TWI222216B - CMOS image sensor and method of fabricating the same - Google Patents
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Description
1222216 五、發明說明（l) 瘀明所屬之技術領垃 本發明是有關於一種半導體記憶裝置及其製造方法 且特別是有關於一種CMOS感應器及其製造方^。 先前技術 互補金氧半導體（Complementary Meta卜Oxide-Silicon，CMOS)影像感應器係一種裝置，適 用於將光學影像轉換為電子訊號。該互補金氧半導體影像 感應器利用金氧半導電晶體為切換裝置，以轉換循序式電 子訊號。此種互補金氧半導體影像感應器若相^於利用電 荷耦合元件（Charge Coupled Device，CCD)製作之影像感 應器有其優越之處。例如互補金氧半導體影像感應器之生 產成本較低，消耗之電力較少，製程亦相對容易。另外， 於CCD影像感應器上不可隨機存取資料，但在CM〇s影像感 應器上已可實施。從1990年代末期至今，不但CMOS製造技 術已發展成熟，且訊號處理演算法之進步亦增強CMOS影像 感應器之功能。 CMOS影像感應器可依單位像素之電晶體數目分類為單 電晶體架構、雙電晶體架構、三電晶體架構、及四電晶體 架構。其中單電晶體架構具有高填滿率（意即一像素中可 感光區所佔百分比率高），但存在雜訊過大之問題。因 此’部分之CMOS影像感應器採用三電晶體架構及四電晶體 架構。其中三電晶體架構又優於四電晶體架構，因其生產 成本較低，填滿率較高，且具有優越之影像滯後
12082pif.ptd 第6頁 1222216 五、發明說明（2) (lagging)及成膜（blooming)性質。 參照第1圖，所繪示係一習知採用三電晶體架構之 CMOS影像感應器之製造方法，詳述如下。 請參照第1圖，一元件隔離層2〇形成於基板上一預設 區之處，以形成主動區。於該主動區上形成一形成一矽氧 化層，以作閘極絕緣層3 〇之用。接著形成一閘極傳導層於 基板層1 0與閘極絕緣層30之上。以該閘極傳導層形成複數· 個閘極傳導層圖案40 ,分佈於該主動區。此閘極傳導層圖 案40組成一重設電晶體之閘極電極、一選擇電晶體、及一 存取電晶體，亦即組成CM0S影像感應器之三電晶體架構。 然第1圖中僅繪示重設電晶體之閘極電極之閘極導層圖 案40。 、在形成閘極傳導層圖案40之後，於其周圍之主動區上 形，一低摻雜區94。接著一光二極體區99形成於鄰近重設 電，體源極之主動區上。其中光係照射於光二極體區9 9。 接著开y成間隙層5 0於閘極傳導層圖案4 〇之側牆上。以 此間隙層5 0為遮罩，以離子佈植製程形成一重摻雜區9 2， 而形成重設電晶體、選擇電晶體、及存取電晶體之源極或 j極在形成此重摻雜區9 2之時，亦形成一浮接擴散層 96 ’且輛接於重設電晶體之源極上。 層間介電層60形成於半導體基板及重摻雜區92上。 二匕工間介電層60上經形成-開口 65圖案，以露出浮接擴散 ΐ 2面、該重摻雜區92，及該閘極傳導層圖案4〇。熟 a者可知’可形成一插梢/互聯裝置以互聯該些電
1222216 五、發明說明（3) ' --------- 晶體之源極、汲極、及閘極。 …以離子佈植形成浮接擴散區96之時，離子之動能於該 净擴政區9 6中造成晶格缺陷，意即造成晶格位移及空 洞。由於在開口65之圖案形成步驟中亦包括以電漿各向異 性蝕刻該層間介電層6 〇，該浮接擴散區9 6因而遭受損壞。 此外，習知中降低電阻值之矽化步驟使該浮接擴散區96受 ，屬物質污染，而對CMOS影像感應器之特性有重大影響。 =要達成理想之CMOS影像感應器特性，則浮接擴散區中之 晶格缺陷、蝕刻損壞、及金屬污染影響都應減至最低。綜 上所述，CMOS影像感應器之製程中亟需一缺陷最小化之製 造方法。 發明内客 # ^因此本發明的目的就是在提供一種CM0S影像感應器及 八裝造方法’使該感應器具有理想之特性。 /本發明提出一種⑶⑽影像感應器及其製造方法，此結 構係包括··具有一第一傳導率性質之基板；具有一第二傳 導=性質之一浮接擴散區，該擴散區配置於該基板上之一 ，定區j具有一配置於該基板上之光二極體區，毗鄰於該 浮接擴散區；以及一源極插梢，該插梢與該浮接擴散區相 接觸。 依照本發明的另一較佳實施例所述，該影像感測器可 包括重設電晶體、選擇電晶體，以及其傳導層圖案，作為 該重設電晶體及選擇電晶體之閘電極。通常希望其中至少
12082pif.ptd 第8頁 1222216 五、發明說明（4) 一傳導層圖 同。此外， 源極插梢及 案。 又者， 該光二極體 者，該CMOS 層圖案至少 一曝露於該 接觸到該浮 —存取 該存取電晶 一而形成。 區之位置。 浮接擴散區 才系〇 案之厚 該影像 該選擇 通常該 區可包 影像感 其中之 浮接擴 接擴散 電晶體 體之閘 同時， 在此， 之間之 度及傳導率（雜質種類）與該源極插 感測器可包括一互聯機制，用以連2相 電晶體之閘極電極上至少一傳導層圖該 源極插梢以 括該具有第二傳導率 測器可包括 一絕緣層 一與該基板之間。該 。該源極 散區之開口 區0 更可耦接至 極電極由該 該光二極體 該傳導層圖 主動區，以 包含雜質之多晶矽質製成。 性質之雜質。更甚 圖案’介於該傳導 絕緣層圖案可包括 插梢可經過該開口 該選擇電 些傳導層 區可形成 案可配置 形成該存 晶體之源極。通常 圖案中至少其中之 於一遠離該浮接擴 於該光二極體及該 取電晶體之閘極電 依據本發明中一較佳實例之一影像感測器之製造方 法’該方法包括：於一基板上形成一絕緣層；在該絕緣層 上形成具有一開口之一絕緣層圖案，以曝露該基板上一預 定區；形成一傳導層於該基板上，其中包括該絕緣層圖 案；以及使該傳導層形成複數個傳導層圖案。其中一傳導 層圖案跨過該開口之上方。 依據本發明中一較佳實例之另一影像感測器之製造方 法，一浮接擴散區更形成於該開口下方之基板中。該傳導
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12082pif.ptd 第9頁 1222216 五、發明說明（5) 層圖案可與該浮接擴散區接觸。通常 質之多晶石夕為材料。且通常該含有雜質之^曰糸"^有雜 摻雜法。處理而成：擴散法、離子佈植法、及原位 口亥絕緣層則可以用氧 層而成。ϋ ^卜s 切—層錢⑦疊上-絕緣 料作成。一先;;Ί絕緣層係以蝕刻速度快於氧化層之材 處。該先前浮』=散：更可形成於基板中開口下方之 雜法中至；：；擴；散法：離子佈植法、及原位掺 -餘刻法剝離，1中：成“該上層絕緣層通常以 蝕刻率快速。，、 層絕緣層之蝕刻率較該氧化矽層之 邊影像感測器可包括重設及選擇電晶體，且該傳 圖案可包括該重設及選擇雷曰俨 曰 於該浮接擴編鄰开體：閘：。：：法更包括： 重設及選擇電曰俨成一個二極體區；形成該 雷曰，少3曰、之源極及汲極，以及分別於重設及選擇 二極e F ^虽、源極、及汲極之間形成一互聯裝置。該光 一。$係形成於該基板上鄰近於該浮接擴散區之處。 俨之ί;揣Γ層圖案跨於該開口之上形成，彳由該選擇電晶 2極、、且成，亦或耦接至該選擇電晶體之閘極。 顧县:讓本發明之上述和其他目#、特徵、和優點能更明 I #明^下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 、細听如下： 實施方2
1222216 五、發明說明（6) 本發明中一較佳實施例於下文中配合所附圖式詳細說 明。然而本發明可以由不同之形式實施，不限於本說明書 之實施例，對熟悉此技藝者係涵蓋整個發明範圍。於所繪 示之阈中，該些沈積層之厚度及區域為說明清晰起見，並 無按照等比例放大，且說明書中之文字若呈現「一沈積層 位於某層或某基板之上」’其意思表示為該沈積層可直接 沈積於所述之其它層之上，或兩者之間可存在其它層。又 說明書中文字所提及之元件編號與圖示中之編號一致。 請參照第2圖至第8圖，其繪示依照本發明一較佳實施 例的一種CMOS影像感測器之製造方法示意圖。 參照第2圖。一元件隔離層1 0 0形成於一半導體基板 100上之一預設區，定義出一主動區。該半導體基板1〇〇可 以為一石夕質基板，其上形成一層P型蠢晶層。在此較佳實 施例中，一P型深井可形成於例如該矽質基板及該P型磊晶 層之邊界處，其中該P型深井之雜質濃度比該P型磊晶層之 濃度為高。 一閘極絕緣層1 2 0形成於該主動區之上。通常該閘極 絕緣層1 2 0為一矽氧化層，係以熱氧化法將曝露之該半導 體基板100表面氧化而成。一光二極體圖案510形成於該閘 極絕緣層1 2 0之上，其具有一開口 5 1 5可曝露該閘極絕緣層 120 ;該開口 515因此定義出該CMOS感測器之浮接擴散區座 落處。 參照第3圖，以該光二極體之圖案51 〇為一遮罩’該閘 極絕緣層1 2 0曝露的部分經蝕刻形成一具有該開口 5 1 5之一
12082pif.ptd 第11頁 1222216 五、發明說明（7) 閘極絕緣層圖案125，該開口 515使該半導體基板1〇〇之上 表面曝露出來。 按上所述刻步驟造成該浮接擴散區之損壞，進而 使該CMOS感測器之特性不佳。為解決此問題，可以用濕式 餘刻法钱刻該閘極層1 2 0。另外，也可以使用一乾式钱刻 法，再配合後續之修復步驟。通常該修復步驟為一高溫熱 處理法。因此，通常該修復步驟應於形成雜質層或其它低 熔點材料形成之前實施。 -
參照第4圖’在剝除該光二極體圖案5丨〇之後，一閘極 傳導層1 30形成於整個結構之表面。依上所述，該閘極絕 緣層圖案1 2 5係介於該閘極傳導層丨3 〇及該半導體基板丨〇 〇 之間。如第3圖所示，該閘極絕緣層圖案丨2 5之開口使該半 導體基板100之一部分曝露出來，以形成該浮接擴散區。 因此，該閘極傳層1 3 0經過該閘極絕緣層丨2 5之開口與該半 導體基板1 0 0直接接觸。 ，又者，通常該閘極傳導層13()以含有雜質之多晶矽材 成，其形成法係擴散法、離子佈植法、及原位摻雜法 二*之一種方法。通常該閘極傳導層130含有之雜質為N型
125撼V'極J專導、層1 3〇所含之雜質透過該閘極絕緣層圖- 由於m“半導體基板1GG，以形成該浮接擴散區140。 政區140以擴散法形成，傳統上以離子佈植 法引發之晶袼缺陷問題得以避免。 ]極傳導層1 3 〇更可包括以下至少一種材料，如金
1222216 五、發明說明（8) 屬材質或矽化物，位於該多晶矽之上。 參照第5圖，該閘極傳導層1 30形成複數個閘極傳導層 圖案135於該主動區上。通常係利用一各向異性餘刻法處 理.，以形成傳導層圖案135，其中該閘極傳導層13〇之蝕刻 速率較該閘極絕緣層圖案1 25之蝕刻速率為快。 依照本發明中一較佳實施例，該閘極傳導層圖案丨3 5 組成該C Μ 0 S影像感測器之重設電晶體、選擇電晶體、及存-取電晶體之閘極電極2 1 0。又者，該閘極傳導層圖案丨3 5於 該浮接擴散區1 4 0上方形成一源極插梢2 〇 〇。形成該源極插 梢2 0 0之該閘極傳導層圖案1 3 5可作為該選擇電晶體之閘極 電極2 1 0。在此狀況下，該閘極傳導層圖案1 3 5自該選擇電 晶體之閘極電極2 1 0延伸至該浮接擴散區1 4 0。該閘極傳導 層圖案135可組成一轉換電晶體，以形成該CM〇s影像感測 器之四電晶體結構。 參照第6圖，於該閘極傳導層圖案135形成之後，一光 阻圖案5 2 0形成以曝露該閘極電極2 1 0附近之主動區。該光 阻圖案520覆蓋之區包括該浮接擴散區140附近之主動區。 下一步驟則於該主動區上形成該光二極體區。 以該光阻圖案520為一遮罩，以一離子佈植步驟310處 理曝露之主動區，形成一輕摻雜區150。該輕摻雜區位於 該些重設電晶體、選擇電晶體、及存取電晶體之每一閘極 電極附近，以形成該些電晶體之源極及/或汲極摻雜區。 參照第7圖，首先去除用來形成該輕掺雜區1 5 0之該光 阻圖案520。之後形成另一光阻圖案（圖中未示）以曝露出
12082pif.ptd 第 jg 頁 1222216
位於該源極插梢200周圍之主動區。以另一光阻圖案為一 遮罩’以一離子佈植步驟於該曝露出之主動區形成一^光二 極體區160。之後移除該光阻。在此形成該光二極體區 之步驟及該形成該輕雜雜區之步驟可互相交換順序。 於目前光二極體區160已產生之結構之整個表面上形 成一間隙層1 70。通常該間隙層丨7〇以氮化矽、氧化矽、= 氧氮化矽材料製成。 5 參考第8圖，該間隙層170以一各向異性蝕刻法於該閘 極電極210之側牆上形成一間隙層175。通常該各向異^蝕 刻以一光阻（圖中未示）為一蝕刻遮罩覆蓋該光二極體區 1 6 〇。因此該間隙層1 7 0仍保留在該光二極體區丨6 〇之上。 以該光阻圖案及該間隙層丨75為一離子佈植遮罩，以 一離子佈植步驟形成一重摻雜區18〇，位於該輕摻雜區15〇 之閘極電極21 0周圍。 形成一介電質夾層19〇 ’使整個覆蓋於該半導體基板 100上之該重摻雜區180之表面。通常該介電質夾層19〇係 以化學蒸氣沈積法（Chemical Vapor Dep〇siti〇n，CVD)形 成一氧化矽層。將該介電質夾層19〇形成一開口圖案192， 以曝露出該閘極傳導層圖案135及該重摻雜區18〇。用來耦 接至^亥浮接擴散區14〇之該開口 192曝露出該源極插梢2〇() 之上半部分。由於該浮接擴散區16〇之表面沒有曝露出 來，因此可避免在形成該開口192之時對該浮接擴散區16〇 之破壞。 、 之後’形成該插梢/互聯裝置1 95，並且經過該開口
1222216 五、發明說明（10) 192耦接至該閘極傳導層圖案135及該重摻雜區18〇 ^該源 極插梢200可透過該插梢/互聯裝置195耦接至該選擇電晶 體之該閘極電極210 ◊ 依照本發明之第二較佳實施例，參考第9圖及第工〇 圖，一CMOS影像感測器之製造方法詳細說明如下。該第二 較佳實施例之部分步驟與上述之第一較佳實施例相同，^ 在此針對相異之部分詳述如下。 參考第9圖，其繪示形成一元件隔離層11〇於一 區，以於該半導體基板1〇〇上定義出一主動區。 :閘極絕緣層120於該主動區上。通常該閘極 ； 2-氧化石夕層m及一繼疊其上之另一絕緣層心緣層:〇土 貫：：類似的是該氧化矽層i 2 i通常以熱氧化法氧化、 之半導體基板100而成。該上層之絕緣層122 * =快於該氧切層121之材料^因此，該^為= 通常以例如氮化石夕或氮氧切製成。w t緣層122 似的是，該光阻圖案510具有 ‘實施例類 散區。 疋義—浮接擴 參考第10圖，以該光阻圖案51 絕緣層12〇形成1極絕緣層圖案125，以曝使该問極 之上表面。該閘極絕緣層圖宰 出該主動區 緣層圖案125曝露出該浮接擴^ 二=二該閉極絕 圖案510則在此移除。擴放& 了此形成之處。該光阻 透過該閘極絕緣層圖案1 2 5曝露出之該主動 W ^，形成 1222216
-先刖擴散區142於其上。該先前浮接擴散區142係以擴散 法、離子佈植法、或原位摻雜法形成。為形成該先前浮接 擴散區142，可犧牲一層形成於一半導體基板1〇〇上之雜質 層，而不需該光阻圖案51〇。通常在該犧牲層中之雜質經 由該開口擴散至該主動之後即移除該犧牲層。通常以一能 蝕刻該犧牲層快於該半導體基板1〇〇及該上層絕緣層圖案 1 24之蝕刻方法移除該犧牲層。該犧牲層例如為一多晶矽 層。 在形成該先前浮接擴散區142之後，該上層絕緣層圖 案124可以一蝕刻配方移除，該蝕刻配方係使該上層絕緣 層124之蝕刻速率快於該氧化矽圖案123及該半導體基板 10 0。接下來之步驟則與第一較佳實例相對應之步驟相 ^。該浮接擴散區140之該雜質濃度可以用該先前浮接擴 散區142之形成步驟調節，因此該浮接擴散區14〇可具有適 合之雜質濃度。 ^回到第8圖，在此描述本發明中之一CMOS影像感測 器。於一半導體基板1〇〇上之一預定區上形成一元件隔離 層，以定義出一主動區。該半導體基板1〇〇包含一第一 傳導率性質之雜質，通常為一 p型雜質。該閘極傳導層圖 案1 3 5位於該主動區上以形成該重設電晶體、該選擇電晶 體、及該存取電晶體之每一閘極電極。通常該閘極傳導層 圖案135係以含有雜質之多晶矽材質製成。或者例如以含 有1或石夕化物之金屬材料製成。且通常該多晶矽包含之該 雜質為第二傳導率型之雜質（即N型雜質）。
1222216 發明說明（12) 該些電晶體之源極及/或汲極位於該主動區上該間極 傳導層圖案135之周圍，使成為該閘極電極210。該些源極 及/或汲極包括輕掺雜及重摻雜區150及180，該些摻雜區 組成一輕摻雜源極（light doped drain，LDD)架構。然而 通常避免該重摻雜區1 8 0位於該重設電晶體之源極附近。 該重設電晶體之源極包括該輕摻雜區丨5 〇且耦接至該浮擴 散區140。該光二極體區160疊於該浮接擴區140之上或遠 離該區。通常該浮接擴散區14〇及該光二極體區160含有該 第二傳導率性質（N型雜質）雜質。在此狀況下該重設電晶 體形成通路，該重設電晶體之汲極耦接至一電壓源Vd(1， 使得該電壓源作用於該浮接擴散區1 4 〇。 一閘極絕緣層圖案1 2 5位於該主動區，具有一開口以 曝露該浮接擴散區140。為了形成一金氧半導體電晶體， 形成該閘極絕緣層圖案1 2 5於該閘極電極21 0及該半導體基 板1 0 0之間，而去除位於其它區域之該閘極絕緣層圖案 1 2 5。一源極插梢2 〇 〇位於該閘極圖案1 2 5之上，經由該開 口與該浮接擴散區140直接接觸。該源極插梢200與組成該 閘極電極之閘極傳導層圖案丨25材料之厚度相同。依照上 所述，該源極插梢20 0之材料可以為包含該N型雜質之多晶 矽材質。 一閘極間隙層1 75位於該閘極傳導層圖案1 35之側牆 上’係作為該閘極電極2 1 〇。該一間隙層1 70與該閘極間隙 層175之厚度及材質均相同，位於該光二極體區16〇周圍。 該間隙層1 7 0可延伸至該側牆及該源極插梢2 〇 〇之上半部。
12082pif.ptd 第17頁 1222216 、發明說明（13) " " 該輕掺雜區150位於該重摻雜區180鄰近處及該閘極間隙層 175之下方。因此該輕摻雜區15〇之寬度與該閘極間隙層 175之厚近乎相同。 形成一介電質夾層190於一半導體基板1〇〇之上，該半 導體基板1 0 0包括該閘極電極2 1 〇及該源極插梢2 〇 〇。該間 隙層1 7 0及該閘極間隙層1 7 5位於該介電質夾層1 9 〇之下 方。將該介電質夾層190形成一開口圖案，以曝露出該重 摻雜區1 8 0之上表面、該源極插梢2 〇 〇、以及該閘極電極 2 1 0。以該插梢/互聯裝置1 9 5填滿該開口 1 9 2，其中該插梢 /互聯裝置1 9 5座落之處使該些電晶體之該些源極及/或沒 極與该閘極電極2 1 〇相互聯接。通常該插梢/互聯裝置1 g 5 以鎢、鈦、氮化鈦、多晶矽、鋁、或銅為材料。另外，通 常該選擇電晶體之該閘極電極2 1 〇經由該插梢/互聯裝置 1 9 5耦接至該源極插梢2 1 〇。因此該源極插梢2 〇 〇亦可作為 該選擇電晶體之該閘極電極2 1 〇。 該選擇電晶體之該源極耦接至該存取電晶體之汲極。 通常该選擇電晶體之該源極及該存取電晶體之汲極以相交 形式编接。該浮接擴散區140及該光二極體區保持距 離。在此狀況下，該存取電晶體之閘極電極2丨〇通常位於 該主動區之上，介於該浮接擴散區140及該光二極體區16〇 之間。且通常該存取電晶體之該閘極電極2 1 〇亦包括該閘 極傳導層圖案135。若包括該存取電晶體，則該CM〇s感測 器為一四電晶體結構之CMOS感測器。 根據本發明之一較佳實施例，當一閘極傳導層由形成
I222216 五、發明說明（14) -- ί 極之步驟形成，該閘極傳導層含有之雜質擴散至誃 ΐΐίί底，以形成一浮接擴散層。因此可避免離子佈： 晶格缺陷。也因… 其中包含一浮接擴散區。 以限定本發：月：广二較佳實施例揭露如上，然其並非用 神和範圍内，當可^熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 護範圍當視後附之申之更動與潤飾，因此本發明之保· 甲靖專利範圍所界定者為準。 12082pi f.ptd 第19頁 1222216 圖式簡單說明 第1圖是習知中一CMOS影像感測器及其製造方法之剖 面示意圖。 第2圖至第8圖是依照本發明中一較佳實施例所繪示之 一CMOS影像感測器及其製造方法步驟之剖面示意圖° 第9圖及第1 0圖是依照本發明中另一較佳實施例所繪 示之CMOS影像感測器及其製造方法步驟之剖面示意圖。 圖式才票言己言兒明 10 基板層 20 元件隔離層 30 閘極絕緣層 40 閘極傳導層圖案 50 間隙層 60 層間介電層 65 開口 70 插梢/互聯裝置 92 重摻雜區 94 輕摻雜區 96 浮接擴散層 99 光二極體 100 基板層 110 元件隔離層 120 閘極絕緣層 121 氧化矽層
12082pif.ptd 第20頁 1222216 圖式簡單說明 122 絕 緣 層 123 氧 化 矽 層 圖 案 124 絕 緣 層 圖 案 125 閘 極 絕 緣層 圖 案 130 閘 極 傳 導 層 135 閘 極 傳 導 層 圖 案 140 浮 接 擴 散 區 142 先 前 浮 接 擴 散 區 150 輕 摻 雜 區 160 光 二 極 體 區 170 間 隙 層 175 間 隙 層 180 重 摻 雜 區 190 介 電 質 夾 層 192 開 D 195 插 梢 / 互 聯 裝 置 200 源 極 插 梢 210 閘 極 電 極 310 離 子 佈 植 法 510 光 二 極 體 圖 案 515 開 α 520 光 阻 圖 案
12082pif.ptd 第21頁
Claims (1)
1222216 六、申請專利範圍 κ 一種影像感測器製造方法，該方法包括. 於一基板上形成一絕緣層； 使該絕緣層形成一絕緣層圖案，其 — 露出該基板上之—預定區； 、有開口’顯 於包括該絕緣層圖案之該基板上形成一傳導屛. 圖宰複數個傳導層圖案’"該‘傳G 口系八甲之形成跨於該開口之上方。 m 、2·如申請專利範圍第1項所述之影像感測器製
法3更i ΐ ϊ=口下方之該基板中形成一浮接擴散區 、·如申印專利範圍第1項所述之影像感測器製 法，其中該傳導層係包含至少一種雜質之多晶矽材質。 、4·如申請專利範圍第3項所述之影像感測器製造方 法，其中該多晶矽材質包含之該至少一種雜質係以 法、離子佈植法、及原位摻雜法其中至少一種方法形成 5 ·如申請專利範圍第3項所述之影像感測器製造方 法’其中該多晶矽材質包含之該至少一種雜質包一 雜質。 1Ν裂 6·如申請專利範圍第1項所述之影像感測器製造方 法’其中該絕緣層係以氧化石夕為材質。
7·如申請專利範圍第1項所述之影像感測器製造方 法’其中該絕緣層包括相疊之一氧化石夕層及一上層絕緣 層。 、、 8·如申請專利範圍第7項所述之影像感測器製造方 法，其中該上層絕緣層係蝕刻速度較該氧化矽層為快之
1222216
材質。 如申明專利範圍第1項所述之影像感測器製造方 ^。更包括於該開口下方之該基板中形成一先前浮接擴散 、1〇·如^申喷專利範圍第9項所述之影像感測器製造方 法，其中該先前浮接擴散區係以擴散法、離子佈植 原位摻雜法其中至少一種方法形成。 及 、11 ·如申凊專利範圍第7項所述之影像感測器製造方 法，更包括以一蝕刻方法移除該上層絕緣層，其中該上層 絕緣層之一蝕刻率較該氧化矽層之一蝕刻率快。 、1 2·如申請專利範圍第2項所述之影像感測器製造 法，其中跨於該開口上方之該些傳導層圖案其中之一 浮接擴散區接觸。 方 與該 13·如申請專利範圍第丨項所述之影像感測器製造方 法’其中該影像感測器包括一重設電晶體及一選擇 體，且該些傳導層圖案包括該重設電晶體及該選擇電=體 之閘極。 測器製造方
14·如申請專利範圍第丨3項所述之影像感 法，更包括：
於該基板中形成一浮接擴散區； 於2基板中鄰近該浮接擴散區處形成一光二極體區； 、對每一該些重設電晶體及每一該些選擇電晶體形成一 源極區及一沒極區；以及 在每一該些重設電晶體及每一該些選擇電晶體分別之
1222216 六、申請專利範圍 閘極與每一該些重設電晶體及每一該些選擇電晶體之該源 極及該沒極之間形成一互聯裝置。 15·如申請專利範圍第1項所述之影像感測器製造方 法’其中該影像感測器包栝一選擇電晶體，且跨於。亥開D 上之该些傳導層圖案其中之/組成該選擇電晶體之一間 極0 16·如申請專利範圍第1項所述之影像感測器製造方 -法，其中該影像感測器包括/選擇電晶體，且跨於該開口 上之該些傳導層圖案其中之/電性耦接至該選擇電晶體之 一閘極。 17. 一種影像感測器，包括： 一基板，具有一第一傳導率性質；
一浮接擴散區，具有/第二傳導率性質，位於該基板 上一預定區； 一光二極體區，位於鄰近該基板中之該浮接擴散區之 處；以及 一源極插梢，與該浮接擴散區接觸。 18·如申請專利範圍第1 7項所述之影像感測器，其中 該源極插梢係包含至少一種雜質之多晶矽材質。 19·如申請專利範圍第丨7項所述之影像感測器，更包 及每一 一重设電晶體及一選擇電晶體；以及 複數個傳導層圖案，包括每/該些重設電晶體 該些選擇電晶體之一閘極電 1222216
六、申請專利範圍 2 0·如申請專利範圍第1 9項所述之影像感測器，其中 該些傳導層圖案至少其中之一與該源極插梢具有相同厚度 及相同傳導率性質。 21·如申請專利範圍第1 9項所述之影像感測器，更包 括一互聯裝置，以耦接該源極插梢與構成該選擇電晶體之 該閘極之該些傳導層圖案至少其中之一。 2 2.如申請專利範圍第1 7項所述之影像感測器，其中 該光二極體區包括至少一雜質，屬於該第二傳導率性質。 2 3·如申請專利範圍第1 9項所述之影像感測器，更包 括一絕緣層圖案，介於該些傳導層圖案至少其中之一與該 基板之間。 2 4·如申請專利範圍第1 9項所述之影像感測器，其中 該絕緣層圖案包括一開口，使該浮接擴散區顯露出來，且 該源極插梢經由該開口與該浮接擴散區接觸。 2 5 ·如申請專利範圍第丨7項所述之影像感測器，更包 括一選擇電晶及一存取電晶體，其中該存取電晶體包括一 沒極’與該選擇電晶體之源極耦接。 ▲ 2 6·如申請專利範圍第2 5項所述之影像感測器，其中 该些傳導層圖案至少其中之一係該存取電晶體之一閘極電 27·如申請專利範圍第1 7項所述之影像感測器，更包 $ 一轉換電晶體及一傳導層圖案，其中該光二極體區與該 洋接擴散區位置分散，且該傳導層圖案介於該光二極體區 及該浮接擴散區之間，該傳導層圖案作為該轉換電晶體之
12082pif.ptd 第25頁 1222216 六、申請專利範圍 一閘極電極 画_1 12082pif.ptd 第26頁
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