JP3497847B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、装置の底側に、
リード端子を設けた半導体装置およびその製造方法に関
するものである。
リード端子を設けた半導体装置およびその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明に関係する技術である特開２００
０−２５２３８９号公報には、チップ３０６を接着し、
ワイヤ３０８および３０９を溶接した箔からなる基板３
０７を、キャビティ内に収納し、樹脂封止するときの圧
力で電極となる小山３１２をデバイスの底側に突出させ
た後、電気的に分離するために、小山３１２を覆う金属
箔を高速回転刃もしくはレーザーによる切削加工等によ
って機械的に分離する半導体デバイスおよびそのための
製造方法が記載されている。
０−２５２３８９号公報には、チップ３０６を接着し、
ワイヤ３０８および３０９を溶接した箔からなる基板３
０７を、キャビティ内に収納し、樹脂封止するときの圧
力で電極となる小山３１２をデバイスの底側に突出させ
た後、電気的に分離するために、小山３１２を覆う金属
箔を高速回転刃もしくはレーザーによる切削加工等によ
って機械的に分離する半導体デバイスおよびそのための
製造方法が記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた構造や製造方法では、 （１）端子の大部分が樹脂材で形成されている為に端子
部の剛性が高くなり、基板接続後の基板の熱変形による
端子部分の接合性の劣化が生じる。
べた構造や製造方法では、 （１）端子の大部分が樹脂材で形成されている為に端子
部の剛性が高くなり、基板接続後の基板の熱変形による
端子部分の接合性の劣化が生じる。
【０００４】（２）ボール・グリッド・アレイ（ＢＧ
Ａ）の端子を形成する基板の加工が高速回転刃もしくは
レーザーによる切削加工なので、加工時に端子基板の密
着性が劣化し、樹脂との界面で剥離が生じてワイヤーの
断線が生じる。
Ａ）の端子を形成する基板の加工が高速回転刃もしくは
レーザーによる切削加工なので、加工時に端子基板の密
着性が劣化し、樹脂との界面で剥離が生じてワイヤーの
断線が生じる。
【０００５】（３）端子を個々に分割しなければならな
いため、生産時間が長く、製品コストが高くなる。
いため、生産時間が長く、製品コストが高くなる。
【０００６】（４）端子基板と樹脂の熱膨張差から樹脂
硬化後の熱収縮により端子の位置や高さが変化して、基
板に端子が接合できない。
硬化後の熱収縮により端子の位置や高さが変化して、基
板に端子が接合できない。
【０００７】（５）端子基板と樹脂の熱膨張差から樹脂
硬化後の熱収縮により端子の位置や高さが一定でない状
態で端子が固定されている為に、半導体装置の電気試験
でソケット端子との接触ができないことがある。
硬化後の熱収縮により端子の位置や高さが一定でない状
態で端子が固定されている為に、半導体装置の電気試験
でソケット端子との接触ができないことがある。
【０００８】（６）半導体ペレットの裏面側の電位を制
御する必要のある場合の端子形成ができない。
御する必要のある場合の端子形成ができない。
【０００９】（７）樹脂硬化後の熱収縮により樹脂の寸
法にばらつきが生じるので、基板の端子間距離が短い場
合に半導体装置の端子と基板の端子の間で半導体装置と
基板の熱膨張差から生じる応力によって断線が生じる。
法にばらつきが生じるので、基板の端子間距離が短い場
合に半導体装置の端子と基板の端子の間で半導体装置と
基板の熱膨張差から生じる応力によって断線が生じる。
【００１０】本発明は、以上の従来技術の問題点に鑑
み、装置の底側にリード端子を配置した半導体装置およ
びそのための製造方法において、リード端子を基板端子
に接続しても熱に基づく影響を受けないようにする半導
体装置およびその製造方法を提供することを目的とす
る。
み、装置の底側にリード端子を配置した半導体装置およ
びそのための製造方法において、リード端子を基板端子
に接続しても熱に基づく影響を受けないようにする半導
体装置およびその製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために下記の解決手段を採用する。
するために下記の解決手段を採用する。
【００１２】（１）半導体装置において、封止樹脂体
と、前記封止樹脂体の内部に位置するダイパッドと、前
記封止樹脂体の内部であって前記ダイパッド上に設けら
れ、主面に第 1 及び第 2 の電極が形成される半導体チップ
と、前記封止樹脂体の内部に位置し第 1 のボンディング
ワイヤを介して前記第 1 の電極と電気的に接続される前
記ダイパッドと平行な第 1 の水平部と、該第 1 の水平部か
ら垂直下方に延在し一端は該封止樹脂体から露出する第
１の下方伸長部と、該第１の下方伸長部の一端と接続し
内側に向かって延在する第２の水平部とにより構成され
る複数の第１のリード群と、前記封止樹脂体の内部であ
って前記ダイパッドと前記第１の水平部との間に位置し
第２のボンディングワイヤを介して前記第２の電極と電
気的に接続される第３の水平部と、該第３の水平部から
垂直下方に延在し一端は該封止樹脂体から露出する第２
の下方伸長部と、該第２の下方伸長部の一端と接続し内
側に向かって延在する第４の水平部とにより構成される
複数の第２のリード群とを備えたことを特徴とする。
と、前記封止樹脂体の内部に位置するダイパッドと、前
記封止樹脂体の内部であって前記ダイパッド上に設けら
れ、主面に第 1 及び第 2 の電極が形成される半導体チップ
と、前記封止樹脂体の内部に位置し第 1 のボンディング
ワイヤを介して前記第 1 の電極と電気的に接続される前
記ダイパッドと平行な第 1 の水平部と、該第 1 の水平部か
ら垂直下方に延在し一端は該封止樹脂体から露出する第
１の下方伸長部と、該第１の下方伸長部の一端と接続し
内側に向かって延在する第２の水平部とにより構成され
る複数の第１のリード群と、前記封止樹脂体の内部であ
って前記ダイパッドと前記第１の水平部との間に位置し
第２のボンディングワイヤを介して前記第２の電極と電
気的に接続される第３の水平部と、該第３の水平部から
垂直下方に延在し一端は該封止樹脂体から露出する第２
の下方伸長部と、該第２の下方伸長部の一端と接続し内
側に向かって延在する第４の水平部とにより構成される
複数の第２のリード群とを備えたことを特徴とする。
【００１３】（２）上記（１）記載の半導体装置におい
て、前記封止樹脂体は、該封止樹脂体から露出している
前記第１及び第２の下方伸長部と前記第２及び第４の水
平部とにより構成される折曲形状に沿って突部が形成さ
れていることを特徴とする。
て、前記封止樹脂体は、該封止樹脂体から露出している
前記第１及び第２の下方伸長部と前記第２及び第４の水
平部とにより構成される折曲形状に沿って突部が形成さ
れていることを特徴とする。
【００１４】（３）半導体装置において、封止樹脂体
と、前記封止樹脂体の内部に位置するダイパッドと、前
記封止樹脂体の内部に位置し、前記ダイパッド上に設け
られ、主面に電極が形成される半導体チップと、前記封
止樹脂体の内部に位置しボンディングワイヤを介して前
記電極と電気的に接続される前記ダイパッドと平行な第
１の水平部と、該第１の水平部から垂直下方に延在し一
端は該封止樹脂体から露出する下方伸長部と、該下方伸
長部の一端と接続し該ダイパッドと平行な第２の水平部
とにより構成されるリード部とを備え、前記第２の水平
部の一部は円形であることを特徴とする。
と、前記封止樹脂体の内部に位置するダイパッドと、前
記封止樹脂体の内部に位置し、前記ダイパッド上に設け
られ、主面に電極が形成される半導体チップと、前記封
止樹脂体の内部に位置しボンディングワイヤを介して前
記電極と電気的に接続される前記ダイパッドと平行な第
１の水平部と、該第１の水平部から垂直下方に延在し一
端は該封止樹脂体から露出する下方伸長部と、該下方伸
長部の一端と接続し該ダイパッドと平行な第２の水平部
とにより構成されるリード部とを備え、前記第２の水平
部の一部は円形であることを特徴とする。
【００１５】（４）上記（３）記載の半導体装置におい
て、前記第２の水平部の一部に穴が形成されていること
を特徴とする
て、前記第２の水平部の一部に穴が形成されていること
を特徴とする
【００１６】（５）半導体装置において、封止樹脂体
と、前記封止樹脂体の内部に位置するダイパッドと、前
記封止樹脂体の内部に位置し、前記ダイパッド上に設け
られ、主面に電極が形成される半導体チップと、前記封
止樹脂体の内部に位置しボンディングワイヤを介して前
記電極と電気的に接続される前記ダイパッドと平行な第
１の水平部と、該第１の水平部から垂直下方に延在し一
端は該封止樹脂体から露出する下方伸長部と、該下方伸
長部の一端と接続し該ダイパッドと平行な第２の水平部
とにより構成される複数のリード部とを備え、前記複数
のリード部のいずれか一つの第１の水平部は前記ダイパ
ッドと接続されていることを特徴とする半導体装置。
と、前記封止樹脂体の内部に位置するダイパッドと、前
記封止樹脂体の内部に位置し、前記ダイパッド上に設け
られ、主面に電極が形成される半導体チップと、前記封
止樹脂体の内部に位置しボンディングワイヤを介して前
記電極と電気的に接続される前記ダイパッドと平行な第
１の水平部と、該第１の水平部から垂直下方に延在し一
端は該封止樹脂体から露出する下方伸長部と、該下方伸
長部の一端と接続し該ダイパッドと平行な第２の水平部
とにより構成される複数のリード部とを備え、前記複数
のリード部のいずれか一つの第１の水平部は前記ダイパ
ッドと接続されていることを特徴とする半導体装置。
【００１７】（６）半導体装置の製造方法において、複
数のリード端子と配線用端子を連設した複数列の支持バ
ーがダイパッドサポートに連設されたリードフレームに
おける外側端子を装置底面側に曲げ加工する工程と、リ
ードフレームのダイパッドに半導体ペレットを固定し、
半導体ペレットと配線用端子にワイヤー配線する工程
と、リード端子を樹脂モールド体底面から露出するよう
に樹脂を封止する工程と、リード端子を半田付着させ曲
げ加工する工程と、切削刃でリード端子の支持バーを切
削分割する工程を、順に施すことを特徴とする。
数のリード端子と配線用端子を連設した複数列の支持バ
ーがダイパッドサポートに連設されたリードフレームに
おける外側端子を装置底面側に曲げ加工する工程と、リ
ードフレームのダイパッドに半導体ペレットを固定し、
半導体ペレットと配線用端子にワイヤー配線する工程
と、リード端子を樹脂モールド体底面から露出するよう
に樹脂を封止する工程と、リード端子を半田付着させ曲
げ加工する工程と、切削刃でリード端子の支持バーを切
削分割する工程を、順に施すことを特徴とする。
【００１８】（７）半導体装置の製造方法において、複
数のリード端子と配線用端子を連設した複数列の支持バ
ーがダイパッドサポートに連設されたリードフレームに
おける外側端子を装置底面側に曲げ加工する工程と、リ
ードフレームのダイパッドに半導体ペレットを固定し、
半導体ペレットと配線用端子にワイヤー配線する工程
と、樹脂モールド体底面からリード端子を露出し樹脂突
起を突設するように樹脂を封止する工程と、リード端子
を半導体装置底面に形成された樹脂突起に沿って曲げ加
工する工程と、研磨刃でリード端子の支持バーを切削分
割する工程を、順に施すことを特徴とする。
数のリード端子と配線用端子を連設した複数列の支持バ
ーがダイパッドサポートに連設されたリードフレームに
おける外側端子を装置底面側に曲げ加工する工程と、リ
ードフレームのダイパッドに半導体ペレットを固定し、
半導体ペレットと配線用端子にワイヤー配線する工程
と、樹脂モールド体底面からリード端子を露出し樹脂突
起を突設するように樹脂を封止する工程と、リード端子
を半導体装置底面に形成された樹脂突起に沿って曲げ加
工する工程と、研磨刃でリード端子の支持バーを切削分
割する工程を、順に施すことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照しながら詳細に説明する。
面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】（第１実施例）
図１は本発明の第１実施例の構成図であり、図１（ａ）
は装置全体の断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図
（Ａ部詳細図）、図１（ｃ）は図１（ｂ）の底面図であ
る。
は装置全体の断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図
（Ａ部詳細図）、図１（ｃ）は図１（ｂ）の底面図であ
る。
【００２１】半導体ペレット１表面に形成された電極２
からワイヤー３が鉄や銅などからなり可撓性を有する条
状のリード端子４に配線されている。リード端子４は曲
げ加工がされている。リード端子４は、ダイパッド１０
と同じ面を有し、その面から略直角に下方へ折り曲げら
れた下方伸長部と、その下方伸長部の樹脂モールド体５
の下面から突出する部分のさらに下方先端部分は前記下
方伸長部に対し略直角に折り曲げられ、基板端子と接触
するように形成されている。リード端子４は、図１
（ｂ）に示す幅方向には曲がりにくいが、この幅方向と
直角方向の厚み方向には比較的曲がりやすい。
からワイヤー３が鉄や銅などからなり可撓性を有する条
状のリード端子４に配線されている。リード端子４は曲
げ加工がされている。リード端子４は、ダイパッド１０
と同じ面を有し、その面から略直角に下方へ折り曲げら
れた下方伸長部と、その下方伸長部の樹脂モールド体５
の下面から突出する部分のさらに下方先端部分は前記下
方伸長部に対し略直角に折り曲げられ、基板端子と接触
するように形成されている。リード端子４は、図１
（ｂ）に示す幅方向には曲がりにくいが、この幅方向と
直角方向の厚み方向には比較的曲がりやすい。
【００２２】樹脂モールド体５は半導体ペレット１とワ
イヤー３とワイヤー３が配線されているリード端子４の
表面を覆う様に形成され、基板６の電極２への接続の為
に樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半田層
８で覆われている。
イヤー３とワイヤー３が配線されているリード端子４の
表面を覆う様に形成され、基板６の電極２への接続の為
に樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半田層
８で覆われている。
【００２３】本発明のリード端子は、前記特開２０００
−２５２３８９号公報のものと比べ、樹脂に覆われてい
る部分は剥離が防止できると共に耐腐食性を向上でき、
基板との接続を確実にでき、ワイヤボンドの品質を向上
できる。
−２５２３８９号公報のものと比べ、樹脂に覆われてい
る部分は剥離が防止できると共に耐腐食性を向上でき、
基板との接続を確実にでき、ワイヤボンドの品質を向上
できる。
【００２４】また、最近のパッケージサイズが小さくな
る傾向を受けて、実装サイズも小さくすると、端子のピ
ッチが０．４〜０．５ｍｍとなり、この条件をクリアす
るためにはリード端子の幅が３００μｍ以下となること
が求められている。そこで、本発明のリード端子４は、
図１（ｂ）に示すリード端子４の幅が３００μｍ以下に
設定されていることが好ましい。また、ボールグリッド
アレイにおけるボールのサイズは最小で０．２５ｍｍで
あり、このサイズが実装高さとして求められている。そ
こで、本発明のリード端子４は、樹脂封止端から基板端
子７固着部までのリード端子４の長さ（実装高さ）が約
２００μｍ以上で、変形可能な条状に形成されているこ
とが好ましい。
る傾向を受けて、実装サイズも小さくすると、端子のピ
ッチが０．４〜０．５ｍｍとなり、この条件をクリアす
るためにはリード端子の幅が３００μｍ以下となること
が求められている。そこで、本発明のリード端子４は、
図１（ｂ）に示すリード端子４の幅が３００μｍ以下に
設定されていることが好ましい。また、ボールグリッド
アレイにおけるボールのサイズは最小で０．２５ｍｍで
あり、このサイズが実装高さとして求められている。そ
こで、本発明のリード端子４は、樹脂封止端から基板端
子７固着部までのリード端子４の長さ（実装高さ）が約
２００μｍ以上で、変形可能な条状に形成されているこ
とが好ましい。
【００２５】図１に示すように、リード端子４の周囲が
樹脂封止されているので、リード端子４の周囲が防水構
造になる。
樹脂封止されているので、リード端子４の周囲が防水構
造になる。
【００２６】本発明の第１実施例は、以下の作用効果を
奏する。 （１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１
０とリード端子４とは充填された樹脂モールド体５によ
り分離される。これにより、従来のように半導体ペレッ
ト１とダイパッド１０との間に外部から水分が侵入する
ことを阻止できる。 （２）半導体装置を基板６に接合した場合に半導体装置
は樹脂モールド体５と基板端子７までリード端子４で接
合されているので、熱による樹脂モールド体５と基板６
の変形差で生じる応力を可撓性を有する条状のリード端
子４が吸収することができる。
奏する。 （１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１
０とリード端子４とは充填された樹脂モールド体５によ
り分離される。これにより、従来のように半導体ペレッ
ト１とダイパッド１０との間に外部から水分が侵入する
ことを阻止できる。 （２）半導体装置を基板６に接合した場合に半導体装置
は樹脂モールド体５と基板端子７までリード端子４で接
合されているので、熱による樹脂モールド体５と基板６
の変形差で生じる応力を可撓性を有する条状のリード端
子４が吸収することができる。
【００２７】以上のように、本発明の第１実施例によれ
ば、基板接続後の温度変化による基板６と半導体装置に
働く応力はリード端子４で吸収することができる。よっ
て外部環境による温度変化によってリード端子４が基板
６から剥離することがなくなる。
ば、基板接続後の温度変化による基板６と半導体装置に
働く応力はリード端子４で吸収することができる。よっ
て外部環境による温度変化によってリード端子４が基板
６から剥離することがなくなる。
【００２８】（第２実施例）
図２は本発明の第２実施例の構成図であり、図２（ａ）
は装置全体の断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の側面図
（Ａ部詳細図）、図２（ｃ）は図２（ｂ）の底面図であ
る。
は装置全体の断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の側面図
（Ａ部詳細図）、図２（ｃ）は図２（ｂ）の底面図であ
る。
【００２９】半導体ペレット１表面に形成された電極２
からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配
線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。
このリード端子４は前記第１実施例のものと同じになっ
ている。
からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配
線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。
このリード端子４は前記第１実施例のものと同じになっ
ている。
【００３０】また樹脂モールド体５は半導体ペレット１
とワイヤー３とワイヤー３が配線されているリード端子
４の表面を覆う様に形成され、基板６の電極２への接続
の為に樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半
田層８で覆われている。基板６の電極２に接するリード
端子４は、前記第１実施例の構成の他にその接触部９が
円形状になっている特徴を有する。
とワイヤー３とワイヤー３が配線されているリード端子
４の表面を覆う様に形成され、基板６の電極２への接続
の為に樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半
田層８で覆われている。基板６の電極２に接するリード
端子４は、前記第１実施例の構成の他にその接触部９が
円形状になっている特徴を有する。
【００３１】リード端子４は、図２（ｂ）に示すリード
端子４の幅が３００μｍ以下に設定されていることが好
ましい。
端子４の幅が３００μｍ以下に設定されていることが好
ましい。
【００３２】リード端子４は、樹脂封止端から基板端子
７固着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以上
に形成されていることが好ましい。
７固着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以上
に形成されていることが好ましい。
【００３３】本発明の第２実施例は、以下の作用効果を
奏する。 （１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１
０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５によ
り分離される。これにより、従来のように半導体ペレッ
トとダイパッドとの間に外部から水分が侵入することを
阻止できる。 （２）リード端子４の接触部９が基板端子７の幅より広
い幅の円形状に構成されているので基板端子７との接合
面積が増大し、基板端子７との接合力が増す分衝撃荷重
等による接合後の両端子の剥離が阻止できる。 （３）半導体装置を基板６に接合した場合に半導体装置
は樹脂と基板６まで可撓性を有する条状のリード端子４
で接合されているので、熱による樹脂と基板６の変形差
で生じる応力をリード端子４で吸収することができる。
奏する。 （１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１
０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５によ
り分離される。これにより、従来のように半導体ペレッ
トとダイパッドとの間に外部から水分が侵入することを
阻止できる。 （２）リード端子４の接触部９が基板端子７の幅より広
い幅の円形状に構成されているので基板端子７との接合
面積が増大し、基板端子７との接合力が増す分衝撃荷重
等による接合後の両端子の剥離が阻止できる。 （３）半導体装置を基板６に接合した場合に半導体装置
は樹脂と基板６まで可撓性を有する条状のリード端子４
で接合されているので、熱による樹脂と基板６の変形差
で生じる応力をリード端子４で吸収することができる。
【００３４】以上のように、第２の実施例によれば、第
１実施例の特徴および作用・効果に加え、さらにリード
端子４の接触部９の形状が円形状になっているため、一
端子あたりの基板接合面積が増大し、基板６に加わる衝
撃荷重による剥離が生じない。すなわち携帯電話機など
の機器に搭載することができる。
１実施例の特徴および作用・効果に加え、さらにリード
端子４の接触部９の形状が円形状になっているため、一
端子あたりの基板接合面積が増大し、基板６に加わる衝
撃荷重による剥離が生じない。すなわち携帯電話機など
の機器に搭載することができる。
【００３５】（第３実施例）
図３は本発明の第３実施例の構成図であり、図３（ａ）
は装置全体の断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の側面図
（Ａ部詳細図）、図３（ｃ）は図３（ｂ）の底面図であ
る。
は装置全体の断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の側面図
（Ａ部詳細図）、図３（ｃ）は図３（ｂ）の底面図であ
る。
【００３６】半導体ペレット１表面に形成された電極２
からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配
線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。
このリード端子４は前記第１実施例のものと同じになっ
ている。
からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配
線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。
このリード端子４は前記第１実施例のものと同じになっ
ている。
【００３７】樹脂モールド体５にはリード端子４の曲げ
形状に沿うように樹脂突起１１が形成されている。樹脂
突起１１の形状は、上記形状以外に、リード端子４が基
板端子７と接合後剥離等の不都合が発生しない程度の少
なくとも高さを有する形状が好ましい。樹脂突起１１の
幅は、図３（ｂ）に示されている例に限らず、半導体装
置を支持してもリード端子４に剥離等の異常が発生しな
い程度の強度のでる幅および厚みであればよい。
形状に沿うように樹脂突起１１が形成されている。樹脂
突起１１の形状は、上記形状以外に、リード端子４が基
板端子７と接合後剥離等の不都合が発生しない程度の少
なくとも高さを有する形状が好ましい。樹脂突起１１の
幅は、図３（ｂ）に示されている例に限らず、半導体装
置を支持してもリード端子４に剥離等の異常が発生しな
い程度の強度のでる幅および厚みであればよい。
【００３８】この樹脂モールド体５は、樹脂突起１１と
同時に、半導体ペレット１とワイヤー３とワイヤー３が
配線されているリード端子４の表面を覆う様に形成され
る。基板６の基板端子７への接続の為に樹脂モールド体
５外部のリード端子４の表面は半田層８で覆われてい
る。リード端子４は、図３（ｂ）に示すリード端子４の
幅が３００μｍ以下に設定されていることが好ましい。
同時に、半導体ペレット１とワイヤー３とワイヤー３が
配線されているリード端子４の表面を覆う様に形成され
る。基板６の基板端子７への接続の為に樹脂モールド体
５外部のリード端子４の表面は半田層８で覆われてい
る。リード端子４は、図３（ｂ）に示すリード端子４の
幅が３００μｍ以下に設定されていることが好ましい。
【００３９】リード端子４は、樹脂封止端から基板端子
７固着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以上
に形成されていることが好ましい。
７固着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以上
に形成されていることが好ましい。
【００４０】本発明の第３実施例は、可撓性を有する条
状のリード端子４および樹脂突起１１を備えたことによ
って以下の作用・効果を奏する。 （１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１
０とリード端子４とが、充填された樹脂モールド体５に
より分離される。これにより、従来のように半導体ペレ
ット１とダイパッド１０との間に外部から水分が侵入す
ることを阻止できる。 （２）樹脂突起１１によりリード端子４の形状を保持す
るようにその強度を補強することができる。 （３）半導体装置を基板６に接合した場合、半導体装置
は樹脂と基板端子７までの間がリード端子４で構成され
ているので、熱による樹脂と基板６の変形差で生じる応
力をリード端子が変形して吸収する。 （４）さらに基板６に半導体装置を取り付ける際、リー
ド端子４の位置に形成された樹脂突起１１がリード端子
４を介して基板端子７と当接するまでリード端子４は接
触部が平坦性を保ちながら全体的に弾性変形するので、
各リード端子４が同じように弾性変形することになり、
リード端子４が全体的に均一に弾性変形しながら接続さ
れる。これにより、半導体装置の荷重でリード端子４が
異常に変形し、接触部９が剥離等することを防止でき
る。
状のリード端子４および樹脂突起１１を備えたことによ
って以下の作用・効果を奏する。 （１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１
０とリード端子４とが、充填された樹脂モールド体５に
より分離される。これにより、従来のように半導体ペレ
ット１とダイパッド１０との間に外部から水分が侵入す
ることを阻止できる。 （２）樹脂突起１１によりリード端子４の形状を保持す
るようにその強度を補強することができる。 （３）半導体装置を基板６に接合した場合、半導体装置
は樹脂と基板端子７までの間がリード端子４で構成され
ているので、熱による樹脂と基板６の変形差で生じる応
力をリード端子が変形して吸収する。 （４）さらに基板６に半導体装置を取り付ける際、リー
ド端子４の位置に形成された樹脂突起１１がリード端子
４を介して基板端子７と当接するまでリード端子４は接
触部が平坦性を保ちながら全体的に弾性変形するので、
各リード端子４が同じように弾性変形することになり、
リード端子４が全体的に均一に弾性変形しながら接続さ
れる。これにより、半導体装置の荷重でリード端子４が
異常に変形し、接触部９が剥離等することを防止でき
る。
【００４１】以上のように、第３実施例によれば、第１
実施例の特徴および作用・効果に加え、さらに半導体装
置を基板６に搭載する時、リード端子４の形状に沿った
突部形状をした樹脂がリード高さのバラツキを吸収して
リード端子４の平坦性を保ちながら接合を行うので、全
ての端子を均一に接合することができ、接合不良が低減
できる。
実施例の特徴および作用・効果に加え、さらに半導体装
置を基板６に搭載する時、リード端子４の形状に沿った
突部形状をした樹脂がリード高さのバラツキを吸収して
リード端子４の平坦性を保ちながら接合を行うので、全
ての端子を均一に接合することができ、接合不良が低減
できる。
【００４２】（第４実施例）
図４は本発明の第４実施例の構成図であり、図４（ａ）
は装置全体の断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）の側面図
（Ａ部詳細図）、図４（ｃ）は図４（ｂ）の底面図であ
る。
は装置全体の断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）の側面図
（Ａ部詳細図）、図４（ｃ）は図４（ｂ）の底面図であ
る。
【００４３】半導体ペレット１表面に形成された電極２
からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配
線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。
リード端子４は前記第１実施例のものと同じになってい
る。
からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配
線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。
リード端子４は前記第１実施例のものと同じになってい
る。
【００４４】樹脂モールド体５は半導体ペレット１とワ
イヤー３とワイヤー３が配線されているリード端子４の
表面を覆う様に形成され、基板６の電極２への接続の為
に樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半田層
８で覆われている。
イヤー３とワイヤー３が配線されているリード端子４の
表面を覆う様に形成され、基板６の電極２への接続の為
に樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半田層
８で覆われている。
【００４５】さらに基板６に接するリード端子４の接触
部９は穴を設けたドーナツ形状円形状になっており、中
央部は円形の穴１２が形成されている。
部９は穴を設けたドーナツ形状円形状になっており、中
央部は円形の穴１２が形成されている。
【００４６】リード端子４は、図４（ｂ）に示すリード
端子４の幅が３００μｍ以下に設定されていることが好
ましい。
端子４の幅が３００μｍ以下に設定されていることが好
ましい。
【００４７】リード端子４は、樹脂封止端から基板端子
７固着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以上
で、変形可能な条状に形成されていることが好ましい。
７固着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以上
で、変形可能な条状に形成されていることが好ましい。
【００４８】本発明の第４実施例は、リード端子４の接
触部の中央部に穴が形成されていることにより、以下の
作用効果を奏する。 （１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１
０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５によ
り分離される。これにより、従来のように半導体ペレッ
ト１とダイパッド１０との間に外部から水分が侵入する
ことを阻止できる。 （２）リード端子４の接触部９がリード端子４の接触部
９以外の幅より広い幅のドーナツ状に構成されているの
で基板端子７との接合面積が増大し、基板端子７との接
合力が増す分、衝撃荷重等による接合後の両端子の剥離
が阻止できる。 （３）半導体装置を基板端子７に接合した場合に半導体
装置は樹脂モールド体５から基板端子７までリード端子
４で接合されているので、熱による樹脂モールド体５と
基板６の熱などの影響による変形差で生じる応力をリー
ド端子４が変形して吸収する。 （４）さらにリード端子４の接触部９がドーナツ形状に
なっているので基板端子７との接合面積を増大し、基板
６との接合力を増すことができる。 （５）また電気試験の際、ソケット端子にリード端子４
の穴１２に挿入できる突起を設ける事で、ソケット端子
とリード端子４が確実に接触できる。
触部の中央部に穴が形成されていることにより、以下の
作用効果を奏する。 （１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１
０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５によ
り分離される。これにより、従来のように半導体ペレッ
ト１とダイパッド１０との間に外部から水分が侵入する
ことを阻止できる。 （２）リード端子４の接触部９がリード端子４の接触部
９以外の幅より広い幅のドーナツ状に構成されているの
で基板端子７との接合面積が増大し、基板端子７との接
合力が増す分、衝撃荷重等による接合後の両端子の剥離
が阻止できる。 （３）半導体装置を基板端子７に接合した場合に半導体
装置は樹脂モールド体５から基板端子７までリード端子
４で接合されているので、熱による樹脂モールド体５と
基板６の熱などの影響による変形差で生じる応力をリー
ド端子４が変形して吸収する。 （４）さらにリード端子４の接触部９がドーナツ形状に
なっているので基板端子７との接合面積を増大し、基板
６との接合力を増すことができる。 （５）また電気試験の際、ソケット端子にリード端子４
の穴１２に挿入できる突起を設ける事で、ソケット端子
とリード端子４が確実に接触できる。
【００４９】以上のように、第４の実施例によれば、第
２実施例の特徴および効果に加え、さらにリード端子４
の接触部９をドーナツ形状としているため、突起のある
ソケット端子がリード端子４の穴１２に挿入でき接触が
容易に行われるので、電気試験における接触不良を防止
できる。
２実施例の特徴および効果に加え、さらにリード端子４
の接触部９をドーナツ形状としているため、突起のある
ソケット端子がリード端子４の穴１２に挿入でき接触が
容易に行われるので、電気試験における接触不良を防止
できる。
【００５０】（第５実施例）
図５は本発明の第５実施例の構成図であり、図５（ａ）
は装置全体の断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）の側面図
（Ａ部詳細図）、図５（ｃ）は図５（ｂ）の底面図であ
る。
は装置全体の断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）の側面図
（Ａ部詳細図）、図５（ｃ）は図５（ｂ）の底面図であ
る。
【００５１】半導体ペレット１表面に形成された電極２
からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配
線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。
リード端子４は前記第１実施例のものと同じになってい
る。半導体ペレット１が導電性接着剤１３によって接続
されているダイパッド１０よりリード端子４が形成され
ている。樹脂モールド体５は半導体ペレット１とワイヤ
ー３とワイヤー３が配線されているリード端子４の表面
を覆う様に形成され、基板６の電極端子７への接続のた
めに樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半田
層８で覆われている。
からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配
線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。
リード端子４は前記第１実施例のものと同じになってい
る。半導体ペレット１が導電性接着剤１３によって接続
されているダイパッド１０よりリード端子４が形成され
ている。樹脂モールド体５は半導体ペレット１とワイヤ
ー３とワイヤー３が配線されているリード端子４の表面
を覆う様に形成され、基板６の電極端子７への接続のた
めに樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半田
層８で覆われている。
【００５２】リード端子４は、図５（ｂ）に示すリード
端子４の幅が３００μｍ以下に設定されていることが好
ましい。また、リード端子４は、樹脂封止端から基板端
子７固着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以
上に形成されていることが好ましい。
端子４の幅が３００μｍ以下に設定されていることが好
ましい。また、リード端子４は、樹脂封止端から基板端
子７固着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以
上に形成されていることが好ましい。
【００５３】本発明の第５実施例は可撓性を有する条状
のリード端子４を設けたことおよび半導体ペレット裏面
側から導電性接着剤１３を介してリード端子４を設けた
ことによって以下の作用効果を有する。 （１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１
０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５によ
り分離されることである。これにより、従来のように半
導体ペレットとダイパッドとの間に外部から水分が侵入
することを阻止できる。 （２）半導体ペレット１裏面側から導電性接着剤１３を
介してリード端子４を設けたことである。これにより、
半導体ペレット１裏面電位を制御する必要がある半導体
（例えばＳｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒな
ど）の裏面電位制御が容易にできる。 （３）半導体装置を基板端子７に接合した場合に、半導
体装置は樹脂モールド体５から基板端子７までリード端
子４で接合されているので、熱による樹脂モールド体５
と基板６の熱などの影響による変形差で生じる応力をリ
ード端子４が変形して吸収することができる。 （４）さらに半導体装置中央部より半導体ペレット裏面
電位制御用の端子が設けてあるので半導体ペレットの裏
面電位制御が可能となる。
のリード端子４を設けたことおよび半導体ペレット裏面
側から導電性接着剤１３を介してリード端子４を設けた
ことによって以下の作用効果を有する。 （１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１
０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５によ
り分離されることである。これにより、従来のように半
導体ペレットとダイパッドとの間に外部から水分が侵入
することを阻止できる。 （２）半導体ペレット１裏面側から導電性接着剤１３を
介してリード端子４を設けたことである。これにより、
半導体ペレット１裏面電位を制御する必要がある半導体
（例えばＳｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒな
ど）の裏面電位制御が容易にできる。 （３）半導体装置を基板端子７に接合した場合に、半導
体装置は樹脂モールド体５から基板端子７までリード端
子４で接合されているので、熱による樹脂モールド体５
と基板６の熱などの影響による変形差で生じる応力をリ
ード端子４が変形して吸収することができる。 （４）さらに半導体装置中央部より半導体ペレット裏面
電位制御用の端子が設けてあるので半導体ペレットの裏
面電位制御が可能となる。
【００５４】以上のように、本発明の第５実施例によれ
ば、第１実施例の特徴および効果に加え、さらに半導体
ペレット１裏面側から導電性接着剤１３を介してリード
端子４が設けてある為、裏面電位を制御する必要がある
半導体（例えばＳｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔ
ｏｒなど）の裏面電位制御が容易にできる。
ば、第１実施例の特徴および効果に加え、さらに半導体
ペレット１裏面側から導電性接着剤１３を介してリード
端子４が設けてある為、裏面電位を制御する必要がある
半導体（例えばＳｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔ
ｏｒなど）の裏面電位制御が容易にできる。
【００５５】（第６実施例）
図６は本発明の第６実施例の構成図（その１）であり、
図６（ａ）は装置全体の断面図、図６（ｂ）は図６
（ａ）の側面図（Ａ部詳細図）、図６（ｃ）は図６
（ｂ）の底面図であり、図７は本発明の第６実施例の構
成図（その２）であり、図７（ａ）は装置全体の断面
図、図７（ｂ）は図７（ａ）の底面図である。
図６（ａ）は装置全体の断面図、図６（ｂ）は図６
（ａ）の側面図（Ａ部詳細図）、図６（ｃ）は図６
（ｂ）の底面図であり、図７は本発明の第６実施例の構
成図（その２）であり、図７（ａ）は装置全体の断面
図、図７（ｂ）は図７（ａ）の底面図である。
【００５６】半導体ペレット１表面に形成された電極２
からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配
線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。
リード端子４は前記第１実施例のものと同じである。
からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配
線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。
リード端子４は前記第１実施例のものと同じである。
【００５７】樹脂モールド体５は半導体ペレット１とワ
イヤー３とワイヤー３が配線されているリード端子４の
表面を覆うように形成され、基板６の電極２への接続の
為に樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半田
層８で覆われている。
イヤー３とワイヤー３が配線されているリード端子４の
表面を覆うように形成され、基板６の電極２への接続の
為に樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半田
層８で覆われている。
【００５８】図７（ａ）に示すように半導体装置の４隅
にはリードフレームのサポートバー２０延長部分で形成
された固定部２１があり、各固定部２１には位置出し用
の穴２２が形成されている。
にはリードフレームのサポートバー２０延長部分で形成
された固定部２１があり、各固定部２１には位置出し用
の穴２２が形成されている。
【００５９】リード端子４は、図６（ｂ）に示すリード
端子４の幅が３００μｍ以下に設定されていることが好
ましい。リード端子４は、樹脂封止端から基板端子７固
着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以上に形
成されていることが好ましい。
端子４の幅が３００μｍ以下に設定されていることが好
ましい。リード端子４は、樹脂封止端から基板端子７固
着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以上に形
成されていることが好ましい。
【００６０】本発明の第６実施例は、リード端子４およ
び半導体装置の４隅の固定部２１に位置出し用の穴２２
を設けたことによって以下の特徴を有する。 （１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１
０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５によ
り分離されることである。これにより、従来のように半
導体ペレットとダイパッド１０との間に外部から水分が
侵入することを阻止できる。 （２）半導体装置の４隅の固定部２１に位置出し穴２２
を設けたことにより、リード端子４と基板端子７の位置
合せが高精度で行える。 （３）半導体装置を基板６に接合した場合に、半導体装
置は樹脂と基板６までリード端子４で接合されているの
で、熱による樹脂と基板６の変形差で生じる応力をリー
ド端子４で吸収することができる。 （４）さらに、４隅の位置出し穴２２を基準にすること
により、リード端子４と基板端子７の位置合せが高精度
で行える。
び半導体装置の４隅の固定部２１に位置出し用の穴２２
を設けたことによって以下の特徴を有する。 （１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１
０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５によ
り分離されることである。これにより、従来のように半
導体ペレットとダイパッド１０との間に外部から水分が
侵入することを阻止できる。 （２）半導体装置の４隅の固定部２１に位置出し穴２２
を設けたことにより、リード端子４と基板端子７の位置
合せが高精度で行える。 （３）半導体装置を基板６に接合した場合に、半導体装
置は樹脂と基板６までリード端子４で接合されているの
で、熱による樹脂と基板６の変形差で生じる応力をリー
ド端子４で吸収することができる。 （４）さらに、４隅の位置出し穴２２を基準にすること
により、リード端子４と基板端子７の位置合せが高精度
で行える。
【００６１】以上のように、本発明の第６実施例によれ
ば、第１実施例の特徴および効果に加え、さらに半導体
装置を基板６に搭載する時、リード端子部は四隅の位置
出し穴２２より高輝度で位置の制御ができるので基板端
子７のピッチが狭い場合においても位置合せができる。
ば、第１実施例の特徴および効果に加え、さらに半導体
装置を基板６に搭載する時、リード端子部は四隅の位置
出し穴２２より高輝度で位置の制御ができるので基板端
子７のピッチが狭い場合においても位置合せができる。
【００６２】（第７実施例）
図８は本発明の第７実施例の製造工程図（その１）であ
り、図８（ａ）はリードフレームの平面図、図８（ｂ）
は端子折り曲げ後のリードフレームの平面図、図８
（ｃ）はペレットを搭載し、配線した後のリードフレー
ムの平面図であり、図９は本発明の第７実施例の製造工
程図（その２）であり、図９（ａ）は型込め行程図、図
９（ｂ）は樹脂注入行程図、図９（ｃ）は端子曲げ行程
図、図９（ｄ）は枠フレーム切断行程図、図９（ｅ）は
支持バー切断行程図、図９（ｆ）は完成図である。
り、図８（ａ）はリードフレームの平面図、図８（ｂ）
は端子折り曲げ後のリードフレームの平面図、図８
（ｃ）はペレットを搭載し、配線した後のリードフレー
ムの平面図であり、図９は本発明の第７実施例の製造工
程図（その２）であり、図９（ａ）は型込め行程図、図
９（ｂ）は樹脂注入行程図、図９（ｃ）は端子曲げ行程
図、図９（ｄ）は枠フレーム切断行程図、図９（ｅ）は
支持バー切断行程図、図９（ｆ）は完成図である。
【００６３】リードフレーム２３は、ペレットを搭載す
るダイパッド１０と、それから４隅に向かって延びるサ
ポートバー２０と、サポートバー２０間にダイパッド１
０の各辺と平行して延びる支持バー２４と、支持バー２
４の両側に設けられる配線用端子４と外側端子２５とか
ら形成されている。一列に並ぶ全ての外側端子２５を連
結する支持バー２４は、樹脂封止される位置２６より外
側に設けられている。リード端子４は、外側端子２５と
配線用端子からなる。
るダイパッド１０と、それから４隅に向かって延びるサ
ポートバー２０と、サポートバー２０間にダイパッド１
０の各辺と平行して延びる支持バー２４と、支持バー２
４の両側に設けられる配線用端子４と外側端子２５とか
ら形成されている。一列に並ぶ全ての外側端子２５を連
結する支持バー２４は、樹脂封止される位置２６より外
側に設けられている。リード端子４は、外側端子２５と
配線用端子からなる。
【００６４】次に、リードフレーム２３の外側端子２５
をワイヤー配線用端子４列の外側、即ち、図８（ｂ）に
示すように支持バー２４を含んで配線用端子４から裏方
向へ直角に折り曲げる。
をワイヤー配線用端子４列の外側、即ち、図８（ｂ）に
示すように支持バー２４を含んで配線用端子４から裏方
向へ直角に折り曲げる。
【００６５】次に、図８（ｃ）に示すように、接着剤を
介してダイパッド１０に半導体ペレット１を接合し、半
導体ペレット１とリード端子４をワイヤー３にて配線す
る。
介してダイパッド１０に半導体ペレット１を接合し、半
導体ペレット１とリード端子４をワイヤー３にて配線す
る。
【００６６】次に、図９（ａ）に示すように、樹脂封止
用の金型３０の下型３１に形成された端子穴３３に外側
端子２５を挿入しながら、リードフレーム２３を下型３
１に設置し、上型３２を載せる。
用の金型３０の下型３１に形成された端子穴３３に外側
端子２５を挿入しながら、リードフレーム２３を下型３
１に設置し、上型３２を載せる。
【００６７】次に、図９（ｂ）に示すように、金型３１
内に樹脂を注入、封止する。
内に樹脂を注入、封止する。
【００６８】次に、図９（ｃ）に示すように、金型３０
から取り出し、樹脂外部に露出した外側端子２５表面に
半田を付着させ、外側端子２５をローラ３４で曲げる。
から取り出し、樹脂外部に露出した外側端子２５表面に
半田を付着させ、外側端子２５をローラ３４で曲げる。
【００６９】次に、図９（ｄ）に示すように、樹脂外側
の枠フレーム２７を切断する。
の枠フレーム２７を切断する。
【００７０】最後に、図９（ｅ）に示すように、高速回
転する外周刃３５で外側端子２５、の支持バー２４を切
断し、図９（ｆ）に示すような半導体装置を完成する。
転する外周刃３５で外側端子２５、の支持バー２４を切
断し、図９（ｆ）に示すような半導体装置を完成する。
【００７１】このリードフレーム２３では、複数列リー
ド端子４が配置された支持バー２４とダイパッドサポー
トバー２０の交点を外側端子２５リード形成の曲げ加工
されない位置、即ち、樹脂封止される位置２６よりも樹
脂封止される側に設ける。これにより、曲げ加工時、前
記交点が曲げ加工によって切断され、曲げ加工ができな
くなることを阻止できる。
ド端子４が配置された支持バー２４とダイパッドサポー
トバー２０の交点を外側端子２５リード形成の曲げ加工
されない位置、即ち、樹脂封止される位置２６よりも樹
脂封止される側に設ける。これにより、曲げ加工時、前
記交点が曲げ加工によって切断され、曲げ加工ができな
くなることを阻止できる。
【００７２】ワイヤー配線のリード端子４は樹脂で表裏
が保護されているので、リード端子４の個々の分離加工
によるストレスの影響をワイヤ配線部分に与えることが
ない以上のように、第７実施例によれば、ワイヤー３が
配線されているリード端子４は表裏共に樹脂に覆われて
いるので、従来ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）の
端子を形成する加工時に発生していたストレスによる、
樹脂とリード端子４との界面での剥離が、生じない。こ
れによってワイヤー３の断線が生じることはない。
が保護されているので、リード端子４の個々の分離加工
によるストレスの影響をワイヤ配線部分に与えることが
ない以上のように、第７実施例によれば、ワイヤー３が
配線されているリード端子４は表裏共に樹脂に覆われて
いるので、従来ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）の
端子を形成する加工時に発生していたストレスによる、
樹脂とリード端子４との界面での剥離が、生じない。こ
れによってワイヤー３の断線が生じることはない。
【００７３】（第８実施例）
図１０は本発明の第８実施例の製造工程図（その１）で
あり、図１０（ａ）はリードフレームの平面図、図１０
（ｂ）は端子折り曲げ後のリードフレームの平面図、図
１０（ｃ）はペレットを搭載し、配線した後のリードフ
レームの平面図であり、図１１は本発明の第８実施例の
製造工程図（その２）であり、図１１（ａ）は型込め行
程図、図１１（ｂ）は樹脂注入行程図、図１１（ｃ）は
端子曲げ行程図、図１１（ｄ）は枠フレーム切断行程
図、図１１（ｅ）は支持バー切削行程図、図１１（ｆ）
は完成図である。
あり、図１０（ａ）はリードフレームの平面図、図１０
（ｂ）は端子折り曲げ後のリードフレームの平面図、図
１０（ｃ）はペレットを搭載し、配線した後のリードフ
レームの平面図であり、図１１は本発明の第８実施例の
製造工程図（その２）であり、図１１（ａ）は型込め行
程図、図１１（ｂ）は樹脂注入行程図、図１１（ｃ）は
端子曲げ行程図、図１１（ｄ）は枠フレーム切断行程
図、図１１（ｅ）は支持バー切削行程図、図１１（ｆ）
は完成図である。
【００７４】図１０（ａ）に示すように、リードフレー
ム２３は、ペレットを搭載するダイパッド１０と、それ
から四隅に向かって延びるサポートバー２０と、サポー
トバー２０間にダイパッド１０の各辺と平行して延びる
支持バー２４と、支持バー２４の片側、ダイパッド１０
寄りに設けられる外側端子２５およびその先に設けられ
る配線用端子４の一体形成体とから形成されている。一
列に並ぶ全ての外側端子２５と支持バー２４は、樹脂封
止される位置２６より外側に設けられている。
ム２３は、ペレットを搭載するダイパッド１０と、それ
から四隅に向かって延びるサポートバー２０と、サポー
トバー２０間にダイパッド１０の各辺と平行して延びる
支持バー２４と、支持バー２４の片側、ダイパッド１０
寄りに設けられる外側端子２５およびその先に設けられ
る配線用端子４の一体形成体とから形成されている。一
列に並ぶ全ての外側端子２５と支持バー２４は、樹脂封
止される位置２６より外側に設けられている。
【００７５】次に、図１０（ｂ）に示すように、リード
フレーム２３の外側端子２５および支持バー２４を配線
用端子４列の外側を側面図のように裏方向へ直角に折り
曲げる。
フレーム２３の外側端子２５および支持バー２４を配線
用端子４列の外側を側面図のように裏方向へ直角に折り
曲げる。
【００７６】次に、図１０（ｃ）に示すように、接着剤
を介してダイパッド１０に半導体ペレット１を接合し、
半導体ペレット１とリード端子４をワイヤー３にて配線
する。
を介してダイパッド１０に半導体ペレット１を接合し、
半導体ペレット１とリード端子４をワイヤー３にて配線
する。
【００７７】次に、図１１（ａ）に示すように、端子を
曲げた先端位置に突起を形成する為の窪み３６のある樹
脂封止用の金型３０の下型３１に形成された端子穴３３
に外側端子２５および支持バー２４を挿入しながら、リ
ードフレーム２３を下型３１に設置し、上型３２を載せ
る。
曲げた先端位置に突起を形成する為の窪み３６のある樹
脂封止用の金型３０の下型３１に形成された端子穴３３
に外側端子２５および支持バー２４を挿入しながら、リ
ードフレーム２３を下型３１に設置し、上型３２を載せ
る。
【００７８】次に、図１１（ｂ）に示すように、金型３
０内に樹脂を注入、封止する。
０内に樹脂を注入、封止する。
【００７９】次に、図１１（ｃ）に示すように、金型３
０から取り出し、外側端子２５を樹脂の突起１９に接触
するまでローラ３４で曲げる。
０から取り出し、外側端子２５を樹脂の突起１９に接触
するまでローラ３４で曲げる。
【００８０】次に、図１１（ｄ）に示すように、樹脂外
側の枠フレーム２７を切断する。
側の枠フレーム２７を切断する。
【００８１】最後に、図１１（ｅ）、（ｆ）に示すよう
に、高速回転する砥石３７で樹脂１３の突起１９により
突き出した外側端子２５の支持バー２４を削り、外側端
子２５に半田処理する。
に、高速回転する砥石３７で樹脂１３の突起１９により
突き出した外側端子２５の支持バー２４を削り、外側端
子２５に半田処理する。
【００８２】このリードフレーム２３では、複数列リー
ド端子４が配置された支持バー２４とダイパッドサポー
トバー２０の交点を外側端子２５リード形成の曲げ加工
されない位置、即ち、樹脂封止される位置２６よりも樹
脂封止される側に設ける。これにより、曲げ加工時、前
記交点が曲げ加工によって切断され、曲げ加工ができな
くなることを阻止できる。
ド端子４が配置された支持バー２４とダイパッドサポー
トバー２０の交点を外側端子２５リード形成の曲げ加工
されない位置、即ち、樹脂封止される位置２６よりも樹
脂封止される側に設ける。これにより、曲げ加工時、前
記交点が曲げ加工によって切断され、曲げ加工ができな
くなることを阻止できる。
【００８３】ワイヤー配線のリード端子４は樹脂で表裏
が保護されているので、リード端子４の個々の分離加工
によるストレスの影響をワイヤ配線部分に与えることが
ない。
が保護されているので、リード端子４の個々の分離加工
によるストレスの影響をワイヤ配線部分に与えることが
ない。
【００８４】さらに、支持バー２４を樹脂の突起により
突き出し、研磨加工により支持バー２４を除去するので
一度に多数の半導体装置の端子分割ができる。
突き出し、研磨加工により支持バー２４を除去するので
一度に多数の半導体装置の端子分割ができる。
【００８５】以上のように、第８実施例によれば、ワイ
ヤー３が配線されているリード端子４は表裏共に樹脂モ
ールド体５に覆われているので、従来ＢＧＡの端子を形
成する加工時に発生していたストレスによる、樹脂モー
ルド体５とリード端子４との界面での剥離は生じない。
よってワイヤー３の断線が生じることはない。
ヤー３が配線されているリード端子４は表裏共に樹脂モ
ールド体５に覆われているので、従来ＢＧＡの端子を形
成する加工時に発生していたストレスによる、樹脂モー
ルド体５とリード端子４との界面での剥離は生じない。
よってワイヤー３の断線が生じることはない。
【００８６】さらに、外側端子２５の分割を研磨加工で
実施しているので一度に多数の半導体装置の端子分割が
可能になり、加工時間が短くなり生産コストの低減が可
能になる。
実施しているので一度に多数の半導体装置の端子分割が
可能になり、加工時間が短くなり生産コストの低減が可
能になる。
【００８７】（他の実施の形態）
（１）第１から第６実施例では樹脂の外側に突出するリ
ード端子４はいずれも装置の内側、即ち、装置の中心に
向かう方向に向けて曲げ加工したが、外側、即ち、装置
の中心から外側に向かう方向に向けて曲げ加工すること
も可能である。
ード端子４はいずれも装置の内側、即ち、装置の中心に
向かう方向に向けて曲げ加工したが、外側、即ち、装置
の中心から外側に向かう方向に向けて曲げ加工すること
も可能である。
【００８８】（２）第４実施例ではリード端子４の接触
部９の穴１２は円形状であったが、位置出しを目的とす
るので多角形形状や溝でも可能である。
部９の穴１２は円形状であったが、位置出しを目的とす
るので多角形形状や溝でも可能である。
【００８９】（３）第１から第６実施例では樹脂モール
ド体５の外側に突出するリード端子４に半田層８を形成
してあったが、リード端子４の接触部９にボールを接合
することも可能である。
ド体５の外側に突出するリード端子４に半田層８を形成
してあったが、リード端子４の接触部９にボールを接合
することも可能である。
【００９０】（４）第６実施例では半導体装置の四隅に
位置出し穴２２を設けた形状であるが、位置出し穴２２
は１つから３つのうちの任意の値でも可能である。
位置出し穴２２を設けた形状であるが、位置出し穴２２
は１つから３つのうちの任意の値でも可能である。
【００９１】（５）第６実施例では半導体装置の４隅の
位置出し穴２２は円形状であるが、多角形でも可能であ
る。
位置出し穴２２は円形状であるが、多角形でも可能であ
る。
【００９２】（６）第７実施例では半導体装置の端子分
割は外周刃による切削加工であるが、レーザー加工や高
圧液体ジェット加工による加工方法も適用可能である。
割は外周刃による切削加工であるが、レーザー加工や高
圧液体ジェット加工による加工方法も適用可能である。
【００９３】（７）第１から第８実施例では各辺のリー
ド端子４は２列の場合であったが、任意の複数列でも可
能である。
ド端子４は２列の場合であったが、任意の複数列でも可
能である。
【００９４】
【発明の効果】本発明は、以上述べた事項により、下記
の効果を奏する。
の効果を奏する。
【００９５】（１）封止樹脂体の内部であってダイパッ
ドと第１の水平部との間に位置し第２のボンディングワ
イヤを介して第２の電極と電気的に接続される第３の水
平部と、該第３の水平部から垂直下方に延在し一端は該
封止樹脂体から露出する第２の下方伸長部と、該第２の
下方伸長部の一端と接続し内側に向かって延在する第４
の水平部とにより構成される複数の第２のリード群とを
備えることにより、複数のリード群を配置することがで
き、また、半導体装置ペレットが設けられているダイパ
ッドとリード端子とは封止樹脂体により分離することが
できる。 （２）リード端子の周囲が樹脂封止されているので、リ
ード端子と樹脂モールド体との間の防水効果を奏する。
ドと第１の水平部との間に位置し第２のボンディングワ
イヤを介して第２の電極と電気的に接続される第３の水
平部と、該第３の水平部から垂直下方に延在し一端は該
封止樹脂体から露出する第２の下方伸長部と、該第２の
下方伸長部の一端と接続し内側に向かって延在する第４
の水平部とにより構成される複数の第２のリード群とを
備えることにより、複数のリード群を配置することがで
き、また、半導体装置ペレットが設けられているダイパ
ッドとリード端子とは封止樹脂体により分離することが
できる。 （２）リード端子の周囲が樹脂封止されているので、リ
ード端子と樹脂モールド体との間の防水効果を奏する。
【００９６】（３）半導体ペレットに接着されているダ
イパッドとリード端子とが充填された樹脂モールド体に
より分離されるので、従来のように半導体ペレットとダ
イパッドとの間に外部から水分が侵入することを阻止で
きる。
イパッドとリード端子とが充填された樹脂モールド体に
より分離されるので、従来のように半導体ペレットとダ
イパッドとの間に外部から水分が侵入することを阻止で
きる。
【００９７】（４）リード端子の接触部の形状が円形状
になっているため、一端子あたりの基板接合面積が増大
し、基板に加わる衝撃荷重による剥離が生じない。
になっているため、一端子あたりの基板接合面積が増大
し、基板に加わる衝撃荷重による剥離が生じない。
【００９８】（５）半導体装置を基板に搭載する時、リ
ード端子の形状に沿った突部形状をした樹脂モールド体
がリード高さのバラツキを吸収してリード端子の平坦性
を保ちながら接合を行うので、全ての端子を均一に接合
することができ、接合不良が低減できる。
ード端子の形状に沿った突部形状をした樹脂モールド体
がリード高さのバラツキを吸収してリード端子の平坦性
を保ちながら接合を行うので、全ての端子を均一に接合
することができ、接合不良が低減できる。
【００９９】（６）リード端子の接触部を中央に穴のあ
る形状としているため、突起のあるソケット端子がリー
ド端子の穴に挿入でき接触が容易に行われるので電気試
験における接触不良を防止できる。
る形状としているため、突起のあるソケット端子がリー
ド端子の穴に挿入でき接触が容易に行われるので電気試
験における接触不良を防止できる。
【０１００】（７）半導体ペレットの裏面側からリード
端子が設けてある為、裏面電位を制御する必要がある半
導体（例えばＳｉｌｉｃｏｎ ｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ
など）の裏面電位制御が容易にできる。
端子が設けてある為、裏面電位を制御する必要がある半
導体（例えばＳｉｌｉｃｏｎ ｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ
など）の裏面電位制御が容易にできる。
【０１０１】（８）ワイヤー配線のリード端子は樹脂モ
ールド体で表裏が保護されているので、リード端子の個
々の分離加工によるストレスの影響をワイヤ配線部分に
与えることがない。
ールド体で表裏が保護されているので、リード端子の個
々の分離加工によるストレスの影響をワイヤ配線部分に
与えることがない。
【０１０２】（９）ワイヤーが配線されているリード端
子は表裏共に樹脂モールド体に覆われているので、従来
ＢＧＡの端子を形成する加工時に発生していたストレス
による、樹脂モールド体とリード端子との界面での剥離
が生じない。
子は表裏共に樹脂モールド体に覆われているので、従来
ＢＧＡの端子を形成する加工時に発生していたストレス
による、樹脂モールド体とリード端子との界面での剥離
が生じない。
【０１０３】（１０）外側端子の分割を研磨加工で実施
しているので一度に多数の半導体装置の端子分割が可能
になり、加工時間が短くなり生産コストの低減が可能に
なる。
しているので一度に多数の半導体装置の端子分割が可能
になり、加工時間が短くなり生産コストの低減が可能に
なる。
【０１０４】（１１）従来の樹脂封止型のパッケージに
対しては、側面からリード端子が出ないため、実装面積
を小さくでき、裏面に例えば千鳥状にリード端子を出す
ことにより多ピン化に対応することができる。
対しては、側面からリード端子が出ないため、実装面積
を小さくでき、裏面に例えば千鳥状にリード端子を出す
ことにより多ピン化に対応することができる。
【図１】図１は本発明の第１実施例の構成図である。
【図２】図２は本発明の第２実施例の構成図である。
【図３】図３は本発明の第３実施例の構成図である。
【図４】図４は本発明の第４実施例の構成図である。
【図５】図５は本発明の第５実施例の構成図である。
【図６】図６は本発明の第６実施例の構成図（その１）
である。
である。
【図７】図７は本発明の第６実施例の構成図（その２）
である。
である。
【図８】図８は本発明の第７実施例の製造工程図（その
１）である。
１）である。
【図９】図９は本発明の第７実施例の製造工程図（その
２）である。
２）である。
【図１０】図１０は本発明の第８実施例の製造工程図
（その１）である。
（その１）である。
【図１１】図１１は本発明の第８実施例の製造工程図
（その２）である。
（その２）である。
１ 半導体ペレット
２ 電極
３ ワイヤー
４ リード端子
５ 樹脂モールド体
６ 基板
７ 基板端子
８ 半田層
９ 接触部
１０ ダイパッド
１１ 樹脂突起
１２ 穴
１３ 導電性接着剤
１９ 突起
２０ サポートバー
２１ 固定部
２２ 位置出し穴
２３ リードフレーム
２４ 支持バー
２５ 外側端子（リード端子）
２６ 樹脂封止された位置
２７ 枠フレーム
３０ 金型
３１ 下型
３２ 上型
３３ 端子穴
３４ ローラ
３５ 外周刃
３６ 窪み
３７ 砥石
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/12
H01L 23/28
H01L 23/48 - 23/50
Claims (7)
- 【請求項１】封止樹脂体と、前記封止樹脂体の内部に位
置するダイパッドと、前記封止樹脂体の内部であって前
記ダイパッド上に設けられ、主面に第 1 及び第 2 の電極が
形成される半導体チップと、前記封止樹脂体の内部に位
置し第 1 のボンディングワイヤを介して前記第 1 の電極と
電気的に接続される前記ダイパッドと平行な第 1 の水平
部と、該第 1 の水平部から垂直下方に延在し一端は該封
止樹脂体から露出する第１の下方伸長部と、該第１の下
方伸長部の一端と接続し内側に向かって延在する第２の
水平部とにより構成される複数の第１のリード群と、前
記封止樹脂体の内部であって前記ダイパッドと前記第１
の水平部との間に位置し第２のボンディングワイヤを介
して前記第２の電極と電気的に接続される第３の水平部
と、該第３の水平部から垂直下方に延在し一端は該封止
樹脂体から露出する第２の下方伸長部と、該第２の下方
伸長部の一端と接続し内側に向かって延在する第４の水
平部とにより構成される複数の第２のリード群とを備え
たことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記封止樹脂体は、該封止樹脂体から露出
している前記第１及び第２の下方伸長部と前記第２及び
第４の水平部とにより構成される折曲形状に沿って突部
が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置。 - 【請求項３】封止樹脂体と、前記封止樹脂体の内部に位
置するダイパッドと、前記封止樹脂体の内部に位置し、
前記ダイパッド上に設けられ、主面に電極が形成される
半導体チップと、前記封止樹脂体の内部に位置しボンデ
ィングワイヤを介して前記電極と電気的に接続される前
記ダイパッドと平行な第１の水平部と、該第１の水平部
から垂直下方に延在し一端は該封止樹脂体から露出する
下方伸長部と、該下方伸長部の一端と接続し該ダイパッ
ドと平行な第２の水平部とにより構成されるリード部と
を備え、前記第２の水平部の一部は円形であることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項４】前記第２の水平部の一部に穴が形成されて
いることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項５】封止樹脂体と、前記封止樹脂体の内部に位
置するダイパッドと、前記封止樹脂体の内部に位置し、
前記ダイパッド上に設けられ、主面に電極が形成される
半導体チップと、前記封止樹脂体の内部に位置しボンデ
ィングワイヤを介して前記電極と電気的に接続される前
記ダイパッドと平行な第１の水平部と、該第１の水平部
から垂直下方に延在し一端は該封止樹脂体から露出する
下方伸長部と、該下方伸長部の一端と接続し該ダイパッ
ドと平行な第２の水平部とにより構成される複数のリー
ド部とを備え、前記複数のリード部のいずれか一つの第
１の水平部は前記ダイパッドと接続されていることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 複数のリード端子と配線用端子を連設し
た複数列の支持バーがダイパッドサポートに連設された
リードフレームにおける外側端子を装置底面側に曲げ加
工する工程と、リードフレームのダイパッドに半導体ペ
レットを固定し、半導体ペレットと配線用端子にワイヤ
ー配線する工程と、リード端子を樹脂モールド体底面か
ら露出するように樹脂を封止する工程と、リード端子を
半田付着させ曲げ加工する工程と、切削刃でリード端子
の支持バーを切削分割する工程を、順に施すことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 複数のリード端子と配線用端子を連設し
た複数列の支持バーがダイパッドサポートに連設された
リードフレームにおける外側端子を装置底面側に曲げ加
工する工程と、リードフレームのダイパッドに半導体ペ
レットを固定し、半導体ペレットと配線用端子にワイヤ
ー配線する工程と、樹脂モールド体底面からリード端子
を露出し樹脂突起を突設するように樹脂を封止する工程
と、リード端子を半導体装置底面に形成された樹脂突起
に沿って曲げ加工する工程と、研磨刃でリード端子の支
持バーを切削分割する工程を、順に施すことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001253513A JP3497847B2 (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US10/212,171 US7239008B2 (en) | 2001-08-23 | 2002-08-06 | Semiconductor apparatus and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001253513A JP3497847B2 (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
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| JP2003358924A Division JP4103764B2 (ja) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | リードフレーム |
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|---|---|
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| JP3497847B2 true JP3497847B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=19081826
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001253513A Expired - Fee Related JP3497847B2 (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
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| JP (1) | JP3497847B2 (ja) |
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- 2001-08-23 JP JP2001253513A patent/JP3497847B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2002
- 2002-08-06 US US10/212,171 patent/US7239008B2/en active Active
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