TWI237367B - Method for manufacturing a semiconductor device - Google Patents

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TWI237367B
TWI237367B TW092126016A TW92126016A TWI237367B TW I237367 B TWI237367 B TW I237367B TW 092126016 A TW092126016 A TW 092126016A TW 92126016 A TW92126016 A TW 92126016A TW I237367 B TWI237367 B TW I237367B
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TW
Taiwan
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lead
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frame
lead frame
semiconductor wafer
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TW092126016A
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Inventor
Hiromichi Suzuki
Fujio Ito
Toshio Sasaki
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Renesas Tech Corp
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    • H01L2924/181—Encapsulation

Description

1237367 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於，半導體裝置的製造方法，特別是關於 ’具有環狀的桿狀引線的半導體裝置的製造方法。 【先前技術】 有一種習知的可以提高散熱性的半導體裝置，其構造 是在內部引線的前端部經由絕緣性的接合劑黏貼熱量擴散 片（片狀構件），半導體晶片是搭載於上述熱量擴散片上 的中央部。 上述半導體裝置，其中有一種具有當作共用引線的桿 狀引線（亦稱爲匯流排），例如，桿狀引線呈框狀（四角 的環狀）時’桿狀引線是配置在半導體晶片與內部引線的 前端群之間的領域。 這種半導體裝置記載於PCT/JP03/()6 1 5 1。 本發明對上述半導體裝置的裝配進行檢討。其結果發 現存在有，成型樹脂時，封裝樹脂的流動壓力可能引起導 線短路，或採用小翼片（翼片較晶片背面小）構造時，封 裝用樹脂很難繞到晶片背面等問題。 再者’曰本特開平9 - 2 5 2 〇 7 2號公報記載有，連結 內部引線與其前端的連結部經由接合劑層安裝在熱量擒散 片的引線框架，及其製造方法，但並沒有記載使用該引捧 框架的半導體裝置的具體製造方法。 本發明的目的在提供，可以提高裝配性的半導體裝蟹 -5- (2) 1237367 的製造方法。 而’本發明的另一個目的在提供，可以提高製品的可 靠性的半導體裝置的製造方法。 .. 本發明的上述及其他目的以及新穎的特徵，可以從本·· 說明書的記述及附圖獲得進一步的瞭解。 【發明內容】 本發明包含：先準備，片狀構件與複數條內部引線的 前端部經由絕緣性的熱可塑性接合材接合在一起的引線框 架的過程；將引線框架配置在工作台上的過程；及將半導 體晶片配置在引線框架的片狀構件上，經由經過加熱使其 軟化的熱可塑性接合材料，將半導體晶片接合在片狀構件 的過程，而將上述複數條內部引線的前端部壓接在上述工 作台側，藉此接合上述半導體晶片與上述熱可塑性接合材 料。/ 【實施方式】 兹參照附圖詳細說明本發明的實施形態如下。 在以下的實施形態，爲了方便上有需要時，將分割成 複數個部分或實施形態進行說明’但除了特別明示者外’ 該等並非相互不關連，而是有，一方是另一方的一部分或 全部的變形例子、詳細、補充說明等之關係。 鬥日±，在以下的實施形態，談及要素的數量等（含個 ^ ^ 夢、範圃等）時’除了有特別明示，或原理上 -6- (3) 1237367 是限定在特定數纛時’不限定爲該特定數量’可以是特定 數量以上或以下。 而且，在以下的實施形態，其構成要素（也包含要素· 步驟）是，除了有特別明不，或原理上被淸楚認定不是如 此者等以外，應包含實質上近似或類似該形狀者。這在上 述數値及範圍也相同° 同時，在說明實施形態的所有圖式’具有同一功能者 ，標示同一符號，省略重複的說明。 (實施形態1 ) 第1圖所示本實施形態1的半導體裝置，是散熱性高 的樹脂封裝型的半導體封裝體’在此將以外部引線1 e被 彎曲成爲鵝翼狀的QFP ( Quad Flat Package ) 1 1進行說明 〇 茲說明QFP Π的構造。QFP 1 1由：內部引線]d ;與 此內部引線1 d —體形成的複數條外部引線1 e ;經由絕緣 性的熱可塑性接合材料1 c接合在複數條內部引線1 d前端 部的片狀構件的熱量擴散片1 b ;配置在複數條內部引線 1 d內側的四角環狀的共同引線的桿狀引線1 f ;在環狀的 桿狀引線1 f內側經由熱可塑性接合材料1 c接合在熱量擴 散片1 b的半導體晶片2 ;連接半導體晶片2的電極（pad )2 c與相對應的內部引線1 d，及電極（p a d ) 2 c與桿狀 引線]f的金線等複數條導電性的導線3 ;以及，用樹脂 封裝半導體晶片2或複數條導線3的封裝體4，所構成。 -7 - (4) 1237367 亦即，QFP 1 1的內部引線1 d、環狀的桿狀引線1 f及 半導體晶片2分別經由絕緣性的熱可塑性接合材料1 c接 合在熱量擴散片1 b，熱可塑性接合材料]c是玻璃轉移溫 度在線焊接時的加熱溫度（例如：約2 3 0。C )以上，最 好是2 5 0。C以上的接合材。 亦即’熱可塑性接合材料i c軟化的溫度較線焊接時 的加熱溫度高，最好是2 5 0。C以上。 藉此可以防止，裝配QFP 1 1時的線焊接時，因熱可 塑性接合材料1 c軟化，內部引線1 d在熱可塑性接合材料 1 c上移動，或從熱可塑性接合材料〗c剝離開v 同時’在共同引線的環狀的桿狀引線1 f連接有電源 電位或GND電位的導線3。 其次說明本實施形態1的QFP 1 1的製造方法。 / 首先’準備第2圖所示的引線框架1，該引線框架1 具有：內部引線】d ;分別與此內部引線]d 一體形成的複 數條外部引線1 e ;及配置在複數條內部引線〗^內側的四 角環狀的桿狀引線1 f的薄板狀的金屬製框架體1 a ,且具 有：經由#可塑丨生接合材料〗c接合在此框架體】a的熱量 擴散片1 b ° , 在引線框架1 ’各內部引線1 d的前端部及桿狀引線 i f與四角形的熱量擴散片1 b分別經由熱可塑性接合材料 1 c接合在一起。 亦即，熱量擴散片1 b是對應內部引線1 d列的片狀物 ，呈四角形’同時具有晶片搭載功能。 -8 - (5) 1237367 再者，在引線框架1的四角環狀的桿狀引線1 f外側 ’形成有藉由切斷引線形成的第1貫穿孔1 g。貫穿孔J g 中，形成在內部引線1 d與桿狀引線1 f間的貫穿孔1 g是. 鄰接在各內部引線1 d前端部，沿內部引線1 d的列方向形 成’因此，在複數條內部引線Id與相憐接的桿狀引線j f 間形成有4個細長的貫穿孔]g (參照第1 1圖）v 然後進彳了晶片焊接。 首先’如第3圖所不’將引線框架1配置在加熱台6 上。這時，要先將加熱台6加熱到規定溫度（例如3 〇 〇 °c以上）。藉此，在將引線框架配置在加熱台6上後， 熱量從加熱台6經由熱量擴散片1 b傳至熱可塑性接合材 料】c ’到達規定溫度時熱可塑性接合材料1 c便開始軟化 c 此後，藉由筒夾吸著保持半導體晶片2的主面2a側 加以移載，將半導體晶片2配置在引線框架1的熱量擴散 片1 b的晶片搭載領域上方。 接著，如第4圖所示，以藉由筒夾吸著保持半導體晶 片2的狀態令筒夾下降，將半導體晶片2的背面2b接合 在熱量擴散片1 b的熱可塑性接合材料1 ε。 這時’以藉由按壓工模7將複數條內部引線〗d的前 端部及桿狀引線1 f按壓在加熱台6側的狀態，經由加熱 而軟化的熱可塑性接合材料]c將半導體晶片2接合在熱 羹擄散片1 b上的熱可塑性接合材料1 ^。 這時’熱可塑性接合材料1 c已軟化，但因各內部引 -9- 1237367 (6) /T泉1 d或桿狀引線丨f是由按壓工模7按壓在加熱台6側， 因此’內部引線1 d不會從熱可塑性接合材料1 c剝離或在 熱可塑性接合材料1 c上移動，可以順利進行晶片焊接，. 而不會使內部引線1 d散開。 而且’可以不必使用特別的晶片焊接材，僅用熱可塑 性接合材料1 c便可以進行晶片焊接。 其結果’可以省略塗抹晶片焊接材的過程，可以提高 半導體裝置（Q F P 1 1 )的裝配性。 同時，因爲不使用特別的晶片焊接材，可以降低半導 體裝置（QFP Π )的製造成本。 藉此，如第5圖所示，完成晶片焊接。 然後，如第6圖所示，進行線焊接。 亦即，使用導電性的導線3分別電氣方式連接半導體 晶片2的電極（pad ) 2c (參照第1圖）與相對應的內部 引線1 d，及桿狀引線1 f。 然後，進行樹脂成型。 首先如第7圖所不，準備，由一對第1模具8 a (下 模具）及第2模具8 b (上模具）構成的成型模具8，在成 型模具8中形成有閘口 8 d的第1模具8 a的模具面_ 8 e上 配置未搭載引線框架1的半導體晶片2的一側的背面ij , 然後，第1模具8a及第2模具8b加以箝位。 藉此，成爲以成型模具8的模腔8 c，覆蓋複數條內 部引線〗d、半導體晶片2、複數條導線3及熱量擴散片 ]b的狀態。 (7) 1237367 然後，如第8圖所示，從配置在引線框架1背面U 側的第1模具8 a的閘口 8 d (參照第7圖）向成型模具8 的模te 8 c內注入封裝用樹脂9。藉此注入模腔8 c內的$寸 裝用樹脂9便沿引線框架1的背面側，且以覆盞熱纛 擴散片1 b狀流動，塡充背面1 j側的模腔8 C，同時，經由 鄰接引線框架1的閘口的開口部，流進表面1 k側的模腔 8 c ’同時塡充表面1 k側的模腔8 c。 注入背面1 j側的封裝用樹脂9在因樹脂流1 0而流動 的過程，因注入壓力，通過形成在內部引線1 d與桿狀引 線1 f間的貫穿孔1 g，流進表面]k側，如第8圖A部所 示，將連接配置在表面1 k側的內部引線]d的導線3推向 上方。 亦即’由於在引線框架]的背面lj側配置有閘口 8d ’封裝用樹脂9會從引線框架1的背面1 j側通過內部引 線]d與桿狀引線1 f間的貫穿孔1 g湧上，流進表面側 ，因此，將導線3向上推，使導線3形成張力。 藉此，導線短路或導線流動便不容易發生，可以提高 製品的可靠性。 如此在表背兩面的模腔8 c塡充封裝用樹脂9，形成 第9圖所示完成樹脂成型的封裝體4。 此後，進行外部引線1 e的切斷成型，完成第1圖所 示Q F P 1 1的裝配。 (實施形態2 ) -11 - (8) 1237367 第1 〇圖所示本實施形態2的半導體裝置與實施形態 1的QFP 1 1同樣，爲了提高散熱性，是具有熱量擴散片 (片狀構件）1 b的樹脂封裝型的Q F Ρ 1 2，但與實施形態 1的Q F Ρ Π不同的地方是，在熱量擴散片1 b上經由絕緣 1生的接合構件（接合材料）1 3配設較半導體晶片2的背 面2 b小很多的翼片1 h。 亦即，實施形態2的Q F Ρ 1 2是小翼片構造的半導體 裝置。 再說明Q F Ρ 1 2的構造，則，Q F ρ 1 2是由：複數條內 部引線1 d ;與此內部引線〗d 一體形成的複數條外部引線 le ;經由絕緣性的接合構件13接合在複數條內部引線ld 前端部的熱量擴散片1 b ;配置在複數條內部引線1 d內側 的四角環狀的桿狀引線〗f ;在環狀的桿狀引線1 f內側經 由絕緣性的接合構件1 3接合在熱量擴散片]^，且較半導 體晶片2的背面2 b小很多的晶片搭載部的翼片Ui ;搭載 在此異片1 h上的半導體晶片2 ;連接半導體晶片2的電 極（pad ) 2c與相對應的內部引線ld，及電極（pad ) 2c 與桿狀引線1 f的金線等複數條導電性的導線3 以及， 用樹脂封裝半導體晶片2或複數條導線3的封裝體4，所 構成。 亦即’第]〇圖所示的QFP ] 2是，半導體晶片2經由 絕緣性的接合構件1 3接合在熱量擴散片〗b的小翼片！ h 的小翼片構造者。 再者’冀片]h係如第n圖所示，連結在4根吊掛用 1237367 ⑼ 引線1 i，吊掛用引線1 i是經由貫穿孔]g與環狀的桿狀引 線1 f絕緣。但是，吊掛用引線丨i也可以與最內側的桿狀 引線If連結在一起。 同時，在翼片1 h周圍形成有設在熱量擴散片1 b的第 2貫穿孔的貫穿孔1 m。 此貫穿孔1 ηι是用以在樹脂成型時，使封裝用樹脂9 充分進入半導體晶片2背面2 b與熱量擴散片]b之間隙內 的孔，可以使晶片背面與封裝周樹脂9接合，提高抗回流 龜裂的耐性。 再者，實施形態2所採用的接合構件1 3只要具有絕 緣性，熱可塑性的接合材料、熱可塑性以外的接合材料均 可以使用。 本實施形態2的QFP〗2的其他構造與實施形態1的 Q F P 1 1相同，因之，說明從略。 其次說明本實施形態2的QFP 1 2的製造方法。 首先準備第1 1圖所示的引線框架1。 亦即，準備具有：複數條內部引線]d ;與此內部引 線1 d —體形成的複數條外部引線]e ;經由絕緣性的接合 構件]3接合在複數條內部引線]d前端部的熱量擴散片 1 b ;配置在複數條內部引線1 d內側的四角環狀的桿狀引 線1 f ;在環狀的桿狀引線1 f內側經由絕緣性的接合構件 1 3接合在熱量擴散片1 b的翼片1 h ;與翼片1 h連結的吊 掛用引線Π的引線框架1。 在引線框架1，各內部引線】d的前端部、桿狀引線 (10) 1237367 1 f及翼片1 h、與四角形的熱量擴散片1 b分別經由絕緣性 的接合構件1 3接合在一起。熱量擴散片丨b是對應內部引 線1 d列的片狀物，呈四角形，同時具有晶片搭載功能。 再者’在引線框架1的四角環狀的各桿狀引線1 f外 側，形成有藉由切斷引線形成的第1貫穿孔1 g。貫穿孔 1 g中，形成在內部引線1 d與桿狀引線1 f間的貫穿孔1 g 是鄰接在各內部引線1 d前端部，沿內部引線1 d的列方向 形成，因此，在複數條內部引線1 d與相憐接的桿狀引線 1 f間形成有4個細長的貫穿孔1 g (參照第1 1圖）。 而，翼片1 h的大小是較搭載的半導體晶片2的背面_ 2 b小很多，並且在翼片1 h周圍形成有複數個第2貫穿孔 1 1Ώ。 然後進行晶片焊接。 在此是，將半導體晶片2搭載於黏貼在熱量擴散片 1 b的翼片1 h上。亦即，如第1 2圖所示，搭載半導體晶 片2於翼片1 h上時，令其外周部從翼片1 h突出到其周圍 。而在這時，藉熱壓接等將半導體晶片2固定在翼片1 h 〇 然後，如第1 3圖所示’進行線焊接。 亦即，使用導電性的導線3分別電氣方式連接半導體 晶片2的電極（pa d ) 2 c (參照第1 0圖）與相對應的內 部引線Id，及桿狀引線1f ° 然後，進行樹脂成型。 首先如第丨4圖所示，準備，由一對第]模具8 a (下 -14 - (11) 1237367 模具）及第2模具8 b (上模具）構成的成型模具8，在成 型模具8中形成閘口 8 d的第1模具8 a的模具面8 e上配 置未搭載引線框架1的半導體晶片2的一側的背面lj，然 後，第]模具8 a及第2模具8 b加以箝位。 藉此，成爲以成型模具8的模腔8 c，覆蓋複數條內 部引線1 d、半導體晶片2、複數條導線3及熱量擴散片 i b的狀態。 然後，如第].5圖所示，從配置在引線框架1背面1 j 側的第1模具8 a的閘口 8 d向成型模具8的模腔8 c內注 入封裝用樹脂9。藉此注入模腔8 c內的封裝用樹脂9便 沿引線框架1的背面1 j側，且以覆蓋熱量擴散片1 b狀流 動，塡充背面I j側的模槍8 c，同時，經由鄰接引線框架 ]的閘口的開口部，流進表面1 k側的模腔8 c，同時塡充 表面]Μ則的模腔8 c。 注入背面lj側的封裝用樹脂9在因樹脂流1 0而流動 的過程，因注入壓力，通過形成在內部引線1 d與桿狀引 線1 f間的貫穿孔1 g，流進表面1 k側，如第1 5圖B部所 示，將連接配置在表面]k側的內部引線1 d的導線3推向 上方。 亦即，由於在引線框架1的背面1 j側配置有閘口 8 d ，封裝用樹脂9會從引線框架1的背面lj側通過內部引 線1 d與桿狀引線1 f間的貫穿孔1 g湧上，流進表面]k側 ，因此，將導線3向上推，使導線3形成張力。 藉此，導線短路或導線流動便不容易發生，可以提高 -15 - (12) I237367 製品的可靠性。 而且’本實施形態2的引線框架1在翼片1 h的周圍 形成有複數個貫穿孔1 m，因此，配置在引線框架1背面-1 j側的封裝用樹脂9，便在半導體晶片2的背面附近，如 1 5圖C所示，藉由注入壓力通過貫穿孔1 m流進表面 1 k側’進入半導體晶片2的背面2 b與接合構件1 3之間 〇 藉此’在半導體晶片2的背面2b與熱量擴散片1 b間 也可以充分塡充封裝用樹脂9。 其結果，可以使晶片背面與封裝用樹脂9接合，不容 易形成空隙，可以提高抗回流龜裂的耐性。因此可以提高 製品的可靠性。 如此’在表背兩面的模腔8 c塡充封裝用樹脂9，形 成第9圖所示完成樹脂成型的封裝體4。 此後，進行外部引線1 e的切斷成型，完成第1 0圖所 示小翼片構造的Q F P 1 2的裝配。 (實施形態3 ) 第1 7圖係表示裝配本實施形態3的半導體裝置時的 配線狀態。 第1 7圖所示的引線框架1備有··複數條內部引線1 d ;與此一體形成的複數條外部引線1 e ;接合在複數條內 部引線】d前端部的片狀構件的熱量擴散片]b ;配置在4 個內部引線群內側的框狀引線]p ;連結在此框狀引線]p -16 - (13) 1237367 的角部的拉出用引線1 η，熱量擴散片1 b與複數條內部引 線的前端部，及熱量擴散片1 b與框狀引線1 p分別經由接 S構件1 3 (爹照弟1 2圖）接合在一起。 亦即，連結框狀引線1 p而拉出外部的拉出用引線1 η 集中在框狀引線1 Ρ的角部連結在一起。 藉此，在線焊接時，分別以導線3電氣方式接合半導 體晶片2的電極（pad ) 2c (參照第1 0圖）與相對應的內 部引線1 d ’以及’半導體晶片2的電極（p a d ) 2 c與避開 框狀引線1 P的角部附近的部位。 在此狀態的樹脂成型是，使用閘口 8 d (參照第15 圖）與拉出用引線1 η形成在相同位置的角部的成型模具 8進行樹脂成型。亦即，閘口 8 d是形成在模腔8 c的角部 時，與框狀引線1 P連結的拉出用引線1 η亦集中在相同位 置的角部配置。 藉此，從閘口 8 d向模腔8 c內注入封裝用樹脂9時， 封裝周樹脂9將沿著拉出用引線1 η成爲樹脂流1 〇流動後 ，擴散塡充在模腔8 c內。這時，如第1 7圖的D部所示， 框狀引線】Ρ的角部附近未連接有導線3，可以避免注入 的封裝用樹脂9在角部附近與導線3相互干擾。其結果， 可以防止發生導線流動。並且可以降低空隙的形成。 因此，可以提高製品的可靠性。 同時，從導線3長度的觀點來講，由於從半導體晶片 2的各電極（Pad ) 2c至距離容易變長的框狀引線】ρ的角 部附近沒有連接導線3 ’因此可以全盤縮短導線3的長度 -17 - (14) 1237367 (實施形態4 ) 第1 8圖係表示裝配本實施形態4的半導體裝置時的 配線狀態。 第1 8圖所示的引線框架1備有··複數條內部引線1 d ;與此一體形成的複數條外部引線]e ;接合在複數條內 部引線1 d前端部的片狀構件的熱量擴散片1 b ;配置在4 個內部引線群內側的框狀引線1 P，熱量擴散片1 b與複數 條內部引線的前端部，及熱量擴散片1 b與框狀引線1 p分 別經由接合構件1 3 (參照第1 2圖）接合在一起。 在本實施形態4的線焊接，半導體晶片2的電極（ p a d ) 2 c (參照第1 0圖）與相對應的內部引線1 d是由導 線3連接在一起，如第1 8圖所示，框狀引線1 p沒有連接 導線3。 亦即，在本實施形態4，框狀引線1 p並不是共同引 線，而是當作片狀構件的補強用。例如，片狀構件是絕緣 性的帶狀構件等時，框狀引線1 p與上述帶狀構件接合， 便可以防止上述帶狀構件的熱變形。 這時，由於如第1 8圖所示，框狀引線1 p是並排配設 複數列（本實施形態4是3列），可以進一步提高上述帶 狀構件的強度。 同時，在樹脂成型時，當向模腔8 c (參照第1 5圖 )注入封裝用樹脂9時，可以藉由框狀引線]p阻止封裝 ** 1 δ - 1237367 (15) 用樹脂9流入內部引線1 d側，以此狀態將封裝用樹脂9 塡充在模腔8 c。 亦即，框狀引線1 P成爲擋土牆阻止封裝用樹脂9流 入內部引線〗d的前端部。其結果，可以提高製品的可靠 件 。 以上’依據發明的實施形態具體說明由本發明人所完 成的發明，但本發明並非限定如上述發明的實施形態，當 然可以在不脫離其主旨範圍內作各種變更。 上述實施形態1〜4是說明片狀構件是熱量擴散片1 b 時的情形’但上述片狀構件也可以是薄膜的帶裝構件或基 板。 同時，本實施形態1〜4是以半導體裝置是Q F p時爲 例子進行說明，但是，只要上述半導體裝置是使用在各內 部引線1 d的則端部黏貼片狀構件的引線框架裝配的半導 體裝置，便可以是QFP以外的半導體裝置。 如以上所述，本發明的半導體裝置的製造方法適合應 用在具有桿狀引線（框狀引線）的半導體裝置的製造方法 ’特別是適合於外部引線配置在4個方向的半導體裝置的 製造方法。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示本發明實施形態1的半導體裝置的構造 的一個例子的截面圖。 第2圖係表示裝配第1圖所示半導體裝置所用引線框 -19- (16) 1237367 架的構造的一個例子的截面圖。 第3圖係表示裝配第1圖所示半導體裝置在晶片焊接 時的晶片運送狀態的一個例子的截面圖。 第4圖係表示裝配第1圖所示半導體裝置在晶片焊接 時的晶片壓接狀態的一個例子的截面圖。 第5圖係表示裝配第1圖所示半導體裝置在晶片焊接 後的狀態的一個例子的截面圖。 第6圖係表示裝配第1圖所示半導體裝置在線焊接後 的狀態的一個例子的截面圖。 第7圖係表示裝配第1圖所示半導體裝置在樹脂成型 時的模具箝位狀態的一個例子的截面圖。 第8圖係表示裝配第1圖所示半導體裝置在樹脂成型 時注入樹脂狀態的一個例子的截面圖。 第9圖係表示裝配第1圖所示半導體裝置在結束樹脂 成型時的構造的一個例子的截面圖。 第1 0圖係表示本發明實施形態2的半導體裝置的構 造的一個例子的截面圖。 第1 1圖係表不裝配第1 0圖所不半導體裝置所用引線 框架的構造的一個例子的平面圖。 第1 2圖係表示裝配第1 0圖所示半導體裝置在晶片焊 接後的狀態的一個例子的截面圖。 ^ 第1 3圖係表示裝配第1 0圖所示半導體裝置在線焊接 後的狀態的一個例子的截面圖。 第]4圖係表不裝配第1 〇圖所不半導體裝置在樹脂成 -20 - (17) 1237367 型時的模具箝位狀態的一個例子的截面圖。 第15圖係表示裝配第10圖所示半導體裝置在樹脂成 型時注入樹脂狀態的一個例子的截面圖。 第1 6圖係表示裝配第i 〇圖所示半導體裝 A &在結束樹 脂成型時的構造的一個例子的截面圖。 第1 7圖係表示裝配本發明實施形態3的坐 導目§裝置 時的配線狀態的一個例子的平面圖。 第1 8圖係表示裝配本發明實施形態4的半 -體裝竃 時的配線狀態的一個例子的平面圖。 [主要元件對照表】 1 ;引線框架 1 a ;框架體 1 b ;熱量擴散器 1 c ;熱可塑性接合材料 1 d ;內部引線 1 e ;外部引線
If ;排引線 1 g ;貫穿孔 lh ;翼片 lj ;背面 1 k ;表面 ]m ;貫穿孔 2 ;半導體晶片 -21 - (18) 1237367 2 a :主面 2 c ;電極 3 ;導線 4 ;封裝體 5 ;筒夾 6 ;加熱台 7 ;按壓工模
8 ;成型模具 8 a ;第1模具 8 b ;第2模具 8 c ;模腔 8d ;閘□ 8 e ;模具面
9 ;封裝用樹脂 1 〇 ;樹脂流 11、 12; QFP 1 3 ;接合構件 -22-

Claims (1)

  1. 丨·〆ντ.; I . *" [j 'r QJ'：j 0¾] 拾、申請專利範圍 弟92126016號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國94年3月4日修正 1 . 一種半導體裝置的製造方法，係使用，具備有：複 數條內部引線；與其一體形成的複數條外部引線；接合於 上述複數條內部引線前端部的片狀構件的引線框架所裝配 的半導體裝置的製造方法，其特徵爲，具有： (a )準備，上述片狀構件與上述複數條內部引線的 前端部經由絕緣性的熱可塑性接合材接合在一起的上述引 線框架的過程； (b )將上述引線框架配置在工作台上的過程；以及 (c )將半導體晶片配置在上述引線框架的上述片狀 構件上，經由經過加熱使其軟化的上述熱可塑性接合材料 ，將上述半導體晶片接合在上述片狀構件的過程， 在上述（C )過程，將上述複數條內部引線的前端部 擠壓在上述工作台側，以這種狀態接合上述半導體晶片與 上述熱可塑性接合材料。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置的製造方 法，其中’上述引線框架在上述複數條內部引線內側有四 角形環狀的桿狀引線，而在上述（C )過程，將上述複數 條內部引線的前端部及上述桿狀引線擠壓在上述工作台側 ，以這種狀態接合上述半導體晶片與上述熱可塑性接合材 1237367 W (2) 料。 3.如申請專利範圍帛丨項所述之半導體裝置的製造方 法，其中，上述熱可塑性接合材料的坡璃轉移溫度是25〇 。C以上。 4 -種半導體裝置的製造方法，係㈣，具備有：複 數條內部引線；與其一體形成的複數_ # ^ H g㈣ 上述複數條內部引線前端部的片狀構件的引線框架所裝配 的半導體裝置的製造方法，其特徵爲，具有·· (a )準備’上述片狀構件與上述複數條內部引線的 前端部經由絕緣性的熱可塑性接合材接合在一起，在上述 片狀構件的上述引線框架內側形成有第〗貫穿孔的上述引 線框架的過程； (b )將半導體晶片搭載於上述引線框架的上述片狀 構件上的過程； (c )藉由導電性的導線，以電氣方式連接上述半導 體晶片的電極與相對應的上述內部引線的過程； (d )在由第1模具與第2模具形成一對的成型模具 中，將上述引線框架的未搭載上述半導體晶片的背面，配 置在形成有閘口的模具的模具面上，然後，將上述第1模 具及第2模具箝位的過程；以及 (e )從上述閘口將封裝用樹脂注入上述模具的模腔 內，令上述封裝樹脂從上述引線框架的上述背面側通過上 述第1貫穿孔，將配置在表面側的上述導線擠向上方，而 填充在上述模腔內的過程。 -2- mrm 5.如申請專利範圍第4項所述之半 法’其中’上述引線框架在上述複數條 角开> 运狀的桿狀引線，而在上述（e) 導體裝置的製造方 內部引線內側有四 過程，令上述封裝 樹脂通過形成在上述 1貫穿孔，將上述導線擠向上方，而填 6 ·如申請專利範圍第4項所述之半 法’其中，上述片狀構件是熱量擴散器 內部引線與上述桿狀引線間的上述第 充在上述模腔內。 導體裝置的製造方 ，在上述熱量擴展 器形成有上述第1貫穿孔。 7.一種半導體裝置的製.造方法，係使用，具備有：複 數條內部引線；與其一體形成的複數條外部引線；接合於 上述複數條內部引線則$而部的片狀構件的引線框架所裝配 的半導體裝置的製造方法，其特徵爲，具有： (a )準備，上述片狀構件與上述複數條內部引線的 前端部經由絕緣性的熱可塑性接合材接合在一起，在上述 片狀構件上，經由上述接合構件配置較半導體晶片的背面 小的晶片搭載部，在上述晶片搭載部的周圍形成第2貫穿 孔的上述引線框架的過程； (b )將半導體晶片搭載於上述引線框架的上述片狀
    構件上的上述晶片搭載部的過程； (c )藉由導電性的導線，以電氣方式連接上述半導 體晶片的電極與相對應的上述內部引線的過程； (d )在由第1模具與第2檁具形成一對的成型模具 中，將上述引線框架的未搭載上述半導體晶片的背面，配 置在形成有閘口的模具的模具面上，然後’將上述第1模 -3 -
    具及第2模具箝位的過程；以及 (e ) 從上述閘口將封裝用樹脂注入上述模具的模腔 內’令上述封裝樹脂從上述引線框架的上述背面側通過上— 述第1貫穿孔進入表面側，供給上述半導體晶片的背面， 塡充在上述模腔內的過程。 8 ·如申請專利範圍第5項所述之半導體裝置的製造方 法’其中’上述片狀構件在上述引線框架內側形成有第1 貫穿孔’而在上述（e )過程，從上述閘口將封裝用樹脂 注入上述模具的模腔內，令上述封裝用樹脂從上述引線框 架的上述背面側通過上述第1貫穿孔將配置在表面側的上 述導線擠向上方，而塡充在上述模腔內。 9.如申請專利範圍第8項所述之半導體裝置的製造方 法’其中’上述引線框架在上述複數條內部引線內側有四 角形環狀的桿狀引線，而在上述（e )過程，令上述封裝 樹脂通過形成在上述內部引線與上述桿狀引線間的上述第 1貫穿孔，將上述導線擠向上方，而塡充在上述模腔內。 1 0 · —種半導體裝置的製造方法，係使用，具備有： 複數條內部引線；與其〜體形成的複數條外部引線；接合 於上述複數條內部引線前端部的片狀構件的引線框架所裝 配的半導體裝置的製造方法，其特徵爲，具有·· (a )準備’具有配置在4個內部引線群內側的框狀 引線，上述片狀構件與上述複數條內部引線的前端部，及 上述片狀構件與上述框裝引線是經由接合劑接合在一起的 引線框架的過程； 1237367 .mu S i :卜 i (5) I 霧 S>i〇_ (b )在上述引線框架的上述片狀構件的上述框狀引 線內側搭載半導體晶片的過程； (c )藉由導電性的導線，以電氣方式連接上述半導-體晶片的電極與相對應的上述內部引線的過程； (d )在由第1模具與第2模具形成一對的成型模具 的模腔內，配置上述半導體晶片與上述導線，然後，將上 述第1模具及第2模具箝位的過程；以及
    (e )將封裝用樹脂注入上述模腔內，藉由上述框狀 引線阻止上述封裝用樹脂流進上述內部引線側，以這種狀 態將上述封裝用樹脂塡充在上述模腔內的過程。 1 1 _如申請專利範圍第1 〇項所述之半導體裝置的製造 方法’其中，上述框狀引線是並排成複數列配置。
    1 2 —種半導體裝置的製造方法，係使用，具備有： 複數條內部引線；與其一體形成的複數條外部引線；接合 於上述複數條內部引線前端部的片狀構件的引線框架所裝 配的半導體裝置的製造方法，其特徵爲，具有： (a )準備’具有配置在4個內部引線群內側的框狀 引線’及連結於此框狀引線的角部的拉出用引線，上述片 狀構件與上述複數條內部引線的前端部，及上述片狀構件 與上述框裝引線是經由接合劑接合在一起的引線框架的過 程； (b )在上述引線框架的上述片狀構件的上述框狀引 線內側搭載半導體晶片的過程； C C )藉由導電性的導線，以電氣方式分別連接上述 -5- ί2373^Τ^1 ::..宍、_ΐ 陶' 祖一_ 半導體晶片的電極與相對應的上述內部引線，及上述半導 體晶片的電極與避開上述框狀引線的角部的部位的過程； (d )由第1模具與第2模具形成一對，閘口形成在 模腔的角部的成型模具的上述模腔內，配置上述半導體晶 片與上述導線，然後，將上述第1模具及第2模具箝位的 過程；以及
    (e )從上述閘口將封裝用樹脂注入上述模具的模腔 內，令上述封裝用樹脂沿著連結上述框狀引線的上述拉出 用引線擴散，將上述封裝用樹脂塡充在上述模腔內的過程
    -6-
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7327043B2 (en) * 2005-08-17 2008-02-05 Lsi Logic Corporation Two layer substrate ball grid array design
TWI301316B (en) * 2006-07-05 2008-09-21 Chipmos Technologies Inc Chip package and manufacturing method threrof
TWI302373B (en) * 2006-07-18 2008-10-21 Chipmos Technologies Shanghai Ltd Chip package structure
TW200814247A (en) * 2006-09-12 2008-03-16 Chipmos Technologies Inc Stacked chip package structure with lead-frame having bus bar with transfer pad
US8283757B2 (en) * 2007-07-18 2012-10-09 Mediatek Inc. Quad flat package with exposed common electrode bars
US7847376B2 (en) * 2007-07-19 2010-12-07 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP5155644B2 (ja) * 2007-07-19 2013-03-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN102610585B (zh) * 2011-12-19 2015-01-14 佛山市蓝箭电子股份有限公司 一种封装硅芯片的方法及其形成的电子元件
JP2013149779A (ja) * 2012-01-19 2013-08-01 Semiconductor Components Industries Llc 半導体装置
CN102647860A (zh) * 2012-05-14 2012-08-22 宜兴市东晨电子科技有限公司 贴合焊接治具
US9947613B2 (en) 2014-11-07 2018-04-17 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6777157B2 (ja) 2016-10-24 2020-10-28 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR101778232B1 (ko) * 2016-12-29 2017-09-13 주식회사 제이앤티씨 성형 장치
US11710646B2 (en) * 2018-10-11 2023-07-25 Shenzhen Xiuyi Investment Development Partnership (Limited Partnership) Fan-out packaging method and fan-out packaging plate
JP2022154813A (ja) * 2021-03-30 2022-10-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体パッケージ

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4862246A (en) * 1984-09-26 1989-08-29 Hitachi, Ltd. Semiconductor device lead frame with etched through holes
US5291060A (en) * 1989-10-16 1994-03-01 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Lead frame and semiconductor device using same
JP2611715B2 (ja) * 1992-04-17 1997-05-21 日立電線株式会社 複合リードフレームの製法
US5455454A (en) * 1992-03-28 1995-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor lead frame having a down set support member formed by inwardly extending leads within a central aperture
JP2912134B2 (ja) * 1993-09-20 1999-06-28 日本電気株式会社 半導体装置
US5977613A (en) * 1996-03-07 1999-11-02 Matsushita Electronics Corporation Electronic component, method for making the same, and lead frame and mold assembly for use therein
JPH09252072A (ja) * 1996-03-15 1997-09-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 多層リードフレームおよびその製造方法
JPH1012788A (ja) * 1996-06-26 1998-01-16 Matsushita Electron Corp 半導体装置およびその製造方法およびその半導体装置に用いるリードフレーム
JP2891692B1 (ja) * 1997-08-25 1999-05-17 株式会社日立製作所 半導体装置
JP3862410B2 (ja) * 1998-05-12 2006-12-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法及びその構造
JP2000058735A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Hitachi Ltd リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN100370612C (zh) * 1998-12-02 2008-02-20 株式会社日立制作所 半导体装置
KR100355796B1 (ko) * 1999-10-15 2002-10-19 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지용 리드프레임 및 이를 봉지하기 위한 금형 구조
JP2002134674A (ja) * 2000-10-20 2002-05-10 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP4396028B2 (ja) * 2000-12-15 2010-01-13 株式会社デンソー 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP3497847B2 (ja) * 2001-08-23 2004-02-16 沖電気工業株式会社 半導体装置およびその製造方法

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