JP2003332064A - Elパネル及びその製造方法 - Google Patents
Elパネル及びその製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
りの向上を図ることを課題とする。 【解決手段】 対向基板2の対向面21に複数の接続用
電極5をパターニングするとともに、各々の接続用電極
5にドレイン電極67が接続されるようにTFT6を形
成する。一方、透明基板3の対向面31に、アノード電
極41、有機EL発光層42、カソード電極43の順に
積層して、複数の有機EL素子4をパターニングする。
そして、有機EL素子4のカソード電極43に接続用電
極5を各々対向させて、透明電極43と接続用電極5と
の間に導電性スペーサ7を介在させて、対向基板2に透
明基板3を貼り合わせる。導電性スペーサ7に支持され
て、透明電極43と接続用電極5との間に空間11が存
する。
Description
tro Luminescence)素子が基板にパターニングされてお
り、EL素子を各々駆動制御するための薄膜トランジス
タが設けられたELパネル及びその製造方法に関する。
有機EL素子と無機物からなる無機EL素子に大別され
るが、一般に有機EL素子は、基板上に透明電極である
アノード電極と、有機EL発光層と、仕事関数の比較的
低いカソード電極とが順次積層されて構成される。複数
の有機EL素子が格子状となって基板上にパターニング
形成され、更に、各々の有機EL素子の周囲において一
又は複数のアクティブ素子としての薄膜トランジスタが
パターニング形成されることで、アクティブマトリクス
駆動式の有機EL表示パネルが得られる。この有機EL
表示パネルでは、周辺ドライバから薄膜トランジスタに
駆動信号が出力されると、指定されたレベルの電流が薄
膜トランジスタを介して有機EL素子に流れて、有機E
L素子が画素として電流レベルに応じた輝度で発光す
る。複数の有機EL素子で発した光が基板を透過して、
基板が表示面となって画像が基板に表示されることにな
る。
は、複数の薄膜トランジスタを基板上にパターニング形
成した後に、複数の有機EL素子をマトリクス状に基板
上にパターニング形成するが、この際各々の有機EL素
子の周囲に薄膜トランジスタを形成する。
ネルの製造方法では、一つの基板上に複数の薄膜トラン
ジスタと複数の有機EL素子をパターニング形成してい
るため、歩留まりの向上にも限度がある。つまり、複数
の薄膜トランジスタに形成ミスがあっても、複数の有機
EL素子に形成ミスがあっても、有機EL表示パネルは
不良品となる。従って、複数の有機EL素子には形成ミ
スがない場合でも、複数の薄膜トランジスタに形成ミス
があれば有機EL表示パネルは不良品となり、形成ミス
のない有機EL素子が無駄となる。一方、複数の薄膜ト
ランジスタには形成ミスがない場合でも、複数の有機E
L素子に形成ミスがあれば有機EL表示パネルは不良品
となり、形成ミスのない薄膜トランジスタが無駄とな
る。そのため、従来の有機EL表示パネルの製造方法で
は、製造コストが嵩んでしまう。
0nm程度と極めて薄い構造なので、仮に薄膜トランジ
スタと複数の有機EL素子とをそれぞれ別体で形成して
互いに隙間無く貼り合わせて、薄膜トランジスタと有機
EL素子を電気的に接続しようとすると、有機EL発光
層全体に厚さ方向に荷重がかかってしまうが、このとき
有機EL発光層のごく一部でも厚さ方向に破れることが
あれば、上下の電極がショートしてしまい有機EL素子
が破壊する恐れがある。このため貼り合わせの位置精度
や接合面での平滑性や両者の接合面の水平度等の厳しい
製造条件を満足させなければならず、かえってコスト高
になる可能性があった。また隙間を設けると、そこに介
在する空気により電極が酸化され、発光特性が劣化して
しまうという問題が生じた。
製造歩留まりの向上を図ることを課題とする。
めに、請求項1記載の発明に係るELパネルは、例えば
図1に示すように、透明基板(例えば、透明基板3)
と、該透明基板に対向する対向基板(例えば、対向基板
2)と、前記透明基板の前記対向基板に向いた対向面
(例えば、対向面31)側に第一電極(例えば、アノー
ド電極41)、EL発光層(例えば、有機EL発光層4
2)、第二電極(例えば、カソード電極43)の順に積
層されて設けられた複数のEL素子(例えば、有機EL
素子4)と、前記複数のEL素子の各々に対向するよう
に、前記対向基板の前記透明基板に向いた対向面側に設
けられた複数の接続用電極(例えば、接続用電極5)
と、前記EL素子の各々を駆動せしめるとともに、前記
対向基板の前記対向面側に形成され、駆動電極(例え
ば、ドレイン電極67)が前記接続用電極に接続された
複数のトランジスタ(例えば、TFT6)と、前記トラ
ンジスタの上方に空間(例えば、空間11)が形成され
るように、前記EL素子の第二電極と前記接続用電極と
の間に介在する導電性スペーサ(例えば、導電性スペー
サ7)と、を具備することを特徴とする。
造方法は、例えば図1〜図9に示すように、透明基板
(例えば、透明基板3)の一方の面(例えば、対向面3
1)側に、第一電極(例えば、アノード電極41)、E
L発光層(例えば、有機EL発光層42)、第二電極
(例えば、カソード電極43)の順に積層されてなるE
L素子(例えば、有機EL素子4)を複数形成するEL
素子形成工程(例えば、図4〜図7に図示)と、対向基
板(例えば、対向基板2)の一方の面(例えば、対向面
21)側に複数の接続用電極(例えば、接続用電極5)
を形成するとともに、各々の前記接続用電極に駆動電極
(例えば、ドレイン電極67)が接続されるようにトラ
ンジスタ(例えば、TFT6)を形成する形成工程(例
えば、図3に図示)と、前記複数のEL素子の第二電極
に前記接続用電極を各々対向させて、前記トランジスタ
の上方に空間が形成されるように前記第二電極と前記接
続用電極との間に導電性スペーサを介在させて、前記対
向基板に前記透明基板を貼り合わせる貼り合わせ工程
(例えば、図9に図示)と、を含むことを特徴とする。
スタの駆動電極が接続用電極に接続されており、更に、
接続用電極とEL素子の第二電極との間に導電性スペー
サが介在しているため、トランジスタの駆動電極にEL
素子の第二電極が導電している。このとき、第二電極及
び接続用電極間に介在する導電性スペーサによってトラ
ンジスタの上方に空間ができるように設定されるので、
透明基板と対向基板との貼り合わせで互いに押圧してト
ランジスタが損壊することを防止できる。従って、EL
パネルの製造歩留まりを高くすることができる。
成し且つ透明基板にEL素子を形成しているため、正常
にEL素子が形成された透明基板に対して、正常にトラ
ンジスタが形成された対向基板を貼り合わせれば、EL
パネルの製造歩留まりの低下を抑えられる。つまり、請
求項1又は7記載の発明では、EL素子の形成ミスのみ
が生じたELパネル、トランジスタの形成ミスのみが生
じたELパネルを製造することがなくなり、製造歩留ま
りの低下及び製造コストの増加を抑えられる。
Lパネルにおいて、前記導電性スペーサは弾性を有する
ことを特徴とする。
が弾性を有しているので外部応力により変形しても元の
形状に戻る復元力がある。このため、第二電極や接続用
電極における導電性スペーサとの接合面の平滑性が低く
(でこぼこ状)ても、また対向基板及び透明基板の貼り
合わせ時の位置合わせズレや対向基板及び透明基板間の
水平度にズレが生じても、導電性スペーサの径が十分大
きく且つ柔軟なので、基板のかみ合わせのズレを緩衝す
るように作用し、対向基板及び透明基板の貼り合わせ時
に、特に有機EL素子に適用する場合、薄膜状の有機E
L発光層が厚さ方向に破れないように導電性スペーサが
物理応力を緩衝する役割を果たし、EL発光層が潰れて
第一電極と第二電極とがショートすることを防止でき
る。
載のELパネルにおいて、前記EL素子の第二電極と前
記接続用電極との間の空間が不活性ガス雰囲気となって
いることを特徴とする。
電極と接続用電極との空間が不活性ガス雰囲気であるた
め、EL素子の第二電極及び接続用電極の腐食を抑える
ことができる。
何れかに記載のELパネルにおいて、前記EL素子の第
二電極と前記接続用電極との間の空間に吸湿剤が配され
ていることを特徴とする。
電極と接続用電極との空間に吸湿剤が配されているた
め、空間中の水分が吸湿剤に吸着して、空間が乾燥す
る。従って、EL素子の第二電極及び接続用電極の腐食
を抑えることができる。
体的な態様について説明する。ただし、発明の範囲を図
示例に限定するものではない。なお、本実施の形態にお
いて、『平面視して』とは、『透明基板3(図1に図
示)の対向面31に対して略垂直な方向に対向面31
(表示面)を見て、或いは対向基板2(図1に図示)の
対向面21に対して略垂直な方向に対向面21(表示
面)を見て』と同義である。
L表示パネル1が示されている。図1は、本発明が適用
された有機EL表示パネルの一部分を拡大して示した断
面図であり、図2は、本発明が適用された有機EL表示
パネルの一部分を平面視して示した図である。ここで有
機EL表示パネル1では複数の画素がマトリクス状に配
列されており、一つの画素は、一つの有機EL素子4
(詳細については後述する。)によって発光する発光部
13と、その発光部13の周囲において隔壁10(詳細
については後述する。)により定義された、発光しない
非発光部14とからなる。
リクス駆動方式により表示を行うものである。即ち、有
機EL表示パネル1では、一つの画素につき、一つの有
機EL素子4と、有機EL素子4を駆動するための一つ
の画素スイッチング回路(薄膜トランジスタ6を含む)
と、から構成されており、周辺ドライバ回路から出力さ
れた信号に従って画素スイッチング回路が有機EL素子
4に流れる電流をオン・オフしたり、有機EL素子4の
発光期間中に電流値を保持することで有機EL素子4の
発光輝度を制御したりする。なお、画素スイッチング回
路は、一つにつき、少なくとも一つ以上の薄膜トランジ
スタ(以下、TFTと述べる。)から構成され、適宜コ
ンデンサ等も付加されることもあるが、以下では画素ス
イッチング回路のTFTのうち、他の電気素子を介在し
ないで有機EL素子4に直接接続されるTFT6を例に
して説明する。
板3と、シール材51より透明基板3に接合された平板
状の対向基板2と、対向基板2にマトリクス状にパター
ニング形成された複数の有機EL素子4と、透明基板3
にマトリクス状にパターニング形成されているとともに
複数の有機EL素子4の各々に対向した複数の接続用電
極5と、各接続用電極5の外周に設けられた複数のTF
T6と、有機EL素子4と接続用電極5との間に介在
し、弾性樹脂の表面に弾性が失なわれない程度に導電性
材料が被膜された複数の導電性スペーサ7と、を具備し
ている。複数の有機EL素子4、複数の接続用電極5、
複数のTFT6、複数の導電性スペーサ7を対向基板2
及び透明基板3ではさむように、対向基板2に透明基板
3を貼り合わせることで有機EL表示パネル1が構成さ
れる。
するとともに絶縁性を有し、ホウケイ酸ガラス、石英ガ
ラス、その他のガラスといった材料で形成されている。
1側には、複数のTFT6が形成されている。各TFT
6は、ゲート電極61、ゲート絶縁膜62、半導体膜6
3、不純物半導体膜64,65、ソース電極66、ドレ
イン電極67等から構成されており、これらが積層され
てなる所謂周知のMOS型電界効果トランジスタであ
り、またこれらTFT6は、アモルファスシリコントラ
ンジスタであっても、ポリシリコントランジスタであっ
てもその両者が混在してもよく、逆スタガ構造でもコプ
ラナ構造やそれ以外の構造であってもよい。なお、ゲー
ト絶縁膜62は、全てのTFT6について共通の層とな
っている。
査線或いは信号線といった配線8が形成されている。配
線8は、ゲート絶縁膜62によって被覆されているかゲ
ート絶縁膜62上に設けられている。配線8は、周辺ド
ライバ回路から出力された信号を各画素の画素スイッチ
ング回路に送るものである。
る。この層間絶縁膜9は、画素スイッチング回路の他の
TFTやコンデンサ等も被覆している。そして、層間絶
縁膜9は、平面視して、網目状にパターニングされてい
る。
縁膜62を介在して複数の接続用電極5が形成されてい
る。複数の接続用電極5は、平面視して、マトリクス状
に配列されており、層間絶縁膜9によって囲繞された領
域に配されている。各接続用電極5は、平面視して、略
矩形状を呈している。また、各接続用電極5は、導電性
を有するとともに可視光に対して遮光性を有し、更に可
視光に対して反射性を有する。一つの接続用電極5に対
して一つのTFT6のドレイン電極67が接続されてい
る。なお、隣り合う二つの接続用電極5の間にTFT6
が配されている。
ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラスといっ
た透明な材料で形成されている。透明基板3の対向基板
2と対向する対向面31側には、複数の有機EL素子4
が形成されている。
続用電極5に対向するようにマトリクス状に配列されて
いる。各有機EL素子4は、アノード電極41と、有機
EL発光層42と、カソード電極43とを具備してお
り、透明基板3側から順にアノード電極41、有機EL
発光層42、カソード電極43が積層した積層構造とな
っている。
31一面に形成されており、全ての有機EL素子4の共
通の電極となっている。一方、カソード電極43及び有
機EL発光層42は、画素毎に隔壁10により区切られ
ている。
へ正孔を効率よく注入するものが好ましく、可視光に対
して透光性を有し、例えば、インジウム・スズ・酸化物
(ITO:Indium-Tin-Oxide)、亜鉛ドープ酸化インジ
ウム(IZO)、酸化インジウム(In2O3)、酸化ス
ズ(SnO2)又は酸化亜鉛(ZnO)等で形成されて
いる。
下に形成されており、接続用電極5よりも広く且つ平面
視してTFT6の一部と少なくとも重なるようにしてマ
トリクス状に配列されている。有機EL発光層42は、
例えば、アノード電極41から順に正孔輸送層、発光
層、電子輸送層となる三層構造であっても良いし、アノ
ード電極41から順に正孔輸送層、発光層となる二層構
造であっても良いし、発光層からなる一層構造であって
も良いし、これらの層構造において適切な層間に電子或
いは正孔の注入層が介在した積層構造であっても良い
し、その他の層構造であっても良い。
電子を注入する機能、正孔及び電子を輸送する機能、正
孔と電子の再結合により励起子を生成して発光する機能
を有する。有機EL発光層42は、電子的に中立な有機
化合物であることが望ましく、これにより正孔と電子が
有機EL発光層42でバランス良く注入及び輸送され
る。なお、電子輸送性の物質が発光層に適宜混合されて
いても良いし、正孔輸送性の物質が発光層に適宜混合さ
れても良いし、電子輸送性の物質及び正孔輸送性の物質
が発光層に適宜混合されていても良い。
下に形成されており、接続用電極5よりも広く且つ平面
視してTFT6の一部と少なくとも重なるようにしてマ
トリクス状に配列されている。カソード電極43は、導
電性を有し、比較的仕事関数の低いものであるのが望ま
しい。更に、カソード電極43は、化学的に安定なもの
であるのが望ましい。カソード電極43としては、例え
ば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム
若しくはバリウム又はこれらの少なくとも1種を含む単
体や合金若しくは混合物等の仕事関数の低く、有機EL
発光層42に接触する電子注入層と、電子注入層を酸化
から保護するとともにカソード電極43全体のシート抵
抗を低くし、仕事関数が相対的に高い、アルミニウム、
クロム、銅等からなる保護層と、の2層構造が好適であ
る。カソード電極43は、可視光に対して透過性を有し
ていても良いし、可視光に対して反射性及び遮光性を有
していても良い。
発光層42及びカソード電極43をそれぞれ区切るよう
に、隔壁10が平面視して網目状にアノード電極41下
に形成されている。つまり、平面視して、隔壁10によ
って囲繞される領域に有機EL発光層42及びカソード
電極43が配される。隔壁10は、感光性樹脂で形成さ
れており、例えばポリイミド樹脂で形成されている。隔
壁10によって有機EL素子4が区切られているため、
発光部13と隣りの発光部13との間に非発光部14が
非常に暗くなり、画像表示のコントラスト性が良い。
接続用電極5が互いに対向しているが、カソード電極4
3と接続用電極5の間に導電性スペーサ7が介在してい
る。そして、導電性スペーサ7は、接続用電極5に接し
ているとともに、当該接続用電極5に対向したカソード
電極43にも接しており、接続用電極5とカソード電極
43は互いに導電性スペーサ7によって導電している。
更に、導電性スペーサ7によって支持されて層間絶縁膜
9に対して隔壁10が離れている。
電性物質がコーティングされたものであるが、導電性を
有していればこのようなものに限定されず、どの導電性
スペーサ7も基本的に粒径がほぼ均一である。更に、導
電性スペーサ7は、接続用電極5上に単位面積あたりほ
ぼ均一な量で散布されて載置されており、一つの接続用
電極5につき一〜数十個の導電性スペーサ7が散布され
て載置されている。また、接続用電極5上の導電性スペ
ーサ7の頭頂部は層間絶縁膜9の頭頂部よりも上方向に
突出しているため、隔壁10と層間絶縁膜9との間、並
びに接続用電極5とカソード電極43との間に空間11
が存在する。なお、各々のTFT6は、有機EL素子4
のカソード電極43とその隣りの有機EL素子4のカソ
ード電極43との間の部分(つまり、隔壁10)に向き
合っている。
極5間に介在する導電性スペーサ7は、対向基板2と透
明基板3の貼り合わせ時に層間絶縁膜9及び隔壁10が
互いに押圧してTFT6が損壊しないように十分な径に
なるように設定されている。そして、導電性スペーサ7
が弾性であるため、外力により変形しても元の形状に戻
る復元力がある。このため、カソード電極43や接続用
電極5における導電性スペーサ7との接合面の平滑性が
低く(でこぼこ状)ても、また対向基板2及び透明基板
3の貼り合わせ時の位置合わせズレや対向基板2及び透
明基板3間の水平度にズレが生じても、導電性スペーサ
7の径が十分大きく且つ柔軟なので、基板のかみ合わせ
のズレを緩衝するように作用し、対向基板2及び透明基
板3の貼り合わせ時に、薄い有機フィルム状の有機EL
発光層42が厚さ方向に破れないように導電性スペーサ
7が物理応力を緩衝する役割を果たす。
ス、アルゴンガス、ネオンガス等の不活性ガス雰囲気と
なっている。このため、空間11内は酸素及び水が極め
て希薄になるのでカソード電極43が酸化することを抑
制できる。
ル1の製造方法について説明する。まず対向基板2側の
素子形成として、スパッタ、蒸着法或いはCVD法等に
よる成膜工程、フォトリソグラフィー法等といったマス
ク工程、エッチング法といった薄膜の形状加工工程を適
宜行うことによって、配線8をパターニング成形すると
ともに、画素ごとに画素スイッチング回路(TFT6を
含む)及び接続用電極5を対向基板2の対向面21上に
パターニング形成する。ここで、接続用電極5及びTF
T6をパターニング形成する際には、TFT6のドレイ
ン電極67と接続用電極5が接続されるように、レジス
トをマスクする。TFT6及び接続用電極5の形成後、
スパッタ、蒸着法或いはCVD法等といった成膜工程、
フォトリソグラフィー法等といったマスク工程、エッチ
ング法といった薄膜の形状加工工程を行うことによって
TFT6上に層間絶縁膜9をパターニング形成する(図
3)。接続用電極5はシート抵抗が低い方が望ましく、
このため比抵抗が小さい材料がよく、アルミ、クロム等
の金属が好ましい。
パッタ、蒸着法或いはCVD法等によって透明基板3の
対向面31上に透明なアノード電極41を成膜する(図
4)。
ノード電極41上に所定の高さの逆テーパ状の(つま
り、対向基板3に向かうに連れて幅広となる)隔壁10
を網目状に形成する。つまり、アノード電極41上にレ
ジスト膜(感光性ポリイミド膜)を形成し、隔壁10と
なる部分以外のレジスト膜を露光し、現像液でレジスト
膜の露光した部分を等方性エッチングにより除去する。
これにより、レジスト膜を形状加工し、レジスト膜の残
った部分が隔壁10となる(図5)。なお、レジスト膜
がネガ型の場合には、レジスト膜の露光しない部分が現
像液で除去されて、露光した部分が隔壁10となる。
L発光層42を成膜する。ここで、有機EL発光層42
として高分子系材料を用いる場合には、発光材料を含有
する高分子系材料を溶媒で溶かし、隔壁10によって囲
繞された領域にこの溶液を液滴噴出装置でピコリットル
オーダー程度の液滴として一回又は複数回噴出する。そ
して、隔壁10によって囲繞された領域において、液滴
がアノード電極41上で広がって膜になり、そして固化
することによって、有機EL発光層42が形成される。
したがって発光領域となる発光部13は、隔壁10の形
状により一義的に設定されるので液滴噴出装置での液滴
の着地位置に多少の乱れがあっても常に同じピッチ、同
じ形状、同じ面積の有機EL発光層42を成膜すること
ができる。このような処理を、隔壁10によって囲繞さ
れた領域全てについて行うことで、複数の有機EL発光
層42がマトリクス状に配列される。なお、有機EL発
光層42が複数の積層構造の場合には、各層の溶液を層
の順番に順次噴出していく(図6)。
といった成膜工程によって有機EL発光層42上にカソ
ード電極43を成膜するが、隔壁10とアノード電極4
1とによって段差になっているため、また隔壁10が逆
テーパ状であるため、カソード電極43は隔壁10に沿
って段切れし、マトリクス状に配列された複数のカソー
ド電極43を形成する(図7)。
EL素子4がマトリクス状にパターニング形成されると
ともに、対向基板2には複数の接続用電極5がマトリク
ス状にパターニング形成され、各々の接続用電極5の周
囲にTFT6が形成される。
極5に導電性スペーサ7を散布或いは塗布する(図
8)。なお、導電性スペーサ7はその表面に接着性を有
していれば、散布された時点で導電性スペーサ7が接続
用電極5に接着して、接続用電極5上で滑ったり、移動
したりしない。
4のカソード電極43を向かい合わせて、対向基板2に
透明基板3を貼り合わせる(図9)。対向基板2に透明
基板3を貼り合わせることで、導電性スペーサ7が接続
用電極5に接して、導電性スペーサ7に支持されること
で接続用電極5と有機EL素子4のカソード電極43が
互いに離れており、更に隔壁10と層間絶縁膜9が互い
に離れている。対向基板2に透明基板3を貼り合わせる
工程を不活性ガス雰囲気の下で行うと、それらの間の空
間11が不活性ガス雰囲気となり、導電性スペーサ7や
カソード電極43の酸化を抑制することができる。また
透明基板3を下側に配置すれば、対向基板2ではなく透
明基板3のカソード電極43表面に導電性スペーサ7を
散布或いは塗布して貼り合わせてもよい。
縁との間をシール材51で埋めて、空間11に不活性ガ
スを密封する。シール材51を埋める工程も、不活性ガ
ス雰囲気の下で行うのが良い。
が製造される。この有機EL表示パネル1では、画素ス
イッチング回路(TFT6)に駆動されて、有機EL素
子4が発光する。つまり、TFT6を介して有機EL素
子4のアノード電極41−カソード電極43間に電位差
が生じ、このとき正孔がアノード電極41から有機EL
発光層42へ注入され、電子がカソード電極43から有
機EL発光層42に注入される。そして、有機EL発光
層42の発光層へ正孔及び電子が輸送されて、発光層に
て正孔及び電子が再結合することによって励起子が生成
され、励起子が有機EL発光層42内の蛍光体を励起し
て発光する。カソード電極43、接続用電極5、ゲート
絶縁膜62及び対向基板2が透明であるため、光はアノ
ード電極41、透明基板3を透過し、透明基板3の表面
が表示面となり、カソード電極43が反射性を有してい
る場合には発光輝度も高くなり、カソード電極43が透
光性を有していても接続用電極5が反射性を有している
ので発光輝度が高くなる。ここで、TFT6は非発光部
14である隔壁10に関係なく配置することが可能なた
め、非発光部14に対する発光部13の大きさ割合を大
きくすることができ、画素の発光面積率を高くすること
ができる。
を奏する。 (1) 有機EL表示パネル1の製造歩留まりが向上
し、製造コストの抑制を図ることができる。従来では、
対向基板に駆動用のTFTを画素ごとにパターニングし
た後にその対向基板に有機EL素子を画素ごとにパター
ニングしていたため、TFTのパターニングミスが発生
した場合でも、有機EL素子のパターニングミスが発生
した場合でも、TFT及び有機EL素子の両方にパター
ニングミスが発生した場合でも、製造された有機EL表
示パネルは不良品である。例えば、TFTのパターニン
グ工程における歩留まりを90%とし、有機EL素子の
パターニング工程における歩留まりを90%とした場
合、従来では有機EL表示パネルの製造歩留まりは理論
上81%となる。それに対して、本実施の形態では、対
向基板2にTFT6を画素ごとにパターニングして、別
の基板である透明基板3に有機EL素子4を画素ごとに
パターニングしているため、正常に有機EL素子4がパ
ターニングされた透明基板3に対して、正常にTFT6
がパターニングされた対向基板2を貼り合わせれば、有
機EL表示パネル1の歩留まりの低下を抑えられる。例
えば、例えば、TFT6のパターニング工程における歩
留まりを90%とし、有機EL素子4のパターニング工
程における歩留まりを90%とした場合、本実施形態で
は有機EL表示パネル1の製造歩留まりは理論上90%
と高くなる。
い。つまり、本実施形態では、空間11が不活性ガス雰
囲気となっているため、有機EL素子4のカソード電極
43、導電性スペーサ7及び接続用電極5が酸素或いは
水分によって腐食されることを抑制できる。そして、発
光部13はTFT6の占有面積に関わらず非発光部14
となる隔壁10により広範囲に設定することができるの
で、一画素当たりのTFT6の数が増えても、TFT6
が電流制御であっても電圧制御であっても、単位時間に
有機EL発光層42の単位面積当たりに印加する電圧を
小さくしても十分見かけ上明るく発光することができ
る。このように腐食を抑制し、低電圧で駆動しているの
で、有機EL表示パネル1の寿命が長い。更に、有機E
L素子4のカソード電極43、導電性スペーサ7及び接
続用電極5の腐食の要因となる酸素或いは水分がほとん
ど存在しないから、カソード電極43、導電性スペーサ
7及び接続用電極5が酸化による高抵抗化を引き起こし
にくい。そのため、使用経年によって有機EL素子4の
電流が低下する低下率が非常に低いため、使用経年によ
る有機EL素子4の輝度の著しい低下を防止することが
できる。
壁10と層間絶縁膜9が互いに離れているので、対向基
板2又は透明基板3が互いに近づくように押されても、
TFT6が潰れない。また、導電性スペーサ7が弾性を
有しているため、対向基板2又は透明基板3が互いに近
づくように押されても、その押す力が除去されれば導電
性スペーサ7は元の形状に戻るから、空間11が維持さ
れる。さらに対向基板2と透明基板3とは互いに、シー
ル材以外では導電性スペーサ7のみを介して接触してい
るので、貼り合わせ時に対向基板2と透明基板3の一方
が若干傾いたり、カソード電極43や接続用電極5の表
面が平滑でなくても、導電性スペーサ7がそのズレや貼
り合わせによる押力を緩衝するように変形するので、カ
ソード電極43と接続用電極5との間の接続不良を抑制
できるとともに有機EL発光層42が潰れてアノード電
極41とカソード電極43とがショートすることを防止
できる。
れることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲におい
て、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。例え
ば、上記実施の形態では、導電性スペーサ7は、弾性樹
脂の表面に導電性物質がコーティングされたものである
が、導電性弾性樹脂で形成されたスペーサであっても良
い。
て、吸湿剤としての吸湿性スペーサを設けても良い。吸
湿性スペーサとしては、球状シリカゲル、ゼオライト微
粒子等が挙げられる。吸湿性スペーサの粒径は導電性ス
ペーサ7の粒径より小さいことが望ましく、吸湿性スペ
ーサが空間11に配されることで、空間11の水分が吸
湿性スペーサに吸着するので、接続用電極5及びカソー
ド電極43の腐食を抑える。なお、吸湿性スペーサを設
けるには、導電性スペーサ7を散布又は塗布するのと同
時に、又は導電性スペーサ7の散布又は塗布する前又は
後に、吸湿性スペーサを接続用電極5に散布又は塗布す
れば良い。
にアノード電極41、有機EL発光層42、カソード電
極43が積層された構造であるが、逆に対向面31から
順にカソード電極、有機EL発光層、アノード電極が積
層された構造であっても良い。この場合、アノード電極
が透明な電極とし、接続用電極5を透明とすることで対
向基板2側から有機EL素子4の光を出射してもよい。
ング回路の素子としてTFT6を例に挙げて説明した
が、他のTFTもTFT6とほぼ同様に接続用電極5の
周囲に配される。但し、他のTFTについては電極の接
続構成がTFT6と異なる。つまり、画素スイッチング
回路の回路構成は適宜様々に変更可能であり、画素スイ
ッチング回路が、一つのTFTから構成されても良い
し、二つ以上のTFTから構成されても良い。
接続される電極がドレイン電極67であったが、ソース
電極66であっても良い。また、TFT6は、Nチャネ
ル型の電界効果トランジスタであっても良いし、Pチャ
ネル型の電界効果トランジスタであっても良く、画素ス
イッチング回路への電圧の印加方法、電流の流す方法に
よって適宜Nチャネル型かPチャネル型に変更可能であ
る。
を形成する工程、隔壁10を形成する工程を、1×10
-3Torr以下望ましくは1×10-6Torr以下の減圧雰囲気
中、或いは不活性雰囲気の下で行っても良い。また、対
向基板2に複数のTFT6を形成する工程、接続用電極
5を形成する工程、層間絶縁膜9を形成する工程を不活
性雰囲気の下で行っても良い。また、上記実施形態では
EL素子として有機EL素子を適用したが、無機EL素
子にも応用できる。無機EL素子の場合、透明基板から
順に透明電極(第一電極)、透明絶縁膜、無機発光層
(EL発光層)、絶縁膜、対向電極(第二電極)となる
層構造となるが、このような層構造に限定する必要はな
い。
極間に介在する導電性スペーサにより、トランジスタの
上方に空間ができるように設定されるので透明基板と対
向基板との貼り合わせで互いに押圧してトランジスタが
損壊することを防止できる。EL素子の形成ミスのみが
生じたELパネル、トランジスタの形成ミスのみが生じ
たELパネルを製造することがなくなる。従って、EL
パネルの製造歩留まりの低下を抑えられる。
ルの一部分を拡大して示した断面図である。
平面図である。
の一工程を示した図面である。
の一工程を示した図面である。
の一工程を示した図面である。
の一工程を示した図面である。
の一工程を示した図面である。
の一工程を示した図面である。
の一工程を示した図面である。
Claims (6)
- 【請求項1】透明基板と、 該透明基板に対向する対向基板と、 前記透明基板の前記対向基板に向いた対向面側に第一電
極、EL発光層、第二電極の順に積層されて設けられた
複数のEL素子と、 前記複数のEL素子の各々に対向するように、前記対向
基板の前記透明基板に向いた対向面側に設けられた複数
の接続用電極と、 前記EL素子の各々を駆動せしめるとともに、前記対向
基板の前記対向面側に形成され、駆動電極が前記接続用
電極に接続された複数のトランジスタと、 前記トランジスタの上方に空間が形成されるように、前
記EL素子の第二電極と前記接続用電極との間に介在す
る導電性スペーサと、 を具備することを特徴とするELパネル。 - 【請求項2】前記導電性スペーサは弾性を有することを
特徴とする請求項1記載のELパネル。 - 【請求項3】前記EL素子の第二電極と前記接続用電極
との間の空間が不活性ガス雰囲気となっていることを特
徴とする請求項1又は2記載のELパネル。 - 【請求項4】前記EL素子の第二電極と前記接続用電極
との間の空間に吸湿剤が配されていることを特徴とする
請求項1から3の何れかに記載のELパネル。 - 【請求項5】透明基板の一方の面側に、第一電極、EL
発光層、第二電極の順に積層されてなるEL素子を複数
形成するEL素子形成工程と、 対向基板の一方の面側に複数の接続用電極を形成すると
ともに、各々の前記接続用電極に駆動電極が接続される
ようにトランジスタを形成する形成工程と、 前記複数のEL素子の第二電極に前記接続用電極を各々
対向させて、前記トランジスタ上方に空間が形成される
ように前記第二電極と前記接続用電極との間に導電性ス
ペーサを介在させて、前記対向基板に前記透明基板を貼
り合わせる貼り合わせ工程と、 を含むことを特徴とするELパネルの製造方法。 - 【請求項6】前記貼り合わせ工程において前記空間に吸
湿剤を配することを特徴とする請求項5に記載のELパ
ネルの製造方法。
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---|---|---|---|
JP2002134023A JP2003332064A (ja) | 2002-05-09 | 2002-05-09 | Elパネル及びその製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002134023A JP2003332064A (ja) | 2002-05-09 | 2002-05-09 | Elパネル及びその製造方法 |
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---|---|---|---|
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