DE102021213327B3 - Metrologiesystem zur Untersuchung von Objekten mit EUV-Messlicht - Google Patents

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Abstract

Ein Metrologiesystem dient zur Untersuchung von Objekten mit EUV-Messlicht. Eine Beleuchtungsoptik dient zur Führung des EUV-Messlichts hin zum zu untersuchenden Objekt. Die Beleuchtungsoptik hat eine Beleuchtungsoptik-Blende zur Vorgabe einer Messlicht-Intensititätsverteilung in einer Beleuchtungspupille in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik. Ein Auskoppelspiegel (9) dient zur Auskopplung eines Teils des Messlichts aus einem Beleuchtungs-Strahlengang der Beleuchtungsoptik. Der Auskoppelspiegel (9) hat eine zur Messlicht-Auskopplung genutzte Spiegelfläche mit einem Aspektverhältnis aus einer größten Spiegelflächen-Erstreckung A längs einer Spiegelflächen-Längsdimension (x) und einer kleinsten Spiegelflächen-Erstreckung B längs einer Spiegelflächen-Querdimension (y), die senkrecht auf der Spiegelflächen-Längsdimension (x) steht. Das Aspektverhältnis A/B ist größer als 1,1. Es resultiert ein Metrologiesystem, bei dem ein Messlichtdurchsatz auch bei der Simulation bzw. Emulation einer Abbildungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage mit bildseitiger numerischer Apertur größer als 0,5 und insbesondere bei der Simulation bzw. Emulation einer anamorphotischen Abbildungsoptik optimiert ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Metrologiesystem zur Untersuchung von Objekten mit EUV-Messlicht.
  • Ein Metrologiesystem ist bekannt aus der US 2017/0131 528 A1 (Paralleldokument WO 2016/012 425 A2 ), aus der WO 2016/012 426 A1 und aus der US 2017/0132782 A1 . Mit einem derartigen Metrologiesystem können insbesondere Abbildungseigenschaften einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage simuliert bzw. emuliert werden. Die US 2019/0277772 A1 offenbart eine Inspektionsvorrichtung und ein Inspektionsverfahren. Die DE 10 2018 216 870 A1 offenbart ein Verfahren zum Herstellen eines Beleuchtungssystems für eine EUV-Anlage.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Metrologiesystem der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass ein Messlichtdurchsatz auch bei der Simulation bzw. Emulation einer Abbildungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage mit bildseitiger numerischer Apertur größer als 0,5 und insbesondere bei der Simulation bzw. Emulation einer anamorphotischen Abbildungsoptik optimiert ist.
  • Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Metrologiesystem mit dem im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
  • Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass die Verwendung eines Auskoppelspiegels mit einem Aspektverhältnis größer als 1,1 die Möglichkeit schafft, die Messlicht-Auskopplung, der regelmäßig zur Beaufschlagung beispielsweise eines überwachenden Energiesensors des Metrologiesystems genutzt wird, so zu gestalten, dass keine unerwünschte Abschattung von ansonsten zur Objektuntersuchung nutzbarem Messlicht erfolgt. Die Abschattung durch den Auskoppelspiegel kann dann so sein, dass sie in einem Bereich erzeugt wird, der innerhalb einer Obskuration liegt, die durch eine Beleuchtungsoptik-Blende und/oder die durch eine Abbildungsoptik-Blende des Metrologiesystems erzeugt wird. Eine Randkontur des Auskoppelspiegels mit Aspektverhältnis größer als 1,1 kann insbesondere an Blenden-Obskurationsflächen pupillenformender Blenden mit entsprechend großem Aspektverhältnis angepasst werden, sodass der Auskoppelspiegel insbesondere bei der zentralen Obskuration keine zusätzlichen Pupillenabschattungen erzeugt.
  • Je nach zur simulierender bzw. zu emulierender Abbildungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage kann ein Aspektverhältnis nach Anspruch 2 Vorteile bieten.
  • Das Aspektverhältnis A/B kann größer sein als 1,3, kann größer sein als 1,7 und kann auch größer sein als 1,9. Regelmäßig ist das Aspektverhältnis A/B kleiner als 10.
  • Eine Aspektverhältnis-Obergrenze nach Anspruch 3 führt zu einem insgesamt kompakten Auskoppelspiegel mit überschaubaren Herstellungskosten. Auch eine Beschichtung eines solchen Spiegels erzeugt keinen unnötigen Zusatzaufwand.
  • Insgesamt kann ein Auskoppelspiegel mit vergleichsweise großem Aspektverhältnis so ausgeführt sein, dass er auch zu Blenden bzw. Obskurationsflächen weiterer pupillenformender Blenden des Metrologiesystems mit kleinerem Aspektverhältnis kompatibel ist. Mit dem Metrologiessystem können dann nicht nur Projektionsoptiken von Projektionsbelichtungsanlagen mit hoher bildseitiger nummerischer Apertur und insbesondere anamorphotischer Projektionsoptiken simuliert bzw. emuliert werden, sondern auch isomorphe Projektionsoptiken mit insbesondere kleinerer bildseitiger numerischer Apertur. Es kann dann gewährleistet sein, dass auch für solche anderen Projektionsoptiken keine unerwünschte Pupillenabschattung durch den Auskoppelspiegel geschieht.
  • Gerade verlaufende Begrenzungs-Längsseiten nach Anspruch 4 haben sich bei der Randkontur-Gestaltung der Spiegelfläche des Auskoppelspiegels bewährt.
  • Konvex gekrümmt verlaufende Schmalseiten der Auskoppelspiegel-Randkontur nach Anspruch 5 ermöglichen die Nutzung entsprechend geformter zentraler Obskurationsflächen von pupillenformenden Blenden, die ohnehin beim Metrologiesystem zum Einsatz kommen.
  • Dies gilt insbesondere bei der Ausführung der Schmalseiten als Ellipsenabschnitte nach Anspruch 6.
  • Ein Auskoppelspiegel mit einer Auskoppel-Pupillen-Obskurationsfläche nach Anspruch 7 erzeugt im Vergleich zur Beleuchtungsoptik-Blende keine zusätzliche zentrale Pupillenabschattung.
  • Eine Auskoppel-Pupillen-Obskurationsfläche des Auskoppelspiegels nach Anspruch 8 erzeugt im Vergleich zur Abbildungsoptik-Blende keine zusätzliche zentrale Pupillenabschattung.
  • Ein Metrologiesystem mit einer EUV-Lichtquelle nach Anspruch 9 kann autark genutzt werden. Grundsätzlich ist es auch möglich, die EUV-Lichtquelle bei einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage als Lichtquelle für das Metrologiesystem einzusetzen.
  • Vermessen werden kann mit dem Metrologiesystem eine Lithographiemaske, die vorgesehen ist zur Projektionsbelichtung zur Erzeugung von Halbleiterbauelementen mit höchster Strukturauflösung, die beispielsweise besser ist als 30 nm und die insbesondere besser sein kann als 10 nm.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
    • 1 schematisch und in einem Meridionalschnitt ein Metrologiesystem zur Untersuchung von Objekten mit EUV-Messlicht;
    • 2 eine Aufsicht auf einen Auskoppelspiegel zur Auskopplung eines Teils des EUV-Messlichts aus einem Beleuchtungs-Strahlengang einer Beleuchtungsoptik des Metrologiesystems;
    • 3 eine Aufsicht einer Abbildungspupille einer Abbildungsoptik des Metrologiesystems, wobei eine pupillenabschattende Wirkung des Auskoppelspiegels, eine pupillenabschattende Wirkung einer Beleuchtungsoptik-Blende zur Vorgabe einer Messlicht-Intensitätsverteilung in einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik und einer Abbildungsoptik-Blende mit einem Obskurationsabschnitt zur Vorgabe einer Obskuration der Abbildungspupille dargestellt sind; und
    • 4 eine hinsichtlich der Darstellung einer zentralen Obskuration zur 3 ähnliche Aufsicht, wobei eine pupillenabschattende Wirkung einer alternativen Beleuchtungsoptik-Blende zusätzlich zu den abschattenden Wirkungen des Auskoppelspiegels und der Abbildungsoptik-Blende gezeigt sind.
  • 1 zeigt in einer einem Meridionalschnitt entsprechenden Ebene einen Strahlengang von EUV-Beleuchtungslicht beziehungsweise -Abbildungslicht 1 in einem Metrologiesystem 2 mit einer Abbildungsoptik 3. Die Abbildungsoptik 3 ist in der 1 schematisch dargestellt. Das Beleuchtungslicht 1 wird erzeugt in einem Beleuchtungssystem 4 der Projektionsbelichtungsanlage 2. Das Beleuchtungs- bzw. Abbildungslicht 1 wird nachfolgend auch als Messlicht bezeichnet.
  • Zur Erleichterung der Darstellung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein kartesisches xyz-Koordinatensystem verwendet. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene aus dieser heraus. Die y-Achse verläuft in der 1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der 1 nach oben.
  • Das Beleuchtungssystem 4 beinhaltet eine schematisch dargestellte EUV-Lichtquelle 5 und eine ebenfalls schematisch dargestellte Beleuchtungsoptik 6. Bei der Lichtquelle kann es sich um eine Laser-Plasma-Quelle (LPP; laser produced plasma) oder um eine Entladungsquelle (DPP; discharge produced plasma) handeln. Grundsätzlich kann auch eine Synchrotron-basierende Lichtquelle zum Einsatz kommen, zum Beispiel ein Freie-Elektronen-Laser (EFL). Eine Nutzwellenlänge des Beleuchtungslichts 1 kann im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm liegen. Grundsätzlich kann bei einer Variante der Projektionsbelichtungsanlage 2 auch eine Lichtquelle für andere Nutzlichtwellenlänge zum Einsatz kommen, beispielsweise für eine Nutzwellenlänge von 193 nm.
  • Im Strahlengang des Beleuchtungslichts 1 nach der EUV-Lichtquelle 5 ist ein Kollektorspiegel 7 des Beleuchtungssystems 4 angeordnet. Der Kollektorspiegel 7 ist als Ellipsoid-Spiegel ausgebildet. In einem ersten Brennpunkt des Kollektorspiegels 7 liegt ein Quellbereich der Lichtquelle 5. Im Beleuchtungslicht-Strahlengang dem Kollektorspiegel 7 nachgeordneten zweiten Brennpunkt des Kollektorspiegels 7 liegt ein Zwischenfokus IF. Im Bereich des Zwischenfokus IF durchtritt der Beleuchtungslicht-Strahlengang eine Zwischenfokusblende 8 des Beleuchtungssystems 4.
  • Der Zwischenfokusblende 8 im Beleuchtungslicht-Strahlengang nachgeordnet ist ein Auskoppelspiegel 9 zur Auskopplung eines Auskoppel-Teils 10 des Messlichts 1 aus dem Beleuchtungs-Strahlengang. Der Auskoppel-Teil 10 wird über den Auskoppelspiegel 9 hin zu einem Energiesensor 11 des Beleuchtungssystems ausgekoppelt. Bei dem Engergiesensor 11 kann es sich um einen ortsauflösenden Sensor handeln. Der Energiesensor 11 dient zur Überwachung einer Leistungsfähigkeit der EUV-Lichtquelle 5 und/oder des Kollektorspiegels 7 sowie ggf. zur Überwachung einer Funktion der Zwischenfokusblende 8. Eine abschattende Wirkung des Auskoppelspiegels 9 wird weiter unten noch näher erläutert.
  • Dem Auskoppelspiegel 9 ist im Beleuchtungs-Strahlengang der Beleuchtungsoptik 6 nachgeordnet eine Beleuchtungsoptik-Blende 12.
  • Das Beleuchtungslicht 1 wird in der Beleuchtungsoptik 6 des Beleuchtungssystems 4 so konditioniert, dass ein bestimmtes Beleuchtungssetting der Beleuchtung bereitgestellt wird, also eine spezifische Beleuchtungswinkelverteilung. Diesem Beleuchtungssetting entspricht eine bestimmte Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts 1 in einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik des Beleuchtungssystems 4. Zur Bereitstellung des jeweiligen Beleuchtungssettings dient die Beleuchtungsoptik-Blende 12, die in einer Pupillenebene 13 der Beleuchtungsoptik 6 angeordnet ist.
  • Die Beleuchtungsoptik-Blende 12 ist in einem Blendenhalter 14 gehalten, der in der 1 lediglich schematisch angedeutet ist. Hierbei kann es sich um einen Blenden-Wechselhalter handeln, der einen Austausch der aktuell bei der Beleuchtung genutzten Beleuchtungsoptik-Blende 12 durch mindestens eine Wechsel-Beleuchtungsoptik-Blende 12 ermöglicht. Ein solcher Wechselhalter kann ein Magazin mit einer Mehrzahl insbesondere verschiedener Beleuchtungsoptik-Blenden 12 zur Vorgabe verschiedener Beleuchtungssettings aufweisen.
  • Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik-Blende 12 nachgelagert ist die Beleuchtungsoptik 6. Diese kann eine Mehrzahl von Spiegeln aufweisen.
  • Die Beleuchtungsoptik 6 dient zur Führung des EUV-Messlichts 1 mit dem über die Beleuchtungsoptik-Blende 12 und ggf. den Beleuchtungsoptik-Spiegeln eingestellten Beleuchtungssetting hin zu einem zu untersuchenden Objekt 17. Bei dem Objekt 17 kann es sich um sich um ein Retikel handeln, dass als Masterstuktur bei einer Projektionsbelichtungsanlage zur Erzeugung strukturierter Halbleiter-Bauelemente zum Einsatz kommen kann. Mit dem Beleuchtungssystem 4 wird ein Objektfeld 18 in einer Objektebene 19 beleuchtet. Das Retikel 17 wird auch als Lithografiemaske bezeichnet und ist so angeordnet, dass ein Abschnitt des Retikels 17 mit dem Objektfeld 18 zusammenfällt.
  • Das Beleuchtungslicht 1 wird von dem Retikel 17 reflektiert und tritt in eine Eintrittspupille der Abbildungsoptik 3 in einer Eintrittspupillenebene 20 ein.
  • Innerhalb der Abbildungsoptik 3 propagiert das Beleuchtungs- beziehungsweise Abbildungslicht 1 zwischen der Eintrittspupillenebene 20 und einer Austrittspupillenebene 21. Die Abbildungsoptik 3 kann anamorphotisch ausgeführt sein und erzeugt dann z.B. aus einer elliptischen Eintrittspupille eine kreisförmige Austrittspupille.
  • Im Abbildungslicht-Strahlengangs liegen zwischen der Eintrittspupillenebene 20 und der Austrittspupillenebene 21 zwei Spiegel der Abbildungsoptik 3. Der Austrittspupillenebene 21 nachgeordnet liegt im Abbildungslicht-Strahlengang der Abbildungsoptik 3 ein weiterer Spiegel. Insgesamt hat die abbildende Optik 3 genau drei Spiegel. Je nach Ausführung des Metrologiesystems 1 kann die Abbildungsoptik 3 auch eine andere Spiegelanzahl zwischen zum Beispiel zwei und zehn aufweisen.
  • Die Abbildungsoptik 3 bildet das Objektfeld 18, also einen Abschnitt des Objekts 17, in eine Messebene 22 ab. In der Messebene 22 ist eine ortsauflösende Detektionseinrichtung 23 in Form einer Kamera angeordnet.
  • Bei der dargestellten Ausführung liegt ein von 0 verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 19 und der Messebene 22 vor. Je nach Ausführung kann die Objektebene 19 auch parallel zur Messebene 22 verlaufen und die beiden Ebenen können insbesondere zusammenfallen.
  • Mithilfe des Metrologiesystems 2 kann insbesondere ein Luftbildstapel mit der Detektionseinrichtung 23 erfasst werden. Hierzu kann das Objekt 17 inkremental in der z-Richtung verlagert werden.
  • Die Abbildungsoptik 3 des Metrologiesystems 2 hat eine Vergrößerung, die größer ist als 50 und die auch größer sein kann als 100. Regelmäßig ist diese Vergrößerung kleiner als 1000. Die Abbildungsoptik 3 führt also zu einer vergrößerten Abbildung des Objektfeldes 18 auf ein Bildfeld in der Messebene 22, in dem insbesondere ein CCD- oder CMOS-Chip der Detektionseinrichtung 23 angeordnet sein kann.
  • Aus dem aufgenommenen Luftbild wird auf die Abbildungseignung von Strukturen auf dem Objekt 17 für eine Projektionsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage rückgeschlossen, die zur Produktion strukturierter Halbleiter-Bauteilelemente, insbesondere von Mikrochips, beispielsweise von Speicherchips, genutzt werden kann.
  • Zumindest in einer der Pupillenebenen 20, 21 der Abbildungsoptik 3 ist eine Abbildungsoptik-Blende 24 angeordnet, die in der 1 beispielhaft in der Eintrittspupillenebene 20 dargestellt ist.
  • Die Abbildungsoptik-Blende 24 hat einen zentralen Obskurationsabschnitt 25 zur Vorgabe einer Obskuration einer Abbildungspupille der Abbildungsoptik 3, also der Eintrittspupille und/oder der Austrittspupille.
  • Die Abbildungsoptik-Blende 24 ist in einem Blendenhalter 26 gehalten, der in der 1 lediglich schematisch angedeutet ist. Hierbei kann es sich um einen Blenden-Wechselhalter handeln, der einen Austausch der aktuell bei der Abbildung genutzten Abbildungsoptik-Blende 24 durch mindestens eine Wechsel-Abbildungsoptik-Blende ermöglicht. Dies kann zur Simulation bzw. Emulation verschiedener Abbildungsoptiken von Projektionsbelichtungsanlagen genutzt werden, die mit dem Metrologiesystem 2 simuliert bzw. emuliert werden.
  • 2 zeigt eine Aufsicht auf den Auskoppelspiegel 9. Die Zeichenebene der 2 fällt mit einer Spiegelebene 27 (vgl. 1) des Auskoppelspiegels 9 zusammen. Dargestellt ist eine zur Messlicht-Auskupplung genutzte Spiegelfläche des Auskoppelspiegels 9. Diese hat eine größte Spiegelflächenerstreckung A längs einer Spiegelflächen- Längsdimension x, die parallel zur x-Achse des globalen kartesischen x-, y-, z-Koordinatensystems des Metrologiesystems 2 verläuft. Eine kleinste Spiegelflächen-Erstreckung B der zur Messlicht-Auskopplung genutzten Spiegelfläche des Auskoppelspiegels 9 verläuft längs einer Spiegel-Querdimension y, die zusammen mit der x-Achse die Spiegelebene 27 aufspannt und einen von 0 verschiedenen Winkel mit der globalen y-Achse der 1 einschließt. Dieser (Kipp-)Winkel des Auskoppelspiegels 9 liegt bei etwa 25 Grad bezüglich des einfallenden Beleuchtungslichts 1, sodass der Auskoppel-Teilstrahl 10 um etwa 50 Grad aus dem Messlicht-Strahlengang ausgekoppelt wird. Ein Aspektverhältnis aus der größten Spiegelflächen-Erstreckung A und der kleinsten Spiegelflächen-Erstreckung B ist größer als 1,1 und kann größer sein als 1,2, kann größer sein als 1,3, kann größer sein als 1,4 und ist bei der dargestellten Ausführung größer als 1,5, beträgt nämlich etwa 1,58.
  • Längsseiten 28, 29, der zur Messlicht-Auskopplung genutzten Spiegelfläche des Auskoppelspiegels 9, die zueinander den Abstand A haben, sind als gerade verlaufenden Begrenzungen der Spiegelfläche ausgeführt.
  • Schmalseiten 30, 31, zwischen denen die größte Spiegelflächen-Erstreckung B der zur Messlicht-Auskupplung genutzten Spiegelfläche des Auskoppelspiegels vorliegt, sind als konvex gekrümmt verlaufende Begrenzungen der Spiegelfläche des Auskoppelspiegels 9 ausgeführt. Diese Schmalseiten 30, 31 des Auskoppelspiegels 9 sind als Ellipsenabschnitte ausgeführt. In der 2 ist zur Verdeutlichung der Form der zur Messlicht-Auskopplung genutzten Spiegelfläche des Auskoppelspiegels 9 sowohl ein Rechteck mit den Seitenlängen A und B als auch eine Ellipse mit den die Schmalseiten 30, 31 bildenden Ellipsenabschnitten eingezeichnet, in die eine Randkontur der zur Messlicht-Auskopplung genutzten Spiegelfläche des Auskoppelspiegels 9 eingeschrieben ist.
  • Die Beleuchtungsoptik-Blende 12 hat einen Obskurationsabschnitt 32, über den eine zentrale Abschattung des Beleuchtungslichts 1 in der Beleuchtungsoptik-Pupillenebene 13 erzeugt wird.
  • 3 verdeutlicht die pupillenabschattenden Wirkungen des Auskoppelspiegels 9, der Beleuchtungsoptik-Blende 12 und der Auskoppeloptik-Blende 24 in der Eintrittspupillenebene 20. Die Eintrittspupille wird in dieser Eintrittspupillenebene 20 aufgespannt von Pupillenkoordinaten σx und σy. Die Pupillenkoordinate σx verläuft parallel zur x-Koordinate des globalen Koordinatensystems der 1.
  • Eine zentrale Beleuchtungsoptik-Blenden-Obskurationsfläche 33, die durch die abschattende Wirkung des Obskurationsabschnitt 32 erzeugt wird, hat eine im Wesentlichen elliptische Randkontur in Form einer liegenden Ellipse. Zudem sind noch Pupillenschatten 34, 35 von längs der σy-Pupillenkoordinate verlaufenden Befestigungsstegen des Obskurationsabschnitts 32 der Beleuchtungsoptik-Blende 12 in der 3 dargestellt.
  • Weiterhin zeigt die 3 eine wiederum elliptische äußere Beleuchtungsapertur 36, die ebenfalls von der Beleuchtungsoptik-Blende 12 vorgegeben wird. Zwischen der Beleuchtungsoptik-Blenden-Obskurationsfläche 33 und der Beleuchtungsapertur 36 kann, abgesehen von den Pupillenschatten 34, 35 der Stege, das Messlicht 1 die Eintrittspupillenebene 20 ungehindert durchtreten.
  • Durch den Auskoppelspiegel 9 wird in der Pupillenebene 13 sowie in der hierzu konjugierten Eintrittspupillenebene 20 der Abbildungsoptik 3 eine zentrale Abschattung erzeugt, die als Auskoppel-Pupillen-Obskurationsfläche 37 in der 3 dargestellt ist. Neben dieser zentralen Auskoppel-Pupillen-Obskurationsfläche 37 erzeugen Haltestege des Auskoppelspiegels 9 wiederrum Pupillenschatten, die innerhalb der Pupillenschatten 34, 35 liegen. Eine Form der zentralen Auskoppel-Pupillen-Obskurationsfläche 37 ist der Randkontur der zur Messlicht-Auskopplung genutzten Spiegelfläche des Auskoppelspiegels 9 (vgl. 2) ähnlich.
  • Die Auskoppel-Pupillen-Obskurationsfläche 37 liegt innerhalb der Beleuchtungsoptik-Blenden-Oskurationsfläche 33, sodass die Auskoppel-Pupillen-Obskurationsfläche 37 keine zusätzliche Abschattung des Messlichts 1 innerhalb der Eintrittspupillenebene 20 bewirkt.
  • Weiterhin dargestellt ist in der 3 eine pupillenabschattende Wirkung der Abbildungsoptik-Blende 24, nämlich zum einen eine zentrale Abbildungsoptik-Blenden-Obskurationsfläche 38, die durch die Abschattung durch den Obskurationsabschnitt 25 der Abbildungsoptik-Blende 24 erzeugt wird, sowie Pupillenschatten von Haltestegen der Abbildungsoptik-Blende 24, die wiederum innerhalb der Pupillenschatten 34, 35 liegen.
  • Die Auskoppel-Pupillen-Obskurationsfläche 37 liegt innerhalb der Abbildungsoptik-Blenden-Obskurationsfläche 38, sodass auch in Bezug auf die Abbildungsoptik-Blende 24 der Auskoppelspiegel 9 keine zusätzliche abschattende Wirkung für das Messlicht 1 in der Eintrittspupillenebene 20 erzeugt.
  • Je nach Ausführung des Auskoppelspiegels 9 kann dessen abschattende Wirkung längs der σy-Erstreckung auch größer sein als eine σy-Erstreckung der Abbildungsoptik-Blenden-Obskurationsfläche 38, solange der Auskoppelspiegel 9 im Vergleich zur Beleuchtungsoptik-Blende 12 keine zusätzliche Abschattung in der Eintrittspupillenebene 20 erzeugt.
  • 4 zeigt in einer hinsichtlich der zentralen Obskurationsdarstellung ähnlichen Form wie die 3 eine abschattende Wirkung bei Verwendung einer alternativen Beleuchtungsoptik-Blende, die eine kreisförmige zentrale Beleuchtungsoptik-Blende-Obskurationsfläche 40 erzeugt. Die Formen der Auskoppel-Pupillen-Obskurationsfläche 37 und der Abbildungsoptik-Blenden-Obskurationsfläche 38 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 3 bereits erläutert wurden. Die Auskoppel-Pupillen-Obskurationsfläche 37 liegt wiederum vollständig innerhalb der Beleuchtungsoptik-Blenden-Obskurationsfläche 40.
  • Die alternative Beleuchtungsoptik-Blende, die zur Beleuchtungsoptik-Blenden-Obskurationsfläche 40 nach 4 führt, kann zur entsprechenden Simulation bzw. Emulation einer insbesondere isomorphen Optik herangezogen werden.

Claims (9)

  1. Metrologiesystem (2) zur Untersuchung von Objekten (17) mit EUV-Messlicht (1), - mit einer Beleuchtungsoptik (6) zur Führung des EUV-Messlichts (1) hin zum zu untersuchenden Objekt (17), aufweisend eine Beleuchtungsoptik-Blende (12) zur Vorgabe einer Messlicht-Intensitätsverteilung in einer Beleuchtungspupille in einer Pupillenebene (13) der Beleuchtungsoptik (6), - mit einem Auskoppelspiegel (9) zur Auskopplung eines Teils (10) des Messlichts (1) aus einem Beleuchtungs-Strahlengang der Beleuchtungsoptik (6), - wobei der Auskoppelspiegel (9) eine zur Messlicht-Auskopplung genutzte Spiegelfläche mit einem Aspektverhältnis aus einer größten Spiegelflächen-Erstreckung A längs einer Spiegelflächen-Längsdimension (x) und einer kleinsten Spiegelflächen-Erstreckung B längs einer Spiegelflächen-Querdimension (y) hat, die senkrecht auf der Spiegelflächen-Längsdimension (x) steht, wobei das Aspektverhältnis A/B größer ist als 1, 1.
  2. Metrologiesystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Aspektverhältnis A/B größer ist als 1,5.
  3. Metrologiesystem nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Aspektverhältnis A/B höchstens 2 beträgt.
  4. Metrologiesystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass Längsseiten (28, 29) des Auskoppelspiegels (9), die zueinander den Abstand B der kleinsten Spiegelfläche-Erstreckung haben, als gerade verlaufende Begrenzungen der Spiegelfläche ausgeführt sind.
  5. Metrologiesystem nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass Schmalseiten (30, 31) des Auskoppelspiegels (9), zwischen denen die größte Spiegelfläche-Erstreckung A vorliegt, als konvex gekrümmt verlaufende Begrenzungen der Spiegelfläche ausgeführt sind.
  6. Metrologiesystem nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Schmalseiten (30, 31) des Auskoppelspiegels (9) Randkonturen in Form von Ellipsenabschnitten haben.
  7. Metrologiesystem nach einen der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Auskoppel-Pupillen-Obskurationsfläche (37), die durch eine Abschattung des Beleuchtungs-Strahlengangs durch den Auskoppelspiegel (9) in einer nachgelagerten Pupillenebene (20) des Metrologiesystems (2) erzeugt wird, innerhalb einer Beleuchtungsoptik-Blenden-Obskurationsfläche (33) liegt, die durch einen Obskurationsabschnitt (32) der Beleuchtungsoptik-Blende (12) in der Pupillenebene (20) erzeugt wird.
  8. Metrologiesystem nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch eine Abbildungsoptik (3) zur Abbildung eines Abschnitts (18) des Objekts (17) in eine Messebene (22), aufweisend eine Abbildungsoptik-Blende (24) mit einem Obskurationsabschnitt (25) zur Vorgabe einer Obskuration einer Abbildungspupille in einer Pupillenebene (20, 21) der Abbildungsoptik (3), wobei eine Auskoppel-Pupillen-Obskurationsfläche (37), die durch eine Abschattung des Beleuchtungs-Strahlengangs durch den Auskoppelspiegel (9) in der Pupillenebene (20, 21) erzeugt wird, innerhalb einer Abbildungsoptik-Blende-Obskurationsfläche (38) liegt, die durch den Obskurationsabschnitt (25) der Abbildungsoptik-Blende (24) erzeugt wird.
  9. Metrologiesystem nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch eine EUV-Lichtquelle (5) zur Erzeugung des EUV-Messlichts (1).
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