TWI260623B - Optical recording medium and method for optically recording data in the same - Google Patents

Optical recording medium and method for optically recording data in the same Download PDF

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TWI260623B
TWI260623B TW092122025A TW92122025A TWI260623B TW I260623 B TWI260623 B TW I260623B TW 092122025 A TW092122025 A TW 092122025A TW 92122025 A TW92122025 A TW 92122025A TW I260623 B TWI260623 B TW I260623B
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Masaki Aoshima
Hiroyasu Inoue
Koji Mishima
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Tdk Corp
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1260623 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 _ 本發明係相關於光學記錄媒體和光學記錄資料在光學 記錄媒體中之方法，尤其是相關於被構製成藉由投射波長 3 5 0 nm到4 5 0 nm的雷射光到其上加以記錄資料在其中或 自此再生資料之光學記錄媒體，該媒體包括兩或更多記錄 層並且能夠減少雜訊程度和增加再生信號的C /N比，及光 學記錄資料在該媒體中之方法。 【先前技術】 諸如CD、DVD等光學記錄媒體已被廣泛使用當作記 錄數位資料用記錄媒體。這些光學記錄媒體可大約分成諸 如CD-RAM及DVD-ROM等不能夠寫入及再寫入資料之光 學記錄媒體（ROM型光學記錄媒體）、諸如 CD-R及 DVD-R等可寫入但不能再寫·入資料之光學記錄媒體（寫 入一次型光學記錄媒體）、及諸如CD-RW及DVD-RW等 能夠再寫入資料之光學記錄媒體（資料可再寫入型光學記 錄媒體）。 如在技藝中眾所皆知一般，資料一般使用製造處理時 形成在基體的預置溝記錄在ROM型光學記錄媒體中，而 在資料可寫入型光碟記錄媒體中，相變材料通常被使用當 作記錄層材料及利用相變材料的相變所產生的光學特性變 化記錄資料。 另一方面，在寫入一次型光學記錄媒體中，諸如花腈 -5- (2) 1260623 染料、苯二甲藍素染料、偶氮染料等有機染料 當作記錄層材料及利用有機染料的化學變化所 特性變化記錄資料，此種化學變化可能伴隨物 然而，因爲有機染料在接觸陽光等等時會 以在使用有機染料當作記錄層材料的情況下難 間儲存可靠性。因此，希望提高寫入一次型光 的長時間儲存可靠性以形成除了有機染料之外 錄層。 如曰本專利申請先行公開號碼62-204442 ，已知由疊層兩無機材料所形成的記錄層加以 記錄材料當作記錄層由除了有機染料之外的材 碟記錄媒體的例子。 另一方面’最近已有建議提供已改良的記 有極高的資料傳輸率之下一代型光碟記錄媒體 在此種下一代型光碟記錄媒體中，增加記 高資料傳輸率的達成必然需要將用於記錄及再 射聚束光點直徑減到非常小的尺寸。 爲了減小雷射光束點直徑，需要增加物鏡 以聚集雷射光束到0.7或更多，例如，大約〇. 要縮短雷射光束的波長到4 5 0 nm或更少， 4 0 0 n m。 因此，在形成複數無機材料記錄層中，需 充分吸收波長等於或短於4 5 0 nm的藍色雷射 材料。 通常被使用 產生的光學 理變形。 被降解，所 以提高長時 碟記錄媒體 的材料之記 所揭示一般 形成的光學 料形成之光 錄密度及具 〇 錄容量及極 生資料的雷 的數値孔徑 .85，並且需 例如，大約 要選擇能夠 光束之無機 -6 - (3) 1260623 【發明內容】 因此，本發明的目的係設釐一被構製成藉由投射波長 •3 5 0 n m到4 5 0 n m的雷射光到其上加以記錄資料在其中或 自此再生資料之光學記錄媒體，該媒體包括兩或更多記錄 層並且能夠減少雜訊程度和增加再生信號的C/N比，及光 學記錄資料在該媒ΙΪ中之方法。 本發明的發明人積極進行用以實現上述目的的硏究， 結果發現c，Si，Ge及sn每一種皆是對波長35〇 nm到 4 5 0 nm的雷射光束具有高度光吸收性，並且當使用雷射 光束記錄資料在包括第一記錄層含有選自C, Si, Ge及Sn 中的一元素當作主要成分及第二記錄層含有選自C，Si, Ge及Sn但不同於含在第一記錄層當作主要成分的元素之 一元素當作主要成分並且形成在第一記錄層附近之光學媒 體中時’包括第一記錄層的主要成分元素和第二記錄層的 主要成分元素之混合區被形成以顯著改變該區的反射係數 並且可高靈敏地記錄資料。另外發現它們利用包括第一記 錄層的主要成分元素和第二記錄層的主要成分元素之混合 區及其他區之間的反射係數大差異，可減少再生信號的雜 訊程度以提高C/N比。 因此，藉由包含基體、形成在基體上並且含有選自 C，Si. Ge及Sn中的一元素當作主要成分之第一記錄層、 及位在第一記錄層附近並且含有選自C，Si，Ge及Sn但不 同於含在第一記錄層當作主要成分的元素之一元素當作主 (4) Ϊ260623 要成分的第二記錄層之光學記錄媒體可實現本發明的上述 和其他目的。 在本發明中，第一記錄層含有某種元素當作主要成分 的陳述意謂在第一記錄層所含有的元素之中，該元素含量 是最大的，而第二記錄層含有某種元素當作主要成分的陳 述意謂在第二記錄層所含有的元素之中，該元素含量是最 大的。 — 在本發明中，並不是絕對需要第二記錄層與第一記錄 層接觸，第二記錄層位在第一記錄層附近以便當該區被雷 射光束照射時，可以形成包括第一記錄層的主要成分元素 和第二記錄層的主要成分元素之混合區就可以。而且，諸 如介電層等一或多個其他層可插入第一記錄層和第二記錄 層之間。然而，在諸如介電層等一或多個其他層可插入第 一記錄層和第二記錄層之間的例子中，插入層的厚度必須 等於或小於30 nm，等於或小.於20 nm較佳。 在本發明中，第二記錄層被形成接觸第一記錄層較佳 〇 在本發明中，光碟記錄媒體可包括一或多個含有選自 C, Si，Ge及Sn中的一元素當作主要成分之記錄層。 雖然爲什麼當利用雷射光束照射時可以形成包括第一 記錄層的主要成分元素和第二記錄層的主要成分元素之混 合區的原因並不是很淸楚，但是可合理推斷第一和第二記 錄層的主要成分元素被局部或全部熔融或漫射，藉以形成 第一和第二記錄層的主要成分元素混合之區。 -8 - (5) 1260623 如此藉由混合第一和第二層的主要成分元素所形成的 該區顯現有關再生資料的雷射光束和其他區顯現有關再生 資料的雷射光束之反射係數是相當不同的，因此，可利用 反射係數間的此種大差異，高靈敏地再生記錄資料。 而且，發明人發現C; Si, Ge及Sn在環境中僅處於輕 負載，並且因爲C及S i不是昂貴材料，所以可降低光學 記錄媒體的成本。— 在本發明的較佳觀點中，光學記錄媒體另外包含設置 在與有關第一記錄層和第二記錄層之基體相對的一側上之 光傳輸層。 在本發明的另一較佳觀點中，光學記錄媒體另外包含 設置在光傳輸層，與第一記錄層和第二記錄層之間的第一 介電層、及設置在第一記錄層和第二記錄層，與基體之間 的第二介電層。 根據本發明的此較佳觀點，當藉由雷射光束照射記錄 資料在其中時，可以可靠地防止基體或光傳輸層被熱變形 。而且，根據本發明的此較佳觀點，因爲可以防止含在第 二層當作主要成分之元素被腐蝕，就長遠來看，記錄資料 可更有效地防止被降解。 在本發明的另一較佳觀點中，光學記錄媒體另外包含 設置在基體與第二介電層之間的反射層。 根據本發明的此較佳觀點，可藉由多重干擾作用增加 記錄區和未記錄區之間的反射係數差，藉以獲得較高的再 生信號（C/N比）。 (6) 1260623 在本發明中，第一記錄層和第二記錄層被形成其總厚 度是2 n m到3 0 n m較佳，3 n m到2 4 n m更好，5. n m到 1 2 n m最好。 在本發明中，選自 ειι·ΑικΑ§，Ρ(1·ΡκΡ£·ΊΊ·Μ〇·\ν 及M g的至少一元素被添加到第一記錄層及/或第二記錄層 較佳。藉由添加選自Cu, Au，Ag，Pd5 Pt· Fe. Ti，Mo，W及 Mg的至少一元素_第一記錄層及/或第二記錄層，可以提 高第一記錄層及/或第二記錄層的表面平滑度並且減少再 生信號的雜訊程度。 在本發明中，光學記錄媒體被構製成寫入一次型光學 記錄媒體較佳。 亦可藉由光學記錄資料在光學記錄媒體中的方法完成 本發明的上述和其他目的，該方法包含投射波長3 5 0 nm 到45 0 nm的雷射光束到包含基體、形成在基體上並且含 有選自C，Si，Ge及Sn中的一元素當作主要成分之第一記 錄層、及位在第一記錄層附近並且含有選自C, Si，Ge及 Sn但不同於含在第一記錄層當作主要成分的元素之一元 素當作主要成分的第二記錄層之光學記錄媒體上，藉以混 合含在第一記錄層當作主要成分的元素和含在第二記錄層 當作主要成分的元素以形成記錄標之步驟。 在本發明的較佳觀點中，光學記錄資料在光學記錄媒 體中的方法包括使用其數値孔徑N A和波長A滿足λ /N A S 64 0 nm之物鏡和雷射光束、及透過物鏡投射該雷射光 束到光學記錄媒體上，藉以記錄資料在第一記錄層和第二 -10- (7) 1260623 記錄層之步驟。 根據本發明的此較佳觀點，因爲可以減小投射到光學 記錄媒體上之雷射光束的聚束光點，所以可大大提高資料 的記錄密度。 經由下面參照附圖所做的說明，本發明的上述和其他 目的與特徵將可更明顯。 【實施方式】 圖1爲本發明的較佳實施例之光學記錄媒體結構的槪 要橫剖面圖。 如圖1所示，根據本實施例的光學記錄媒體1 〇被構 製成寫入一次型光學記錄媒體，包括基體11、形成在基 體11表面上之反射層12、形成在反射層12表面上之第 二介電層13、形成在第二介電層13表面上之第二記錄層 32、形成在第二記錄層32表.面上之第一記錄層31、形成 在第一記錄層31表面上之第一介電層15、及形成在第一 介電層15表面上之光傳輸層16。 如圖1所示，中心孔形成在光學記錄媒體1 0的中心 部位。 在此實施例中，如圖1所示，雷射光束L 1 0被投射到 光傳輸層1 6表面上，藉以記錄資料在光學記錄媒體1 0中 或自光學記錄媒體1 〇再生資料。 基體Π當作用以確保光學記錄媒體1 〇所需的機械強 度之支撐。 -11 - (8) 1260623 只要基體1 1能夠當作光學記錄媒體1 0的支撐，並不 特別限制形成基體1 1的材料。基體1 1可由玻璃、陶瓷、 樹脂等形成。其中，使用樹脂形成基體較佳，因爲樹脂容 易塑形。適合形成基體1 1的樹脂之示範例子包括聚碳酸 酯樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯 樹脂、聚丙烯樹脂、矽氧樹脂、氟聚合物、丙烯腈-丁二 火希-苯乙烯樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂等。其中，就容易處 理、光學特性等角度來看，使用聚碳酸酯樹脂形成基體 1 1最好。 在此實施例中，基體1 1具有大約1 · 1 mm的厚度。 並不特別限制基體1 1的形狀，但是一般是碟形、卡 片形、或薄片形。 如圖1所示，細溝1 1 a及陸地H b間隔地形成在基體 1 1表面上。當記錄資料或再生資料時，細溝n a及/或陸 地1 1 b當作雷射光束L 1 0用導軌。 反射層1 2用於反射經過光傳輸層〗6進入的雷射光束 L 1 0，以便將它自光傳輸層1 6發出。 並不特別限制反射層1 2的厚度，但是自1 〇 n m到 300nm較佳，自20nm到20〇nm更好。 並不特別限制形成反射層1 2的材料，只要其可以反 射雷射光束，及反射層12可由Mg, Al，Ti, Ci*, Fe, Co, Ni，Cxi，Zn，Ge，Ag，Pt，Au等形成。其中，形成具有諸如 Al，An· Ag，Cu或諸如A1和Ti的合金等含有這些金屬中 的至少一種之合金的局反射特性的金屬材料之反射層j 2 -12- 1260623 Ο) 較佳。 當使用雷射光束L10自第一記錄層3i和第二記錄層 3 2光學再生資料時，爲了藉由多重千擾作兩增加記錄層 和未記錄層之間的反射係數差而設*反射層1 2，藉以獲 得較高的再生信號（C/N比）。 第一介電層15和第二介電層13用於保護第/記錄層 3 1和第二記錄層3 。就長遠而言，籍由第一介謹餍1 5和 第二介電層13可防止光學記錄資料的降解。而旦，因爲 第二介電層1 3又用以防止基體1 1等被熱變形，所以可以 有效防止由於基體1 1等的變形而使_動等變差。 並不特別限制形成第一介電層1 5和第二介謹層1 3的 介電材料，只要它是透明的，第一介電層15和第二介電 層1 3例如可由含氧化物、硫化物、氮化物、或其化合當 作主要成分之介電材料形成。尤其是，爲了防止基體n 等被熱變形及因此保護第一記錄層3 1和第二記錄層3 2， 弟一介電層15和第二介電層13含有選自aL2 03，ALN， ZnO, ZnS，GeN GeCrN Ce〇, Si〇 Si〇2, siN 及 si(：中至 少種介電材料當作主要成分較佳’而且第一介電層15 和第二介電層13含有ZnS · Si〇2當作主要成分更好。 第一介電層15和第二介電層可由相同介電材料或 不同介電材料形成。而且，第一介電層15和第二介電層 1 3中至少其中之一可包括複數介電薄膜的具有多層結_ 在此說明書中 介電層含有某種介電材料當 作主要咬 -13- (10) 1260623 分的陳述意§胃含在介電層的介電材料之中，該介電材料是 最多的。而ZnS . Si02意謂ZnS和Si02的混合物。 並不特別限制第一介電層1 5和第二介電層1 3的厚度 ，但是自3 nm到200 nm較佳。若第一介電層1 5或第二 介電層1 3小於3 nm ’則難以獲得上述優點。另一方面， 若第一介電層15或第二介電層13大於200 nm，則花曹 許多時間才能形成第一介電層1 5和第二介電層1 3，如此 將會降低光學記錄媒體1 〇的產量，並且由於存在第~介 電層15及/或第二介電層13中的應力可能使光學記錄媒 體1 〇發生破裂。 第一記錄層3 1和第二記錄層3 2被適用於記錄記錄標 和資料在其中。在此實施例中，第一記錄層3 1位在光傳 輸層1 6側上，而第二記錄層3 2位在基體1 1側上。 在此實施例中，第一記錄層3 1含有選自C，S i, G e及 Sn中的一元素當作主要成分.，及第二記錄層32含有選自 C, Si，Ge及Sn但不同於含在第一記錄層31當作主要成 分的元素之一元素當作主要成分。 因爲C, Si，Ge及Sn每一種有關波長λ 550 nm到 8 5 0 nm之紅雷射光束的光吸收性等於或低於大約 2 0 %， 及有關波長λ 350 nm到450 nm之藍雷射光束的光吸收 性等於或高於大約4 0 %，所以C , S i, G e及S η每一種適用 於形成下一代型光學記錄媒體的記錄層，在該下一代型光 學記錄媒體中，波長λ 3 5 0 nm到4 5 0 nm之藍雷射光束 被用於記錄資料在其中。 -14- (11) 1260623 而且，c，Si, Ge及Sn在環境中僅處於輕負載，並且 因爲C及S i不是昂貴材料，所以可降低光學記錄媒體1 〇 的成本。 選自 Cu· Au· Ag，Pd· pt. Fe, Ti. Mo· W 及 Mg 的至少 一元素被添加到第一記錄層和第二記錄層其中之一或二者 較佳。藉由添加選自Cu，An, Ag，Pd, Pt, Fe，Ti，Mo，W及 Mg的至少一元素到第一記錄層及/或第二記錄層，可以提 高第一記錄層及/或第二記錄層的表面平滑度並且減少再 生信號的雜訊程度。而且，這些元素在環境中僅處於輕負 載，因此，無破壞全球大氣之虞。 利用雷射光束L 1 0照射的第一記錄層3 1之表面平滑 度會隨著第一記錄層3 1和第二記錄層3 2的總厚度增加而 變差。結果，再生信號的雜訊程度變高及記錄靈敏度降低 。另一方面，在第一記錄層3 1和第二記錄層3 2的總厚度 太小的例子中，利用雷射光束L 1 0照射之前和之後間的反 射係數變化小，使得無法獲得具有高強度（C/N比）的再 生信號。而且，難以控制第一記錄層3 1和第二記錄層3 2 的總厚度。 因此，在此實施例中，第一記錄層3 1和第二記錄層 3 2被形成其總厚度自2 nm到3 0 nm。爲了獲得具有高高 強度（C/N比）的再生信號及更進一步減低再生信號的雜 訊程度，第一記錄層3 1和第二記錄層3 2的總厚度自3 n m至[J 2 4 n m較佳，5 n m到1 2 n m更好。 並不特別限制第一記錄層3 1和第二記錄層3 2的個別 -15- (12) 1260623 厚度，但是爲了大大提高記錄靈敏度和大大增加利用雷射 光束L 1 0照射之前和之後間的反射係數變化’第一記錄層 31的厚度自1 nm到30 nm而第二記錄層32的厚度自1 nm到30 nm較佳。而且，定義第一記錄層31厚度對第二 記錄層3 2厚度比（第一記錄層3 1厚度/第二記錄層3 2 ) 爲0.2到5 · 0較佳。 光傳輸層1 6用於傳輸雷射光束L 1 0和具有1 〇 /^ m到 300/^m的厚度較佳。光傳輸層16具有50//m到150//m 的厚度更好。 並不特別限制形成光傳輸層1 6的材料，但是在藉由 旋轉塗層處理等形成光傳輸層1 6的例子中，使用紫外線 可熟化樹脂、電子束可熟化樹脂等較佳。光傳輸層1 6由 紫外線可熟化樹脂形成更好。 可使用黏附劑將可傳輸光樹脂做成的薄片黏附到第一 介電層15表面形成光傳輸層.16。 具有上述配置之光學記錄媒體1 0可例如由下列方式 製造。 反射層1 2首先形成在形成有細溝1 1 a及陸地1 1 b的 基體表面上。 可藉由使用含形成反射層1 2的元素之化學物種，利 用汽相生長處理形成反射層1 2。汽相生長處理的示範例 子包括真空澱積處理、濺射處理等，。 然後，第二介電層13形成在反射層12表面上。 亦可使用含形成第二介電層13的元素之化學物種， -16- (13) 1260623 利用汽相生長處理形成第二介電層1 3。汽相生長處理的 示範例子包括真空澱積處理、濺射處理等。 另外，第二記錄層32形成在第二介電層13上。亦可 使用含形成第二記錄層3 2的元素之化學物種，利用汽相 生長處理形成第二記錄層3 2。 然後，第一記錄層31形成在第二記錄層32上。亦可 使用含形成第一記錄層3 1的元素之化學物種，利用汽相 生長處理形成第一記錄層3 1。 在此實施例中，因爲第一記錄層3 1和第二記錄層3 2 被形成其總厚度是自2 n m到3 0 n m，所以可以提高第一 記錄層3 1的表面平滑度。 然後’弟一介電層15形成在第一記錄層31上。亦可 使用含形成第一介電層1 5的元素之化學物種，利用汽相 生長處理形成第一介電層15。 最後，光傳輸層1 6形成在第一介電層1 5上。例如藉 由旋轉塗層將調整成適當黏度之丙烯酸紫外線可熟化樹脂 或環氧紫外線可熟化樹脂塗到第二介電層1 5表面上以形 成塗層’並且利用紫外線照射塗層以熟化塗層，可以形成 光傳輸層1 6。 如此可製造光學記錄媒體丨〇。 例如以下面方式將資料記錄在上述配置的光學記錄媒 體10中。 如圖1及2(a)所示，首先利用具有預定功率的雷射光 束L 1 0运過光傳輸層1 6照射第一記錄層3 1和第二記錄層 -17- (14) 1260623 32 ° 爲了高記錄密度地記錄資料，透過數値孔徑NA是 0.7或更多的物鏡（未圖示）投射波長λ 3 5 0 nm到4 5 0 nm 的雷射光束到光學記錄媒體1 〇上較佳’並且λ / N A ^ ό 4 0 nm更好 c 在此實施例中，透過數値孔徑ΝΑ是〇 . 8 5的物鏡投 射波長—λ 4 5 0 nm的雷射光束到光學記錄媒體I 〇上。 如圖2(b)所示，此結果是包含第一記錄層31的主要 成分元素和第二記錄層3 2的主要成分元素之混合的記錄 標Μ形成在利用雷射光束L 1 0照射的區域。 當第一記錄層31和第二記錄層32的主要成分元素混 合時，該區的反射係數大大改變。因爲如此形成記錄標Μ 的該區之反射係數因此相當不同於被記錄標Μ圍繞的區 域之反射係數，所以當再生光學記錄資訊時’可獲得高再 生信號（C/N比）。 . 當投射雷射光束L 1 0時，利用雷射光束L 1 0加熱第 一記錄層3 1和第二記錄層3 2。然而，在此實施例中，第 一介電層15和第二介電層13置放在第一記錄層31和第 二記錄層3 2的外面。因此，可有效防止基體1 1和光傳輸 層1 6被熱變形。 根據本實施例，第一記錄層31含有選自C，Si，Ge及 Sn中的一元素當作主要成分及第二記錄層含有選自Si， Ge及Sn但不同於含在第一記錄層當作主要成分的元素之 一元素當作主要成分，當透過光傳輸層16利用預定功率 -18- (15) 1260623 的雷射光束L 1 〇照射第一記錄層3 1和第二記錄層3 2 含在第一記錄層3 1當作主要成分的元素和含在第二 層32當作主要成分的元素如圖2(b)所示被混合在利 射光束L 1 0照射的區域中，藉以形成由含在第一記 31當作主要成分的元素和含在第二記錄層32當作主 分的元素組成的記錄標Μ，因爲如此形成記錄標Μ 區之反射係數因此相當不同於被記錄標Μ圍繞的區 反射係數，所以當再生光學記錄資訊時，可獲得高再 號（C/N比）。 而且，因爲c，Si, Ge及Sn每一種有關波長λ n m到4 5 0 n m之藍雷射光束的光吸收性等於或高於 4〇%，所以根據本實施例之光學記錄媒體1 〇的第一 層3 1和第二記錄層3 2高效率吸收用以記錄資料在下 型先學曰己錄媒體中的波長又350 nm到450 n m之雷 束，因此可以快速形成記錄標以記錄資料在其中。 而且，根據本實施例，因爲含在第一記錄層31 主要成分的元素和含在第二記錄層32當作主要成分 素在環境中僅處於輕負載，所以無破壞全球大氣之虞 操作實例 下文中’爲了更進一步闡明本發明的優點，將陳 個操作竇例。 操作實例1 以下列方式製造光學記錄媒體。 時， 記錄 用雷 錄層 要成 的該 域之 生信 350 大約 記錄 一代 射光 當作 的元 述幾 -19- (16) 1260623 首先，具有厚度1.1 mm和直徑120 mm的聚碳酸酯 基體被置放在濺射裝置上。然後，使用濺射處理，將含 Ag，pd及Cii混合物和具有厚度1〇〇 nm之反射層、含znS % Si〇2的混合物和具有厚度28 nm之第二介電層、含Zn 田作主要成分和具有厚度4 nm之第二記錄層、含Si當作 主文成分及具有厚度8 nm之第一記錄層、及含ZnS和
Sl〇2的混合物和具有厚度22 nm之第一介電層相繼形成 在聚碳酸酯基體上。 含在第一介電層和第二介電層之ZnS和Si02的混合 物中的ZnS對Si02之莫耳比是80:20。 而且，利用由溶解丙烯酸紫外線可熟化樹脂在溶劑中 所備製的樹脂溶液，使用旋轉塗層方法塗層第一介電層以 形成塗層，並且利用紫外線照射塗層，藉以熟化丙烯酸紫 外線可熟化樹脂以形成具有厚度1 00以m的光傳輸層。 操作實例2 除了形成含Si當作主要成分之第一記錄層及含當 作主要成分之第一記錄層之外，其他皆以操作實例丨的方 式製造光學記錄媒體。 操作實例3 除了形成含C當作主要成分之第二記錄層之外，其他 皆以操作實例1的方式製造光學記錄媒體。 •20- (17) 1260623 操作實例4 除了形成含C當作主要成分之第一記錄層及含Ge當 作主要成分之第二記錄層之外，其他皆以操作實例1的方 式製造光學記錄媒體。 操作實例5 除_了形成含S:T當作主要成分之第一記錄層及含C當 作主要成分之第二記錄層之外，其他皆以操作實例1的方 式製造光學記錄媒體。 操作實例6 除了形成含C當作主要成分之第一記錄層之外，其他 皆以操作實例1的方式製造光學記錄媒體。 操作實例7 除了形成含Sn當作主要成分之第一記錄層之外，其 他皆以操作實例1的方式製造光學記錄媒體。 操作實例8 除了形成含 Sn當作主要成分之第一記錄層及含 Ge 當作主要成分之第二記錄層之外，其他皆以類似操作實例 1的方式製造光學記錄媒體。 操作實例9 -21 - (18) 1260623 除了形成含Si當作主要成分之第一記錄層及含Sn當 作主要成分之第二記錄層之外，其他皆以類似操作實例1 的方式製造光學記錄媒體。 操作實例1 0 除了形成含Sn當作主要成分之第一記錄層及含Si當 作主要成分之第二記錄層之外，其他皆以類似操作實例1 的方式製造光學記錄媒體。 利用下列方式將資料記錄在以操作實例1到1 〇所製 造的光學記錄媒體中。 尤其是，根據作實例1到1 〇所製造的光學記錄媒體 相繼被置放在Pulstec商業公司所製造的DDU 1 000光學記 錄媒體評估裝置中，及以下列條件將資料光學記錄在其中 〇 利用波長405 nm的藍色雷射光束當作用以記錄資料 的雷射光束，及使用數値孔徑爲〇 . 8 5的物鏡，雷射光束 透過光傳輸層聚集在每一光學記錄媒體上，及資料被記錄 在其中。 藉由改變對各自操作實例1到1 0的每一光學記錄媒 體之雷射光束功率加以實施資料的記錄。雷射光束的功率 被定義成光傳輸層表面上的雷射光束功率。 記錄信號條件如下： 調變碼：（1.7) RLL 頻道位元長度：〇 · 1 2 // m -22- (19) 1260623 記錄線性速度：5 . 3 m / s e c 頻道時脈：66 MHz 記錄信號：2T信號及8T信號 然後，使用上述的光學記錄媒體評估裝置再生記錄在 每一光學記錄媒體中的資料，並且量測再生信號的C/N比 。當再生資料時，雷射光束的波長被設定成405 nm及物 徑的數~値孔徑被設定成0.85。 如此，爲每一光學記錄媒體量測所獲得得的具有最大 C/N比之再生信號中的最大C/N比和雷射光束功率。 量測結果圖示在表1。 用於本實驗之光學記錄評估裝置的雷射光束之最大功 率爲1 0.0 m W。因此，當即使雷射功率增加直到1 〇 · 〇 m W 而C/N比仍未飽和時，視作獲得具有最大C/N比的再生 信號處之雷射功率超過10.0 mW。此由指定雷射光束的功 率値爲附上星號的10.0 mW來表示。 (20) 1260623 表1 第一 記錄層 第二 記錄層 2T C/N (dB) 8T C/N (dB) 雷射光束 功率 (m W ) 操作實例1 Ge Si 24.0 46.6 1 0.0 * 操作實例2 Si Ge 3 1.8 41.3 8.0 操作實例3 Ge C 25.2 46.1 7.0 操作實例4 C G e 24.2 45.4 9.0 操作實例5 Si C 3 1.5 42.1 7.0 操作實例6 C Si 3 1.6 4 3.9 10.0* 操作實例7 G e Sn 29.0 4 1.4 8.5 操作實例8 S n Ge 2 1.0 50.6 10.0* 操作實例9 Si S n 34.4 49.6 6.0 操作實例1 0 Sn Si 32.6 42.1 5.0 自表1可發現在每一根據操作實例1到1 0所製造的 光學記錄媒體中可量測再生信號的c/Ν比，並且使用波長 4 0 5 nm的雷射光束可記錄資料在其中。 而且，在根據操作實例2到5，7，9及1 0所製造的每 一光學記錄媒體中，獲得具有最大C/N比的再生信號處之 雷射光束功率小於1 〇 mW，即顯示根據操作實例2到5， 7, 9及1 〇所製造的光學記錄媒體具有極佳記錄靈敏度。 雖然已參照特定實施例及操作實例如此圖示及說明本 發明。然而，應注意本發明並無意侷限於說明用配置的細 -24- (21) 1260623 節’而是在不違背附錄於後的申請專利範圍範圍之下，可 做各種改變及修正。 例如’雖然上述說明用實施例及操作實例中之第一記 錄層3 1及第二記錄層3 2被形成彼此接觸，但是並不是絕 對需要將第一記錄層31及第二記錄層32彼此接觸，而是 使第一記錄層3 2位在第一記錄層3 1附近，以便當該區以 雷射光束照射時，可以形成包括第一記錄層3 1的主要成 分元素和第二記錄層32的主要成分元素之混合區即可。 而且，諸如介電層等一或多個其他層可插入第一記錄層 3 1和第二記錄層3 2之間。 另外，雖然上述說明用實施例及操作實例中的光學記 錄媒體10包括第一記錄層31及第二記錄層32，但是光 學記錄媒體可包括一或多個含選自C, Si，Ge及Sn中的一 元素當作主要成分之記錄層。 而且’在上述明用實施例及操作實例中，雖然第一記 錄層3 1位在光傳輸層！ 6 一側上及第二記錄層3 2位在基 體1 1 一側上，但是可以將第一記錄層3 1置放在基體1 1 一側上而第一記錄層3 2置放在光傳輸層1 6 —側上。 而且，上述說明用實施例及操作實例中的光學記錄媒 體10包括第一介電層15及第二介電層13，並且第一記 錄層31及第二記錄層32位在第一介電層15和第二介電 層1 3之間。然而，光學記錄媒體1 0並不是絕對需要包括 第一介電層15及第二介電層13，即光學記錄媒體1〇可 不包括介電層。另外，光學記錄媒體10可包括單~介電 -25- (22) 1260623 層及在此種情況下，介電層可爲在有關第一記錄層3 1及 第二記錄層3 2的光傳輸層1 6 —側上或基體1丨一側上。 而且，在上述明用實施例及操作實例中，雖然第一記 錄層3 1及第二記錄層3 2被形成具有相同厚度，但是第一 記錄層3 1及第二記錄層3 2並不是絕對需要被形成具有相 同厚度。 而且，在上述設明用實施例及操作實例1到1 0中， 雖然光學記錄媒體1 〇設置有反射層〗2，但是若藉由混合 含在第一記錄層當作主要成分的元素和含在第二記錄層當 作主要成分的元素所形成的記錄標Μ之區域中的反射光 程度，及未投射雷射光束區域中之反射光程度彼此相當不 同，則可省略反射層1 2。 而且，在上述說明用實施例中，雖然所做的說明係相 關包括超薄光傳輸層並且適用於自光傳輸層一側以雷射光 束L 1 0照射之下一代型光學記錄媒體，但是本發明並不侷 限於應用在此種光學記錄媒體上，而是本發明可應用於任 何各種DVD型光學記錄媒體，只要光學記錄媒體被構製 成可使用波長3 5 0 nm到4 5 0 n m的雷射光束記錄資料在其 l|j 〇 根據本發明，可以設置一光學記錄媒體，被構製成藉 由投射波長3 5 0 n m到4 5 0 n m的雷射光到其上記錄資料在 其中或自此再生資料，該媒體包括兩或更多記錄層並且能 夠減少雜訊程度和增加再生信號的C/N比’及光學記錄資 料在該媒體中之方法。 -26- (23) 1260623 【圖式簡單說明】 圖】爲本發明的較佳實施例之光學記錄媒體結構的槪 要橫剖面圖。 圖2 (a)爲圖1的光學記錄媒體之槪要放大橫剖面圖 c 圖2 (b)爲資科已記錄其中之後的光學記錄媒體之槪 要放大橫剖面圖。 兀件對照表 I 〇 :光學記錄媒體 II :基體 1 1 a :細溝 1 1 b :陸地 1 2 :反射層 . 13 :第二介電層 15 :第一介電層 1 6 :光傳輸層 3 1 :第一記錄層 3 2 :第二記錄層 L 1 〇 :雷射光束 Μ :記錄標

Claims (1)

  1. (1) 1260623 拾、申請專利範圍 1· 一種光學記錄媒體，包含基體、形成在基體上並 且含有選自C，Si，Ge及Sn中的一元素當作主要成分之第 一記錄層、及位在第一記錄層附近並且含有選自c· si· Ge及Sn但不同於含在第一記錄層當作主要成分的元素之 一元素當作主要成分的第二記錄層。 2 ·如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中第 二記錄層被形成接觸第一記錄層。 3 .如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，另外包 含設置在與有關第一記錄層和第二記錄層之基體相對的一 側上之光傳輸層。 4 ·如申請專利範圍第2項之光學記錄媒體，另外包 含設置在與有關第一記錄層和第二記錄層之基體相對的一 側上之光傳輸層。 5 ·如申請專利範圍第3·項之光學記錄媒體，另外包 含設置在光傳輸層，與第一記錄層和第二記錄層之間的第 一介電層、及設置在第一記錄層和第二記錄層，與基體之 間的第二介電層。 6 ·如申請專利範圍第4項之光學記錄媒體，另外包 含設置在光傳輸層’與弟一記錄層和第二記錄層之間的第 一介電層、及設置在第一記錄層和第二記錄層，與基體之 間的第二介電層。 7.如申請專利範圍第5項之光學記錄媒體，另外包 含設置在基體與第二介電層之間的反射層。 •28- (2) 1260623 8 .如申請專利範圍第6項之光學記錄媒體，另外包 含設置在基體與第二介電層之間的反射層。 9. 如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該 媒體被構製成寫入一次型光學記錄媒體。 10. 如申請專利範圍第2項之光學記錄媒體，其中該 媒體被構製成寫入一次型光學記錄媒體。 1 ί.如申請專利範圍第3項之光學記錄媒體，其中該 媒體被構製成寫入一次型光學記錄媒體。 12. 如申請專利範圍第4項之光學記錄媒體，其中該 媒體被構製成寫入一次型光學記錄媒體。 13. 如申請專利範圍第5項之光學記錄媒體，其中該 媒體被構製成寫入一次型光學記錄媒體。 14. 如申請專利範圍第6項之光學記錄媒體，其中該 媒體被構製成寫入一次型光學記錄媒體。 15. 如申請專利範圍第7項之光學記錄媒體，其中該 媒體被構製成寫入一次型光學記錄媒體。 16. 如申請專利範圍第8項之光學記錄媒體，其中該 媒體被構製成寫入一次型光學記錄媒體。 17. —種光學記錄資料在光學記錄媒體中之方法，包 含投射波長3 5 0 nm到4 5 0 nm的雷射光束到包含基體、形 成在基體上並且含有選自C, Si, Ge及Sn中的一元素當作 主要成分之第一記錄層、及位在第一記錄層附近並且含有 選自C，Si, Ge及Sn但不同於含在第一記錄層當作主要成 分的元素之一元素當作主要成分的第二記錄層之光學記錄 -29- (3) 1260623 媒體上，藉以混合含在第一記錄層當作主要成分的元素和 含在第二記錄層當作主要成分的元素以形成記錄標之步驟 〇 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之光學記錄資料在光學 記錄媒體中的方法，包含使用數値孔徑N A和波長λ滿足 λ /N A g 64 0 nm之物鏡和雷射光束、及透過物鏡投射該雷 射光束到光學記錄媒體上，藉以記錄資料在第一記錄層和 第二記錄層之步驟。 19·如申請專利範圍第1 7項之光學記錄資料在光學 記錄媒體中的方法，其中光學記錄媒體另外包含設置在與 有關第一記錄層和第二記錄層之基體相對的一側上之光傳 輸層，及雷射光束被投射到光傳輸層上。 20·如申請專利範圍第1 8項之光學記錄資料在光學記 錄媒體中的方法，其中光學記錄媒體另外包含設置在與有 關第一記錄層和第二記錄層之基體的相對一側上之光傳輸 層，及雷射光束被投射到光傳輸層上。 -30-
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