TWI232513B - Semiconductor device and fabrication method thereof - Google Patents

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TWI232513B TW093100795A TW93100795A TWI232513B TW I232513 B TWI232513 B TW I232513B TW 093100795 A TW093100795 A TW 093100795A TW 93100795 A TW93100795 A TW 93100795A TW I232513 B TWI232513 B TW I232513B
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Ninao Sato
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1232513 玫、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關半導體裝置及其製造方法，特別有關將半 導體晶圓分割成各個晶片之切割技術。 【先前技術】 目前所活用之微處理器，預期今後將被要求高速處理更 龐大的資訊。至今，電晶體之微型化決定微處理器的性能， 然:，近年來，RC延遲（R:電阻、c:電容）成為問題，不 僅是微細化，相互連接各個電晶體之配線之電阻及寄生電 容（經由絕緣體而配置之配線間之電容）均成為問題。电 、為了減低RC延遲，配線材料必須㈣改為Cu，絕緣材料 必須由氧化矽膜改成使用低相對介電常數之材料。缺而， 低介電常數之絕緣臈-般為了確保其低介電性而呈❹孔 構造’故機械強度或密著強度明顯較氧化矽膜弱。因此， 將半導體晶圓切割成各個晶片之際，若機械式地切斷低介 電常數之絕緣膜，容易引起層間剝離。而且，&配線為比 較具有黏性的材料，故甚；隹彡# 故右進仃通常的刀具切割，容易引 膜剝。 因此取代以在之刀具切割，雷射切割係受到目屬目。雷 射相以，、?、射阿症置之雷射光線（雷射束）而切斷半導體 π文相#乂於以住之刀具切割等類之研削方式，期待將 使低介電常數之絕緣膜或Cu配線之切斷性大幅提升。 雷射切割有其次f 4 ^ 矛方式。弟一方式係如圖j i所示，以透 鏡（聚光透鏡）1 1，將雷射古+ 射先線之焦點位置設定在最表層並照
O:\90\90539.DOC 1232513 射，將電路元件層13與曰曰曰圓12一起炫融並切斷 係如圖12所示，將雷射光線之焦點位置對準晶圓12内部， 形成藉由多光子吸收之溶融處理區域16，其後延伸切割膜 15’以將晶圓12個片化（參考例如：專利文獻… 上述第-方式在切斷厚晶圓12時，需要非常大的雷射輸 出’故往往比刀具切割帶給晶圓更大的損傷。因此，適用 於僅切斷表層之電路元件層13等，以較低雷射能量進行處 理之情況。 =於此’上述第二方式係以溶融處理區域“為起點而 告|J斷曰曰圓12,故亦可對應較厚的晶_。然而，表層之電 =70件層13之配線圖案係絕緣膜或配線層複雜配置，故唯 怂割斷之際，引起絕緣膜剝離戋配ϋ # @ 忒配線層之層間剝離等非期 皮裘。特別是近年來頻繁 膜，“甘/ 水肩繁知用之低介電常數之絕緣 壞。 ^者㈣特性’割斷時極可能被破 亦即’在雷射切割中，6 / 能甚大的旦1 凡成狀m受到被切斷物之表面狀 心甚大的衫響。具體而言， 進行對隹-¾ Μ :子在金屬配線層之區域， 進仃對焦或輸出對準而切削， 損傷彳F女- ，又有金屬配線層之區域之 ㈣很大，最壞的情況會引起臈 '之 層雷射束诱讲▲ 、 疋於切吾彳區域疊 = 數透明膜時，此損傷更為顯著。 右在沒有金屬配線之區域 時，將陷入盔法办入七5進订對焦或輸出對準 ^ 、〜‘去70王切斷金屬配線層之狀況。 、仃田射切割之際，必須按照被切斷物之♦面狀& 楗妙地調整雷射切割裝置。妒 之表面狀恶， d而，於實際之半導體晶圓之
O:\90\90539.DOC !232513 切軎’]線區域，複雜地配置有定位標記或測試用墊等金屬配 線層之圖案，故難以調整成最適狀態。 【專利文獻1】 特開 2002-192367 【發明内容】 干如上述，以往之半導體裝置及其製造方法係具有在進行 田射切剎之際，完成狀態受到被切斷物之表面狀態影響， αβ貝下滑，同時切斷性或良率下降等問題。 本發明係有鑑於上述事由而實現者，其目的在於提供— 種追求高品質化之半導體裝置。 又’本發明t目的亦在於提供一種可改善雷射切割工 之切斷性及良率之半導體裝置之製造方法。 本發明之-態樣之半導體裝置，其特徵在於其係藉由 射切割而半導體晶圓分割之晶片；且具備：配線層，且 晶片側面之雷射切割區域之表層，沿著前述雷射 d區域所形成者。 您银之牛導體裝置，其特徵在 由雷射切割而半導，曰鬥 /、’ 構件以體3曰圓分割之晶片；且具備：雷射效 請，其係於前述晶片側面u射㈣ 所述雷射士刀割區域所形成者。 並且，本發明之一態樣 藓由帝斛+7^丨 心千寺骽衷置，其特徵在於其 猎由田射切副而半導體晶片分曰 接用凸塊’·介在俞 °曰曰’且具備：外部 m門 ，14凸塊與形成於元件區域中之元件之 #包極之間之障卷厶 1丁心 、’ g，及於前述晶片側面之雷射切
O:\90\90539.DOC 1232513 ;^表層々者月,J述雷射切割區域而形成之障壁金屬層。 本务明之-態樣之半導體裝置之製造方法，1特 具備··避開設置於半導體a%ffl ，、、 於 雨轨η“ 殿曰曰圓之曰曰片間之定位標記及測試 墊而π射雷射光線，將^ | | 竹則述+V體晶圓分割成各個晶片 之工序 〇 又，本發明之—態樣之半導體裝置之製造方法，其特徵 在於具備：將雷射光線之焦點位置設定在切割區域之表層 側並照射，形成比半導體晶圓之厚度淺之㈣區域之二 序；、及藉由將雷射光線之焦點位置設定在對應於前述切斷 區域之半導體晶圓内部，照射雷射光線，以形成藉由多光 子吸收之熔融處理區域之工序；且避開形成於前述晶片間 之區域之定位標記及測試用墊而照射雷射光線，將半導體 晶圓分割成各個晶片。 並且，本發明之一態樣之半導體裝置之製造方法，其特 徵在於具備··照射焦點位置在切割線區域之表層側之雷射 光線及焦點在半導體晶圓内部之之雷射光線，於半導體晶 圓之表層側形成切斷區域，於深層側形成藉由多光子吸收 之融處理區域之區域；且避開形成於前述半導體晶圓之 晶片間之區域之定位標記及測試用墊而照射雷射光線，將 半導體晶圓分割成各個晶片。 藉由上述構成及方法，於容易吸收雷射光線並且均一之 區域照射雷射光線，將半導體晶圓割斷，故完成狀態不會 因表面狀態而偏差，可改善雷射切割工序之切斷性及良 率。而且，亦不會產生如同藉由使用刀具之機械式研磨之 O:\90\90539.DOC -9 - 1232513 刀口j工序所造成之崩角（chipping)。又，亦可容易調整雷射 切割裝置。 【貫施方式】 以下’參考圖式說明本發明之實施型態。 〔第一實施型態〕 图係為了說明本發明第一實施型態之半導體裝置及其 製造方法者，將形成於半導體晶圓中鄰近之2個晶片η」、 21-2’及此等晶片21_卜21·2間之區域22抽出，並放大表示。 於上述區域22之中央部附近，配置定位標記24及測試用墊 25-1、25-2、25_3。又，避開上述定位標記24及測試用墊 25_1、25-2、25_3,沿著晶片21-1、21-2之外周，直線地形 成雷射切割區域23-1、23-2。於此等雷射切割區域 之表層分別形成配線層。此配線層並非為了進行電性結 合，而是為了使雷射光線之照射區域均一化，並且使容易 吸收雷射光線之辅助圖案，例如··與上述定位標記以及測 4用墊25-1、25-2、25-3—同，使用與用於晶片21-2、21-2 中之兀件區域之金屬配線層相同之層形成。 將上述半導體晶圓分割成各個晶片21_2、21_2時，於上述 雷射切割區域（金屬配線層）23_卜23_2上照射雷射光線而熔 融切斷。於此溶融切斷之際，使用透鏡將雷射光線之焦點 位置設定在最表層，將晶圓熔融切斷即可。 又，亦可將雷射光線之焦點位置對準晶圓内部，形成藉 由多光子吸收之熔融處理區域之後，使破裂或延伸切割 摸’以將晶圓個片化。 O:\90\90539.DOC -10- 1232513 入^此種構成及製造方法，於切割線區域23U2形成 孟屬配線層，由於表面狀態均一 文兀》成狀怨不會偏差。 ’I線層（金屬配線層）容易吸收雷射光線，故亦可改善雷 :剎工序之切斷性。當然’由於藉由熔融而切割晶圓， 故亦不會產生如同藉由 、 /、之機械式研削之研削工序 所造成之崩角。又，亦可容易谁，币u 序 j 了谷易進仃雷射切割裝置之對焦 輸出對準。並且，定#. 疋位铩5己24、測武用墊25-1、25-2、25 3 及配線層係分別使用與用於晶片21_2、21_2中之元件區域之 金屬配線層相同之声所士、 , / 層所形成，故僅變更用於形成元件區域 之金屬配線層之圖案之光罩設計即可，不會導致製造工序 複雜化或製造成本上昇。 再者，在雷射切割區域23_卜23_2之下層不存在金屬配線 層之情況，即使不特別在最表層配置直線之金屬配線層， 亦可獲得同樣的效果。 〔第二實施型態〕 圖2係為了說明本發明第二實施型態之半導體裝置及其 製造方法者，將形成於半導體晶圓中鄰近之2個晶片以」、 21-2,及此等晶片21-卜21-2間之區域22抽出，並放大表示。 於上述區域22之晶片21-2側及晶片21-2側，分別配置定位標 記24及測試用墊25-1、25-2、25-3。又，於此區域22之中央 部附近’避開上述定位標記24及測試用墊25-1、25_2、25_3， 直線地形成雷射切割區域23。於此等雷射切割區域23之表 層形成配線層。此配線層並非為了進行電性結合，而是為 了使雷射光線之照射區域均一化，並且使容易吸收雷射光 O:\90\90539.DOC 11 - 1232513 線之輔助圖案，與上述定位標記24及測試用墊25_ 1、、 25-3-同’使用與用於晶片21-2、21_2中之元件區域之金屬 配線層相同之層而形成。 將半導體晶圓分割成各個晶片21-2、21_2時，於上述雷射 切割區域（金屬配線層）23上照射雷射光線而炫融切斷。於 此熔融切斷之際，使用透鏡將雷射光線之焦點位置設定在 最表面並照射，將晶圓熔融切斷即可。又，亦可將雷射光 線之焦點位置對準晶圓内部，形成藉由多光子吸收之熔融 處理區域之後，使破裂或延伸切割摸，以將晶圓個片化。 藉由此種構成及製造方法，於切割線區域23之最上層形 成配線層（金屬配線層），由於表面狀態均一，故完成狀態不 會偏差。又，金屬配線層容易吸收雷射光線，故亦可改善 由於It由炼融而切割，故 雷射切割工序之切斷性。當然 亦不會產纟如同藉线用77 #之機械式研削之切割工序所 造成之崩角° X ’亦可容易進行雷射切割裝置之對焦或輸 出對準。並且，定位標記24、測試用墊25_卜25_5及配線層 係分別使用與^^^、叫中之㈣區域之金屬配線 層相同之層所形成，故僅變更用於形成元件區域之金屬配 線層之圖案之光罩設計即可1會導致製造卫序複雜化或 製造成本上昇。 再者，在雷射切割區域23之下層不存在金屬配線層之情 況，即使不特別在最表層言免置直線之金屬配線㉟，亦可獲 得同樣的效果。 〔第三實施型態〕 O:\90\90539.DOC -12- 1232513 圖3係為了說明本發明第三實施型態之半導體裝置及其 製造方法者，將形成於半導體晶圓中鄰近之2個晶片η」、 21-2,及此等晶片21-1、21_2間之區域22抽出，並放大表示。 本第二實施型態係於難以錯開定位標記24或測試用塾 25 5之I*月况’避開此等配置物，使雷射切割區域(金屬配 線層）23-1、23-2屈曲而配置。
田射切割裝置可使雷射光線之照射位置自由移動於XY 方向故，將半導體晶圓分割成各個晶片21-2、2 1-2時，沿 著屈曲之金屬配線屏昭4 又層…、射雷射光線而熔融切斷即可。又， 亦可將雷射光線之焦點位置對準晶圓内部，形成藉由多光 子吸收之熔融處理區域之後，使破裂或延伸切割摸，以將 晶圓個片4匕。 猎由此種構成及i 配線層（金屬配線~，。由^#割線區域23_1、23·2形成 ,,,入租 0由於表面狀態均一，故完成狀態不脅 :差库金屬配線層容易吸收雷射光線，故亦可改善雷射切 割工序之切斷性。者妙 產生如同藉由使用：：，於藉由炼融而分割’故亦不會 崩角。又，ΛΛ 機械式研削之切^序所造成之 並且—合易進仃雷射切割裝置之對焦或輸出對準。 亚且，定位標記24、測 * 丁千 分別使用與用於晶片2二2 、25·2、25·3及配線層係 相同之層所形成，故僅::广中之元件區域之金屬配線層 層之圖案之光罩4交形成元件區域之金屬配線 造成本上昇。i p可’不會導致製造卫序複雜化或製 再者，在雷射切割區域23]、23_2之下層不存在金屬配線
O:\90\90539.DOC -13- 1232513 層之情況，無需特別在最表層設置屈曲之配線層。 又，以屈曲2個切割線區域而設置之情況為例進行說明， 然而，當然亦可屈曲1個切割線區域而設置。 〔第四實施型態〕 圖4係為了說明本發明第四實施型態之半導體裝置及其 製造方法者，將形成於半導體晶圓中鄰近之2個晶片21-；1、 21-2,及此等晶片21-卜21-2間之區域22抽出，並放大表示。 本第四實施型態中，將聚醯亞胺膜（聚醯亞胺系材料，或者 類似於此之雷射光線吸收膜）26設置於區域22上。 一般而言，進行刀具切割之半導體裝置中，為了避免產 生切削屑或形成於元件區域上之聚醯亞胺等表面保護膜剝 落’預先選擇性地除去上述區域22上之聚醯亞胺膜。然而， 本第四實施型態係意圖性地將形成於元件區域上之聚醯亞 胺膜26，延伸至上述區域22上。 根據上述構成及製造方法，由於聚醯亞胺膜（聚醯亞胺材 料或類似於此之材料）係底層透明，故外觀上雖不均一，但 會吸收雷射光線’ T同樣進行切斷，改善雷射切割工序之 切斷性。而且，聚醯亞胺膜係延設作為元件區域之表面保 護膜者，故不會導致製造工序複雜化或製造成本上昇。 再者，上述說明中，在晶片21_2、21_2間之區域22上之全 面設置聚酿亞胺膜（聚酿亞胺系材料或者類似於此之雷射 ，線之吸收膜）26 ’然而，亦可選擇性地僅配置於雷射照射 區’亦即雷射切割區域23上。 〔第五實施型態〕
O:\90\90539.DOC -14- 1232513 圖5係為了說明本發明第五實施型態之半導體裝置及其 製造方法者’將形成於半導體晶圓中鄰近之2個晶片2M、 21-2’及此等晶片21_卜21-2間之區域22抽出，並放大表示。 本第五貫施型態係使吸收雷射光線之片狀膜（雷射吸收構 件）27密著於區域22上而設置。 而且’上述各膜進行雷射切割而割斷。 上述構成及製造方法基本上亦可獲得與上述第一至第四 貫施型態相同的作用效果。 在此亦可按照需要’在對應於切割時之定位標記24上 之位置設置開口部28。又，亦可使用液狀塗佈後已硬化之 膜或塗膜，或者電性化學地成膜之覆膜，以取代上述片狀 膜27。此等膜或塗膜亦可選擇性地配置於區域22上，若是 切剔處理後可除去的材料，亦可形成於晶圓全面。 〔第六實施型態〕 圖6係為了說明本發明第六實施型態之半導 製造方法者，將形成於半導體晶圓中鄰近之2個晶片21-1、 及此寺曰曰片21 -1、21 -2間之區域22抽出，並放大表示。 本第六實施型態係於例如：在形成於晶片21-1、21-2中之元 件區域之半導體元件之外部電極上設置凸塊28-1A、 28"1B.....28_1A、28_1B、…之情況，將設置於凸塊28]a、 28 1B ··、28-1A、28-1B、…與半導體元件之外部電極之 間之障壁金屬配設於雷射切割區域23_丨、23_2上。 述構成及‘造方法基本上亦可獲得與上述第一至第四 實施型態相同的作用效果。
O:\90\90539.DOC -15- 1232513 再者’圖ό係以相同於圖1所示之雷射切割區域之配置之 情況為例而進行說明，即使是圖2或圖3所示之配置亦同樣 適用。 ' 〔第七實施型態〕 圖7及圖8係分別為了說明本發明第七實施型態之半導體 裝置及其製造方法者，表示雷射切割工序。本第七實施型 態之雷射切割工序亦可適用於上述第一至第六實施型態中 任一雷射切割工序。 百先，如圖7所示，為了切斷半導體晶圓32之表層，將晶 圓32之背面貼附於切割膜35,以透鏡（聚光透鏡）31，將雷射 光線之焦點位置設定於最表層（或表層側），照射元件區域側 之切割區域33，進行極淺的切割，形成切斷區域34。上述 切割區域33對應於第一至第六實施型態之雷射切割區域 23-1、23-2或23，避開定位標記及測試用墊，照射雷射光線。 形成切斷區域34後，如圖8所示，將雷射光線之焦點位置 對準晶圓32内部（深層側），由晶圓32之背面側經由切割膜 35,沿著上述切割區域34,形成藉由多光子吸收之熔融處 理區域3 6並割斷。 如此，若分成表層側及深層側，進行2次雷射切割的話， 形成切斷區域34時之雷射輸出僅切斷表層部分，比較小即 可達成，故雷射殘痕變小，切割所需之區域亦較窄。又， 形成熔融處理區域36時之雷射輸出亦同樣較小即可達成， 亦可減低切斷之際，絕緣膜剝離或配線之層間剝離等非期 望之破壞。 / O:\90\90539.DOC -16- 1232513 再者，實現上述表層側及深層側之2次切割工序之際，亦 可使用2台雷射切割裝置，或兼備兩方單元之1台穿置。’’ 〔第八實施型態〕 圖9係為了說明本發明第人實施&態之半導體裝置及其 製造方法者，表示雷射切割工序。本第八實施型態係以卜: 進行上述第七實施型態中分成2次卫序進行之切割。亦即， 由晶圓32之元件形成面側，以透鏡（聚光透鏡）η」將雷射 光線之焦點位置設定於最表層（表層侧），同時以透鏡 透鏡）31-2，將雷射光線之焦點位置對準晶圓32内部（深層 側），由晶圓32之背面側經由切割膜35而照射。而且，同二 形成切割區域34及藉由多光子吸收之炫融處理區域36而^ 割。 此種構成及製造方法亦可獲得實f上與上述第七實施型 態相同的作用效果。 再者’於晶圓32之背面側不存在金屬配線層、聚醒亞胺 膜或雷射吸收構件，由於背面側不存在半導體元件，表面 狀態均一，故完成狀態不會偏差。又，即使雷射束之輪出· 稍微增大，亦不會影響元件區域。 〔弟九貫施型態〕 圖10係為了說明本發明第九實施型態之半導體裝置及其 製造方法者’表示雷射切割H第九實施型態係幻次 進：上述第七實施型態中分成2次工序進行之切割。亦即， 由曰曰圓32之兀件形成面側’以透鏡(聚光透鏡）31-1將雷射 光線之焦點位置設定於最表層（表層側）’同時以透鏡（聚光
O:\90\90539.DOC -17- 1232513 透鏡）31_2 ’將雷射光線之焦點位置對準晶圓如部（深層 側）而照射，同時形成切割區域34及藉由多光子吸收之熔= 處理區域3 6而分割。 此種構成及製造方法亦可獲得實質上與上述第七、第八 實施型態相同的作用效果。 再者，上述第七至第九實施型態說明❹雷射切割割斷 晶圓之例，然而，亦可於雷射切割不完全割斷，使破裂或 延伸切割膜35，以將晶圓32個片化。 ' 又，亦可將雷射切割用於修剪（Trimming)，最後以通常 的刀具切割切斷。 以上，以第一至第九實施型態進行本發明之說明，然而， 本發明不限於上述各實施型態，在實施階段，可在不脫離 其要旨之範圍θ ’進行各種變形。又，上述各實施型態包 含各種階段之發明，藉由適#組合揭示之複數構成要件， 可抽出數種發明。例如：即使由各實施型態所示之全構成 要件削除數個構成要件，若可解決發明内容欄所述之問題 之至少1個，可獲得發明效果欄所述之效果之至少1個時， 此削除構成要件之構成可作為發明抽出。 【發明效果】 如以上况明，根據本發明，可獲得追求高品質化之半導 體裝置。 又，獲付可改善雷射切割工序之切斷性及良率之半導體 裝置之製造方法。 【圖式簡單說明】
O:\90\90539.DOC -18- 1232513 Θ係為了說明本發明第一實施禮態之半導體裝置及其 jAk > » ° 將形成於半導體晶圓中鄰近之2個晶片及此等晶 片間之區域抽出而放大表示之圖案平面圖。 圖2係為了說明本發明第二實施塑態之半導體裝置及其 ftJ 'aL 、、土 " 將形成於半導體晶圓中鄰近之2個晶片及此等晶 片間之區域抽出而放大表示之圖案平面圖。 圖3係為了說明本發明第三實施型態之半導體裝置及其 衣&方法’將形成於半導體晶圓中鄰近之2個晶片及此等晶 片間之區域抽出而放大表示之圖案平面圖。 圖4係為了說明本發明第四實施型態之半導體裝置及其 製以方法’將形成於半導體晶圓中鄰近之2個晶片及此等晶 片]之區域抽出而放大表示之圖案平面圖。 ，圖5係為了說明本發明第五實施型態之半導體裝置及其 製&方法，將形成於半導體晶圓中鄰近之2個晶片及此等晶 片間之區域抽出而放大表示之圖案平面圖。 制圖6係為了說明本發明第六實施型態之半導體裝置及其 衣仏方法，將形成於半導體晶圓中鄰近之2個晶片及此等晶 片間之區域抽出而放大表示之圖案平面圖。 圖7係為了，兄明本發明第七實施型態之半導體裝置及其 製造方法，表示雷射切割工序之剖面圖。 ’圖係為了彳明本發明第七實施型態之半導體裝置及其 製造方法，表示雷射切割工序之剖面圖。 ，圖9係為了，兄明本發明第八實施型態之半導體裝置及其 製造方法’表示雷射切割工序之剖面圖。
O:\90\90539.DOC •19- 1232513 圖10係為了說明^日日楚 制m 以九實施型態之半導體裝置及1 製造方法，表示雷射切割工序之剖面圖。 置及/、 係為了說明以往之半導體裝置及 雷射切割工序之第—方式之剖面圖。 表不 圖:2係為了說明以往之半導體裝置及其製造方 _ 苗射切割工序之第二方式之剖面圖。 表不 【圖式代表符號說明】 21_1 、 21-2 22 23 、 23-1 、 23-2 24 25-1〜25-5 26 晶片 晶片間之區域 雷射切割區域 定位標記 測試用墊 醯亞胺膜 27 28 31 32 33 34 35 36 (聚醯亞胺系材料或類似此之雷射光線吸收膜) 3 1-1、31-2 片狀版（雷射吸收構件） 開口部 透鏡（聚光透鏡） 半導體晶圓 切割區域 切斷區域 切割膜 熔融處理區域
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Claims (1)

  1. I232513 备、申請專利範蔺： -種半導體裝置，其特徵在於係藉 導體晶圓之晶片；且具備: 田射刀副而分割半 配線層，其係於前述晶 a 、比# 1 〈田射切割區蛣夕主 層，沿者前述雷射切割區域所形成者。 戍之表 2·如申請專利範圍第！項之半導體裝置， 係沿著前述晶片之外周直線地形成。 迷配線層 3.如申請專利範圍第！項之半導體震置， 择蠻曲而# 士、 f ’、甲則述配線層 係，曲而形成’以便避開定位標記及測試用塾。 •如申請專2或3項之何㈣置， 備設置於前述晶片之外周 ，、中進-步具 厂則逃配線層之間 記及測試用墊之至少一方。 疋位，示 5 6. ▲:叫專利軌圍弟1至3項中任_項之半導 則述配線層係與元件區域中之配線層相同声。/、中 導體裝置，其特徵在於係藉由雷 導體晶圓之晶片；且具備： 。J牛 雷射吸收構件，其係於前述晶 夕本底 心田射切割區蛣 7 之表層，沿著前述雷射切割區域所形成者。 — 如申請專利範圍第6項之半導體裝置 收構侔盔μ & 〒别述雷射吸 構件為片狀，於對應於定位標 部。 < 彳立置具有開口 8·如申請專利範圍第6項之半導體裝 收構件係形成於前述晶片之元件區域上之射吸 9·如申請專利範圍第8項之半導體 、呆=膜 ，、〒則述表面保 O:\90\90539.DOC 1232513 濩膜係由前述晶片之元件區域上延設於前述雷射切 區域上。 ^ 10·如申請專利範圍第8或9項之半導體裝置，其巾前述表面 保4膜係由聚醯亞胺系之材料所組成。 11. :種半導體I置，其特徵在於係藉由雷射切割而分 導體晶圓之晶片；且具備： 外部連接用凸塊；介在前述凸塊與形成於元件區域中 之元件之外部電極之間之障壁金屬層；及於前述晶片側 面之雷射切割區域之表層，沿著前述雷射切割區域所开〈 成之障壁金屬層。 ^ 12. 如申請專利範圍第…心項中任―項之半導體裝 置’其中進一步具備設置於前述晶片令之元件區域外： 與前述雷射切割區域之間之定位標記及測試用= 申請專利範圍第⑴、項中任一項之半導體 、 八中八有.形成於前述晶片側面之雷射切割區域 之表層側之藉由雷射光線之切斷區域，·及對應於此切斷 區域而形成於深層側之藉由多光子吸收之溶融處理區 域0 14. 種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具備：避開設 置於半導體晶圓之晶片間之定位標記及測試用墊而照 射雷射光線，將前述半導體晶圓分割成各個晶片之工 序。 其特徵在於具備： 15· —種半導體裝置之製造方法 O:\90\90539.DOC 1232513 將雷射光線之焦點位置設定在切割線區域之表層側 而照射，形成比半導體晶圓之厚度淺之切斷區域之工 序；及 藉由將雷射光線之焦點位置設定在對應於前述切斷 區域之半導體晶圓内部，照射雷射光線，以形成藉由多 光子吸收之熔融處理區域之工序；且 避開形成於前述晶片間之區域之定位標記及測試用 墊而照射雷射光線，將半導體晶圓分割成各個晶片。 16. 如申請專利範圍第15項之半導體裝置之製造方法，其中 形成如述炫》1¾¾處理區域之工序係由前述半導體晶片之 背面侧經由切割膜而照射雷射光線。 17. 如申晴專利範圍第15項之半導體裝置之製造方法，其中 形成前述熔融處理區域之工序係由前述半導體晶片之 元件區域側照射雷射光線。 1 8. —種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具備：照射焦 點位置為切割線區域之表層側之雷射光線及焦點位置 為半導體晶圓内部之雷射光線，於半導體晶圓之表層側 形成切斷區域，於深層側形成藉由多光子吸收之熔融處 理區域之工序；且 避開形成於前述半導體晶圓之晶片間之區域之定位 標記及測試用墊而照射雷射光線，將半導體晶圓分割成 各個晶片。 19·如申請專利範圍第15至18項中任一項之半導體裝置之 製造方法，其中前述雷射光線係直線地照射於前述晶片 O:\90\90539.DOC -3- 1232513 間之區域。 20.如申請專利範圍第15至18項中任一項之半導體裝置之 製造方法，其中前述雷射光線係彎曲照射於前述晶片間 之區域。 O:\90\90539.DOC -4-
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