾請人在本中請案中 η ^也、越收集器的光學|置來維持一穩定且均勻溫度範圍 凌置及方法，使其效能能夠符合所需要的規格，譬如避 免收集器由於維持升高溫度而扭曲。 已I公知利用一其中時常使1〇64奈米雷射光加倍之諸 汝Nd.YAG雷射等固態雷射來驅動一LppEUV源，以採用 雙L、二倍等頻率，以譬如可能在一倍頻（FHG)及二倍頻 (SHG)所生成之較小波長達成較高的轉換效率。這已經以評 估一具有較短波長較高諧波之較高密度電漿層為基礎，藉 以具有較多源原子可供激發及後續發射之用。然而，產生 15車乂 n雷射諧波時，由於未在非線性晶體中轉換而損失一大 比例部分（也許對於266奈米之SHG為30至50%而對於FHG 為 80%)。 根據本發明的實施例之態樣，申請人亦已發展出自轉 換成EUV輻射之雷射能來達成較高轉換效率之方式，其可 20允許極精密地控制初始密度尺度長度，將可以使進入一諸 如滴粒等標靶之能量的雷射沉積達到精密最佳化，以具有 經改良之轉換能量輸出比。 用於具有Li或類似元素的euv LPP源之聚焦光學裝置 的一項問題係在於光學裝置由於來自Li或其他元素所導致 10 1260842 的污染之污染及劣化。根據本發明的實施例之態樣，申請 ^已經發展出利闕射人射光學裝置或其他EUV韓射收集 光學裝置來改良轉換效率。 5上、並未，本發明的—實施例之態樣類型之系統中的一項 ，題係^關需要保護收集器以外之諸如窗及聚焦光學裝置 ’光予農置，其在譬如將驅動雷射束導人euv光源生成室 内日守可犯加以合併，此議題係在本巾請案中加以解決。 【發明内容】 發明概要 10 揭路一用於生成EUV光之裝置及方法，其可包含一雷 射生成式電漿(LPP)極端紫外線(EUV)光源控制系、统，其包 括一適可輸送移動的電漿形成標靶之標靶輸送系統，且包 括一EUV光收集光學裝置，此EUV光收集光學裝置具有一 界定一所需要的電漿引發部位之焦點，該裝置係包含：一 15標靶追蹤及回饋系統，其包含：至少一成像部件諸如一數 位視訊或動作圖像攝影機，其提供一標靶物流執道的一影 像作為一輸出；一物流執道誤差偵測器，其偵測從一所需 要的電漿引發部位概括垂直於標靶物流執道之至少一軸線 中的標靶物流軌道位置中之一誤差，其可包括收集器的焦 20 點及該焦點周圍的一區域，在其内電漿引發可能仍以一 EUV光輸出來生成可接受位準的euV光，譬如一橢圓形收 集器鏡面系統中的中間焦點。至少一標靶交叉偵測器係可 瞄準於標靶執道並偵測一標靶通行經過標靶軌道中的一選 定點。一驅動雷射觸發機構利用標靶交叉偵測器的一輸出 11 1260842 以、驅動雷射觸發的定時，|έ 衝在所in ^ 了错Μ使一驅動雷射輸出脈 衝在、要的《引發區内沿著標乾 〜 發部位來交會該標革巴。 在飞疋电水引 道並對於〜々 包水形成偵測器可瞄準於標靶軌
10 如與驅動雷=Γ貞測實際電襞引發部位的位置及譬 係可照日月…—占面對面之位置。一中間焦點照明器 -成像部件I成於巾間焦點上之開孔以將開孔成像在至少 。至少—成像部件可為至少兩成像部件，其 #_兩成像部件的各別—者之—影像分析為基礎來提 執道在收集器焦點處與所需要的《引發部位 之:離之差信號。—標補送_及控制系統可包含 :標乾輸送單元；__輸送位移㈣機構，其使標把輸 送機構至）在—對應於得自第—成像部件巾的影像分析之 第位移誤差h號之軸線中及至少在一對應於得自第二 成像部件中的影像分析之一第二位移誤差信號之軸線中位 15移。一EUV輸出光能量偵測機構係可包含複數個EUV光能 Ϊ摘測裔’其配置為可測量源自電漿引發部位之EUV光能 量’且其各提供代表各別EUV光能量偵測器所偵測的一 EUV光能量值之一輸出信號；一EUV光能量誤差信號產生 器，其接收各EUV光能量偵測器的輸出並以各別EUV光能 20 量偵測器的輸出信號之各別數值的一比較為基礎來決定一 EUV光能量誤差信號。一雷射輻照定時誤差彳貞測機構係可 包含利用EUV光能量誤差信號來決定電壓引發時與標靶滴 粒位置面對面之雷射束的一定時誤差之至少一定時因子。 一電漿生成式極端紫外線(EUV)光源收集器係可包含一電 12 1260842 漿引發室；一位於電漿引發室内之殼，其呈現一具有一收 集器焦點之收集器形狀的形式；該殼具有一足夠尺寸及熱 質量(thermal mass)以將操作熱量攜離多層反射器並在與收 集器焦點相對之殼的一側上從殼表面輻射熱量。殼的材料 5 可選自包括下列各物的群組：碳化矽、矽、陶瓷玻璃（Zerodur) 或ULE玻璃、鋁、鈹、鉬、銅及鎳。可提供用來吸收從殼 的相鄰表面所輻射熱量之位於焦點相對的殼側上之與殼相 鄰的一散熱器。一雷射生成式電漿(LPP)極端紫外線(EUV) 光源係可具有一用於生成一驅動雷射輸出脈衝束之驅動雷 10 射及一驅動雷射輸出脈衝束導引系統及一具有一焦點之 EUV光收集器，並可包含一介於束導引系統與收集器焦點 之間的束聚焦系統，其可操作以將輸出雷射脈衝束聚焦至 收集器焦點附近之一選定位置。束聚焦系統係可包含一聚 焦透鏡，及一介於聚焦透鏡與收集器焦點之間之反射聚焦 15 元件且其具有一位於聚焦透鏡與反射聚焦元件之間的聚焦 透鏡焦點，而反射聚焦元件係將束聚焦在選定位置處。在 此等系統中可提供光學元件碎屑消減作用。 圖式簡單說明 第1圖示意地顯示本發明的一實施例之態樣； 20 弟2圖顯不弟1圖不意性所顯不之本發明的悲樣之側視 圖， 第3圖顯示第1及2圖所示之本發明的一實施例之態樣 的示意圖示之進一步細節； 第3 A圖顯示根據本發明的一實施例之態樣的一 EUV精 13 1260842 密測定系統之方塊圖； 〜 第4圖示意地顯示根據本發明的一實施例之態樣的一 現場經純化糸統， ' 第5圖顯示根據本發明的一實施例之一收集器的一實 5 施例之態樣； 第5A-5C圖顯示根據本發明的一實施例之態樣對於第5 圖之一替代方式； 第6A-6D圖顯示根據本發明的一實施例之態樣的一 鲁 LPPEUV系統之一實施例的進一步態樣； 、 10 第7圖顯示根據本發明的態樣對於450公厘（5 7Γ sr收集 角度）及250公厘（2 7Γ sr收集角度）的收集器直徑之身為照明 、 器輸入固體角度的一函數之中間焦點及雷射生成式電漿之 _ 間距離其間的關係； 第8圖顯示對於一5 7Γ收集器之收集器鏡面直徑及以瓦 15 特/平方公分為單元的熱負荷之間的關係，及對於來自入射 在地球上的日光輻射之近似熱負荷亦即与14瓦特/平方公 ® 分之-比較； 第9圖顯示在400°C及500°C身為鏡面直徑的一函數之 發射率(emissivity); 20 第10A及10B圖示意地顯示根據本發明的一實施例之 態樣的一具有一三維物理碎屑屏蔽件之收集器； 第11圖以橫剖視圖示意地顯示根據本發明的一實施例 之態樣的一精密測定系統； 第12圖以橫剖視圖示意地顯示根據本發明的一實施例 14 !26〇842 之態樣的一用於保護系統光學裝置不受到碎屑之裝置及方 法 弟13圖以橫剖視圖示意地顯示根據本發明的一實施例 之態樣的一相對於第丨2圖之替代性實施例。 5 【貧施方式】 車父佳實施例之詳細說明 根據本發明的一實施例之態樣，申請人提出第丨圖示意 地顯示之一EUV光源系統1〇的部分，其能夠主動控制導引 於譬如一電漿形成/EUV源室64(第1圖未顯示）中的一標輕 〇之一或多個EUV電漿引發驅動雷射及預脈衝雷射之位置、 才曰向及聚焦’該標革巴諸如為一移動滴粒(2〇，如第2圖所示) 的液體金屬諸如鋰等，其可能在質量上受到限制。 根據本發明的一實施例之態樣，部分的一般需求係包 括需從LPP收集盡可能多的EUV光，依此，申請人目前想見 15需要約5 sr固體角度來收集電漿生成式EUV光。此外，可想 見對於照明器提供一匹配角度，其需要可在中間焦點42(1]?) 接受之正確固體角度，譬如約0.038 sr。目前想見使用一橢 球作為收集器40的幾何形狀，其可有關於譬如在諸如收集 器40的焦點32等一所需要的電漿引發部位處相距一電漿形 20成點之一工作距離w、一收集器40直徑D、或LPP所需要的 電漿引發部位與IF之間的一選定距離、或其部分組合。譬 如藉由一主要收集器4〇的一橢球型設計，一工作距離譬如 可為200公厘，一外徑譬如可取決於收集及接受角度，而對 於5 sr收集角/200公厘工作距離，可能暗示譬如對於此示範
15 1260842 性0.038 sr接受角度需要諸如622公厘的_基材〇D。目前亦 想見一單殼設計，其具有一使熱學及光機械設計考量變得 更容易之單調性基材，但對於概念求證（c〇ncept ”〇以 外，則可能需要較複雜的組成物及幾何結構。 5 現在參照第1及2圖，顯示本發明的一實施例之態樣。 申請人提出一系統10，其中可將具有每秒丨萬至2萬速率或 更面速率、以約20公尺/秒速度移行、約1〇微米直徑或更高 譬如咼達40微米左右的尺寸之諸如液體鋰的滴粒2〇等之雷 射生成式電漿(LPP)極端紫外線(EUV)光源標靶在小於標靶 1〇 2〇直徑的精確度内予以追蹤並計算使其定位在一選定引發 部位30處（譬如，標靶滴粒2〇的軌道上接近實際所需要的引 發部位，譬如在一特定時間位於一收集器鏡面4〇的焦點32 處），藉以發射一驅動雷射50(未圖示）來生成一驅動雷射束 52以約50至1〇〇奈秒(ns)的定時公差在選定的引發部位處交 15會標靶滴粒20。請瞭解所需要的電漿引發部位係對應於收 集器的焦點32，但沿收集器焦點諸如位於約1〇微米半徑的 一球型内（所需要的電漿引發區）之部分誤差係仍可在中間 焦點42處生成有效的Euv光量。因此，系統1〇可構成為使 雷射束瞒準於一並非所需要的電漿引發部位但位於此可接 20受的定位誤差區内之選定的電漿引發部位，系統係同時地 矯正選定電漿引發部位上之驅動雷射束的定位及標靶執道 以終將位於所需要的電漿引發部位32上，亦即位於收集器 40的焦點上。請瞭解如果標靶執道在任何軸線中皆具有不 讓電漿引發位於所需要的電漿引發區内之充分誤差，系統 16 1260842 或
10可能阻擋住雷射的觸發直到系統10矯正此條件為A 者另行允許雷射在所需要的電漿引發區外部之選定電渡弓I 發部位上繼續地發射，同時標靶軌道及雷射指向係移動以 將選定的電漿引發部位置於所需要的電漿引發區内且終將 位於所需要的電漿引發部位上。 為了達成這些需求，申請人提議提供譬如數位視訊或 動作圖像成像设備專之成像設備’諸如兩成像部件U _ 等，其可能譬如為具有一代表攝影機視場中各像素之視气 強度諸如0至256灰階等的數位輸出之數位攝影機。攝影機 60、62可能是CCD攝影機。攝影機6〇、62可具有對於目， 視訊攝影機通常諸如為3〇訊框每秒的速率，但根據本發明 的實施例之態樣亦可採用其他訊框速率。攝影機6 〇、6 2可 如第2圖所示譬如在一標乾輸送系統8〇出口 82處譬如利用 U 一圓柱形透鏡(未圖示）聚焦在與來自—釋放點的標無滴粒 15 20飛行線(譬如第3圖所示的標粗輸送物流92)交會之兩平面 • 巾’或者攝影機可具有其他透鏡翻。兩攝影機6G、62各 可放置為譬如沿著從輸送系統80至選定的點燃部位3〇之滴 极2 〇軌道觀看且在視場中亦包括所需要的電衆引發部位 2。並彼此呈料向以侧各別標乾軌道财別在各與從 票把輪送系統_所需要的電漿引發部㈣周圍所需要的 電襞弓丨發區之各別縣執道92概呈正交之χ軸與作中的位 置。 這更洋細地頭不於第3圖中，其中諸如等各別攝影機 、現場係包括（位於所需要的電漿W發部位％上方）標輕物 17 1260842 流92的一影像及位於所需要的電漿引發部位32下方之 92，由於物流92中在部分滴粒2〇形成電椠之前係比部分滴 粒20形成電漿之後的物流92,具有更多滴粒2〇，其各具略微 不同的強度（譬如灰階）。 5 請瞭解本申請案全文所使用的上與下及水平與垂直用 語係只是示範性質並且僅基於示範用途而與圖示方向重 合。方向及定向在實際操作中可能不同，譬如，可藉由在 標靶供應器82處將一速度賦予滴粒2〇並在所需要的電漿引 發部位32處射擊標靶2〇而非利用純粹重力饋送故其中不需 ⑺令物流呈現f直，，，來使滴粒導引至所需要的電聚引發部 位32。第3圖的示意圖亦顯示中間焦點的攝影機⑼視場中之 影像90係聚焦呈現為一圓形或卵形9〇。可如第3圖所示看 出’物流92、92’可在各別水平軸線中略微地偏離而不穿過 所需要的電衆引發部位32，根據滴粒2〇實際飛行執道及執 15道譬如是否在收集器40焦點上穿過所需要的電漿引發部位 32周圍之一所需要的電漿引發區，來自各別攝影機60、62 影像資料之其债測及量化係可用來導引標乾輸送系統以重 新導引才不革巴輸送物流92並亦可用來對於下個待輕照的滴粒 20將-驅動雷射導引至一選定的電漿引發部位。請瞭解第 20二攝影機62中的影像可同樣地用來在—諸如χ軸等第二轴 線中控制物流軌道92，使得選定的引發部位3〇可移至所需 要的點燃部位32，其譬如與一橢圓形收集器鏡面40的-焦 點重合，藉以將在-選定電漿引發部位30處來自標把輻照 所生成之EUV的收集n鏡面4()之反射聚焦至位於橢圓形收 18 1260^42 集器40鏡面系統的一第二焦點上之IF，並將選定的電漿引 發部位30移至所需要的電漿引發部位32。 第3圖中亦示意地顯示利用一對連續波譬如HeNe雷射 來在經過介於標靶輸送系統80與所需要的電漿引發部位32 5 之間之標靶執道92中的選定位置時照明滴粒20。來自HeNe 雷射的雷射束108可譬如藉由圓柱形透鏡104、106緊密地聚 焦至一選定平面内，可譬如經由聚焦透鏡11〇、1丨2譬如分 別藉由光偵測器120、122來偵測一滴粒20與來自雷射1〇〇的 第一束及隨後與來自雷射102的束之交會。利用此方式，可 〇分別藉由偵測器12〇及122以閃光來偵測出代表各別滴粒交 會點94及然後為94’之接連閃光。請瞭解雷射1〇〇及1〇2可譬 如聚焦呈現譬如等於滴粒2〇的分隔之一分隔距離或者偵測 電路被適當地定時以區別出不同滴粒2〇的滴粒交叉。並 且，請瞭解假設具有一已知或經實證決定的滴粒速度，為 5 了將各別驅動雷射的發射加以定時，可能只需要一諸如雷 射100等雷射及一偵測器12〇來決定一各別的滴粒2〇在選定 電浆引發部位處之抵達定時。 攝影機62的另一者可具有定向在一與第一攝影機60垂 直的平面中之一視場。因此，兩攝影機60、62可用來在三 2〇個維度中三角測量出移動的標革巴滴粒20之位置。兩攝影機 6〇、62可各在其視場中具有由CCD攝影機影像上的卵形9〇 代表之收集器鏡面40所生成的中間焦點之-影像90。此印 形9〇中心可視為與所需要的電漿點燃部位32重合，亦即其 中理心上，電漿引發應發生亦即在收集器鏡面40的焦點32 19 1260842 上。由於攝影機60、62譬如以30訊框每秒操作，亦即比起 諸如10,000至1 〇〇,〇〇〇每秒等滴粒重複率及滴粒速度相對較 慢的速度，攝影機60、62將以一連續物流92看見這些滴粒 20，如第3圖所示。 5 可利用兩攝影機60、62達成這些雷射100、102在滴粒 物流92上的對準，譬如當He_Ne雷射光正聚焦在物流幻上 時，攝影機60、62將在物流92上看見一生成於物流92上之 明7C小區。如果來自各別雷射100、102的雷射束略微地關 斷，明亮小區94、94’亦將關斷。 10 兩光偵測器丨2〇、122可各用來觀看譬如穿過兩He-Ne 雷射100、102緊密聚焦的束時自滴粒2〇反射的各別雷射 100、102之光。每當一滴粒20分別穿過對應的1^_1^雷射 100、102之定時小區94、94,時，這些偵測器12〇、122各可 產生一脈衝。偵測器亦可具有濾器而雷射1〇〇、1〇2以不同 15波長操作’以利區分出分別來自小區94、94’之閃光。這些 光1貞測器120、122產生之脈衝隨後可譬如用來計算滴粒2〇 抵達沿著物流92配置的選定電漿引發部位30之速度及預期 定時。一驅動雷射50隨後可譬如沿著物流92瞄準於譬如仍 位於所需要的電漿引發區内之選定的電漿引發部位3〇，並 20 發射以在一計算出的滴粒抵達選定電漿引發部位30之時間 於選定的電漿引發部位3 0處交會滴粒2 0。 由於來自驅動雷射50的雷射束脈衝52中之滴粒2〇能量 的吸收而在選定引發部位30由滴粒標靶20的輻照所生成之 一電漿隨後係亦將在攝影機60、62的CCD影像上可以一明 20 1260842 儿電水引發影像小區96被看見。可使用適當的濾器來調整 CCD攝影機60、62上之此電漿引發影像小區％的強度。此 電水引發影像小區94可指示出驅動束雷射束52聚焦在標靶 滴粒20上之處。 5 可譬如藉由使驅動雷射束52瞄準電漿形成平面（其可 依據又到雷射束52之電漿形成平面的選擇所影響之操作參 數需求而選擇位於雷射束52的焦平面之前或焦平面之後) 及譬如所需要的電漿引發區中選定電漿點燃部位3〇的水平 平面中來達成驅動雷射束52的水平對準。位於選定點燃部 10位30處之明亮小區係可定心於滴粒2〇的物流92中間。基於 不乾之用，再度瞭解到水平及垂直僅供示範而與圖式觀視 方向重合，水平平面可視為包含一座標系的軸，概呈 正交於一從標靶滴粒20供應器朝向所需要的電漿引發部位 30之標靶運動方向，而z軸概呈對準於此移行方向，且無論 15如何皆正交於水平平面。因為根據本發明的一實施例之態 樣，一或多個驅動雷射52可能未瞄準於每個滴粒 20，亦可 具有位於選定標靶小區3〇下游之一物流92,的滴粒2〇。譬如 藉由將明亮小區94放置在IF影像卵形/圓形92中間亦即位於 水平軸線來達成雷射束52的此垂直對準，對於選定引發部 2〇位3〇位置相對於收集為鏡面4〇焦點處的所需要引發部位32 之任何給定的X-y軸誤差，將是滴粒2〇沿著物流92路徑趨近 所需要引發部位32之最接近點，且位於所需要的電聚引發 部位32周圍之所需要的電漿引發區内。 可利用一回饋控制迴路譬如藉由標靶輸送系統8〇在水 21 1260842 平平面X及y轴中的水平平移使得譬如分別被兩攝影機的、 看見的兩物流92走動以各定心於中間焦點開孔的〜想 性中軸線上，以將選定的引發部位3〇移至所需要的點機部 位30亦即在x_y平面中移動成像物流％使其各交會所需要 的私水引發部位32，而同時系統可移動雷射瞒準點以沿著 物λ,ι_92衫像在一選定電漿引發部位處繼續交會譬如物流， 以在選定的電漿引發部位處交會一滴粒。 譬如藉由一使各電漿形成中所生成的EUV功率達到最 佳化之回饋迴路，可達成驅動雷射50發射時間之較精密的 10疋時凋整，以譬如將來自驅動雷射50的雷射束52中之脈衝 抵達放置在選定的（且最終所需要的）引發部位32、30上，其 中標靶滴粒20完全地位於束内以使標靶滴粒2〇具有最大輻 照。可使用一顫動技術，譬如顫動觸發信號定時以譬如收 斂於一最大EUV電漿輸出上。亦可對於輸入採用諸如所需 15要的電漿引發部位32周圍之一平面中在圍繞於所需要的電 漿引發部位32之點處測量EUV輻射的平衡之EUV偵測器， 藉以依據譬如一標靶滴粒沿著滴粒物流路徑92朝向電漿引 發部位30、32的移行來調整雷射發射定時(觸發信號定時）。 精密雷射定時調整及水平對準之一種替代性或補充性 20 技術係可譬如使用四個放在收集器40外之EUV偵測器 154。根據本發明的此實施例之態樣，譬如當雷射束水平及 垂直地對準至選定/所需要的電漿引發部位且適當地定 時，來自所有四個偵測器154的信號將相同，代表整體標靶 滴粒與雷射束52正在發生交會，因此受到適當的定時。可 22 1260842 如第3 A圖更坪細地描述來利用這些制器的輪出決定何時 觸發驅動雷射5G或複數個軸雷射5⑽各別_者以使一標 靶滴粒20的輻照達到最佳化。 在多’、、、第3A圖，顯示根據本發明的_實施例之態樣 5的-示範性精密測定系統15〇的方塊圖示意形式。系統⑼ 可譬如包含攝影機60、62，其以數位形式將輸入提供至- 影像處理模組152， 影像處理模組152可與另一諸如攝影機 等攝〜機的衫像王現獨立地處理來自攝影機⑼的影像。
〜像處理;^組152可將—代表HeNe閃光強度的輸出提 t,、至HeNe^向控制拉組i 7〇，HeNe指向控制模、組⑺可水 平地平移各別的HeNe雷射1〇2、刚以使回饋控制中的攝影 機影像削貞測的閃光強度達到最大，以譬如使HeNe雷射適 當地指向於物流92。 15 20 影像處理馳152亦可對於各攝影機影㈣譬如一想 像性水平及/錢直平面巾mF開孔影像巾心與實際電浆引 發部位32之間的—位置誤差信號提供至-源雷射控制模組 ⑺。源雷射控制模組可對於譬如此轴中之源雷_準控 制使用分別來自攝影機60及攝影機62的此資訊。 影像處理模組152亦可提供譬如對於各別攝影機6〇、62 之—代表了物流路独相對於吻軸線各者中之if開孔影 像的-想像性垂直中軸線之間誤差之滴粒物流誤差信號， 其分別-方面如攝影機60且另_方面如攝影機㈣的影像 所不亦即經過所需要的電漿引發部位32。隨後滴粒控制模 組174可利用此作用來將x、y轴回饋控制信號產生至滴粒輸 23 1260842 送系統80。 可利用光偵測器120、122的輸出來將輸入信號提供至 一雷射觸發控制模組154。雷射觸發控制模組154可使用分 別來自偵測器120及122所偵測閃光的定時作為沿著路徑92 5朝向一選定引發部位30之滴粒20速度之指示，其亦沿著該 路徑92，如上述位於所需要的電漿引發區内，藉以譬如盡 可能地接近所需要的引發部位32。隨後可利用此作用將一 觸發信號生成至一源驅動雷射控制模組18〇以發射源雷射 5〇，而將源雷射脈衝52沿著路徑92抵達選定引發部位3〇之 1〇作用予以定時在標靶滴粒20抵達位於所需要的電漿引發部 位32周圍之所需要的電漿引發區内的選定電聚引發部位刈 之相同時間。 EUV光源裝置及方法之態樣係包括光學設計、光機械 设汁、熱學工程、基材選擇及製造、多層反射塗覆顯影及 15製造、及其他。如同上述共同審查中的申請案所討論，目 前可想見使-收集器鏡面在一·產生室64内側以約4〇〇 至500。(：之_溫度操作，目㈣如在於蒸發—液體鋰標輕 系統中的鐘以譬如保存用於形成收集器4〇之接近法向的入 射角EUV反射鏡面之鏡面多層反射率堆積體的反射率特 20徵’以譬如自利用-或多個驅動雷射所產生的一電聚來收 集所產生之EUV輻射。請瞭解接近法向的入射角係包括在 入射EUV輕射與對於鏡面表面的法向之間從〇。到約45。的 角度’對於其而言，譬如數十層到_百層左右的堆積體所 形成之多層反射塗層係得以反射呈諸如η.5奈米等波 24 1260842 長的光，同時可利用未塗覆材料的反射表面或具有一只有 譬如兩層之反射塗層來反射處於EUV波長的光，但只在所 謂掠射入射角發生此作用，熟習該技術者瞭解依據波長、 反射材料、塗層及類似物而定掠射入射角相對於法向係最 5 高達到約70。至90。。 對於一收集器鏡面4〇存在數種可想見的設計，譬如包 括一簡單的橢球形鏡面，其譬如具有一焦點所需要的電漿 引發部位32位於橢圓的―焦點上，而收集器鏡面4〇的中間 焦點42位於橢圓的另一焦點上，其包含從Euv光產生器忉 10至一諸如EUV積體電路微影工具等利用工具内之一進入 點。依據包括電榘實際發射光子之方向、所提供的驅動雷 射輻照幾何結構及實際採用的技術及其他等數項因素，此 設計可能導致無法收集到從電漿發射之—顯著比例的光 子另可旎方式係為具有掠射入射次級聚焦鏡面之一球 15型主要收集裔鏡面或一橢球形主要收集鏡面。 不論收集器光學裝置的選擇為何，亦如共同審查中的 上述申請案所討論，將需要對於光學裝置提供某些保護來 對抗EUV電漿形成容器/室64内所產生的碎屑。 申研人在基於方便參考一示範性假設的收集器幾何結 2〇構（亦即球型主要收集器鏡面4〇)加以說明之本發明的一實 施例之本申請案態樣中係陳述譬如〇 〇3至〇·2〇灯之對於ιρ 的固體角度、45公分的最大值收集器鏡面4〇外徑(〇D)、^ 公分的最小值收集器40㈤、及5疋至2請的收集角度。不 論最後選擇何種收集器40幾何結構，收集器光學裝置憤面 25 ③ 1260842 40及其他可能的元件）必須在操作溫度下保持其形狀。並 且，為了示範之用，將其選擇位於400至500°C範圍中或更 高，譬如高達約700°C。一球型幾何結構的選擇係略為簡化 了本申請案所提及的示範性計算，但此申請案所闡述的原 5 理亦適用於橢球形或其他形狀譬如雙曲線及其他圓錐性幾 何結構。表1包括有關於設計一用於E U V光源室收集器4 0之 示範性熱控管系統的其他示範性因素及假設。
26 :s) 1260842 表1
在φ45公分鏡面上計算熱負荷： 位於IF之頻帶内13.5奈米EUV功率（瓦特） 115.00 緩衝氣體的傳輸 0.90 來自鏡面之頻帶内13.5奈米EUV功率（瓦特） 127.78 鏡面的平均反射率 0.50 通往鏡面上之EUV功率（瓦特） 255.56 鏡面收集角度(sr) 5.00 成為2 7Γ之EUV功率（瓦特） 321.14 轉換效率(成為2ττ，頻帶内） 0.03 成為4;r之電漿功率(瓦特） 10,704.69 到達5 sr鏡面上之電漿功率（瓦特） 4,259.26 具有OD=45公分之5 sr鏡面的球型半徑(公分） 22.99 具有OD=45公分之5 sr鏡面的表面積(平方公分） 2,642.70 5 sr鏡面上的熱負荷(瓦特/平方公分） 1.61 鏡面殼具有兩表面 0.81 史帝芬-波茲曼(Stefan-Boltzmann:) 400°C之理想的黑體輻射(瓦特/平方公分） 1.16 500°C之理想的黑體輻射（瓦特/平方公分） 2.02 400°C所需要之平均發射率 0.69 500°C所需要之平均發射率 0.40 27
D 1260842 表2 材料 性質 鈹 單晶矽 經燒結的 碳化矽 經5JI 結合的 碳化石夕 CVD 碳化矽 Μ 陶瓷玻璃 (Zerodiir) (Schott) ULE (Coming) 鋁 6061*T6 鎳 熱傳概k (W/mK) 210.0 124.0 110.0 150.0 250.0 138.0 1.5 1.3 180.0 82.9 熱膨脹係氣α (ppm/K)@20°C 11.6 2.5 4.4 1.9 3.5 5.1 1.0E-07 1.0E-05 23.6 13.3 比熱@20〇C (J/KgK) 1886 702 - - 640 276 821 776 896 471 降伏應力(MPa) 380 120 552 307 450 55 49.6 276 59 彈性模數(GPa) 303 112.4 400 393 466 320 90.3 67.6 68.9 207 最大服務溫度 ΓΟ - - 1550 1400 >1400 - <500 <500 - - 融點(。C) 1283 1412 2610 N/A 652 1453 密度(gW) 1.848 2.829 3.1 3.1 3.2 10 2.53 2.21 2.7 8.9 Li相容性 危險 不良 危險 危險 危險 良好 不良 不良 不良 危險
收集器40體部220的材料選擇係包含考慮超高真空 (UHV)相容性、>500 C溫度的可服務性(serviceabiiity)、良 5好的熱穩定性、高的熱傳導性、低的熱膨脹係數、高強度、 良好的尺寸穩定性、特別是在升高溫度且譬如對於法向或 掠射入射角反射而言拋光至一極高品質的數值及光製之能 力。這可包括譬如利用高空間性頻率粗化器（HSFR)來獲得 諸如近似4A等高品質的數值及光製。結合至其他材料之能 10力亦很重要。表2列出部分材料及示範性質。 關於法向入射角反射之多層反射塗層堆積體，需將下 列考量因素列入考慮，亦即：具有Li的LPP所需要之高溫穩 定性、多層的間層擴散、升高溫度的反射率劣化、暴露於 Li及Li化合物之影響、高能Li顆粒衝擊或諸如高能離子及其 15他碎屑等其他材料之噴濺、Li植入及擴散至多層内的作 28 ⑧ A26〇842 作為障壁之蓋覆層的選擇、鏡面表面上的其他污染物 及來自至内。p的其他化合物之其他材料的喷藏。 . ㉟習該技術者將瞭解根據本發明的—實施例之態樣， 本發明係包括嬖如一可6人L 5 。 J包έ 一橢球形主要收集器40之光學 &十橢求幵ν主要收集器4〇係可譬如具有從一euV電聚引 1M立32至纟反射性多層反射塗層構成的收集器反射 表面之-200公厘的工作距離。收集器術卜徑尺寸譬如可取 _ 、於收集及接又角度，譬如對於-5 sr收集角度/2G0公厘工 作距離，-f如0·038 sr的接受角度係可能需要一約似公 10 厘的基材外徑。 考慮一種不包括會變得較複雜的效率改良及取捨之單 ；>又认计，而4如包括輔助收集器之設計係亦會增添複雜 • 度，根據本發明的一實施例之態樣，本發明可考慮譬如利 用一單調性基材。 15 基於評鑑用途，如此係能夠具有譬如利用表2中諸如
SiC或Νι等上述材料或諸如M〇、Be及Si等其他材料之較容 _ 《的鮮及光機械設計。 . 根據本發明的實施例之態樣，提供一能夠收集EUV光 及將其再導引至一第二或“中間，，焦點42之光學殼220，如第 2〇 5圖所示。殼220可譬如由一適當材料製成，該材料可構成 為具有一顯著的熱質量。熱質量(thermal mass)係為一給定 材料的結構之熱容量與熱傳導性之一函數。熱容量係為不 同類型材料可容納多少熱量之一測量方式。對於一給定材 料的一給定結構性元件，可藉由將材料密度乘以其整體厚
29 1260842 度、然後乘以其比熱予以求出。比熱係為一材料每單位質 量所能容納的熱量值。譬如，對於大型高重量材料，加熱 其表面會花費顯著能量值。這是因為許多能量實際被吸收 深入材料内、分佈於較大容積上所致。大量能量入射在表 5面上時，此吸收可繼續到其移行通過其全寬為止，而以温 度增高方式出現於内側表面上。此傳導程序會耗費大量時 間。如果入射在一側表面上之能量產生起伏，這會構成流 過材料之溫度“波”。 適當的材料可包括但不限於碳化矽、矽、陶瓷玻璃 1〇 (Zerodur)或ULE玻璃、鋁、鈹、銦、銅及鎳。 收集器殼220可暴露於來自雷射生成式電漿的熱通 量，其導致諸如表1所述之輻射性熱負荷，然後導致殼22〇 的一穩態溫度且其可能譬如小於自收集器4〇的反射表面蒸 發源元素(Li)碎屑所需要之操作溫度。因為光學裝置4〇的輻 15射表面合併其溫度之發射率係會導致比雷射生成式電漿所 沉積者輕射更多熱能之能力，故具有此作用。 隨後可能必須藉由辅助輻射加熱器23〇來提供維持光 學裝置40所需要的操作溫度之額外熱通量。這些輕射加熱 器230可放置在收集器40的體部220前方或甚至後方之適當 20位置中，且可能需有一方向性能力，譬如利用一方向性控 制機構（未圖示）來容納在收集器40上或收集器40表面的特 定區域上導引較多或較少輻射之需求。申請人此時相信， 可能需要近似5 kW或更小功率來在收集器體部220上維持 約500°C的一穩態溫度。目前亦可想見具有維持2〇c以内戈 ⑧ 30 1260842 更好的溫度均勻度之能力。 “ ：、了隹持收亦态40的所需要操作溫度之控制，亦可能 需要一可包括-冷卻部件232之冷卻系統25〇。此冷卻部件 32可吕如用來從收集器4〇的收集器體部22〇的後側234吸 收幸田射熱。此冷伸部件232可能係為位於收集器4〇的收集器 體部220後表面234後方之—簡單的開迴路冷表面，且可能 為氣體或液體冷卻式譬如具有氦或水並維持在某標稱溫 度。如果功率位準夠低，目前想見此冷卻可能完全為輕射 式而不需要譬如來自冷卻部件232所用的一熱交換器（未圖 1〇示）之諸如等液體或氣體冷卻劑。收集器40的收集器體部 220之後表面234則譬如可按照設計排列成依需要具有高發 射率(接近1)或低發射率。收集器40幾何結構所作出的設計 遠擇譬如係可對於此冷卻系統250的細節具有顯著影響。然 而，基本概念係可容納許多的設計變異，其中假設收集器 15 40的體部220夠大而可藉由關鍵表面上實際可達成之發射 率數值來再輻射入射熱負荷。 申請人亦瞭解LPP電漿形成處及來自此處之電漿發射 係為不均勻狀。申請人目前相信，此發射係呈現餘弦或類 似分佈的形式而非等向性分佈的形式。申諳、 β八曰剐亦瞭 20解，熱輻射能分佈亦非等向性且或許亦具有諸如上述餘弦 等光發射的形狀。此非等向性分佈譬如可差異性地加熱收 集器40且譬如更詳言之係加熱收集器體部22〇及收集哭仞 反射性光學表面，其會在譬如收集器4〇光學裝置上導致旧 度相關的變形或數值誤差。橫跨反射光學裝置之顯著的㈤ ⑧ 31 1260842 度變異係可導致收集器40光學裝置的投射及/或光利用工 具中之焦點5吳差。申睛人提議利用諸如分區加熱器等差異 性加熱收集器40來矯正及控管橫越反射器光學裝置之溫度 的變異藉以解決此問題。此等加熱器可譬如差異性地供應 5功率及控制以將不同量的熱量輻射至收集器反射光學裝置 的離散區域。因此，如果熱引發的變形在收集器4〇光學裝 置表面上生成差異性分佈的數值誤差，其可藉由一適當的 加熱器陣列來差異性加熱收集器40予以矯正。 一示範性加熱器陣列及收集器冷卻系統25〇根據本發 10明的一實施例之態樣係示範且示意地顯示於第5A圖中。根 據第5A圖的實施例係顯示加熱器元件24〇,其示意地顯示為 譬如橫越諸如位於收集器體部220與冷卻元件232之間某個 經幾何界定的表面242中之加熱器元件導線的段，作用在於 依需要且諸如分區式差異性地加熱收集器體部220，如下文 15 參照第5B及5C更詳細地說明。 參照第5B及5C圖，分別顯示一冷卻元件/内部熱交換器 232的立體圖及立體橫剖視圖，其譬如可藉由譬如cll〇銅形 成之一銅基材所構成並且譬如藉由可在一接合部（未圖示） 硬銲在一起之一第一薄板252及一第二較厚板254所形成， 2〇其中笫一較厚板254中係加工設有徑向冷卻坑道256，徑向 冷卻坑道256可互連以供流體通行於各別坑道之間但亦未 必如此。硬銲接合部（未圖示）可比銅本身更強固。亦可能具 有諸如擴散結合等其他形式的接合器。組件板總成232隨後 可譬如藉由衝壓或染壓（dye pressing)加以定型，以形成適 32 ⑧ 1260842 當形狀來順應於收集器體部220背側的一般形狀。 C110係為幾近純鋼且其具有熱傳導性388 W/mK及10 ksi降伏應力使其相對較具延性且相對較易構成形狀來匹配 收集器體部220的後侧。總成中，譬如所有經真空濕潤的接 5合部可能譬如係為高完性的硬銲接合部。如第5B圖所 示，依此形成的冷卻元件M2可形成一用於將加熱器元件 240、240,安裝在徑向延伸的陶瓷間隔件244上之結構。 現在參照第5C圖，以橫剖視立體等向圖來顯示根據本 發明的一實施例之態樣的一收集器及溫度控制總成222。溫 10度控制總成222可譬如包括收集器體部22〇及冷卻元件232 亦包括加熱器總成238。總成222可包括一密封框架262，密 封框架262可如圖示為圓形且可藉由一側壁安裝環(未圖示） 附接至LPP室64的側壁。密封框架加中可形成有一圓形密 封槽265以接收一密封環26〇上的一密封凸緣264且其共同 15作用形成-諸如曲折密封件等密封件以譬如防止鐘或其他 電水源媒體材料或其他碎屑觸及冷卻元件232的銅。 &封％26()可藉由附接螺帽272附接至-安裝環270。附 接衣27G係可藉由安|環螺帽2期接至—譬如形成於至少 =動雷射束人口通道如(第冗圖中未顯示）的終端處之 Μ凸緣(未®不）°在驅動雷射束人口通道282(第5C圖中未 *頁不）、、端處與安裝凸緣(未圖示)相鄰之—密封環(未圖示） =作用係在於將冷卻元件攻上的—環狀環2遍持在安裝 %狀掷架276與安裝凸緣(未圖示）之間的定位。 總成係可由用於形成—隔開的象限分組之加熱 ⑧ 1260842 裔7L件240及/或用於形成圓形元件之加熱器元件24〇，所形 成。兀件240、240’各可分開地被經過配線（未圖示）的電流 所啟動並由一控制器（未圖示）所控制以實行諸如分區加熱 等所需要的差異性加熱。陶变間隔件244可將加熱器元件 5 240、240’保持在連接器體部22〇與冷卻元件232之間的空間 中且使其不接觸任^者。 收集為體部220可形成為具有一環狀外固持環288，藉 由連接為體部220圓周分佈且由一對壓縮珠施形成之複 數個固持總成將環狀外固持環288固持在定位，其譬如位於 1〇安裝環270中之-者係可藉由一彈菁細予以彈菁偏壓來將 連接器體部220穩固地固持在定位，譬如位於密封環26〇與 安裝環之間，但未對於收集㈣部細之諸如玻璃等相 對較脆的材料過度地施加應力。請瞭解收集器4〇光學裝置 譬如-用以形成-反射光學裝置之多層堆積體係可形成或 U安裝於環狀固持環288内部所分佈之連接器體部22〇上。 第5B及5CBJ所不範地顯示之設計的部分優點在於：收 集器4〇體部22〇的高發射率背表面之加熱可能比第$圖所示 «•又。十中所想見的加熱更具有效率。此外，收集㈣光學裝 置對於紅外線輕射之反射率（若有的話）並不是第SA-SC圖 所提出的總成之議題。並且，冷卻元件说相對於Lpp電裝 形成室64之密封係消除了保護加熱器元件240、，及/或冷 卻元件232譬如不受諸如鐘等電聚源媒體金屬之議題。可差 異性控制的加熱器元件及其同心及/或徑向地定位及/或處 於正交㈣配置及元件的選擇性增能係具有依需要
34 1260842 更良好地控制收集器體邱 體邛220的加熱均句度以及依需要差 異性地補償來自連接器4〇的 〜包漿生成側之連接器體部22〇 的差異性加熱之仙。尚且，加熱H元件、24〇,並未競 爭EUV收集路徑中的空間，亦未干涉譬如標乾滴粒分佈及/ 5或追蹤之置放、或電漿形成适縱或類似設備及次系統。整 體總成222亦可具有屏蔽住光機械性組件不受到電裝形成 室中的兩溫之作用。 申请人目岫想見，因為譬如對於反射性多層塗層之熱 膨脹係數(CTE)不匹配只存在有低危險，如表2所示部分形 10式的SiC係可具有對於收集器體部22〇基材之最好的性質組 合。然而，SiC是一種硬性材料，因此拋光將很耗時，但其 可被Si包覆且由鑽石轉動然後加以拋光。然而，譬如基於 構造考量，譬如諸如其他較輕材料上的Ni鐘覆物等见之其 他材料，可使用Mo、Be或平凡的Si。然而，熱膨脹係數(CTE) 15 議題仍主導了部分或所有的此等其他材料。 弟7-9圖顯不根據本發明的一實施例之恶樣有關用於 LPPEUV光源收集器40之一熱量控管系統的設計之圖形。 如第6A圖所示根據本發明的一實施例之態樣，作為一 LPP EUV源所用之標靶照明的輻射源之一LPP驅動雷射束 20 52係可使用於一真空室64中。此室64譬如可具有一用於束 52之窗284，而此窗284可譬如放置成遠離包括一所需要的 引發部位32之雷射標靶交互作用區。譬如由諸如Ru或其他 等耐火金屬製成之聚焦光學裝置300，譬如一掠射入射光學 裝置302，可具有將束52聚焦在所需要的電漿引發部位32周
35 1260842 目之交互作用區所需要的電漿引發區上（亦即，如果與所需 要的部位32不同則包括選定電漿引發部位30[第6圖未: 不]’但如上述位於所需要的電漿引發區内）之作用。當束52 已經譬如穿過—聚焦透鏡54之後，聚焦光學襄置300可藉由 5 -位於β透鏡54與聚焦光學裝置搬之間的焦點將束砂 ，、、、使知束52中的射線入射在沿著聚焦光學裳置細的諸如 一橢圓形表面302等表面之點上’且譬如包括此技術所示使 此等表面受到絲。因此，到達掠射光學裳置300表面302 | 的光係可能似乎已經來自於介於聚焦透鏡54與掠射入射光 1°學裝置300之間的聚焦透鏡54焦點處之一源。掠射入射光學 裝置300亦可由法向入射反射光學裝置加以取代。光學元件 302可為橢圓形、雙曲面、卵形、拋物形、球形或類似物戋 其組合’並具有將束52更良好地聚焦在室64内部之交互作 用區中的電漿引發部位32、30上之功用。可利用一譬如位 15 於一分隔壁304中可約為1公厘直徑之小開孔來譬如阻擔住 標靶碎屑及其他碎屑材料使其不會到達聚焦光學裝置54。 Φ 根據本發明的一實施例之態樣，因此，EUV收集光學 裝置的態樣係已經適可將雷射輻射聚焦在譬如位於所需要 的電漿引發部位周圍之所需要的電漿引發區内之選定的電 2〇 漿引發部位30上。隨後亦可對於此光學裝置300使用諸如加 熱及蒸發等及包括下述其他方式之所有保護方案。 根據本發明的一實施例之態樣，第6Β圖顯示可利用一 用於形成一反射器300’殼之拋物形反射器表面31〇來聚焦 束52。如第6C圖所示，可利用諸如串列的橢圓形等表面的 36 1260842 組合或一含有一雙曲面320然後為一共輕焦且同轴的雙 曲面322之一組合之沃特爾（Wolter)反應器來將束52聚焦在 收集器40焦點附近（第6A-D圖中未顯示），亦即所需要的電 漿引發區内之一選定的電漿引發部位處。第6D圖中，束52 5係穿過一平坦或彎曲光學裝置3 3 〇而到達一平坦或彎曲反 射表面332上以聚焦於收集器焦點32處。譬如，對於一彎曲 光學裝置330，譬如’平坦的光學反射表面332係位於光學 衷置330焦點與光學裝置33〇本身之間，而平坦的光學裝置 332係來焦在收集益焦點32上。平坦的光學裝置μ?可譬如 1〇為一圓錐雷射束輸入通道57〇的一部分(顯示於第12圖中）。 現在參照flOA及10B圖，分別示意地顯示一收集器4〇 沿著第10B圖橫剖線10A之側橫剖視圖及正視圖，其具有收 集器40的—碎料蔽件及位於碎屑屏蔽件中之ϋ分離器 、502。範例中，收集器4〇可形成一沿一條旋轉轴線對 15稱之橢圓形反射表面，其中碎屑屏蔽件㈣分離器獅、观 介於橢圓形反射表面的-焦點32之間。落分離器5〇〇、5〇2 係可譬如包含交替狀之長的箱分離器·，其可大致從碎屑 屏蔽件及收集器4〇中的驅動雷射束训口延伸至碎屬屏蔽 件的-徑向範圍，及短的落分離器5〇2，其譬如從該徑向範 2〇圍延伸至一介於徑向範圍與驅動雷射束52開口之間的位 置。薄箱分離器500可包含結構上所容許之盡可能薄的箱 片’且連同亦盡可能薄的短箱片观，可形成對準於從焦點 則收集器40反射表面且回到巾間焦點42之刪射線路捏 之光通道。長消片5〇〇及短箱片搬的互混物可譬如具有增 37 1260842 光通道開口而不顯著地減損箔片500、502的結構完整性 5 10 15 20 ::=Γ之作用。亦想見羯片可具有多重長度，亦 以某回本身可具有不同長度且連同中介的長箔片分離器 、圖案沿迴轉軸線分佈，或者另外呈隨機式分佈。 達㈢瞭解泊片500、502可具有沉析(plate〇ut)可能另外到 括*集器40的鐘或其他標革巴金屬及/或其化合物之作用，包 ^諸如導讀_材料中等之雜質的化合物，不論其為與 亦口才料本身或其他物質的化合物。箔片分離器500、502 ,、、可具有其他的碎屬消減作用。諸如鐘及鐘離子等進一步 =臨㈣係可從n分離器片、5G2錢材料。收集器 二屏敝件分_以5GG、5G2可被加熱以在鑛覆於分離 =片_、搬上之後將分離器箱片·、5〇2上所沉析的 Η为材料予以蒸發。 RF線圈510可形成一介於碎屑屏蔽件與焦·處的電 2發之間的電漿障壁，以譬如減慢及散㊃如快速移動 ==/或其_式的碎屑，—轉子柄屬最後 磁H自請、5G2上。磁場係譬如藉由可能身為永久性 准或電磁鐵之導向磁鐵512、514生成，且其可具有將諸
如LPP«所引發或剌域件純射及/或前方位於RF 引發的電漿中之離子等導向读雜 離收集器40及其敏感性多層 反射表面之作用。 現在參照第11圖，示意地且以橫剖視圖顯示-示範性 爾能量偵測系統及收集器效率精密測定系統，与座如 包含一 EW參考測量臂518中之―咖功率债測器（功率 38 1260842 计）162’，EUV功率债測器（功率計）162，譬如藉由一播板52〇 的操作間歇地暴露於譬如源自所需要的電漿引發部位32周 圍之所需要的電㈣發區中的電漿引發部位之Euv光。並 且EUV收集為效率精密測定系統的一部分可能譬如為一 5配置於室64中之收集器樣本530，其位於一不會顯著地阻擔 光從收集1140(第11圖巾未顯示）通行但定位成可相對地以 與吕如收集為40上的實際多層反射表面相同的數量來接收 電漿碎屑之位置處，且譬如由相同材料製成。收集器樣本 530亦可以模擬相同保護的方式被保護不受碎屬（如果有的 10話）’其實行方式係以某方式保護及/或校準實際收集器4〇 反射表面以將實際收集器4〇反射表面上方之碎屑暴露列入 考慮。 請瞭解收集器效率精密測定系統可譬如藉由開啟播板 520且同％在EUV測量臂522端點讀取EUV功率計162”使得 15 EUV參考測量臂518中的EUV功率計162,暴露於電漿引發 部位32處從電漿發散之EUV而運作。這譬如可將電漿引發 部位32處所產生的EUV與從收集器樣本53〇反射的Euv之 間的差異提供至制器162”。譬如由於收集器樣本53〇上的 多個反射性塗層之反射率損失，這從一開始就是不同的數 20值’同理收集益本身亦未反射自電浆引發部位發射到達收 集器40反射表面之全部光。然而，隨著時間經過，此差異 的變化係可能反映諸如碎屑形成等操作對於收集器4〇之負 面影響。可利用此作用譬如從EUV偵測器162，及162，，所感 測的EUV光之間差異的時間變化譬如依據收集器4〇效能來 39 ⑧ 1260842 校準整體系統之精密測定測量的其他態樣，諸如if處或微 影工具中所接收的EUV。請瞭解偵測器162，亦可作為如上 述第1圖所示的陣列之债測器162的一部分，以譬如债測電 衆引發部位32處所產生的EUV能量之幾何平衡，藉以债測 5譬如驅動雷射輻照一諸如個別標靶20等個別標靶時之不當 定時。 現在參照第12圖，其示意地且以橫剖面顯示一形式的 碎屑控管系統以譬如保護驅動雷射聚焦光學裝置，其可譬 如在-驅動雷射束輸人通道282中形成—驅動雷射輸入窗 10 54。驅動束輸入通道m可在朝向Euv電聚引發部位η的一 端點處圍繞有-電漿形成機構，譬如一電聚形成rf線圈 540，其操作時可具有將#如經由收# ^巾的驅動雷射束開 口進入雷射束輸人通道282之碎料以解離或進—步解離 之作用’此等碎屬譬如係為電漿源媒體諸如標乾金屬、原 15子及/或離子、譬如鋰及鋰化合物及鋰雜質化合物、原子及 /或離子。在EUV電聚引發部位處所形成及/或在雷射束通道 282中藉由RF線圈540構成的電衆引發膨易中所形成或進 一步增能之離子隨後係可利用導向磁鐵55〇予以導向。線圈 540形成的RF場係亦具有減慢自Euv電聚引發區進入通道 20 282之離子之作用。導向磁鐵55〇可形成一導向磁場，其將 雷射束輸入通道282中的電漿轉入一譬如對於雷射束輸入 通道282呈正交延伸之碎屑陷阱532内。依此被導向的碎屑 流534係可人射在譬如—帶電板552上，其可帶負電成為電 壓-U以沉析出碎屑流5 3 4中所包含的碎屑材料。 1260842 對於譬如由窗/读 Λ 处鏡54所形成的光學裝置之保護的進 一步增強可能譬如係$& ^ ^ # Τ為終由驅動雷射入口通道282從，>月 除氣體入口 560 5 ~ ^ ^ ^除氣體出口 562之一諸如氦等清除氣 ^或者’清除氣體可相對於清除氣體出U56G以取代或添 弋、二由圓錐形雷射束入口管57〇排放入室64内，如第 12圖所示範。 見在、第13圖，圖中示意地且以橫剖視圖顯示另一 ^/柄制控4統，其譬如倾驅動雷射入 口通道282中 的自/透鏡54。第13圖白勺此系統可譬如包含一具有一開孔 -10 582之屏蔽板58〇，驅動雷射束52可經由開孔撕中途聚焦至 s如驅動雷射輸入通道282中的一驅動雷射聚焦光學裝置 300，其中清除氣體入口 56〇位於屏蔽板58〇的一驅動雷射束 輸入側上而清除氣體出口 562位於屏蔽板58〇的一收集器4〇 側上。第13圖的系統亦可具有一碎屑電漿形成機構，其譬 15如包含RF線圈540，RF線圈540可具有減慢從EUV電漿引發 區進入通道之離子的作用。 φ 請瞭解驅動雷射輸入通道282内的電漿聚焦光學裝置 300可譬如具有將驅動雷射束52重新聚焦在標乾電漿引發 部位32處之作用，以譬如允許屏蔽板580與驅動雷射入口通 2〇道282的EUV電漿引發部位端點之間具有一諸如1〇〇〇公厘 等較長的驅動雷射通道，而非譬如第12圖實施例在光學穿 置54與驅動雷射入口通道282的EUV電浆引發端點之間的 3〇〇公厘。這譬如能夠更加消散及收集屏蔽板580與驅動帝 射束入口通道282的EUV電漿引發部位32端點之間的碎 1260842 屬使開孔582中的碎屬保持最小值並便利經過開孔的 氣流阻擔住碎屑經過開孔582之通行。開孔5幻可具有一約i 公厘的開口且放置在光學裝置54的焦點處。雷射束观後 係由光學裝置5 4聚焦至-接近開孔5 8 2孔口之焦點5 9 〇内。 5鏡面302隨後係將束54重新聚焦至電聚引發部位湖。驅動 雷射入口通道282的側壁可保持在一負電壓及/或可使用一 或多個磁場來鼓勵’流動至且沉積在屏蔽板湖與通道 282的EUV電漿引發部位端點之間的驅動雷射入口通道282 内壁上。 10 除了來自線圈5 40的任何RF加熱之外，驅動雷射聚焦光 學裝置300亦可由-電連接部（未圖示）電性加熱，即便在一 掠射入射角下，藉由譬如對於驅動雷射束52的DUV但非 EUV具有反射性之作用將不會使EUV或碎屑聚焦回到開孔 580。雷射聚焦光學裝置3〇〇可具有金屬鏡面3〇2。 15 已經描述本發明的態樣。 【圖式簡單說明】 第1圖示意地顯示本發明的一實施例之態樣； 第2圖顯不第1圖示意性所顯示之本發明的態樣之側視 圖， 20 第3圖顯示第1及2圖所示之本發明的一實施例之態樣 的示意圖示之進一步細節； 第3A圖顯示根據本發明的一實施例之態樣的一 Euv精 密測定系統之方塊圖； 第4圖示意地顯示根據本發明的一實施例之態樣的一
42 1260842 現場鋰純化系統； 第5圖顯示根據本發明的一實施例之一收集器的一實 施例之態樣； 第5 A - 5 C圖顯示根據本發明的一實施例之態樣對於第5 5 圖之一替代方式； 第6A-6D圖顯示根據本發明的一實施例之態樣的一 LPPEUV系統之一實施例的進一步態樣； 第7圖顯示根據本發明的態樣對於450公厘（5 7Γ si*收集 角度）及250公厘（2 7Γ si*收集角度）的收集器直徑之身為照明 10 器輸入固體角度的一函數之中間焦點及雷射生成式電漿之 間距離其間的關係； 第8圖顯示對於一5 7Γ收集器之收集器鏡面直徑及以瓦 特/平方公分為單元的熱負荷之間的關係，及對於來自入射 在地球上的日光輻射之近似熱負荷亦即与14瓦特/平方公 15 分之一比較； 第9圖顯示在400 °C及500 °C身為鏡面直徑的一函數之 發射率(emissivity); 第10A及10B圖示意地顯示根據本發明的一實施例之 態樣的一具有一三維物理碎屑屏蔽件之收集器； 20 第11圖以橫剖視圖示意地顯示根據本發明的一實施例 之恶樣的一精密測定糸統， 第12圖以橫剖視圖示意地顯示根據本發明的一實施例 之態樣的一用於保護系統光學裝置不受到碎屑之裝置及方 法 ⑧ 43 1260842 第13圖以橫剖視圖示意地顯示根據本發明的一實施例 之態樣的一相對於第12圖之替代性實施例。 【主要元件符號説明】 11EUV光產生器 20···標乾滴粒 30···選定的電漿引發部位 32…收集器40的焦點，所需要 的電漿引發部位 40…收集器，收集器鏡面 42…收集器鏡面40的中間焦點(IF) 50…源雷射，驅動雷射 5 2…LPP|g動雷射束，源雷射衝 54，110，112···聚焦透鏡 60,62···成像部件，攝影機 64…EUV產生室，Euv電漿形 成容器/室，LPP室，真空室，電漿 形成/EUV源室 80…滴粒輸送系統，標革巴輪送 系統 82…標靶供應器 90…影像 92. ··路徑，標乾輪送物流 92’..·標靶物流 94,94’…明亮小區，滴粒交會點 96···明亮電漿引發影像小區 100…雷射 102，104...HeNe 雷射 104.106.. .圓柱形透鏡 108.. .雷射束 120，122…光偵測器 150.. .精密測定系統 152.. .影像處理模組 154…EUV偵測器 162…债測器 162’，162’’...EUV功率偵測器 (功率計） 170._.HeNe指向控制模組 172…源雷射控制模組 180···源驅動雷射控制模組 220···光學殼，收集器體部 222…收集器及溫度控制總成 230···輔助輻射加熱器 232…冷卻元件/内部熱交換哭 (冷卻部件） 234…收集器體部22〇後表面 236…環狀環 238…加熱器總成 240,240’···加熱器元件 242…經幾何界定的表面 44 ⑧ 1260842
244…徑向延伸的陶瓷間隔件 250···加熱器陣列錢集器冷 卻系統 252…第一薄板 254···第二較厚板 256· ••從向冷卻坑道 260…密封環 262···密封框架 264…也、封凸緣 265…圓形密封槽 266…壓縮珠 268…彈簧 270…安裝環 272···附接螺帽 274…安裝環螺帽 276···環狀搁架 282···驅動雷射束入口通道 284…窗 288···環狀外固持環 300···驅動雷射聚焦光學裝置 300’…反射器 302···金屬鏡面，掠射入射光學 裝置，擴圓形表面 304·.·分隔壁 310…拋物形反射器表面 320···雙曲面 322···共軛焦且同轴的雙曲面 330.. ·平坦或彎曲光學裝置 332··.平坦或彎曲反射表面 500···長的箔分離器 502…短的箔分離器 510.540.. .RF 線圈 512,514,550…導向磁鐵 520…擋板 522…EUV測量臂 530···收集器樣本 532…碎屑陷阱 534…碎屑流 552.. .帶電板 560.. .清除氣體入口 562···清除氣體出口 570···圓錐形雷射束入口管，圓 錐雷射束輸入通道 580··.屏蔽板 582…開孔 590…焦點 D…收集器40直徑 w···所需要的電漿引發部位處 相距電漿形成點之工作距離 45

Claims (1)

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20 十、申請專利範圍： 第94105385號申請案申請專利範圍修正本 95.04.06. 1. 一種雷射生成式電漿(LPP)極端紫外線(EUV)光源控制 系統，其包含一適可輸送電漿引發標靶之標靶輸送系 統，及一EUV光收集光學裝置，該EUV光收集光學裝 置具有一界定一所需要的電漿引發部位之焦點，包含： 一標靶追蹤及回饋系統，其包含： 至少一成像部件，其提供一標靶物流執道的一影 像作為一輸出； 一物流執道誤差彳貞測器，其彳貞測相距一交會該所 需要的電漿引發部位之所需要的物流執道之該標靶物 流執道在至少一條概括垂直於該標靶物流軌道的軸線 中之位置的一誤差。 2. 如申請專利範圍第1項之光源控制系統，進一步包含： 至少一標靶交叉偵測器，其瞄準於該標靶執道並 偵測一標靶通行經過該標靶執道中的一選定點。 3. 如申請專利範圍第2項之光源控制系統，進一步包含： 該至少一標靶交叉偵測器係為至少一第一標靶交 叉偵測器及一第二標靶交叉偵測器。 4. 如申請專利範圍第2項之光源控制系統，進一步包含·· 一驅動雷射觸發機構，其利用該標靶交叉偵測器 的一輸出來決定一驅動雷射觸發的定時，藉以使一驅 動雷射輸出脈衝概括在其與該所需要的電漿引發部位 最接近之途徑處沿著該標靶執道在一選定電漿引發部 46 1260842 位來交會該電漿引發標靶。 5·如申凊專利範圍第1項之光源控制系統，進一步包含： 一電漿引發偵測器，其瞄準於該標靶執道並偵測 對於一各別的標靶沿著一電漿引發部位的該標靶執道 5 之位置。 6·如申請專利範圍第2項之光源控制系統，進一步包含： 一電漿引發偵測器，其瞄準於該標靶執道並偵測 • 對於一各別的標靶沿著一電漿引發部位的該標靶軌道 之位置。 7·如申晴專利範圍第3項之光源控制系統，進一步包含： 一電漿引發偵測器，其瞄準於該標靶執道並偵測 對於一各別的標靶沿著一電漿引發部位的該標靶執道 之位置。
8·如申請專利範圍第4項之光源控制系統，進一步包含： 一電漿引發偵測器，其瞄準於該標靶執道並偵測 對於一各別的標靶沿著一電漿引發部位的該標靶執道 之位置。 9·如申請專利範圍第1項之光源控制系統，進一步包含： 中間焦點知、明态，其照明一形成於該中間焦點 上之開孔以將該開孔成像在該至少一成像部件中。 10.如申請專利範圍第2項之光源控制系統，進一步包含： —中間焦點照明器，其照明一形成於該中間焦點 上之開孔以將該開孔成像在該至少一成像部件中。‘ 1.如申4專利範圍第3項之光源控制系統，進一步包含. 47 r 1260842 一中間焦點照明器，其照明—形成於該中間焦點 上之開孔以將該開孔成像在該至少一成像部件中。 12·如申請專利範圍第4項之光源控制系統，進一步包含： 5 —中間焦點照明器，其照明-形成於該中間^點 上之開孔以將該開孔成像在該至少一成像部件中。 13·如申請專利範圍第5項之光源控制系統，進一步包含： —中間焦點照明器，其照明-形成於該中間焦點 • i之開孔以將該開孔成像在該至少-成像部件中。’ . 14·如巾請專利範圍第6項之光源控㈣統，進—步包含·· -中間焦點照明器，其照明—形成於該中間焦點 上之開孔以將該開孔成像在該至少一成像部件中。 15·如中請專利範圍第7項之光源控㈣統，進—步包含： 中間焦點照明器，其照明_形成於該中間焦點 ]5 i之開孔以將該開孔成像在該至少-成像部件中。 5 16·如申請專利範圍第8項之光源控制系統，進一步包含： > ―中職點照明H，其照明_形成於該中間焦點 上之開孔以將該開孔成像在該至少一成像部件中。 17·如中請專利範㈣9項之光源控制系統，進—步包含·· 2〇 駐少—成像部件係為至少兩成像部件，其各以 該等至少兩成像部件的各別一者中之一影像分析為基 礎來提供有關該標乾軌道相距該中間焦點的影像之垂 直中軸線的分離之一誤差信號。 18.如申請專利範圍第10項之光源控制系統，進一步包含： e亥至少-成像部件係為至少兩成像部件，其各以該等 48 1260842 至少兩成像部件的各別一者中之一影像分析為基礎來 提供有關該標靶軌道相距該中間焦點的影像之垂直中 軸線的分離之一誤差信號。 19. 如申請專利範圍第11項之光源控制系統，進一步包含： 5 該至少一成像部件係為至少兩成像部件，其各以 該等至少兩成像部件的各別一者中之一影像分析為基 礎來提供有關該標靶執道相距該中間焦點的影像之垂 直中轴線的分離之一誤差信號。 20. 如申請專利範圍第12項之光源控制系統，進一步包含： 10 該至少一成像部件係為至少兩成像部件，其各以 該等至少兩成像部件的各別一者中之一影像分析為基 礎來提供有關該標靶執道相距該中間焦點的影像之垂 直中軸線的分離之一誤差信號。
21. 如申請專利範圍第13項之光源控制系統，進一步包含： 該至少一成像部件係為至少兩成像部件，其各以 該等至少兩成像部件的各別一者中之一影像分析為基 礎來提供有關該標靶執道相距該中間焦點的影像之垂 直中軸線的分離之一誤差信號。 22. 如申請專利範圍第14項之光源控制系統，進一步包含： 該至少一成像部件係為至少兩成像部件，其各以 該等至少兩成像部件的各別一者中之一影像分析為基 礎來提供有關該標靶軌道相距該中間焦點的影像之垂 直中軸線的分離之一誤差信號。 23. 如申請專利範圍第15項之光源控制系統，進一步包含： 49 1260842 該至少一成像部件係為至少兩成像部件，其各以 該等至少兩成像部件的各別一者中之一影像分析為基 礎來提供有關該標靶執道相距該中間焦點的影像之垂 直中軸線的分離之一誤差信號。 24. 如申請專利範圍第16項之光源控制系統，進一步包含：
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該至少一成像部件係為至少兩成像部件，其各以 該等至少兩成像部件的各別一者中之一影像分析為基 礎來提供有關該標靶軌道相距該中間焦點的影像之垂 直中軸線的分離之一誤差信號。 25. 如申請專利範圍第17項之光源控制系統，進一步包含： 一標靶輸送回饋及控制系統，其包含： 一標乾輸送單元； 一標把輸送位移控制機構，其使該標把輸送機構 至少在一對應於得自該第一成像部件中的影像分析之 一第一位移誤差信號之軸線中及至少在一對應於得自 該第二成像部件中的影像分析之一第二位移誤差信號 之轴線中位移。 26.如申請專利範圍第18項之光源控制系統，進一步包含： 一標靶輸送回饋及控制系統，其包含： 20 一標I巴輸送單元； 一標靶輸送位移控制機構，其使該標靶輸送機構 至少在一對應於得自該第一成像部件中的影像分析之 一第一位移誤差信號之軸線中及至少在一對應於得自 該第二成像部件中的影像分析之一第二位移誤差信號 50 1260842 之軸線中位移。 27.如申請專利範圍第19項之光源控制系統，進一步包含： 一標靶輸送回饋及控制系統，其包含：一標靶輸 、X3V 一 · 达早兀， 5 —標靶輸送位移控制機構，其使該標靶輸送機構 至少在一對應於得自該第一成像部件中的影像分析之 一第一位移誤差信號之軸線中及至少在一對應於得自 該第二成像部件中的影像分析之一第二位移誤差信號 之軸線中位移。 10 2 8.如申請專利範圍第2 0項之光源控制系統，進一步包含： 一標靶輸送回饋及控制系統，其包含：一標靶輸 送單元； 一標靶輸送位移控制機構，其使該標靶輸送機構 至少在一對應於得自該第一成像部件中的影像分析之 15 —第一位移誤差信號之軸線中及至少在一對應於得自 該第二成像部件中的影像分析之一第二位移誤差信號 之軸線中位移。 29.如申請專利範圍第21項之光源控制系統，進一步包含： 一標靶輸送回饋及控制系統，其包含： 20 一標乾輸送单元； 一標靶輸送位移控制機構，其使該標靶輸送機構 至少在一對應於得自該第一成像部件中的影像分析之 一第一位移誤差信號之軸線中及至少在一對應於得自 該第二成像部件中的影像分析之一第二位移誤差信號 51 1260842 之軸線中位移。 3 〇 ·如申請專利範圍第2 2項之光源控制系統，進一步包含： 一標把輸送回饋及控制系統，其包含：一標革巴輸 送單元； 5 一標靶輸送位移控制機構，其使該標靶輸送機構 至少在一對應於得自該第一成像部件中的影像分析之 一第一位移誤差信號之轴線中及至少在一對應於得自 該第二成像部件中的影像分析之一第二位移誤差信號 之軸線中位移。 10 31.如申請專利範圍第23項之光源控制系統，進一步包含： 一標革巴輸送回饋及控制系統，其包含： 一標把輸送單元； 一標靶輸送位移控制機構，其使該標靶輸送機構 至少在一對應於得自該第一成像部件中的影像分析之 15 —第一位移誤差信號之轴線中及至少在一對應於得自 該第二成像部件中的影像分析之一第二位移誤差信號 之軸線中位移。 32.如申請專利範圍第24項之光源控制系統，進一步包含： 一標革巴輸送回饋及控制系統，其包含：一標把輸 20 送單元； 一標靶輸送位移控制機構，其使該標靶輸送機構 至少在一對應於得自該第一成像部件中的影像分析之 一第一位移誤差信號之軸線中及至少在一對應於得自 該第二成像部件中的影像分析之一第二位移誤差信號 52 1260842 - 之軸線中位移。 33. 如申請專利範圍第25項之光源控制系統，進一步包含： 一EUV輸出光能量偵測機構，其包含： 複數個EUV光能量偵測器，其配置為可測量抵達 5 該中間焦點的EUV光能量，其各提供代表各別該等 EUV光能量偵測器所偵測的一EUV光能量值之一輸出 信號； 一 EUV光能量誤差信號產生器，其接收各該等 I EUV光能量偵測器的輸出並以各別該等EUV光能量偵 -10 測器的輸出信號之各別數值的一比較為基礎來決定一 EUV光能量誤差信號。 34. 如申請專利範圍第26項之光源控制系統，進一步包含： 一EUV輸出光能量偵測機構，其包含： 複數個EUV光能量偵測器，其配置為可測量抵達 15 該中間焦點的EUV光能量，其各提供代表各別該等 _ EUV光能量偵測器所偵測的一EUV光能量值之一輸出 信號； 一 EUV光能量誤差信號產生器，其接收各該等 E U V光能量偵測器的輸出並以各別該等E U V光能量偵 20 測器的輸出信號之各別數值的一比較為基礎來決定一 EUV光能量誤差信號。 3 5.如申請專利範圍第2 7項之光源控制系統，進一步包含： 一EUV輸出光能量偵測機構，其包含： 複數個EUV光能量偵測器，其配置為可測量抵達 53 1260842 、 該中間焦點的EUV光能量，其各提供代表各別該等 EUV光能量偵測器所偵測的一EUV光能量值之一輸出 信號； 一 EUV光能量誤差信號產生器，其接收各該等 5 EUV光能量偵測器的輸出並以各別該等EUV光能量偵 測器的輸出信號之各別數值的一比較為基礎來決定一 EUV光能量誤差信號。 3 6.如申請專利範圍第2 8項之光源控制系統，進一步包含： ® —EUV輸出光能量偵測機構，其包含： ，10 複數個EUV光能量偵測器，其配置為可測量抵達 該中間焦點的EUV光能量，其各提供代表各別該等 EUV光能量偵測器所偵測的一EUV光能量值之一輸出 信號； 一 EUV光能量誤差信號產生器，其接收各該等 15 E U V光能量偵測器的輸出並以各別該等E U V光能量偵 _ 測器的輸出信號之各別數值的一比較為基礎來決定一 EUV光能量誤差信號。 37.如申請專利範圍第29項之光源控制系統，進一步包含： 一EUV輸出光能量偵測機構，其包含： 20 複數個EUV光能量偵測器，其配置為可測量抵達 該中間焦點的EUV光能量，其各提供代表各別該等 E UV光能量偵測器所偵測的一 E UV光能量值之一輸出 信號； 一 EUV光能量誤差信號產生器，其接收各該等 54 EUV光能錢廳的輸丨肋各職等光能量偵 測器的輸出信號之各別數值的—時絲礎來決定一 EUV光能量誤差信號。 如申請專雜圍第3G項之光源控制系統，進—步包含： 一EUV輸出光能量偵測機構，其包含： 複數個EUV光能量偵測器，其配置為可測量抵達 該中間焦點的而光能量，其各提供代表各別該等 E U V光能量制器所_的—Ε υ ν光能量值之一輸出 信號； - EUV光能量誤差信號產生器，其接收各該等 EUV光能量侧器的輸出並以各別該等光能量偵 測器的輸it}信號之各概制—比較為基礎來決定一 EUV光能量誤差信號。 如申請專利範圍第31項之光源控制系統，進一步包含： 一EUV輸出光能量偵測機構，其包含： 複數個EUV光能量偵測器，其配置為可測量抵達 該中間焦點的EUV光能量，其各提供代表各別該等 EUV光能量偵測器所偵測的一EUV光能量值之一輸出 信號； 一 EUV光能量誤差信號產生器，其接收各該等 EUV光能量偵測器的輸出並以各別該等EUV光能量偵 測為的輸出“號之各別數值的一比較為基礎來決定一 EUV光能量誤差信號。 如申請專利範圍第32項之光源控制系統，進一步包含： 1260842 一EUV輸出光能量偵測機構，其包含： 複數個EUV光能量偵測器，其配置為可測量抵達 該中間焦點的EUV光能量，其各提供代表各別該等 EUV光能量偵測器所偵測的一EUV光能量值之一輸出 5 信號； 一 EUV光能量誤差信號產生器，其接收各該等 EUV光能量偵測器的輸出並以各別該等EUV光能量偵 測器的輸出信號之各別數值的一比較為基礎來決定一 EUV光能量誤差信號。 10 41.如申請專利範圍第33項之光源控制系統，進一步包含： 一引發部位誤差偵測機構，其包含： 該等至少兩成像部件的一者係提供可藉以決定一 第一誤差信號之影像資料，該第一誤差信號係有關以 該等至少兩成像部件的各別一者中之影像資料的一分 15 析為基礎之一實際電漿引發部位的一第一軸線中相距 一所需要的電漿引發部位之分離，及以該各別成像部 件中的影像之一分析為基礎之一與該電漿引發部位的 第一軸線呈正交之第二軸線中相距該中間焦點的影像 之一水平中軸線之分離。 20 42.如申請專利範圍第3 4項之光源控制系統，進一步包含： 一引發部位誤差偵測機構，其包含： 該等至少兩成像部件的一者係提供一第一誤差信 號，該第一誤差信號係有關以該等至少兩成像部件的 各別一者中之影像的一分析為基礎之一電漿引發部位 56 1260842 的:第一軸線中相距該中間焦點的影像之垂直中軸線 之刀離，及以該各別成像部件中的影像之一分析為基 礎之一與該電漿引發部位的第一轴線呈正交之第二轴 5 纟中相距中間焦點的影像之-水平中軸線之分離。 如申明專利知圍第35項之光源控制系統，進一步包含： 一引發部位誤差偵測機構，其包含： 該等至少兩成像部件的一者係提供一第一誤差信 • 該第-誤差信號係有關以該等至少兩成像部件的 各別一者中之影像的一分析為基礎之一電漿引發部位 1〇 ^―第—軸線中相距該中難點的影像之垂直中軸線 之为離，及以該各別成像部件中的影像之一分析為基 礎之一與該電漿引發部位的第一軸線呈正交之第二軸 線中相距該中間焦點的影像之一水平中軸線之分離。 44·如申請專利範圍第36項之光源控制系統，進一步包含： 15 一引發部位誤差偵測機構，其包含： # 该等至少兩成像部件的一者係提供一第一誤差信 唬’该第一誤差信號係有關以該等至少兩成像部件的 各別一者中之影像的一分析為基礎之一電漿引發部位 的一第一軸線中相距該中間焦點的影像之垂直中軸線 2〇 之分離，及以該各別成像部件中的影像之一分析為基 礎之一與該電漿引發部位的第一軸線呈正交之第二軸 線中相距該中間焦點的影像之一水平中軸線之分離。 45·如申請專利範圍第37項之光源控制系統，進一步包含： 一引發部位誤差偵測機構，其包含： 57 1260842 該等至少兩成像部件的一者係提供一第一誤差作 號，該第-誤差信號係有關以該等至少兩成像部件^ 各別一者中之影像的-分析為基礎之一電漿引發部位 5 第—軸線中相距該中間焦點的影像之垂直中軸線 之分離，及以該各別成像部件中的影像之一分析為臭 礎之一與該電浆引發部位的第—軸線呈正交之第二^ 線中相距該中間焦點的影像之一水平令轴線之分離。 • 46·如申請專利範圍第38項之光源控制系統，進-步包含： 〗 一引發部位誤差偵測機構，其包含： 忒等至少兩成像部件的一者係提供一第一誤差信 唬*差仏號係有關以該等至少兩成像部件的 各:一者中之影像的-分析為基礎之一電衆引發部位 的一第—軸線中相距該中間焦點的影像之垂直中軸線 15 4刀# ’及㈣各別成像部件巾的影像之-分析為基 礎之一與該電漿引發部位的第-軸線呈正交之第二軸 鲁 IΉ目距4中間焦點的影像之—水平中軸線之分離。 47·如申請專利範圍第39項之光源控制系統，進-步包含： 一引發部位誤差偵測機構，其包含： 2〇 ^等至夕兩成像部件的一者係提供一第一誤差信 ' ^第"吳差^號係有關以該等至少兩成像部件的 各別者中之影像的一分析為基礎之一電聚引發部位 的H由線中相距該中間焦點的影像之垂直中軸線 之刀冰，及以該各別成像部件中的影像之一分析為基 礎之-與該電漿弓i發部位的第一轴線呈正交之第二轴 58 1260842 線中相距該中間焦點的影像之一水平中軸線之分離。 48. 如申請專利範圍第40項之光源控制系統，進一步包含： 一引發部位誤差偵測機構，其包含： 該等至少兩成像部件的一者係提供一第一誤差信 5 號，該第一誤差信號係有關以該等至少兩成像部件的 各別一者中之影像的一分析為基礎之一電漿引發部位 的一第一軸線中相距該中間焦點的影像之垂直中軸線 之分離，及以該各別成像部件中的影像之一分析為基 礎之一與該電漿引發部位的第一軸線呈正交之第二軸 10 線中相距該中間焦點的影像之一水平中軸線之分離。 49. 一種電漿生成式極端紫外線(EUV)光源收集器，包含： 一電漿形成室； 一位於該電漿引發室内之殼，其呈現一具有一焦 點之收集器形狀的形式； 15 該殼具有一充分尺寸及熱質量(thermal mass)以將 操作熱量攜離多層反射器並在與該焦點相對之該殼的 一側上從該殼的表面輻射熱量。 50. 如申請專利範圍第49項之光源收集器，進一步包含： 該殼的材料係選自包括下列各物的群組： 20 石炭化石夕、石夕、陶瓷玻璃（Zerodur)或ULE玻璃、I呂、 鈹、鉬、銅及鎳。 51. 如申請專利範圍第49項之光源收集器，進一步包含： 至少一輻射性加熱器，其在該殼上被導引以使該 殼的穩態溫度維持在一選定範圍的操作溫度内。 59 1260842 52. 如申請專利範圍第50項之光源收集器，進一步包含： 至少一輻射性加熱器，其在該殼上被導引以使該 殼的穩態溫度維持在一選定範圍的操作溫度内。 53. 如申請專利範圍第51項之光源收集器，進一步包含： 5 該溫度範圍内之溫度係充分足以蒸發該收集器上 所沉析之電漿產生標靶材料。 54. 如申請專利範圍第52項之光源收集器，進一步包含： 該溫度範圍内之溫度係充分足以蒸發該收集器上 所沉析之電漿產生標靶材料。 10 55.如申請專利範圍第49項之光源收集器，進一步包含： 一散熱器，其在與該焦點相對之殼側上與該殼相 鄰而吸收自該殼的相鄰表面所輻射之熱量。 56. 如申請專利範圍第50項之光源收集器，進一步包含： 一散熱器，其在與該焦點相對之殼側上與該殼相 15 鄰而吸收自該殼的相鄰表面所輻射之熱量。 57. 如申請專利範圍第51項之光源收集器，進一步包含： 一散熱器，其在與該焦點相對之殼側上與該殼相 鄰而吸收自該殼的相鄰表面所輻射之熱量。 58. 如申請專利範圍第52項之光源收集器，進一步包含： 20 一散熱器，其在與該焦點相對之殼側上與該殼相 鄰而吸收自該殼的相鄰表面所輻射之熱量。 59. 如申請專利範圍第53項之光源收集器，進一步包含： 一散熱器，其在與該焦點相對之殼側上與該殼相 鄰而吸收自該殼的相鄰表面所輻射之熱量。 60 1260842 60. 如申請專利範圍第54項之光源收集器，進一步包含： 一散熱器，其在與該焦點相對之殼側上與該殼相 鄰而吸收自該殼的相鄰表面所輻射之熱量。 61. 如申請專利範圍第55項之光源收集器，進一步包含： 5 該散熱器係形成一熱交換器的一部分而將熱量轉 移至一自該室外部供應之熱傳流體。 62. 如申請專利範圍第56項之光源收集器，進一步包含： 該散熱器係形成一熱交換器的一部分而將熱量轉 移至一自該室外部供應之熱傳流體。 10 63.如申請專利範圍第57項之光源收集器，進一步包含： 該散熱器係形成一熱交換器的一部分而將熱量轉 移至一自該室外部供應之熱傳流體。 64. 如申請專利範圍第58項之光源收集器，進一步包含： 該散熱器係形成一熱交換器的一部分而將熱量轉 15 移至一自該室外部供應之熱傳流體。 65. 如申請專利範圍第59項之光源收集器，進一步包含： 該散熱器係形成一熱交換器的一部分而將熱量轉 移至一自該室外部供應之熱傳流體。 66. 如申請專利範圍第60項之光源收集器，進一步包含： 20 該散熱器係形成一熱交換器的一部分而將熱量轉 移至一自該室外部供應之熱傳流體。 67. —種雷射生成式電漿(LPP)極端紫外線(EUV)光源，其 具有一用於生成一驅動雷射輸出脈衝束之驅動雷射及 一驅動雷射輸出脈衝束導引系統及一具有一收集器焦 61 1260842 點之EUV光收集器，包含： 一介於該束導引系統與該收集器焦點之間的束聚 焦系統，其可操作以將該輸出雷射脈衝束聚焦至該收 集器焦點附近之一選定位置而界定一選定的電漿引發 5
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20 部位。 68. 如申請專利範圍第67項之光源，進一步包含： 該束聚焦系統係包含一聚焦透鏡及一介於該聚焦 透鏡與該收集器焦點之間之反射聚焦元件且具有一位 於該聚焦透鏡與該反射聚焦元件之間的聚焦透鏡焦 點；而該反射聚焦元件係將該束聚焦在該選定位置處。 69. 如申請專利範圍第67項之光源，進一步包含： 該束聚焦系統可移動且該束聚焦系統的運動可操 作以將該束聚焦系統的焦點定位在該選定位置處。 70. 如申請專利範圍第68項之光源，進一步包含： 該聚焦透鏡及該反射聚焦元件的至少一者，其可 移動且該聚焦透鏡與該反射聚焦元件之間的相對運動 可操作以將該束的焦點至少部分地定位在該選定位置 處。 71. 如申請專利範圍第67項之光源，進一步包含： 該反射聚焦元件包含一掠射入射角反射元件。 72. 如申請專利範圍第68項之光源，進一步包含： 該反射聚焦元件包含一掠射入射角反射元件。 73. 如申請專利範圍第69項之光源，進一步包含： 該反射聚焦元件包含一掠射入射角反射元件。 62 1260842 74. 如申請專利範圍第70項之光源，進一步包含： 該反射聚焦元件包含一掠射入射角反射元件。 75. 如申請專利範圍第67項之光源，進一步包含： 該反射聚焦元件包含一法向入射角反射元件。 5 76.如申請專利範圍第68項之光源，進一步包含： 該反射聚焦元件包含一法向入射角反射元件。 77. 如申請專利範圍第69項之光源，進一步包含： 該反射聚焦元件包含一法向入射角反射元件。 78. 如申請專利範圍第70項之光源，進一步包含： 10 該反射聚焦元件包含一法向入射角反射元件。 79. 如申請專利範圍第67項之光源，進一步包含： 該反射聚焦元件包含一掠射入射角反射元件及一 法向入射角反射元件之一組合。 80. 如申請專利範圍第68項之光源，進一步包含： 15 該反射聚焦元件包含一掠射入射角反射元件及一 法向入射角反射元件之一組合。 81. 如申請專利範圍第69項之光源，進一步包含： 該反射聚焦元件包含一掠射入射角反射元件及一 法向入射角反射元件之一組合。 20 82.如申請專利範圍第70項之光源，進一步包含： 該反射聚焦元件包含一掠射入射角反射元件及一 法向入射角反射元件之一組合。 83. —種極端紫外線(EUV)光源收集器碎屑屏蔽件，包含： 複數個光通道，其對準於自該收集器鏡面的一第 63 1260842 一焦點發散且反射至該收集器鏡面的一第二焦點之 光； 該等光通道係由相鄰的薄箔分離器形成，且至少 部分的該等箔分離器係徑向地延伸比其他該等箔分離 5 器更短之一距離。 84. 一種極端紫外線(EUV)光源，包含： 一 EUV光源EUV電漿產生室； 一EUV光收集器，其具有一被該EUV電漿中生成 的EUV光所輻照之反射部； 10 一EUV光收集器樣本，其具有一由與該EUV光收 集器反射部相同的材料構成之反射部； 一EUV偵測器，其偵測該EUV光源電漿中生成之 EUV光；及 一EUV偵測器，其偵測自該EUV光收集器樣本反 15 射之EUV光。 85. 如申請專利範圍第84項之光源，進一步包含： 該EUV光收集器係包含碎屑消減裝置，其阻撓該 EUV電漿產生室中所形成的碎屑減損該EUV光收集器 之反射率；及 20 EUV光收集器樣本碎屑消減裝置，其以大致與該 碎屑消減裝置阻撓碎屑減損該EUV光收集器的反射率 相同之方式及程度來阻撓該EUV電漿產生室中所形成 的碎屑減損該EUV光收集器樣本之反射率。 86. —種極端紫外線(EUV)光源，包含： 64 1260842 一光學輸入通道，其開設進入一EUV電漿生成室
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20 内； 一光學元件，其位於該光學輸入通道内； 一碎屑消減機構，其介於該電漿生成室與該光學 元件之間而防止顯著的碎屑到達該光學元件。 87. 如申請專利範圍第86項之光源，進一步包含： 一碎屑增能機構，其介於該電漿生成室與該光學 元件之間而將自該電漿生成室進入該輸入通道之碎屑 予以增能； 一碎屑導向機構，其介於該碎屑增能機構與該光 學元件之間而將經增能碎屑導向遠離該光學元件。 88. 如申請專利範圍第87項之光源，進一步包含： 該碎屑增能機構係為一用於將能量導入進入該輸 入通道的碎屑内之機構。 89. 如申請專利範圍第87項之光源，進一步包含： 該碎屑增能機構係為一射頻(RF)能量誘發器。 90. 如申請專利範圍第88項之光源，進一步包含： 該碎屑增能機構係為一射頻(RF)能量誘發器。 91. 如申請專利範圍第87項之光源，進一步包含： 該碎屑導向機構係包含一磁場。 92. 如申請專利範圍第88項之光源，進一步包含： 該碎屑導向機構係包含一磁場。 93. 如申請專利範圍第89項之光源，進一步包含： 該碎屑導向機構係包含一磁場。 65 1260842 94. 如申請專利範圍第90項之光源，進一步包含： 該光學元件係為一具有一位於該輸入通道内的焦 平面之第一聚焦光學裝置； 一第二聚焦光學裝置，其介於該第一聚焦光學裝 5 置與該電漿生成室之間； 一碎屑阻擋板，其包含一定位在該第一聚焦光學 裝置的焦平面上之開孔。 95. —種包含使用一控制系統之用於生成一雷射生成式電 漿(LPP)極端紫外線(EUV)光之方法，該控制系統包含 10 一用於輸送移動的電漿形成標靶之標靶輸送系統，及 一EUV光收集光學裝置，該EUV光收集光學裝置具有 一界定一所需要的電漿引發部位之焦點，該方法包含 下列步驟： 利用一標靶追蹤及回饋方法，其包含以下步驟： 15 藉由至少一成像部件，而提供一標靶物流執道的 一影像； 藉由一物流軌道誤差偵測器，偵測該標靶物流執 道相距一交會該所需要的電漿引發部位之所需要的物 流軌道在概括垂直於該標靶物流軌道之至少一轴線中 20 的位置之一誤差。 96. —種包含利用一收集器之用於生成一電漿生成式極端 紫外線(EUV)光源之方法，包含下列步驟： 提供一電漿形成室； 以呈現一具有一焦點之收集器形狀的形式將一殼 66 1260842 定位在該電漿形成室内； 利用一多層堆積體形成在面對該焦點之該殼的一 側上與該殼呈物理或熱性導通之一法向入射角反射器 或一掠射入射角反射器； 5 在該殼中包括一充分尺寸與熱質量以將操作熱量 攜離該多層反射器並在與該焦點相對之該殼的一側上 自該殼表面輻射熱量。 97. —種包含利用一驅動雷射生成一驅動雷射輸出脈衝束 及一驅動雷射輸出脈衝束導引系統及一具有一焦點的 10 EUV光收集器之用於生成雷射生成式（LPP)極端紫外 線(EUV)光之方法，包含下列步驟： 在介於該束導引系統與該收集器焦點之間聚焦該 束，利用一聚焦光學裝置將該輸出雷射脈衝聚焦至該 焦點附近之一選定位置。 15 98. —種電漿生成式極端紫外線(EUV)光源收集器，包含： 一電漿形成室； 一位於該電漿形成室内之殼，其呈現一具有一焦 點之收集器形狀的形式； 一多層堆積體，其形成在面對該焦點之該殼的一 20 側上與該殼呈物理或熱性導通之一法向入射角反射器 或一掠射入射角反射器； 一散熱器，其在與該焦點相對之該殼的側上與該 殼相鄰而與該殼呈輻射熱性導通。 99.如申請專利範圍第98項之光源收集器，進一步包含： 67 1260842 該殼包含一用於該多層堆積體之基材。 100. 如申請專利範圍第98項之光源收集器，進一步包含： 該殼具有一充分尺寸與熱質量以將操作熱量攜離 該多層反射器並在與該焦點相對之該殼的一側上自該 5 殼表面輻射熱量。 101. 如申請專利範圍第99項之光源收集器，進一步包含： 該殼具有一充分尺寸與熱質量以將操作熱量攜離 該多層反射器並在與該焦點相對之該殼的一側上自該 殼表面輻射熱量。 10 102.如申請專利範圍第98項之光源收集器，進一步包含： 一加熱元件，其介於該殼與該散熱器之間。 103. 如申請專利範圍第99項之光源收集器，進一步包含： 一加熱元件，其介於該殼與該散熱器之間。 104. 如申請專利範圍第100項之光源收集器，進一步包含： 15 一加熱元件，其介於該殼與該散熱器之間。 105. 如申請專利範圍第101項之光源收集器，進一步包含： 一加熱元件，其介於該殼與該散熱器之間。 106. 如申請專利範圍第102項之光源收集器，進一步包含： 該加熱元件包含一用於差異性加熱該殼之分區加 20 熱器。 107. 如申請專利範圍第103項之光源收集器，進一步包含： 該加熱元件包含一用於差異性加熱該殼之分區加 熱器。 108. 如申請專利範圍第104項之光源收集器，進一步包含： 68 1260842 該加熱元件包含一用於差異性加熱該殼之分區加 熱器。 109.如申請專利範圍第105項之光源收集器，進一步包含： 該加熱元件包含一用於差異性加熱該殼之分區加 5 熱器。
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