CN101330050B - 互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括：提供具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层中形成底部露出所述光敏区的第一开口；在所述第一开口中填充导电硅材料，形成第一接触塞；在形成有所述第一接触塞的介质层中形成第二开口；在所述第二开口中形成与所述金属氧化物半导体器件连接的第二接触塞。本发明还提供一种互补金属氧化物半导体图像传感器。本发明可减小互补金属氧化物半导体图像传感器的漏电流，提高器件的性能。

Description

互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法。

背景技术

互补金属氧化物半导体图像传感器(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Image Sensor，CMOS Image Sensor)由于其低功耗、高响应速率等优点而被广泛应用于数码相机、摄像机、掌上电脑、可拍照手机等装置上，其主要原理为：通过光敏单元接收光信号并将该光信号转换成电信号，然后通过金属氧化物半导体器件对所述电信号做进一步的处理。图1为现有的一种CIS的剖面结构示意图。其制造方法如下：首先在半导体衬底10上形成浅沟槽隔离区11，定义出有源区；在形成有浅沟槽隔离区11的半导体衬底10上形成氧化层12；在所述氧化层12上形成横跨所述有源区的栅极13，该栅极13可以是复位晶体管(reset transistor)或选通晶体管(selection transistor)或存取晶体管(access transitor)的栅极，图1中示出的是复位晶体管的栅极；接着，在所述栅极13两侧的半导体衬底10中形成轻掺杂区域14，并在所述栅极13两侧形成侧墙(Spacer)15；以所述侧墙15作为阻挡层进行离子注入，形成漏极16和源极(未示出)；然后，在所述复位晶体管源极侧的半导体衬底10中形成光敏区17，该光敏区17包含或部分包含所述源极；在所述光敏区中形成扩散区20；在所述形成有光敏区17和扩散区20的半导体衬底10上沉积介质层18，并通过光刻和刻蚀形成接触孔(contact hole)，所述接触孔底部露出所述扩散区17和/或漏极16的上表面；接着，在所述接触孔侧壁形成金属阻挡层21并填充金属材料22形成接触塞；其中，所述金属阻挡层21为钛和氮化钛，所述金属材料22为钨；在所述具有接触塞的介质层18上形成金属互连层23。

在上述制造CMOS图像传感器的工艺过程中，形成所述接触孔的工艺需要通过干法刻蚀来实现，而干法刻蚀中的等离子体物理轰击会破坏所述扩散区20中的晶格结构，使所述扩散区表面产生损伤，进而使所述接触孔中填充的金属阻挡层21或金属材料22会向所述扩散区20中扩散，甚至扩散至所述光敏区17中，导致形成的CMOS图像传感器产生较大的漏电流，增大CMOS图像传感器的电流噪声，引起图像质量下降。

专利号为US7045380B2的美国专利公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。在其公开的专利文件中，如图2所示的剖面示意图，所述的CMOS图像传感器包括位于半导体衬底100上的金属氧化物半导体器件和光敏区160，所述金属氧化物半导体器件具有栅极135、漏极180。在制造所述CMOS图像传感器时，在形成所述金属氧化物半导体器件的多晶硅栅极135的同时，也在扩散区140上形成多晶硅栅极135，所述扩散区140上的多晶硅栅极135作为与所述扩散区140电连接的连接插塞200。然而，该方法需要制造版图图案密度较大的栅极版图图案，工艺较为复杂。

发明内容

本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，本发明的制造工艺较为简单，形成的CMOS图像传感器漏电流较低。

本发明提供的一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括：

提供具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层中形成底部露出所述光敏区的第一开口；在所述第一开口中填充导电硅材料，形成第一接触塞；在形成有所述第一接触塞的介质层中形成第二开口；在所述第二开口中形成与所述金属氧化物半导体器件连接的第二接触塞。

可选的，形成所述第一开口的方法为干法刻蚀。

可选的，该方法进一步包括：完成所述干法刻蚀之后对所述第一开口底部的光敏区执行软刻蚀工艺。

可选的，所述软刻蚀的压力为30至50帕斯卡。

可选的，所述导电硅材料为掺杂的多晶硅、掺杂的单晶硅、掺杂的非晶硅中的一种。

可选的，所述掺杂的杂质为N型离子。

可选的，所述填充导电硅材料的方法为高密度等离子体化学气相沉积或低压化学气相沉积。

可选的，该方法进一步包括：在所述具有第一接触塞和第二接触塞的介质层上形成金属互连层。

可选的，该方法进一步包括：在形成所述金属互连层之前对所述具有第一接触塞和第二接触塞的介质层的表面进行清洗，去除所述第一接触塞表面的氧化层。

本发明还提供一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括：

提供具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层中形成第二开口；在所述第二开口中形成与所述金属氧化物半导体器件连接的第二接触塞；在具有所述第二接触塞的介质层中形成底部露出所述光敏区的第一开口；在所述第一开口中填充导电硅材料，形成第一接触塞。

可选的，形成所述第一开口的方法为干法刻蚀。

可选的，该方法进一步包括：完成所述干法刻蚀之后对所述第一开口底部的光敏区域执行软刻蚀工艺。

可选的，所述导电硅材料为掺杂的多晶硅、掺杂的单晶硅、掺杂的非晶硅中的一种。

相应的，本发明提供一种互补金属氧化物半导体图像传感器，包括：

具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底；位于所述半导体衬底上且覆盖所述光敏区和金属氧化物半导体器件的介质层；位于所述介质层中的第二接触塞；位于所述介质层上的金属互连层；其中，所述光敏区与所述金属氧化物半导体器件电连接；所述金属氧化物半导体器件通过所述第二接触塞和所述金属互连层电连接；位于所述介质层中的第一接触塞，所述第一接触塞为导电硅材料，所述光敏区通过所述第一接触塞和所述金属互连层电连接。

可选的，所述导电硅材料为掺杂的多晶硅、掺杂的单晶硅、掺杂的非晶硅中的一种。

可选的，所述掺杂的杂质为N型离子。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明方法通过导电硅材料形成的第一接触塞和所述光敏区电连接，消除了由于金属接触塞中的金属材料向所述光敏区扩散而引起的漏电流，从而减小了形成的CMOS图像传感器的暗电流，减小了噪声，提高了成像质量。

由于导电硅材料的第一接触塞和所述光敏区均为同型掺杂硅材质，因而，第一接触塞和光敏区的电连接具有更小的接触电阻，进一步提高了器件的性能。

采用导电硅材料形成第一接触塞，可不必在所述第一接触塞底部的光敏区形成扩散区，简化了工艺步骤，节省了时间和制造成本。

另外，该方法通过引入软刻蚀工艺，平滑所述干法刻蚀工艺中由于等离子体物理轰击造成的光敏区的粗糙表面，消除由于干法刻蚀工艺中的等离子体物理轰击引起的光敏区表面晶格缺陷，使得所述第一接触塞和所述光敏区具有很好的接触，进一步减小接触电阻，并且减少了由于晶格缺陷产生的漏电流，提高器件的性能；此外，消除了由于粗糙的光敏区表面引起的尖端放电现象，有助于提高形成的CMOS图像传感器的稳定性。

另外，在导电硅材料的第一接触塞和金属互连层之间形成有阻挡金属层，可避免所述金属互连层的金属向所述第一接触塞中扩散，并减小所述第一接触塞和所述金属互连层之间的接触电阻，提高形成的CMOS图像传感器的性能；此外，所述阻挡金属层可增加所述金属互连层和所述第一接触塞之间的粘附性，提高形成的器件的稳定性。

本发明的互补金属氧化物半导体图像传感器中采用导电硅材料的第一接触塞，减少了所述光敏区和所述第一接触塞之间的漏电流，从而减小了形成的CMOS图像传感器的噪声，提高了成像的质量；另外，减小了所述第一接触塞和所述光敏区之间的接触电阻，提高了器件的性能。

附图说明

图1为一种现有技术的CMOS图像传感器的剖面结构示意图；

图2为另一种现有技术的CMOS图像传感器的剖面结构示意图；

图3为本发明的互补金属氧化物半导体图像传感器制造方法第一实施例的流程图；

图4至图13为本发明的互补金属氧化物半导体图像传感器制造方法第一实施例的各步骤相应的剖面示意图；

图14为本发明的互补金属氧化物半导体图像传感器制造方法第二实施例的流程图；

图15为本发明的互补金属氧化物半导体图像传感器实施例的剖面示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

图3为本发明互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法的第一实施例的流程图。

如图3所示，提供具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底(S100)，所述半导体衬底可以是单晶硅材料或多晶硅材料；

在所述半导体衬底上形成介质层(S110)，所述介质层可以是氧化硅或其它低介电常数材料，其形成的方法可以是物理气相沉积或化学气相沉积；

在所述介质层中形成底部露出所述光敏区的第一开口(S120)，形成所述第一开口的方法可以为干法刻蚀，为减小所述干法刻蚀对所述光敏区表面的损伤，可在所述干法刻蚀之后对所述第一开口底部暴露的光敏区执行软刻蚀(Soft Etch)工艺；

在所述第一开口中填充导电硅材料，形成第一接触塞(S130)，所述导电硅材料为掺杂的多晶硅、单晶硅、非晶硅中的一种；

在形成有所述第一接触塞的介质层中形成第二开口(S140)；

在所述第二开口中填充金属材料，形成与所述金属氧化物半导体器件连接的第二接触塞(S150)。

本发明方法通过导电硅材料的第一接触塞与所述光敏区电连接，消除了由于金属接触塞中的金属材料向所述光敏区扩散引起的漏电流；由于硅材料的第一接触塞和所述光敏区均为硅材质，因而，所述第一接触塞和所述光敏区的电连接具有更小的接触电阻，进一步提高了器件的性能；采用硅材料的第一接触塞，可不必在所述第一接触塞底部的光敏区中形成扩散区，简化了工艺步骤，并节省了时间和制造成本。

相对于现有需要制造密度较大的栅极版图图案的技术，本发明方法中第一开口和第二开口的掩膜板版图图案密度较小，较为容易制造，使成本降低；本发明方法形成的与光敏区连接的第一接触塞的形状较为规则，制造工艺更为容易控制。

另外，本发明方法还通过软刻蚀修复所述干法刻蚀对所述光敏区表面的破坏，消除由于干法刻蚀等离子体物理轰击引起的光敏区表面的晶格缺陷。

下面结合剖面图对本发明的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法的第一实施例进行详细描述。图4至图13为本发明的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法第一实施例各步骤相应的剖面示意图。

如图4所示，首先，提供半导体衬底10，所述半导体衬底10的材质可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅中的一种，所述半导体衬底10还可以是绝缘层上硅(SOI)结构，在所述半导体衬底10中可以掺入N型杂质或P型杂质。

通过光刻和刻蚀工艺在所述半导体衬底10中形成浅沟槽隔离11，定义出有源区。

如图5所示，在所述半导体衬底10上形成介电层12，所述介电层12可以是氧化硅或氮氧化硅，厚度可以为5至100nm。形成所述氧化硅的方法可以是高温炉管氧化、快速热氧化、原位水蒸气产生(In-SituStream Generation，ISSG)氧化法中的一种，对所述氧化硅进行氮化处理可以形成氮氧化硅，所述氮化处理工艺可以是炉管氮化、快速热氮化、等离子体氮化(例如DPN)中的一种。

在所述介电层12上沉积多晶硅层(未示出)，所述多晶硅层的厚度可以为100nm至500nm。沉积所述多晶硅层的方法可以是物理气相沉积或化学气相沉积。为降低形成的栅极的电阻率，可通过离子注入或扩散或原位离子注入工艺对所述多晶硅层进行掺杂，掺入的杂质为N型或P型。然后在所述多晶硅层上旋涂光刻胶并进行曝光显影形成栅极图案。接着刻蚀未被所述栅极图案覆盖的多晶硅层和介电层12，将所述栅极图案转移到所述多晶硅层中，形成如图6所示的栅极13和栅极介质层12a。所述栅极13可以是复位晶体管或选通晶体管或存取晶体管的栅极，本实施例的图4至图13的剖面图中示出的是复位晶体管的栅极。

在其它的实施例中所述栅极13也可以是金属，或者是多晶硅和金属硅化物的堆栈结构。

对于金属氧化物半导体器件而言，其沟道漏电流越小越好。减小金属氧化物半导体器件的源极和漏极的注入深度有助于减小沟道漏电流。如图7所示，首先在所述栅极13的半导体衬底10中进行离子注入，形成轻掺杂区14，所述轻掺杂区14的深度较浅，通过形成所述轻掺杂区14可以使所述半导体衬底10的表面有序的晶格结构变成无序状态，这可以避免后续形成源极和漏极的高浓度重掺杂工艺的离子注入过深，有助于形成浅的源极和漏极。在其它的实施例中，也可以不形成轻掺杂区14。

形成所述轻掺杂区14后，在所述栅极13两侧形成侧墙15。所述侧墙15为氧化硅、氮化硅中的一种，或者为氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)结构。所述侧墙15通过沉积介质材料然后反刻(Etch Back)的工艺而形成。

形成所述侧墙15后，对所述栅极13两侧的半导体衬底10进行重掺杂形成重掺杂区16，该重掺杂区16作为金属氧化物半导体器件的源极和漏极。

如图8所示，在所述金属氧化物半导体器件的源极附近的半导体衬底10中形成光敏区17，所述光敏区17包含或部分包含所述源极，或者所述光敏区17通过一掺杂区(又称扩散区)与所述源极电连接。本实施例中所述光敏区17包含所述源极。所述光敏区17即为CMOS图像传感器的感光区，通过该光敏区17接收光信号并将光信号转换为电信号。

形成所述光敏区17之后，在所述具有金属氧化物半导体器件和光敏区17的半导体衬底上形成介质层18，所述介质层18覆盖所述金属氧化物半导体器件和光敏区17。所述介质层18可以是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮氧化合物、旋涂玻璃、氟硅玻璃、硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、黑钻石中的一种，其形成的方法可以是物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积中的一种。

在其它的实施例中，在形成所述介质层18之前还可以在所述光敏区中形成扩散区(未示出)。

在其它的实施例中，在形成所述介质层18之前还可以在金属氧化物半导体器件的栅极和漏极上形成金属硅化物接触层，以减小后续形成的第二接触塞与所述金属氧化物半导体器件的接触电阻，若金属氧化物半导体器件为选通晶体管或存取晶体管，也可以在其源极、漏极和栅极上均形成金属硅化物接触层。

在其它的实施例中，也可以先形成光敏区17，然后形成金属氧化物半导体器件。

在所述介质层18上旋涂光刻胶层(未示出)，通过曝光显影工艺形成第一开口图案，然后刻蚀所述第一开口图案底部的介质层18，在所述介质层18中形成如图9所示的第一开口19。所述第一开口19的底部露出所述光敏区17表面。若所述光敏区17中形成有扩散区，则第一开口19的底部露出所述扩散区表面。刻蚀所述第一开口19的方法为干法刻蚀，所述干法刻蚀采用含氟的气体形成等离子体。

干法刻蚀中的等离子体物理轰击会导致所述第一开口19底部的光敏区17表面损伤，粗糙度增加，这一方面使得在所述第一开口19中填充的导电材料不能和所述光敏区17充分的接触，造成较大的接触电阻；另一方面也容易在光敏区17粗糙的表面积聚电荷，引起尖端放电，使得形成的CMOS图像传感器电性不稳定。完成所述干法刻蚀之后，可以对所述第一开口19底部的光敏区表面执行软刻蚀工艺，修复所述等离子体物理轰击的损伤。所述软刻蚀的压力为30至50帕斯卡，压力较大，软刻蚀时等离子体物理轰击变得较为微弱，因而软刻蚀主要表现为等离子体环境中的物质与所述第一开口19底部的光敏区17表面的化学反应，在所述光敏区17表面形成一小凹槽，去除了具有损伤的光敏区17的表面，使得所述光敏区17的表面较为光滑，从而使得在所述第一开口19中填充的导电材料和所述光敏区17具有充分的接触，有助于提高形成的CMOS图像传感器的稳定性，并消除了尖端放电的现象。

接着，如图10所示，在所述第一开口19中填充导电硅材料，形成第一接触塞24。所述硅材料可以是掺杂的多晶硅、掺杂的单晶硅、掺杂的非晶硅中的一种，所述掺杂掺入的杂质为N型离子，例如磷。填充所述导电硅材料的方法为高密度等离子体化学气相沉积或低压化学气相沉积。由于在沉积过程中也会在所述介质层18的表面沉积硅材料，需通过化学机械研磨进行平坦化，去除形成于所述介质层18表面的硅材料。

如图11所示，通过光刻和刻蚀工艺在所述介质层18中形成第二开口26，所述第二开口26的底部露出所述金属氧化物半导体器件的漏极或栅极表面。

若所述金属氧化物半导体器件为选通晶体管或存取晶体管，所述第二开口26的底部也可以露出源极。若所述金属氧化物半导体器件具有金属硅化物接触层，则所述第二开口26底部露出所述金属硅化物接触层。

如图12所示，在所述第二开口26的侧壁和底部形成金属阻挡层21，用于阻止后续填充的金属材料向所述半导体衬底10和介质层18中扩散。所述金属阻挡层21为钛和氮化钛、钽和氮化钽中的一种，本实施例中为钛和氮化钛。

接着，在具有所述金属阻挡层21的第二开口26中沉积金属材料，形成第二接触塞22。所述金属材料可以为钨或铜或铝。本实施例中所述金属材料为钨。通过化学机械研磨可平坦化所述介质层18的表面，去除由于在填充金属材料钨的过程中形成于所述介质层18表面的金属材料。

形成所述第二接触塞22之后，对所述具有第一接触塞24和第二接触塞22的介质层18的表面进行清洗，去除所述第一接触塞24表面的自然氧化层，以避免后续工艺中形成的金属互连层和所述第一接触塞24之间断路。接着，在具有第一接触塞24和第二接触塞22的介质层18上形成如图13所示的金属互连层23，所述金属互连层23在本实施例中为铝。为避免所述金属互连层23的金属向所述第一接触塞24中扩散，可在形成所述金属互连层23之前形成阻挡金属层25，本实施例中所述阻挡金属层为钛；另外，所述钛和第一接触塞24也可以形成金属硅化物，从而可减小所述第一接触塞24和所述金属互连层23之间的接触电阻；进一步的，所述阻挡金属层25可增加所述金属互连层23和所述第一接触塞24之间的粘附性，提高形成的器件的稳定性。

图14为本发明的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法的第二实施例的流程图。如图14所示，提供具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底(S200)；在所述半导体衬底上形成介质层(S210)；在所述介质层中形成第二开口(S220)；在所述第二开口中填充金属材料，形成与所述金属氧化物半导体器件连接的第二接触塞(S230)；在具有所述第二接触塞的介质层中形成底部露出所述光敏区的第一开口(S240)；在所述第一开口中填充导电硅材料，形成第一接触塞(S250)。进一步的在所述形成有第一接触塞和第二接触塞的介质层上形成金属互连层。

本发明还提供一种互补金属氧化物半导体图像传感器。图15为本发明的互补金属氧化物半导体图像传感器实施例的剖面示意图。如图15所示，所述互补金属氧化物半导体图像传感器包括具有金属氧化物半导体器件和光敏区17的半导体衬底10、位于所述半导体衬底10上且覆盖所述光敏区17和所述金属氧化物半导体器件的介质层18、位于所述介质层18中的第一接触塞24和第二接触塞22、位于所述介质层18上的金属互连层23。所述光敏区17包含所述金属氧化物半导体器件的源极，从而实现与所述金属氧化物半导体器件的电连接；所述光敏区17通过所述第一接触塞24和所述金属互连层23电连接；所述金属氧化物半导体器件的漏极16通过所述第二接触塞22和所述金属互连层23电连接。

在所述半导体衬底10中还形成有浅沟槽隔离11。所述金属氧化物半导体器件具有栅极13、侧墙15、栅极介质层12和漏极16以及源极(未示出)，在所述半导体衬底10中还形成有轻掺杂区14以减小所述金属氧化物半导体器件的沟道漏电流。

在所述第二接触塞22侧壁和底部形成有金属阻挡层21，在所述金属互连层23底部也形成有阻挡金属层25。

所述第一接触塞24为导电硅材料，所述硅材料为掺杂的多晶硅、掺杂的单晶硅、掺杂的非晶硅中的一种，所述掺杂的杂质为磷。

本发明的互补金属氧化物半导体图像传感器中采用导电硅材料的第一接触塞24，减少了所述光敏区17和所述第一接触塞24之间的漏电流，从而减小了形成的CMOS图像传感器的噪声，提高了成像的质量。另外，由于所述第一接触塞24采用硅材料，可减小所述第一接触塞24和所述光敏区17之间的接触电阻，提高了器件的性能。

本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims (16)

1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成介质层；

在所述介质层中形成底部露出所述光敏区的第一开口；

在所述第一开口中填充导电硅材料，形成第一接触塞；

在形成有所述第一接触塞的介质层中形成第二开口；

在所述第二开口中形成与所述金属氧化物半导体器件连接的第二接触塞。

2.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于：形成所述第一开口的方法为干法刻蚀。

3.如权利要求2所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于，该方法进一步包括：完成所述干法刻蚀之后对所述第一开口底部的光敏区执行软刻蚀工艺。

4.如权利要求3所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于：所述软刻蚀的压力为30至50帕斯卡。

5.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于：所述导电硅材料为掺杂的多晶硅、掺杂的单晶硅、掺杂的非晶硅中的一种。

6.如权利要求5所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于：所述掺杂的杂质为N型离子。

7.如权利要求1至6任一权利要求所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于：所述填充导电硅材料的方法为高密度等离子体化学气相沉积或低压化学气相沉积。

8.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于，该方法进一步包括：在所述具有第一接触塞和第二接触塞的介质层上形成金属互连层。

9.如权利要求8所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于，该方法进一步包括：在形成所述金属互连层之前对所述具有第一接触塞和第二接触塞的介质层的表面进行清洗，去除所述第一接触塞表面的氧化层。

10.一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成介质层；

在所述介质层中形成第二开口；

在所述第二开口中形成与所述金属氧化物半导体器件连接的第二接触塞；

在具有所述第二接触塞的介质层中形成底部露出所述光敏区的第一开口；

在所述第一开口中填充导电硅材料，形成第一接触塞。

11.如权利要求10所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于：形成所述第一开口的方法为干法刻蚀。

12.如权利要求11所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于，该方法进一步包括：完成所述干法刻蚀之后对所述第一开口底部的光敏区域执行软刻蚀工艺。

13.如权利要求10所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于：所述导电硅材料为掺杂的多晶硅、掺杂的单晶硅、掺杂的非晶硅中的一种。

14.一种互补金属氧化物半导体图像传感器，包括，

具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底；

位于所述半导体衬底上且覆盖所述光敏区和金属氧化物半导体器件的介质层；

位于所述介质层中的第二接触塞；

位于所述介质层上的金属互连层；其中，所述光敏区与所述金属氧化物半导体器件电连接；所述金属氧化物半导体器件通过所述第二接触塞和所述金属互连层电连接；其特征在于，还包括：位于所述介质层中的第一接触塞，所述第一接触塞为导电硅材料，所述第一接触塞与所述光敏区直接连接，所述光敏区包含所述金属氧化物半导体器件的源极，所述光敏区通过所述第一接触塞和所述金属互连层电连接。

15.如权利要求14所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于：所述导电硅材料为掺杂的多晶硅、掺杂的单晶硅、掺杂的非晶硅中的一种。

16.如权利要求15所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于：所述掺杂中使用的杂质为N型离子。 

Images