TWI250814B - Organic electroluminescent device and method of fabricating the same - Google Patents

Organic electroluminescent device and method of fabricating the same Download PDF

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TWI250814B
TWI250814B TW093132162A TW93132162A TWI250814B TW I250814 B TWI250814 B TW I250814B TW 093132162 A TW093132162 A TW 093132162A TW 93132162 A TW93132162 A TW 93132162A TW I250814 B TWI250814 B TW I250814B
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Choong-Keun Yoo
Jae-Yong Park
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Description

1250814 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種有機電致發光裝置，尤其是有關於一種：雙面板 式有機電致發光裝置，其包括，具有薄膜電晶體陣列單元之第一基板，具 有有機電致發光單元之第二基板；以及此雙面板式有機電致發光裝置之製 造方法。 【先前技術】 通常，有機電致發光裝置(ELD)藉由此方式而發射光線:將來自陰極之電 子與來自陽極之電洞注入於發射層，將電子與電洞組合產生受激子 (exdton)，且將此受激子從受激狀態轉換至基態(gr〇undstate)。不同於液晶 顯示(LCD)裝置之情形，對於有機ELD並無須額外之光源以發射光線，因 為此受激子在狀態間轉換造成在有機ELD中發射光線。因此，此有機eld 之尺寸與重量小於可比較之液晶顯示(LCD)裝置。此有機ELD具有其他令 人想要之特徵，例如：低功率消耗、優異之亮度、以及快的響應時間。由於 此等有利之特點，有機ELD被認為是使用於各種下一代消費者電子應用之 最具前途之輯者，·：蜂巢電話、汽料航系統(CNS)、個人數位助理 (舰）、攝錄機、以及掌上型電腦。此外，由於製造有機腳相較於製造 LCD裝置是相#解之過程，且較Lcd裝置具有較少製程麵，因此，製 以有機ELD㈣造LCD裝置便宜許多。目前存在兩種不_彡叙有機咖· 被動矩陣式與主動矩陣式。 第1圖為根據習知技術之有機電致發光裝置之概要橫截面圖。如同於 1250814 第1圖中所示，此有機電致發光裝置(ELD)30具有第一基板32,其面向且 與第二基板48間隔。包括薄膜電晶體(tft)“T，，之陣列層34，是形成於第一 基板32之内表面上。第一電極36、有機電致發光(肌)層％、以及第二電 極40依序形成於陣列層34上。此有機£]^層％可以各別地顯示用於各像 素區“P，，之紅色(R)、綠色(G)、以及藍色(B)。 第一基板32與第二基板48以密封劑47裝附。藉由將第一基板％裴 附於第二基板48而將有機ELD封包。此去除滲透人有機電致發光層％封 包中濕氣與氧氣之鼠魏乾燥劑41是設置於第二基板48上。更特別而 將第一基板48之-部份敍刻，且將濕氣吸收乾燥劑41設置於被侧 部份中，且藉由固持元件25固定。 第2圖為概要平面圖，其顯示根據習知技術有機電致發光裝置之陣列 二士同於第2圖中所不’此有機電致發光裝置(_之陣列層包括：切換 π件“Ts”、驅動元件“Td”、以及儲 ” 一 子電合态CST。此切換元件“Ts，，與驅動 d可匕括切換凡件之組合，其包括至少一薄膜電晶體(τα)。此第 -基板32紐縣緣基板是由麵—職成，在其上形雜痛。彼此 相父之閘極線42與資料線44形成於笛 战於弟一基板32上。像素區“p”是由閘極 線42與資料線44所界定。絕緣層 (禾圖不)疋纟又置介於閘極線42與資料線 4之間。與閘極線42相交之電 力疋與貧料線44平行且間隔。 在第2圖中所示之切換元件 ^ 70寻膜電晶體，其包括：切換閘極電極 46、切換活性層50、切換源極電極 ^ Ί 、以及切換汲極電極60。類似地，在 弟圖中所示之驅動元件“Td，，是 甩日日體，其包括：驅動閘極電極68、 1250814 驅動活性層62、祕祕麵66、现__電極63。切換閘極電極 46連接至閘極線42，且切換源極電極％連接至資料線44。切換汲極電極 6〇經由第-接觸孔64連接至驅動閘極電極68，而曝露驅動閘極電極沾之 —部份。驅動源極電極66經由第二接觸孔％連接至電源線55，而曝露電 _ 55之-部份。此外，驅動沒極電極63連接至像素區“p”中之第一電極 36。電源線55與第-電容器電極35重疊，而具有設置於其間之絕緣層， 以便形成儲存電容器“cST，，。 第3圖為沿著第2圖之IIHII線之概要橫截面圖。如同於第3圖中所示， 驅動是薄膜電晶體“Td”形成於第一基板32上且包括：驅動活性層62、驅動 間極電極68、驅動源極電極66、以及驅動祕電極63。絕緣層67形成於 驅動tft“td”上，以及第-電極36形成於絕緣層67上，且連接至驅紐 極電極63。有機電致發光(EL)層38形祕第__電極兄上，且第二電極4〇 形成於有機EL層38上。第-電極36、第二電極4()、以及有機队層％ 設置於第-減二電極之間，耐域錢電致發細[)二減“以”。此包 括第電谷益電極35與第—電容器電極之儲存電容器“Cst”與驅動tft TD電性並聯。更特別而5 ’此與第—電容器電極35重疊之電源線％ (第 2圖)之-部份被使用作為第二電容器電極％。第二電容器電極^連接至驅 動源極電極66。第二電極40形祕第—基板％上七鶴tft“Td”、儲存 電容器“CST”以及有機EL層38上。區域E包括第一電極36、有機此層％ 以及第二電極40。 第4圖為概要板截面圖’其顯示根據習知技術基板之側壁。如同於第4 10 1250814 圖中所示，在基板80中界定多個像素區“p”。在基板8〇上形成多個第一 電極82。各第一電極82設置於此等像素區“p，，之一中。此外，在像素區“p，， 之邊界上形成具有正斜率之側壁84。在各第—電極82上形成多個電致發光 層86。換句話說，各電致發光層86位於各像素區“p”中。此外，在側壁糾 與電致發光層86之表面上形成第二電極％。側壁84將相鄰之像素區“p” 區隔。電致發光層86可以制遮補由驗過程形成。 此第4圖中之側壁84具有圓圓錐之形狀，以致於側壁Μ之寬度從第 -電極88至基板8G逐漸減少。如同於第4圖中所示，此側壁84之側對基 板⑽形成大於大約虹之㈣Γ，。此第—電極82是底部電極轉成財 像素區“P”中，且第二電極88是頂部電極，其形成於基板⑽上之第一電極 82與電致發光層86上。然而，由於使用遮罩之__間且須要遮罩對 準過程，因此有人建議藉由陰影遮罩以形成側壁。 第5圖為概要平面圖，其顯示根據習知技術之側壁結構。第S圖為沿 著第5圖“VI-W，線之概要纖_，其包括有機電致發光層與第二電極°。 如同於第5與6圖中所示，在基板9〇上界定多個像素區“ρ”。在基㈣上 形成第-電㈣。在像素區“Ρ”之邊界之第—電極92上形成具有負斜率之 側壁94。此側壁94具有圓圓錐形狀，以致於側壁94之寬度離基板9〇逐漸 增加。此外，此側壁84之側對基板％形成小於大約9〇。之角‘Μ, 將電致發光材料95與第二電極材料97依序沉積在第一電極92上，且 破圖案化成多個電致發光層96與多個第二電糾。此等側壁94且 錐形狀’而將電致發光層96與第二電極98自動分_各像素區“Ρ，，。因此 l25〇814 電致發光㈣95與第二電極㈣97設置介於缝94之間。然而，在各像 素區“P”中之電致發光材料95與第二電極材料97、並未連接至另一像素區 “P”中之另一電致發光材料95與另一第二電極材料97，這是由於側壁94之 高度與倒圓錐形狀防止其互相短路。 第7圖為概要橫截關其顯示藉由使用陰影遮罩法驗過程。通常， 像素形式之電極可以使驗影鮮棘之歸鍍法或電子蒸鑛法形 成。第7圖顯示：基板90其具有如第6圖中所示之側壁94 ;與金屬源99 其面向基板且與紐9〇分隔。通常，此金屬源99之面健基板之面積為 /J、〇 在基板9〇之區域“A”中，此為基板90之未對應於金屬源區域之區域， 來自金屬源99之材料以傾斜之沉積角度“α丨，，沉積於此區域中。因此，材料 ’儿在側壁94之側面上。因此，金屬層可以形成於讎Μ上，錢接至像 ，、品中之電極(未圖示）。此外，當此基板90之尺寸相對於金屬源99之 積曰力日寸此短路問喊會變得更嚴重。為解決此短路問題，已有人建議 /、有非系大倒圓錐之側壁 '然而，由於側壁材料具有低之耐熱可靠度與低 的機械硬度’ EJ此難以具有蝴圓錐雜之廳解決此短路問題。此側壁 H有例如洋姑形狀’以可靠地使用作為分隔元件。然而，必須使用側壁 之兩層堆疊以形成洋_狀，其為複雜過程且增加製造成本。 I近已經發展$使用聚合物機之錢電致發光裝置 。此使用聚合物 材料之有機電致發光裝置稱為：聚合物發光二極體(pLED)或聚合物電致發 &衣置(PELD) ’以與使用單體材料之有機電致發光裝置區別。此聚合物材 12 1250814 料較單體電致發光裝置具有較高熱穩定度與較佳機械硬度。此等用於單體 材料蒸鍍裝置投資成本與顯示尺寸限制等問題可以藉由聚合物材料而解 決。由於PLED具有在單體電致發光裝置中驅動電壓為低之驅動電壓，因 此’ PLED使用較少功率。此外，可以使用各種方法，以產生發出不同顏色。 因此’此在PLED中聚合物材料之圖案化方法是令人期望的。 第8圖為橫截面圖，其顯示根據習知技術應用於pLED使用負側壁之 有機電致發光裝置。如同於第8圖中所示，在基板9〇中界定多個像素區 p ’以及在基板90上形成第一電極92。在像素區“P”之邊界第一電極92 上形成具有負斜率之側壁94。此外，在第一電極92上形成多個聚合物電致 發光層91a、91b、91c，以及將聚合物電致發光層91a、91b、91c由側壁94 分隔成各像素區“p”。 此等側壁94具有例如倒梯形之倒圓錐形狀，並且因此，此等側壁94 之一之外側對基板9〇形成小於大約90。之角度“<92”。此電致發光層96藉 由熱瘵鍍法沉積，但聚合物電致發光層91a、91b、91c通常藉由將溶液式聚 合物材料旋塗而塗佈。因此，由於聚合物材料性質，此聚合物電致發光層 91a ' 91b、91c在所有像素區“p”中之基板整個表面上難以具有均勻深度。 如同於第8圖中顯示，此靠近側壁94之一之聚合物電致發光層91a、 91b、91C之第一深度“dl，，大於：在各像素區“p”中央聚合物電致發光層9^、 91b、91c之第二深度“d2”。這是由於聚合物電致發光層91a、91b、以及91c 是由溶液式材料製成，且位於各像素區“P，，中。此等具有負斜率之側壁94 圍繞在像素區“P”邊界之各聚合物電致發光層91a、91b、91c。在此時，當 13 1250814 此聚合物電致發光層91a、91b、91c覆蓋在具有側壁94之基板90上時，由 於聚合物電致發光材料與側壁94之表面張力，此聚合物電致發光層91a、 91b、91c無法具有均勻深度。因此，此聚合物電致發光層91a、91b、91c 之頂表面可以接觸側壁94之頂部部份。這會造成在基板製程中電極之無法 分隔之問題。此外，此聚合物電致發光層91a、91b、91c無法形成於各像素 區“P”之中央之中。 此具有倒梯形形狀之側壁94自動地將相鄰之像素區“P”分隔。然而， 由於此聚合物電致發光層91a、91b、91c邊界表面之上升，無法將多個第一 電極93&、931)、以及93(：分隔。因此，相鄰之第二電極9如、9313、以及祝 彼此連接，以及無法將信號獨立地施加至各像素區“P”。因此，如果將聚人 物電致發光材料塗佈至包括負斜率側壁之有機電致發光裝置，則難以將各 聚合物電致發光層與第二電極各別地分隔成各像素區。 當TFT與有機EL4體之陣列層均形成於相同基板上時，則此有機 ELD之製造良率是TFT之㈣與有機EL層良率之乘積所決定。由於有機 既層之良率相當低，此ELD之製造良率是受限於有機EL層之良率。例如， 即使當TFT良好製成時’由於使用大約1〇_厚薄膜之有機扯層之缺陷， 此有機ELD可被判斷為不良。此限制導致材料損失與製造成本增加。、曰 此有機ELD根據：第一與第二電極以及有機虹二極體之透明产 以被分為底部飾式與卿發料。此底部發料腳祕：其雜 定度、與因為包封之可變製造過程為1阿心 機ELD中所 14 1250814 增加孔徑比之限制。在另-方面’由於頂部發射式有機助在基板向上方 向中發射練，鼠可以騎統*#影_設置縣機虹層下之陣列 層。因此，可以簡化此包括TFT之陣列層之整體設計。此外，可以增加孔 徑比’因此可以增加有機ELD之操作壽命年限。然而，由於在頂部發射式 有機ELD _機EL紅翻形成陰極，㈣解與光線透射受到限制， 以致於光線雜鱗降低。如果形成薄膜錢化層績止光線透射之減 少，則此雜式聽層無法防止外部空氣滲人於此震置中。 【發明内容】 因此’本發明是關於有機電致發光顯示裝置及其製造方法，其實質上 避免由於習知技術之限制與缺點所產生之_或多個問題。 本發明之目的為：提供—種有機電致發光裝置，其藉由在各基板上形 成陣列層與械電致發光二極體且將鱗基滅_製成；以及提供其製 造方法。 本發明另-目的為提供_側壁，其可將電極材料層分隔成多個電極。 本毛月八他之特點與優點將在以下描述中說明，且其一部份由此描述 為明顯’或由本發明之韻^得知。本發明之目的與其他優點將藉由在所 U“述中特犯曰出之結構與其申請專利範圍以及所附圖式而實施與獲 得。 為了 成根據本*明目的之此等與其他優點，如同所實現與廣泛說明 者，此有機電致發光裝置包括··彼此面對且互相間隔之第一與第二基板。此 第/、第一 包括·像素區；在第一基板内表面上之閘極、線；與閘極線 1250814 相交之資料線：與閘極線與資料線滅接之切換薄職晶體；與切換薄膜 電晶體相連接之驅動薄膜電晶體；與驅動薄膜電晶體相連接之電源線；在 第二基板内表面上之第-電極；在像素區邊界第—電極上之第_側壁與第 二側壁；此第，壁與第二继彼關隔；在像素區中第—電極上之電致 發光層；在像素區中電致發光層上之第二f：極；以及電性連接至第一與第 二基板之連接電極。 在另-觀點中，此有機電致發光裝置之製造方法包括··在包括像素區之 第-基板上形成閘極線；形成與閘極線相交之㈣線；在閘極線與資料線 相又口 形成切換薄膜電晶體；形成連接至切換薄膜電晶體之驅動薄膜電 晶體；形成連接至__電晶體之電源線；在第二基板上之像素區域上 形成第-f極··在像素區邊界形成彼關隔之第―側壁與第二侧壁，·在像 素區中第-電極上形成電致發光層；在電致發光層上形絲二電極；形成 電性連接至第-與第二基板之連接電極；以及裝附此第_與第二基板。 在另一觀點中，此用於此有機電致發光裝置之基板包括··包含像素區之 基板；在基板整個内表面上之第一電極；在像素區邊界第一電極上之第一 側壁與第二側壁；彼此間隔之第一側壁與第二側壁；在像素區中第一電極 上之電致發光層；以及像素區中電致發光層上之第二電極。 在另一觀點中，此製造用於有機電致發光裝置之基板之方法包括··在具 有像素區之基板上形成第一電極；在像素區域邊界之基板上形成彼此間隔 之第一與第二側壁；在像素區中第一電極上形成電致發光層；以及像素區 中電致發光層上形成第二電極。 16 1250814 應瞭解以上之-般性說明與以下詳細描述為典範與說明 ，其用意為提 供所主張本發明之進一步說明。 此等所_式，其提供本發明進—步瞭解被包括於此說明書中構成其 一部份’其與此描述，·本發明之實施例，崎釋本發明之原理。 【實施方式】 現在詳細·本發雜佳實施例，而在_圖巾說明其例。 第9圖為概要纖_，其顯示根據本發明實關之雙板式有機電致 卷光衣置。如同於第9圖中所示，此有機電致發光裝置(ELD)·包括：第 -基板100與第二基板2〇〇，其面向第一基板i 〇〇且與其間隔。此第一基板 00契第一基板2〇〇各包括：陣列裝置(未圖示換有機電致發光二極體(未圖 不）。此外’以密封劑300將第一基板1〇〇與第二基板2〇〇裝附。 在第-與第二基板動與勘中界定多個像素區“p，，。在靠近像素區“p” 之第-基板100之内表面上形成：切換TFT(未圖示)與驅動Μ%”。雖然 在第9圖中亚未顯不，在基板1〇〇之内表面上形成多個陣列線，例如：間極 線、資料線、以及電源線。第一電極2〇2形成於第二基板2〇〇之内表面上。 此外，多侧壁206形成於各像素區“p”間邊界之第一電極2〇2上。相鄰側 壁206彼此間隔，例如，側壁2〇6可以界定平面圖中之點陣輪廊。此外， 側壁206具有倒梯形之形狀，以致於側f规之寬度沿著對第二基板勘 垂直線垂直測量的話，離第二基板逐漸增加，且在靠近第二基板200 之處為最薄。 在第-電極2〇2上依序形成多個有機電致發光層2〇8與多個第二電極 17 1250814 210。側壁206將有機電致發光層208與第二電極210分隔成：使用倒梯形 之各像素區“P”。例如，如果第一電極2〇2作用為陽極，則第一電極2〇2 疋由以下所構成金屬組之一所製成：銦錫氧化物(ITO)與銦辞氧化物 (ιζο)。例如，如果第二電極210作用為陽極，則第二電極21〇是由以下所 構成透明導電金屬組之—所製成：約㈣、紹(A1)、鎭(Mg)、或雙金屬層例 如氟化鋰/鋁(LiF/Al)。 第10圖為概要平面圖，其顯示根據本發明實施例之雙側壁以界定點陣 輪廓。如同於第10圖中所示，在第二基板細上之第一電極2〇2上界定多 個像素區“P”。在像素區“P”各邊界之第一電極2〇2上形成多侧壁2〇6。此 側壁206界定相鄰像素區“p”間之間隔“κ，，，以致於有機電致發光層规(第9 圖)與第二電極2Η)(第9圖)可被麵成各像素區“ρ，，，且由具有間隔τ於其 間之側壁206所分隔。 雖然在第10圖中未顯示，此間隔“Κ”之寬度可以小於側壁施之高度。 此側壁206在橫截面中具有倒梯形形狀或倒圓錐形狀，且在平面圖中界定 點陣輪廓。如果第二電極21〇(第9 _用為陰極，則此第二電極21〇(第9 圖)可以由下列之-製成:八1心构、或雙金屬層1^廳。此第二電極21〇(第 9圖)可以由熱蒸鍍法或電子射線蒸鍍法形成。 第11Α至11C圖為概要橫截面圖，其顯示根據本發明實施例之雙板式有 機電致發錄置之TFT陣列基板之製造過程。如同於第Μ圖中所示，在第 -基板励中界定多個像素區“Ρ”(第9圖），在此基板上形成緩衝層撤。此 緩衝層撤可以由下列所構成石夕絕緣材料組之—所製成：氮化石夕與二 18 1250814 氧化矽(Si02)。 藉由沉積本質多晶石夕材料以及藉由使用去氫作用之結晶過程、在緩衝芦 102上形成多個活性層1〇4。此活性層1〇4包括活性區104a、與靠近此活性 區104a之源極與汲極區i〇4b與104c。閘極絕緣層1〇6形成於具有活性芦1〇4 之第一基板100之整個表面上。閘極絕緣層106可以由無機絕緣材料組之一 所製成，其包括：氮化矽(SiNx)與二氧化矽(Si〇2)。此等多個閘極電極1〇8形 成於對應活性區104a之閘極絕緣層1〇6上。可以將源極區1〇牝與汲極區1〇如 上閘極絕緣層106上之部份蝕刻以曝露源極區1〇413與汲極區1〇知。此閘極 電極108可以由導電金屬組之一所製成，其包括：鋁(A1)、A1合金、銅(Cu)、 鎢(W)、鈕(Ta)、以及鉬(Mo)。 雖然於第11A圖中並未顯示，此具有閘極電極1〇8之第一基板1〇〇以下 列凡素摻雜：包括硼(B)之第III族元素或包括磷(p)之第v族元素。特定而 言，此源極與沒極區l〇4b與l〇4c被摻雜。中間層11〇形成於具有閘極電極 應之基板100上。此外，此中間層11〇包括第一與第二接觸孔ιΐ2與ιΐ4 其各曝露經摻雜之源極與汲極區1G4b與胸。此中間層則可以藉由將與 閘極絕緣材料106相同之材料沉積與圖案化而形成。 士同於第11B圖中所示，此等多個源極與沒極電極116與各經由第 -與第二接觸孔112與114而接觸活性層刚之經換雜源極與沒極區獅 兵购。鈍化層12〇藉由以下方式形成於包括源極與沒極電極削與川之 第基板100上·藉由將播機絕緣材料組或包括環苯丁稀(BCB)、丙稀樹脂之 有機絕緣材料組之-，藉由沉積、塗佈、以及圖案化而形成。此鈍化層12〇 19 1250814 包括汲極接觸孔122其曝露汲極電極118之一部份。 雖在第11B圖中未顯不’此使用有機電致發光裝置之薄膜電晶體包括: 切換薄膜電晶體與驅動薄膜電晶體。此切換薄膜電晶體具有：切換間極電 極、切換半導體層、切換雜雜、以及切觀極電極。此驅轉膜電晶體 具有：驅動閘極電極、驅動半導體層、驅動源極電極、以及驅動沒極電極。 此驅動閘極電極連接至切換祕電極。此轉源極雜連接至電源線，而驅 動汲極電極連接至有機電致發光裝置之電極之一。 如同於第11C圖中所示’此等多個連接電極m藉由將導電金屬材料沉 積與圖案化而形成於鈍化層12()上。此連接電極124經由汲極接觸孔⑵連 接至汲極電極118。 弟12A至12D圖為概要橫截面圖，其顯示根據本發曰月實施例之具有雙板 式有機電致發光裝置之發光部份之有機電致發光基板之製造過程。如同於第 以圖中所示，在第二基板細中狀多個像素區“p”，在此第二基板上形成 第一電極搬。如果此第-電極202作用為陽極，此第一電極2〇2是藉由將例 如具有高功函數之觸氧化物_)之翻導電之1賴圖案化而製 成。此多個攔截圖案204是藉由以下方式形成於在像素區“p”邊界之第一電極 202上：將例如氮化矽(siNx)與二氧切(Si〇2)之無機絕緣材料沉積與圖案化。 在第⑽®中，側壁施形成於攔截圖案删上。間隔區域“κ”存在介於 相鄰側壁施之間。雖然在第12B中未顯示，此繼2〇6界定在平面圖中之點 陣輪廊。 在第12C圖中， 在第迅極搬上形成多個有機電致發光層2G8，且藉由 20 1250814 側壁206將其自動地分隔成各像素區“p”。此有機電致發光層2〇8包括：紅、 綠、以及藍發光材料層。此有機電致發光層208可以為單層或多層。在多層之 情形中，如果此第-電極202作用為陽極，此有機電致發光層2〇8包括：在第 -電極202上之電洞傳輸層208a、發光層2_、以及在稱後形成第二電極上 之電子傳輸層208c。 在第㈤B中’在具有有機電致發光層观之第二基板2〇〇上形成多個 第二電極2K)。此第二電極21G藉由側壁施自動分隔成各像素區“p”。此外， 第二電極210被防止經由攔戴圖案2〇4與第一電極2〇2短路。此第二電極2ι〇 可以由A卜Ca、Mg、或雙金屬層例如LiF/A1製成。例如，連接電極籲 11圖C)可以由與第二電極训相同材料製成，以改善與第二電極训之接觸 效應。雖然，在第11A至11C圖與第12A至12D圖中並未圖示，其次實施裝 附過程，以密封劑將第一基板1〇〇裝附於第二基板2〇〇。 第13圖為概要橫截面圖，其顯示根據本發明實施例具有雙側壁之有機電 致發光裝置之蒸鍍過程。如同於第13圖中所示，此第二電極2ig是使用金屬 源22〇藉由蒸鑛過程形成。相較於第7圖，此第二電極加可以藉由侧壁施φ 分隔成各像素區“P”，這是因為側壁2〇6具有倒梯形形狀，且相鄰側壁篇具 有間隔“κ”於其間。在未與金屬源22〇之區域直接對應之第二基板細區域中 之側部分“C”中，由於在相鄰側壁施間之間隔“κ，，，金屬源咖之材料並未過 度地沉積於“c”部份中。因此，各第二電極21〇可以獨立地形成於各像素區“P” 中而不會短路。軸並未顯示，間隔T之寬度可則、於趣规之高度。 第14圖為概要橫截面圖，其顯示根據本發明實施例之雙板式PLED。在 21 !25〇814 第Η圖中，第一基板310面對第二基板35〇，此第二基板35〇與第_基板3ΐ〇 間隔。在第一與第二基板310與350中界定多個像素區“ρ”。陣列層34〇形成 於第一基板310之内表面上，且包括多個薄膜電晶體“丁”。在陣列層3仙上形 成多個連接電極330。此連接電極330連接至薄膜電晶體“τ”。例如，此連接 電極330可以經由額外連接裝置連接至薄膜電晶體“丁”。此連接電極別可以 由絕緣材料製成。 此薄膜電晶體“τ”包括：半導電層312、閘極電極314、源極電極316、以 及汲極電極318，且此連接電極330可以連接至汲極電極318。更特定而言， 此在第14圖中所示之薄膜電晶體“τ”作用為驅動薄膜電晶體。雖然，此在第 14圖中所示之薄膜電晶體“Τ”是頂部閘極式薄膜電晶體，且此半導電層312是 由多晶矽製成。此等薄膜電晶體“Τ”可以為底部閘極式薄膜電晶體，且此底部 閘極式薄膜電晶體之半導電層是由非晶矽材料製成。 雖然在第14圖中並未顯示，此陣列層34〇亦可包括多個閘極線、多個資 料線、以及多個電源線。第一電極352形成於第二基板35()之内表面上。紅、 綠以及監聚合物電致發光層360a、360b、以及360c形成於像素區“Ρ”中第一電 極352上。特定而言，此等紅、綠以及藍聚合物電致發光層3·、3_、以 及360c各包括紅、綠以及藍發光層。 此外，多個第二電極362形成於紅、綠以及藍聚合物電致發光層360a、 360b、以及360c上。此第一與第二電極352與362以及其間之聚合物電致發 光層360a、360b、以及360c構成PLED二極體“Dm；，。將來自薄膜電晶體“T，， 之電流供應給二極體“DEL”。更特別而言，將來自薄膜電晶體“τ”之電流供應給 22 1250814 第二電極362。 此由聚合物材料所製之聚合物電致發光層36〇a、36〇b、以及36〇c具有高 耐熱可靠度與良好機械硬度。因此，可以將聚合物材料塗佈於大尺寸模型上。 此外，多個側壁355形成於各像素區“p”間邊界之各第一電極352、聚合物電 致發光層360a、360b、以及360c之間，以致於第二電極362及聚合物電致發 光層360a、360b、以及360c被自動地分隔成各像素區“p，，。 側壁355包括··多個第一與第二負側壁354a與35牝，多個第一與第二正 側壁356a與356b、其各接觸第一與第二負側壁354a與35牝之側。此等第一 與第一負側壁354a與354b具有倒梯形之形狀，以致此等第一與第二負側壁 354a與354b之寬度沿著對第二基板35〇垂直線垂直測量的話，離第二基板35〇 逐漸增加，且在靠近第二基板35G之處為最薄。反之，此等第—與第二正側壁 356a與356b具有倒梯形之形狀，以致此等第一與第二正側壁3恤與佩之 寬度沿著對第二基板350垂直線垂直測量的話，離第二基板35〇逐漸減少，且 在靠近第二基板350之處為最厚。 因此，此第一與第二負側壁354a與354b之外側對第二基板35〇所成之角 度小於大約9〇。。此第一與第二負側壁354a與354b在像素區“p”間之邊界之第 -與第二正側壁356a與通之間。此第一與第二正側壁咖與挪之側對 第二基板350所成之角度大於大約9〇。。此第一與第二正側壁现與挪設 置靠近且介於聚合物電致發光層施、·、以及通之間，而在各像素區“P” 中具有均勻之深度。 連接電極330連接至第二電極362。此來自驅動薄膜電晶體“Td”之電流 23 1250814 經由連接電極330供應至第二電極362。此外，此第一基板310以密封圖案 370裝附於第二基板350,且密封圖案370形成於第一與第二基板310與350 之周圍區域中。 因為聚合物電致發光層360a、360b、以及360c是由聚合物材料製成， 以及側壁355包括負側壁354a、354b以及正側壁356a與356b。由於正側 壁356a與356b，此聚合物電致發光層360a、360b、以及360c在像素“P” 中具有均勻深度，而第二電極362藉由具有其間間隔“K”之負側壁354a、 35北’而被防止在相鄰第二電極362間短路(第1〇圖）。此正側壁35如與35奶 作為負側壁354a、354b之補償圖案。此外，由於有機eld是頂部發射式， 可以獲得高孔徑比。由於包括薄膜電晶體與有機EL二極體之陣列層獨立地 形成各基板上，可以防止由於有機EL二極體製程之不想要之效應，因此改 善整個製造良率。 第I5圖為概要橫截面圖，其顯示根據本發明實施例之雙板式有機電致 發光裝置之正與負觀之角色。如同於第15圖中所示，在基板㈣中界定 夕個像素區p，在此基板上形成第_電極452。第一與第二負側壁45如與 454b、及第-與第二正側壁45&與佩，形成於像素區“p”之邊界之第一 电極452上。此外’第-與第二負側壁45如與柄^彼此間隔，且第一與第 二正側壁456a與456b接觸第_與第二負側壁恤與秘之側面。此第一 ”第-負側土 454a兵454b具有倒梯形之形狀，且此第一與第二正讎4施 與456b之外側對基板45〇所成之角度“ 0 3,，大於大約％。。 在使用聚合物材料之情形中，可以藉由負與正側壁仙、偏、輪、 24 1250814 456b將聚合物電致發光層46〇a、460b、460c、與第二電極462a、462b、462c 分隔成各像素區“P”。此負側壁45知與45牝彼此間隔，而第一與第二正側 壁456a與456b與第一與第二正側壁456a與456b之側接觸而形成於第一電 極452上。 第16A至16D圖為概要橫截面圖，其顯示根據本發明實施例之具有雙 板式PLED之發光部份之有機電致發光基板之製造過程。如同於第ι6Α圖 中所示，第一電極352形成於第二基板350上，其包括具有多個像素區“p” 之顯示區“DR”。第一與第二負側壁45如與4541)形成於像素區“p”邊界之 第一電極352上。第一與第二負側壁454a與454b彼此間隔。此負側壁35乜 與354b之側對第二基板350所形成之角度小於大約9〇。。 如同於第16B圖中所示，此第一與第二正側壁35如與35奶形成於第 二基板350上，且與第一與第二負側壁35如與35413之側接觸。此第一與 第二正側壁356a與356b之斜率對應於第一與第二負側壁必如與45牝之 倒斜率。此第一與第二正側壁356a與356b之側對第二基板35〇所形成之 角度小於大約90°。此外，第一負與正側壁354a與35如可以構成第一側 壁358a，以及第二負與正側壁遍與鳩可以構成第一側壁遍。此 第一與第二側壁358a與358b彼此間隔，且各具實質平行之正與負斜面。 應注意，第一與第二側壁358a與358b之第一外側“S1，，對第二基板35〇 形成大於大約90°之角度“Θ4”；而第一與第二側壁35如與358b之第二外 側“S2”對第二基板350形成小於大約90。之角度“θ5，，。此第一外側‘別，，位 於靠近像素區“P”，以及第二外側“S2”位於第—與第二側壁施與3娜 25 1250814 間相對部份中。 ^此第-與第二罐358a與邊可以制光學有機材料藉由微影術過 私域’ _1_其傾斜形狀可以根據光學有機材料而改變，且此等負與正側壁 354a、354b以及356a、356b可以具有彼此不同形狀。 如同於第16C目中所示，聚合物電致發光層施、鳩、以及36〇c 藉由覆蓋聚合物材料而形成於第—電極松上，且藉由第—與第二側壁 孤與娜被自動分隔成各像素區“p，，。此聚合物電致發光層偷、鳩、 以及360c藉由第一與第二正側壁35知與獅之正斜面、在第一側‘⑴” 中接觸第-與第二側壁孤與働，且在像素區“p”中具有均勻深度。 如同在第10D圖中所不，藉由在各像素區“p”中沉積導電金屬材料， 而在聚合物電致發光層施、鳩、以及麻上形成翅第二電極遍、 362b、362c。此等第二電極362a、362b、362e，藉由彼此間隔之第一與第 二側壁358a與358b，被自動分隔成各像素區“p，，。 此第一與第二側壁358a與358b之第二外側“S2，，對第二基板35〇形成 小於大約90。之角度。此導電金屬材料可以藉由第一與第二側壁3撕與 遍間之間隔“K”而分隔，因此，此等第二電極麻、遞、逾可以被 自動分隔成各像素區“P”而無須額外過程。 在使用聚合物材料之情形巾，聚合物電致發光層36Ga、36Gb、360c 與第二電極362a、362b、362c，可以藉由第一與第二側壁358a與358b， 被分隔成各像素區“p”。此第一與第二側壁358a與358b包括：第一與第 一^側壁356a與356b、以及第一與第二負側壁％如與354b。 26 1250814 第ΠΑ至ΠΒ圖為概要橫截面圖，其顯示根據本發明實施例之具有 雙板式PLED之發光部份之有機電致發光基板之製造過程。如同第ΐ7Α圖 中所示，此薄膜電晶體“Τ”形成於第一基板彻上。各薄膜電晶體包括：半 導電層312、閘極電極314、源極電極316、以及及極_ 318。雖然在第 17Α圖中顯示此_電晶體“τ”為頂部閘極式，然而，此_電晶體“丁”可 以為底部閘極式。此外，此半導電層川可以從非晶秒與多晶秒之一選出。 雖然，在第17Α圖中未顯示，此薄膜電晶體“τ，，包括：在各像素區中 所形成之切換薄膜電晶體與驅動薄膜電晶體。於第一基板上亦形成一 閘極線、與閘極線相交之—資料線、以及電源線。此外，切換薄膜電晶體 位於靠近閘極線與資料線之交點。此外，在此第17β圖中所示之薄膜電晶 體”Τ”作用為驅動薄膜電晶體。 士同於第17Β目中所示，鈍化層320形成於具有薄膜電晶體“丁”之第 一基板310上。在鈍化層32〇上形成多個連接電極33〇 ,且由導電金屬材 料製成。特定而言，此連接電極33〇連接至汲極電極318。雖然，在第ΐ7β 圖中未顯示’在形成此第-與第二基板之過程完成後，在第—與第二基板 之上之顯示區之周圍區域形成密封圖案。其次，以密封圖案將第一與第 二基板裝附’且藉由連接電極33G彼此連接。同時，此根據本發明之第一 與第二側壁358a與358b(第16D圖)可以形成於在相同基板中具有有機電 致發光二極體與陣列元件層之〇LED上。 本發明之有魏錄錢轉置(ELD)及其觀方法具有制優點。 弟 由於此有機eld為頂部發射式，可以獲得高孔徑比。第二，由於 27 1250814 此包括薄膜電晶體與有機EL二極體之陣列層獨立地形成於各別基板上， 可以防止由於錢乱二極鮮造過程之賴欲讀應，目此可以改善整 體製造良率。第三’由於在橫截面圖中此側壁具有：在相鄰側壁間之間隔 區域與倒_形狀，可以獨立地形絲二電極，且可崎止各像素區與相 4像素區祕。此外，不再須要鱗步驟，因此可贿善製造良率。第四， 聚合物電致發光層可以具有均勻深度，且可以藉由側壁將第二電極分隔成 各像素區。此等繼包括具有貞斜率之貞繼與具有正斜率之正側壁，因 此減少製喊本錢程_，且提供具枝善性狀〇腳。 熟習此技術人士瞭解，可以對於本發明之有機電致發光裝置及其製造 方法中作各種修正與變化而不會偏離本發明之精神與細。目此，其用 意為本發明在卿mt專纖_料同物範圍内之修正與變化。 【圖式簡單說明】 第1圖為概要橫截面圖’其顯示根據習吨術之主動矩陣式有機電致發光 顯示装置； 第2圖為概要平關，其顯示根據f知技術之有機電致發光裝置之陣列層； 第3圖為沿著第2圖ΙΙΙ-ΠΙ線之概要橫截面圖； 第4圖為概要橫截面圖，其顯示根據習知技術之側壁結構； 第5圖為概要平面圖，其顯示根據習知技術之側壁結構； 第6圖為沿著第5圖IV_IV線之概要橫截面圖； 第7圖為概要橫截關，其顯示藉由陰影遮罩法之蒸鏡過程； 28 1250814 第8圖為概要橫截面圖，其顯示根據習知技術應用至PLED之使用負側壁 之有機電致發光裝置； 弟9圖為概要橫截面圖，其顯示根據本發明實施例之雙板式有機電致發光 裝置； 弟10圖為概要平面圖，其顯示根據本發明實施例之雙側壁以界定點陣輪庵； 第11A至lie圖為概要橫截面圖，其顯示根據本發明實施例之雙板式有機 電致發光裝置之TFT陣列基板之製造過程： 弟12A至12D圖為概要橫截面圖，其顯示根據本發明實施例之雙板式有機 電致發光裝置之TFT陣列基板之製造過程： 第13圖為概要橫截面圖，其顯示根據本發明實施例具有雙側壁之有機電致 發光裝置之蒸鍍過程： 第14圖為概要橫截面圖，其顯示根據本發明實施例之雙板式: 第15圖為概要橫截面圖，其顯示根據本發明實施例之雙板式有機電致發光 裝置之正與負側壁之角色： 第16A至16D圖為概要横截面圖，其顯示根據本發明實施例之具有雙板式 PLED之發光部份之有機電致發光基板之製造過程：以及 第ΠΑ至ΠΒ圖為相見要橫截面圖，其顯示根據本發明實施例之雙板式 之TFT陣列基板之製造過程。 29 【元件符號說明】 固定元件 有機電致發光裝置 第一基板 第一電容器電極 陣列層 第一電極 有機電致發光層 第二電極 乾燥劑 閘極線 資料線 切換閘極電極 密封劑 第二基板 切換活性層 電源線/第二電容器電極 切換源極電極 第二接觸孔 切換汲極電極 驅動活性層 30 驅動汲極電極 第一接觸孔 驅動源極電極 絕緣層 驅動閘極電極 基板 第一電極 側壁 電致發光層 第一電極 基板 聚合物電致發光層 聚合物電致發光層 聚合物電致發光層 第一電極 第二電極 弟二電極 第二電極 側壁 電致發光材料 電致發光層 31 第二電極材料 第二電極 金屬源 第一基板 緩衝層 活性層 活性區 源極區 >及極區 閘極絕緣層 閘極電極 中間層 第一接觸孔 第二接觸孔 源極電極 汲極電極 鈍化層 汲極接觸孔 連接電極 第二基板 第一電極 32 攔截圖案 側壁 有機電致發光層 電洞傳輸層 發光層 電子傳輸層 第二電極 金屬源 有機電致發光層 密封劑 第一基板 半導電層 閘極電極 源極電極 >及極電極 鈍化層 連接電極 陣列層 第一電極 第一負側壁 第二負側壁 33 1250814 356a 第一正側壁 356b 第二正側壁 350 第二基板 355 側壁 358a 第一側壁 358b 第一側壁 362 第二電極 362a 第二電極 362b 第二電極 362c 第二電極 370 密封圖案 360a 聚合物電致發光層 360b 聚合物電致發光層 360c 聚合物電致發光層 450 基板 452 第一電極 454a 第一負側壁 454b 第二負側壁 456a 第一正側壁 456b 第二正側壁 460a 聚合物電致發光層
34 1250814 460b 聚合物電致發光層 460c 聚合物電致發光層 462a 第二電極 462b 第二電極 462c 第二電極 A 部份 C 部份 dl 第一深度 d2 第二深度 DR 顯不區 Del 有機電致發光二極體 Cst 儲存電容器 EL 電致發光裝置 K 間隔 P 像素區 SI 第一外側 S2 第二外侧 T 薄膜電晶體 TD 驅動薄膜電晶體/驅動元件 Ts 切換元件 (91 角度
35 1250814 Θ2 角度 Θ3 角度 ΘΑ 角度 Θ5 角度 a 1 角度
36

Claims (1)

1250814 十、申請專利範圍： 1· 一種有機電致發光裝置，包括： 彼此相面對且間隔之第一與第二基板；此第一與第二基板包括像素區； 在第一基板内表面上之閘極線； 與閘極線相交之資料線； 與閘極線以及資料線相連接之切換薄膜電晶體； 與此切換薄膜電晶體相連接之驅動薄膜電晶體； 與此驅動薄膜電晶體相連接之電源線； 在第二基板内表面上之第一電極； 在像素區邊界第一電極上之第一側壁與第二側壁，此第一側壁與第二側 壁彼此間隔，其中，此第-側壁與第二側壁之相面對之内側對應於負 斜面； 在像素區中第一電極上之電致發光層； 在像素區中之電致發光層上之第二電極；以及 電性連接至第一與第二基板之連接電極。 2.如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中 且其中，此負斜面與正斜 此第一側壁與第二側壁之外側對應於正斜面， 面實質上平行。 ，其中 3.如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置 電致發光層包括聚合物材料。 1250814 4. 知申請專繼圍第1項之有«致發錄置，其中 二基板各呈大於大 此等靠近像素區之第―側壁與第二繼之外側對第 約90°之角度。 5·如申請補翻第4項之麵f致發光裝置，其中 此等彼此面對㈣呈小於大約 90°之角度。 6·如申請專繼_項之有機電致發光裝置，其中 此第-側壁包括第一負側壁一 土〜弟正側i，且此弟二侧壁包括第二負側 壁與第二正側壁。 7·如申請補細第6項之麵電致發《置，其中 此第一與第二負側壁彼此間隔，且各此第-與第二負側壁具有倒梯形形 狀，以致於側壁之寬度沿著對第二基板垂直線垂直測量的話，離第二基 板逐漸增加’且在靠近第二基板之處為最薄。 8. 士 u她®第7項之有機電致發絲置，其中 此等第一與第二負側壁之外側對第二基板各呈小於大約90。之角度 ‘第二負側壁，且各此第一與第 壁之見度沿著對第二基板垂直線垂直測 9. 如申請__6項之有機電致發絲置，其中 此第一與第二正側壁接觸第一 .正側壁 具有倒圓錐形狀，以致於此正側 38 1250814 具有倒圓錐雜，以致於此正側壁之寬度沿著對第二基板垂直線垂直測 量的話，離第二基板逐漸減少，且此正側壁在靠近第二基板之處為最寬。 10·如申請專利範圍第9項之有機電致發光裝置，其中 此等第一與第二正側壁之外側對第二基板各呈大於大約9〇。之角度。 11·如申請專利範圍第丨項之有機電致發光裝置，其中 此第一電極作用為陽極。 12·如申請專利範圍第丨項之有機電致發光裝置，其中 · 此弟二電極作用為陰極。 13·如申請專利範圍第山員之有機電致發光裝置，其中 此第-電極包括：銦錫氧化物(IT〇)與銦鋅氧化物(ιζ〇)之一。 14·如申請專利範圍第12項之有機電致發光裝置，其中 此第二電極包括：鈣(Ca)、鋁(A1)、鎂(Mg)之一。 15·如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中 此切換薄膜電晶體包括：連接至_線之__電極，連接資料線之 切換源極電極、以及與切換源極電極分開之切換汲極電極；以& 此驅動薄膜電晶體包括：連接至切換汲極電極之驅動閘極電極，連接電 源線之驅動源極電極、以及連接至連接電極之驅動沒極電極。 16_如申明專利圍第1項之有機電致發光裝置，其中 39 1250814 17. 18. 19. 20. 21. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中 此連接電極連接至驅動_電晶體與第二電極。 如申明專魏圍第17項之有機電致發光裝置，其中 此連接電極包括與第二電極㈣之材料。 如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中 此電致發光層包括：電洞傳輪層、發光層、以及電子傳輪層， 輸層將來自陽極之電洞供應給發光層， 此電子傳輸層將來自陰極之電子供應給發光層。 如申请專利範圍第1項之有機電致發光裝置，更包括 第一電極與第二電極間像素區域邊界之攔截圖案。 一種製造有機電致發光裝置之方法，其包括以下步驟： 在包括像素區之第一基板内上形成閘極線； 形成與閘極線相交之資料線； 與閘極線以及資料線相交部份中形成連接至閘極線與資料線之切換 膜電晶體； < 形成連接至切換薄膜電晶體之驅動薄膜電晶體； 形成連接至驅動薄膜電晶體之電源線； 在第二基板上像素區上形成第一電極； 在像素區之邊界形成彼此間隔之第一與第二側壁，其中，此第一側 此電洞傳 壁 1250814 與第二側壁之相面對之内側對應於負斜面； 在像素區中第一電極上形成電致發光層； 在電致發光層上形成第二電極； 形成電性連接至第一與第二基板之連接電極；以及 將第一與第二基板裝附。 22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中 此第-側壁與第二側壁之外侧對應於正斜面，且其中，此負斜面與正斜 面實質上平行。 g 23. 如申請專利範圍第21項之方法，其中 此電致發光層藉由覆蓋聚合物材料而形成。 24·如申請專利範圍第21項之方法，其中 此等靠近像素區之第-側壁與第二側壁之外側對第二基板各呈大於大 約90°之角度。 25·如申請專利範圍第24項之方法，其中 此等彼此面對之第-側壁與第二側壁之外側對第二基板各呈小於大約 90°之角度。 26.如申請專利範圍第21項之方法，其中 形成第-與第二側壁包括形成彼此間隔之第一與第二負側壁，且第一 與第二負側壁各具有娜形形狀，以致於罐之寬度沿著對第二基板 41 1250814 “、、、t垂直測里的5舌’離第二基板逐漸增加’且在靠近第二基板之處 為最薄；以及 7成第與第_正側壁其接觸靠近第—與第二負繼之外側，此第一 ”第—正繼具有__狀，以致於此正讎之寬度沿著對第二基 板垂直線垂直測量_，離第二基板逐漸減少，且在靠近第二基板之 處為最寬。 27·如申請專利範圍第26項之方法，其中 此等第-與第二負側壁之外側對第二基板各呈小於大約9〇。之角度。 28·如申請專利範圍第26項之方法，其中 此等第一與第二正側壁之外側對第二基板各呈小於大約9〇。之角度。 29.如申請專利範圍第21項之方法，其中 此第一電極作用為陽極。 30·如申請專利範圍第21項之方法，其中 此弟一電極作用為陰極。 31.如申請專利範圍第29項之方法，其中 此第一電極包括··錮錫氧化物(ITO)與銦鋅氧化物(IZO)之一。 32·如申請專利範圍第3〇項之方法，其中 此第二電極包括：！弓(Ca)、|呂(A1)、鎮(Mg)之一。 42 1250814 33·如申請專利範圍第21項之方法，其中 此切換薄膜電晶體包括··連接至閘極線之切換閘極電極，連接資料線之 切換源極電極、以及與切換源極電極分開之切換汲極電極；以及 此驅動薄膜電aa體包括：連接至切換汲極電極之驅動卩雜電極，連接電 源線之驅動源極電極、以及連接至連接電極之驅動没極電極。 34. 如申請專利範圍第21項之方法，其中 電源線與閘極線相交，且與資料線間隔。 35. 如申請專利範圍第21項之方法，其中 此連接電極連接至驅動薄膜電晶體與第二電極。 36·如申請專利範圍第35項之方法，其中 此連接電極包括與第二電極相同之材料。 37·如申請專利範圍第21項之方法，其中 此電致發光層包括：電洞傳輸層、發光層、以及電子傳輸層，此電洞傳 輸層將來自陽極之電洞供應給發光層， 此電子傳輸層將來自陰極之電子供應給發光層。 38·如申請專利範圍第21項之方法，更包括 在第一電極、第一側壁第二側壁間像素區邊界形成攔截圖案。 39· —種用於有機電致發光裝置之基板，包括： 43 1250814 基板，其包括像素區； 在基板整個内表面上之第一電極； 在像素區邊界第一電極上之第一與第二側壁，此第一與第二側壁彼此 間隔，其中，此第一側壁與第二側壁之相面對之内側對應於負斜 面； 在像素區中第一電極上電致發光層；以及 在像素區中電致發光層上第二電極。 40·如申請專利範圍第39項之基板，其中 此第-側壁與第二侧壁之外侧對應於正斜面，且其中，此負斜面輿正 斜面實質上平行。 夂 41· -種製造用於有機電致發光裝置之基板之方法，其包括以下步驟： 在具有像素區之基板上形成第一電極； 在像素區邊界之第一電極上形成彼此間隔之第一與第二側壁，其中 此第側壁與第二側壁之相面對之内側對應於負斜面； 在像素區中第一電極上形成電致發光層；以及 在像素區中電致發光層上形成第二電極。 42·如申請專利範圍第41項之方法，其中 此負斜面與正 匕第側壁與第二側壁之外側對應於正斜面，且其中， 斜面實質上平行。 44
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