KR101890933B1 - 레이저 전사장치 및 전사방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레어저 전사장치에 관한 것으로서, 메인 스테이지에 장착되어 3축방향 위치조정이 가능하며 전사층이 저면에 형성된 전사체를 홀딩하는 홀더가 마련된 전사 헤드와, 메인 스테이지에 장착되되 3축 방향으로 위치 조정이 가능하게 설치되며 집광렌즈로 광을 출사할 수 있게 설치된 광조사유닛과, 광조사 유닛에 장착되어 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 상기 전사체의 전사층을 전사대상물로 전사시키도록 제1레이저 광을 출사하게 설치된 제1레이저와, 광조사 유닛에 장착되어 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 전사대상물에 전사된 전사패턴을 설정된 형상으로 트리밍할 수 있도록 제2레이저 광을 출사하게 설치된 제2레이저와, 광조사 유닛에 장착되어 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 제2레이저에 의해 트리밍 처리된 전사패턴을 소결할 수 있도록 제3레이저 광을 출사하게 설치된 제3레이저와, 광조사 유닛에 장착되어 전사 대상물에 전사된 전사패턴을 건조시키는 건조가스를 분사하는 건조 가스 분사부 및 제1레이저 내지 제3레이저의 구동을 제어하고, 건조가스 분사부의 구동을 제어하는 제어유니트를 구비한다. 이러한 레이저 전사장치 및 전사방법에 의하면, 전사대상물에 전사된 전사패턴을 원하는 형상으로 트리밍처리할 수 있으면서 소결을 통해 전기적 특성도 향상시킬 수 있으며, 전사체를 전사대상물에 접촉상태로 전사작업을 수행할 수 있어 전사작업을 용이하게 수행할 수 있다.

Description

레이저 전사장치 및 전사방법{Laser induced forward transfer and transfering method using the same}
본 발명은 레이저 전사장치 및 전사방법에 관한 것으로서, 상세하게는 전사대상체에 양질의 전사패턴을 형성할 수 있도록 된 레이저 전사장치 및 전사방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등의 표시 장치에서 회로 패턴의 결함 복구를 행하기 위해서 레이저 CVD법을 이용한 레이저 리페어 장치가 이용되고 있다.
레이저 CVD법을 이용하는 레이저 리페어 장치는 레이저에 의한 화학 기상 성장법을 이용하는 것으로서, 레이저를 원료 가스 중에 놓인 기판에 조사하고, 레이저 조사면에서의 원료 가스의 화학·물리 반응을 촉진함에 의해, 기판상의 복구 개소에 원료 가스의 피막을 성장시키는 것이다.
그러나, 이와 같은 종래의 레이저 CVD법을 이용하는 레이저 리페어 장치에서는 복구 재료로서, 가스화할 수 있는 재료(W, Cr, Mo)밖에 사용할 수 없으며, 레이저 조사면에서의 원료 가스의 화학·물리 반응을 이용하기 때문에 복구 속도가 느리다는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 개선하기 위하여 전사물질을 레이저로 조사하여 전사대상체에 낙하에 의해 전사시키는 방식의 레이저 전사장치가 공개특허 제10-2009-0012105호에 게시되어 있다.
그런데, 상기 레이저 전사장치는 전사블록과 전사대상물 기판과의 비접촉방식으로 일정간격을 유지하기 위해 구조가 복잡하고, 전사대상체에 전사된 전사패턴을 원하는 크기로 가공할 수 없으며 전기적 특성을 향상시키도록 후처리를 병행할 수 없는 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 전사대상물에 접촉방식으로 전사과정을 수행하며, 전사대상물에 전사된 전사패턴을 원하는 크기로 조절하고, 소결에 의해 특성을 향상시킬 수 있는 레이저 전사장치 및 전사방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 전사대상체로의 전사과정을 용이하게 수행할 수 있는 레이저 전사장치 및 전사방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 레이저 전사장치는 메인 스테이지에 장착되어 3축방향 위치조정이 가능하며 전사층이 저면에 형성된 전사체를 홀딩하는 홀더가 마련된 전사 헤드와; 상기 메인 스테이지에 장착되되 3축 방향으로 위치 조정이 가능하게 설치되며 집광렌즈로 광을 출사할 수 있게 설치된 광조사유닛과; 상기 광조사 유닛에 장착되어 상기 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 상기 전사체의 전사층을 전사대상물로 전사시키도록 제1레이저 광을 출사하게 설치된 제1레이저와; 상기 광조사 유닛에 장착되어 상기 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 상기 전사대상물에 전사된 전사패턴을 설정된 형상으로 트리밍할 수 있도록 제2레이저 광을 출사하게 설치된 제2레이저와; 상기 광조사 유닛에 장착되어 상기 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 상기 제2레이저에 의해 트리밍 처리된 전사패턴을 소결할 수 있도록 제3레이저 광을 출사하게 설치된 제3레이저와; 상기 광조사 유닛에 장착되어 전사 대상물에 전사된 전사패턴을 건조시키는 건조가스를 분사하는 건조 가스 분사부;및 상기 제1레이저 내지 제3레이저의 구동을 제어하고, 상기 건조가스 분사부의 구동을 제어하는 제어유니트;를 구비한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 전사대상물에 접촉을 유지하면서 전사과정을 수행할 수 있도록 상기 전사체는 수정소재로 형성된 전사블록에 은나노가 함유된 전사층이 저면에 형성되어 있고, 상기 전사층을 에워싸는 가장자리에 상기 전사층보다 하방으로 돌출되게 연장되어 전사대상물에 접촉되는 접촉 유도층을 구비한다.
또한, 상기 전사층은 1㎛ 내지 100㎛의 두께를 갖게 형성되어 있고, 상기 제어부는 전사모드시 상기 제1레이저를 100펨토초 내지 500피코초 동안 펄스 구동처리하고, 트리밍모드시 상기 제2레이저를 1나노초 내지 100나노초로 펄스 구동처리하고, 소결모드시 상기 제3레이저를 1밀리초 내지 100밀리초 또는 연속빔으로 가동한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 전사방법은 메인 스테이지에 장착되어 3축방향 위치조정이 가능하며 전사층이 저면에 형성된 전사체를 홀딩하는 홀더가 마련된 전사 헤드와, 상기 메인 스테이지에 장착되되 3축 방향으로 위치 조정이 가능하게 설치되며 집광렌즈로 광을 출사할 수 있게 설치된 광조사유닛과, 상기 광조사 유닛에 장착되어 상기 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 상기 전사체의 전사층을 전사대상물로 전사시키도록 제1레이저 광을 출사하게 설치된 제1레이저와, 상기 광조사 유닛에 장착되어 상기 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 상기 전사대상물에 전사된 전사패턴을 설정된 형상으로 트리밍할 수 있도록 제2레이저 광을 출사하게 설치된 제2레이저와, 상기 광조사 유닛에 장착되어 상기 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 상기 제2레이저에 의해 트리밍 처리된 전사패턴을 소결할 수 있도록 제3레이저 광을 출사하게 설치된 제3레이저와, 상기 광조사 유닛에 장착되어 전사 대상물에 전사된 전사패턴을 건조시키는 건조가스를 분사하는 건조 가스 분사부를 구비하는 레이저 전사장치의 전사방법에 있어서, 가. 상기 제1레이저를 가동하여 전사대상물에 전사층이 전사되게 처리하는 단계와; 나. 상기 전사대상물에 전사된 전사패턴에 상기 건조가스를 분사하여 건조시키는 단계와; 다. 상기 제2레이저를 가동하여 전사대상물에 전사된 전사 패턴의 잉여부분을 제거하여 정형화하는 단계와; 라. 상기 제3레이저를 가동하여 정형화된 전사 패턴을 소결하는 단계:를 포함한다.
본 발명에 따른 레이저 전사장치 및 전사방법에 의하면, 전사대상물에 전사된 전사패턴을 원하는 형상으로 트리밍처리할 수 있으면서 소결을 통해 전기적 특성도 향상시킬 수 있으며, 전사체를 전사대상물에 접촉상태로 전사작업을 수행할 수 있어 전사작업을 용이하게 수행할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 레이저 전사장치를 개략적으로 나타내 보인 사시도이고,
도 2는 도 1의 레이저 전사장치의 작동 요소를 광학적으로 배열하여 나타내 보인 도면이고,
도 3은 도 2의 전사체를 확대도시한 단면도이고,
도 4는 전사대상에 전사된 전사패턴의 처리과정을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 레이저 전사장치 및 전사방법을 더욱 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 레이저 전사장치를 개략적으로 나타내 보인 사시도이고, 도 2는 도 1의 레이저 전사장치의 작동 요소를 광학적으로 배열하여 나타내 보인 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 레이저 전사장치(100)는 메인 스테이지(110), 광조사유닛(120), 전사헤드(160)를 구비한다.
광조사유닛(120)은 메인 스테이지(110)에 장착되되 제1위치조정부(182)에 의해 3축 방향으로 위치 조정이 가능하게 설치되며 집광렌즈(122)로 광을 출사할 수 있게 되어 있다.
광조사유닛(120)은 메인스테이지(110)에 대해 제1방향인 X방향으로 이동될 수 있게 설치된 제1이동체(102)에 대해 제2방향인 Y방향으로 이동가능하게 설치된 제2이동체(104)에 장착되어 있다.
또한, 광조사유닛(120)은 제2이동체(104)에 제3방향인 Z방향으로 이동가능하게 결합된 베이스 스테이지(106)에 장착되어 있다.
제1위치조정부(181)는 제1이동체(102), 제2이동체(104) 및 베이스 스테이지(106)의 이동을 후술되는 제어부(191)에 의해 제어할 수 있도록 되어 있다.
광조사유닛(120)의 하우징(121) 내에는 제1 내지 제3레이저(131 내지 133), 정렬광원(136), 집광렌즈(122), CCD카메라(138)가 설치되어 있다.
정렬광원(136)으로부터 집광렌즈(122)로 이어지는 광조사경로(141)상에는 광조사경로를 따라 진행되는 광은 투과시키고, 경사지게 입사되는 광은 광조사경로(141)로 반사시키는 제1 내지 제3빔스플릿터(137a 내지 137c)가 설치되어 있다.
정렬광원(136)은 광학적 정렬상태를 확인하기 위한 용도로 적용된 것으로 집광렌즈(122)를 향해 광을 출사할 수 있도록 되어 있다.
제1레이저(131)는 정렬광원(136)으로부터 집광렌즈(122)로 이어지는 광조사경로(141)에 대해 직교되는 방향에서 제1빔스플릿터(137a)를 향해 광을 출사할 수 있도록 설치되어 있다.
제1레이저(131)는 후술되는 전사체(200)의 전사층(220)을 전사대상물(300)로 전사시키도록 제1레이저 광을 출사한다.
제1레이저(131)는 피코초 내지 펨토초 펄스 구동이 가능한 것이 적용되며, 파장은 적절하게 예를 들면 800nm파장의 광을 출사하는 것을 적용한다.
제1레이저(131)는 피코초 내지 펨토초 펄스 구동시 전사층을 열에 의해 낙하할 수 있는 파워을 갖는 것을 적용하면된다.
제2레이저(132)는 정렬광원(136)으로부터 집광렌즈(122)로 이어지는 광조사경로(141)에 대해 직교되는 방향에서 제2빔스플릿터(137b)를 향해 광을 출사할 수 있도록 설치되어 있다.
제2레이저(132)는 전사대상물(300)에 전사된 전사패턴을 설정된 형상으로 트리밍할 수 있도록 제2레이저 광을 출사한다.
제2레이저(132)는 나노초 펄스 구동이 가능한 것이 적용되며, 파장은 532nm 또는 266nm를 출사하는 것이 적용될 수 있다.
제2레이저(132)는 나노초 펄스 구동에 의해 조사된 광이 후술되는 전사패턴에 입사되면 해당영역의 전사부분이 제거될 수 있는 파워를 갖는 것이 적용된다.
제3레이저(133)는 정렬광원(136)으로부터 집광렌즈(122)로 이어지는 광조사경로(141)에 대해 직교되는 방향에서 제3빔스플릿터(137c)를 향해 광을 출사할 수 있도록 설치되어 있다.
제3레이저(133)는 전사대상물(300)에 전사되어 제2레이저(132)에 의해 트리밍 처리된 전사패턴을 소결할 수 있도록 제3레이저 광을 출사한다.
제3레이저(133)는 연속적으로 광을 발진에 의해 출사하는 CW(continuous wave) 레이저가 적용되고, 일 예로서 637nm파장의 광을 출사하는 것이 적용된다.
제3레이저(133)는 전사대상물(300)에 전사된 전사패턴에 1밀리초 내지 100밀리초 동안 광을 조사하면 해당 영역이 용융 및 소결될 수 있는 파워를 갖는 것을 적용한다.
제4빔스플릿터(139)는 전사체(200)로부터 역으로 진행되는 광을 CCD카메라(138)로 반사시키고, 광조사경로(141)를 통해 집광렌즈(122)로 향하는 광은 투과시킨다.
건조 가스 분사부(145)는 광조사 유닛(120)의 하우징(121)에 마련된 분사구(145a)를 통해 전사 대상물(300)에 전사된 전사패턴을 건조시키는 건조가스를 분사한다.
건조 가스분사부(145)는 후술되는 전사헤드(160)를 통해 건조가스를 분사하도록 구축될 수 있음은 물론이다.
건조가스는 N2, H2, Ar과 같은 비활성가스를 적용한다. 건조가스의 온도는 70 내지 150℃로 유지시켜 분사하고, 바람직하게는 130℃로 유지하여 분사한다.
전사헤드(160)는 메인 스테이지(110)에 장착되어 3축방향 위치조정이 가능하며 전사층(220)이 저면에 형성된 전사체(200)를 홀딩하는 홀더(162)가 마련되어 있다.
도시된 예에서 전사 헤드(160)는 제2이동체(104)를 통해 결합되어 제2위치조정부(182)에 의해 제2이동체(104)에 대해 3축방향으로 위치 조정이 가능하게 되어 있다.
즉, 제2이동체(104)에 대해 Z방향으로 이동될 수 있게 설치된 수직블록(164)에 대해 Y방향으로 이동될 수 있게 수평블록(166)이 결합되어 있고, 수평블록(166)에 대해 X방향으로 진퇴될 수 있게 진퇴블록(168)이 결합되어 있고, 전사 헤드(160)는 진퇴블록(168)에 결합되어 있다.
제2위치조정부(182)는 수직블록(164), 수평블록(166) 및 진퇴블록(168)의 이동을 후술되는 제어부(191)에 의해 제어할 수 있도록 되어 있다.
전사헤드(160)는 진퇴블록(168)에 결합되어 있다.
전사헤드(160)에 결합된 홀더(162)는 전사체(200)를 홀딩할 수 있으면서 광조사유닛(120)으로부터 광을 입사받을 수 있는 구조로 되어 있다.
즉, 홀더(162)는 제1내경의 홀을 갖게 형성된 제1홀형성부분(162a)과, 제1 내경보다 확장된 제2내경의 홀을 갖으며 전사체(200)를 수용하는 수용부분(162b)을 갖는 구조로 되어 있다.
수용부분(162a)에는 전사체(200)를 흡착에 의해 홀딩할 수 있는 흡착홀(163)이 형성되어 있다.
또한, 수용부분(162a)의 천정면에는 흡착된 전사체(200)를 탄성적으로 지지할 수 있게 스프링(164)이 장착되어 있다.
전사체(200)는 도 3에 도시된 바와 같이 수정소재로 형성된 전사블록(210)에 은나노가 함유된 전사층(220)이 저면에 형성되어 있고, 전사층(220)을 에워싸는 가장자리에 전사층(220)보다 하방으로 돌출되게 연장되어 전사대상물(300)에 접촉되는 접촉 유도층(230)을 갖는 구조로 되어 있다.
전사블록(210)은 두께가 1 내지 2mm정도가 되게 형성된 것을 적용한다.
전사층(220)은 1㎛ 내지 100㎛의 두께를 갖게 형성되어 있고, 일 예로서 은나노 입자 30중량%에 알콜70중량%로 혼합한 것을 도포하여 형성된다.
접촉유도층(230)는 전사층(220)이 저면으로부터 5 내지 100㎛의 돌출된 두께를 갖게 형성된다.
접촉유도층(230)은 폴리이미드 소재로 형성될 수 있다.
도시된 예와 다르게 전사층(220)과 전사블록(210) 사이에 열을 중계하는 열중계층(미도시)이 삽입될 수 있고, 이 경우 크롬, 니켈, 코발트, 철 소재로 중계층을 1nm 내지 50nm의 두께로 형성하면된다.
제1거리센서(185)는 광조사유닛(110)에 설치되어 대향면과의 이격거리를 검출하여 제어부(191)에 제공한다.
제1거리센서(185)는 전사헤드(160)와 광조사유닛(110)과의 충돌을 방지하기 위한 용도로 적용되었다.
제2거리센서(186)은 전사헤드(160)의 저면에 설치되어 있다.
제2거리센서(186)은 전사헤드(160)와 전사대상물(300)과의 이격거리를 파악하는데 활용하기 위해 적용되었다.
제어유니트는 제1 및 제2 위치조정부(181)(182), 제어부(191) 및 조작부(미도시)를 구비한다.
제어부(191)는 제1 및 제2거리센서(185)(186)에서 제공되는 정보를 활용하면서 조작부로부터 지시된 위치로 정렬되게 제1 및 제2 위치 조정부(181)(182)를 제어한다.
또한, 제어부(191)는 조작부로부터 전사공정을 수행하는 지시가 수신되면 제1 내지 제3 레이저(131 내지 133)의 구동을 제어하고, 건조가스 분사부(145)의 구동을 제어한다.
제어부(191)는 전사공정 수행지시가 수신되면, 지시된 전사 패턴크기를 갖도록 전사모드, 건조모드, 트리밍모드 및 소결모드를 순차적으로 수행한다.
제어부(191)는 전사모드시 제1레이저(131)를 100펨토초 내지 500피코초 동안 펄스 구동처리하여 전사층(220)으로부터 스폿사이즈에 대응되는 전사드롭을 낙하시켜 전사대상물(300)에 전사한다. 전사모드는 설정된 전사패턴에 대응되게 제1 및 제2위치조정부(181)(182)를 이동시키면서 전사패턴에 대응되는 개수의 전사드롭이낙하되게 처리한다. 여기서, 제1레이저(131)의 펄스 구동 횟수에 대응되게 전사드롭의 낙하 개수에 결정된다.
제어부(191)는 트리밍모드시 제2레이저(132)를 1나노초 내지 100나노초로 펄스 구동처리하고, 소결모드시 제3레이저(133)를 1 내지 100밀리초 또는 연속빔으로 가동하여 전사처리를 수행한다.
이하에서는 이러한 레이저 전사장치(100)로 결함을 갖는 전사대상물(300)의 결함영역에 전사층(220)을 전사처리하는 과정을 설명한다.
먼저, 전사대상물(300)의 결함위치에 전사체(200)가 배치 및 전사처리가 가능하게 광조사 유닛(120) 및 전사헤드(160)의 위치를 조정한 후 전사체(200)의 저면이 전사대상물(300)에 접촉이 유지되게 높이를 조정한다.
즉, 접촉유도층(230)이 전사대상물(300)에 접촉되게 한 상태에서 전사층(220)을 제1레이저의 조사에 의해 전사되게 수행한다.
이후, 제1레이저(131)를 가동하여 전사대상물(300)에 전사층이 전사되게 처리한다. 이때, 제1레이저(131)를 100펨토초 내지 500피코초 동안 광을 출사하여 전사드롭이 낙하되게 처리한다. 이 경우 도 4에 도시된 바와 같이 제1레이저(131)의 스폿사이즈에 대응되어 원형으로 드롭되는 방울 형태의 전사드롭(401)이 전사대상물(300)에 전사되고 전사대상물(300) 또는 제2이동체(104)의 이동 및 제1레이저(131)의 펄스 구동 반복에 의해 원하는 길이 및 폭에 대응되게 도 4에 도시된 바와 같이 다수의 전사드롭(401)으로 이루어지는 전사패턴(410)이 전사대상물에 전사된다.
다음은 전사대상물(300)에 전사된 전사패턴(410)에 건조가스를 분사하여 건조시킨다.
건조가스는 130℃로 유지되는 경우 3초 정도 분사처리하면 된다.
이후, 제2레이저(132)를 가동하여 전사대상물(300)에 전사된 전사 패턴(410)의 잉여부분을 광조사유닛(120)이 위치를 이동하면서 제거하여 정형화한다. 즉, 도 4의 부재번호 420로 표기된 바와 같이 잉여부분을 제거하여 사각라인 형상으로 전사패턴을 가공한다. 여기서, 제2레이저(132)는 1나노초 내지 100나노초 동안 광을 출사하여 생성되는 빔스폿에 의해 잉여부분을 단발적으로 제거하고, 이러한 제2레이저(132)의 펄스 구동은 잉여부분의 라인을 따라 반복 수행된다.
마지막으로 제3레이저(133)를 가동하여 정형화된 전사 패턴을 광조사유닛(120)이 위치를 이동하면서 제3레이저(133)로부터 출사된 제3레이저를 조사하여 소결한다. 도 4에서 참조부호 430은 소결처리된 전사패턴을 나타낸다.
이 경우 전사패턴이 고밀도화되 전기적 저항도 작아진다.
소결시 제3레이저(133)는 1밀리초 내지 100밀리초 동안 광을 출사하도록 제어된다.
이상에서 설명된 레이저 전사장치 및 전사방법에 의하면, 전사대상물에 전사된 전사패턴을 원하는 형상으로 트리밍처리할 수 있으면서 소결을 통해 전기적 특성도 향상시킬 수 있으며, 전사체를 전사대상물에 접촉상태로 전사작업을 수행할 수 있어 전사작업을 용이하게 수행할 수 있다.
110: 메인 스테이지 120: 광조사유닛
160: 전사헤드 200: 전사체
220: 전사층

Claims (6)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 메인 스테이지에 장착되어 3축방향 위치조정이 가능하며 전사층이 저면에 형성된 전사체를 홀딩하는 홀더가 마련된 전사 헤드와;
    상기 메인 스테이지에 장착되되 3축 방향으로 위치 조정이 가능하게 설치되며 집광렌즈로 광을 출사할 수 있게 설치된 광조사유닛과;
    상기 광조사 유닛에 장착되어 상기 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 상기 전사체의 전사층을 전사대상물로 전사시키도록 제1레이저 광을 출사하게 설치된 제1레이저와;
    상기 광조사 유닛에 장착되어 상기 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 상기 전사대상물에 전사된 전사패턴을 설정된 형상으로 트리밍할 수 있도록 제2레이저 광을 출사하게 설치된 제2레이저와;
    상기 광조사 유닛에 장착되어 상기 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 상기 제2레이저에 의해 트리밍 처리된 전사패턴을 소결할 수 있도록 제3레이저 광을 출사하게 설치된 제3레이저와;
    상기 광조사 유닛에 장착되어 전사 대상물에 전사된 전사패턴을 건조시키는 건조가스를 분사하는 건조 가스 분사부;및
    상기 제1레이저 내지 제3레이저의 구동을 제어하고, 상기 건조가스 분사부의 구동을 제어하는 제어유니트;를 구비하고,
    상기 전사층은 1㎛ 내지 100㎛의 두께를 갖게 형성되어 있고, 상기 제어유니트는 전사모드시 상기 제1레이저를 100펨토초 내지 500피코초 동안 펄스 구동처리하고, 트리밍모드시 상기 제2레이저를 1나노초 내지 100나노초로 펄스 구동처리하고, 소결모드시 상기 제3레이저를 1밀리초 내지 100밀리초 동안 가동하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 메인 스테이지에 장착되어 3축방향 위치조정이 가능하며 전사층이 저면에 형성된 전사체를 홀딩하는 홀더가 마련된 전사 헤드와, 상기 메인 스테이지에 장착되되 3축 방향으로 위치 조정이 가능하게 설치되며 집광렌즈로 광을 출사할 수 있게 설치된 광조사유닛과, 상기 광조사 유닛에 장착되어 상기 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 상기 전사체의 전사층을 전사대상물로 전사시키도록 제1레이저 광을 출사하게 설치된 제1레이저와, 상기 광조사 유닛에 장착되어 상기 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 상기 전사대상물에 전사된 전사패턴을 설정된 형상으로 트리밍할 수 있도록 제2레이저 광을 출사하게 설치된 제2레이저와, 상기 광조사 유닛에 장착되어 상기 집광렌즈로 이어지는 광조사경로로 상기 제2레이저에 의해 트리밍 처리된 전사패턴을 소결할 수 있도록 제3레이저 광을 출사하게 설치된 제3레이저와, 상기 광조사 유닛에 장착되어 전사 대상물에 전사된 전사패턴을 건조시키는 건조가스를 분사하는 건조 가스 분사부를 구비하는 레이저 전사장치의 전사방법에 있어서,
    가. 상기 제1레이저를 가동하여 전사대상물에 전사층이 전사되게 처리하는 단계와;
    나. 상기 전사대상물에 전사된 전사패턴에 상기 건조가스를 분사하여 건조시키는 단계와;
    다. 상기 제2레이저를 가동하여 전사대상물에 전사된 전사 패턴의 잉여부분을 제거하여 정형화하는 단계와;
    라. 상기 제3레이저를 가동하여 정형화된 전사 패턴을 소결하는 단계:를 포함하고,
    상기 가 단계는 상기 제1레이저를 100펨토초 내지 500피코초 동안 광을 출사하여 전사층을 전사대상물에 전사시키고,
    상기 다단계는 상기 제2레이저를 1나노초 내지 100나노초 동안 광을 출사하여 잉여부분을 제거하고,
    상기 라단계는 상기 제3레이저를 1밀리초 내지 100밀리초 동안 광을 출사하여 소결하는 것을 특징으로 하는 레이저 전사장치의 전사방법.
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