JP3266109B2 - 電子デバイスの作製方法 - Google Patents

電子デバイスの作製方法

Info

Publication number
JP3266109B2
JP3266109B2 JP22153398A JP22153398A JP3266109B2 JP 3266109 B2 JP3266109 B2 JP 3266109B2 JP 22153398 A JP22153398 A JP 22153398A JP 22153398 A JP22153398 A JP 22153398A JP 3266109 B2 JP3266109 B2 JP 3266109B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
reactive ion
ion etching
etching
based gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP22153398A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000058479A (ja
Inventor
義弘 越戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP22153398A priority Critical patent/JP3266109B2/ja
Priority to US09/354,481 priority patent/US6358429B1/en
Priority to GB9916885A priority patent/GB2340305B/en
Priority to DE19935825A priority patent/DE19935825A1/de
Publication of JP2000058479A publication Critical patent/JP2000058479A/ja
Priority to US09/779,213 priority patent/US6686675B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3266109B2 publication Critical patent/JP3266109B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電子デバイスの作製
方法に関する。具体的にいうと、本発明は、半導体集積
回路、半導体デバイス、弾性表面波(SAW)デバイス
等の電子デバイスの作製方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】弾性表面波デバイス用の単結晶基板1の
上に形成されたAl合金などの電極膜2を反応性イオン
エッチング(RIE)する場合、図1に示すように、電
極膜2の表面をフォトレジスト3で覆い、パターニング
されたフォトレジスト3をマスクとし、Cl2やBCl3
などの塩素系ガスを用いて選択的にエッチングする。こ
の場合、単結晶基板1の上の電極膜2の膜厚分布や反応
性イオンエッチング速度の面内分布のバラツキのため、
図1(a)のように、電極膜2が完全に除去されること
なく、単結晶基板1の上に残ることがある。そのためエ
ッチング個所において、電極膜2を残渣なく完全に除去
するためには、オーバーエッチングと称される残渣除去
プロセスが不可欠となっている。このオーバーエッチン
グ法は、図1(b)に示すように、通常のエッチング条
件を保ったままで、全エッチング時間の5%〜50%の
オーバーエッチング処理を施し、わずかに単結晶基板1
までエッチングするものである。
【0003】しかしながら、このオーバーエッチング法
では、オーバーエッチング期間中には、既に電極膜2
除去されて単結晶基板1が露出した部分までが塩素プラ
ズマに晒されることになるので、単結晶基板1が損傷さ
れて図2のようにダメージ層4が生じ、弾性表面波デバ
イスの特性が劣化するという問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来においては、上記
のようなオーバーエッチングによる基板損傷の原因は、
反応性イオンエッチング時に基板に衝突するイオンの衝
撃による物理的損傷であるというのが通説であった。そ
のため、従来にあっては、イオン入射エネルギーを小
さくする、エッチング速度の均一性を向上させる、
エッチングの終点検出を高精度化する、といった方法
で、このイオン入射による基板損傷を抑えている。しか
し、従来方法では、基板の損傷を少なくすることはでき
るが、完全に抑えることは不可能であった。
【0005】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、電子デバイスの製
造時において、反応性イオンエッチングによる基板の損
傷を低減することにある。
【0006】
【発明の開示】本発明の発明者は、鋭意研究の結果、基
板損傷の原因は、イオンによる物理的損傷ではなく、塩
素(イオン、原子、分子、ラジカルなどの状態のもの)
が単結晶基板や単結晶膜等の内部に拡散して単結晶基板
等の結晶性を乱す化学的損傷であることを見出した。
【0007】本発明により作製された電子デバイスは、
発明者が到達した上記知見に基づいてなされたものであ
り、単結晶基板または単結晶膜または3軸配向膜または
1軸配向膜の上に、フッ素系ガスで反応性イオンエッチ
ング可能な材質からなる下層電極を形成し、当該下層電
極の上に、塩素系ガスで反応性イオンエッチング可能な
材質からなる上層電極を形成したものである。ここで、
単結晶基板または単結晶膜または3軸配向膜または1軸
配向膜としては、電子デバイスの種類に応じて、圧電
体、誘電体、焦電体、半導体、磁性体などの機能性単結
晶材料が用いられる。特に、電子デバイスが弾性表面波
デバイスの場合には、LiTaO3、LiNbO3、水
晶、ランガサイト、LBO等の圧電体が用いられる。
【0008】反応性イオンエッチングに用いられる塩素
系ガスとは、塩素原子を含むガスであって、例えばCl
2、BCl3、SiCl4、CCl4、CClF3、CHC
lF2、CCl22、CHCl2F、CHCl3、CCl3
F、CH2Cl2のうち少なくとも1種以上のガスを含む
ものである。これに対して、単結晶基板または単結晶膜
または3軸配向膜または1軸配向膜の上の上層に形成さ
れている薄膜は、塩素系ガスで反応性イオンエッチング
可能な元素を少なくとも1つ含む導電体または半導体で
あれば良く、具体的には、Al、Cu、Ti、Cr、G
a、As、Se、Nb、Ru、In、Sn、Sb、T
a、Auのうち少なくとも1つの元素を含む。
【0009】この電子デバイスは、単結晶基板または単
結晶膜または3軸配向膜または1軸配向膜の上に、フッ
素系ガスで反応性イオンエッチング可能な材質からなる
下地膜と、塩素系ガスで反応性イオンエッチング可能な
材質からなる薄膜とを形成した後、塩素系ガスを含むガ
スで反応性イオンエッチングすることによって前記薄膜
をエッチングし、さらに、この薄膜から露出した前記下
地膜を、フッ素系ガスを含むガスで反応性イオンエッチ
ングすることにより、作製される。
【0010】しかして、本発明にあっては、薄膜の下に
フッ素系ガスで反応性イオンエッチング可能な下地膜を
形成しているので、塩素系ガスを含むガスで反応性イオ
ンエッチングする際には、エッチング領域において下地
膜を完全に露出させた時に塩素系ガスを含むガスによる
反応性イオンエッチングを停止する。これにより、塩素
による単結晶基板または単結晶膜または3軸配向膜また
は1軸配向膜の化学的損傷を防止することができる。
【0011】さらに、下地層を除去して単結晶基板また
は単結晶膜または3軸配向膜または1軸配向膜を露出さ
せるには、塩素系ガスを含むガスで反応性イオンエッチ
ングされた薄膜から露出した下地膜を、フッ素系ガスを
含むガスで反応性イオンエッチングして除去する。
【0012】発明者の研究によれば、フッ素(イオン、
分子、原子、ラジカルなどの状態のもの)を用いれば、
単結晶基板や単結晶膜等の結晶が化学的な損傷を受けな
いことが分かっているので、露出した下地層をフッ素系
ガスを含むガスで反応性イオンエッチングして単結晶基
板または単結晶膜または3軸配向膜または1軸配向膜を
露出させても単結晶基板や単結晶膜等に損傷を与えるこ
とがなく、デバイスの特性を安定させることができる。
【0013】従来の通説では、反応性イオンエッチング
による基板の損傷は物理的損傷であると考えられていた
ので、ガスの種類が異なっても同様に損傷が生じると考
えられていた。そのため、従来にあっては、基板の損傷
を少なくすることはできても完全に抑えることは不可能
であった。これに対し、本発明の方法によれば、反応性
イオンエッチングによる基板等の損傷を防止することが
でき、電子デバイスの特性を向上させることができる。
【0014】前記フッ素系ガスで反応性イオンエッチン
グ可能な下地膜としては、Si、Mo、W、B、C、
S、Taのうち少なくとも1つ以上の元素を含むもので
あって、その膜厚は、0.5nm〜1000nmが好ま
しい。0.5nmよりも薄い下地膜では塩素系ガスによ
る反応性イオンエッチングで孔があく恐れがあり、10
00nmよりも厚いと加工時間が長くなったり、加工精
度が低下するなどの不都合が生じるためである。
【0015】また、この下地膜を反応性イオンエッチン
グするためのフッ素系ガスとしては、CF4、CHF3
2、NF3、CClF3、C26、CBrF3、CH
22、CHClF2、C38、CCl22、C48、C
HCl2F、CBr22、CCl3Fのうち少なくとも1
種のガスを含むものであればよい。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を、弾性
表面波デバイスの場合を例にとって添付図により説明す
る。まず、図3(a)に示すように、直径3インチの単
結晶LiTaO3基板11上に、スパッタリングにより
タングステンからなる下地膜12を10nmの膜厚で成
膜する。この下地膜12の表面を大気に晒すことなく
(スパッタ装置内を真空に保ったまま)、図3(b)に
示すように、スパッタリングによりその下地膜12上に
1wt%のCuを含有したAl(以下、Al−1wt%
Cuと記す)により電極膜13を100nmの膜厚に成
膜する。ついで、図3(c)に示すように、Al−1w
t%Cuからなる電極膜13の上にフォトレジストを塗
布し、フォトリソグラフィプロセスによりフォトレジス
トをパターニングして線幅(L/S=)0.5μm、膜
厚1μmのレジストパターン14を形成する。
【0017】この後、レジストパターン14をマスクと
して反応性イオンエッチングにより上層の電極膜13を
除去する。この第1段階の反応性イオンエッチングは、
BCl3+Cl2+N2の混合ガスを用いて平行平板RI
E装置で行なう。もちろん、平行平板RIE装置の代わ
りに、ICP、ECR、ヘリコンなど高密度プラズマ源
を使ってもよい。このときのオーバーエッチング時間
は、全エッチング時間の30%とした。こうしてAl−
1wt%Cuからなる電極膜13がドライエッチングさ
れ、図3(d)に示すように、所定パターンの上層電極
15が得られる。
【0018】このとき、タングステンからなる下地膜1
2の、塩素系ガス(塩素プラズマ)によるエッチングレ
ートは、Al−1wt%Cuからなる電極膜13のエッ
チングレートに比べて10分の1以下であるから、下地
膜12は殆どエッチングされない。従って、充分なオー
バーエッチング処理により、電極膜13の残渣を完全に
除去できる。また、電極膜13の除去部分では、LiT
aO3基板11は下地膜12に覆われて露出しないか
ら、塩素系ガスを含む混合ガスによって反応性イオンエ
ッチングを行っても、LiTaO3基板11は下地膜1
2で保護されて損傷することがない。
【0019】ついで、一旦、BCl3+Cl2+N2の混
合ガスをRIE装置のチャンバ内から完全に排気した
後、LiTaO3基板11を大気に晒すことなく、図3
(e)に示すように、さらにフッ素系ガスによる反応性
イオンエッチングを実施して下地膜12を除去する。こ
の第2段階の反応性イオンエッチングでは、CF4+O2
の混合ガスを用いて平行平板RIE装置で行う。このと
きのオーバーエッチング時間も、全エッチング時間の3
0%とした。こうして下地膜12がドライエッチングさ
れ、図3(e)に示すように、下層電極16も上層電極
15と同一形状にパターニングされる。
【0020】このとき、下地層12が除去されてLiT
aO3基板11が完全に露出するが、LiTaO3基板1
1は、CF4+O2)の混合ガスで化学的損傷を受けない
ので、充分なオーバーエッチング処理により下地層12
の残渣を完全に除去できる。
【0021】この後、レジスト剥離液でレジストパター
ン14を除去して洗浄することにより、図3(f)に示
すように、下層電極16(タングステン)と上層電極1
5(Al−1wt%Cu)からなる2層構造の櫛歯状電
極が得られる。この基板(親基板)を切断し、組立や配
線接続等を行うことにより弾性表面波デバイスが得られ
る。
【0022】以上述べたように、上記実施形態において
は、第1及び第2の反応性イオンエッチング工程で、充
分なオーバーエッチング処理を施しているにも拘らず、
良好なデバイス特性が得られる。これに対し、従来技術
では、30%ものオーバーエッチングを行うと、塩素プ
ラズマで基板が化学的な損傷を受け、デバイス特性(挿
入損失など)が著しく劣化していた。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)(b)は、従来において、塩素系ガスを
用いて反応性イオンエッチングするようすを示す断面図
である。
【図2】オーバーエッチングによりダメージを受けた基
板を示す断面図である。
【図3】(a)〜(f)は本発明の一実施形態による電
極形成工程を示す断面図である。
【符号の説明】
12 下地膜(タングステン) 13 電極膜(Au−1wt%Cu) 14 レジストパターン 15 上層電極 16 下層電極

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 単結晶基板または単結晶膜または3軸配
    向膜または1軸配向膜の上に形成された、フッ素系ガス
    で反応性イオンエッチング可能な材質からなる下地膜
    と、塩素系ガスで反応性イオンエッチング可能な材質か
    らなる薄膜とをエッチングによりパターニングする電子
    デバイスの作製方法であって、前記下地膜の膜厚は、0.5nm〜1000nmであ
    り、 塩素系ガスを含むガスで反応性イオンエッチングするこ
    とによって前記薄膜をエッチングした後、この薄膜から
    露出した前記下地膜を、フッ素系ガスを含むガスで反応
    性イオンエッチングすることを特徴とする電子デバイス
    の作製方法。
  2. 【請求項2】 前記下地膜は、Si、Mo、W、B、
    C、S、Taのうち少なくとも1つの元素を含むもので
    あることを特徴とする、請求項1に記載の電子デバイス
    の作製方法。
JP22153398A 1998-08-05 1998-08-05 電子デバイスの作製方法 Expired - Fee Related JP3266109B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22153398A JP3266109B2 (ja) 1998-08-05 1998-08-05 電子デバイスの作製方法
US09/354,481 US6358429B1 (en) 1998-08-05 1999-07-16 Electronic device and method for producing the same
GB9916885A GB2340305B (en) 1998-08-05 1999-07-19 Electronic device and method for producing the same
DE19935825A DE19935825A1 (de) 1998-08-05 1999-07-29 Elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung dieser elektronischen Vorrichtung
US09/779,213 US6686675B2 (en) 1998-08-05 2001-02-08 Electronic device and method for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22153398A JP3266109B2 (ja) 1998-08-05 1998-08-05 電子デバイスの作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000058479A JP2000058479A (ja) 2000-02-25
JP3266109B2 true JP3266109B2 (ja) 2002-03-18

Family

ID=16768219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22153398A Expired - Fee Related JP3266109B2 (ja) 1998-08-05 1998-08-05 電子デバイスの作製方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6358429B1 (ja)
JP (1) JP3266109B2 (ja)
DE (1) DE19935825A1 (ja)
GB (1) GB2340305B (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3712035B2 (ja) * 1999-04-28 2005-11-02 株式会社村田製作所 表面波装置の製造方法
JP2002043880A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子の周波数調整方法
US6613687B2 (en) 2001-03-28 2003-09-02 Lexmark International, Inc. Reverse reactive ion patterning of metal oxide films
US7069645B2 (en) * 2001-03-29 2006-07-04 Ngk Insulators, Ltd. Method for producing a circuit board
US6709986B2 (en) * 2001-06-28 2004-03-23 Hynix Semiconductor Inc. Method for manufacturing semiconductor memory device by using photoresist pattern exposed with ArF laser beam
JP3725811B2 (ja) * 2001-10-11 2005-12-14 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
AU2002361093A1 (en) * 2001-12-28 2003-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device, electronic component using the device, and composite module
US20060273066A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Hitachi Global Storage Technologies Method for manufacturing a magnetic sensor having an ultra-narrow track width
US20100007444A1 (en) * 2006-04-20 2010-01-14 Anis Nurashikin Nordin GHz Surface Acoustic Resonators in RF-CMOS
US8143681B2 (en) * 2006-04-20 2012-03-27 The George Washington University Saw devices, processes for making them, and methods of use
US8018010B2 (en) * 2007-04-20 2011-09-13 The George Washington University Circular surface acoustic wave (SAW) devices, processes for making them, and methods of use
US20090124513A1 (en) * 2007-04-20 2009-05-14 Patricia Berg Multiplex Biosensor
DE102009037000B4 (de) 2009-08-12 2015-12-31 hofer at GmbH Antrieb für einen Verbrennungsmotor
US8960004B2 (en) 2010-09-29 2015-02-24 The George Washington University Synchronous one-pole surface acoustic wave resonator
US9048396B2 (en) 2012-06-11 2015-06-02 Cree, Inc. LED package with encapsulant having planar surfaces
US8557710B2 (en) * 2011-09-01 2013-10-15 Tel Epion Inc. Gas cluster ion beam etching process for metal-containing materials
DE202012013303U1 (de) 2012-12-12 2016-02-22 Gerhard Noack Verbrennungsmotor mit übereinander liegendem Taumel-Kreuzgelenk-Antriebssystem in einem Motorgehäuse
DE102014002485A1 (de) 2014-02-12 2015-08-13 Manuela Lehmann Doppel-Taummelscheiben für Doppelpleuels der Vier- und Achtzylinder V Duplex-Räder-Verbrennungsmotoren

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60218847A (ja) * 1984-04-13 1985-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法
JPS62272610A (ja) * 1986-05-21 1987-11-26 Hitachi Ltd 弾性表面波素子
US4966870A (en) * 1988-04-14 1990-10-30 International Business Machines Corporation Method for making borderless contacts
JPH02121350A (ja) 1988-10-31 1990-05-09 Oki Electric Ind Co Ltd 多層配線の形成方法
JPH03105921A (ja) * 1989-09-19 1991-05-02 Sharp Corp 金属配線の形成方法
US5106471A (en) 1990-04-02 1992-04-21 Motorola, Inc. Reactive ion etch process for surface acoustic wave (SAW) device fabrication
US5270254A (en) * 1991-03-27 1993-12-14 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit metallization with zero contact enclosure requirements and method of making the same
JPH04365211A (ja) * 1991-06-13 1992-12-17 Fujitsu Ltd 弾性表面波フィルタとその製造方法
JPH05291201A (ja) 1992-04-08 1993-11-05 Sony Corp アルミニウム系パターンの形成方法
US5370923A (en) * 1993-02-26 1994-12-06 Advanced Micro Devices, Inc. Photolithography test structure
JPH06314668A (ja) * 1993-04-30 1994-11-08 Fujitsu Ltd プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
US5533635A (en) * 1994-10-11 1996-07-09 Chartered Semiconductor Manufacturing Pte. Ltd. Method of wafer cleaning after metal etch
JP3173300B2 (ja) * 1994-10-19 2001-06-04 株式会社村田製作所 ラブ波デバイス
JPH08264508A (ja) 1995-03-24 1996-10-11 Tdk Corp エッチング方法
JPH0969748A (ja) * 1995-09-01 1997-03-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sawデバイスおよびその製造方法
JPH09213678A (ja) 1996-01-29 1997-08-15 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPH10247835A (ja) * 1997-03-03 1998-09-14 Kokusai Electric Co Ltd ラブ波型弾性表面波デバイス
US5858879A (en) * 1997-06-06 1999-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for etching metal lines with enhanced profile control
EP0936734A4 (en) 1997-07-28 2000-10-25 Toshiba Kk SURFACE ACOUSTIC WAVE PROCESSING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
US5904569A (en) * 1997-09-03 1999-05-18 National Semiconductor Corporation Method for forming self-aligned vias in multi-metal integrated circuits
CN1205744C (zh) * 1997-09-22 2005-06-08 Tdk株式会社 声表面波器件及其制造工艺
US6054348A (en) * 1998-05-15 2000-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Self-aligned source process

Also Published As

Publication number Publication date
GB9916885D0 (en) 1999-09-22
DE19935825A1 (de) 2000-02-17
JP2000058479A (ja) 2000-02-25
GB2340305A (en) 2000-02-16
US6358429B1 (en) 2002-03-19
US6686675B2 (en) 2004-02-03
US20020011760A1 (en) 2002-01-31
GB2340305B (en) 2000-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3266109B2 (ja) 電子デバイスの作製方法
JP3170791B2 (ja) Al系材料膜のエッチング方法
JP3293564B2 (ja) 電子デバイスの作製方法
JP2007336417A (ja) 弾性表面波素子片およびその製造方法
US6306313B1 (en) Selective etching of thin films
KR19990075921A (ko) 피식각막 식각방법
JP2003179064A (ja) 配線パターンの形成方法
JP4646346B2 (ja) 電子デバイスの製造方法
US6613680B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device
KR0174945B1 (ko) 메탈층 패턴 형성 방법
JPH07263406A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2568551B2 (ja) 弾性表面波装置の製造方法
JPH07176501A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0294911A (ja) 弾性表面波素子の製造方法
JPH05109673A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0653181A (ja) 電極形成方法
JPH10125654A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000077386A (ja) パターン形成方法
JPH07230984A (ja) 積層配線のドライエッチング方法
JPH05175159A (ja) 半導体素子の製造方法
JP2002246393A (ja) メタル配線形成方法
JPH06291091A (ja) ドライエッチング方法
JPH0555218A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR100701367B1 (ko) 반도체의 엠아이엠 커패시터 제작방법
JPH0758198A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090111

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090111

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100111

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees