JPH1012788A - 半導体装置およびその製造方法およびその半導体装置に用いるリードフレーム - Google Patents
半導体装置およびその製造方法およびその半導体装置に用いるリードフレームInfo
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- JPH1012788A JPH1012788A JP16568896A JP16568896A JPH1012788A JP H1012788 A JPH1012788 A JP H1012788A JP 16568896 A JP16568896 A JP 16568896A JP 16568896 A JP16568896 A JP 16568896A JP H1012788 A JPH1012788 A JP H1012788A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱効果が良好で、かつ経済性、信頼性にも
優れた半導体装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 タブのほぼ中央部に角孔が設けられたリ
ードフレームと、リードフレーム底面から前記角孔に嵌
合された放熱板と、前記放熱板上面に搭載された半導体
チップと、前記半導体チップに形成されたボンディング
パッドと前記ボンディングパッド近傍に延びる前記リー
ドフレームのインナーリードとを接続するボンディング
ワイヤとを備え、前記リードフレーム、前記放熱板、前
記半導体チップおよび前記ボンディングワイヤとを樹脂
封止する。
優れた半導体装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 タブのほぼ中央部に角孔が設けられたリ
ードフレームと、リードフレーム底面から前記角孔に嵌
合された放熱板と、前記放熱板上面に搭載された半導体
チップと、前記半導体チップに形成されたボンディング
パッドと前記ボンディングパッド近傍に延びる前記リー
ドフレームのインナーリードとを接続するボンディング
ワイヤとを備え、前記リードフレーム、前記放熱板、前
記半導体チップおよび前記ボンディングワイヤとを樹脂
封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放熱板を備えた半
導体装置およびその製造方法およびその半導体装置に用
いるリードフレームに関する。
導体装置およびその製造方法およびその半導体装置に用
いるリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の中に搭載される半導体チッ
プの中にはパワー用ＩＣを初め、高集積化に伴い数ワッ
ト程度の熱を発生するものがある。こうした半導体チッ
プに発生する熱を放熱する手段として、放熱板を備えた
半導体装置が知られている。
プの中にはパワー用ＩＣを初め、高集積化に伴い数ワッ
ト程度の熱を発生するものがある。こうした半導体チッ
プに発生する熱を放熱する手段として、放熱板を備えた
半導体装置が知られている。
【０００３】従来、放熱板を備えた半導体装置は、例え
ば図６、図７に示すような構造のものが用いられてい
る。
ば図６、図７に示すような構造のものが用いられてい
る。
【０００４】図６は、リードフレーム２のタブ３の底面
に銀ペースト１０などの導電性接着剤により放熱板６を
接着し、タブ３の上面に半導体チップ７を搭載し、樹脂
封止してなるものである。
に銀ペースト１０などの導電性接着剤により放熱板６を
接着し、タブ３の上面に半導体チップ７を搭載し、樹脂
封止してなるものである。
【０００５】図７は、リードフレーム２のタブ３を省略
し、インナーリード４の底面にポリイミドフィルム１１
などの絶縁フィルムにより放熱板６を接着し、リードフ
レーム２の上面に現れた放熱板６の上面に直接、半導体
チップ７を搭載し、樹脂封止してなるものである。
し、インナーリード４の底面にポリイミドフィルム１１
などの絶縁フィルムにより放熱板６を接着し、リードフ
レーム２の上面に現れた放熱板６の上面に直接、半導体
チップ７を搭載し、樹脂封止してなるものである。
【０００６】また、このほかにもリードフレームと放熱
板をかしめて取り付けるといった構造のものが知られて
いる。
板をかしめて取り付けるといった構造のものが知られて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図６に示すような構造
の半導体装置は、半導体チップに発生する熱を、タブを
介してタブの底面に接着された放熱板を通じて放熱して
いるため放熱性が悪く十分な放熱効果が得られない。
の半導体装置は、半導体チップに発生する熱を、タブを
介してタブの底面に接着された放熱板を通じて放熱して
いるため放熱性が悪く十分な放熱効果が得られない。
【０００８】図７に示すような構造の半導体装置は、放
熱板に直接、半導体チップを搭載しているため、放熱性
には問題ないが、放熱板とインナーリードとを接着する
ポリイミドフィルム等の絶縁フィルム自体が高価である
ため、半導体装置のコストが高くなってしまう。また、
ポリイミドフィルムを用いてインナーリードの底面に放
熱板を接着するには、ポリイミドフィルム両面に形成さ
れた熱可塑性接着剤層を熱圧着することにより溶融して
接着しているが、この熱圧着時にポリイミドフィルム内
部に吸収された水分が気泡となって発生し、インナーリ
ードが変形したり、半導体チップに悪影響を及ぼすなど
パッケージの信頼性が低下することがある。
熱板に直接、半導体チップを搭載しているため、放熱性
には問題ないが、放熱板とインナーリードとを接着する
ポリイミドフィルム等の絶縁フィルム自体が高価である
ため、半導体装置のコストが高くなってしまう。また、
ポリイミドフィルムを用いてインナーリードの底面に放
熱板を接着するには、ポリイミドフィルム両面に形成さ
れた熱可塑性接着剤層を熱圧着することにより溶融して
接着しているが、この熱圧着時にポリイミドフィルム内
部に吸収された水分が気泡となって発生し、インナーリ
ードが変形したり、半導体チップに悪影響を及ぼすなど
パッケージの信頼性が低下することがある。
【０００９】また、上記２つの場合は共に放熱板の接着
には、リフロー炉や加熱ヒータなどの設備が必要とな
り、製造工程が複雑化してコストが高くなるだけでな
く、例えば２００〜４００℃というような高温で加熱す
るため、リードフレームと放熱板との熱膨張係数の違い
から両者の間の熱膨張差が大きくなり、リードフレーム
全体の形状に反りや変形などが生じることがある。
には、リフロー炉や加熱ヒータなどの設備が必要とな
り、製造工程が複雑化してコストが高くなるだけでな
く、例えば２００〜４００℃というような高温で加熱す
るため、リードフレームと放熱板との熱膨張係数の違い
から両者の間の熱膨張差が大きくなり、リードフレーム
全体の形状に反りや変形などが生じることがある。
【００１０】また、リードフレームに放熱板をかしめて
取り付けるといった構造のものは、リードフレームと放
熱板とのかしめ用リードが必要になるため、リードフレ
ームの設計上大きな制約を受けることになり例えばＱＦ
Ｐタイプなどのリードフレームには用いることができな
い。
取り付けるといった構造のものは、リードフレームと放
熱板とのかしめ用リードが必要になるため、リードフレ
ームの設計上大きな制約を受けることになり例えばＱＦ
Ｐタイプなどのリードフレームには用いることができな
い。
【００１１】本発明は上記問題点を解決するためのもの
であり、その目的は、放熱効果が良好で、信頼性、経済
性にも優れた半導体装置およびその製造方法およびその
半導体装置に用いるリードフレームを提供することにあ
る。
であり、その目的は、放熱効果が良好で、信頼性、経済
性にも優れた半導体装置およびその製造方法およびその
半導体装置に用いるリードフレームを提供することにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
タブのほぼ中央部に孔部が設けられたリードフレーム
と、孔部に嵌合された放熱板と、前記放熱板の上面に搭
載された前記半導体チップと、半導体チップに形成され
たボンディングパッドと前記ボンディングパッドの近傍
に延在するリードフレームのインナーリードとを接続す
るボンディングワイヤとを備え、前記リードフレーム、
前記放熱板、前記半導体チップおよび前記ボンディング
ワイヤとを一体樹脂封止してなるものである。
タブのほぼ中央部に孔部が設けられたリードフレーム
と、孔部に嵌合された放熱板と、前記放熱板の上面に搭
載された前記半導体チップと、半導体チップに形成され
たボンディングパッドと前記ボンディングパッドの近傍
に延在するリードフレームのインナーリードとを接続す
るボンディングワイヤとを備え、前記リードフレーム、
前記放熱板、前記半導体チップおよび前記ボンディング
ワイヤとを一体樹脂封止してなるものである。
【００１３】この本発明によれば、放熱効果が良好で、
信頼性、経済性にも優れた半導体装置を提供することが
できる。
信頼性、経済性にも優れた半導体装置を提供することが
できる。
【００１４】また本発明は、プレス手段またはエッチン
グ手段により前記リードフレームのタブのほぼ中央部に
タブの外周枠を残して孔部を設け、この孔部に前記放熱
板を挿入し、前記放熱板の上面及び下面からパンチで叩
いて前記孔部に前記放熱板を圧着する半導体装置の製造
方法である。この発明によれば、経済的な半導体装置の
製造方法を提供することができる。
グ手段により前記リードフレームのタブのほぼ中央部に
タブの外周枠を残して孔部を設け、この孔部に前記放熱
板を挿入し、前記放熱板の上面及び下面からパンチで叩
いて前記孔部に前記放熱板を圧着する半導体装置の製造
方法である。この発明によれば、経済的な半導体装置の
製造方法を提供することができる。
【００１５】また本発明は、リードフレームのタブのほ
ぼ中央部にタブの外周枠を残して孔部を設け、外周枠は
吊りリードによってリードフレーム本体に接続されてい
るリードフレームである。
ぼ中央部にタブの外周枠を残して孔部を設け、外周枠は
吊りリードによってリードフレーム本体に接続されてい
るリードフレームである。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、タブのほぼ中央部に孔部が形成されたリードフレー
ムと、前記孔部に嵌合された放熱板と、放熱板の上面に
搭載された半導体チップと、半導体チップに形成された
ボンディングパッドと前記ボンディングパッドの近傍に
延在する前記リードフレームのインナーリードとを接続
するボンディングワイヤとを備え、前記リードフレー
ム、放熱板、半導体チップおよびボンディングワイヤと
を一体樹脂封止してなるものである。これによれば、放
熱板の上面に直接、半導体チップを搭載できるため、タ
ブを介して放熱する構造のものに比べて優れた放熱効果
を得ることができる。
は、タブのほぼ中央部に孔部が形成されたリードフレー
ムと、前記孔部に嵌合された放熱板と、放熱板の上面に
搭載された半導体チップと、半導体チップに形成された
ボンディングパッドと前記ボンディングパッドの近傍に
延在する前記リードフレームのインナーリードとを接続
するボンディングワイヤとを備え、前記リードフレー
ム、放熱板、半導体チップおよびボンディングワイヤと
を一体樹脂封止してなるものである。これによれば、放
熱板の上面に直接、半導体チップを搭載できるため、タ
ブを介して放熱する構造のものに比べて優れた放熱効果
を得ることができる。
【００１７】また、タブと放熱板の接合にたとえばポリ
イミドフィルムなどの絶縁フィルムを必要としないた
め、パッケージのコストを低減することができる。
イミドフィルムなどの絶縁フィルムを必要としないた
め、パッケージのコストを低減することができる。
【００１８】また、ポリイミドフィルムから気泡が発生
するといった不都合も起こらない。また、リードフレー
ムに放熱板を機械的に接合した構造であるため、加熱ヒ
ータなどで高温加熱する必要もなく、リードフレームと
放熱板の熱膨張差によって生じるリードフレームの反り
や変形といった不都合を解消することができる。
するといった不都合も起こらない。また、リードフレー
ムに放熱板を機械的に接合した構造であるため、加熱ヒ
ータなどで高温加熱する必要もなく、リードフレームと
放熱板の熱膨張差によって生じるリードフレームの反り
や変形といった不都合を解消することができる。
【００１９】さらに、リードフレームに設けた孔部に放
熱板を嵌合するといった構造であるため、半導体装置の
簡略化が図れる。
熱板を嵌合するといった構造であるため、半導体装置の
簡略化が図れる。
【００２０】本発明の請求項２に記載の発明は、放熱板
が、上段、中段、および下段を有する階段状からなり、
前記上段はリードフレームに設けられた孔部に嵌合さ
れ、前記中段はリードフレームの外周枠を当接させるた
めに用意される。放熱板の上段をリードフレームの孔部
に嵌合すると、放熱板の上段の上面がリードフレームの
上面に現れ、放熱板の中段がリードフレームの外周枠に
あてがわれて、放熱板の嵌合位置の高さを規制できる。
また、この中段の高さｈ２に相当する分だけ、インナー
リードと下段との間に空間をもたせることができるた
め、インナーリードと放熱板が接触することがない。
が、上段、中段、および下段を有する階段状からなり、
前記上段はリードフレームに設けられた孔部に嵌合さ
れ、前記中段はリードフレームの外周枠を当接させるた
めに用意される。放熱板の上段をリードフレームの孔部
に嵌合すると、放熱板の上段の上面がリードフレームの
上面に現れ、放熱板の中段がリードフレームの外周枠に
あてがわれて、放熱板の嵌合位置の高さを規制できる。
また、この中段の高さｈ２に相当する分だけ、インナー
リードと下段との間に空間をもたせることができるた
め、インナーリードと放熱板が接触することがない。
【００２１】本発明の請求項３に記載の発明は、放熱板
の底面は樹脂封止されずに半導体装置の外面に露出し、
かつ半導体装置の底面よりも内側に入り込んで形成され
ているものである。これによれば、放熱板の底面が外面
に露出しているため、さらに放熱効果を高めることがで
きる。しかも、放熱板の底面は半導体装置の底面よりも
内側に入り込んで形成されているため、半導体装置を回
路基板に実装しても放熱板が直接、回路基板に接触する
ことがない。
の底面は樹脂封止されずに半導体装置の外面に露出し、
かつ半導体装置の底面よりも内側に入り込んで形成され
ているものである。これによれば、放熱板の底面が外面
に露出しているため、さらに放熱効果を高めることがで
きる。しかも、放熱板の底面は半導体装置の底面よりも
内側に入り込んで形成されているため、半導体装置を回
路基板に実装しても放熱板が直接、回路基板に接触する
ことがない。
【００２２】本発明の請求項４に記載の発明は、プレス
手段またはエッチング手段によってリードフレームのタ
ブのほぼ中央部に外周枠を残して孔部を設け、この孔部
に前記放熱板を挿入し、放熱板の上面及び下面からパン
チで叩いて孔部に放熱板を圧着するものである。これに
よれば、金型内でパンチで叩くことにより、放熱板をリ
ードフレームに機械的に接合できるため、リフロー炉や
加熱ヒータといった設備が必要なく、製造工程も簡略化
でき、半導体装置のコストを低減することができる。
手段またはエッチング手段によってリードフレームのタ
ブのほぼ中央部に外周枠を残して孔部を設け、この孔部
に前記放熱板を挿入し、放熱板の上面及び下面からパン
チで叩いて孔部に放熱板を圧着するものである。これに
よれば、金型内でパンチで叩くことにより、放熱板をリ
ードフレームに機械的に接合できるため、リフロー炉や
加熱ヒータといった設備が必要なく、製造工程も簡略化
でき、半導体装置のコストを低減することができる。
【００２３】本発明の請求項５に記載の発明は、リード
フレームのタブのほぼ中央部にタブの外周枠を残して孔
部を設け、吊りリードによってリードフレーム本体に接
続されたリードフレームである。これによって、外周枠
の内側に放熱板の上段部分の嵌合を容易にする。
フレームのタブのほぼ中央部にタブの外周枠を残して孔
部を設け、吊りリードによってリードフレーム本体に接
続されたリードフレームである。これによって、外周枠
の内側に放熱板の上段部分の嵌合を容易にする。
【００２４】（実施の形態１）図１は本発明の一実施の
形態を示すパワーＩＣ用の半導体装置の断面図である。
形態を示すパワーＩＣ用の半導体装置の断面図である。
【００２５】リードフレーム２のタブの中央部には外周
枠３２に囲まれた角孔３１（図示せず）を設け、この角
孔３１に放熱板６の上段６１が嵌合されている。リード
フレーム２の上面と同一面上に現れた放熱板６の上段６
１の上面には、半導体チップ７が搭載されている。
枠３２に囲まれた角孔３１（図示せず）を設け、この角
孔３１に放熱板６の上段６１が嵌合されている。リード
フレーム２の上面と同一面上に現れた放熱板６の上段６
１の上面には、半導体チップ７が搭載されている。
【００２６】すなわち、放熱板６上に直接半導体チップ
７が固着されている。そして、半導体チップ７上に形成
されたボンディングパッド（図示せず）とインナーリー
ド４の所定部分とは、ボンディングワイヤ８、８により
接続されている。そして、リードフレーム２、放熱板
６、半導体チップ７、およびボンディングワイヤ８が一
体樹脂封止され、半導体装置１を構成している。
７が固着されている。そして、半導体チップ７上に形成
されたボンディングパッド（図示せず）とインナーリー
ド４の所定部分とは、ボンディングワイヤ８、８により
接続されている。そして、リードフレーム２、放熱板
６、半導体チップ７、およびボンディングワイヤ８が一
体樹脂封止され、半導体装置１を構成している。
【００２７】図２は、ＱＦＰタイプのパッケージに用い
るリードフレームを示す上面図である。
るリードフレームを示す上面図である。
【００２８】リードフレーム２は材料が銅からなり、そ
の板厚は約０．２５ｍｍである。そのほぼ中央部には、
約４．０ｍｍ正方の角孔３１が設けられている。角孔３
１は吊りリード２２によってリードフレーム本体２０と
一体形成された外周枠３２の内側に形成され、その部分
はリードフレーム２のタブを貫通して打ち抜いた空洞部
分である。
の板厚は約０．２５ｍｍである。そのほぼ中央部には、
約４．０ｍｍ正方の角孔３１が設けられている。角孔３
１は吊りリード２２によってリードフレーム本体２０と
一体形成された外周枠３２の内側に形成され、その部分
はリードフレーム２のタブを貫通して打ち抜いた空洞部
分である。
【００２９】図３は、角孔３１に嵌合される放熱板を示
す斜視図である。放熱板６は、材質が無酸素銅からな
り、中心部から２辺方向すなわち、図を正規にみて、左
側と右側方向にそれぞれ３つの段を形成した。これらの
段の上段６１の上面の外周は、角孔３１の大きさよりも
０．０１〜０．０３ｍｍ程度小さく形成され、角孔３１
に放熱板６が十分嵌合されるように設定されている。上
段６１の高さｈ１は、リードフレーム２の板厚とほぼ同
じ０．２５ｍｍに選ばれており、これによって、タブの
角孔３１に放熱板を嵌合すると、タブ上面と放熱板の上
段６１の上面とがほぼ同一平面上に置かれる。
す斜視図である。放熱板６は、材質が無酸素銅からな
り、中心部から２辺方向すなわち、図を正規にみて、左
側と右側方向にそれぞれ３つの段を形成した。これらの
段の上段６１の上面の外周は、角孔３１の大きさよりも
０．０１〜０．０３ｍｍ程度小さく形成され、角孔３１
に放熱板６が十分嵌合されるように設定されている。上
段６１の高さｈ１は、リードフレーム２の板厚とほぼ同
じ０．２５ｍｍに選ばれており、これによって、タブの
角孔３１に放熱板を嵌合すると、タブ上面と放熱板の上
段６１の上面とがほぼ同一平面上に置かれる。
【００３０】放熱板６の中段６２の大きさは、タブの外
周枠３２の幅とほぼ同一寸法に選ばれ、放熱板６の上段
６１をリードフレーム２の角孔３１に嵌合した際に、タ
ブの外周枠３２の底面に放熱板６の中段６２の上面が当
接するように設定されている。
周枠３２の幅とほぼ同一寸法に選ばれ、放熱板６の上段
６１をリードフレーム２の角孔３１に嵌合した際に、タ
ブの外周枠３２の底面に放熱板６の中段６２の上面が当
接するように設定されている。
【００３１】放熱板６の下段６３は、リードフレーム２
に放熱板６を嵌合した際に、インナーリード４と放熱板
６の下段６３の間に中段６２の高さｈ２だけの距離を保
って配置される。このｈ２の高さは、インナーリード４
と放熱板６の下段６３とを樹脂９で絶縁するだけの大き
さだけでよい。たとえば、０．２〜０．３ｍｍ程度の距
離でよい。これによって、十分な放熱効果が奏される。
に放熱板６を嵌合した際に、インナーリード４と放熱板
６の下段６３の間に中段６２の高さｈ２だけの距離を保
って配置される。このｈ２の高さは、インナーリード４
と放熱板６の下段６３とを樹脂９で絶縁するだけの大き
さだけでよい。たとえば、０．２〜０．３ｍｍ程度の距
離でよい。これによって、十分な放熱効果が奏される。
【００３２】次に、本発明の半導体装置の製造方法につ
いて、図４および図１〜図３を用いて説明する。
いて、図４および図１〜図３を用いて説明する。
【００３３】まず、図４（ａ）は、図２に示した帯状材
料のリードフレーム本体２０に所定のパターンを有する
リードフレーム２が形成される前の工程を示す。すなわ
ち、帯状のリードフレームの所定領域に、タブ、インナ
ーリード、アウターリードなどを打ち抜く工程を示して
いる。その後、図４（ｂ）に示したように、リードフレ
ーム２のタブのほぼ中央部に角孔３１を打ち抜く。角孔
３１の打ち抜きは前記インナーリードと同時に打ち抜い
てもよい。次いで、図４（ｃ）、（ｄ）に示したように
自動機によりダイパッドの角孔３１に放熱板６の上段６
１を嵌合（挿入）し、この放熱板６の上下方向からパン
チで叩いて圧着する。その後、図４（ｅ）〜（ｇ）に示
したように、ダイボンディング、ワイヤボンディング、
モールディング工程などを経て、半導体装置を製造す
る。
料のリードフレーム本体２０に所定のパターンを有する
リードフレーム２が形成される前の工程を示す。すなわ
ち、帯状のリードフレームの所定領域に、タブ、インナ
ーリード、アウターリードなどを打ち抜く工程を示して
いる。その後、図４（ｂ）に示したように、リードフレ
ーム２のタブのほぼ中央部に角孔３１を打ち抜く。角孔
３１の打ち抜きは前記インナーリードと同時に打ち抜い
てもよい。次いで、図４（ｃ）、（ｄ）に示したように
自動機によりダイパッドの角孔３１に放熱板６の上段６
１を嵌合（挿入）し、この放熱板６の上下方向からパン
チで叩いて圧着する。その後、図４（ｅ）〜（ｇ）に示
したように、ダイボンディング、ワイヤボンディング、
モールディング工程などを経て、半導体装置を製造す
る。
【００３４】上記は、パワーＩＣ用半導体パッケージを
例に挙げて説明したが、これに限ることなく、例えば、
数Ｗ程度の熱を発生する半導体チップに対して効果的に
放熱効果を得ることができる。
例に挙げて説明したが、これに限ることなく、例えば、
数Ｗ程度の熱を発生する半導体チップに対して効果的に
放熱効果を得ることができる。
【００３５】また、リードフレームについても、ＱＦＰ
タイプのものを例示したが、ＳＩＰ、ＤＩＰ、ＳＯＰタ
イプなどいずれのタイプのリードフレームにも用いるこ
とができる。
タイプのものを例示したが、ＳＩＰ、ＤＩＰ、ＳＯＰタ
イプなどいずれのタイプのリードフレームにも用いるこ
とができる。
【００３６】放熱板の形状についても、二辺方向に段差
を有する形状としたが、四辺方向に段差を有する形状と
することもできる。
を有する形状としたが、四辺方向に段差を有する形状と
することもできる。
【００３７】（実施の形態２）図５は、本発明の他の実
施の形態を示す半導体装置の断面図である。
施の形態を示す半導体装置の断面図である。
【００３８】放熱板６の底面は樹脂封止されずに半導体
装置１の外面に露出した構造となっているため、さらに
大きな放熱効果を得ることができる。
装置１の外面に露出した構造となっているため、さらに
大きな放熱効果を得ることができる。
【００３９】また、放熱板６の底面は、半導体装置１の
底面よりも入り込んで形成されているため、回路基板な
どに実装しても放熱板６が基板上に接触することがな
い。
底面よりも入り込んで形成されているため、回路基板な
どに実装しても放熱板６が基板上に接触することがな
い。
【００４０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、放熱板に
直接、半導体チップを搭載しているため、優れた放熱効
果を得ることができる。
直接、半導体チップを搭載しているため、優れた放熱効
果を得ることができる。
【００４１】また、放熱板を機械的にリードフレームに
接合した構造であるため、放熱板をリードフレームに接
合する際、高温加熱する必要がなく、パッケージの信頼
性を良好に保つことができる。
接合した構造であるため、放熱板をリードフレームに接
合する際、高温加熱する必要がなく、パッケージの信頼
性を良好に保つことができる。
【００４２】また、放熱板とリードフレームを接着する
接着剤や加熱ヒータなどの設備が不要であるため、半導
体装置のコストを低減することができる。
接着剤や加熱ヒータなどの設備が不要であるため、半導
体装置のコストを低減することができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す半導体装置の断面
図
図
【図２】本発明の一実施の形態を示すリードフレームの
上面図
上面図
【図３】本発明の一実施の形態を示す放熱板の斜視図
【図４】本発明の一実施の形態を示す半導体装置の製造
工程図
工程図
【図５】本発明の他の実施の形態を示す半導体装置の断
面図
面図
【図６】従来の半導体装置を示す断面図
【図７】従来の他の半導体装置を示す断面図
１ 半導体装置 ２ リードフレーム ３ タブ ４ インナーリード ５ アウターリード ６ 放熱板 ７ 半導体チップ ８ ボンディングワイヤ ９ 樹脂 １０ 銀ペースト １１ ポリイミドフィルム ２０ リードフレーム本体 ２２ 吊りリード ３１ 角孔 ３２ 外周枠 ６１ 放熱板の上段 ６２ 放熱板の中段 ６３ 放熱板の下段
Claims (5)
- 【請求項１】 タブのほぼ中央部に孔部が設けられたリ
ードフレームと、前記孔部に嵌合された放熱板と、前記
放熱板の上面に搭載された半導体チップと、前記半導体
チップに形成されたボンディングパッドと前記ボンディ
ングパッドの近傍に延在する前記リードフレームのイン
ナーリードとを接続するボンディングワイヤとを備え、
前記リードフレーム、前記放熱板、前記半導体チップお
よび前記ボンディングワイヤとを一体樹脂封止してなる
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記放熱板は、上段、中段および下段か
らなる階段状を有し、前記上段の大きさは前記リードフ
レームの孔部の大きさとほぼ同じであることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記放熱板の下段の底面部は樹脂封止さ
れずに前記半導体装置の外面に露出し、かつ前記半導体
装置の底面よりも内側に入り込んでいることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 プレス手段またはエッチング手段により
前記リードフレームのタブのほぼ中央部にタブの外周枠
を残して孔部を設け、この孔部に前記放熱板を挿入し、
前記放熱板の上面及び下面からパンチで叩いて前記孔部
に前記放熱板を圧着することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項５】 リードフレームのタブのほぼ中央部にタ
ブの外周枠を残して孔部を設け、前記外周枠は吊りリー
ドによってリードフレーム本体に接続されていることを
特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16568896A JPH1012788A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 半導体装置およびその製造方法およびその半導体装置に用いるリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16568896A JPH1012788A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 半導体装置およびその製造方法およびその半導体装置に用いるリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012788A true JPH1012788A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15817160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16568896A Pending JPH1012788A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 半導体装置およびその製造方法およびその半導体装置に用いるリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012788A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006502568A (ja) * | 2002-10-07 | 2006-01-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体デバイス及びそれを製造する方法 |
| JP2007165458A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレームとその製造方法 |
| US7245004B2 (en) | 2003-05-20 | 2007-07-17 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN100413043C (zh) * | 2003-08-29 | 2008-08-20 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体器件的制造方法 |
| JP2009135515A (ja) * | 2009-01-29 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US7910946B2 (en) | 2005-12-12 | 2011-03-22 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same |
-
1996
- 1996-06-26 JP JP16568896A patent/JPH1012788A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006502568A (ja) * | 2002-10-07 | 2006-01-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体デバイス及びそれを製造する方法 |
| US7245004B2 (en) | 2003-05-20 | 2007-07-17 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN100413043C (zh) * | 2003-08-29 | 2008-08-20 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体器件的制造方法 |
| JP2007165458A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレームとその製造方法 |
| US7910946B2 (en) | 2005-12-12 | 2011-03-22 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same |
| JP2009135515A (ja) * | 2009-01-29 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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