EP3803512A1 - Blende zur anordnung in einer engstelle eines euv-beleuchtungsbündels - Google Patents

Blende zur anordnung in einer engstelle eines euv-beleuchtungsbündels

Info

Publication number
EP3803512A1
EP3803512A1 EP19725155.6A EP19725155A EP3803512A1 EP 3803512 A1 EP3803512 A1 EP 3803512A1 EP 19725155 A EP19725155 A EP 19725155A EP 3803512 A1 EP3803512 A1 EP 3803512A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
bundle
section
euv
illumination light
wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
EP19725155.6A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Michael Patra
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of EP3803512A1 publication Critical patent/EP3803512A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/0988—Diaphragms, spatial filters, masks for removing or filtering a part of the beam
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/003—Light absorbing elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/005—Diaphragms
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Definitions

  • the invention relates to a diaphragm for arrangement in a bottleneck of an EUV illumination bundle between an EUV light source for EUV illumination light and an EUV illumination optics. Furthermore, the invention relates to a lighting system with such a diaphragm, an optical system with such an illumination system, a projection exposure apparatus with such an optical system, a method for producing a microstructured or nanostructured component with such a projection exposure apparatus and a structured component with such a manufacturing method.
  • US Pat. No. 9,298,110 B2 in connection with a projection exposure apparatus.
  • US 2009/0073396 A1 discloses a projection exposure apparatus with an interface between a light source and a lighting optical system.
  • WO 2012/100 846 A1 discloses a waveguide structure for use in a projection exposure apparatus.
  • US 2011/0026002 A1 discloses an EUV light source and an interface between the light source and an illumination optics.
  • DE 10 201 1 015 266 A1 discloses an EUV phosphatorsy system with a device for amplifying an EUV radiation collection. It is an object of the present invention, a diaphragm of the type mentioned in such a way that a defined specification of the illuminating light beam results on the one hand with good thermal capacity of the diaphragm.
  • a bundle tube section between the bundle inlet section and the bundle outlet section leads to the possibility of predetermining a course of the EUV illumination light beam to be used in a very defined manner and, on the other hand, of serving a larger aperture stop.
  • the constriction in which the diaphragm can be arranged may be an intermediate focus of an optical path of the EUV illumination beam.
  • the EUV illumination light beam can then be well defined, which can be used to image the then well defined constriction in the further course of a bundle path and in particular to provide an advantageously small Pupillenconcellgrades within an EUV projection exposure system.
  • a well-defined illumination angle distribution of an illumination of an object field of the projection exposure apparatus and correspondingly a very good structure resolution in the projection exposure are the result.
  • the inner wall of the bundle tube section can be designed to be absorbent for radiation and / or debris components entrained undesirably with the EUV illumination light.
  • the bundle tube section can effectively dissipate heat caused by absorption of unwanted light or radiation components. With the diaphragm, an effect can be realized for transmitted EUV illumination light, which does not change the light distribution within the transmitted EUV illumination light beam virtually as far as possible or as little as possible.
  • the EUV illumination light for which the inner wall of the bundle tube section is designed to be reflective, can have a wavelength in the range between 5 nm and 30 nm.
  • An absorbent inner wall according to claim 2 or claim 3 provides a good release effect of the panel and also for a good bundle-forming effect.
  • the inner wall of the inlet section and / or the inner wall of the outlet section may be designed to be absorbent for radiation and / or debris components entrained undesirably with the EUV illumination light.
  • a length / radius ratio of the bundle tube section according to claim 5 has been found to be particularly suitable for a good bundle-forming effect combined with a good separating effect and good heat removal.
  • the ratio L / R may be greater than 1.5, may be greater than 2.0, and may be greater than 2.5.
  • the ratio L / R may be less than 10, may be less than 5 and may be less than 3.
  • a configuration of the cone angle according to claim 7 ensures a good adaptation of the diaphragm shape to the beam divergence.
  • a rounded transition region according to claim 8 avoids local heat peaks in these transition areas.
  • An absorbent embodiment of the transition region according to claim 9 avoids the generation of unwanted stray light.
  • the transition area can be designed to be absorbed both for the EUV illumination light and for unwanted light or radiation components.
  • the advantages of a lighting system according to claims 10 and 11, an optical system according to claim 12, a projection exposure apparatus according to claim 13, a manufacturing method for a micro- or nanostructured component according to claim 14 and a manufactured micro- or nanostructured component correspond to those which have already been explained above with reference to the diaphragm according to the invention.
  • the component may be a semiconductor chip, for example a memory chip.
  • FIG. 1 shows a projection exposure apparatus for microlithography schematically and with reference to an illumination optics in the meridional section
  • FIG. FIG. 2 enlarges in an axial section a bottleneck or intermediate-focus diaphragm of the illumination optics of the projection exposure apparatus according to FIG. 1
  • FIG. 3 shows a further embodiment of an intermediate focus diaphragm which, instead of that according to FIG. 2, can be used in the illumination optics of the projection exposure apparatus according to FIG. 1.
  • a microlithography projection exposure apparatus 1 serves to produce a microstructured or nano-structured electronic semiconductor component.
  • a light source 2 emits EUV radiation used for illumination in the wavelength range, for example, between 5 nm and 30 nm.
  • the light source 2 may be a GDPP source (plasma discharge by gas discharge, produced plasma) or an LPP source (plasma generation by laser, laser produced plasma).
  • a radiation source based on a synchrotron can also be used for the light source 2. Information about such a light source can be found, for example, in US Pat. No. 6,859,515 B2.
  • EUV illumination light or illumination radiation in the form of an imaging light bundle 3 is used for illuminating and imaging within the projection exposure apparatus 1.
  • Bundle 3 passes after the light source 2, first a collector 4, which is, for example, a nested collector with a known from the prior art multi-shell structure or alternatively to one, then behind the light source 2 arranged ellipsoidal shaped Collector can act.
  • a corresponding collector is known from EP 1 225 481 A and from US 9 298 110 B2.
  • the EUV illumination light 3 first passes through an intermediate focus plane 5, which can be used to separate the imaging light beam 3 from unwanted radiation or particle fractions.
  • an intermediate focus diaphragm 5a is arranged, which is shown in an axial longitudinal section and will be explained in more detail below.
  • the imaging light beam 3 first strikes a field facet mirror 6.
  • FIG. 1 shows a Cartesian global xyz coordinate system.
  • the x-axis in Fig. 1 is perpendicular to the plane and out of this.
  • the y-axis extends in Fig. 1 to the right.
  • the z-axis extends in Fig. 1 upwards.
  • Field facets of the field facet mirror 6, which are not shown in the drawing, may be rectangular or arcuate, and each have the same x / y aspect ratio.
  • the x / y aspect ratio may be, for example, 12/5, 25/4, 104/8, 20/1, or 30/1.
  • the field facets specify a reflection surface of the field facet mirror 6 and are grouped, for example, in several columns into a plurality of field facet groups.
  • the image light bundles 3 divided into imaging light subbeams associated with the individual field facets After reflection at the field facet mirror 6, the image light bundles 3 divided into imaging light subbeams associated with the individual field facets impinge on a pupil facet mirror 10.
  • the respective imaging light subbeam of the entire imaging light beam 3 is guided along one imaging light channel each.
  • the pupil facets of the pupil facet mirror 10, which are also not shown in the drawing, can, for. B. be arranged around a center in lying inside facet rings.
  • a pupil facet is assigned to each imaging light partial bundle of the EUV illumination light 3 that is reflected by one of the field facets, so that in each case an acted facet pair with one of the field facets and one of the pupil facets illuminates the imaging light channel for the associated imaging light partial bundle EUV illumination light 3 pretends.
  • the channel-wise assignment of the pupil facets to the field facets takes place as a function of the desired illumination by the projection exposure apparatus 1. Such a channel-wise assignment is explained in more detail, for example, in US 2015/0015865 A1.
  • the field facets are imaged into an object plane 16 of the projection exposure apparatus 1.
  • the EUV mirror 14 is designed as a grazing incidence mirror.
  • a particle 17 is arranged, from which with the EUV illumination light 3 a light is emitted.
  • illuminating area is illuminated, which coincides with an object field 18 of a downstream projection optics 19 of the projection exposure system 1.
  • the illumination area is also called a lighting field.
  • the object field 18 is rectangular or curved.
  • the image light channels are superimposed in the object field 18.
  • the EUV illumination light 3 is reflected by the reticle 17.
  • the reticle 17 is held by an object holder 17a which is displaceable along the displacement direction y by means of a schematically indicated object displacement drive 17b.
  • the projection optical system 19 images the object field 18 in the object plane 16 into an image field 20 in an image plane 21.
  • a wafer 22 is arranged, which carries a photosensitive layer, which is exposed to the projection exposure apparatus 1 during the projection exposure.
  • the wafer 22, that is to say the substrate onto which is imaged, is held by a wafer or substrate holder 22a which is displaceable along the displacement direction y by means of a likewise schematically indicated wafer displacement drive 22b in synchronism with the displacement of the object holder 17a.
  • both the reticle 17 and the wafer 22 are scanned synchronously in the y direction.
  • the projection exposure apparatus 1 is designed as a scanner.
  • the scanning direction y is the object displacement direction.
  • an illumination intensity correction device 24 Arranged in a correction plane 23 is an illumination intensity correction device 24 whose structure and function are described, for example, in US 2015/0015865 A1.
  • the correction device 24 is controlled by a control device 25.
  • Further examples of a cor- are known from WO 2009/074 211 Al, the
  • EP 0 952 491 A2 as well as from DE 10 2008 013 229 A1.
  • the field facet mirror 6, the pupil facet mirror 10, the mirrors 12 to 14 of the transfer optics 15 and the correction device 24 are components of an illumination optical unit 26 of the projection exposure apparatus 1. Together with the projection optics 19, the illumination optics 26 form an illumination system of the projection exposure apparatus 1.
  • Fig. 2 shows the intermediate focus aperture 5a more in detail.
  • the intermediate focus diaphragm 5a is arranged in the intermediate focus plane 5.
  • the intermediate focus aperture 5a is used for placement in a throat, e.g. in an intermediate focus, the EUV illumination light beam 3 between the light source 2 and the illumination optics 26.
  • the diaphragm 5a has a bundle inlet section 27, into which the illumination light bundle 3, coming from the collector 4, enters the diaphragm 5a.
  • a main propagation direction of the illumination light beam 3 through the diaphragm 5a is designated P in FIGS.
  • the unwanted entrained light components for example, have the wavelength of the illumination light 3, but not within the divergence of the illumination light beam 3 run.
  • the unwanted radiation components can have a different wavelength than the illumination light 3.
  • the Rinvierabêt 27 of the diaphragm 5a has a decreasing in the propagation direction P cross-section.
  • the bundle inlet section 27 has a conically tapered inner wall 28. This inner wall
  • a cone angle K E of the inner wall 28 is defined as the angle between a section line of the inner wall 28 in the axial longitudinal section shown in FIG. 2 to the axial longitudinal axis 29 of the diaphragm 5 a. This longitudinal axis
  • the diaphragm 5a has a bundle tube section 30.
  • the tube section 30 has a constant cross-section in the propagation direction P.
  • An inner wall 31 of the tube section 30 is designed to be reflective and in particular highly reflective for the illumination light 3.
  • the inner wall 31 may have, for example, a ruthenium coating as a highly reflective coating.
  • the inner wall 31 can act to absorb the unwanted radiation components by applying material that is reflective for the illumination light 3 to material absorbing for other wavelength ranges.
  • material that is reflective for the illumination light 3 to material absorbing for other wavelength ranges.
  • Such materials are for example from the US
  • the inner wall 31 may be structured such that unwanted radiation components (analogous to previously cited US Pat. No. 8,198,613 B2) reflect light other than the illumination light 3 and then later in FIG System, for example, on the still to be described bundle outlet section 32 is absorbed.
  • the pipe section 30 has a circular cross-section with radius R.
  • the pipe section 30 has measured along the longitudinal axis 29, ie in the propagation direction P, a length L.
  • a ratio of the length L and the radius R of the pipe section 30 is greater than 1 , 0th
  • the radius R is absolutely a size in the range between 2 mm and 5 mm.
  • the diaphragm 5a has a bundle outlet section 32.
  • the outlet section 32 has a cross-section enlarging in the propagation direction P.
  • An inner wall 33 of the discharge section 32 is designed to be absorbent for the illumination light 3 and the unwanted radiation components.
  • the inner wall 33 extends conically in the propagation direction P with a cone angle KA between the line of intersection of the inner wall 33 and the longitudinal axis 29.
  • KE KA.
  • the cone angles KE, KA can also be different from one another.
  • the intermediate focus diaphragm 5a is mirror-symmetrical overall to a center plane 34, which is perpendicular to the longitudinal axis 29.
  • the center plane 34 coincides with the intermediate focus plane 5.
  • a transitional edge region 35, 36 of the inner walls of the diaphragm 5a between the inlet section 27 and the pipe section 30 on the one hand and between the pipe section 30 and the outlet section 32 on the other hand is designed to be absorbent for the EUV illumination light 3 and for the unwanted radiation components ,
  • This edge region 35, 36 can be manufactured with a transitional edge.
  • the course of the illumination light beam 3 through the intermediate focus diaphragm 5a is also shown in FIG. Shown is a longitudinal section of the course of an expansion of the illumination light beam 3, which has a focus in the pipe section 30 in the Eisenfokusebene 5.
  • the cone angle KE, KA of the inlet section 27 and the outlet section 32 of the diaphragm 5a are thus adapted to the divergence angle QB of the illumination light beam 3.
  • the cone angle KE and / or the cone angle KA may also be different from the divergence angle QB.
  • the number of maximum reflections of the EUV illumination light 3 on the inner wall 31 can be greater than 1, can be greater than 2, can be larger its number 3 can be greater than 4. This number of reflections is usually no more than 5.
  • Unwanted light or radiation components are also absorbed at the absorbing inner walls 28 and 33 of the inlet section 27 and the outlet section 32.
  • KE and / or KA can range between 5 ° and 30 °.
  • KE and / or KA can in particular be in the range between 8.63 ° and 14.48 °, which corresponds to a numerical aperture in the intermediate focus of the illumination light beam 3 between 0.15 and 0.25.
  • KE and / or KA may in particular have a value of approximately 8.6 °, 9.2 °, 9.8 °, 10.4 °,
  • the illumination light beam 3 can have a useful power of more than 100 W, for example of 500 W.
  • the power of the unwanted light and radiation components can have the same order of magnitude.
  • FIG. 3 shows a further embodiment of the intermediate focus aperture 5a.
  • Components and functions corresponding to those described above with reference to FIGS. 1 and 2 and particularly with reference to FIG. 2 have the same designations and reference numerals and will not be discussed again in detail.
  • edge transition regions 35a, 36a in the aperture 5a of FIG. 3 are rounded. These rounded transition regions 35a, 36a are made absorbent for the illumination light 3 as well as for other entrained wavelengths.
  • the ratio L / R is in the range between 0.5 and 3. As a rule, this ratio L / R is at least 1.0.
  • the reticle 17 and the wafer 22, which carries a photosensitive coating for the illumination light 3 are provided. Subsequently, a portion of the reticle 17 is projected onto the wafer 22 with the aid of the projection exposure apparatus 1. Finally, the light-sensitive layer exposed to the illumination light 3 is developed on the wafer 22. In this way, a micro- or nano-structured component, for example a semiconductor chip, is produced.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

Eine Blende (5a) dient zur Anordnung in einer Engstelle eines EUV-Beleuchtungslichtbündels (3) zwischen einer EUV-Lichtquelle für EUV-Beleuchtungslicht und einer EUV-Beleuchtungsoptik. Die Blende (5a) hat einen Bündel-Einlaufabschnitt (27), einen Bündel-Auslaufabschnitt (32) und einen zwischenliegenden Bündel-Rohrabschnitt (30). Der Einlaufabschnitt (27) hat einen sich in Propagationsrichtung (P) des EUV-Beleuchtungslichtbündels (3) verringernden Querschnitt. Der Querschnitt des Auslaufabschnitts (32) vergrößert sich in der Propagationsrichtung (P). Der Querschnitt des Rohrabschnitts (30) ist gleichbleibend. Eine Innenwand (31) des Bündel-Rohrabschnitts (30) ist reflektierend für das EUV-Beleuchtungslicht ausgeführt. Es resultiert eine Blende mit definierter Vorgabe des Beleuchtungslichtbündels bei guter thermischer Belastbarkeit der Blende.

Description

Blende zur Anordnung in einer Engstelle eines EUV-Beleuchtungs- bündels
Die vorliegende Patentanmeldung nimmt die Priorität der deutschen Pa- tentanmeldung DE 10 2018 208 710.5 in Anspruch, deren Inhalt durch Be- zugnahme hierin aufgenommen wird.
Die Erfindung betrifft eine Blende zur Anordnung in einer Engstelle eines EUV-Beleuchtungsbündels zwischen einer EUV-Lichtquelle für EUV- Beleuchtungslicht und einer EUV-Beleuchtungsoptik. Ferner betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Blende, ein opti- sches System mit einem derartigen Beleuchtungssystem, eine Projektions- belichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements mit ei- ner derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit einem derartigen Herstellungsverfahren strukturiertes Bauelement.
Die Nutzung eines Zwischenfokus zur Trennung erwünschter Lichtanteile von unerwünschten Strahlungs- bzw. Debris-Anteilen ist im Zusammen- hang mit einer Projektionsbelichtungsanlage bekannt aus der US 9 298 110 B2. Die US 2009/0073396 Al offenbart eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem Interface zwischen einer Lichtquelle und einer Beleuchtungsop- tik. Die WO 2012/100 846 Al offenbart eine Wellenleiter- Struktur zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage. Die US 2011/0026002 Al offenbart eine EUV-Lichtquelle sowie ein Interface zwischen der Licht- quelle und einer Beleuchtungsoptik. Die DE 10 201 1 015 266 Al offenbart ein EUV-Kollektorsy stem mit einer Vorrichtung zur Verstärkung einer EUV-Strahlungssammlung. Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Blende der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine definierte Vorgabe des Be- leuchtungslichtbündels einerseits bei guter thermischer Belastbarkeit der Blende resultiert.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Blende mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
Erfmdungsgemäß wurde erkannt, dass ein Bündel-Rohrabschnitt zwischen dem Bündel-Einlaufabschnitt und dem Bündel-Auslaufabschnitt zur Mög- lichkeit führt, einen Verlauf des zu nutzenden EUV-Beleuchtungslichtbün- dels einerseits sehr definiert vorzugeben, und andererseits dazu dienen kann, eine größere Blenden-Wechselwirkungsfläche im Bereich der Eng- stelle bereitzustellen, so dass eine erhöhte thermische Belastbarkeit der Blende folgt. Bei der Engstelle, in der die Blende anordenbar ist, kann es sich um einen Zwischenfokus eines Strahlengangs des EUV-Beleuchtungs- lichtbündels handeln. Das EUV-Beleuchtungslichtbündel kann dann gut definiert werden, was zur Abbildung der dann gut definierten Engstelle im weiteren Verlauf eines Bündelweges und insbesondere zur Bereitstellung eines vorteilhaft kleinen Pupillenfüllgrades innerhalb einer EUV-Projek- tionsbelichtungsanlage genutzt werden kann. Eine gut definierte Beleuch- tungswinkelverteilung einer Ausleuchtung eines Objektfeldes der Projekti- onsbelichtungsanlage und entsprechend eine sehr gute Strukturauflösung bei der Projektionsbelichtung sind die Folge. Die Innenwand des Bündel- Rohrabschnitts kann absorbierend für unerwünscht mit dem EUV-Beleuch- tungslicht mitgeführte Strahlungs- und/oder Debris-Anteile ausgeführt sein. Über den Bündel-Rohrabschnitt kann eine effektive Ableitung von Wärme geschehen, die aufgrund von einer Absorption unerwünschter Licht- bzw. Strahlungsanteile hervorgerufen wird. Mit der Blende kann eine Wirkung für durchgelassenes EUV- Beleuchtungslicht realisiert werden, die eine Lichtverteilung innerhalb des durchgelassenen EUV-Beleuchtungslichtbündels praktisch nicht bezie- hungsweise möglichst wenig verändert.
Das EUV-Beleuchtungslicht, für welches die Innenwand des Bündel- Rohrabschnitts reflektierend ausgeführt ist, kann eine Wellenlänge im Be- reich zwischen 5 nm und 30 nm haben.
Eine absorbierende Innenwand nach Anspruch 2 oder Anspruch 3 sorgt für eine gute Trennwirkung der Blende und auch für eine gute bündelformende Wirkung. Die Innenwand des Einlaufabschnitts und/oder die Innenwand des Auslaufabschnitts können absorbierend für unerwünscht mit dem EUV-Beleuchtungslicht mitgeführte Strahlungs- und/oder Debris-Anteile ausgeführt sein.
Entsprechende Vorteile hinsichtlich der Trennwirkung und der bündelfor- menden Wirkung hat ein Querschnitt des Bündel-Rohrabschnitts nach An- spruch 4.
Ein Längen/Radius- Verhältnis des Bündel-Rohrabschnitts nach Anspruch 5 hat sich für eine gute bündelformende Wirkung bei gleichzeitig guter Trennwirkung und guter Wärmeabfuhr als besonders geeignet herausge- stellt. Das Verhältnis L/R kann größer sein als 1,5, kann größer sein als 2,0 und kann auch größer sein als 2,5. Das Verhältnis L/R kann kleiner sein als 10, kann kleiner sein als 5 und kann auch kleiner sein als 3.
Eine konisch verlaufende Innenwand nach Anspruch 6 hat sich als beson- ders geeignete Form herausgestellt. Ein Konuswinkel der Innenwand des Einlaufabschnitts bzw. des Auslaufabschnitts kann an einen Divergenz- winkel des Beleuchtungslichtbündels, also an eine numerische Apertur ei- nes in der Engstelle vorliegenden Zwischenfokus, angepasst sein.
Eine Gestaltung der Konuswinkel nach Anspruch 7 sorgt für eine gute An- passung der Blendenform an die Bündeldivergenz.
Ein abgerundeter Übergangsbereich nach Anspruch 8 vermeidet lokale Wärmespitzen in diesen Übergangsbereichen.
Eine absorbierende Ausführung des Übergangsbereichs nach Anspruch 9 vermeidet die Erzeugung von unerwünschtem Streulicht. Der Übergangs- bereich kann sowohl für das EUV-Beleuchtungslicht als auch für uner- wünschte Licht- bzw. Strahlungsanteile absorbiert ausgeführt sein.
Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach den Ansprüchen 10 und 11, eines optischen Systems nach Anspruch 12, einer Projektionsbelichtungs- anlage nach Anspruch 13, eines Herstellungsverfahrens für ein mikro- bzw. nanustrukturiertes Bauteil nach Anspruch 14 sowie eines hergestellten mik- ro- bzw. nanustrukturierten Bauteils entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Blende bereits erläutert wur- den. Bei dem Bauteil kann es sich um einen Halbleiterchip, beispielsweise um einen Speicherchip handeln.
Ausführungsbeispiel der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeich- nung näher erläutert. In dieser zeigen: Fig. 1 schematisch und in Bezug auf eine Beleuchtungsoptik im Meridio- nalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithogra- fie; Fig. 2 vergrößert in einem Axial schnitt eine Engstellen- bzw. Zwischen- fokus-Blende der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsan- lage nach Fig. 1 ; und
Fig.3 eine weitere Ausführung einer Zwischenfokus-Blende, die anstelle derjenigen nach Fig. 2 bei der Beleuchtungsoptik der Projektions- belichtungsanlage nach Fig. 1 zum Einsatz kommen kann.
Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie dient zur Herstellung eines mikro- bzw. nano strukturierten elektronischen Halblei- ter-Bauelements. Eine Lichtquelle 2 emittiert zur Beleuchtung genutzte EUV-Strahlung im Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gas discharge produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser produced plasma) handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron basiert, ist für die Lichtquelle 2 einsetzbar. Informationen zu einer derarti- gen Lichtquelle findet der Fachmann beispielsweise in der US 6 859 515 B2. Zur Beleuchtung und Abbildung innerhalb der Projektionsbelichtungs- anlage 1 wird EUV-Beleuchtungslicht bzw. Beleuchtungsstrahlung in Form eines Abbildungslicht-Bündels 3 genutzt. Das Abbildungslicht-
Bündel 3 durchläuft nach der Lichtquelle 2 zunächst einen Kollektor 4, bei dem es sich beispielsweise um einen genesteten Kollektor mit einem aus dem Stand der Technik bekannten Mehrschalen- Aufbau oder alternativ um einen, dann hinter der Lichtquelle 2 angeordneten ellipsoidal geformten Kollektor handeln kann. Ein entsprechender Kollektor ist aus der EP 1 225 481 A und aus der US 9 298 110 B2 bekannt. Nach dem Kollektor 4 durch- tritt das EUV-Beleuchtungslicht 3 zunächst eine Zwischenfokusebene 5, was zur Trennung des Abbildungslicht-Bündels 3 von unerwünschten Strahlungs- oder Partikelanteilen genutzt werden kann. In der Zwischenfo- kusebene 5 ist eine Zwischenfokus-Blende 5a angeordnet, die in einem axialen Längsschnitt dargestellt ist und nachfolgend noch näher erläutert wird. Nach Durchlaufen der Zwischenfokusebene 5 trifft das Abbildungs- licht-Bündel 3 zunächst auf einen Feldfacettenspiegel 6.
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der Zeich- nung ein kartesisches globales xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Achse verläuft in der Fig. 1 senkrecht zur Zeichenebene und aus dieser heraus. Die y-Achse verläuft in der Fig. 1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der Fig. 1 nach oben.
Die Abtrennung unerwünschter Strahlungsanteile vom Abbildungslicht- Bündel 3 kann, sofern sich die unerwünschten Strahlungsteile in der Wel- lenlänge vom erwünschten Abbildungslicht unterscheiden, erleichtert wer- den, wenn die Kollektor 4 derartige Strahlungsteile anders als als das er- wünschte Abbildungslicht führt. Derartige Kollektoren sind aus der US 8 198 613 B2 bekannt.
Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 6, die in der Zeichnung nicht darge- stellt sind, können rechteckig oder bogenförmig sein und haben jeweils das gleiche x/y- Aspektverhältnis. Das x/y- Aspektverhältnis kann beispielswei- se 12/5, kann 25/4, kann 104/8, kann 20/1 oder kann 30/1 betragen. Die Feldfacetten geben eine Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 6 vor und sind beispielsweise in mehreren Spalten zu jeweils mehreren Feld- facettengruppen gruppiert.
Nach Reflexion am Feldfacettenspiegel 6 trifft das in Abbildungslicht- Teilbündel, die den einzelnen Feldfacetten zugeordnet sind, aufgeteilte Abbildungslicht-Bündel 3 auf einen Pupillenfacettenspiegel 10. Das je- weilige Abbildungslicht-Teilbündel des gesamten Abbildungslicht-Bündels 3 ist längs jeweils eines Abbildungslichtkanals geführt.
Die Pupillenfacetten des Pupillenfacettenspiegels 10, die in der Zeichnung ebenfalls nicht dargestellt sind, können z. B. um ein Zentrum herum in in- einander liegenden Facettenringen angeordnet sein. Jedem von einer der Feldfacetten reflektierten Abbildungslicht-Teilbündel des EUV-Beleuch- tungslichts 3 ist eine Pupillenfacette zugeordnet, so dass jeweils ein beauf- schlagtes Facettenpaar mit einer der Feldfacetten und einer der Pupillenfa- cetten den Abbildungslichtkanal für das zugehörige Abbildungslicht-Teil- bündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 vorgibt. Die kanalweise Zuordnung der Pupillenfacetten zu den Feldfacetten erfolgt abhängig von einer ge- wünschten Beleuchtung durch die Projektionsbelichtungsanlage 1. Eine derartige kanalweise Zuordnung ist näher erläutert beispielsweise in der US 2015/0015865 Al .
Über den Pupillenfacettenspiegel 10 (Fig. 1) und eine nachfolgende, aus drei EUV-Spiegeln 12, 13, 14 bestehenden Übertragungsoptik 15 werden die Feldfacetten in eine Objektebene 16 der Projektionsbelichtungsanlage 1 abgebildet. Der EUV-Spiegel 14 ist als Spiegel für streifenden Einfall (Grazing-Incidence- Spiegel) ausgeführt. In der Objektebene 16 ist ein Re- tikel 17 angeordnet, von dem mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 ein Aus- leuchtungsbereich ausgeleuchtet wird, der mit einem Objektfeld 18 einer nachgelagerten Projektionsoptik 19 der Projektionsbelichtungsanlage 1 zusammenfällt. Der Ausleuchtungsbereich wird auch als Beleuchtungsfeld bezeichnet. Das Objektfeld 18 ist je nach der konkreten Ausführung einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage 1 rechteckig oder bo- genförmig. Die Abbildungslichtkanäle werden im Objektfeld 18 überlagert. Das EUV-Beleuchtungslicht 3 wird vom Retikel 17 reflektiert. Das Retikel 17 wird von einem Objekthalter 17a gehaltert, der längs der Verlagerungs- richtung y mit Hilfe eines schematisch angedeuteten Objektverlagerungs- antriebs 17b angetrieben verlagerbar ist.
Die Projektionsoptik 19 bildet das Objektfeld 18 in der Objektebene 16 in ein Bildfeld 20 in einer Bildebene 21 ab. In dieser Bildebene 21 ist ein Wafer 22 angeordnet, der eine lichtempfindliche Schicht trägt, die während der Projektionsbelichtung mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 belichtet wird. Der Wafer 22, also das Substrat, auf welches abgebildet wird, wird von einem Wafer- bzw. Substrathalter 22a gehaltert, der längs der Verlage - rungsrichtung y mit Hilfe eines ebenfalls schematisch angedeuteten Wafer- verlagerungsantriebs 22b synchron zur Verlagerung des Objekthalters 17a verlagerbar ist. Bei der Projektionsbelichtung werden sowohl das Retikel 17 als auch der Wafer 22 in der y-Richtung synchronisiert gescannt. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist als Scanner ausgeführt. Die Scanrich- tung y ist die Objektverlagerungsrichtung.
In einer Korrekturebene 23 angeordnet ist eine Beleuchtungsintensitäts- Korrekturvorrichtung 24, deren Aufbau und Funktion beispielsweise in der US 2015/0015865 Al beschrieben sind. Die Korrekturvorrichtung 24 wird von einer Steuereinrichtung 25 angesteuert. Weitere Beispiele einer Kor- rekturvorrichtung sind bekannt aus der WO 2009/074 211 Al, der
EP 0 952 491 A2 sowie aus der DE 10 2008 013 229 Al .
Der Feldfacettenspiegel 6, der Pupillenfacettenspiegel 10, die Spiegel 12 bis 14 der Übertragungsoptik 15 sowie die Korrekturvorrichtung 24 sind Bestandteile einer Beleuchtungsoptik 26 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Gemeinsam mit der Projektionsoptik 19 bildet die Beleuchtungsoptik 26 ein Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage 1.
Fig. 2 zeigt die Zwischenfokus-Blende 5a stärker im Detail. Die Zwischen- fokus-Blende 5a ist in der Zwischenfokusebene 5 angeordnet. Die Zwi- schenfokus-Blende 5a dient zur Anordnung in einer Engstelle, also z.B. in einem Zwischenfokus, des EUV-Beleuchtungslichtbündels 3 zwischen der Lichtquelle 2 und der Beleuchtungsoptik 26.
Die Blende 5a hat einen Bündel-Einlaufabschnitt 27, in den das Beleuch- tungslichtbündel 3, kommend vom Kollektor 4, in die Blende 5a einläuft. Eine Hauptpropagationsrichtung des Beleuchtungslichtbündels 3 durch die Blende 5a ist in den Fig. 1 und 2 mit P bezeichnet.
An der Blende 5a findet eine Trennung zwischen dem Nutzlicht, also dem Beleuchtungslichtbündel 3, und unerwünscht mitgeführten Licht- bzw. Strahlungs- bzw. Debris-Anteilen statt. Die unerwünscht mitgeführten Lichtanteile können beispielsweise die Wellenlänge des Beleuchtungslichts 3 haben, aber nicht innerhalb der Divergenz des Beleuchtungslichtbündels 3 laufen. Die unerwünschten Strahlungsanteile können eine andere Wellen- länge als das Beleuchtungslicht 3 haben. Der Rinlaufabschnitt 27 der Blende 5a hat einen sich in der Propagations- richtung P verringernden Querschnitt. Der Bündel-Einlaufabschnitt 27 hat eine sich konisch verjüngend verlaufende Innenwand 28. Diese Innenwand
28 des Bündel-Einlaufabschnitts 27 ist absorbierend für das Beleuchtungs- licht 3 sowie für unerwünscht mitgeführte Licht- bzw. Strahlungsanteile ausgeführt. Eine hierfür geeignete absorbierende Beschichtung bzw. absor- bierende Folie ist bekannt aus der US 9,200,359 B2 und den dort angege- benen Referenzen.
Ein Konuswinkel KE der Innenwand 28 ist definiert als Winkel zwischen einer Schnittlinie der Innenwand 28 im in der Fig. 2 dargestellten Axial - Längsschnitt zur axialen Längsachse 29 der Blende 5a. Diese Längsachse
29 fällt mit der Propagationsrichtung P zusammen.
In der Propagationsrichtung P nach dem Einlaufabschnitt 27 hat die Blende 5a einen Bündel-Rohrabschnitt 30. Der Rohrabschnitt 30 hat einen in der Propagationsrichtung P gleichbleibenden Querschnitt. Eine Innenwand 31 des Rohrabschnitts 30 ist reflektierend und insbesondere hochreflektierend für das Beleuchtungslicht 3 ausgeführt.
Die Innenwand 31 kann als hochreflektierende Beschichtung beispielswei- se eine Ruthenium-Beschichtung aufweisen.
Die Innenwand 31 kann für die unerwünschten Strahlungsanteile absorbie- rend wirken, indem auf für ein für das Beleuchtungslicht 3 reflektierendes Material an für andere Wellenlängenbereiche absorbierendes Material auf- getragen wird. Derartige Materialien sind zum Beispiel aus der US
2004/0058253 Al bekannt. Die Innenwand 31 kann so strukturiert sein, dass unerwünschte Strahlungsanteile (analog zu bereits zitierten US 8 198 613 B2) anderes als das Beleuchtungslicht 3 reflektiert und dann später im System, z.B. an dem noch zu beschreibenden Bündel- Auslaufabschnitt 32, absorbiert wird.
Der Rohrabschnitt 30 hat einen kreisrunden Querschnitt mit Radius R. Der Rohrabschnitt 30 hat gemessen längs der Längsachse 29, also in der Propa- gationsrichtung P, eine Länge L. Ein Verhältnis aus der Länge L und dem Radius R des Rohrabschnitts 30 ist größer als 1,0. Der Radius R hat absolut eine Größe im Bereich zwischen 2 mm und 5 mm.
In der Propagationsrichtung P nach dem Rohrabschnitt 30 hat die Blende 5a einen Bündel-Auslaufabschnitt 32. Der Auslaufabschnitt 32 hat einen sich in der Propagationsrichtung P vergrößernden Querschnitt. Eine In- nenwand 33 des Auslaufabschnitts 32 ist absorbierend für das Beleuch- tungslicht 3 und die unerwünschten Strahlungsanteile ausgeführt. Die In- nenwand 33 verläuft in der Propagationsrichtung P sich konisch erweiternd mit einem Konuswinkel KA zwischen der Schnittlinie der Innenwand 33 und der Längsachse 29. Bei der Ausführung nach Fig. 2 gilt: KE = KA. Al ternativ können die Konuswinkel KE, KA auch voneinander verschieden sein.
Die Zwischenfokus-Blende 5a ist insgesamt zu einer Mittelebene 34 spie- gelsymmetrisch, die auf der Längsachse 29 senkrecht steht. Die Mittelebe- ne 34 fällt mit der Zwischenfokusebene 5 zusammen.
Ein Übergangs-Kantenbereich 35, 36 der Innenwände der Blende 5a zwi- schen dem Einlaufabschnitt 27 und dem Rohrabschnitt 30 einerseits sowie zwischen dem Rohrabschnitt 30 und dem Auslaufabschnitt 32 andererseits ist jeweils absorbierend für das EUV-Beleuchtungslicht 3 und für die un- erwünschten Strahlungsanteile gestaltet. Dieser Kantenbereich 35, 36 kann mit einer Übergangskante gefertigt sein.
In der Fig. 2 zudem dargestellt ist der Verlauf des Beleuchtungslichtbün- dels 3 durch die Zwischenfokus-Blende 5a. Dargestellt ist im Längsschnitt der Verlauf einer Ausdehnung des Beleuchtungslichtbündels 3, welches im Rohrabschnitt 30 einen Fokus in der Zwischenfokusebene 5 hat.
Ein Divergenzwinkel des Beleuchtungslichtbündels 3, der vor und nach dem Fokus gleich groß ist, ist in der Fig. 2 bei QB dargestellt. Bei der dar- gestellten Ausführung gilt: QB = KE = KA. Die Konuswinkel KE, KA des Einlaufabschnitts 27 und des Auslaufabschnitts 32 der Blende 5a sind also an den Divergenzwinkel QB des Beleuchtungslichtbündels 3 angepasst. Alternativ können der Konuswinkel KE und/oder der Konuswinkel KA vom Divergenzwinkel QB auch verschieden sein.
In Fig. 2 sind der besseren Übersichtlichkeit halber kein Detailverlauf von Strahlen des Beleuchtungslichtbündels 3 eingezeichnet. Ein Teil der Strah- len des Beleuchtungslichtbündels 3 wird durch den Zwischenfokus 5 tre- ten, ohne dass eine Reflexion an der Innenwand 31 stattfindet. Der Anteil dieser Strahlen am gesamten Beleuchtungslichtbündels 3 ist bei gegebener numerischer Apertur am Zwischenfokus umso größer, je kleiner das Ver- hältnis L/R ist. Bei steigendem Verhältnis L/R wird der Anteil wird der Anteil der Strahlen, die an der Innenwand 31 reflektiert werden, größer. Insbesondere wird auch der Anteil der Strahlen, die mehr als einmal an der Innenwand 31 reflektiert werden, mit steigendem Verhältnis L/R größer.
Die Zahl der maximalen Reflexionen des EUV-Beleuchtungslichts 3 an der Innenwand 31 kann größer sein als 1 , kann größer sein als 2, kann größer sein als 3, kann größer sein als 4. Diese Anzahl der Reflexionen ist im Re- gelfall höchstens 5.
Soweit diese unerwünschten Strahlungsanteile anderer Wellenlängen in- nerhalb der Divergenz des Beleuchtungslichtbündels 3 laufen, ist es erfor- derlich, den Rohrabschnitt 30 mit einem so großen Verhältnis L/R auszu- gestalten, dass mindestens eine Reflexion der unerwünschten Strahlungsan- teile an der Innenwand 31 stattfindet, bevorzugt mehrere derartige Reflexi- onen.
Unerwünschte Licht- bzw. Strahlungsanteile werden zudem an den absor- bierenden Innenwänden 28 und 33 des Einlaufabschnitts 27 und des Aus- laufabschnitts 32 absorbiert.
Debris-Anteile werden von der dann mechanisch wirkenden Blende 5a ge- blockt.
KE und/oder KA können im Bereich zwischen 5° und 30° liegen. KE und/oder KA können insbesondere im Bereich zwischen 8,63° und 14,48° liegen, was einer numerischen Apertur im Zwischenfokus des Beleuch- tungslichtbündels 3 zwischen 0, 15 und 0,25 entspricht. KE und/oder KA können insbesondere einen Wert von ungefähr 8,6°, 9,2°, 9,8°, 10,4°,
11,0°, 11,5°, 12,1°, 12,7°, 13,3°, 13,9° oder 14,5° besitzen, was einer nu- merischen Apertur im Zwischenfokus des Beleuchtungslichtbündels 3 von 0,15, 0,16, 0,17, 0,18, 0,19, 0,20, 0,21, 0,22, 0,23, 0,24 oder 0,25 ent- spricht.
Die Winkel KE, KA und QB sind in der Fig. 2 also nicht maßstäblich darge- stellt. Ein Einfallswinkel des Beleuchtungslichtbündels 3 auf der Innenwand 31 kann größer sein als 60°, kann größer sein als 65°, kann größer sein als 70°, kann größer sein als 75°, kann größer sein als 80° und kann insbesondere noch größer sein. Bei derartigen streifenden Einfallswinkeln ist die Reflek- tivität der hochreflektierenden Beschichtung der Innenwand 31 besonders gut und kann je nach Einfallswinkel größer sein als 80 %, kann größer sein als 85 % und kann auch größer sein als 90 %. Typischerweise ist der maximale Einfallswinkel des Beleuchtungslicht- bündels 3 auf der Innenwand 31 durch 90° minus der numerischen Apertur im Zwischenfokus des Beleuchtungslichtbündels gegeben. Eine kleine nu- merische Apertur im Zwischenfokus des Beleuchtungslichtbündels 3 ist daher hilfreich, um eine hohe Reflektivität der Beschichtung der Tnnen- wand 31 zu erreichen.
Beim Durchgang durch die Zwischenfokus-Blende 5a kann das Beleuch- tungslichtbündel 3 eine Nutzleistung von mehr als 100 W haben, bei- spielsweise von 500 W. Die Leistung der unerwünschten Licht- und Strah- lungsanteile kann die gleiche Größenordnung haben.
Fig. 3 zeigt eine weitere Ausführung der Zwischenfokus-Blende 5a. Kom- ponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 und 2 und besonders unter Bezugnahme auf die Fig. 2 beschrieben wurden, tragen die gleichen Bezeichnungen und Be- zugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Zwischen dem Einlaufabschnitt 27 und dem Rohrabschnitt 30 einerseits sowie zwischen dem Rohrabschnitt 30 und dem Auslaufabschnitt 32 ande- rerseits sind die Kanten-Übergangsbereiche 35a, 36a bei der Blende 5a nach Fig. 3 abgerundet ausgeführt. Diese abgerundeten Übergangsbereiche 35a, 36a sind für das Beleuchtungslicht 3 sowie für andere mitgeführte Wellenlängen absorbierend ausgeführt.
Je nach Ausführung der Blende 5a ist das Verhältnis L/R im Bereich zwi- schen 0,5 und 3. Im Regelfall beträgt dieses Verhältnis L/R mindestens 1,0.
Bei der Projektionsbelichtung werden zunächst das Retikel 17 und der Wafer 22, der eine für das Beleuchtungslicht 3 lichtempfindliche Beschich- tung trägt, bereitgestellt. Anschließend wird ein Abschnitt des Retikels 17 auf den Wafer 22 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Schließlich wird die mit dem Beleuchtungslicht 3 belichtete lichtempfmd- liche Schicht auf dem Wafer 22 entwickelt. Auf diese Weise wird ein mik- ro- bzw. nano strukturiertes Bauteil beispielsweise ein Halbleiterchip herge- stellt.

Claims

Patentansprüche
1. Blende (5a) zur Anordnung in einer Engstelle eines EUV-Beleuch- tungslichtbündels (3) zwischen einer EUV-Lichtquelle (2) für EUV- Beleuchtungslicht und einer EUV-Beleuchtungsoptik (26), wobei die Blende (5a) aufweist:
einen Bündel-Einlaufabschnitt (27) mit sich in Propagationsrich- tung (P) des EUV-Beleuchtungslichtbündels (3) verringerndem Querschnitt,
einen Bündel-Auslaufabschnitt (32) mit sich in der Propagations- richtung (P) des EUV-Beleuchtungslichtbündels (3) vergrößernden Querschnitt,
einen Bündel-Rohrabschnitt (30), angeordnet zwischen dem Bün- del-Einlaufabschnitt (27) und dem Bündel- Auslaufabschnitt (32), mit in der Propagationsrichtung (P) des EUV-Beleuchtungs- lichtbündels (3) gleichbleibendem Querschnitt,
wobei eine Innenwand (31) des Bündel-Rohrabschnitts (30) reflektie- rend für das EUV-Beleuchtungslicht ausgeführt ist.
2. Blende nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Tnnen- wand (28) des Bündel-Einlaufabschnitts (27) absorbierend für das EUV-Beleuchtungslicht ausgeführt ist.
3. Blende nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Innenwand (33) des Bündel- Auslaufabschnitts (32) absorbierend für das EUV-Beleuchtungslicht ausgeführt ist.
4. Blende nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Bündel-Rohrabschnitt (30) einen kreisrunden Querschnitt mit einem Radius ® hat.
5. Blende nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch ein Verhältnis L/R aus einer Länge (L) des Bündel-Rohrabschnitts (30) gemessen in der Propagationsrichtung (P) und dem Radius (R) des Bündel-Rohrab- schnitts (30), das größer ist als 1,0.
6. Blende nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Bündel-Einlaufabschnitt (27) und/oder der Bündel-Auslauf- abschnitt (32) eine konisch verlaufende Innenwand (28; 33) aufweist.
7. Blende nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass ein Konus- winkel (KE) der Innenwand (28) des Bündel-Einlaufabschnitts (27) ge- nauso groß ist wie ein Konuswinkel (KA) der Innenwand (33) des Bün- del-Auslaufabschnitts (32).
8. Blende nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass ein Innenwand-Übergangsbereich (35a, 36a) zwischen dem Bün- del-Einlaufabschnitt (27) und dem Bündel-Rohrabschnitt (30) und/oder zwischen dem Bündel-Rohrabschnitt (30) und dem Bündel-Auslaufab- schnitt (32) abgerundet gestaltet ist.
9. Blende nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der abgerun- dete Übergangsbereich (35a; 36a) absorbierend ausgeführt ist.
10. Beleuchtungssystem mit einer Blende (5a) nach einem der Ansprüche 1 bis 9 und der Beleuchtungsoptik (26).
11. Beleuchtungssystem mit einer Blende (5a) nach einem der Ansprüche
1 bis 9 und mit einem Kollektor (4), angeordnet im Lichtweg zwischen einer EUV-Lichtquelle (2) und der Blende (5a).
12. Optisches System mit einem Beleuchtungssystem nach Anspruch 10 oder 11 , wobei die Beleuchtungsoptik (26) zur Beleuchtung eines Ob- jektfeldes (18) dient, in dem ein Objekt (17) anordenbar ist, und mit ei- ner Projektionsoptik (19) zur Abbildung des Objektfeldes (18) in ein Bildfeld (20), in dem ein Substrat (22) anordenbar ist.
13. Projektionsbelichtungsanlage mit einem optischen System nach An- spruch 12 und mit einer EUV-Lichtquelle (2).
14. Verfahren zur Herstellung strukturierter Bauelemente mit folgenden
Schritten:
Bereitstellen eines Wafers (22), auf dem zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, Bereitstellen eines Retikels als Objekt (17), das abzubildende Stmkturen aufweist,
Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 13,
Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels (17) auf einen Be- reich der Schicht des Wafers (22) mit Hilfe der Projektionsbelich- tungsanlage (1).
15. Strukturiertes Bauelement, hergestellt nach einem Verfahren nach An- spruch 14.
EP19725155.6A 2018-06-04 2019-05-17 Blende zur anordnung in einer engstelle eines euv-beleuchtungsbündels Pending EP3803512A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018208710.5A DE102018208710A1 (de) 2018-06-04 2018-06-04 Blende zur Anordnung in einer Engstelle eines EUV-Beleuchtungsbündels
PCT/EP2019/062845 WO2019233741A1 (de) 2018-06-04 2019-05-17 Blende zur anordnung in einer engstelle eines euv-beleuchtungsbündels

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP3803512A1 true EP3803512A1 (de) 2021-04-14

Family

ID=66597618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP19725155.6A Pending EP3803512A1 (de) 2018-06-04 2019-05-17 Blende zur anordnung in einer engstelle eines euv-beleuchtungsbündels

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11350513B2 (de)
EP (1) EP3803512A1 (de)
KR (1) KR20210018347A (de)
DE (1) DE102018208710A1 (de)
WO (1) WO2019233741A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111123531B (zh) * 2019-12-29 2020-11-17 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种基于空间整形的减反微纳结构阵列
CN112213822B (zh) * 2020-09-25 2023-06-20 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 一种空间耦合器
DE102020212229B3 (de) 2020-09-29 2022-01-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Blenden-Vorrichtung zur Begrenzung eines Strahlengangs zwischen einer Lichtquelle und einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102021112833A1 (de) 2021-05-18 2022-11-24 Precitec Gmbh & Co. Kg Blende für einen Laserbearbeitungskopf
DE102021213327B3 (de) * 2021-11-26 2023-03-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Metrologiesystem zur Untersuchung von Objekten mit EUV-Messlicht

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0952491A3 (de) 1998-04-21 2001-05-09 Asm Lithography B.V. Lithographischer Apparat
DE10138313A1 (de) 2001-01-23 2002-07-25 Zeiss Carl Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm
US6859515B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
JP3647834B2 (ja) 2002-09-25 2005-05-18 松下電器産業株式会社 露光装置用のミラー、露光装置用の反射型マスク、露光装置及びパターン形成方法
US8115900B2 (en) * 2007-09-17 2012-02-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102008013229B4 (de) 2007-12-11 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
US9200359B2 (en) 2008-03-12 2015-12-01 Acktar Ltd. Thin-layered structure
JP5061063B2 (ja) 2008-05-20 2012-10-31 ギガフォトン株式会社 極端紫外光用ミラーおよび極端紫外光源装置
NL2004816A (en) * 2009-07-07 2011-01-10 Asml Netherlands Bv Euv radiation generation apparatus.
JP5758153B2 (ja) 2010-03-12 2015-08-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源装置、リソグラフィ装置、放射発生および送出方法、およびデバイス製造方法
US8587768B2 (en) * 2010-04-05 2013-11-19 Media Lario S.R.L. EUV collector system with enhanced EUV radiation collection
WO2012100846A1 (en) * 2011-01-25 2012-08-02 Asml Netherlands B.V. Conduit for radiation, suitable for use in a lithographic apparatus
DE102012205886A1 (de) 2012-04-11 2013-10-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung zur Vorgabe einer Beleuchtungsintensität über ein Beleuchtungsfeld einer lithographischen Projektionsbelichtungsanlage

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019233741A1 (de) 2019-12-12
US20210084741A1 (en) 2021-03-18
DE102018208710A1 (de) 2019-12-05
US11350513B2 (en) 2022-05-31
KR20210018347A (ko) 2021-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2019233741A1 (de) Blende zur anordnung in einer engstelle eines euv-beleuchtungsbündels
DE60312871T2 (de) Gitter basierter spektraler filter zur unterdrückung von strahlung ausserhalb des nutzbandes in einem extrem-ultraviolett lithographiesystem
EP1884831A2 (de) Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen &lt; 193 nm
EP1845417B1 (de) Beleuchtungssystem mit Zoomobjetiv
WO2003014833A2 (de) Kollektor mit befestigungseinrichtungen zum befestigen von spiegelschalen
DE102011004615A1 (de) Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
EP3044634B1 (de) Beleuchtungssystem
WO2005031748A1 (de) Schiefspiegliges normal-incidence-kollektorsystem für lichtquellen, insbesondere euv-plasmaentladungsquellen
DE102011113521A1 (de) Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
WO2016046088A1 (de) Beleuchtungsoptik für die projektionslithographie sowie hohlwellenleiter-komponente hierfür
EP1202100A2 (de) Beleuchtungssystem mit reduzierter Wärmebelastung
DE102013204444A1 (de) Beleuchtungsoptik für ein Maskeninspektionssystem sowie Maskeninspektionssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102011076658A1 (de) Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
EP3044635B1 (de) Kollektor
DE102010039965B4 (de) EUV-Kollektor
WO2019149462A1 (de) Beleuchtungsoptik für die projektionslithographie
DE102019212017A1 (de) Optisches Beleuchtungssystem zur Führung von EUV-Strahlung
WO2016177599A1 (de) Facettenspiegel für die euv-projektionslithographie sowie beleuchtungsoptik mit einem derartigen facettenspiegel
WO2015036225A1 (de) Beleuchtungsoptik für die euv-projektionslithografie
WO2019134773A1 (de) Pupillenfacettenspiegel, beleuchtungsoptik und optisches system für eine projektionsbelichtungsanlage
DE102022205767A1 (de) Beleuchtungsoptik für ein Maskeninspektionssystem
DE102012210073A1 (de) Beleuchtungsoptik für die EUV- Projektionslithographie
DE102022203745A1 (de) EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102020201368A1 (de) Strahlungsquellen-Modul
DE102018218850A1 (de) Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie

Legal Events

Date Code Title Description
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: UNKNOWN

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE INTERNATIONAL PUBLICATION HAS BEEN MADE

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE INTERNATIONAL PUBLICATION HAS BEEN MADE

PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: REQUEST FOR EXAMINATION WAS MADE

17P Request for examination filed

Effective date: 20201120

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: BA ME

DAV Request for validation of the european patent (deleted)
DAX Request for extension of the european patent (deleted)