JPH04365211A - 弾性表面波フィルタとその製造方法 - Google Patents
弾性表面波フィルタとその製造方法Info
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- JPH04365211A JPH04365211A JP14057891A JP14057891A JPH04365211A JP H04365211 A JPH04365211 A JP H04365211A JP 14057891 A JP14057891 A JP 14057891A JP 14057891 A JP14057891 A JP 14057891A JP H04365211 A JPH04365211 A JP H04365211A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は圧電基板上に櫛形電極が
形成されてなる弾性表面波デバイスに係り、特に極超短
波帯域で用いる装置に適用可能な弾性表面波フィルタに
関する。
形成されてなる弾性表面波デバイスに係り、特に極超短
波帯域で用いる装置に適用可能な弾性表面波フィルタに
関する。
【０００２】弾性表面波デバイスは圧電基板と高周波電
圧を波長が１０−５倍程度の弾性表面波に変換する櫛形
電極、および圧電基板の表面を伝播してきた弾性表面波
を再び高周波電圧に変換する櫛形電極からなり、櫛形電
極の形状に対応した周波数が選択されることからフィル
タ機能あるいは共振器機能を持つ。また伝播速度を電磁
波の１０−５倍程度に遅くできることから遅延素子とし
て利用することもできる。
圧を波長が１０−５倍程度の弾性表面波に変換する櫛形
電極、および圧電基板の表面を伝播してきた弾性表面波
を再び高周波電圧に変換する櫛形電極からなり、櫛形電
極の形状に対応した周波数が選択されることからフィル
タ機能あるいは共振器機能を持つ。また伝播速度を電磁
波の１０−５倍程度に遅くできることから遅延素子とし
て利用することもできる。
【０００３】弾性表面波デバイスはかかる機能を有しな
がら外形が小さく安価で調整が不要なことから、ＴＶの
ＩＦフィルタやＶＴＲの発振器用共振器として、またコ
ードレス電話機の電圧制御発振器等に利用されている。 しかし、現在自動車電話や携帯電話に利用されている誘
電体フィルタの代わりに用いることが検討されており、
波長が更に短い極超短波帯域で用いる装置に適用可能な
弾性表面波フィルタの開発が要望されている。
がら外形が小さく安価で調整が不要なことから、ＴＶの
ＩＦフィルタやＶＴＲの発振器用共振器として、またコ
ードレス電話機の電圧制御発振器等に利用されている。 しかし、現在自動車電話や携帯電話に利用されている誘
電体フィルタの代わりに用いることが検討されており、
波長が更に短い極超短波帯域で用いる装置に適用可能な
弾性表面波フィルタの開発が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】図３は従来の弾性表面波フィルタの基本
構造を示す斜視図、図４は従来の弾性表面波フィルタの
製造方法を示す図である。
構造を示す斜視図、図４は従来の弾性表面波フィルタの
製造方法を示す図である。
【０００５】図３においてＴＶのＩＦフィルタ等に用い
られる従来の弾性表面波フィルタはＬｉＴａ０３等の単
結晶からなる圧電基板１と、圧電基板１の上に形成され
たアルミニウム（Ａｌ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）
ー銅（Ｃｕ）合金等からなる櫛形電極２を有し、弾性表
面波フィルタに入力された高周波電圧は櫛形電極２によ
り波長が１０−５倍程度の弾性表面波に変換される。ま
た圧電体基板１の表面を伝播してきた弾性表面波は別の
櫛形電極２により再び高周波電圧に変換される。
られる従来の弾性表面波フィルタはＬｉＴａ０３等の単
結晶からなる圧電基板１と、圧電基板１の上に形成され
たアルミニウム（Ａｌ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）
ー銅（Ｃｕ）合金等からなる櫛形電極２を有し、弾性表
面波フィルタに入力された高周波電圧は櫛形電極２によ
り波長が１０−５倍程度の弾性表面波に変換される。ま
た圧電体基板１の表面を伝播してきた弾性表面波は別の
櫛形電極２により再び高周波電圧に変換される。
【０００６】かかる弾性表面波フィルタは図４（ａ）
に示す如く圧電基板１の上にＡｌあるいはＡｌーＣｕ合
金等からなる電極膜３を蒸着し、図４（ｂ） に示す如
くレジストを塗布して通常の方法で電極膜３の上にレジ
ストマスク４を形成する。これを燐酸と酢酸を含む液に
浸漬して図４（ｃ） に示す如く電極膜３をエッチング
した後、レジストマスク４を剥離することによって図４
（ｄ） に示す如く櫛形電極２が形成される。弾性表面
波フィルタにおける櫛形電極２のパターン幅Ｗは弾性表
面波の波長Ｌの１／４であり、例えば５０〜６０ＭＨｚ
の周波数を選択するＴＶのＩＦフィルタのパターン幅Ｗ
は１０数μｍ になる。したがって図４に示す如く通常
のウェットエッチング法によって櫛形電極２を形成する
ことが可能である。
に示す如く圧電基板１の上にＡｌあるいはＡｌーＣｕ合
金等からなる電極膜３を蒸着し、図４（ｂ） に示す如
くレジストを塗布して通常の方法で電極膜３の上にレジ
ストマスク４を形成する。これを燐酸と酢酸を含む液に
浸漬して図４（ｃ） に示す如く電極膜３をエッチング
した後、レジストマスク４を剥離することによって図４
（ｄ） に示す如く櫛形電極２が形成される。弾性表面
波フィルタにおける櫛形電極２のパターン幅Ｗは弾性表
面波の波長Ｌの１／４であり、例えば５０〜６０ＭＨｚ
の周波数を選択するＴＶのＩＦフィルタのパターン幅Ｗ
は１０数μｍ になる。したがって図４に示す如く通常
のウェットエッチング法によって櫛形電極２を形成する
ことが可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】波長が更に短い例えば
８００ＭＨｚ帯の極超短波帯域で用いる装置に適用可
能な弾性表面波フィルタの場合、櫛形電極のパターン幅
ＷはＴＶのＩＦフィルタ等に比べると極めて狭く １．
２μｍ になる。ＡｌあるいはＡｌーＣｕ合金等からな
る電極膜をエッチングする方法として■燐酸と酢酸を含
む液に浸漬するウェットエッチング法、■Ａｒ ガスを
用いるイオンビームエッチング（ＩＢＥ）法、■塩素、
四塩化炭素、四塩化珪素、三塩化ホウ素等の塩素系ガス
を単体あるいは混合して用いる反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）法等がある。
８００ＭＨｚ帯の極超短波帯域で用いる装置に適用可
能な弾性表面波フィルタの場合、櫛形電極のパターン幅
ＷはＴＶのＩＦフィルタ等に比べると極めて狭く １．
２μｍ になる。ＡｌあるいはＡｌーＣｕ合金等からな
る電極膜をエッチングする方法として■燐酸と酢酸を含
む液に浸漬するウェットエッチング法、■Ａｒ ガスを
用いるイオンビームエッチング（ＩＢＥ）法、■塩素、
四塩化炭素、四塩化珪素、三塩化ホウ素等の塩素系ガス
を単体あるいは混合して用いる反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）法等がある。
【０００８】しかし、ウェットエッチング法はエッチン
グする際に電極の側面までエッチングされるため、パタ
ーン幅が極めて狭い極超短波帯域用の弾性表面波フィル
タにおける櫛形電極の形成には利用できない。
グする際に電極の側面までエッチングされるため、パタ
ーン幅が極めて狭い極超短波帯域用の弾性表面波フィル
タにおける櫛形電極の形成には利用できない。
【０００９】またイオンビームエッチング法は垂直なパ
ターンが形成可能でパターン幅が極めて狭い櫛形電極の
形成に適しているが、選択性がなくオーバーエッチング
すると圧電基板までエッチングしエッチングの再現性に
乏しい。
ターンが形成可能でパターン幅が極めて狭い櫛形電極の
形成に適しているが、選択性がなくオーバーエッチング
すると圧電基板までエッチングしエッチングの再現性に
乏しい。
【００１０】更に反応性イオンエッチング法は垂直なパ
ターンが形成可能で圧電基板がエッチングされにくいが
、塩素系ガスを用いるためエッチング時に塩素が電極内
に吸着され電極が腐食されるアフターコロージョンを生
じる。また電極がＡｌ合金からなる場合はエッチング時
に形成される反応生成物の蒸気圧が、Ａｌと添加物とで
異なり圧電基板上に有害なエッチング残渣を生じる等の
問題があった。
ターンが形成可能で圧電基板がエッチングされにくいが
、塩素系ガスを用いるためエッチング時に塩素が電極内
に吸着され電極が腐食されるアフターコロージョンを生
じる。また電極がＡｌ合金からなる場合はエッチング時
に形成される反応生成物の蒸気圧が、Ａｌと添加物とで
異なり圧電基板上に有害なエッチング残渣を生じる等の
問題があった。
【００１１】本発明の目的はエッチング残渣や電極の腐
食、圧電基板の損傷等が無く再現性のよい、極超短波帯
域で用いる装置に適用可能な弾性表面波フィルタとその
製造方法を提供することにある。
食、圧電基板の損傷等が無く再現性のよい、極超短波帯
域で用いる装置に適用可能な弾性表面波フィルタとその
製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明になる弾性
表面波フィルタを示す斜視図である。なお全図を通し同
じ対象物は同一記号で表している。
表面波フィルタを示す斜視図である。なお全図を通し同
じ対象物は同一記号で表している。
【００１３】上記課題は圧電基板１とＡｌあるいはＡｌ
合金からなる櫛形電極２との間に保護膜５を介在させ、
フッ素を含むが塩素を含まないガスを用いた反応性イオ
ンエッチング法でエッチング可能な材料で、保護膜５が
形成されてなる本発明の弾性表面波フィルタ。および圧
電基板１に保護膜５とＡｌあるいはＡｌ合金からなる電
極膜３を順次積層し、櫛形電極の形成に際してＡｒガス
を用いたイオンビームエッチング法で電極膜３をエッチ
ングし、フッ素を含むが塩素を含まないガスを用いた反
応性イオンエッチング法で、保護膜５をエッチングする
本発明になる弾性表面波フィルタの製造方法によって達
成される。
合金からなる櫛形電極２との間に保護膜５を介在させ、
フッ素を含むが塩素を含まないガスを用いた反応性イオ
ンエッチング法でエッチング可能な材料で、保護膜５が
形成されてなる本発明の弾性表面波フィルタ。および圧
電基板１に保護膜５とＡｌあるいはＡｌ合金からなる電
極膜３を順次積層し、櫛形電極の形成に際してＡｒガス
を用いたイオンビームエッチング法で電極膜３をエッチ
ングし、フッ素を含むが塩素を含まないガスを用いた反
応性イオンエッチング法で、保護膜５をエッチングする
本発明になる弾性表面波フィルタの製造方法によって達
成される。
【００１４】
【作用】図１において圧電基板とＡｌあるいはＡｌ合金
からなる櫛形電極との間に保護膜を介在させることによ
って、パターン幅が極めて狭い櫛形電極の形成に適した
Ａｒガスを用いたイオンビームエッチング法で、オーバ
ーエッチングによる圧電基板の損傷を気にすることなく
電極膜をエッチングすることが可能になり、フッ素を含
むが塩素を含まないガスを用いた反応性イオンエッチン
グ法でエッチング可能な材料で保護膜を形成することに
よって、エッチング残渣や電極の腐食を生じることなく
反応性イオンエッチング法で保護膜をエッチングするこ
とが可能になる。即ち、エッチング残渣や電極の腐食、
圧電基板の損傷等が無く再現性のよい、極超短波帯域で
用いる装置に適用可能な弾性表面波フィルタとその製造
方法を実現することができる。
からなる櫛形電極との間に保護膜を介在させることによ
って、パターン幅が極めて狭い櫛形電極の形成に適した
Ａｒガスを用いたイオンビームエッチング法で、オーバ
ーエッチングによる圧電基板の損傷を気にすることなく
電極膜をエッチングすることが可能になり、フッ素を含
むが塩素を含まないガスを用いた反応性イオンエッチン
グ法でエッチング可能な材料で保護膜を形成することに
よって、エッチング残渣や電極の腐食を生じることなく
反応性イオンエッチング法で保護膜をエッチングするこ
とが可能になる。即ち、エッチング残渣や電極の腐食、
圧電基板の損傷等が無く再現性のよい、極超短波帯域で
用いる装置に適用可能な弾性表面波フィルタとその製造
方法を実現することができる。
【００１５】
【実施例】以下添付図により本発明の実施例について説
明する。なお図２は本発明になる弾性表面波フィルタの
製造方法を示す図である。
明する。なお図２は本発明になる弾性表面波フィルタの
製造方法を示す図である。
【００１６】図１において本発明になる弾性表面波フィ
ルタは３６度回転ＹカットＸ伝播ＬｉＴａ０３の単結晶
からなる圧電基板１と、ＡｌーＣｕ合金からなる櫛形電
極２および圧電基板１と櫛形電極２との間に介在させた
保護膜５を有する。保護膜５はフッ素を含むが塩素を含
まないガスを用いた反応性イオンエッチング法でエッチ
ング可能な、しかも質量付加効果を考慮して密度が２．
３４ｇ／ｃｍ３ とＡｌの密度（２．６９ｇ／ｃｍ３）
に近い珪素（Ｓｉ）で形成されている。
ルタは３６度回転ＹカットＸ伝播ＬｉＴａ０３の単結晶
からなる圧電基板１と、ＡｌーＣｕ合金からなる櫛形電
極２および圧電基板１と櫛形電極２との間に介在させた
保護膜５を有する。保護膜５はフッ素を含むが塩素を含
まないガスを用いた反応性イオンエッチング法でエッチ
ング可能な、しかも質量付加効果を考慮して密度が２．
３４ｇ／ｃｍ３ とＡｌの密度（２．６９ｇ／ｃｍ３）
に近い珪素（Ｓｉ）で形成されている。
【００１７】かかる本発明になる弾性表面波フィルタは
図２に示す方法によって製造される。即ち、図２（ａ）
に示す如くＤＣスパッタ法を用いて圧電基板１上に順
次成膜することによって、膜厚が ３００ÅのＳｉから
なる保護膜５と膜厚が１４００ÅのＡｌーＣｕ合金から
なる電極膜３を積層している。かかる電極膜３の上にレ
ジストを塗布して図２（ｂ） に示す如くパターン幅が
１．２μｍ のレジストマスク４を形成する。
図２に示す方法によって製造される。即ち、図２（ａ）
に示す如くＤＣスパッタ法を用いて圧電基板１上に順
次成膜することによって、膜厚が ３００ÅのＳｉから
なる保護膜５と膜厚が１４００ÅのＡｌーＣｕ合金から
なる電極膜３を積層している。かかる電極膜３の上にレ
ジストを塗布して図２（ｂ） に示す如くパターン幅が
１．２μｍ のレジストマスク４を形成する。
【００１８】次いでＡｒガスを用いたイオンビームエッ
チング法で図２（ｃ） に示す如く電極膜３をエッチン
グし、更にＳＦ６ ガスを用いた反応性イオンエッチン
グ法によって図２（ｄ） に示す如く後に残った保護膜
５をエッチングする。その後０２ ガスを用いた反応性
イオンエッチング法によってレジストマスク４を除去す
ることによって、図２（ｅ） に示す如くパターン幅が
１．２μｍ の櫛形電極２を具えた弾性表面波フィル
タが形成される。
チング法で図２（ｃ） に示す如く電極膜３をエッチン
グし、更にＳＦ６ ガスを用いた反応性イオンエッチン
グ法によって図２（ｄ） に示す如く後に残った保護膜
５をエッチングする。その後０２ ガスを用いた反応性
イオンエッチング法によってレジストマスク４を除去す
ることによって、図２（ｅ） に示す如くパターン幅が
１．２μｍ の櫛形電極２を具えた弾性表面波フィル
タが形成される。
【００１９】なお本実施例では圧電基板１の上に膜厚が
３００ÅのＳｉからなる膜を成膜して保護膜５となし
、ＳＦ６ ガスを用いた反応性イオンエッチング法によ
って保護膜５をエッチングしているが、Ｓｉにかわる材
料として膜厚が ３００ÅのＳｉＯ２からなる膜を成膜
して保護膜５となし、ＳＦ４ ガスを用いた反応性イオ
ンエッチング法によって保護膜５をエッチングしても同
等の効果を得ることができる。
３００ÅのＳｉからなる膜を成膜して保護膜５となし
、ＳＦ６ ガスを用いた反応性イオンエッチング法によ
って保護膜５をエッチングしているが、Ｓｉにかわる材
料として膜厚が ３００ÅのＳｉＯ２からなる膜を成膜
して保護膜５となし、ＳＦ４ ガスを用いた反応性イオ
ンエッチング法によって保護膜５をエッチングしても同
等の効果を得ることができる。
【００２０】このように圧電基板とＡｌあるいはＡｌ合
金からなる櫛形電極との間に保護膜を介在させることに
よって、パターン幅が極めて狭い櫛形電極の形成に適し
たＡｒガスを用いたイオンビームエッチング法で、オー
バーエッチングによる圧電基板の損傷を気にすることな
く電極膜をエッチングすることが可能になり、フッ素を
含むが塩素を含まないガスを用いた反応性イオンエッチ
ング法でエッチング可能な材料で保護膜を形成すること
によって、エッチング残渣や電極の腐食を生じることな
く反応性イオンエッチング法で保護膜をエッチングする
ことが可能になる。即ち、エッチング残渣や電極の腐食
、圧電基板の損傷等が無く再現性のよい、極超短波帯域
で用いる装置に適用可能な弾性表面波フィルタとその製
造方法を実現することができる。
金からなる櫛形電極との間に保護膜を介在させることに
よって、パターン幅が極めて狭い櫛形電極の形成に適し
たＡｒガスを用いたイオンビームエッチング法で、オー
バーエッチングによる圧電基板の損傷を気にすることな
く電極膜をエッチングすることが可能になり、フッ素を
含むが塩素を含まないガスを用いた反応性イオンエッチ
ング法でエッチング可能な材料で保護膜を形成すること
によって、エッチング残渣や電極の腐食を生じることな
く反応性イオンエッチング法で保護膜をエッチングする
ことが可能になる。即ち、エッチング残渣や電極の腐食
、圧電基板の損傷等が無く再現性のよい、極超短波帯域
で用いる装置に適用可能な弾性表面波フィルタとその製
造方法を実現することができる。
【００２１】
【発明の効果】上述の如く本発明によればエッチング残
渣や電極の腐食、圧電基板の損傷等が無く再現性のよい
、極超短波帯域で用いる装置に適用可能な弾性表面波フ
ィルタとその製造方法を提供することができる。
渣や電極の腐食、圧電基板の損傷等が無く再現性のよい
、極超短波帯域で用いる装置に適用可能な弾性表面波フ
ィルタとその製造方法を提供することができる。
【図１】 本発明になる弾性表面波フィルタを示す斜
視図である。
視図である。
【図２】 本発明になる弾性表面波フィルタの製造方
法を示す図である。
法を示す図である。
【図３】 従来の弾性表面波フィルタの基本構造を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図４】 従来の弾性表面波フィルタの製造方法を示
す図である。
す図である。
１ 圧電基板 ２ 櫛形電
極３ 電極膜 ４ レ
ジストマスク５ 保護膜
極３ 電極膜 ４ レ
ジストマスク５ 保護膜
Claims (3)
- 【請求項１】 圧電基板（１） とＡｌあるいはＡｌ
合金からなる櫛形電極（２） との間に、保護膜（５）
を介在させてなることを特徴とする弾性表面波フィル
タ。 - 【請求項２】 フッ素を含むが塩素を含まないガスを
用いた反応性イオンエッチング法でエッチング可能な材
料で、保護膜（５） が形成されてなることを特徴とす
る請求項１記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項３】 圧電基板（１） に保護膜（５） と
ＡｌあるいはＡｌ合金からなる電極膜（３） を順次積
層し、櫛形電極の形成に際してＡｒガスを用いたイオン
ビームエッチング法で該電極膜（３） をエッチングし
、更にフッ素を含むが塩素を含まないガスを用いた反応
性イオンエッチング法で、該保護膜（５） をエッチン
グすることを特徴とした弾性表面波フィルタの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14057891A JPH04365211A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 弾性表面波フィルタとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14057891A JPH04365211A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 弾性表面波フィルタとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04365211A true JPH04365211A (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=15271954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14057891A Withdrawn JPH04365211A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 弾性表面波フィルタとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04365211A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6358429B1 (en) * | 1998-08-05 | 2002-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic device and method for producing the same |
| KR100701771B1 (ko) * | 1998-08-25 | 2007-03-30 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 표면탄성파 공진기, 필터, 듀플렉서, 통신 장치 및 표면탄성파 공진기의 제조방법 |
| CN106098383A (zh) * | 2016-05-28 | 2016-11-09 | 惠州市力道电子材料有限公司 | 一种透明光电催化用叉指电极及其加工方法 |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP14057891A patent/JPH04365211A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6358429B1 (en) * | 1998-08-05 | 2002-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic device and method for producing the same |
| KR100701771B1 (ko) * | 1998-08-25 | 2007-03-30 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 표면탄성파 공진기, 필터, 듀플렉서, 통신 장치 및 표면탄성파 공진기의 제조방법 |
| CN106098383A (zh) * | 2016-05-28 | 2016-11-09 | 惠州市力道电子材料有限公司 | 一种透明光电催化用叉指电极及其加工方法 |
| CN106098383B (zh) * | 2016-05-28 | 2019-01-01 | 惠州市力道电子材料有限公司 | 一种透明光电催化用叉指电极及其加工方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |