JP2011155294A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スクライブライン3とスクライブライン上に形成されたアライメントマーク411、412とを有する半導体ウエハ1を用意する工程と、半導体ウエハ1のスクライブライン3にレーザを照射する工程とを有し、レーザを照射する工程において、少なくとも一つのアライメントマーク411、412が残存するようにレーザ照射を行う。
【選択図】図5
Description
2 半導体チップ
3 スクライブライン
4 アクセサリパターン
41,411,412 アライメントマーク
42 TEG
5 電極パッド
6 層間絶縁膜
7 レーザ照射領域
I 半導体ウエハの中心
P,P' アライメントマークを残存させる場所
Claims (5)
- スクライブラインと前記スクライブライン上に形成されたアライメントマークとを有する半導体ウエハを用意する工程と、
前記スクライブラインにレーザを照射する工程と、
を有し、
前記レーザを照射する工程において、少なくとも一つのアライメントマークが残存するようにレーザを照射すること、
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記レーザを照射する工程において、少なくとも一つの前記アライメントマークにレーザを照射しないことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザを照射する工程において、少なくとも一つの前記アライメントマークにレーザが照射される際にレーザの強度を低下させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザを照射する工程において、少なくとも一つの前記アライメントマークにレーザが照射される際にレーザのパワーを低下させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザ照射を行った後、前記アライメントマークにより位置合わせを行うことによりダイシングを行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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2011
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