TWI230743B - Electronic conductive flake compound and electronic conductive composition - Google Patents

Description

1230743 玖 、發明說明： 【^明所屬之技術領域】 ^月係關於導電性薄片狀化合物及導電性組成物。 L先前技術】 險桿^ 4之為求汽車的輕量化或進一步之省燃料化，如保 本乙細糸樹脂等各種合成樹脂。最近則已達販售 衣者。成樹脂製車門之轎車的階段。 。成樹脂製汽車外裝零件（以下稱「樹脂製外裂零 t $轭行與汽車車體本身同色的塗裝。在n t & 裝零件的余奘古；臨 衣在祕脂製外 取在：：，鑒於合成樹脂屬於絕緣體，—般乃採 漆層之後，再基質樹腊與導電材料所構成導電性底 在此種靜二=面利用靜電塗裝形成塗膜層的方法。 氣量的及二:應隨著地球溫室化而要求降低排 膜層薄膜化便形成重大的技術課題之==層及塗 漆層在為形成均勾且美觀的塗膜層，最好在伴持：電性底 丨。4至1,程度表面電阻值之情況=者必要的 10// m程度。 涛膜化至膜厚！至 導電性底漆層中所含導電性材料已… 墨、：屬粉末等粉末狀導電材料；碳纖維、黑、石 碳黑等碳質材料之鈦酸卸 、上被覆著 材料;鎳覆蓋雲母、金屬碎片等ΓΓ纖維等纖維狀導電 (曰本專利特開…二^ #“報、特開昭5”6266號 314889 5 1230743 公報、特開昭6"1 8639號公報、特開平2] . 特開平2-194071號公報、特 〜a報' 科9關號公報侧13號公報、⑽ 料，製造適於靜電塗裝用之且1〇^用f等習知導電性材 的導電性底漆層的話，就從：直°充…程度表面電阻,

i曾+ ”真充Ϊ的關係而言，艏雜V V電性底漆層薄膜化。此外，、難柄 導電=填充量的話，將無法獲得所需的表知 而且表面電阻值將呈不 〜 P值， 有可能產生塗裳斑等現象。即悲在：：！塗：層之際，將 導電性底漆層中，無關於導=3白'知導電性材料的 顧w至咖程度之材料的形狀特徵，頗難兼 厚。度之表面電阻值與…。㈣度之膜 再者，已知有在基材表面上 化錄所構成的第！導電性層，^序开/成由氣化錫與氧 電性層，而構成薄片狀導電性材匕錫所構成第2導 —_。此外，在：(:二:， 知基材可選自如：雲 电丨材料中，已1 4占土、破璃碎片 氧化欽碎㈣咖㈣）等“狀㈣:^化呂碎片、 薄片狀導電性材料均已有 -疋，因為該等 色、白色、水藍色等淡=二因此若添加於米黃 了 /人巴糸塗艇層的麻洗 及塗膜層色彩的缺點。此外，習知㈣將有損 阻值與…。心程度膜厚的薄膜 0程度表面電 【發明内容】 要求 314889 6 1230743 有鑑於此，本發明之 m程度的較薄厚度，仍 、/、1種即便1至心 化合物、及將1氕配’予優越導電性的導電性薄片狀 …周配於結合劑中的導電性組成物。 本發明的導雷袖笔 14潯片狀化合物係平均長# m、平均厚度〇.〇1至】s ]長仫1至100# 有〇.3至5重量⑽^心’且在依氧化卸㈣）換算含 里里/。鉀的氧化鈦表面上， 錫所構成的第1導電岸s Μ /成由3銻的氧化 ’再於第1導電層上开今 所構成第2導電層。 ^—上形成由乳化錫 在本發明中，平 ， ^ ^ ^ 句長從與平均厚度，可利用掃描型| 旦。 /飞牙透型電子顯微鏡（TEM)進行觀察測 ^ 二可利用雷射繞射式粒度分佈測量裝置，

近似性的進行消丨I r 、。如本發明之導電性薄片狀化合物，— 先:Λ大、鱗片狀、或板狀等形狀的無機化合物，因 — ^狀的不規則形狀，因此依測量處所的 同而有各種粒I。本發明的長徑乃意 長的直徑。 ^ 本發明中，第1 异錫成分100重量份， 至5 0重量％。 導電層最好相對於依氧化錫（Sn02)換 含有依氧化銻（Sb203)換算銻成分0·；!

薄片狀化合物係在層狀鈦酸中，使具 化合物產生作用，且經剝落層間而所 本發明的導電性 間膨潤作用的驗性 獲得薄片狀鈦酸表面上，採 並採用亞錫化合物形成第2 獲得。 用錫化合物形成第1導電層， 導電層之後，再經熱處理便可 7 314889 x^j〇743 木發明的導電性組成物係 狀化合軋。 ’、、上述本發明的導電性β 、t物調配於結合劑中而成者。 潯片 笔I*生〉專片狀化合物的調 夏份 °乃配里取好相對結合劑1〇〇重 為5至50重量份者。 6制可舉例如：從埶 無機質 …』性树知、熱硬化性樹脂、 上。…體、及含金屬有機化合物中選擇1種或2種以 【1施方式】 平均:發明的導電性薄片狀化合物之特徵在於基材乃採用 至1 Χ杈1至1〇“m(最好1至10Am)，平均厚度〇 〇1 〇 3 “ m(最好0·01至1 ·〇 V Hi)，且依氧化鉀（κ2〇)換算含 至5重量％鉀的薄片狀鈦酸（以下在無特別限定的前提 下’簡稱「薄片狀鈦酸」）。 此物質乃譬如對一般式

KxMyn2Ti2_(y+2)〇4 (1) [式中，Μ係指1至3價金屬。□係指Ti的缺陷部位。χ 係指符合0 < X < 1 ·〇的正實數。y與z分別指符合〇 < y + z <1.0的〇或正實數。] 所示層狀鈦酸鹽（1)施行酸處理，而獲得將K及/或Μ離子 的75至99%取代為氫離子或水合氫離子的層狀鈦酸，然 後在此層狀鈦酸中，使具層間膨潤作用的驗性化合物產生 作用，而後經剝落層間便可獲得。 一般式（1)中的Μ係Κ以外之價數1至3金屬，最好 選自如·· Li、Mg、Zn、Cu、Fe、Al、Ga、Μη 及 Ni 中之 8 314889 1230743 至少選擇1種。 層狀鈦酸鹽（1)係可利 知文獻所揭-μ + + 本專利第3062497號等莽 ^又馱所麵不的方法進行制、生曰μ 加埶而成Α气仆从Α 衣仏。具體而言，以氧化鉀或泡 加…而成為虱化物的鉀化合物， 而成為氧化物的金屬心；萄M之氧化物或經加勃 加熱而成為氧化物的Ti之化= 之氧化物或經 將由驗金屬或驗土族金屬的：原料’並在此原料中， 或2種以上的化物或硫酸鹽巾’選擇1種 A Z種以上的助溶劑，佑 2 0之方4/成助熔劑/原料之重量比0· 1至 2 · 〇之方式違行混合，將日 ^ ^ ^ "又侍〜合物在700至120(TC下 進仃加熱燃燒的話便可。 層狀欽酸鹽（1)的酸處理係 層狀鈦^μt / &如利用在 卜^ Δ 水科中（最好在攪拌下），添加酸而進 Γ⑴層狀鈦酸鹽⑴的濃度並無特別的限制，配合層狀鈦酸 = 之種類等’可從廣範圍中適當選擇。但是，若考慮以 ^文率地將鉀離子及離子的7G至99%取代為氯離子 5水合虱離子的話’通常設定為0.01至1〇重量。/。(最好〇 i 至5重量％)的話便可。酸並無特別的限制，可採用任何週 :者’譬如：鹽酸、硫酸、罐酸等礦酸；蟻酸、醋酸、丙 ^、草酸等有機酸等。纟中最好為無機酸，尤以鹽酸為特 &酉义可單獨使用"重’或者配合需要合併使用2種以上。 酸乃依普it的水溶液型態使用。該水溶液中的酸濃度並益 制’配合酸種㈣可從廣範圍中進行適當選擇。但 是右考慮將K離子及/或V[離子的7〇至99%取代為氫離 子或水合氫離子的話，通常設定為〇〇〇〇1至1〇重量％(最 314889 9 1230743 好0.001至0.1重量％)的話便可。酸處理亦可重複進行。 藉此，便可獲得在層狀鈦酸鹽（1)中，將κ離子及/或Μ離 子的70至99%取代為氫離子或水合氫離子的層狀鈦酸 (la) 〇 其-人，在此層狀鈦酸（丨a)中，使具層間膨潤作用的鹼 性化合物產生作用，並經剝落層間，藉此而獲得薄片狀鈦 酸。更具體而言，譬如僅要在層狀鈦酸（la)的水性漿料中， 添加具層間膨潤作用鹼性化合物並攪拌的話便可。 上述水性漿料的層狀鈦酸（la)濃度並無特別限制，僅 要配合層狀鈦酸（la)或鹼性化合物的種類、反應條件等， 從廣範圍中進行適當選擇的話便可。 、 具層間膨潤作用的鹼性化合物可舉例如：甲胺、乙胺、 正丙胺、二乙胺、三乙胺、丁胺、戊胺、己胺、辛胺] 二烷基胺等烷基胺及該等之鹽；乙醇胺、二乙醇胺、三乙 醇胺、異丙醇胺、=異丙醇胺、三異丙醇胺、2_胺基 基小丙醇㈣醇胺；氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、^ 化四丙銨、氫氧化四丁銨等氫氧化四級銨及該等之鹽、叶 六烷基三曱基銨鹽、硬脂醯三曱基銨鹽、韦基三曱基銨鹽、 一曱基一硬月曰fee鹽、二甲基硬脂醯苄基銨鹽等四級銨越 等。驗性化合物可單獨使用1種或混合使用2種以上。： 性化合物的添加量可設定為層狀鈦酸(la)總當量的5至4 當量。/。。藉此便可剝落平均厚度〇〇1至15”的薄片狀 鈇酸。 將獲得具有與原料之層 當添加授拌驗性化合物之際 314889 10 1230743 狀鈦ι鹽大致相同粒度分佈的薄片狀鈦酸，為防止所獲得 薄片狀鈦酸遭微粉碎，最好不要施加強剪切力。 在使驗性化合物產生作用後，配合必要施行酸處理， 將殘存的鹼性化合物予以去除，便可形成含有依氧化鉀 (Κ2〇)換算為〇·3至5重量％的鉀物質。 依此所獲得的薄片狀鈦酸乃為層積數十至數百層者， 平均長徑通常為1至l〇〇//m(最好為1至1〇#m)，及平均 厚度通常為〇.01至(最好〇.〇1至l/zm)，且含有依· 氧化鉀（K2〇)換算為〇·3至5重量％的鉀物質。 在此若鉀含量低於〇·3重量％的話，頗難將薄片狀鈦 酸保持於既定形狀，而且因調配於樹脂中並施行薄膜化之 除而產生著色現象，因此最好不要。反之，在鉀含量高於 5重量％的情況時，因為在標的導電性薄片狀化合物中的 導電性降低，恐將無法獲得所需導電值，因此最好不要。 在薄片狀鈦酸上被覆第1與第2導電層的方法，可依 照如日本專利特開平1〇_147891號公報等之中所記載方法| 進行。 換句話說’譬如使薄片狀鈦酸分散於水中並添加驗 劑’在使系統内pH維持於普通2至5狀態下，添加錫化 合物與銻化合物並混合（第1階段），其次，如同第1階段， 添加鹼劑，並在使系統内pH經常維持於2至5狀態下， 添加亞錫化合物並混合（第2階段），從此混合物中分取出 固形物，經乾燥、加熱，便可獲得本發明之導電性薄片狀 化合物。 314889 1230743 在第1階段中，k八 s丨 7为散液中的薄片狀鈦酸濃度並盔特 別的限制，僅要適當 % 應刼作輕易之量的話便可。 立反 其具==中的:化合物最好為四價錫化合物， 單獨使用"重，或者配錫等。錫化合物可 从此 σ而要合併使用2種以上。銻化人 物係；3價銻的化合物， 口 _ j為乳化物、硫酸鹽、硝酸_笪夂 種形態的化合物，而梟於一友 月夂義寺各 ^ “ 物（二氯化銻）一般較容易取得。 :化:物可單獨使用β，或者配合需要合併使用2種以 人。錫化合物與録化合物的使用量並無特別的限制，可配 合所需導電性能、用冷楚& / J 06 對私”、 ’、寺而從廣範圍中適當選擇，通常相 換曾4片狀鈦酸1G()重量份，僅要將該等合計量（依氧化物 旦二吨及Sb2〇3)设定為3重量份以上（最好5至20重 的話便可。此外，錫化合物與錄化合物的使用比率亦 …、4寸別的限制，可配合所欲鞾 听奴獲侍導電性薄片狀化合物之需 V電性能、用途等各種條件 攸廣乾圍中適當選擇，分別 依氧化物換算，僅要相對錫化人 几人A 均化。物10〇重量份，通常將銻 化3物設定為〇 · 1至5 〇重量份「芒 I里知（取好1至30重量份）的話 便可。另外，錫化合物與銻化合你 *化Q物取好分別依水溶液形態 使用。水浴液中的各化合物濃度並無特別限制，僅要適者 4擇可順暢進行反應的濃度便可。最好二者混合使用。 驗劑可採用週知任何者，譬如氫氧化鈉、氫氧化钟等 驗金屬的氯氧化物；碳酸納、碳酸鉀等驗金屬的碳酸鹽； 私酸敍、氨水等。㈣可單獨使用丨種或配合需要而合併 314889 12 1230743 使用2種以上。鹼劑最好依水溶液形態使用。鹼劑之使用 量僅要適當選擇為系統内的pH為2至5的話便可。 第1階段係譬如在薄片狀鈦酸的水分散液中，於攪拌 下，滴下鹼劑的水溶液，而在系統内的pH保持於普通^ 至5情況下，滴下含錫化合物與銻化合物的水溶液而實 施。本反應可在室溫下進行，最好在5〇至8〇。〇的加溫下 實施。本反應亦可在點滴完成時便同時結束，最好在點滴 完成後於攪拌下放置0.5至5小時。藉由此反應，系統内 將產生錫的氫氧化物與銻的氫氧化物，該等將沉積於薄片 狀鈦酸表面上，而形成第1沉積層。 第2階段係除取代錫化合物與録化合物，而改為採用 錫化合物之外，其餘均如同第1階段實施。譬如在第丨階 丰又中所獲付表面上形成第i沉積層的薄片狀鈥酸水分散 液，於授拌下，滴下驗劑的水溶液，在系統内的pH保持 於普通2至5情況下，添加錫化合物而實施。 ^亞錫化合物係二價之錫化合物，具體而言，可舉例如： 乳化亞錫、硫酸亞錫、硝酸亞錫等。亞錫化合物可單獨使 用種或合併使用2種以上。亞錫化合物的使用量並I特 別的限制，配合所欲獲得導電性薄片狀化合物之用途:、第 1 %積層之沉積量、沉積層中的亞錫氫氧化物與銻氫氧化 物=比率等各種條件，可從廣範圍中適當選擇，僅要相對 於芯材料的薄片狀鈦酸100重量份，通常3重量份以上(最 至20 i量份）的話便可。亞锡化合物通常依水溶液形 d用。水溶液中的亞錫化合物濃度並無特別的限制，僅 3]4889 13 1230743 要配合各種反應條件，適當選擇反應可順暢谁 4丁 I /辰度的 話便可。 第2階段亦如同第1階段可在室溫^下進杆田 ，取好在5 0 至80°C加溫下實施。本反應亦可在點滴完成時便同時結 束，最好在點滴完成後於攪拌下放置〇.5至5 # J吋。稭由， 在系統内將產生亞錫氫氧化物，此將沉積於镇 1只y、碑月狀鈦酸之 第1沉積層上。 從第2階段完成後的水分散液中分取出固形物之事， 可採用過濾、離心分離等週知分離手段。 固形物之乾燥係在通常50至200t：(最好9〇至12〇^ 溫度下實施，並在通常1至30小時（最好1〇至2〇小時） 内完成。 乾燥後的固形物加熱乃在通常2〇〇至1〇〇〇它（最好3⑻ 至600。〇溫度下實施，並在通常3〇分至5小時（最好^至 3小時）内完成。藉由此加熱，便可將芯材料的鈦酸之部分 轉變為二氧化鈦，更將亞錫氫氧化物、錫: 氫氧化物轉變為氧化物。 ^ 依此方式所獲得本發明之導電性薄片狀化合物，係在 基材的溥片狀氧化鈦表面上形成由含銻之氧化錫所構成的 第1層，更於第！層上形成由氧化錫所構成第2層的導電 生物質。在上述製造例中，冑第i層與第2層中所存在的 乳化錫，形成亞錫氧化物與錫氧化物混合的形態，依此的 '’精广本發明材料便可賦予更優越的導電性能。可將第 1層、第2層均設定為亞錫氧化物’亦可設定為錫化合物。 314889 14 1230743 弟1層的厚度並無特 層厚度通常為…。麵。…5〜。第2. 在本發明的導電性薄片狀 應可依！（ π私 ^ 物之弟1導電層中，銻 再者、’與氧化錫形成固形體之形態存在。 週知的表面處狀鈦Γ分散性變得更好，亦可施行 浮液中，配人面被覆。此外，亦可在薄片狀鈦酸懸 夜中配合需要添加分散安定化劑。 本發明的導電性組成物人 片狀化合物，夂志、 合劑與上述導電性薄 处人心 ^分的調配比率並無特別的限制，可配合 、、、。合劑種類、所欲莽楫細成舲 組成物的用料，從廣範圍中進行 赤擇’右考慮所欲獲得組成物的導電性、機械強度、 :加工性、4薄膜化的造膜性等因素之下，通常相對於 ;。&劑曰100重量份’若將導電性薄片狀化合物設定為5至 GO重里份（取好10至50重量份）的話便可。 、口口刈並然4寸別的限制，可採用任何能分散導電性薄 ^化合物的週知基質材料，其中最好採用如：熱可塑性 :月曰、熱硬化性樹脂、無機質結合體、含金屬有機化合物 等、、-合劑可單獨使用i種，或者配合需要合併使用2種 以上。 熱可塑性樹脂的具體例，可舉例如：聚乙烯、聚丙烯、 聚異丙烯、氯化聚乙烯、聚氯乙烯、聚丁二烯、聚苯乙烯、 耐衝擊性聚苯乙烯、丙烯腈-苯乙烯樹脂（AS樹脂）、丙烯 腈-丁 _烯_苯乙烯樹脂（AB s樹脂）、甲基丙烯酸甲酯-丁二 烯-苯乙烯樹脂（MB S樹脂）、甲基丙烯酸曱酯-丙烯腈-丁二 15 314889 1230743 烯-苯乙烯樹脂（ΜAB S樹脂）、丙烯腈_丙烯酸橡膠-苯乙烯 樹脂（A AS樹脂）、丙烯酸樹脂、聚酯（聚對苯二甲酸乙二 酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對萘二甲酸乙二酯等）、聚碳 酸酯、聚苯醚、改質聚苯醚、脂肪族聚醯胺、芳香族聚醯 胺、聚苯硫醚、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚楓、聚芳香酯、 聚醚酮、聚醚酮酮、聚醚腈、聚硫醚碉、聚醚楓、聚苯并 咪唑、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚甲醛、液晶聚合物 等。熱可塑性樹脂該等可單獨使用丨種、或亦可配合必要丨 混合使用2種以上。 熱硬化性樹脂的具體例’可舉例如:聚胺基甲酸乙酿、 苯嶋旨、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、不飽和聚醋樹脂、 鄰苯二甲酸二烯丙醋、石夕朦樹脂、環氧樹脂（聯苯紛a型 環氧樹脂、聯苯驗F型環氧樹脂、苯_清漆型 月^、甲齡㈣清漆型環氧樹脂、環狀脂肪族環氧樹脂、縮 7甘’由m氧樹脂、縮水甘油㈣環氧樹脂、 樹脂、胺基甲酸乙醋改質環氧樹脂、淳化m , 樹脂等博。熱硬化性樹脂可單獨使用、^P^A型環Μ 合使用2種以上。 蜀使用1種、或配合需要混 無機質結合體的具體例，譬如將矽 酸鹽等無機質硬化性物質之其中"重、或：a鹽、爛 :’或者該等的前驅體物質、含水和物質等，二：的混合 包子束、催化劑等而硬化，並形成非溶性生、、光 ㈣結合劑等。無機質結合體可單獨使用：：性：或可 需要混合使用2種以上。 或配合 3]4889 16 1230743 含金屬有機化合物的具體例，舉 物、有機鈦化合物、有機碑化人& w 有機石夕化合 屬有機化合物可單獨=:二:，化合物等。金 使用。 早獨使用1種、或配合需要混合2種以上 塑性亥等結合劑之中，於本發明中仍適於使用熱可 3·曰或熱硬化性樹脂，尤以熱可塑性樹脂更佳。 〜円在本發明的導電性組成物中，在不損及其較佳特性的 丨了3有1種或2種以上之除本發明導電性薄片 口物之外的導電性材料，特別係具薄片狀(或板狀或衅 狀）、纖維狀、粒狀、球狀等 ^ ^ :充Μ、顏料、有機溶劑、抗氧化材料、抗模 :1:潤滑劑、熱安定劑、難燃劑、防滴劑、紫外線吸收： 二:定劑 '遮光劑、金屬非活性劑、抗老化劑、可塑劑、 衝#強度改良劑、相容劑（compatibilizer)等。 人 杳月的導黾性組成物乃將結合劑與導電性薄片狀化 2之各既定量、及配合需要添加其他適量之添加劑，依 -次知方法進行混合及/或混練後便可製得。譬如將粉末、 珠狀、碎片狀或顆粒狀各成分，採用單軸擠出機、雙轴悴 线等播出機、班布瑞混合機（Banbury mixer) H捏^ 機（pressure kneader)、雙輥機等混練機，經由混合、混練， 便可製得本發明導電性材料。將該組成物經由壓製成形、 射=成形、擠出成形、鑄模成形等週知成形手段，、便^形 成溥膜、薄片或其他任意形狀的成形品。此外，配合用途 亦可调製於黏著劑、塗料、油墨、焊錫膏等各種形態中。 314889 17 1230743 本發明的導電性組成物乃 質的結合劑、及其他成分“l l而適田适擇構成基 零件的靜電塗裝用底亦可使用於除樹脂製外裝 用底/茶用途之夕卜 I ψ、道 上。 K外要求導電性的各種用途 具體而言，gg + γ 放哭Μη接 電腦、文字處理機、⑶播 敌杰、MD播放器、dvd嫉从口口 pHe ρηΔ^ 插放裔、耳機音響、行動電話、 PDA(私子筆記本等 与搪批， 助貝5孔、、Ό而）、收發兩用機、攝 〜、、數位照相機、照相機、 傳直她〜〃 饿包子知片影印機、印表機、 料、構造零件(皮帶、各種輥、的外…塗佈用塗 taDe、、恭•“疋轉構件的軸承、載帶Cder P )載f用捲軸、磁帶用捲紅笼、· 盤早Λ μ ^ f用捲軸寻），或包裝材料（袋子、 边子、底片盖、容器等）；Ic、 月、薄膜、托盤、广广/ 寺+蜍驵兀件搬送用薄 ’、 底座（carrier)、晶盒、封裝等帝+嬙哭 零件或精密機器零件的搬運用導電性 .、⑨、-

Ic、無引線晶片载體(LeadlessChipC 平面封裝型 w 干 SS Chlp Carnei^ IC、可撓印 刷电路基板等的連接器或非等性 拓夕千尸a 土 命电注厚，印刷電路基 電乳式連接用、介層洞或貫穿洞用、圖案 性焊錫膏；電感器、電容器、共槎 ，’、 煜瓴Α · τ广 派叩寺陶尤構造用導電性 陽D1致變色（士咖*〇叫、電激發光、太 =、:：光薄膜、光學快門等顯示電子零件用抗靜電薄 、，半$脰元件或發光二極體構穿用 崎总、心劑；CRT(陰極射 二)、LCD(液晶顯示器)、PDP(電漿顯示器)等顯 ::波阻斷薄膜或塗料、焊錫膏等;電極、層積陶讓、 “貝包感、壓電晶體、電阻體、印刷電路基板等電子零件 314889 18 1230743 用端子電才圣；薄膜電池、太陽電池、二次電池等電池用奮 極或電極用塗料；半導體裝置或電子零件製造用治具；影 像形成裝置用分離爪；電子接點黏著用或電磁筛選用導； 性轉寫帶；數化板（digitizer tablet)、壓力電阻轉 壓力電容轉換元件、排線；襯墊(gasket)、無塵室、食品衛 生室、醫院測量室等的病床材料、天花板材料、燃料槽钉 弱=用齒輪、滑輪、髮梳；有機溶劑用管、熔接點用塗料、 磁▼，電力用絕緣I線、直流用線、纜線的屏蔽層壓板 (^ieldlaminate)用組裝物或黏著劑；pTc元件、導;:、 導電不織布、抗靜電性手套等。此外，亦可當作熱二生、 散熱性組裝物、塗料、焊錫膏、黏著劑、薄片使用。另外， 將由本發明之導電性組成物經紡紗後獲得之纖維所構成的 ^品：使用為譬如當製造地毯、㈡、汽車用等輸送機 二豕具用薄板、内裝底布、導電性布料、各種薄膜、 、、·氏尿布、生理用品等衛生用品之際的 機的 乾式帆布等。 f I、、，氏機的 本發明的導電性薄片狀化合物係可調整為任音厚产 =為對特定形狀及具氧化鉀含量的基材施行特；的：電 处理，因此具有優越的導電性能，特 於椒日匕士 J田1定用馮供調配 料之^㈣成樹脂製外裝零件之靜電塗裝用底漆層的材 二兄日'，便可將底漆層膜厚薄膜化為1jl 1〇…呈 ^ ^扦可對底漆層賦予適合靜電塗裝的1〇4 。 ^表面電阻值，而且無表面電阻值不均現象，且 ^ ^ Φ M 4J- φ'ί ，、兩白知導 材枓所未有的優越特性。 314889 19 1230743 再者，本發明的導雷彳 鈇妒 ^包11溽片狀化合物乃因為基材屬於 文，因此具有表$古ώΑ人λ, ^ , 阿的白色度與隱蔽性。當將其調配於樹 月日中而塗膜化之情況. 日祕 月况守便可製造不僅形成導電性薄膜， 且、准持極高隱蔽性的涂膜。 夕株、 U 普通當使用為靜電塗裝用底漆 :况日守’幾乎使用於要求鮮盤色彩的用途方面。但是， # ::兄下二所塗裝的樹脂基材大多著色為黑色，在底漆層 更要求隱蔽黑色。因此 U ^ 具有鈦酸白度與隱蔽性的本材料 更屬有效材料。此外1用將底漆層白色化，當然可有效 ;汝白色紅色、監色、黃色等鮮豔色彩的靜電塗裝， :可有效適用於米黃色、水藍色、粉紅色等淡色的靜電塗 裝。當然亦適用於黑色、銀色類之濃色系的靜電塗裝。 3本發明之導電性薄片狀化合物的本發明導電性組成 物’其表面電阻值通常$ 1〇_2至1〇,的極低範圍，顯示 優越的導電性。特別係基質樹脂的本發明組成物，因為不 致影響該造膜性，1可任意調整表面電阻值，因此使用該 者的話’便可輕易製造具有104至10%程度的表面電阻/ 值 且膜厚1至l〇//m程度的薄膜。 再者，本發明導電性組成物乃因為成形收縮率較低， 因此具有尺寸精度佳，且顯示優越機械強度的優點。 II佳實施例説明 以下舉合成例、實施例及比較例，具體說明本發明。 (合成例1) 將碳酸鉀27.64g、碳酸鋰4.91g、二氧化鈦69 23 、 § 氣化鉀74.5 6g，經乾式粉碎並經混合而成為原料，在11〇〇 314889 20 1230743 C下燃燒4小時。將經燃燒後的試料浸潰於i〇kg純水中·， 、、工攪拌2G小日守後進行分離，並經水洗後，在}}代下進行 乾燥。所獲得白色粉末乃為層狀鈦酸鹽κ。…。⑽丁、⑴ 〇4，平均長徑44 // m，平均厚度3 # m。 將此 KG 8GLiG 266Ti] 7 3 3 〇4 65g 分散攪拌於 3.5% 鹽酸 5kg 中之後，獲得將K離子與Li離子交換為氫離子或水合氫 離子的層狀鈦酸。經分離、水洗後所獲得層狀鈦酸的κ2ο 歹欠存里為2.0重罝％。Κ離子交換率為92〇/。，Li離子交換 率在99 /〇以上。K離子與u離子的總交換率為94%。將此 層狀欽酸分散於5kg水中，一邊進行攪拌一邊添加1重量 %正丙胺水溶液250g⑴當量％)。經攪拌3〇分鐘程度之 後，再添加3.5%鹽酸而調整為pH2 〇。經攪拌】小時後， 利用吸引過濾進行分離。將含水餅分散於水中，並重複三 次水洗、分離的操作而充分洗淨。在11〇t下進行Η小時 乾燥。將乾燥體利用攪拌器予以解碎後，獲得薄片狀欽酸。 此粉體的鉀含量，依氧化鉀（尺2〇)換算為重量％，平均 長徑30// m，平均厚度〇.3// m。 (合成例2) 將碳酸鉀27.64g、碳酸鋰4 91g、二氧化鈦69.23§、 氯化鉀74,56g’經乾式粉碎並經混合而成為原料，在95〇 °C下燃燒4小時。將經燃燒後的試料浸潰於i()kg純水中， 經攪拌20小時後進行分離’並經水洗後，在u(rc下進行 乾燥。所獲得白色粉末乃為層狀鈦酸鹽K〇“6Ti "”丁 〇4，平均長徑9 // m，平均厚度} " m ◦ 314889 1230743 將此心“61^.7 3 3 〇4 13g分散搜拌於i 75%鹽酸. 200kg中之後，獲得將κ離子盥 一 L】離子父換為氫離子或水 合氫離子的層狀鈦酸。經分離、★、土 刀雕、水洗後所獲得層狀鈦酸的 K20殘存量為6·0°/〇。K離子交施专炎π 丁又換率為76%，Li離子交換率 在99%以上。K離子與Li離子的綸六她f从 雕卞的總父換率為82%。將此層 狀鈦酸分散於600g水中，一邊谁并 故進仃攪拌一邊添加0β6% 3- 甲氧基丙胺水溶液250g(22當| 〇/、 ^ Μ △田里/〇)。經攪拌丨小時程度之 後，再添加3.5%鹽酸100g，於㈣下進行授掉後’利用 吸引過濾進行分離。將含水餅分散於水中，並重複三次水 洗、分離的操作而充分洗淨。在i ]L 〇疒下、隹―，c t 士 + 0 了你i丄υ l下進行15小時乾燥。 將乾無體利用擾掉器予以解碎播兹 千卞俊，獲付溥片狀鈦酸。此粉 體的Κ2〇殘存量2.1%，平均具侦Α 9 卞Θ長I 6.2# m，平均厚度〇 〇4 // m 〇 (合成例.3) —將礙酸鉀27.64g、碳酸鐘4.91g、二氧化鈦69為， 經乾式粉碎亚經混合而成為原料，在85〇。。下燃燒4小時。 所獲得層狀鈦酸鹽為K。snLi Ti r\ ,χ "oLUmgTi〗 7 3 3 〇4 ’粉碎後的平均長 徑5 // m，平均厚度2 ν m。將此κ 0.8 0 L i 〇 2 6 6 T i ] 7 3 3 〇 4 6 5 g 为 散攪拌於3.5%鹽酸5kg中之後，再進行過渡。利用2%鹽 酸5kg在布氏漏斗上進行洗淨，獲得將κ離子與Li離子 又換為氫離子或水合氫離子的層狀鈦酸。經水洗後所獲得 層狀鈦酸的K2〇殘存署兔〇jθ 久仔里马〇.14重置°/。。Κ離子與Li離子 的總交換率為99·6%。將此層狀欽酸分散於5kg水中，— 邊進行攪拌一邊添加1%正丙胺水溶液25〇g(u當量％)。經 314889 22 1230743 授掉30分鐘程度之後’再添加3.5%鹽 J ,登為 ρΗ2 0‘。 經攪拌1小時後，利用吸引過濾進行分 · 。將含水餅分散 於水中，並重複三次水洗、分離的操作而 〇r. ^ ^ 兄刀冼净。在11 〇 C下進行15小時乾燥。將乾燥體利用攪挫w。 用撹拌态予以解碎後， 名又得薄片狀鈦酸粉體。此粉體乃厚庚] 予度10// m以下的極薄 鈦酸重疊而形成大於初期粒度的板狀。 丁 l 个均長徑l〇#m， 平均厚度〇.5//m。 (合成例4) 將碳酸鉀27.64g、碳酸鋰4.91g、-旬儿& & —虱化鈦69.23g、 氯化鉀74.56g’經乾式粉碎並經混合而成為原料，填充於 以白金坩鍋為内容器的雙層坩鍋中，昇温至12〇〇它之後，、 再依4。(： /hr降溫至60CTC，铁德你Μ Φ而山 _ …、俊仗爐中取出。將燃燒後的 試料浸潰於IGkg純水中，經授拌2〇小時後進行分離，並 經水洗後’在not下進行乾燥。所獲得白色粉末乃為層 狀鈦酸鹽KuGLiG.^Tiun%，平均長徑8〇/zm，平均厚度 5 // m。 將此K〇 8GLiG㈤丁丨】7 3 3 〇4 I3g分散攪拌於1.75%鹽酸 2/0kg中之後，獲得將κ離子與Li離子交換為氫離子或水 合乳離子的層狀鈦酸。經水洗後所獲得層狀鈦酸的Κ2〇殘 存置為6.0%。Κ離子交換率為76%，Li離子交換率在99% 以上。κ離子與Li離子的總交換率為82%。將此層狀鈦酸 分散於600g水中，一邊進行攪拌一邊添加〇·6% 3_甲氧基 丙胺水溶液250以22當量％)。經攪拌1小時程度之後，再 添加j.5%鹽酸100g，於6〇。〇下進行攪拌後，利用吸引過 23 314889 1230743 滤進行分離。將含水餅分散於水中，並重複三次水洗、分 離的操作而充分洗淨。在！ 10t：下進行15小時乾燥。將乾 燥體利用授掉器予以解碎後，獲得薄片狀鈦酸。此粉體的 K2〇殘存量4.5。/。’平均長徑叫m，平均厚度〇一。 (合成例5) 將碳酸鉀28.3g、氫氧化鎂U 7g、二氧化欽^、及 氯化鉀75g 經乾式粉碎並經混合而成為原料，纟⑴代 下燃燒ίο小時而進行製作。將經燃燒後的試料浸潰於i〇kg丨 純水中，經攪拌20小時後進行分離，並經水洗後，在"ο t下進行乾燥。所獲得白色粉末為平均長徑，平均厚 度 1 // m 〇 重複一人將此K0 80Mg0 “Ti, 60〇4 65g分散授掉於3 5% 鹽酸5kg中，將K離子與Mg離子交換為氫離子或水合氣 離子的操作。經分離、水洗後所獲得層狀鈦酸的κ2〇 量為0.5%、Mg〇殘存量為u%。κ離子交換率為燃，

Mg離子交換率為92%。κ離子與Mg離子的總交換率為 。將此層狀鈦酸分散於5kg水中，一邊進行攪拌一邊 添加1%正丙胺水溶液500g(23當量％)。經攪拌3〇分鐘程 度之後，再添加3·5%鹽酸而調整為pH2〇。經攪拌！小時 後’進行分離。重複三次分散於水中並經水洗、分離的摔 作而充分洗淨。在11(TC下進行15小時乾燥。將乾燥體利 用攪拌器予以解碎後’獲得薄片狀鈦酸粉體。此粉體的κ 〇 殘存量為0.5%，平均長徑5"m，平均厚度〇3心。2 (合成例6) 314889 24 1230743 將碳酸鉀28.3g、氫氧化鎂i"g、二氧化鈦64g、及 乳化_ 75g，經乾式料並經混合而成為原料，在 下燃燒3小時而進行製作。將經燃燒後的試料浸潰於1〇kg 純水中’經授拌20小時後進行分離，並經水洗後，在ιι〇 c下進行乾燥。所獲得白色粉末為平均長徑23…平均 厚度3 // m。 重複三次將此K〇 8〇Mg〇 4〇Tii 6〇〇4 65g分散授掉於3 5% 鹽酸5kg中’冑κ離子與Mg離子交換為氫離子或水合氮 離子的操作。經分離、水洗後所獲得層狀欽酸的¥殘存 1為L2%、Mg〇殘存量為LK離子交換率為95%，

Mg離子交換率為92% dK離子與叫離子的總交換率為 ㈣。將此層狀鈦酸分散於5kg水中，一邊進行授拌一邊 添力口 / %正丙胺水溶液500g(23當量％)。經搜拌3〇分鐘程 度之後，再添加3.5%鹽酸而調整為沖2〇 後，進行分離。重複三次分散於水中並經水二= 作而充分洗淨。在！】〇 A 1 ^ &U〇C下進仃15小時乾燥。將乾燥體利: ㈣器予以解碎後，獲得薄片狀鈦酸粉體。此粉體的K2〇 殘存量為1.0%，平均長徑20//m ’平均厚度〇 5心。2 曰合成例1至6中的層狀鈦酸鹽組成式、平均長徑、平 句厚度以及薄片狀鈦酸的平均長徑、平均厚戶， ^ 化鉀（K2〇)換算的鉀含量，如表1所示。 X 虱 314889 25 1230743 表1 —----- 合成例 2 合成例 3 合成例 1 合成例 4 合成例 5 合成例 6 組成式 K〇 • 8〇Li〇.266Til.733〇4 K〇.8〇Mg〇 40ΤΪ] 60〇4 層狀:ί太 酸鹽 平均長徑 L( V m) 9 5 44 80 5 23 平均厚度 (U m) 1 2 3 5 1 3 薄片狀 鈦酸 平均長徑 (β m) 6.2 10 30 80 5 20 平均厚度 ^n) 0.04 0.5 0.3 0.7 0.3 0.5 鉀含量 (%) 2.1 3.6 1.1 4.5 0.5 1 (實施例1至6) 將合成例1至6所獲得薄片狀鈦酸25〇g分散於25〇〇ml 中，在將水溫保持於7(TC情況下，利用攪拌機攪拌丨〇分 鐘而漿料化。*次，纟此漿料中，於 '約1小時内點滴下將 氯化錫水，奋液（Sn換异23重量％)i3〇g、與三氯化銻12·^ 溶解於12重量％鹽酸66.6g中所形成的混合溶液，在此之 同時，個別滴下15重量％的氫氧化納水溶液，使整體反應 义、PH保持方；1 1 4乾圍。在第1階段的點滴反應結束 ί，便在保持此狀態下的PH與液溫之情況下攪拌3〇分 丨、時内點滴下將氣 與1 2重量％鹽酸 其次，於約1 异23重量％)i3〇g、 化亞錫水溶液（Sn換 1 0 0 g的混合溶液，與 314889 26 1230743 第-階段相同’同時個別滴下15重量％的氫氧化鈉水溶 液，將PH保持於2至5範圍。在第2階段的點滴反應結 束後，便在保持此狀態下的pH與液溫之情況下攪拌Μ八 鐘。然後’放置冷卻至室溫之後，對反應生成物進行過濾： 水洗、脫水而乾燥。將所獲得乾燥品在氧化性環境下的大 Ή ’施行表2所示溫度及時間的處理，而獲得本發明的 薄片狀導電性化合物。 —再者’實施例！至6的薄片狀導電性化合物之平均長 徑、平均厚度、及氧化鉀(Κ2〇)換算的鉀含量，乃分別如同 各自原料的合成例1至6薄片狀鈦酸的相同值。 貝鼽例1至6的氯化錫與三氣化銻添加時的、氯化 亞錫添加時的pH、以及熱處理時的溫度與時間，如表2 所示。 表2 實施例實施例 2 425 丨貫施例 實施例 實施例 實施例 1 4 5 6 1.6 2.0 3.8 1.2 2.8 3.0 3.8 2.1 400 450 475 500 1.0 1.5 2.0 | L0 氯化錫與三氯化銻添加 日ττ的p Η 氯化亞錫添加時的pH 熱處理溫度（°C) 熱處理時間（hr) 由TEM(牙透型電子顯微鏡）觀察中確認到，該等$ 片狀導電性化合物係在屬於芯材的氧化鈦表面上，依序刃 成由氧化錫與氧化銻所構成第丨導電層、及由氧化錫所與 27 314889 1230743 成第2導電層，而所構成的導電性材料。此外1 層平均厚度1()麵、第2導電層平均厚度8nm。在第: 層中，相對於氧化錫換算i 〇〇重量 包 .θ . 3有虱化銻換算21.0 重罝份的銻。 (比較例1) 除取代合成例1之薄片狀鈦酸， 向改為採用粒狀氧化 鈦（商品名：JR’德佳（股）（公司名，音譯）產製，平均粒徑 0.27㈣之外，其餘均如同實施例^行相同的操作，而 製得粒子狀導電性化合物。 (比較例2) 除取代合成例1之薄片狀鈦酸，而改為將合成例”斤 獲得生成物中間體[在將薄片狀鈦酸進行 .逆仃潯片化之前的階 #又便取出，經乾燥後，於5 〇 〇 °c下烬_〗| 士 小時，而獲得的 涛片狀氧化鈦（平均長徑30/z m、平均i0 "予度2 // m、鉀含量 1·9重量％(氧化鉀（ΙΟ)換算））]之外，i钤 八餘均如同實施例1 施行相同的操作，而製得薄片狀導電性化合物。 (比較例3)

除取代合成例1之薄片狀鈦酸，而改A 乂马‘用氧化鈦纖 維（商品名：FTL_2〇〇，石原產業（股）產製， 衣十均纖維徑0.2 “ m、平均纖維長度3 // m)之外，其餘均如每 ,一 J貝方也例1施 行相同的操作，而製得纖維狀導電性化合物。 (比較例4) 將碳酸姜甲2 7 · 6 4 g、碳酸經4 · 9 1 g、二轰扎 ^ 礼化鈦69.23g、 氯化鉀74·56g，經乾式粉碎並經混合而成Λ 乂兩原料，在1 100 314889 28 1230743 進行 C下燃燒4小時。將經燃燒後的試料浸潰於l〇kg純水 經授摔20小時後進行分離，並經水洗後，在1HTC下 乾燥。所獲得白色粉末乃為層狀鈦酸鹽… 〇4 ’平均長徑44/ζπι，平均厚度3#m。 將此KG 8GLiG 2“！^ 73 3 〇4 65g分散攪拌於3 ·5%鹽酸51 中之後，獲得將Κ離子與Li離子交換為氫離子或水合氫 離子，層狀鈦酸。經分離、水洗後所獲得層狀鈦酸的K2( 戈存里為2·0重里％。κ離子交換率為92%，u離子交換 率在9 9 %以上。κ離+盘τ .仏7 子” Ll離子的總交換率為94%。將4 。層狀鈦酸分散於5kg水中’―邊進行授拌一邊添加… :正丙胺水溶液25〇g⑴當量%)。經授拌3〇分鐘程度之 後’再添加3.5 %鹽酸調替盘μ Λ 為ρΗ2·〇。經攪拌1小時後，矛 用:引^而分離。將含水餅分散於m鹽酸中，加熱至 ::5小時。將其分散於水中，並重複三次水洗、 刀離的知作而充分洗淨。在 ^ ^ ^ m s C下進行1 5小時乾燥。將 乾秌肢利用攪拌器予以解 一 的鉀含# π & π 又溥片狀鈦酸。此粉體 甲^依乳化針（κ2〇)換算為0·2重量％ m，平均厚度0.2// m。 ^食仫08// 針對上述實施例1至6及比較 ^ 化合物，依日s T、+、方、> 至4所獲得導電性 佤^、下述方法，求取體積 長徑(吟平均厚度Um)、及：羊(Ω ·—、平均 (Ω)。結果如表3所示。 Α、，且成物表面電阻值 ⑴體積電阻率（Ω · cm) 在聚縮醛製圓筒狀容器（外徑 28mm、内徑 10mm、再 314889 29 1230743 、）中衣入粉末試料〇 ·5 g ’將兼作電極用銅製棒（具看 與上述圓筒狀容器内徑相同的直徑）從上述圓筒容器二側 插入，❿&夾上述裝入的試料粉末，然後依職細2壓 力進行壓縮，並測量電極(銅製棒)間的電流值及電壓值， 且未取電阻值⑴）。然後依照下式，從測量時的試料厚 度與電極面積’求取體積電阻率Ρ(Ω · cm)。 體積電阻率p電阻值（Ω)χ [電極 度（cm)] (2)平均長徑（// m)及平均厚度（#⑷ 平均長徑乃利用雷射繞射式粒度分佈測量裝置，平均 厚度=利用掃描型電子顯微鏡⑽⑷依i _至！ 〇_倍進 仃硯祭’或者利用穿透型電子顯微鏡(TEM)依10_至 10 00000倍進行觀察然後 傻k刻度進订貫測計算而求得。 再者，如下述，製造本發明的導電性樹脂組成物與比 較用樹脂組成物。塗斜用$ γ 、 帖F…， 細酸黏結劑(商品名：愛克羅世 帕-FS克利亞（音譯），固形 40%，大曰本塗料 中，依相對於其固形份為3〇 衣）( 重里/°的比率，調配著實施例 1至6的薄片狀導電性化合物，妳 、 、、二償袢14化合，而製得 發明的導電性組成物。 衣彳于本 除取代實施例…的導電性化合物，而改為採用比 較例1至4的導電性化合物之豆 比較用組成物。 -餘句如同上述’製得 將依上述所獲得本發明與比較用導電性組成物，在膜 厚5。—薄膜上’依乾燥膜厚呈‘之狀態進= 314889 30 1230743 膜’採用測量機器（·商 高電阻值1〇4至10]2 音譯），低電阻值1〇-5 ，測量表面電阻值 佈，並乾燥。針對依此方式所形成的塗 品名·愛雷斯達ip(商品名，音譯）， Ω用及商品名：愛雷斯達gp(商品名， 至107Ω用，均為三菱化學（股）產製） (H )。結果如表3所不。 再者，依下述，製造本發明的導電性樹脂組成物與比 較用樹脂組成物。在6,6-尼龍（商品名：賽德爾（音譯），、杜 邦公司產製）中，依30重量％比率調配入實施例工至6的 薄片狀導電性化合物經混練而製得本發明的導電性組成 物顆粒。 除取代實施例1至6的導電性化合物，而改為採用比 杈例1至4的導電性化合物之外，其餘均如同上述，製得 比較用組成物顆粒。 採用依上述所獲得本發明與比較用組成物的顆粒，依 據DIN-16901法，測量成形後經過24小時後的成 寸（Mf)、模具尺寸（Mw)，並從下式計算出其成形收縮°率 (°/〇)。結果如表3所示。 成形收縮率（％) = (Mw-Mf)/Mwx 1 00 其中’考慮成形時的非等向性，而記載著經除以樹脂 成形時之流動方向與其垂直方向的各值差後之數值。 314889 1230743 表3 ===== 實施例 2 實施例 3 貫施例 1 實施例 4 實施例 5 實施例 6 形狀 -—~-—__ 薄片狀 薄片狀 薄片狀 薄片狀 ... ......... 薄片狀 薄片狀 平均長徑（// m) 6.2 10 30 80 5 20 平均厚度（// m) ——-—- 0.04 0.5 0.3 0.7 0.3 0.5 體積電阻率 (Ω · cm) 8x 102 lx 102 8χ 101 9χ ΙΟ1 7χ ΙΟ1 6χ ΙΟ1 表面電阻率（q ) -----_ 7x 106 8χ 1〇6 5χ 106 6χ 1〇6 9χ 1〇6 ----- 7χ ΙΟ6 成形收縮率（〇/0) —---- 0.2 0.2 -------- 0.2 0.2 0.2 0.2 形狀 比較例 1 比較例 2 比較例 3 比較例 4 粒狀 薄片狀 薄片狀 薄71Γ 平均長經（“ —~1—- 0.3 30 30 0.8 平均厚度（//m) ~ —-—— ^ t. _ " — 0.3 2 0.3 0.2 體積電阻率 (Ω · cm) Φ ----~-- lx 102 2χ 1〇2 2χ 102 -----—J 5χ 1〇3 表面電阻率（Q ) ~~ITT/ w' --~ 1012以上 6χ 1〇9 2χ ΙΟ10 10η以上 成形收縮率（〇/〇) 0.2 0.2 0.1 1 ——— 0.2 片大導電性化合物 Y I員現出優越的 之導電性化合物 的表面電阻值， 由表3中得知，當含有本發明之薄片 之情況時，即便形成5 // m之極薄膜，仍 表面兒阻值。相對於此，由比較例1至4 所構成膜厚5 V m的薄膜，並未顯現出較佳 得知無法薄膜化。 土 314889 32

Claims (1)

1230743 1230743 拾 、申請專利範圍： · 1.種導電性薄片狀化合物，其特徵係包括：平均長徑1 。：均厚度。·01至1·5”’且在依氧化峰2〇) •至5重量％鉀的氧化鈦表面上，形成由含 ::氧化錫所構成的第丨導電層，再於^導電 成由氧化錫所構成第2導電層者。 I 利範圍第1項之導電性薄片狀化合物，其中， =層係相對於依氧化錫（Sn〇2)換算錫成分重 ’ 3有依氧化銻（Sb2〇3)換算錄成分0.1至50重量 :申:::：圍第1或2項之導電性薄片狀化合物，其 產生作用酸中’使具層間膨潤作用的驗性化合物 揉用錫化合落層間：所獲得薄片狀鈦酸表面上， 第2導電〜:弟1 ¥電層，並採用亞錫化合物形成 4. 再經熱處理而獲得者。 -項之導電性ΪΓ係將申請專利範圍第1至3項中任 5·如申^ 片狀化合物調配於結合劑中而成。 合劑:。=:4項之導電性組成物，其中，係在結 一項 77中，凋配申請專利範圍第1至3項中任 6.如申請專:;;圍:::合：5:5°重量份而成。 合劑係從熱可塑性· ¥電性組成物’其中’結 體、及八入~ ^月曰、熱硬化性樹脂、無機質結合 …有機化合物中選擇1種或2種以上。 314889