JP2000208489A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2000208489A JP2000208489A JP11005620A JP562099A JP2000208489A JP 2000208489 A JP2000208489 A JP 2000208489A JP 11005620 A JP11005620 A JP 11005620A JP 562099 A JP562099 A JP 562099A JP 2000208489 A JP2000208489 A JP 2000208489A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属層表面の腐食やフォトレジスト残滓の発
生を防止することにより、金属層の密着性が向上された
半導体装置を提供する。 【解決手段】 第二金属層３のみをエッチング成形し、
第二金属層３を覆うように第三金属層５を形成し、さら
に、第二金属層３の表層に形成された第三金属層５を覆
うフォトレジストパターン６を形成した後に、フォトレ
ジストパターン６をエッチングマスクとしたドライエッ
チングを行うことにより、第二金属層３の表面をエッチ
ングガスに曝すことなく、第一金属層２と第三金属層５
とを同時にエッチング成形する。
生を防止することにより、金属層の密着性が向上された
半導体装置を提供する。 【解決手段】 第二金属層３のみをエッチング成形し、
第二金属層３を覆うように第三金属層５を形成し、さら
に、第二金属層３の表層に形成された第三金属層５を覆
うフォトレジストパターン６を形成した後に、フォトレ
ジストパターン６をエッチングマスクとしたドライエッ
チングを行うことにより、第二金属層３の表面をエッチ
ングガスに曝すことなく、第一金属層２と第三金属層５
とを同時にエッチング成形する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に、トランジスタを形成するゲート構造を有
する半導体装置の製造方法に関するものである。
に関し、特に、トランジスタを形成するゲート構造を有
する半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体のトランジスタ特性向上の
ために、様々なゲート構造が提案されている。以下に、
従来の半導体基板の製造方法について、図７ないし図１
２を参照しながら説明する。
ために、様々なゲート構造が提案されている。以下に、
従来の半導体基板の製造方法について、図７ないし図１
２を参照しながら説明する。
【０００３】従来の半導体基板の製造方法においては、
まず、図７に示すように、ガラス基板５１上に、周知の
スパッタリング法により、第一金属層５２をチタン（Ｔ
ｉ）で形成し、第二金属層５３をアルミニウム（Ａｌ）
で形成する。
まず、図７に示すように、ガラス基板５１上に、周知の
スパッタリング法により、第一金属層５２をチタン（Ｔ
ｉ）で形成し、第二金属層５３をアルミニウム（Ａｌ）
で形成する。
【０００４】次に、図８に示すように、リソグラフィー
により、エッチングマスクとして機能するフォトレジス
トパターン５４を、第二金属層５３上に形成する。そし
て、図９に示すように、ウエットエッチにより、第二金
属層５３を所定の形状に成形する。
により、エッチングマスクとして機能するフォトレジス
トパターン５４を、第二金属層５３上に形成する。そし
て、図９に示すように、ウエットエッチにより、第二金
属層５３を所定の形状に成形する。
【０００５】さらに、図１０に示すように、フォトレジ
ストパターン５４を介したドライエッチにより、第一金
属層５２を所定の形状に成形する。次に、図１１に示す
ように、フォトレジストパターン５４を除去した後、ス
パッタリングにより、第三金属層５５をチタンで形成す
る。
ストパターン５４を介したドライエッチにより、第一金
属層５２を所定の形状に成形する。次に、図１１に示す
ように、フォトレジストパターン５４を除去した後、ス
パッタリングにより、第三金属層５５をチタンで形成す
る。
【０００６】そして、第三金属層５５が第一金属層５２
と第二金属層５３とを被覆した状態に形成するために、
図１２に示すように、リソグラフィーにより、フォトレ
ジスト５６のマスクパターンを形成する。そして、フォ
トレジスト５６を介したドライエッチングを行った後
に、フォトレジスト５６を除去することにより、図１３
に示すように、第三金属層５５が、第一金属層５２と第
二金属層５３とを被覆した状態に形成される。
と第二金属層５３とを被覆した状態に形成するために、
図１２に示すように、リソグラフィーにより、フォトレ
ジスト５６のマスクパターンを形成する。そして、フォ
トレジスト５６を介したドライエッチングを行った後
に、フォトレジスト５６を除去することにより、図１３
に示すように、第三金属層５５が、第一金属層５２と第
二金属層５３とを被覆した状態に形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体基板の製造方法においては、フォトレジ
ストパターン５４を介して第一金属層５２を所定の形状
に成形する際に、塩素系ガスを用いたドライエッチを行
う。このとき、第二金属層５３の側壁が、エッチングガ
スに曝される。
た従来の半導体基板の製造方法においては、フォトレジ
ストパターン５４を介して第一金属層５２を所定の形状
に成形する際に、塩素系ガスを用いたドライエッチを行
う。このとき、第二金属層５３の側壁が、エッチングガ
スに曝される。
【０００８】これにより、第二金属層５３が腐食された
り、フォトレジストパターン５４の一部が変質または硬
化することにより、フォトレジストパターン５４を除去
する工程で、フォトレジストパターン５４の残滓が発生
することがある。その結果、後に第三金属層５５を形成
する際に、第二金属層５３と第三金属層５５との密着性
が悪くなり、トランジスタ特性不良が生じたり、後工程
で膜剥がれが発生したりするという問題があった。
り、フォトレジストパターン５４の一部が変質または硬
化することにより、フォトレジストパターン５４を除去
する工程で、フォトレジストパターン５４の残滓が発生
することがある。その結果、後に第三金属層５５を形成
する際に、第二金属層５３と第三金属層５５との密着性
が悪くなり、トランジスタ特性不良が生じたり、後工程
で膜剥がれが発生したりするという問題があった。
【０００９】本発明は上記の問題を解決するために、金
属の腐食やフォトレジスト残滓の発生を防止することに
より、金属層の密着性が向上された半導体装置を提供す
ることを目的とするものである。
属の腐食やフォトレジスト残滓の発生を防止することに
より、金属層の密着性が向上された半導体装置を提供す
ることを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に第一
金属層および第二金属層を順次形成する工程と、前記第
二金属層のみをエッチング成形する第一のエッチング工
程と、前記第二金属層を覆うように第三金属層を形成す
る工程と、前記第二金属層の表層に形成された第三金属
層を覆うエッチングマスクを形成する工程と、前記エッ
チングマスクを介して、第一金属層と第三金属層とを同
時にエッチング成形する第二のエッチング工程とを含む
ことを特徴とする。
めに、本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に第一
金属層および第二金属層を順次形成する工程と、前記第
二金属層のみをエッチング成形する第一のエッチング工
程と、前記第二金属層を覆うように第三金属層を形成す
る工程と、前記第二金属層の表層に形成された第三金属
層を覆うエッチングマスクを形成する工程と、前記エッ
チングマスクを介して、第一金属層と第三金属層とを同
時にエッチング成形する第二のエッチング工程とを含む
ことを特徴とする。
【００１１】この製造方法によれば、第一のエッチング
工程において成型された第二金属層の表面は、第二のエ
ッチング工程において、第三金属層とエッチングマスク
とに覆われており、エッチング剤に曝されない。これに
より、第二金属層の表面がエッチング剤によって腐食さ
れることがなく、従来のように、第二金属層をエッチン
グする際に用いられたエッチングマスクの残滓が発生す
ることもないので、第二金属層と第三金属層との密着性
が向上された半導体装置を提供することが可能となる。
工程において成型された第二金属層の表面は、第二のエ
ッチング工程において、第三金属層とエッチングマスク
とに覆われており、エッチング剤に曝されない。これに
より、第二金属層の表面がエッチング剤によって腐食さ
れることがなく、従来のように、第二金属層をエッチン
グする際に用いられたエッチングマスクの残滓が発生す
ることもないので、第二金属層と第三金属層との密着性
が向上された半導体装置を提供することが可能となる。
【００１２】前記の半導体装置の製造方法は、第二のエ
ッチング工程において、エッチングガスを用いたドライ
エッチングを行うことが好ましい。
ッチング工程において、エッチングガスを用いたドライ
エッチングを行うことが好ましい。
【００１３】この製造方法によれば、第二のエッチング
工程において、第二の金属層がエッチングガスに曝され
ないので、第二金属層の表面がエッチングガスで腐食さ
れることが防止される。これにより、第二金属層と第三
金属層との密着性が向上すると共に、ドライエッチング
は微細加工に適しているので、さらに微細なパターンの
半導体装置を提供することも可能となる。
工程において、第二の金属層がエッチングガスに曝され
ないので、第二金属層の表面がエッチングガスで腐食さ
れることが防止される。これにより、第二金属層と第三
金属層との密着性が向上すると共に、ドライエッチング
は微細加工に適しているので、さらに微細なパターンの
半導体装置を提供することも可能となる。
【００１４】さらに、このエッチングガスとして塩素系
ガスを用いることが好ましい。
ガスを用いることが好ましい。
【００１５】この製造方法によれば、第二のエッチング
工程において、第二の金属層がエッチングガスに曝され
ないので、エッチングレートが高い塩素系ガスを用いて
も、第二金属層の表面が腐食されることが防止され、第
二金属層と第三金属層との密着性が向上された半導体装
置を、効率良く製造することが可能となる。
工程において、第二の金属層がエッチングガスに曝され
ないので、エッチングレートが高い塩素系ガスを用いて
も、第二金属層の表面が腐食されることが防止され、第
二金属層と第三金属層との密着性が向上された半導体装
置を、効率良く製造することが可能となる。
【００１６】また、前記の半導体装置の製造方法は、第
一金属層を、チタン、クロム、およびモリブデンから選
ばれる金属にて形成することが好ましい。
一金属層を、チタン、クロム、およびモリブデンから選
ばれる金属にて形成することが好ましい。
【００１７】前記の半導体装置の製造方法は、第三金属
層を、チタン、クロム、およびモリブデンから選ばれる
金属にて形成することが好ましい。
層を、チタン、クロム、およびモリブデンから選ばれる
金属にて形成することが好ましい。
【００１８】前記の半導体装置の製造方法は、第二金属
層を、アルミニウムまたはアルミニウム合金にて形成す
ることが好ましい。
層を、アルミニウムまたはアルミニウム合金にて形成す
ることが好ましい。
【００１９】前記の半導体装置の製造方法は、第一のエ
ッチング工程において、エッチング溶液を用いたウェッ
トエッチングを行うことが好ましい。
ッチング工程において、エッチング溶液を用いたウェッ
トエッチングを行うことが好ましい。
【００２０】この製造方法によれば、アルミニウムまた
はアルミニウム合金にて形成された第二の金属層のみを
エッチングする第一のエッチング工程において、ウェッ
トエッチングを行うことにより、第二の金属層の表面を
荒らすことなく、所望のパターンに成型することができ
る。
はアルミニウム合金にて形成された第二の金属層のみを
エッチングする第一のエッチング工程において、ウェッ
トエッチングを行うことにより、第二の金属層の表面を
荒らすことなく、所望のパターンに成型することができ
る。
【００２１】前記の半導体装置の製造方法は、エッチン
グ溶液としてリン酸系溶液を用いることが好ましい。
グ溶液としてリン酸系溶液を用いることが好ましい。
【００２２】この製造方法によれば、アルミニウムまた
はアルミニウム合金にて形成された第二の金属層のみを
エッチングする第一のエッチング工程において、アルミ
ニウムまたはアルミニウム合金に適したリン酸系溶液を
用いてウェットエッチングを行うことにより、第二の金
属層の表面を荒らすことなく、所望のパターンに成型す
ることができる。
はアルミニウム合金にて形成された第二の金属層のみを
エッチングする第一のエッチング工程において、アルミ
ニウムまたはアルミニウム合金に適したリン酸系溶液を
用いてウェットエッチングを行うことにより、第二の金
属層の表面を荒らすことなく、所望のパターンに成型す
ることができる。
【００２３】また、前記の半導体装置の製造方法は、エ
ッチングマスクをフォトレジストにて形成することが好
ましい。
ッチングマスクをフォトレジストにて形成することが好
ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施形態につ
いて、図１ないし図６を参照しながら説明する。なお、
ここでは、半導体装置の一形態として、アクティブマト
リクス型液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板のゲート
構造を例に挙げ、その製造工程について説明する。
いて、図１ないし図６を参照しながら説明する。なお、
ここでは、半導体装置の一形態として、アクティブマト
リクス型液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板のゲート
構造を例に挙げ、その製造工程について説明する。
【００２５】最初に、周知の方法により、図１に示すよ
うに、ガラス基板１の表面に、第一金属層２をチタン
（Ｔｉ）で形成し、第一金属層２の上層に、第二金属層
３をアルミニウム（Ａｌ）で形成する。第一金属層２の
厚さは、約３０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であることが好
ましい。また、第二金属層３の厚さは、約１００ｎｍ〜
３００ｎｍの範囲であることが好ましい。
うに、ガラス基板１の表面に、第一金属層２をチタン
（Ｔｉ）で形成し、第一金属層２の上層に、第二金属層
３をアルミニウム（Ａｌ）で形成する。第一金属層２の
厚さは、約３０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であることが好
ましい。また、第二金属層３の厚さは、約１００ｎｍ〜
３００ｎｍの範囲であることが好ましい。
【００２６】次に、図２に示すように、前記第二金属層
３上に、エッチングマスクとして機能するフォトレジス
トパターン４を、リソグラフィーにより形成する。フォ
トレジストパターン４の厚さは、約１．５μｍ〜３．０
μｍの範囲であることが好ましい。
３上に、エッチングマスクとして機能するフォトレジス
トパターン４を、リソグラフィーにより形成する。フォ
トレジストパターン４の厚さは、約１．５μｍ〜３．０
μｍの範囲であることが好ましい。
【００２７】そして、このフォトレジストパターン４を
介してウエットエッチング（第一のエッチング工程）を
行った後、フォトレジストパターン４を除去することに
より、図３に示すように、第二金属層３のパターンを形
成する。このウェットエッチングは、硝酸を約６重量％
〜１４重量％、酢酸を約６重量％〜１４重量％含むリン
酸系混合液を用い、約３５℃〜４５℃の範囲の温度で行
うことが好ましい。
介してウエットエッチング（第一のエッチング工程）を
行った後、フォトレジストパターン４を除去することに
より、図３に示すように、第二金属層３のパターンを形
成する。このウェットエッチングは、硝酸を約６重量％
〜１４重量％、酢酸を約６重量％〜１４重量％含むリン
酸系混合液を用い、約３５℃〜４５℃の範囲の温度で行
うことが好ましい。
【００２８】次に、図４に示すように、チタン（Ｔｉ）
を用い、従来と同様の方法で、第三金属層５を形成す
る。第三金属層５の厚さは、約５０ｎｍ〜１５０ｎｍの
範囲であることが好ましい。
を用い、従来と同様の方法で、第三金属層５を形成す
る。第三金属層５の厚さは、約５０ｎｍ〜１５０ｎｍの
範囲であることが好ましい。
【００２９】その後、図５に示すように、従来と同様の
方法で、エッチングマスクとして機能するフォトレジス
トパターン６を形成する。フォトレジストパターン６の
厚さは、約１．５μｍ〜３．０μｍの範囲であることが
好ましい。
方法で、エッチングマスクとして機能するフォトレジス
トパターン６を形成する。フォトレジストパターン６の
厚さは、約１．５μｍ〜３．０μｍの範囲であることが
好ましい。
【００３０】そして、フォトレジストパターン６を介し
て、第一金属層２と第三金属層５とに対して同時にドラ
イエッチング（第二のエッチング工程）を行うことによ
り、図６に示すように、第一金属層２と第二金属層３と
を覆うように、第三金属層５が形成される。
て、第一金属層２と第三金属層５とに対して同時にドラ
イエッチング（第二のエッチング工程）を行うことによ
り、図６に示すように、第一金属層２と第二金属層３と
を覆うように、第三金属層５が形成される。
【００３１】このドライエッチングは、エッチングガス
として、三塩化ホウ素（ＢＣｌ3）と塩素（Ｃｌ2）との
混合気をチャンバー内に流し、約３０ｍＴｏｒｒ〜１５
０ｍＴｏｒｒの圧力で、約２０℃〜８０℃の範囲の温度
で行うことが好ましい。なお、三塩化ホウ素の流量を、
約１００秒・ｍ〜４００秒・ｍとし、塩素の流量を約３
０秒・ｍ〜１５０秒・ｍとすることが好ましい。
として、三塩化ホウ素（ＢＣｌ3）と塩素（Ｃｌ2）との
混合気をチャンバー内に流し、約３０ｍＴｏｒｒ〜１５
０ｍＴｏｒｒの圧力で、約２０℃〜８０℃の範囲の温度
で行うことが好ましい。なお、三塩化ホウ素の流量を、
約１００秒・ｍ〜４００秒・ｍとし、塩素の流量を約３
０秒・ｍ〜１５０秒・ｍとすることが好ましい。
【００３２】このように、本実施形態の半導体装置の製
造方法では、第一金属層２および第二金属層３を成膜し
た後、第二金属層３のみをウエットエッチングし、第一
金属層２および第二金属層３の両方を覆うように第三金
属層５を成膜した後に、第一金属層２と第三金属層５と
を同時にドライエッチングする。
造方法では、第一金属層２および第二金属層３を成膜し
た後、第二金属層３のみをウエットエッチングし、第一
金属層２および第二金属層３の両方を覆うように第三金
属層５を成膜した後に、第一金属層２と第三金属層５と
を同時にドライエッチングする。
【００３３】このため、第二金属層３がドライエッチン
グ工程のエッチングガスに曝されることがない。従っ
て、金属の腐食や、マスクパターンとして用いるフォト
レジストの変質または硬化によるフォトレジスト残滓の
発生が防止され、第二金属層３と第三金属層５との密着
性が向上される。
グ工程のエッチングガスに曝されることがない。従っ
て、金属の腐食や、マスクパターンとして用いるフォト
レジストの変質または硬化によるフォトレジスト残滓の
発生が防止され、第二金属層３と第三金属層５との密着
性が向上される。
【００３４】また、上述した従来の製造方法と比較する
と、従来の製造方法では、（１）第二金属層５３のウェ
ットエッチング、（２）第一金属層５２のドライエッチ
ング、（３）第三金属層５５のドライエッチング、の合
計３回のエッチング工程を必要とした。これに対し、本
実施形態の製造方法では、（１）第二金属層３のウェッ
トエッチング、（２）第一金属層２と第三金属層５との
ドライエッチング、の合計２回のエッチング工程で済む
ので、製造工程を短縮することができ、製造効率が向上
するという利点もある。
と、従来の製造方法では、（１）第二金属層５３のウェ
ットエッチング、（２）第一金属層５２のドライエッチ
ング、（３）第三金属層５５のドライエッチング、の合
計３回のエッチング工程を必要とした。これに対し、本
実施形態の製造方法では、（１）第二金属層３のウェッ
トエッチング、（２）第一金属層２と第三金属層５との
ドライエッチング、の合計２回のエッチング工程で済む
ので、製造工程を短縮することができ、製造効率が向上
するという利点もある。
【００３５】なお、本実施形態では、第一金属層２およ
び第三金属層５としてチタンを用いたが、クロム（Ｃ
ｒ）やモリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属を用いること
もでき、同様の効果が得られる。
び第三金属層５としてチタンを用いたが、クロム（Ｃ
ｒ）やモリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属を用いること
もでき、同様の効果が得られる。
【００３６】また、第二金属層３としてアルミニウムを
用いたが、タンタル（Ｔａ）や銅（Ｃｕ）が微量に混合
されたアルミニウム合金を用いることもでき、同様の効
果を得られる。
用いたが、タンタル（Ｔａ）や銅（Ｃｕ）が微量に混合
されたアルミニウム合金を用いることもでき、同様の効
果を得られる。
【００３７】さらに，エッチングマスクとしてフォトレ
ジストを用いたが、金属のエッチングを防ぐことができ
る材料であれば、同様の効果が得られることは言うまで
もない。
ジストを用いたが、金属のエッチングを防ぐことができ
る材料であれば、同様の効果が得られることは言うまで
もない。
【００３８】なお、上記の説明では、ＴＦＴ基板のゲー
ト構造を例示したが、本発明の半導体装置の実施形態は
これに限定されるものではなく、種々の半導体装置に本
発明を適用することが可能である。
ト構造を例示したが、本発明の半導体装置の実施形態は
これに限定されるものではなく、種々の半導体装置に本
発明を適用することが可能である。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置の製
造方法によれば、第二金属層がエッチング剤に曝される
ことがないので、第二金属層の腐食やフォトレジスト残
滓の発生が防止され、金属層の密着性が向上された半導
体装置を提供することが可能となる。
造方法によれば、第二金属層がエッチング剤に曝される
ことがないので、第二金属層の腐食やフォトレジスト残
滓の発生が防止され、金属層の密着性が向上された半導
体装置を提供することが可能となる。
【図１】 本発明の一実施形態としてのＴＦＴ基板の製
造工程において、第一金属層および第二金属層が形成さ
れた様子を示す断面図
造工程において、第一金属層および第二金属層が形成さ
れた様子を示す断面図
【図２】 前記ＴＦＴ基板の製造工程において、第一の
エッチング工程のためにエッチングマスクが形成された
様子を示す断面図
エッチング工程のためにエッチングマスクが形成された
様子を示す断面図
【図３】 前記ＴＦＴ基板の製造工程において、第一の
エッチング工程により第二金属層が成形された様子を示
す断面図
エッチング工程により第二金属層が成形された様子を示
す断面図
【図４】 前記ＴＦＴ基板の製造工程において、第三金
属層が形成された様子を示す断面図
属層が形成された様子を示す断面図
【図５】 前記ＴＦＴ基板の製造工程において、第二の
エッチング工程のためにエッチングマスクが形成された
様子を示す断面図
エッチング工程のためにエッチングマスクが形成された
様子を示す断面図
【図６】 前記ＴＦＴ基板の製造工程において、第二の
エッチング工程により第一金属層と第三金属層とが同時
に成形された様子を示す断面図
エッチング工程により第一金属層と第三金属層とが同時
に成形された様子を示す断面図
【図７】 従来の半導体基板の製造工程において、第一
金属層および第二金属層が形成された様子を示す断面図
金属層および第二金属層が形成された様子を示す断面図
【図８】 前記従来の半導体基板の製造工程において、
１回目のエッチング工程のためにエッチングマスクが形
成された様子を示す断面図
１回目のエッチング工程のためにエッチングマスクが形
成された様子を示す断面図
【図９】 前記従来の半導体基板の製造工程において、
１回目のエッチング工程により第二金属層が成形された
様子を示す断面図
１回目のエッチング工程により第二金属層が成形された
様子を示す断面図
【図１０】 前記従来の半導体基板の製造工程におい
て、２回目のエッチング工程により第一金属層が成形さ
れた様子を示す断面図
て、２回目のエッチング工程により第一金属層が成形さ
れた様子を示す断面図
【図１１】 前記従来の半導体基板の製造工程におい
て、第三金属層が形成された様子を示す断面図
て、第三金属層が形成された様子を示す断面図
【図１２】 前記従来の半導体基板の製造工程におい
て、３回目のエッチング工程のためにエッチングマスク
が形成された様子を示す断面図
て、３回目のエッチング工程のためにエッチングマスク
が形成された様子を示す断面図
【図１３】 前記従来の半導体基板の製造工程におい
て、３回目のエッチング工程により第三金属層が成形さ
れた様子を示す断面図
て、３回目のエッチング工程により第三金属層が成形さ
れた様子を示す断面図
１ ガラス基板 ２ 第一金属層 ３ 第二金属層 ４・６ フォトレジストパターン ５ 第三金属層
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M104 BB14 DD64 DD65 FF13 HH08 5F004 AA08 AA16 DA00 DA04 DA11 DB00 DB09 DB16 EA10 EA29 EB02 5F043 AA24 AA27 BB16 EE22 FF03 GG02 5F110 AA30 BB01 DD02 EE03 EE04 QQ03
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に第一金属層および第二金属層を
順次形成する工程と、 前記第二金属層のみをエッチング成形する第一のエッチ
ング工程と、 前記第二金属層を覆うように第三金属層を形成する工程
と、 前記第二金属層の表層に形成された第三金属層を覆うエ
ッチングマスクを形成する工程と、 前記エッチングマスクを介して、第一金属層と第三金属
層とを同時にエッチング成形する第二のエッチング工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記第二のエッチング工程において、エ
ッチングガスを用いたドライエッチングを行う請求項１
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記エッチングガスとして塩素系ガスを
用いる請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記第一金属層を、チタン、クロム、お
よびモリブデンから選ばれる金属にて形成する請求項１
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記第三金属層を、チタン、クロム、お
よびモリブデンから選ばれる金属にて形成する請求項１
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記第二金属層を、アルミニウムまたは
アルミニウム合金にて形成する請求項１に記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記第一のエッチング工程において、エ
ッチング溶液を用いたウェットエッチングを行う請求項
６に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記エッチング溶液としてリン酸系溶液
を用いる請求項７に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記エッチングマスクをフォトレジスト
にて形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11005620A JP2000208489A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11005620A JP2000208489A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208489A true JP2000208489A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11616229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11005620A Pending JP2000208489A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000208489A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7245080B2 (en) | 2003-12-30 | 2007-07-17 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Substrate having organic electroluminescent device and method of fabricating the same |
-
1999
- 1999-01-12 JP JP11005620A patent/JP2000208489A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7245080B2 (en) | 2003-12-30 | 2007-07-17 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Substrate having organic electroluminescent device and method of fabricating the same |
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