CN1472736A - 用于记录和再现数据的光记录介质和方法 - Google Patents

用于记录和再现数据的光记录介质和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1472736A
CN1472736A CNA031462448A CN03146244A CN1472736A CN 1472736 A CN1472736 A CN 1472736A CN A031462448 A CNA031462448 A CN A031462448A CN 03146244 A CN03146244 A CN 03146244A CN 1472736 A CN1472736 A CN 1472736A
Authority
CN
China
Prior art keywords
recording
layer
optical recording
recording media
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA031462448A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1296923C (zh
Inventor
�Ѝ뿵��
井上弘康
柿内宏憲
F
青島正貴
三島康児
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Publication of CN1472736A publication Critical patent/CN1472736A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1296923C publication Critical patent/CN1296923C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/258Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2403Layers; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24035Recording layers
    • G11B7/24038Multiple laminated recording layers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/258Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
    • G11B7/259Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on silver

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

一种光记录介质,包括衬底、光透射层,以及衬底和光透射层之间的多个记录层,能够通过将激光束经由光透射层投射到该多个记录层上在该多个记录层上记录数据和再现记录在该多个记录层中的数据,在该多个记录层中除了距离光透射层最远的记录层之外至少有一个记录层包括包含Si作为主要成份的第一记录薄膜,位于该第一记录薄膜附近并包含Cu作为主要成份的第二记录薄膜。在如此构成的光记录介质中,可以以所希望的方式在距离光透射层最远的记录层记录数据并从该最远的记录层再现数据。

Description

用于记录和再现数据的光记录介质和方法
技术领域
本发明涉及一种用于记录和再现数据的光记录介质和方法,具体来说,涉及如此构成的光记录介质,以便通过将激光束经由光透射层投射到许多记录层来将数据记录在该许多记录层中,以及从该许多记录层再现数据。在该光记录介质中,数据可以以所希望的方式记录在距离光透射层最远的记录层中,并且数据可以以所希望的方式从该最远的记录层再现。本发明还涉及以所希望的方式在这样的光记录介质中记录数据和从这样的光记录介质再现数据的方法。
背景技术
诸如CD、DVD之类的光记录介质被广泛用作记录数字数据的记录介质。这样的光记录介质要求在记录大量的数据的能力方面有所改善,已经有人提出了各种建议以便提高该光记录介质的数据记录容量。
这些建议中的其中一个是具有两个记录层的光记录介质,这样的光记录介质已经作为只能进行数据读取的光记录介质(如DVD-Video和DVD-ROM)而投入实际应用。
只能进行数据读取并拥有两个记录层的光记录介质是通过将两个衬底层叠构成的,每一个衬底都具有预制凹陷,通过中间层在表面上构成了一个记录层。
此外,最近有人提出了涉及可以由用户重新写入数据的光记录介质的具有两个记录层的光记录介质(参见日本专利申请公开No.2001-243655等等)。
具有两个记录层的可重写类型的光记录介质是通过将几个记录层层叠构成的,每一个记录层都包括通过中间层夹在介质层(保护层)之间的记录薄膜。
在数据将要记录在具有两个记录层的可重写类型的光记录介质中的情况下,其中一个记录层的相态通过下列方式改变,调整投射到其中一个记录层上的激光束的焦距,将激光束的功率设置到其电平比再现功率Pr足够高的记录功率Pw,并将激光束投射到记录层上以在记录层的预先确定的区域形成一个记录标记。
由于如此形成的记录标记的反射系数不同于没有形成记录标记的空白区域的反射系数,因此可以通过调整投射到记录层上的激光束的焦距,投射其功率被设置为再现功率Pr的激光束并检测记录层反射的光量来再现记录在其中一个记录层中的数据。
如此,在具有两个记录层的可重写类型的光记录介质中,由于是通过调整投射到记录层上的激光束的焦距,将激光束投射到记录层上来将数据记录在其中一个记录层中,并再现记录在该记录层中的数据的,所以当数据将要记录在距离光入射面比较远的记录层(以下简称“L1层”)中并从其中再现数据时,激光束通过比较近的记录层(以下简称“L0层”)投射L1层的光入射面上。
因此,在向L1层中记录数据并从L1层再现数据的情况下,投射到L1层上的激光束的量和检测到的由L1层反射的激光束的量受L0层的影响。相应地,在L0层的形成了记录标记的区域的透光率和L0层的没有形成记录标记的空白区域的透光率彼此差距比较大的情况下,当数据记录在L1层中并且通过调整L1层上的激光束的焦距并用激光束照射L1来再现记录在L1层中的数据时,投射到L1层上的激光束的量和检测到的由L1层反射的激光束的量随着通过其投射激光束的L0层的区域是一个形成了记录标记的区域还是空白区域而大大地变化。结果,L1层的记录特性和从L1层再现的信号的幅度随着通过其投射激光束的L0层的区域是一个形成了记录标记的区域还是空白区域而大大地变化。
具体来说,当再现记录在L1层中的数据时,如果激光束所透射过的L0层的区域包括形成了记录标记的区域和空白区域之间的边界时,由于在激光束的光点中反射系数的分布不是均匀的,因此,记录在L1层中的数据无法以所希望的方式再现。
具有两个或更多记录层的一次性写入型的光记录介质以及具有只读取数据的L1层的光记录介质会发生相同的问题,希望解决这些问题。
发明内容
本发明的目的是提供如此构成的光记录介质,以便通过将激光束通过光透射层投射到多个记录层来将数据记录在该多个记录层中,并从该多个记录层再现数据,在该光记录介质中,数据可以以所希望的方式记录在距离光透射层最远的记录层中,并且数据可以以所希望的方式从该最远的记录层再现,还提供一种以所希望的方式在这样的光记录介质中记录数据和从这样的光记录介质再现数据的方法。
本发明的发明人积极地从事研究,以实现上述目的,结果,取得了如下发现。在多个记录层中在距离光透射层最远的记录层之外至少有一个记录层,以便包括第一记录薄膜,该薄膜包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al构成的组中挑选出来的一种元素作为主要成份,第二记录薄膜,该薄膜包含从由Cu、Al、Zn、Ti和Ag构成的组中挑选出来的一种元素作为主要成份,当数据记录在该至少一个记录层中时,作为主要成份包含在第一记录薄膜中的元素和作为主要成份包含在第二记录薄膜中的元素通过激光束彼此混合,从而形成一个记录标记,其反射系数不同于第一记录薄膜和第二记录薄膜的其他区域的反射系数,从而数据可以以高灵敏度记录在该至少一个记录层中。本发明的发明人进一步发现,波长为350nm到450nm的激光束在形成了记录标记的区域和空白区域之间的透光率的差异等于或者小于4%。在通过用波长为350nm到450nm的激光束通过该至少一个记录层进行照射向距离光透射层最远的该记录层记录数据或从距离光透射层最远的记录层再现数据的情况下,即使激光束所穿过的记录层的区域包含形成了记录标记的区域和空白区域之间的边界,也可以以所希望的方式在距离光透射层最远的记录层记录数据和从距离光透射层最远的该记录层再现数据。
因此,本发明的上述目的及其他目的可以通过这样的光记录介质来实现,这种光记录介质包括衬底、光透射层,以及衬底和光透射层之间的多个记录层,该光记录介质能够通过将激光束通过光透射层投射到该多个记录层上以在该多个记录层上记录数据和再现记录在该多个记录层中的数据,在该多个记录层中在距离光透射层最远的记录层之外至少有一个记录层包括第一记录薄膜,该薄膜包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al构成的组中挑选出来的一种元素作为主要成份,位于第一记录薄膜附近的第二记录薄膜,该薄膜包含从由Cu、Al、Zn、Ti和Ag构成的组中挑选出来的一种元素作为主要成份。
在本发明中,“第一记录薄膜包含某种元素作为主要成份”这一陈述是指该元素的含量在第一记录薄膜中包含的多种元素中最大,而“第二记录影薄膜包含某种元素作为主要成份”这一陈述是指该元素的含量在第二记录薄膜中包含的多种元素中最大。
在本发明中,第二记录薄膜不一定必须与第一记录薄膜接触,第二记录薄膜位于第一记录薄膜的附近以便在该区域被用激光束照射时允许形成包括第一记录薄膜的主要成份元素和第二记录薄膜的主要成份元素的混合区域就足够了。此外,还可以在第一记录薄膜和第二记录薄膜之间插入诸如介质薄膜之类的一层或多层其他薄膜。
在本发明中,最好使第二记录薄膜与第一记录薄膜接触。
在本发明中,除第一记录薄膜和第二记录薄膜之外,距离光透射层最远的层还可以包括一个或多个记录薄膜,这些薄膜包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al构成的组中挑选出来的一种元素作为主要成份,或者包括一个或多个记录薄膜,这些薄膜包含从由Cu、Al、Zn、Ti和Ag构成的组中挑选出来的一种元素作为主要成份。
虽然在被用激光束照射时可以形成包括第一记录薄膜的主要成份元素和第二记录薄膜的主要成份元素的混合物的记录标记区域的原因还不完全清楚,但是认为第一和第二记录薄膜的主要成份元素部分地或者完全地熔合或扩散,从而形成第一和第二记录薄膜的主要成份元素混合在一起的区域是合理的。
如此,通过混合第一记录薄膜中作为主要成份包含的元素和第二记录薄膜中作为主要成份包含的元素形成的区域相对于用于再现数据的激光束表现出的反射系数与第一记录薄膜和第二记录薄膜中的其他区域的反射系数显著不同。因此,可以利用反射系数的较大的差异再现记录的数据,从而获得C/N比得到改善的再现信号。
此外,本发明人还发现,这些元素只对环境带来轻微的污染,并且包含这些元素的记录层具有极好的表面平滑度。
在本发明中,第一记录薄膜包含Si作为主要成份比较好。
在本发明中,第二记录薄膜包含Cu作为主要成份比较好。
当包含Cu作为主要成份的第二记录薄膜通过真空淀积过程或者溅射过程形成时,由于表面平滑度非常好,与传统的光记录介质比较,初始记录特性有了显著的改善。由于根据本发明的光记录介质的记录薄膜具有极好的表面平滑度,因此在通过具有较小的光点直径的激光束记录数据时可以显著地改善记录特性。此外,由于Cu相当便宜,用来制造光记录介质的材料的成本可以最小化。
在本发明中,最好将从由Al、Zn、Sn、Mg和Au构成的组中挑选出来的并且不同于在第二记录层中作为主要成份包含的元素的至少一种元素添加到第二记录薄膜。
在用这样的方式将从由Al、Zn、Sn和Au构成的组中挑选出来的并且不同于在第二记录层中作为主要成份包含的元素的至少一种元素添加到第二记录薄膜的情况下,可以相对于氧化或硫化显著地改善第二记录薄膜的稳定性,并有效地防止光记录介质的表面的老化,如由于作为主要成份包含在第二记录薄膜中的Cu等等的腐蚀造成的第二记录薄膜的脱皮,并防止在长时间的存储过程中光记录介质的反射系数的变化。
本发明的上述目的及其他目的可以通过这样的光记录介质来实现,这种光记录介质包括衬底、光透射层,以及衬底和光透射层之间的多个记录层,能够通过将激光束通过光透射层投射到该多个记录层上在该多个记录层上形成记录标记,从而在其中记录数据和再现记录在该多个记录层中的数据,在该多个记录层中在距离光透射层最远的记录层之外至少有一个记录层,以便在通过激光束照射形成了记录标记的区域和空白区域之间的透光率的差异等于或者小于4%。
在本发明中,在该多个记录层中在距离光透射层最远的记录层之外的该至少一个记录层包括一个包含Ag作为主要成份并将C作为添加剂反射薄膜。
必须用具有高透光率和高导热率的材料制成反射薄膜以便同时改善距离光透射层(以下简称“L0层”)最远的记录层之外的该至少一个记录层的记录特性和再现特性和该距离光透射层最远的记录层的记录特性和再现特性,Ag是具有这种特性的典型材料。然而,Ag很容易被腐蚀。因此,当L0层中包含的反射薄膜由Ag制成时,光记录介质的存储可靠性比较低。然而,在L0层包括一个包含Ag作为主要成份并将C作为添加剂的反射薄膜的情况下,可以改善L0层中包含的反射薄膜的透光率和导热率,同时防止反射薄膜被腐蚀,因此可以改善相应的记录层的记录特性和再现特性,并改善光记录介质的存储可靠性。
具体来说,由于在下一代光记录介质(光透射层的厚度设置在30μm到200μm)中激光束的光点的每一单位面积的能量比较高,通过使用数值孔径等于或大于0.7的物镜聚集波长等于或小于450nm的激光束在光记录介质中记录数据并从其中再现数据,以便以高密度记录数据。下一代光记录介质需要具有高热辐射特性,因此,在下一代光记录介质中提供包含Ag作为主要成份并将C作为添加剂的反射薄膜特别有效。
此外,在反射薄膜包含Ag作为主要成份和便宜的C作为添加剂的情况下,可以防止光记录介质的材料成本增大。
在本发明中,优选情况下,在距离光透射层最远的记录层之外的至少一个记录层中包含的反射薄膜包含0.5原子%到5.0原子%的C。当添加到反射薄膜的C的量超过5.0原子%时,则难以制成具有足够高的透光率和导热率的反射薄膜,另一方面,当添加到反射薄膜的C的量小于0.5原子%时,光记录介质的存储可靠性变低。
在本发明中,反射薄膜包含1.0原子%到4.0原子%的C比较好,反射薄膜包含大约2.5原子%的C则更好。当添加到反射薄膜的C的量等于或小于4.0原子%时,可以制成具有接近于用纯Ag制成的反射薄膜的透光率的反射薄膜,另一方面,当添加到反射薄膜的C的量超过2.0原子%时,即使C的量增大,光记录介质的存储可靠性的改善也比较小。当反射薄膜包含大约2.5原子%的C时,可以制成具有与用纯Ag制成的反射薄膜的透光率基本上相同的透光率的反射薄膜,并获得具有较高存储可靠性的光记录介质。
在本发明中,优选情况下,光透射层的厚度在30μm到200μm之间。
在本发明中,优选情况下,光记录介质如此构成,以便通过将波长为350nm到450nm的激光束投射到光记录介质中来在光记录介质中记录数据并从其中再现数据。
在本发明中,优选情况下,光记录介质如此构成,以便使用其数值孔径NA和波长λ满足λ/NA≤640nm的物镜和激光束,通过将激光束通过物镜投射到光记录介质上来在光记录介质中记录数据并从其中再现数据。
本发明的上述目的及其他目的还可以通过用于记录和再现数据的方法来实现,该方法包括:将激光束到光记录介质上,这种光记录介质包括衬底、光透射层,以及衬底和光透射层之间的多个记录层,能够通过将激光束通过光透射层投射到该多个记录层上在该多个记录层上记录数据和再现记录在该多个记录层中的数据,在该多个记录层中在距离光透射层最远的记录层之外至少有一个记录层包括第一记录薄膜,该薄膜包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al构成的组中挑选出来的一种元素作为主要成份,位于第一记录薄膜附近的第二记录薄膜,该薄膜包含从由Cu、Al、Zn、Ti和Ag构成的组中挑选出来的一种元素作为主要成份,从而使激光束穿过光透射层,并在该多个记录层上记录数据或从该多个记录层中再现数据。
在本发明的优选方面,用于记录和再现数据的方法包括用波长为350nm到450nm的激光束照射光记录介质的步骤,从而在光记录介质中记录数据或从光记录介质中再现数据。
在本发明的另一个优选方面,用于记录和再现数据的方法包括使用其数值孔径NA和波长λ满足λ/NA≤640nm的物镜和激光束,通过将激光束经由物镜投射到光记录介质上的步骤,从而在光记录介质中记录数据或从光记录介质中再现数据。
附图说明
通过阅读下面参考附图进行的说明,本发明的上述及其他目的和特点将变得显而易见。
图1是显示作为本发明的优选的实施例的光记录介质的结构的简要剖视图。
图2是如图1所示的光记录介质的放大剖视图简图。
图3是显示在L0记录层被激光束照射之后如图1所示的光记录介质的放大剖视图简图。
图4是显示作为本发明的优选的实施例的制造光记录介质的一种方法的一个步骤的图形。
图5是显示作为本发明的优选的实施例的制造光记录介质的一种方法的一个步骤的图形。
图6是显示作为本发明的优选的实施例的制造光记录介质的一种方法的一个步骤的图形。
图7是显示作为本发明的优选的实施例的制造光记录介质的一种方法的一个步骤的图形。
图8是显示工作示例2中的光记录介质示例#4的透光率的差AT如何随着激光束的波长而变化。
具体实施方式
图1是显示作为本发明的优选的实施例的光记录介质的结构的简要剖视图。
如图1所示,根据本实施例的光记录介质10是作为一次性写入型的光记录介质构成的,其包括盘状的支撑衬底11、透明中间层12、光透射层13、在透明层12和光透射层13之间形成的L0层20,以及在支撑衬底11和透明中间层12之间形成的L1层30。
L0层20和L1层30是在其中记录数据的记录层,即,根据本实施例的光记录介质10包括两个记录层。
L0层20构成接近于光入射面13a的记录层,并且其通过从支撑衬底11的一侧层叠反射薄膜21、第二介质薄膜22、L0记录层23和第一介质薄膜24而构成。
另一方面,L1层30构成远离光入射面13a的记录层,并且其通过层叠反射薄膜31、第四介质薄膜32、L1记录层33和第三介质薄膜34而构成。
在将要在L1层30中记录数据并再现记录在L1层30中的数据的情况下,激光束L通过距离光透射层13较近的L0层20投射到L1层30上。
因此,L0层20必须具有高透光率。具体来说,相对于用于记录数据和再现数据的激光束L,L0层20的透光率等于或高于30%,优选情况下,其透光率等于或高于40%。
为了以高密度记录数据,必须缩小激光束L的直径,因此,用于记录数据和再现数据的激光束的波长等于或小于500nm,优选情况下,波长应在200到450nm之间。
支撑衬底11充当确保光记录介质10所需要的机械强度的支撑。
对制造支撑衬底11的材料没有特别的限制,只要支撑衬底11可以充当光记录介质10的支撑即可。支撑衬底11可以由玻璃、陶瓷、树脂等等材料制成。在这些材料当中,由于树脂容易定形,因此制造支撑衬底11时首选树脂。适于制造支撑衬底11的树脂的说明性示例包括聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、有机硅树脂、含氟聚合物、丙烯腈丁二烯苯乙烯树脂、氨基甲酸乙酯树脂等等。在这些树脂当中,从容易处理、光学特性等等观点来看,聚碳酸酯树脂是制造支撑衬底11的最优选的材料,在本实施例中,支撑衬底11由聚碳酸酯树脂制成。在本实施例中,由于激光束L是通过位于支撑衬底11对面的光入射面13a投射的,因此支撑衬底11没有必要具有透光特性。
在本实施例中,支撑衬底11的厚度大约为1.1mm。
如图1所示,凹槽11a和凸起11b是在支撑衬底11的表面上交替地形成的。凹槽11a和/或凸起11b在将要记录数据时或将要再现数据时充当激光束L的导轨。
对凹槽11a的深度没有特别的限制,优选情况下,应介于10nm到40nm之间。对凹槽11a的间距没有特别的限制,优选情况下,应介于0.2μm到0.4μm之间。
透明中间层12用来将L0层20和L1层30隔开一个物理上和光学上足够的距离。
如图1所示,在透明中间层12的表面上交替地形成凹槽12a和凸起12b。在透明中间层12的表面上形成的凹槽12a和/或凸起11b在将要记录数据时或将要再现数据时充当激光束L的导轨。
凹槽12a的深度和凹槽12a的间距可以基本上与在支撑衬底11的表面上形成的凹槽11a的深度和间距相同。
使透明中间层12的厚度为5μm到50μm比较好,使其厚度为10μm到40μm则更好。
对用于制造透明中间层12的材料没有特别的限制,优选情况下,使用紫外线可固化的丙烯酸树脂制造透明中间层12。
透明中间层12必须具有足够高的透光率,因为当将要在L1层30中记录数据和将要再现记录在L1层30中的数据时激光束L通过透明中间层12。
光透射层13用来传输激光束L,光入射面13a由其中的一个表面构成。
使光透射层13的厚度在30μm到200μm之间比较好。
对用于制造光透射层13的材料没有特别的限制,类似于透明中间层12,优选情况下,使用紫外线可固化的丙烯酸树脂制造光透射层13。
光透射层13必须具有足够高的透光率,因为当将要在L1层30中记录数据和将要再现记录在L1层30中的数据时激光束L通过光透射层13。
图2是如图1所示的光记录介质的放大剖视图简图。
如图2所示,L0层20中包含的L0记录层23包括包含Si作为主要成份的第一L0记录薄膜23a和包含Cu作为主要成份的第二L0记录薄膜23b。
为了降低再现信号的噪声电平并改善光记录介质10的存储可靠性,将从由Al、Zn、Sn、Mg和Au构成的组中挑选出来的一种或多种元素添加到第二L0记录薄膜23b比较好。
类似地,如图2所示,L1层30中包含的L1记录层33包括包含Si作为主要成份的第一L1记录薄膜33a和包含Cu作为主要成份的第二L1记录薄膜33b。
为了降低再现信号的噪声电平并改善光记录介质10的存储可靠性,将从由Al、Zn、Sn、Mg和Au构成的组中挑选出来的一种或多种元素添加到第二L1记录薄膜33b比较好。
图3是显示在L0记录层23被激光束照射之后如图1所示的光记录介质10的放大剖视图简图。
如图3所示,当光记录介质10的L0记录层23被用激光束L通过光入射面13a照射时,作为主要成份包含在第二记录薄膜23b中的Cu和作为主要成份包含在第一记录薄膜23a中的Si快速熔合或扩射,并形成一个混合了Cu和Si的区域M,从而形成记录标记M。
如图3所示,当作为主要成份包含在第一L0记录薄膜23a中的Si和作为主要成份包含在第二L0记录薄膜23b中的Cu混合以形成一个记录标记M时,形成了记录标记的区域的反射系数大大地改变。因此,由于形成了记录标记的区域的反射系数大大地不同于形成了记录标  M的区域周围的区域的反射系数,因此可以通过再现记录在L0记录层23中的数据获得高再现信号(C/N比)。
同样,当作为主要成份包含在第一L1记录薄膜33a中的Si和作为主要成份包含在第二L1记录薄膜33b中的Cu混合以形成一个记录标记M时,形成了记录标记的区域的反射系数大大地改变。因此,由于形成了记录标记的区域的反射系数大大地不同于形成了记录标记M的区域周围的区域的反射系数,因此可以通过再现记录在L1记录层33中的数据获得高再现信号(C/N比)。
由于当在L1层30中包含的L1记录层33中记录数据和从L1层30中包含的L1记录层33中再现数据时激光束L通过L0记录层23,如果L0记录层23的形成了记录标记M的区域和L0记录层23的没有形成记录标记M的空白区域之间的透光率的差异比较大,则当在L1层30中包含的L1记录层33中记录数据时,投射到L1记录层33上的激光束L的量随着激光束L所通过的L0记录层23的区域是一个形成了记录标记的区域还是空白区域而大大地变化,并且当从L1层30中包含的L1记录层33再现数据时,检测到的通过L0层20的并从L1记录层33反射的激光束的量随着激光束L所通过的L0记录层23的区域是一个形成了记录标记的区域还是空白区域而大大地变化。结果,L1记录层33的记录特性和从L1记录层33再现的信号的幅度随着激光束L所穿过的L0记录层23的区域是一个形成了记录标记M的区域还是空白区域而大大地变化。
具体来说,当再现记录在L1记录层33中的数据时,如果激光束L所通过的L0记录层23的区域包括形成了记录标记M的区域和空白区域之间的边界,则由于在激光束L的光点中反射系数的分布不是均匀的,因此,记录在L1记录层33中的数据无法以所希望的方式再现。
在本发明的发明人进行的研究中,已经发现,为了在L1记录层33中记录数据和从L1记录层33再现数据,L0记录层23的形成了记录标记M的区域和L0记录层23的空白区域之间的透光率的差异必须等于或小于4%,差异等于或小于2%则更好。
本发明的发明人进一步发现,波长为350nm到450nm的激光束在通过混合Si和Cu而形成的记录标记M的区域和通过层叠包含Si作为主要成份的第一记录薄膜23a和包含Cu作为主要成份的第二记录薄膜23b而形成的L0记录层23的空白区域之间的透光率的差异等于或者小于4%,波长大约为450nm的激光束在L0记录层23的形成了记录标记M的区域和L0记录层23的空白区域之间的透光率的差异等于或者小于1%。
在本实施例中,L0记录层23的第一L0记录薄膜23a包含Si作为主要成份,L0记录层23的第L0记录薄膜23b包含Cu作为主要成份,以便当激光束L通过光入射面13a投射到其上时,作为主要成份包含在第一L0记录薄膜23a中的Si和作为主要成份包含在第二L0记录薄膜23b中的Cu彼此混合,从而形成记录标记M。因此,可以通过将激光束L通过L0层20投射到L1记录层33上以所希望的方式在L1记录层33中记录数据和从L1记录层33再现数据。
由于当在L1层30中包含的L1记录层33中记录数据和再现L1层30中包含的L1记录层33中记录的数据时激光束L通过L0记录层23,故L0记录层23必须具有高透光率,因此L0记录层23的厚度比L1记录层33薄比较好。
具体来说,使L1记录层33的厚度为2nm到40nm并使L0记录层23的厚度为2nm到15nm比较好。
在L0记录层23和L1记录层33的厚度小于2nm的情况下,在用激光束L照射前后之间的反射系数的变化非常小,以至于无法获得具有高强度(C/N比)的再现信号。
另一方面,当L0记录层23的厚度超过15nm时,L0层20的透光率降低,L1记录层33的记录特性和再现特性降低。
此外,当L1记录层33的厚度超过40nm时,L1记录层33的记录灵敏度降低。
此外,为了增大在用激光束L照射前后之间的反射系数的变化,最好将L0记录层23中包含的第一L0记录薄膜23a的厚度与第二L0记录薄膜23b的厚度的比(第一L0记录薄膜23a的厚度/第二L0记录薄膜23b的厚度)以及L1记录层33中包含的第一L1记录薄膜33a的厚度与第二L1记录薄膜33b的厚度的比(第一L1记录薄膜33a的厚度/第二L1记录薄膜33b的厚度)定义为介于0.2到5.0之间。
第一介质薄膜24和第二介质薄膜22充当保护L0记录层23的保护层,第三介质薄膜34和第四介质薄膜32充当保护L1记录层33的保护层。
对第一介质薄膜24、第二介质薄膜22、第三介质薄膜34和第四介质薄膜32中每一层薄膜的厚度没有特别限制,优选情况下,厚度介于10nm到200nm之间。在第一介质薄膜24、第二介质薄膜22、第三介质薄膜34和第四介质薄膜32中的每一层薄膜的厚度都小于10nm的情况下,第一介质薄膜24、第二介质薄膜22、第三介质薄膜34和第四介质薄膜32中的每一层薄膜都不足以充当保护层。另一方面,在第一介质薄膜24、第二介质薄膜22、第三介质薄膜34和第四介质薄膜32中的每一层薄膜的厚度超过200nm的情况下,制造它需要很长时间,从而降低光记录介质10的生产率,并存在一定程度的由于内应力使L0记录层23和L1记录层33断裂的风险。
第一介质薄膜24、第二介质薄膜22、第三介质薄膜34和第四介质薄膜32都可以具有单个分层结构或者可以具有包括多个介质薄膜的多层结构。例如,如果第一介质薄膜24是由具有不同折射率的材料制成的两个介质薄膜构成的,则光干涉效果可以增大。
对用于制造第一介质薄膜24、第二介质薄膜22、第三介质薄膜34和第四介质薄膜32的材料没有特别的限制,但用诸如Al2O3、AlN、SiO2、Si3N4、CeO2、ZnS、TaO等等或它们的组合之类的Al、Si、Ce、Zn、Ta、Ti等等的氧化物、硫化物、氮化物制造第一介质薄膜24、第二介质薄膜22、第三介质薄膜34和第四介质薄膜32比较好,它们包含ZnS·SiO2作为主要成份则更好。ZnS·SiO2是指ZnS和SiO2的混合物。
L0层20中包含的反射薄膜21用来反射进入光入射面13a的激光束L以便从光入射面13a发射,并有效地辐射通过用激光束L照射在L0记录层23产生的热。
当将要在L1层30的L1记录层33中记录数据和将要再现L1层30的L1记录层33中记录的数据时,进入光入射面13a的激光束L通过L0层20中包含的反射薄膜21照射到L1层30的L1记录层上。因此,必须使用具有高透光率和高导热率的材料制造反射薄膜21。此外,必须使用具有长期存储可靠性的材料制造反射薄膜21。
因此,在本实施例中,L0层20中包含的反射薄膜21是用包含Ag作为主要成份并将C作为添加剂的材料制成的。
在L0层20中包含的反射薄膜21是用包含Ag作为主要成份并将C作为添加剂的材料制成的情况下,可以显著地改善反射薄膜21的长期存储可靠性,而不会降低Ag的固有的高透光率和高导热率。此外,材料成本不会因为将C添加到反射薄膜21而增加。
因此,如果L0层20中包含的反射薄膜21是用包含Ag作为主要成份并将C作为添加剂的材料制成的,则可以制成具有高透光率和高导热率的反射薄膜,并可以改善光记录介质10的存储可靠性。
在本发明的发明人进行的研究中,已经发现,L0层20中包含的反射薄膜21的透光率和导热率随着添加到反射薄膜21的C的量的增大而降低。还进一步发现,当添加到反射薄膜21的C的量等于或小于预先确定的值时,光记录介质10的存储可靠性随着添加到反射薄膜21的C的量的增大而改善,当添加到反射薄膜21的C的量超过预先确定的值时,即使添加到反射薄膜21的C的量增大,光记录介质10的存储可靠性的改善也不显著。
具体来说,当添加到反射薄膜21的C的量超过5.0原子%时,则难以制成具有足够高的透光率和导热率的反射薄膜21,另一方面,当添加到反射薄膜21的C的量小于0.2原子%时,光记录介质10的存储可靠性变低。因此,优选情况下,反射薄膜21包含0.5原子%到5.0原子%的C。
此外,当添加到反射薄膜21的C的量等于或小于4.0原子%时,可以制成具有接近于用纯Ag制成的反射薄膜21的透光率的反射薄膜21,另一方面,当添加到反射薄膜21的C的量超过2.0原子%时,即使C的量增大,光记录介质10的存储可靠性的改善也比较小。此外,当反射薄膜21包含大约2.5原子%的C时,可以制成具有与用纯Ag制成的反射薄膜21的透光率基本上相同的透光率的反射薄膜21,并获得具有高存储可靠性的光记录介质10。因此,反射薄膜21包含1.0原子%到4.0原子%的C比较好,反射薄膜21包含大约2.5原子%的C则更好。
由于L0层20中包含的反射薄膜21的透光率和导热率随着添加到反射薄膜21的C的量而变化,故反射薄膜21的厚度是基于添加到反射薄膜21的C的量确定的,但是,通常反射薄膜21的厚度优选情况下小于20nm,介于5nm到15nm则更好。
L0层30中包含的反射薄膜31用来反射进入光入射面13a的激光束L以便从光入射面13a发射,并有效地辐射通过用激光束L照射在L1记录薄膜33中产生的热。
优选情况下,L1层30中包含的反射薄膜31的厚度介于20nm到200nm之间。当L1层30中包含的反射薄膜31小于20nm时,不容易辐射在L1记录层33中产生的热。另一方面,当反射薄膜31大于200nm时,光记录介质10的生产率降低,因为制造反射薄膜31需要很长时间,并存在由于内应力等等使反射薄膜31断裂的风险。
对用于制造L1层30中包含的反射薄膜31的材料没有特别的限制。反射薄膜31可以用制造反射薄膜21的材料相同的材料制造,但不同于制造L0层20中包含的反射薄膜21的情况,它在选择用于制造L1层30中包含的反射薄膜31的材料时没有必要考虑材料的透光率。
具有上文描述的配置的光记录介质10可以按以下方式制造。
图4到7显示了制造根据本实施例的光记录介质10的一种方法的步骤。
如图4所示,首先使用压模40并使用注塑过程制造在表面上具有凹槽11a和凸起11b的支撑衬底11。
然后,如图5所示,在已经制成凹槽11a和凸起11b的支撑衬底11的基本上整个表面上,通过诸如溅射过程之类的气相增长过程,顺序地制成反射薄膜31、第四介质薄膜32、包括第二L1记录薄膜33b和第一L1记录薄膜33a的L1记录层33,和第三介质薄膜34,从而形成L1层30。
此外,如图6所示,通过旋涂方法在L1层30上涂上一层紫外线可固化树脂,以形成一个涂层薄膜,在该涂层薄膜的表面被压模41覆盖时用紫外线照射通过压模41照射该涂层薄膜的表面,从而形成在其表面上具有凹槽12a和凸起12b的透明中间层12。
然后,如图7所示,在已经通过诸如溅射过程之类的气相增长过程制成凹槽12a和凸起12b的透明中间层12的基本上整个表面上,顺序地制成反射薄膜21、第二介质薄膜22、包括第二L0记录薄膜23b和第一L0记录薄膜23a的L0记录层23,以及第一介质薄膜24,从而形成L0层20。
通过旋涂方法在L0层20上涂上一层紫外线可固化树脂,以形成一个涂层薄膜,用紫外线照射该涂层薄膜的表面,从而形成光透射层13。
这就完成了光记录介质10的制造过程。
当将要在如此构成的光记录介质10上记录数据时,用其强度被调制的激光束L照射光透射层13的光入射面13a,激光束L的焦点被调整到L0层20中包含的L0记录层23或L1层30中包含的L1记录层33上。
优选情况下,使用波长为350nm到450nm的激光束L在光记录介质10中记录数据和从光记录介质10中再现数据,在本实施例中,波长为405nm的激光束L被数值孔径为0.85的物镜通过光透射层13聚焦到L0记录层23或L1记录层33上。
结果,作为主要成份包含在L0记录层23的第一L0记录薄膜23a中的Si和作为主要成份包含在第二L0记录薄膜23b中的Cu在用激光束L照射的区域彼此混合,如图3所示,形成记录标记M,或者,作为主要成份包含在L1记录层33的第一L1记录薄膜33a中的Si和作为主要成份包含在第二L1记录薄膜33b中的Cu在用激光束L照射的区域彼此混合,如图3所示,形成记录标记M。
如此,在L0层20的L0记录层23中或者在L1层30的L1记录层33形成记录标记M,并在其中记录数据。
在本实施例中,波长为350nm到450nm的激光束在通过混合Si和Cu而形成的记录标记M的区域和通过层叠包含Si作为主要成份的第一记录薄膜23a和包含Cu作为主要成份的第二记录薄膜23b而形成的L0记录层23的空白区域之间的透光率的差异等于或者小于4%,波长大约为405nm的激光束在L0记录层23的形成了记录标记M的区域和L0记录层23的空白区域之间的透光率的差异等于或者小于1%。因此,甚至在激光束L被通过L0层20投射到L1记录层33以便在L1记录层33上记录数据时,也可以以所希望的方式在L1记录层33中记录数据。
另一方面,当将要再现光记录介质10上记录的数据时,用其强度被调制的激光束L照射光透射层13的光入射面13a,激光束L的焦点被调整到L0层20中包含的L0记录层23或L1层30中包含的L1记录层33上。
由于通过混合作为主要成份包含在L0记录层23的第一L0记录薄膜23a中的Si和作为主要成份包含在第二L0记录薄膜23b中的Cu而形成的记录标记M的区域的反射系数或者通过混合作为主要成份包含在L1记录层33的第一L1记录薄膜33a中的Si和作为主要成份包含在第二L1记录薄膜33b中的Cu而形成的记录标记M的区域的反射系数大大地不同于形成了记录标记M的区域周围的区域的反射系数,因此可以通过检测L0记录层23或L1记录层33反射的激光束L的量来获得高再现信号(C/N比)。
根据本实施例,当光记录介质10的L0记录层23被激光束L通过光入射面13a照射时,作为主要成份包含在第二L0记录薄膜23b中的Cu和作为主要成份包含在第一L0记录薄膜23a中的Si快速熔合或扩散,并形成一个混合了Cu和Si的区域,从而形成记录标记M。另一方面,当光记录介质10的L1记录层33被激光束L通过光入射面13a照射时,作为主要成份包含在第二L1记录薄膜33b中的Cu和作为主要成份包含在第一L1记录薄膜33a中的Si快速熔合或扩散,并形成一个混合了Cu和Si的区域,从而形成记录标记M。由于如此形成了记录标记M的区域的反射系数大大地不同于L0记录层23或L1记录层33的区域的反射系数,因此可以通过再现记录在L0记录层23或L1记录层33中的数据获得高再现信号(C/N比)。
此外,根据本实施例,由于波长为350nm到450nm的激光束在通过混合Si和Cu而形成的记录标记M的区域和通过层叠包含Si作为主要成份的第一记录薄膜23a和包含Cu作为主要成份的第二记录薄膜23b而形成的L0记录层23的空白区域之间的透光率的差异等于或者小于4%,波长大约为405nm的激光束在L0记录层23的形成了记录标记M的区域和L0记录层23的空白区域之间的透光率的差异等于或者小于1%,因此,可以通过将激光束L通过L0层20投射到L1记录层33上来在L1记录层33中记录数据和再现L1记录层33中记录的数据。
此外,根据本实施例,由于L0层20中包含的反射薄膜21是用包含Ag作为主要成份并将C作为添加剂的材料制成的,因此,可以改善L0层20中包含的反射薄膜21的透光率和导热率,同时防止反射薄膜21被腐蚀,并因此可以改善L0层的20和L1层30的记录特性和再现特性,并改善光记录介质10的存储可靠性。
工作示例
在下文中,列举了工作示例以便进一步阐明本发明的优点。
工作示例1
光记录介质示例#1是以如下方式制造的。
首先通过注塑过程制造厚度为1.1mm、直径为120mm的盘状的并在其表面上形成了凹槽和凸起的聚碳酸酯衬底,以使其磁道间距(槽距)等于0.32μm。
然后,在一个溅射设备上放置聚碳酸酯衬底,使用溅射过程,在形成了凹槽和凸起的聚碳酸酯衬底的表面顺序地制成由Ag、Pd、和Cu的合金构成并且厚度为100nm的反射薄膜,包含ZnS和SiO2的混合物,厚度为40nm的第四介质薄膜,包含Cu作为主要成份,厚度为3nm的第二L1记录薄膜,包含Si作为主要成份,厚度为3nm的第一L1记录薄膜,包含ZnS和SiO2的混合物,厚度为22nm的第三介质薄膜,从而在聚碳酸酯衬底的表面上形成L1层。
第三介质层和第四介质层中包含的ZnS和SiO2的混合物的ZnS与SiO2的摩尔数比是80∶20。
此外,在一个旋涂设备上放置其表面上形成了L1层的聚碳酸酯衬底,在聚碳酸酯衬底正在旋转时,利用通过在一种溶剂中溶解丙烯酸紫外线可固化树脂准备的树脂溶液涂覆第三介质薄膜以形成一个涂层。然后,将形成了凹槽和凸起的压模放置在该涂层的表面上,并用紫外线通过压模照射该涂层的表面,从而固化丙烯紫外线可固化树脂。通过除去压模而形成厚度为20μm并在其表面上形成了凹槽和凸起的透明中间层,以使其磁道间距(槽距)等于0.32μm。
然后,在溅射设备上放置在其表面上形成了L1层和透明中间层的聚碳酸酯衬底,使用溅射过程,在L1层上形成的透明中间层的表面上顺序地制成由Ag、Pd、和Cu的合金构成并且厚度为8nm的反射薄膜,包含ZnS和SiO2的混合物,厚度为28nm的第二介质薄膜,包含Cu作为主要成份,厚度为3nm的第二L0记录薄膜,包含Si作为主要成份,厚度为3nm的第一L0记录薄膜,包含ZnS和SiO2的混合物,厚度为22nm的第一介质薄膜,从而在透明中间层的表面上形成L0层。
第一介质层和第二介质层中包含的ZnS和SiO2的混合物的ZnS与SiO2的摩尔数比是80∶20。
此外,用通过在一种溶剂中溶解丙烯酸紫外线可固化树脂准备的树脂溶液使用旋涂方法对第一介质薄膜进行涂覆,以形成一个涂层,用紫外线照射该涂层,从而固化丙烯酸紫外线可固化树脂,以形成厚度为80μm的保护层。如此,便制造成了光记录介质示例#1。
光记录介质示例#2是按光记录介质示例#1的方式制造的,只是制成包含Cu作为主要成份,并添加了23原子%的Al和13原子%的Au,厚度为5nm的第二L0记录薄膜,包含Cu作为主要成份,并添加了23原子%的Al和13原子%的Au,厚度为5nm的第二L1记录薄膜。
此外,光记录介质示例#3是以如下方式制造的。
首先通过注塑过程制造厚度为1.1mm、直径为120mm的盘状的并在其表面上形成了凹槽和凸起的聚碳酸酯衬底,以使其磁道间距(槽距)等于0.32μm。
然后,在一个溅射设备上放置聚碳酸酯衬底,使用溅射过程,在形成了凹槽和凸起的聚碳酸酯衬底的表面顺序地制成由Ag、Pd、和Cu的合金构成并且厚度为100nm的反射薄膜,包含ZnS和SiO2的混合物,厚度为38nm的第四介质薄膜,包含Cu作为主要成份,添加了21原子%的Mg,厚度为5nm的第二L1记录薄膜,包含Si作为主要成份,厚度为5nm的第一L1记录薄膜,包含ZnS,厚度为21nm的第三介质薄膜,从而在聚碳酸酯衬底的表面上形成L1层。
第四介质层中包含的ZnS和SiO2的混合物的ZnS与SiO2的摩尔数比是80∶20。
此外,在一个旋涂设备上放置在其表面上形成了L1层的聚碳酸酯衬底,在聚碳酸酯衬底正在旋转时,用通过在一种溶剂中溶解丙烯酸紫外线可固化树脂准备的树脂溶液涂覆第三介质薄膜以形成一个涂层。然后,将形成了凹槽和凸起的压模放置在涂层的表面上,用紫外线通过压模照射涂层的表面,从而固化丙烯酸紫外线可固化树脂。通过除去压模而形成厚度为20μm并在其表面上形成了凹槽和凸起的透明中间层,并使其磁道间距(槽距)等于0.32μm。
然后,在溅射设备上放置在其表面上形成了L1层和透明中间层的聚碳酸酯衬底,使用溅射过程,在L1层上形成的透明中间层的表面上顺序地制成由Ag、Pd、和Cu的合金构成并且厚度为8nm的反射薄膜,包含ZnS和SiO2的混合物,厚度为32nm的第二介质薄膜,包含Cu作为主要成份,添加了21原子%的Mg,厚度为5nm的第二L0记录薄膜,包含Si作为主要成份,厚度为5nm的第一L0记录薄膜,包含ZnS,厚度为32nm的第一介质薄膜,从而在透明中间层的表面上形成L0层。
第二介质层中包含的ZnS和SiO2的混合物的ZnS与SiO2的摩尔数比是80∶20。
此外,利用通过在一种溶剂中溶解丙烯酸紫外线可固化树脂准备的树脂溶液使用旋涂方法对第一介质薄膜进行涂覆,以形成一个涂层,用紫外线照射该涂层,从而固化丙烯酸紫外线可固化树脂,以形成厚度为80μm的保护层。如此,便制造成了光记录介质示例#3。
如此制造的光记录介质示例#1到#3的每一个光记录介质的L1层用波长为405nm的激光束通过未记录的L0层进行照射,并检测L1层反射的激光束的量以测量光记录介质示例#1到#3的每一个光记录介质的L1层的反射系数R1。
激光束被使用数值孔径为0.85的物镜投射到光记录介质示例#1到#3的每一个光记录介质上。
根据(1,7)调制模式在光记录介质示例#1到#3的每一个光记录介质的L0层中记录包括2T到8T的随机信号,以在其中的第一L0记录薄膜和第二L0记录薄膜中形成记录标记。
波长为405nm的激光束被使用数值孔径为0.85的物镜通过在其中记录了随机信号的L0层聚焦到光记录介质示例#1到#3的个每一个光记录介质的L1层上,并检测L1层反射的激光束的量以测量光记录介质示例#1到#3的每一个光记录介质的L1层的反射系数R2。当激光束被投射到光记录介质示例#1到#3的每一个光记录介质的L1层上时,记录标记在L0层中均匀分布在激光束的光点内。
基于光记录介质示例#1到#3的每一个光记录介质的L1层的如此测量的反射系数R1和R2,计算光记录介质示例#1到#3的每一个光记录介质的L1层的反射系数的差ΔR=R1-R2。
光记录介质示例#1到#3的每一个光记录介质的L1层的反射系数R1和R2和反射系数的差ΔR如表格1所示。
表格1
    光记录介质示例     #1    #2    #3
    R1     5.7%    6.7%    6.2%
    R2     6.0%    6.4%    6.0%
    ΔR     0.3%    0.3%    0.2%
如表格1所示,可以发现,在光记录介质示例#1到#3的每一个光记录介质中,在形成记录标记之前L1层的反射系数R1和形成记录标记之后L1层的反射系数R2之间的差ΔR等于或小于0.3%,在L0层的形成了记录标记的区域的透光率和L0层的空白区域的透光率之间的差非常小。
工作示例2
光记录介质示例#4是以如下方式制造的。
首先通过注塑过程制造厚度为1.1mm、直径为120mm的盘状的并在其表面上形成了凹槽和凸起的聚碳酸酯衬底,以使其磁道间距(槽距)等于0.32μm。
然后,在一个溅射设备上放置聚碳酸酯衬底,使用溅射过程,在形成了凹槽和凸起的聚碳酸酯衬底的表面顺序地制成由Ag、Pd、和Cu的合金构成并且厚度为8nm的反射薄膜,包含ZnS和SiO2的混合物,厚度为28nm的第二介质薄膜,包含Cu作为主要成份,厚度为5nm的第二记录薄膜,包含Si作为主要成份,厚度为5nm的第一记录薄膜,包含ZnS和SiO2的混合物,厚度为22nm的第一介质薄膜。
第一介质层和第二介质层中包含的ZnS和SiO2的混合物的ZnS与SiO2的摩尔数比是80∶20。
然后,在一个旋涂设备上放置形成了反射薄膜、第二介质薄膜、第二记录薄膜、第一记录薄膜和第一介质薄膜的聚碳酸酯衬底,用通过在一种溶剂中溶解丙烯酸紫外线可固化树脂准备的树脂溶液涂覆第一介质薄膜以形成一个涂层。然后,用紫外线照射该涂层,从而固化丙烯酸紫外线可固化树脂,以形成厚度为100μm的保护层。如此,便制造成了光记录介质示例#4。
将波长为λ的激光束通过光透射层投射到光记录介质示例#4上,并测量通过光记录介质示例#4的激光束的量。
在350nm到800nm的范围内改变激光束的波长λ,并针对每一波长的激光束测量通过光记录介质示例#4的激光束的量,从而针对每一波长的激光束测量光记录介质示例#4的透光率T1。
然后,将高功率的激光束通过光透射层投射到光记录介质示例#4的第二记录薄膜的第一记录薄膜的预定区域中,从而混合作为主要成份包含在第一记录薄膜中的Si和作为主要成份包含在第二记录薄膜中的Cu以形成记录标记。
然后,将波长为λ的激光束投射到第一记录薄膜和第二记录薄膜的如此形成了记录标记的区域上,并测量通过光记录介质示例#4的激光束的量。
在350nm到800nm的范围内改变激光束的波长λ,并针对每一波长的激光束测量通过光记录介质示例#4的激光束的量,从而针对每一波长的激光束测量光记录介质示例#4的透光率T2。
基于光记录介质示例#4的如此测量的针对每一波长的激光束的透光率T1和T2,针对每一波长的激光束计算在形成记录标记的前后之间的透光率之差ΔT=T1-T2。
计算的结果如图8所示。
如图8所示,当激光束的波长λ在350nm到450nm范围内时,光记录介质示例#4的透光率之差ΔT等于或小于4%,当激光束的波长λ在350nm到420nm范围内时,光记录介质示例#4的透光率之差ΔT等于或小于2%。
特别是,已经发现,当激光束的波长λ在350nm到410nm范围内时,光记录介质示例#4的透光率之差ΔT等于或小于1%,并且在形成了记录标记的区域和没有形成记录标记的空白区域之间的透光率的差很小。
已经参考特定的实施例和工作示例显示和描述了本发明。然而,值得注意的是,本发明决不限于所描述的配置的细节,可以在不偏离所附权利要求的范围的情况下进行各种修改。
例如,在上文描述的实施例中,虽然L0层20的第一L0记录薄膜23a和第二L0记录薄膜23b彼此接触,但是不是绝对必须让L0层20的第一L0记录薄膜23a和第二L0记录薄膜23b彼此接触,而是第二L0记录薄膜23b位于第一L0记录薄膜23a的附近以便在区域被用激光束照射时允许形成包括第一L0记录薄膜23a的主要成份元素和第二L0记录薄膜23b的主要成份元素的混合区域就足够了。此外,还可以在第一L0记录薄膜23a和第二L0记录薄膜23b之间插入诸如介质薄膜之类的一层或多层其他薄膜。
此外,在上文描述的实施例中,虽然L1层30的第一L1记录薄膜33a和第二L1记录薄膜33b彼此接触,但是不是绝对必须让L1层30的第一L1记录薄膜33a和第二L1记录薄膜33b彼此接触,而是第二L1记录薄膜33b位于第一L1记录薄膜33a的附近以便在区域被用激光束照射时允许形成包括第一L1记录薄膜33a的主要成份元素和第二L1记录薄膜33b的主要成份元素的混合区域就足够了。此外,还可以在第一L1记录薄膜33a和第二L1记录薄膜33b之间插入诸如介质薄膜之类的一层或多层其他薄膜。
此外,在上文描述的实施例中,虽然L0记录层23包括第一L0记录薄膜23a和第二L0记录薄膜23b,但是,除第一L0记录薄膜23a和第二L0记录薄膜23b之外,L0记录层23可以包括一个或多个记录薄膜,这些薄膜包含与作为主要成份包含在第一L0记录薄膜23a中的相同元素作为主要成份,或者包括一个或多个记录薄膜,这些薄膜包含与作为主要成份包含在第二L0记录薄膜23b中的相同元素作为主要成份。
此外,在上文描述的实施例中,虽然L1记录层33包括第一L1记录薄膜33a和第二L1记录薄膜33b,但是,除第一L1记录薄膜33a和第二L1记录薄膜33b之外,L1记录层33可以包括一个或多个记录薄膜,这些薄膜包含与作为主要成份包含在第一L1记录薄膜33a中的相同元素作为主要成份,或者包括一个或多个记录薄膜,这些薄膜包含与作为主要成份包含在第二L1记录薄膜33b中的相同元素作为主要成份。
此外,在上文描述的实施例中,虽然第一L0记录薄膜23a和第一L1记录薄膜33a都包含Si作为主要成份,但是第一L0记录薄膜23a和第一L1记录薄膜33a不是绝对必须包含Si作为主要成份,第一L0记录薄膜23a和第一L1记录薄膜33a中的每一个都可以包含从由Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al构成的组中挑选出来的元素代替Si。
此外,在上文描述的实施例中,虽然第二L0记录薄膜23b和第二L1记录薄膜33b都包含Cu作为主要成份,但是第二L0记录薄膜23b和第二L1记录薄膜33b不是绝对必须包含Cu作为主要成份,第二L0记录薄膜23b和第二L1记录薄膜33b中的每一个都可以包含从由Al、Zn、Ti和Ag构成的组中挑选出来的元素代替Cu。
此外,在上文描述的实施例中,虽然第一L0记录薄膜23a位于光透射层13的一边,第二L0记录薄膜23b位于支撑衬底11的一边,但是也可以将第一L0记录薄膜23a放置在支撑衬底11的一边,而将第二L0记录薄膜23b放在光透射层13的一边。
此外,在上文描述的实施例中,虽然第一L1记录薄膜33a位于光透射层13的一边,第二L1记录薄膜33b位于支撑衬底11的一边,但是也可以将第一L1记录薄膜33a放在支撑衬底11的一边,而将第二L1记录薄膜33b放在光透射层13的一边。
此外,在上文描述的实施例中,类似于L0记录层23,L1记录层33包括包含Si作为主要成份的第一L1记录薄膜33a和包含Cu作为主要成份的第L1记录薄膜33b。然而,由于当在L0记录层23中记录数据或从L0记录层23中再现数据时激光束L不通过L1记录层33,因此,L1记录层33不是绝对必须包括包含Si作为主要成份的第一L1记录薄膜33a和包含Cu作为主要成份的第L1记录薄膜33b,L1记录层33可以按单个记录薄膜构成,或者通过在支撑衬底11的表面上形成预制凹陷来作为只进行数据读取的记录层构成。
此外,在上文描述的实施例中,虽然L0层20中包含的反射薄膜21包含Ag作为主要成份并添加了C,但是L0层20中包含的反射薄膜21不是绝对必须包含Ag作为主要成份并添加C,L0层20中包含的反射薄膜21可以用包含诸如Ag、Al等等之类的具有高导热率的金属,并添加诸如Au、Cu、Pt、Pd、Sb、Ti、Mg等等之类的对改善耐腐蚀性有用的元素的材料制成。
此外,在上文描述的实施例中,虽然L0层20包括包含Ag作为主要成份并添加了C的反射薄膜21,如果在L0记录层23的通过用激光束L照射形成了记录标记的区域反射光的水平和空白区域的反射光的水平彼此区别很大,则可以省略反射薄膜21。
此外,在上文描述的实施例中,虽然在透明中间层12上形成了L0层20的反射薄膜21,但是可以在透明中间层12和反射薄膜21之间提供厚度为2nm到150nm的由用于形成第一介质薄膜24的材料制成的保护层,并将反射薄膜21和透明中间层12从物理上隔开,从而防止当在L0记录层23上记录数据时透明中间层12被烫坏。
此外,在上文描述的实施例中,虽然在L0层20的第一介质薄膜24的表面上形成了光透射层13,但是可以在第一介质薄膜24和光透射层13之间提供一个厚度为10nm到200nm的由导热率比形成第一介质薄膜24的材料的导热率高的材料制成的透明热辐射薄膜,以便改善L0层20的热辐射特性,还可以在透明热辐射薄膜和光透射层13之间提供其折射率不同于透明热辐射薄膜的折射率的介质薄膜。
根据本发明,可以提供一种如此构成的光记录介质以便通过将激光束经由光透射层投射到多个记录层来将数据记录在该多个记录层中,以及从该多个记录层再现数据。在该光记录介质中,数据可以以所希望的方式记录在距离光透射层最远的记录层中,并且数据可以以所希望的方式从该最远的记录层再现。本发明还提供以所希望的方式在这样的光记录介质中记录数据和从这样的光记录介质再现数据的方法。

Claims (17)

1.一种光记录介质,包括衬底、光透射层,以及衬底和光透射层之间的多个记录层,能够通过将激光束经由该光透射层投射到该多个记录层上以在该多个记录层上记录数据和再现记录在该多个记录层中的数据,在该多个记录层中除了距离光透射层最远的记录层之外至少有一个记录层包括第一记录薄膜,该第一记录薄膜包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al构成的组中挑选出来的一种元素作为主要成份,该至少一个记录层还包括位于第一记录薄膜附近的第二记录薄膜,该第二记录薄膜包含从由Cu、Al、Zn、Ti和Ag构成的组中挑选出来的一种元素作为主要成份。
2.根据权利要求1所述的光记录介质,其特征在于:第一记录薄膜包含Si作为主要成份。
3.根据权利要求1或2所述的光记录介质,其特征在于:第二记录薄膜包含Cu作为主要成份。
4.根据权利要求1到3中的任何一个权利要求所述的光记录介质,其特征在于:从由Al、Zn、Sn、Mg和Au构成的组中挑选出来的并且不同于在第二记录层中作为主要成份包含的元素的至少一种元素被添加到第二记录薄膜。
5.根据权利要求1到4中的任何一个权利要求所述的光记录介质,其特征在于:使第二记录薄膜形成为与第一记录薄膜接触。
6.根据权利要求1到5中的任何一个权利要求所述的光记录介质,其特征在于:光透射层的厚度介于30μm到200μm之间。
7.根据权利要求1到6中的任何一个权利要求所述的光记录介质,进一步如此构成,以便通过将波长为350nm到450nm的激光束投射到该光记录介质中来在该光记录介质中记录数据并从其中再现数据。
8.根据权利要求1到6中的任何一个权利要求所述的光记录介质,进一步如此构成,以便通过使用其数值孔径NA和波长λ满足λ/NA≤640nm的物镜和激光束,并通过使激光束经由物镜投射到光记录介质上,从而在该光记录介质中记录数据或从该光记录介质中再现数据。
9.一种光记录介质,包括衬底、光透射层,以及衬底和光透射层之间的多个记录层,能够通过将激光束经由该光透射层投射到该多个记录层上以在该多个记录层上形成记录标记,从而在该多个记录层中记录数据和再现记录在该多个记录层中的数据,在该多个记录层中除了距离光透射层最远的记录层之外至少有一个记录层被构成为在通过照射激光束形成了记录标记的区域和空白区域之间的透光率的差异等于或者小于4%。
10.根据权利要求9所述的光记录介质,其特征在于:光透射层的厚度介于30μm到200μm之间。
11.根据权利要求9或10所述的光记录介质,进一步如此构成,以便通过将波长为350nm到450nm的激光束投射到光记录介质中来在该光记录介质中记录数据并从其中再现数据。
12.根据权利要求9或10所述的光记录介质,进一步如此构成,以便通过使用其数值孔径NA和波长λ满足λ/NA≤640nm的物镜和激光束,并通过将激光束经由物镜投射到该光记录介质上,从而在该光记录介质中记录数据或从该光记录介质中再现数据。
13.一种用于记录和再现数据的方法,包括将激光束投射到光记录介质上的步骤,这种光记录介质包括衬底、光透射层,以及衬底和光透射层之间的多个记录层,能够通过将激光束经由光透射层投射到该多个记录层上以在该多个记录层上记录数据和再现记录在该多个记录层中的数据,在该多个记录层中除了距离光透射层最远的记录层之外至少有一个记录层包括第一记录薄膜,该第一记录薄膜包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al构成的组中挑选出来的一种元素作为主要成份,该至少一个记录层还包括位于第一记录薄膜附近的第二记录薄膜,该第二记录薄膜包含从由Cu、Al、Zn、Ti和Ag构成的组中挑选出来的一种元素作为主要成份,从而使激光束通过该光透射层,并在该多个记录层上记录数据或从该多个记录层中再现数据。
14.根据权利要求13所述的用于记录和再现数据的方法,其特征在于:光记录介质的第一记录薄膜包含Si作为主要成份。
15.根据权利要求13或14所述的用于记录和再现数据的方法,其特征在于:光记录介质的第二记录薄膜包含Cu作为主要成份。
16.根据权利要求书13到15中的任何一个权利要求的用于记录和再现数据的方法,包括用波长为350nm到450nm的激光束照射光记录介质的步骤,从而在该光记录介质中记录数据或从该光记录介质中再现数据。
17.根据权利要求书13到15中的任何一个权利要求的用于记录和再现数据的方法,包括使用其数值孔径NA和波长λ满足λ/NA≤640nm的物镜和激光束,并将激光束经由物镜投射到光记录介质上的步骤,从而在该光记录介质中记录数据或从该光记录介质中再现数据。
CNB031462448A 2002-07-04 2003-07-04 用于记录和再现数据的光记录介质 Expired - Fee Related CN1296923C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002196335A JP4092147B2 (ja) 2002-07-04 2002-07-04 光記録媒体及び光記録方法
JP196335/2002 2002-07-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1472736A true CN1472736A (zh) 2004-02-04
CN1296923C CN1296923C (zh) 2007-01-24

Family

ID=29720304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031462448A Expired - Fee Related CN1296923C (zh) 2002-07-04 2003-07-04 用于记录和再现数据的光记录介质

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7276274B2 (zh)
EP (1) EP1378896A3 (zh)
JP (1) JP4092147B2 (zh)
CN (1) CN1296923C (zh)
TW (1) TWI260622B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7986609B2 (en) 2005-05-27 2011-07-26 Lg Electronics Inc. Optical recording medium

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI254301B (en) * 2002-04-05 2006-05-01 Tdk Corp Optical recording medium and method for optically recording information in the same
CN1221962C (zh) * 2002-04-26 2005-10-05 Tdk股份有限公司 光记录介质和在其中对数据进行光记录的方法
CN1220195C (zh) * 2002-04-30 2005-09-21 Tdk股份有限公司 光学记录媒体以及在其上光学记录数据的方法
US7231649B2 (en) * 2002-05-31 2007-06-12 Tdk Corporation Optical recording medium and method for optically recording data in the same
US20040038080A1 (en) * 2002-07-01 2004-02-26 Tdk Corporation Optical recording medium and method for recording data in the same
JP4059714B2 (ja) * 2002-07-04 2008-03-12 Tdk株式会社 光記録媒体
JP4092147B2 (ja) 2002-07-04 2008-05-28 Tdk株式会社 光記録媒体及び光記録方法
US20040076907A1 (en) * 2002-10-22 2004-04-22 Tdk Corporation Optical recording medium and method for manufacturing the same
US7781146B2 (en) * 2002-11-22 2010-08-24 Tdk Corporation Optical recording medium
US7932015B2 (en) 2003-01-08 2011-04-26 Tdk Corporation Optical recording medium
JP4084674B2 (ja) * 2003-01-28 2008-04-30 Tdk株式会社 光記録媒体
US20040202097A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Tdk Corporation Optical recording disk
JP2005044395A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071403A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071402A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071408A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
US20080056088A2 (en) * 2005-10-20 2008-03-06 Lanyo Technology Co., Ltd. Multiple Recording Structures for Optical Recording
US20080057256A2 (en) * 2005-10-20 2008-03-06 Lanyo Technology Co., Ltd. Micro-Resonant Structure for Optical Recording
US20080057257A2 (en) * 2005-10-20 2008-03-06 Lanyo Technology Co., Ltd. Contrast Enhancement for Optical Recording
US20080056089A2 (en) * 2005-10-20 2008-03-06 Lanyo Technology Co., Ltd. Generating Optical Contrast Using Thin Layers
US20070092681A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Shuy Geoffrey W Generating optical contrast using thin layers
TW200727289A (en) * 2006-01-13 2007-07-16 Daxon Technology Inc Optical storage medium, manufacturing method of recording layer thereof, and recording method thereof
JP2009026374A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Tdk Corp 光情報媒体
JP2009032307A (ja) * 2007-07-25 2009-02-12 Tdk Corp 光情報媒体
KR20110135386A (ko) * 2008-11-03 2011-12-16 브라이엄 영 유니버시티 마그네슘 금속층을 포함하는 데이터 저장 매체
TWI483247B (zh) * 2009-04-29 2015-05-01 Cmc Magnetics Corp 製備可寫錄光記錄媒體記錄層之濺鍍靶材
TWI400701B (zh) * 2009-04-29 2013-07-01 Cmc Magnetics Corp 可寫錄光記錄媒體(第二案)
JP2012164372A (ja) * 2011-02-03 2012-08-30 Sony Corp 光情報記録媒体の製造方法および光情報記録媒体
TWI426511B (zh) * 2011-03-31 2014-02-11 Cmc Magnetics Corp 可寫錄光記錄媒體
US9690198B2 (en) 2014-03-10 2017-06-27 Nikon Corporation Increasing and controlling sensitivity of non-linear metallic thin-film resists

Family Cites Families (122)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3959799A (en) * 1974-09-09 1976-05-25 International Business Machines Corporation Information storage by laser beam initiated reactions
US4357616A (en) 1979-03-26 1982-11-02 Hitachi, Ltd. Recording medium
US4529991A (en) * 1981-05-20 1985-07-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for copying optical information
JPS57205192A (en) * 1981-06-12 1982-12-16 Fuji Photo Film Co Ltd Optical information recording medium
JPS57208299A (en) * 1981-06-19 1982-12-21 Fuji Photo Film Co Ltd Recording method of optical information
EP0089168B1 (en) * 1982-03-15 1986-07-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical type information recording medium
US4477819A (en) * 1982-06-14 1984-10-16 International Business Machines Corporation Optical recording medium
JPS6028045A (ja) * 1983-07-25 1985-02-13 Sony Corp 情報記録媒体
JPS6099699A (ja) * 1983-11-07 1985-06-03 Fuji Photo Film Co Ltd 光情報記録媒体
JPS60160036A (ja) * 1984-01-28 1985-08-21 Toshiba Corp 光デイスク
JPS60187933A (ja) 1984-03-07 1985-09-25 Toshiba Corp 光学的記録再生装置
EP0195532B1 (en) * 1985-02-22 1990-05-09 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha An information recording medium
JPH0695388B2 (ja) * 1985-06-14 1994-11-24 株式会社東芝 情報記録媒体
AU612602B2 (en) * 1986-10-29 1991-07-18 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Draw type optical recording medium
JPH02147394A (ja) * 1988-11-30 1990-06-06 Toshiba Corp 情報記録媒体
JPH02147395A (ja) * 1988-11-30 1990-06-06 Toshiba Corp 情報記録媒体
JP2909913B2 (ja) * 1990-03-08 1999-06-23 松下電器産業株式会社 光学的情報記録媒体およびその製造方法および光学的情報記録方法
CA2038785C (en) * 1990-03-27 1998-09-29 Atsushi Oyamatsu Magneto-optical recording medium
US5194363A (en) * 1990-04-27 1993-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical recording medium and production process for the medium
EP0474311A1 (en) * 1990-09-06 1992-03-11 Hitachi Maxell Ltd. Optical data recording medium, method for writing and reading data and apparatus for recording data
US5325351A (en) * 1990-10-22 1994-06-28 Tdk Corporation Optical recording medium having a reflective layer made of Cu-Ag or Cu-Au alloy
JP2813844B2 (ja) * 1990-11-22 1998-10-22 ティーディーケイ株式会社 光記録媒体
JPH04238127A (ja) * 1991-01-22 1992-08-26 Nec Corp 光記録媒体および光記録方式
JP3266627B2 (ja) * 1991-10-11 2002-03-18 株式会社日立製作所 情報再生装置
US5328813A (en) * 1992-06-30 1994-07-12 The Dow Chemical Company Method for the preparation of optical recording media containing overcoat
JPH0677510A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Canon Inc 光起電力素子
JPH06171236A (ja) * 1992-10-05 1994-06-21 Ricoh Co Ltd 光記録媒体
JPH06139621A (ja) * 1992-10-29 1994-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光記録媒体
KR0153033B1 (ko) * 1993-06-18 1998-12-15 가나이 쯔또무 정보기록용 박막 및 정보기록매체
US5458941A (en) * 1994-06-09 1995-10-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Optical recording medium exhibiting eutectic phase equilbria
JPH08235641A (ja) * 1995-02-27 1996-09-13 Sony Corp 光学記録媒体とその製法
KR100411658B1 (ko) * 1995-03-27 2004-04-03 히다치 마쿠세루가부시키가이샤 정보기록매체및정보메모리장치
DE19612823C2 (de) * 1995-03-31 2001-03-01 Mitsubishi Chem Corp Optisches Aufzeichnungsverfahren
KR100402169B1 (ko) * 1995-04-27 2004-03-10 닛폰콜롬비아 가부시키가이샤 다층구조광정보매체
US6821707B2 (en) 1996-03-11 2004-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information
JP3787415B2 (ja) * 1996-06-04 2006-06-21 キヤノン株式会社 テスト記録方法及び該方法を用いた光学的情報記録再生装置
DE69738285T2 (de) * 1996-09-06 2008-02-28 Ricoh Co., Ltd. Optisches Speichermedium
US5914214A (en) 1996-12-06 1999-06-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing an optical information recording medium
EP1589532A3 (en) * 1996-12-19 2008-06-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical disk and method for recording and reproducing write-once information on and from optical disk
US6033752A (en) * 1997-05-22 2000-03-07 Kao Corporation Optical recording medium and method for recording optical information
US6231945B1 (en) * 1997-09-09 2001-05-15 Hitachi, Ltd. Information recording medium
TW406263B (en) 1997-10-17 2000-09-21 Toyota Central Res & Dev Memory element
JPH11240252A (ja) * 1997-12-22 1999-09-07 Tdk Corp 光記録媒体
EP0984443B1 (en) * 1998-02-24 2005-11-09 Sony Corporation Optical recording medium
JPH11250502A (ja) * 1998-02-26 1999-09-17 Sony Corp 光ディスク
US6210860B1 (en) * 1998-04-09 2001-04-03 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Recording medium
US6544616B2 (en) * 2000-07-21 2003-04-08 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6254966B1 (en) * 1998-08-04 2001-07-03 Victor Company Of Japan, Ltd. Information recording mediums, supporter used in the mediums, manufacture methods of the supporter, manufacturing apparatus of the supporter and stampers for producing the mediums
KR100295986B1 (ko) * 1998-08-21 2001-10-26 구자홍 광기록매체의최적기록방법
US6355326B1 (en) * 1998-09-30 2002-03-12 Skc Limited Phase change optical disk
JP2000182274A (ja) 1998-10-06 2000-06-30 Tdk Corp 光記録媒体および光記録方法
CN1230815C (zh) 1998-10-07 2005-12-07 株式会社日立制作所 信息记录介质和信息记录装置
TW457476B (en) * 1998-11-06 2001-10-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for obtaining a recording pulse condition
US6449239B1 (en) * 1998-11-25 2002-09-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium with thermal diffusion layer
US6511788B1 (en) * 1999-02-12 2003-01-28 Sony Corporation Multi-layered optical disc
US6278680B1 (en) * 1999-03-19 2001-08-21 Hitachi Computer Peripherals Co., Ltd. Initial crystallization method of recording media and device thereof
TW484126B (en) * 1999-03-26 2002-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing and recording regeneration method for information record medium
US6611481B1 (en) * 1999-04-28 2003-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical recording/reproducing apparatus
US6660451B1 (en) 1999-06-18 2003-12-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium
DE60042477D1 (de) 1999-07-12 2009-08-13 Panasonic Corp Optisches informationsaufzeichnungsmedium und verfahren zur initialisierung desselben
ATE343203T1 (de) * 1999-07-22 2006-11-15 Sony Corp Optisches aufzeichnungsmedium, optisches aufzeichnungsverfahren, optisches wiedergabeverfahren, optisches aufzeichnungsgeraet, optisches wiedergabegeraet und optisches aufzeichnungs-/ wiedergabegeraet
KR20010075534A (ko) * 1999-08-31 2001-08-09 니시무로 타이죠 광디스크와 이 광디스크로부터 데이터를 재생하는 방법 및장치
JP2001209940A (ja) * 1999-11-16 2001-08-03 Victor Co Of Japan Ltd 光ディスク記録再生装置、光ディスク記録再生方法および光ディスク
JP4339999B2 (ja) * 1999-12-20 2009-10-07 パナソニック株式会社 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置
JP3839213B2 (ja) * 2000-02-08 2006-11-01 株式会社リコー 相変化型光記録媒体の記録方法および記録再生装置
TW527585B (en) * 2000-02-21 2003-04-11 Ind Tech Res Inst Compact disk device, access method of compact disk, and the compact disk
JP2001344824A (ja) 2000-03-30 2001-12-14 Tdk Corp 光記録媒体の製造方法および光記録媒体
JP2001291273A (ja) * 2000-03-31 2001-10-19 Ricoh Co Ltd 光情報記録媒体、光情報記録媒体の再生方法および光情報記録媒体の記録・再生装置
JP2001307393A (ja) * 2000-04-25 2001-11-02 Canon Inc 光磁気再生装置
ES2210179T3 (es) * 2000-07-12 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Soporte optico de informacion con distintas capas de grabacion.
TW575873B (en) * 2000-07-13 2004-02-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Information recording medium, method for producing the same, and recording/reproducing method using the same
TWI233098B (en) 2000-08-31 2005-05-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Data recoding medium, the manufacturing method thereof, and the record reproducing method thereof
US7507523B2 (en) * 2000-09-28 2009-03-24 Ricoh Company, Ltd Optical information recording medium, method of manufacturing the optical information recording medium, and method of and apparatus for recording/reproducing optical information
JPWO2002029787A1 (ja) * 2000-09-29 2004-02-12 松下電器産業株式会社 光学情報記録媒体とその記録再生方法
JP2002117576A (ja) 2000-10-03 2002-04-19 Tdk Corp 光記録媒体および光学的情報記録方法
US6700862B2 (en) * 2000-10-03 2004-03-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical disc and manufacturing method for the same
TWI246681B (en) * 2000-12-15 2006-01-01 Koninkl Philips Electronics Nv Optical information medium and its use
US20020160306A1 (en) * 2001-01-31 2002-10-31 Katsunari Hanaoka Optical information recording medium and method
TW527592B (en) 2001-03-19 2003-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical information recording media, and the manufacturing method and record regeneration method of the same
US7088666B2 (en) * 2001-07-05 2006-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. High density optical disk having capacity of 25GB
CN1276420C (zh) * 2001-09-13 2006-09-20 Tdk股份有限公司 高速一次写入型光记录媒体、光记录方法和光记录装置
JP2003203338A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Tdk Corp 光記録媒体の記録方法及び光記録媒体
JP2003242645A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Tdk Corp 光記録媒体への情報記録方法、情報記録装置及び光記録媒体
US6899938B2 (en) * 2002-02-22 2005-05-31 Energy Conversion Devices, Inc. Phase change data storage device for multi-level recording
ES2252567T3 (es) * 2002-03-22 2006-05-16 Ricoh Company, Ltd. Soporte optico de grabacion y procedimiento de grabacion optica que lo utiliza.
JP2003281780A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Toshiba Corp 光記録媒体
TWI254301B (en) * 2002-04-05 2006-05-01 Tdk Corp Optical recording medium and method for optically recording information in the same
CN1221962C (zh) * 2002-04-26 2005-10-05 Tdk股份有限公司 光记录介质和在其中对数据进行光记录的方法
CN1220195C (zh) * 2002-04-30 2005-09-21 Tdk股份有限公司 光学记录媒体以及在其上光学记录数据的方法
JP2003331461A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Pioneer Electronic Corp 追記型光記録媒体
US7231649B2 (en) * 2002-05-31 2007-06-12 Tdk Corporation Optical recording medium and method for optically recording data in the same
JP2004013947A (ja) 2002-06-04 2004-01-15 Victor Co Of Japan Ltd 情報記録担体、再生装置、記録装置、記録再生装置、再生方法、記録方法及び記録再生方法
US20040038080A1 (en) * 2002-07-01 2004-02-26 Tdk Corporation Optical recording medium and method for recording data in the same
JP4092147B2 (ja) 2002-07-04 2008-05-28 Tdk株式会社 光記録媒体及び光記録方法
JP4059714B2 (ja) * 2002-07-04 2008-03-12 Tdk株式会社 光記録媒体
JP2004046966A (ja) * 2002-07-11 2004-02-12 Ricoh Co Ltd 光情報記録媒体、記録条件決定方法、光情報記録装置及び情報処理装置
US6809859B2 (en) * 2002-07-31 2004-10-26 Semrock, Inc. Optical filter and fluorescence spectroscopy system incorporating the same
JP4282285B2 (ja) * 2002-08-12 2009-06-17 Tdk株式会社 光記録媒体及び光記録方法
US20040076907A1 (en) * 2002-10-22 2004-04-22 Tdk Corporation Optical recording medium and method for manufacturing the same
JP2004171642A (ja) * 2002-11-19 2004-06-17 Tdk Corp 光記録媒体、光記録方法及び光記録装置
US7781146B2 (en) * 2002-11-22 2010-08-24 Tdk Corporation Optical recording medium
JP4215497B2 (ja) * 2002-12-27 2009-01-28 Tdk株式会社 光記録媒体
US7932015B2 (en) * 2003-01-08 2011-04-26 Tdk Corporation Optical recording medium
JP4084674B2 (ja) * 2003-01-28 2008-04-30 Tdk株式会社 光記録媒体
JP2004265561A (ja) * 2003-03-04 2004-09-24 Tdk Corp 光記録媒体
JP4053916B2 (ja) * 2003-03-24 2008-02-27 Tdk株式会社 光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット
JP2004284241A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Tdk Corp 光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット
JP4090377B2 (ja) * 2003-03-28 2008-05-28 Tdk株式会社 光記録媒体
US6965245B2 (en) * 2003-05-01 2005-11-15 K&S Interconnect, Inc. Prefabricated and attached interconnect structure
JP2004355743A (ja) 2003-05-30 2004-12-16 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP3868406B2 (ja) * 2003-07-07 2007-01-17 Tdk株式会社 光記録媒体へのデータの記録方法および光記録媒体へのデータの記録装置
JP2005044396A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005044397A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005044395A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071403A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071402A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071408A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071406A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071407A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071404A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071405A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
ITVR20030049U1 (it) * 2003-10-01 2005-04-02 Montresor & C Srl Dispositivo a dima per il controllo della movimentazione di frese diam antate o simili, applicabile su macchine lucidacoste di lastre in mate riale lapideo.

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7986609B2 (en) 2005-05-27 2011-07-26 Lg Electronics Inc. Optical recording medium
CN101208745B (zh) * 2005-05-27 2011-09-14 Lg电子株式会社 光记录介质

Also Published As

Publication number Publication date
EP1378896A3 (en) 2004-11-24
US7276274B2 (en) 2007-10-02
US20040052194A1 (en) 2004-03-18
JP2004039147A (ja) 2004-02-05
TW200403664A (en) 2004-03-01
TWI260622B (en) 2006-08-21
CN1296923C (zh) 2007-01-24
EP1378896A2 (en) 2004-01-07
JP4092147B2 (ja) 2008-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1296923C (zh) 用于记录和再现数据的光记录介质
CN1221962C (zh) 光记录介质和在其中对数据进行光记录的方法
CN1149558C (zh) 光记录媒体及对光记录媒体的记录方法
CN1553446A (zh) 光记录介质
CN1143289C (zh) 光学信息记录媒体及其制造方法、其记录再生方法和装置
CN1542792A (zh) 光记录介质及其制造方法以及用于溅射工艺的靶
CN1220195C (zh) 光学记录媒体以及在其上光学记录数据的方法
CN1218308C (zh) 光记录介质,再现装置,以及记录与再现装置
CN1222941C (zh) 光记录介质
CN1320542C (zh) 光记录介质及其制造方法以及用于溅射工艺的靶
CN1445767A (zh) 光学信息记录介质及其制造方法
CN1846254A (zh) 光学记录介质及其制造方法、以及用于光学记录介质的数据记录方法和数据读取方法
CN1236439C (zh) 光记录介质和在这种光记录介质上用光学方法记录数据的方法
CN1244098C (zh) 光学信息记录媒体
CN1862683A (zh) 相变型光信息记录介质
CN1836280A (zh) 光学记录介质及其制造方法、以及在光学记录介质上记录数据的方法和重放记录在光学记录介质上的数据的方法
CN1839433A (zh) 光学记录介质及其制造方法、以及在光学记录介质上记录数据的方法和重放记录在光学记录介质上的数据的方法
CN1649009A (zh) 光记录介质
CN1294582C (zh) 相变型光记录媒体
CN1664939A (zh) 光学信息记录介质及其制备方法
CN1934636A (zh) 光学记录介质和两层光学记录介质、使用该介质的记录和复制方法和记录和复制的装置
CN1839432A (zh) 光记录盘
CN1816455A (zh) 光学记录盘
CN1627401A (zh) 光信息记录介质和制造该介质的方法
CN1649008A (zh) 光记录介质、光记录方法及光记录装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070124

Termination date: 20210704

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee