KR100788365B1 - 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이미지 래깅 현상을 방지할 있는 이미지 센서에 관한 것이다.
본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서는 반도체 기판 상에 형성되는 에피층과, 상기 에피층을 액티브 영역과 소자 분리 영역으로 분리하는 소자 분리막과, 상기 에피층의 액티브 영역에서 가장 넓은 면적을 가지도록 형성되며 입사되는 광을 감지하여 광량에 따라 전하를 생성하는 포토 다이오드 영역과, 상기 포토 다이오드 영역 이외의 액티브 영역과 오버랩되도록 상기 포토 다이오드 영역의 일측에 형성되며 상기 포토 다이오드 영역에서 생성된 전하를 운송하는 트랜스퍼 트랜지스터와, 상기 트랜스터 트랜지스터를 통과한 전하들을 전압 신호로 변환시키는 드라이브 트랜지스터와, 상기 트랜스퍼 트랜지스터가 형성된 상기 포토 다이오드 영역의 일측이 마주대하는 타측의 길이보다 긴 사다리꼴의 형태로 상기 포토 다이오드 영역의 에피층에 n-형 불순물 이온을 주입하여 형성되는 n-형 확산 영역을 구비하는 것을 특징으로 한다.
씨모스 이미지 센서, 이미지 래깅, 포토 다이오드

Description

씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법{CMOS Image Sensor and Method of Manufaturing Thereof}
도 1은 종래의 씨모스 이미지 센서를 나타내는 평면도.
도 2는 도 1에 도시된 선 A-A'을 따라 절취하여 나타내는 씨모스 이미지 센서의 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 씨모스 이미지 센서를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에 도시된 선 B-B'을 따라 절취하여 나타내는 씨모스 이미지 센서의 단면도.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 씨모스 이미지 센서를 나타내는 평면도.
도 6은 도 5에 도시된 선 C-C'을 따라 절취하여 나타내는 씨모스 이미지 센서의 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
12 : 반도체 기판 14 : 에피층
30, 60 : n-형 확산 영역 31, 51 : 액티브 영역
32, 62 : 채널 스탑 영역 40, 50 : 소자 분리막
본 발명은 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 이미지 래깅 현상을 방지할 있는 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이미지 센서(image sensor)는 광학적 이미지를 전기적 신호로 변형시키는 소자로서, 크게 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Silicon) 이미지 센서와 CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서로 구분된다. CCD 이미지 센서는 CMOS 이미지 센서에 비하여 광감도(Photo sensitivity) 및 노이즈(noise)에 대한 특성이 우수하나, 고집적화에 어려움이 있고, 전력 소모가 높다. 이에 반하여, CMOS 이미지 센서는 CCD 이미지 센서에 비하여 공정들이 단순하고, 고집적화에 적합하며, 전력 소모가 낮다.
따라서, 최근에는 반도체 소자의 제조 기술이 고도로 발전함에 따라, CMOS 이미지 센서의 제조 기술 및 특성이 크게 향상되어 CMOS 이미지 센서에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
통상적으로, CMOS 이미지 센서의 화소(pixel)는 빛을 받아들이는 포토 다이오드들과 포토 다이오드들로부터 입력된 영상신호들을 제어하는 트렌지스터들을 구비한다. 이 트랜지스터들의 개수에 따라 CMOS 이미지 센서는 3T형, 4T형으로 구분된다. 여기서, 3T형은 1개의 포토 다이오드와 3개의 트랜지스터로 구성되며, 4T형은 1개의 포토 다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된다.
이하, 4T형 CMOS 이미지 센서의 단위 화소에 대한 레이아웃(lay-out)을 살펴보도록 하자.
도 1을 참조하면, 종래의 CMOS 이미지 센서는 반도체 기판을 액티브 영역(1)과 소자 분리 영역으로 분리하는 소자 분리막(10)과, 액티브 영역(1)에서 가장 넓은 면적을 가지도록 형성되는 포토 다이오드 영역(PD)과, 포토 다이오드 영역(PD) 이외의 액티브 영역(1)과 오버랩되도록 형성되는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 리셋 트랜지스터(Rx), 드라이브 트랜지스터(Dx)를 구비한다.
포토 다이오드(PD)는 입사되는 광을 감지하여 광량에 따라 전하를 생성한다.
트랜스퍼 트랜지스터(Tx)는 포토 다이오드(PD)에서 생성된 전하를 플로팅 확산 영역(Floating Diffusion, FD)으로 운송하는 역할을 한다. 운송 전에 플로팅 확산 영역(FD)은 포토 다이오드(PD)로부터의 전자들을 리셋 트랜지스터(Rx)를 온 시킴으로써 소정의 저 전하 상태(low charge state)로 설정된다.
리셋 트랜지스터(Rx)는 신호 검출을 위해 상기 플로팅 확산 영역(FD)에 저장되어 있는 전하를 배출하는 역할을 한다.
드라이브 트랜지스터(Dx)는 상기 전하들을 전압 신호로 변환시키는 소스 팔로워(source follower) 역할을 수행한다.
이와 같이, CMOS 이미지 센서는 포토 다이오드 영역(PD)에서 생성된 전하를 드라이브 트랜지스터(Dx)에서 전압 신호로 변환시킨다.
한편, 포토 다이오드(PD) 내에서 빛이 없는 전자가 생성되는 것을 다크 전류(dark current)라고 하는데, 이는 열에 의해 발생하거나 포토 다이오드(PD) 내의 결함에 의하여 발생한다.
도 2에 도시된 바와 같이 CMOS 이미지 센서는 반도체 기판(2) 상에 에피층(4)이 형성되고, 이 에피층(4)의 포토 다이오드 영역(PD)에 n-형 불순물 이온을 주입하여 n-형 확산 영역(20)을 형성한다. 포토 다이오드 영역(PD)의 n-형 확산 영역(20)과 소자 분리막(10) 사이에서 발생되는 다크 전류를 방지하기 위하여 포토 다이오드(PD)의 n-형 확산 영역(20)과 소자 분리막(10) 사이에 p-형 채널 스탑퍼(channel stopper)를 주입하여 채널 스탑 영역(22)을 형성한다.
그러나, 포토 다이오드 영역(PD)의 크기가 큰 경우, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)와 마주 대하는 반대편 포토 다이오드 영역(PD)의 에지 부분과 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 사이의 거리가 멀어지게 된다. 이에 따라, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트 전극이 온(on)되는 경우, 포토 다이오드(PD)에 인가되는 전압이 포토 다이오드(PD) 에지 부분의 전하들에게 모두 전달되지 않는다. 따라서, 포토 다이오드(PD) 내의 전하들이 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 통해 다 빠져나가지 못하는 이미지 래깅(image lagging) 현상이 발생한다.
따라서, 본 발명의 목적은 이미지 래깅 현상을 방지할 있는 씨모스 이미지 센서를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 이미지 래깅 현상을 방지할 있는 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서는 반도체 기판 상에 형성되는 에피층과, 상기 에피층을 액티브 영역과 소자 분리 영역으로 분리하는 소자 분리막과, 상기 에피층의 액티브 영역에서 가장 넓은 면적을 가지도록 형성되며 입사되는 광을 감지하여 광량에 따라 전하를 생성하는 포토 다이오드 영역과, 상기 포토 다이오드 영역 이외의 액티브 영역과 오버랩되도록 상기 포토 다이오드 영역의 일측에 형성되며 상기 포토 다이오드 영역에서 생성된 전하를 운송하는 트랜스퍼 트랜지스터와, 상기 트랜스터 트랜지스터를 통과한 전하들을 전압 신호로 변환시키는 드라이브 트랜지스터와, 상기 트랜스퍼 트랜지스터가 형성된 상기 포토 다이오드 영역의 일측이 마주대하는 타측의 길이보다 긴 사다리꼴의 형태로 상기 포토 다이오드 영역의 에피층에 n-형 불순물 이온을 주입하여 형성되는 n-형 확산 영역을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 n-형 확산 영역과 소자 분리막 사이에 발생하는 다크 전류 발생를 방지하도록 상기 에피층의 n-형 확산 영역과 소자 분리막 사이에 형성되는 채널 스탑 영역을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 트랜스퍼 트랜지스터와 상기 드라이브 트랜지스터 사이에 설치되어 상기 트랜스퍼 트랜지스터로부터의 전하를 배출하는 리셋 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 채널 스탑 영역은 p-형 채널 스탑퍼가 주입되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 반도체 기판 상에 에피층 을 형성하는 단계와, 상기 에피층을 액티브 영역과 소자 분리 영역으로 분리하는 소자 분리막을 형성하는 단계와, 상기 액티브 영역에서 가장 넓은 면적을 가지도록 형성되는 포토 다이오드 영역에 사다리꼴 형태의 마스크를 이용하여 n-형 불순물 이온을 주입하여 n-형 확산 영역을 형성하는 단계와, 상기 포토 다이오드 영역 이외의 액티브 영역과 오버랩되도록 상기 포토 다이오드 영역의 일측에 트랜스퍼 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 트랜스터 트랜지스터와 동시에 형성되며 상기 트랜스터 트랜지스터를 통과한 전하들을 전압 신호로 변환시키는 드라이브 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 n-형 확산 영역은 상기 트랜스퍼 트랜지스터가 형성된 상기 포토 다이오드 영역의 일측이 마주대하는 타측의 길이보다 긴 사다리꼴의 형태인 것을 특징으로 한다.
상기 n-형 확산 영역과 소자 분리막 사이에 발생하는 다크 전류 발생를 방지하도록 상기 에피층의 상기 n-형 확산 영역과 소자 분리막 사이에 채널 스탑 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 트랜스퍼 트랜지스터와 동시에 형성되며 상기 트랜스퍼 트랜지스터와 상기 드라이브 트랜지스터 사이에 설치되어 상기 트랜스퍼 트랜지스터로부터의 전하를 배출하는 리셋 트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 채널 스탑 영역은 p-형 채널 스탑퍼가 주입되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들에 대하여 설명하기로 한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 CMOS 이미지 센서는 반도체 기판(12) 상에 형성되는 에피층(14)과, 상기 에피층(14)을 액티브 영역(31)과 소자 분리 영역으로 분리하는 소자 분리막(40)과, 상기 에피층(14)의 액티브 영역(31)에서 가장 넓은 면적을 가지도록 형성되는 포토 다이오드 영역(PD)과, 포토 다이오드 영역(PD)에 사다리꼴의 형태로 n-형 불순물 이온이 주입되어 형성되는 n-형 확산 영역(30)과, n-형 확산 영역(30)과 소자 분리막(40) 사이에서 다크 전류 발생을 방지하도록 에피층(14)에 p-형 채널 스탑퍼가 주입되어 형성되는 채널 스탑 영역(32)과, 포토 다이오드 영역(PD) 이외의 액티브 영역(31)과 오버랩되도록 형성되는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 리셋 트랜지스터(Rx), 드라이브 트랜지스터(Dx)를 구비한다.
포토 다이오드(PD)는 입사되는 광을 감지하여 광량에 따라 전하를 생성한다.
트랜스퍼 트랜지스터(Tx)는 포토 다이오드(PD)에서 생성된 전하를 플로팅 확산 영역(Floating Diffusion, FD)으로 운송하는 역할을 한다. 운송 전에 플로팅 확산 영역(FD)은 포토 다이오드(PD)로부터의 전자들을 리셋 트랜지스터(Rx)를 온 시킴으로써 소정의 저 전하 상태(low charge state)로 설정된다.
리셋 트랜지스터(Rx)는 신호 검출을 위해 상기 플로팅 확산 영역(FD)에 저장 되어 있는 전하를 배출하는 역할을 한다.
드라이브 트랜지스터(Dx)는 상기 전하들을 전압 신호로 변환시키는 소스 팔로워(source follower) 역할을 수행한다.
이와 같이, CMOS 이미지 센서는 포토 다이오드 영역(PD)에서 생성된 전하를 드라이브 트랜지스터(Dx)에서 전압 신호로 변환시킨다.
포토 다이오드 영역(PD)의 에피층(14)에는 사다리꼴 모양의 n-형 확산 영역(30)이 형성된다. 이때, n-형 확산 영역(30)은 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)이 형성된 일측이 반대편의 타측보다 길도록 형성하여 사다리꼴이 되게 한다. 이렇게 n-형 확산 영역(30)을 사다리꼴로 형성하게 되면, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)와 마주 대하는 반대편 포토 다이오드 영역(PD)의 에지 부분과 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 사이의 거리가 가깝게 된다. 이에 따라, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트 전극이 온(on)되는 경우 포토 다이오드(PD)에 인가되는 전압이 포토 다이오드(PD) 에지 부분의 전하들에게 모두 전달된다. 따라서, 포토 다이오드(PD) 내의 전하들이 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 통해 다 빠져나가게 되므로 이미지 래깅(image lagging) 현상이 발생하는 것을 방지한다. 나아가, 본 발명은 채널 스탑 영역(32)의 크기가 종래보다 커지므로 포토 다이오드 영역(PD)의 n-형 확산 영역(30)과 소자 분리막(40) 사이에 발생하는 다크 전류를 감소시킬 수 있다.
이러한 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 살펴보면, 먼저 반도체 기판(12) 상에 에피층(14)을 형성한다. 이 후, 에피층(14)을 액티브 영역(31)과 소자 분리 영역으로 분리하는 소자 분리막(40)을 형성한 다음, 액티브 영역(31)에서 가장 넓은 면적을 가지도록 형성되는 포토 다이오드 영역(PD)에 사다리꼴의 형태로 n-형 불순물 이온을 주입하여 n-형 확산 영역(30)을 형성한다. 여기서, n-형 확산 영역(30)과 동일한 사다리꼴 형태의 마스크를 이용하여 포토 다이오드 영역(PD)에 n-형 불순물 이온을 주입한다.
이어서, n-형 확산 영역(30)과 소자 분리막(40) 사이에서 발생하는 다크 전류를 방지하도록 n-형 확산 영역(30)과 소자 분리막(40) 사이의 에피층(14)에 p-형 채널 스탑퍼를 주입하여 채널 스탑 영역(32)을 형성한다.
상술한 본 발명의 제1 실시 예에 따른 CMOS 이미지 센서는 4T형 CMOS 이미지 센서에 대해 설명한 것이며, 이는 다음의 3T형 CMOS 이미지 센서에 적용가능하다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 CMOS 이미지 센서는 반도체 기판(12) 상에 형성되는 에피층(14)과, 상기 에피층(14)을 액티브 영역(51)과 소자 분리 영역으로 분리하는 소자 분리막(50)과, 상기 에피층(14)의 액티브 영역(51)에서 가장 넓은 면적을 가지도록 형성되는 포토 다이오드 영역(PD)과, 포토 다이오드 영역(PD)에 사다리꼴의 형태로 n-형 불순물 이온이 주입되어 형성되는 n-형 확산 영역(60)과, n-형 확산 영역(60)과 소자 분리막(50) 사이에서 다크 전류 발생을 방지하도록 에피층(14)에 p-형 채널 스탑퍼를 주입하여 형성되는 채널 스탑 영역(62)과, 포토 다이오드 영역(PD) 이외의 액티브 영역(51)과 오버랩되도록 형성되는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 드라이브 트랜지스터(Dx)를 구비한다.
포토 다이오드(PD)는 입사되는 광을 감지하여 광량에 따라 전하를 생성한다.
트랜스퍼 트랜지스터(Tx)는 포토 다이오드(PD)에서 생성된 전하를 플로팅 확 산 영역(Floating Diffusion, FD)으로 운송하는 역할을 한다.
드라이브 트랜지스터(Dx)는 상기 전하들을 전압 신호로 변환시키는 소스 팔로워(source follower) 역할을 수행한다.
이와 같이, CMOS 이미지 센서는 포토 다이오드 영역(PD)에서 생성된 전하를 드라이브 트랜지스터(Dx)에서 전압 신호로 변환시킨다.
포토 다이오드 영역(PD)의 에피층(14)에는 사다리꼴 모양의 n-형 확산 영역(60)이 형성된다. 이때, n-형 확산 영역(60)은 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)이 형성된 일측이 반대편의 타측보다 길도록 형성하여 사다리꼴이 되게 한다. 이렇게 n-형 확산 영역(60)을 사다리꼴로 형성하게 되면, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)와 마주 대하는 반대편 포토 다이오드 영역(PD)의 에지 부분과 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 사이의 거리가 가깝게 된다. 이에 따라, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트 전극이 온(on)되는 경우 포토 다이오드(PD)에 인가되는 전압이 포토 다이오드(PD) 에지 부분의 전하들에게 모두 전달된다. 따라서, 포토 다이오드(PD) 내의 전하들이 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 통해 다 빠져나가게 되므로 이미지 래깅(image lagging) 현상이 발생하는 것을 방지한다. 나아가, 본 발명은 채널 스탑 영역(62)의 크기가 종래보다 커지므로 포토 다이오드 영역(PD)의 n-형 확산 영역(60)과 소자 분리막(50) 사이에 발생하는 다크 전류를 감소시킬 수 있다.
이러한 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 살펴보면, 먼저 반도체 기판(12) 상에 에피층(14)을 형성한다. 이 후, 에피층(14)을 액티브 영역(51)과 소자 분리 영역으로 분리하는 소자 분리막(50)을 형성한 다음, 액티브 영역(51)에서 가장 넓은 면적을 가지도록 형성되는 포토 다이오드 영역(PD)에 사다리꼴의 형태로 n-형 불순물 이온을 주입하여 n-형 확산 영역(60)을 형성한다. 여기서, n-형 확산 영역(60)과 동일한 사다리꼴 형태의 마스크를 이용하여 포토 다이오드 영역(PD)에 n-형 불순물 이온을 주입한다.
이어서, n-형 확산 영역(60)과 소자 분리막(50) 사이에서 발생하는 다크 전류를 방지하도록 n-형 확산 영역(60)과 소자 분리막(50) 사이의 에피층(14)에 p-형 채널 스탑퍼를 주입하여 채널 스탑 영역(62)을 형성한다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시 예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다.
또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법은 포토 다이오드 영역(PD)의 n-형 확산 영역을 사다리꼴로 형성함으로써 포토 다이오드 영역(PD)의 에지 부분과 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 사이의 거리가 가깝게 한다. 이에 따라, 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법은 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)의 게이트 전극이 온(on)되는 경우 포토 다이오드(PD)에 인가되는 전압이 포토 다이오드(PD) 에지 부분의 전하들에게 모두 전달되어 포토 다이오드(PD) 내의 전하들이 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 통해 다 빠져나가게 된다. 따라서, 본 발명 에 따른 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법은 이미지 래깅(image lagging) 현상을 방지할 수 있다. 나아가, 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법은 채널 스탑 영역의 크기가 종래보다 커지므로 포토 다이오드 영역(PD)의 n-형 확산 영역과 소자 분리막 사이에 발생하는 다크 전류를 감소시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. 반도체 기판 상에 형성되는 에피층과,
    상기 에피층을 액티브 영역과 소자 분리 영역으로 분리하는 소자 분리막과,
    상기 에피층의 액티브 영역에서 가장 넓은 면적을 가지도록 형성되며 입사되는 광을 감지하여 광량에 따라 전하를 생성하는 포토 다이오드 영역과,
    상기 포토 다이오드 영역 이외의 액티브 영역과 오버랩되도록 상기 포토 다이오드 영역의 일측에 형성되며 상기 포토 다이오드 영역에서 생성된 전하를 운송하는 트랜스퍼 트랜지스터와,
    상기 트랜스터 트랜지스터를 통과한 전하들을 전압 신호로 변환시키는 드라이브 트랜지스터와,
    상기 트랜스퍼 트랜지스터가 형성된 상기 포토 다이오드 영역의 일측이 마주대하는 타측의 길이보다 긴 사다리꼴의 형태로 상기 포토 다이오드 영역의 에피층에 n-형 불순물 이온을 주입하여 형성되는 n-형 확산 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 n-형 확산 영역과 소자 분리막 사이에 발생하는 다크 전류 발생를 방지하도록 상기 에피층의 n-형 확산 영역과 소자 분리막 사이에 형성되는 채널 스탑 영역을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 트랜스퍼 트랜지스터와 상기 드라이브 트랜지스터 사이에 설치되어 상기 트랜스퍼 트랜지스터로부터의 전하를 배출하는 리셋 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 채널 스탑 영역은 p-형 채널 스탑퍼가 주입되어 형성되는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  5. 반도체 기판 상에 에피층을 형성하는 단계와,
    상기 에피층을 액티브 영역과 소자 분리 영역으로 분리하는 소자 분리막을 형성하는 단계와,
    상기 액티브 영역에서 가장 넓은 면적을 가지도록 형성되는 포토 다이오드 영역에 사다리꼴 형태의 마스크를 이용하여 n-형 불순물 이온을 주입하여 n-형 확산 영역을 형성하는 단계와,
    상기 포토 다이오드 영역 이외의 액티브 영역과 오버랩되도록 상기 포토 다이오드 영역의 일측에 트랜스퍼 트랜지스터를 형성하는 단계와,
    상기 트랜스터 트랜지스터와 동시에 형성되며 상기 트랜스터 트랜지스터를 통과한 전하들을 전압 신호로 변환시키는 드라이브 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 n-형 확산 영역은 상기 트랜스퍼 트랜지스터가 형성된 상기 포토 다이오드 영역의 일측이 마주대하는 타측의 길이보다 긴 사다리꼴의 형태인 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 n-형 확산 영역과 소자 분리막 사이에 발생하는 다크 전류 발생를 방지하도록 상기 에피층의 상기 n-형 확산 영역과 소자 분리막 사이에 채널 스탑 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 트랜스퍼 트랜지스터와 동시에 형성되며 상기 트랜스퍼 트랜지스터와 상기 드라이브 트랜지스터 사이에 설치되어 상기 트랜스퍼 트랜지스터로부터의 전하를 배출하는 리셋 트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 채널 스탑 영역은 p-형 채널 스탑퍼가 주입되어 형성되는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
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