TWI260622B - Optical recording medium and method for recording and reproducing data - Google Patents

Description

1260622 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於光記錄媒體及記錄和再生資料 尤指一種光記錄媒體，其被建構而使得藉由使雷 由一光透射層而投射於記錄層上，資料能夠被記 記錄層中，並且能夠自多個記錄層中再生資料， 資料能夠以所想要的方式而被記錄在距離光透射 記錄層中，並且能夠以所想要的方式而從最遠的 再生資料’以及以所想要的方式而記錄資料於且 自這樣的光記錄媒體中。 【先前技術】 光記錄媒體，例如 c D 5 D V D等等，已經被虜 做爲用來記錄數位資料的記錄媒體，這樣的光記錄 要改善記錄大量資料的能力，並且已經做成各種不 議以便增加其資料記錄容量。 這些提議的其中一個爲具有兩個記錄層的光 體’而且這樣的光記錄媒體已經被實際使用做爲僅 來讀取資料之光記錄媒體，例如 DVD-Video, 5 Rom。 僅適於用來讀取資料，並且設置有兩個記錄層 錄媒體係藉由層疊兩個基板來予以形成的，各基板 坑，其經由一中間層而構成記錄層於其表面上。 此外，具有兩個記錄層之光記錄媒體最近已經 方法， 光束經 於多個 其中， 最遠的 錄層中 生資料 泛使用 媒體需 同的提 記錄媒 適於用 DVD- 之光記 具有預 結合使 -5- (2) 1260622 用者能夠重寫資料於其中之光記錄媒體而被提出（見日本 專利申請公告第2001-243655號案）。 具有兩個記錄層之可重寫型光記錄媒體係藉由層疊記 錄層來予以構成的，各記錄層包含一記錄膜，係經由一中 間層而被夾在電介質層（保護層）之間。 在資料即將被記錄在具有兩個記錄層之可重寫型光記 錄媒體中的情況中，其中一記錄層之相位狀態的改變係藉 由調整其中一記錄層上之雷射光束的焦點，設定雷射光束 的功率爲記錄功率P w (其位準係足夠高於再生功率P r)， 以及投射雷射光束於記錄層上以形成一記錄記號於記錄層 之預定區域處來予以達成的。 因爲如此所形成之記錄記號的反射係數和沒有形成任 何記錄記號之空白區域的反射係數不同，有可能藉由調整 記錄層上之雷射光束的焦點，投射其功率被設定爲再生功 率Pr之雷射光束，及偵測由記錄層所反射之光的量來再 生記錄於其中一記錄層中的資料。 照這樣，在具有兩個記錄層之可重寫型光記錄媒體 中，因爲資料被記錄於其中一記錄層中，並且在記錄層中 所記錄之資料係藉由調整記錄層上之雷射光束的焦點，及 投射雷射光束於記錄層中來予以再生的，所以當資料即將 從光入射平面而被記錄在較遠的記錄層（在下文中被稱 爲”L1層”）中以及從L1層中再生資料時，雷射光束經由 較近的記錄層（在下文中被稱爲”L0層”）到光入射平面而被 投射於L1層上。 -6 - (3) 1260622 因此，在記錄資料於L 1層中且再生資料自L1層的 情況中，投射於L 1層上之雷射光束的量及由L I層所反 射並且被偵測到之雷射光束的量係受到L 0層所影響。因 此’在L0層中形成有記錄記號之區域的光透射比和L0 層中沒有形成記錄記號之空白區域的光透射比彼此係顯著 不同的情況中，當資料被記錄於L 1層中，並且在L1層 所記錄之資料係藉由調整L 1層上之雷射光束的焦點而且 以此雷射光束照射L1層來予以再生時，投射於L1層上 之雷射光束的量及由L 1層所反射並且被偵測到之雷射光 束的量將視雷射光束投射穿過之L 0層的區域是否即爲形 成有記錄記號之區域或空白區域而顯著地不同。結果，L 1 層之記錄特性和再生自L 1層之訊號的振幅將會視雷射光 束投射穿過之L0層的區域是否即爲形成有記錄記號之區 域或空白區域而顯著地改變。 特別是’當在L 1層中所記錄之資料被再生時，如果 雷射光束透射過之L 0層的區域包含一在形成有記錄記號 之區域與空白區域之間的邊界，因爲在雷射光束點處之反 射係數的分布不是均勻的，所以不能夠以所想要的方式來 再生在L 1層中所記錄的資料。 相同的問題也發生在具有二或多個記錄層之僅寫一次 型光記錄媒體中，及具有僅用來讀取資料之L 1層的光記 錄媒體中，並且已經想要解決這些問題。 【發明內容】 (4) 1260622 因此，本發明之目的在於提供一種光記錄媒體，其被 建構而使得藉由使雷射光束經由一光透射層而投射於記錄 層上，資料能夠被記錄於多個記錄層中，並且能夠自多個 記錄層中再生資料，且其中，資料能夠以所想要的方式而 被記錄在距離光透射層最遠的記錄層中，並且能夠以所想 要的方式而從距離光透射層最遠的記錄層中再生資料，以 及以所想要的方式而記錄資料於且再生資料自這樣的光記 錄媒體中。 本發明之發明人精力充沛地尋求用以達成上述目的之 硏究，結果發現在多個記錄層中，除了距離光透射層最遠 的記錄層以外，至少一記錄層被形成以便包含一第一記錄 膜，其含有一選自包含Si，Ge，Sn，Mg，In, Zn，Bi及A1 之群組中的元素做爲主成分，及一第二記錄膜，其含有一 選自包含Cu，Al，Zn，Ti及Ag之群組中的元素做爲主成 分的情況中，當資料被記錄於該至少一記錄層中時，在第 一記錄膜中所含有之做爲主成分的元素及在第二記錄膜中 所含有之做爲主成分的元素彼此藉由雷射光束而互相混 合，藉以形成一記錄記號，其反射係數和第一記錄膜及第 二記錄膜之其他區域的反射係數不同，並且資料能夠以高 靈敏度而被記錄在該至少一記錄層中。本發明之發明人進 一步發現，在形成有記錄記號之區域與空白區域之間，具 有3 5 0 nm gj 4 5 0 nm之波長的雷射光束之光透射比上的差 異等於或低於4 %，並且在藉由以具有3 5 0 nm到4 5 0 n m 之波長的雷射光束經由至少一記錄層來照射它而記錄資料 -8- (5) 1260622 於距離光透射層最遠的記錄層中，或者從距離光透射層最 遠的記錄層中再生資料的情況中，即使雷射光束透射過之 記錄層的區域含有一在形成有記錄記號之區域與空白區域 之間的邊界，以所想要的方式來記錄資料於距離光透射層 最遠的記錄層中，或者從距離光透射層最遠的記錄層中再 生資料係可能的。 因此，本發明之上述及其他目的能夠藉由一光記錄媒 體來予以達成，該光記錄媒體包含一基板、一光透射層、 及多個記錄層，在基板與光透射層之間，並且能夠藉由將 一雷射光束經由光透射層來投射於多個記錄層上而記錄資 料於多個記錄層中，及再生在多個記錄層中所記錄的資 料，在該多個記錄層中，除了距離光透射層最遠的記錄層 以外，至少一記錄層包含一第一記錄膜，其含有一選自包 含Si，Ge，Sn，Mg，In，Zn, Bi及A1之群組中的元素做爲 主成分，及一第二記錄膜’其位於第一記錄膜的附近’且 含有一選自包含Cu，Al，Zn，Ti及Ag之群組中的元素做 爲主成分。 在本發明中，第一記錄膜含有一定的元素做爲主成分 之陳述意謂著在第一記錄膜中所含有的元素之中’該元素 的含量係最大者，而第二記錄膜含有一定的元素做爲主成 分之陳述意謂著在第二記錄膜中所含有的元素之中’該元 素的含量係最大者。 在本發明中，並非絕對需要第二記錄膜和第一記錄膜 相接觸，並且第二記錄膜如此地位於第一記錄膜的附近係 -9 - (6) 1260622 足夠的’以致於當以雷射光束來照射一包含第一記錄膜之 主成分兀素及桌一記錄膜之主成分兀素的混合區域時，致 使此混合區域的形成。此外，一或多層其他的層（例如， 電介質層）可以被置於第一記錄膜與第二記錄膜之間。 在本發明中，較佳形成第二記錄膜以便和第一記錄膜 相接觸。 在本發明中，除了第一記錄膜及第二記錄膜之外，距 離光透射層最遠的層可以包含一或多記錄層，其含有一選 自包含Si，Ge，Sn，Mg，In，Zn，Bi及A1之群組中的元素 做爲主成分，或者一或多記錄層，其含有一選自包含Cu， Al，Zn，Ti及Ag之群組中的元素做爲主成分。 雖然爲什麼一包含第一記錄膜之主成分元素及第二記 錄膜之主成分元素的記錄記號區域能夠被形成於當以雷射 光束來予以照射時的原因並不完全淸楚，但是做成第一及 第二記錄膜之主成分元素被局部或全部融化或擴散，藉以 形成一混合有第一及第二記錄膜之主成分元素的區域之結 論係合理的。 照這樣，一和用來再生資料之雷射光束有關之藉由混 合包含在第一記錄膜中做爲主成分之元素及包含在第二記 錄膜做爲主成分之元素的區域之反射係數與在第一記錄膜 及第二記錄膜中之其他區域中的反射係數顯著地不同。因 此，有可能由利用在反射係數上如此大的差異來再生所記 錄之資料，藉以獲得到具有改善之C/N比的再生訊號。 此外，發明人發現到這些元素僅對環境產生小的影 -10- (7) 1260622 響’並且包含這些元素的記錄層具有優異的表面平整度。 在本發明中，第一記錄膜較佳含有S i做爲主成分。 在本發明中，第二記錄膜較佳含有Cii做爲主成分。 相較於習知的光記錄媒體，當含有Cu做爲主成分之 第二記錄膜係藉由真空沉積程序或濺鍍程序來予以形成 時’因爲其表面平整度變成非常良好，所以能夠特別改善 最初的記錄特性。因爲依據本發明之光記錄媒體的記錄膜 因此具有優異的表面平整度，所以當藉由具有縮減之光點 直徑的雷射光束來記錄資料時，有可能顯著地改善記錄特 性。況且，因爲Cu係相當便宜的，所以能夠使用來製造 先錄媒體之材料的成本達最小。 在本發明中，較佳將至少一選自包含Al，Zn，Sn5 Mg 及Αιι之群組中，並且和包含在第二記錄層中做爲主成分 之元素不同的元素添加到第二記錄膜。 在至少一選自包含Al，Zn，Sn及Αιι之群組中，並且 和包含在第二記錄層中做爲主成分之元素不同的元素照這 樣被添加到第二記錄膜的情況中，由於包含在第二記錄膜 中做爲主成分之Cu等等的腐蝕，例如藉由第二記錄膜等 等的剝落，以及在長的儲存期間在光記錄媒體之反射係數 上的改變，有可能顯著地改善第二記錄膜對抗氧化或硫化 的穩定性，並且有效地防止第二記錄膜的外觀變差。 本發明之上述及其他目的也能夠藉由一光記錄媒體來 予以達成，該光記錄媒體包含一基板、一光透射層、及多 個記錄層，在基板與光透射層之間，並且能夠藉由將一雷 -11 - (8) 1260622 射光束經由光透射層而投射於多個記錄層上來形成記錄記 號於多個記錄層中，藉以記錄資料於其中，及再生在多個 記錄層中所記錄的資料，在該多個記錄層中，除了距離光 透射層最遠的記錄層以外，至少一記錄層被組構而使得在 藉由雷射光束之照射所形成之記錄記號的區域與空白區域 間之光透射比上的差異係等於或低於4 %。 在本發明中，在該多個記錄層中，除了距離光透射層 最遠的記錄層以外，至少一記錄層較佳包含一反射膜，其 含有Ag做爲主成分，並且添加有c做爲添加劑。 必須形成具有高光透射比及高熱導率之材料的反射 膜，以便同時改善除了距離光透射層最遠的記錄層以外的 至少一記錄層（在下文中被稱爲”L0層”），及距離光透射層 最遠的記錄層以外的那些記錄層之記錄特性及再生特性， 並且A g爲具有如此特性之典型材料。但是，A g很容易腐 蝕，因此，當包含在L 0層中之反射膜係由a g來予以形 成時，光記錄媒體的儲存可靠度低。但是，在L0層包含 一含有A g做爲主成分並添加有C做爲添加劑的情況中， 有可能改善包含在L0層中之反射膜的光透射比及熱導 率，而同時防止反射膜被腐蝕，且因此有可能改善個別記 錄層之記錄特性及再生特性，並改善光記錄媒體的儲存可 靠度。 特別是，因爲在下一代型光記錄媒體中，雷射光束點 之每單位面積的功率高，而在此下一代型光記錄媒體中， 光透射層的厚度被設定爲3 〇以m到2 0 0 β m，並且資料係 -12- (9) 1260622 藉由會聚具有等於或短於4 5 0 nm之波長的雷射光束，使 用具有等於或大於〇 · 7之數値孔徑的目鏡而被記錄於其中 或者再生自其中，以便以高密度來記錄資料，所以下一代 型光記錄媒體需要具有高的熱輻射特性，而因此，在下一 代型光記錄媒體中，設置含有A g做爲主成分並添加有c 做爲添加劑之反射膜係特別有效的。 此外，在反射膜含有A g做爲主成分及便宜的C做爲 添加劑之情況中，有可能防止光記錄媒體的材料成本增 加。 在本發明中，包含在除了距離光透射層最遠的記錄層 以外的至少一記錄層中之反射膜含有 0.5 atomic%到5.0 atomic%的 C係較佳的。當添加至反射膜之 C的量超過 5.0 atomic%時，難以形成具有足夠高的光透射比及熱導 率之反射膜，而另一方面，當添加至反射膜之C的量係低 於0.5 atomic%時，光記錄媒體的儲存可靠度變低。 在本發明中’反射膜含有1 . 0 a t 〇 m i c %到4 · 0 a t 〇 m i c % 的C係較佳的，並且反射膜含有約2.5 a t o m i c %的C係特 別佳的。當添加至反射膜之 C的量係等於或低於 4 · 0 atomic%時，有可能形成具有光透射比接近由純 Ag所形 成之反射膜的光透射比之反射膜，而另一方面’當添加至 反射膜之C的量超過2.0 atomic %時’即使C的量增加， 在光記錄媒體的儲存可靠度上的改善係小的。當反射膜含 有約2.5 atomic%的C時，有可能形成具有實際上和由純 A g所形成之反射膜的光透射比相同之光透射比的反射 - 13- (10) 1260622 膜，而且獲得到具有高儲存可靠度的光記錄媒體。 在本發明中，光透射層具有3 0 β m到2 0 0 y m的厚度 係較佳的。 在本發明中，光記錄媒體較佳被建構以便藉由投射具 有3 5 0 n m到4 5 0 n m之波長的雷射光束於其上來記錄資料 於其中及自其中再生資料。 在本發明中，光記錄媒體較佳被建構以便藉由使用目 鏡及雷射光束（其數値孔徑NA和波長；I滿足；I /NAS 640 nm) ’並且經由目鏡而投射雷射光束於其上來記錄資料於 其中及自其中再生資料。 本發明之上面及其他目的也能夠藉由一用以記錄及再 生資料之方法來予以達成，此方法包含將雷射光束投射於 光記錄媒體上之步驟，而光記錄媒體包含一基板、一光透 射層、及多個記錄層，在基板與光透射層之間，並且能夠 藉由將一雷射光束經由光透射層而投射於多個記錄層上來 記錄資料於多個記錄層中，及再生在多個記錄層中所記錄 的資料，在該多個記錄層中，除了距離光透射層最遠的記 錄層以外，至少一記錄層包含一第一記錄膜，其含有一選 自包含Si，Ge，Sn，Mg，In，Zn, Bi及A1之群組中的元素 做爲主成分，及一第二記錄膜，其位於第一記錄膜的附 近，且含有一選自包含Cu，Al, Zn; Ti及Ag之群組中的 元素做爲主成分，藉以致使雷射光束通過光透射層，並記 錄資料於多個記錄層中或者自多個記錄層中再生資料。 在本發明的較佳樣態中，用以記錄及再生資料之方法 -14 - (11) 1260622 包含以具有3 5 0 n m到4 5 0 n m之波長的雷射光 錄媒體’錯以記錄資料於光記錄媒體中或者自 中再生資料之步驟。 在本發明的另一較佳樣態中，用以記錄及 方法包含使用一目鏡及雷射光束’其數値孔徑 A滿足λ /NA S 64 0 nm，並使雷射光束經由目 光記錄媒體上’藉以錄貪料於光錄媒體中 錄媒體中再生資料之步驟。 本發明之上面及其他目的將會從參照伴隨 成的說明而變得明顯。 【實施方式】 圖1係一示意剖面圖，顯示爲本發明之較 光記錄媒體之結構。 如圖1所示，依據此實施例之光記錄媒體 爲僅寫一次型光記錄媒體，並包含一碟形支携 一透明中間層1 2、一光透射層1 3、一形成於 12與光透射層13之間的L0層20、及一形成 1 1與透明中間層1 2之間的L 1層3 0。 L0層20及L1層30爲其中記錄有資料之 即，依據此實施例之光記錄媒體1 〇包含兩個言己 L0層20構成一接近光入射平面13a之記 係藉由從支撐基板1 1側層疊一反射膜2 ]、一 膜22、一 L0記錄層23及一第一電介質膜24 束照射光記 光記錄媒體 再生資料之 N A和波長 鏡而照射於 或者自光記 之圖形所做 佳實施例的 1 〇被建構 t基板1 1、 透明中間層 於支撐基板 記錄層，亦 ,錄層。 錄層，並且 第二電介質 來予以構成 -15- (12) l2e〇622 的。 另一方面，LI層30構成一遠離光入射平面]3a之記 錄層，並且係藉由層疊一反射膜3 ]、一第四電介質膜 3 2、一 L 1記錄層3 3及一第三電介質膜3 4來予以構成 的。 在資料即將被記錄於L 1層3 0中並且在L1層3 0中 所記錄之資料即將被再生的情況中，雷射光束L經過位於 接近光透射層13之L0層20而被投射於其上。 因此，L0層20必須具有高的光透射比。具體地說， L 〇層2 0相對於被用來記錄資料及再生資料之雷射光束L 眞有等於或高於3 0 %的光透射比，且較佳具有等於或高 於4 0 %的光透射比。 爲了以高密度來記錄資料，必須減小雷射光束L的直 徑，而因此，被用來記錄資料及再生資料之雷射光束L具 有等於或短於5 0 0 nm之波長，且較佳具有2 0 0 nm到4 5 0 nm之波長。 支撐基板1 1當作用來確保爲光記錄媒體1 〇所需之機 械強度的支撐物用。 並沒有特別限定被用來形成支撐基板1 1的材料，只 要支撐基板1 1能夠用作光記錄媒體1 〇的支撐物。支撐基 板1 1能夠由玻璃、陶瓷、樹脂等等所形成的，在這些材 料中’樹脂較佳被用來形成支撐基板1 1，這是因爲樹脂 能夠很容易被定形。適合用來形成支撐基板11之樹脂的 不例包含聚碳酸醋樹脂、丙燒酸樹脂、環氧樹脂、聚苯乙 -16- (13) 1260622 烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、矽酮樹脂、含氟聚合 物、丙烯腈丁二烯苯乙烯樹脂、尿烷樹脂等等，在這些樹 脂中，從容易處理、光學特性等等的觀點來看，聚碳酸酯 樹脂係最適合用來形成支撐基板]]，並且在此實施例 中，支撐基板 Π係由聚碳酸酯樹脂所形成的。在此實施 例中，因爲雷射光束L係經由位在相反於支撐基板1 1之 光入射平面1 3 a而被投射，所以支撐基板1 1不需要具有 光透射特性。 在此實施例中，支撐基板1 1具有約1 · 1 m m的厚度。 如圖1所示，凹槽（grooves)lla及平地（lands)llb交 替形成於支撐基板1 1的表面上，當資料即將被記錄時或 當資料即將被再生時，凹槽1 la及/或平地1 lb當作用於 雷射光束L之導軌用。 凹槽1 1 a的深度並未被特別限定，並且較佳被設定爲 1 0 nm到40 nm，凹槽1 1 a的間距並未被特別限定，並且 較佳被設定爲〇. 2 v m到0.4 // m。 透明中間層12的作用爲將L0層20與L1層30隔開 一物理及光學足夠的距離。 如圖1所示，凹槽1 2 a及平地1 2 b交替形成於透明中 間層1 2的表面上。當資料即將被記錄時或當資料即將被 再生時，在透明中間層1 2的表面上所形成之凹槽1 2 a及/ 或平地1 2b當作用於雷射光束l之導軌用。 凹槽1 2a的深度及凹槽1 2a的間距能夠被設定爲實際 上和在支撐基板1】的表面上所形成之凹槽Π a相同的深 -17- (14) l26〇622 度及間距。 形成透明中間層1 2以便具有5 β m到5 Ο V m之厚度 係較佳的，並且形成透明中間層1 2以便具有1 0 /i m到4〇 β m之厚度係更佳的。 用來形成透明中間層1 2之材料並未被特別限疋’並 且紫外線可硬化丙烯酸樹脂較佳被用來形成透明中間層 12。 當資料即將被記錄於L1層3 0中並且在L1層3 0中 所記錄之資料即將被再生時，因爲雷射光束L通過透明中 間層1 2，所以透明中間層1 2必須具有足夠高的光透射 比。 光透射層1 3的作用爲傳送雷射光束L，並且光入射 平面13a係藉由其表面的其中一者來予以構成的。 形成光透射層1 3以便具有3 0 # m到2 0 0 // m之厚度 係較佳的。 用來形成光透射層1 3之材料並未被特別限定，並且 類似於透明中間層1 2，紫外線可硬化丙烯酸樹脂較佳被 用來形成光透射層1 3。 當資料即將被記錄於L1層3 0中並且在L1層3 0中 所記錄之資料即將被再生時，因爲雷射光束L通過光透射 層1 3，所以光透射層1 3必須具有足夠高的光透射比。 圖2係圖I中所示之光記錄媒體的示意放大剖面圖。 如圖2所示，包含在L0層20中的L0記錄層23包 含一第一L0記錄膜23a及一第二L0記錄膜23b，第一 -18- (15) 1260622 L 0記錄膜2 3 a含有S i做爲主成分，而第二L 0記錄膜2 3 b 含有C u做爲主成分。 爲了降低再生訊號的雜訊位準和改善光記錄媒體10 的儲存可靠度，將選擇自包含A 1，Z η，S η，M g及A u之群 組中的一或多個元素添加於第二L 0記錄膜2 3 b係較佳 的。 同樣地，如圖2所示，包含在L 1層3 0中的L1記錄 層 33包含一‘第一 LI 錄膜 33a及一•弟—* L1記錄月旲 33b，第一 L0記錄膜23a含有Si做爲主成分，而第二L0 記錄膜23b含有Cu做爲主成分。 爲了降低再生訊號的雜訊位準和改善光記錄媒體1〇 的儲存可靠度，將選擇自包含A1，Zn，Sn，Mg及Αιι之群 組中的一或多個元素添加於第二 L 1記錄膜3 3 b係較佳 的。 圖3係一示意放大剖面圖，顯示在以雷射光束L來照 射L 0記錄層2 3之後，圖1中所示的光記錄媒體。 如圖3所示，當以雷射光束L經由光入射平面1 3 a來 照射光記錄媒體】〇的L 0記錄層2 3時，在第二記錄膜 23b中所含之做爲主成分的Cu和在第一記錄膜23a中所 含之做爲主成分的S i很快被熔化及擴散，並且一混合有 Cu和Si之區域Μ被形成，藉以形成一記錄記號M。 如圖3所不，當在第一 L 0記錄膜2 3 a中所含之做爲 主成分的Si和在第二L0記錄膜23b中所含之做爲主成分 的C u被混合而形成一記錄記號Μ時，已經形成有記錄記 -19- (16) 1260622 號之區域的反射係數顯著地改變。因此，因爲形成有記錄 記號之區域的反射係數和包圍形成有記錄記號Μ之區域 的區域之反射係數顯著地不同，所以有可能藉由再生被記 錄在L 0記錄層2 3中之資料而獲得到高的再生訊號（C /Ν 比）。 同樣地，當在第一 L ]記錄膜3 3 a中所含之做爲主成 分的S i和在第二L 1記錄膜3 3 b中所含之做爲主成分的 Cii被混合而形成一記錄記號Μ時，已經形成有記錄記號 之區域的反射係數顯著地改變。因此，因爲形成有記錄記 號之區域的反射係數和包圍形成有記錄記號Μ之區域的 區域之反射係數顯著地不同，所以有可能藉由再生被記錄 在 L1記錄層33中之資料而獲得到高的再生訊號（C/N 比）。 因爲當資料被記錄於包含在L 1層3 0中的L 1記錄層 33中時，並且當資料係再生自包含在L1層30中的L1記 錄層33中時，雷射光束L通過L0記錄層23，所以如果 在L0記錄層23之形成有記錄記號Μ的區域與L0記錄層 2 3之沒有形成記錄記號Μ的空白區域間之光透射比上的 差異很顯著，則當資料被記錄於包含在L 1層3 0中的L 1 記錄層3 3中時，投射於L 1記錄層3 3上之雷射光束L的 量根據雷射光束L通過之L0記錄層23的區域是否爲形 成有記錄記號之區域或空白區域而大大地改變，且當資料 係再生自包含在L1層30中的L1記錄層33中時，反射 自L1記錄層33、透射過L0層20並且被偵測到之雷射光 -20- (17) 1260622 束L的量根據雷射光束L通過之L0記錄層23的區域是 否爲形成有記錄記號之區域或空白區域而大大地改變。結 果，L 1記錄層3 3的記錄特性及再生自L 1記錄層3 3之訊 號的振幅根據雷射光束L通過之L 0記錄層2 3的區域是 否爲形成有記錄記號之區域或空白區域而大大地改變。 特別是，當記錄於L 1記錄層3 3中之資料被再生時， 如果雷射光束L通過之L 0記錄層2 3的區域包含形成有 記錄記號Μ的區域與空白區域之間的邊界，因爲反射係 數的分布在雷射光束L的光點處不是均勻的，所以記錄於 L 1記錄層3 3中之資料不能夠以所想要的方式被再生。 在由本發明之發明人所完成的硏讀中，發現到爲了記 錄資料於L1記錄層3 3中以及自L1記錄層3 3中再生資 料，必須使L 0記錄層2 3之形成有記錄記號Μ的區域與 L0記錄層23的空白區域間之光透射比上的差異係等於或 低於4 %，並且差異較佳係等於或低於2 %。 本發明之發明人進一步發現到，在記錄記號Μ(係藉 由混合S i及C 來予以形成的）的區域與L 0記錄層2 3 (係 藉由層疊含有Si做爲主成分的第一記錄膜23a及含有Cu 做爲主成分的第二記錄膜2 3 b來予以形成的）的空白區域 之間，具有3 5 0 nm到4 5 0 nm之波長的雷射光束之光透射 比上的差異係等於或低於4 %，並且在L0記錄層2 3之形 成有記錄記號Μ的區域與L 0記錄層2 3的空白區域之 間’具有約4 05 nm之波長的雷射光束之光透射比上的差 異係等於或低於1 %。 -21 - (18) 1260622 在此實施例中，L0記錄層23之第一 l〇記錄膜23a 含有Si做爲主成分’並且[ο記錄層23之第二l〇記錄膜 2 3 b含有C υ做爲主成分，使得當雷射光束經由光入射平 面1 3 a來投射於其上時，第一 [〇記錄膜2 3 a中所含有之 做爲主成分的Si和第二l〇記錄膜23b中所含有之做爲主 成分的Cu互相混合，藉以形成一記錄記號M。因此，藉 由使雷射光束經由L0層20而投射於L1記錄層33上， 有可能以所想要的方式來記錄資料於L 1記錄層3 3中及自 L 1記錄層3 3中再生資料。 當資料即將被記錄於包含在L 1層3 0中之L 1記錄層 3 3中，並且記錄在L1層3 0之L1記錄層3 3中的資料即 將被再生時，因爲雷射光束L通過L0記錄層23，所以 L0記錄層23必須具有高的光透射比，且因此形成L0記 錄層2 3以便比L 1記錄層3 3還薄係較佳的。 具體地說，較佳形成L 1記錄層3 3以便具有2 nm到 4 0 n m的厚度，及形成L 0記錄層2 3以便具有2 n m到1 5 nm的厚度。 在L 0記錄層2 3及L 1記錄層3 3的厚度係薄於2 n m 的情況中，在以雷射光束L照射之前與之後間反射係數上 的改變小，使得具有高強度（C /N比）的再生訊號不能夠被 獲得到。 另一方面，當L0記錄層23的厚度超過15 nm時’ L 0層2 0的透射比被降低，並且會使L 1記錄層3 3的記錄 特性及再生特性變差。 -22- (19) 1260622 此外，當L 1記錄層3 3的厚度超過4 0 n m時，會使 L 1記錄層3 3的記錄靈敏度變差。 此外，爲了增加以雷射光束L照射之前與之後間反射 係數上的改變，較佳界定包含在L 0記錄層2 3中之第一 L0記錄膜23a的厚度對第二L0記錄膜23b的厚度（第一 L0記錄膜23a的厚度/第二L0記錄膜23b的厚度）的比 値，以及包含在L 1記錄層3 3中之第一 L 1記錄膜3 3 a的 厚度對第二L 1記錄膜3 3 b的厚度（第一 L 1記錄膜3 3 a的 厚度/第二L 1記錄膜3 3 b的厚度）的比値爲從0.2到5.0。 第一電介質膜24及第二電介質膜22當作用來保護 L0記錄層23之保護層用，且第三電介質膜34及第四電 介質膜3 2當作用來保護L 1記錄層3 3之保護層用。 第一電介質膜24、第二電介質膜22、第三電介質膜 3 4及第四電介質膜3 2各自的厚度並未被特別地限制，且 其較佳具有1 0 n m到2 0 0 n m的厚度。在第一電介質膜 24、第二電介質膜22、第三電介質膜34及第四電介質膜 32各自的厚度係薄於1 0 nm的情況中，第一電介質膜 24、第二電介質膜22、第三電介質膜34及第四電介質膜 32各自並不足以當作保護層用。另一方面，在第一電介 質膜24、第二電介質膜22、第三電介質膜34及第四電介 質膜3 2各自的厚度超過2 0 0 n m的情況中，需要長的時間 來形成它，藉以降低光記錄媒體1 〇的生產率，並且由於 內應力而會有使L 0記錄層2 3及L1記錄層3 3破裂的危 險。 -23- (20) 1260622 第一電介質膜24、第二電介質膜2 2、第三電介質膜 3 4及第四電介質膜3 2可以具有一單層結構，或者可以具 有一包含多個電介質膜的多層結構。舉例來說，如果第一 電介質膜2 4係藉由由具有不同折射率之材料所組成的兩 個電介質膜來予以建構的，則能夠增加光千涉效果。 用來形成第一電介質膜24、第二電介質膜22、第三 電介質膜3 4及第四電介質膜3 2的材料並未被特別地限 制，但是較佳由Al，Si，Ce，Zn, Ta，Ti等等的氧化物、硫 化物、氮化物，例如 A ] 2 Ο 3，A1N , S i Ο 2，S i 3 N 4，C e Ο 2，Z n S， TaO等等，及其組合來形成第一電介質膜24、第二電介 質膜22、第三電介質膜34及第四電介質膜32，並且他們 更佳含有ZnS · Si02做爲主成分，ZnS · Si02意謂著ZnS 與Si02的混合物。 L0層20中所包含之反射膜21用來反射進入光入射 平面1 3 a的雷射光束L，以便使其自光入射平面1 3 a發 射’並且藉由以雷射光束L照射而有效地輻射在L0記錄 層23中所產生的熱。 當資料即將被記錄在L1層3 0的L1記錄層3 3中， 並且記錄在L 1層3 0之L1記錄層3 3中的資料即將被再 生時，進入光入射平面13a的雷射光束L經由L0層20中 所包含之反射膜21而撞擊在L1層30的L1記錄層上。 因此’必須由具有高光透射比及高熱導率之材料來形成反 射膜2 1。此外，必須由具有長期儲存可靠度之材料來形 成反射膜2 1。 -24 - (21) !26〇622 因此，在此實施例中，L 0層2 0中所包含之反射膜2 1 係由含有Ag做爲主成分及C做爲添加劑之材料來予以形 成的。

在L 0層2 0中所包含之反射膜2 1係甶含有A g做爲 主成分及C做爲添加劑之材料來予以形成的情況中，有可 能顯著地改善反射膜2 1的長期儲存可靠度，而不會使A g 之固有的高光透射比及高熱導率變差。此外’材料成本不 會因添加C於反射膜2 1中而增加。 因此，如果在L 0層2 0中所包含之反射膜2 1係由含 有A g做爲主成分及C做爲添加劑之材料來予以形成的， 則具有高光透射比及高熱導率之反射膜能夠被形成，並且 光記錄媒體1 0的儲存可靠度能夠被改善。

在由本發明之發明人所實施的硏究中5發現到在LO 餍2 0中所包含之反射膜2 1的光透射比及熱導率隨著被添 加到反射膜2 1中之C的量的增加而傾向減小，並且進一 步發現到，當被添加到反射膜2 1中之C的量係等於或小 於預定値時，光記錄媒體1 〇的儲存可靠度會隨著被添加 到反射膜2 1中之C的量的增加而被改善，並且當被添加 到反射膜2 1中之C的量超過預定値時，即使被添加到反 射膜2 1中之C的量增加，在光記錄媒體1 〇之儲存可靠度 方面的改善也不顯著。 更明確地說，當被添加到反射膜2 1中之C的量超過 5.0 atomic%時，難以形成反射膜21而具有足夠高的光透 射比及熱導率，且另一方面，當被添加到反射膜21中之 -25- (22) 1260622 C的量係低於0.2 atomic%時，光記錄媒體1 〇的儲存可靠 度變低。因此，反射膜 21含有 0.5 atomic%到 5.0 a t 〇 m i c %係較佳的。 此外，當被添加到反射膜2〗中之C的量係等於或小 於4.0 a t 〇 m i c %時，較佳形成反射膜2 1而具有接近由純 A g所形成之反射膜2 1之光透射比的光透射比’且另一方 面，當被添加到反射膜21中之C的量超過2.0 atomic% 時，即使C的量增加，在光記錄媒體1 〇之儲存可靠度方 面的改善小。此外，當反射膜21含有約2.5 atomic%的C 時，有可能形成實際上具有和由純A g所形成之反射膜2 1 之光透射比相同的光透射比之反射膜2 1，並且獲得到具 有高儲存可靠度的光記錄媒體1 〇。因此，反射膜2 1含有 1 . 0 a t 〇 m i C %到4.0 a t 〇 m i c %係更佳的，而且反射膜2 1含 有約2.5 atomic%的C係特別佳的。 因爲在L0層20中所包含之反射膜21的光透射比及 熱導率視被添加到反射膜2 1中之C的量而改變，所以反 射膜2 1的厚度係根據被添加到反射膜2 1中之C的量來予 以決定的，但是，反射膜 2 1的厚度通常較佳薄於 2 0 nm，且更佳爲5 nm到1 5 nm。 L 1層3 0中所包含之反射膜3 1用來反射進入經過光 入射平面〗3a的雷射光束L，以便使其自光入射平面13a 發射，並且藉由以雷射光束L照射而有效地輻射在L 1記 錄層3 3中所產生的熱。 L 1層3 0中所包含之反射膜3 ]較佳被形成，以便具 ^26- (23) 1260622 有2 0 n m到2 0 0 n m的厚度。當L 1層3 0中所包含之反射 膜3 1係薄於2 0 n m時，其並不能夠很輕易地輻射在l 1記 錄層3 3中所產生的熱。另一方面，當反射膜3 1係厚於 2 0 0 n m時，因爲形成反射膜3 1需要長的時間，所以光記 錄媒體】〇的生產率降低，並且由於內應力而會有使反射 膜3 1破裂的危險。 用來形成L 1層3 0中所包含之反射膜3 1的材料並未 被特別地限制’反射膜3 1可以是由和用來形成反射膜2 1 之材料相同的材料來予以形成的，但是，不像形成在L 〇 層2 0中所包含之反射膜2 1的情況，當選擇用來形成l 1 層3 0中所包含之反射膜3 1的材料時，不需要考慮此材料 的光透射比。 具有上述組態之光記錄媒體1 0，舉例來說，可以用 下面的方式來予以製造。 圖4到圖7顯示依據此實施例之光記錄媒體1 〇的製 造步驟。 如圖4所示，在其表面上具有凹槽lla及平地llb之 支撐基板I 1首先藉由噴射模製程序，使用沖模具4 0來予 以製造。 然後，如圖5所示，反射膜3 1、第四電介質膜3 2、 包含第二L1記錄膜33b及第一 L1記錄膜33a之L1記錄 層3 3、和第三電介質膜3 4藉由氣相生長程序（例如，濺 鍍程序）而實際上依序被形成在支撐基板1 1 (其上形成有凹 槽]1 a及平地Π b)的整個表面上，藉以形成L 1層3 0。 -27- (24) 1260622 此外，如圖6所示，紫外線可硬化樹脂藉由旋塗法而 被塗敷於L 1層3 0上以形成一塗敷膜，並且以紫外線經由 沖模具4丨來照射此塗敷膜的表面，而同時此表面被沖模 具4 1所覆蓋，藉以形成透明中間層1 2，而其表面上形成 有凹槽1 2 a及平地1 2 b。 然後，如圖7所不，反射膜2 1、第二電介質膜2 2、 包含第一 L0記錄膜23b及第一 L0記錄膜23a之L0記錄 層2 3、和第一電介質膜2 4藉由氣相生長程序（例如，濺 鍍程序）而實際上依序被形成在透明中間層1 2 (其上形成有 凹槽12a及平地12b)的整個表面上，藉以形成層20。 紫外線可硬化樹脂藉由旋塗法而進一步被塗敷於L 〇 層2 〇上以形成一塗敷膜，並且以紫外線來照射此塗敷膜 的表面，藉以形成光透射層1 3。 這完成了光記錄媒體1 0的製造。 當資料即將被記錄於如此所建構之光記錄媒體1 〇中 時’以雷射光束 L來照射光透射層1 3的光入射平面 I 3 a，而此雷射光束L的強度被調變，並且雷射光束L的 焦點被調整於包含在L 0層2 0中之L 0記錄層2 3上或包 含在L1層30中之L1記錄層33上。 具有3 5 0 n m到4 5 0 n m之波長的雷射光束L較佳被用 來記錄資料於光記錄媒體1 0中及自光記錄媒體1 0中再生 資料，並且在此實施例中，具有約405 nm之波長的雷射 光束係藉由具有0.8 5之數値孔徑的目鏡，經由光透射層 ]3而被會聚於l 0記錄層2 3或L 1記錄層3 3上。 -28- (25) 1260622 結果’包含在L 0記錄層2 3之第一 L 0記錄膜2 3 a中 做爲主成分的S !和包含在第二L 0記錄膜2 3 b中做爲主成 分的Cii互相被混合於一以雷射光束l所照射的區域處， 並且，如圖3所示，一記錄記號μ被形成，或者，包含 在L 1 §5錄層3 3之第一 L〗記錄膜3 3 a中做爲主成分的s i 和包含在第二L 1記錄膜3 3 b中做爲主成分的c 11互相被 混合於一以雷射光束L所照射的區域處，並且，如圖3所 示，一記錄記號Μ被形成。 如此，記錄記號Μ被形成於L 0層2 0之L 0記錄層 2 3中或L 1層3 0之L 1記錄層3 3中，並且資料被記錄於 其中。 在此實施例中，在藉由混合S i和C u所形成之記錄記 號Μ的區域與藉由層疊含有S i做爲主成分的第一記錄膜 23a及含有Cii做爲主成分的第二記錄膜23b所形成之L0 記錄層23的空白區域之間，具有3 5 0 nm到4 5 0 nm之波 長的雷射光束L在光透射比上的差異係等於或小於4 %， 並且，在L0記錄層23之形成有記錄記號Μ的區域與L0 記錄層2 3的空白區域之間，具有約4 0 5 nm之波長的雷射 光束在光透射比上的差異係等於或小於1 %。因此，甚至 當雷射光束L經由L 0層2 0而被投射在L1記錄層3 3上 時，有可能以所想要的方式來記錄資料於L 1記錄層33 中 。 另一方面，當記錄於光記錄媒體1 0中之資料即將被 再生時，以雷射光束L來照射光透射層1 3的光入射平面 -29- (26) 1260622 〗3 a，而此雷射光束L的強度被調變，並且雷射光束L的 焦點被調整於包含在L0層20中之L0記錄層23上或包 含在L1層30中之L]記錄層33上。 因爲藉由混合包含在L 0記錄層2 3之第一 L 0記錄膜 23a中做爲主成分的Si和包含在第二L0記錄膜23b中做 爲主成分的Cii所形成之記錄記號Μ區域的反射係數，或 者藉由混合包含在L 1記錄層3 3之第一 L 1記錄膜3 3 a中 做爲主成分的Si和包含在第二L1記錄膜33b中做爲主成 分的Cu所形成之記錄記號Μ區域的反射係數與包圍形成 有記錄記號Μ區域之區域的反射係數有很大的差異，所 以有可能藉由偵測由L0記錄層23或L1記錄層33所反 射之雷射光束L的量來取得高的再生訊號（C/N比）。 依據此實施例，當以雷射光束L經由光入射平面1 3 a 來照射光記錄媒體1 〇的L0記錄層23時，包含在第二L0 記錄膜23b中做爲主成分的Cu和包含在第一 L0記錄膜 2 3 a中做爲主成分的S i很快速地被熔化及擴散，並且一混 合有Cii和S i之區域Μ被形成，藉以形成一記錄記號 Μ。另一方面，當以雷射光束L經由光入射平面1 3 a來照 射光記錄媒體1 〇的L1記錄層3 3時，包含在第二L 1記 錄膜33b中做爲主成分的Cu和包含在第一 L1記錄膜33a 中做爲主成分的S i很快速地被熔化及擴散，並且一混合 有C υ和S i之區域Μ被形成，藉以形成一記錄記號Μ。 因爲記錄記號Μ照這樣而被形成之區域的反射係數和L0 記錄層2 3或L 1記錄層3 3之區域的反射係數有很大的差 -30- 1260622 (27) 異，所以有可能藉由再生被記錄於L 0記錄層2 3或L 1記 錄層3 3中之資料而取得高的再生訊號（C/N比）° 此外，依據此實施例，因爲在藉由混合Si和Cu所形 成之記錄記號Μ的區域與藉由層疊含有S i做爲主成分的 第一記錄膜23a及含有Cu做爲主成分的第二記錄膜23b 所形成之L0記錄層23的空白區域之間，具有3 5 0 nm到 4 5 0 nm之波長的雷射光束L在光透射比上的差異係等於 或小於4 %，並且，在L0記錄層23之形成有記錄記號Μ 的區域與L0記錄層23的空白區域之間，具有約405 nm 之波長的雷射光束在光透射比上的差異係等於或小於1 %，所以有可能藉由使雷射光束L經由L0層20而投射於 L1記錄層3 3上來記錄資料於L1記錄層3 3中，並且自 L 1記錄層3 3中再生資料。 除此之外，依據此實施例，因爲在L0層2 0中所包含 之反射膜2 1係由係由含有Ag做爲主成分及C做爲添加 劑之材料來予以形成的，所以有可能改善在L 0層2 0中所 包含之反射膜2 1的光透射比及熱導率，而同時防止反射 膜2 1被腐蝕，且因此有可能改善L0層2 0的記錄特性及 再生特性，並改善光記錄媒體1 0的儲存可靠度。 工作例 在下文中，將提出工作例，以便進一步使本發明的優 點淸楚。 (28) 1260622 工作例1 依照下面的方式來製造光記錄媒體樣品# 1。 具有1 · 1 m m之厚度及1 2 0 m m之直徑，並且在其表 面上形成有凹槽及平地的碟形聚碳酸酯基板首先藉由噴射 模製程序來予以製造，使得軌距（凹槽間距）等於0.32// m 。 然後，聚碳酸酯基板被置於濺鍍裝置上，並且使用濺 鍍程序，一由Ag，Pd及Cu之合金所構成且具有100 n m 之厚度的反射膜、一含有ZnS與Si 02之混合物且具有40 nm之厚度的第四電介質膜、一含有Cu做爲主成分且具有 3 nm之厚度的第二L1記錄膜、一含有Si做爲主成分且 具有3 nm之厚度的第一 L1記錄膜、及一含有ZnS與 Si 02之混合物且具有22 nm之厚度的第三電介質膜依序 被形成於聚碳酸酯基板（其上形成有凹槽及平地）的表面 上，藉以形成一 L 1層於聚碳酸酯基板的表面上。 在第三電介質層及第四電介質層中所含之 ZnS與 Si02混合物中之ZnS與Si〇2的莫耳O〇le)比爲80: 20。 此外，在其表面上形成有L 1層之聚碳酸酯基板被置 於旋塗裝置上，並且第三電介質膜被塗敷以一樹脂溶液以 形成一塗敷層，而此樹脂溶液係藉由使丙烯酸可紫外線硬 化樹脂溶解於一溶劑中來予以製備的，且同時聚碳酸酯基 板正被轉動著。然後，一形成有凹槽及平地之沖模具被置 於塗敷層的表面上，並且經由此沖模具，以紫外線來照射 塗敷層的表面，藉以使丙烯酸可紫外線硬化樹脂硬化。藉 -32> (29) 1260622 由去除沖模具以形成一具有2 0 v m之厚度，且在其表面 上形成有凹槽及平地的透明中間層，使得軌距（凹槽間距） 等於 0 · 3 2 m。 然後，在其表面上形成有L 1層及透明中間層之聚碳 酸酯基板被置於濺鍍裝置上，並且使用濺鍍程序，一由 A g，P d及C u之合金所構成且具有8 η m之厚度的反射 膜、一含有ZnS與Si02之混合物且具有28 nm之厚度的 第二電介質膜、一含有Cii做爲主成分且具有3 nm之厚 度的第二L0記錄膜、一含有Si做爲主成分且具有3 nm 之厚度的第一 L0記錄膜、及一含有ZnS與Si 02之混合物 且具有2 2 n m之厚度的第一電介質膜依序被形成於形成在 L1層上之透明中間層的表面上，藉以形成一 L0層於聚碳 酸酯基板的表面上。 在第一電介質層及第二電介質層中所含之 ZnS與 Si02混合物中之ZnS與Si02的莫耳比爲8 0 : 2 0。 此外，第一電介質膜係使用旋塗法而以一樹脂溶液來 予以塗敷以形成一塗敷層，而此樹脂溶液係藉由使丙烯酸 可紫外線硬化樹脂溶解於一溶劑中來予以製備的，並且以 紫外線來照射塗敷層，藉以使丙儲酸可紫外線硬化樹脂硬 化，以形成具有8 0 μ m之厚度的保護層。因此，光記錄 媒體樣品# I被製造。 除了 一含有Cu做爲主成/分，添加以23 atomic%之A1 及13 atomic%之Au且具有5 nm之厚度的第二L0記錄 膜，及一含有CII做爲主成分，添加以23 atomic%之A1 (30) 1260622 及1 3 a t o m i c %之A u且具有5 11 m之厚度的第二L 1記錄膜 以外，依照光記錄媒體樣品# 1之方式來製造光記錄媒體 樣品#2。 此外，依照下面的方式來製造光記錄媒體樣品# 3。 具有1 · 1 m m之厚度及1 2 0 m m之直徑，並且在其表 面上形成有凹槽及平地的碟形聚碳酸酯基板首先藉由噴射 模製程序來予以製造，使得軌距（凹槽間距）等於0.32// m ° 然後，聚碳酸酯基板被置於濺鑛裝置上，並且使用濺 鍍程序，一由Ag，Pd及Cu之合金所構成且具有1〇〇 nm 之厚度的反射膜、一含有ZnS與Si02之混合物且具有38 nm之厚度的第四電介質膜、一含有Cu做爲主成分，添加 以21 atomic%之Mg且具有5 nm之厚度的第二L1記錄 膜、一含有Si做爲主成分且具有5 nm之厚度的第一 L1 記錄膜、及一含有ZnS且具有21 nm之厚度的第三電介 質膜依序被形成於聚碳酸酯基板（其上形成有凹槽及平地） 的表面上，藉以形成一 L 1層於聚碳酸酯基板的表面上。 在第四電介質層中所含之ZnS與Si02混合物中之 ZnS與Si02的莫耳比爲8 0 : 2 0。 此外，在其表面上形成有L 1層之聚碳酸酯基板被置 於旋塗裝置上，並且第三電介質膜被塗敷以一樹脂溶液以 形成一塗敷層，而此樹脂溶液係藉由使丙烯酸可紫外線硬 化樹脂溶解於一溶劑中來予以製備的，且同時聚碳酸酯基 板正被轉動著。然後，一形成有凹槽及平地之沖模具被置 -34- (31) 1260622 於塗敷層的袠面上，並且經由此沖模具，以紫外線來照射 塗敷層的表面，藉以使丙烯酸可紫外線硬化樹脂硬化。藉 由去除沖模具以形成一具有2 0 " m之厚度，且在其表面 上形成有凹槽及平地的透明中間層，使得軌距（凹槽間距） 等於 0.3 2 m。 然後’在其表面上形成有L丨層及透明中間層之聚碳 酸醋基板被置於濺鍍裝置上，並且使用濺鍍程序，一由 A g，P d及C u之合金所構成且具有8 n m之厚度的反射 膜、一含有ZnS與Si 02之混合物且具有32 nm之厚度的 桌一電介負膜、一含有 Cu做爲主成分，添加以 21 3 1〇1以(：°/()之^^且具有511111之厚度的第二1^〇記錄膜、一 含有Si做爲主成分且具有5 nm之厚度的第一 L0記錄 膜、及一含有ZnS且具有32 nm之厚度的第一電介質膜 依序被形成於形成在L 1層上之透明中間層的表面上，藉 以形成一 L0層於聚碳酸酯基板的表面上。 在第二電介質層中所含之 ZnS與 Si〇2混合物中之 ZnS與Si02的莫耳比爲80 ·· 20。 此外’第一電介質膜係使用旋塗法而以一樹脂溶液來 予以塗敷以形成一塗敷層，而此樹脂溶液係藉由使丙烯酸 可紫外線硬化樹脂溶解於一溶劑中來予以製備的，並且以 紫外線來照射塗敷層，藉以使丙烯酸可紫外線硬化樹脂硬 化，以形成具有 8 0 // m之厚度的保護層。因此，光記錄 媒體樣品# 3被製造。 以具有4 0 5 nm之波長的雷射光束經由未記錄之L0層 >35- (32) 1260622 來照射如此所製造之光記錄媒體樣品# 1到# 3各自的L 1 層，並且由L 1層所反射之雷射光束的量被偵測，以測量 光記錄媒體樣品到# 3各自之L 1層的反射係數R 1。 雷射光束使用具有0.8 5之數値孔徑的目鏡而被投射 在光記錄媒體樣品# 1到# 3的每一個上。 然後，包含2T到8T之隨機訊號依據（1，7)調變模式 而被記錄於光記錄媒體樣品# 1到# 3各自的L 0層中，以形 成記錄記號於其第一 L0記錄膜及第二L0記錄膜中。 具有4 0 5 n m之波長的雷射光束使用具有〇 . 8 5之數値 孔徑的目鏡，經由L 0層而被會聚於光記錄媒體樣品# 1到 # 3各自的L 1層上，在L 0層中，隨機訊號已經被記錄， 並且由 L 1層所反射之雷射光束的量被偵測，以測量光記 錄媒體樣品# 1到#3各自之L 1層的反射係數R2。當雷射 光束被投射在光記錄媒體樣品# 1到# 3各自的L 1層上時， 記錄記號被均勻地分佈於雷射光束點內的L 0層中。 根據光記錄媒體樣品# 1到# 3各自之L 1層如此所測量 到的反射係數R 1及R 2，爲光記錄媒體樣品# 1到# 3各自 的L〗層計算反射係數的差値△ R = R 1 — R 2。 光記錄媒體樣品# 1到# 3各自之L 1層的反射係數R 1 及R2和反射係數的差値△ R被顯示在表1中。 -36- (33) 1260622 表1 光記錄媒體樣品 # 1 #2 #3 R 1 5.7% 6.7% 6.2% R2 6.0% 6.4% 6.0% Δ R 0.3% 0.3% 0.2% 如表1所示，發現到在光記錄媒體樣品# 1到#3的每 一個中，在記錄記號被形成前之L1層的反射係數R1與 在記錄記號被形成後之L 1層的反射係數R2之間的差値 △ R係等於或低於0.3 %，並且在L0層之形成有記錄記號 之區域的光透射比與L0層之空白區域的光透射比之間的 差異非常小。 工作例2 依照下面的方式來製造光記錄媒體樣品#4。 具有1.1 mm之厚度及120 mm之直徑，並且在其表 面上形成有凹槽及平地的碟形聚碳酸酯基板首先藉由噴射 模製程序來予以製造，使得軌距（凹槽間距）等於0.32// m 。 然後，聚碳酸酯基板被置於濺鍍裝置上，並且使用濺 鑛程序，一由Ag，Pd及Cu之合金所構成且具有8 nm之 厚度的反射膜、一含有ZnS與Si02之混合物且具有28 n m之厚度的第二電介質膜、一含有Cu做爲主成分且具有 5 n m之厚度的第二記錄膜、一含有S i做爲主成分且具有 -37- (34) 1260622 5 nm之厚度的第一記錄膜、及一含有ZnS與Si02 物且具有22 nm之厚度的第一電介質膜依序被形成 酸酯基板（其上形成有凹槽及平地）的表面上。 在第一電介質層及第二電介質層中所含之. Si 〇2混合物中之ZnS與Si 02的莫耳（mole)比爲80 : 此外，形成有反射膜、第二電介質膜、第二記 第一記錄膜、及第一電介質膜之聚碳酸酯基板被置 裝置上，並且第一電介質膜係使用旋塗法而以一樹 來予以塗敷以形成一塗敷層，而此樹脂溶液係藉由 酸可紫外線硬化樹脂溶解於一溶劑中來予以製備的 以紫外線來照射此塗敷層，藉以使丙烯酸可紫外線 脂硬化，以形成具有1 〇 0 // m之厚度的保護層。因 δ己錄媒體樣品# 4被製造。 具有波長λ之雷射光束經由光透射層而被投射 錄媒體樣品#4上，並且透射過光記錄媒體樣品#4 光束的量被測量。 雷射光束的波長λ係改變於3 5 0 nm到8 0 0 nm 之內’並且爲雷射光束的各個波長測量透射過光g己 樣品#4之雷射光束的量，藉以爲雷射光束的各個 量光記錄媒體樣品# 4的光透射比T 1。 此外，具有高能量之雷射光束經由光透射層而 在光記錄媒體樣品# 4之第二記錄膜之第一記錄膜 區域上’藉以混合包含在第一記錄膜中做爲主成女 和包含在第二記錄膜中做爲主成分的Cii，以形成 之混合 於聚碳 ZnS 與 20 〇 錄膜、 於旋塗 脂溶液 使丙烯 ，然後 硬化樹 此，光 在光記 之雷射 的範圍 錄媒體 波長測 被投射 的預定 h的 Si 記錄記 -38- (35) 1260622 號。 然後，具有波長λ之雷射光束被投射在第一記錄膜及 第二記錄膜之依此方式形成有記錄記號的區域上，並且透 射過光記錄媒體樣品#4之雷射光束的量被測量。 雷射光束的波長又係改變於3 5 0 n m到8 0 0 n m的範圍 之內，並且爲雷射光束的各個波長測量透射過光記錄媒體 樣品#4之雷射光束的量，藉以爲雷射光束的各個波長測 量光記錄媒體樣品#4的光透射比T2。 根據爲雷射光束的各個波長之光記錄媒體樣品#4如 此所測量到的光透射比T 1及T2，爲雷射光束的各個波長 計算在形成記錄記號之前與之後間光透射比的差値△ T = T 1 - T2。 計算的結果被顯示於圖8中。 如圖8所示，當雷射光束的波長λ係在3 5 0 nm到 4 5 0 nm的範圍內時，光記錄媒體樣品#4之光透射比的差 値△ T係等於或低於4 %，並且當雷射光束的波長λ係在 3 5 0 nm到42 0 nm的範圍內時，光記錄媒體樣品#4之光透 射比的差値△ T係等於或低於2 %。 特別是，發現到當雷射光束的波長λ係在3 5 0 nm到 4 1 0 nm的範圍內時，光記錄媒體樣品#4之光透射比的差 値△ T係等於或低於〗％，並且在形成有記錄記號的區域 與沒有形成記錄記號的空白區域之間，在光透射比上會有 些許的差異。 本發明已經參照特定實施例及工作例來予以顯示及說 -39- (36) 1260622 明’但ΤΗ ’應日4注思到本發明絕非被限定於所敘述之配置 的詳細內容’而是可以做成改變及修正而沒有違離所附加 之申請專利範圍的範疇。 舉例來說，在上述實施例中，雖然L 0層2 0之第一 L 0記錄膜2 3 a及第二L 0記錄膜2 3 b被形成而互相接觸， 但是絕對不是必須形成L 0層2 0之第一 L 0記錄膜2 3 a及 第二L 0記錄膜2 3 b爲互相接觸的，而是第二l 0記錄膜 2 3 b係如此地位於第一L 0記錄膜2 3 a的附近，以致於能 夠形成一包含第一 L0記錄膜23a之主成分及第二L0記錄 膜2 3 b之主成分的混合區域（當以雷射光束照射此區域時） 就足夠了。此外，一或多個其他的膜（例如，電介質膜）可 以被置於第一 L 0記錄膜2 3 a與第二L 0記錄膜2 3 b之間。 此外，在上述實施例中，雖然L1層3 0之第一 L1記 錄膜3 3 a及第一 L 1記錄膜3 3 b被形成而互相接觸，但是 絕對不是必須形成L1層3 0之第一 L1記錄膜3 3 a及第二 L 1記錄膜3 3 b爲互相接觸的，而是第二L 1記錄膜3 3 b係 如此地位於第一 L 1記錄膜3 3 a的附近，以致於能夠形成 一包含第一 L1記錄膜33a之主成分及第二L1記錄膜33b 之主成分的混合區域（當以雷射光束照射此區域時）就足夠 了。此外’一或多個其他的膜（例如，電介質膜）可以被置 於第一 L 1記錄膜3 3 a與第二L 1記錄膜3 3 b之間。 除此之外，在上述實施例中，雖然L0記錄層23包含 第一 L0記錄膜23a及第二L0記錄膜23b，但是除了第一 L 0記錄膜2 3 a及第二L 0記錄膜2 3 b之外，L 0記錄層2 3 -40- (37) 1260622 可以包含一或多個記錄膜，其含有和包含在第一 L 0記錄 膜23a中做爲主成分之元素相同的兀素做爲主成分’或者 包含一或多個記錄膜，其含有和包含在第二L 〇記錄膜 2 3 b中做爲主成分之元素相同的元素做爲主成分。 況且，在上述實施例中，雖然L1記錄層3 3包含第〜 L 1記錄膜3 3 a及第二L 1記錄膜3 3 b ’但是除了第~ l 1 記錄膜3 3 a及第二L 1記錄膜3 3 b之外’ L 1記錄層3 3可 以包含一或多個記錄膜，其含有和包含在第一 L 1記錄膜 33a中做爲主成分之元素相同的元素做爲主成分，或者包 含一或多個記錄膜，其含有和包含在第二L 1記錄膜3 3 b 中做爲主成分之元素相同的元素做爲主成分。 此外，在上述實施例中，雖然第一 L0記錄膜23a及 第一 L 1記錄膜3 3 a各自包含S i做爲主成分，但是並非絕 對需要第一 L0記錄膜23a及第一 L1記錄膜33a各自包含 Si做爲主成分，並且第一 L0記錄膜23a及第一 L1記錄 膜33a各自可以包含一選自由Ge，Sn，Mg，In, Zn，Bi及 A 1所組成之群組中的元素來代替S i。 況且，在上述實施例中，雖然第二L 0記錄膜2 3 b及 第一 L1記錄膜33b各自包含Cii做爲主成分，但是並非 絕對需要第二L 0記錄膜2 3 b及第二L 1記錄膜3 3 b各自 包含CU做爲主成分，並且第二L0記錄膜23b及第二L1 記錄膜33b各自可以包含一選自由Al，Zn，Ti及Ag所組 成之群$且中的兀素來代替C ii。 除此之外，在上述實施例中，雖然第一 L 0記錄膜 -41 - (38) 1260622 2 3 a被置於光透射層1 3側上，並且第二L 0記錄膜2 3 b被 置於支撐基板Π側上，但是有可能將第一 L0記錄膜2 3 a 置於支撐基板Π側上，而將第二L0記錄膜23b置於光透 射層]3側上。 況且，在上述實施例中，雖然第一 L 1記錄膜3 3 a被 置於光透射層1 3側上，並且第二L 1記錄膜3 3 b被置於支 撐基板1 1側上，但是有可能將第一 L〗記錄膜3 3 a置於支 撐基板1 1側上，而將第二L1記錄膜3 3 b置於光透射層 1 3側上。 此外，在上述實施例中，類似於L0記錄層23，L1 記錄層33包含含有Si做爲主成分之第一 L1記錄膜33a 及含有Cii做爲主成分之第二L1記錄膜33b。但是，當資 料被記錄在L0記錄層23中或者自L0記錄層23中再生 資料時，因爲雷射光束L並未通過L1記錄層3 3，所以並 非絕對需要L1記錄層33包含含有Si做爲主成分之第一 L1記錄膜33a及含有Cii做爲主成分之第二L1記錄膜 3 3 b，並且L 1記錄層3 3可以被建構成爲一單一記錄膜或 者成爲一記錄層，其適於藉由形成預坑於支撐基板1 1的 表面上而僅致能資料讀取。 除此之外，在上述實施例中，雖然在L 0層2 0所包含 之反射膜2 1含有Ag做爲主成分並且添加有C，但是並非 絕對需要在L0層20所包含之反射膜21含有Ag做爲主 成分並且添加有C，而且在L0層20所包含之反射膜21 可以是由一含具有高熱導率之金屬（例如，Ag, A]等等）的 -42 - (39) 1260622 材料所形成的，並且添加以對於改善耐腐蝕性有用之元 素，例如，A、Cu. Pt, Pd，Sb，ΤΊ, Mg 等等。 況且，在上述實施例中’雖然L 0層2 0包含含有A g 做爲主成分並且添加有C之反射腠2〗，但是如果在以雷 射光束L照射所形成之記錄記號的區域中所反射之光的位 準與在L 0記錄層2 3之空白區域中所反射之光的位準彼此 有顯著的差異，則反射膜2 1可以被省略。 此外，在上述實施例中，雖然L 0層2 0的反射膜2 1 被形成於透明中間層1 2上，但是有可能設置一保護層於 透明中間層1 2與反射膜2 1之間，此保護層具有2 nm到 150 nm的厚度，並且係由用來形成第一電介質膜24之材 料所做的，而且實際隔開反射膜2 1和透明中間層1 2，藉 以防止透明中間層1 2當資料被記錄於L0記錄層23中時 因受熱而被破壞。 除此之外，在上述實施例中，雖然光透射層1 3被形 成於L0層20之第一電介質膜24的表面上，但是有可能 設置一透明熱輻射膜於第一電介質膜24與光透射層1 3之 間，以便改善L0層20之熱輻射特性，而此透明熱輻射膜 具有10 nm到2 00 nm的厚度，並且係由具有比用來形成 第〜電介質膜24之材料的熱導率還高的熱導率之材料所 做的，並且有可能進一步設置一電介質膜於透明熱輻射膜 與光透射層1 3之間，以便增加光干涉效應，而此電介質 膜具有和透明熱輻射膜之折射率不同的折射率。 依據本發明，有可能設置一光記錄媒體，其被組構而 -43- (40) 1260622 使得藉由經由光透射層而投射雷射光束於其上，資料能夠 被記錄於多個記錄層中，並且能夠自多個記錄層中再生資 料’且其中’資料能夠以所想要的方式而被記錄在距離光 透射層最；iS的記錄層中，並且能夠以所想要的方式而從距 離光透射層最遠的記錄層中再生資料，以及以所想要的方 式記錄資料於或者再生資料自如此之光記錄媒體中。 【圖式簡單說明】 圖】係一示意剖面圖，顯示爲本發明之較佳實施例的 光記錄媒體之結構。 圖2係一示意放大剖面圖，顯示圖1中所示之光記錄 媒體。 圖3係一示意放大剖面圖，顯示在以雷射光束來照射 L0層之後，圖1中所示的光記錄媒體。 圖4係顯示爲本發明較佳實施例之光記錄媒體之製造 方法的步驟之圖形。 圖5係顯示爲本發明較佳實施例之光記錄媒體之製造 方法的步驟之圖形。 圖6係顯示爲本發明較佳實施例之光記錄媒體之製造 方法的步驟之圖形。 圖7係顯示爲本發明較佳實施例之光記錄媒體之製造 方法的步驟之圖形。 圖8係顯示工作例2中之光記錄媒體樣品#4之光透 射比上的差値△ T怎麼樣隨著雷射光束的波長而改'變之® 一 44- (41) (41)1260622 表。 主要元件對照表 10 光記錄媒體 1 1 支撐基板 11a. 12a 凹槽 lib, 12b 平地 12 透明中間層 13 光透射層 13a 光入射平面 20 L0層 2 1,31 反射膜 22 第二電介質膜 23 L 0記錄層 23a 第一 L0記錄膜 23b 第二L0記錄膜 24 第一電介質膜 3 0 L1層 32 第三電介質膜 o 勹 J) J L 1記錄層 3 3a 第一 L1記錄膜 33b 第一 L 1記錄月旲 34 第三電介質膜 L 雷射光束 M 記錄記號 -45-

Claims (1)

1260622 ⑴ 拾、申請專利範圍 1. 一種光記錄媒體，其包含一基板、一光透射層、及 多個記錄層在基板與光透射層之間，並且能夠藉由將一雷 射光朿經由光透射層而投射於多個記錄層上來記錄資料於 多個記錄層中，及再生在多個記錄層中所記錄的資料，在 該多個記錄層中，除了距離光透射層最遠的記錄層以外， 至少一記錄層包含一第一記錄膜，其含有一選自包含Si， Ge，Sn，Mg，In, Zn，Bi及 A1之群組中的元素做爲主成 分，及一第二記錄膜，其位於第一記錄膜的附近，且含有 一選自包含Cii, A1, Zn5 Ti及Ag之群組中的元素做爲主 成分。 2 ·如申請專利範圍第丨項之光記錄媒體，其中，第一 記錄膜含有S i做爲主成分。 3 .如申請專利範圍第1項或第2項之光記錄媒體，其 中，第二記錄膜含有Cu做爲主成分。 4 .如申請專利範圍第2項之光記錄媒體，其中，第二 記錄膜含有C u做爲主成分。 5，如申請專利範圍第1項之光記錄媒體，其中，至少 一選自包含AI，Zn，Sn，Mg及Αιι之群組中，並且和包含 在第二記錄膜中做爲主成分之元素不同的元素被添加到第 二記錄膜中。 6 ·如申請專利範圍第2項之光記錄媒體，其中，至少 一選自包含Al，Zn，Sn，Mg及Au之群組中，並且和包含 在第二記錄膜中做爲主成分之元素不同的元素被添加到第 -46- (2) 1260622 二記錄膜中。 7 ·如申請專利範圍第3項之光記錄媒體，其中，至少 一選自包含Al，Zn，Sn, Mg及Au之群組中，並且和包含 在第二記錄膜中做爲主成分之元素不同的元素被添加到第 二記錄膜中。 8.如申請專利範圍第1項之光記錄媒體，其中，第二 記錄膜被形成而使得與第一記錄膜相接觸。 9 ·如申請專利範圍第2項之光記錄媒體，其中，第二 記錄膜被形成而使得與第一記錄膜相接觸。 1 0 ·如申請專利範圍第3項之光記錄媒體，其中，第 二記錄膜被形成而使得與第一記錄膜相接觸。 1 1 .如申請專利範圍第4項之光記錄媒體，其中，第 二記錄膜被形成而使得與第一記錄膜相接觸。 1 2 ·如申請專利範圍第1項之光記錄媒體，其中，光 透射層具有3 0 // m到2 0 0 // ηι的厚度。 1 3 ·如申請專利範圍第2項之光記錄媒體，其中，光 透射層具有30//m到20〇em的厚度。 1 4 ·如申請專利範圍第3項之光記錄媒體，其中，光 透射層具有3 0 # m到2 0 0 “ m的厚度。 1 5 ·如申請專利範圍第4項之光記錄媒體，其中，光 透射層具有3 0 // m到2 0 0 v m的厚度。 1 6.如申請專利範圍第5項之光記錄媒體，其中，光 透射層具有3 0 " m到2 0 〇 " m的厚度。 其進一'步 1 7 .如申請專利範圍第]項之光記錄媒體 -47- (3) 1260622 被組構而使得藉由投射具有3 5 〇 nni到4 5 〇 „ m之波長的雷 射光束光g己錄媒體上來記錄資料於其中及自其中再生資 料。 ]1如申請專利範圍第2項之光記錄媒體，其進一步 被組構而使得藉由投射具有3 5 0 n m到4 5 0 n m之波長的雷 射光束於光記錄媒體上來記錄資料於其中及自其中再生資 料。 1 9 ·如申請專利範圍第3項之光記錄媒體，其進一步 被組構而使得藉由投射具有3 5 0 n m到4 5 0 n m之波長的雷 射光束於光記錄媒體上來記錄資料於其中及自其中再生資 料。 2 0 .如申請專利範圍第4項之光記錄媒體，其進一步 被組構而使得藉由投射具有3 5 0 nm到4 5 0 nm之波長的雷 射光束於光記錄媒體上來記錄資料於其中及自其中再生資 料。 2 1 ·如申請專利範圍第5項之光記錄媒體，其進一步 被組構而使得藉由投射具有3 5 0 n m到4 5 0 n m之波長的雷 射光束於光記錄媒體上來記錄資料於其中及自其中再生資 料。 22·如申請專利範圍第6項之光記錄媒體，其進一步 被組構而使得藉由投射具有3 5 0 nm到4 5 0 nm之波長的雷 射光束於光記錄媒體上來記錄資料於其中及自其中再生資 料。 2 3 ·如申請專利範圍第]項之光記錄媒體，其進一步 -48- (4) 1260622 被組構而使得藉由使用一目鏡及雷射光束’其數値孔徑 NA和波長λ滿足λ /NAS 64〇 nm，並使雷射光束經由目 鏡而投射於光記錄媒體上，以記錄資料於其中及自其中再 生資料。 2 4 .如申請專利範圍第2項之光記錄媒體，其進一步 被組構而使得藉由使用一目鏡及雷射光束，其數値孔徑 N A和波長λ滿足λ / N A $ 6 4 0 n m，並使雷射光束經由目 鏡而投射於光記錄媒體上，以記錄資料於其中及自其中再 生資料。 2 5 .如申請專利範圍第3項之光記錄媒體，其進一步 被組構而使得藉由使用一目鏡及雷射光束，其數値孔徑 N A和波長λ滿足λ /N A S 6 4 0 n m，並使雷射光束經由目 鏡而投射於光記錄媒體上，以記錄資料於其中及自其中再 生資料。 2 6 .如申請專利範圍第4項之光記錄媒體，其進一步 被組構而使得藉由使用一目鏡及雷射光束，其數値孔徑 N A和波長λ滿足λ / N A ‘ 6 4 0 n m，並使雷射光束經由目 鏡而投射於光記錄媒體上，以記錄資料於其中及自其中再 生資料。 2 7 ·如申請專利範圍第5項之光記錄媒體，其進一步 被組構而使得藉由使用一目鏡及雷射光束，其數値孔徑 N A和波長λ滿足λ /N A $ 6 4 0 n m，並使雷射光束經由目 鏡而投射於光記錄媒體上，以記錄資料於其中及自其中再 生資料。 -49- (5) 1260622 2 8 .如申請專利範圍第6項之光記錄媒體’ 被組構而使得藉由使用一目鏡及雷射光束’其 N A和波長λ滿足λ /N A ‘ 6 4 0 η m，並使雷射光 鏡而投射於光記錄媒體上’以記錄資料於其中及 生資料。 2 9 . —種光記錄媒體，其包含一基板、一光 及多個記錄層在基板與光透射層之間，並且能夠 雷射光束經由光透射層而投射於多個記錄層上來 記號於多個記錄層中，藉以記錄資料於其中，及 個記錄層中所記錄的資料，在該多個記錄層中， 光透射層最遠的記錄層以外，至少一記錄層被組 在藉由雷射光束之照射所形成之記錄記號的區域 域間之光透射比上的差異係等於或低於4 %。 3 0 ·如申請專利範圍第2 9項之光記錄媒體， 透射層具有3 0 // m到2 0 0 // m的厚度。 3 1 .如申請專利範圍第2 9項之光記錄媒體， 被組構而使得藉由投射具有3 5 0 nm到4 5 0 nm之 射光束於光記錄媒體上來記錄資料於其中及自其 料。 3 2 ·如申請專利範圍第3 〇項之光記錄媒體， 被組構而使得藉由投射具有3 5 0 n m到4 5 0 n m之 射光束於光記錄媒體上來記錄資料於其中及自其 料。 3 3 .如申請專利範圍第2 9項之光記錄媒體， 其進一步 數値孔徑 束經由目 自其中再 透射層、 藉由將一 形成記錄 再生在多 除了距離 構而使得 與空白區 其中，光 其進一步 波長的雷 中再生資 其進一步 波長的雷 中再生資 其進一步 -50- (6) 1260622 被組構而使得藉由使用一目鏡及雷射光束’其數値孔徑 NA和波長λ滿足λ /N A S 64 0 nm，並使雷射光束經由目 鏡而投射於光記錄媒體上，以記錄資料於其中及自其中再 生資料。 3 4 .如申請專利範圍第3 0項之光記錄媒體’其進一步 被組構而使得藉由使用一目鏡及雷射光束，其數値孔徑 N A和波長λ滿足；I /N A S 6 4 0 n m，並使雷射光束經由目 鏡而投射於光記錄媒體上，以記錄資料於其中及自其中再 生資料。 3 5 . —種用以記錄及再生資料之方法，其包含將雷射 光束投射於光記錄媒體上之步驟，而光記錄媒體包含一基 板、一光透射層、及多個記錄層，在基板與光透射層之 間，並且能夠藉由將一雷射光束經由光透射層而投射於多 個記錄層上來記錄資料於多個記錄層中’及再生在多個記 錄層中所記錄的資料，在該多個記錄層中’除了距離光透 射層最遠的記錄層以外，至少一記錄層包含一桌一記錄 膜，其含有一選自包含Si, Ge，Sn, Mg，In5 Zn，Bi及A1 之群組中的元素做爲主成分，及一第二記錄膜’其位於第 一記錄膜的附近，且含有一選自包含Cu，Al，Zn，Ti及Ag 之群組中的元素做爲主成分，藉以致使雷射光束通過光透 射層，並記錄資料於多個記錄層中或者自多個記錄層中再 生資料。 3 6 .如申請專利範圍第3 5項之用以記錄及再生資料之 方法，其中，光記錄媒體之第一記錄膜含有S i做爲主成 -51 - (7) 1260622 分。 3 7 .如申請專利範圍第3 5項之用以記錄及再生資料之 方法，其中，光記錄媒體之第二記錄膜含有Cu做爲主成 分。 3 8 .如申請專利範圍第3 6項之用以記錄及再生資料之 方法，其中，光記錄媒體之第二記錄膜含有Cu做爲主成 分。 3 9 .如申請專利範圍第3 5項之用以記錄及再生資料之 方法，其包含以具有3 5 0 nm到4 5 0 nm之波長的雷射光束 照射光記錄媒體，藉以記錄資料於光記錄媒體中及自光記 錄媒體中再生資料之步驟。 4 0 .如申請專利範圍第3 6項之用以記錄及再生資料之 方法，其包含以具有3 5 0 ηηι到4 5 0 nm之波長的雷射光束 照射光記錄媒體，藉以記錄資料於光記錄媒體中及自光記 錄媒體中再生資料之步驟。 4 1 ·如申請專利範圍第3 7項之用以記錄及再生資料之 方法，其包含以具有350 nm到450 nm之波長的雷射光束 照射光記錄媒體，藉以記錄資料於光記錄媒體中及自光記 錄媒體中再生資料之步驟。 4 2 .如申請專利軔Η弟j 8項之用以記錄及再生資料之 方法，其包含以具有3 5 0 nm到4 5 0 nm之波長的雷射光束 照射光記錄媒體，藉以記錄資料於光記錄媒體中及自光記 錄媒體中再生資料之步驟。 4 3 ·如申請專利範圍第3 5項之用以記錄及再生資料之 -52 - (8) 1260622 方法，其包含使用一目鏡及雷射光束，其數値孔徑ΝΑ和 波長；I滿足λ /ΝΑ S 64 0 nm，並使雷射光束經由目鏡而投 射於光記錄媒體上，藉以記錄資料於光記錄媒體中及自光 記錄媒體中再生資料之步驟。 44.如申請專利範圍第36項之用以記錄及再生資料之 方法，其包含使用一目鏡及雷射光束，其數値孔徑NA和 波長；I滿足λ /N A S 64 0 nm，並使雷射光束經由目鏡而投 射於光記錄媒體上，藉以記錄資料於光記錄媒體中及自光 記錄媒體中再生資料之步驟。 4 5 .如申請專利範圍第3 7項之用以記錄及再生資料之 方法，其包含使用一目鏡及雷射光束，其數値孔徑N A和 波長又滿足λ /N A S 6 4 0 nm，並使雷射光束經由目鏡而投 射於光記錄媒體上，藉以記錄資料於光記錄媒體中及自光 記錄媒體中再生資料之步驟。 4 6 .如申請專利範圍第3 8項之用以記錄及再生資料之 方法，其包含使用一目鏡及雷射光束，其數値孔徑N A和 波長λ滿足λ /N A S 6 4 0 n m，並使雷射光束經由目鏡而投 射於光記錄媒體上，錯以記錄資料於光記錄媒體中及自光 記錄媒體中再生資料之步驟。 -53-