DE102011106249A1

DE102011106249A1 - Quellkollektormodul mit GIC-Spiegel und Zinndampf-LPP-Target-System

Info

Publication number: DE102011106249A1
Application number: DE102011106249A
Authority: DE
Inventors: Natale M. Ceglio; Richard Levesque; Giovanni Nocerino; Fabio Zocchi
Original assignee: Media Lario SRL
Current assignee: Media Lario SRL
Priority date: 2010-06-28
Filing date: 2011-06-27
Publication date: 2011-12-29
Also published as: NL2006994C2; US8686381B2; JP2012023036A; US20110318694A1; JP5777951B2; NL2006994A

Abstract

Ein Quellkollektormodul (SOCOMO) zum Erzeugen eines lasererzeugten Plasmas (LPP), das EUV-Strahlung emittiert, sowie einen Kollektorspiegel mit streifendem Einfall (grazing-incidence collector (GIC) mirror), angeordnet relativ zum LPP, und mit einem Eintrittsende und einem Austrittsende. Das LPP wiret, mit einem Lichtquellen-Abschnitt und einem Target-Abschnitt, wobei ein gepulster Laserstrahl vom Lichtquellen-Abschnitt Sn-Dampf von einer Sn-Dampfquelle des Target-Abschnitts bestrahlt. Der GIC-Spiegel wird relativ zum LPP angeordnet, um die EUV-Strahlung an dessen Eintrittsende aufzunehmen und die aufgenommene EUV-Strahlung am Zwischenfokus, angrenzend an das Austrittsende, zu fokussieren. Eine Strahlungskollektor-Verstärkungsvorrichtung kann verwendet werden, um den Anteil an EUV-Strahlung zu erhöhen, der dem Zwischenfokus bereitgestellt wird. Ein EUV-Lithographiesystem, das das SOCOMO verwendet, wird ebenfalls offenbart.

Description

GEBIET
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich allgemein auf Kollektoren mit streifendem Einfall (grazing-incidence collectors (GICs)) und insbesondere auf ein Quellkollektormodul zur Verwendung in einem Extremultraviolett-(EUV)-Lithographiesystem, das ein lasererzeugtes Plasma-(LPP)-Target-System einsetzt, das Zinn-(Sn)-Dampf verwendet, um EUV-Strahlung zu erzeugen.
HINTERGRUND-STAND DER TECHNIK
Lasererzeugte Plasmen (LPPs) werden beispielsweise durch Bestrahlung von Sn-Tröpfchen mit einem fokussierten Lichtstrahl gebildet. Weil LPPs im Extremultraviolett-(EUV)-Bereich des elektromagnetischen Spektrums strahlen, werden sie als vielversprechende EUV-Strahlungsquelle für EUV-Lithographie-Systeme angesehen.
1 ist ein schematisches Diagramm eines allgemeinen Aufbaus eines Quellkollektormoduls auf LPP-Basis aus dem Stand der Technik (source-collector module, ”SOCOMO”) 10, das einen Kollektorspiegel mit normalem Einfall (normal-incidence collector (”NIC”)) MN verwendet, während 2 eine spezifischere Beispielkonfiguration bzw. ein spezifischeres Ausführungsbeispiel des ”LPP-NIC”-SOCOMO 10 von 1 darstellt. Das LPP-NIC-SOCOMO 10 umfasst einen Hochleistungslaser 12, der einen Hochleistungslaserstrahl 13 mit hoher Wiederholungsrate mit einem Fokus F13 erzeugt. Das LPP-NIC-SOCOMO 10 umfasst ebenfalls entlang einer Achse A1 einen Faltspiegel FM (fold mirror) und einen großen (z. B. ~600 mm Durchmesser) ellipsoidalen NIC-Spiegel MN, der eine Fläche 16 mit einer mehrlagigen Beschichtung 18 bzw. Vielfachbeschichtung 18 umfasst. Die mehrlagige Beschichtung 18 ist wesentlich, um eine gute Reflektivität bei EUV-Wellenlängen sicherzustellen. Der LPP-NIC-SOCOMO 10 umfasst ebenfalls eine Sn-Quelle 20, die einen Strahl von Zinn-(Sn)-Pellets 22 emittiert, der durch den Laserstrahl-Fokus F13 hindurchtritt.
Im Betrieb des LPP-NIC-SOCOMO 10 bestrahlt der Laserstrahl 13 die Sn-Pellets 22 wenn die Sn-Pellets 22 durch den Laserstrahl-Fokus F13 treten, wodurch ein Hochleistungs-LPP 24 erzeugt wird. Das LPP 24 befindet sich typischerweise in der Größenordnung von Hunderten von Millimetern vom NIC-Spiegel MN und emittiert EUV-Strahlung 30 genauso wie energetische Sn-Ionen, Partikel, neutrale Atome und Infrarot-(IR)-Strahlung. Der Teil der EUV-Strahlung 30 der in Richtung des NIC-Spiegels MN gerichtet ist, wird vom NIC-Spiegel MN gesammelt und auf einen Zwischenfokus IF (intermediate focus) gerichtet (fokussiert) um einen fokalen Zwischenfleck FS (intermediate focal spot) zu bilden. Der Zwischenfokus (intermediate focus) IF ist bei oder in der Nähe einer Blende AS angeordnet. Nur dieser Teil der EUV-Strahlung 30, der durch die Blende AS tritt, bildet den fokalen Fleck (focal spot) FS. Es ist hier festzuhalten, dass der Fokusfleck (focus spot) FS kein infinitesimal kleiner Fleck ist, der exakt am Zwischenfokus IF angeordnet ist, sondern eher eine Verteilung der EUV-Strahlung 30, die im Allgemeinen am Zwischenfokus IF konzentriert ist.
Vorteile des LPP-NIC-SOCOMO 10 sind, dass das optische Design einfach ist (d. h. dieses verwendet einen einzelnen bzw. einzigen elliposidalen NIC-Spiegel) und die nominale Kollektoreffizienz kann hoch sein, weil der NIC-Spiegel MN ausgestaltet sein kann, um einen großen Winkelanteil der EUV-Strahlung 30, die vom LPP 24 emittiert wird, zu sammeln. Es ist bemerkenswert, dass die Verwendung des reflektiven NIC-Spiegels MN mit einmaliger Reflektion, angeordnet auf der entgegengesetzten Seite des LPP 24 vom Zwischenfokus IF, obwohl dieser geometrisch geeignet ist, erfordert, dass die Sn-Quelle 20 die EUV-Strahlung 30, die vom NIC-Spiegel MN zum Zwischenfokus IF befördert wird, nicht signifikant blockiert. Somit gibt es im Allgemeinen keine Abschattungen bzw. Verdunklung bzw. Verschleierung bzw. Obskurationen im LPP-NIC-SOCOMO 10, außer vielleicht durch die notwendige Apparatur, um den Strom der Sn-Pellets 22 zu erzeugen.
Das LPP-NIC-SOCOMO 10 arbeitet im Labor und in experimentellen Anordnungen gut, in denen die Haltbarkeit und Erneuerungskosten des LPP-NIC-SOCOMO 10 keine Hauptgesichtspunkte sind. Jedoch erfordert ein kommerziell realisierbares EUV-Lithographie-System ein SOCOMO mit einer langen Haltbarkeit. Unglücklicherweise machen es die Nähe der Fläche 16 des NIC-Spiegels MN zum LPP 24 und die mehrlagigen Beschichtungen 18 hierauf, kombiniert mit dem im Wesentlichen senkrechten Einfall des Lichts des Strahlungskollektorverfahrens, hochgradig unwahrscheinlich, dass die mehrlagige Beschichtung 18 für irgendeine vernünftige Zeitdauer unter typischen Halbleiterherstellungsbedingungen auf EUV-Basis unbeschädigt bleibt.
Ein weiterer Nachteil des LPP-NIC-SOCOMO 10 ist, dass dieses nicht in Verbindung mit einem Fremdkörper-Abschwächungsmittel, basierend auf einer Vielzahl von radialen Lamellen, durch die ein Gas strömt, um Ionen und neutrale Atome, die vom LPP 24 emittiert werden, vor dem Erreichen des NIC-Spiegels MN effektiv zu stoppen, eingesetzt werden kann. Dies ist der Fall, weil die radialen Lamellen auch die EUV-Strahlung 30 davon abhalten würden, vom NIC-Spiegel MN reflektiert zu werden.
Bei der mehrlagige Beschichtung 18 ist es ebenfalls wahrscheinlich, dass die Leistungsfähigkeit durch eine Anreicherung von Sn, welche die kritischen reflektiven Eigenschaften der mehrlagigen Beschichtung 18 ändert, reduziert wird. Auch die zuvor erwähnten energetischen Ionen, Atome und Partikel, erzeugt durch das LPP 24, bombardieren die mehrlagige Beschichtung 18 und zerstören die Schichtenfolge der obersten Schichten der mehrlagigen Beschichtung 18. Zusätzlich tragen die energetischen Ionen, Atome und Partikel die mehrlagige Beschichtung 18 ab, und die begleitende thermische Erwärmung durch die erzeugte IR-Strahlung kann dazu führen, die getrennten Schichten der mehrlagigen Beschichtung 18 zu mischen oder eine Diffusion zwischen diesen zu bewirken.
Während eine Vielzahl von Ideen vorgeschlagen wurden, die oben angegebenen Probleme mit dem LPP-NIC-SOCOMO 10 zu mildern, führen diese alle zu einer wesentlichen Erhöhung der Kosten und Komplexität für das Modul bis zu einem Punkt, an dem es zunehmend unrealistisch wird, dieses in ein kommerziell realisierbares EUV-Lithographiesystem einzubeziehen. Darüber hinaus ist die Sn-Tropfen-LPP-EUV-Lichtquelle ein komplexer und kostspieliger Teil des LPP-NIC-SOCOMO 10. Daher besteht ein Bedarf nach einem weniger kostspieligen, weniger komplexen, auch robusteren und im Allgemeinen besser kommerziell realisierbaren SOCOMO zur Verwendung in einem EUV-Lithographie-System, das eine einfachere und kosteneffektivere EUV-Strahlungsquelle auf LPP-Basis einsetzt bzw. verwendet.
ZUSAMMENFASSUNG
Die vorliegende Offenbarung richtet sich allgemein auf Kollektoren mit streifendem Einfall (grazing-incidence collectors) (GICs) und insbesondere auf GIC-Spiegel, die zum Bilden eines Quellkollektormoduls (SOCOMO) zur Verwendung in EUV-Lithographiesystemen verwendet werden, in dem das SOCOMO ein LPP-Target-System aufweist, das Sn-Dampf sowie einen Laser verwendet, um EUV-Strahlung zu erzeugen.
Ein Aspekt der Offenbarung ist ein SOCOMO für ein Extrem-EUV-Lithographiesystem. Das SOCOMO umfasst einen Laser, der einen gepulsten Laserstrahl erzeugt, sowie einen Faltspiegel, angeordnet entlang einer Quellkollektormodul-Achse und aufgebaut, um den gepulsten Laserstrahl aufzunehmen und den gepulsten Laserstrahl abwärts bzw. entlang der Quellkollektormodul-Achse in einer ersten Richtung zu reflektieren. Das SOCOMO umfasst ebenfalls eine Sn-Dampfquelle, umfassend einen Dampfofen bzw. Verdampfofen mit einem Inneren bzw. Innenraum, und aufgebaut, um flüssiges Sn oder festes Sn im Inneren des Dampfofens bzw. Verdampfofens zu Sn-Dampf umzuwandeln, und stellt den Sn-Dampf in einem Spalt bereit, in dem der Sn-Dampf durch den gepulsten Laserstrahl bestrahlt wird, wodurch ein LPP geschaffen wird, das EUV-Strahlung in einer zweiten Richtung erzeugt, die im Allgemeinen entgegengesetzt zur ersten Richtung liegt. Das SOCOMO umfasst ebenfalls einen GIC-Spiegel mit einem Eintrittsende und einem Austrittsende und ist angeordnet, um die EUV-Strahlung am Eintrittsende aufzunehmen und die aufgenommene EUV-Strahlung am Zwischenfokus, angrenzend an das Austrittsende, zu fokussieren.
Das SOCOMO umfasst bevorzugt weiterhin eine Vakuumkammer, einen temperaturkontrollierten Behälter und eine Blende. Die Vakuumkammer weist ein Kammerinneres bzw. einen Kammerinnenraum auf. Der temperaturkontrollierte Behälter ist im Kammerinneren angeordnet. Der temperaturkontrollierte Behälter weist ein Behälterinneres bzw einen Behälterinnenraum auf, das den Dampfofen bzw. Verdampfofen enthält. Die Blende ist in der Vakuumkammer und dem temperaturkontrollierten Behälter gebildet. Die Blende weist erste und zweite Enden auf, wobei das erste Ende angrenzend an den Spalt angeordnet ist. Und der Laserstrahl bewegt sich durch die konische Blende vom zweiten Ende zum ersten Ende und zum Sn-Dampf im Spalt.
Das SOCOMO umfasst bevorzugt weiterhin eine Sn-Quelle, die Sn in flüssiger oder fester Form enthält. Die Sn-Quelle ist funktionsfähig mit dem Dampfofen bzw. Verdampfofen gekoppelt, um flüssiges oder festes Sn an das Innere bzw. den Innenraum des Dampfofens bzw. Verdampfofens bereitszustellen.
Im SOCOMO umfasst der Dampfofen bzw. Verdampfofen bevorzugt weiterhin ein Dampfofen- bzw. Verdampfofengehäuse mit einer Öffnung, angeordnet angrenzend an den Spalt, um dem Dampf zu erlauben, vom Inneren bzw. Innenraum des Dampfofens bzw. Verdampfofens in den Spalt zu strömen.
Das SOCOMO umfasst weiterhin bevorzugt eine Austrittsleitung mit ersten und zweiten Enden, wobei das erste Ende funktionsfähig mit einem Ende der Sn-Quelle verbunden ist. Das zweite Ende ist an die Öffnung angekoppelt, wodurch der Spalt definiert wird.
Das SOCOMO umfasst bevorzugt weiterhin ein Heizelement, angeordnet in der Austrittsleitung, angrenzend an den Spalt. Das Heizelement ist aufgebaut, um die Kondensation des Sn-Dampfes in der Austrittsleitung zu reduzieren.
Das SOCOMO umfasst bevorzugt weiterhin eine Stromquelle, die mit dem Dampfofen bzw. Verdampfofen elektrisch verbunden ist und aufgebaut ist, um elektrischen Strom an den Dampfofen bzw. Verdampfofen bereitzustellen, um den Dampfofen bzw. Verdampfofen zu erhitzen, um den Sn-Dampf aus der Sn-Flüssigkeit oder dem Sn-Feststoff zu bilden.
Das SOCOMO umfasst bevorzugt weiterhin eine Strahlungskollektor-Verstärkungsvorrichtung (RCED), angeordnet zwischen dem Austrittsende des GIC-Spiegels und dem Zwischenfokus. Die RCED ist aufgebaut, um einen Teil der EUV-Strahlung zum Zwischenfokus zu lenken bzw. zu richten, die ansonsten nicht zum Zwischenfokus gelenkt bzw. gerichtet werden würde.
Im SOCOMO weist die RCED bevorzugt ein Eintrittsende, ein Austrittsende und eine sich verjüngende innere Fläche auf, die sich in Richtung vom Eintrittsende zum Austrittsende verengt. Die RCED ist axial angeordnet entlang der Achse des SOCOMO mit ihrem Austrittsende angrenzend angeordnet an den Zwischenfokus.
Im SOCOMO liefert der GIC-Spiegel bevorzugt eine erste reflektierende Fläche, die keine mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung aufweist.
Im SOCOMO umfasst der GIC-Spiegel bevorzugt eine Ru-Beschichtung.
Im SOCOMO umfasst der GIC-Spiegel bevorzugt eine mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung.
Im SOCOMO umfasst der GIC-Spiegel bevorzugt mindestens eine segmentierte GIC-Hülle bzw. -Schale mit einer ersten reflektierenden Fläche ohne mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung, sowie eine zweite reflektierende Fläche mit einer mehrlagigen Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung.
Ein weiterer Aspekt der Offenbarung ist ein Extrem-Ultraviolett-(EUV)-Lithographiesystem zur Beleuchtung eines reflektiven Retikels. Das EUV-Lithographiesystem umfasst das zuvor erwähnte Quellkollektormodul und ein Beleuchtungsgerät. Das Beleuchtungsgerät ist aufgebaut, um die fokussierte EUV-Strahlung, gebildet am Zwischenfokus, aufzunehmen und verdichtete EUV-Strahlung zur Beleuchtung des reflektiven Retikels zu bilden.
Das EUV-Lithographiesystem ist bevorzugt zum Bilden eines gemusterten Bildes auf einem photosensitiven Halbleiterwafer. Das EUV-Lithographiesystem umfasst bevorzugt weiterhin ein optisches Projektionssystem. Das optische Projektionssystem ist stromabwärts des reflektiven Retikels angeordnet und aufgebaut, um reflektierte EUV-Strahlung vom reflektiven Retikel aufzunehmen und hieraus das gemusterte Bild auf dem photosensitiven Halbleiterwafer zu bilden.
Ein weiterer Aspekt der Offenbarung ist ein Verfahren zum Sammeln von EUV-Strahlung von einem LPP. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines GIC-Spiegels entlang einer Achse, wobei der GIC-Spiegel Eintritts- und Austrittsenden aufweist. Das Verfahren umfasst ebenfalls das Anordnen eines LPP-Target-Systems, angrenzend an das Eintrittsende des GIC-Spiegels, aufgebaut, um Sn-Dampf bereitzustellen. Das Verfahren umfasst weiterhin das Senden eines gepulsten Laserstrahls abwärts der Achse des GIC-Spiegels und durch den GIC vom Austrittsende zum Eintrittsende und zum Sn-Dampf, wodurch das LPP gebildet wird, das die EUV-Strahlung emittiert. Das Verfahren umfasst ebenfalls das Sammeln eines Teils der EUV-Strahlung vom LPP mit dem GIC-Spiegel am Eintrittsende des GIC-Spiegels und Richten der gesammelten EUV-Strahlung aus dem Austrittsende des GIC-Spiegels, um einen Fokusfleck am Zwischenfokus zu bilden.
Das Verfahren umfasst bevorzugt weiterhin das Bereitstellen einer Strahlungskollektor-Verstärkungsvorrichtung (RCED), angeordnet zwischen dem Austrittsende des GIC-Spiegels und dem Zwischenfokus. Das Verfahren umfasst ebenfalls bevorzugt weiterhin das Leiten bzw. Lenken eines Teils der EUV-Strahlung, die ansonsten nicht zum Zwischenfokus gelenkt bzw. geleitet werden würde, durch die RCED zum Zwischenfokus.
Das Verfahren umfasst bevorzugt weiterhin das Erzeugen des Sn-Dampfs in einem Dampfofen bzw. Verdampfofen, angeordnet innerhalb einer Vakuumkammer. Der Sn-Dampf wird einem Spalt bereitgestellt, der für den gepulsten Laserstrahl zugänglich ist.
Das Verfahren umfasst bevorzugt weiterhin das Bereitstellen eines GIC-Spiegels mit einer ersten reflektierenden Fläche, die keine mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung aufweist.
Das Verfahren umfasst bevorzugt weiterhin das Bereitstellen des GIC-Spiegels mit einer Ru-Beschichtung.
Das Verfahren umfasst bevorzugt weiterhin das Bereitstellen des GIC-Spiegels mit einer mehrlagigen Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung.
Das Verfahren umfasst bevorzugt weiterhin das Bereitstellen eines GIC-Spiegels mit mindestens einer segmentierten GIC-Hülle bzw. Schale, die eine erste reflektierende Fläche umfasst sowie eine zweite reflektierende Fläche, wobei die zweite reflektierende Fläche eine mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung aufweist.
Das Verfahren umfasst bevorzugt weiterhin das Bilden verdichteter EUV-Strahlung am Zwischenfokus aus der EUV-Strahlung zur Beleuchtung eines reflektiven Retikels.
Das Verfahren umfasst bevorzugt weiterhin das Aufnehmen reflektierter EUV-Strahlung vom reflektiven Retikel und hieraus Bilden des gemusterten Bildes auf dem photosensitiven Halbleiterwafer unter Verwendung eines optischen Projektionssystems.
Ein weiterer Aspekt der Offenbarung ist ein LPP-Target-System. Das System umfasst einen Laser, der einen gepulsten Laserstrahl erzeugt, sowie eine Vakuumkammer mit einem Kammerinneren. Das System umfasst ebenfalls einen temperaturkontrollierten Behälter, angeordnet im Kammerinneren. Der temperaturkontrollierte Behälter weist ein Behälterinneres bzw. einen Behälterinnenraum auf. Ein Dampfofen bzw. Verdampfofen ist im Behälterinneren angeordnet und weist ein Gehäuse auf, das eine Öffnung aufweist und ein Dampfofeninneres definiert. Der Dampfofen bzw. Verdampfofen ist aufgebaut, um festes oder flüssiges Sn im Dampfofeninneren zu Sn-Dampf umzuwandeln. Dieser Sn-Dampf strömt aus dem Dampfofeninneren durch die Öffnung und in einen Spalt, der für den gepulsten Laserstrahl zugänglich ist. Das System umfasst ebenfalls eine Apertur, gebildet in der Vakuumkammer und dem temperaturkontrollierten Behälter. Die Apertur ist so aufgebaut, dass der Laserstrahl durch die Apertur treten kann und zum Sn-Dampf, der durch die Öffnung und in den Spalt tritt, wodurch das LPP erzeugt wird.
Das LPP-Targetsystem umfasst bevorzugt weiterhin eine Sn-Quelle, die Sn in flüssiger oder fester Form enthält. Die Sn-Quelle ist funktionsfähig mit dem Dampfofen bzw. Verdampfofen verbunden, um dem Dampfofen- bzw. Verdampfofeninneren flüssiges oder festes Sn bereitzustellen.
Das LPP-Targetsystem umfasst bevorzugt weiterhin eine Stromquelle, die mit dem Dampfofen bzw. Verdampfofen elektrisch verbunden ist und aufgebaut ist, um elektrischen Strom an den Dampfofen bzw. Verdampfofen bereitzustellen, um den Dampfofen bzw. Verdampfofen zu erhitzen, um den Sn-Dampf aus der Sn-Flüssigkeit oder dem Sn-Feststoff zu bilden.
Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Offenbarung werden in der nachfolgenden detaillierten Beschreibung dargestellt und teilweise dem Fachmann im Stand der Technik aus der Beschreibung ohne Weiteres ersichtlich oder durch Umsetzung der Offenbarung, wie hier beschrieben, in die Praxis erkannt werden, einschließlich der detaillierten Beschreibung, die folgt, der Ansprüche genauso wie der beigefügten Zeichnungen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN:
1 ist ein schematisches Diagramm eines verallgemeinerten beispielhaften LPP-NIC-SOCOMO aus dem Stand der Technik;
2 ist ein schematisches Diagramm eines speziellen Beispiels eines LPP-NIC-SOCOMO aus dem Stand der Technik gemäß 1;
3A ist ein verallgemeinertes schematisches Diagramm eines beispielhaften SOCOMO auf GIC-Basis für eine LPP-Quelle (”LPP-GIC-SOCOMO”), wobei das LPP und der Zwischenfokus auf entgegengesetzten Seiten des GIC-Spiegels liegen;
3B ist ähnlich zu 3A, wobei das LPP-GIC-SOCOMO zusätzlich eine optionale Strahlungskollektor-Verstärkungsvorrichtung (radiation collection enhancement device) (RCED), angeordnet zwischen dem GIC-Spiegel und dem Zwischenfokus, enthält;
4 ist ein schematisches Diagramm eines beispielhaften LPP-GIC-SOCOMO, basierend auf dem verallgemeinerten Aufbau von 3B, und zeigt den Lichtquellen-Abschnitt und den Target-Abschnitt des LPP-Target-Systems;
5 ist eine detaillierte schematische Ausschnittsseitenansicht des Target-Abschnitts des LPP-Target-Systems von 4;
6 ist ein Querschnittsdiagramm eines beispielhaften GIC-Spiegels mit zwei Abschnitten mit jeweils ersten und zweiten Flächen, die erste und zweite Reflektionen der EUV-Strahlung bereitstellen;
7 ist ein schematisches Querschnittsdiagramm eines Teils eines beispielhaften GIC-Spiegels und zeigt zwei der GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen mit zwei Abschnitten, verwendet im äußeren Teil des GIC-Spiegels;
8 ist ein schematisches Querschnittsdiagramm eines Teils des GIC-Spiegels von 7 und zeigt alle 8 GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen und das LPP;
9A ist eine Darstellung der normalisierten Position im fernen Feld gegenüber der Intensität (willkürliche Einheiten) für den Fall, dass die GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen keine polynomiale Oberflächenkorrektur umfassen, um die Gleichförmigkeit des Bildes im fernen Feld zu verbessern;
9B ist dieselbe Darstellung wie 9A aber mit polynomialer Oberflächenkorrektur, die die Gleichförmigkeit des Bildes im fernen Feld verbessert; und
10 ist ein schematisches Diagramm eines EUV-Lithographiesystems, das den LPP-GIC-SOCOMO der vorliegenden Offenbarung verwendet.
Die verschiedenen in der Zeichnung dargestellten Elemente sind nur zur Veranschaulichung und nicht notwendigerweise im Maßstab gezeichnet. Bestimmte Abschnitte hiervon können übertrieben sein, während andere minimiert sein können. Die Zeichnung soll eine beispielhafte Ausführungsform der Offenbarung veranschaulichen, die vom Fachmann im Stand der Technik verstanden und in geeigneter Weise durchgeführt werden kann.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Die vorliegende Offenbarung richtet sich allgemein auf GICs und insbesondere auf GIC-Spiegel, verwendet um ein Quellkollektormodul (SOCOMO) zur Verwendung in EUV-Lithographiesystemen, die eine EUV-Lichtquelle auf LPP-Basis aufweisen, zu bilden.
3A und 3B sind verallgemeinerte schematische Diagramme von beispielhaften LPP-GIC-SOCOMOs (”SOCOMOs”) 100, wobei das LPP 24 und der Zwischenfokus IF auf entgegengesetzten Seiten eines GIC-Spiegels MG liegen. Der GIC-Spiegel MG weist ein Eintrittsende 3 und ein Austrittsende 5 auf. Ein LPP-Target-System 40, das ein LPP 24 erzeugt, ist ebenfalls gezeigt und ein Beispiel des LPP-Target-Systems 40 wird nachfolgend genauer erläutert. In 3B umfasst das LPP-GIC-SOCOMO 100 weiterhin eine optionale Strahlungskollektor-Verstärkungsvorrichtung (RCED) 110, wie beschrieben in der U.S. Provisional Patentanmeldung Serien-Nr. 61/341,806 mit dem Titel ”EUV Kollektorsystem mit verbesserter EUV-Strahlungssammlung” (”EUV collector system with enhanced EUV radiation collection”), wobei die Anmeldung hier durch Bezugnahme einbezogen wird. Die RCED 110 ist entlang der Achse A1 angeordnet, unmittelbar angrenzend an den Zwischenfokus IF und die Blende AS auf der Seite des GIC-Spiegels MG, und ist aufgebaut, um den Anteil an EUV-Strahlung 30 zu erhöhen, der durch die Blende zum Zwischenfokus IF tritt, um den Fokusfleck FS zu bilden. Dies wird durch den schrägen bzw. schräg verlaufenden EUV-Strahl 30S veranschaulicht, der durch die RCED 110 durch die Blende AS umgelenkt wird, um den Fokusfleck FS zu bilden.
4 ist ein schematisches Diagramm eines beispielhaften LPP-GIC-SOCOMO 100, basierend auf dem allgemeinen Aufbau von 3B. Das LPP-GIC-SOCOMO 100 von 4 verwendet ein LPP-Target-System 40, das einen Lichtquellen-Abschnitt 41 und einen Target-Abschnitt 42 umfasst. Der Lichtquellen-Abschnitt 41 umfasst einen Laser 12, der einen Laserstrahl 13 entlang einer Achse A2 erzeugt, die senkrecht zur optischen Achse A1 verläuft. Der Lichtquellen-Abschnitt 41 umfasst ebenfalls einen Faltspiegel FM, angeordnet entlang der optischen Achse A1 am Schnittpunkt der Achsen A1 und A2, wobei der Schnittpunkt zwischen dem GIC-Spiegel MG und dem Zwischenfokus IF liegt (z. B. zwischen dem GIC-Spiegel MG und der RCED 110). Dies ermöglicht einen Aufbau, bei dem ein GIC-Spiegel MG mit Multihülle bzw. -schale bzw. Vielfachhülle (gezeigt in 4 mit zwei GIC-Hüllen bzw. -Schalen M1 und M2 als Beispiel) entlang der optischen Achse A1 zwischen dem LPP 24 und dem Zwischenfokus IF angeordnet ist. Eine Linse 17, angrenzend an den Laser 12, unterstützt die Fokussierung des Laserstrahls 13 zu einem Fokus F13 am Target-Abschnitt 42, um das LPP 24 zu bilden, wie nachfolgend in näheren Einzelheiten erläutert wird. In einer beispielhaften Ausführungsform umfassen die GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen M1 und M2 Ru-Beschichtungen (nicht gezeigt) auf ihren jeweiligen reflektiven Flächen, wobei die Beschichtungen relativ stabil sind und eine bestimmte Menge an Sn-Beschichtung vom LPP 24 vertragen bzw. tolerieren.
Der Target-Abschnitt 42 wird mit dem Laserstrahl 13 bestrahlt, der durch den GIC-Spiegel MG in der –X-Richtung entlang der optischen Achse A1 tritt, wodurch EUV-Strahlung 30 erzeugt wird, die im Allgemeinen in der +X-Richtung emittiert wird. Die axiale Abschattung bzw. Verdunklung bzw. Verschleierung bzw. Obskuration durch den Faltspiegel FM ist minimal. Somit tritt der Laserstrahl 13 in eine Richtung (d. h. der –X-Richtung) durch den GIC-Spiegel MG, im Allgemeinen entlang der Achse A1, und die EUV-Strahlung 30 tritt im Allgemeinen in der entgegengesetzten Richtung, (d. h. der +X-Richtung), durch den GIC-Spiegel MG, die RCED 110 und zum Zwischenfokus IF.
5 ist eine detaillierte schematische Seitenansicht eines Target-Abschnitts 42, der eine Sn-Dampfquelle bildet. Der Target-Abschnitt 42 umfasst eine Vakuumkammer 120 mit einem Inneren 122. Ein Vakuumsystem 126 ist pneumatisch mit dem Inneren bzw. Innenraum 122 der Vakuumkammer 120 gekoppelt und kann benutzt werden, um ein Vakuum darin aufzubauen. Angeordnet im Inneren bzw. Innenraum 122 ist ein Behälter 130 mit einem Inneren bzw. Innenraum 132, das durch die Behälterwände 134 definiert wird. Eine oder mehrere Kühlleitungen 140 sind in thermischem Kontakt mit den Behälterwänden 134 und sind mit einer Kühlflüssigkeitsquelle 144 verbunden, um den Behälter 130 über den Fluss einer Kühlflüssigkeit 145 zu kühlen. Dieses Kühlen liefert ein temperaturkontrolliertes Inneres bzw. einen temperaturkontrollierten Innenraum 132 des Behälters 130 und schirmt somit die Vakuumkammer 120 vor der thermischen Strahlung, erzeugt durch den Dampfofen bzw. Verdampfofen 150, ab.
Der Target-Abschnitt 42 umfasst einen Dampfofen bzw. Verdampfofen 150, enthalten im Inneren bzw. Innenraum 132 des Behälters 130 und aufgebaut, um festes oder flüssiges Sn 156 in Sn-Dampf 156V umzuwandeln. Der Dampfofen bzw. Verdampfofen 150 ist funktionsbereit mit einer Stromquelle 160 über Stromleitungen 162 verbunden. Die Stromquelle 160 ist bevorzugt außerhalb der Vakuumkammer 120 und die Stromleitungen 162 führen in die Vakuumkammer 120 und den Behälter 130 durch Durchführungen 164.
Der Dampfofen 150 weist ein Gehäuse 151 auf, das ein Inneres 152 definiert und das eine Öffnung 153 aufweist. Das Gehäuse 151 ist aufgebaut, um im Inneren 152 festes oder flüssiges Sn 156 aufzunehmen und zu enthalten, das in einem Beispiel dem Inneren bzw. Innenraum 152 des Dampfofens bzw. Verdampfofens 150 von einer Sn-Quelle 170, z. B. über eine Eintrittsleitung 172, bereitgestellt wird. Das feste oder flüssige Sn 156 kann beispielsweise in Form von Pellets bereitgestellt werden. Ein beispielhafter Dampfofen bzw. Verdampfofen 150 ist eine Verdampfungsquelle, wie erhältlich von R. D. Mathis Company, Long Beach, CA. Eine Austrittskollektorleitung (z. B. ein Kamin) 174 weist ein Ende auf, das an das Innere bzw. den Innenraum 152 des Dampfofens bzw. Verdampfofens 150 bei oder angrenzend an die Öffnung 153 ankoppelt. In einem Beispiel ist die Kollektoraustrittsleitung 174 an einem Ende mit der Sn-Quelle 170 verbunden, während in einem anderen Beispiel diese einfach an ihrem entfernten Ende, wie gezeigt, abgeschlossen ist. In einem Beispiel wird ein Heizelement 175 in der Kollektoraustrittsleitung 174 bei oder nahe, wo die Kollektoraustrittsleitung an den Dampfofen 150 ankoppelt, bereitgestellt. Das Heizelement 175 ist elektrisch mit der Stromquelle 160 verbunden. Eine Apertur oder ein Spalt (hier nachfolgend Spalt) 180 wird durch ein Ende der Kollektoraustrittsleitung 174 und das Gehäuse 151 des Dampfofens bzw. Verdampfofens 150 an der Öffnung 153 aus den nachfolgend beschriebenen Gründen definiert. Beispielsweise kann ein Spalt 180 zwischen dem Dampfofen bzw. Verdampfofen 150 und der Kollektoraustrittsleitung 174 gebildet werden, indem das Ende der Kollektoraustrittsleitung 174 und die Öffnung 153 des Dampfofens bzw. Verdampfofens 150 nicht verbunden werden. In einem anderen Beispiel wird die Kollektoraustrittsleitung 174 mit der Öffnung 153 verbunden, aber die Kollektoraustrittsleitung 174 an sich weist einen Spalt (z. B. eine Apertur) 180 auf, die dort gebildet ist.
Eine Apertur 190 ist in der Vakuumkammer 120 und dem Behälter 130 gebildet. In einem Beispiel weist die Apertur 190 eine konische Form mit einem engen Ende 192 und einem weiten Ende 194 auf, wobei das enge Ende am Spalt 180 liegt. In einem Beispiel umfasst das weite Ende 194 einen Flansch (nicht gezeigt), um mit einer angrenzenden Vakuumkammer (nicht gezeigt) zu verbinden, die mit den anderen Komponenten des LPP-GIC-SOCOMO 100 in Verbindung steht.
In einem Beispiel wird mindestens ein Temperatursensor TS in der Vakuumkammer 120 bereitgestellt, um die Temperatur innerhalb des Inneren bzw. Innenraums 122 der Vakuumkammer 120 zu überwachen.
Der Target-Abschnitt 42 umfasst ein Kontrollgerät 200, das betriebsbereit mit dem Vakuumsystem 126, der Kühlflüssigkeitsquelle 144, der Stromquelle 160, der Sn-Quelle 170, dem Temperatursensor TS und dem Laser 12 des Lichtquellen-Abschnitts 41 des LPP-Target-Systems 40 (siehe 4) verbunden ist. Ein beispielhaftes Kontrollgerät 200 umfasst einen Personal-Computer, der Instruktionen (Software) in einem computerlesbaren Medium (Speicher) speichern kann, damit der Computer (über einen Prozessor darin) die Instruktionen durchführen kann, um das LPP-Target-System 40 zu betreiben, um das LPP 24 zu erzeugen.
Mit Bezug auf 4 und 5 sendet das Kontrollgerät 200 beim Betrieb des LPP-Target-Systems 40 ein Signal Sg0 zum Vakuumsystem 126, was bewirkt, dass das Vakuumsystem 126 im Inneren bzw. Innenraum 122 der Vakuumkammer 120 ein Vakuum erzeugt. Hier wird angenommen, dass die Vakuumkammer 120 mit einer größeren Vakuumkammer (nicht gezeigt) verbunden ist oder ein Teil hiervor darstellt, die den LPP-GIC-SOCOMO 100 enthält. Das Kontrollgerät 200 sendet ebenfalls ein Signal Sg1 zur Stromquelle 160, die in Reaktion hierauf für den Dampfofen bzw. Verdampfofen 150 über die Stromleitungen 162 Strom bereitstellt. Das Kontrollgerät 200 sendet ebenfalls ein Signal S2 zur Sn-Quelle 170, um zu bewirken, dass die Sn-Quelle 170 festes oder flüssiges Sn 156 zum Inneren bzw. Innenraum 152 des Dampfofens bzw. Verdampfofens 150 über die Eintrittsleitung 172 bereitstellt. Das Kontrollgerät 200 sendet weiterhin ein Signal Sg3 zur Kühlflüssigkeitsquelle 144, um das Fließen von Kühlflüssigkeit 145 durch die eine oder mehreren Kühlleitungen 140 zu beginnen bzw. zu initiieren. Das Kontrollgerät 200 sendet zusätzlich ein Signal Sg4 zum Laser 12, um die Bildung des Laserstrahls 13 zu beginnen bzw. zu initiieren. Das Kontrollgerät 200 empfängt auch ein Temperatursignal Sg5 vom Temperatursensor TS, das Temperaturinformationen für das Innere bzw. den Innenraum 122 der Vakuumkammer 120 enthält. Diese Temperaturinformationen werden in einer Ausführungsform verwendet, um den Betrieb der Kühlflüssigkeitsquelle 144 zu kontrollieren, um die Temperatur des Behälters 130 zu kontrollieren bzw. zu steuern.
Wenn festes oder flüssiges Sn 156 im Inneren bzw. Innenraum 152 des Dampfofens bzw. Verdampfofens 150 ankommt, verdampft dieses durch die Joulewärme bzw. ohmsche Wärme des Gehäuses 151 durch den hohen elektrischen Strom, bereitgestellt durch die Stromquelle 160, wodurch Sn-Dampf 156V gebildet wird. Somit stellt das Gehäuse 151 in einem Beispiel einen hohen elektrischen Widerstand dar, der darin resultiert, dass das Gehäuse 151 durch den Strom von der Stromquelle 160 erhitzt wird. In einem weiteren Beispiel wird ein Heizelement (nicht gezeigt) im Gehäuse 151 verwendet, um das feste oder flüssige Sn 156 zu erhitzen, um Sn-Dampf 156V zu bilden. Der Sn-Dampf 156V strömt dann aus dem Inneren bzw. Innenraum 152 des Dampfofens bzw. Verdampfofens 150 durch die Öffnung 153 und in den Spalt 180. Der Laserstrahl 13 wird am Spalt 180 fokussiert, so dass der Sn-Dampf 156V im Spalt 180 durch den fokussierten Laserstrahl 13 bestrahlt wird und das LPP 24 bildet (als Phantombild gezeigt), welches EUV-Strahlung 30 im Allgemeinen in der +X-Richtung emittiert.
Der kontinuierliche Strom an Sn-Dampf 156V in den Spalt 180 ermöglicht hohe Wiederholungsraten und lange Laufzeiten für das LPP 24. Eine kleine Menge an Sn-Dampf 156V schafft es bis zur Kallektoraustrittsleitung 174 und wird durch die Wirkung des Heizgerätes 175 in den Spalt 180 umgelenkt, während ein kleiner Teil an Sn-Dampf 156V aus dem Spalt 180 austritt und aus der konischen Apertur 190 herausströmt. Jedoch ist die Menge an Sn-Debris bzw. Fremdkörpern, die abgeschwächt werden muss, minimal, weil das Sn in gasförmiger Form anstatt in fester Form bereitgestellt wird.
In einem Beispiel sendet das Kontrollgerät 200 ebenfalls ein Kontrollsignal Sg6 an die Stromquelle 160, die in Reaktion hierauf Strom an das Element 175 in der Kollektoraustrittsleitung 174 sendet, wodurch bewirkt wird, dass das Heizelement 175 Wärme erzeugt. Diese Wärme dient dazu, die Dichte des Sn-Dampfes 156V im Spalt 180 relativ hoch zu halten, indem jedes kondensierte Sn, das sich auf den Innenwänden der Kallektoraustrittsleitung 174 bildet, erneut verdampft wird und im Allgemeinen den Sn-Dampf 156V in den Spalt 180 zurück treibt. Wie oben erläutert, ermöglicht das Temperatursignal Sg5 vom Temperatursensor TS an das Kontrollgerät 200 dem Kontrollgerät 200, die Temperatur des Inneren bzw. Innenraums 122 der Vakuumkammer 120 und Behälters 130 über den Betrieb des Kühlsystems (Kühlleitungen 140, Kühlflüssigkeitsquelle 144 und Kühlflüssigkeit 145) zu kontrollieren bzw. zu steuern. Dies andererseits ermöglicht, dass der Druck des Sn-Dampfes 156V im Spalt 180 eingestellt wird, um die Menge an Sn, die im LPP 24 zu EUV-Strahlung 30 umgewandelt wird, zu kontrollieren bzw. zu steuern.
SOCOMO mit keiner ersten Spiegelmehrfachschicht
Ein beispielhafter Aufbau des LPP-GIG-SOCOMO 100 weist keinen mehrlagig beschichteten ”ersten Spiegel” auf, d. h. der Spiegel oder der Spiegel-Abschnitt, auf den die EUV-Strahlung 30 zuerst auftrifft (d. h. zuerst reflektiert wird), weist keine mehrlagige Beschichtung 18 auf. In einem weiteren beispielhaften Aufbau des LPP-GIC-SOCOMO 100 ist der erste Spiegel im Wesentlichen ein Spiegel mit streifendem Einfall (grazing-incidence mirror). In anderen Ausführungsformen kann der erste Spiegel eine mehrlagige Beschichtung 18 aufweisen.
Ein Hauptvorteil des LPP-GIC-SOCOMO 100 ist, dass dessen Leistungsfähigkeit nicht vom Fortbestand einer mehrfachbeschichteten reflektiven Fläche abhängt. Beispielhafte Ausführungsformen des GIC-Spiegels MG weisen zumindest eine segmentierte GIC-Spiegelhülle bzw. -schale auf, wie die Spiegelhülle bzw. -schale M1, wie in 6 gezeigt. Die GIC-Spiegelhülle bzw. -schale M1 ist so gezeigt, dass sie ein Doppelspiegelsegment M1A und M1B mit jeweils ersten und zweiten Flächen Sf1 und Sf2 aufweist. Die erste Fläche Sf1 liefert die erste Reflektion (und ist damit der ”erste Spiegel”) und die zweite Fläche Sf2 liefert eine zweite Reflektion, die nicht in der Sichtlinie zum LPP 24 liegt. In einer beispielhaften Ausführungsform trägt die zweite Fläche Sf2 eine mehrlagige Beschichtung 18, da die Intensität der einmal reflektierten EUV-Strahlung 30 im wesentlich abgeschwächt wird und normalerweise nicht in der Sichtlinie des LPP 24 liegt, wodurch der Anteil an Ionen und neutralen Atomen, die bei der mehrlagigen Beschichtung 18 auftreffen, minimiert wird.
GIC- gegenüber NIC-SOCOMOs
Es gibt bestimmte Abstriche bei der Verwendung eines LPP-GIC-SOCOMO 100 gegenüber einem LPP-NIC-SOCOMO 10. Beispielsweise kann der LPP-NIC-SOCOMO 10 für einen gegebenen Kollektorwinkel der EUV-Strahlung 30 vom LPP 24 kompakter ausgestattet sein als der LPP-GIC-SOCOMO 100.
Auch kann der LPP-NIC-SOCOMO 10 im Prinzip so ausgestaltet werden, dass er EUV-Strahlung 30, emittiert von der Sn-Quelle 20 mit Winkeln größer als 90° (bezogen auf die optische Achse A1), sammelt und somit eine größere Kollektoreffizienz erlaubt. Jedoch wird dieser Vorteil in der Praxis normalerweise nicht verwendet, weil dies zu übermäßigen NIC-Durchmessern oder übermäßigen Winkeln führt, die die EUV-Strahlung 30 mit der optischen Achse A1 beim Zwischenfokus IF bildet.
Auch die Intensitätsverteilung im fernen Feld, erzeugt durch ein LPP-GIC-SOCOMO 100, weist zusätzliche Abschattungen bzw. Verdunklungen bzw. Verschleierungen bzw. Obskurationen aufgrund des Schattens der Dicke der GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen M1 und M2 und der mechanischen Struktur, die die GIC-Spiegel MG tragen bzw. halten, auf. Jedoch erläutert die vorliegende Offenbarung nachfolgend Ausführungsformen, wobei die GIC-Oberfläche eine Flächenkorrektur aufweist, die den Abschattungs- bzw. Verdunklungseffekt der GIC-Spiegelhüllen- bzw. -schalendicken abschwächt und die Gleichmäßigkeit des Fokusflecks FS beim Zwischenfokus IF verbessert.
Weiterhin ist der Fokusfleck FS beim Zwischenfokus IF im Allgemeinen beim LPP-GIC-SOCOMO 100 größer als beim LPP-NIC-SOCOMO 10. Dieser Größenunterschied hängt hauptsächlich mit den GIC-Spiegelfehlern zusammen, die wahrscheinlich mit der technologischen Entwicklung abnehmen werden.
Insgesamt wird allgemein angenommen, dass die oben erwähnten Abstriche weitestgehend durch die Vorteile einer längeren Haltbarkeitsdauer im Betrieb, reduzierten Kosten, Vereinfachung und reduzierten Instandhaltungs- bzw. Wartungskosten und weiteren Punkten bei Verwendung eines LPP-GIC-SOCOMO 100 aufgehoben werden.
Beispielhafter GIC-Spiegel für das LPP-GIC-SOCOMO
7 ist eine schematische Seitenansicht eines Bereichs eines beispielhaften GIC-Spiegels MG zur Verwendung im LPP-GIC-SOCOMO 100. Beispielsweise besteht das optische Design des GIC-Spiegels MG von 7 tatsächlich aus 8 verschachtelten bzw. genesteten GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen 250 mit zylindrischer Symmetrie um die optische Achse A1, wie in 8 gezeigt. Um die Anzahl der GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen 250 zu minimieren, sind im vorliegenden Beispiel die ersten drei innersten GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen 250 elliptisch, wohingegen die fünf äußersten GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen 250 auf einem außeraxialen Doppelreflexionsdesign bzw. einem Doppelreflexionsdesign abweichend von der Achse (off-axis double-reflection design) basieren, mit elliptischen und hyperbolischen Querschnitten, wie beschrieben, in der europäischen Patentanmeldung Veröffentlichungs-Nr. EP 1 901 126 A1 mit dem Titel ”A collector optical system” („Ein kollektoroptisches System”), wobei die Anmeldung hier durch Bezugnahme einbezogen wird. 7 zeigt zwei der äußersten GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen 250 mit einem elliptischen Abschnitt 250E und einem hyperbolischen Abschnitt 250H. 7 zeigt ebenfalls den Quellfokus SF (source focus), den virtuellen gemeinsamen Fokus CF (common focus) und den Zwischenfokus IF (intermediate focus), genauso wie die Achsen AE, und AH für die elliptischen und hyperbolischen Abschnitte 250E bzw. 250H der GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen 250. Der Abstand zwischen dem virtuellen gemeinsamen Fokus CF und dem Zwischenfokus IF beträgt ΔL. Der virtuelle gemeinsame Fokus CF weicht von der optischen Achse A1 um einen Abstand Δr ab. Die gesamte optische Fläche wird durch eine Drehung bzw. einen Umlauf der Abschnitte 250E und 250H, um die optische Achse A1 erhalten.
Beispieldesigns für den Beispiel-GIC-Spiegel MG sind in Tabelle 1 und Tabelle 2 nachfolgend angegeben. Die optischen Hauptparameter des Designs sind: a) ein Abstand ΔL zwischen dem LPP 24 und dem Zwischenfokus IF von 2400 mm und b) ein maximaler Kollektorwinkel auf der LPP-Seite von 70,7°. In einer Beispielausführungsform bzw. einem Ausführungsbeispiel umfasst jede GIC-Spiegelhülle bzw. -schale 250 eine Ru-Beschichtung für eine verbesserte Reflektivität bei den EUV-Wellenlängen. Die nominale Kollektoreffizienz des GIC-Spiegels MG für die EUV-Strahlung 30 der Wellenlänge von 13,5 nm, wenn die optischen Flächen der GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen 250 mit Ru beschichtet sind, beträgt 37,6% bezogen auf die 2π Steradiant-Emission vom LPP 24.
Da eine LPP-EUV-Quelle viel kleiner ist als eine entladungserzeugte Plasma-(discharge-produced plasma)(DPP)-EUV-Quelle (typischerweise um einen Faktor 10 der Fläche), ermöglicht die Verwendung des LPP 24 eine bessere Anpassung der Ausbreitung (Etendue) zwischen dem Austritt aus dem GIC-Spiegel MG und dem Eintritt des Beleuchtungsgeräts. Insbesondere kann der Kollektorwinkel beim LPP 24 auf sehr große Werte erhöht werden mit vernachlässigbarem oder sehr begrenztem Effizienzverlust aufgrund der falschen Anpassung der Ausbreitung (Etendue) zwischen dem GIC-Spiegel MG und dem Beleuchtungsgerät. In einer beispielhaften Ausführungsform kann der Kollektorhalbwinkel sich an 70° annähern oder übersteigen.
Die Dimension des LPP 24 hat einen Nachteil, dahingehend, dass die Gleichförmigkeit der Intensitätsverteilung im fernen Feld dazu neigt, schlechter zu werden als für eine DPP-Quelle für ein vorgegebenes optisches Kollektordesign. Da das LPP 24 kleiner ist, neigen die Fernfeldschatten aufgrund der Dicke der GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen 250 in der Tat dazu, für eine LPP-Quelle schärfer zu sein als für eine DPP-Quelle.
Um diesen Effekt zumindest teilweise zu kompensieren, wird eine Oberflächenkorrektur (d. h. des optischen Profils) zu jeder GIC-Spiegelhülle bzw. -schale 250 zugefügt, um die Gleichförmigkeit der Intensitätsverteilung im fernen Feld zu verbessern (siehe Veröffentlichungs-Nr. WO 2009/095219 A1 , mit dem Titel ”Improved grazing incidence collector optical systems for EUV and X-ray applications” (”Verbesserte optische Systeme mit Kollektor mit streifendem Einfall für EUV- und Röntgenstrahlenanwendungen”), wobei die Veröffentlichung hier durch Bezugnahme einbezogen wird). Somit weist jede GIC-Spiegelhülle bzw. -schale 250 in einer beispielhaften Ausführungsform des GIC-Spiegels MG hierauf überlagert eine polynomiale (parabolische) Korrektur gleich Null an den zwei Kanten der GIG-Spiegelhüllen bzw. -schalen 250 und mit einem Maximalwert von 0,01 mm auf.

Tabelle 1 und Tabelle 2 stellen ein Beispieldesign für den GIC-Spiegel MG, der in 10 gezeigt ist, dar. Der ”Spiegel #” ist die Zahl der speziellen GIC-Spiegelhülle bzw. -schale 250, wie nummeriert, ausgehend von der innersten GIC-Spiegelhülle bzw. -schale 250 zur äußersten GIC-Spiegelhülle bzw. -schale 250.

TABELLE 2
Spiegel #	Position des virtuellen gemeinsamen Fokus CF im Hinblick auf den Zwischenfokus IF
Spiegel #	ΔL, parallel zur optischen Achse A1 [mm]	Δr, querverlaufend zur optischen Achse A1 [mm]
1	-
2	-	-
3	-	-
4	3293,000000	171,500000
5	3350,000000	237,000000
6	3445,000000	276,300000
7	3521,000000	335,250000
8	3616,000000	426,950000

9A ist eine graphische Darstellung der normalisierten Position im fernen Feld beim Zwischenfokus IF gegen die Intensität (beliebige Einheiten) für Lichtstrahlen, die hierauf auftreffen, für den Fall, dass es keine Korrektur des GIC-Hüllen- bzw. -Schalenprofils gibt. Die graphische Darstellung ist ein Maß für die Gleichförmigkeit des Zwischenbilds (d. h. den ”Fokusfleck” FS) des LPP 24, wie beim Zwischenfokus IF gebildet. Das LPP 24 wird als eine Kugel mit einem Durchmesser von 0,2 mm angenommen.
9B ist dieselbe graphische Darstellung, jedoch mit der oben beschriebenen Korrektur der GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen 250. Der Vergleich der zwei graphischen Darstellungen von 9A und 9B zeigt wesentlich reduzierte Oszillationen hinsichtlich der Intensität in 9B und somit eine signifikante Verbesserung der Gleichförmigkeit im fernen Feld des Fokusflecks FS beim Zwischenfokus IF als Ergebnis der korrigierten Fläche für die GIC-Spiegelhüllen bzw. -schalen 250.
EUV-Lithographiesystem mit LPP-GIC-SOCOMO
10 ist ein beispielhaftes EUV-Lithographiesystem (”Lithographiesystem”) 300 gemäß der vorliegenden Offenbarung. Beispielhafte Lithographiesysteme 300 werden beispielsweise in den US-Patentanmeldungen Nrn. US 2004/0265712 A1, US 2005/0016679 A1 und US 2005/0155624 A1 offenbart, die hier durch Bezugnahme einbezogen sind.
Das Lithographiesystem 300 umfasst eine Systemachse A3 und eine EUV-Lichtquelle LS, die ein LPP-GIC-SOCOMO 100 mit der optischen Achse A1 aufweist und mit dem LPP-Target-System 40 basierend auf Sn-Dampf, wie oben beschrieben, das das LPP 24 erzeugt, das Betriebs-EUV-Strahlung 30 bei λ = 13,5 nm emittiert.
Das LPP-GIC-SOCOMO 100 umfasst den GIC-Spiegel MG und ggf. die RCED 100, wie oben beschrieben. In einer beispielhaften Ausführungsform wird der GIC-Spiegel MG wie in der US Patentanmeldung Serien-Nr. 12/592,735, die hier unter Bezugnahme einbezogen wird, abgekühlt. Ebenfalls in einem Beispiel ist die RCED 110 gekühlt.
Der GIC-Spiegel MG ist angrenzend und stromabwärts der EUV-Lichtquelle LS angeordnet, wobei die optische(Kollektor-)Achse A1 entlang der Systemachse A3 liegt. Der GIC-Spiegel MG sammelt die Betriebs-EUV-Strahlung 30 (d. h. Lichtstrahlen IR) von der EUV-Lichtquelle LS, die am Quellfokus SF angeordnet ist, und die Kollektor-Strahlung bildet das Zwischenquellbild IS (intermediate source image) (d. h. den Fokusfleck) beim Zwischenfokus IF. Die RCED 100 dient dazu, das Sammeln der EUV-Strahlung 30 zu verbessern, indem die EUV-Strahlung 30, die es ansonsten nicht zum Zwischenfokus schaffen würde, zum Zwischenfokus IF geführt wird. In einem Beispiel umfasst ein LPP-GIC-SOCOMO 100 das LPP-Target-System 40, den GIC-Spiegel MG und die RCED 110.
Ein Beleuchtungssystem 316 mit einem Eintrittsende 317 und einem Austrittsende 318 ist entlang der Systemachse A3 und angrenzend und stromabwärts des GIC-Spiegels MG mit dem Eintrittsende, angrenzend an den GIC-Spiegel MG, angeordnet. Das Beleuchtungssystem 316 nimmt am Eintrittsende 317 EUV-Strahlung 30 vom Quellbild IS auf und gibt am Austrittsende 318 einen im Wesentlichen gleichförmigen EUV-Strahlungsstrahl 320 aus (d. h. verdichtete EUV-Strahlung). Wenn das Lithographiesystem 300 ein System vom Scantyp ist, wird der EUV-Belichtungsstrahl 320 typischerweise als im Wesentlichen gleichförmige Linie der EUV-Strahlung 30 beim reflektiven Retikel 336 gebildet, das über das reflektive Retikel 336 scannt.
Ein optisches Projektionssystem 326 ist entlang der (gefalteten) Systemachse A3 stromabwärts des Beleuchtungssystems 316 angeordnet. Das optische Projektionssystem 326 hat ein Eintrittsende 327, gegenüberliegend dem Austrittsende 318 des Beleuchtungssystems 316 und entgegengesetzt zum Austrittsende 328. Ein reflektives Retikel 336 ist angrenzend an das Eintrittsende 327 des optischen Projektionssystems 326 angeordnet und ein Halbleiterwafer 340 ist angrenzend an das Austrittsende 328 des optischen Projektionssystems 326 angeordnet. Das reflektive Retikel 336 umfasst ein Muster (nicht gezeigt), das auf den Halbleiterwafer 340, der eine photosensitive Beschichtung (z. B. Photoresistschicht) 342 umfasst, übertragen werden soll. Im Betrieb bestrahlt der vereinheitlichte EUV-Bestrahlungsstrahl 320 das reflektive Retikel 336 und wird hiervon reflektiert und das Muster darauf wird auf die photosensitive Fläche 342 des Halbleiterwafers 340 durch das optische Projektionssystem 326 abgebildet. In einem Lithographiesystem 300 vom Scantyp scannt das Bild des reflektiven Retikels über die photosensitive Beschichtung 342, um das Muster über dem Belichtungsfeld zu bilden. Das Scannen wird typischerweise durch Bewegen des reflektiven Retikels 336 und des Halbleiterwafers 340 in synchroner Art und Weise erreicht.
Wenn das Retikelmuster einmal abgebildet und auf dem Halbleiterwafer 340 aufgezeichnet wurde, wird der mit dem Muster versehene Halbleiterwafer 340 dann unter Verwendung von standardphotolithographischen und Halbleiterverarbeitungstechniken verarbeitet, um integrierte Schaltung-(IC)-Chips zu bilden.
Es ist festzuhalten, dass im Allgemeinen die Komponenten des Lithographiesystems 300 aus Gründen der Veranschaulichung so gezeigt sind, dass sie in 10 entlang einer gemeinsamen gefalteten Systemachse A3 hegen. Ein Fachmann im Stand der Technik wird verstehen, dass es häufig eine Abweichung zwischen Eintritts- und Austrittsachse für verschiedene Komponenten, wie für ein Beleuchtungssystem 316 und ein optisches Projektionssystem 326, gibt.
Es wird für den Fachmann im Stand der Technik offensichtlich sein, dass verschiedene Modifikationen und Variationen an der vorliegenden Offenbarung durchgeführt werden können, ohne vom Erfindungsgedanken und dem Umfang der Offenbarung abzuweichen. Somit ist beabsichtigt, dass die vorliegende Offenbarung die Modifikationen und Variationen dieser Offenbarung abdeckt, vorausgesetzt, sie liegen im Umfang der beigefügten Ansprüche und ihrer Äquivalente.
Die Erfindung umfasst Aspekte, die in den nachfolgenden Sätzen offenbart sind, die Teil der Beschreibung darstellen, aber keine Ansprüche sind:
Sätze

1. Quellkollektormodul für ein Extrem-Ultraviolett-(EUV)-Lithographiesystem, umfassend: einen Laser, der einen gepulsten Laserstrahl erzeugt; einen Faltspiegel, angeordnet entlang einer Quellkollektormodulachse und aufgebaut, um den gepulsten Laserstrahl aufzunehmen und den gepulsten Laserstrahl entlang der Quellkollektormodulachse in einer ersten Richtung zu reflektieren; eine Sn-Dampfquelle, umfassend einen Dampfofen bzw. Verdampfofen mit einem Inneren, und aufgebaut, um flüssiges Zinn oder festes Zinn im Dampfofeninneren zu Zinndampf umzuwandeln und den Zinndampf an einen Spalt bereitzustellen, wo der Zinndampf mit dem gepulsten Laserstrahl bestrahlt wird, wodurch ein lasererzeugtes Plasma (LPP) geschaffen wird, das EUV-Strahlung in einer zweiten Richtung erzeugt, die im Allgemeinen entgegengesetzt zur ersten Richtung ist; und einen Kollektorspiegel mit streifendem Einfall (grazing-incidence collector (GIC) mirror) mit einem Eintrittsende und einem Austrittsende und angeordnet, um die EUV-Strahlung am Eintrittsende aufzunehmen und die aufgenommene EUV-Strahlung am Zwischenfokus, angrenzend an das Austrittsende, zu fokussieren.
2. Quellkollektormodul nach Satz 1, weiterhin umfassend: eine Vakuumkammer mit einem Kammerinneren; einen temperaturkontrollierten Behälter, angeordnet im Kammerinneren, wobei der temperaturkontrollierte Behälter ein Behälterinneres aufweist, das den Dampfofen bzw. Verdampfofen enthält, und eine Apertur, gebildet in der Vakuumkammer und im temperaturkontrollierten Behälter, wobei die Apertur erste und zweite Enden aufweist, wobei das erste Ende angrenzend an den Spalt angeordnet ist und wobei der Laserstrahl durch die konische Apertur vom zweiten Ende zum ersten Ende und durch den Zinndampf im Spalt tritt.
3. Quellkollektormodul nach Satz 1, weiterhin umfassend: eine Sn-Quelle, die Sn in flüssiger oder fester Form enthält, wobei die Sn-Quelle mit dem Dampfofen bzw. Verdampfofen funktionsfähig gekoppelt ist, um dem Inneren bzw. Innenraum des Dampfofens bzw. Verdampfofens flüssiges oder festes Sn bereitzustellen.
4. Quellkollektormodul nach Satz 3, wobei der Dampfofen bzw. Verdampfofen weiterhin ein Dampfofengehäuse umfasst, das eine Öffnung aufweist, angeordnet angrenzend an den Spalt, damit der Dampf vom Inneren bzw. Innenraum des Dampfofens bzw. Verdampfofens in den Spalt strömen kann.
5. Quellkollektormodul nach Satz 4, weiterhin umfassend: eine Austrittsleitung mit ersten und zweiten Enden, wobei das erste Ende mit einem Ende mit der Sn-Quelle funktionsfähig verbunden ist und das zweite Ende an die Öffnung ankoppelt, wodurch der Spalt definiert wird.
6. Quellkollektormodul nach Satz 5, weiterhin umfassend: ein Heizelement, angeordnet in der Austrittsleitung, angrenzend an den Spalt, und aufgebaut, um die Kondensation des Sn-Dampfes in der Austrittsleitung zu reduzieren.
7. Quellkollektormodul nach Satz 1, weiterhin umfassend: eine Stromquelle die mit dem Dampfofen bzw. Verdampfofen elektrisch verbunden ist und aufgebaut ist, um dem Dampfofen bzw. Verdampfofen elektrischen Strom bereitzustellen, um den Dampfofen bzw. Verdampfofen zu erhitzen, um den Sn-Dampf aus der Sn-Flüssigkeit oder dem Sn-Feststoff zu bilden.
8. Quellkollektormodul nach Satz 1, weiterhin umfassend: eine Strahlungskollektor-Verstärkungsvorrichtung (RCED), angeordnet zwischen dem Austrittsende des GIC-Spiegels und dem Zwischenfokus, wobei die RCED aufgebaut ist, um einen Teil der EUV-Strahlung, die ansonsten nicht zum Zwischenfokus gelenkt werden würde, zum Zwischenfokus zu lenken.
9. Quellkollektormodul nach Satz 8, wobei die RCED ein Eintrittsende, ein Austrittsende und eine sich verjüngende innere Fläche aufweist, die sich in Richtung vom Eintrittsende zum Austrittsende verengt und wobei die RCED axial entlang der Achse des Quellkollektormoduls angeordnet ist, wobei deren Austrittsende angrenzend an den Zwischenfokus angeordnet ist.
10. Quellkollektormodul nach Satz 1, wobei der GIC-Spiegel eine erste reflektierende Fläche bereitstellt, die keine mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung aufweist.
11. Quellkollektormodul nach Satz 1, wobei der GIC-Spiegel eine Ru-Beschichtung aufweist.
12. Quellkollektormodul nach Satz 1, wobei der GIC-Spiegel eine mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung aufweist.
13. Quellkollektormodul nach Satz 1, wobei der GIC-Spiegel mindestens eine segmentierte GIC-Hülle bzw. -Schale mit einer ersten reflektierenden Fläche ohne mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung und eine zweite reflektierende Fläche mit mehrlagiger Beschichtung bzw. Vielfacheschichtung aufweist.
14. Extrem-Ultraviolett-(EUV)-Lithographiesystem zur Beleuchtung einer reflektiven Maske umfassend: das Quellkollektormodul von Satz 1; ein Beleuchtungsgerät, aufgebaut, um die fokussierte EUV-Strahlung aufzunehmen, die am Zwischenfokus gebildet wird, und verdichtete EUV-Strahlung zur Beleuchtung des reflektiven Retikels zu bilden.
15. EUV-Lithographiesystem nach Satz 14, weiterhin umfassend eine Strahlungskollektor-Verstärkungsvorrichtung (RCED), angeordnet zwischen dem GIC-Spiegel-Austrittsende und dem Zwischenfokus, wobei die RCED aufgebaut ist, um einen Teil der EUV-Strahlung, die ansonsten nicht zum Zwischenfokus gelenkt werden würde, zum Zwischenfokus zu lenken.
16. EUV-Lithographiesystem nach Satz 14 zum Bilden eines mit Mustern versehenen Bildes auf einem photosensitiven Halbleiterwafer, weiterhin umfassend: ein optisches Projektionssystem, angeordnet stromabwärts des reflektiven Retikels, und aufgebaut, um die reflektierte EUV-Strahlung vom reflektiven Retikel aufzunehmen und hiervon das gemusterte Bild auf dem photosensitiven Halbleiterwafer zu bilden.
17. Verfahren zum Sammeln von Extrem-Ultraviolett-(EUV)-Strahlung von einem lasererzeugten Plasma (LPP), umfassend: Bereitstellen eines Kollektorspiegels mit streifendem Einfall (grazing-incidence collector (GIC) mirror) entlang einer Achse, wobei der GIC-Spiegel Eintritts- und Austrittsenden aufweist; Anordnen eines LPP-Targetsystems angrenzend an das Eintrittsende des GIG-Spiegels, aufgebaut, um Sn-Dampf bereitzustellen; Senden eines gepulsten Laserstrahls entlang der Achse des GIC-Spiegels und durch den GIC-Spiegel vom Austrittsende zum Eintrittsende und zum Sn-Dampf, wodurch das LPP gebildet wird, dass die EUV-Strahlung emittiert; und Sammeln eines Teils der EUV-Strahlung vom LPP mit dem GIC-Spiegel am Eintrittsende des GIC-Spiegels und Richten bzw. Lenken der gesammelten EUV-Strahlung aus dem Austrittsende des GIC-Spiegels, um einen Fokusfleck am Zwischenfokus zu bilden.
18. Verfahren nach Satz 17, weiterhin umfassend: Bereitstellen einer Strahlungskollektor-Verstärkungsvorrichtung (RCED), angeordnet zwischen dem Austrittsende des GIC-Spiegels und dem Zwischenfokus; und Richten bzw. Lenken eines Teils der EUV-Strahlung mit der RCED, die ansonsten nicht zum Zwischenfokus gerichtet bzw. gelenkt wird, zum Zwischenfokus.
19. Verfahren nach Satz 17, weiterhin umfassend: Erzeugen des Sn-Dampfs in einem Dampfofen bzw. Verdampfofen, angeordnet in einer Vakuumkammer, wobei der Sn-Dampf an einem Spalt bereitgestellt wird, der für den gepulsten Laserstrahl zugänglich ist.
20. Verfahren nach Satz 17, weiterhin umfassend: Bereitstellen des GIC-Spiegels mit einer ersten reflektierenden Fläche, die keine mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung aufweist.
21. Verfahren nach Satz 17, weiterhin umfassend: Bereitstellen des GIC-Spiegels mit einer Ru-Beschichtung.
22. Verfahren nach Satz 17, weiterhin umfassend: Bereitstellen des GIC-Spiegels mit einer mehrlagigen Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung.
23. Verfahren nach Satz 17, weiterhin umfassend: Bereitstellen des GIC-Spiegels mit mindestens einer segmentierten GIC-Hülle bzw. -Schale, die eine erste reflektierende Fläche und eine zweite reflektierende Fläche aufweist, wobei die zweite reflektierende Fläche die mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung aufweist.
24. Verfahren nach Satz 17, weiterhin umfassend: Bilden von verdichteter EUV-Strahlung aus der EUV-Strahlung am Zwischenfokus zum Beleuchten eines reflektiven Retikels.
25. Verfahren nach Satz 24, weiterhin umfassend: Aufnehmen der reflektierten EUV-Strahlung vom reflektiven Retikel und hieraus Bilden des gemusterten Bildes auf dem photosensitiven Halbleiterwafer unter Verwendung eines optischen Projektionssystems.
26. Ein lasererzeugtes Plasma-(LPP)-Target-System, umfassend: einen Laser, der einen gepulsten Laserstrahl erzeugt; eine Vakuumkammer mit einem Kammerinneren; einen temperaturkontrollierten Behälter, angeordnet im Kammerinneren und mit einem Behälterinneren; ein Dampfofen bzw. Verdampfofen, angeordnet im Behälterinneren und mit einem Gehäuse, das eine Öffnung enthält und das ein Dampfofeninneres definiert, wobei der Dampfofen bzw. Verdampfofen so aufgebaut ist, dass er festes oder flüssiges Sn im Dampfofeninneren zu Sn-Dampf umwandelt, der vom Dampfofeninneren durch die Öffnung und in einen Spalt strömt, der für den gepulsten Laserstrahl zugänglich ist und eine Apertur, gebildet in der Vakuumkammer und dem temperaturkontrollierten Behälter, wobei die Apertur so aufgebaut ist, dass der Laserstrahl durch die Apertur und zum Sn-Dampf tritt, der durch die Öffnung und in den Spalt tritt.
27. System nach Satz 26, weiterhin umfassend: eine Sn-Quelle, die Sn in flüssiger oder fester Form enthält, wobei die Sn-Quelle mit dem Dampfofen bzw. Verdampfofen funktionsfähig verbunden ist, um flüssiges oder festes Sn dem Dampfofeninneren bereitzustellen.
28. System nach Satz 26, weiterhin umfassend: eine Stromquelle, die mit dem Dampfofen elektrisch verbunden ist und aufgebaut ist, um dem Dampfofen bzw. Verdampfofen elektrischen Strom bereitzustellen, um den Dampfofen bzw. Verdampfofen zu erhitzen, und Sn-Dampf aus der Sn-Flüssigkeit oder dem Sn-Feststoff zu bilden.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

EP 1901126 A1 [0073]
WO 2009/095219 A1 [0077]

Claims

Quellkollektormodul für ein Extrem-Ultraviolett-(EUV)-Lithographiesystem, umfassend: einen Laser, der einen gepulsten Laserstrahl erzeugt; einen Faltspiegel, angeordnet entlang einer Quellkollektormodulachse und aufgebaut, um den gepulsten Laserstrahl aufzunehmen und den gepulsten Laserstrahl entlang der Quellkollektormodulachse in einer ersten Richtung zu reflektieren; eine Sn-Dampfquelle, umfassend einen Dampfofen bzw. Verdampfofen mit einem Inneren, und aufgebaut, um flüssiges Zinn oder festes Zinn im Dampfofeninneren zu Zinndampf umzuwandeln und den Zinndampf an einen Spalt bereitzustellen, wo der Zinndampf mit dem gepulsten Laserstrahl bestrahlt wird, wodurch ein lasererzeugtes Plasma (LPP) geschaffen wird, das EUV-Strahlung in einer zweiten Richtung erzeugt, die im Allgemeinen entgegengesetzt zur ersten Richtung ist; und einen Kollektorspiegel mit streifendem Einfall (grazing-incidence collector (GIC) mirror) mit einem Eintrittsende und einem Austrittsende und angeordnet, um die EUV-Strahlung am Eintrittsende aufzunehmen und die aufgenommene EUV-Strahlung am Zwischenfokus, angrenzend an das Austrittsende, zu fokussieren.
Quellkollektormodul nach Anspruch 1, weiterhin umfassend: eine Vakuumkammer mit einem Kammerinneren; einen temperaturkontrollierten Behälter, angeordnet im Kammerinneren, wobei der temperaturkontrollierte Behälter ein Behälterinneres aufweist, das den Dampfofen bzw. Verdampfofen enthält, und eine Apertur, gebildet in der Vakuumkammer und im temperaturkontrollierten Behälter, wobei die Apertur erste und zweite Enden aufweist, wobei das erste Ende angrenzend an den Spalt angeordnet ist und wobei der Laserstrahl durch die konische Apertur vom zweiten Ende zum ersten Ende und durch den Zinndampf im Spalt tritt.
Quellkollektormodul nach Anspruch 1, weiterhin umfassend: eine Sn-Quelle, die Sn in flüssiger oder fester Form enthält, wobei die Sn-Quelle mit dem Dampfofen bzw. Verdampfofen funktionsfähig gekoppelt ist, um dem Inneren bzw. Innenraum des Dampfofens bzw. Verdampfofens flüssiges oder festes Sn bereitzustellen.
Quellkollektormodul nach Anspruch 3, wobei der Dampfofen bzw. Verdampfofen weiterhin ein Dampfofengehäuse umfasst, das eine Öffnung aufweist, angeordnet angrenzend an den Spalt, damit der Dampf vom Inneren bzw. Innenraum des Dampfofens bzw. Verdampfofens in den Spalt strömen kann.
Quellkollektormodul nach Anspruch 4, weiterhin umfassend: eine Austrittsleitung mit ersten und zweiten Enden, wobei das erste Ende mit einem Ende mit der Sn-Quelle funktionsfähig verbunden ist und das zweite Ende an die Öffnung ankoppelt, wodurch der Spalt definiert wird.
Quellkollektormodul nach Anspruch 5, weiterhin umfassend: ein Heizelement, angeordnet in der Austrittsleitung, angrenzend an den Spalt, und aufgebaut, um die Kondensation des Sn-Dampfes in der Austrittsleitung zu reduzieren.
Quellkollektormodul nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 6, weiterhin umfassend: eine Stromquelle die mit dem Dampfofen bzw. Verdampfofen elektrisch verbunden ist und aufgebaut ist, um dem Dampfofen bzw. Verdampfofen elektrischen Strom bereitzustellen, um den Dampfofen bzw. Verdampfofen zu erhitzen, um den Sn-Dampf aus der Sn-Flüssigkeit oder dem Sn-Feststoff zu bilden.
Quellkollektormodul nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 7, weiterhin umfassend: eine Strahlungskollektor-Verstärkungsvorrichtung (RCED), angeordnet zwischen dem Austrittsende des GIC-Spiegels und dem Zwischenfokus, wobei die RCED aufgebaut ist, um einen Teil der EUV-Strahlung, die ansonsten nicht zum Zwischenfokus gelenkt werden würde, zum Zwischenfokus zu lenken.
Quellkollektormodul nach Anspruch 8, wobei die RCED ein Eintrittsende, ein Austrittsende und eine sich verjüngende innere Fläche aufweist, die sich in Richtung vom Eintrittsende zum Austrittsende verengt und wobei die RCED axial entlang der Achse des Quellkollektormoduls angeordnet ist, wobei deren Austrittsende angrenzend an den Zwischenfokus angeordnet ist.
Quellkollektormodul nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der GIC-Spiegel eine erste reflektierende Fläche bereitstellt, die keine mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung aufweist.
Quellkollektormodul nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei der GIC-Spiegel eine Ru-Beschichtung aufweist.
Quellkollektormodul nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei der GIC-Spiegel eine mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung aufweist.
Quellkollektormodul nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei der GIC-Spiegel mindestens eine segmentierte GIC-Hülle bzw. -Schale mit einer ersten reflektierenden Fläche ohne mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung und eine zweite reflektierende Fläche mit mehrlagiger Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung aufweist.
Extrem-Ultraviolett-(EUV)-Lithographiesystem zur Beleuchtung einer reflektiven Maske umfassend: das Quellkollektormodul nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 13; ein Beleuchtungsgerät, aufgebaut, um die fokussierte EUV-Strahlung aufzunehmen, die am Zwischenfokus gebildet wird, und verdichtete EUV-Strahlung zur Beleuchtung des reflektiven Retikels zu bilden.
EUV-Lithographiesystem nach Anspruch 14, weiterhin umfassend eine Strahlungskollektor-Verstärkungsvorrichtung (RCED), angeordnet zwischen dem GIC-Spiegel-Austrittsende und dem Zwischenfokus, wobei die RCED aufgebaut ist, um einen Teil der EUV-Strahlung, die ansonsten nicht zum Zwischenfokus gelenkt werden würde, zum Zwischenfokus zu lenken.
EUV-Lithographiesystem nach Anspruch 14 zum Bilden eines mit Mustern versehenen Bildes auf einem photosensitiven Halbleiterwafer, weiterhin umfassend: ein optisches Projektionssystem, angeordnet stromabwärts des reflektiven Retikels, und aufgebaut, um die reflektierte EUV-Strahlung vom reflektiven Retikel aufzunehmen und hiervon das gemusterte Bild auf dem photosensitiven Halbleiterwafer zu bilden.
Verfahren zum Sammeln von Extrem-Ultraviolett-(EUV)-Strahlung von einem lasererzeugten Plasma (LPP), umfassend: Bereitstellen eines Kollektorspiegels mit streifendem Einfall (grazing-incidence collector (GIC) mirror) entlang einer Achse, wobei der GIC-Spiegel Eintritts- und Austrittsenden aufweist; Anordnen eines LPP-Targetsystems angrenzend an das Eintrittsende des GIC-Spiegels, aufgebaut, um Sn-Dampf bereitzustellen; Senden eines gepulsten Laserstrahls entlang der Achse des GIC-Spiegels und durch den GIC-Spiegel vom Austrittsende zum Eintrittsende und zum Sn-Dampf, wodurch das LPP gebildet wird, dass die EUV-Strahlung emittiert; und Sammeln eines Teils der EUV-Strahlung vom LPP mit dem GIC-Spiegel am Eintrittsende des GIC-Spiegels und Richten bzw. Lenken der gesammelten EUV-Strahlung aus dem Austrittsende des GIC-Spiegels, um einen Fokusfleck am Zwischenfokus zu bilden.
Verfahren nach Anspruch 17, weiterhin umfassend: Bereitstellen einer Strahlungskollektor-Verstärkungsvorrichtung (RCED), angeordnet zwischen dem Austrittsende des GIC-Spiegels und dem Zwischenfokus; und Richten bzw. Lenken eines Teils der EUV-Strahlung mit der RCED, die ansonsten nicht zum Zwischenfokus gerichtet bzw. gelenkt wird, zum Zwischenfokus.
Verfahren nach Anspruch 17, weiterhin umfassend: Erzeugen des Sn-Dampfs in einem Dampfofen bzw. Verdampfofen, angeordnet in einer Vakuumkammer, wobei der Sn-Dampf an einem Spalt bereitgestellt wird, der für den gepulsten Laserstrahl zugänglich ist.
Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 17 bis 19, weiterhin umfassend: Bereitstellen des GIC-Spiegels mit einer ersten reflektierenden Fläche, die keine mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung aufweist.
Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 17 bis 20, weiterhin umfassend: Bereitstellen des GIC-Spiegels mit einer Ru-Beschichtung.
Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 17 bis 21, weiterhin umfassend: Bereitstellen des GIC-Spiegels mit einer mehrlagigen Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung.
Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 17 bis 22, weiterhin umfassend: Bereitstellen des GIC-Spiegels mit mindestens einer segmentierten GIC-Hülle bzw. -Schale, die eine erste reflektierende Fläche und eine zweite reflektierende Fläche aufweist, wobei die zweite reflektierende Fläche die mehrlagige Beschichtung bzw. Vielfachbeschichtung aufweist.
Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 17 bis 23, weiterhin umfassend: Bilden von verdichteter EUV-Strahlung aus der EUV-Strahlung am Zwischenfokus zum Beleuchten eines reflektiven Retikels.
Verfahren nach Anspruch 24, weiterhin umfassend: Aufnehmen der reflektierten EUV-Strahlung vom reflektiven Retikel und hieraus Bilden des gemusterten Bildes auf dem photosensitiven Halbleiterwafer unter Verwendung eines optischen Projektionssystems.
Ein lasererzeugtes Plasma-(LPP)-Target-System, umfassend: einen Laser, der einen gepulsten Laserstrahl erzeugt; eine Vakuumkammer mit einem Kammerinneren; einen temperaturkontrollierten Behälter, angeordnet im Kammerinneren und mit einem Behälterinneren; ein Dampfofen bzw. Verdampfofen, angeordnet im Behälterinneren und mit einem Gehäuse, das eine Öffnung enthält und das ein Dampfofeninneres definiert, wobei der Dampfofen bzw. Verdampfofen so aufgebaut ist, dass er festes oder flüssiges Sn im Dampfofeninneren zu Sn-Dampf umwandelt, der vom Dampfofeninneren durch die Öffnung und in einen Spalt strömt, der für den gepulsten Laserstrahl zugänglich ist und eine Apertur, gebildet in der Vakuumkammer und dem temparaturkontrollierten Behälter, wobei die Apertur so aufgebaut ist, dass der Laserstrahl durch die Apertur und zum Sn-Dampf tritt, der durch die Öffnung und in den Spalt tritt.
System nach Anspruch 26, weiterhin umfassend: eine Sn-Quelle, die Sn in flüssiger oder fester Form enthält, wobei die Sn-Quelle mit dem Dampfofen bzw. Verdampfofen funktionsfähig verbunden ist, um flüssiges oder festes Sn dem Dampfofeninneren bereitzustellen.
System nach Anspruch 26, weiterhin umfassend: eine Stromquelle, die mit dem Dampfofen bzw. Verdampfofen elektrisch verbunden ist und aufgebaut ist, um dem Dampfofen bzw. Verdampfofen elektrischen Strom bereitzustellen, um den Dampfofen bzw. Verdampfofen zu erhitzen, und Sn-Dampf aus der Sn-Flüssigkeit oder dem Sn-Feststoff zu bilden.