JP4103764B2 - リードフレーム - Google Patents
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Description
この発明は、リード端子を設けたリードフレームに関するものである。
本発明に関係する下記特許文献１には、チップ３０６を接着し、ワイヤ３０８および３０９を溶接した箔からなる基板３０７を、キャビティ内に収納し、樹脂封止するときの圧力で電極となる小山３１２をデバイスの底側に突出させた後、電気的に分離するために、小山３１２を覆う金属箔を高速回転刃もしくはレーザーによる切削加工等によって機械的に分離する半導体デバイスおよびそのための製造方法が記載されている。
特開２０００−２５２３８９号公報
しかしながら、以上述べた構造や製造方法では、
（１）端子の大部分が樹脂材で形成されている為に端子部の剛性が高くなり、基板接続後の基板の熱変形による端子部分の接合性の劣化が生じる。
（１）端子の大部分が樹脂材で形成されている為に端子部の剛性が高くなり、基板接続後の基板の熱変形による端子部分の接合性の劣化が生じる。
（２）ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）の端子を形成する基板の加工が高速回転刃もしくはレーザーによる切削加工なので、加工時に端子基板の密着性が劣化し、樹脂との界面で剥離が生じてワイヤーの断線が生じる。
（３）端子を個々に分割しなければならないため、生産時間が長く、製品コストが高くなる。
（４）端子基板と樹脂の熱膨張差から樹脂硬化後の熱収縮により端子の位置や高さが変化して、基板に端子が接合できない。
（５）端子基板と樹脂の熱膨張差から樹脂硬化後の熱収縮により端子の位置や高さが一定でない状態で端子が固定されている為に、半導体装置の電気試験でソケット端子との接触ができないことがある。
（６）半導体ペレットの裏面側の電位を制御する必要のある場合の端子形成ができない。
（７）樹脂硬化後の熱収縮により樹脂の寸法にばらつきが生じるので、基板の端子間距離が短い場合に半導体装置の端子と基板の端子の間で半導体装置と基板の熱膨張差から生じる応力によって断線が生じる。
本発明は、以上の従来技術の問題点に鑑み、リード端子の形成を容易にすると共に、位置合せ精度を向上させたリードフレームを提供することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するために下記の解決手段を採用する。
〔１〕リードフレームにおいて、半導体ペレットが搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッドの一辺に平行して延在し、かつ、互いに前記ダイパッドからの距離が異なる複数の支持バーと、前記ダイパッド上に搭載される前記半導体ペレットに電気的に接続される、前記複数の支持バーから前記ダイパッド側に向かって延在した複数の配線用リード端子と、前記複数の配線用リード端子とは反対方向に前記複数の支持バーから延在した複数の外側リード端子とを有することを特徴とする。
〔２〕上記〔１〕記載のリードフレームにおいて、ダイパッドの角部から延在するダイパッド用サポートバーを有することを特徴とする。
〔３〕上記〔２〕記載のリードフレームにおいて、前記ダイパッド用サポートバーの先端には、前記リードフレーム及び前記半導体ペレットを含む半導体装置が搭載される基板に対した位置決め穴が設けられていることを特徴とする。
〔１〕リードフレームにおいて、半導体ペレットが搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッドの一辺に平行して延在し、かつ、互いに前記ダイパッドからの距離が異なる複数の支持バーと、前記ダイパッド上に搭載される前記半導体ペレットに電気的に接続される、前記複数の支持バーから前記ダイパッド側に向かって延在した複数の配線用リード端子と、前記複数の配線用リード端子とは反対方向に前記複数の支持バーから延在した複数の外側リード端子とを有することを特徴とする。
〔２〕上記〔１〕記載のリードフレームにおいて、ダイパッドの角部から延在するダイパッド用サポートバーを有することを特徴とする。
〔３〕上記〔２〕記載のリードフレームにおいて、前記ダイパッド用サポートバーの先端には、前記リードフレーム及び前記半導体ペレットを含む半導体装置が搭載される基板に対した位置決め穴が設けられていることを特徴とする。
本発明は、下記の効果を奏する。
（１）半導体装置を基板に搭載する時、リード端子部は四隅の位置出し穴より高精度で位置の制御ができるので、基板端子のピッチが狭い場合においても位置合せができる。
（２）リードフレームは、複数列リード端子が配置された支持バーとダイパッドサポートバーの交点を外側端子のリード形成の曲げ加工されない位置、即ち、樹脂封止される位置よりも樹脂封止される側に設ける。これにより、曲げ加工時、前記交点が曲げ加工によって切断され、曲げ加工ができなくなることを阻止できる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。
（第１実施例）
図１は本発明の第１参考例の構成図であり、図１（ａ）は装置全体の断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図（Ａ部詳細図）、図１（ｃ）は図１（ｂ）の底面図である。
図１は本発明の第１参考例の構成図であり、図１（ａ）は装置全体の断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図（Ａ部詳細図）、図１（ｃ）は図１（ｂ）の底面図である。
半導体ペレット１表面に形成された電極２からワイヤー３が鉄や銅などからなり可撓性を有する条状のリード端子４に配線されている。リード端子４は曲げ加工がされている。リード端子４は、ダイパッド１０と同じ面を有し、その面から略直角に下方へ折り曲げられた下方伸長部と、その下方伸長部の樹脂モールド体５の下面から突出する部分のさらに下方先端部分は前記下方伸長部に対し略直角に折り曲げられ、基板端子と接触するように形成されている。リード端子４は、図１（ｂ）に示す幅方向には曲がりにくいが、この幅方向と直角方向の厚み方向には比較的曲がりやすい。
樹脂モールド体５は半導体ペレット１とワイヤー３とワイヤー３が配線されているリード端子４の表面を覆う様に形成され、基板６の電極２への接続の為に樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半田層８で覆われている。
本発明のリード端子は、前記特開２０００−２５２３８９号公報のものと比べ、樹脂に覆われている部分は剥離が防止できると共に耐腐食性を向上でき、基板との接続を確実にでき、ワイヤボンドの品質を向上できる。
また、最近のパッケージサイズが小さくなる傾向を受けて、実装サイズも小さくすると、端子のピッチが０．４〜０．５ｍｍとなり、この条件をクリアするためにはリード端子の幅が３００μｍ以下となることが求められている。そこで、本発明のリード端子４は、図１（ｂ）に示すリード端子４の幅が３００μｍ以下に設定されていることが好ましい。また、ボールグリッドアレイにおけるボールのサイズは最小で０．２５ｍｍであり、このサイズが実装高さとして求められている。そこで、本発明のリード端子４は、樹脂封止端から基板端子７固着部までのリード端子４の長さ（実装高さ）が約２００μｍ以上で、変形可能な条状に形成されていることが好ましい。
図１に示すように、リード端子４の周囲が樹脂封止されているので、リード端子４の周囲が防水構造になる。
本発明の第１参考例は、以下の作用効果を奏する。
（１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１０とリード端子４とは充填された樹脂モールド体５により分離される。これにより、従来のように半導体ペレット１とダイパッド１０との間に外部から水分が侵入することを阻止できる。
（２）半導体装置を基板６に接合した場合に半導体装置は樹脂モールド体５と基板端子７までリード端子４で接合されているので、熱による樹脂モールド体５と基板６の変形差で生じる応力を可撓性を有する条状のリード端子４が吸収することができる。
（１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１０とリード端子４とは充填された樹脂モールド体５により分離される。これにより、従来のように半導体ペレット１とダイパッド１０との間に外部から水分が侵入することを阻止できる。
（２）半導体装置を基板６に接合した場合に半導体装置は樹脂モールド体５と基板端子７までリード端子４で接合されているので、熱による樹脂モールド体５と基板６の変形差で生じる応力を可撓性を有する条状のリード端子４が吸収することができる。
以上のように、本発明の第１参考例によれば、基板接続後の温度変化による基板６と半導体装置に働く応力はリード端子４で吸収することができる。よって外部環境による温度変化によってリード端子４が基板６から剥離することがなくなる。
（第２参考例）
図２は本発明の第２参考例の構成図であり、図２（ａ）は装置全体の断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の側面図（Ａ部詳細図）、図２（ｃ）は図２（ｂ）の底面図である。
図２は本発明の第２参考例の構成図であり、図２（ａ）は装置全体の断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の側面図（Ａ部詳細図）、図２（ｃ）は図２（ｂ）の底面図である。
半導体ペレット１表面に形成された電極２からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。このリード端子４は前記第１参考例のものと同じになっている。
また樹脂モールド体５は半導体ペレット１とワイヤー３とワイヤー３が配線されているリード端子４の表面を覆う様に形成され、基板６の電極２への接続の為に樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半田層８で覆われている。基板６の電極２に接するリード端子４は、前記第１参考例の構成の他にその接触部９が円形状になっている特徴を有する。
リード端子４は、図２（ｂ）に示すリード端子４の幅が３００μｍ以下に設定されていることが好ましい。
リード端子４は、樹脂封止端から基板端子７固着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以上に形成されていることが好ましい。
本発明の第２参考例は、以下の作用効果を奏する。
（１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５により分離される。これにより、従来のように半導体ペレットとダイパッドとの間に外部から水分が侵入することを阻止できる。
（２）リード端子４の接触部９が基板端子７の幅より広い幅の円形状に構成されているので基板端子７との接合面積が増大し、基板端子７との接合力が増す分衝撃荷重等による接合後の両端子の剥離が阻止できる。
（３）半導体装置を基板６に接合した場合に半導体装置は樹脂と基板６まで可撓性を有する条状のリード端子４で接合されているので、熱による樹脂と基板６の変形差で生じる応力をリード端子４で吸収することができる。
（１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５により分離される。これにより、従来のように半導体ペレットとダイパッドとの間に外部から水分が侵入することを阻止できる。
（２）リード端子４の接触部９が基板端子７の幅より広い幅の円形状に構成されているので基板端子７との接合面積が増大し、基板端子７との接合力が増す分衝撃荷重等による接合後の両端子の剥離が阻止できる。
（３）半導体装置を基板６に接合した場合に半導体装置は樹脂と基板６まで可撓性を有する条状のリード端子４で接合されているので、熱による樹脂と基板６の変形差で生じる応力をリード端子４で吸収することができる。
以上のように、第２の参考例によれば、第１参考例の特徴および作用・効果に加え、さらにリード端子４の接触部９の形状が円形状になっているため、一端子あたりの基板接合面積が増大し、基板６に加わる衝撃荷重による剥離が生じない。すなわち携帯電話機などの機器に搭載することができる。
（第３参考例）
図３は本発明の第３参考例の構成図であり、図３（ａ）は装置全体の断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の側面図（Ａ部詳細図）、図３（ｃ）は図３（ｂ）の底面図である。
図３は本発明の第３参考例の構成図であり、図３（ａ）は装置全体の断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の側面図（Ａ部詳細図）、図３（ｃ）は図３（ｂ）の底面図である。
半導体ペレット１表面に形成された電極２からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。このリード端子４は前記第１参考例のものと同じになっている。
樹脂モールド体５にはリード端子４の曲げ形状に沿うように樹脂突起１１が形成されている。樹脂突起１１の形状は、上記形状以外に、リード端子４が基板端子７と接合後剥離等の不都合が発生しない程度の少なくとも高さを有する形状が好ましい。樹脂突起１１の幅は、図３（ｂ）に示されている例に限らず、半導体装置を支持してもリード端子４に剥離等の異常が発生しない程度の強度のでる幅および厚みであればよい。
この樹脂モールド体５は、樹脂突起１１と同時に、半導体ペレット１とワイヤー３とワイヤー３が配線されているリード端子４の表面を覆う様に形成される。基板６の基板端子７への接続の為に樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半田層８で覆われている。
リード端子４は、図３（ｂ）に示すリード端子４の幅が３００μｍ以下に設定されていることが好ましい。
リード端子４は、樹脂封止端から基板端子７固着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以上に形成されていることが好ましい。
本発明の第３参考例は、可撓性を有する条状のリード端子４および樹脂突起１１を備えたことによって以下の作用・効果を奏する。
（１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１０とリード端子４とが、充填された樹脂モールド体５により分離される。これにより、従来のように半導体ペレット１とダイパッド１０との間に外部から水分が侵入することを阻止できる。
（２）樹脂突起１１によりリード端子４の形状を保持するようにその強度を補強することができる。
（３）半導体装置を基板６に接合した場合、半導体装置は樹脂と基板端子７までの間がリード端子４で構成されているので、熱による樹脂と基板６の変形差で生じる応力をリード端子が変形して吸収する。
（４）さらに基板６に半導体装置を取り付ける際、リード端子４の位置に形成された樹脂突起１１がリード端子４を介して基板端子７と当接するまでリード端子４は接触部が平坦性を保ちながら全体的に弾性変形するので、各リード端子４が同じように弾性変形することになり、リード端子４が全体的に均一に弾性変形しながら接続される。これにより、半導体装置の荷重でリード端子４が異常に変形し、接触部９が剥離等することを防止できる。
（１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１０とリード端子４とが、充填された樹脂モールド体５により分離される。これにより、従来のように半導体ペレット１とダイパッド１０との間に外部から水分が侵入することを阻止できる。
（２）樹脂突起１１によりリード端子４の形状を保持するようにその強度を補強することができる。
（３）半導体装置を基板６に接合した場合、半導体装置は樹脂と基板端子７までの間がリード端子４で構成されているので、熱による樹脂と基板６の変形差で生じる応力をリード端子が変形して吸収する。
（４）さらに基板６に半導体装置を取り付ける際、リード端子４の位置に形成された樹脂突起１１がリード端子４を介して基板端子７と当接するまでリード端子４は接触部が平坦性を保ちながら全体的に弾性変形するので、各リード端子４が同じように弾性変形することになり、リード端子４が全体的に均一に弾性変形しながら接続される。これにより、半導体装置の荷重でリード端子４が異常に変形し、接触部９が剥離等することを防止できる。
以上のように、第３参考例によれば、第１参考例の特徴および作用・効果に加え、さらに半導体装置を基板６に搭載する時、リード端子４の形状に沿った突部形状をした樹脂がリード高さのバラツキを吸収してリード端子４の平坦性を保ちながら接合を行うので、全ての端子を均一に接合することができ、接合不良が低減できる。
（第４参考例）
図４は本発明の第４参考例の構成図であり、図４（ａ）は装置全体の断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）の側面図（Ａ部詳細図）、図４（ｃ）は図４（ｂ）の底面図である。
図４は本発明の第４参考例の構成図であり、図４（ａ）は装置全体の断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）の側面図（Ａ部詳細図）、図４（ｃ）は図４（ｂ）の底面図である。
半導体ペレット１表面に形成された電極２からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。リード端子４は前記第１参考例のものと同じになっている。
樹脂モールド体５は半導体ペレット１とワイヤー３とワイヤー３が配線されているリード端子４の表面を覆う様に形成され、基板６の電極２への接続の為に樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半田層８で覆われている。
さらに基板６に接するリード端子４の接触部９は穴を設けたドーナツ形状円形状になっており、中央部は円形の穴１２が形成されている。
リード端子４は、図４（ｂ）に示すリード端子４の幅が３００μｍ以下に設定されていることが好ましい。
リード端子４は、樹脂封止端から基板端子７固着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以上で、変形可能な条状に形成されていることが好ましい。
本発明の第４参考例は、リード端子４の接触部の中央部に穴が形成されていることにより、以下の作用効果を奏する。
（１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５により分離される。これにより、従来のように半導体ペレット１とダイパッド１０との間に外部から水分が侵入することを阻止できる。
（２）リード端子４の接触部９がリード端子４の接触部９以外の幅より広い幅のドーナツ状に構成されているので基板端子７との接合面積が増大し、基板端子７との接合力が増す分、衝撃荷重等による接合後の両端子の剥離が阻止できる。
（３）半導体装置を基板端子７に接合した場合に半導体装置は樹脂モールド体５から基板端子７までリード端子４で接合されているので、熱による樹脂モールド体５と基板６の熱などの影響による変形差で生じる応力をリード端子４が変形して吸収する。
（４）さらにリード端子４の接触部９がドーナツ形状になっているので基板端子７との接合面積を増大し、基板６との接合力を増すことができる。
（５）また電気試験の際、ソケット端子にリード端子４の穴１２に挿入できる突起を設ける事で、ソケット端子とリード端子４が確実に接触できる。
（１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５により分離される。これにより、従来のように半導体ペレット１とダイパッド１０との間に外部から水分が侵入することを阻止できる。
（２）リード端子４の接触部９がリード端子４の接触部９以外の幅より広い幅のドーナツ状に構成されているので基板端子７との接合面積が増大し、基板端子７との接合力が増す分、衝撃荷重等による接合後の両端子の剥離が阻止できる。
（３）半導体装置を基板端子７に接合した場合に半導体装置は樹脂モールド体５から基板端子７までリード端子４で接合されているので、熱による樹脂モールド体５と基板６の熱などの影響による変形差で生じる応力をリード端子４が変形して吸収する。
（４）さらにリード端子４の接触部９がドーナツ形状になっているので基板端子７との接合面積を増大し、基板６との接合力を増すことができる。
（５）また電気試験の際、ソケット端子にリード端子４の穴１２に挿入できる突起を設ける事で、ソケット端子とリード端子４が確実に接触できる。
以上のように、第４の参考例によれば、第２参考例の特徴および効果に加え、さらにリード端子４の接触部９をドーナツ形状としているため、突起のあるソケット端子がリード端子４の穴１２に挿入でき接触が容易に行われるので、電気試験における接触不良を防止できる。
（第５参考例）
図５は本発明の第５参考例の構成図であり、図５（ａ）は装置全体の断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）の側面図（Ａ部詳細図）、図５（ｃ）は図５（ｂ）の底面図である。
図５は本発明の第５参考例の構成図であり、図５（ａ）は装置全体の断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）の側面図（Ａ部詳細図）、図５（ｃ）は図５（ｂ）の底面図である。
半導体ペレット１表面に形成された電極２からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。リード端子４は前記第１参考例のものと同じになっている。半導体ペレット１が導電性接着剤１３によって接続されているダイパッド１０よりリード端子４が形成されている。樹脂モールド体５は半導体ペレット１とワイヤー３とワイヤー３が配線されているリード端子４の表面を覆う様に形成され、基板６の電極端子７への接続のために樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半田層８で覆われている。
リード端子４は、図５（ｂ）に示すリード端子４の幅が３００μｍ以下に設定されていることが好ましい。また、リード端子４は、樹脂封止端から基板端子７固着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以上に形成されていることが好ましい。 本発明の第５参考例は可撓性を有する条状のリード端子４を設けたことおよび半導体ペレット裏面側から導電性接着剤１３を介してリード端子４を設けたことによって以下の作用効果を有する。
（１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５により分離されることである。これにより、従来のように半導体ペレットとダイパッドとの間に外部から水分が侵入することを阻止できる。
（２）半導体ペレット１裏面側から導電性接着剤１３を介してリード端子４を設けたことである。これにより、半導体ペレット１裏面電位を制御する必要がある半導体（例えばＳｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒなど）の裏面電位制御が容易にできる。
（３）半導体装置を基板端子７に接合した場合に、半導体装置は樹脂モールド体５から基板端子７までリード端子４で接合されているので、熱による樹脂モールド体５と基板６の熱などの影響による変形差で生じる応力をリード端子４が変形して吸収することができる。
（４）さらに半導体装置中央部より半導体ペレット裏面電位制御用の端子が設けてあるので半導体ペレットの裏面電位制御が可能となる。
（１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５により分離されることである。これにより、従来のように半導体ペレットとダイパッドとの間に外部から水分が侵入することを阻止できる。
（２）半導体ペレット１裏面側から導電性接着剤１３を介してリード端子４を設けたことである。これにより、半導体ペレット１裏面電位を制御する必要がある半導体（例えばＳｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒなど）の裏面電位制御が容易にできる。
（３）半導体装置を基板端子７に接合した場合に、半導体装置は樹脂モールド体５から基板端子７までリード端子４で接合されているので、熱による樹脂モールド体５と基板６の熱などの影響による変形差で生じる応力をリード端子４が変形して吸収することができる。
（４）さらに半導体装置中央部より半導体ペレット裏面電位制御用の端子が設けてあるので半導体ペレットの裏面電位制御が可能となる。
以上のように、本発明の第５参考例によれば、第１参考例の特徴および効果に加え、さらに半導体ペレット１裏面側から導電性接着剤１３を介してリード端子４が設けてある為、裏面電位を制御する必要がある半導体（例えばＳｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒなど）の裏面電位制御が容易にできる。
（第６参考例）
図６は本発明の第６参考例の構成図（その１）であり、図６（ａ）は装置全体の断面図、図６（ｂ）は図６（ａ）の側面図（Ａ部詳細図）、図６（ｃ）は図６（ｂ）の底面図であり、図７は本発明の第６参考例の構成図（その２）であり、図７（ａ）は装置全体の断面図、図７（ｂ）は図７（ａ）の底面図である。
図６は本発明の第６参考例の構成図（その１）であり、図６（ａ）は装置全体の断面図、図６（ｂ）は図６（ａ）の側面図（Ａ部詳細図）、図６（ｃ）は図６（ｂ）の底面図であり、図７は本発明の第６参考例の構成図（その２）であり、図７（ａ）は装置全体の断面図、図７（ｂ）は図７（ａ）の底面図である。
半導体ペレット１表面に形成された電極２からワイヤー３が鉄や銅などからなるリード端子４に配線されており、リード端子４は曲げ加工がされている。リード端子４は前記第１参考例のものと同じである。
樹脂モールド体５は半導体ペレット１とワイヤー３とワイヤー３が配線されているリード端子４の表面を覆うように形成され、基板６の電極２への接続の為に樹脂モールド体５外部のリード端子４の表面は半田層８で覆われている。
図７（ａ）に示すように半導体装置の４隅にはリードフレームのサポートバー２０延長部分で形成された固定部２１があり、各固定部２１には位置出し用の穴２２が形成されている。
リード端子４は、図６（ｂ）に示すリード端子４の幅が３００μｍ以下に設定されていることが好ましい。リード端子４は、樹脂封止端から基板端子７固着部までのリード端子４の長さが約２００μｍ以上に形成されていることが好ましい。
本発明の第６参考例は、リード端子４および半導体装置の４隅の固定部２１に位置出し用の穴２２を設けたことによって以下の特徴を有する。
（１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５により分離されることである。これにより、従来のように半導体ペレッ
トとダイパッド１０との間に外部から水分が侵入することを阻止できる。
（２）半導体装置の４隅の固定部２１に位置出し穴２２を設けたことにより、リード端子４と基板端子７の位置合せが高精度で行える。
（３）半導体装置を基板６に接合した場合に、半導体装置は樹脂と基板６までリード端子４で接合されているので、熱による樹脂と基板６の変形差で生じる応力をリード端子４で吸収することができる。
（４）さらに、４隅の位置出し穴２２を基準にすることにより、リード端子４と基板端子７の位置合せが高精度で行える。
（１）半導体ペレット１に接着されているダイパッド１０とリード端子４とが充填された樹脂モールド体５により分離されることである。これにより、従来のように半導体ペレッ
トとダイパッド１０との間に外部から水分が侵入することを阻止できる。
（２）半導体装置の４隅の固定部２１に位置出し穴２２を設けたことにより、リード端子４と基板端子７の位置合せが高精度で行える。
（３）半導体装置を基板６に接合した場合に、半導体装置は樹脂と基板６までリード端子４で接合されているので、熱による樹脂と基板６の変形差で生じる応力をリード端子４で吸収することができる。
（４）さらに、４隅の位置出し穴２２を基準にすることにより、リード端子４と基板端子７の位置合せが高精度で行える。
以上のように、本発明の第６参考例によれば、第１参考例の特徴および効果に加え、さらに半導体装置を基板６に搭載する時、リード端子部は四隅の位置出し穴２２より高輝度で位置の制御ができるので基板端子７のピッチが狭い場合においても位置合せができる。
（実施例）
図８は本発明の実施例の製造工程図（その１）であり、図８（ａ）はリードフレームの平面図、図８（ｂ）は端子折り曲げ後のリードフレームの平面図、図８（ｃ）はペレットを搭載し、配線した後のリードフレームの平面図であり、図９は本発明の実施例の製造工程図（その２）であり、図９（ａ）は型込め行程図、図９（ｂ）は樹脂注入行程図、図９（ｃ）は端子曲げ行程図、図９（ｄ）は枠フレーム切断行程図、図９（ｅ）は支持バー切断行程図、図９（ｆ）は完成図である。
図８は本発明の実施例の製造工程図（その１）であり、図８（ａ）はリードフレームの平面図、図８（ｂ）は端子折り曲げ後のリードフレームの平面図、図８（ｃ）はペレットを搭載し、配線した後のリードフレームの平面図であり、図９は本発明の実施例の製造工程図（その２）であり、図９（ａ）は型込め行程図、図９（ｂ）は樹脂注入行程図、図９（ｃ）は端子曲げ行程図、図９（ｄ）は枠フレーム切断行程図、図９（ｅ）は支持バー切断行程図、図９（ｆ）は完成図である。
リードフレーム２３は、ペレットを搭載するダイパッド１０と、それから４隅に向かって延びるサポートバー２０と、サポートバー２０間にダイパッド１０の各辺と平行して延びる複数の支持バー２４と、この複数の支持バー２４の両側に設けられる複数の配線用リード端子４と複数の外側リード端子２５とから形成されている。一列に並ぶ全ての外側リード端子２５を連結する複数の支持バー２４は、樹脂封止される位置２６より外側に設けられている。つまり、複数の配線用リード端子４は、複数の外側リード端子２５と複数の配線用リード端子４からなる。
次に、リードフレーム２３の外側リード端子２５をワイヤー配線用リード端子４列の外側、即ち、図８（ｂ）に示すように複数の支持バー２４を含んで配線用リード端子４から裏方向へ直角に折り曲げる。
次に、図８（ｃ）に示すように、接着剤を介してダイパッド１０に半導体ペレット１を接合し、半導体ペレット１と配線用リード端子４をワイヤー３にて配線する。
次に、図９（ａ）に示すように、樹脂封止用の金型３０の下型３１に形成された端子穴３３に外側リード端子２５を挿入しながら、リードフレーム２３を下型３１に設置し、上型３２を載せる。
次に、図９（ｂ）に示すように、金型３１内に樹脂を注入、封止する。
次に、図９（ｃ）に示すように、金型３０から取り出し、樹脂外部に露出した外側リード端子２５表面に半田を付着させ、外側リード端子２５をローラ３４で曲げる。
次に、図９（ｄ）に示すように、樹脂外側の枠フレーム２７を切断する。
最後に、図９（ｅ）に示すように、高速回転する外周刃３５で外側リード端子２５、の支持バー２４を切断し、図９（ｆ）に示すような半導体装置を完成する。
このリードフレーム２３では、複数列配線用リード端子４が配置された支持バー２４とダイパッドサポートバー２０の交点を外側リード端子２５のリード形成の曲げ加工されない位置、即ち、樹脂封止される位置２６よりも樹脂封止される側に設ける。これにより、曲げ加工時、前記交点が曲げ加工によって切断され、曲げ加工ができなくなることを阻止できる。
ワイヤー配線の配線用リード端子４は樹脂で表裏が保護されているので、配線用リード端子４の個々の分離加工によるストレスの影響をワイヤ配線部分に与えることがない。
以上のように、本発明の実施例によれば、ワイヤー３が配線されている配線用リード端子４は表裏共に樹脂に覆われているので、従来ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）の端子を形成する加工時に発生していたストレスによる、樹脂と配線用リード端子４との界面での剥離が、生じない。これによってワイヤー３の断線が生じることはない。
（第７参考例）
図１０は本発明の第７参考例の製造工程図（その１）であり、図１０（ａ）はリードフレームの平面図、図１０（ｂ）は端子折り曲げ後のリードフレームの平面図、図１０（ｃ）はペレットを搭載し、配線した後のリードフレームの平面図であり、図１１は本発明の第７参考例の製造工程図（その２）であり、図１１（ａ）は型込め行程図、図１１（ｂ）は樹脂注入行程図、図１１（ｃ）は端子曲げ行程図、図１１（ｄ）は枠フレーム切断行程図、図１１（ｅ）は支持バー切削行程図、図１１（ｆ）は完成図である。
図１０は本発明の第７参考例の製造工程図（その１）であり、図１０（ａ）はリードフレームの平面図、図１０（ｂ）は端子折り曲げ後のリードフレームの平面図、図１０（ｃ）はペレットを搭載し、配線した後のリードフレームの平面図であり、図１１は本発明の第７参考例の製造工程図（その２）であり、図１１（ａ）は型込め行程図、図１１（ｂ）は樹脂注入行程図、図１１（ｃ）は端子曲げ行程図、図１１（ｄ）は枠フレーム切断行程図、図１１（ｅ）は支持バー切削行程図、図１１（ｆ）は完成図である。
図１０（ａ）に示すように、リードフレーム２３は、ペレットを搭載するダイパッド１０と、それから四隅に向かって延びるサポートバー２０と、サポートバー２０間にダイパッド１０の各辺と平行して延びる支持バー２４と、支持バー２４の片側、ダイパッド１０寄りに設けられる外側端子２５およびその先に設けられる配線用端子４の一体形成体とから形成されている。一列に並ぶ全ての外側端子２５と支持バー２４は、樹脂封止される位置２６より外側に設けられている。
次に、図１０（ｂ）に示すように、リードフレーム２３の外側端子２５および支持バー２４を配線用端子４列の外側を側面図のように裏方向へ直角に折り曲げる。
次に、図１０（ｃ）に示すように、接着剤を介してダイパッド１０に半導体ペレット１を接合し、半導体ペレット１とリード端子４をワイヤー３にて配線する。
次に、図１１（ａ）に示すように、端子を曲げた先端位置に突起を形成する為の窪み３６のある樹脂封止用の金型３０の下型３１に形成された端子穴３３に外側端子２５および支持バー２４を挿入しながら、リードフレーム２３を下型３１に設置し、上型３２を載せる。
次に、図１１（ｂ）に示すように、金型３０内に樹脂を注入、封止する。
次に、図１１（ｃ）に示すように、金型３０から取り出し、外側端子２５を樹脂の突起１９に接触するまでローラ３４で曲げる。
次に、図１１（ｄ）に示すように、樹脂外側の枠フレーム２７を切断する。
最後に、図１１（ｅ）、（ｆ）に示すように、高速回転する砥石３７で樹脂１３の突起１９により突き出した外側端子２５の支持バー２４を削り、外側端子２５に半田処理する。
このリードフレーム２３では、複数列リード端子４が配置された支持バー２４とダイパッドサポートバー２０の交点を外側端子２５リード形成の曲げ加工されない位置、即ち、樹脂封止される位置２６よりも樹脂封止される側に設ける。これにより、曲げ加工時、前記交点が曲げ加工によって切断され、曲げ加工ができなくなることを阻止できる。
ワイヤー配線のリード端子４は樹脂で表裏が保護されているので、リード端子４の個々の分離加工によるストレスの影響をワイヤ配線部分に与えることがない。
さらに、支持バー２４を樹脂の突起により突き出し、研磨加工により支持バー２４を除去するので一度に多数の半導体装置の端子分割ができる。
以上のように、第７参考例によれば、ワイヤー３が配線されているリード端子４は表裏共に樹脂モールド体５に覆われているので、従来ＢＧＡの端子を形成する加工時に発生していたストレスによる、樹脂モールド体５とリード端子４との界面での剥離は生じない。よってワイヤー３の断線が生じることはない。
さらに、外側端子２５の分割を研磨加工で実施しているので一度に多数の半導体装置の端子分割が可能になり、加工時間が短くなり生産コストの低減が可能になる。
（他の参考例又は実施例の形態）
（１）第１から第６参考例では樹脂の外側に突出するリード端子４はいずれも装置の内側、即ち、装置の中心に向かう方向に向けて曲げ加工したが、外側、即ち、装置の中心から外側に向かう方向に向けて曲げ加工することも可能である。
（１）第１から第６参考例では樹脂の外側に突出するリード端子４はいずれも装置の内側、即ち、装置の中心に向かう方向に向けて曲げ加工したが、外側、即ち、装置の中心から外側に向かう方向に向けて曲げ加工することも可能である。
（２）第４参考例ではリード端子４の接触部９の穴１２は円形状であったが、位置出しを目的とするので多角形形状や溝でも可能である。
（３）第１から第６参考例では樹脂モールド体５の外側に突出するリード端子４に半田層８を形成してあったが、リード端子４の接触部９にボールを接合することも可能である。
（４）第６参考例では半導体装置の四隅に位置出し穴２２を設けた形状であるが、位置出し穴２２は１つから３つのうちの任意の値でも可能である。
（５）第６参考例では半導体装置の４隅の位置出し穴２２は円形状であるが、多角形でも可能である。
（６）実施例では半導体装置の端子分割は外周刃による切削加工であるが、レーザー加工や高圧液体ジェット加工による加工方法も適用可能である。
（７）第１から第７参考例又は実施例では各辺のリード端子４は２列の場合であったが、任意の複数列でも可能である。
１ 半導体ペレット
２ 電極
３ ワイヤー
４ 複数の配線用リード端子
５ 樹脂モールド体
６ 基板
７ 基板端子
８ 半田層
９ 接触部
１０ ダイパッド
１１ 樹脂突起
１２ 穴
１３ 導電性接着剤
１９ 突起
２０ サポートバー
２１ 固定部
２２ 位置出し穴
２３ リードフレーム
２４ 複数の支持バー
２５ 複数の外側リード端子
２６ 樹脂封止された位置
２７ 枠フレーム
３０ 金型
３１ 下型
３２ 上型
３３ 端子穴
３４ ローラ
３５ 外周刃
３６ 窪み
３７ 砥石
２ 電極
３ ワイヤー
４ 複数の配線用リード端子
５ 樹脂モールド体
６ 基板
７ 基板端子
８ 半田層
９ 接触部
１０ ダイパッド
１１ 樹脂突起
１２ 穴
１３ 導電性接着剤
１９ 突起
２０ サポートバー
２１ 固定部
２２ 位置出し穴
２３ リードフレーム
２４ 複数の支持バー
２５ 複数の外側リード端子
２６ 樹脂封止された位置
２７ 枠フレーム
３０ 金型
３１ 下型
３２ 上型
３３ 端子穴
３４ ローラ
３５ 外周刃
３６ 窪み
３７ 砥石
Claims (3)
- 半導体ペレットが搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッドの一辺に平行して延在し、かつ、互いに前記ダイパッドからの距離が異なる複数の支持バーと、
前記ダイパッド上に搭載される前記半導体ペレットに電気的に接続される、前記複数の支持バーから前記ダイパッド側に向かって延在した複数の配線用リード端子と、
前記複数の配線用リード端子とは反対方向に前記複数の支持バーから延在した複数の外側リード端子とを有することを特徴とするリードフレーム。 - 請求項１記載のリードフレームにおいて、
ダイパッドの角部から延在するダイパッド用サポートバーを有することを特徴とするリードフレーム。 - 請求項２記載のリードフレームにおいて、
前記ダイパッド用サポートバーの先端には、前記リードフレーム及び前記半導体ペレットを含む半導体装置が搭載される基板に対した位置決め穴が設けられていることを特徴とするリードフレーム。
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