JP5777951B2 - Gicミラー及びスズ蒸気lppターゲットシステムを備える光源集光モジュール - Google Patents
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Description
上述のSOCOMOは、真空チャンバ、被温度制御格納容器および孔をさらに備えることが好ましい。ここで、真空チャンバは、チャンバ内部空間を有する。温度制御格納容器は、チャンバ内部空間内に配置されている。温度制御格納容器は、蒸気炉を収容する格納容器内部空間を有する。孔は、真空チャンバ及び被温度制御格納容器に形成される円錐孔である。孔は、第1端および第2端を有する。そして、孔は、第1端が隙間に隣接して配置されている。レーザ光線は、円錐孔を第2端から第1端に向かって通過し、隙間の蒸気Snに到達する。
上述のSOCOMOは、液体または固体のSnを含むSn供給源をさらに備えることが好ましい。ここで、Sn供給源は、蒸気炉に動作可能に接続され、液体または固体のSnを蒸気炉の内部空間に供給する。
上述のSOCOMOにおいて、蒸気炉は蒸気炉筐体をさらに備えることが好ましい。ここで、蒸気炉筐体は、蒸気炉の内部空間から隙間に蒸気が流入するように隙間に隣接して配置される開口を有する。
上述のSOCOMOは、第1端及び第2端を有する出力管をさらに備えることが好ましい。ここで、第1端は、Sn供給源の一端に動作可能に接続される。また、第2端は、開口に接続される。その結果、隙間が画定される。
上述のSOCOMOは、隙間に隣接する出力管に配置される加熱部をさらに備えることが好ましい。ここで、加熱部は、出力管におけるSn蒸気の凝縮を低減するように構成されている。
上述のSOCOMOは、蒸気炉に電気的に接続された電流源をさらに備えることが好ましい。電流源は、蒸気炉に電流を供給して蒸気炉を加熱し、液体Snまたは固体Snから蒸気Snを生成するように構成される。
上述のSOCOMOは、放射集光強化装置(RCED)をさらに備えることが好ましい。RCEDは、GICミラーの出射端と中間焦点との間に配置される。RCEDは、通常は中間焦点に向かわないEUVの一部を中間焦点に向けるように構成される。
上述のSOCOMOにおいて、RCEDは、入力端と、出力端と、入力端から出力端に向かう方向に向かうに従って狭くなるテーパ内面とを有することが好ましい。また、RCEDは、出力端が中間焦点に隣接して配置された状態で、SOCOMO軸に沿って軸方向に配置される。
上述のSOCOMOにおいて、GICミラーは、多層コーティングを含まない第1反射面を有することが好ましい。
上述のSOCOMOにおいて、GICミラーはRuコーティングを含むことが好ましい。
上述のSOCOMOにおいて、GICミラーは多層コーティングを含むことが好ましい。
上述のSOCOMOにおいて、GICミラーは、少なくとも一つの区画化GICシェルを有することが好ましい。区画化GICシェルは、多層コーティングを含まない第1反射面と、多層コーティングを含む第2反射面とを有する。
本発明の他の態様は、反射レチクルに光を照射する極端紫外光(EUV)リソグラフィシステムである。このEUVリソグラフィシステムは、上述の光源集光モジュールと、イルミネータとを備える。このイルミネータは、中間焦点に形成された集束EUVを受光して凝縮EUVを形成し、その凝縮EUVを反射レチクルに照射するように構成される。
上述のEUVリソグラフィシステムは、感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するためのEUVリソグラフィシステムであることが好ましい。このEUVリソグラフィシステムは、投影光学システムをさらに備えることが好ましい。この投影光学システムは、反射レチクルの下流に配置される。また、この投影光学システムは、反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するように構成される。
上述の方法は、GICミラーの出射端と中間焦点との間に放射集光強化装置(RCED)を配置することをさらに備えることが好ましい。また、上述の方法は、RCEDを使用して、通常は中間焦点に向かわないEUVの一部を中間焦点に向けることをさらに備えることが好ましい。
上述の方法は、真空チャンバ内に配置される蒸気炉において蒸気Snを生成することをさらに備えることが好ましい。ここで、Sn蒸気は、パルスレーザ光線がアクセス可能な隙間に供給される。
上述の方法は、多層コーティングを含まない第1反射面を有するGICミラーを設けることをさらに備えることが好ましい。
上述の方法は、Ruコーティングを有するGICミラーを設けることをさらに備えることが好ましい。
上述の方法は、多層コーティングを有するGICミラーを設けることをさらに備えることが好ましい。
上述の方法は、第1反射面と、多層コーティングを含む第2反射面とを有する少なくとも一つの区画化GICシェルを有するGICミラーを設けることをさらに備えることが好ましい。
上述の方法は、中間焦点においてEUVから凝縮EUVを形成し、凝縮EUVを反射レチクルに照射することをさらに備えることが好ましい。
上述の方法は、反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから投影光学システムを使用して感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成することをさらに備えることが好ましい。
上述のLPPターゲットシステムは、液体または固体のSnを含むSn供給源をさらに備えることが好ましい。Sn供給源は、蒸気炉に動作可能に接続され、液体または固体のSnを蒸気炉内部空間に供給する。
上述のLPPターゲットシステムは、電流源をさらに備えることが好ましい。電流源は、蒸気炉に電気的に接続される。電流源は、蒸気炉に電流を供給して蒸気炉を加熱し、液体Snまたは固体Snから蒸気Snを生成するように構成される。
LPP・GIC型SOCOMO100の一構成例では、多層コートが設けられていない「第1ミラー」が設けられている。即ち、EUV30が最初に入射する(最初に反射する)ミラーまたはミラー部が、多層コーティング18を有していない。LPP・GIC型SOCOMO100の他の構成例では、第1ミラーは、実質的に斜入射ミラーである。また、他の実施形態では、第1ミラーが多層コーティング18を有してもよい。
LPP・NIC型SOCOMO10とLPP・GIC型SOCOMO100とには、あるトレードオフの関係が成立する。例えば、LPP24からのEUV30の特定の集光角度に関しては、LPP・NIC型SOCOMO10は、LPP・GIC型SOCOMO100よりもコンパクトに設計することができる。
図7は、LPP・GIC型SOCOMO100用のGICミラーMGの一例の概略部分側面図である。一例として、光学設計上、図7のGICミラーMGは、実際には、図8に示されるように、光学軸A1周りに対称な円筒状の8つの入れ子状GICシェル250から構成されている。この例では、GICシェル250の数を最小化するために、3つの最内部GICシェル250は楕円形を有し、残りの5つの最外部GICシェル250は、楕円形かつ双曲線状の断面を有する軸外し二重反射設計に基づいている。なお、このようなGICミラーMGは、欧州特許出願公報第EP1901126A1(発明の名称:コレクタ光学システム)等に記載されており、当該公報は本出願に援用される。図7は、2つの最外部GICシェル250を図示している。当該最外部GICシェル250は、それぞれ、楕円形部250Eおよび双曲線部250Hを有する。また、図7には、光源焦点SF、仮想共通焦点CFおよび中間焦点IFに加えて、GICシェル250の楕円形部250Eおよび双曲線部250Hそれぞれの軸AEおよび軸AHが図示されている。仮想共通焦点CFと中間焦点IFとの間の距離は、ΔLである。仮想共通焦点CFは、光学軸A1から距離Δr分だけオフセットされている。光学軸A1周りに楕円形部250Eおよび双曲線部250Hの断面を1回転させることで、光学面全体が得られる。
図10は、本発明に係るEUVリソグラフィシステム(以下、リソグラフィシステムと称す)300の一例である。リソグラフィシステム300は、例えば、米国特許出願第US2004/0265712A1号、第US2005/0016679A1号、第US2005/0155624A1号に開示されており、当該出願は本出願に援用される。
Claims (26)
- 極端紫外光(EUV)リソグラフィシステムの光源集光モジュールであって、
パルスレーザ光線を生成するレーザ光源と、
光源集光モジュール軸に沿って配置され、前記パルスレーザ光線を受光して前記光源集光モジュール軸の第1方向に前記パルスレーザ光線を反射するように構成される折り返しミラーと、
内部空間を有する蒸気炉を備え、前記蒸気炉の内部空間の液体Snまたは固体Snを蒸気Snに変化させ、前記蒸気Snが前記パルスレーザ光線で照射される隙間に前記蒸気Snを供給するように構成され、前記第1方向とほぼ反対の第2方向にEUVを放射するレーザ生成プラズマ(LPP)を生成する蒸気Sn供給源と、
入射端および出射端を有し、前記入射端において前記EUVを受光し、前記出射端に隣接する中間焦点において、受光した前記EUVを集束するように配置される斜入射集光器(GIC)ミラーと
を備える、光源集光モジュール。 - チャンバ内部空間を有する真空チャンバと、
前記蒸気炉を収容する格納容器内部空間を有し、前記チャンバ内部空間内に配置される温度制御格納容器と、
前記真空チャンバ及び前記温度制御格納容器内に形成され、第1端および第2端を有し、前記第1端が前記隙間に隣接して配置される円錐孔をさらに備え、
前記レーザ光線は、前記第2端から前記円錐孔を通って前記第1端に向かって進行し、前記隙間の蒸気Snに到達する
請求項1に記載の光源集光モジュール。 - 液体または固体のSnを含むSn供給源をさらに備え、
前記Sn供給源は、前記蒸気炉に動作可能に接続され、前記液体または固体のSnを前記蒸気炉の内部空間に供給する
請求項1または2に記載の光源集光モジュール。 - 前記蒸気炉は蒸気炉筐体をさらに備えており、
前記蒸気炉筐体は、前記蒸気炉の内部空間から前記隙間に蒸気が流入するように前記隙間に隣接して配置される開口を有する
請求項3に記載の光源集光モジュール。 - 第1端および第2端を有する出力管をさらに備え、
前記第1端は、前記Sn供給源の一端に動作可能に接続され、
前記第2端は、前記開口に接続され、
その結果、前記隙間が画定される
請求項4に記載の光源集光モジュール。 - 前記隙間に隣接する前記出力管に配置され、前記出力管における前記蒸気Snの凝縮を低減させるように構成される加熱部をさらに備える
請求項5に記載の光源集光モジュール。 - 前記蒸気炉に電気的に接続され、前記蒸気炉に電流を供給して前記蒸気炉を加熱し、前記液体Snまたは固体Snから蒸気Snを生成するように構成される電流源をさらに備える
請求項1から6のいずれかに記載の光源集光モジュール。 - 前記GICミラーの出射端と前記中間焦点との間に配置され、通常は前記中間焦点に向かわない前記EUVの一部を前記中間焦点に向けるように構成される放射集光強化装置(RCED)をさらに備える
請求項1から7のいずれかに記載の光源集光モジュール。 - 前記RCEDは、入力端と、出力端と、前記入力端から前記出力端に向かう方向に向かうに従って狭くなるテーパ内面とを有し、
前記RCEDは、前記出力端が前記中間焦点に隣接して配置された状態で、前記光源集光モジュール軸に沿って軸方向に配置される
請求項8に記載の光源集光モジュール。 - 前記GICミラーは、多層コーティングを含まない第1反射面を有する
請求項1から9のいずれかに記載の光源集光モジュール。 - 前記GICミラーは、Ruコーティングを含む、
請求項1から9のいずれかに記載の光源集光モジュール。 - 前記GICミラーは、多層コーティングを含む、
請求項1から9のいずれかに記載の光源集光モジュール。 - 前記GICミラーは、少なくとも一つの区画化GICシェルを有し、
前記区画化GICシェルは、多層コーティングを含まない第1反射面と、多層コーティングを含む第2反射面とを有する
請求項1から9のいずれかに記載の光源集光モジュール。 - 反射レチクルに光を照射する極端紫外光(EUV)リソグラフィシステムであって、
請求項1から13のいずれかに記載の光源集光モジュールと、
前記中間焦点に形成された前記集束EUVを受光して凝縮EUVを形成し、前記凝縮EUVを前記反射レチクルに照射するように構成されるイルミネータと
を備える、EUVリソグラフィシステム。 - 前記EUVリソグラフィシステムは、感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するためのEUVリソグラフィシステムであり、
前記反射レチクルの下流に配置され、前記反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから前記感光性半導体ウエハ上に前記パターン像を形成するように構成される投影光学システムをさらに備える
請求項14に記載のEUVリソグラフィシステム。 - レーザ生成プラズマ(LPP)から極端紫外光(EUV)を集光する方法であって、
入射端および出射端を有する斜入射集光器(GIC)ミラーを軸方向に配置することと、
蒸気Snを供給するように構成されるLPPターゲットシステムを前記GICミラーの入射端に隣接して配置することと、
前記GICミラーの軸方向にパルスレーザ光線を照射し、前記パルスレーザ光を前記GICミラーの前記出射端から前記GICミラーを介して前記入射端まで通過させ、蒸気Snに到達させることにより、EUVを放射する前記LPPを形成することと、
前記GICミラーを使用して、前記LPPからのEUVの一部を前記GICミラーの入射端で集光し、集光した前記EUVを前記GICミラーの出射端から出射し、中間焦点に焦点スポットを形成することと、
前記GICミラーの前記出射端と前記中間焦点との間に放射集光強化装置(RCED)を配置することと、
前記RCEDを使用して、通常は前記中間焦点に向かわない前記EUVの一部を前記中間焦点に向けることと
を備える方法。 - レーザ生成プラズマ(LPP)から極端紫外光(EUV)を集光する方法であって、
入射端および出射端を有する斜入射集光器(GIC)ミラーを軸方向に配置することと、
蒸気Snを供給するように構成されるLPPターゲットシステムを前記GICミラーの入射端に隣接して配置することと、
前記GICミラーの軸方向にパルスレーザ光線を照射し、前記パルスレーザ光を前記GICミラーの前記出射端から前記GICミラーを介して前記入射端まで通過させ、蒸気Snに到達させることにより、EUVを放射する前記LPPを形成することと、
前記GICミラーを使用して、前記LPPからのEUVの一部を前記GICミラーの入射端で集光し、集光した前記EUVを前記GICミラーの出射端から出射し、中間焦点に焦点スポットを形成することと、
真空チャンバ内に配置される蒸気炉において蒸気Snを生成することと
を備え、
前記蒸気Snは、前記パルスレーザ光線がアクセス可能な隙間に供給される
方法。 - 多層コーティングを含まない第1反射面を有する前記GICミラーを設けることをさらに備える
請求項16または17に記載の方法。 - Ruコーティングを有する前記GICミラーを設けることをさらに備える
請求項16または17に記載の方法。 - 多層コーティングを有する前記GICミラーを設けること
をさらに備える、請求項16または17に記載の方法。 - 第1反射面と、前記多層コーティングを有する第2反射面とを有する少なくとも一つの区画化GICシェルを有する前記GICミラーを設けることをさらに備える
請求項16または17に記載の方法。 - 前記中間焦点においてEUVから凝縮EUVを形成し、前記凝縮EUVを反射レチクルに照射することをさらに備える
請求項16から21のいずれかに記載の方法。 - 前記反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから投影光学システムを使用して前記感光性半導体ウエハ上に前記パターン像を形成すること
をさらに備える、請求項22に記載の方法。 - パルスレーザ光線を生成するレーザ光源と、
チャンバ内部空間を有する真空チャンバと、
格納容器内部空間を有し、前記チャンバ内部空間内に配置される温度制御格納容器と、
前記格納容器内部空間内に配置され、開口を有するとともに蒸気炉内部空間を画定する筐体を有し、前記蒸気炉内部空間内の固体または液体のSnを蒸気Snに変化させるように構成される蒸気炉と、
前記真空チャンバと前記温度制御格納容器とに形成される孔と
を備え、
前記蒸気Snは、前記蒸気炉内部空間から前記開口を通過して、前記パルスレーザ光線がアクセス可能な隙間に流入し、
前記孔は、前記レーザ光線を通過させ、前記開口を介して前記隙間に流入する前記蒸気Snに前記レーザ光線を到達させるように構成される
レーザ生成プラズマ(LPP)ターゲットシステム。 - 液体または固体のSnを含むSn供給源をさらに備え、
前記Sn供給源は、前記蒸気炉に動作可能に接続され、液体または固体のSnを前記蒸気炉内部空間に供給する
請求項24に記載のLPPターゲットシステム。 - 前記蒸気炉に電気的に接続され、前記蒸気炉に電流を供給して前記蒸気炉を加熱し、前記液体Snまたは固体Snから前記蒸気Snを生成するように構成される電流源をさらに備える
請求項24または25に記載のLPPターゲットシステム。
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US9585236B2 (en) | 2013-05-03 | 2017-02-28 | Media Lario Srl | Sn vapor EUV LLP source system for EUV lithography |
DE102014006265B4 (de) | 2013-05-03 | 2017-08-24 | Media Lario S.R.L. | Sn-dampf-euv-llp-quellsystem für die euv-lithographie |
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US20060255298A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-11-16 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source with pre-pulse |
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