KR20070003996A - Ｅｕｖ광원 - Google Patents

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KR20070003996A
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노베르트 에르. 보워링
알렉산더 아이. 어쇼브
이고르 브이. 포멘코브
아이. 로저 올리버
존 비아텔라
로버트 엔. 자크
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Abstract

레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템(10)은 플라즈마 개시 타겟(20)을 전달하기 위한 타겟 전달 시스템(80), EUV광 집광 광학기기(40), 타겟 추적 및 피드백 시스템(150), 타겟 스트림 트랙(92)의 이미지를 제공하기 위한 적어도 하나의 이미징 장치(60, 62), 타겟 스트림 트랙(92)에 직교하는 적어도 하나의 축내의 타겟 스트림 트랙(92)의 위치에 있는 에러를 탐지하기 위한 스트림 트랙 에러 디텍터(120, 122)를 포함한다.
Figure 112006071307356-PCT00001
EUV광원, 플라즈마, 타겟 전달 시스템, 집광 광학기기, 타겟 추적 및 피드백 시스템

Description

ＥＵＶ광원{EUV LIGHT SOURCE}
본 발명은 EUV집적회로 리소그래피에 필요한 도스 안정성 및 기타 파라메터를 갖는 EUV집적회로 리소그래피에 요구되는 전력 레벨로 EUV광을 발생시키는 것과 관련된다.
현재 계류중인 본원의 우선권서류에 설명되어 있는 바와 같이 초당 일만 내지 이만회 또는 그 이상의 EUV광 펄스로 동작하고 질량 제한의 액적과 같은 이동 타겟을 사용하는 EUV광원의 일 태양은 타겟의 위치 및 타이밍과 희망 플라즈마 개시 장소에서 각각의 도달을 추적하는 기능이다. 이것은 컬렉터를 포함하는 EUV광 생성 챔버로부터 나온 EUV광에 대한 출구와 원하는 개시 장소 등에서, 중간 초점(IF)에 EUV광 컬렉터에 의하여 이미징되는 3D공간내의 일 지점을 결정하는 것과 관련된다. 또한 우선권서류에 설명되어 있는 바와 같이 액적 생성기와 에이밍 시스템을 포함한 액적 전달 시스템은 희망 플라즈마 개시 장소를 구성하는 지점을 통해 액적이 투사되거나 (그래비티 피드의 경우에) 상기 지점을 통해 액적이 낙하하도록 정렬되어야 하는데, 상기 지점은 컬렉터의 초점과 이러한 초점주위의 소 여역에 대응하여 희망 플라즈마 개시 장소를 구성하고, 상기 소영역은 레이저 생성 플라즈마로부터 발생된 EUV가 시스템의 중간 초점에 적절히, 포커싱될 예컨대 ±10㎛ 의 소위 희망 플라즈마 개시 장소주위의 희망 플라즈마 개시 영역이다. 또한, 액적이 원하는 개시 장소에 정확히 도달할 때 희망 플라즈마 개시 장소에서 구동 레이저 빔이 타겟 액적을 교차하도록 레이저를 발사할 필요가 있다. 상기한 바와 같이, 원하는 개시 장소는 예컨대 광원 시스템의 중간 초점을 포함하는 제 2 초점을 갖는 타원형 컬렉터 미러의 제 1 초점에서 컬렉터의 정확한 초점으로부터, 대략 10㎛-40㎛의 직경의 액적에 대하여 대략 10㎛에 정도로 다소 변경될 수 있고 여전히 적당한 집광에 대한 충분한 초점상태에 있을 수 있음을 이해할 것이다. 따라서, 추적 부시스템의 기능은 레이저를 발사할 시점은 물론 진초점에서 희망 플라즈마 개시 장소가 아닐 경우 선택된 플라즈마 개시 장소를 결정하고, 한편 희망 플라즈마 개시 장소로 타겟을 전달하기 위한 전달 시스템에 수정이 필요하다. 본 시스템은 또한 타겟 액적이 희망 플라즈마 개시 장소에 도달하기 위한 트랙상에 있지 않으므로 중간 초점에 도달할 EUV광의 임의의 유효 생성이 없을 것이고 따라서 원하는 EUV플라즈마 개시 장소를 교차하는 적당한 타겟 트랙으로 타겟 액적이 복귀되는 동안 레이저가 발사되지 않아야 한다고 판정할 수 있다. 대안으로, 레이저 발사는 타겟 포지셔닝이 계속중인 동안 적당한 EUV광이 집광되고 있지 않더라도 계속되게끔할 수 있다.
여기에 사용된 "희망 플라즈마 개시 장소"는 컬렉터의 초점인 한편, 컬렉터의 초점에서 약간 벗어난 소위 선택된 플라즈마 개시 장소로 구동 레이저 빔을 에이밍하는 컬렉터의 초점 주위의 일부 영역은 중간 초점("희망 플라즈마 개시 영역")에서 유효 EUV광량의 발생에 여전히 유효할 수 있음을 이해할 것이다. 컬렉터 의 초점상에 있지 않지만, 희망 플라즈마 개시 영역내에 있는, 아래 정의된 바와 같이, x 및 y평면내에 허용 거리 오차를 갖는 "선택된 플라즈마 개시 장소"가 나타날 수 있다. 레이저가 계속 발사될 경우에는 선택된 플라즈마 개시 장소가 희망 플라즈마 개시 영역외부에 있더라도, 선택된 플라즈마 개시 장소는 희망 플라즈마 개시 영역에도 나타날 수 있다.
이러한 기능을 수행하는 태양은 우선권서류에 설명되어 있다. 여기의 출원인은 이러한 기능을 수행하기 위한 특정의 개선된 장치와 방법을 제안한다.
본 발명의 실시예의 태양에 따라, 출원인은 타겟, 예컨대 개별 Li액적 타겟을 3D공간내의 우측위치에 위치시켜, 레이저 빔을 액적 위치에 조준하여 그 순간에 레이저를 발사하여 EUV LPP소스의 동작을 보다 양호하게 가능하게 하는 독특한 방법을 개발했다. 타겟, 예컨대 액적 타겟,에 조사함으로써 예컨대 증발/애블레이션을 통한 플라즈마의 형성을 일으키기에 충분하도록 액적을 가열하고 레이저 빔내의 광자는 전자를 방출시켜 플라즈마내의 증발된 타겟 금속 원자의 이온을 형성하고, 이러한 관점에서 타겟은 플라즈마 개시 장소에서 점화하게 된다. 여기서 점화하다 또는 점화는 타겟을 강열한 열에 두거나 가열 또는 여기함을 의미하고 일반적으로는 타겟을 교차하여 타겟을 점화시키고 결과적으로 EUV방사를 일으키는 플라즈마를 형성하는 구동 레이저빔에 의한 열(에너지)의 공급에 의한 조사된 타겟으로부터 플라즈마를 생성함을 의미한다. 우선권서류에서 점화란 용어의 사용은 이러한 의미를 갖는 것으로 이해될 것이다. 점화의 또 다른 의미는 핵융합을 유지하기에 충분히 높은 온도로 플라즈마를 가열하는 것이다. 본 발명의 실시예의 태양에 따라, 이러한 온도는 플라즈마의 형성에서 얻어지는 것같지만, 그렇게 형성된 플라즈마를 융합을 유도하거나 유지하는데 충분하게 한정하는 시도는 없는 반면, 본 발명의 실시예의 태양에 따른 플라즈마의 점화의 개념은 우선권서류에 사용된 것과 같은 의미를 갖는다. 본원에 있어서 동 개념은 타겟으로의 조사에 의해 플라즈마가 "플라즈마 점화"를 형성하게 하고 이것이 일어나거나 몇몇 "플라즈마 개시 장소"에서 일어나도록 원하게됨을 의미하는 "플라즈마 개시 장소" 및 "플라즈마 개시"로 표현된다.
우선권서류에 설명된 바와 같은 용도를 위한 리튬은 내부에 적어도 몇몇 불순물을 가지고 있을 것이다. 시간의 경과동안, 수백만 개당 몇 개의 범위내에 있는 불순물 레벨조차 컬렉터의 광학기기 및/또는 다양한 챔버 윈도우상에 LPP EUV챔버내의 원하지 않는 손상 증착을 일으킬 수 있다. 액체 리튬의 LPP 타겟 액적내에 포함된 이러한 불순물은, 플라즈마의 점화 후 컬렉터 미러상에 증착될 것이다. 많은 이러한 불순물은 리튬 자체의 증착을 증발시키기 위해 대략 400℃-500℃로 제안된 컬렉터 온도보다 훨씬 높은 끓는점을 갖기 때문에, 종래의 제안된 증발 기술을 사용하여 컬렉터로부터 불순물을 제거하기는 매우 어렵다. 본원인은 광학 구성요소등 종래 제안된 LPP 및/또는 DPP EUV챔버 구성요소내에 이러한 문제를 처리하는 방법을 제안한다.
우선권서류에 설명된 것과 같이, 컬렉터는 반사면에서 Li를 증발시키고 반사도를 유지하기 위해, (예컨대, 적어도 대략 400-500℃의 온도범위의) 고온에서 동작할 필요가 있다. 출원인은 본원에서 고온을 유지함에 따른 컬렉터의 왜곡을 피 하는 등, 성능이 필요 스펙을 충족시킬 수 있는 컬렉터의 광학기기에 안정적이고 균일한 온도 범위를 유지는 장치와 방법을 제안한다.
종종 두배로 되는 1064nm레이저광을 갖는 LPP EUV소스 구동용 Nd:YAG레이저등의 고체 레이저의 이용에서 제 1 고조파 생성("FHG") 및 제 2 고조파 생성("SHG")에서 생성된 보다 작은 파장으로 보다 높은 변환 효율을 달성하기 위해 두배, 세배 등 체배된 주파수를 채용한다고 알려져 있다. 이것은 보다 많은 소스 원자를 여기 및 후속의 방출에 이용할 수 있도록, 보다 짧은 파장과 보다 높은 고조파로 보다 높은 밀도의 플라즈마층에 액세스하는 것을 기초로 하고 있다. 그러나 보다 높은 레이저를 발생시킬 때, 비선형 결정에서 변환되지 않기 때문에 (SHG에 대하여 대략 30-50%, FHG 내지 266nm에 대해 80%로) 많은 비율이 상실된다.
본 발명의 실시예의 태양에 따라, 출원인은 또한 EUV방사로 변환된 레이저 에너지로부터 보다 높은 변환 효율을 얻고 초기 밀도 스케일 길이를 극히 정확하게 제어할 수 있도록 하고, 개선된 변환 에너지 출력비를 위한, 액적등의 타겟으로 레이저 증착을 정확하고 최적화할 수 있는 할 방법을 개발해왔다.
Li 또는 유사한 원소를 갖는 EUV LPP원에 대한 포커싱 광학기기의 문제점 중 하나는 Li 또는 기타 원소에 의한 오염에 따른 광학기기의 오염과 열화이다. 본 발명의 실시예의 태양에 따라, 출원인은 변환 효율의 개선을 위해 스침 입사 광학기기 또는 기타 EUV 방사 집광 광학기기의 이용을 개발했다.
또한 본 발명의 실시예의 태양의 타입의 시스템의 현안은, 본원에서 해결되는, 구동 레이저빔의 EUV광원 생성 챔버로 도입함에 있어서, 결합될 수 있는 윈도 우와 포커싱 광학기기등 컬렉터 이외의 광학기기를 보호하기 위한 필요성과 관련된다.
레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외광("EUV") 광원 제어 시스템을 포함할 수 있는 EUV광 생성용 장치와 방법이 개시되고, 상기 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템은 이동 플라즈마 형성 타겟을 전달하도록 된 타겟 전달 시스템 및 희망 플라즈마 개시 장소를 정의하는 초점을 갖는 EUV광 집광 광학기기를 포함하고, 타겟 추적 및 피드백 시스템을 포함하며, 상기 타겟 추적 및 피드백 시스템은, 타겟 스트림 트랙의 이미지를 출력으로 제공하는 적어도 하나의 이미징 디바이스(예컨대 디지털 비디오 또는 동영상 카메라) 및, 컬렉터의 초점 및 플라즈마의 개시로 타원형 컬렉터 미러 시스템내의 중간 초점등 EUV광 출력의 허용가능한 EUV광 레벨을 계속발생시킬 수 있는 상기 초점주위의 일 영역을 포함하는 희망 플라즈마 개시 장소로부터 일반적으로 타겟 스트림 트랙에 수직인 적어도 하나의 축내에 있는 타겟 스트림 트랙의 위치내의 에러를 탐지하는 스트림 트랙 에러 디텍터를 포함한다. 적어도 하나의 타겟 크로싱 디텍터는 타겟 트랙내의 선택된 점을 통해 타겟의 통로를 탐지하고 타겟 트랙으로 겨냥될 수 있다. 구동 레이저 트리거링 메커니즘은 구동 레이저 출력 펄스가 일반적으로 상기 희망 플라즈마 개시 영역내의 타겟 트랙을 따라 선택된 플라즈마 개시 장소의 타겟을 교차하기 위해 타겟 크로싱 디텍터의 출력을 이용하여 구동 레이저 트리거의 타이밍을 결정한다. 플라즈마 형성 디텍터는 타겟 트랙에 겨냥될 수 있고 각각의 타겟을 위한 실제 플라즈마 개시 장소의 위치(예컨대, 구동 레이저 빔의 초점에 관한 위치)를 탐지할 수 있다. 중간 초점 조명기는 상기 적어도 하나의 이미징 디바이스내의 아퍼추어를 이미징하기 위해 중간 초점에서 형성된 상기 아퍼추어를 조명할 수 있다. 적어도 하나의 이미징 디바이스는 적어도 두개의 이미징 디바이스의 각 하나에 있는 이미지의 분석에 기초하여 컬렉터 초점에서 희망 플라즈마 개시 장소로부터 타겟 트랙의 분리에 관한 에러 신호를 제공하는 적어도 두개의 이미징 디바이스일 수 있다. 타겟 전달 피드백 및 제어 시스템은, 타겟 전달 유닛; 및 제 2 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 2 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서, 및 제 1 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 1 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서 상기 타겟 전달 메커니즘을 변위하는 타겟 전달 변위 제어 메커니즘을 포함할 수 있다. EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘은, 각각의 EUV광에너지 디텍터에 의해 탐지된 EUV광에너지량을 나타내는 출력 신호를 각각 제공하고, 플라즈마 개시 장소로부터 기원하는 EUV광에너지를 측정하도록 배치된 복수의 EUV광에너지 디텍터; 및 각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력 신호의 각각의 값의 비교에 기초한 EUV광에너지 에러 신호를 결정하고 각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력을 수신하는 EUV광에너지 에러 신호 발생기를 포함할 수 있다. 레이저 방사 타이밍 에러 탐지 메커니즘은 플라즈마 개시시에 타겟 액적의 위치와 관련하여 레이저빔의 포지셔닝 에러의 적어도 하나의 타이밍 인자를 결정하는 EUV광 에너지 에러 신호를 사용하는 것을 포함할 수 있다. 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터는 플라즈마 개시 챔버; 및 초점을 갖는 컬렉터 모양의 형태로된 상기 플라즈마 개시 챔버내의 쉘을 포함하고, 상기 쉘은 다층 반사기로부터 작동열을 전달하고 초점으로부터 대향하는 쉘 측상의 쉘의 표면으로부터 열을 방사하는데 충분한 크기와 열질량을 갖는다. 상기 쉘의 재료는, 실리콘 카바이드, 실리콘, Zerodur 또는 ULE유리, 알루미늄, 베릴륨, 몰리브덴, 구리 및 니켈을 포함하는 군으로부터 선택될 수 있다. 상기 쉘의 인접면으로부터 방사된 열을 흡수하는 초점으로부터 대향하는 쉘 측상의 쉘에 인접한 열 싱크가 제공될 수 있다. 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원은 구동 레이저 출력 펄스 빔을 발생하는 구동 레이저 및 구동 레이저 출력 펄스 빔 지향 시스템 및 초점을 갖는 EUV광 컬렉터를 구비할 수 있고, 선택된 플라즈마 개시 장소를 정의하는 초점 컬렉터 초점의 부근에 선택된 위치로 출력 레이저 펄스 빔을 포커싱하도록 동작하고, 빔 지향 시스템과 컬렉터 초점의 중간의 빔 포커싱 시스템을 포함할 수 있다. 상기 빔 포커싱 시스템은 포커싱 렌즈 및 상기 포커싱 렌즈와 컬렉터 초점의 중간의 반사 포커싱 소자를 포함하고 상기 포커싱 렌즈와 상기 반사 포커싱 소자의 중간의 포커싱 렌즈 초점을 갖고, 상기 반사 포커싱 소자는 선택된 위치에서 빔을 포커싱한다. 이러한 시스템에서 광소자 찌꺼기 완화를 제공할 수 있다.
도 1은 개략적으로 도시된 본 발명의 일 실시예의 태양을 도시한 도면.
도 2는 도 1에서와 같이 개략적으로 도시된 본 발명의 태양의 측면도.
도 3은 도 1 및 2에 도시된 본 발명의 일 실시예의 태양의 개요도의 상세도.
도 3A는 본 발명의 일 실시예의 태양에 따라 EUV측량 시스템의 블록도.
도 4는 본 발명의 일 실시예의 태양에 따른 인 시투 리튬 정화 시스템의 개요도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 컬렉터의 일 실시예의 태양을 도시한 도면.
도 5A-5C는 본 발명의 일 실시예의 태양에 따른 도 5의 대안을 도시한 도면.
도 6A-6D는 본 발명의 일 실시예의 태양에 따른 LPP EUV시스템의 일 실시예의 또 다른 태양을 도시한 도면.
도 7은 450nm(5πsr 집광각) 및 250nm(2πsr집광각)의 컬렉터 직경에 대하여, 조명기 입체각의 함수로서 본 발명의 태양에 따른 중간 초점과 레이저 생성 플라즈마간의 거리간 관계를 도시한 도면.
도 8은 지구상에 입사하는 태양방사로부터 대략의 열부하, 즉 ≒14W/cm2과의 비교 및 5πsr컬렉터에 대한 컬렉터 미러 직경과 W/cm2단위의 열부하간의 관계를 도시한 도면.
도 9는 400℃ 및 500℃에서 미러 직경의 함수로서 복사능을 도시한 도면.
도 10A 및 10B는 본 발명의 일 실시예의 태양에 따른 3차원 물리적 찌꺼기 실드를 갖는 컬렉터의 개요도.
도 11은 본 발명의 일 실시예의 태양에 따른 측량 시스템의 단면 개요도.
도 12는 본 발명의 일 실시예의 태양에 따른 찌꺼기로부터 시스템 광학기기의 보호를 위한 장치와 방법의 단면 개요도.
도 13은 본 발명의 일 실시예의 태양에 따른 도 12의 장치 및 방법의 대안의 실시예의 단면 개요도.
본 발명의 일 실시예의 태양에 따라, 출원인은 도 1에 개략적으로 도시된 EUV광원 시스템(10)의 일부를 제안하는데, 이러한 EUV광원 시스템(10)은, 질량이 제한될 수 있는 리튬 등의 액체 금속의 (도 2에 20으로 도시된) 이동 액적인, (도 1에 도시 안된) 플라즈마 형성/EUV소스 챔버(64)내의 타겟으로 조준된 EUV플라즈마 개시 구동 레이저 및 프리펄스 레이저에 대한 위치, 포인팅 및 포커싱의 능동 제어를 가능하게 한다.
본 발명의 일 실시예의 태양에 따른 몇몇 일반적 요구조건은 LPP로부터 가능한 많은 EUV광을 집광할 필요성을 포함하고 이에 따라 출원인은 현재 플라즈마 생성 EUV광의 집광을 위한 약 5sr의 입체각에 대한 필요성을 고려하고 있다. 또한, 대략 0.038sr등, 중간 초점(42)("IF")에서 오차를 위한 정확한 입체각에 대한 필요성을 갖는 조명기에 매칭각을 제공하는 것을 고려하고 있다. 현재 컬렉터(40)에 대한 기하학적 형상으로 타원체의 사용을 고려하고 있는데, 이는 예컨대, 컬렉터(40)의 초점(32)과 같은, 희망 플라즈마 개시 위치인 플라즈마 형성 점으로부터의 작업 거리(w), 컬렉터(40)의 직경(D), 또는 LPP의 희망 플라즈마 개시 장소와 IF간의 선택된 거리, 또는 이들의 몇몇 조합에 관련될 수 있다. 주요한 컬렉터(40)에 대한 이러한 타원체의 설계에서, 작업 거리는 예컨대, 200mm일 수 있고, 외경은 집광과 오차 각에 의해 유도될 수 있고, 5sr의 집광각/200mm작업거리에 대 하여 전형적인 0.038sr 오차각에 대하여 622mm의 기판(OD)이 필요함을 추측할 수 있다. 현재 또한, 개념 증명 이외에 대하여 보다 복잡한 구성과 기하구조가 요구될 수 있지만, 열적, 광기계학적 설계에서의 고려사항을 보다 쉽게하는 모놀리식 기판에 의한 단일 쉘 디자인이 고려되고 있다.
도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예의 태양이 도시되어 있다. 출원인은 시스템(10)을 제안하고 있고, 본 시스템(10)내에서, 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극 자외("EUV")광원 타겟, 예컨대 초당 1-10000회 또는 그 이상의 율로, 대략 20m/sec의 속도로 이동하고 대략 10㎛의 직경 또는 그 이상의 크기, 예컨대 대략 40㎛에 달하는 직경을 갖는 액체 리튬의 액적(20)이 타겟(20)의 직경이하의 정확도내로 추적될 수 있고 선택된 개시 장소(30)(예컨대, 대략 50-100ns의 타이밍 오차를 가진 선택된 개시 장소에서 타겟 액적(20)을 교차하는 구동 레이저빔(52)을 생성하기 위한 (도시 안된) 구동 레이저(50)를 발사하기 위하여, 특정 시간에서 컬렉터 미러(40)의 초점(32)에서와 같은 실제 원하는 개시 장소에 근접한 타겟 액적(20)의 트랙상의 장소)에서 위치되도록 계산될 수 있다. 희망 플라즈마 개시 장소는 컬렉터의 초점(32)에 대응하지만, 컬렉터의 초점에 대하여 약 10㎛의 반경의 구내("희망 플라즈마 개시 영역")에서 몇몇 에러가 중간 초점(42)에서 유효 EUV광량을 생성할 수 있음을 이해할 것이다. 이와 같이 시스템(10)은 희망 플라즈마 개시 장소는 아니지만 이러한 허용가능 포지셔닝 에러 영역, 희망 플라즈마 개시 영역내에 있는 선택된 플라즈마 개시 장소에서 레이저빔을 겨냥하도록 구성될 수 있고, 한편 시스템은 동시에 타겟의 트랙을 수정하고 희망 플라즈마 개시 장소(32)에 서, 즉 컬렉터(40)의 초점에 실제로 있도록 선택된 플라즈마 개시 장소에서 구동 레이저 빔의 포지셔닝을 수행한다. 타겟의 트랙이 희망 플라즈마 개시 영역내에서 플라즈마 개시를 가능하게 하지 않는 임의의 축에서 충분히 에러 상태에 있으면, 시스템(10)은 이러한 상태가 시스템(10)에 의해 수정될때까지 레이저의 트리거링을 차단할 수 있고, 또는 대안으로 희망 플라즈마 개시 영역내에서 및 실제로 희망 플라즈마 개시 장소에서 선택된 플라즈마 개시 장소를 위치시키도록 타겟의 트랙과 레이저 포인팅이 이동되는 동안 원하는 타겟 개시 영역외부의 선택된 플라즈마 개시 장소에서 레이저의 연속 발사를 가능하게 함을 이해할 것이다.
이러한 요구조건을 얻기 위해 출원인은 그레이의 0과 256세이드사이의 카메라 시야내의 각각의 픽셀의 비디오 조도를 나타내는 디지털 출력을 갖는 디지털 카메라일 수 있는 두 개의 이미징 디바이스(60, 62)와 같은 디지털 영상 또는 동화상 이미징 디바이스등의 이미징 디바이스를 제공하는 것을 제안한다. 카메라(60, 62)는 CCD카메라일 수 있다. 카메라(60, 62)는 현재의 비디오 카메라에 일반적인 것처럼 초당 30프레임의 프레임율을 가질 수 있지만, 본 발명의 일 실시예의 태양에 따라 기타 프레임율이 이용될 수 있다. 카메라(60, 62)는 도 2에 도시된 바와 같이, 타겟 전달 시스템(80)의 출구(82)에서, 릴리스점으로부터 (도 3에 도시된 타겟 전달 스트림(92)) 타겟 액적(20)의 비행라인을 교차하는 두 개의 면내에 (도시 안된) 원기둥 렌즈를 사용하여 포커싱될 수 있다. 두 개의 카메라(60, 62)의 각각은 전달 시스템(80)으로부터 선택된 개시 장소(30)까지 액적(20)의 트랙을 따라 보기위해 위치될 수 있고 또한 희망 플라즈마 개시 장소(32)를 시야내에서 포함하고, 타겟 전달 시스템(80)으로부터 희망 플라즈마 개시 장소(32)주위의 희망 플라즈마 개시 영역까지 각각의 타겟의 트랙(92)에 각각이 일반적으로 직교하는 x축과 y축각각에 각각의 타겟 트랙(92)의 위치를 탐지하도록 서로 예컨대 90°로 향한다.
이는 도 3에 보다 상세히 설명되어 있고, 여기서 예컨대 카메라(60)등의 각각의 카메라의 시야는 (희망 플라즈마 개시 장소(32)위의) 타겟 스트림(92) 및 희망 플라즈마 개시 장소(32)의 아래의 타겟 스트림(92')의 이미지를 포함하고, 그 각각은 몇몇 액적(20)에 의해 플라즈마 형성 후의 스트림(92')보다 몇몇 액적(20)에 의해 플라즈마 형성 전에 그 안에 보다 많은 액적(20)을 스트림(92)이 가진다는 사실때문에 (예컨대, 그레이의 세이드)세기가 다소 다를 수 있다.
위, 아래, 수평 및 수직이라는 용어는 본원을 통해 설명을 위해서만 사용되고 설명용도로만 도면에 도시된 이러한 방향과 일치함을 이해할 것이다. 실제 동작에서는 방향과 지향이 다를 수 있는데, 예컨대 액적은 타겟 공급(82)에 액적(20)으로 속도를 나누고 순수하게 중력 피드를 이용하는 것과 반대로 희망 플라즈마 개시 장소(32)에서 타겟(20)을 발사함으로써 희망 플라즈마 개시 장소(32)로 향해질 수 있는데, 이 경우 스트림은 "수직"일 필요가 없다. 또한 도 3의 개요도에 도시된 것처럼, 중간 초점의 카메라(60)의 시야내의 이미지(90)가 원형 또는 난형(90)으로 도시되어 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 스트림(92, 92')은 희망 플라즈마 개시 장소(32)를 통과하는 것으로부터 각각의 수평축에서 다소 벗어나 있을 수 있고, 액적(20)의 실제 비행 트랙에 따라 트랙이 컬렉터(40)의 초점에서 원(32)주위의 희망 플라즈마 개시 영역을 통과하는지 여부에 관계없이 각각의 카메라(60, 62) 의 이미지 데이터로부터 그 탐지 및 정량화는 타겟 전달 시스템을 전달하여 타겟 전달 스트림(92)을 재지향하는데 사용될 수 있고 또한 방사된 액적(20)이 되도록 다음에 대한 선택된 플라즈마 개시 장소로 구동 레이저를 지향하는데 사용될 수도 있음을 알 수 있다. 제 2 카메라(62) 내의 이미지는 x축과 같은 제 2 축내의 스트림 트랙(92)의 제어에 마찬가지로 사용될 수 있으므로, 선택된 개시 영역(30)은 원하는 개시 장소(32)로 이동할 수 있고, 이는 타원형 컬렉터 미러(40)의 초점과 일치하고, 따라서 타원형 컬렉터(40) 미러 시스템의 제 2 초점에서 IF로의 선택된 플라즈마 개시 장소(30)에서 타겟 조사에 의해 생성된 EUV의 컬렉터 미러(40)로부터 반사를 포커싱하고, 선택된 플라즈마 개시 장소(30)를 희망 플라즈마 개시 장소(32)로 이동시킴을 이해할 것이다.
또한 도 3에 개략적으로 도시된 바와 같이, 타겟 전달 시스템(80)과 희망 플라즈마 개시 장소(32)중간에 타겟 트랙(92)내의 선택된 위치에 의해 통과할 때 액적(20)을 조명하기 위해 예컨대 HeNe레이저와 같은 한 쌍의 연속파를 이용한다. HeNe레이저로부터의 레이저빔(108)은 실린더 렌즈(104, 106)에 의해 선택된 면으로 타이트하게 포커싱될 수 있고, 먼저 레이저(100)로부터의 빔과 이후 레이저(102)로부터의 빔에 의해 액적(20)을 교차함으로써 포커싱 렌저(110, 112)를 통하여, 광 디텍터(120, 122) 각각에 의해 탐지될 수 있다. 이런식으로, 점(94)과 이후 점(94')을 교차하는 각각의 액적을 지시하는 연속 섬광이 디텍터(120 및 122) 각각에 의해 섬광으로 탐지될 수 있다. 레이저(100 및 102)는 액적(20) 분리와 같은 분리 거리에서 또는 서로 다른 액적(20)의 액적 교차사이를 구분하도록 적절히 시 간조정된 탐지 회로에서 포커싱될 수 있음을 이해할 것이다. 또한, 알려져있거나 경험적으로 결정된 액적 속도를 가정하면, 레이저(100)와 하나의 디텍터(120)와 같은 하나의 레이저만이 각각의 구동 레이저의 발사를 타이밍하는 용도로 선택된 플라즈마 개시 장소에서 각각의 액적(20)의 도달 타이밍을 결정하는데 필요할 수 있음을 이해할 것이다.
카메라(62)의 다른 것은 제 1 카메라(60)에 수직인 평면내로 지향된 시야를 가질 수 있다. 두 개의 카메라(60, 62)는 이렇게 이동하는 타겟 액적(20)의 위치를 삼차원내에서 삼각측량하는데 사용될 수 있다. 두 개의 카메라(60, 62)의 각각은 CCD카메라 이미지상의 난형(90)으로 나타난 컬렉터 미러(40)에 의해 생성된 중간 초점의 이미지(90)를 시야내에서 가질 수 있다. 이러한 난형(90)의 중심은 희망 플라즈마 개시 장소(32), 즉 이상적으로 플라즈마 개시가 발생해야하는 곳, 즉 컬렉터 미러(40)의 초점(32)에서 일치하도록 고려될 수 있다. 초당 30프레임으로, 액적 속도와 예컨대 초당 10000-100000의 액적 반복율에 비해 비교적 낮은 속도로 동작하는 카메라(60, 62)로써, 카메라(60, 62)는 도 3에 도시된 바와 같이 연속 스트림(92)과 같은 그러한 액적(20)이 나타날 것이다.
액적의 스트림(92)상의 이러한 레이저(100, 102)의 정렬은 He-Ne레이저광이 스트림(92)의 오른편에서 포커싱될 때, 두 개의 CCD카메라(60, 62)를 사용하여 수행될 수 있고, 카메라(60, 62)는 스트림(92)상에 중심되는, 스트림(92)상의 밝은점이 나타날 것이다. 각각의 레이저(100, 102)로부터 레이저빔이 다소 벗어나있으면, 밝은 점(94, 94') 또한 벗어날 것이다.
두개의 광 디텍터(120, 122) 각각은 이러한 두 개의 He-Ne레이저(100, 102)의 타이트하게 포커싱된 빔을 통과할 때 액적(20)으로부터 반사된 각각의 레이저(100, 102)로부터 온 광이 보이도록 사용될 수 있다. 이후 이러한 디텍터(120, 122)의 각각은 매회 펄스를 생성할 수 있고 액적(20)은 대응 He-Ne레이저(100, 102)의 타이밍 점(94, 94')의 각각을 통과할 수 있다. 디텍터는 또한 필터와 점(94, 94')의 각각으로부터 섬광 내 구분을 용이하게 하도록 서로 다른 파장에서 동작하는 레이저(100, 102)를 가질 수도 있다. 이후 이러한 광디텍터(120, 122)에 의해 생성된 펄스는 스트림(92)을 따라 있는 선택된 플라즈마 개시 장소(30)에 액적(20)의 도달의 속도와 예상 타이밍을 계산하는데 사용될 수 있다. 이후 구동 레이저(50)는 희망 플라즈마 개시 영역내에 여전히 있는 스트림(92)을 따라 선택된 플라즈마 개시 장소(30)로 겨냥될 수 있고, 선택된 플라즈마 개시 장소(30)에서 액적의 도달의 계산된 타이밍에서 선택된 플라즈마 개시 장소(30)에서의 액적(20)을 교차하도록 발사될 수 있다.
이후 구동 레이저(50)로부터 레이저 빔 펄스(52)내의 에너지의 액적(20)에 의한 흡수때문에 선택된 플라즈마 개시 장소(30)에서 액적 타겟(20)의 조사에 의해 생성된 플라즈마는 카메라(60, 62)의 CCD이미지상에 밝은 플라즈마 개시 점(96)처럼 보일수도 있을 것이다. CCD 카메라(60, 62)상의 이러한 플라즈마 개시 이미지 점(96)의 세기를 조절하기 위해 적당한 필터가 사용될 수 있다. 이러한 플라즈마 개시 이미지 점(94)은 구동 빔 레이저 빔(52)이 타겟 액적(20)상에 포커싱된 곳의 표시일 수 있다.
구동 레이저 빔(52)의 수평 정렬은 구동 레이저빔(52)의 플라즈마 형성 면(이는 레이저빔(52)의 플라즈마 형성면의 선택에 의해 영향받는 동작 파라메터 요구조건에 따라 초점면 앞에 있거나 레이저빔(52)의 초점면뒤에 있도록 선택될 수 있다)을 겨냥함으로써 그리고 희망 플라즈마 개시 영역내의 선택된 플라즈마 개시 장소(30)의 수평면내에서 수행될 수 있다. 선택된 플라즈마 개시 장소(30)에서 밝은 점은 액적(20)의 스트림(92)의 중간에 중심이될 수 있다. 설명의 목적을 위해, 수평 및 수직은 도면의 도시와 일치하고 설명만을 위한 것임을 재인식하면, 수평면은 희망 플라즈마 개시 장소(30)를 향하여 탸겟 액적(20)의 공급으로부터 타겟의 이동의 방향에 대체로 직교하는, 좌표 시스템의 x 및 y축을 포함하도록 고려될 수 있고, 한편 z축은 대체로 이동 방향으로 정렬되고, 여하튼 수평면에 직교한다. 본 발명의 일 실시예의 태양에 따라, 구동 레이저(52)는 모든 액적(20)에서 겨냥될 수 없기때문에, 선택된 타겟 점(30)의 아래에 액적(20)의 스트림(92')도 있을 수 있다. IF이미지 난형/원형(90)의 중간에서, 즉 수평 축에서, 컬렉터 미러(40)의 초점에서 원하는 개시 장소(32)에 상대적인 선택된 개시 장소(30)의 위치에서 임의의 주어진 x-y축 에러에 대하여 밝은 점(94)을 위치시킴으로써 레이저빔(52)의 이러한 수직 정렬이 수행됨으로써 스트림(92)의 경로를 따라, 희망 플라즈마 개시 장소(32)주위의 희망 플라즈마 개시 영역내에서 원하는 개시 장소(32)에 액적(20)이 접근할 가장 가까운 점일 것이다.
원하는 개시 장소(30)에 선택된 개시 장소(30)를 이동시키기 위해, 수평면의 x 및 y축내에 타겟 전달 시스템(80)의 수평 이동에 의해 중간 초점 아퍼추어의 가 상 중심선 축에서 각각의 중심을 맞추도록 두 개의 카메라(60, 62)에 의해 각각 나타난 두 개의 스트림(92)을 피드백 제어 루프가 워크하는데 사용될 수 있다. 즉, 희망 플라즈마 개시 장소(32)를 각각 교차하도록 x-y면내의 이미징된 스트림(92)을 이동시키기 위해, 그리고 동시에 시스템은 선택된 플라즈마 개시 장소에서 액적을 교차하도록, 스트림(92)의 이미지를 따라 선택된 플라즈마 개시 장소에서 스트림을 계속 교차하는 점을 겨냥하는 레이저를 이동하고 있을 수 있다.
구동 레이저(50) 발사 시간의 보다 정확한 타이밍 조절이 수행되어 각각의 플라즈마 형성에서 생성된 EUV출력을 최적화하는 피드백 루프에 의해 타겟 액적(20)의 최대화된 방사를 위한 빔내에 완전히 타겟 액적(20)과 선택된 (및 결국 원하는) 개시 장소(32, 30)에서 구동 레이저(50)으로부터 레이저 빔(52)내의 펄스의 도달을 위치시킨다. 최대 EUV플라즈마 출력을 모으기 위해 트리거 신호 타이밍을 디더링하는, 디더링 기술이 사용될 수 있다. 희망 플라즈마 개시 장소(32)주위 하나의 면내에서 점에서, 예컨대 희망 플라즈마 개시 장소(32)주위의 일면내에서 EUV방사의 균형을 측정하는 EUV디텍터가 또한 플라즈마 개시 장소(30, 32)를 향해 액적 스트림 경로(92)를 따라 타겟 액적의 이동으로 레이저 발사 타이밍(트리거 신호 타이밍)을 조절하는데 입력을 위해 사용될 수 있다.
정확한 레이저 타이밍 조절 및 수평 조절을 위한 대안의 또는 보조 기술은 컬렉터(40)의 외부에 위치된 네개의 EUV 디텍터(154)를 사용할 수 있다. 본 발명의 이러한 실시예의 태양에 따라, 레이지 빔이 선택된/희망 플라즈마 개시 장소에 수평 및 수직으로 정렬되고 적절히 시간조절될때, 모든 네개의 디텍터(154)로부터 온 신호는 같을 것이고, 이것은 레이저 빔(52)을 갖는 전체 타겟 액적의 교차가 일어나고 따라서 적절히 시간조절됨을 나타낸다. 이러한 디텍터의 출력은 구동 레이저(50)를 트리거할때 또는 타겟 액적(20)을 최적화하기 위해 복수의 구동 레이저(50)중 각각의 하나를 결정하는데 도 3A에 관하여 보다 상세히 설명된 것처럼 이용될 수 있다.
도 3A를 참조하면, 본 발명의 일 실시예의 태양에 따른 전형적인 측정 시스템(150)이 개략적인 블록도 형태로 도시되어 있다. 시스템(150)은 카메라(62)등의 기타 카메라와 독립적으로 카메라(60)로부터의 이미지를 프로세싱할 수 있는, 이미지 프로세싱 모듈(152)에 디지털 형태로 입력을 제공하는 카메라(60, 62)를 포함할 수 있다.
이미지 프로세싱 모듈(152)은 HeNe플래시 세기를 나타내는 출력을 HeNe 포인팅 제어 모듈(170)에 제공할 수 있고, 이것은 각각의 HeNe레이저(102, 104)를 수평으로 병진시켜서 예컨대 스트림(92)에 HeNe레이저를 적절히 포인팅하기 위하여 피드백 제어로 카메라 이미지내에 탐지된 플래시의 세기를 최대화할 수 있다.
이미지 프로세싱 모듈(152)은 또한 소스 레이저 제어 모듈(172)에, 가상의 수평 및/또는 수직 면내의, IF아퍼추어 이미지의 중심과 실제 플라즈마 개시 장소(32)간의 각각의 카메라 이미지에 대한 위치 에러 신호를 제공할 수도 있다. 소스 레이저 제어 모듈은 y 및 z축내의 소스 레이저 겨냥 제어를 위한 각각의 카메라(60)와 카메라(62)로부터 이러한 정보를 이용할 수 있다.
이미지 프로세싱 모듈(152)은 또한 한편으론 카메라(60)로 그리고 다른 한편 으론 카메라(62)로, 즉 희망 플라즈마 개시 장소(32)를 통해 이미지로부터 각각 표현된 것처럼 x 및 y축의 각각에 있는 IF아퍼추어 이미지의 가상 수직 중심선축에 관하여 각각의 카메라(60, 62)에 대한 스트림 경로(92)간의 에러를 나타내는 액적 스트림 에러 신호를 제공할 수도 있다. 이후 이것은 액적 전달 시스템(80)에 x, y축 피드백 제어 신호를 발생시키기 위해 액적 제어 모듈(174)에 의해 사용될 수 있다.
광 디텍터(120, 122)의 출력은 레이저 트리거 제어 모듈(154)에 입력 신호를 제공하기 위해 이용될 수 있다. 레이저 트리거 제어 모듈(154)은 가능한 원하는 개시 장소(32)에 근접하게 되도록 하기 위해, 선택된 개시 장소(30)를 향한 경로(92)를 따라, 또한 경로(92)를 따라 액적(20)의 속도의 지시로서, 그리고 희망 플라즈마 개시 영역내에 상기한 바와 같이 디텍터(120 및 122)의 각각으로부터 탐지된 플래시사이의 타이밍을 사용할 수 있다. 이후 이것은 경로(92)를 따라 선택된 개시 장소(30)에서 소스 레이저 펄스(52)의 도달을 시간조절하기 위해 소스 레이저(50)를 발사하기 위해 소스 구동 레이저 제어 모듈(180)로 트리거 신호를 발생시키는 데 이용될 수 있고 동시에 타겟 액적(20)은 희망 플라즈마 개시 장소(32)주위의 희망 플라즈마 개시 영역내의 선택된 플라즈마 개시 장소(30)에 도달한다.
EUV광원 장치 및 방법의 태양은 기타의 것 중, 광학 설계, 광기계학적 설계, 열기술, 기판 선택 및 제조, 다층 반사 코팅 개발 및 제조를 포함한다. 우선권서류에 설명된 것처럼, 현재 구동 레이저를 사용하여 발생된 플라즈마로부터 생성된 이미지 프로세싱 모듈(152)방사의 집광을 위한 컬렉터(40)의 입사 EUV반사 미러의 근접 보통각을 형성하는 미러 다층 반사 스택의 반사 특성을 보존하기 위해 액체 리튬 타겟 시스템내의 리틈을 증발시키는 목적으로, 대략 400-500℃사이의 온도로 EUV생성 챔버(64)의 내부의 컬렉터 미러를 동작시키는 것이 고려되고 있다. 근접 보통 입사각은 미러 표면에 수직인것과 입사 EUV방사간에, 0°에서 대략 45°의 각을 포함하고, 이를 위해 수십개의 층 내지 백 개의 층 등의 스택으로 형성된 다층 반사 코팅이 13.5nm의 EUV파장에서 광의 반사를 가능하게 하고, 한편 단 두 개의 층의 반사 코팅을 갖거나 코팅되지 않은 물질의 반사 표면은 EUV파장에서 광을 반사시키는데 사용될 수 있지만, 소위 스침 입사각에서만이고, 당업자는 파장, 반사 물질, 코팅등에 따라, 수직으로부터 대략 70°-90°에 이름을 이해할 수 있을 것이다.
많은 고려된 설계가 타원형의 하나의 초점에서 희망 플라즈마 개시 장소(32)의 초점 및 타원형의 기타 초점에서 컬렉터(40)의 중간 초점(42)을 갖는 간단한 타원형 미러를 포함하는 컬렉터(40)를 위해 존재하고, EUV집적회로 리소그래피 툴등의 이용 툴에 EUV광 생성기(10)으로부터 입력점을 포함한다. 이러한 설계는 기타 요인들 사이에, 구동 레이저 조사 구조 및 기술이 실제로 채용되는 경우, 플라즈마가 실제로 광자를 방출하는 방향을 포함하는, 많은 요인들에 따라, 플라즈마로부터 방출된 광자의 실제 일부를 집광할 수 없게 할 수 있다. 기타 가능성은 스침 입사 이차 포커싱 미러를 갖는 타원형 주 집광 미러 또는 구형 주 컬렉터 미러이다.
컬렉터 광학기기에 대한 선택에 무관하게, 우선권서류에도 설명된 바와 같이 EUV플라즈마 형성 베셀/챔버(64)내에 생성된 찌꺼기로부터 광학기기를 보호하기 위 해 몇가지 준비가 필요할 것이다.
본 발명의 일 실시예의 태양에서 출원인은, 설명의 편의를 위하여 설명적 가정된 컬렉터 기하구조를 참조하여, 즉 0.03-0.02sr사이의 IF의 입체각, 45cm의 최대 컬렉터(40) 외경("OD"), 25cm의 최소 컬렉터(40)의 OD, 및 5π-2πsr의 집광각을 가진 구형 주 컬렉터(40)의 그것을 해결한다. 궁극적으로 선택된 컬렉터(40)의 기하 구조에 무관하게, 컬렉터 광학기기(미러(40) 및 기타 가능한 소자)는 동작 온도에서 모양을 유지해야한다. 또한 설명의 목적을 위해 이것은 400-500℃의 범위내로 선택되거나, 훨씬 높은 예컨대 대략 700℃에 이르는 온도로 선택된다. 구형 구조의 선택은 본원에서 참조된 설명의 계산을 다소 간단하게 하지만, 본원에 설명된 원리는 타원형 기타, 쌍곡선 및 기타 원뿔형 구조등에도 적용될 수 있다. 표 1은 기타 설명적 요소와 EUV광원 챔버 컬렉터(40)를 위한 설명적 열관리 시스템을 설계하는 것에 관한 가정을 포함한다.
의45cm미러에 대한 열부하 계산
IF(W)에서 인 밴드 13.5nm EUV출력 115.00
버퍼 가스의 투과율 0.90
미러(W)로부터 인 밴드 13.5nmEUV출력 127.78
미러의 평균 반사도 0.50
미러(W)로의 EUV출력 255.56
미러 집광각(sr) 5.00
2π로의 EUV출력(W) 321.14
(2π로, 인 밴드)변환 효율 0.03
4π로의 플라즈마 전력(W) 10704.69
5sr미러로의 플라즈마 전력(W) 4259.26
OD=45cm인 5sr미러의 구형 반경(cm) 22.99
OD=45cm를 갖는 5sr미러의 표면적(cm2) 2642.70
5sr미러상의 열부하(W/cm2) 1.61
미러 셀은 두 개의 표면을 갖는다 0.81
스테판-볼쯔만:
400℃에서 이상적 흑체 복사(W/cm2) 1.16
500℃에서 이상적 흑체 복사(W/cm2) 2.02
400℃에서 요구되는 평균 방출율 0.69
500℃에서 요구되는 평균 방출율 0.40
물질
특성 베릴륨 단결정 실리콘 소결 실리콘 카바이드 반응 결합 실리콘 카바이드 CVD실리콘 카바이드 몰리드덴 Zerodur(Schott) ULE(Corning) 알루미늄6061-T6 니켈
열전도성, k(W/mk) 210.0 124.0 110.0 150.0 250.0 138.0 1.5 1.3 180.0 62.9
20℃에서 열팽창계수, α(J/kgK) 11.6 2.5 4.4 1.9 3.5 5.1 1.0E-07 1.0E-05 23.6 13.3
20℃에서 특정 온도(J/kgK) 1886 702 - - 640 276 821 776 896 471
항복응력(MPa) 380 120 552 307 450 550 49.8 276 59
탄성 모듈(GPa) 303 112.4 400 393 466 320 90.3 67.6 68.9 207
최대 서비스 온도(℃) - - 1650 1400 >1400 - <500 <500 - -
녹는점(℃) 1283 1412 2610 N/A 652 1453
밀도(g/cm3) 1.848 2.329 3.1 3.1 3.2 10 2.53 2.21 2.7 8.9
Li호환성 위험 불량 위험 위험 위험 양호 불량 불량 불량 위험
컬렉터(40) 보디(220)에 대한 물질의 선택은 초고 진공("UHV")호환성, >500℃온도에서 호환성, 양호한 열안정성, 높은 열전도성, 낮은 열팽창계수, 고강도, 양호한 치수 안정성, 특히 높은 동작 온도에서, 보통 또는 스침 입사각 반사에 대하여 그리고 극도의 고품질 외형과 마감으로 연마되는 가능성의 고려와 관련된다. 이것은 높은 공간 주파수 러프너("HSFR")를 사용하여 대략 4Å의 고품질 외형과 마감을 획득하는 것을 포함할 수 있다. 또한 다른 물질과의 결합가능성이 중요할 수 있다. 표 2는 몇몇 물질과 설명적 특성을 나타낸다.
보통 입사 반사각에 대한 다층 반사 코팅 스택에 관하여 이하가 고려되어야한다. 즉, Li를 갖는 LPP에 대해 고온 앉엉성이 요구되고, 다층의 삽입층 확산, 고온에서 반사도 열화, Li 및 Li화합물에 노출영향, 고에너지 Li입자 영향으로부터 또는 기타 물질, 예컨대 고온 이온 및 기타 찌꺼기로부터 스퍼터링, Li의 다층으로의 삽입 및 확산, 배리어로서 캐핑층의 선택, 미러 표면의 기타 오염물 및 챔버 내부의 기타 구성요소로부터 기타 물질의 스퍼터링이 고려될 필요가 있다.
본 발명의 일 실시예의 태양에 따라 본 발명은 광학적 설계를 포함하고, 광학적 설계는 EUV플라즈마 개시 장소(32)에서 반사 다층 반사 코팅으로 구성된 컬렉터(40) 반사면까지 200mm의 작업 거리를 가질 수 있는 타원형 주 컬렉터(40)를 포함할 수 있음을 당업자는 이해할 것이다. 컬렉터(40)의 외경의 크기는 집광과 오차각, 예컨대 5sr의 집광각/200mm의 작업 거리로 구동될 수 있고, 대략 622mm의 기판 외경이 0.038sr의 오차각에 필요할 수 있다.
단일 쉘 설계를 고려하면, 보다 복잡하게될 수 있는 효율 개선과 상쇄의 포함없이, 그리고 보조 컬렉터등을 포함하는 설계는 또한 본 발명의 일 실시예의 태양에 따라 복잡성을 부가할 수 있고 본 발명은 모놀리식 기판을 사용하도록 고려될 수 있다.
평가의 목적으로 이것은 SiC 또는 Ni 또는 Mo, Be 및 Si등의 기타 물질을 갖는 표 2내의 상기 물질을 이용하여 보다쉬운 열적 그리고 광기계학적 설계를 가능하게할 수 있다.
본 발명의 실시예의 태양에 따라 도 5에 도시된 바와 같이, 초로 EUV광을 집광하고 재지향시킬 수 있는 광학 쉘(200), 또는 "중간" 초점(42)이 제공된다. 쉘(220)은 상당한 열질량을 갖도록 구성될 수 있는 적당한 물질로 제작될 수 있다. 열질량은 소정의 물질의 구조의 열전도성과 열성능의 함수이다. 열성능은 서로 다른 타입의 물질이 얼마나 많은 열을 보유하고 있는지의 기준이다. 소정의 물질의 소정의 구조적 소자에 대하여, 물질의 밀도를 전체 두께와 곱하고 이후 특정 열과 곱함으로써 발견된다. 특정열은 물질이 단위 질량당 보유할 수 있는 열량이다. 예컨대, 큰 중량 물질에 대하여, 그 표면을 가열하기 위해 상당한 량의, 에너지가 소요될 수 있다. 이것은 많은 에너지가 실제로 물질에 보다 깊이 흡수되어 보다 큰 부피로 확산되기 때문이다. 표면에 입사하는 많은 에너지로, 이러한 흡수는 전체 두께를 통해 이동할때까지 계속할 수 있고, 온도 증가에 따라 내부 표면상에 나온다. 이러한 전도 과정은 상당한 량의 시간이 소요될 수 있다. 일 측의 일면에 입사하는 에너지가 요동하면, 이것은 물질을 통해 흐르는 온도의 "파"를 일으킬 수 있다.
적당한 물질은 실리콘 카바이드, 실리콘, Zerodur 또는 ULE유리, 알루미늄, 베릴륨, 몰리브덴, 구리 및 니켈을 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
컬렉터 쉘(220)은 표 1에 참조된 것과 같은 방사 열부하를 일으키는 레이저 생성 플라즈마로부터 열 플럭스에 노출될 수 있다. 이후 이러한 열부하는 쉘(220)의 열질량과 결합하여, 컬렉터(40)의 반사면으로부터 소스 원소(Li)찌꺼기를 증발하기 위해 필요한 동작 온도이하일 수 있는 쉘(220)의 정상 상태 온도를 일으킨다. 이것은 그 온도와 결합한 광학기기(40)의 방사면의 방출이 레이저 생성 플라즈마에 의해 증착되는것보다 많은 열에너지를 방사하는 능력을 일으킬 수 있기 때문이다.
이후 광학기기(40)의 필요한 동작 온도를 유지하기 위한 부가적인 열플럭스는 보조 방사 히터(230)에 의해 제공되어야할 수 있다. 이러한 방사 히터(230)는 컬렉터(40)의 보디(220)앞이나 심지어 뒤의 적당한 위치에 위치될 수 있고 컬렉터(40)면의 특정 영역상 또는 컬렉터(40)상에 다소의 방사를 향하게 하기 위한 필요성을 적응시키는 (도시 안된) 방향성 제어 메커니즘을 사용하여 지향 능력을 가질필요가 있을 수 있다. 현재 출원인은 대략 5kW이하의 전력이 컬렉터 보디(220)상에 대략 500℃의 적적 상태 온도를 유지하는데 필요할 수 있다고 믿는다. 또한 2℃ 또는 보다 양호한온도내에 온도 균일성을 유지하기 위한 능력이 현재 고려되고 있다.
컬렉터(40)의 원하는 동작 온도의 제어를 유지하기 위해, 쿨링 디바이스(232)를 포함할 수 있는 쿨링 시스템(250) 또한 필요할 수 있다. 이러한 쿨링 디바이스(232)는 컬렉터(40)의 컬렉터 보디(220)의 후측(234)으로부터 방사된 열을 흡수하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 쿨링 디바이스(232)는 컬렉터(40)의 컬렉터 보디(220)의 후면(234)뒤에 간단한 개방 루프 냉각면일 수 있고 몇몇 명목 온도에서 유지되고 헬륨이나 물로써 냉각된 가스나 액체일 수 있다. 전력 레벨이 충분히 낮으면쿨링 디바이스(232)용 (도시 안된) 열 교환기로부터 액체나 가스 냉각제에 대한 필요없이 냉각이 전체적으로 방사될 수 있는 것이 고려된다. 컬렉터(40)의 컬렉터 보디(220)의 후면(234)의 방사는 이후 필요한것 만큼 높은(단일에 가까운) 또는 낮게 되도록 설계에 의해 정렬될 수 있다. 컬렉터(40) 구조를 위한 설계 선택은 이러한 냉각 시스템(250)의 상세부에 상당한 영향을 미칠 수 있다. 그러나, 기본 개념은 컬렉터(40)의 보디(220)가 핵심면상에 방출의 실제 달성가능한 값을 가진 입사 열부하를 재방사하는데 충분히 크다고 가정하면 많은 설계의 다양성을 수용할 수 있다.
출원인은 LPP플라즈마 형성으로부터 그리고 거기에서 플라즈마 방출이 비균일하다고 이해한다. 현재 출원인은 방출이 등방성 분포보다는 코사인등의 분포 형태라고 믿는다. 출원인은 또한 열방사 에너지 분포 또한 비등방성이고 바로 위에 언급된 바와 같이 코사인등의 광방출 형태일 수 있다고 이해한다. 이러한 비등방성 분포는 컬렉터(40)와 보다 상세하게는 컬렉터 보디(220) 및 컬렉터(40) 반사 공학면을 서로다르게 가열할 수 있고, 이것은 컬렉터(40) 광학기기상에 외형 에러나 온도 관련 변형을 일으킬 수 있다. 반사 광학면을 가로지르는 상당한 온도변화는 컬렉터(40) 광학기기의 투사에서 및/또는 광이용 툴에서 에러를 집중하게할 수 있다. 출원인은 구획된 히터로 컬렉터(40)를 서로다르게 가열함으로써 반사기 광학기기를 가로지르는 온도 변화를 수정하고 관리함으로써 이러한 문제를 해결할 것을 제안한다. 이러한 히터는 컬렉터 반사 광학기기의 이산 영역에 서로 다른 량의 열을 서로다르게 방사시키도록 전력공급을 받고 제어될 수 있다. 따라서, 열유도 변형이 컬렉터(40) 광학면상에 서로다르게 분포된 외형 에러를 일으키면 이것은 적당한 히터 배열로 컬렉터(40)를 서로다르게 가열함으로써 수정될 수 있다.
전형적인 히터 배열과 컬렉터 쿨링 시스템(250)이 본 발명의 일 실시예의 태양에 따라 도 5A에 개략적으로 도시되어 있다. 도 5A에 따른 실시예는 컬렉터 보디(220)와 쿨링 디바이스(232)의 중간의 몇몇 기하학적으로 정의된 면(242)에 위치된 히터 소자 와이어의 단면이 되도록 개략적으로 도시된 히터 소자(240)를 나타내고, 도 5B와 5C를 참조하여 아래에 보다 상세히 설명된 구역적으로와 같은 필요한 것으로서 서로 다르게 컬렉터 보디를 가열하는 기능을한다.
도 5B 및 5C의 각각을 참조하면, C110구리로 형성되고, 안으로 방사상 쿨링 캘러리(256)가 기계가공되어 있고, 각각의 갤러시사이에 유동 통로를 위해 상호 연결될 수 있지만, 반드시 필요한 것은 아닌, 제 1 박판(252) 및 제 2 후판(254)으로 형성되는 구리 기판으로부터 구성될 수 있는 쿨링 소자/내부 열 교환기(232)의 사시도와 각각의 단면도가 도시되어 있다. (도시 안된)청동 조인트는 구리 자체보다 강할 수 있다. 확산 본딩등 기타 결합재의 형태 또한 가능할 수 있다. 이후 결합판 어셈블리(232)가 컬렉터 보디(220)의 후측의 일반적 모양에 일치하도록 적당한 모양을 형성하도록 펀칭 또는 다이 프레싱에 의해 형성될 수 있다.
C110은 거의 388W/mK의 열전도성과 10ksi의 항복 응력을 갖는 순수 구리이고 따라서 컬렉터 보디(220)의 후측과 매칭하는 모양으로 비교적 유연하고 비교적 쉽게 형성되도록 한다. 어셈블리에서, 모든 진공 웨티드 조인트는 고 일체 청동식 조인트일 수 있다. 도 5B에 도시된 바와 같이, 이렇게 형성된 쿨링 소자(232)는 방사상으로 뻗어있는 세라믹 스페이서(244)상에 히터 소자(240, 240')를 장착하기 이한 구조를 형성할 수 있다.
도 5C를 참조하면, 본 발명의 일 실시예의 태양에 따른 컬렉터와 온도 제어 어셈블리(222)의 단면의 각각의 등방성 도면이 도시되어 있다. 온도 제어 어셈블리(222)는 컬렉터 보디(220)와 히터 어셈블리(238)를 따라 냉각 소자(232)를 포함할 수 있다. 어셈블리(222)는 도시된 바와 같이, 원형일 수 있고 (도시 안된) 측벽 마운팅 링에 의해 LPP챔버(64)의 측벽에 부착될 수 있는 실링 브라켓(262)을 포함할 수 있다. 실링 브라켓(262)은 리튬이나 기타 플라즈마 원 매체 물질 또는 기타 찌꺼기가 쿨링 엘리먼트(232)의 구리에 이르는 것을 막기 위한 래비린쓰 씰과 같은 씰을 형성하기 위해 함께 기능할 수 있는 씰링 링(260)상에 씰링 플랜지(264)를 수용하는 원형 실링 슬롯(265)을 그 안에 형성할 수 있다.
씰링 링(260)은 부착 너트(272)에 의해 장착 링(270)에 부착될 수 있다. 부착 링(270)은 장착 링 너트(274)에 의해 (도 5C에 도시 안된) 적어도 하나의 구동 레이저 빔 유입 통로(282)의 단부에 형성된 (도시 안된) 장착 플랜지에 부착될 수 있다. (도 5C에 도시 안된) 구동 레이저 빔 유입 통로(282)의 단부에 (도시 안된)장착 플랜지에 인접한 (도시 안된)씰링 링은 장착 링(270)과 (도시 안된)장착 플랜지상에 원형 쉘프(276)사이에 적당히 쿨링 소자(232)상에 원형 링(236)을 유지하는 기능을 할 수 있다.
히터 어셈블리는 원형 소자를 형성하는 히터 소자(240') 및/또는 이격된 4분 그루핑을 형성하는 히터 소자(240)로 형성될 수 있다. 소자(240, 240')의 각각은 예컨대 구획 가열과 같은 원하는 구분 가열을 유효하게 하는 (도시 안된)컨트롤러에 의해 제어되고 (도시 안된)배선을 통한 전류로 별개로 기동될 수 있다. 세라믹 스페이서(244)는 컬렉터 보디(220)와 쿨링 소자(232)사이의 그리고 그 어느것으로부터도 떨어져서 공간에 히터 소자(240, 240')를 유지할 수 있다.
컬렉터 보디(220)는 컬렉터 보디(220)의 원주주위에 이격되고, 그 중 하나가 장착 링(270)내에서 실링 링(260)과 장착 링(270)사이에 있지만, 유리등의 비교적 깨지기 쉬운 컬렉터 보디(220)의 재질을 응력을 중첩하지 않는 적당한 위치에 컬렉터 보디(220)를 고정적으로 유지하기 위한 스프링(268)으로 스프링 바이어싱될 수 있는, 한 쌍의 압축 볼(266)으로 형성된 복수의 유지 어셈블리에 의해 적절히 유지된 원형 외부 유지 링(288)을 갖도록 형성될 수 있다. 반사 광학기기를 형성하는 다층 스택등의 컬렉터(40) 광학기기는 원형 유지 링(288)의 내부적으로 이격된 컬렉터 보디(220)상에 장착되거나 형성될 수 있음을 이해할 것이다.
도 5B 와 5C에 도시된 설계의 몇몇 이점은 컬렉터(40) 보디(220)의 고방출 후면은 도 5에 도시된 설계에서 고려된 가열보다 효율적일 수 있다는 것이다. 또한, 있다면, 적외광 방사로의 컬렉터(40) 광학기기의 반사도는 도 5A-5C에 제안된 어셈블리를 갖는 문제는 아니다. 더욱이, LPP플라즈마 형성 챔버(64)로부터 쿨링 소자(232)의 실링은 리튬등의 플라즈마 원 매체 금속으로부터 쿨링 소자(232) 및/또는 히터 소자(240, 240')를 보호하는 문제를 제거한다. 구분하여 제어될 수 있는 히터 소자와 구심성 및/또는 방사상 및/또는 정사각형 배열의 포지셔닝 및 선택적으로 소자에 에너지를 공급하는 것은 컬렉터(40)의 플라즈마 생성측으로부터 컬렉터 보디(220)의 구분 가열을 위한, 필요하다면, 구분 보상은 물론, 필요한 컬렉터 보디(220)의 가열의 균일성을 제어하는 기능을 할 수 있다. 더욱이, 히터 소자(240, 240')는 EUV집광 경로내의 공간을 위해서 완성하지 않고 또한 타겟 액적 분포 및/또는 추적의 배치, 또는 플라즈마 형성 추적 또는 장치 및 부시스템과 같은 것을 방해하지도 않는다. 전체 어셈블리(222)는 플라즈마 형성 챔버내의 높은 온도로부터 광기계적 구성요소를 차폐하는 기능을 할 수 있다.
현재 출원인은 표 2에 도시된 몇몇 형태의 SiC가 컬렉터 보디(220) 기판용 특성의 최적 혼합을 가질 수 있다고 고려하는데 이는 반사 다층 코팅과의 저위험의 열팽창 계수("CTE")가 존재하기 때문이다. 그러나, SiC는 딱딱한 물질이고 따라서 Si클래드 및 다이아몬드 회전되고 이후 연마되더라도 연마하는데 시간이 걸린다. 그러나 구성을 고려하면, Mo, Be 또는 평범한 Si등의 기타 보다 가벼운 물질에 Ni를 도금한것등의 Ni과 같은 기타 물질이 사용될 수 있다. 그러나 CTE문제는 이러한 기타 물질의 일부나 전체에 문제될 수 있다.
도 7-9는 본 발명의 일 실시예의 태양에 따른 LPP EUV광원 컬렉터(40)를 위한 열관리 시스템의 설계와 관련한 그래프를 도시하고 있다.
본 발명의 일 실시예의 태양에 따라 도 6A에 도시된 것과 같이 LPP EUV소스를 위한 타겟 조명을 위한 방사원으로 사용된 LPP구동 레이저빔(52)은 진공 챔버(64)에서 사용될 수 있다. 이러한 챔버(64)는 빔(52)을 위한 윈도우(284)를 가질 수 있고 이러한 윈도우(284)는 원하는 개시 장소(32)를 포함하는 레이저 타겟 상호작용 지대로부터 멀리 위치될 수 있다. Ru등 반사성 금속으로 제조된 스침 입사 광학기기(302)등의 포커싱 광학기기(300)는 희망 플라즈마 개시 장소(32)주위의 상호작용 지대 희망 플라즈마 개시 영역상에 빔(52)를 포커싱하는 기능을 할 수 있다(즉, 상기한 바와 같이, 원하는 장소(32)와 다르지만, 희망 플라즈마 개시 장소내라면, (도 6A에 도시되지 않은) 선택된 플라즈마 개시 장소(30)를 포함한다). 포커싱 광학기기(300)는 빔(52)이 렌즈(54)와 포커싱 광학기기(302)간의 초점을 갖는 포커싱 렌즈(54)를 통과한 후 빔(52)을 포커싱할 수 있고, 따라서 빔(52)내의 광선은 당업계에서 도시된바와 같은 포개진 이러한 면을 포함하는 포커싱 광학기기(300)의 타원면(302)등의 면을따라있는 점에 입사한다. 따라서 스침 광학기기(300)의 면(302)에 도달하는 광은 포커싱 렌즈(54)와 스침 입사 광학기기(300)의 중간의 포커싱 렌즈(54)의 초점에 소스로부터 온것으로 보일 수 있다. 스침 입사 광학기기(300)는 또한 보통 입사 반사 광학기기에 의해 대체될 수 있다. 광학 소자(302)는 타원형, 쌍곡면, 난형, 파라볼릭형, 구형등 또는 그 조합일 수 있고 챔버(64)내부의 상호작용 지대에서 플라즈마 개시 장소(32, 30)에서 빔(52)을 보다 잘 포커싱하도록 기능한다. 대략 1mm의 직경일 수 있는 분리벽(304)에서의 작은 아퍼추어가 사용되어 타겟 찌꺼기 물질과 기타 찌꺼기 물질이 포커싱 렌즈(54)에 도달하는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예의 태양에 따라, EUV집광 광학기기의 태양은 희망 플라즈마 개시 장소주위의 희망 플라즈마 개시 영역내에 선택된 플라즈마 개시 장소(30)상에 레이저 방사를 포커싱하기 위해 적용되어왔다. 이후 아래에 설명된 것을 포함하는 가열 및 증발등과 같은 모든 보호 기술이 이러한 광학기기(300)를 위해 사용될 수도 있다.
도 6B에 도시된, 본 발명의 일 실시예의 태양에 따라 반사기(300')쉘을 형성하는 파라볼릭형 반사기 면(310)이 빔(52)을 포커싱하는데 사용될 수 있다. 도 6C에 도시된 바와 같이, 직렬의 타원형 면의 조합이나 파라볼로이드(320)의 조합을 포함하는 볼터 반사기, 이에 이어서 공초점 및 동축 파라볼로이드(322)가, (도 6A-D에는 도시 안된) 컬렉터(40)의 초점부근에서, 즉 희망 플라즈마 개시 영역내의 선택된 플라즈마 개시 장소에서 빔(52)을 포커싱하는데 사용될 수 있다. 도 6D에서 빔(52)은 납작하거나 곡면의 광학기기(330)를 통과하고 굽은 반사면(332)상으로 통과되어 컬렉터 초점(32)을 포커싱한다. 예컨대 굽은 광학기기(330)를 위하여, 납작한 광학 반사면(332)은 광학기기(330)의 초점과 광학기기(330) 그 자체의 사이에 있고 납작한 광학기기(332)가 컬렉터 초점(32)상에 포커싱한다. 납작한 광학기기(332)는 (도 12에 도시된) 원추형 레이저빔 입력 통로(570)의 일부일 수 있다.
도 10A 및 10B를 참조하면 도 10B에 단면 선(10A)을 따라 있는 개략적인 측단면도와 찌꺼기 쉴드내의 컬렉터(40)의 찌꺼기 쉴드와 포일 분리기(500, 502)를 갖는 컬렉터(40)의 전면도가 각각 도시되어 있다. 예로써 컬렉터(40)는 타원형 반사면의 초점(32)의 중간의 찌꺼기 쉴드의 포일 분리기(500, 502)를 갖는 회전축에 대하여 대칭인, 타원형 반사면을 형성할 수 있다. 포일 분리기(500, 502)는 방사상 범위와 구동 레이저 빔(52)의 개구 중간의 위치로 방사상 범위로부터 뻗는 짧은 찌꺼기 포일 분리기(502)와 컬렉터(40)내의 구동 레이저 빔(52) 개구와 찌꺼기 쉴드로부터 찌꺼기 쉴드의 방사상 범위까지 필연적으로 뻗을 수 있는 교대하는 긴 포일 분리기(500)를 포함할 수 있다. 얇은 포일 분리기(500)는 가능한 얇은 짧은 포일 시트(502)와 함께, 그리고 구조적으로 가능한 얄은 포일 시트를 포함할 수 있고, 초점(32)에서 컬렉터(40) 반사면까지 그리고 다시 중간 초점(42)까지의 EUV광선 경로로 정렬된 광로를 형성할 수 있다. 긴 포일 시트(500)와 짧은 포일 시트(502)의 혼합은 포일 시트(500, 502)의 찌꺼기 제거 기능이나 구조적 무결성으로부터 상당히 열화함이 없이 광로 개구를 증가시키는 기능을 할 수 있다. 포일 시트는 다중 길이일 수 있는데, 즉 짧은 포일 시트는 자체적으로 긴 포일 시트 분리기사이에 개재하거나 대안으로 그렇게 랜덤하게 분포된 것을 따라 회전축에 관하여 몇몇 패턴으로 분포되고 서로 다른 길이일 수 있음이 또한 고려된다.
포일 시트(500, 502)는, 그렇지 않으면 컬렉터(40)에 이를 수 있는 타겟 물질 자체와 혼합물이든, 리튬 타겟 물질내에 도입된 불순물의 혼합물을 포함하는, 리튬 또는 기타 타겟 금속 및/또는 그 화합물을 도금하는 기능을 할 수 있다. 포일 시트(500, 502)는 또한 기타 찌꺼기 유입 완화 효과를 가질 수도 있다. 또 다른 유입 물질, 예컨대 리튬과 리튬 이온이 포일 분리기 시트(500, 502)로부터 온 물질을 스퍼터링할 수 있다. 컬렉터 찌꺼기 쉴드 분리기 포일 분리기 시트(500, 502)는 포일 분리기 시트(500, 502)상에 도금후에 포일 분리기 시트(500, 502)상에 도금하는 물질의 일부를 증발하도록 가열될 수 있다.
RF코일(510)은 고속으로 이동하는 이온 및/또는 기타 형태의 찌꺼기를 느리게하고 분산시키기 위해 초점(32)에서 찌꺼기 쉴드와 플라즈마 개시의 중간의 플라즈마 배리어를 형성할 수 있고, 따라서 이러한 이온이나 찌꺼기는 결국 포일 시트(500, 502)상에 증착된다. 자기장은 영구자석이나 전자석일 수 있는 스티어링 자석(512, 514)에 의해 생성되어 컬렉터(40)와 민감한 다층 반사면으로부터 회전하도록 찌꺼기 쉴드의 영역내 및/또는 앞에 RF유도 플라즈마에서 또는 LPP플라즈마에 의해 유도된 이온을 스티어링하는 기능을 할 수 있다.
도 11을 참조하면, 셔터(520)의 동작에 의해 희망 플라즈마 개시 장소(32) 주위의 희망 플라즈마 개시 영역내의 플라즈마 개시 장소에서 기원하는, EUV광에 간헐적으로 노출될 수 있는 EUV기준 측정 암(518)내의 EUV출력 디텍터(전력계)(162')를 포함할 수 있는 컬렉터 유효 측정 시스템과 전형적인 EUV에너지 탐지 시스템의 단면도가 개략적으로 도시되어 있다. 또한 EUV 컬렉터 유효 측정 시스템의 일부는 (도 11에 도시 안된) 컬렉터(40)로부터 광로를 상당히 차단하지 않지만 동 물질로 된 컬렉터(40)상의 실제 다층 반사면과 같은 량으로 상대적으로 플라즈마 찌꺼기를 수신하도록 위치될 위치에서 챔버(64)내에 배치된 컬렉터 샘플(530)일 수 있다. 컬렉터 샘플(530)은 또한 실제 컬렉터(40) 반사면의 그것 위에 찌꺼기노출에서의 차이를 고려하기 위해 몇몇 방식으로 교정되거나 및/또는 실제 컬렉터(40) 반사면을 보호하도록 구현된, 있다면 동일한 보호를 시뮬레이팅하는 방식으로 찌꺼기로부터 보호될 수 있다.
컬렉터 유효 측정 시스템은 EUV측정 암(522)의 단부에서 EUV출력계(162")를 동시에 판독하고 셔터(520)를 개방함으로써 플라즈마 개시 장소(32)에서 플라즈마로부터 방사하는 EUV에 EUV기준 측정 암(518)내의 EUV출력계(162')를 노출시킴으로써 동작할 수 있음을 이해할 것이다. 이것은 컬렉터 샘플(530)에서 디텍터(162")까지 반사된 EUV와 플라즈마 개시 장소(32)에서 생성된 EUV간의 차이를 제공할 수 있다. 이것은, 시초부터 컬렉터(40) 반사면에 이르는 플라즈마 개시 장소로부터 방출된 광의 전부 이하를 컬렉터 자체가 반사하는 것과 같은 방식, 컬렉터 샘플(530)상에 다 반사 코팅내의 반사도 손실때문에 서로 다른 값일 수 있다. 그러나 시간의 경과에 따라 이러한 차이의 변화는 컬렉터(40)상에 찌꺼기형성의 동작의 역효과를 반영할 수 있다. 이것은 EUV디텍터(162' 및 162")에서 감지된 EUV광사이에 차이의 시간에서 변화로부터 리소그래피 도구에서 또는 IF에서 수신된 EUV등, 컬렉터(40) 성능에 좌우되는, 전체 시스템에 대한 측량 측정의 기타 태양을 교정하는데 이용될 수 있다. 디텍터(162')는 또한 각각의 타겟(20)과 같은 각각의 타겟을 조사하는데 구동 레이저의 미스-타이밍을 탐지하는 목적으로 플라즈마 개시 장소(32)에서 생성된 EUV에너지의 기하학적 균형을 탐지하기 위해 상기한 것처럼 도 1에 도시된 탐지기(162)의 배열의 일부로 기능할 수도 있다.
도 12를 참조하면, 구동 레이저 빔 입력 통로(282)내의 구동 레이저 입력 윈도우(54)를 형성할 수 있는 구동 레이저 포커싱 광학기기를 보호하는 찌꺼기 관리 시스템의 형태의 개략적 단면도가 도시되어 있다. 구동 빔 입력 통로(282)는 컬렉터내의 구동 레이저 빔 개구를 통해 레이저 빔 입력 통로(282)로 들어가는 찌꺼기, 예컨대, 플라즈마 소스 매체인 타겟 금속, 원자 및/또는 이온, 리튬 및 리튬 화합물 그리고 리튬 불순물 화합물, 원자 및/또는 이온을 이온화하거나 더 이온화하는 기능을 할 수 있는 동작중인 플라즈마 형성 RF코일(540)등의 플라즈마 형성 메커니즘을 EUV플라즈마 개시 장소(32)를 향하여 일 단부에서 그 주위에서 가질 수 있다. EUV플라즈마 개시 장소에서 형성된 그리고/또는 RF코일(540)에 의해 레이저 빔 통로(282)내에 형성된 플라즈마 개시 RF필드내에 형성되거나 더 에너지를 공급받는 이온은 이후 스티어링 자석(550)에 의해 스티어링될 수 있다. 코일(540)에 의해 형성된 RF필드는 또한 EUV플라즈마 개시 영역으로부터 통로(282)에 들어가는 이온을 느리게하는 기능을 한다. 스티어링 자석(550)은 레이저 빔 입력 통로(282)에 직교하게, 하나의 각으로 뻗는 찌꺼기 트랩(532)으로 레이저 빔 입력 통로(282)내의 플라즈마를 돌리는 스티어링 자기장을 형성할 수 있다. 그렇게 스티어링된 찌꺼기 흐름(534)은 찌꺼기 흐름(534)내에 포함된 찌꺼기 물질을 도금하기 위해 몇몇 전압(U)으로 부극성으로 충전될 수 있는 충전된 플레이트(552)에 입사될 수 있다.
윈도우/렌즈(54)에 의해 형성된 광학기기의 보호를 더 강화하는 것은 구동 레이저 유입 통로(282)를 통해 퍼지 가스 유입(560)으로부터 퍼지 가스 유출(562)까지 헬륨등의 퍼지 가스의 흐름일 수 있다. 대안으로, 퍼지 가스는 퍼지 가스 유출(560)에 대신하여 또는 퍼지 가스 유출(562)에 더하여 도 12에 도시된 바와 같이, 원추형 레이저 빔 유입 튜브(570)를 통하여 챔버(64)로 배기될 수 있다.
도 13을 참조하면, 구동 레이저 유입 통로(282)내의 윈도우/렌즈(54)의 보호를 위해 찌꺼기 관리 시스템의 또 다른 형태의 개략적인 단면도가 도시되어 있다. 도 13의 이러한 시스템은 쉴드 플레이트(580)의 컬렉터(40)측상에 퍼지 가스 유출(562) 및 쉴드 플레이트(580)의 구동 레이저 빔 입력측상에 퍼지 가스 유입(560)으로써, 구동 레이저 입력 통로(282)내에, 구동 레이저 포커싱 광학기기(300)로 가능 도중에 구동 레이저 빔(52)이 포커싱될 수 있는, 아퍼추어(582)를 갖는 쉴드 플레이트(580)를 포함할 수 있다. 도 13의 시스템은 또한 EUV 플라즈마 개시 영역으로부터 통로에 들어가는 이온의 속도를 줄이는 기능을 할 수 있는, RF코일(540)을 포함할 수 있는 찌꺼기 플라즈마 형성 메커니즘을 가질 수도 있다.
구동 레이저 입력 통로(282)내의 플라즈마 포커싱 광학기기(300)는 구동 레이저 유입 통로(282)의 EUV플라즈마 개시 단부와 광학기기(54)간의 도 12의 실시예의 300mm로, 반대와 같이, 구동 레이저 유입 통로(282)의 EUV플라즈마 개시 장소와 쉴드 플레이트(580)사이의 1000mm의 보다 긴 구동 레이저 입력 통로를 가능하게 하기 위해 타겟 플라즈마 개시 장소(32)에서 구동 레이저 빔(52)을 재포커싱하는 기능을 할 수 있음을 이해할 것이다. 이것은 구동 레이저 빔 유입 통로(282)의 EUV플라즈마 개시 장소(32)와 쉴드 플레이트(580)간의 찌꺼기의 보다 많은 소산과 집광을 가능하게 하고, 아퍼추어(582)에서 찌꺼기를 최소로 유지할 수 있고 아퍼추어(582)를 통한 찌꺼기의 통로를 차단함에 있어서 아퍼추어(582)를 통한 퍼지 가스 흐름을 용이하게 할 수 있다. 아퍼추어(582)는 대략 1mm의 개구를 가질 수 있고 광학기기(54)의 초점에서 위치될 수 있다. 이후 레이저빔(56)은 아퍼추어(582)의 구멍부근의 초점(590)에 광학기기(54)에 의해 포커싱된다. 이후 미러(302)는 빔(54)을 플라즈마 개시 장소(32)에 재포커싱한다. 구동 레이저 유입 통로(282)의 측벽은 부극성 전압으로 유지될 수 있고 그리고/또는 자기장은 통로(282)의 EUV플라즈마 개시 장소의 단부와 쉴드 플레이트(580)의 중간의 구동 레이저 유입 통로(282)의 내벽상에 찌꺼기가 흐르게 하여 증착하게 하는데 사용될 수 있다.
구동 레이저 포커싱 광학기기(300)는 또한 코일(540)에 의한 임의의 RF가열에 더하여 (도시 안된) 전기 접속에 의해 전기적으로 가열될 수도 있고, EUV가 아닌 구동 레이저 빔(52)의 DUV에 스침 입사각에서도 반사될 수 있고, EUV를 포커싱하거나 찌꺼기를 아퍼추어(582)로 보내지 않을 것이다. 레이저 포커싱 광학기기(300)는 금속 미러(302)를 구비할 수 있다.
본 발명의 태양을 설명하였다.

Claims (109)

  1. 플라즈마 개시 타겟을 전달하도록 된 타겟 전달 시스템 및 희망 플라즈마 개시 장소를 정의하는 초점을 갖는 EUV광 집광 광학기기를 포함하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외광("EUV") 광원 제어 시스템으로서,
    타겟 추적 및 피드백 시스템을 포함하고, 상기 타겟 추적 및 피드백 시스템은,
    타겟 스트림 트랙의 이미지를 출력으로 제공하는 적어도 하나의 이미징 디바이스; 및
    희망 플라즈마 개시 장소를 교차하는 원하는 스트림 트랙으로부터 일반적으로 타겟 스트림 트랙에 수직인 적어도 하나의 축내에 있는 타겟 스트림 트랙의 위치내의 에러를 탐지하는 스트림 트랙 에러 디텍터를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    타겟 트랙내의 선택된 점을 통해 타겟의 통로를 탐지하고 타겟 트랙으로 겨냥된 적어도 하나의 타겟 크로싱 디텍터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 타겟 크로싱 디텍터는 적어도 제 1 타겟 크로싱 디텍터 및 제 2 타겟 크로싱 디텍터인 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  4. 제 2 항에 있어서,
    구동 레이저 출력 펄스가 일반적으로 상기 희망 플라즈마 개시 장소의 최근접지의 타겟 트랙을 따라 선택된 플라즈마 개시 장소의 플라즈마 개시 타겟을 교차하기 위해 타겟 크로싱 디텍터의 출력을 이용하여 구동 레이저 트리거의 타이밍을 결정하는 구동 레이저 트리거링 메커니즘을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    각각의 타겟을 위한 플라즈마 개시 장소의 타겟 트랙을 따라있는 위치를 탐지하고 타겟 트랙에 겨냥된 플라즈마 개시 디텍터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  6. 제 2 항에 있어서,
    각각의 타겟을 위한 플라즈마 개시 장소의 타겟 트랙을 따라있는 위치를 탐지하고 타겟 트랙에 겨냥된 플라즈마 개시 디텍터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  7. 제 3 항에 있어서,
    각각의 타겟을 위한 플라즈마 개시 장소의 타겟 트랙을 따라있는 위치를 탐지하고 타겟 트랙에 겨냥된 플라즈마 개시 디텍터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  8. 제 4 항에 있어서,
    각각의 타겟을 위한 플라즈마 개시 장소의 타겟 트랙을 따라있는 위치를 탐지하고 타겟 트랙에 겨냥된 플라즈마 개시 디텍터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스내의 아퍼추어를 이미징하기 위해 중간 초점에서 형성된 상기 아퍼추어를 조명하는 중간 초점 조명기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스내의 아퍼추어를 이미징하기 위해 중간 초점에서 형성된 상기 아퍼추어를 조명하는 중간 초점 조명기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  11. 제 3 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스내의 아퍼추어를 이미징하기 위해 중간 초점에서 형성된 상기 아퍼추어를 조명하는 중간 초점 조명기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  12. 제 4 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스내의 아퍼추어를 이미징하기 위해 중간 초점에서 형성된 상기 아퍼추어를 조명하는 중간 초점 조명기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  13. 제 5 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스내의 아퍼추어를 이미징하기 위해 중간 초점에서 형성된 상기 아퍼추어를 조명하는 중간 초점 조명기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  14. 제 6 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스내의 아퍼추어를 이미징하기 위해 중간 초점에서 형성된 상기 아퍼추어를 조명하는 중간 초점 조명기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  15. 제 7 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스내의 아퍼추어를 이미징하기 위해 중간 초점에서 형성된 상기 아퍼추어를 조명하는 중간 초점 조명기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  16. 제 8 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스내의 아퍼추어를 이미징하기 위해 중간 초점에서 형성된 상기 아퍼추어를 조명하는 중간 초점 조명기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  17. 제 9 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스는 적어도 두 개의 이미징 디바이스이고, 그 각각은 상기 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각에 있는 이미지의 분석에 기초하여 중간 초점의 이미지의 수직 중심선축으로부터 타겟 트랙의 분리에 관한 에러 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스는 적어도 두 개의 이미징 디바이스이 고, 그 각각은 상기 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각의 하나에 있는 이미지의 분석에 기초하여 중간 초점의 이미지의 수직 중심선축으로부터 타겟 트랙의 분리에 관한 에러 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스는 적어도 두 개의 이미징 디바이스이고, 그 각각은 상기 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각의 하나에 있는 이미지의 분석에 기초하여 중간 초점의 이미지의 수직 중심선축으로부터 타겟 트랙의 분리에 관한 에러 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  20. 제 12 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스는 적어도 두 개의 이미징 디바이스이고, 그 각각은 상기 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각의 하나에 있는 이미지의 분석에 기초하여 중간 초점의 이미지의 수직 중심선축으로부터 타겟 트랙의 분리에 관한 에러 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  21. 제 13 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스는 적어도 두 개의 이미징 디바이스이고, 그 각각은 상기 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각의 하나에 있는 이미지의 분석에 기초하여 중간 초점의 이미지의 수직 중심선축으로부터 타겟 트랙의 분리에 관한 에러 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  22. 제 14 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스는 적어도 두 개의 이미징 디바이스이고, 그 각각은 상기 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각의 하나에 있는 이미지의 분석에 기초하여 중간 초점의 이미지의 수직 중심선축으로부터 타겟 트랙의 분리에 관한 에러 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  23. 제 15 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스는 적어도 두 개의 이미징 디바이스이고, 그 각각은 상기 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각의 하나에 있는 이미지의 분석에 기초하여 중간 초점의 이미지의 수직 중심선축으로부터 타겟 트랙의 분리에 관한 에러 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  24. 제 16 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이미징 디바이스는 적어도 두 개의 이미징 디바이스이고, 그 각각은 상기 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각의 하나에 있는 이미지의 분석에 기초하여 중간 초점의 이미지의 수직 중심선축으로부터 타겟 트랙의 분리에 관한 에러 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  25. 제 17 항에 있어서,
    타겟 전달 피드백 및 제어 시스템을 더 포함하고, 상기 타겟 전달 피드백 및 제어 시스템은,
    타겟 전달 유닛; 및
    상기 제 2 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 2 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서, 및 상기 제 1 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 1 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서 상기 타겟 전달 메커니즘을 변위하는 타겟 전달 변위 제어 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  26. 제 18 항에 있어서,
    타겟 전달 피드백 및 제어 시스템을 더 포함하고, 상기 타겟 전달 피드백 및 제어 시스템은,
    타겟 전달 유닛; 및
    상기 제 2 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 2 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서, 및 상기 제 1 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 1 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서 상기 타겟 전달 메커니즘을 변위하는 타겟 전달 변위 제어 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  27. 제 19 항에 있어서,
    타겟 전달 피드백 및 제어 시스템을 더 포함하고, 상기 타겟 전달 피드백 및 제어 시스템은,
    타겟 전달 유닛; 및
    상기 제 2 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 2 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서, 및 상기 제 1 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 1 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서 상기 타겟 전달 메커니즘을 변위하는 타겟 전달 변위 제어 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  28. 제 20 항에 있어서,
    타겟 전달 피드백 및 제어 시스템을 더 포함하고, 상기 타겟 전달 피드백 및 제어 시스템은,
    타겟 전달 유닛; 및
    상기 제 2 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 2 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서, 및 상기 제 1 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 1 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서 상기 타겟 전달 메커니즘을 변위하는 타겟 전달 변위 제어 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  29. 제 21 항에 있어서,
    타겟 전달 피드백 및 제어 시스템을 더 포함하고, 상기 타겟 전달 피드백 및 제어 시스템은,
    타겟 전달 유닛; 및
    상기 제 2 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 2 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서, 및 상기 제 1 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 1 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서 상기 타겟 전달 메커니즘을 변위하는 타겟 전달 변위 제어 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  30. 제 22 항에 있어서,
    타겟 전달 피드백 및 제어 시스템을 더 포함하고, 상기 타겟 전달 피드백 및 제어 시스템은,
    타겟 전달 유닛; 및
    상기 제 2 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 2 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서, 및 상기 제 1 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 1 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서 상기 타겟 전달 메커니즘을 변위하는 타겟 전달 변위 제어 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  31. 제 23 항에 있어서,
    타겟 전달 피드백 및 제어 시스템을 더 포함하고, 상기 타겟 전달 피드백 및 제어 시스템은,
    타겟 전달 유닛; 및
    상기 제 2 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 2 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서, 및 상기 제 1 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 1 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서 상기 타겟 전달 메커니즘을 변위하는 타겟 전달 변위 제어 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  32. 제 24 항에 있어서,
    타겟 전달 피드백 및 제어 시스템을 더 포함하고, 상기 타겟 전달 피드백 및 제어 시스템은,
    타겟 전달 유닛; 및
    상기 제 2 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 2 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서, 및 상기 제 1 이미징 디바이스내의 이미지의 분석으로부터 유도된 제 1 변위 에러 신호에 대응하는 적어도 축내에서 상기 타겟 전달 메커니즘을 변위하는 타겟 전달 변위 제어 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  33. 제 25 항에 있어서,
    EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘은,
    각각의 EUV광에너지 디텍터에 의해 탐지된 EUV광에너지량을 나타내는 출력 신호를 각각 제공하고, 중간 초점에 도달하는 EUV광에너지를 측정하도록 배치된 복수의 EUV광에너지 디텍터; 및
    각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력 신호의 각각의 값의 비교에 기초한 EUV광에너지 에러 신호를 결정하고 각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력을 수신하는 EUV광에너지 에러 신호 발생기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  34. 제 26 항에 있어서,
    EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 EUV출력 광에너지 탐 지 메커니즘은,
    각각의 EUV광에너지 디텍터에 의해 탐지된 EUV광에너지량을 나타내는 출력 신호를 각각 제공하고, 중간 초점에 도달하는 EUV광에너지를 측정하도록 배치된 복수의 EUV광에너지 디텍터; 및
    각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력 신호의 각각의 값의 비교에 기초한 EUV광에너지 에러 신호를 결정하고 각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력을 수신하는 EUV광에너지 에러 신호 발생기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  35. 제 27 항에 있어서,
    EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘은,
    각각의 EUV광에너지 디텍터에 의해 탐지된 EUV광에너지량을 나타내는 출력 신호를 각각 제공하고, 중간 초점에 도달하는 EUV광에너지를 측정하도록 배치된 복수의 EUV광에너지 디텍터; 및
    각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력 신호의 각각의 값의 비교에 기초한 EUV광에너지 에러 신호를 결정하고 각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력을 수신하는 EUV광에너지 에러 신호 발생기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  36. 제 28 항에 있어서,
    EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘은,
    각각의 EUV광에너지 디텍터에 의해 탐지된 EUV광에너지량을 나타내는 출력 신호를 각각 제공하고, 중간 초점에 도달하는 EUV광에너지를 측정하도록 배치된 복수의 EUV광에너지 디텍터; 및
    각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력 신호의 각각의 값의 비교에 기초한 EUV광에너지 에러 신호를 결정하고 각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력을 수신하는 EUV광에너지 에러 신호 발생기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  37. 제 29 항에 있어서,
    EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘은,
    각각의 EUV광에너지 디텍터에 의해 탐지된 EUV광에너지량을 나타내는 출력 신호를 각각 제공하고, 중간 초점에 도달하는 EUV광에너지를 측정하도록 배치된 복수의 EUV광에너지 디텍터; 및
    각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력 신호의 각각의 값의 비교에 기초한 EUV광에너지 에러 신호를 결정하고 각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력을 수신하는 EUV광에너지 에러 신호 발생기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극 자외광 광원 제어 시스템.
  38. 제 30 항에 있어서,
    EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘은,
    각각의 EUV광에너지 디텍터에 의해 탐지된 EUV광에너지량을 나타내는 출력 신호를 각각 제공하고, 중간 초점에 도달하는 EUV광에너지를 측정하도록 배치된 복수의 EUV광에너지 디텍터; 및
    각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력 신호의 각각의 값의 비교에 기초한 EUV광에너지 에러 신호를 결정하고 각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력을 수신하는 EUV광에너지 에러 신호 발생기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  39. 제 31 항에 있어서,
    EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘은,
    각각의 EUV광에너지 디텍터에 의해 탐지된 EUV광에너지량을 나타내는 출력 신호를 각각 제공하고, 중간 초점에 도달하는 EUV광에너지를 측정하도록 배치된 복수의 EUV광에너지 디텍터; 및
    각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력 신호의 각각의 값의 비교에 기초한 EUV광 에너지 에러 신호를 결정하고 각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력을 수신하는 EUV광에너지 에러 신호 발생기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  40. 제 32 항에 있어서,
    EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 EUV출력 광에너지 탐지 메커니즘은,
    각각의 EUV광에너지 디텍터에 의해 탐지된 EUV광에너지량을 나타내는 출력 신호를 각각 제공하고, 중간 초점에 도달하는 EUV광에너지를 측정하도록 배치된 복수의 EUV광에너지 디텍터; 및
    각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력 신호의 각각의 값의 비교에 기초한 EUV광에너지 에러 신호를 결정하고 각각의 EUV광에너지 디텍터의 출력을 수신하는 EUV광에너지 에러 신호 발생기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  41. 제 33 항에 있어서,
    개시 장소 에러 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 개시 장소 에러 탐지 메커니즘은,
    각각의 이미징 디바이스내 이미지의 분석에 기초한 중간 초점 이미지의 수평 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축에 직교하는 제 2 축내의 분리, 및 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각에 있는 이미지 데이터의 분석에 기초하여, 희망 플라즈마 개시 장소로부터 실제 플라즈마 개시 장소의 제 1 축내의 분리에 관한 제 1 에러 신호가 결정될 수 있는 이미지 데이터를 제공하는 적어도 두 개의 이미징 디바이스중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  42. 제 34 항에 있어서,
    개시 장소 에러 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 개시 장소 에러 탐지 메커니즘은,
    각각의 이미징 디바이스내 이미지의 분석에 기초한 중간 초점 이미지의 수평 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축에 직교하는 제 2 축내의 분리, 및 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각에 있는 이미지의 분석에 기초하여, 중간 초점 이미지의 수직 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축내의 분리에 관한 제 1 에러 신호를 제공하는 적어도 두 개의 이미징 디바이스 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  43. 제 35 항에 있어서,
    개시 장소 에러 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 개시 장소 에러 탐지 메커니즘은,
    각각의 이미징 디바이스내 이미지의 분석에 기초한 중간 초점 이미지의 수평 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축에 직교하는 제 2 축내의 분리, 및 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각에 있는 이미지의 분석에 기초하여, 중간 초점 이미지의 수직 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축내의 분리에 관한 제 1 에러 신호를 제공하는 적어도 두 개의 이미징 디바이스 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  44. 제 36 항에 있어서,
    개시 장소 에러 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 개시 장소 에러 탐지 메커니즘은,
    각각의 이미징 디바이스내 이미지의 분석에 기초한 중간 초점 이미지의 수평 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축에 직교하는 제 2 축내의 분리, 및 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각에 있는 이미지의 분석에 기초하여, 중간 초점 이미지의 수직 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축내의 분리에 관한 제 1 에러 신호를 제공하는 적어도 두 개의 이미징 디바이스 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  45. 제 37 항에 있어서,
    개시 장소 에러 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 개시 장소 에러 탐지 메커니즘은,
    각각의 이미징 디바이스내 이미지의 분석에 기초한 중간 초점 이미지의 수평 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축에 직교하는 제 2 축내의 분리, 및 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각에 있는 이미지의 분석에 기초하여, 중간 초점 이미지의 수직 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축내의 분리에 관한 제 1 에러 신호를 제공하는 적어도 두 개의 이미징 디바이스 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  46. 제 38 항에 있어서,
    개시 장소 에러 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 개시 장소 에러 탐지 메커니즘은,
    각각의 이미징 디바이스내 이미지의 분석에 기초한 중간 초점 이미지의 수평 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축에 직교하는 제 2 축내의 분리, 및 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각에 있는 이미지의 분석에 기초하여, 중간 초점 이미지의 수직 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축내의 분리에 관한 제 1 에러 신호를 제공하는 적어도 두 개의 이미징 디바이스 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  47. 제 39 항에 있어서,
    개시 장소 에러 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 개시 장소 에러 탐지 메커니즘은,
    각각의 이미징 디바이스내 이미지의 분석에 기초한 중간 초점 이미지의 수평 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축에 직교하는 제 2 축내의 분리, 및 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각에 있는 이미지의 분석에 기초하여, 중간 초점 이미지의 수직 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축내의 분리에 관한 제 1 에러 신호를 제공하는 적어도 두 개의 이미징 디바이스 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  48. 제 40 항에 있어서,
    개시 장소 에러 탐지 메커니즘을 더 포함하고, 상기 개시 장소 에러 탐지 메커니즘은,
    각각의 이미징 디바이스내 이미지의 분석에 기초한 중간 초점 이미지의 수평 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축에 직교하는 제 2 축내의 분리, 및 적어도 두 개의 이미징 디바이스의 각각에 있는 이미지의 분석에 기초하여, 중간 초점 이미지의 수직 중심선 축으로부터 플라즈마 개시 장소의 제 1 축내의 분리에 관한 제 1 에러 신호를 제공하는 적어도 두 개의 이미징 디바이스 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마 극자외광 광원 제어 시스템.
  49. 플라즈마 형성 챔버; 및
    초점을 갖는 컬렉터 모양의 형태로된 상기 플라즈마 형성 챔버내의 쉘을 포함하고,
    상기 쉘은 다층 반사기로부터 작동열을 전달하고 초점으로부터 대향하는 쉘 측상의 쉘의 표면으로부터 열을 방사하는데 충분한 크기와 열질량을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  50. 제 49 항에 있어서,
    상기 쉘의 재료는,
    실리콘 카바이드, 실리콘, Zerodur 또는 ULE유리, 알루미늄, 베릴륨, 몰리브덴, 구리 및 니켈을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  51. 제 49 항에 있어서, 쉘의 정상 상태 온도를 선택된 범위의 동작온도내로 유지하도록 하는 쉘로 지향된 적어도 하나의 방사 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  52. 제 50 항에 있어서, 쉘의 정상 상태 온도를 선택된 범위의 동작온도내로 유지하도록 하는 쉘로 지향된 적어도 하나의 방사 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  53. 제 51 항에 있어서,
    상기 온도 범위내의 온도는 컬렉터를 도금하는 플라즈마 생성 타겟 물질을 증발시키는데 충분한 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉 터.
  54. 제 52 항에 있어서,
    상기 온도 범위내의 온도는 컬렉터를 도금하는 플라즈마 생성 타겟 물질을 증발시키는데 충분한 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  55. 제 49 항에 있어서,
    상기 쉘의 인접면으로부터 방사된 열을 흡수하는 초점으로부터 대향하는 쉘 측상의 쉘에 인접한 열 싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  56. 제 50 항에 있어서,
    상기 쉘의 인접면으로부터 방사된 열을 흡수하는 초점으로부터 대향하는 쉘 측상의 쉘에 인접한 열 싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  57. 제 51 항에 있어서,
    상기 쉘의 인접면으로부터 방사된 열을 흡수하는 초점으로부터 대향하는 쉘 측상의 쉘에 인접한 열 싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극 자외("EUV")광원 컬렉터.
  58. 제 52 항에 있어서,
    상기 쉘의 인접면으로부터 방사된 열을 흡수하는 초점으로부터 대향하는 쉘 측상의 쉘에 인접한 열 싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  59. 제 53 항에 있어서,
    상기 쉘의 인접면으로부터 방사된 열을 흡수하는 초점으로부터 대향하는 쉘 측상의 쉘에 인접한 열 싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  60. 제 54 항에 있어서,
    상기 쉘의 인접면으로부터 방사된 열을 흡수하는 초점으로부터 대향하는 쉘 측상의 쉘에 인접한 열 싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  61. 제 55 항에 있어서,
    상기 열 싱크는 외부로부터 챔버로 공급된 열 전달 유체로 열을 전달하는 열 교환기의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  62. 제 56 항에 있어서,
    상기 열 싱크는 외부로부터 챔버로 공급된 열 전달 유체로 열을 전달하는 열 교환기의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  63. 제 57 항에 있어서,
    상기 열 싱크는 외부로부터 챔버로 공급된 열 전달 유체로 열을 전달하는 열 교환기의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  64. 제 58 항에 있어서,
    상기 열 싱크는 외부로부터 챔버로 공급된 열 전달 유체로 열을 전달하는 열 교환기의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  65. 제 59 항에 있어서,
    상기 열 싱크는 외부로부터 챔버로 공급된 열 전달 유체로 열을 전달하는 열 교환기의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  66. 제 60 항에 있어서,
    상기 열 싱크는 외부로부터 챔버로 공급된 열 전달 유체로 열을 전달하는 열 교환기의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원 컬렉터.
  67. 구동 레이저 출력 펄스 빔을 발생하는 구동 레이저 및 구동 레이저 출력 펄스 빔 지향 시스템 및 컬렉터 초점을 갖는 EUV광 컬렉터를 구비한 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원으로서,
    선택된 플라즈마 개시 장소를 정의하는 초점 컬렉터 초점의 부근에 선택된 위치로 출력 레이저 펄스 빔을 포커싱하도록 동작하고, 빔 지향 시스템과 컬렉터 초점의 중간의 빔 포커싱 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  68. 제 67 항에 있어서,
    상기 빔 포커싱 시스템은 포커싱 렌즈 및 상기 포커싱 렌즈와 컬렉터 초점의 중간의 반사 포커싱 소자를 포함하고 상기 포커싱 렌즈와 상기 반사 포커싱 소자의 중간의 포커싱 렌즈 초점을 갖고, 상기 반사 포커싱 소자는 선택된 위치에서 빔을 포커싱하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  69. 제 67 항에 있어서,
    상기 빔 포커싱 시스템은 이동가능하고 상기 빔 포커싱 시스템의 이동은 선택된 위치에서 상기 빔 포커싱 시스템의 초점을 위치시키도록 동작하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  70. 제 68 항에 있어서,
    상기 포커싱 렌즈와 반사 포커싱 소자의 적어도 하나는 이동가능하고 상기 포커싱 렌즈와 반사 포커싱 소자사이의 상대 이동은 선택된 위치에 빔의 초점을 적어도 부분적으로 위치시키도록 동작하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  71. 제 67 항에 있어서,
    상기 반사 포커싱 소자는 스침 입사각 반사 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  72. 제 68 항에 있어서,
    상기 반사 포커싱 소자는 스침 입사각 반사 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  73. 제 69 항에 있어서,
    상기 반사 포커싱 소자는 스침 입사각 반사 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  74. 제 70 항에 있어서,
    상기 반사 포커싱 소자는 스침 입사각 반사 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  75. 제 67 항에 있어서,
    상기 반사 포커싱 소자는 보통 입사각 반사 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  76. 제 68 항에 있어서,
    상기 반사 포커싱 소자는 보통 입사각 반사 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  77. 제 69 항에 있어서,
    상기 반사 포커싱 소자는 보통 입사각 반사 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  78. 제 70 항에 있어서,
    상기 반사 포커싱 소자는 보통 입사각 반사 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  79. 제 67 항에 있어서,
    상기 반사 포커싱 소자는 스침 입사각 반사 소자와 보통 입사각 반사 소자의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  80. 제 68 항에 있어서,
    상기 반사 포커싱 소자는 스침 입사각 반사 소자와 보통 입사각 반사 소자의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  81. 제 69 항에 있어서,
    상기 반사 포커싱 소자는 스침 입사각 반사 소자와 보통 입사각 반사 소자의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  82. 제 70 항에 있어서,
    상기 반사 포커싱 소자는 스침 입사각 반사 소자와 보통 입사각 반사 소자의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광원.
  83. 컬렉터 미러의 제 1 초점으로부터 발산하는 광으로 정렬되고 컬렉터 미러의 제 2 초점으로 반사된 복수의 광로를 포함하고,
    상기 광로는 인접한 얇은 포일 분리기에 의해 형성되고, 상기 포일 분리기의 적어도 일부는 나머지 포일 분리기보다 짧은 거리를 방사상으로 뻗는 것을 특징으로 하는 EUV광원 컬렉터 찌꺼기 쉴드.
  84. EUV광원 EUV플라즈마 생성 챔버;
    상기 EUV플라즈마내에 생성된 EUV광에 의해 조사되는 반사부를 갖는 EUV광 컬렉터;
    상기 EUV광 컬렉터 반사부와 같은 물질로 구성된 반사부를 갖는 EUV광챔버 샘플;
    상기 EUV광원 플라즈마내에 생성된 EUV광을 탐지하는 EUV디텍터; 및
    상기 EUV광컬렉터 샘플로부터 반사하는 EUV광을 탐지하는 EUV디텍터를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV광원.
  85. 제 84 항에 있어서,
    상기 EUV광컬렉터는 EUV플라즈마 생성 챔버내에 형성된 찌꺼기가 상기 EUV광컬렉터의 반사도를 열화하는 것을 막는 찌꺼기 완화 장치; 및
    찌꺼기가 상기 EUV광컬렉터의 반사도를 열화하는 것을 막는 상기 찌꺼기 완화 장치와 필수적으로 같은 방식과 정도로 상기 EUV플라즈마 생성 챔버내에 형성된 찌꺼기가 상기 EUV광컬렉터 샘플의 반사도를 열화하는 것을 막는 EUV광컬렉터 샘플 찌꺼기 완화 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV광원.
  86. EUV플라즈마 생성 챔버로의 광입력 통로 개구;
    상기 광입력 통로내의 광소자; 및
    상당한 찌꺼기가 상기 광소자에 이르는 것을 방지하는, 광소자와 상기 플라즈마 생성 챔버의 중간에 찌꺼기 완화 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV광원.
  87. 제 86 항에 있어서,
    상기 플라즈마 생성 챔버 및 상기 광소자의 중간에 있고, 상기 플라즈마 생성 챔버로부터 입력 통로로 들어가는 찌꺼기에 에너지를 공급하는 찌꺼기 에너지공급 메커니즘; 및
    상기 찌꺼기 에너지공급 메커니즘 및 상기 광소자의 중간에 있고, 상기 광소자로부터 멀리 상기 에너지공급된 찌꺼기를 스티어링하는 찌꺼기 스티어링 메커니즘을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV광원.
  88. 제 87 항에 있어서,
    상기 찌꺼기 에너지공급 메커니즘은 상기 입력 통로로 들어가는 찌꺼기에 에너지를 도입하기 위한 메커니즘인 것을 특징으로 하는 EUV광원.
  89. 제 87 항에 있어서,
    상기 찌꺼기 에너지공급 메커니즘은 RF에너지 유도기인 것을 특징으로 하는 EUV광원.
  90. 제 88 항에 있어서,
    상기 찌꺼기 에너지공급 메커니즘은 RF에너지 유도기인 것을 특징으로 하는 EUV광원.
  91. 제 87 항에 있어서,
    상기 찌꺼기 스티어링 메커니즘은 자기장을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV광원.
  92. 제 88 항에 있어서,
    상기 찌꺼기 스티어링 메커니즘은 자기장을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV광원.
  93. 제 89 항에 있어서,
    상기 찌꺼기 스티어링 메커니즘은 자기장을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV광원.
  94. 제 90 항에 있어서,
    상기 광학 소자는 상기 입력 통로내에 초점면을 갖는 제 1 포커싱 광학기기이고,
    상기 제 1 포커싱 광학기기와 플라즈마 생성 챔버의 중간에 제 2 포커싱 광학기기; 및
    상기 제 1 포커싱 광학기기의 초점면에 위치된 아퍼추어를 포함하는 찌꺼기 차단 플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV광원.
  95. 이동 플라즈마 형성 타겟을 전달하는 타겟 전달 시스템 및 희망 플라즈마 개시 장소를 정의하는 초점을 갖는 EUV광 집광 광학기기를 포함하는 제어 시스템을 사용하는 단계를 포함하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광 생성 방법으로서,
    타겟 추적 및 피드백 방법을 이용하는 단계를 포함하고, 상기 타겟 추적 및 피드백 방법을 이용하는 단계는,
    적어도 하나의 이미징 디바이스로써, 타겟 스트림 트랙의 이미지를 제공하는 단계; 및
    스트림 트랙 에러 디텍터로써 희망 플라즈마 개시 장소를 교차하는 원하는 스트림 트랙으로부터 타겟 스트림 트랙에 일반적으로 직교하는 적어도 하나의 축내의 타겟 스트림 트랙의 위치에서 에러를 탐지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  96. 컬렉터를 이용하는 단계를 포함하는 플라즈마 생성 극자외("EUV")광원을 생성하는 방법으로서,
    플라즈마 형성 챔버를 제공하는 단계;
    초점을 갖는 컬렉터 모양의 형태로 플라즈마 형성 챔버내의 쉘을 위치시키는 단계;
    상기 초점과 대면하는 쉘 측상의 쉘과 물리적 및 열적으로 연통하는 보통 입사각 반사기 또는 스침 입사각 반사기를 형성하는 다층 스택을 이용하는 단계;
    상기 다층 반사기로부터 작동열을 전달하고 상기 초점으로부터 대향하는 쉘 측상의 쉘 면으로부터 열을 방사하는데 충분한 크기와 열질량을 쉘내에 포함하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  97. 구동 레이저 출력 펄스 빔을 생성하는 구동 레이저 및 구동 레이저 출력 펄스 빔 지향 시스템 및 초점을 갖는 EUV광컬렉터를 이용하는 단계를 포함하는 레이저 생성 플라즈마("LPP") 극자외("EUV")광 생성 방법으로서,
    상기 초점 부근에 선택된 위치로 상기 출력 레이저 펄스 빔을 포커싱하기 위한 포커싱 광학기기를 이용하여, 상기 빔 지향 시스템과 컬렉터 초점의 중간에 빔을 포커싱하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  98. 플라즈마 형성 챔버;
    초점을 갖는 컬렉터 모양의 형상의 플라즈마 형성 챔버내의 쉘;
    상기 초점과 대면하는 쉘 측상의 쉘과 물리적 및 열적 연통하는 보통 입사각 반사기 또는 스침 입사각 반사기를 형성하는 다층 스택; 및
    쉘과 방사상 열적 연통하는 초점으로부터 대향하는 쉘 측상의 쉘에 인접한 열싱크를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외광원 컬렉터.
  99. 제 98 항에 있어서,
    상기 쉘은 다층 스택을 위한 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외광원 컬렉터.
  100. 제 98 항에 있어서,
    상기 쉘은 다층 반사기로부터 작동열을 전달하고 상기 초점으로부터 대향하는 쉘 측상의 쉘의 표면으로부터 열을 방사하기에 충분한 크기와 열질량을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외광원 컬렉터.
  101. 제 99 항에 있어서,
    상기 쉘은 다층 반사기로부터 작동열을 전달하고 상기 초점으로부터 대향하는 쉘 측상의 쉘의 표면으로부터 열을 방사하기에 충분한 크기와 열질량을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외광원 컬렉터.
  102. 제 98 항에 있어서,
    상기 쉘과 열싱크의 중간에 가열소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외광원 컬렉터.
  103. 제 99 항에 있어서,
    상기 쉘과 열싱크의 중간에 가열소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외광원 컬렉터.
  104. 제 100 항에 있어서,
    상기 쉘과 열싱크의 중간에 가열소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외광원 컬렉터.
  105. 제 101 항에 있어서,
    상기 쉘과 열싱크의 중간에 가열소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외광원 컬렉터.
  106. 제 102 항에 있어서,
    상기 가열 소자는 상기 쉘을 구분적으로 가열하는 지대 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외광원 컬렉터.
  107. 제 103 항에 있어서,
    상기 가열 소자는 상기 쉘을 구분적으로 가열하는 지대 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외광원 컬렉터.
  108. 제 104 항에 있어서,
    상기 가열 소자는 상기 쉘을 구분적으로 가열하는 지대 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외광원 컬렉터.
  109. 제 105 항에 있어서,
    상기 가열 소자는 상기 쉘을 구분적으로 가열하는 지대 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 극자외광원 컬렉터.
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